JP2000159777A - 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 - Google Patents

新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

Info

Publication number
JP2000159777A
JP2000159777A JP11242033A JP24203399A JP2000159777A JP 2000159777 A JP2000159777 A JP 2000159777A JP 11242033 A JP11242033 A JP 11242033A JP 24203399 A JP24203399 A JP 24203399A JP 2000159777 A JP2000159777 A JP 2000159777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
light
carbon atoms
compound
light emission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11242033A
Other languages
English (en)
Inventor
Terukazu Yanagi
輝一 柳
Hisashi Okada
久 岡田
Takashi Kato
隆志 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP11242033A priority Critical patent/JP2000159777A/ja
Publication of JP2000159777A publication Critical patent/JP2000159777A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 色純度が高く、高輝度、高効率の発光が可能
な有機発光素子材料を提供する。 【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物である
ことを特徴とする有機発光素子材料。 【化1】 式中、R1 およびR2 は、それぞれ脂肪族炭化水素基、
アリール基またはヘテロ環基を表す。R3 は水素原子ま
たは置換基を表す。X1 およびX2 は、それぞれハロゲ
ン原子、カルボキシラート基、脂肪族炭化水素基、アリ
ール基またはヘテロ環基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルター用染料、
色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、パル
プ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、発
光素子用材料等に用いるに適した化合物およびそれらを
用いた発光素子に関するものであり、詳しくは表示素
子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光
源、記録光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適
に使用できる発光素子材料および高輝度の発光素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用した発光素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般に発光素
子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成
されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、
陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。
更に、この電子と正孔が発光層において再結合し、エネ
ルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギー
を光として放出する現象である。
【0003】従来の発光素子は、駆動電圧が高く、発光
輝度や発光効率も低かったが、近年、10V以下の低電
圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含
有した薄膜を積層した発光素子が報告され(アプライド
フィジックス レターズ、51巻、913頁、198
7年)、関心を集めている。この方法は、電子輸送層と
して金属キレート錯体を、発光層として蛍光帯層、正孔
輸送層としてアミン化合物を使用して、高輝度の緑色発
光を得ている。また、フルカラーディスプレイ、光源と
しての利用を考えた場合、実用上は三原色あるいは白色
を出す必要があり、蛍光色素をドープし望む色を発光さ
せる素子が報告されている(ジャーナルオブ アプライ
ド フィジックス、65巻、3610頁、1989
年)。しかし、高効率で青色発光し、かつ耐久性に優れ
る化合物は少なく、青色発光材料の開発が望まれてい
た。また、この手法は濃度消光の大きく、蛍光色素を単
独で発光層として用いることが困難な赤色発光に特に有
効であり、良好な色純度、高輝度を達成している。しか
しながら蒸着で色素をドープした素子を作製する場合、
ホスト材料と微量の蛍光色素を共蒸着しており、操作が
煩雑であり、性能にばらつきが生じ易いといった問題を
抱えていた。そこで、製造工程の簡略化、素子の性能の
安定化の観点から、良好な色純度を有し、色素を単独で
発光層として用いることができる非ドープ型発光材料、
特に単独で発光層として用いても良好な色度、輝度を達
成する赤色発光材料の開発も望まれていた。
【0004】発光素子用青色発光材料としては、例えば
アントラセン、ピレン、ペリレンなど縮合多環芳香族化
合物(例えばJ.Chem.Phys.,44,290
2(1966)、Thin.Solid.Films,
99,171(1982)等に記載)、テトラフェニル
ブタジエン系化合物(例えば特開昭59−194393
号記載化合物)、ジスチリルベンゼン系化合物(例えば
欧州特許第281381号、同319881号、同37
3582号、米国特許第4672265号、同4725
531号、同4734338号、同4741976号、
同4776320号、特開昭61−37890号、特開
平1−245087号、同2−247277号、同2−
247278号、同2−209988号、同3−331
84号、同3−84089号、同3−231970号、
同4−117485号、同4−275268号、同5−
17765号、同140145号等記載の化合物)、ス
チルベン系化合物(例えば特開平2−235983号、
同3−47890号等記載の化合物)、ポリフェニル系
化合物(例えば特開平3−33183号等記載の化合
物)、芳香族3級アミン骨格を繰り返し単位として含有
するポリカーボネート系化合物(例えば特開平5−24
7459号等記載の化合物)、トロポロン骨格を有する
金属錯体(例えば特開平9−157642号等記載の化
合物)、2−(o−ヒドロキシフェニル)−ベンズオキ
サゾール誘導体または2−(o−ヒドロキシフェニル)
−ベンズチアゾール誘導体を配位子とする金属錯体(例
えば特開平7−133483号、同8−113576
号、同8−301877号、同8−306489号等記
載の化合物)等が開示されているが、これら化合物は発
光効率が低かったり、耐久性に問題があったり、色純度
が悪かったりなどの問題があり、実用に供しえなかっ
た。また、フルカラー化を考えた場合、青色に限らず、
緑色、赤色においても色純度が高く、高輝度発光可能な
材料が求められているが、従来の材料では実用レベルで
の色純度と輝度の両方を満たすものはなかった。
【0005】一方、発光素子において高輝度発光を実現
しているものは有機物質を真空蒸着によって積層してい
る素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化
等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。しか
しながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光輝
度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣ってお
り、高輝度、高効率発光化が大きな課題となっていた。
また、有機低分子化合物を有機ポリマー媒体に分散して
塗布した素子では、長時間発光させた場合有機低分子化
合物が凝集するなどの原因により均質な面状発光が難し
いといった課題があった。
【0006】また、近年、フィルター用染料、色変換フ
ィルタ−、写真感光材料、増感色素、パルプ用染料、レ
ーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、発光素子用材料等に
蛍光を有する材料が種々用いられ、その需要が高まって
おり、新たな材料開発が望まれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、色純度が高く、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光
が可能で、繰り返し使用時での安定性に優れた発光素子
用材料および発光素子の提供にある。本発明の第二の目
的は、素子間でのばらつきが少なく性能の安定した素子
およびその作製を可能にする緑〜赤色発光材料の提供に
ある。本発明の第三の目的は、塗布方式で作製しても高
輝度、高効率発光可能な発光素子材料およびそれを用い
た発光素子の提供にある。本発明の第四の目的は強い蛍
光を有する化合物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。下記一般式(I)で表される化合物で
あることを特徴とする発光素子材料。
【0009】
【化3】
【0010】(式中、R1 およびR2 は、それぞれ脂肪
族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R
3 は水素原子または置換基を表す。X1 およびX2 は、
それぞれハロゲン原子、カルボキシラート基、脂肪族炭
化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。) (2)下記一般式(II)で表される化合物。
【0011】
【化4】
【0012】(式中、R3 、R11、R12、R13、R14
15、R16、R17、R18、R19、R20、R21は、それぞ
れ水素原子または置換基を表す。X1 およびX2 は、そ
れぞれハロゲン原子、カルボキシラート基、脂肪族炭化
水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。) (3)一般式(II)で表される化合物であることを特徴
とする発光素子材料。 (4)一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なく
とも一層が(1)、(2)記載の一般式(I)、(II)
で表される化合物を少なくとも一種含有する層であるこ
とを特徴とする発光素子。 (5)一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なく
とも一層が(1)、(2)記載の一般式(I)、(II)
で表される化合物を少なくとも一種ポリマーに分散した
層であることを特徴とする発光素子。
【0013】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一般式(I)で表
される化合物について詳細に説明する。R1 、R2 で表
される脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐または環状であ
っても良く、好ましくは、アルキル基(好ましくは炭素
数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ま
しくは炭素数1〜12であり、例えばメチル、エチル、
iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、
n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シク
ロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、ア
ルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましく
は炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であ
り、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテ
ニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは
炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に
好ましくは炭素数2〜12であり、例えばプロパルギ
ル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)であり、より
好ましくはアルキル基、アルケニル基であり、更に好ま
しくはアルキル基である。
【0014】R1 、R2 で表されるアリール基は単環ま
たは縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜3
0、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭
素数6〜12であり、例えばフェニル、4−メチルフェ
ニル、4−メトキシフェニル、3−トリフルオロメチル
フェニル、ペンタフルオロフェニル、1−ナフチル、2
−ナフチルなどが挙げられる。R1 、R2 で表されるヘ
テロ環基は、単環または縮環のヘテロ環基(好ましくは
炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、更に
好ましくは炭素数2〜10のヘテロ環基)であり、好ま
しくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少
なくとも一つを含む芳香族ヘテロ環基である。R1 、R
2 で表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロ
リジン、ピペリジン、ピロール、フラン、チオフェン、
イミダゾリン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナ
フトイミダゾール、チアゾリジン、チアゾール、ベンズ
チアゾール、ナフトチアゾール、イソチアゾール、オキ
サゾリン、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフト
オキサゾール、イソオキサゾール、セレナゾール、ベン
ズセレナゾール、ナフトセレナゾール、ピリジン、キノ
リン、イソキノリン、インドール、インドレニン、ピラ
ゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジ
ン、インダゾール、プリン、フタラジン、ナフチリジ
ン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジ
ン、フェナントリジン、フェナントロリン、テトラザイ
ンデン、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾ
ール、テトラゾールなどが挙げられ、好ましくはピロー
ル、フラン、チオフェン、イミダゾール、ベンズイミダ
ゾール、ナフトイミダゾール、チアゾール、ベンズチア
ゾール、ナフトチアゾール、イソチアゾール、オキサゾ
ール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、イソ
オキサゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、イ
ンドール、インドレニン、ピラゾール、ピラジン、ピリ
ミジン、ピリダジン、トリアジン、インダゾール、プリ
ン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾ
リン、テトラザインデン、オキサジアゾール、チアジア
ゾール、トリアゾールであり、より好ましくはピリジ
ン、キノリン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ト
リアジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンで
ある。
【0015】R1 、R2 で表される脂肪族炭化水素基、
アリール基、ヘテロ環基は置換基を有してもよく、置換
基としては例えばアルキル基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭
素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso−プ
ロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシ
ル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル
基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数
2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えば
ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが
挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜
20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは
炭素数2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペンチ
ニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭
素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好
ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−
メチルフェニル、2,4,6−トリメチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭
素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜12、特に好
ましくは炭素数0〜6であり、例えばアミノ、メチルア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルア
ミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。)、アルコ
キシ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭
素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例
えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられ
る。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜2
0、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭
素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、2−ナフ
チルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましく
は炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特
に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、
ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられ
る。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2
〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましく
は炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、
エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオ
キシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜20、より好
ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜1
0であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げ
られる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜2
0、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭
素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオ
キシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましく
は炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特
に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコ
キシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、
より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数
2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなど
が挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基
(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7
〜16、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば
フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられ
る。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、
ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スル
ファモイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好まし
くは炭素数0〜16、特に好ましくは炭素数0〜12で
あり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、
ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなど
が挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数
1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチ
ルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカル
バモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ま
しくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜1
6、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチ
ルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチ
オ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素
数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例
えばフェニルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基
(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1
〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば
メシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基
(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1
〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば
メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げ
られる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フ
ェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基
(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1
〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば
ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙
げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン
原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などが挙げられる。)、シアノ基、スルホ基、カル
ボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ
基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは
炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12であり、
ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄
原子が挙げられ、具体的には例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベ
ンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾ
リルなどが挙げられる。)、シリル基(好ましくは、炭
素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、さらに
好ましくは、炭素数3〜24であり、例えばトリメチル
シリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリルなどが
挙げられる。)などが挙げられる。これらの置換基は更
に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合
は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連
結して環を形成してもよい。
【0016】置換基として好ましくは、アルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、ヘテ
ロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原子、芳香族
ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、芳香族ヘテロ基である。
【0017】R1 、R2 として好ましくは、アルキル
基、アルケニル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基また
はR3 と連結して環構造を形成したものであり、より好
ましくはR1 がアリール基、芳香族ヘテロ環基またはR
3 と連結して環構造を形成したものでR2 がアルキル
基、アルケニル基、アリール基または芳香族ヘテロ環基
の場合である。
【0018】R3 で表される置換基としては、例えばR
1 、R2 で表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘ
テロ環基の置換基として挙げたものが適用でき、R3
して好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、
アリール基、芳香族ヘテロ環基、シアノ基、ハロゲン原
子またはR1 と連結して環構造を形成したものであり、
より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳
香族ヘテロ環基、シアノ基またはR1 と連結して環構造
を形成したもの(好ましくは酸素原子0個または1個と
炭素原子からなる6員環)である。
【0019】X1 、X2 で表されるハロゲン原子は同一
または互いに異なってもよく、例えば塩素原子、臭素原
子、フッ素原子が挙げられ、好ましくは塩素原子、フッ
素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
1 、X2 で表されるカルボキシラート基は、同一また
は互いに異なってもよく、例えばアルキルカルボキシラ
ート(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素
数2〜16、更に好ましくは炭素数2〜12であり、例
えばメチルカルボキシラート、エチルカルボキシラート
などが挙げられる。)、アリールカルボキシラート(好
ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜1
6、更に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェ
ニルカルボキシラート、ナフチルカルボキシラートなど
が挙げられる。)、ヘテロ環カルボキシラート(好まし
くは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12で
あり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原
子、硫黄原子、具体的には例えばピリジルカルボキシラ
ート、キノリルカルボキシラートなどが挙げられる。)
や、X1 とX2 が連結したジカルボキシラート(好まし
くは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、
更に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばオギザレ
ート、マロネート、サクシネートなどが挙げられる。)
などが挙げられ、好ましくはアルキルカルボキシラート
またはX1 とX2 が連結したジカルボキシラートであ
り、より好ましくはX1 とX2 が連結したジカルボキシ
ラートであり、更に好ましくはオギザレートである。
【0020】X1 、X2 で表される脂肪族炭化水素基、
アリール基、ヘテロ環基はそれぞれ同一または互いに異
なってもよく、例えばR1 、R2 で表される脂肪族炭化
水素基、アリール基、ヘテロ環基として挙げたものが適
用できる。X1 、X2 として好ましくはハロゲン原子、
カルボキシラートであり、より好ましくは塩素原子、フ
ッ素原子、X1 とX2 が連結したジカルボキシラートで
あり、更に好ましくはフッ素原子、X1 とX2 が連結し
たジカルボキシラートであり、特に好ましくはフッ素原
子、オギザレートである。一般式(I)で表される化合
物のうち、好ましくは一般式(I−a)または(I−
b)で表される化合物である。
【0021】
【化5】
【0022】(式中、R1 、R2 およびR3 は、それぞ
れ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また好ま
しい範囲も同様である。)
【0023】一般式(I)で表される化合物のうち、非
ドープ型発光材料として好ましくは一般式(II)で表さ
れる化合物である。
【0024】次に一般式(II)で表される化合物につい
て詳細に説明する。R11、R12、R13、R14、R15、R
16、R17、R18、R19、R20およびR21は、それぞれ水
素原子または置換基を表し、置換基としては一般式
(I)におけるR1 、R2 で表される脂肪族炭化水素
基、アリール基、ヘテロ環基の置換基として挙げたもの
と同義である。R11、R12、R13およびR14として好ま
しくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
シアノ基、ハロゲン原子、ヘテロ環基、置換基同士が連
結して芳香族環を形成したものであり、より好ましくは
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、芳
香族ヘテロ環基、置換基同士が連結して、芳香族環を形
成したものであり、更に好ましくは水素原子、アルキル
基、アルコキシ基であり、特に好ましくは、水素原子、
炭素数1〜12のアルキル基であり、最も好ましくは水
素原子である。R15、R16、R18およびR19として好ま
しくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
シアノ基、ハロゲン原子、ヘテロ環基、置換基同士が連
結して芳香族環を形成したものであり、より好ましくは
水素原子、アルキル基、シアノ基、ハロゲン原子であ
る。R17として好ましくは、水素原子、アミノ基、アル
キル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、ハロゲン原
子、ヘテロ環基、置換基同士が連結して芳香族環を形成
したものであり、より好ましくは水素原子、アミノ基、
アルキル基、シアノ基、ハロゲン原子であり、更に好ま
しくは、水素原子、ジアルキルアミノ基、ジアリールア
ミノ基、シアノ基である。
【0025】R20、R21は水素原子または置換基を表
し、置換基としては一般式(I)におけるR1 、R2
表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基の
置換基として挙げたものが適用できる。R20、R21とし
て好ましくは脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環
基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、芳
香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアリール基、芳
香族ヘテロ環基であり、特に好ましくはアリール基(好
ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜2
0であり、更に好ましくは炭素数6〜12のアリール基
であり、例えば、フェニル基、3―メチルフェニル基、
4―メチルフェニル基、4―メトキシフェニル基、1―
ナフチル基、2―ナフチル基などが挙げられる。)であ
る。
【0026】R3 は水素原子または置換基を表し、一般
式(I)におけるR3 と同義であり、また、好ましい範
囲も同様である。
【0027】X1 、X2 は一般式(I)におけるそれら
と同義であり、また、好ましい範囲も同様である。
【0028】一般式(II)で表される化合物のうちより
好ましくは一般式(II−a)で表される化合物である。 一般式(II−a)
【0029】
【化6】
【0030】(式中、R3 、R11、R12、R13、R14
15、R16、R17、R18、R19、X1およびX2 は一般
式(II)におけるそれらと同義であり、また、好ましい
範囲も同様である。Ar1 、Ar2 は、アリール基または芳
香族ヘテロ環基を表し、また、可能な場合には置換基を
有してもよい。)
【0031】Ar1 、Ar2 で表されるアリール基は単環ま
たは縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜3
0のアリール基であり、より好ましくは炭素数6〜20
のアリール基であり、更に好ましくは炭素数6〜12の
アリール基である。
【0032】Ar1 、Ar2 で表される芳香族ヘテロ環は単
環または縮環の芳香族ヘテロ環であり、芳香族へテロ環
基として、好ましくは窒素原子、酸素原子あるいは硫黄
原子を含む5ないしは6員の芳香族へテロ環基であり、
例えばチオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、
トリアジン、インドール、インダゾール、チアジアゾー
ル、オキサジアゾール、キノリン、フタラジン、キノキ
サリン、キナゾリン、シンノリン、テトラゾール、チア
ゾール、オキサゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオ
キサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールが
挙げられ、より好ましくは、チオフェン、イミダゾー
ル、ピリジン、キノリン、チアゾール、オキサゾール、
ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチア
ゾール、ベンゾトリアゾールが挙げられ、更に好ましく
は、チオフェン、ピリジン、キノリンである。
【0033】Ar1 、Ar2 として好ましくはアリール基で
ある。
【0034】本発明の一般式(I)、(II)で表される
化合物は低分子量化合物であっても良いし、残基がポリ
マー主鎖に接続された高分子量化合物(好ましくは重量
平均分子量1000〜5000000、より好ましくは
5000〜2000000、さらに好ましくは1000
0〜1000000)もしくは、本発明の化合物を主鎖
にもつ高分子量化合物(好ましくは重量平均分子量10
00〜5000000、より好ましくは5000〜20
00000、更に好ましくは10000〜100000
0)であってもよい。高分子量化合物の場合は、ホモポ
リマーであっても良いし、他のモノマーとの共重合体で
あっても良く、共重合体である場合はランダム共重合体
であっても、ブロック共重合体であっても良い。一般式
(I)、(II)で表される化合物としては、好ましくは
低分子量化合物である。また、一般式(I)、(II)は
便宜的に極限構造式で表しているが、その互変異性体で
あってもよい。また、幾何異性体が存在する場合にはい
ずれのものであってもよい。
【0035】以下に本発明の化合物の具体例を挙げるが
本発明はこれらに限定されるものではない。
【0036】
【化7】
【0037】
【化8】
【0038】
【化9】
【0039】
【化10】
【0040】
【化11】
【0041】
【化12】
【0042】
【化13】
【0043】
【化14】
【0044】
【化15】
【0045】
【化16】
【0046】
【化17】
【0047】
【化18】
【0048】
【化19】
【0049】
【化20】
【0050】
【化21】
【0051】
【化22】
【0052】本発明の一般式(I)で表される化合物
は、例えば、Zeitschriftfuer Che
mie,28巻,23頁(1988年)、特開平10―
287819等に記載の方法を参考に合成することが可
能である。
【0053】また、本発明の一般式(I)(II)で表さ
れる化合物の具体的合成例の一部を以下に示す。 化合物3の合成
【0054】
【化23】
【0055】1,3−ジケトン体a1.6g(5ミリモ
ル)に酢酸ナトリウム0.4g(5ミリモル)、アセト
リル10mL を加え、氷浴中で撹拌した。その後、ゆっ
くりとBF3 ジエチルエーテルコンプレックス0.63m
L (5ミリモル)を滴下し、室温で1時間撹拌した。得
られた結晶をろ別し、ヘキサン−トルエン(1:3v/
v)で2回、再結晶操作を行い、その後、昇華精製を行
い、化合物3を180mg(収率10%)得た。 融点 201〜204℃ 化合物37の合成 1−アセトナフトン17.0g(0.1モル)、無水酢
酸20.4g(0.2モル)に、氷浴中でゆっくりとBF
3 ジエチルエーテルコンプレックス15.2mL(0.
12モル)を滴下し、室温で10時間撹拌した。得られ
た結晶をろ別し、昇華精製を行い、黄色の結晶として化
合物37を2.6g(収率10%)得た。 融点 147〜148℃
【0056】化合物40の合成
【0057】
【化24】
【0058】4−アセチルフェニルジフェニルアミン3
4.3g(0.12モル)、安息香酸メチル16.3g
(0.12モル)、tert −ブトキシカリウム13.4
g(0.12モル)を1,4−ジオキサン中に溶解し、
3時間加熱還流した後、反応液を室温まで冷却し、クロ
ロホルム、塩酸水溶液で抽出操作を行い、有機相を回収
した後、溶媒を減圧留去した。得られたオイル状の1,
3−ジケトン体bに酢酸ナトリウム9.8g(0.12
モル)、アセトリル300mLを加え、氷浴中で撹拌し
た。その後、ゆっくりとBF3 ジエチルエーテルコンプ
レックス22.8mL(0.18モル)を滴下し、滴下
終了した後、4時間加熱還流した。その後反応液を室温
まで冷却し、クロロホルム、炭酸水素ナトリウム水溶液
で抽出操作を行い、有機相を回収した後、溶媒を減圧留
去した。得られた固体をヘキサン−塩化メチレンで2
回、再結晶操作を行い、赤色の結晶として化合物40を
20g(収率38%)得た。 融点 197〜198℃
【0059】化合物44の合成 化合物40、1.31g(3ミリモル)をテトラヒドロ
フラン(THF )50mLに溶解し、フェニルマグネシウ
ムブロミド(2mol/L 、THF 溶液)15mL を滴下
し、室温で5時間撹拌した後、クロロホルム、塩酸水溶
液で抽出し、有機相を回収し、溶媒を減圧留去した。得
られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン−酢酸エチル=9/1)により精製操作を行い、
ヘキサン−クロロホルムで2回再結晶を行い、オレンジ
色の結晶として化合物44を110mg(収率6.7
%)得た。 融点266〜270℃
【0060】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。
【0061】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
【0062】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理などが効果的である。
【0063】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合
物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例
としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs
等)またはそのフッ化物、アルカリ土類金属(例えばM
g、Ca等)またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミ
ニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合
金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合
金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、
インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げら
れ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、よ
り好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合
金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金また
はそれらの混合金属等である。陰極の膜厚は材料により
適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲の
ものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであ
り、更に好ましくは100nm〜1μmである。陰極の
作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸
着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単
体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着すること
もできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電
極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整し
た合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗
は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
【0064】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明の化合物を含有
するものであるが、本発明の化合物の他の発光材料を用
いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、
ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェ
ニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン
誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチ
リルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロ
ピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロ
ペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジ
メチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯
体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオ
フェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等の
ポリマー化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限
定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲の
ものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであ
り、更に好ましくは10nm〜500nmである。発光
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法(スピンコート法、キャスト法、ディッ
プコート法など)、LB法、インクジェット法などの方
法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング
法である。
【0065】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正
孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常
1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましく
は5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜5
00nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材
料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよ
いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構
造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法
としては、真空蒸着法、LB法、インクジェット法、前
記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーテ
ィングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディッ
プコート法など)が用いられる。コーティング法の場
合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹
脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
ブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、
ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−
ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フ
ェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビ
ニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコン樹脂などが挙げられる。
【0066】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜
厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μ
mの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1
μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmであ
る。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1種また
は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組
成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても
よい。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真
空蒸着法、LB法、インクジェット法、前記電子注入輸
送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方
法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法な
ど)などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成
分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分とし
ては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適
用できる。
【0067】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2 、Al2 3
GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2 3 、Y2
3 、TiO2 等の金属酸化物、MgF2 、LiF、Al
3 、CaF2 等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、
ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、
吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護
層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、M
BE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波
励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レ
ーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コ
ーティング法、インクジェット法を適用できる。
【0068】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例1 ガラス基板上にITOを150nmの厚さで製膜したも
のを透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチン
グ、洗浄後、ポリ(N−ビニルカルバゾール)40m
g、PBD(2−(4−ビフェニルイル)−5−(4―
tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール)12mg、表1記載の化合物0.5mgを1,
2−ジクロロエタン3mlに溶解し、洗浄したITO基
板上にスピンコートした。生成した有機薄膜の膜厚は、
約120nmであった。有機薄膜上にパターニングした
マスク(発光面積が5mm×5mmとなるマスク)を設
置し、蒸着装置内でマグネシウム:銀=10:1を25
0nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着し発光素子を
作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット24
00型を用いて、直流定電圧を発光素子に印加し発光さ
せ、その輝度をトプコン社の輝度計BM−8、発光波
長、色度座標を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライ
ザーPMA−11を用いて測定した。また、作製した素
子を60℃、20%RHの条件下に3時間放置後発光さ
せた相対輝度(素子作製直後の輝度を100とした場合
の経時後の輝度を相対値で表した値(駆動電圧15
V))および発光面のダークスポットの有無を評価し
た。結果を表1に示す。
【0069】
【表1】
【0070】
【化25】
【0071】表1の結果より、本発明の化合物を用いた
素子では高輝度かつ色純度が良好な青色発光が得られ
た。また、高温保管後の輝度低下、ダークスポットの発
生も少なく耐久性に優れていることがわかる。
【0072】実施例2 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD(N,N−ビス(3−メチルフェニル)−N,N−
ジフェニルベンジジン)約40nm、表2記載の化合物
と2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサ
ジアゾールをそれぞれ蒸着速度0.04Å/秒、4Å/
秒で膜厚約60nmとなるように10-5〜10-6Tor
rの真空中で、基板温度室温の条件下蒸着した。次いで
実施例1と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。
作製した素子の評価を行った結果を表2に示す。
【0073】
【表2】
【0074】表2の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蒸着方式でも比較化合物に比
べ、高輝度発光が可能であり、また色純度の高い青色発
光を示した。
【0075】実施例3 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD約40nm蒸着した後、本発明例示化合物17およ
びAlq(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミ
ニウム)をそれぞれ蒸着速度0.04Å/秒、4Å/秒
で膜厚約60nmとなるように共蒸着した。次いで実施
例1と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。作成
した素子を評価した結果、18Vで輝度19100cd
/m2 を示した。λmax=538nm、CIE色度
(x,y)=(0.26,0.68)の色純度の高い緑
色発光が観測された。
【0076】実施例4 実施例1と同様にエッチング、洗浄したITOガラス基
板上に、ポリ(N−ビニルカルバゾール)40mg、
2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジ
アゾール12mg、本発明化合物16を5mg、DCM
0.5mgおよびナイルレッド0.1mgを1,2−ジ
クロロエタン3mlに溶解した溶液をスピンコートし
た。次いで実施例1と同様に陰極を蒸着し、発光素子を
作製した。この素子にITO電極を陽極、Mg:Ag電
極を陰極として直流電圧を印加して発光特性を調べたと
ころ、15VでCIE色度図上(x,y)=(0.3
5,0.36)の白色発光(輝度3200cd/m2
が得られ、白色発光に有効であることがわかった。 実施例5 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD約40nm蒸着した後、本発明例示化合物40およ
びAlq(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミ
ニウム)をそれぞれ蒸着速度0.04Å/秒、4Å/秒
で膜厚約60nmとなるように共蒸着した。次いで実施
例1と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。作成
した素子を評価した結果、16Vで輝度2510cd/
2 を示した。λmax=660nm、CIE色度
(x,y)=(0.64,0.33)の色純度の高い赤
色発光が観測された。 実施例6 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、N
PD(N,N−ビス(1−ナフチル)−N,N−ジフェ
ニルベンジジン)約40nm蒸着した後、本発明例示化
合物40を100nm、続いて、ビス(8−フェニルス
ルホンアミドキノリン)亜鉛(II)を20nm蒸着し
た。次いで実施例1と同様に陰極を蒸着し、発光素子を
作製した。作成した素子を評価した結果、16Vで輝度
538cd/m2 を示した。λmax=660nm、C
IE色度(x,y)=(0.65,0.33)の色純度
の高い赤色発光が観測され、本発明の化合物は非ドープ
型発光材料として有効であることが分かった。
【0077】実施例7 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、銅
フタロシアニン約10nm、TPD約40nm蒸着した
後、本発明例示化合物44を40nm、続いて、Alq
(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)
を20nm蒸着した。次いでアルミニウム:リチウム=
100:1の比で200nm蒸着し、発光素子を作製し
た。作成した素子を評価した結果、16Vで輝度840
cd/m2 を示した。λmax=640nm、CIE色
度(x,y)=(0.63,0.37)の色純度の高い
赤色発光が観測され、本発明の化合物は非ドープ型発光
材料として有効であることが分かった。
【0078】
【発明の効果】本発明により、色純度が高く、高輝度、
高効率の発光が可能な発光素子が得られる。また、通常
輝度の低い塗布方式でも良好な発光特性が得られ、製造
コスト面等で有利な素子作製が可能となる。また、従来
の化合物に対して耐久性面でも良好な素子作製が可能と
なる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(I)で表される化合物である
    ことを特徴とする発光素子材料。 【化1】 (式中、R1 およびR2 は、それぞれ脂肪族炭化水素
    基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R3 は水素原
    子または置換基を表す。X1 およびX2 は、それぞれハ
    ロゲン原子、カルボキシラート基、脂肪族炭化水素基、
    アリール基またはヘテロ環基を表す。)
  2. 【請求項2】下記一般式(II)で表される化合物。 【化2】 (式中、R3 、R11、R12、R13、R14、R15、R16
    17、R18、R19、R20、R21は、それぞれ水素原子ま
    たは置換基を表す。X1 およびX2 は、それぞれハロゲ
    ン原子、カルボキシラート基、脂肪族炭化水素基、アリ
    ール基またはヘテロ環基を表す。)
  3. 【請求項3】一般式(II)で表される化合物であること
    を特徴とする発光素子材料。
  4. 【請求項4】一対の電極間に発光層もしくは発光層を含
    む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、
    少なくとも一層が請求項1、2記載の一般式(I)、
    (II)で表される化合物を少なくとも1種含有する層で
    あることを特徴とする発光素子。
  5. 【請求項5】一対の電極間に発光層もしくは発光層を含
    む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、
    少なくとも一層が請求項1、2記載の一般式(I)、
    (II)で表される化合物を少なくとも一種ポリマーに分
    散した層であることを特徴とする発光素子。
JP11242033A 1998-09-25 1999-08-27 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 Pending JP2000159777A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11242033A JP2000159777A (ja) 1998-09-25 1999-08-27 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-271704 1998-09-25
JP27170498 1998-09-25
JP11242033A JP2000159777A (ja) 1998-09-25 1999-08-27 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000159777A true JP2000159777A (ja) 2000-06-13

Family

ID=26535570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11242033A Pending JP2000159777A (ja) 1998-09-25 1999-08-27 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000159777A (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507859A (ja) * 1998-12-08 2004-03-11 キネテイツク・リミテツド 有機発光材料と素子
JP2005167175A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Novaled Gmbh 有機半導体をキノンジイミン誘導体によってドーピングする方法
US7368180B2 (en) 2005-06-29 2008-05-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing borondiketonate emitter
US7955861B2 (en) 2006-06-02 2011-06-07 University Of Virginia Patent Foundation Luminescent diketonate polymers
WO2016013364A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 日本電気株式会社 非水電解液及びリチウムイオン二次電池
JP2017160146A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 国立大学法人群馬大学 フルオレン化合物、フルオレン化合物の製造方法及び有機発光素子
WO2018155724A1 (en) * 2017-02-21 2018-08-30 Kyushu University, National University Corporation Organic electroluminescent device, compound and use thereof
JP2018180477A (ja) * 2017-04-21 2018-11-15 富士フイルム株式会社 波長変換組成物及び発光装置
CN110105381A (zh) * 2019-06-11 2019-08-09 青岛科技大学 一类香豆素为骨架的β-二酮氟化硼荧光染料的制备和应用
CN110143977A (zh) * 2019-06-12 2019-08-20 青岛科技大学 一种香豆素杂二氟化硼络合物类荧光染料及其应用
CN110183478A (zh) * 2019-07-11 2019-08-30 青岛科技大学 一种菁、香豆素、二羰基氟化硼杂化荧光染料的合成及其应用
CN111233909A (zh) * 2020-03-03 2020-06-05 山西大学 一种用于检测氰根离子的试剂及其合成方法和应用
CN112079858A (zh) * 2020-09-24 2020-12-15 山西大学 一种香豆素衍生物Th-HM1及其合成方法和应用
CN112341483A (zh) * 2020-11-06 2021-02-09 青岛科技大学 一种7位羟基取代的杂化香豆素杂化染料的合成方法及其应用
WO2023120277A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 三井化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、薄膜、化合物、遅延蛍光発光体および有機半導体レーザー
CN116514857A (zh) * 2023-04-14 2023-08-01 大连理工大学 一类二羰基氟硼荧光染料及合成方法和应用

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507859A (ja) * 1998-12-08 2004-03-11 キネテイツク・リミテツド 有機発光材料と素子
JP2005167175A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Novaled Gmbh 有機半導体をキノンジイミン誘導体によってドーピングする方法
US7368180B2 (en) 2005-06-29 2008-05-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing borondiketonate emitter
US7955861B2 (en) 2006-06-02 2011-06-07 University Of Virginia Patent Foundation Luminescent diketonate polymers
WO2016013364A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 日本電気株式会社 非水電解液及びリチウムイオン二次電池
JPWO2016013364A1 (ja) * 2014-07-25 2017-04-27 日本電気株式会社 非水電解液及びリチウムイオン二次電池
US20170214090A1 (en) * 2014-07-25 2017-07-27 Nec Corporation Nonaqueous electrolytic solution and lithium ion secondary battery
US10050309B2 (en) * 2014-07-25 2018-08-14 Nec Corporation Nonaqueous electrolytic solution and lithium ion secondary battery
JP2017160146A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 国立大学法人群馬大学 フルオレン化合物、フルオレン化合物の製造方法及び有機発光素子
CN110603657A (zh) * 2017-02-21 2019-12-20 国立大学法人九州大学 有机电致发光元件、化合物及其用途
JP7174955B2 (ja) 2017-02-21 2022-11-18 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子、化合物およびその使用
TWI778021B (zh) * 2017-02-21 2022-09-21 國立大學法人九州大學 有機電致發光裝置、化合物及其用途
US11165027B2 (en) 2017-02-21 2021-11-02 Kyushu University, National University Corporation Organic electroluminescent device, compound and use thereof
WO2018155724A1 (en) * 2017-02-21 2018-08-30 Kyushu University, National University Corporation Organic electroluminescent device, compound and use thereof
JP2020509571A (ja) * 2017-02-21 2020-03-26 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子、化合物およびその使用
JP2018180477A (ja) * 2017-04-21 2018-11-15 富士フイルム株式会社 波長変換組成物及び発光装置
CN110105381B (zh) * 2019-06-11 2021-10-29 青岛科技大学 一类香豆素为骨架的β-二酮氟化硼荧光染料的制备和应用
CN110105381A (zh) * 2019-06-11 2019-08-09 青岛科技大学 一类香豆素为骨架的β-二酮氟化硼荧光染料的制备和应用
CN110143977B (zh) * 2019-06-12 2021-09-17 青岛科技大学 一种香豆素杂二氟化硼络合物类荧光染料及其应用
CN110143977A (zh) * 2019-06-12 2019-08-20 青岛科技大学 一种香豆素杂二氟化硼络合物类荧光染料及其应用
CN110183478B (zh) * 2019-07-11 2021-07-23 青岛科技大学 一种菁、香豆素、二羰基氟化硼杂化荧光染料的合成及其应用
CN110183478A (zh) * 2019-07-11 2019-08-30 青岛科技大学 一种菁、香豆素、二羰基氟化硼杂化荧光染料的合成及其应用
CN111233909A (zh) * 2020-03-03 2020-06-05 山西大学 一种用于检测氰根离子的试剂及其合成方法和应用
CN112079858A (zh) * 2020-09-24 2020-12-15 山西大学 一种香豆素衍生物Th-HM1及其合成方法和应用
CN112079858B (zh) * 2020-09-24 2021-09-28 山西大学 一种香豆素衍生物Th-HM1及其合成方法和应用
CN112341483A (zh) * 2020-11-06 2021-02-09 青岛科技大学 一种7位羟基取代的杂化香豆素杂化染料的合成方法及其应用
WO2023120277A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 三井化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、薄膜、化合物、遅延蛍光発光体および有機半導体レーザー
CN116514857A (zh) * 2023-04-14 2023-08-01 大连理工大学 一类二羰基氟硼荧光染料及合成方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5351124B2 (ja) 新規ヘテロ環化合物、発光素子材料及び発光素子
JP4169246B2 (ja) ヘテロ環化合物及びそれを用いた発光素子
JP4404473B2 (ja) 新規含窒素へテロ環化合物、発光素子材料およびそれらを使用した発光素子
US6620529B1 (en) Materials for light emitting devices and light emitting devices using the same
JP3788676B2 (ja) 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
JP2002299060A (ja) 有機発光素子
JP4686011B2 (ja) 新規ヘテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP4105358B2 (ja) ベンズイミダゾール誘導体、発光素子材料及び発光素子
JP2000159777A (ja) 新規ジオキソボラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2002038141A (ja) 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP4116225B2 (ja) 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2000351965A (ja) 発光素子材料、アミン化合物、およびそれを用いた発光素子
JP3539628B2 (ja) 発光素子材料、それを使用した発光素子およびアミン化合物
JP2000344780A (ja) 新規ベンゾピラン化合物、発光素子材料及びそれを使用した発光素子
JP3457176B2 (ja) 新規メチン化合物、有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
JP4253429B2 (ja) 発光素子材料、それを使用した発光素子およびアミン化合物
JP2001031961A (ja) 新規メチン化合物、発光素子材料、およびそれを使用した発光素子
JP4256556B2 (ja) 発光素子材料、それを使用した発光素子およびアミン化合物
JP2001294851A (ja) 新規アゾールホウ素化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP3835783B2 (ja) 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
JP2001261677A (ja) 発光素子材料、それを使用した発光素子及び環状アジン化合物
JP2000144125A (ja) 発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2002356489A (ja) 新規ヘテロ環化合物、およびそれを使用した発光素子
JP2001040346A (ja) 発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2000229966A (ja) アゾール誘導体とその用途