DE10155054C2 - Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren - Google Patents
Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und HerstellungsverfahrenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet von Bauelementen molekularer Ab
messungen zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, und betrifft insbesonde
re ein molekulares elektronisches Bauelement, eine molekulare Bauelemente um
fassende molekulare elektronische Baugruppe und eine elektronische Schaltung
mit solchen molekularen Bauelementen oder Baugruppen, sowie ein Herstellungs
verfahren für eine derartige elektronische Schaltung.
Die technologische Weiterentwicklung der Mikroelektronik ist von der SIA (Semi
conductor Industry Association) dokumentiert (SIA roadmap:
www.sematech.org/public/publications). Darin wird die seit 1970 beobachtete Ver
vierfachung der Komplexität von Elektronikchips pro Dreijahreszeitraum (Moore
sches Gesetz) auch für die nächsten zwei Jahrzehnte prognostiziert. Die Halblei
tertechnologie wird dabei zunehmend an physikalische Grenzen stoßen, insbe
sondere da die notwendigen Strukturgrößen bald molekulare Größenordnungen
annehmen. Vor diesem Hintergrund wird zunehmend daran gearbeitet, elektroni
sche Bauelemente mit Abmessungen von wenigen Nanometern - sogenannte
nanoelektronische Bauelemente - zu realisieren.
In der Patentschrift DE 198 58 759 ist eine Schaltungsanordnung beschrieben, wie
nanoelektronische Bauelemente mit einem CMOS-Bauelement in einem Halblei
tersubstrat kombiniert werden können. Die nanoelektronischen Bauelemente
selbst werden in dieser Schrift jedoch nicht behandelt.
Als nanoelektronische Bauelemente sind Transistoren bekannt, die aus Halbleiter
strukturen mit einer Größe von wenigen Nanometern bestehen. Beispielsweise
wird in F. G. Pikus et al. (Nanoscale field-effect transistors: An ultimate size analy
sis, Appl. Phys. Lett. 71 (25) (1997) 3661) wird ein nanoelektronisches CMOS-
Bauelement beschrieben. Dabei handelt es sich um miniaturisierte "klassische"
Bauelemente auf der Basis von Halbleiterkristallen und nicht um Bauelemente, die
aus einzelnen Molekülen aufgebaut sind.
In US 4 539 507, US 5247190 und DE 197 35 653 sind Polymere als elektrolumi
neszierende Substanzen vorgestellt. Es werden Schichten der aktiven Materialen
besprochen, die für die Herstellung von organischen Leuchtdioden (OLED) einge
setzt werden können. Einzelne Moleküle als getrennt kontaktierbare Einheiten
werden in diesen Schriften nicht beschrieben.
Seit der Entdeckung der Fullerene und der Entdeckung der Supraleitfähigkeit von
n-dotierten Fullerenen, hat eine erhebliche Forschungsaktivität mit diesen ge
schlossenen Kohlenstoff-Molekülen (Cn-Molekülen mit n ≧ 60) stattgefunden. Fulle
rene können als Kristalle gezogen oder als epitaktische Schichten aufgetragen
werden. Diese sogenannten Fullerite werden in DE 198 22 333 behandelt und
können dotiert werden, um elektronische Bauelemente herzustellen.
In WO 98/39250 werden ebenfalls aus Fullerenen bestehende Kohlenstoff-
Nanoröhrchen mit 0,6 bis 100 nm Durchmesser und 5 bis 1000 nm Länge bespro
chen, die als molekulare elektrische Leiter für Quanteneffektbauteile, aber auch
als Antennen für optische Frequenzen, STM- und AFM-Spitzen geeignet sind. Es
wird eine Speicherzelle mit einem Nanobit (1,38 nm Durchmesser, 10-50 nm Län
ge) beschrieben, das über ebenso kleine molekulare "Drähte" geschrieben und
gelesen wird. Das Bit wird dabei aufgrund der bistabilen Lage eines kleinen Mole
küls innerhalb eines Nanoröhrchens gespeichert. Als molekulare Drähte dienen
dabei ebenfalls Kohlenstoff-Nanoröhrchen.
Molekulare Leiter sind in vielen Ausführungsformen bekannt. In S. Kagoshima et
al. (One-dimensional Conductors, Springer Verlag 1988) sind neben leitfähigen
organischen Kristallen wie Fluoranthen-, Perylen-hexafluorphoshat und anderen
Radikalkationensalzen der Arene vor allem leitfähige lineare Polymere beschrie
ben. Letztere umfassen Polyazetylene (CH)x, Carbyne Cx, Schwefel-Stickstoff-
Polymere (SN)x, Polypyrrole und Phenylazetylene (= Phenylethynyle). Oligo-
Phenylethynyle wurden von S. Creager et al. (J. Am. Chem. Soc. 121 (1999)
1059-1064) als molekulare Drähte zwischen Goldelektroden und Ferrocenen ein
gesetzt. In J. D. Holmes (Science 287 (2000) 1471) werden Nanodrähte aus Silizi
umkristallen mit Durchmessern von 4 bis 5 nm und Längen von einigen Mikrome
tern beschrieben.
In P. Fromherz (Phys. Blätter 57 (2001) 43) wird auf die elektrische Leitfähigkeit
von Nervenzellen hingewiesen und deren funktionelle Kontaktierung auf Halbleiterchips
beschrieben. Dabei wird die Möglichkeit des Aufbaus hybrider Netzwerke
aus Nervenzellen und Mikroelektronik in Aussicht gestellt.
Aus WO 00/31101 ist bekannt, dass auch doppelsträngige Nukleinsäuren-
Oligomere, insbesondere doppelsträngige DNA, als molekularer elektrischer Leiter
fungieren kann.
Das Reaktionszentrum der Photosynthese (RC) ist ein weiteres natürliches Sys
tem, in dem Ströme auf molekularer Ebene fließen. Auf der Basis der Strukturauf
klärung von RCs der Purpurbakterien Rhodopseudomonas viridis (R. viridis) (J.
Deisenhofer et al., Nature 318 (1985) 618) und Rhodobacter sphaeroides (Rb.
sphaeroides) (C. Chang et al., FEBS Letters 205 (1986) 82) konnte der Mecha
nismus der Ladungstrennung detailliert aufgeklärt werden. Beide Reaktionszent
ren bestehen aus Pigmenten (einem Bakteriochlorophyll-Dimer P, zwei Bakteri
ochlorophylle BA und BB, zwei Bakteriopheophytinen HA und HB sowie zwei Chino
nen Q und QB), die in einer Proteinmatrix eingebettet sind. Im RC beginnt bei
Lichteinstrahlung eine photochemische Reaktion, die einen Elektrontransfer und
damit einen transmembranen elektrochemischen Potentialgradienten zur Folge
hat, der letztendlich zur Synthese energiereicher Substanzen führt. Die photoindu
zierte Ladungstrennung führt über eine Elektrontransferkette vom angeregten Zu
stand P* über BA, HA und Q bis zum letztendlichen Elektronenakzeptor QB. Nach
zweifacher Reduktion wird dieser protoniert und löst sich als QBH2 aus der Protein
tasche. Es folgt eine Elektrontransferkette über mehrere Cytochrome, durch die
unter anderem der primäre Elektronendonor P wieder reduziert wird. Bei QB-freien
RCs bildet sich durch die photoinduzierte Ladungstrennung innerhalb von 200 ps
mit einer Quantenausbeute von 99,9% der Zustand P+Q-, der 100 ms lang stabil
ist.
Das Reaktionszentrum des thermophilen grünen Bakteriums Chloroflexus auranti
acus (Chl aurantiacus) zeichnet sich durch eine Temperaturbeständigkeit bis ca.
90°C, wobei - trotz einer von den Purpurbakterien abweichenden Pigmentgarnitur
- die Elektrontransferprozesse in ähnlicher Weise ablaufen (R. Feick et al. in:
Reaction Centers of Photosynthetic Bacteria, ed. M. E. Michel-Beyerle, Springer-
Verlag 1990, S. 181).
Alternativ zu photosynthetischen Reaktionszentren werden künstliche Donor-
Akzeptor-Systeme hergestellt und deren Elektrontransfereigenschaften untersucht.
Von H. A. Staab et al. (Chem. Ber. 127 (1994) 231; Ber. Bunsenges. Phys.
Chem. 100 (1996) 2076; Chem. Phys. Lett. 209 (1993) 251) werden Porphyrin-
Chinon-Cyclophane als künstliche photosynthetische Reaktionszentren hergestellt
und charakterisiert. Sie bestehen aus mindestens einem Porphyrin als Donor (D),
das mit mindestens einem Chinon als Akzeptor (A) verbrückt ist, und gehen bei
optischer Anregung in den ladungsgetrennten Zustand D+A- über.
In WO 00/19550 werden künstliche photosynthetische Reaktionszentren beste
hend aus einer Triade aus einem Porphyrin, das mit einem Fulleren-
Elektronenakzeptor (A) und einem Carotenoid-Elektrondonor (D) verbunden ist,
beschrieben. Diese Triade geht ebenfalls durch photoinduzierten Elektrontransfer
in den ladungsgetrennten Zustand D+A- über. Da dessen Lebensdauer stark mag
netfeldabhängig ist, wird der Einsatz dieser Triade als magnetisch kontrollierter
optischer oder optoelektronischer Schalter vorgeschlagen.
In WO 00/42217 wird ein Nukleinsäure-Oligomer beschrieben, an das ein Donor-
Akzepfor-Komplex, insbesondere ein RC oder ein künstliches System, angebun
den ist. Der Aufbau wird dazu verwendet, Ladungen auf das Oligomer zu übertra
gen und damit dessen Hybridisierungszustand elektrochemisch zu detektieren.
Selbstorganisierende Systeme zur Herstellung nanostrukturierter Systeme, bei
denen sich kleinere Molekülbausteine durch Selbstorganisation zu größeren Ein
heiten zusammenfügen, sind in Whitesides et al. (Science 254 (1991) 1312) dar
gestellt. Für diese molekulare Nanotechnologie werden insbesondere Proteine
und Nukleinsäuren als Bausteine vorgeschlagen (C. M. Niemeyer et al., Biospekt
rum 1 (1999) 31; K. E. Drexler et al., Proc. Natl. Acad. Sci. USA 78 (1981) 5275).
In J. Mbindyo et al. (Advanced Materials 13 (2001) 249) wird dargelegt, dass Gold-
Nanodrähte durch Modifikation mit DNA selbstorganisierend angeordnet werden
können.
In M. Scheffler et al. in "Angew. Chem. Int. Ed.", 38 (15. Nov. 1999) 22, pp. 3311-3315 werden Trisoligonukleotide, d. h. verzweigte Oligonukleotide,
die an den 3' Enden durch einen trifunktionellen Linker verknüpft sind, beschrie
ben und ein Verfahren angegeben, wie daraus mittels Selbstorganisation komple
xe Nanostrukturen aufgebaut werden können.
Hier setzt die Erfindung an. Der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekenn
zeichnet ist, liegt die Aufgabe zugrunde, molekulare elektronische Bauelemente
bereitzustellen, mit denen einfach und effektiv nanoelektronische Schaltungen
aufgebaut werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das molekulare elektronische Bau
element nach Anspruch 1 und Anspruch 2, die molekulare elektronische Baugrup
pe nach Anspruch 23, und die elektronische Schaltung nach Anspruch 31 oder 36
gelöst. Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen
Schaltung nach Anspruch 32 und 33 bereit. Weitere Ausgestaltungen der Erfin
dung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Erfindungsgemäß umfaßt ein molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau
nanoelektronischer Schaltungen eine redoxaktive Einheit mit einem Elektrondonor
und einem Elektronakzeptor, wobei der Elektrondonor und der Elektronakzeptor
jeweils eine Kontaktstelle zur Verknüpfung mit anderen Bauelementen aufweist,
und die Kontaktstellen einen Ladungsträgertransport zu dem Bauelement und von
dem Bauelement weg ermöglichen. Dabei stellt die Kontaktstelle von Elektrondo
nor und Elektronakzeptor jeweils eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung
des Ladungsträgertransports über eine permanente chemische Bindung dar, wo
bei die Kontaktstelle jeweils einen der Bindungspartner der chemischen Bindung
umfaßt.
Nach einer anderen Ausgestaltung der Erfindung umfaßt ein molekulares elektro
nisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen eine redoxakti
ve Einheit mit einem Elektrondonor und einem Elektronakzeptor, wobei der E
lektrondonor und der Elektronakzeptor jeweils eine Kontaktstelle zur Verknüpfung
mit anderen Bauelementen aufweist, und die Kontaktstellen einen Ladungsträger
transport zu dem Bauelement und von dem Bauelement weg ermöglichen. Dabei
stellt eine erste der Kontaktstellen von Elektrondonor und Elektronakzeptor eine
permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungsträgertransports über eine
permanente chemische Bindung dar, wobei die erste Kontaktstelle einen der Bin
dungspartner der chemischen Bindung umfaßt. Eine zweite der Kontaktstellen von
Elektrondonor und Elektronakzeptor stellt eine temporäre Kontaktstelle zur Ver
mittlung des Ladungsträgertransports ohne dauerhafte Anbindung einer Substanz
an die Kontaktstelle dar.
Als redoxaktive Einheit wird im Rahmen der Erfindung eine Einheit mit mindestens
einem Elektron-Donor und mindestens einem Elektron-Akzeptor verstanden. Die
Begriffe Elektron-Donor und Elektron-Akzeptor bezeichnen dabei redoxaktive
Substanzen. Bei einem Elektron-Donor handelt es sich um ein Molekül, das unmittel
bar oder nach Einwirkung bestimmter äußerer Umstände ein Elektron an einen Elekt
ron-Akzeptor transferieren kann. Umgekehrt handelt es sich bei einem Elektron-
Akzeptor um ein Molekül, das unmittelbar oder nach Einwirkung bestimmter äußerer
Umstände ein Elektron von einem Elektron-Donor aufnehmen kann. Ein solcher äu
ßerer Umstand ist z. B. die Lichtabsorption durch den Elektron-Donor oder -Akzeptor
einer photoinduzierbar redoxaktiven Einheit. Durch Einstrahlung von Licht bestimmter
oder beliebiger Wellenlänge gibt der Elektron-Donor D an den/einen Elektron-
Akzeptor A ein Elektron ab und es bildet sich, zumindest temporär, ein ladungsge
trennter Zustand D+A- aus oxidiertem Donor und reduziertem Akzeptor. Ein weiterer
solcher äußerer Umstand kann z. B. die Oxidation oder Reduktion des Elektron-
Donors oder -Akzeptors einer chemisch induzierbar redoxaktiven Einheit durch ein
externes Oxidations- oder Reduktionsmittel sein, also z. B. die Übertragung eines
Elektrons auf den Elektron-Donor durch ein Reduktionsmittel bzw. die Abgabe eines
Elektrons durch den Elektron-Akzeptor an ein Oxidationsmittel sein. Die Fähigkeit als
Elektron-Donor oder -Akzeptor zu wirken ist relativ, d. h. ein Molekül, das unmittelbar
oder nach Einwirkung bestimmter äußerer Umstände gegenüber einem anderen Mo
lekül als Elektron-Donor wirkt, kann gegenüber diesem Molekül unter abweichenden
experimentellen Bedingungen oder gegenüber einem dritten Molekül unter gleichen
oder abweichenden experimentellen Bedingungen auch als Elektron-Akzeptor wirken.
Für weitere Einzelheiten und Definitionen wird auf den Abschnitt "Photoinduzierbar
und chemisch induzierbar redoxaktive Einheiten" der deutschen Offenlegungsschrift
DE-A-199 26 457 verwiesen, deren Offenbarung insoweit in die vorliegende Anmel
dung einbezogen wird.
Die Erfindung beruht also auf dem Gedanken, einen Komplex aus Elektrondonor
und Elektronakzeptor mit spezifischen Kontaktstellen zu versehen und als moleku
lares elektronisches Bauelement einzusetzen, das über seine Kontaktstellen mit
anderen Bauelementen verknüpft werden kann, um extrem miniaturisierte elektro
nische Schaltungen aufzubauen.
Durch Verknüpfung von zwei oder mehr solcher Bauelemente über die Kontakt
stellen entstehen elektronische Baugruppen, die von ihrer elektrischen Funktion
her beispielsweise ein Logikgatter, ein Speicherelement, einen Verstärker, oder
einen Sensor bilden können.
Durch Anbindung einer Baugruppe, oder mehrerer über lineare Verbindungsmole
küle verbundener Baugruppen an eine elektrisch leitende Oberfläche entsteht eine
elektronische Schaltung, die von außen in gewohnter Weise über Anschlüsse der
leitenden Oberfläche betrieben werden kann.
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltung, wird in Lö
sung
- - zumindest ein erstes Bauteil zugegeben, wobei ein Bauteil ein vorgenanntes Bauelement, eine vorgenannte molekulare elektronische Baugruppe, oder ein leit fähiges lineares Verbindungsmolekül umfaßt,
- - zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben, wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
- - der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt, wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist, und
- - die miteinander verbundenen Bauteile werden auf eine leitfähige Oberfläche auf gebracht.
Alternativ kann die Schaltung von der leitfähigen Oberfläche her aufgebaut wer
den. Dazu wird eine leitfähige Oberfläche bereitgestellt, und es wird in Lösung
- - zumindest ein erstes Bauteil zugegeben und mit der leitfähigen Oberfläche ver knüpft,
- - zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben, wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
- - der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt, wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist.
Dabei ergibt sich als besonderer Vorteil eines erfindungsgemäßen Verfahrens,
daß die elektronische Schaltung selbstorganisiert hergestellt wird, da sich die ein
ander entsprechenden Bindungspartner der zugeordneten Kontaktstellen in der
Lösung miteinander verbinden. Auch lassen sich gleichartige Bauelemente gleich
zeitig in großer Zahl miteinander verbinden.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung erge
ben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung der Ausführungsbei
spiele und den Zeichnungen.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im Zusam
menhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei sind nur die für das
Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt. Es zeigt
Fig. 1a Verknüpfung zweier molekularer Leiter (ein funktionalisiertes Polyazety
len und ein Phenylazetylen) über Carboxy- und Amino-Kontaktstellen.
Um eine Polymerisation zu vermeiden, wird statt einer zweiten Amino-
Kontaktstelle eine Boc-geschützte Aminogruppe verwendet (rechts im
Bild). Zur Ausbildung der Amidbindung wird N-Hydroxysulfosuccinimid
(s-NHS) und (3-Dimethylaminopropyl)-carbodiimid (EDC) hinzugege
ben. Nach erfolgter Verknüpfung kann die geschützte Aminogruppe
entschützt und als weitere Kontaktstelle eingesetzt werden.
Fig. 1b Spezifische Verknüpfung zweier molekularer elektrischer Leiter beste
hend aus doppelsträngigen Nukleinsäuren-Oligomeren (A, C, G, T) mit je
zwei Kontaktstellen (K1 und K2 bzw. K2 und K3) bestehend aus ein
zelsträngigen Nukleinsäuren-Oligomeren (Sequenzen S1 und S2 bzw.
S2 und S3). Dazu müssen die zu verknüpfenden Sequenzen S2 und S2
zueinander komplementär sein, was durch die Unterstreichung (S2)
ausgedrückt wird. Ist der Widerstand des doppelsträngigen Nukleinsäu
ren-Oligomers im Vergleich zu den übrigen Bauelementen in einer
Schaltung nicht vernachlässigbar (typischerweise bei Oligomeren mit
mehr als 20 Basenpaaren), so wird das entsprechende Bauelement als
molekularer Widerstand bezeichnet. Rechts im Bild ist eine symbolische
Darstellung molekularer Widerstände gezeigt.
Fig. 1c Verknüpfung eines photosynthetischen Reaktionszentrums (RC) von
Rb. sphaeroides über die Chinon-Bindungstasche an einen molekula
ren Widerstand. Der molekulare Widerstand ist in diesem Beispiel ein
modifiziertes Ubichinon (UQmod), bestehend aus einer Kette von I
soprenoideinheiten und zwei Kontaktstellen - einer Carboxygruppe und
einem Chinon.
Fig. 2a Molekulare Diode in Durchlassrichtung (UDA < Δϕ).
Fig. 2b Molekulare Diode in Sperrrichtung (UDA < 0): Die Diode sperrt im Span
nungsbereich 0 < UDA < UB (links). Übersteigt die Diodenspannung UDA
betragsmäßig die Durchbruchspannung UB, so fließt auch in Sperrrich
tung ein Strom (rechts).
Fig. 2c Beispiel einer molekularen Diode bestehend aus einem verbrückten
Porphyrin-Chinon-System und zwei Kontaktstellen K1 und K2. Das
Porphyrin-Chinon-System besteht aus einem Donor D - einem Porphy
rin - und einem Akzeptor A - einem Chinon, die zweifach miteinander
verbrückt sind. Der Donor ist mit einer Boc-geschützten Aminogruppe
modifiziert - der Kontaktstelle K1 - und der Akzeptor mit einer Carboxy-
Gruppe als Kontaktstelle K2. Die Reste R stehen im Ausführungsbei
spiel für Methylgruppen (Standard) oder Wasserstoffatome, andere Al
kylgruppen, Methoxygruppen, Halogene sowie halogenierte Gruppen.
Rechts im Bild ist eine symbolische Darstellung dieser Diode gezeigt.
Fig. 3a Beispiel einer molekularen Photodiode bestehend aus einem photosyn
thetischen Reaktionszentrum von Rb. sphaeroides (RC) und zwei Kon
taktstellen K1 und K2. Das RC umfasst insbesondere einen Donor D -
den primären Donor oder special pair (P) - und einen Akzeptor A - das
mit einer Carboxy-Gruppe versehene Chinon Q. Bei optischer Anre
gung (hν) findet ein Elektrontransfer von P nach Q statt - es bildet sich
der Zustand P+Q-. Die positive Ladung auf P kann über die Kontaktstel
le K1 - einer spezifischen Bindungstasche für Cytochrom c+ (Cyt c+)
abgegriffen werden. Das Elektron auf Q kann über die Kontaktstelle K2
- die Carboxygruppe des modifizierten Chinons abgezogen werden.
Durch fortlaufenden lichtinduzierten Elektrontransfer fließt letztendlich
ein Photostrom.
Fig. 3b Beispiel einer molekularen Photodiode bestehend aus einem verbrück
ten Porphyrin-Chinon-System und zwei Kontaktstellen K1 und K2. Im
Gegensatz zum System in Fig. 2c ist lediglich der Donor-Akzeptor-
Abstand durch den Einsatz verlängerter Verbrückungsmoleküle erhöht.
Fig. 3c Beispiel einer molekularen Photodiode bestehend aus einem doppelt
verbrückten Porphyrin-Chinon-Chinon-System und zwei Kontaktstellen
K1 und K2. Dieses Ausführungsbeispiel umfasst neben einem Akzeptor
A, der mit der Kontaktstelle K2 und einem Chloratom substituiert ist,
einen intermediären Akzeptor I, über den der Elektrontransfer von D
nach A vermittelt wird.
Fig. 3d Beispiel einer molekularen Photodiode bestehend aus einem Bacteri
ochlorophyllderivat als Donor D und einem Pyrrolo-Chinolin-Chinon als
Akzeptor A, die miteinander verbrückt sind, einer permanenten Kon
taktstelle K2 und einer temporären Kontaktstelle K1. Als Zentralatom M
des Bacteriochlorophyllderivats wird vorzugsweise ein Zink-Atom ein
gesetzt. Das externe Reduktionsmittel (Red) ermöglicht über die
Kontaktstelle K1 einen Elektronenübertrag auf den Donor.
Fig. 4a Beispiel eines molekularen NPN-Transistors basierend auf einem dop
pelt verbrückten Chinon-Porphyrin-Chinon-System. Kollektor C und E
mitter E bestehen beide aus einem Chinon mit jeweils einer Kontaktstel
le KC bzw. KE und sind mit der Basis B - einem Porphyrin mit der zu
gehörigen Kontaktstelle KB - verbrückt. Rechts im Bild ist eine symboli
sche Darstellung dieses Transistors gezeigt.
Fig. 4b Energieschema und Funktionsprinzip eines molekularen NPN-
Transistors.
Fig. 5 Vorgehensweisen bei der Kombination und Kontaktierung molekularer
elektronischer Bauelemente am Beispiel der Kontaktierung einer mole
kularen Diode über einen molekularen Leiter auf einer Goldoberfläche:
a) Aufbau des Systems in Lösung und nachfolgende Aufbringung auf
der Oberfläche. b) Sukzessiver Aufbau des Systems an der Oberfläche.
Fig. 6 Beispiel eines molekularen Inverters auf einem Chip 100 mit Mikrokon
takten 111 und makroskopischen Anschlüssen 112, umfassend einen
molekularen Transistor 10, einen molekularen Widerstand 20 und ein
Verbindungsstück 30. Die Verbindung der molekularen Bauelemente
wird über Kontaktstellen aus Oligonukleotiden hergestellt.
Zunächst werden beispielhaft Kontaktstellen, molekulare elektrische Leiter und
Widerstände, wie sie bei den molekularen Bauelementen der Erfindung verwendet
werden, erläutert.
Beispiele für bei der Erfindung verwendeter Kontaktstellen sind:
- a) Funktionelle chemische Gruppen, wie Aminogruppen und damit spezifisch
verknüpfbare Kopplungsgruppen (z. B. Carboxy- und Hydroxygruppen, Isothiocy
anate, Sulfonylchloride, Aldhehyde und aktivierte Ester, insbesondere Succinimi
dyl-Ester) oder Thiolgruppen und damit spezifisch verknüpfbare Kopplungsgrup
pen (z. B. Alkylhalide, Haloazetamide, Maleinimide, Aziridine sowie symmetrische
Disulfide) oder Hydroxygruppen und damit spezifisch verknüpfbare Gruppen (z. B.
Acyl-Azide, Isocyanate, Acyl-Nitrile sowie Acyl-Chloride) oder Aldehyde, Ketone
und damit spezifisch verknüpfbare Gruppen (z. B. Hydrazine und aromatische A
mine).
Die funktionellen chemischen Gruppen oder die Kopplungsgruppen können dabei teilweise mit Schutzgruppen zur Blockierung bestimmter Verknüpfungen versehen sein. Dadurch können zwei gleichartige funktionelle chemische Gruppen verwen det werden. Zunächst ist eine der Gruppen geschützt und nur die andere steht für eine Reaktion zu Verfügung. So werden nur die gewünschten Verbindungen ein gegangen und eine Polymerisation vermieden. Nach Abschluß der ersten Reakti on kann die Schutzgruppe für die zweite Reaktion entfernt, die geschützte Gruppe also entschützt werden.
In Fig. 1a ist beispielsweise die Verknüpfung einer Carboxy-Kontaktstelle eines molekularen Leiters mit einer Amino-Kontaktstellengruppe eines anderen Leiters gezeigt. Um eine Polymerisation zu vermeiden und dennoch eine weitere Ver knüpfung zuzulassen, ist eine der beiden Amino-Funktionen mit einer Boc- Schutzgruppe versehen, die nach der Verknüpfung der beiden Leiter in saurer Umgebung entschützt werden kann. Dabei steht Boc für tert.-Butoxycarbonyl (- CO-O-C(CH3)3). - b) Einzelsträngige Nukleinsäuren-Oligomere mit spezifischer Sequenz. Vorzugs weise werden DNA-, RNA- oder PNA-Oligonukleotide bestehend aus 5 bis 30 - im gezeigten Beispiel 12 - Nukleotiden eingesetzt. Auf diese Weise kann eine hohe Anzahl verschiedener spezifischer Kontaktstellen realisiert werden. Fig. 1b zeigt eine spezifische Verknüpfung zweier molekularer elektrischer Leiter bestehend aus doppelsträngigen Nukleinsäuren-Oligomeren (A, C, G, T) mit je zwei Kontakt stellen (K1 und K2 bzw. K2 und K3) bestehend aus einzelsträngigen Nukleinsäu ren-Oligomeren (Sequenzen S1 und S2 bzw. S2 und S3). A, G, C und T stehen dabei für Adenin, Guanin, Cytosin und Thymin, ss für Einzelstrang (single strand) und ds für Doppelstrang (double strand). Dazu müssen die zu verknüpfenden Se quenzen S2 und S2 zueinander komplementär sein, was durch die Unterstrei chung (S2) ausgedrückt wird. Ist der Widerstand des doppelsträngigen Nuklein säuren-Oligomers im Vergleich zu den übrigen Bauelementen in einer Schaltung nicht vernachlässigbar (typischerweise bei Oligomeren mit mehr als 20 Basenpaa ren), so wird das entsprechende Bauelement im folgenden als molekularer Wider stand bezeichnet. Rechts im Bild ist eine symbolische Darstellung molekularer Widerstände gezeigt.
- c) Spezifische Bindungsstellen an Proteinen und Enzymen sowie deren jeweilige
Bindungspartner, beispielsweise beim photosynthetischen Reaktionszentrum (RC)
die Chinon-Bindungstasche und die Andockstelle für das Cytochrom c in der Nähe
des Bakteriochlorophyll-Dimers oder die Biotin-Bindungstasche des Avidins. Fig.
1c zeigt beispielsweise die Verknüpfung eines photosynthetischen Reaktionszent
rums von Rb. sphaeroides über die Chinon-Bindungstasche an einen molekularen
Widerstand, in diesem Fall ein modifiziertes Ubichinon. Dieses besteht aus einer
Kette von Isoprenoid-Einheiten mit zwei endständigen Kontaktstellen - an einem
Ende eine Carboxygruppe und am anderen Ende einem Chinon. Letzteres passt
genau in die Bindungstasche des Reaktionszentrums und bildet darin, ebenso wie
das natürliche Ubichinon, eine spezifische Bindung aus.
Die Herstellung dieses Ubichinons mit reaktiver Seitengruppe ist in der Patentan meldung DE 100 57 415 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt in diesem Um fang in die vorliegenden Anmeldung aufgenommen wird. Für die Verknüpfung von RC und modifiziertem Ubichinon wird zunächst das natürliche Ubichinon aus dem RC extrahiert und anschließend das RC mit leerer Bindungstasche mit dem modi fizierten Ubichinon rekonstituiert (Gunner, M. R., Robertson, D. E., Dutton, P. L., 1986, J. Phys. Chem., Vol. 90, 3783-3795, vgl. WO 00/42217). - d) Photoaktivierbare Crosslinker, wie beispielsweise Aryl-Azide und Benzophenon- Derivate.
- e) Komplexbildende Ionen, insbesondere Übergangsmetallionen, und daran asso ziierende Liganden, beispielsweise Oligopyrrole.
- f) Temporäre Kontaktstellen umfassend eine redoxaktiven Substanz, die zugäng lich ist für eine weitere redoxaktive Substanz in Lösung und mit dieser in einem bestimmten Potentialbereich ein Elektron austauschen kann. Ein Beispiel dieser temporären Kontaktstelle ist in Fig. 3d gezeigt, und wird weiter unten genauer beschrieben.
Im Rahmen dieser Erfindung wird unterschieden zwischen permanenten Kontakt
stellen, die eine elektrische Leitfähigkeit über eine permanente chemische Bin
dung vermitteln, und temporären Kontaktstellen, die einen Elektrontransfer zu ge
lösten redoxaktiven Substanzen vermitteln, ohne dass diese Substanzen dauer
haft an die Kontaktstelle gebunden werden. Bei den Kategorien a), b), d) und e)
der genannten Beispiele handelt es sich um permanente Kontaktstellen. Dies gilt
ebenso für die Biotin-Bindungstasche und die Chinonbindungstasche der Katego
rie c), die jeweils eine stabile Bindung mit einem Biotin bzw. einem Chinon einge
hen. Die Andockstelle für das Cytochrom c bindet dieses nur temporär und ist da
her, ebenso wie die Kategorie f) den temporären Kontaktstellen zuzuordnen.
Als molekulare elektrische Leiter (Drähte) werden leitfähige Moleküle oder Kristalle
eingesetzt, die an beiden Enden mit Kontaktstellen versehen sind.
Beispiele für molekulare Drähte umfassen lineare, ungesättigte Kohlenwasserstof
fe, insbesondere Polyazetylene (CH)x (Fig. 1a links), Carbyne Cx, Schwefel-
Stickstoff-Polymere (SN)x und Polypyrrole und Phenylazetylene (Oligo-
Phenylethynyle, Fig. 1a rechts), als auch doppelsträngige Nukleinsäuren-
Oligomere, (z. B. Fig. 1b: DNA, RNA oder PNA), biologische Nervenzellen, Koh
lenstoff-Nanoröhrchen (Nanotubes), Silizium-Nanodrähte und leitfähige organi
sche Kristalle, wie Fluoranthen-, Perylen-hexafluorophosphat oder andere Radi
kalkationensalze der Arene.
Jeder der oben genannten molekularen Drähte kann als elektrischer Widerstand
eingesetzt werden, wenn die Länge des Drahts so gewählt wird, dass bei der gegebenen
spezifischen Leitfähigkeit des Drahts der gewünschte Widerstand er
reicht wird (vgl. Fig. 1b). Darüber hinaus können folgendermaßen Widerstände in
die oben genannten Drähte eingebaut werden:
- a) Bei Drähten aus ungesättigten Kohlenwasserstoffen erhöht sich der elektrische Widerstand durch Einbau einzelner gesättigter Kohlenstoffatome.
- b) Bei Drähten aus doppelsträngigen Nukleinsäuren-Oligomeren wird der Wider stand erhöht durch den Einbau von Basenfehlanpassungen oder Abschnitten ein zelsträngiger Nukleinsäuren-Oligomeren.
- c) Die Leitfähigkeitseigenschaften von Nanokohlenstoffröhrchen werden durch den Einbau von Fremdatomen (Dotierung) verändert.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird der erfindungsgemäße Donor-
Akzeptor-Komplex als gleichrichtende Diode eingesetzt - in Analogie zu einer
Halbleiterdiode, wobei der Donor dem p-dotierten Halbleiter und der Akzeptor dem
n-dotierten Halbleiter entspricht. Die Funktionsweise wird anhand der Fig. 2 er
läutet.
Um die erfindungsgemäße Diode in Durchlassrichtung zu betreiben, wird an den
Donor-Akzeptor-Komplex eine Spannung UDA < Δϕ angelegt, derart, dass sich der
Donor D auf einem Potential ϕD < ϕD/D+ und der Akzeptor A auf einem Potential ϕA
< ϕA/A- befindet. Dabei bezeichnet ϕD/D+ das Potential, bei dem die neutrale und die
oxidierte Form des Donors im Gleichgewicht mit gleicher Wahrscheinlichkeit vor
liegen, ϕA/A- das Potential, bei dem die neutrale und die reduzierte Form des Ak
zeptors im Gleichgewicht mit gleicher Wahrscheinlichkeit vorliegen, und Δϕ = ϕD/D+
- ϕA/A- die Differenz der beiden Potentiale.
Bei Anlegen dieser Potentiale wird der Donor über seine elektrische Kontaktierung
oxidiert und der Akzeptor über seine elektrische Kontaktierung reduziert, so dass
der ladungsgetrennte Zustand D+A- entsteht. Für die Anwendung als Diode wird
der Donor-Akzeptor-Komplex erfindungsgemäß derart optimiert, dass eine schnel
le Rekombination des Zustands D+A- aufgrund eines Elektrontransfers von A- nach
D+ möglich ist. Dies kann beispielsweise durch eine Verringerung des Abstands
von Donor und Akzeptor oder eine Auswahl von Donors und Akzeptor mit geeig
neten Energieniveaus erfolgen. Der rekombinierte Zustand DA wird wiederum
durch einen Stromfluss über die elektrischen Kontaktierungen in den ladungsge
trennten Zustand gebracht. Aufgrund fortlaufender Rekombination fließt ein Strom
in Durchlassrichtung, solange die Spannung UDA anliegt.
Wird an die Diode eine Spannung UDA < Δϕ angelegt, so bleibt der Donor-
Akzeptor-Komplex im Grundzustand DA. Wird keine Energie von außen zugege
ben, z. B. durch Bestrahlung von Licht oder durch thermische Energie, so ist die
Generationsrate, d. h. die Bildungsrate des ladungsgetrennten Zustands D+A- ge
ring (bei T = 0 ist sie null). Es kommt zu keiner Ladungstrennung und somit zu kei
nem Stromfluss - die Diode sperrt (Fig. 2b, links im Bild).
Ebenso wie bei einer Halbleiterdiode tritt bei der molekularen Diode bei zu hoher
Sperrspannung ein Durchbruch auf: Wird eine Sperrspannung betragsmäßig grö
ßer als die Durchbruchspannung UB = ϕD/D- - ϕA/A+ angelegt, derart, dass sich der
Donor D auf einem Potential ϕD < ϕD/D- und der Akzeptor A auf einem Potential ϕA
< ϕA/A+ befindet, so bildet sich der ladungsgetrennte Zustand D-A+. Dabei bezeich
net ϕD/D- das Potential, bei dem die neutrale und die reduzierte Form des Donors
im Gleichgewicht mit gleicher Wahrscheinlichkeit vorliegt, ϕA/A+ das Potential, bei
dem die neutrale und die oxidierte Form des Akzeptors im Gleichgewicht mit glei
cher Wahrscheinlichkeit vorliegt. Der Zustand D-A+ rekombiniert sofort aufgrund
eines internen Elektrontransfers. Der rekombinierte Zustand DA wird wiederum
durch einen Stromfluss über die elektrischen Kontaktierungen in den ladungsge
trennten Zustand gebracht. Aufgrund fortlaufender Rekombination fließt daher
auch ein Strom in Sperrrichtung, solange eine Sperrspannung oberhalb der
Durchbruchspannung UD anliegt (Fig. 2b, rechts im Bild).
Ein Beispiel der erfindungsgemäßen molekularen Diode basiert auf einem ver
brückten Porphyrin-Chinon-System (vgl. Staab, H. A.; Krieger, C.; Anders, C.;
Rückemann, A., Chem. Ber. 1994, 127, 231-236) und umfasst zusätzlich jeweils
eine Kontaktstelle für das Porphyrin als Donor D und das Chinon als Akzeptor A
(Fig. 2c). Das Porphyrin-Chinon-System besteht aus einem Donor D - einem
Porphyrin - und einem Akzeptor A - einem Chinon, die zweifach miteinander ver
brückt sind. Der Donor ist mit einer Boc-geschützten Aminogruppe modifiziert -
der Kontaktstelle K1 - und der Akzeptor mit einer Carboxy-Gruppe als Kontaktstel
le K2. Die Reste R stehen im Ausführungsbeispiel für Methylgruppen (Standard)
oder Wasserstoffatome, andere Alkylgruppen, Methoxygruppen, Halogene sowie
halogenierte Gruppen. Rechts im der Darstellung der Fig. 2c ist eine symbolische
Darstellung dieser Diode gezeigt.
Die Kontaktstelle des Chinons besteht dabei aus einer Carboxy-Gruppe, über die
eine chemische Bindung sowie eine elektrische Kontaktierung des Akzeptors (auf
dem Potential ϕA) möglich ist. Die Kontaktstelle des Porphyrins ist eine Boc-
geschützte Aminogruppe zur chemischen Bindung sowie elektrischen Kontaktie
rung des Donors (auf dem Potential ϕD).
Die Oxidations- bzw. Reduktionspotentiale dieser Porphyrin-Chinon-Systeme lie
gen in der folgenden Größenordnung (in Dichlormethan, Potentiale relativ zu Fer
rocen): ϕD/D+ = +0,3 V, ϕA/A- = -1,3 V, ϕD/D- ~ -1,4 V, ϕA/A+ ≧ 0,4 V. Daraus ergibt
sich eine Schwellspannung von Δϕ = 1,6 V, oberhalb derer die Diode leitend wird.
Für das Sperrverhalten sind neben der Diode selbst die Eigenschaften der Umge
bung bzw. des Lösungsmittels zu beachten. Beispielsweise fließt in Wasser ober
halb eines Potentials von +1,1 V ein Elektrolysestrom. Wenn Umgebungseffekte
keine Rolle spielen, beträgt die Durchbruchspannung in Sperrrichtung ca. UB =
ϕD/D- - ϕA/A+ ≅ -2,8 V.
Die Rekombinationszeit aus dem ladungsgetrennten Zustand D+A- wurde zu ca.
40 ps bestimmt (Pöllinger, F.; Musewald, C.; Heitele, H.; Michel-Beyerle, M. E.;
Anders, C.; Futscher, M.; Voit, G.; Staab, H. A. Ber. Bunsenges. Phys. Chem.
1996, 100, 2076-2080). Unter der Voraussetzung, dass der Elektrontransfer über
die Kontaktstellen nicht geschwindigkeitsbestimmend ist, d. h. kürzer dauert als 40 ps,
ergibt sich ein maximaler Durchlassstrom von 4 nA pro Molekül.
Um den erfindungsgemäßen Donor-Akzeptor-Komplex als Photodiode einzuset
zen, wird der Komplex unterhalb der Durchlassspannung bzw. in Sperrrichtung
betrieben, d. h. eine Spannung UDA < Δϕ angelegt. Der Komplex wird insofern
optimiert, dass bei Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere
Licht, die Generationsrate des Zustands D+A- bei Lichteinstrahlung möglichst groß
und die Rekombinationsrate möglichst gering ist. Darüber hinaus wird die Photo
diode so angeordnet, dass eine externe Bestrahlung mit Licht möglich ist, d. h. insbesondere,
dass auf der der Bestrahlung zugewandten Seite lichtdurchlässige
Materialen für die Kontaktierung und Isolierung der Photodiode verwendet werden.
Ein Beispiel eines als Photodiode geeigneten Komplexes, der bereits von der Na
tur optimiert wurde, ist das Reaktionszentrum der Photosynthese (Fig. 3a). Bei
spielsweise werden die bakteriellen Reaktionszentren (RC) von Rb. sphaeroides
bei Bestrahlung mit Licht im sichtbaren bzw. nahen infraroten Bereich zur effizien
ten Ladungstrennung angeregt. Dabei findet innerhalb einer Zeit von 200 ps ein
Elektrontransfer vom primären Donor D (P) über mehrere Zwischenschritte bis zu
einem Chinon Q (bzw. Akzeptor A) statt, woraus sich der Zustand P+Q- ergibt.
(Das RC besitzt noch eine weitere Chinonbindungstasche für ein zweites Chinon
QB als nachfolgenden Akzeptor. Dieses zweite Chinon ist jedoch nur sehr
schwach gebunden und ist nach dem Austausch des ersten Chinons Q (vgl. Ab
schnitt 1c) nicht mehr vorhanden.) Aufgrund geringer Rekombinationsraten findet
die Ladungstrennung mit einer Quantenausbeute von über 99% statt. Bei Kontak
tierung des primären Donors P und des Chinons Q kann der durch die lichtgetrie
bene Ladungstrennung verursachte Stromfluss über die Kontakte abgegriffen
werden. Eine Kontaktierung von P ist insbesondere durch das natürliche Cytoch
rom c (Cyt c) möglich, das an der spezifischen Kontaktstelle K1 am RC andocken
kann. Dieses Molekül kann ein Elektron auf den oxidierten Donor P+ abgeben, in
dem es vom einfach positiv geladenen Zustand Cyt c+ in den zweifach positiv ge
ladenen Zustand Cyt c2+ übergeht. Darüber hinaus übernimmt es den Ladungs
transport in Lösung bis zu einer Gegenelektrode, an der es wieder reduziert wer
den kann. Das Chinon Q ist mit einer Carboxy-Gruppe modifiziert, die als zweite
Kontaktstelle K2 dient, über die das Bauelement beispielweise an eine Goldelekt
rode angebunden werden kann.
Das Chinon lässt sich durch eine chemische Modifikation (Patentanmeldung DE 100 57 415,
deren Offenbarung in diesem Umfang in die vorliegende Anmeldung
aufgenommen wird) mit einer Carboxy-Gruppe versehen, die als zweite Kontakt
stelle dient, über die eine funktionelle Anbindung möglich ist. Die Anbindung kann
an einen molekularen Leiter und/oder an eine leitfähige Oberfläche erfolgen, bei
spielsweise an eine mit aminoterminierten Thiolen belegte Goldoberfläche.
Ein alternativer Weg, das RC mit Kontaktstellen zu versehen, besteht darin, funk
tionelle Gruppen kovalent an die Proteinmatix des RC in der direkten Umgebung
des Donors bzw. des Akzeptors anzubinden. Insbesondere kann das RC über einen
photoaktivierbaren Linker, beispielsweise Benzophenonsäure (BPA) ange
bunden werden.
Unter der Voraussetzung, dass der Elektrontransfer über die Kontaktstelle K2
nicht geschwindigkeitsbestimmend ist, können pro Molekül folgende Photoströme
erreicht werden:
Für die Übertragung des ersten Elektrons ist die Elektrontransferzeit vom Cyt c auf den primären Donor P geschwindigkeitsbestimmend. Sie beträgt ca. 1 µs, woraus sich ein Einschaltstrom von 0,2 pA ergibt. Im stationären Fall ist bei ausreichender Beleuchtung des RC (mindestens 3.104 absorbierte Photonen pro Sekunde) die Diffusionszeit des Cyt c strombegrenzend.
Für die Übertragung des ersten Elektrons ist die Elektrontransferzeit vom Cyt c auf den primären Donor P geschwindigkeitsbestimmend. Sie beträgt ca. 1 µs, woraus sich ein Einschaltstrom von 0,2 pA ergibt. Im stationären Fall ist bei ausreichender Beleuchtung des RC (mindestens 3.104 absorbierte Photonen pro Sekunde) die Diffusionszeit des Cyt c strombegrenzend.
Sie hängt von der Geometrie der Gesamtanordnung sowie der Konzentration des
Cyt c ab und liegt bei etwa 300 µs (R. K. Clayton & W. R. William (Ed.)., The Pho
tosynthetic Bacteria, Plenum Press 1978, S. 446). Es ergibt sich daraus ein maxi
maler stationärer Photostrom von 0,5 fA pro Molekül.
Werden die molekularen Photodioden über die Kontaktstelle K2 mit einer Dichte
von einem Molekül pro (10 nm)2 auf eine Goldoberfläche aufgebracht, so beträgt
die maximale stationäre Photostromdichte 0,5 mA/cm2.
Weitere Beispiele von Donor-Akzeptor-Systemen, die sich für molekulare Photodi
oden einsetzen lassen, sind insbesondere thermophile Reaktionszentren von
Chloroflexus aurantiacus sowie künstliche Donor-Akzeptor-Systeme, wie bei
spielsweise das oben genannte Porphyrin-Chinon-System.
Im Fall des Porphyrin-Chinon-Systems können bei guter Kontaktierung, d. h. einer
Kontaktierung mit hoher Leitfähigkeit, sehr hohe Photoströme pro Molekül erreicht
werden, da der Elektrontransfer zur Ausbildung des ladungsgetrennten Zustands
D+A- bei optischer Anregung nur wenige Pikosekunden dauert. Aufgrund der
schnellen Rekombinationszeit des Systems ist die Effizienz dieser Ausführungs
form begrenzt. Um die Rekombination als Konkurrenzprozess zur Ableitung der
Ladungsträger über die Kontaktstellen zu verringern, können Donor-Akzeptor-
Systems mit einem oder mehreren Zwischenzuständen (wie beim oben beschrie
benen RC) oder Systeme mit größerem Abstand zwischen Donor und Akzeptor
eingesetzt werden. Fig. 3b zeigt ein derartiges Porphyrin-Chinon-System, dessen
Donor-Akzeptor-Abstand gegenüber dem in Fig. 2c gezeigten System aufgrund
längerer Verbrückungen vergrößert ist (H. A. Staab, Achim Feurer, Claus Krieger,
A. Sampath Kumar: Distance Dependence of Photoinduced Electron Transfer:
Syntheses and Structures of Naphthalene-Spacered Porphyrin-Quinone Cyc
lophanes. Liebigs Ann. (1997), 2321-2336). Eine Verringerung der Rekombinati
onsrate kann ebenfalls durch den Einsatz eines Systems aus mehr als zwei redo
xaktiven Substanzen erreicht werden, beispielsweise eines Systems bestehend
aus einem Porphyrin und zwei hintereinander angeordneten Chinonen (F. Pöllin
ger, H. Heitele, M. E. Michel-Beyerle, M. Tercel and H. A. Staab: Stacked Porphy
rin-Quinone Triads as Models for the Primary Charge-Separation in Photosynthe
sis, Chem. Phys. Lett. 209 (1993) 251). Die darauf basierende molekulare Photo
diode umfasst neben diesem Porphyrin-Chinon1-Chinon2-System eine Ami
nogruppe als Kontaktstelle K1 am Porphyrin und eine Carboxy-Gruppe als Kon
taktstelle K2 am Chinon2 (Fig. 3c).
Ein weiteres Donor-Akzeptor-System, das als Basis für eine molekulare Photodio
de verwendet werden kann, ist in der Patentanmeldung WO 00/42217 beschrie
ben. Fig. 3d zeigt ein entsprechendes Ausführungsbeispiel, bestehend aus ei
nem Bacteriochlorophyllderivat (BChl) als Donor D und einem Pyrrolo-Chinolin-
Chinon (PQQ) als Akzeptor A, die miteinander verbrückt sind, sowie den Kontakt
stellen K1 und K2. Als Zentralatom M des Bacteriochlorophyllderivats wird vor
zugsweise ein Zink-Atom eingesetzt. Bei diesem System bildet sich durch Absorp
tion von Licht der Wellenlänge 770 nm der ladungsgetrennte Zustand D+A-. Die
Kontaktstelle K1 bezeichnet die nach außen (in der Fig. 3d oben) liegende Seite
des BChl, die für Ferrocyanat als ein externes Reduktionsmittel (Red) zugänglich
ist, wodurch beim Redoxpotential des Donors ϕD/D+ = +0,4 V eine spezifische Re-
Reduktion des oxidierten Donors D+ ermöglicht wird. Die Kontaktstelle K2 am Ak
zeptor ist wiederum eine (Boc-geschützte) Aminogruppe, über die ein Elektron
vom reduzierten Akzeptor abgezogen werden kann.
Die erfindungsgemäßen Photodioden funktionieren als Solarzellen, wenn von au
ßen keine Vorspannung angelegt wird. Bei Bestrahlung des Donor-Akzeptor-
Komplexes entsteht der ladungsgetrennte Zustand D+A- und somit eine innere
Spannung UD+A-, die von außen über die elektrischen Kontakte des Donors und
des Akzeptors abgegriffen werden kann. Wird der Stromkreis extern geschlossen,
so wird der Stromfluss durch wiederholte lichtgetriebene Ladungstrennung in der
Solarzelle aufrecht erhalten.
Die von der Solarzelle abgegebene Leistung beträgt UD+A-.IET, wobei UD+A- die
Potentialdifferenz zwischen dem ladungsgetrennten Zustand D+A- und dem
Grundzustand DA und IET = kET.e mit der Elektrontransferrate kET und der Ele
mentarladung e = 1,6.10-19 C die Stromstärke angibt.
Im bakteriellen Reaktionszentrum von Rb. sphaeroides wird bei Bestrahlung mit
Photonen der Mindestenergie 1,37 eV eine Spannung von UD+A- = 0,5 V erzeugt
(R. K. Clayton & W. R. William (Ed.)., The Photosynthetic Bacteria, Plenum Press
1978, S. 441 ff.). Die interne Ladungstrennungrate beträgt kET = (200 ps)-1, wor
aus sich ein Maximalstrom von 800 pA und eine Leistung von 3,2 nW pro Komplex
ergibt. Diese Leistung kann jedoch nur bei idealer, d. h. verlustfreier, Kontaktie
rung abgegeben werden.
Bei Kontaktierung des Donors des Reaktionszentrums mit dem natürlichen Cy
tochrom c ist die Ladungstransportrate im stationären Fall durch die Diffusionsge
schwindigkeit dieses Moleküls beschränkt und liegt bei etwa 300 µs (s. o.). Der
Akzeptor wird über einen molekularen Leiter direkt an eine leitfähige Oberfläche
kontaktiert, so dass die Ladungstransferrate dieser Kontaktierung nicht geschwin
digkeitsbestimmend ist. Mit dieser Art der Kontaktierung ergibt sich für das Ge
samtsystem mit kET = (300 µs)-1 ein Strom von 0,5 fA pro Komplex.
Auf einer ebenen Elektrode lassen sich maximal 1013 Reaktionszentren pro cm2
aufbringen. Mit dieser Anordnung wird eine Stromdichte von 5 mA/cm2 und eine
Leistungsdichte von 2,5 mW/cm2 erreicht.
Bei Verwendung von rauen bzw. porösen Elektrodenoberflächen wird die Bele
gungsdichte um bis zu einen Faktor 100 gegenüber einer ebenen Elektrode er
höht. Dadurch lassen sich entsprechend höhere Strom- und Leistungsdichten er
reichen. Um die Effizienz der Solarzelle zu erhöhen, können - ebenso wie bei na
türlichen Systemen - Lichtsammlerkomplexe, insbesondere aus Bacteriochlo
rophyllen, um den primären Donor herum angeordnet werden. Diese erhöhen ins
gesamt den Absorptionsquerschnitt, übertragen ihre Anregungsenergie auf den
primären Donor des RC und tragen somit zur Steigerung der Effizienz der moleku
laren Solarzelle bei.
Die Elektrontransfereigenschaften der erfindungsgemäßen Diode lassen sich nicht
nur durch Licht, sondern auch durch andere physikalische Größen beeinflussen.
Ist der Einfluss bei einer Ausführungsform signifikant, lässt sich diese Ausfüh
rungsform als Sensor für die entsprechende Größe einsetzen. Insbesondere las
sen sich folgende Ausführungsformen realisieren:
Der Temperatursensor zeichnet sich durch eine signifikante Abhängigkeit des Di
odenstroms von der Temperatur aus. Es lassen sich zwei Ausführungsformen un
terscheiden,
- a) ein Temperatursensor basierend auf einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode und
- b) ein Temperatursensor basierend auf einer in Sperrrichtung betriebenen Diode.
Die Ausführungsform 5aa ist realisiert, wenn die Rekombinationsrate signifikant
temperaturabhängig ist. Eine solche Temperaturabhängigkeit ist gegeben, wenn
die Rekombination über einen thermisch besetzten Zwischenzustand - beispiels
weise einen elektronisch angeregten Zustand, insbesondere D* oder A* - stattfin
det. Somit steigt die Rekombinationsrate und damit der Durchlassstrom mit stei
gender Temperatur an.
Ein Beispiel für diesen Temperatursensortyp ist das in Fig. 2c beschriebene
Porphyrin-Chinon-System, wenn alle Substituenten R Methylgruppen sind. In die
sem System liegt der Zustand D* energetisch über dem ladungsgetrennten Zu
stand D+A- mit einer Enthalpiedifferenz, die bei Raumtemperatur in der gleichen
Größenordnung liegt wie die thermische Energie kBT = 0,025 eV (T. Häberle, Dis
sertation, TU München 1995, S. 81). Die Rekombination kann daher thermisch
aktiviert über den Zustand D* stattfinden und ist damit stark temperaturabhängig.
Folglich ist auch der Durchlassstrom der Photodiode stark temperaturabhängig.
Die Ausführungsform 5ab ist realisiert, wenn die Generationsrate signifikant tem
peraturabhängig ist. Eine solche Temperaturabhängigkeit ist gegeben, wenn der
ladungsgetrennte Zustand bei Anliegen einer Sperrspannung thermisch besetzt
werden kann. Somit steigt die Generationsrate und damit der Sperrstrom mit stei
gender Temperatur an.
Das in Fig. 2c gezeigte Porphyrin-Chinon-System ist ein Beispiel für diesen Tem
peratursensortyp, wenn die Substituenten R am Porphyrin Methylgruppen sind,
derjenige am Chinon jedoch eine Methoxygruppe ist. In diesem System liegt der
ladungsgetrennte Zustand D+A- energetisch über dem Zustand D* mit einer
Enthalpiedifferenz, die bei Raumtemperatur in der gleichen Größenordnung liegt
wie die thermische Energie kBT = 0,025 eV (T. Häberle, Dissertation, TU München
1995, S. 81). Wird dieses System mit Licht der Wellenlänge 630 nm beleuchtet, so
bildet sich der angeregte Zustand D*, aus dem sich durch die thermische Aktivie
rung der ladungsgetrennte Zustand D+A- bilden kann. Somit ist die Generationsra
te und damit der Sperrstrom der molekularen Diode stark temperaturabhängig.
Durch Ausübung von Druck auf den Donor-Akzeptor-Komplex verringert sich im
allgemeinen der Abstand zwischen Donor und Akzeptor, wodurch die Wechselwir
kung zwischen ihnen und die Rekombinationsrate zunimmt. Der Diodenstrom
nimmt daher mit dem Druck zu. Eine besonders starke Druckabhängigkeit des
Diodenstroms wird bei Donor-Akzeptor-Komplexen erreicht, bei denen der Ab
stand zwischen Donor und Akzeptor sehr flexibel ist und eine große relative Ab
standsänderung mit einer Druckerhöhung verbunden ist.
Beispiele des erfindungsgemäßen Drucksensors sind das in Fig. 3b gezeigte
verbrückte Porphyrin-Chinon-System und das in Fig. 3c gezeigte Bakteriochlo
rophyll-PQQ-System. Letzteres hat aufgrund der einfachen Verbrückung eine
stärkere Druckempfindlichkeit.
Haben Donor und Akzeptor jeweils eine große Masse, so wirkt auf sie bei einer
Beschleunigung des Sensors eine Kraft, die die Geometrie des Donor-Akzeptor-
Komplexes und damit die Rekombinationsrate verändern kann. Besonders geeig
net ist hierfür ein Drucksensor der Ausführungsform 5b, bei dem sowohl an den
Donor als auch den Akzeptor Substanzen mit großer Masse angebunden sind.
Ein Beispiel des erfindungsgemäßen Beschleunigungssensors ist das in Fig. 3c
gezeigte Bakteriochlorophyll-PQQ-System, das auf der einen Seite direkt an eine
Elektrode - bevorzugt mit dem Chinon an eine Goldelektrode - und auf der ande
ren Seite zusätzlich an ein schweres Molekül - bevorzugt ein Fulleren (C60-
Molekül) - angebunden ist.
Die lichtemittierende Diode (LED) basiert auf einer unter Punkt 2 beschriebenen
Diode, die in Durchlassrichtung betrieben wird. Die Diode emittiert Strahlung,
wenn der durch die äußere Spannung gebildete Zustand D+A- strahlend rekombi
niert. Dazu ist erforderlich, dass aus dem Zustand D+A- ein elektronisch angereg
ter Zustand, insbesondere D* oder A*, besetzt werden kann, der strahlend in den
Grundzustand übergeht.
Ein Beispiel eines solchen Donor-Akzeptor-Komplexes ist das bereits unter Sab
beschriebene Porphyrin-Chinon-System mit einem Methoxy-Substituenten am
Chinon, dessen ladungsgetrennter Zustand D+A- energetisch über dem angereg
ten Zustand D* des Donors liegt. Wird die Diode in Durchlassrichtung betrieben,
bildet sich durch die äußere Spannung der ladungsgetrennte Zustand, der in den
angeregten Zustand D* rekombinieren kann. Dieser angeregte Zustand zerfällt
strahlend und emittiert dabei Licht im Spektralbereich zwischen 600 und 750 nm.
Die Dioden lassen sich auch rasterförmig in einer Matrix anordnen, die als Anzei
geelement dienen kann. Auf diese Weise lassen sich Ziffern- oder Buchstabenan
zeigen oder zweidimensionale Displays bestehend aus Punktmatrizes herstellen.
Der erfindungsgemäße Optokoppler besteht aus einer Kombination von einer un
ter Punkt 6 beschriebenen LED mit einer unter Punkt 3 beschriebenen Photodio
de. Die beiden Bauelemente werden nebeneinander so angeordnet, dass die von
der LED emittierte Strahlung bevorzugt auf die Photodiode trifft. Sie werden so
aufeinander abgestimmt, dass die von der LED emittierte Strahlung eine ausrei
chende Energie - bezogen sowohl auf die Zahl als auch die Frequenz der Photo
nen - hat, um die Photodiode anzusteuern. Ein solcher Optokoppler kann dazu
eingesetzt werden, ein elektrisches Signal, das an seinen Eingang (die LED) an
gelegt wird, an seinen Ausgang (die Photodiode) zu übertragen, ohne dass Eingang
und Ausgang elektrisch miteinander verbunden sind. Damit wird eine elektri
sche Entkopplung der Signale erreicht.
Ein Beispiel eines solchen Optokopplers besteht aus der im Abschnitt 6 beschrie
benen LED, die mit der erfindungsgemäßen Photodiode, bestehend aus dem pho
tosynthetischen Reaktionszentrum von Rb. sphaeroides, in der Nähe des primären
Donors D kovalent verbunden ist. Bei Anlegen einer Spannung an die LED emit
tiert diese Licht im Spektralbereich 600 bis 750 nm, das von den Pigmenten des
RC absorbiert wird und dessen primären Donor in den elektronisch angeregten
Zustand D* versetzt, aus dem sich der ladungsgetrennte Zustand D+A- bildet. Die
sich dabei ausbildende Spannung kann zwischen Donor und Akzeptor, bzw. den
Kontaktstellen K1 und K2 des RC als Ausgänge des Optokopplers, abgegriffen
werden.
Die erfindungsgemäßen molekularen Transistoren umfassen drei redoxaktive
Substanzen - entweder einen Elektrondonor und zwei Akzeptoren (NPN-
Transistor) oder einen Akzeptor und zwei Donoren (PNP-Transistor). Die drei re
doxaktiven Substanzen sind hintereinander jeweils so angeordnet, dass sich Do
nor und Akzeptor abwechseln. Ebenso wie bei Halbleitertransistoren werden die
beiden äußeren Substanzen als Emitter und Kollektor und die mittlere Substanz
als Basis bezeichnet.
Beispielhaft wird im folgenden ein NPN-Transistor beschrieben, dessen Emitter
und Kollektor jeweils aus einem Chinon (Elektronenakzeptor) und dessen Basis
aus einem Porphyrin (Elektronendonor) besteht. Ein Ausführungsbeispiel basie
rend auf einem doppelt überbrückten Chinon-Porphyrin-Chinon-System (vgl. F.
Pöllinger, Dissertation, TU München 1993, S. 49) ist in Fig. 4a gezeigt. Der dort
dargestellte molekulare NPN-Transistor basiert auf einem doppelt verbrückten
Chinon-Porphyrin-Chinon-System. Kollektor C und Emitter E bestehen beide aus
einem Chinon mit jeweils einer Kontaktstelle KC bzw. KE und sind mit der Basis B
- einem Porphyrin mit der zugehörigen Kontaktstelle KB - verbrückt. Rechts im
Bild ist eine symbolische Darstellung dieses Transistors gezeigt. Das Funktions
prinzip eines derartigen molekularen Transistors ist in Fig. 4b dargestellt.
Der erfindungsgemäße NPN-Transistor wirkt als elektrischer Schalter bzw. Ver
stärker, wenn der Emitter auf ein Potential ϕE < ϕA/A- (= -1,3 V beim Ausführungsbeispiel)
und der Kollektor auf ϕC < ϕD/D+ (= 0,3 V) gehalten wird, d. h. die Kollektor-
Emitter-Spannung UCE größer ist als die Potentialdifferenz Δϕ = ϕD/D+ - ϕA/A- (= 1,6 V).
Der Transistor wird durchgeschaltet, indem an die Basis ein Potential ϕB im
Bereich ϕC < ϕB < ϕD/D+ angelegt wird (Fig. 4b, Fall 1): In dieser Beschaltung bil
det sich im Transistor der ladungsgetrennte Zustand E-B+C, der durch einen inter
nen Elektrontransfer in den Zustand EBC rekombiniert. Während das Elektron auf
dem Emitter direkt über den Emitteranschluss (Emitterstrom IE) nachgeliefert wird,
kann von der Basis ein Elektron auf zwei Wegen abgezogen werden. Entweder
wird die Basis direkt über einen Basisstrom IB oxidiert oder es findet ein weiterer
interner Elektrontransfer zum Kollektor statt, der schließlich über einen Kollektor
strom IC zum Ausgangszustand E-B+C zurückführt. Aus der Wahrscheinlichkeit p,
dass das Elektron über die Basis statt über den Kollektor abgezogen wird, ergibt
sich der Verstärkungsfaktor des Transistors V ∼ IE/IB = 1/p.
Der Transistor sperrt, wenn an die Basis ein Potential ϕB < ϕD/D+ angelegt wird (
Fig. 4b, Fall 2): In dieser Beschaltung kann sich der ladungsgetrennte Zustand E-
B+C nicht ausbilden, wodurch ein interner Elektrontransfer und damit ein Strom
fluss unterbunden wird.
Um einen möglichst großen Verstärkungsfaktor V zu erreichen, muss die Potenti
aldifferenz ϕC - ϕB so groß gewählt werden, dass der interne Elektrontransfer von
der Basis zum Kollektor möglichst aktivierungslos verläuft. Bei den genannten
Porphyrin-Chinon-Systemen beispielsweise findet der aktivierungslose Elektron
transfer bei einer Potentialdifferenz von 0,8 V statt. Darüber hinaus kann das
Transistorbauelement dahingehend optimiert werden, dass der Elektrontransfer
über den Basisanschluss schlechter funktioniert, d. h. stärker aktiviert ist bzw. mit
einem höheren Widerstand versehen ist, als der Transfer über den Kollektor.
Durch Verknüpfung mehrerer der oben aufgeführten molekularen Bauelemente
lassen sich elektronische Schaltungen aufbauen. Insbesondere sind die folgenden
beiden Vorgehensweisen möglich:
In einer Ausführungsform wird die Schaltung sukzessive in Lösung aufgebaut, in
dem jeweils zwei Bauelemente bzw. Baugruppen mit der für die gemeinsame Kontaktstelle
spezifischen Kopplungschemie verknüpft werden. Diese Verknüpfung
von Bauelementen bzw. Baugruppen wird solange fortgesetzt, bis eine Baugruppe
mit der gewünschten Funktionalität fertig ist. Diese fertige Baugruppe, bestehend
aus einem Makromolekül oder Molekülkonglomerat, wird schließlich auf einer O
berfläche angebunden, die mit spezifisch modifizierten Elektroden versehen ist.
Dabei sind die Elektroden auf der Oberfläche jeweils so modifiziert, dass eine
spezifische Bindung zu jeweils einer noch unverknüpften Kontaktstelle eingegan
gen werden kann. Ein Beispiel dieser Vorgehensweise ist in Fig. 5 (Weg a) ge
zeigt.
Im Folgenden wird der Aufbau einer einfachen Schaltung mit einer molekularen
Diode und einem molekularen Draht exemplarisch beschrieben. Dazu wird einer
wässrigen Lösung mit 20% Ethanol und 3 × 10-3 molarem Leiter - beispielsweise
dem in Fig. 5 gezeigten thiol- und aminoterminierten Phenylacetylen - das in Fig.
2c gezeigte Porphyrin-Chinon-System 10-3 molar zugegeben. Durch Zugabe von
EDC (10-2 molar) und sulfo-NHS (10-2 molar) bildet sich nach einer Reaktionszeit
von ca. 1-4 Stunden bildet sich eine Amidbindung zwischen der Aminogruppe des
molekularen Leiters und der Carboxygruppe des Porphyrin-Chinon-Systems (EDC
= (3-Dimethylaminopropyl)-carbodiimid, sulfo-NHS = N-Hydroxysulfosuccinimid).
Die so erhaltenen Bauteile werden chromatographisch mittels HPLC aufgereinigt
und können daraufhin über ihre unverknüpften Kontaktstellen an weitere Bauteile
oder direkt an die Oberfläche angebunden werden.
Zur Kontaktierung der Bauteile auf einer Oberfläche werden zwei Nanoelektroden
mit Goldbeschichtung im Abstand von 1 nm hergestellt. Geeignete Herstellverfah
ren sind aus der Halbleiterindustrie bekannt und sind beispielsweise von Porath et
al. (Nature 403 (2000) 635) und Bezryadin et al. (J. Vac. Sci. Technol. B15 (1997) 793)
beschrieben. Dabei werden die Nanoelektroden mittels Elektronstrahllitho
graphie in einer SiN-Schicht auf einem oxidierten Siliziumsubstrat strukturiert und
durch eine Maske aus Silizium mit Gold besputtert. Die so erhaltenen Strukturen
werden im Elektronmikroskop überprüft. Dabei werden diejenigen Strukturen her
ausselektiert, deren Nanoelektroden einen Abstand zwischen 0,5 und 1,5 nm auf
weisen.
Eine der beiden Nanoelektroden - die Anode - wird über eine Nanopipette mit
einer wässrigen Lösung aus 3 × 10-3 molarer 3-Mercapto-Propionsäure benetzt und
5-60 min inkubiert. Nach Spülen mit Reinstwasser bleibt eine mit Carboxy-
Gruppen funktionalisierte Monolage auf der Anode. Bei der Behandlung der Anode
ist stets darauf zu achten, dass die andere Nanoelektrode - die Kathode - mög
lichst sauber bleibt. Damit ist die Oberfläche vorbereitet zur Kontaktierung der o
ben beschriebenen Bauteile. Die Bauteile werden in wässriger Lösung 3 × 10-3 mo
lar auf die Kathode pipettiert und 5-60 min inkubiert. Nach Spülen mit Reinstwas
ser bleibt eine Monolage aus molekularen Bauteilen auf der Kathode. Durch Zu
gabe von 95% Trifluoressigsäure (TFA) in Dichlormethan wird die Boc-geschützte
Aminogruppe am Porphyrin innerhalb von 10 min entschützt. Nach einem weiteren
Spülschritt werden beide Elektroden mit einer wässrige Lösung aus EDC (10-2 mo
lar) und sulfo-NHS (10-2 molar) belegt. Diejenigen molekularen Bauteile auf der
Kathode, die sich nahe genug (< 1,5 nm) an der Anode befinden, reagieren inner
halb einer Stunde mit einer der Carboxygruppen auf der Anode. Das Resultat ist
eine einfache molekulare elektronische Schaltung mit zwei Nanoelektroden, die
über molekulare Drähte mit (mindestens) einer molekularen Diode verbunden
sind.
In einer anderen Ausführungsform wird die Schaltung sukzessive an einer Ober
fläche aufgebracht. Dazu wird zunächst ein Bauelement mit einer leitfähigen Ober
fläche verknüpft und sukzessive weitere Bauelemente oder Baugruppen zu dieser
Oberflächenstruktur hinzugefügt. Ein Beispiel dieser Vorgehensweise ist in Fig. 5
(Weg b) gezeigt.
Fig. 6 zeigt einen molekularen Inverter mit makroskopischen Anschlüssen, auf
gebaut aus einem molekularen Transistor 10, einem molekularen Widerstand 20,
einem Verbindungsstück 30 und einem Chip 100 mit vier Leiterbahnen 110.
Die Leiterbahnen bestehen aus Gold, das durch eine Strukturierungsmaske auf
ein Substrat (Glas oder Kunststoff) aufgedampft wird. Sie besitzen an einem Ende
Mikrokontakte 111 und am anderen Ende makroskopische Steck- oder Lötkontak
te 112 jeweils aus blankem Gold, während die Leitungen dazwischen durch eine
Beschichtung (aus Kunststoff, Lack oder langkettigen Alkanthiolen) elektrisch iso
liert sind. Sie werden entsprechend ihrer elektronischen Funktion als G (ground),
S (supply), I (input) und O (output) bezeichnet. Die vier Mikroelektroden werden in
einem Viereck so angeordnet, dass ihre Spitzen einen Abstand von maximal 10 nm
haben und jeweils I und O sowie G und S gegenüberliegen. Sie werden mit
thiolmodifizierten Oligonukleotiden 90, bestehend aus 5 bis 30 - im Ausführungs
beispiel 12 - Nukleotiden verschiedener Sequenz belegt.
Als Transistor 10 wird beispielsweise das oben beschriebene doppelt verbrückte
Porphyrin-Chinon-System eingesetzt. Er ist an allen drei Kontaktstellen mit Oligo
nukleotiden gleicher Länge versehen. Dabei ist die Sequenz SI am Basis-Kontakt
komplementär zur Sequenz SI am Mikrokontakt der Leiterbahn I und die Sequenz
SG am Emitter-Kontakt komplementär zur Sequenz SG am Mikrokontakt der Lei
terbahn G.
Der molekulare Widerstand 20 besteht aus einem Oligonukleotid, das einen zent
ralen doppelsträngigen Abschnitt aus mindestens 12 - im Ausführungsbeispiel 24
- Basenpaaren und an beiden Enden einen einzelsträngigen Abschnitt der glei
chen Länge wie bei den Kontaktstellen der anderen Bauelemente (Kontaktstellen
mit den Sequenzen SR und SS) umfasst. Die Sequenz SS am einen Ende des
Widerstands ist komplementär zur Sequenz SS am Mikrokontakt der Leiterbahn S
(supply).
Zur Realisierung des Knotens zwischen Kollektor-Kontakt des Transistors, dem
Widerstand und dem Output-Mikrokontakt wird ein Verbindungsstück 30, beste
hend aus einem Trisoligonukleotid (Scheffler M., et al. Angew. Chem. Int. Ed., Nov
15 1999, 38 (22) p 3311-3315) eingesetzt. Dies besteht aus 3 Oligonukleotiden der
gleichen Länge wie die Kontaktstellen der anderen Bauelemente, die am 3'-Ende
mit einem trifunktionellen Linker miteinander verknüpft sind. Das verwendete Tri
soligonukleotid hat die Eigenschaft, dass die Sequenz eines Oligonukleotids SC
komplementär zur Sequenz SC des Kollektor-Kontakts des Transistors, eine zwei
te Sequenz SR komplementär zur Sequenz SR des Widerstands und die dritte
Sequenz SO komplementär ist zur Sequenz SO des auf dem Mikrokontakt der
Leiterbahn O (output) aufgebrachten Oligonukleotids.
Alle Sequenzen werden so ausgewählt, dass nur die oben explizit als komplemen
tär beschriebenen miteinander hybridisieren. Man erhält dadurch ein selbstorgani
sierendes System, das bei Zugabe aller genannten Substanzen auf die vier oligonukleotidbelegten
Mikroelektroden so miteinander reagiert, dass sich die ge
wünschte Schaltung bildet.
Die Schaltung wird über die makroskopischen Kontakte angeschlossen. Am Kon
takt S wird die Versorgungsspannung Vs = +2 V gegenüber dem Anschluss G an
gelegt. Insgesamt kann dadurch erreicht werden, dass eine Spannung am Ein
gangsanschluss I am Ausgangsanschluss O invertiert ausgegeben wird, d. h. ins
besondere, dass eine Spannungserhöhung am Kontakt I von 0 V auf 2 V eine
Senkung der Ausgangsspannung von 1-2 V auf 0-1 V nach sich zieht.
Claims (35)
1. Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schal
tungen mit einer redoxaktiven Einheit mit einem Elektrondonor (D) und einem E
lektronakzeptor (A), wobei der Elektrondonor und der Elektronakzeptor (A) jeweils
eine Kontaktstelle (K1, K2) zur Verknüpfung mit anderen Bauelementen aufweist,
und die Kontaktstellen (K1, K2) einen Ladungsträgertransport zu dem Bauelement
und von dem Bauelement weg ermöglichen,
bei dem die Kontaktstelle (K1, K2) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) jeweils eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungsträgertrans ports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die Kontaktstelle je weils einen der Bindungspartner der chemischen Bindung umfaßt, und
bei dem die permanente Kontaktstellen zur Bildung einer Nukleinsäure- Wechselwirkung, einer stabilen Wechselwirkung zwischen Proteinen oder einer Antigen-Antikörper-Wechselwirkung eingerichtet ist.
bei dem die Kontaktstelle (K1, K2) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) jeweils eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungsträgertrans ports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die Kontaktstelle je weils einen der Bindungspartner der chemischen Bindung umfaßt, und
bei dem die permanente Kontaktstellen zur Bildung einer Nukleinsäure- Wechselwirkung, einer stabilen Wechselwirkung zwischen Proteinen oder einer Antigen-Antikörper-Wechselwirkung eingerichtet ist.
2. Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schal
tungen mit einer redoxaktiven Einheit mit einem Elektrondonor (D) und einem E
lektronakzeptor (A), wobei der Elektrondonor (D) und der Elektronakzeptor (A)
jeweils eine Kontaktstelle (K1, K2) zur Verknüpfung mit anderen Bauelementen
aufweist, und die Kontaktstellen (K1, K2) einen Ladungsträgertransport zu dem
Bauelement und von dem Bauelement weg ermöglichen,
bei dem eine erste der Kontaktstellen (Fig. 3a: K2) von Elektrondonor (D) und E lektronakzeptor (A) eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungs trägertransports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die erste Kontaktstelle einen der Bindungspartner der chemischen Bindung umfaßt, und
bei dem eine zweite der Kontaktstellen (Fig. 3a: K1) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) eine temporäre Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungs trägertransports ohne dauerhafte Anbindung einer Substanz an die Kontaktstelle ist.
bei dem eine erste der Kontaktstellen (Fig. 3a: K2) von Elektrondonor (D) und E lektronakzeptor (A) eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungs trägertransports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die erste Kontaktstelle einen der Bindungspartner der chemischen Bindung umfaßt, und
bei dem eine zweite der Kontaktstellen (Fig. 3a: K1) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) eine temporäre Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungs trägertransports ohne dauerhafte Anbindung einer Substanz an die Kontaktstelle ist.
3. Bauelement nach Anspruch 2, bei dem die temporäre Kontaktstelle (Fig. 3a: K1)
zur labilen Wechselwirkung zwischen Proteinen oder als Andockstelle für redoxak
tive Substanzen eingerichtet ist.
4. Bauelement nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die permanente Kontaktstelle zur
Bildung einer kovalenten Bindung oder einer dauerhaften Ligat-Ligand-
Wechselwirkung, insbesondere einer Nukleinsäure-Wechselwirkung, einer stabilen
Wechselwirkung zwischen Proteinen, einer Antigen-Antikörper-Wechselwirkung
oder einer Ion-Ligand-Wechselwirkung eingerichtet ist.
5. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, bei dem die redoxaktive Ein
heit zusätzlich ein oder mehrere Makromoleküle, insbesondere weitere Elektron
donor- und Elektronakzeptormoleküle umfaßt.
6. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, bei dem die redoxaktive Ein
heit das native oder modifizierte Reaktionszentrum von Photosynthese betreiben
den Organismen ist, insbesondere das native oder modifizierte Reaktionszentrum
von Photosynthese betreibenden Bakterien.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem Elektrondonor (D) und
Elektronakzeptor (A) Teil eines Donor-Akzeptor-Komplexes sind, insbesondere
eines Pigment-Protein-Komplexes, des Reaktionszentrums der Rhodopseudomo
nas viridis, des Reaktionszentrums der Rhodobacter sphaeroides, des Reaktions
zentrums von thermophilen Bakterien oder der Chloroflexus aurantiacus.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Elektrondonor (D)
und/oder der Elektronakzeptor (A) Farbstoffe sind, insbesondere Flavine, (Metallo-)
Porphyrine, (Metallo-)Chlorophylle oder (Metallo-)Bakteriochlorophylle oder Deri
vate davon.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Elektrondonor (D)
und/oder der Elektronakzeptor (A) Nikotinsäureamide oder Chinone sind, insbe
sondere Pyrrolo-Chinolin-Chinone (PQQ), 1,2-Benzochinone, 1,4-Benzochinone,
1,2-Naphtochinone, 1,4-Naphtochinone oder 9,10-Anthrachinone oder Derivate
davon.
10. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Elektrondonor (D)
und/oder der Elektronakzeptor (A) Charge-Transfer-Komplexe sind.
11. Bauelement nach Anspruch 10, bei dem der Charge-Transfer-Komplex ein
Übergangsmetall-Komplex ist, insbesondere ein Ru(II)-, ein Cr(III)-, ein Fe(II)-, ein
Os(II)- oder ein Co(II)-Komplex.
12. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Elektrondonor (D)
ausgewählt ist aus der Gruppe Fulleren, insbesondere C60, p-dotiertes Fulleren
und Carotinoid.
13. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Elektronakzeptor
(A) ausgewählt ist aus der Gruppe Fulleren, insbesondere C60, n-dotiertes Fulle
ren und Stilben.
14. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, bei dem der Bindungspartner
der chemischen Bindung der permanenten Kontaktstelle(n) ausgewählt ist aus der
Gruppe bestehend aus Aminogruppen und damit spezifisch verknüpfbare Grup
pen, insbesondere Carboxy- und Hydroxygruppen, aktivierte Ester, insbesondere
Succinimidyl-Ester, Isothiocyanate, Sulfonylchloride, Aldehyde - Thiolgruppen und
damit spezifisch verknüpfbare Gruppen, insbesondere Alkylhalide, Haloazetamide,
Maleimide, Aziridine sowie symmetrische Disulfide - Hydroxygruppen und damit
spezifisch verknüpfbare Gruppen, insbesondere Acyl-Azide, Isocyanate, Acyl-
Nitrile sowie Acyl-Chloride - Aldehyde, Ketone und damit spezifisch verknüpfbare
Gruppen - insbesondere Hydrazine und aromatische Amine.
15. Bauelement nach Anspruch 14, bei dem zumindest einer der Bindungspartner
der chemischen Bindung mit einer Schutzgruppe zur Verhinderung einer Verknüp
fung versehen ist.
16. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
bei dem der Bindungspartner der chemischen Bindung der permanenten Kontakt
stelle(n) ein einzelsträngiges Nukleinsäuren-Oligomer mit spezifischer Sequenz
ist, bevorzugt ein DNA-, RNA- oder PNA-Oligonukleotid bestehend aus 5 bis 30
Nukleotiden.
17. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
bei dem der Bindungspartner der chemischen Bindung der permanenten Kontakt
stelle(n) ein photoaktivierbarer Crosslinker, wie Aryl-Azid oder ein Benzophenon-
Derivat ist.
18. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dessen Oberfläche mit Aus
nahme der Kontaktstellen elektrisch isolierend ist.
19. Bauelement nach Anspruch 18, an dessen Oberfläche mit Ausnahme der Kon
taktstellen elektrisch isolierende Molekülteile angeordnet sind, bevorzugt Molekül
teile ausgewählt aus der Gruppe der Peptide, der Proteine und der Cyclodextrine.
20. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, bei dem ein Ladungstransfer
zwischen Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) durch äußere Einflüsse vari
ierbar ist, insbesondere durch elektromagnetische Strahlung, Temperatur, stati
sche elektrische oder magnetische Felder, Druck, Beschleunigung oder eine che
mische Umgebung.
21. Bauelement nach einem der vorigen Ansprüche, das neben dem Elektrondo
nor (D) und dem Elektronakzeptor (A) mindestens eine weitere redoxaktive Sub
stanz enthält, wobei die weitere redoxaktive Substanz eine Kontaktstelle zur Ver
knüpfung mit anderen Bauelementen aufweist, die als permanente oder temporäre
Kontaktstelle ausgebildet ist.
22. Bauelement nach Anspruch 21, bei dem die weitere redoxaktive Substanz so
angeordnet ist, daß ihr elektrisches Potential den Ladungstransfer zwischen dem
Elektrondonor (D) und dem Elektronakzeptor (A) beeinflußt, insbesondere bei dem
die Ladungsträgertransferrate zunimmt, je höher das Potential der weiteren redo
xaktiven Substanz liegt, oder bei dem die Ladungsträgertransferrate abnimmt, je
höher das Potential der weiteren redoxaktiven Substanz liegt.
23. Molekulare elektronische Baugruppe, umfassend zwei oder mehr über die
Kontaktstellen (SC, SC, SR, SR) miteinander verbundene Bauelemente (10, 20, 30)
nach einem der vorigen Ansprüche.
24. Baugruppe nach Anspruch 23, bei der ein Teil (SC, SC, SR, SR) der perma
nenten Kontaktstellen (SI, SG, SC, SC, SO, SR, SR, SS) der Bauelemente einander
zugeordnete Bindungspartner trägt, und zumindest ein Teil der Bauelemente
durch eine chemische Reaktion zugeordneter Bindungsparter miteinander verbun
den sind.
25. Baugruppe nach Anspruch 23 oder 24, bei der zumindest ein Teil der Bauele
mente über zwischen ihren Kontaktstellen angeordnete lineare Moleküle definier
ter Leitfähigkeit, welche an beiden Enden mit permanenten Kontaktstellen verse
hen sind, elektrisch miteinander verbunden sind.
26. Baugruppe nach Anspruch 25, bei der die linearen Verbindungsmoleküle aus
gewählt sind aus der Gruppe bestehend aus linearen, ungesättigten Kohlenwas
serstoffen, insbesondere Polyazetylene (CH)x, Carbyne Cx, Schwefel-Stickstoff-
Polymere (SN)x und Polypyrrole und Phenylazetylene (Oligo-Phenylethynyle),
doppelsträngigen Nukleinsäuren-Oligomeren, insbesondere DNA, RNA oder PNA,
biologischen Nervenzellen, Kohlenstoff-Nanoröhrchen, Silizium-Nanodrähten, leit
fähigen organischen Kristallen, wie Fluoranthen-, Perylen-hexafluorphoshat, und
anderen Radikalkationensalzen der Arene.
27. Baugruppe nach Anspruch 25 oder 26, bei der zumindest eines der linearen
Verbindungsmoleküle im wesentlichen aus ungesättigten Kohlenwasserstoffen
besteht und dessen elektrischer Widerstand durch Einbau einzelner gesättigter
Kohlenstoffatome erhöht ist.
28. Baugruppe nach einem der Ansprüche 25 bis 27, bei der zumindest eines der
linearen Verbindungsmoleküle im wesentlichen aus doppelsträngigen Nukleinsäu
ren-Oligomeren besteht und dessen elektrischer Widerstand durch den Einbau
von Basenfehlanpassungen oder Abschnitten einzelsträngiger Nukleinsäuren-
Oligomeren erhöht ist.
29. Baugruppe nach einem der Ansprüche 25 bis 28, bei der zumindest eines der
linearen Verbindungsmoleküle durch ein dotiertes Kohlenstoff-Nanoröhrchen ge
bildet ist, dessen Leitfähigkeit durch Einbau von Fremdatomen verändert ist.
30. Baugruppe nach einem der Ansprüche 23 bis 29, die elektrisch ein AND-, OR-,
NAND-, NOR- oder EXOR-Gatter, ein Speicherelement, insbesondere ein ROM
oder SRAM, einen Verstärker oder einen Sensor bildet.
31. Elektronische Schaltung mit zumindest einem molekularen Bauelement nach
einem der Ansprüche 1 bis 22, oder einer molekularen elektronischen Baugruppe
nach einem der Ansprüche 23 bis 30,
bei der zumindest ein Bauelement (10, 20, 30) an eine elektrisch leitende Oberflä
che (111) angebunden ist, insbesondere durch kovalente Anbindung oder spezifi
sche Adsorption.
32. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltung, bei dem in Lösung
zumindest ein erstes Bauteil zugegeben wird, wobei ein Bauteil
ein Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22 oder ein molekulares elektronisches Bauelement umfaßt, welches einen Elektrondonor (D) und einen Elektronakzeptor (A) umfasst, wobei der Elektrondonor und der Elektronakzeptor (A) jeweils eine Kontaktstelle (K1, K2) zur Verknüpfung mit anderen Bauelemen ten aufweist, und die Kontaktstellen (K1, K2) einen Ladungsträgertransport zu dem Bauelement und von dem Bauelement weg ermöglichen, und bei dem die Kontaktstelle (K1, K2) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) jeweils eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungsträgertransports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die Kontaktstelle jeweils einen der Bin dungspartner der chemischen Bindung umfaßt,
eine molekulare elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 23 bis 30, oder
ein leitfähiges lineares Verbindungsmolekül umfaßt,
zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben wird,
wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt wird,
wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist, und
die miteinander verbundenen Bauteile auf eine leitfähige Oberfläche aufgebracht werden.
zumindest ein erstes Bauteil zugegeben wird, wobei ein Bauteil
ein Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22 oder ein molekulares elektronisches Bauelement umfaßt, welches einen Elektrondonor (D) und einen Elektronakzeptor (A) umfasst, wobei der Elektrondonor und der Elektronakzeptor (A) jeweils eine Kontaktstelle (K1, K2) zur Verknüpfung mit anderen Bauelemen ten aufweist, und die Kontaktstellen (K1, K2) einen Ladungsträgertransport zu dem Bauelement und von dem Bauelement weg ermöglichen, und bei dem die Kontaktstelle (K1, K2) von Elektrondonor (D) und Elektronakzeptor (A) jeweils eine permanente Kontaktstelle zur Vermittlung des Ladungsträgertransports über eine permanente chemische Bindung ist, wobei die Kontaktstelle jeweils einen der Bin dungspartner der chemischen Bindung umfaßt,
eine molekulare elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 23 bis 30, oder
ein leitfähiges lineares Verbindungsmolekül umfaßt,
zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben wird,
wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt wird,
wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist, und
die miteinander verbundenen Bauteile auf eine leitfähige Oberfläche aufgebracht werden.
33. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltung, bei dem
eine leitfähige Oberfläche bereitgestellt wird, auf der in Lösung
zumindest ein erstes Bauteil zugegeben und mit der leitfähigen Oberfläche ver knüpft wird,
zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben wird,
wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt wird,
wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist.
eine leitfähige Oberfläche bereitgestellt wird, auf der in Lösung
zumindest ein erstes Bauteil zugegeben und mit der leitfähigen Oberfläche ver knüpft wird,
zumindest ein weiteres Bauteil zugegeben wird,
wobei das erste und das weitere Bauteil jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufweisen, so daß das erste und das weitere Bauteil sich an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinan der verbinden,
der Schritt des Zugebens weiterer Bauteile wiederholt wird,
wobei das weitere Bauteil und eines der bereits verbundenen Bauteile jeweils eine permanente Kontaktstelle mit einander zugeordneten Bindungspartnern aufwei sen, so daß sich die Bauteile an den zugeordneten Kontaktstellen in der Lösung miteinander verbinden, bis eine Anzahl an vorbestimmten Bauteilen miteinander verbunden ist.
34. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltung nach Anspruch 32,
bei dem vor einem Schritt des Zugebens eines weiteren Bauteils eine an einer
permanenten Kontaktstelle eines Bauteils der Lösung angebrachte Schutzgruppe
entschützt, insbesondere entfernt wird.
35. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltung nach Anspruch 33,
bei dem vor einem Schritt des Zugebens eines weiteren Bauteils eine an einer
permanenten Kontaktstelle eines an der Oberfläche angebundenen Bauteils an
gebrachte Schutzgruppe entschützt, insbesondere entfernt wird.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE10155054A DE10155054C2 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren |
DE20121631U DE20121631U1 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe und elektronische Schaltung |
AU2002351666A AU2002351666A1 (en) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | Molecular electronic component used to construct nanoelectronic circuits, molecular electronic component, electronic circuit and method for producing the same |
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EP02787355A EP1442485A2 (de) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | Molekulares elektronisches bauelement zum aufbau nanoelektronischer schaltungen, molekulare elektronische baugruppe, elektronische schaltung und herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10155054A DE10155054C2 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10155054A1 DE10155054A1 (de) | 2003-06-12 |
DE10155054C2 true DE10155054C2 (de) | 2003-10-23 |
Family
ID=7705171
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20121631U Expired - Lifetime DE20121631U1 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe und elektronische Schaltung |
DE10155054A Expired - Fee Related DE10155054C2 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren |
DE10295165T Expired - Fee Related DE10295165D2 (de) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20121631U Expired - Lifetime DE20121631U1 (de) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe und elektronische Schaltung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10295165T Expired - Fee Related DE10295165D2 (de) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | Molekulares elektronisches Bauelement zum Aufbau nanoelektronischer Schaltungen, molekulare elektronische Baugruppe, elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050041458A1 (de) |
EP (1) | EP1442485A2 (de) |
AU (1) | AU2002351666A1 (de) |
DE (3) | DE20121631U1 (de) |
WO (1) | WO2003041182A2 (de) |
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- 2002-11-08 EP EP02787355A patent/EP1442485A2/de not_active Withdrawn
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EP1442485A2 (de) | 2004-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20120601 |