JP3457176B2 - 新規メチン化合物、有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents

新規メチン化合物、有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子

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JP3457176B2
JP3457176B2 JP09366598A JP9366598A JP3457176B2 JP 3457176 B2 JP3457176 B2 JP 3457176B2 JP 09366598 A JP09366598 A JP 09366598A JP 9366598 A JP9366598 A JP 9366598A JP 3457176 B2 JP3457176 B2 JP 3457176B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規メチン化合物
を用いた有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用
材料およびそれを用いた有機EL素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用した有機EL素子は、固
体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用
途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有
機EL素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極
から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加さ
れると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入
される。更に、この電子と正孔が発光層において再結合
し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエ
ネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、駆動電圧が高く、
発光輝度や発光効率も低かったが、近年この点を解決す
る技術が種々報告されている。例えば、有機化合物の蒸
着により有機薄膜を形成するEL素子が知られている
(アプライド フィジックスレターズ、51巻、913
頁、1987年)。記載の有機EL素子は電子輸送材料
と正孔輸送材料の積層構造を有し、従来の単層型素子に
比べてその発光特性が大幅に向上している。
【0004】上記の素子は発光材料として8−キノリノ
ールのAl錯体(Alq)を用いており、発光色は緑色
であるが、フルカラーディスプレイ、光源としての利用
を考えた場合、実用上は三原色あるいは白色を出す必要
がある。この素子を改良したものとして、蛍光色素をド
ープした素子が報告されている(ジャーナル オブアプ
ライド フィジックス、65巻、3610頁、1989
年)。この中で4−(ジシアノメチレン)−2−メチル
−6−(4−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン
(DCM)をドープすることによって赤橙色の発光を得
ているが、色純度が低い、耐久性が低いなどの問題があ
り、実用に供し得なかった。同様に蛍光性材料をドープ
することによって緑色より長波に発光するEL素子が種
々開発されているものの、いずれも赤色発光としては色
純度が低く、また十分な発光輝度は有していないといっ
た大きな問題を持っていた。また、従来の赤色蛍光色素
を用いたEL素子では耐久性が低いといった問題も抱え
ていた。
【0005】一方、有機EL素子において高輝度発光を
実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層し
ている素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面
積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。
しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光
輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣って
おり、高輝度、高効率発光化が大きな課題となってい
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能で、繰り
返し使用時での安定性の優れた有機EL素子用材料およ
び有機EL素子の提供にある。本発明の第の目的は、
白色発光を実現するに必要な赤色発光材料およびそれを
用いた有機EL素子の提供にある。本発明の第の目的
は、塗布方式で作製しても高輝度、高効率発光可能な有
機EL素子材料およびそれを用いた有機EL素子の提供
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 (1)下記一般式(I)で表わされる化合物有機エレク
トロルミネッセンス素子材料。
【0008】
【化2】
【0009】(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6
7、およびR8は、それぞれ水素原子または置換基を表
す。R9は、水素原子、アルキル基、またはアリール基
を表す。Rは電子吸引性基を表す。Aは芳香族ヘテロ環
基を表す。Xは酸素原子、硫黄原子またはN−R10(R
10は水素原子または置換基を表す。)を表す。L1およ
びL2はそれぞれメチン基または置換メチン基を表す。
nは1を表す。) (2)Rで表わされる電子吸引性基がシアノ基、カルボ
ニル基、スルホニル基、または芳香族へテロ環基である
(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。 (3 )一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセ
ンス素子において、少なくとも一層が(1)または
(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料
を含有する層であることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 ()一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセ
ンス素子において、少なくとも一層が(1)または
(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料
をポリマーに分散した層であることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
【0010】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一般式(I)で表
される化合物について詳細に説明する。R1、R2
3、R4、R5、R6、R7、およびR8はそれぞれ水素原
子または置換基を表す。R1、R2、R3、R4、R5
6、R7、R8で表される置換基としては、例えばアル
キル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭
素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例
えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブ
チル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、
シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなど
が挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2
〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましく
は炭素数2〜8であり、例えばビニル、アリル、2−ブ
テニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキ
ニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭
素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例
えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられ
る。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より
好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜
12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭
素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜10、特に好
ましくは炭素数0〜6であり、例えばアミノ、メチルア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルア
ミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは
炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に
好ましくは炭素数1〜8であり、例えばメトキシ、エト
キシ、ブトキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ
基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数
6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例え
ばフェニルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられ
る。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜20、より好
ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜1
2であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピ
バロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル
基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数
2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げ
られる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは
炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、特に
好ましくは炭素数7〜10であり、例えばフェニルオキ
シカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基
(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2
〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば
アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、
アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ま
しくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10
であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなど
が挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好
ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜1
6、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメト
キシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリール
オキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜2
0、より好ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭
素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニル
アミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好
ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜1
6、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタ
ンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが
挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数
0〜20、より好ましくは炭素数0〜16、特に好まし
くは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メ
チルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニ
ルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル
基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数
1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例え
ばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバ
モイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、
アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ま
しくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12
であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられ
る。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜20、
より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数
6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられ
る。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、よ
り好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1
〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられ
る。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼン
スルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ま
しくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜1
6、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレ
イド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げら
れる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フ
ェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ
基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ス
ルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好
ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜1
2であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサ
ゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが
挙げられる。)などが挙げられる。これらの置換基は更
に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合
は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連
結して環を形成してもよい。
【0011】置換基として好ましくは、アルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基、アリール基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモ
イル基、カルバモイル基、スルホニル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシ基、ヘテロ環基であり、より好
ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、カルボニルアミノ基、
スルホニルアミノ基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲ
ン原子、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル
基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、
スルホニル基、シアノ基、アゾール基である。R1、R3
として好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アルコキシカルボニル基、シアノ基およびR1
2、R3とR4で連結して縮環を形成したものであり、
より好ましくは水素原子である。R2、R4として好まし
くは水素原子、アルキル基、およびR2とR1、R4
3、R2とR5、R4とR6で連結して縮環を形成したも
のであり、より好ましくは水素原子、R2とR5、R4
6で連結して縮環を形成したものであり、更に好まし
くは水素原子、R2とR5、R4とR6がアルキレン基で連
結して6員環を形成したものである。R5、R6として好
ましくは水素原子、アルキル基、アルキレン基、アリー
ル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、ア
ルキレン基であり、更に好ましくは水素原子およびR5
とR2、R6とR4がアルキレン基で連結して6員環を形
成したものである。R7として好ましくは水素原子、ア
ルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であ
り、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、さら
に好ましくは水素原子である。R8として好ましくは水
素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シア
ノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基であ
り、さらに好ましくは水素原子である。 9 水素原
子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ま
しくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8で
あり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、te
rt−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサ
デシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭
素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特 に好
ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−
メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。)で
、好ましくは水素原子、アルキル基であり、更に好ま
しくはメチル基である。
【0012】
【0013】Rは電子吸引性基であり、例えばシアノ
基、カルボニル基、チオカルボニル基、アリール基(例
えばフェニル、ナフチル等)、芳香族ヘテロ環基(例え
ばピリジル、キノリル、イソキノリル、フリル、チエニ
ル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、オキサ
ジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾ
リル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベン
ゾンゾチアゾリル、ベンゾセレナゾリル、ピリミジル、
ピラジニル、フタラジニル、キノキサリニル、ナフチリ
ジニル、インダゾリル、キナゾリニル、シンノリニル、
プテリジニル、カルバゾリル、インドリル等)、スルホ
ニル基、カルバモイル基、スルファモイル基など挙げら
れ、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホ
ニル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはシア
ノ基、カルボニル基、芳香族アゾール基であり、特に好
ましくはシアノ基である。
【0014】Aは芳香族ヘテロ環基を表し、例えばフリ
ル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、
ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、インドリ
ル、イソインドリル、インドリジニル、フェノキサジニ
ル、キサンテニル、インダゾリル、プリニル、キノリ
ル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キ
ノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジ
ニル、カルバゾリル、カルボリニル、フェナントリジニ
ル、アクリジニル、プテリジニル、フェナントリニル、
フェナジニル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、フ
ェノチアジニル、フラザニル、フェノキサジニル、オキ
サゾリル、ベンゾオキサゾリル、チアゾリル、ベンゾチ
アゾリル、セレナゾリル、ベンゾセレナゾリル、オキサ
ジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、ベンゾト
リアゾリル、テトラゾリル、テトラザインデニル、イン
ドレニルなどが挙げられる。Aとして好ましくはイミダ
ゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダ
ジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフ
チリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリ
ニル、プテリジニル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリ
ル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサジアゾリ
ル、チアジアゾリルであり、より好ましくはベンゾオキ
サゾリル、ベンゾチアゾリル、インドレニルである。
【0015】Xは酸素原子、硫黄原子またはN−R10
表す。ここでR10は水素原子または置換基を表す。R10
で表される置換基としては、例えばアルキル基(好まし
くは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、
特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えばメチル、エ
チル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オク
チル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられ
る。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、よ
り好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2
〜8であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3
−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好
ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜1
2、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばプロパ
ルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリー
ル基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素
数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例
えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチルなどが挙
げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミ
ル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカル
ボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは
炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であ
り、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルな
どが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好
ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜1
6、特に好ましくは炭素数7〜10であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、スルファ
モイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは
炭素数0〜16、特に好ましくは炭素数0〜12であ
り、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジ
メチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが
挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1
〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましく
は炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチル
カルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバ
モイルなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましく
は炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特
に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、ト
シルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましく
は炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特
に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスル
フィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられ
る。)、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜20、より
好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子として
は、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には
例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、
モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリ
ル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。)などが挙げ
られる。これらの置換基は更に置換されてもよい。ま
た、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なっても
よい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよ
い。R10で表される置換基として好ましくは、アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ
環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール
基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル
基、アリール基である。Xとして好ましくは酸素原子、
N−R10であり、より好ましくは酸素原子である。
【0016】L1およびL2はそれぞれメチン基または置
換メチン基を表し、また置換メチン基の置換基を介して
1もしくはL2同士で、またはL1とL2は連結して4な
いし6員環を形成してもよい。置換メチン基の置換基と
しては例えばR1 8 の置換基として挙げたものが適用
でき、好ましくはアルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、
より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、シアノ基で
あり、更に好ましくは低級アルキル基(好ましくは炭素
数1〜4)である。L1およびL2として好ましくは無置
換メチン基、アルキル置換メチン基、アルコキシ置換メ
チン基であり、より好ましくは無置換メチン基である。
nは1を表す。
【0017】一般式(I)で表される化合物のうち、好
ましくは一般式(II)で表される化合物である。
【0018】
【化4】
【0019】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5
6 、R7 、R8 、R9 、L1 、L 2 およびnは、それ
ぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また好
ましい範囲も同様である。Qは芳香族アゾール基を表
す。Qで表される芳香族アゾール基としては、例えばピ
リジン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ベ
ンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾ
ール、インドレニンなどが挙げられ、好ましくはベンゾ
オキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾー
ル、インドレニンである。) 一般式(I)で表される化合物のうち、より好ましくは
一般式(III)で表される化合物である。
【0020】
【化5】
【0021】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5
6 、R7 、R8 、R9 、L1 、L 2 およびnは、それ
ぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また好
ましい範囲も同様である。Zは5ないし6員環の含窒素
芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Zで
形成される含窒素芳香族ヘテロ環としては、例えばピリ
ジン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ベン
ゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾー
ル、インドレニンなどが挙げられ、好ましくはベンゾオ
キサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、
インドレニンであり、特に好ましくはベンゾオキサゾー
ルである。)
【0022】一般式(1)で表される化合物は低分子量
化合物であっても良いし、一般式(I)で表される残基
がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物(好ましく
はポリスチレン換算で重量平均分子量1000〜500
0000、特に好ましくは5000〜2000000、
さらに好ましくは10000〜1000000)もしく
は、一般式(I)の骨格を主鎖にもつ高分子量化合物
(好ましくは重量平均分子量1000〜500000
0、特に好ましくは5000〜2000000、更に好
ましくは10000〜1000000)であってもよ
い。高分子量化合物の場合は、ホモポリマーであっても
良いし、他のモノマーとの共重合体であっても良い。一
般式(I)で表される化合物としては、好ましくは、低
分子量化合物である。また、一般式(I)は便宜的に極
限構造式で表しているが、その互変異性体であってもよ
い。
【0023】以下に一般式(I)で表される化合物の具
体例を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0024】
【化6】
【0025】
【化7】
【0026】
【0027】
【化9】
【0028】
【化10】
【0029】上記化合物例はその互変異性体であっても
よい。一般式(I)で表される化合物は種々の合成法に
より合成することができ、例えば特開昭60−8303
5号等に記載の方法を参考に合成できる。
【0030】以下に本発明の一般式(I)で表される化
合物の合成について具体例を示す。 合成例.例示化合物1の合成
【0031】
【化11】
【0032】化合物aの合成 2,6−ジメチル−γ−ピロン15.7g(0.126
モル)、2−シアノメチルベンゾオキサゾール20.0
g(0.126モル)を無水酢酸100mlに溶解し、
6時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、酢酸エ
チルと重炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出した。有機層
を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル
=8/2(vol/vol))にて精製した後、エタノ
ールで再結晶することにより化合物aを16.6g得
た。収率50%
【0033】例示化合物1の合成 化合物a2.60g(0.01モル)、化合物b1.5
0g(0.01モル)をエタノール75mlに溶解し、
ピペリジン1.0ml(0.01モル)を加え、5時間
加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、水を加え、析
出した固体を濾取した。得られた固体をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)で精
製した後、エタノールで再結晶することにより例示化合
物1を1.22g得た。 収率31% 融点:210〜211℃
【0034】次に、本発明のメチン化合物を含有するE
L素子に関して説明する。本発明のメチン化合物を含有
するEL素子の有機層の形成方法は、特に限定されるも
のではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリ
ング、分子積層法、コーティング法などの方法が用いら
れ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が
好ましい。
【0035】本発明のメチン化合物は電子輸送剤または
発光剤として用いることが好ましく、より好ましくは発
光剤、特に赤色発光剤として用いることが好ましい。
【0036】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。
【0037】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
【0038】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理などが効果的である。
【0039】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合
物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例
としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K等)また
はそのフッ化物、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca
等)またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、
ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リ
チウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マ
グネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウ
ム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ま
しくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好まし
くはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金または
それらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれら
の混合金属等である。陰極の膜厚は材料により適宜選択
可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好
ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に
好ましくは100nm〜1μmである。陰極の作製には
電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コ
ーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着
することも、二成分以上を同時に蒸着することもでき
る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形
成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金
を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い
方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
【0040】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明のメチン化合物
を含有するものであるが、本発明のメチン化合物の他の
発光材料を用いることもできる。例えばベンゾオキサゾ
ール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾ
ール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘
導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブ
タジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導
体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シク
ロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導
体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チア
ジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、
8−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表
される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレ
ン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙
げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではない
が、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より
好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10
nm〜500nmである。発光層の形成方法は、特に限
定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、
スパッタリング、分子積層法、コーティング法(スピン
コート法、キャスト法、ディップコート法など)、LB
法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コ
ーティング法である。
【0041】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正
孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常
1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましく
は5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜5
00nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材
料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよ
いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構
造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法
としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送剤を
溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法(ス
ピンコート法、キャスト法、ディップコート法など)が
用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶
解または分散することができ、樹脂成分としては例え
ば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポ
リアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂など
が挙げられる。
【0042】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜
厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μ
mの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1
μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmであ
る。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1種また
は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組
成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても
よい。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真
空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解ま
たは分散させてコーティングする方法(スピンコート
法、キャスト法、ディップコート法など)などが用いら
れる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解また
は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔
注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【0043】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2 、Al2 3
GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2 3 、Y2
3 、TiO2 等の金属酸化物、MgF2 、LiF、Al
3 、CaF2 等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、
ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、
吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護
層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、M
BE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波
励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レ
ーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コ
−ティング法を適用できる。
【0044】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例1.25mm×25mm×0.7mmのガラス基
板上にITOを150nmの厚さで製膜したもの(東京
三容真空(株)製)を透明支持基板とした。この透明支
持基板をエッチング、洗浄後、ポリ(N−ビニルカルバ
ゾール)40mg、PBD(2−(4−ビフェニルイ
ル)−5−(4―tert−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール)12mg、表1記載の化合
物0.5mgを1,2−ジクロロエタン3mlに溶解
し、洗浄したITO基板上にスピンコートした。生成し
た有機薄膜の膜厚は、約120nmであった。有機薄膜
上にパターニングしたマスク(発光面積が5mm×5m
mとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウ
ム:銀=10:1を50nm共蒸着した後、銀50nm
を蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2
400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光
させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM−8、発光波
長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA
−11を用いて測定した。その結果を表1に示す。
【0045】
【表1】
【0046】
【化12】
【0047】表1の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、比較化合物に比べ、通常発光
輝度が低い塗布方式においても低電圧駆動、高輝度発光
が可能であり、また色純度の高い赤色発光を示した。
【0048】実施例2 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD(N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,
N′−ジフェニルベンジジン)約40nm、表2記載の
化合物約20nm、2,5−ビス(1−ナフチル)−
1,3,4−オキサジアゾール約40nmを順に10
−5〜10−6Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下蒸着した。次いで実施例1と同様に陰極を蒸着し、
評価を行った。結果を表2に示す。
【0049】
【表2】
【0050】表2の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蒸着方式でも比較化合物に比
べ、高輝度発光が可能であり、また色純度の高い赤色発
光を示した。
【0051】実施例3 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD約40nm蒸着した後、表3記載の化合物およびA
lq(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウ
ム)をそれぞれ蒸着速度0.04Å/秒、4Å/秒で膜
厚約60nmとなるように共蒸着した。次いで実施例1
と同様に陰極を蒸着し、評価を行った。結果を表3に示
す。
【0052】
【表3】
【0053】表3の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蒸着方式ドープ系でも比較化
合物に比べ、高輝度発光が可能であり、また色純度の高
い赤色発光を示した。
【0054】実施例4 実施例1と同様にITO基板をエッチング、洗浄後、T
PD約40nm蒸着した後、例示化合物1を約60nm
蒸着した。次いで実施例1と同様に陰極を蒸着した。作
成した素子を評価した結果、12Vで輝度130cd/
2 を示した。λmax=611nm、CIE色度
(x、y)=(0.65、0.32)の色純度の高い赤
色発光が観測され、本発明の化合物が電子注入輸送剤兼
発光剤として有効であることがわかった。
【0055】実施例5 実施例1と同様にエッチング、洗浄したITOガラス基
板上に、ポリ(N−ビニルカルバゾール)40mg、
2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジ
アゾール12mg、テトラフェニルブタジエン10m
g、DCM0.5mgおよび本発明の例示化合物2
0.1mgを1,2−ジクロロエタン3mlに溶解した
溶液をスピンコートした。次いで実施例1と同様に陰極
を蒸着した。この素子にITO電極を陽極、Mg:Ag
電極を陰極として直流電圧を印加して発光特性を調べた
ところ、14VでCIE色度図上(x、y)=(0.3
5、0.37)の白色発光(輝度1405cd/m2)が
得られ、白色発光に有効であることがわかった。
【0056】
【発明の効果】本発明により、従来に比べて色純度の高
い赤色EL発光を可能にする新規メチン化合物を提供す
ることができた。特に通常発光輝度の低い塗布方式でも
良好な発光特性が得られ、製造コスト面等で有利な素子
作製が可能となる。さらに本発明の化合物は発光材料兼
電子注入輸送剤としても機能するものであり、簡便な素
子作成が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C09K 11/06 655 C09K 11/06 655 H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 B (56)参考文献 特開 昭63−141068(JP,A) 特開 平1−126655(JP,A) 特開 昭62−187301(JP,A) 特開 昭62−285489(JP,A) 特開 昭61−138666(JP,A) 特開 昭61−169832(JP,A) 特開 昭61−167940(JP,A) 特開 昭62−1754(JP,A) 特開 昭62−84158(JP,A) 特開 平3−209791(JP,A) 特開 平11−83849(JP,A) 特開 平11−106746(JP,A) 国際公開99/40086(WO,A1) レーザー研究,(1995),23(9), P.752−61 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C09B 23/00 C09K 11/06 H05B 33/14 H05B 33/22 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)で表される有機エレク
    トロルミネッセンス素子材料。 【化1】 (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、および
    8は、それぞれ水素原子または置換基を表す。R9は、
    水素原子、アルキル基、またはアリール基を表す。Rは
    電子吸引性基を表す。Aは芳香族ヘテロ環基を表す。X
    は酸素原子、硫黄原子またはN−R10(R10は水素原子
    または置換基を表す。)を表す。L1およびL2はそれぞ
    れメチン基または置換メチン基を表す。nは1を表
    す。)
  2. 【請求項2】Rで表わされる電子吸引性基がシアノ基、
    カルボニル基、スルホニル基、または芳香族へテロ環基
    である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス
    材料。
  3. 【請求項3】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
    含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項1
    または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材
    を含有する層であることを特徴とする有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子。
  4. 【請求項4】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
    含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項1
    または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材
    をポリマーに分散した層であることを特徴とする有機
    エレクトロルミネッセンス素子。
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