CN1058800C - 制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法 - Google Patents

制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1058800C
CN1058800C CN94112929A CN94112929A CN1058800C CN 1058800 C CN1058800 C CN 1058800C CN 94112929 A CN94112929 A CN 94112929A CN 94112929 A CN94112929 A CN 94112929A CN 1058800 C CN1058800 C CN 1058800C
Authority
CN
China
Prior art keywords
extreme
ion beam
layer
pt1b
deposit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN94112929A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1122496A (zh
Inventor
莫汉马德·T·克劳恩比
杰里·罗·蒂修
桑青华
罗伯特·M·瓦尔塔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Digital Products China Co Ltd
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of CN1122496A publication Critical patent/CN1122496A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1058800C publication Critical patent/CN1058800C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

提供了一种复合MR头，它具有竖直对准的侧壁，以尽量减小侧边缘场并改善道偏移性能。包括读取头的第二屏蔽层S2的底极件P1，带有具有短的长度的基座极端部。其长度短至为间隙层G的长度的两倍的基座极端部能够最大程度地减小侧向写入并改善道偏移性能。写入头的底极端部结构是利用顶极端部结构作为掩膜，用离子束研磨形成的。离子束研磨是与顶极端部结构的侧壁成一个角度地照射的，使底极端部结构研磨出与顶极端部结构对准的侧壁。

Description

制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法
本发明涉及制造具有对准的极端部的薄膜复合磁电阻头的方法。
在磁盘驱动器中，数据由被称为“头”的薄膜磁传感器写入和读出，而该头被支撑在以高速旋转的盘的表面上。这些头借助于由盘的高速旋转产生的薄空气垫(空气轴承)而得到支撑。
薄膜磁写入头是需要的，因为它们提供了高的面密度；而薄膜磁读取头是需要的，因为它们提供了高分辨率。薄膜磁头也容易制造。借助于各种薄膜制作技术，可以在陶瓷基底上成批地生产磁头，并随后将它们切割成单独的头。
薄膜写入头分别包括底和顶极件P1和P2，它们是用磁性材料薄膜(层)制成的。这些极件具有通常被称为“喉高度”的极端部高度。在制成的写入头中，喉高度是在通过对极件的端部进行抛光而形成的空气轴承表面(ABS)和一个零喉高度(“零喉高度”)之间测量的，其中底极件P1和顶极件P2在磁记录间隙处会合。薄膜磁写入头还包括一个位于ABS和零喉高度之间的极端部区和一个从零喉高度延伸到并包括一个后间隙的后区。各个极件具有在极端部区中的极端部部分和在后区中的后部分。极件在后间隙处连接在一起。
极端部是写入头的底部和顶部极件P1和P2的延伸。在极端部区，各个极件P1和P2转变成极端部。极端部由一个间隙(G)分离，后者是绝缘材料制成的薄层。顶部极件P2的极端部是将磁通量引入磁介质的最后一个元件；因此，其宽度比底极件P1上的极端部的宽度更重要。然而，正如下面详细描述那样，使极端部具有相同的宽度以减小它们之间的磁通量泄漏也是重要的。
为了增大单位盘表面积存储的数据(面密度)，写入头必须在盘表面上更窄的道上写入更多的数据。因此，可通过减小极端部之间的间隙长度来改善面密度。通过减小间隙长度，在道内的位密度得到了改善。间隙长度的缩短受到了极端部之间的磁通量强度减小的限制。也可以通过增加写入头所能够记录在盘上的数据道的数目来改善面密度；有关的参数表示是“每英寸的道”或“TPI”。写入头的TPI能力通过减小头的尺寸—该尺寸确定了数据道的宽度—而得到增大；一般地，该尺寸被称为头的“道宽”。
一种MR读取头采用了磁阻(MR)元件，它响应来自旋转的磁盘的磁通量密度来改变电阻。一个通过磁阻元件的检测电流与该磁阻元件的电阻改变成比例地变化。该磁阻元件的响应是基于磁阻元件的电阻改变跟随从磁介质检测的磁通量密度改变的程度的。在盘驱动器中，一个差分放大器与该磁阻元件相连，以处理从读取头读出的信号。该磁阻元件是一个夹在底和顶间隙(绝缘)层G1和G2之间的薄膜层，而间隙层G1和G2又被夹在底部和顶部屏蔽层S1和S2之间。这些屏蔽层之间的距离被称为读取间隙。读取间隙越小，MR读取头的分辨率就越大。
近来的一种技术发展提供了一种复合MR头。一种复合MR头采用了组合的MR读取头和写入头。这是通过用MR头的顶屏蔽层S2作写入头的底极P1而实现的。复合MR头对读取和写入都具有高的能力。复合MR头节省了构成分离的读取和写入头的加工步骤，因为MR读取头的第二屏蔽层S2也被用作写入头的底极P1，从而消除了一个制作步骤。该复合MR头的另一优点，是读取和写入头的元件能够容易地在一个单个的悬挂系统上对准，以在写入之后立即进行读取。
然而，目前的复合MR头结构，在记录期间产生了很大的侧边缘场。这些场是由于从顶磁极P2至由P2限定的区域以外的底极P1部分的的磁通量泄漏造成的。该侧边缘场限制了所能够达到的最小道宽，因而限制了道密度的上限。因此，当用磁阻元件读取由复合MR头的记录元件写入的道时，该磁阻元件的“道偏移”性能很差。即，当MR元件产生了从所读取的道的中心的横向移动时，在相邻道的磁场开始对所读取的道的场造成干扰之前，它不能移动得较远。
在一种感应头中，底和顶极端部PT1和PT2的侧壁基本上沿竖直方向对准，并借助通过顶和底极件的离子束研磨而被限制在基本上相等的宽度。然而，由于顶极端部PT2在此期间产生的遮蔽，向底极端部PT1有一些向外的渐细。虽然这种渐细的非对称性产生了某些不希望的效果，极端部的侧壁大体上在竖直方向得到了对准，从而防止了在极端部之间的间隙边缘以外的侧边缘场。
用于制作复合MR头的这种方法，在第二屏蔽层S2上淀积出一个间隙层，并随后在该间隙层上淀积出顶极端部PT2。极端部PT2可以用光刻胶图形镀膜或离子束研磨限定。极端部PT2的宽度保持很窄，在5μm的量级内，以限制写入道的宽度。然而，MR读取头的第二屏蔽层S2很宽，在50μm的量级，以屏蔽读取头中的MR元件。这些宽度的不同，造成了极端部元件之间的侧边缘磁通场，该场沿着横向延伸到顶极端部PT2的宽度以外。这是由第二屏蔽层S2的宽度造成的，该第二屏蔽层S2对于来自顶极端部元件PT2的磁力线具有大的横通道。希望包括底极端部元件PT1的第二屏蔽层S2具有与顶极端部元件PT1的侧壁对准的侧壁。然而这是不可能的，因为第二屏蔽层S2必须很宽以保护MR元件。这会阻止复合MR头的道偏移性能的改善。
对复合MR头的侧边缘问题的一种解决方案，是在第二屏蔽层S2的顶部上构成窄的极端部部分PT1b，随后该S2层被用作较宽的底极端部元件PT1a。这两个极端部都是底极P1的极端部部分，而极端部层PT1b在极端部元件PT1a上形成了一个基座。间隙层随后在极端部层PT1b上形成，且顶磁极P2的极端部元件PT2在间隙层上形成。这种极端部设置能够以两种方式之一构成：(1)利用光刻胶掩模技术将各个极端部PT1b和PT2加以图形镀膜或者(2)为顶磁极P2的轭区设置掩模并通过极端部PT2和PT1b以及它们之间的间隙层进行离子束研磨。在这种图形镀膜方法中，很难对准极端部PT2和PT1b的侧壁。这是由于各个极端部是在不同的步骤中覆盖的，从而造成了光刻胶掩模不能对准。在离子束研磨中，在处理中研磨碎屑的再淀积在PT2上累积起来，造成了对其下的极端部层PT1b的遮蔽。这种遮蔽—它也会在构成上述感应头中遇到—造成下极端部PT1b的向外渐细的结构。遮蔽沿着横向延伸到下极端部，并为侧边缘场提供了磁通道。已经进行过尝试，使离子束以一个角度而不是垂直照射到侧壁上，从而除去碎屑和使这些极端部沿着竖直方向对准。这将除去一些碎屑；然而，累积的碎屑太厚，所以不能用这种方法获得竖直的侧壁。
先有技术的复合MR头的这种侧边缘问题，已经由于发现了对复合MR头的制作方法中的两个独特步骤，而得到了解决。第一个发现是极端部PT1b(相对于S2/PT1a极端部的基座部分)的长度能够作得比以前所想的短。本发明人已经观测到，只要极端部PT1b的侧壁与极端部元件PT2的侧壁竖直对准，具有0.5至2.5乘以间隙G的长度g的基座极端部PT1b，将显著降低侧边缘场。竖直对准已经通过包括两个步骤的第二个发现而实现。第一个步骤是以所希望的宽度将间隙层的顶部上的极端部PT2图形镀膜。该层的厚度可以比所希望的最后厚度大，因为该厚度将在下一个步骤中减小。例如，如果希望得到5μm的最后厚度，则可以加上2μm的附加厚度，使总厚度为7μm。借助光刻胶图形镀膜方法，可以构成带有竖直侧壁的7μm厚的极端部PT2。下一个步骤是利用极端部PT2作为掩模，将离子束与极端部PT2的侧壁成角度地照射到极端部PT2以下的磁层上，以在侧壁的各侧的掩模之下的的磁层上产生缺口，以形成基座极端部PT1b。使用适当的角度，使人意外的结果是基座极端部PT1b的侧壁将与极端部PT2的侧壁竖直对准。由于基座极端部PT1b的长度可以很小，以适当地降低磁通量泄漏，基座极端部PT1b可以被直接研磨到第二屏蔽层S2中。这样就不用在第二屏蔽层S2上淀积一个层以在其上形成基座。通常的间隙长度是0.3μm，这使基座极端部元件PT1b的长度大体为0.6μm。为了获得基座极端部元件PT1b而借助离子束研磨在第二屏蔽层S2上造成的缺口，不会影响其屏蔽磁阻元件的能力。将离子束以一定角度直接照射在极端部PT2的侧壁上，可以去除并同时清理再度淀积物。已经发现，55°的角度能够产生令人满意的效果。然而，更好的研磨处理或依次或同时采用两束离子束。已经发现，第一束以30°照射以进行切割和清理部分再度淀积物，而75°的第二束清理剩余的再度淀积物，可以在极端部PT2与PT1b之间提供竖直对准的侧壁。另一方案是，一个磁层可设置在第二屏蔽层S2上，并用第二发现中的所述步骤产生出缺口。然而，这需要附加的处理步骤，除非采用不同的材料，该步骤是不需要的。另一方案是，间隙层可以用离子束研磨，或在限定其下的基座极端部PT1b之前借助化学蚀刻而限定。特别是，借助这两个发现，可以实现小于2μm的道宽。相反，感应头的道宽从没有小于3μm。
本发明的一个目的是提供一种薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有坚直对准的极端部以使侧写最小化。
本发明的另一个目的是提供一种薄膜复合磁电阻头的制造方法，该薄膜复合磁电阻头具有改善的道偏移性能。
本发明的再一个目的是提供一种带有第二屏蔽层S2的复合磁电阻头的制造方法，第二屏蔽层S2既用作磁电阻元件的屏蔽，也用作带有良好道偏移性能的写入头的极端部。
本发明的又一个目的是提供一种复合磁电阻头的制造方法，其中第二屏蔽层S2具有小高度的基座，该基座用作极端部元件PT1b且其下的S2层被用作写入头的下极P1的极端部元件PT1a，以及其中极端部元件PT1b的侧壁与极端部PT2的侧壁沿坚直方向对准。
在考虑了对本发明的以下描述之后，本发明的其他目的和优点将变得明显。
根据本发明，形成了带有坚直取向的侧壁(比如图27中所示的88和90)的极端部元件PT2，并且利用限定的极端部元件PT2作为掩膜，与限定的极端部元件PT2的侧壁呈θ角，将至少一个离子束照射到底极件P1的未限定部分，在极端部元件PT2的每侧上垂直地将底极件P1切口，将底极件P1构成为极端部元件PT1a和PT1b，其中极端部元件PT1b是相对于底极件P1的基座，并且具有第一和第二垂直侧壁，这两个侧壁分别与极端部元件PT2的第一和第二垂直侧壁对准。
图1是示按照比例的盘驱动器示意图，它采用了本发明的薄膜复全磁电阻头(MR头)。
图2是位于磁盘的道上的薄膜写入头的极端部的关键部分的示意图。
图3是薄膜复合MR头的立体图，其中写入头的层被设置在MR读取头的层之上。
图4是图3的写入头的顶视平面示意图。
图5是由本发明制造的薄膜复合磁电阻头的侧视图。
图6是沿着图5的VI-VI平面取的ABS图。
图7是由本发明制造的薄膜复合磁电阻头的侧视图。
图8是图7所示的头沿着VIII-VIII平面取的ABS图。
图9至12是显示根据本发明制成的复合MR头的侧向写入的曲线图。
图13是先有技术的感应头的ABS图。
图14是先有技术的薄膜复合MR头的ABS图。
图15是图14所示的先有技术薄膜复合MR头的侧视图。
图16是离子束腔的一个例子的示意显示。
图17是以一定角度对极端部PT2的侧壁进行研磨的开始时的ABS图。
图18与图17相同，但它是研磨步骤的结束，它已经在P1/S2上开了缺口，以形成基座极端部PT1b。
图19与图18相同，但其中以更大的角度对极端部PT2的侧壁进行离子研磨，以在图17和18外表面切割操作中清除再度淀积物的碎屑。
图20与图17类似，只是用于切割的离子束和用于清理的离子束是同时照射的，而不是如图17-19中那样依次照射的。
图21与——20相同，只是缺口已经完成，以形成基座极端部PT1b。
图22与图17类似，只是采用了具有更大角度的单个离子束进行切割和清理。
图23与图22类似，只是已经完成了切割和清理操作以形成基座极端部PT1b。
图24是用于形成带有竖直侧壁的极端部PT2的步骤的示意顶视平面图。
图25是通过图24的结构的ABS图，其中光刻胶图形被除去了。
图26是顶视平面图，其中顶极件P2被掩盖，而暴露出极端部PT2。
图27是图26所示的结构的ABS图，显示了在极端部PT2周围的光刻胶窗口或开口，该开口用于使一或多个离子束能够以一定角度照射到其中。
图28是在用离子束以一定角度对极端部PT2的侧壁进行研磨以形成基座极端部PT1b之后所产生的极端部结构。
图29至33分别与图24至28类似。
图34与图33类似，只是淀积了附加层PT1c和PT2b，以获得与距离间隙G更远的极端部其余部分不同的材料。
现在参见附图，其中相同的标号表示相同或类似的部件。在图1中，显示了一个包括转动磁盘42的磁盘驱动器40。盘42由一个对来自驱动控制源(未显示)的控制信号进行响应的马达44转动。当盘42转动时，装在一个滑动器48上的薄膜复合MR头46被一个称为“空气轴承”的空气薄层支撑在磁盘42的表面上。复合头46包括一个MR读取头50和一个写入头52。滑动器48与复合头46的底表面位于滑动器的空气轴承表面(ABS)54所在的平面中。ABS54与磁盘42的表面相距距离d，而距离d是当磁盘转动时复合MR头46的飞行高度。滑动器48与一个头悬挂组件56相连，而头悬挂组件56包括用于在驱动电路58与头之间传导读/写信号的装置。驱动器的上述部件装在驱动外壳59中。
在图2中，用60示意显示了与转动磁盘的道62具有运算关系的写入头52的极端部元件。代表写入头记录在道上的信息的磁通量倒转由64表示。每英寸道长的磁通量倒转的数目，是读取头的线或位密度的一个量度。当写入头间隙的长度减小时，位密度增大。另一个重要的量度是写入头60的TPI。写入头的极端部元件的宽度越窄，TPI越大。位密度与TPI的乘积提供了写入头的面密度。这是磁盘单位面积上能够写入多少信息的一个量度。
图3显示了复合MR头46的一部分，显示了MR读取头50和写入头52。该复合MR头46装在滑动器48上。
如图3所示，读取头50包括一个磁阻元件MR，它夹在第一和第二间隙层G1和G2之间，而这些间隙层又夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间。在一个复合MR头中，读取头50的第二屏蔽层S2也用作写入头52的底极件P1，这将在下面详细描述。
如图5所示，写入头52带有一个位于空气轴承表面(ABS)与一个零喉高度之间的极端部区和一个从该零喉高度延伸到并包括一个后间隙的轭或后区。写入头52包括一个底极件P1和一个顶极P2。底极件P1包括读取头50的第二屏蔽层S2。各个极件P1和P2还带有位于该后区中的后层部分，这些极件的后层部分在后间隙(BG)处互相磁性连接。底极件P1包括一个位于在ABS与零喉高度之间的极端部区中的极端部结构。该极端部结构包括一个底极端部元件PT1a和一个顶极端部元件PT1b。顶极件P2包括一个位于ABS与零喉高度之间的极端部区中的极端部结构。该极端部结构包括一个顶极端部元件PT2。极端部元件PT1a和PT1b从读取头50的第二屏蔽层S2整体地制成，这将在下面更详细地描述。在极端部元件PT1库PT2之间夹有一个极间隙层(G)。该层的理想厚度(间隙长度)为大约0.3μm，这将使写入头的线密度达到优化且不会影响其磁通量强度。然而，可接受的间隙长度的范围为0.1μm至0.7μm。间隙层G可延伸到后间隙BG或作为另一方案在零喉高度终止。
在间隙层G的顶部，可以用诸如光刻的适当方法，淀积出一个第一绝缘层I1。在第一绝缘层I1的顶部，用诸如光刻胶图形镀膜的适当方法，淀积出线圈传导层70。在线圈传导层70的顶部上，用诸如光刻的适当方法，淀积出第二和第三绝缘层I2和I3。
复合MR头46被称为“复合”，是因为底极件P1和其极端部包括MR读取头的第二屏蔽层S2，如图5和6所示。复合头的一个特征是消除了淀积一个额外磁层的加工步骤。然而，如图6所示，第二屏蔽层S2超过间隙G的侧面的大宽度，使磁通量向第二屏蔽层S2延伸并延伸到极端部元件PT2的宽度以外。这种“侧边缘”磁通量造成了侧向写入，可能使道偏移性能降低。这个问题已经通过在第二屏蔽层S2上在间隙G的各侧上的78和79作出缺口从而给第二屏蔽层S2提供一个构成极端部元件PT1b的基座，而得到了克服。在基座极端部元件PT1b下面是一个能称为极端部元件PT1a的区域。极端部元件PT1a和PT1b是包括第二屏蔽层S2的底极件P1的向前延伸部分。第二屏蔽层S2的宽度足以有效地屏蔽读取头50的MR元件。该宽度可以在50μm的量级，相比之下极端部元件的宽度为2μm。应该注意的是，第二屏蔽层S2的缺口78和79提供了具有第一和第二竖直侧壁80和82的基座极端部元件PT1b。类似地，间隙层G带有第一和第二竖直侧壁84和86。在间隙层G的顶部上的极端部元件PT2带有第一和第二竖直侧壁88和90。极端部元件PT1b、间隙G、和极端部元件PT2的第一侧壁80、84、和88分别邻接地位于第一竖直平面100内，且第二竖直壁82、86和90邻接地位于第二竖直平面102内。如图6所示，竖直平面100和102在ABS处彼此之间等距间隔，以形成写入头52的道宽w。第一和第二竖直侧壁100和102还与ABS相垂直。第一和第二竖直侧壁100和102的间距最好从ABS直到零喉高度都相等。然而，如果需要的话，它们可以从ABS分开。在第一和第二竖直侧壁100和102中的极端部元件的侧壁的竖直对准和基座极端部元件PT1b一起，对于减小由于第二屏蔽层S2的大横向宽度造成的侧向写入，是重要的。基座极端部PT1b的重要性将在下一段中描述。
已经发现，基座极端部元件PT1b的长度可以比以前所能想象的小很多。本发明人已经确定了第二屏蔽层S2的最优缺口深度，以形成具有最优长度的基座极端部元件PT1b。图9至12显示了这种分析的结果。以下的描述适合于图9至12中的每一个图：(1)在底极件P1的平面侧道写入场中，显示了带缺口的写入头；(2)以μm为单位绘制出归一化头场与道偏移位置的关系；(3)有效边缘场为归一化头幅度的0.4，因为大多数的头都被设计在盘介质的矫顽力的2.5倍附近；(4)道偏移位置是从间隙G的侧壁沿着间隙的横向中心线测量的；(5)间隙长度为0.4μm；(6)头在转动的盘上方的飞行高度为0.075μm；(7)标为“最大”的虚线是没有缺口因而也没有基座极端部元件PT1b时的侧道写入场，因而间隙层G直接位于第二屏蔽层S2之上(见图14)；(8)标为“最小”的虚线是具有无限长度的基座极端部元件PT1b的侧道写入场；且(9)虚线的“最大”和“最小”之间的连续线是分析的结果。在图9中，基座极端部元件PT1b的长度，如图5所示，是间隙长度的三倍，或1.2μm。可以看到，在归一化头场的0.4处，侧道写入场非常接近具有无限长度的基座极端部元件PT1b的最小侧道写入场。在图10中，基座极端部PT1b的长度是间隙的长度的两倍或0.8μm。在0.4归一化头场处的结果也非常接近具有无限长度的极端部元件的最小侧道写入场。在图11中，基座极端部PT1b的长度是间隙长度的一倍，或0.4μm，它的性能仍然比由“最大”虚线表示的极端部不在时更接近于由“最小”虚线表示的无限极端部。图11显示出，即使用第二屏蔽层S2的0.4μm的缺口，具有长度0.4μm的基座极端部PT1b也比完全没有基座的写入头在道偏移性能上有很大的改善。在图12中，基座极端部PT1b的长度是间隙的长度的0.5倍或0.2μm。即使采用0.2μm的长度，基座极端部PT1b，在0.4归一化头场处，也比完全没有基座的情况改善了40％。
上述分析显示出，基座极端部PT1b的长度可以非常短，但仍然能显著改善道偏移性能。该长度的一个可接受范围是间隙长度的0.5至3.0倍，而间隙长度的两倍是基座极端部PT1b的最佳长度。应该注意的是，间隙长度可以不同于所显示的0.4μm。对于可接受的性能，间隙长度可取在0.1μm至0.7μm的整个范围内。因此，基座极端部PT1b的缺口或长度将为所设计间隙长度的0.5至3.0倍。相当重要的是基座元件PT1b可以在不改变层S2在遮蔽MR元件方面的性能的情况下，被形成在读取头50的第二屏蔽层S2中。该第二屏蔽层S2一般为7至8μm厚，且大约1μm的缺口将不影响其性能。然而，如果需要，第二屏蔽层S2的淀积厚度可以更大，以容纳缺口78和79。重要的是缺口在淀积用于基座极端部PT1b的一个单独层时节省了一个步骤。然而应该理解，在第二屏蔽层S2之上可以淀积一个单独的层，并随后形成适当的缺口，以提供由不同于第二屏蔽层S2的材料制成的基座极端部元件PT1b。在基座极端部PT1b由不同于第二屏蔽层S2的材料制成时，这可能是需要的。例如，基座极端部PT1b可以由高饱和材料—诸如氮化铁—制成，以应付大量的磁通量，而第二屏蔽层S2可以由低饱和材料—诸如坡莫合金—制成。具有不同于第二屏蔽层S2的材料的基座极端部PT1b的结构，将在下面得到更详细的描述。
虽然基座极端部PT1b的短长度是一个重要的发现，同样重要的是极端部元件PT1b和PT2b的侧壁在ABS处要相互竖直地对准，如图6所示。实现这些纵向侧壁的结构的方法是另一个发现，它将在后面在“复合MR头的制造方法”的标题下作详细描述。
现在可以将图5和6的复合MR头46与图14和15的现有技术复合MR头进行比较。在现有技术复合MR头中，极端部元件PT2被形成在第二屏蔽层S2的顶部，且两者之间有间隙G。第二屏蔽层S2起着底极件P1的作用，且在其向前延伸的部分起着极端部元件PT1的作用。分隔极端部元件PT2和第二屏蔽层S2的唯一元件是间隙层G。由于S2层与极端部元件PT2的宽度相比具有大的横向宽度，所以有较大的侧边缘场从极端部元件PT2延伸到其宽度以外并达到第二屏蔽层S2。这导致了实际的侧向写入和劣质的道偏移性能。希望的是，磁通量能在极端部元件PT2与作为极端部元件PT1的第二屏蔽层S2之间通过，并完全处于由极端部元件PT2的侧壁形成的平面内。图5和6的复合MR头正是实现了这种所希望的性能。
图13显示了现有技术感应头的ABS图。该感应头包括由间隙G分离的极端部元件PT1和PT2。该感应头采用了元件PT1、G和PT2，以形成读取和写入功能。在完成写入功能时，一个未显示的线圈将磁通量感应到极端部元件PT1和PT2中，以进行写入操作。在读取操作时，极端部元件PT1和PT2以及它们的对应极件将磁通量感应到同一线圈中，以执行读取功能。该现有技术感应头的道偏移性能好于图14和15所示的现有技术复合MR头的道偏移性能。这是由于极端部元件PT1和PT2的侧壁更接近于竖直对准。然而，该感应头的现有技术结构必然导致极端部PT1和PT2向着基底变宽。按照这种顺序，极端部PT1和PT2，在其制成期间受到向下的离子束的研磨。当该离子束直着向下时，在研磨的极端部元件的侧壁上有较多的研磨碎屑再淀积物累积，使顶极端部元件PT2对底极端部元件PT1产生遮蔽，从而使其具有向外渐细的形状，如图13所示。与极端部元件PT2相反，较宽的极端部元件PT1将产生某些不希望的侧向写入。另外，两种极端部(8μm至10μm)的离子研磨都需要较长的时间。
图7和8示出本发明制造的复合MR头，与图5和6所示本发明制造的MR头略有变化。图7和8中，顶磁极P2被设置在底磁层110和112的顶部，而底磁层110和112分别具有形成极端部元件PT2a和PT2b的向前的延伸部分。极端部元件PT2b具有第一和第二竖直侧壁114和116，且极端部元件PT2a具有第一和第二竖直侧壁118和120。如图8所示，基座极端部PT1b的第一侧壁80、84、114和118、间隙层G、和极端部元件PT2b和PT2a分别位于第一竖直平面100中，且基座极端部PT1b的第二侧壁82、86、116和120、间隙层G、和极端部元件PT2b和PT2a分别位于第二竖直平面102中。虽然所示的极端部元件PT2a的侧壁也是与其下的极端部元件竖直对准的，但如果极端部元件PT2b具有大约为间隙G的长度的三倍的长度，则这就不是必要的。这是由于在超过该长度以外的距离通过的磁通量将变得不重要。因此，极端部元件PT2a在ABS处可以具有比极端部元件PT1b和PT2b的宽度大得多的宽度。当希望极端部元件PT2b具有不同于极端部元件PT2a的材料时，极端部元件PT2a和PT2b可以被制成两个分离的层。例如，极元件PT2b可以由高饱和材料—诸如氮化铁—制成，而极端部元件PT2a可以由饱和程度较低的材料—诸如坡莫合金—制成。借助这种设置，极端部元件PT2b可以携带大量的磁通量而不发生饱和。
借助以下描述的制造方法，本复合MR头46的极端部元件的宽度可以窄到2μm。这小于图5的现有技术感应头的正常宽度，即4至5μm。图5和6的极端部元件PT1b和PT2的宽度或图7和8的极端部元件PT1b和PT2b的宽度，确定了复合MR头的写入头部分的道宽度。由此可以确定TPI，它是决定写入头的面密度的一个因素。
图3和4显示了写入头的一个更为完整的实施例，图中一些部分被除去了，以显示各种细节。覆盖层112的一部分被剖开，绝缘层I2和I3已经被除去，且在图3中没有显示所有的线圈传导层70。导体70在位于顶和底极件P2和P1之间的后间隙BG周围延伸。线圈导体70的一端与导线72在73相连，且该导体的另一端(未显示)与导线74相连。当信号电流经过导线72和74而被传送到导体70时，导体70在顶和底极件P2和P1中感应出磁通量。这又在ABS处跨过极端部感应出前后的磁通量。
复合MR头的制造方法
本发明的复合MR头是采用已知薄膜光刻和离子束研磨步骤的独特组合来制造的。光刻包括利用光刻胶图形镀膜处理淀积磁层和借助光刻胶及显影处理淀积绝缘层。离子束研磨是在一个腔中进行的。图16显示了这种腔内含部件的一个例子。加工件(未显示)被放置在旋转台130上，并以恒定的转速旋转。在旋转期间，一个或多个离子束132和134被射向加工件。这些离子束最好是氩离子。所示的初级源离子束132竖直向下照射，而所示的次级源离子束134与竖直方向成一个角度地照射。如在下面将要详细解释的，本发明的离子束研磨只是由与竖直方向成一定角度的离子束实现的。一个快门136被以枢轴的方式安装，以便相对于旋转台130上的加工件(未显示)开通和切断离子束。
复合MR头46的MR读取头50部分的结构是现有技术中众所周知的。层S1、G1、MR元件、G2和S2都是借助薄膜光刻处理步骤淀积的。如图5所示，读取头的第二屏蔽层S2是从ABS至后间隙并包括该后间隙而淀积的，以使S2层具有位于ABS和零喉高度之间的极端部部分和位于零喉高度和后间隙之间的后部。写入头52的底极件P1包括这种第二屏蔽层S2。这种组合决定了复合MR头。
本发明的第二个发现是两方面的。首先，顶磁极P2的极端部结构被用作将基座用离子束研磨成底极件P1的极端部结构的掩模。第二，该离子束与顶极端部结构的侧壁成角度地并以单个的成角度的离子束或一对成角度的离子束的方式进行照射。采用一对成角度的离子束是较好的，并可以依次照射或同时照射。对于所有实施例都重要的是以附加的厚度淀积顶极端部结构。这种额外的厚度将被离子束研磨所减小，以在底极端部结构中形成基座。
在图17至23中显示了照射离子束以制造本发明的图5和6实施例的离子束各种实施例。在此实施例中，极端部元件PT2被用作形成底极端部结构的掩模。同样的方法将被用来制成本发明的图7和8的实施例。在此实施例中，极端部元件PT2b自己或者极端部元件PT2b和PT2a可以被用作形成底极端部结构的掩模。
图17、18和19显示了依次采用两个具有不同角度的离子束来形成底极端部结构。图17显示了以额外的厚度制作极端部元件PT2，以便能够在离子束研磨期间减小该厚度。PT2层的开始厚度可以在7μm的量级，其中包含的额外的厚度在2μm的量级。极端部元件PT2带有竖直侧壁88和90。形成极端部元件PT2的过程将在下面详细描述。在图17中，所显示的离子束以与极端部元件PT2的侧壁成30°的角度照射。虽然所示的离子束只照射在极端部元件PT2的侧壁90，但由于加工件由旋转台130如上所述地进行转动，所以离子束将照射在侧壁88和90上。间隙层G被淀积在P1/S2层上，且极端部元件PT2被淀积在间隙层G上。如上所述，当离子束竖直向下照射时，切下的相当一部分材料(碎屑)将重新淀积在研磨的元件的侧壁上。通过使离子束与极端部元件PT2的侧壁成30°，如图17所示，将会有显著的切下，然而，在切下操作中，离子束也进行了一定程度的碎屑清除。30°角度是最佳角度，然而，对于两角度实施例，它可以在20°和40°之间。图17显示了切除操作的开始，而图18显示了切除操作的最后结果。在该切除操作中，极端部元件PT2在第二屏蔽层S2中切出基座极端部元件PT1b时用作掩模。30°离子束之后是75°的离子束，如图19所示，以清除在30°操作之后仍然留下的重新淀积物。75°离子束对于清除重新淀积是最佳的，然而，它可以处于与极端部元件PT2的侧壁成65°至85°的范围内。应该注意的是，在切除操作期间，极端部元件PT2的厚度减小了所加上的诸如2μm的额外的厚度(见图17)。使人惊奇的结果是，在这种研磨之后，基座极端部PT1b的侧壁与极端部元件PT2的侧壁相对准。基座极端部PT1b已经通过在第二屏蔽层S2中形成缺口78和79而制成。间隙层G可以借助30°和75°离子束研磨，或者在离子束研磨之前借助化学蚀刻而达到其宽度。
图20和21显示了离子束研磨的一个实施例，它与图17、18和19的实施例类似，只是30°和75°离子束被同时照射，以完成切除和清除操作。
图22和23显示了离子束研磨的一个实施例，其中采用了一个单个的离子束来进行切除和清除以确定极端部基座PT1b。前面描述的两角度离子束方法比单个离子束方法好。然而，采用单个的离子束也能够获得令人满意的结果。对于单个的离子束，最佳的角度为55°，然而，45°至65°之间是可以接受的荡围。
图24至28显示了构成用于本发明的图5和6实施例的极端部元件的其他细节。在图24中，采用了一个光刻胶图形来将顶磁极P2及其极端部部分PT2镀膜。该镀膜操作还镀膜了图形以外的部分，它被称为P2区域。在图25中，光刻胶图形已经被除去，留下了极端部PT2，在其各侧有P2区域。在图25中，可以看到间隙层G被淀积在P1/S2层上，且极端部元件PT2被淀积在间隙层G上。借助该图形镀膜处理，极端部元件PT2将本身带有竖直取向的侧壁88和90。在图26中，P2区域已经被除去且一个光刻胶掩模已经被覆盖在极件P2的顶部，并有将极端部元件PT2暴露的开口或窗口140。该光刻胶窗口在图27中得到了更详细的显示。如上所述，一个或多个离子束随后通过该光刻胶窗口进行照射，如图28所示，以在P1/S2层上形成缺口，从而提供基座极端部元件PT1b。
图29至33显示了制造本发明的图7和8实施例的极端部结构的处理步骤。这些步骤与图24至28所解释的相同，只是顶磁极P2由两层构成，以提供两个极端部元件PT2a和PT2b，如图30所示。在离子束研磨之后，如图33所示，形成了一个基座极端部元件PT1b且顶极端部结构包括极端部元件PT2a和PT2b。如上所述，极端部元件PT2b可以用与极端部元件PT2a不同的材料制成。图34显示了另一个实施例，其中一个磁层在离子束研磨之前被设置在第二屏蔽层S2之上。在此情况下，底极端部结构将包括两个基座极端部元件，即PT1b和PT1c。同样，极端部元件PT1c可以由与极端部元件PT1b不同的材料制成。极端部元件PT2b和PT1c可以由高度饱和材料(4πms)，诸如氮化铁制成，且极端部元件PT1b和PT2a的材料可以是低饱和材料，诸如坡莫合金。该高度饱和材料将使大量的磁通量能够通过最接近间隙层G的极端部而不产生饱和。
现在很明显的是，制造复合MR头的方法概括地包括以下步骤：从ABS到并包括后间隙淀积读取头的第二屏蔽层S2，从而使S2层具有位于ABS与零喉高度之间的极端部部分和位于零喉高度与后间隙之间的后部(见图5和6)；从ABS到零喉高度，在第二屏蔽层S2上淀积间隙层G(见图5和6)；在间隙层G和第二屏蔽层S2上淀积磁层，从而在间隙层G上形成带有极端部元件PT2的的顶磁极P2(见图24和25)；以及，利用极端部元件PT2作为掩模，沿着与ABS大体并行的方向并与极端部元件PT2的第一和第二侧壁88和90成一个角度地，将至少一个离子束照射到第二屏蔽层S2的极端部部分上，以便在极端部元件PT2道偏移各侧在S2层上在78和79形成缺口，这些缺口在第二屏蔽层S2上形成一个基座，该基座是极端部层PT1b，且除去基座极端部元件PT1b的、在ABS与零喉高度之间的第二屏蔽层S2是极端部元件PT1a(见图17至19)，极端部PT1b和PT2的第一侧壁80和88在第一竖直平面100内相对准，且极端部PT1b和PT2的第二侧壁82和90在第二竖直平面102中相对准，第一和第二竖直侧壁100和102在ABS彼此相隔以决定复合MR头的道宽w(见图6)。用至少一个离子束进行照射的步骤可包括第一和第二离子束，第一离子束处于0°＜θ＜60°的范围中的角度θ，且第二离子束处于60°≤θ≤85°的范围内的角度θ。淀积间隙层G的步骤可以包括设置间隙层，该间隙层具有适当的厚度，该厚度限定了在0.1μm至0.7μm范围中的长度g，而极端部元件PT1b在ABS处的长度在0.5g至3.0g的范围内。用至少一个离子束进行照射的步骤可以包括在第二屏蔽层S2上在78和79形成缺口，以使各个缺口大约为0.7μm深，从而给极端部元件PT1b提供大约0.7μm的长度；且用至少一个离子束进行照射的步骤使极端部元件PT2的层厚减小大约2μm。
现在明显的是，上述发现使得复合MR头能够具有竖直对准的、与间隙层相邻的极端部，且底极端部元件相对于复合MR读取头的第二屏蔽层S2为一个基座。侧壁的竖直对准使极端部之间的侧向写入的减小达到了最佳。
显然，本发明的其他实施例和修正对于本领域中的技术人员是显而易见的。因此，本发明只由所附的权利要求书限定，且当结合以上的说明书和附图看时，该权利要求书包括了所有这种实施例和修正。

Claims (28)

1.一种制造复合磁电阻头的方法，该复合磁电阻头包括一个磁电阻读取头和一个写入头，该磁电阻读取头包括第一和第二屏蔽层S1和S2、夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间的第一和第二间隙层G1和G2、和夹在第一和第二间隙层G1和G2之间的一个磁电阻元件，且该写入头包括从一个空气轴承表面(ABS)延伸到并包括一个后间隙的底和顶极件P1和P2，底极件P1包括第二屏蔽层S2，底极件P1具有在ABS与一个零喉高度之间延伸的极端部元件PT1a和PT1b，极端部元件PT1b相对于第二屏蔽层S2、底极P1和极端部元件PT1a是一个基座，第二屏蔽层S2包括PT1a和PT1b、夹在极端部元件PT1b和PT2之间的间隙层G、和各个极端部元件PT2，间隙层G和极端部元件PT1b具有第一和第二竖直侧壁，极端部元件PT2、间隙层G和极端部元件PT1b的第一竖直侧壁邻接地位于一个第一竖直平面中，且极端部元件PT2、间隙层G和极端部元件PT1b的第二竖直侧壁邻接地位于一个第二竖直平面中，该第一和第二竖直侧壁与ABS相垂直并在ABS处彼此相距一个距离w以确定复合磁电阻头的道宽，该制造方法的特征在于包括：
淀积至少一个磁层以形成一个磁电阻读取头的第二屏蔽层S2和一个底极件P1，该底极件P1从一个空气轴承表面(ABS)延伸到并包括一个后间隙，该底极件P1具有在ABS和一个零喉高度之间延伸的未限定极端部部分；
在所述一个磁层之上从ABS到零喉高度淀积间隙层G；
淀积另一磁层以在底极件P1上形成自ABS至且包括后间隙的顶极件P2，该顶极件P2带有一个限定的极端部元件PT2，该极端部元件PT2在ABS与零喉高度之间延伸并具有第一和第二竖直侧壁；以及
用至少一个离子束以与限定的极端部元件PT2的侧壁成θ的角度照射底极件P1的未限定极端部部分，利用限定的极端部元件PT2作为掩膜，在极端部元件PT2的各侧在底极件P1上形成竖直缺口以使底极件P1形成极端部元件PT1a和PT1b，极端部元件PT1b是相对于底极件P1的一个基座并具有分别与极端部元件PT2的第一和第二竖直侧壁相对准的第一和第二竖直侧壁。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于包括：
在用至少一个离子束照射底极件P1的未限定的极端部部分之前，在顶极件P2上淀积一个光刻胶掩膜；
在该光刻胶掩膜上提供一个开口，该开口暴露出限定极端部元件PT2和在其各侧的一个区域，以使限定的极端部元件PT2能够作为用至少一个离子束照射底极件P1的未限定极端部部分的掩膜。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束照射的步骤包括在用该离子束照射底极件P1的未限定极端部部分之前用该离子束照射间隙层G；且
用至少一个离子束进行照射的步骤，给间隙层G提供了第一和第二竖直侧壁，该第一和第二竖直侧壁分别与极端部元件PT1b和PT2的第一和第二竖直侧壁相对准。
4.根据权利要求4的方法，其特征在于包括：
淀积间隙层G的步骤，在ABS处给间隙层提供了一个在0.1μm至0.7μm范围内的厚度；且
ABS处极端部元件PT1b的长度   为2.0g。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括用一个单个的离子束以一个单个的角度θ进行照射。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括用第一和第二离子束进行照射；
第一离子束处于0°＜θ＜60°范围中的角度θ；且
第二离子束处于60°＜θ＜85°范围内的角度θ。
7.根据权利要求6的方法，其特征在于包括：
第一离子束处于20°＜θ＜40°范围内的角度θ。
8.根据权利要求7的方法，其特征在于包括：
第一离子束处于    为30°的角度θ；且
第二离子束处于    为75°的角度θ。
9.根据权利要求1的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束照射的步骤减小了极端部层PT2的厚度；且
淀积极端部元件PT2的步骤包括以一个附加的厚度淀积极端部层PT2的步骤，该附加的厚度等于用至少一个离子束进行照射的步骤所造成的极端部元件PT2厚度的减小量。
10.根据权利要求9的方法，其特征在于包括：
在用至少一个离子束进行照射的步骤之前，在位于零喉高度与后间隙之间的极件P2层上淀积一个掩膜，并在位于ABS与零喉高度之间的掩膜上留出一个窗口，以暴露限定的极端部元件PT2及其各侧的一个区域。
11.根据权利要求10的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括用一个单个的离子束以一个单个的角度θ进行照射；且
角度θ在0°＜θ＜60°的范围内。
12.根据权利要求10的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括用第一和第二离子束进行照射；
第一离子束处于20°＜θ＜40°范围内的角度θ；且
第二离子束处于65°＜θ＜85°范围内的角度θ。
13.根据权利要求12的方法，其特征在于包括：
第一离子束处于    为30°的角度θ；且
第二离子束处于    为75°的角度θ。
14.根据权利要求13的方法，其特征在于包括：
淀积间隙层G的步骤提供了一个层厚度，该厚度在ABS处给间隙G提供了一个长度g；且
ABS处极端部元件PT1b的长度    为2.0g。
15.根据权利要求14的方法，其特征在于包括：
第一和第二离子束的同时照射的。
16.根据权利要求14的方法，其特征在于包括：
第一和第二离子束是依次照射的。
17.根据权利要求16的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括将带有淀积在其上的层的底极件P1放置在一个离子束研磨室中，并以恒定的转速转动底极件P1和淀积在其上的层，同时用离子束照射底极件P1和淀积在其上的层。
18.根据权利要求17的方法，其特征在于包括：
淀积间隙层G的步骤包括给间隙层G提供一个在0.1μm至0.7μm范围内的长度g；
淀积所述另一磁层的步骤包括淀积具有    为7μm的层厚度的极端部元件PT2；
用至少一个离子束进行照射的步骤包括在底极件P1上形成缺口，以使各个缺口    为0.7μm深且基座具有    为0.7μm的，高度；以及
用至少一个离子束进行照射的步骤会使极端部元件PT2的厚度减小了    2μm。
19.一种制造复合磁电阻头的方法，该复合磁电阻头包括一个磁电阻读取头和一个写入头，该磁电阻读取头包括第一和第二屏蔽层S1和S2、夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间的第一和第二间隙层G1和G2、和夹在第一和第二间隙层G1和G2之间的一个磁电阻元件，且该写入头包括从一个空气轴承表面(ABS)延伸到并包括一个后间隙的底和顶极件P1和P2，底极件P1包括第二屏蔽层S2，底极件P1具有在ABS与一个零喉高度之间延伸的极端部元件PT1a和PT1b，极端部元件PT1b相对于第二屏蔽层S2、底极P1和极端部元件PT1a是一个基座，第二屏蔽层S2包括PT1a和PT1b、夹在极端部元件PT1b和PT2之间的间隙层G、和各个极端部元件PT2，间隙层G和极端部元件PT1b具有第一和第二竖直侧壁，极端部元件PT2、间隙层G和极端部元件PT1b的第一竖直侧壁邻接地位于一个第一竖直平面中，且极端部元件PT2、间隙层G和极端部元件PT1b的第二竖直侧壁邻接地位于一个第二竖直平面中，该第一和第二竖直侧壁与ABS相垂直并在ABS处彼此相距一个距离w以确定复合磁电阻头的道宽，该制造方法的特征在于包括：
淀积一个从ABS至并包括后间隙的第一磁层，以形成：
(1)磁电阻读取头的第二屏蔽层S2，和
(2)底极P1，它带有在ABS与零喉高度之间的一个未限定极端部部分和在零喉高度与后间隙之间的一个后部；
在第一磁层上淀积从ABS至零喉高度的间隙层G；
在间隙层G上和在第一磁层上方淀积一个第二磁层，以形成顶极件P2，该顶极件P2具有带有第一和第二竖直侧壁的极端部元件PT2；以及
用至少一个离子束，沿着大体与ABS平行并与极端部元件PT2的第一和第二竖直侧壁成一个角度θ的方向，并利用极端部元件PT2作为掩膜，照射第一磁层上底极P1的未限定极端部部分的一个区域，以在第一磁层上在极端部元件PT2的各侧上形成缺口，这些缺口使第一磁层具有一个竖直的基座，该竖直基座是极端部元件PT1b，该极端部元件PT1b具有第一和第二竖直侧壁，且在ABS与零喉高度之间的、除了基座外的磁层包括极端部元件PT1a，极端部元件PT1b和PT2的第一竖直侧壁在一个第一竖直平面内互相对准，且极端部PT1b和PT2的第二侧壁在一个第二竖直平面内互相对准，该第一和第二竖直侧壁与ABS垂直并在ABS处彼此相距以限定复合磁电阻头的道宽w。
20.根据权利要求19的方法，其特征在于包括：
用至少一个离子束进行照射的步骤包括在用离子束照射末限定极端部部分之前用离子束照射间隙层G；以及
用至少一个离子束进行照射的步骤给间隙层G提供了第一和第二竖直侧壁，该第一和第二竖直侧壁分别与极端部元件PT1b和PT2的第一和第二竖直侧壁相对准。
21.根据权利要求19的方法，其特征在于包括：
用一个离子束进行照射的步骤包括用第一和第二离子束照射；
第一离子束处于20°＜θ＜40°的范围内的角度θ；且
第二离子束处于65°＜θ＜85°的范围内的角度θ。
22.根据权利要求21的方法，其特征在于包括：
用第一和第二离子束进行照射的步骤使极端部元件PT2的厚度减小；且
淀积磁层以形成极端部元件PT2的步骤包括淀积具有附加的厚度的极端部元件PT2，该附加的厚度等于用至少一个离子束进行照射的步骤所造成的极端部元件PT2厚度的减小量；且
在用第一和第二离子束进行照射之前，在顶磁极P2上大体在零喉高度与后间隙之间淀积一个掩膜，并在该掩膜上在ABS与零喉高度之间留出一个窗口以暴露出限定的极端部元件PT2及其各侧的一个区域。
23.根据权利要求22的方法，其特征在于包括：
淀积间隙层G的步骤提供了一个层厚度，该层厚度在ABS处为间隙G提供了一个长度g；且
ABS处极端部元件PT1b的长度在0.5g至3.0g的范围内。
24.根据权利要求23的方法，其特征在于包括：
第一离子束处于    为30°的角度θ；且
第二离子束处于    为75°的角度θ。
25.根据权利要求24的方法，其特征在于包括：
淀积间隙层G的步骤包括淀积具有在0.1μm至0.7μm范围内的厚度g的间隙层G；
淀积极端部元件PT2的步骤包括淀积具有    为7μm的层厚度的极端部元件PT2；
用第一和第二离子束进行照射的步骤包括在第一磁层上形成深度为    0.7μm的缺口，从而提供具有    为0.7μm的高度的基座；且
用第一和第二离子束进行照射的步骤使极端部元件PT2的层厚度减小了    2μm。
26.根据权利要求25的方法，其特征在于包括：
用第一和第二离子束进行照射的步骤包括将第一磁层与淀积在其上的层放置在一个离子束研磨室中，并以恒定的转速转动该第一磁层和淀积在其上的层，并同时用离子束照射该第一磁层和淀积在其上的层。
27.根据权利要求26的方法，其特征在于包括：
第一和第二离子束是同时照射的。
28.根据权利要求26的方法，其特征在于包括
第一和第二离子束是依次照射的。
CN94112929A 1994-03-09 1994-12-09 制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法 Expired - Fee Related CN1058800C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/208,398 US5438747A (en) 1994-03-09 1994-03-09 Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips
US208,398 1994-03-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1122496A CN1122496A (zh) 1996-05-15
CN1058800C true CN1058800C (zh) 2000-11-22

Family

ID=22774467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN94112929A Expired - Fee Related CN1058800C (zh) 1994-03-09 1994-12-09 制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5438747A (zh)
EP (1) EP0671725A2 (zh)
JP (1) JP3045941B2 (zh)
KR (1) KR0150385B1 (zh)
CN (1) CN1058800C (zh)
MY (1) MY111561A (zh)
SG (1) SG28470A1 (zh)
TW (1) TW247363B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326116C (zh) * 2004-04-02 2007-07-11 Tdk株式会社 复合型薄膜磁头

Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0640955B1 (en) * 1993-08-27 1999-05-19 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with write pole/shield structure
US5633771A (en) * 1993-09-29 1997-05-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect type head and separate recording-reproducing type magnetic head
JP2854513B2 (ja) * 1993-10-21 1999-02-03 アルプス電気株式会社 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5739991A (en) * 1994-02-01 1998-04-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Composite thin film head having magnetoresistive and inductive head portions with nonmagnetic thin film interposed between core and shield portions of core layer
US5452164A (en) * 1994-02-08 1995-09-19 International Business Machines Corporation Thin film magnetic write head
US5557491A (en) * 1994-08-18 1996-09-17 International Business Machines Corporation Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers
US5606478A (en) * 1994-12-08 1997-02-25 International Business Machines Corporation Ni45 Fe55 metal-in-gap thin film magnetic head
EP0835507A4 (en) * 1995-06-05 1998-09-09 Quantum Peripherals Colorado ENHANCED FLOW WRITING TRANSDUCER AND ITS MANUFACTURING METHOD IN CONJUNCTION WITH SHARED SCREENS ON MAGNETORESISTANT READING HEADS
US5578342A (en) * 1995-07-05 1996-11-26 Read-Rite Corporation Alignment of magnetic poles of thin film transducer
WO1997008687A1 (fr) * 1995-08-23 1997-03-06 Hitachi, Ltd. Tete magnetique et systeme de memoire magnetique faisant appel a cette derniere
US5734531A (en) * 1995-10-31 1998-03-31 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Magneto-resistive read/write head having a combination pole/shield
US5784772A (en) * 1995-12-21 1998-07-28 Storage Technology Corporation Method of simultaneously forming MR sensors in a dual element MR head
US6545847B2 (en) * 1996-02-14 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive effect head
JPH09293209A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3349925B2 (ja) * 1996-09-10 2002-11-25 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2953401B2 (ja) * 1996-10-04 1999-09-27 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
US5864450A (en) * 1996-10-09 1999-01-26 International Business Machines Corporation NI45FE55 metal-in-gap thin film magnetic head
JP2980041B2 (ja) * 1996-11-26 1999-11-22 日本電気株式会社 複合ヘッドの製造方法
US6034847A (en) * 1996-12-25 2000-03-07 Hitachi, Ltd. Apparatus and thin film magnetic head with magnetic membrane layers of different resistivity
US5804085A (en) * 1997-01-30 1998-09-08 Quantum Corporation Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby
JPH10247305A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2914343B2 (ja) * 1997-04-07 1999-06-28 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置
US5875542A (en) * 1997-04-18 1999-03-02 Read-Rite Corporation Method of making thin film merged magnetoresistive heads
JPH117608A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
US5878481A (en) * 1997-04-28 1999-03-09 Headway Technologies, Inc. Pole trimming method for fabricating a magnetic transducer structure
US5916423A (en) * 1997-05-06 1999-06-29 International Business Machines Corporation P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2
US5768070A (en) 1997-05-14 1998-06-16 International Business Machines Corporation Horizontal thin film write, MR read head
JPH10334409A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US6178065B1 (en) 1997-05-29 2001-01-23 Tdk Corporation Thin film magnetic head and manufacturing method of the head
JPH10334410A (ja) 1997-05-29 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6201670B1 (en) 1997-06-16 2001-03-13 International Business Machines Corporation Merged magnetic head that includes a write head with single-sided notched first pole piece
US6119331A (en) * 1997-07-08 2000-09-19 International Business Machines Corporation Notching the first pole piece of a write head with a notching layer in a combined magnetic head
JPH1131308A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Nec Ibaraki Ltd Ｍｒ複合ヘッドおよびその製造方法
US6031695A (en) 1997-09-05 2000-02-29 International Business Machines Corporation Combined read head and write head with non-magnetic electrically conductive layer on upper pole tip thereof
JPH1186238A (ja) * 1997-09-10 1999-03-30 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド
JP3369444B2 (ja) * 1997-09-12 2003-01-20 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5905608A (en) * 1997-09-19 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dynamically tuned outer arms for improved rotary actuator performance
JP3795236B2 (ja) 1997-10-01 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US6018862A (en) * 1997-10-07 2000-02-01 Seagate Technology, Inc. Thin-film magnetic recording head using a plated metal gap layer
US20040168302A1 (en) * 1997-10-15 2004-09-02 Tdk Corporation Method for manufacturing thin-film magnetic head
US5940250A (en) * 1997-10-21 1999-08-17 Maxtor Corporation Disk drive head having a read wide/write narrow architecture
JP3484332B2 (ja) 1997-11-11 2004-01-06 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3790347B2 (ja) 1997-11-26 2006-06-28 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6105238A (en) * 1997-12-04 2000-08-22 Matsushita-Kotobukie Electronics Industries, Ltd. Method and structure for defining track width on a recording head
US6024886A (en) * 1997-12-05 2000-02-15 Headway Technologies, Inc. Planarizing method for fabricating an inductive magnetic write head for high density magnetic recording
JPH11232610A (ja) 1997-12-12 1999-08-27 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US5867890A (en) * 1997-12-17 1999-02-09 International Business Machines Corporation Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip
US6069775A (en) * 1997-12-22 2000-05-30 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with precise track width
US5901432A (en) * 1997-12-24 1999-05-11 International Business Machines Corporation Method for making a thin film inductive write head having a pedestal pole tip and an electroplated gap
JPH11203627A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US5996213A (en) * 1998-01-30 1999-12-07 Read-Rite Corporation Thin film MR head and method of making wherein pole trim takes place at the wafer level
JP3782228B2 (ja) * 1998-02-27 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6024884A (en) * 1998-03-12 2000-02-15 Storage Technology Corporation Method for creating microstructures
JPH11288503A (ja) 1998-04-02 1999-10-19 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6158107A (en) * 1998-04-02 2000-12-12 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip
US6172848B1 (en) 1998-04-10 2001-01-09 International Business Machines Corporation Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer
US6317289B1 (en) 1998-04-17 2001-11-13 Tdk Corporation Combination-type thin film magnetic head with improved writing properties
US6034848A (en) 1998-04-22 2000-03-07 International Business Machines Corporation Low profile multi-layer coil merged thin film magnetic head
US6055138A (en) * 1998-05-06 2000-04-25 Read-Rite Corporation Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip
JPH11328647A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Hitachi Ltd 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
JPH11339223A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 磁性層のエッチング方法、薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH11353616A (ja) 1998-06-11 1999-12-24 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6510024B2 (en) 1998-06-30 2003-01-21 Fujitsu Limited Magnetic head and method of manufacturing the same
JP3755560B2 (ja) 1998-06-30 2006-03-15 富士通株式会社 磁気ヘッド及びその製造方法
JP3428905B2 (ja) 1998-06-30 2003-07-22 ティーディーケイ株式会社 金属膜形成方法及び薄膜磁気ヘッドのポール形成方法
JP2000020916A (ja) 1998-07-01 2000-01-21 Hitachi Ltd 誘導型薄膜磁気ヘッド
JP2000105907A (ja) 1998-07-30 2000-04-11 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3469473B2 (ja) 1998-08-26 2003-11-25 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6317288B1 (en) 1998-08-28 2001-11-13 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
JP3306011B2 (ja) 1998-09-22 2002-07-24 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法
JP3503874B2 (ja) 1998-09-29 2004-03-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000113412A (ja) 1998-10-07 2000-04-21 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3180906B2 (ja) * 1998-11-12 2001-07-03 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
JP2000149219A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3523092B2 (ja) 1998-11-18 2004-04-26 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3781399B2 (ja) 1998-12-08 2006-05-31 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6176005B1 (en) * 1998-12-15 2001-01-23 International Business Machines Corporation Method of making read head with improved lead layers
US6765756B1 (en) 1999-03-12 2004-07-20 Western Digital (Fremont), Inc. Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication
US6464891B1 (en) 1999-03-17 2002-10-15 Veeco Instruments, Inc. Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam
JP3373167B2 (ja) 1999-03-24 2003-02-04 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3530064B2 (ja) 1999-03-29 2004-05-24 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法
US6238582B1 (en) * 1999-03-30 2001-05-29 Veeco Instruments, Inc. Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method
JP3856587B2 (ja) 1999-04-06 2006-12-13 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6282056B1 (en) 1999-04-08 2001-08-28 Read-Rite Corporation Tapered stitch pole writer for high density magnetic recording
US6657816B1 (en) * 1999-04-09 2003-12-02 Ronald A. Barr Thin film inductive read/write head with a sloped pole
JP3856591B2 (ja) 1999-04-28 2006-12-13 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6224719B1 (en) * 1999-05-13 2001-05-01 International Business Machines Corporation Sputtering method of manufacturing Fe-Ai-N-O laminated films using N2O as the reactive gas
JP3421635B2 (ja) 1999-06-04 2003-06-30 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6342990B1 (en) 1999-06-14 2002-01-29 Tdk Corporation Method for forming magnetic pole layer of thin film magnetic head, thin film magnetic head and method for manufacturing the same
JP3522593B2 (ja) 1999-06-15 2004-04-26 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3527138B2 (ja) * 1999-06-17 2004-05-17 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜コイル素子およびその製造方法
JP3526787B2 (ja) 1999-06-25 2004-05-17 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3859398B2 (ja) 1999-07-08 2006-12-20 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7012784B2 (en) * 1999-07-08 2006-03-14 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
JP3373176B2 (ja) * 1999-07-09 2003-02-04 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法および薄膜磁気ヘッド
JP3490643B2 (ja) 1999-07-14 2004-01-26 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3522595B2 (ja) 1999-07-14 2004-04-26 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001034911A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001043510A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
JP3473684B2 (ja) 1999-11-08 2003-12-08 日本電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置
JP2001067617A (ja) 1999-08-24 2001-03-16 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6317290B1 (en) 1999-08-31 2001-11-13 Read-Rite Corporation Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle
US6452742B1 (en) 1999-09-02 2002-09-17 Read-Rite Corporation Thin film write having reduced resistance conductor coil partially recessed within middle coat insulation
JP3530084B2 (ja) 1999-09-07 2004-05-24 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001084514A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6791794B2 (en) 2000-09-28 2004-09-14 Nec Corporation Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping
US6243939B1 (en) 1999-10-04 2001-06-12 Headway Technologies, Inc. High ion beam etch selectivity for partial pole trim application
JP3492953B2 (ja) * 1999-10-05 2004-02-03 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2001110008A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Nec Corp 磁気ヘッドおよびその製造方法、および磁気記録再生装置
JP3869595B2 (ja) * 1999-11-12 2007-01-17 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6460243B1 (en) * 1999-11-22 2002-10-08 International Business Machines Corporation Method of making low stress and low resistance rhodium (RH) leads
JP3440224B2 (ja) 1999-11-29 2003-08-25 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7002776B2 (en) 1999-12-06 2006-02-21 Tdk Corporation Thin film magnetic head and method of manufacturing same
JP2001167406A (ja) 1999-12-07 2001-06-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001167408A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3440225B2 (ja) 1999-12-09 2003-08-25 Ｔｄｋ株式会社 フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
US6594112B1 (en) * 2000-01-05 2003-07-15 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with a precision throatheight-defining structure
JP2001195706A (ja) 2000-01-05 2001-07-19 Nec Corp 記録ヘッド、記録ヘッドの製造方法、及び複合ヘッド並びに磁気記録再生装置
JP3565492B2 (ja) 2000-02-17 2004-09-15 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
US6687096B2 (en) 2000-06-21 2004-02-03 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
JP2002015405A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2002015404A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6539610B1 (en) 2000-07-14 2003-04-01 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a magnetic write head
JP2002063703A (ja) 2000-08-18 2002-02-28 Tdk Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
JP3617953B2 (ja) 2000-09-18 2005-02-09 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2002170208A (ja) * 2000-11-22 2002-06-14 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3593312B2 (ja) 2000-12-26 2004-11-24 アルプス電気株式会社 垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法
US6765757B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-20 Alps Electric Co., Ltd. Soft magnetic film having high saturation magnetic flux density, thin-film magnetic head using the same, and manufacturing method of the same
JP4176322B2 (ja) * 2001-03-26 2008-11-05 Ｔｄｋ株式会社 薄膜形成方法、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6654203B2 (en) 2001-04-25 2003-11-25 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive
US6678117B2 (en) 2001-06-18 2004-01-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic transducer with bilayer pole piece structure with improved milling endpoint detection
US6656371B2 (en) * 2001-09-27 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming magnetoresisitive devices
US6656372B2 (en) * 2001-10-04 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of making magnetoresistive memory devices
US6947255B2 (en) * 2002-03-22 2005-09-20 International Business Machines Corporation Magnetic head having a notched pole piece structure and method of making the same
JP2004127404A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
JP3865308B2 (ja) * 2002-10-02 2007-01-10 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
US6887355B2 (en) * 2002-10-31 2005-05-03 Headway Technologies, Inc. Self-aligned pole trim process
US20050034298A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Hitachi Global Storage Technologies Disk drive yield optimization by capacity
US7133255B2 (en) * 2003-08-27 2006-11-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Magnetic head having magnetic pole with lengthened neck pole tip and coplanar yoke, and method of fabrication thereof
US7086139B2 (en) * 2004-04-30 2006-08-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Methods of making magnetic write heads using electron beam lithography
US7480983B2 (en) * 2004-05-28 2009-01-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for making magnetic write head
US8815060B2 (en) * 2004-08-30 2014-08-26 HGST Netherlands B.V. Method for minimizing magnetically dead interfacial layer during COC process
US7363698B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-29 Hitachi Gobal Storage Technologies Inc. Process for creating a write head by forming a bump after the top pole is formed
JP2007184022A (ja) 2006-01-04 2007-07-19 Alps Electric Co Ltd 垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法
US7969684B2 (en) * 2006-03-28 2011-06-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Write head design and method for reducing adjacent track interference at very narrow track widths
US7536774B2 (en) * 2006-04-07 2009-05-26 Hitachi Global Storage Technologies B.V. Method and apparatus for integrating a stair notch and a gap bump at a pole tip in a write head
US7768741B2 (en) * 2006-05-22 2010-08-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head design for reducing wide area track erasure
US7716813B2 (en) * 2006-12-05 2010-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for fabricating magnetic write pole for a magnetic head using an E-beam resist mask
US8361284B2 (en) * 2007-05-03 2013-01-29 Hgst, Netherlands B.V. Reducing the height of a defect associated with an air bearing surface
US20090273859A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Flint Eric W Forming a pole tip topography
US8080167B2 (en) 2009-02-20 2011-12-20 Tdk Corporation Shaping method of thin film and manufacturing method of perpendicular recording magnetic head using the same
US8790524B1 (en) 2010-09-13 2014-07-29 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetic recording transducer using a line hard mask and a wet-etchable mask
CA2791249C (en) 2011-11-10 2014-02-25 Semiconductor Insights Inc. Method and system for ion beam delayering of a sample and control thereof
US8607438B1 (en) 2011-12-01 2013-12-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a read sensor for a read transducer
US9406331B1 (en) 2013-06-17 2016-08-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom
US9007719B1 (en) 2013-10-23 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0361657A2 (en) * 1988-09-27 1990-04-04 International Business Machines Corporation A process for making a shielded magnetoresistive sensor
JPH03162706A (ja) * 1989-11-20 1991-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6035315A (ja) * 1983-08-04 1985-02-23 Nec Corp 薄膜磁気ヘッド
JPS61130848A (ja) * 1984-11-30 1986-06-18 Hitachi Naka Seiki Kk 電子線終点検知機構付イオンミリング装置
JP2728487B2 (ja) * 1989-02-08 1998-03-18 株式会社日立製作所 録再分離複合型磁気ヘッド
US5200056A (en) * 1990-02-15 1993-04-06 Seagate Technology Inc. Method for aligning pole tips in a thin film head
US5116719A (en) * 1990-02-15 1992-05-26 Seagate Technology, Inc. Top pole profile for pole tip trimming
JP2830559B2 (ja) * 1991-11-20 1998-12-02 日本電気株式会社 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH07220245A (ja) * 1994-02-01 1995-08-18 Sanyo Electric Co Ltd 複合型磁気ヘッド

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0361657A2 (en) * 1988-09-27 1990-04-04 International Business Machines Corporation A process for making a shielded magnetoresistive sensor
JPH03162706A (ja) * 1989-11-20 1991-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326116C (zh) * 2004-04-02 2007-07-11 Tdk株式会社 复合型薄膜磁头

Also Published As

Publication number Publication date
MY111561A (en) 2000-08-30
JP3045941B2 (ja) 2000-05-29
CN1122496A (zh) 1996-05-15
EP0671725A2 (en) 1995-09-13
SG28470A1 (en) 1996-04-01
JPH07262519A (ja) 1995-10-13
TW247363B (en) 1995-05-11
KR950027691A (ko) 1995-10-18
KR0150385B1 (ko) 1998-10-15
US5438747A (en) 1995-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1058800C (zh) 制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法
US7100266B2 (en) Method of forming a beveled writing pole of a perpendicular writing element
CN1310211C (zh) 用空气轴承面镶嵌工艺制造的垂直磁记录头
US6072672A (en) Write head with notched P1 and minimum overmilled P1 and P2
US7359152B2 (en) Thin film magnetic head structure, method of manufacturing the same, and method of manufacturing thin film magnetic head
US7161773B2 (en) High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS)
US6201670B1 (en) Merged magnetic head that includes a write head with single-sided notched first pole piece
US8347488B2 (en) Magnetic write head manufactured by damascene process producing a tapered write pole with a non-magnetic step and non-magnetic bump
US8139320B2 (en) Write head having independent side shield and trailing shield throat height
US6952867B2 (en) Method for manufacturing perpendicular magnetic recording head having inverted trapezoidal main magnetic pole layer
CN1822096A (zh) 用于独立的道宽及壁角度控制的方法和六边形写入头
CN104252869B (zh) 用于磁记录头的写间隙结构
US20010004797A1 (en) Method of making a read sensor for a merged magnetic head with self-aligned low resistance leads
JPH0330110A (ja) 磁束漏洩を減少せしめた３極磁気ヘッド
CN1697023A (zh) 平面型垂直记录头
US6757144B2 (en) Flux guide read head with in stack biased current perpendicular to the planes (CPP) sensor
US7716812B2 (en) Method of manufacturing a magnetic head
US6785953B2 (en) Process of fabricating a write head with protection of a second pole tip thickness
CN1862663A (zh) 具有与读/写偏移相容的柱式尾屏蔽件的垂直磁写头
US6722018B2 (en) Method of forming a second pole piece of a write head
CN1302463C (zh) 低温磁轭型隧道阀传感器
US6725527B2 (en) Method of making a magnetic head assembly having open yoke write head with highly defined narrow track width
JP2001093112A (ja) 磁気ヘッド、その製造方法及び垂直磁気記録装置
US6525913B1 (en) Read head with sunken prefill insulation for preventing lead to shield shorts and maintaining planarization
US6539610B1 (en) Method for manufacturing a magnetic write head

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI GST

Free format text: FORMER OWNER: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINE CORP.

Effective date: 20040107

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20040107

Address after: Amsterdam

Patentee after: Hitachi Global Storage Tech

Address before: American New York

Patentee before: International Business Machines Corp.

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20001122

Termination date: 20100111