CN1624948A - 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法 - Google Patents

用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1624948A
CN1624948A CNA2004100077014A CN200410007701A CN1624948A CN 1624948 A CN1624948 A CN 1624948A CN A2004100077014 A CNA2004100077014 A CN A2004100077014A CN 200410007701 A CN200410007701 A CN 200410007701A CN 1624948 A CN1624948 A CN 1624948A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
formula
group
organic
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100077014A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100530742C (zh
Inventor
奥拉夫·屈尔
霍斯特·哈特曼
奥拉夫·蔡卡
马丁·法伊弗
郑佑轩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NovaLED GmbH
Original Assignee
NovaLED GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34442480&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1624948(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NovaLED GmbH filed Critical NovaLED GmbH
Publication of CN1624948A publication Critical patent/CN1624948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100530742C publication Critical patent/CN100530742C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/10Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
    • C09B69/101Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing an anthracene dye
    • C09B69/102Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing an anthracene dye containing a perylene dye
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/10Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
    • C09B69/105Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing a methine or polymethine dye
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/10Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
    • C09B69/109Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing other specific dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611Charge transfer complexes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007Non-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • H10K50/155Hole transporting layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/311Phthalocyanine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/381Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565Oxadiazole compounds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10Photovoltaic [PV]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及有机中介型化合物作为有机掺杂剂来掺杂有机半导电的基体材料以改变其导电性能的应用。为了在生产过程中容易地用掺杂剂掺杂有机半导体并且可再生产具有掺杂的有机半导体的电子元件,提出使用醌或醌衍生物或者是1,3,2-二氧硼杂环己二烯或1,3,2-二氧硼杂环己二烯衍生物作为中介型化合物,并且该中介型化合物在相同的蒸发条件下具有比四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)低的挥发性。

Description

用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
技术领域
本发明涉及有机中介型化合物(mesomeren Verbindung)作为有机掺杂剂来掺杂有机半导体基体材料以改变其电学性能的应用、掺杂的半导体基体材料以及由该材料制备的电子元件。
背景技术
几十年以来,现有技术的状况是硅半导体的掺杂。因此,通过在材料中形成载流子来提高开始相当低的电导性以及根据使用的掺杂剂的种类改变半导体的费米水平。
但是这几年来业已已知,同样通过掺杂也可以对有机半导体的电导性产生巨大的影响。这些有机半导体基体材料或者可以由具有好的供电子性能的化合物构成也可以由具有好的接受电子性能的化合物构成。为了掺杂供电子-材料已知许多电子-受体例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4TCNQ)。M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)和J.Blochwitz,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(),729-731(1998)。通过在供电子基础材料(空穴迁移材料)中的电子迁移过程产生所谓的空穴,通过空穴的数量和灵敏性或多或少明显地改变了该基础材料的电导性。具有空穴迁移性能的基体材料例如是N,N-全芳基化联苯胺TPD或N,N,N-全芳基化Starburst化合物例如物质TDATA或者一定的金属酞菁例如特别是锌酞菁ZnPc。
然而迄今为止所研究的化合物对于工业应用来说在制备掺杂的半导体有机涂层或者相应的具有这种掺杂涂层的电子元件时存在缺陷,因为一直不能非常精确地控制在大工业生产设备中的制备过程或者技术学校规模(Technikumsmassstab)中的制备过程,为了获得所需的产品质量,将导致生产过程中高的控制成本和调整成本,或者导致所不希望的产品误差。此外,在使用迄今为止已知的有机掺杂剂时在电子元件结构例如发光二极管本身方面也存在缺陷,因为在使用掺杂剂时上述的生产中的困难导致电子元件中所不希望的不均匀性或者所不希望的电子元件的老化效应。而且同时注意到,待使用的掺杂剂具有适合的电子亲和性和其它对应用情况适合的性能,因为例如这些掺杂剂在给定的条件下也决定有机半导体涂层的电导性和其它电学性能。
发明内容
因此本发明赖以为基的任务是提供一种掺杂有机半导体的有机掺杂剂,其在生产过程中易于操作,并且形成其有机半导电材料可再生产的电子元件。
根据本发明该任务是通过使用有机中介型化合物作为有机掺杂剂来解决的,该有机掺杂剂是醌或醌衍生物,特别是未取代的、取代的或稠合(anelliertes)醌或醌衍生物,或者1,3,2-二氧硼杂环己二烯二氧硼杂环己二烯(Dioxaborin)或者1,3,2-二氧硼杂环己二烯二氧硼杂环己二烯衍生物,特别是未取代的、取代的或稠合的1,3,2-二氧硼杂环己二烯或者1,3,2-二氧硼杂环己二烯衍生物,并且它们在相同的蒸发条件下具有与四氟四氰基醌二亚胺(F4TCNQ)相比低的挥发性。在本发明范围中,醌衍生物特别是醌型(chinoiden)体系,其中一个、二个或多个醌型氧原子被中介(mesomer)和/或诱导吸电子的(induktivelektronenziehenden)、双键键合的取代基替代,特别地被那些在下面说明的取代基替代。术语“诱导吸电子的”被理解为这些基团,即与烃特别是不饱和烃的碳相比具有-I-效应的基团。通过升高的蒸发温度或在相同条件下低的挥发性可以更好地控制生产过程并因此在低成本和可再现性下进行生产,其中通过使用醌或其衍生物或者1,3,2-二氧硼杂环己二烯或者其衍生物作为掺杂剂在低的扩散系数(其保证了随时间始终不变的元件结构)下使有机半导电的基体在掺杂剂有利的电子亲和性下具有足够的电导性成为可能。此外,通过掺杂剂可以改善掺杂的涂层中的接点的载流子注入。此外,掺杂的有机半导体材料或获得的电子元件由于使用本发明的化合物而具有改善的长期稳定性。这例如与掺杂剂浓度随时间降低有关。此外还与电光学元件的未掺杂涂层相邻的掺杂涂层的稳定性有关,所以电光学性能例如在规定的波长下的发光效率的长期稳定性改善的电光学元件对太阳能电池等产生影响。
优选的方案可由从属权利要求获知。
这里,测定挥发性作为在相同条件(例如压力2×10-4Pa和规定的蒸发温度例如150℃)下测量的蒸发率或者作为在本来相同的条件下作为每时间单位涂层厚度的生长(nm/s)测量的基体的蒸镀速度。优选本发明化合物的挥发性≤F4TCNQ的0.95或0.9倍,特别优选≤0.8倍,更优选≤0.5倍,特别优选≤0.1倍或≤0.05倍或≤0.01倍或者更小。
使用石英厚度监测仪测定用本发明化合物蒸镀基片的速度,例如在制备OLEDs时通常使用这种监测仪。特别地,在使用二个分开的石英厚度监测仪下通过相互无关的测量来测定基体材料和掺杂剂的蒸镀速度的比例,以便调整掺杂比例。
与F4TCNQ的挥发性相比,该挥发性在每种情况下涉及纯化合物的挥发性或者涉及给定的基体材料例如ZnPc的挥发性。
可以理解,本发明使用的化合物优选具有这种特性,即它们或多或少或者实际上不分解地蒸发。然而在这种情况下可以使用有针对性的前体作为掺杂剂源,该前体可以分解为本发明使用的化合物,例如酸性加成盐,例如挥发的或不挥发的无机或有机酸或其电荷转移络合物,其中酸或电子供体优选是不或仅少量挥发的,或者电荷转移络合物本身也作为掺杂剂。
优选以这样的方式选择掺杂剂,即在给定的基体材料(例如酞菁锌或者其它在下面提及的基体材料)下,在本来相同的条件下,例如特别是掺杂浓度(掺杂剂:基体摩尔比、涂层厚度、电流强度)下,其产生足够高的或者优选比F4TCNQ高的电导性,例如电导性大于/等于F4TCNQ的1.1倍,1.2倍,或者大于/等于1.5倍或二倍。
优选这样选择本发明使用的掺杂剂,即用该掺杂剂掺杂的半导电的有机基体材料在温度从100℃变化至室温(20℃)时其电导性(S/cm)仍然≥100℃时的导电率的20%,优选≥30%,特别优选≥50%或者60%。
根据本发明可以使用各种不同的醌型衍生物或其1,3,2-二氧硼杂环己二烯作为上述优选空穴迁移材料HT的掺杂剂。
醌型结构
在本发明使用的醌型化合物中,醌型化合物(它们是邻-或对-醌型体系,其中在多核醌型体系的情况下也可以出现混合的邻-对醌型体系)的一个、二个、三个或四个或者所有的醌型=O-基团可以选自例如下面对取代基S1至S11、S13至S21定义的基团,如果需要也可以无S1,其中取代基具有下面的含义。
对于本发明使用的醌型化合物来说,醌型=O-基团的一个、二个、三个、四个或多个或者所有的取代基选自由S1至S11、S14至S16组成的组,如果需要也可以没有S1,或者选自由S1、S5至S14和S16组成的组,如果需要也可以没有S1,或者选自由S3、S4、S6至S10、S15、S16组成的组,如果需要也可以没有S1。
对于本发明使用的醌化合物来说,醌型=O-基团的一个、二个、三个、四个或多个或者所有的取代基选自由S1、S5、S7至S9、S11、S14、S16至21组成的组,如果需要也可以没有S1,或者选自由S1、S5、S8、S9、S11、S14、S16、S18组成的组,如果需要也可以没有S1。
特别地,醌型基团=O的一个、二个、三个、四个或多个或者所有的取代基是=C(CN)2或者=N(CN)或者=N(NO2)或者=C(CN)(C(O)R)或者=N(C(O)R)。优选醌型体系的一个、二个、三个或四个或多个或者所有的醌型取代基包含中介键合的-NO2和/或-C(O)R基团。
根据本发明可以使用具有下列醌型骨架的化合物。
Figure A20041000770100161
Figure A20041000770100171
其中在化合物3、3b、3c中,m是0、1、2、3、4至6或更大,
此外,在化合物25-27中基团M的取代基Z是相同的或不同于其它的取代基X、Y、V、W,
在化合物25中,二个基团M或者对于M是=C=Z时二个基团Z是相同或不同的,并且在化合物32中,优选一个或二个基团M均不是=C=Z。
显然上述化合物在每种情况下可以包含所有的立体异构体,特别是顺式同分异构体和反式同分异构体,只要它们在每种情况下在空间上是可能的。
在这种情况下,取代基T、U、V、W、X、Y和Z优选是中介和/或涉及碳或烃,特别是不饱和烃的诱导吸电子的双键键合的取代基。
特别地,对于化合物1至33来说,取代基T、U、V、W、X、Y和/或Z在每种情况下是不同的或者是相同的,并且选自下列基团:
其中R优选是有机基团或氢。R17特别地是-CF3或全氟烷基,特别是具有C1-C6的。如果取代基是S17,那么取代基S17的X和Y优选不再是S17和/或S18至S21。
在化合物1至33中取代基T、U、V、W、X、Y和/或Z在每种情况下特别地是相同的或不同的,并且选自下列基团:
Figure A20041000770100191
其中R优选是有机基团或氢,其中基团S8的R17特别地也是-CF3或一般是全氟烷基,特别是具有C1-C6的。特别地,这些取代基中的一个、二个、三个、四个或所有的均选自这些基团。特别地X和Y是相同的或不同的,并且X或Y或X和Y可以选自这些基团。特别地V和W备择地或附加地是相同的或不同的,并且V或W或V和W可以选自这些基团。
在化合物1至33中,取代基T、U、V、W、X、Y和/或Z在每种情况下是相同的或不同的,并且选自下列基团:
其中R优选是有机基团或氢,其中基团S8的R17特别地也是-CF3或一般是全氟烷基,特别是具有C1-C6的。特别地,这些取代基中的一个、二个、三个、四个或所有的均选自这些基团。特别地X和Y是相同的或不同的,并且X或Y或X和Y可以选自这些基团。特别地V和W备择地或附加地是相同的或不同的,并且V或W或V和W可以选自这些基团。
在化合物1至33中,取代基T、U、V、W、X、Y和/或Z在每种情况下是相同的或不同的,并且选自下列基团:
Figure A20041000770100201
其中R优选是有机基团或氢,其中基团S8的R17特别地也是-CF3或一般是全氟烷基,特别是具有C1-C6的。特别地,这些取代基中的一个、二个、三个、四个或所有的均选自这些基团。特别地X和Y是相同的或不同的,并且X或Y或X和Y可以选自这些基团。特别地V和W备择地或附加地是相同的或不同的,并且V或W或V和W可以选自这些基团。
在化合物1至33中,取代基T、U、V、W、X、Y和/或Z在每种情况下是相同的或不同的,并且选自S1、S5、S7至S9、S11、S14、S16-21,如果需要也可以无S1,或者选自S1、S5、S8、S9、S11、S14、S16、S18,如果需要也可以无S1。特别地这些取代基中的一个、二个、三个、四个或所有的选自这些基团。特别地X和Y是相同的或不同的,并且X或Y或X和Y可以选自这些基团。特别地V和W备择地或附加地是相同的或不同的,并且V或W或V和W可以选自这些基团。
对于化合物1至33来说,取代基之间的下面的关系也是适用的。下面的取代基关系特别适用于取代基S1至S21。下面的取代基关系也适用于取代基S1至S11,S14至S16。下面的取代基关系也适用于取代基S1、S5至S14、S16。下面的取代基关系也适用于基团S3、S4、S6至S10、S15、S16。
X和/或Y不是或不同时是=O或者=C(CN)2。这点特别适用于单核醌型掺杂剂,其取代基优选构成或是一个芳族环体系或非芳族环体系。这特别地适用于化合物1至20。备择地或附加地V和/或W不是或不同时是=O或者=C(CN)2。
优选在本发明使用的化合物中,在每种情况下=X和=X是相同的,和/或=U和=T是相同的和/或=V和=W是相同的。
优选在每种情况下,取代基AA和BB是相同的,它们相互也可以是不同的。
=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个取代基或上述基团中的所有取代基均不同于=O。
=X和=Y不同于=O。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个取代基或上述基团中的所有取代基均不同于=S。
优选基团=X和=Y中的一个或这二个取代基均不同于=S。
=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个取代基或上述基团中的所有取代基均不同于=C(CN)2
=X和=Y中的至少一个或这二个取代基均不同于=C(CN)2
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基均是=N(CN)。优选备择地或附加地=V和=W中的至少一个或这二个取代基均是=N(CN)和/或=U和=T中的一个或这二个取代基均是=N(CN)。
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=N(NO2)。
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=NR,其中R也是-CF3或者一般是全氟烷基,特别是具有C1至C6的。
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=N(C(O)R18
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=C(NO2)2
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=C(C(O)R13)(C(O)R14)。
优选,=X和=Y中的至少一个或这二个取代基和/或=V和=W中的一个或这二个取代基均是=C(CF3)2或者一般是=C(全氟烷基)2,特别是具有C1至C6的。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=N(CN)。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=C(NO2)2或者包含与醌型体系结合的NO2-基团。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=N(NO2)。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=NR,其中特别地R也是-CF3或者特别是具有C1至C6的全氟烷基。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=N(C(O)R18)。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=C(C(O)R13)(C(O)R14)或者包含与醌型体系结合的C(O)R-基团。
优选=X、=Y、=U、=V、=T、=W、=Z中的至少一个或二个或多个或所有的取代基均是=C(CF3)2或者一般是=C(全氟烷基)2,特别是具有C1至C6的。
特别地,对于化合物1至31,在每种情况下X=Y,或者所有的取代基X、Y、U、V、T、W、Z是相同的,然而不是对其的限制。相应地,在醌型化合物中一般所有的醌型取代基是相同。
如果需要,X或Y或X和Y不等于O,特别地对于化合物1或20或者对于仅具有醌型环的化合物来说。如果需要,X或Y或X和Y不等于S,特别地对于化合物1或20来说。如果需要,X或Y或X和Y不等于-C(CN)2,特别地对于化合物1或20来说。这特别地适合于仅具有6元醌型环的化合物,特别是适用于具有6个碳原子的环。
如果这些化合物具有至少一个或二个或多个醌型=O-基团和/或=S-基团,特别地在化合物1至33之一中,当这适用于T、U、V、W、X、Y或Z时,特别地当X或Y或X和Y是O或S时,那么该醌型环(特别地当仅存在一个醌型环时)优选与至少一个或至少二个芳基稠合或被其取代,这些芳基中的一个、多个或所有的也可以具有杂原子)。
取代基AA和/或BB是双键的、中介和/或诱导吸电子的取代基,优选选自下面给出的基团:
Figure A20041000770100241
其中,如果需要也可以使用其它适合的二键(zweibindige),特别是双键的取代基。R28特别地也可以是-CF3或其它全氟烷基,优选具有C1-6的。
本发明的化合物可以是具有醌型环和1、2或3或多个稠合的和/或在每种情况下键合一个基团R的芳族环的醌型体系。该芳族环在每种情况下可以具有一个或多个杂原子,并且是取代的或未取代的。该醌型体系可以是邻或对醌型体系。该醌型体系特别地选自化合物1至33,然而并不限于此。一个、二个、三个或多个或所有的芳族环可以被基团-M1-C(R)=C(R)-M2-或-M1-C(=Z)-M2-取代,其中M1、M2是相同的和/或不同的,并且选自基团-O-、-S-、-NR-。
此外,本发明包括具有由二个环(在每种情况下具有5或6个环原子)组成的醌型体系的化合物,其与1、2、3、4、5或6或多个芳族环稠合和/或在与基团R键合的条件下可以被取代。该芳族环是取代的或未取代的。
这些环优选在每种情况下具有6个原子,这6个原子是碳原子。在一个或多个环中或者每个化合物中总计1、2、3或4或多个碳原子可以被杂原子例如O、S、N代替。不同的醌型体系可以稠合、通过一个或多个双键或三键(它们可以是C-C-键或杂原子-C-键)中介键合或通过其它键合。这些化合物特别地选自化合物1至33,但不是对其的限制。一个、二个、三个或多个或所有的芳族环也可以被基团-M1-C(R)=C(R)-M2-或-M1-C(=Z)-M2-取代,其中M1、M2是相同的和/或不同的,并且选自基团-O-、-S-、-NR-。
与此无关,本发明使用的化合物1、2、3、4、5、6、7、8、9或10具有芳基,其中优选至少一个、多个或特别优选所有的与一个或多个醌型体系稠合和/或相互稠合和/或键合了基团R。芳族环可以是取代的或未取代的。这里术语“芳基”也被理解为杂芳基。在每种情况下芳基将二个醌型环键合在一起,优选该醌型环是中介键合的。该醌型体系特别地选自化合物1至33,但并不限于此。一个、二个、三个或多个或所有的芳族环也可以被基团-M1-C(R)=C(R)-M2-或-M1-C(=Z)-M2-取代,其中M1、M2是相同的和/或不同的,并且选自基团-O-、-S-、-NR-。所以例如在化合物4、22或23中,在每种情况下在醌型环之间排列2或3或多个(杂)芳环,它们是桥接的。
上述醌型体系的芳族环和/或基团-M1-C(R)=C(R)-M2-或-M1-C(=Z)-M2-优选是全卤代的,特别是全氟化或全氰基取代的。优选不包含其它的非芳族和/或非醌型环。
与此无关地,本发明使用的化合物具有2、3、4、5或6或多个醌型环体系。优选一个、多个或所有的醌型环是5或6元环。环上的碳原子可以被杂原子替代。至少二个、多个或所有的醌型环可以相互在中介键合下稠合为更大的醌型体系或者通过一个或多个桥相互中介键合或者在不形成更大的中介体系下连接。这些化合物特别地选自化合物1至33,但并不限于此。该醌型体系特别地选自化合物1至33,但并不限于此。一个、二个、三个或多个或所有的芳族环可以被基团-M1-C(R)=C(R)-M2-或-M1-C(=Z)-M2-取代,其中M1、M2是相同的和/或不同的,并且选自基团-O-、-S-、-NR-。
化合物14和15的取代基A、B、C、D、E、F、G、H是不同的或相同的,并且具有下列结构:亚胺-氮=N-、膦=P-o-取代的亚甲基碳=C-R1-8
可以理解在所有本发明的化合物中一个、多个或所有的N原子在每种情况下均可以被P原子替代。
特别地,可以使用下面具有下面的取代模式的化合物:
化合物1、2、3(m=0)、3(m=1)、3(m=3)、3(m=4)、3b(m=1)、3b(m=2)、3b(m=3)、3b(m=4)、3c(m=1)、3c(m=2)、3c(m=3)、3c(m=4)、6、7、10、11、11a、14、15、16、17、18、19、20、21(对于M不等于=C=Z)、26(对于M不等于=C=Z)、27(对于M等于-O-、-S-、-NR-或=C=Z,Z=S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20或S21)、28(对于U=S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20或S21)、30(其中M等于-O-、-S-、-NR-或=C=T,T=S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20或S21)、32、33在每种情况下特别地具有下面具体的取代模式,其中下面针对每一种化合物配给第一行的取代基X和下一行的其下的取代基Y
在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y
X:S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9
Y:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和Y:
X:S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21,
Y:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21
Y:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
化合物4、5、5b、5c、8、9、12、21(其中2基团M是V和W)、22、23、24、24a、24b、25和26(对于M不等于=C=Z)、27(对于M不等于=C=Z)、29、31特别地在每种情况下具有下面具体的取代模式,其中下面针对每一种化合物配给第一行的取代基X和下一行的取代基V(在这种情况下在每行的开始给出说明)
其中X=Y和V=W
在每种情况下具有如下的X和V:
X:S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S1、S1、S1、S1、S1、S1、S1
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S2、S2、S2、S2、S2、S2、S2
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V
X:S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S3、S3、S3、S3、S3、S3、S3
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S4、S4、S4、S4、S4、S4、S4
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S5、S5、S5、S5、S5、S5、S5
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S6、S6、S6、S6、S6、S6、S6
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S7、S7、S7、S7、S7、S7、S7
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S8、S8、S8、S8、S8、S8、S8
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14,
X:S9、S9、S9、S9、S9、S9、S9
V:S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10、S10
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11、S11
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12、S12
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13、S13
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14、S14
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15、S15
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16、S16
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17、S17
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18、S18
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19、S19
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20、S20
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
或者在每种情况下具有如下的X和V:
X:S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21,
V:S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,
X:S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21、S21
V:S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20、S21
此外,当X=V和Y=W以及具体取代模式适用于这些取代基时,当在上述表中对于这些化合物来说V被Y替代时以及当每单个化合物随后连接第一行的取代基X和下一行的在其下的取代基Y时,本发明还包含上述化合物4、5、5b、5c、8、9、12、21(其中2个基团M是V和W)、22、23、24、24a、24b、25和26(对于M不等于=C=Z)、27(对于M不等于=C=Z)、29、31。
此外,当X=W和Y=V以及具体取代模式适用于这些取代基时,当每单个化合物随后连接第一行的取代基X和下一行的在其下的取代基Y时,本发明还包含上述化合物4、5、5b、5c、8、9、12、21(其中2个基团M是V和W)、22、23、24、24a、24b、25和26(对于M不等于=C=Z)、27(对于M不等于=C=Z)、29、31。
在这种情况下,在化合物21、25和26中,二个基团是相同的或者相互独立的:-S-、-O-、-NR-或=C=Z,其中Z=S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、A16、S17、S18、S19、S20或S21。
基团R1至R32是相同的或不同的,并且选自氢、卤素(特别是-F、-Cl)、氰基、硝基、亚硝基、磺氨基(Sulfamid)(未取代或取代的,特别是C1-C6单或二烷基取代的)、羧基、C1-C7烷酯基、C1-C7磺基、磺基卤素(特别是-F或-Cl)、氨基甲酰基(未取代的或取代的,特别是C1-C6N单取代的或相同的或相互独立的N-C1-C6二取代的)、甲酰基、脒甲酰基(Amidinformyl)、C1-C6烷基sulfanyl、C1-C6烷基磺酰基、C1-C25烃(优选C1-C14烃或C1-C10或C1-C6烃),其中该组的一个或多个或所有的碳原子可以被一个或多个上述基团取代,这里烃是饱和的、不饱和的或是芳族烃。在每种情况下烃基是全卤代的、全氯化的或全氟化的(特别是三氟甲基)。烃基是直链的或支链的或环状的,例如环己基或环戊基。在每种情况下,一个或多个碳原子可以被杂原子,特别是N、O、S、-(O)S(O)-或P(R)替代。(杂)烃基可以相互或与醌型或其它环例如(杂)芳基环环状连接。
特别地,基团R1至R32是乙酰基、三氟乙酰基、苯甲酰基、五氟苯甲酰基、萘甲酰基或烷氧基羰基,其中烷基是具有最多达6个或最多达10个,特别是最多达4个的未支化或支化的相互连接的碳原子,以及具有烷基的三烷基磷酰基,其中烷基同样由具有最多达5个或六个或八个相互未支化或支化或环状连接的碳原子的链组成,或者三芳基磷酰基,其中芳基具有优选6至14个碳原子,特别地最多达10个碳原子。此外,基团R1至R32是相同的或相互不同的,或者是芳基或杂芳基,例如苯基、萘基、蒽基、吡啶基、喹握啉基、吡唑基、噁唑基、1,3,2-二氧杂烃硼基(Dioxaborinyl)或1,3,4-噁二唑基,其可以被下列基团取代:氢或者具有最多达8个饱和碳原子(它们相互是未支化或支化或或者连接的)的低级烷基;然而优选卤素(这里主要是氟或氯、三氯己基、具有最多达6个碳原子的全氟烷基,其中特别是三氟甲基);或者氰基、硝基、亚硝基、磺基、羰基、烷酯基、卤代羰基、氨基甲酰基、甲酰基、脒甲酰基、烷基sulfanyl基和烷基磺酰基,其中这里的烷基可以再次由具有最多达5个或六个或最多达8个相互未支化或支化或环状连接的碳原子的链组成;以及具有烷基的三烷基磷硝基,该烷基同样由具有最多达5个或六个或最多达8个相互未支化或支化连接的碳原子的链组成。特别地芳基或杂芳基是全卤代的,特别地是全氟化的。
在化合物3、3b、3c或式IV、V或VI中的基团R2、R3、R4、R5、R6对于不同的n或m来说是相同的或不同的。
基团R1至R32(其与本发明使用的化合物的醌型或芳族体系连接或相互相邻排列或被醌型或芳族骨架的二个、三个或四个原子分开)可以在形成碳环(特别是芳族环)或者杂环(特别是杂碳环)的条件下相互连接。这特别地适用于化合物1至33,但是也适用于本发明使用的其它醌或醌衍生物。这例如在每种情况下成对交替地或同时适用于化合物1、3、3b、7、8、9、10、11、12、23、24、25、27、28的基团R1、R2和/或R3、R4;化合物2的基团R1、R2;R2、R3;R4、R5和/或R5、R6;化合物3的基团R1、R2;R3、R4;R5、R6;R7、R8;化合物28、29或其它的基团R5、R6;R7、R8。桥接的原子基团特别地可以形成选自下列的基团:
-L1-C(R1)=C(R2)-L2-,其中L=O、S、NR或CR14R15
或者-C(X)C(Y)-C(R1)=C(R2)-
或者-C(=X)C(R3)=C(R4)-C(=Y)-
或者-C(=X)-L-C(=Y)-,其中L=O、S、NR、CR14R15
其中X和Y具有上述含义并且优选选自下列基团:
Figure A20041000770100391
其中不同基团的基团R13可以是不同的。特别地当X和/或Y是=O或=S或=C(CN)2时,可以存在上述桥接的原子基团。那么特别地L是-O-或-S-或-NR-。
R1至R32每二个相邻基团也可以经羰基、-(CO)-或碳酰亚氨基-(CNR)-(其中对于这些R来说与R1至R32的取代模式类似的取代模式也是适用的)相互结合。但是二个相邻基团R也可以经碳原子或杂原子相互连接,以便在各自的环骨架上稠合新的碳环或杂环结构单元。例如在化合物类型1中,基团R1和R2以及同样R3和R4表示稠合的苯并基团或萘并基团,或者表示稠合的噻吩、呋喃、1,3,4-噁二唑、吡啶、吡嗪、三嗪、四嗪、吡喃、噻喃、Dithiin-、Phosphorin-、邻苯二甲酸酐、邻苯二甲酰亚胺或二噻唑基,其中这些基团再次唯一地或部分被其它的吸电子基团例如卤素(其中优选氟或氯)、三氟甲基或氰基、硝基、亚硝基、磺基、羧基、烷酯基、卤代羰基、羰基、甲酰氨基、甲酰基、脒甲酰基取代。类似于也适合于化合物类型2中的基团R1和R2或R2和R3或基团R4和R5或R5和R6以及化合物类型3中的基团R1和R2、R3和R4、R5和R6以及R7和R8,以及化合物类型4中的基团R2和R3或R5和R6,以及其它化合物的相应的基团R对,这些对相互足够接近以便形成5或6元环。
化合物8的桥接的顺式-二酮形式可以形成结构28或29。在式26中,羧酸酐-氧也可以被取代的氮基团=N-R1代替,并因此形成羧酰亚胺结构。
可以取代醌型体系和/或与之稠合的芳族基团可以是全卤代的,特别是全氟化的、全氯化的或全氟氯化的。如果需要,一些例如最多达半数或更多的卤素原子被氢替代。相应地,也交替地或同时适用于醌型体系的基团R。代替卤素原子也可以在芳族基团和/或醌型体系上存在CN-基团。
在每种情况下,二个醌型体系Ch1和Ch2可以在形成化合物Ch1-ZB-Ch2的条件下经基团ZB相互连接,其中醌型基团Ch1和Ch2相互中介键合或者相互是独立的。醌型基团Ch1和Ch2可以相同或不同,并且选自化合物1至4和5至33,其中如果需要可以与其它的醌型体系相互连接,例如在形成如Ch1-ZB-Ch2-ZB2-Ch3的结构的条件下,其中Ch1、Ch2、Ch3是相同的或不同的,并且在每种情况下是化合物1至4和5至33,但并不限制此。ZB1和ZB2是相同的或不同的。
桥-Z-可以具有1、2至4个、最多达6个或最多达10个或更多的搭桥原子,其可以是碳原子或至少部分是杂原子。
当二个醌型化合物,例如在式5、5b或5c中,经基团Z相互连接时,该桥-Z-由下列基团组成:亚链烯基;卤代亚链烯基;双亚乙基;亚烷基;卤代亚烷基,特别是具有1至8个饱和碳原子(其是相互未支化或支化连接的)的全氟亚烷基;或者亚芳基;杂亚芳基,其或者被氢或者被具有最多达6个或最多达8个饱和碳原子(其相互是未支化或支化或环状连接的)低级烷基取代,然而优选下列基团取代:卤素(特别是氟或氯)、三氯甲基、具有最多达6个碳原子的全氟烷基,特别优选三氟甲基,但是也可以被下列基团取代:氰基;硝基;亚硝基;磺基;羧基;烷酯基;卤代羰基;氨基甲酰基;甲酰基;脒甲酰基;烷基sulfanyl和烷基磺酰基,其中这里的烷基再次由具有最多达8个相互未支化或支化或环状连接的碳原子的链组成;以及具有烷基的三烷基磷酰基,该烷基同样由具有最多达8个相互未支化或支化连接的碳原子的链组成。亚链烯基和亚烷基可以具有一个或多个C-C-多键。基团Z的搭桥原子仅由不饱和碳原子或杂原子组成,其中所述的基团是未取代或被取代的。基团Z的搭桥原子仅由饱和或芳族碳原子或杂原子组成,其中所述基团是未取代或被取代的,所以这二个醌型体系可以相互中介键合。
桥-Z-可以是一个或多个基团,特别包括下述式-(Z)n-中的基团,例如其中n是1、2、4或4或更高,在每种情况下它们相互是相同的或不同的。
Z可以选自下列基团:
Figure A20041000770100411
和/或选自下列基团:
Figure A20041000770100412
和/或选自下列基团:
Figure A20041000770100413
其中所述的桥也包括取代的桥,例如-NR-、-(C=X)-、-CR1=CR2-,
和/或选自羧基--(CO)-、碳酰亚氨基-(CNR)-、亚苯硫基、亚呋喃基、1,3,4-噁二唑基、三嗪基、四嗪基(Tetrazinylen)、吡喃基、噻喃基、Dithiinylen、磷酰基(Phosphorinylen)、邻苯二甲酸酐、邻苯二酰亚氨基或二噻唑基。
芳族环或上述碳桥或杂桥在每种情况下可以是取代的或未取代的。X可以是单或双取代的碳原子、单取代的氮原子或=O或=S,优选选自上述组之一或其次组。
基团R1或R2可以不同于化合物骨架1至33的基团R1或R2
此外,也存在二个醌型结构以任何一种方式直接相互键合的可能性。
醌型结构的描述
所有下面描述的醌化合物的合成已经完全包括在本发明中。
通常在待氧化的原料中产生相应的取代模式。1,4-醌最好是通过氧化相应的氢醌(W.T.Sumerford,D.N.Dalton,J.Am.Chem.Soc.1944,66,1330;J.Miller,C.Vasquez,1991 Patent US 506836;K.Koch,J Vitz,J.Prakt.Chem.2000,342/8 825-7)或者氟化的和/或氯化的芳香物来制备。(A.Roedig等,Chem.B.1974,107,558-65;O.I.Osina,V.D.Steingarz,Zh.Org.Chim.1974,10,329;V.D.Steingarz at al Zh.Org.Chin.1970,6/4,833)。
2,3-二氢-1,3-茚二酮化合物由V.Khodorkovsky等合成。(V.Khodorkovsky等Tetrahedron Lett.1999,40,4851-4)。
N,N-二氰基-1,4-醌二亚胺或者通过N,N‘-双三甲基甲硅烷基碳二亚胺作用于1,4-醌化合物(A.Aumuller,S.Hunig,Liebigs Ann.Chem.,1986,142-64)或者通过氧化相应的N,N’-二氰基-1,4-二胺化合物(G.D.Adreetti,S.Bradamante,P.C.Pizzarri,G.A.Pagani,Mol.Cryst.Liq.Cryst.1985,120,309-14)来提供,其中N,N’-二氰基-1,4-二胺化合物可以通过用卤化氰氰化亚苯基-1,4-二胺或者通过相应硫脲化合物的脱硫来获得。
简单的四氰基醌二甲烷可以经1,4-环己二酮通过在脱水机上在苯中与乙酸铵缓冲液缩合并随后通过溴氧化来制备(D.S.Acker,W.R.Hertler,J.Am.Chem.Soc.1962,84,3370)。此外Hertler和其同事还指出,这些化合物也可以经1,4-二甲苯和其类似物通过侧链溴化,借助于氰化物取代,与羧酸二乙酯缩合,将羧酸甲酯基转化为氰化物基,随后氧化来合成(J.Org.Chem.1963,28,2719)。
受体-取代的四氰基醌二甲烷可以由叔丁基-丙二酸二腈的钠盐和受体取代的1,4-二卤代芳香物制备(R.C.Wheland,E.L.Martin,J.Org.Chem.,1975,40,3101)。
此外,通过1,4-二卤代芳族化合物的具有Malodinitril阴离子的钯催化反应以及随后氧化四氰基醌二甲烷来制备(S.Takahashi等,Tetrahedron Letters,1985,26,1553)。
醌型1,4-聚亚苯基E.A.Shalom,J.Y.Becker,I,Agranat,NouveauJournal de Chimie 1979,3 643-5。
复稠合的醌通过多步合成法制备。(B.Skibo等J.Med.1991,34,2954-61;H.Bock,P.Dickmann,H.F.Herrman,Z.Naturforsch.1991,46b,326-8,J.Druey,P.Schmidt,Helv.Chim.Acta 1950,140,1080-7)。
桥接的醌型化合物按照下面的方法制备:M.Matsuoka,H.Oka,T.Kitao,Chemistry Letters,1990,2061-4;J.Dieckmann,W.R.Hertler,R.E.Benson,J.A.C.S.1963,28,2719-24;K.Takahashi,S.Tarutani,J.C.S.Chem.Comm.1994,519-20;N.N.Woroschzov,W.A.Barchasch,Doklady Akad.SSSR 1966,166/3,598。
共轭的TCNQ-化合物可以按照下面的方法制备:M.Matsuoka,H.Oka,T.Kitao,Chemistry Letters,1990,2061-4;B.S.Ong,B.Koeshkerian,J.Org.Chem.1984,495002-3。
吡嗪并-TCNQ-化合物是通过5,8-二碘chinoxaline的具有Malodinitril钠盐的钯催化反应制备的(T.Miyashi等J.Org.Chem.1992,57,6749-55)。
吡嗪并-TCNQ-化合物以及其它复稠合的衍生物可以以不同的方式制备(Y.Yamashita等Chemistry Letters,1986,715-8,F.Wudl等J.Org.Chem.1977,421666-7)。
稠合的DCNQI-化合物根据Hunig通过相应的醌合成(J.Tsunetsung等Chemistry Letters,2002,1004-5)。
复稠合的DCNQI-化合物根据Hunig通过相应的醌合成(T.Suzuki等J.Org.Chem.2001,66,216-24;N.Martin等J.Org.Chem.1996,61,3041-54;K.Kobayashy等Chemistry Letters,1991,1033-6;K.Kobayashy,K.Takahashi,J.Org.Chem.2000,65,2577-9)。
杂环醌型衍生物是按照下面方法制备的:N.F.Haley,J.C.S.Chem.Comm.1979,1031,F.Weydand,K.Henkel Chem.B.1943,76,818;H.J.Knackmuss Angew.Chem.1973,85,16;K.Fickentscher,Chem.B.1969,102,2378-83,D.E.Burton等J.Chem.Soc.(C)1968,1268-73。
具有不同基团X、Y的醌型结构在不同的工艺循环中合成(T.Itoh,N.Tanaka,S.Iwatsuki,Macromolecules 1995,28,421-4;J.A.Hyatt,J.Org.Chem.1983,48 129-31;M.R.Bryce等J.Org.Chem.1992,57,1690-6;A.Schonberg,E.Singer,Chem.Ber.1970,103,3871-4;S.Iwatsuki,T.Itoh,H.Itoh Chemistry Letters,1988,11 87-90;T.Itoh,K.Fujikawa,M.Kubo,J.Org.Chem.1996,61,8329-31;S.Iwatsuki,T.Itoh,T.Sato,T.Higuchi,Macromolecules,1987,20,2651-4;T.Itoh等Macromolecule2000,33,269-77;B.S.Ong,B.Koeshkerian,J.Org.Chem.1984,495002-3;H.Junek,H.Hambock,B.Hornischer,Mh.Chem.1967,98,315-23;P.W.Pastors等Doklady Akad.SSSR 1972,204,874-5;A.R.Katritzky等Heterocyclic Chem.1989,26,1541-5;N.N.Vorozhtsov,V.A.Barkash,S.A.Anichkina,Doklady Akad.SSSR 1966,166,598)。
四乙酰基醌甲烷化合物或其还原形式是经1,4-苯并醌和乙酰丙酮获得的(J.Jenik,Chemicky prumysl 1985 35/60 1547,R.J.Wikholm J.Org.Chem.1985,50,382-4;E.Bernatek,S.Ramstad Acta Chem.Scand.1953,7,1351-6)。
三氟乙酰胺是借助于三氟乙酸通过芳族1,4-二胺制备的(R.Adama,J.M.Stewart J.A.C.S.1952,20,3660-4)。通过用乙酸Pb(IV)氧化可以获得二亚胺。
其它的二亚胺或酰胺结构是按照B.C.McKusick等J.A.C.S.1958,80,2806-15。
附图说明
图1是表示实施例1的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
图2是表示实施例2的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
图3是表示实施例3的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
图4是表示实施例4的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
图5是表示实施例5的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
图6是表示实施例6的电流强度和涂层厚度的关系曲线。
具体实施方式
实施例1
N,N’-二氰基-2,5-二氯-1,4-苯并醌二亚胺
在20℃下,在搅拌下,将3单位N,N’-二氰基-2,5-二氯苯-1,4-二胺悬浮在200单位乙酸中,加入13单位四乙酸铅(IV)。长时间搅拌直至所有的原料被氧化。吸滤沉淀出的黄色/棕色产物,并从苯中再结晶出。
产率:64%,熔点:225℃
实施例2
N,N’-二氰基-2,3,5,6-四氟-1,4-苯并醌二亚胺
在1.5单位2,3,5,6-四氟-1,4-苯并醌中加入7.6单位于70单位二氯甲烷中的四氯化钛。在室温下,在搅拌下,使形成的黄色配合物与7.5单位于15单位二氯甲烷中的双-(三甲基甲硅烷基)-碳二亚胺反应,并在4小时之后放在冰上。将含水相用二氯甲烷萃取二次。将合并的有机相用氯化镁干燥,过滤,在真空中浓缩并用石油醚析出,并再次吸滤。将获得的固体从甲苯/甲基环己烷中再结晶出。
产率:48%,熔点:205℃
1,3,2-二氧硼杂环己二烯
此外,根据本发明使用1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物来掺杂半导电的有机材料。
本发明使用的1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式L
其中A是具有一个或多个可以被杂原子部分或全部替代的碳原子的二价基团,m=0或大于0的整数,例如1、2、3、4、5、6或更大,例如最高达10或最高达20,X是单齿(einzahliger)配位体或者二个配位体X一起可以形成双齿(zweizahliger)配位体。这里桥A具有最高达6、最高达10个或最高达20个搭桥原子,它们相互键合成二个1,3,2-二氧硼杂环己二烯环,其中搭桥原子特别地是碳原子和/或杂原子。
本发明使用的1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式LI
其中Q是三价基团,X是单齿配位体或者二个配位体一起形成双齿配位体。
此外,本发明使用的1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式LII
其是式L中m=0的情况,然而其中二个1,3,2-二氧硼杂环己二烯相互中介键合。
特别地这里作为掺杂剂的1,3,2-二氧硼杂环己二烯具有通式30至33。
其中在这些通式中不同的X和/或R1至R3相互是相同的或不同的。
给出的符号具有下列含义:
基团X是具有优选带负电荷的粘附性原子(Haftatom)(例如氟、烷氧基、酰氧基、芳氧基或芳酰基氧基)的单齿配位体、双齿配位体,其粘附性原子优选是氧,其经过桥键与不同的原子基团和各种数目的搭桥原子相互键合,其中通过这些桥键优选形成5或6元环,在这种情况下桥键中的至少一个原子或所有原子优选是碳原子,
基团R1-R6,在每种情况下相互是独立的,或者是氢;烃基,其如果需要具有一个或多个杂原子,特别是烷基或环烷基,其有利地部分或全部被氟或氯取代,特别是全卤代的,特别优选全氟化的,并且优选由1至6个或8个或10个碳原子(优选最多10个碳原子)组成,这些碳原子相互是支化或未支化地连接;未取代的或取代的芳基Ar,包括杂芳基,其有利地也被卤素(特别是氟或氯)取代,特别是全卤代的,最优选是全氟化的,但是也可以在1,3,2-二氧硼杂环己二烯骨架的相邻位置上与它们结合的碳原子一起形成芳族的、杂芳族的或非芳族的分子片断,例如苯并-、萘并-、蒽并-、噻吩并-、呋喃并-、苯并噻吩并-、苯并呋喃并-、吲哚并-、咔唑并-、喹啉并-、四氢萘并-或四氢喹啉并-片断,其中这些片断仍然能以非常灵活的方式例如被卤素如氟或氯以及被其它含杂原子的基团例如烷氧基、芳氧基、二烷基氨基或二芳基氨基基团取代。
基团A或者是1,3,2-二氧硼杂环己二烯基团之间的键或者是具有优选最多达10个原子的桥键,其中该桥键具有碳原子或杂原子例如O、N、S或P,并且其中这些碳原子部分或全部被杂原子替代。如果需要这些桥键具有多个或唯一的不饱和搭桥原子。该桥键优选同Q一样是促使1,3,2-二氧硼杂环己二烯之间共轭的分子片断,例如因此该桥键的所有搭桥原子均是不饱和的。
基团Q或者是三价基团例如氮原子或磷原子、三亚烷基或三亚芳基或三杂亚芳基氨基或磷基。Q的桥键优选是促使1,3,2-二氧硼杂环己二烯之间共轭的分子片断。
如果化合物L、LI或LII中,特别是式30至33的化合物中的基团X是双齿配位体,那么其优选是有机二元羧酸例如特别是草酸或丙二酸、琥珀酸以及戊二酸的残基,其中这些二元羧酸除了首先提及的化合物外它们的亚烷基还可以被烷基或芳基取代;芳族二元羧酸例如邻苯二甲酸和其环上优选被卤素取代的衍生物、有机羟基酸例如水杨酸和其环上被取代的衍生物、1-羟基-萘-2-羧酸、2-羟基-萘-1-羧酸、扁桃酸、酒石酸、二苯乙醇酸和其苯基上被取代的衍生物的残基;1,2-Dioxyaren或Dioxyhetaren,其是由焦儿茶酚或其环上被取代的或通过苯并基团稠合的衍生物或者由3,4-二氧噻吩衍生的;环状氧代二元羧酸例如Quadratsaure、Krokonsaure等的残基。
基团A或Q,其任务优选是完成单个的它们连接的1,3,2-二氧硼杂环己二烯基团之间的共轭,可以具有非常大的结构多样性,并且优选是二或三价原子基团,例如氧、硫或氮或多个相互以共轭方式结合的二价或三价芳基、杂芳基、多烯基(Polyenyl)或聚甲羟基(Polymethinyl),其中每个基团环可以携带其它取代基,这些取代基特别地是具有1至10个碳原子的烷基(其还可以被氟或氯取代,特别是全卤代的或全氟化的)、未取代或优选被氟或氯以及被吸电子取代基改性的芳基或杂芳基,其中后者中的杂原子优选是氧、硫或氮,并且它们不但单个而且相互组合出现,或者也可以构成适合的桥键例如环亚烷基或其杂环类似物。
如果A或Q表示芳基,那么在A的情况下优选一个或多个基团34至36,而在Q的情况下优选一个或如果需要多个基团37酯39,其中这些可以被常规取代基(优选携带带负电菏的粘附原子)取代,并且在类别36的片断中基团R5和R6(它们是相同或不同的)或者是氢、烷基或氟以及氯,但是优选一起是一个被具有1至10个碳原子的正、异或环烷基取代的碳原子,其中在化合物35或39中优选n是1至4的整数。W可以是三价基团或三价原子例如特别是N或P或基团43,但其并不限于此。
如果A或Q表示杂芳基,那么在A的情况下优选是通式40或41的基团,其中如果需要在基团A中在式40和41组合之后还可以出现该组合,并且在Q的情况下是通式42的基团,其中基团R7和R8是随意的取代基例如烷基、芳基或杂芳基以及卤素或烷氧基、芳氧基、二烷基氨基或二芳基氨基,以及取代基Z1-Z6是二价杂原子,例如优选氧、硫或未取代或取代的氮或磷,以及n是整数,优选是1至4或6之间,特别是1、2或3。
Figure A20041000770100502
本发明的化合物30至33也包括那些其中上述桥键也可以相互组合的化合物,这种情况例如是氧双亚苯基或硫代亚苯基单元以及氨基三亚苯基单元,其中在杂原子的任意位置中与各自的1,3,2-二氧硼杂环己二烯体系的结合例如1,4-键合是可能的。本发明的化合物还包括那些其中除上述桥键A或Q外还包括各自的桥键中粘附在1,3,2-二氧硼杂环己二烯体系上的基团之一,所以形成通式43酯46的化合物,其中基团X以及R1-R3具有上述含义,R4具有基团R1-R3之一的相应的含义。
Figure A20041000770100511
标记K表示连接二个置于两侧的含1,3,2-二氧硼杂环己二烯的分子结构的基团(优选相互共轭结合),这例如是通过二个侧基的直接融合或者在构成芳基或杂芳基片断的情况下成为可能。
下面的化合物应该是本发明使用的1,3,2-二氧硼杂环己二烯的举例性说明:
Figure A20041000770100521
化合物31f至I是其中m=0的式L化合物。
化合物30g、31a至e和31j是其中m=1的式L化合物,其中在化合物31b的情况中,A是-C(=CR1R2)-和m等于1,而在化合物31d和j的情况中,A是-CR1=CR2-,并且m等于1。
化合物32a和b是式LI的化合物。
化合物31k至n和o、p是式LII的化合物。
1,3,2-二氧硼杂环己二烯的制备
1,4-双-(2,2-二氟-4-甲基-1,3,2-二氧硼杂环己二烯基)-苯:
在室温下,在搅拌下,在1,4-二乙酰基苯(0.01摩尔)于乙酸酐(50毫升)的溶液中滴加醚合三氟化硼(10毫升)。在放置过夜之后,吸滤析出的固体,并用乙醚洗涤。熔点293-298℃。
5,7-双甲氧基-2,2-二氟-4-甲基-8-(2,2-二氟-4-甲基-1,3,2-二氧硼杂环己二烯基)-苯并[d]1,3,2-二氧硼杂环己二烯:
Figure A20041000770100532
在室温下,在搅拌下,在1,3,5-三甲氧基-苯(0.1摩尔)于乙酸酐(0.9摩尔)的溶液中滴加三氟化硼/乙酸(0.3摩尔)。在放置过夜之后吸滤析出的固体,用乙醚洗涤,并从甲苯/硝基甲烷中再结晶出。熔点217至219℃。
2,2,7,7-四氟-2,7-二氢-1,3,6,8-四氧杂(doxa)-2,7-二硼杂(dibora)-芘:
在搅拌下,将1克5,8-二羟基-1,4-萘并醌和1.5毫升醚合三氟化硼在干燥甲苯中在水浴上加热2小时。在冷却至室温之后分离出红棕色结晶的沉淀物,将其从干燥的冰醋酸中再结晶出。熔点163至165℃。
2,2,7,7-四氟-2,7-二氢-1,3,6,8-四氧杂-2,7-二硼杂-苯并[e]芘:
在搅拌下,将10克醌茜和1.5毫升醚合三氟化硼在干燥甲苯中在水浴上加热2小时。在冷却至室温之后分离出红棕色结晶的沉淀物,将其从干燥的冰醋酸中再结晶出。熔点249-251℃。
2,2,8,8-四氟-2,8-二氢-1,3,7,9-四氧杂-2,8-二硼杂-苝:
在搅拌下,将10克1,5-二羟基-9,1-蒽醌和10毫升醚合三氟化硼在干燥甲苯中在水浴上加热2小时。在冷却至室温之后分离出红色结晶的沉淀物,将其从干燥的冰醋酸中再结晶出。熔点>350℃。
三-[4-(2,2-二氟-4-甲基-1,3,2-二氧硼杂环己二烯基)-苯基]-胺:
在室温下,在搅拌下,在三苯基胺(0.1摩尔)于乙酸酐(0.9摩尔)的溶液中滴加三氟化硼/乙酸(0.3摩尔)。在放置过夜之后,吸滤析出的沉淀物,用乙醚洗涤,并从乙酸/硝基甲烷中再结晶出。熔点305-307℃。
1,3,5-三-(2,2-二氟-4-甲基-1,3,2-二氧硼杂环己二烯基)-苯:
在45℃下,在搅拌下,在乙酸酐(0.6摩尔)和三氟化硼-乙酸(0.2摩尔)的混合物中缓慢地滴加1,3,5-三乙酰基苯(0.05摩尔)。然后将获得的混合物再搅拌8小时,然后冷却。将加入二乙醚(100毫升)之后析出的产物吸滤出,用乙酸酯洗涤,并从硝基甲烷中再结晶出,熔点>360℃。
7,9-二甲基-1,4,6,10-四氧杂-5-硼杂-螺[4,5]癸-7,9-二烯-2,3-二酮:
Figure A20041000770100561
将乙酰丙酮(0.1摩尔)、草酸(0.1摩尔)和硼酸(0.1摩尔)在甲苯(200毫升)加热,直至形成透明的溶液,并且不再分离出水。在冷却之后,吸滤析出的产物,并用环己烷洗涤。熔点187-189℃。
8-乙酰基-7,9-二甲基-1,4,6,10-四氧杂-5-硼杂-螺[4,5]癸-7,9-二烯-2,3-二酮:
Figure A20041000770100562
在室温下,将三乙酰基甲烷(0.1摩尔)和醚合三氟化硼(0.15摩尔)在乙醚(200毫升)中搅拌20小时。随后吸滤析出的产物,并用环己烷洗涤。熔点>250℃。
2,3-苯并-7,9-双-(4-氯苯基)-1,4,6,10-四氧杂-5-硼杂-螺[4,5]癸-7,9-二烯:
将焦儿茶酚(0.1摩尔)、双-(4-氯苯甲酰基)-甲烷(0.1摩尔)和硼酸(0.1摩尔)在甲苯(250毫升)中加热直至产生透明溶液,并且不再分离出水。在冷却之后,吸滤析出的产物,并用环己烷洗涤。熔点312至315℃。
基体材料
在本发明中描述了适合于有机半导电材料例如空穴迁移材料HT(其通常在OLEDs或有机太阳能电池中使用)的掺杂剂。这半导电的材料优选是固有空穴导电的。下面的结果不但适用于本发明的醌型掺杂剂而且适用于二氧硼杂环己二烯型掺杂剂。
该材料可以部分(>10或>25重量%)或者基本上(>50或>75重量%)或者全部由金属酞菁配合物、卟啉配合物(特别是金属卟啉配合物)、低聚亚苯基乙烯或低聚芴化合物组成,其中低聚物优选包括2至500或者更多、优选2至100或2至50或2至10个单体单元。如果需要,该低聚物也可以包含>4、>6或>10或更多的单体单元,特别地对于上述范围例如也可以包括4或6至10个单体单元,6或10至100个单体单元或者10至500个单体单元。单体或低聚物可以是取代的或未取代的,其中也可以存在上述低聚物的嵌段聚合物或混合聚合物,具有三芳基胺单元的化合物或螺-二芴化合物。上述基体材料也可以相互组合存在,如果需要也可以与其它基体材料相互混合。基体材料可以具有电子迁移取代基例如烷基或烷氧基,它们具有降低的电离能或者降低基体材料的电离能。
作为基体材料使用的金属酞菁配合物或卟啉配合物具有主族金属原子或副族金属原子。金属原子Me在每种情况下可以4、5或6重配位,例如以氧代-(Me=O)、二氧代-(O=Me=O)、亚胺-、二亚胺-、配位羟离子-、二配位羟离子-、氨基-或二氨基配合物的形式,但并不限于此。酞菁配合物或卟啉配合物在每种情况下是部分氢化的,然而优选不破坏中介环体系。酞菁配合物可以包含作为中心原子的镁、锌、铁、镍、钴、锰、铜或氧钒基(=VO)。在卟啉配合物的情况下也可以存在相同的或其它的金属原子或氧代金属原子。
特别地,这些可掺杂的空穴迁移材料HT是芳基化的联苯胺例如N,N’-全芳基化联苯胺或其它二胺例如TPD型二胺(其中一个、多个或所有的芳基具有芳族杂原子)、适当芳基化的Starburst化合物,例如N,N’,N”-全芳基化的Starburst化合物如化合物TDATA(其中一个、多个或所有的芳基具有芳族杂原子)。对于每个上述化合物来说,芳基包括苯基、萘基、吡啶、喹啉、异喹啉、Peridazin、嘧啶、哌嗪、吡唑、咪唑、噁唑、呋喃、吡咯、吲哚等。每个化合物的苯基可以被噻吩基部分或全部替代。
优选使用的基体材料全部由金属酞菁配合物、卟啉配合物、具有三芳基胺单元的化合物或螺-二芴化合物组成。
显然也可以使用其它适合的具有半导电性能的有机基体材料特别是空穴导电的材料。
掺杂
掺杂特别地以下列方式进行,即基体分子与掺杂剂的摩尔比例或者在低聚基体材料的情况下基体单体数量与掺杂剂的比例是1∶100000,优选1∶1至1∶10000,特别优选1∶5至1∶1000,例如1∶10至1∶100,例如约1∶50至1∶100或者1∶25至1∶50。
掺杂剂的蒸发
可以按照下面的一种方法或其组合来用本发明待使用的掺杂剂掺杂各自的基体材料(这里优选被称作空穴导电基体材料HT):
a)采用HT源和掺杂剂源在真空中进行混合蒸发。
b)顺序堆放HT和掺杂剂,随后通过热处理使掺杂剂扩散
c)通过掺杂剂溶液掺杂HT涂层,随后通过热处理蒸发溶剂
d)通过表面涂覆的掺杂剂层表面掺杂HT涂层
掺杂可以这样进行,即蒸发由前体化合物组成的掺杂剂,这些前体化合物在加热和/或照射时释放出掺杂剂。照射可以借助于电磁照射特别是可见光、UV光或IR光进行,例如在每种情况下通过激光或也可以通过其它照射方式进行。通过照射基本上提供了蒸发所需的热量,也可以有针对性地照射待蒸发化合物或前体或化合物配合物例如电荷转移络合物的一定范围,以便例如通过转化为激发状态来使通过配合物的分解进行的化合物的蒸发简单化。可以理解,下面描述的蒸发条件是针对那些不进行照射的,并且出于比较的目的提出统一的蒸发条件。
例如作为前体化合物使用的是:
a)由掺杂剂和惰性的、非挥发性的物质例如聚合物、分子筛、氧化铝、硅胶、低聚物或其它具有高蒸发温度的有机或无机物质组成的混合物或化学计算或混晶化合物,其中掺杂剂主要是通过范德华力和/或氢桥键结合在这些物质上。
b)掺杂剂和一种或多或少供电子的、不挥发的化合物V组成的混合物或化学计算或混晶化合物,其中在掺杂剂和化合物V之间产生一种或多或少完全的电荷转移,例如在具有或多或少富电子芳族聚合物或杂芳族化合物或具有高蒸发温度的其它有机或无机物质的电荷转移配合物中。
c)掺杂剂和一种与掺杂剂一起蒸发的并具有相同或更高电离能的物质(例如待掺杂的物质HT)组成的混合物或化学计算或混晶化合物,所以该物质在有机基体中不形成用于空穴的晶格缺陷。在这种情况下,根据本发明该物质也可以与基体材料相同,例如金属酞菁或联苯胺衍生物。其它适合的挥发性辅助物质例如氢醌、1,4-亚苯基二胺或1-氨基-4-羟基苯或其它化合物形成醌氢醌或其它电荷转移络合物。
电子元件
使用本发明的制备掺杂的有机半导电材料(其以涂层或导电电路的形式装配)的有机化合物可以制备许多电子元件或包含这些元件的设备。特别地,可以使用本发明的掺杂剂来制备有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池、有机二极管,特别是那些具有高的整流比例例如103-107,优选104-107或105-107或者有机场效应晶体管。通过本发明的掺杂剂可以改善掺杂涂层的导电性和/或掺杂涂层中的接点的载流子注入矫正。特别地,在OLEDs的情况下,该元件可以具有pin型结构或反向结构,但并不限于此。然而,本发明掺杂剂的应用并不限于上述有利的实施方案。
实施方案
借助于实施方案进一步详细地说明本发明。
现在将本发明待使用的化合物特别是来自上面描述的醌或1,3,2-二氧硼杂环己二烯类的上述举例说明的化合物以下面的方式作为掺杂剂用于不同的空穴导体,该空穴导体本身用于构成某种微电子或光电子元件,例如OLED。在这种情况下,掺杂剂同时与基体的空穴迁移材料一起在升温下,在高真空(约2×10-4Pa)中蒸发。对于基体材料来说,通常基片蒸镀速度是0.2纳米/秒(密度约1.5克/立方厘米)。在每种情况下,根据所需的掺杂比例,在获得相同的密度下,掺杂剂的蒸镀速度在0.001和0.5纳米/秒之间改变。下面给出了基片蒸镀设备中化合物的蒸发温度,其中F4TCNQ在本来相同的条件下的蒸发速度是80℃,以便在规定的相同时间单位(例如5秒钟)下在基片上沉积与本发明使用的掺杂剂相同的涂层厚度(例如1纳米)。
在下面的实施例中,在1V下,采用1毫米长和约0.5毫米宽的由掺杂的HT材料制成的电流电路进行电流测量。在这种条件下实际上没有电流通过ZnPc。
实施例1
用N,N’-二氰基-2,3,5,6-四氟-1,4-醌二亚胺(F4DCNQI)掺杂ZnPc
蒸发温度T是85℃。基体和掺杂剂这二种组分在真空中以50∶1的比例被蒸发。在这种情况下导电率是2.4×10-2S/cm。
    涂层厚度(nm)     电流强度(nA)
5     69.05
    10     400.9
    15     762.5
    20     1147
    25     1503.2
    30     1874.4
    35     2233.4
    40     2618
    45     3001.5
    50     3427
实施例2
用N,N’-二氰基-2,5-二氯-1,4-醌二亚胺(Cl2DCNQI)掺杂ZnPc
蒸发温度T是114℃。在蒸镀的涂层中这二种组分的比例是1∶50以有利于基体。该涂层中测量的导电率是1.0×10-2S/cm。
    涂层厚度(nm)     电流强度(nA)
    5     42.66
    10     179.4
    15     334.2
    20     484
    25     635.5
    30     786
    35     946
    40     1091.5
    45     1253
    50     1409.8
实施例3
用N,N’-二氰基-2,5-二氯-3,6-二氟-1,4-醌二亚胺(C12F2DCNQI)掺杂ZnPc
蒸发温度T是118℃。以1∶25(掺杂剂∶基体)的比例在真空中蒸镀涂层。这种情况下测量的导电率是4.9×10-4S/cm。
涂层厚度(nm)   电流强度(nA)     涂层厚度(nm)   电流强度(nA)
    5   1.1648     55   66.012
    10   4.7852     60   74.335
    15   9.7211     65   82.449
    20   15.582     70   90.251
    25   21.985     75   97.968
    30   28.866     80   106.14
    35   35.45     85   114.58
    40   42.249     90   122.84
    45   49.747     95   131.1
    50   57.86     100   139.59
实施例4
用N,N’-二氰基-2,3,5,6,7,8-六氟-1,4-萘并醌二亚胺(F6DCNNQI)掺杂ZnPc
蒸发温度T是122℃。在真空下,以1∶25的比例在载体上蒸镀掺杂剂和基体。这种情况下导电率达2×10-3S/cm。
涂层厚度(nm)   电流强度(nA) 涂层厚度(nm)   电流强度(nA)
    5   6.4125     55   300.85
    10   26.764     60   333.18
    15   52.096     65   365.28
    20   79.286     70   397.44
    25   107.22     75   431.58
    30   135.36     80   464.29
    35   165.63     85   498.18
    40   199.68     90   529.63
    45   234.01     95   560.48
    50   267.59     100   590.82
实施例5
用1,4,5,8-四氢-1,4,5,8-四硫杂-2,3,6,7-四氰基蒽醌(CN4TTAQ)掺杂ZnPc
蒸发温度T是170℃。在真空下,以1∶25(掺杂剂∶基体)的比例蒸镀涂层。这种情况下测量的导电率是4.5×10-4S/cm。
  厚度(nm)   电流(nA)
  10   0.94
  15   2.43
  20   4.46
  30   9.84
  40   16.33
  50   23.66
  60   31.54
  70   39.6
  80   47.5
  90   56
  100   63.5
实施例6
用2,2,7,7-四氟-2,7-二氢-1,3,6,8-四氧杂-2,7-二硼烷-五氯-苯并[e]芘掺杂ZnPc
蒸发温度T是140℃。在真空下,以1∶25(掺杂剂∶基体)的比例蒸镀涂层。这种情况下测量的导电率是2.8×10-5S/cm。
 厚度(nm)  电流(nA)
 50  1.12
 55  1.49
 60  1.89
 65  2.32
 70  2.88
 75  3.56
 80  4.25
 85  5
 90  5.9
 95  6.94
 100  8.1

Claims (25)

1、有机中介型化合物(mesomeren Verbindung)作为有机掺杂剂来掺杂有机半导电的基体材料以改变其电学性能的应用,其特征在于,该中介型化合物是醌或醌衍生物或者是1,3,2-二氧硼杂环己二烯或1,3,2-二氧硼杂环己二烯衍生物,并且该中介型化合物在相同的蒸发条件下具有比四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)低的挥发性。
2、权利要求1的化合物应用,其特征在于,该中介型醌型化合物具有下列通式
式I                 或              式II               或              式III或者
Figure A2004100077010002C2
      式IV           或              式V                或               式VI
其中对于式IV来说,m=1、2、3、4以及
对于式V或式VI来说,m=0、1、2、3、4
或者
        式VII      或        式VIII       或           式IX      或        式X        或        式XI
或者
Figure A2004100077010003C1
式XII或式XIII或式XIV或式XV或式XVI或式XVII
或者
式XVIII或式XIX或式XX或式XXI
Figure A2004100077010003C3
式XXII或式XXIII或式XXIV或式XXV或式XXVI或式
XXVII
或者
式XXVIII或式XXIX或式XXX或式XXXI或式XXXII
或者
式XXXIII或式XXXIV或式XXXV或式XXXVI或式XXXVII
Figure A2004100077010004C2
或者式XXXVIII或式XXXIX
Figure A2004100077010004C3
或式XXXX或XXXXI,其中醌型或芳族环是取代的或未取代的(R=H)或者与至少一个芳族环稠合,其中-M-是二价原子或具有二价搭桥原子的基团,并且其中=T、=U、=V、=X、=Y或=Z是双键键合的原子或者具有中介和/或感应吸电子残基的原子基团,并且其中ZB是二键原子或二键多原子桥。
3、权利要求2的化合物应用,其特征在于,这些符号具有下列含义:
-M-是-O-、-S-、-NR-或-C(=Z)-,优选-O-、-S-或-NR-或优选-C(=Z)-,
以及=T、=U、=V、=X、=Y或=Z是相同的或不同的,并且选自下列基团
Figure A2004100077010005C1
其中取代基AA选自下列基团
Figure A2004100077010005C2
其中AA与该化合物的其它基团R形成多元环,
其中式VIII、IX或X中Z是直接键或者单原子或多原子基团,该基团是饱和的或不饱和的,并且其中式XX和XXI中的A、B、D、E、F、G、H、K是相同的或不同的,并且选自基团=N-、=P-或=CR-,其中R是氢原子或是基团。
4、权利要求3的化合物应用,其特征在于,取代基T、U、V、W、X、Y和Z是相同的或不同的,并且选自下列基团
其中R是有机基团或氢。
5、权利要求3的化合物应用,其特征在于,取代基T、U、V、W、X、Y和Z是相同的或不同的,并且选自下列基团
其中R是有机基团或氢。
6、权利要求3的化合物应用,其特征在于,取代基T、U、V、W、X、Y和Z是相同的或不同的,并且选自下列基团
其中R是有机基团或氢,基团S8的R13是有机基团、氢或CF3
7、权利要求1至6中任一项的化合物应用,其特征在于,该化合物是具有至少二个未稠合的醌型体系的醌或醌衍生物,其是直接或通过具有1至10个搭桥原子的桥-ZB-相互键合的,搭桥原子是碳原子或杂原子或碳原子和杂原子。
8、权利要求1至7中任一项的化合物应用,其特征在于,该化合物具有2、3、4、5或6个醌型环体系,这些环体系在每种情况下具有5或6个碳原子,这些碳原子至少部分可以被杂原子替代。
9、权利要求8的化合物应用,其特征在于,至少2个、多个或所有的醌型环体系在中介键合下稠合成更大的醌型体系或者通过不饱和桥键相互中介键合。
10、权利要求1的化合物应用,其特征在于,化合物1、2、3、4、5或6包含1,3,2-二氧硼杂环己二烯环。
11、权利要求10的化合物应用,其特征在于,至少2个、多个或所有的1,3,2-二氧硼杂环己二烯环在中介和/或芳族键合下如果需要经其它芳基环稠合或通过不饱和桥键相互中介键合。
12、权利要求1的化合物应用,其特征在于,中介1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式L
其中A是二价基团,其具有1个或多个碳原子,这些碳原子可以部分或全部被杂原子替代,
m=0或者是大于0的整数,以及
X是单齿配位体,其中二个配位体X可以构成双齿配位体,
或者中介1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式LI
其中Q是三价基团,以及
X是单齿配位体,这里二个配位体X可以构成双齿配位体。
13、权利要求12的化合物应用,其特征在于,A选自下列基团
和-(C(R1)=C(R2)-)n,其中n是1、2、3、4、5或6以及-NR1-,其中Z1、Z2或Z3是二或三价原子,并且其中基团R1、R2中的一个或这二个与一个或二个相邻的1,3,2-二氧硼杂环己二烯环构成环。
14、权利要求12的化合物应用,其特征在于,Q选自下列基团
Figure A2004100077010009C2
氮;N(芳基)3,其中芳基包括杂芳基;磷和P(芳基)3,其中芳基包括杂芳基,其中Z4、Z5和Z6是三价原子,W是三价原子和三价原子基团,其中n等于0、1、2、3或4。
15、权利要求12的化合物应用,其特征在于,中介1,3,2-二氧硼杂环己二烯化合物具有通式LII
Figure A2004100077010009C3
其中X是单齿配位体,其中二个配位体X可以构成双齿配位体,并且其中R4、R5是具有1,3,2-二氧硼杂环己二烯环的有机基团。
16、权利要求1至15任一项的化合物应用,其特征在于,该化合物具有1、2、3、4、5或6个芳基,这些芳基在每种情况下相互或与一个或多个该化合物的醌型体系或与一个或多个1,3,2-二氧硼杂环己二烯环稠合。
17、权利要求1至16任一项的化合物应用,其特征在于,该化合物是下列化合物:N,N’-二氰基-2,3,5,6-四氟-1,4-醌二亚胺、N,N’-二氰基-2,5-二氯-1,4-醌二亚胺、N,N’-二氰基-2,5-二氯-3,6-二氟-1,4-醌二亚胺、N,N’-二氰基-2,3,5,6,7,8-六氟-1,4-萘并醌二亚胺、1,4,5,8-四氢-1,4,5,8-四硫杂-2,3,6,7-四氰基蒽醌和/或2,2,7,7-四氟-2,7-二氢-1,3,6,8-四氧杂(doxa)-2,7-二硼烷-五氯-苯并[e]芘。
18、权利要求1至17任一项的化合物应用,其特征在于,该基体材料是空穴导电的。
19、权利要求1至18任一项的化合物应用,其特征在于,基体材料部分或者全部由金属酞菁配合物、卟啉配合物、低聚噻吩化合物、低聚苯基化合物、低聚亚苯基乙烯化合物、低聚芴化合物、并五苯(Pentazen)化合物、具有三芳基胺单元的化合物和/或螺二芴化合物。
20、权利要求1至19任一项的化合物应用,其特征在于,掺杂剂和基体分子或聚合物基体分子的单体单元的摩尔掺杂比例是1∶1至1∶10,000。
21、含有有机基体分子和有机掺杂剂的有机半导电的材料,其特征在于,该掺杂剂是一种或多种权利要求1至19之一的化合物。
22、权利要求21的有机半导电的材料,其特征在于,掺杂剂和基体分子或聚合物基体分子的单体单元的摩尔掺杂比例是1∶1至1∶10,000。
23、制备权利要求21或22的含有有机基体分子和有机掺杂剂的有机半导电的材料的方法,其特征在于,从前体化合物中蒸发出掺杂剂,该前体化合物在加热和/或照射下释放出掺杂剂。
24、具有有机半导电材料的电子元件,其被有机掺杂剂掺杂以改变该半导电的基体材料的电学性能,其中该掺杂在使用至少一种或多种权利要求1至20的化合物下进行。
25、权利要求24的电子元件,其形式是有机发光二极管(OLED)、光电电池、有机太阳能电池、有机二极管或者有机场效应晶体管。
CNB2004100077014A 2003-12-04 2004-03-05 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法 Expired - Lifetime CN100530742C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10357044.6 2003-12-04
DE10357044A DE10357044A1 (de) 2003-12-04 2003-12-04 Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1624948A true CN1624948A (zh) 2005-06-08
CN100530742C CN100530742C (zh) 2009-08-19

Family

ID=34442480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100077014A Expired - Lifetime CN100530742C (zh) 2003-12-04 2004-03-05 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6908783B1 (zh)
EP (4) EP2270894A1 (zh)
JP (2) JP2005167175A (zh)
KR (1) KR100622179B1 (zh)
CN (1) CN100530742C (zh)
AT (2) ATE442674T1 (zh)
CA (1) CA2462745C (zh)
DE (3) DE10357044A1 (zh)
HK (2) HK1078988A1 (zh)
IN (2) IN2004MU00382A (zh)
TW (1) TWI276142B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101273480B (zh) * 2005-09-05 2010-09-15 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于改善有机电子元件中空穴注入的新型材料及该材料的应用
CN102822181A (zh) * 2010-05-24 2012-12-12 海洋王照明科技股份有限公司 一种醌型硅芴类有机半导体材料及其制备方法和应用
CN103159920A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 海洋王照明科技股份有限公司 蒽醌基共聚物太阳能电池材料及其制备方法和应用
CN104183736A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN110759919A (zh) * 2018-12-06 2020-02-07 广州华睿光电材料有限公司 芘醌类有机化合物及其应用
CN113206201A (zh) * 2021-05-13 2021-08-03 南京邮电大学 一种优化无铅钙钛矿太阳能电池薄膜的方法
CN113924666A (zh) * 2019-08-14 2022-01-11 株式会社Lg化学 有机发光器件

Families Citing this family (293)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7560175B2 (en) 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
KR100721656B1 (ko) * 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
WO2005109542A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Lg Chem. Ltd. Organic electronic device
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
JP2008509565A (ja) 2004-08-13 2008-03-27 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 発光成分用積層体
EP1794255B1 (en) 2004-08-19 2016-11-16 LG Chem, Ltd. Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
EP1648042B1 (en) 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG A method for doping a semiconductor material with cesium
WO2006081780A1 (de) * 2005-02-04 2006-08-10 Novaled Ag Dotanden für organische halbleiter
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
EP2264806B1 (de) 2005-04-13 2019-03-27 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
EP2045843B1 (de) * 2005-06-01 2012-08-01 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
KR101174871B1 (ko) * 2005-06-18 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 반도체의 패터닝 방법
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
US20090015150A1 (en) * 2005-07-15 2009-01-15 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
WO2007016403A2 (en) * 2005-08-01 2007-02-08 Plextronics, Inc. Latent doping of conducting polymers
DE102005040411A1 (de) 2005-08-26 2007-03-01 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102005043163A1 (de) 2005-09-12 2007-03-15 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
DE502005009802D1 (de) * 2005-11-10 2010-08-05 Novaled Ag Dotiertes organisches Halbleitermaterial
DE102005059608B4 (de) * 2005-12-12 2009-04-02 Polyic Gmbh & Co. Kg Organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Spannungsstabilität und Verfahren zur Herstellung dazu
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
US7919010B2 (en) * 2005-12-22 2011-04-05 Novaled Ag Doped organic semiconductor material
DE602006001930D1 (de) * 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
WO2007071450A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Novaled Ag Electronic device with a layer structure of organic layers
EP1804308B1 (en) * 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other
EP1803789A1 (de) * 2005-12-28 2007-07-04 Novaled AG Verwendung von Metallkomplexen als Emitter in einem elektronischen Bauelement und elektronisches Bauelement
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP2009524189A (ja) 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
JP2009526370A (ja) * 2006-02-09 2009-07-16 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 半導体ナノ結晶およびドープされた有機材料を含む層を含むデバイスおよび方法
DE102007014048B4 (de) 2006-03-21 2013-02-21 Novaled Ag Mischung aus Matrixmaterial und Dotierungsmaterial, sowie Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus dotiertem organischen Material
EP1837927A1 (de) 2006-03-22 2007-09-26 Novaled AG Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
ATE394800T1 (de) 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement
DE102006013802A1 (de) 2006-03-24 2007-09-27 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20080105127A (ko) * 2006-03-30 2008-12-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자용 재료 및 이것을 사용한 유기 전계발광 소자
WO2007115540A1 (de) * 2006-03-30 2007-10-18 Novaled Ag Verwendung von bora-tetraazapentalenen
US7572482B2 (en) 2006-04-14 2009-08-11 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Photo-patterned carbon electronics
EP1848049B1 (de) 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
EP1860709B1 (de) * 2006-05-24 2012-08-08 Novaled AG Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006035018B4 (de) * 2006-07-28 2009-07-23 Novaled Ag Oxazol-Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
DE102006053320B4 (de) * 2006-11-13 2012-01-19 Novaled Ag Verwendung einer Koordinationsverbindung zur Dotierung organischer Halbleiter
DE102006059509B4 (de) * 2006-12-14 2012-05-03 Novaled Ag Organisches Leuchtbauelement
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102007012794B3 (de) 2007-03-16 2008-06-19 Novaled Ag Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
DE102007018456B4 (de) * 2007-04-19 2022-02-24 Novaled Gmbh Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente
EP1988587B1 (de) 2007-04-30 2016-12-07 Novaled GmbH Oxokohlenstoff-, Pseudooxokohlenstoff- und Radialenverbindungen sowie deren Verwendung
EP1990847B1 (de) * 2007-05-10 2018-06-20 Novaled GmbH Verwendung von chinoiden Bisimidazolen und deren Derivaten als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials
US8044390B2 (en) * 2007-05-25 2011-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display
DE102007024850A1 (de) 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2009014B1 (de) * 2007-06-22 2018-10-24 Novaled GmbH Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, Precursor und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement
DE102007063993B4 (de) 2007-07-04 2024-09-12 Novaled Gmbh Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102007031220B4 (de) * 2007-07-04 2022-04-28 Novaled Gmbh Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102007037905B4 (de) 2007-08-10 2011-02-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dotiertes Halbleitermaterial und dessen Verwendung
US8759819B2 (en) * 2007-11-22 2014-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
DE102008011185A1 (de) * 2008-02-27 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht
JP5315729B2 (ja) * 2008-03-11 2013-10-16 大日本印刷株式会社 有機デバイス
JP5794912B2 (ja) * 2008-03-31 2015-10-14 カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ 供与体−受容体フルオレン骨格、それの方法及び使用
DE102008017591A1 (de) 2008-04-07 2009-10-08 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008018670A1 (de) 2008-04-14 2009-10-15 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8057712B2 (en) * 2008-04-29 2011-11-15 Novaled Ag Radialene compounds and their use
DE102008024182A1 (de) 2008-05-19 2009-11-26 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtung
US9184394B2 (en) * 2008-06-27 2015-11-10 Universal Display Corporation Cross linkable ionic compounds
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
GB2467316B (en) 2009-01-28 2014-04-09 Pragmatic Printing Ltd Electronic devices, circuits and their manufacture
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
GB2462591B (en) * 2008-08-05 2013-04-03 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors and methods of making the same
DE102008050841B4 (de) 2008-10-08 2019-08-01 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8119037B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Novaled Ag Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components
JP5774484B2 (ja) 2008-10-27 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド 電荷注入層および輸送層
DE102008061843B4 (de) 2008-12-15 2018-01-18 Novaled Gmbh Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102009005289B4 (de) 2009-01-20 2023-06-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung und elektronische Vorrichtungen, enthaltend diese
DE102009005290A1 (de) 2009-01-20 2010-07-22 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102009005288A1 (de) 2009-01-20 2010-07-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009005746A1 (de) 2009-01-23 2010-07-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010097433A1 (de) 2009-02-26 2010-09-02 Basf Se Chinonverbindungen als dotierstoff in der organischen elektronik
DE102009013685B4 (de) 2009-03-20 2013-01-31 Novaled Ag Verwendung einer organischen Diode als organische Zenerdiode und Verfahren zum Betreiben
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009051142B4 (de) 2009-06-05 2019-06-27 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101761223B1 (ko) 2009-06-18 2017-07-25 유디씨 아일랜드 리미티드 전계 발광 소자를 위한 정공 수송 물질로서의 페난트로아졸 화합물
CN102421858A (zh) 2009-06-22 2012-04-18 默克专利有限公司 导电制剂
DE102009032922B4 (de) 2009-07-14 2024-04-25 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung, deren Verwendung sowie elektronische Vorrichtung
DE102010031829B4 (de) 2009-07-21 2021-11-11 Novaled Gmbh Thermoelektrische Bauelemente mit dünnen Schichten
DE102009034194A1 (de) 2009-07-22 2011-01-27 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102009034625A1 (de) 2009-07-27 2011-02-03 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2011134458A1 (de) * 2010-04-27 2011-11-03 Novaled Ag Organisches halbleitendes material und elektronisches bauelement
DE102010023619B4 (de) 2009-08-05 2016-09-15 Novaled Ag Organisches bottom-emittierendes Bauelement
GB2473200B (en) 2009-09-02 2014-03-05 Pragmatic Printing Ltd Structures comprising planar electronic devices
DE102009053644B4 (de) 2009-11-17 2019-07-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101097315B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101097316B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
WO2011044867A2 (de) 2009-10-14 2011-04-21 Novaled Ag Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen
DE102009053191A1 (de) 2009-11-06 2011-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DK2513995T3 (en) 2009-12-16 2016-08-29 Heliatek Gmbh PHOTOACTIVE COMPONENT WITH ORGANIC LAYERS
US9178156B2 (en) 2009-12-23 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Compositions comprising polymeric binders
EP2517273B1 (en) 2009-12-23 2019-04-03 Merck Patent GmbH Compositions comprising organic semiconducting compounds
DE102010004453A1 (de) 2010-01-12 2011-07-14 Novaled AG, 01307 Organisches lichtemittierendes Bauelement
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
EP2367215A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-21 Novaled AG An organic photoactive device
DE102010013068A1 (de) 2010-03-26 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
KR101182446B1 (ko) * 2010-04-02 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9379323B2 (en) 2010-04-12 2016-06-28 Merck Patent Gmbh Composition having improved performance
EP2559079B1 (en) 2010-04-12 2020-04-01 Merck Patent GmbH Composition and method for preparation of organic electronic devices
DE102010014933A1 (de) 2010-04-14 2011-10-20 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
EP2385556B1 (de) 2010-05-04 2021-01-20 Heliatek GmbH Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
JP6309269B2 (ja) 2010-05-27 2018-04-11 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung 有機電子装置を調製するための配合物および方法
JP5986992B2 (ja) 2010-06-14 2016-09-06 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 有機発光素子
DE102010023620B4 (de) 2010-06-14 2016-09-15 Novaled Ag Organisches, bottom-emittierendes Bauelement
DE102010024335A1 (de) 2010-06-18 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
ES2572818T3 (es) 2010-06-21 2016-06-02 Heliatek Gmbh Célula solar orgánica con varios sistemas de capas de transporte
DE102010024542A1 (de) 2010-06-22 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
CN102959753B (zh) 2010-06-24 2017-10-31 巴斯夫欧洲公司 具有改进开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管
US20110315967A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Basf Se Organic field effect transistor with improved current on/off ratio and controllable threshold shift
DE102010031979B4 (de) 2010-07-22 2014-10-30 Novaled Ag Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung des Halbleiterbauelementes und Inverter mit zwei Halbleiterbauelementen
DE102010033548A1 (de) 2010-08-05 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102010048607A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
WO2012092972A1 (de) 2011-01-06 2012-07-12 Heliatek Gmbh Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten
EP2669262B1 (en) 2011-01-27 2018-03-07 JNC Corporation Novel anthracene compound and organic electroluminescence element using same
TWI526418B (zh) 2011-03-01 2016-03-21 諾瓦發光二極體股份公司 有機半導體材料及有機組成物
EP2705552B1 (de) 2011-05-05 2015-03-04 Merck Patent GmbH Verbindungen für elektronische vorrichtungen
JP5780132B2 (ja) 2011-05-19 2015-09-16 Jnc株式会社 ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子
KR101908384B1 (ko) 2011-06-17 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
WO2013007348A1 (de) 2011-07-11 2013-01-17 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101983019B1 (ko) 2011-08-03 2019-05-28 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
US9403795B2 (en) 2011-08-05 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Carbazole-based compound and organic light-emitting diode comprising the same
EP2782975B1 (en) 2011-10-27 2018-01-10 Merck Patent GmbH Materials for electronic devices
DE102011055233A1 (de) 2011-11-10 2013-05-16 Novaled Ag Lichtemittierende Vorrichtung und flächige Anordnung mit mehreren lichtemittierenden Vorrichtungen
EP2780409A4 (en) 2011-11-15 2015-09-16 Basf Se ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2013083216A1 (de) 2011-11-17 2013-06-13 Merck Patent Gmbh Spiro -dihydroacridinderivate und ihre verwendung als materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101927943B1 (ko) 2011-12-02 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP6139552B2 (ja) 2011-12-06 2017-05-31 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 有機発光素子およびその製造方法
KR101927941B1 (ko) 2011-12-19 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
DE102012100642B4 (de) 2012-01-26 2015-09-10 Novaled Ag Anordnung mit mehreren organischen Halbleiterbauelementen und Verfahren zum Herstellen sowie Verwendung der Anordnung
EP2817350A2 (de) 2012-02-22 2014-12-31 Merck Patent GmbH Polymere enthaltend dibenzocycloheptan-struktureinheiten
DE102013203149A1 (de) 2012-03-08 2013-09-12 Olaf Zeika Oligomere Verbindungen sowie deren Verwendung
TW201341347A (zh) 2012-03-15 2013-10-16 Novaled Ag 芳香胺三聯苯化合物及其在有機半導體元件中的應用
DE102013205093A1 (de) 2012-03-28 2013-10-02 Olaf Zeika Herstellung und Verwendung chinoider N-Heterozyklen, chinoider N-Heteropolyzyklen und chinoider Phenanthrenderivate
DE102012103448B4 (de) 2012-04-19 2018-01-04 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von in Reihe geschalteten, photoaktiven Bauelementen auf gekrümmten Oberflächen
DE102012104118B4 (de) 2012-05-10 2021-12-02 Heliatek Gmbh Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente
DE102012104247B4 (de) 2012-05-16 2017-07-20 Heliatek Gmbh Halbleitendes organisches Material für optoelektronische Bauelemente
WO2013179223A2 (de) 2012-05-30 2013-12-05 Heliatek Gmbh Solarmodul zur anordnung auf formteil aus beton
DE102012011335A1 (de) 2012-06-06 2013-12-12 Merck Patent Gmbh Verbindungen für Organische Elekronische Vorrichtungen
DE102012105022A1 (de) 2012-06-11 2013-12-12 Heliatek Gmbh Fahrzeug mit flexiblen organischen Photovoltaik-Modulen
CN104428898B (zh) 2012-06-11 2018-05-08 赫里亚泰克有限责任公司 光活性组件的滤光系统
WO2014000860A1 (de) 2012-06-29 2014-01-03 Merck Patent Gmbh Polymere enthaltend 2,7-pyren-struktureinheiten
DE102012105809B4 (de) 2012-07-02 2017-12-07 Heliatek Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement mit transparenter Gegenelektrode und transparenter Elektrodenvorrichtung
DE102012105812A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Elektrodenanordnung für optoelektronische Bauelemente
JP6449766B2 (ja) 2012-07-02 2019-01-09 ヘリアテク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeliatek Gmbh 光電子デバイス用透明電極
DE102012105810B4 (de) 2012-07-02 2020-12-24 Heliatek Gmbh Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente
EP2684932B8 (en) 2012-07-09 2016-12-21 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Diarylamino matrix material doped with a mesomeric radialene compound
US10622567B2 (en) 2012-07-10 2020-04-14 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
EP2875699B1 (de) 2012-07-23 2017-02-15 Merck Patent GmbH Derivate von 2-diarylaminofluoren und diese enthaltnde organische elektronische verbindungen
KR102696532B1 (ko) 2012-07-23 2024-08-19 메르크 파텐트 게엠베하 플루오렌 및 이를 함유하는 전자 소자
CN104487541B (zh) 2012-07-23 2019-07-26 默克专利有限公司 化合物以及有机电致发光器件
JP5819534B2 (ja) 2012-09-11 2015-11-24 Jnc株式会社 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、表示装置、及び照明装置
KR102124227B1 (ko) 2012-09-24 2020-06-17 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 금속 화합물, 방법, 및 이의 용도
US20150274762A1 (en) 2012-10-26 2015-10-01 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
WO2015008810A1 (ja) * 2013-07-19 2015-01-22 富士フイルム株式会社 有機膜トランジスタ、有機半導体膜および有機半導体材料およびそれらの応用
JP5972230B2 (ja) * 2013-07-19 2016-08-17 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP5972229B2 (ja) * 2013-07-19 2016-08-17 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
DE102013110693B4 (de) 2013-09-27 2024-04-25 Heliatek Gmbh Photoaktives, organisches Material für optoelektronische Bauelemente
JP6804823B2 (ja) 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーArizona Board of Regents on behalf of Arizona State University 白金錯体およびデバイス
KR20160094430A (ko) 2013-12-06 2016-08-09 메르크 파텐트 게엠베하 아크릴산 및/또는 메타크릴산 에스테르 단위를 포함하는 폴리머 결합제를 함유하는 조성물
KR101772371B1 (ko) 2013-12-06 2017-08-29 메르크 파텐트 게엠베하 화합물 및 유기 전자 소자
US10374170B2 (en) 2013-12-06 2019-08-06 Merck Patent Gmbh Substituted oxepines
KR101993129B1 (ko) 2013-12-12 2019-06-26 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
TWI636056B (zh) 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
WO2016025921A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes
WO2016029137A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
WO2016120007A1 (en) 2015-01-30 2016-08-04 Merck Patent Gmbh Formulations with a low particle content
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN107635987B (zh) 2015-05-18 2023-01-03 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
KR102643183B1 (ko) 2015-07-15 2024-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도전성 화합물들을 포함하는 조성물
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10211411B2 (en) 2015-08-25 2019-02-19 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Thermally activated delayed fluorescent material based on 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine analogues for prolonging device longevity
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3182478B1 (en) 2015-12-18 2018-11-28 Novaled GmbH Electron injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3208861A1 (en) 2016-02-19 2017-08-23 Novaled GmbH Electron transport layer comprising a matrix compound mixture for an organic light-emitting diode (oled)
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101872962B1 (ko) 2016-08-31 2018-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110291094A (zh) 2016-10-12 2019-09-27 亚利桑那州立大学董事会 窄带红色磷光四配位基铂(ii)络合物
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3609977B1 (de) 2017-04-13 2024-05-29 Merck Patent GmbH Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20200190115A1 (en) 2017-05-16 2020-06-18 Kwansei Gakuin Educational Foundation Polycyclic aromatic compound
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
DE102017111137A1 (de) 2017-05-22 2018-11-22 Novaled Gmbh Organische elektrolumineszente Vorrichtung
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3645766A1 (en) 2017-06-26 2020-05-06 Merck Patent GmbH Homogeneous mixtures
WO2019003615A1 (ja) 2017-06-30 2019-01-03 学校法人関西学院 有機電界発光素子
TWI813576B (zh) 2017-07-03 2023-09-01 德商麥克專利有限公司 具有低含量苯酚類雜質的調配物
US11591320B2 (en) 2017-07-05 2023-02-28 Merck Patent Gmbh Composition for organic electronic devices
CN110832053B (zh) 2017-07-05 2024-06-04 默克专利有限公司 用于有机电子器件的组合物
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2019079508A2 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS
US11647643B2 (en) 2017-10-17 2023-05-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Hole-blocking materials for organic light emitting diodes
TWI785142B (zh) 2017-11-14 2022-12-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電子裝置之組成物
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109912619B (zh) 2017-12-13 2022-05-20 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US11466009B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11897896B2 (en) 2017-12-13 2024-02-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11466026B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12037348B2 (en) 2018-03-09 2024-07-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue and narrow band green and red emitting metal complexes
EP3802520A1 (de) 2018-05-30 2021-04-14 Merck Patent GmbH Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
US20200075870A1 (en) 2018-08-22 2020-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US20200251664A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220127286A1 (en) 2019-03-04 2022-04-28 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US20210032278A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210047354A1 (en) 2019-08-16 2021-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
CN117042491A (zh) 2019-10-17 2023-11-10 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光器件
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2021111957A1 (ja) 2019-12-04 2021-06-10 富士電機株式会社 排ガス処理装置
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220336759A1 (en) 2020-01-28 2022-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP7300409B2 (ja) 2020-02-27 2023-06-29 株式会社荏原製作所 水位検知システム及び排ガス処理装置
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
CN113809246B (zh) * 2020-06-15 2024-06-11 Tcl科技集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220112232A1 (en) 2020-10-02 2022-04-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220162243A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A3 (en) 2021-02-26 2022-12-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298193A1 (en) 2021-03-15 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
EP4106027A1 (en) * 2021-06-18 2022-12-21 Novaled GmbH Active-matrix oled display
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240343970A1 (en) 2021-12-16 2024-10-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4223739A1 (en) 2022-02-02 2023-08-09 Novaled GmbH 3,6-bis(cyanomethylidene)cyclohexa-1,4-diene compounds and their use in organic electronic devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20230168203A (ko) 2022-06-03 2023-12-12 노발레드 게엠베하 화학식 (i)의 화합물 및 화학식 (ii)의 화합물을 포함하는유기 전계발광 장치, 유기 전계발광 장치를 포함하는 디스플레이 장치
EP4287812A1 (en) 2022-06-03 2023-12-06 Novaled GmbH Organic electroluminescent device comprising a compound of formula (i) and a compound of formula (ii), and display device comprising the organic electroluminescent device
WO2023232972A1 (en) 2022-06-03 2023-12-07 Novaled Gmbh Organic electroluminescent device comprising a compound of formula (i) and a compound of formula (ii), and display device comprising the organic electroluminescent device
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4333591A1 (en) 2022-08-30 2024-03-06 Novaled GmbH Organic electroluminescent device comprising a compound of formula (i) and a compound of formula (ii), and display device comprising the organic electroluminescent device
US20240180025A1 (en) 2022-10-27 2024-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188319A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188316A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188419A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240196730A1 (en) 2022-10-27 2024-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4387414A1 (en) 2022-12-12 2024-06-19 Novaled GmbH Organic electroluminescent device comprising a compound of formula (i) and a compound of formula (ii), and display device comprising the organic electroluminescent device
US20240247017A1 (en) 2022-12-14 2024-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2024133366A1 (en) 2022-12-23 2024-06-27 Merck Patent Gmbh Electronic device

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3408367A (en) * 1965-07-12 1968-10-29 Du Pont Tetraaryl-1, 4-bis(dicyano-methylene)cyclohexadienes and their dihydro derivatives
JPS5810553A (ja) * 1981-07-10 1983-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法
EP0061264B1 (en) 1981-03-13 1985-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tetracyanoanthraquinodimethane compounds and processes for the production thereof, polymers and charge-transfer complexes derived therefrom
JPS57149259A (en) 1981-03-13 1982-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tetracyanoquinodimethane derivative
US4394428A (en) * 1981-09-24 1983-07-19 Eastman Kodak Company Photoconductive composition and elements comprising two different compounds having a dioxaborin nucleas on a derivative thereof
JPS5855450A (ja) * 1981-09-29 1983-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法
US4578220A (en) * 1983-10-19 1986-03-25 Basf Aktiengesellschaft Charge transfer complexes of tetrathio/seleno-fulvalene derivatives and biscyanimine derivatives; biscyanimine derivatives and method for producing same
DE3522232A1 (de) * 1985-06-21 1987-01-02 Basf Ag Radikalionensalze
DE3718365A1 (de) * 1987-06-02 1988-12-22 Basf Ag N,n'-biscyano-p-benzochinonbisimine, diese enthaltende charge-transfer-komplexe und radikalionensalze der biscyano-benzochinonbisimine
JP2699429B2 (ja) * 1988-08-02 1998-01-19 ミノルタ株式会社 感光体
JPH02213088A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Nec Corp 有機薄膜el素子及びその製造方法
US5068367A (en) 1990-01-31 1991-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetracyano-1,4-hydroquinone and tetracyano-1, 4-benzoquinone
JP2846503B2 (ja) 1990-06-14 1999-01-13 出光興産株式会社 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
US5068366A (en) 1990-08-06 1991-11-26 Texaco Chemical Company Simultaneous epoxide and carboxylic acid manufacture by co-oxidation in the presence of a cobalt catalyst
JP2923339B2 (ja) * 1990-08-17 1999-07-26 汪芳 白井 ジアセチレン基を含む複核フェロセンおよびそのポリマーならびにそれらの電荷移動錯体
JPH07116496B2 (ja) 1990-10-09 1995-12-13 三井金属鉱業株式会社 磁気記録用磁性金属粉末の製造方法
US5216661A (en) * 1991-07-22 1993-06-01 The Johns Hopkins University Electron density storage device using a stm
JPH08250016A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Tdk Corp 過電流保護素子およびその製造方法
US5849403A (en) 1995-09-13 1998-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film device
JP2000159777A (ja) * 1998-09-25 2000-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
DE10058578C2 (de) * 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE10105916A1 (de) * 2001-02-09 2002-08-22 Siemens Ag Amorphe organische 1,3,2-Dioxaborinluminophore, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung davon
EP2199437B1 (en) * 2001-08-09 2015-07-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Use of an organic semiconductor solution to form oriented polyacene crystals on a substrate
DE10152938C1 (de) * 2001-10-26 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Dioxaborine, diese enthaltende Halbleiterbauelemente sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE10155054C2 (de) * 2001-11-09 2003-10-23 Friz Biochem Gmbh Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren
JP2003264085A (ja) * 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
TW538551B (en) * 2002-06-13 2003-06-21 Lightronik Technology Inc Organic electroluminescence (OEL) device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101273480B (zh) * 2005-09-05 2010-09-15 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于改善有机电子元件中空穴注入的新型材料及该材料的应用
CN102822181A (zh) * 2010-05-24 2012-12-12 海洋王照明科技股份有限公司 一种醌型硅芴类有机半导体材料及其制备方法和应用
CN102822181B (zh) * 2010-05-24 2016-03-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种醌型硅芴类有机半导体材料及其制备方法和应用
CN103159920A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 海洋王照明科技股份有限公司 蒽醌基共聚物太阳能电池材料及其制备方法和应用
CN103159920B (zh) * 2011-12-09 2015-11-25 海洋王照明科技股份有限公司 蒽醌基共聚物太阳能电池材料及其制备方法和应用
CN104183736A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN110759919A (zh) * 2018-12-06 2020-02-07 广州华睿光电材料有限公司 芘醌类有机化合物及其应用
CN113924666A (zh) * 2019-08-14 2022-01-11 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN113206201A (zh) * 2021-05-13 2021-08-03 南京邮电大学 一种优化无铅钙钛矿太阳能电池薄膜的方法
CN113206201B (zh) * 2021-05-13 2022-09-06 南京邮电大学 一种优化无铅钙钛矿太阳能电池薄膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1538684A1 (de) 2005-06-08
US6908783B1 (en) 2005-06-21
CA2462745A1 (en) 2005-06-04
EP1538684B1 (de) 2008-12-10
TW200520020A (en) 2005-06-16
US20050139810A1 (en) 2005-06-30
EP1596445A1 (de) 2005-11-16
DE10357044A1 (de) 2005-07-14
KR20050054427A (ko) 2005-06-10
EP1596445B1 (de) 2009-09-09
IN2004MU00382A (zh) 2006-09-29
JP2010021554A (ja) 2010-01-28
HK1078988A1 (en) 2006-03-24
KR100622179B1 (ko) 2006-09-08
TWI276142B (en) 2007-03-11
CN100530742C (zh) 2009-08-19
EP1596445B2 (de) 2015-09-30
ATE417366T1 (de) 2008-12-15
DE502004008632D1 (de) 2009-01-22
ATE442674T1 (de) 2009-09-15
US20050121667A1 (en) 2005-06-09
EP2083458A1 (de) 2009-07-29
IN2005MU01652A (zh) 2007-12-21
DE502004010037D1 (de) 2009-10-22
JP2005167175A (ja) 2005-06-23
JP5465940B2 (ja) 2014-04-09
HK1082839A1 (en) 2006-06-16
CA2462745C (en) 2010-06-01
EP2270894A1 (de) 2011-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1624948A (zh) 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
CN1152107C (zh) 螺环化合物及其作为电荧光材料的应用
CN1199296C (zh) 空穴传输剂和包括它的光电转化设备
CN100339413C (zh) 芳基取代聚(对亚芳基-亚乙烯基)、其制备方法和其在电发光元件中的用途
CN1871322A (zh) 作为有机发光二极管(oled)的发射体的包含碳烯配体的过渡金属配合物
CN1678712A (zh) 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器
CN1769290A (zh) 有机金属络合物、发光固体、有机电致发光元件和有机电致发光显示器
CN1671819A (zh) 磷光和发光共轭聚合物及其在电致发光组件中的应用
CN1748017A (zh) 咔唑化合物及其在有机电致发光器件中的应用
CN1914747A (zh) 金属络合物作为 n -掺杂物用于有机半导体基质材料中的用途 ,有机半导体材料和电子元件以及掺杂物和配位体 ,及其生产方法
CN1777663A (zh) 有机电致发光装置和金属络合化合物
CN1556803A (zh) 用于电致发光的新有机化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
CN1239446C (zh) 稠合八环芳族化合物,和使用它的有机电致发光元件和有机电致发光显示器
CN101076528A (zh) 有机化合物、电荷传输材料和有机电致发光器件
CN1625589A (zh) 含有二氧代吡咯并吡咯的荧光组合物
CN1626540A (zh) 铱化合物及使用该化合物的有机电致发光器件
CN101048465A (zh) 高分子发光体组合物以及高分子发光元件
CN1659931A (zh) 场致发光器件
CN1863838A (zh) 聚合物发光材料和聚合物发光器件
CN101040027A (zh) 嵌入用于oled的聚合物基质中的过渡金属-碳烯配合物
CN101065389A (zh) 过渡金属卡宾配合物在有机发光二极管(oleds)中的用途
CN1526002A (zh) 有机电致发光器件用组合物和使用该组合物的有机电致发光器件
CN101076902A (zh) 稳定和有效的电致发光材料
CN1906268A (zh) 用于注入或传输空穴的新材料以及使用该材料的有机电致发光器件
CN1771298A (zh) 荧光二酮基吡咯并吡咯

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NOWALT PUBLICATION CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: NOWALIDE CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Dresden

Patentee after: NOVALED AG

Address before: Dresden, Federal Republic of Germany

Patentee before: Novaled GmbH

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090819