JPH11203627A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11203627A JPH11203627A JP10003763A JP376398A JPH11203627A JP H11203627 A JPH11203627 A JP H11203627A JP 10003763 A JP10003763 A JP 10003763A JP 376398 A JP376398 A JP 376398A JP H11203627 A JPH11203627 A JP H11203627A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/09—Digital recording
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波数領域において、NLTSが小さく、か
つ、優れたO/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】第1、第2の磁性膜21、22のポール端
部211、221は、媒体対向面10において、ギャッ
プ膜23を挟んで互いに対向している。ヨーク212
と、ヨーク222とは、媒体対向面10からみて、ポー
ル端部211、221の後方に延び、後方結合部25に
おいて互いに結合されている。コイル膜24は、絶縁膜
26によって支持され、後方結合部25の周りにうず巻
き状に配置されている。ポール端部211または221
から後方結合部25までの距離をYL(μm)とし、コイ
ル膜24のターン数をN(ターン)としたとき、N/Y
L≧0.2(ターン/μm)を満たす。
つ、優れたO/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】第1、第2の磁性膜21、22のポール端
部211、221は、媒体対向面10において、ギャッ
プ膜23を挟んで互いに対向している。ヨーク212
と、ヨーク222とは、媒体対向面10からみて、ポー
ル端部211、221の後方に延び、後方結合部25に
おいて互いに結合されている。コイル膜24は、絶縁膜
26によって支持され、後方結合部25の周りにうず巻
き状に配置されている。ポール端部211または221
から後方結合部25までの距離をYL(μm)とし、コイ
ル膜24のターン数をN(ターン)としたとき、N/Y
L≧0.2(ターン/μm)を満たす。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関する。
関する。
【0002】
【従来の技術】コンピュ−タの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの書き込み素
子としては、従来より、誘導型電磁変換素子が用いられ
ている。書き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子
は、下部磁性膜、上部磁性膜、ギャップ膜及び絶縁膜に
よって支持されたコイル膜等を有している。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの書き込み素
子としては、従来より、誘導型電磁変換素子が用いられ
ている。書き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子
は、下部磁性膜、上部磁性膜、ギャップ膜及び絶縁膜に
よって支持されたコイル膜等を有している。
【0003】下部磁性膜及び上部磁性膜の先端部は、微
小厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポー
ル片とから構成されており、下部及び上部ポール片にお
いて書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜のヨ
−クは、下部及び上部ポール片とは反対側にあるバック
ギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。コイル膜はバックギャップ部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
小厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポー
ル片とから構成されており、下部及び上部ポール片にお
いて書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜のヨ
−クは、下部及び上部ポール片とは反対側にあるバック
ギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。コイル膜はバックギャップ部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
【0004】読み取り素子としては、MR(magnetores
istive)素子が用いられる。MR読み取り素子は、磁気
ディスクとの間の相対速度に依存せず、高い分解能が得
られる。MR読み取り素子は、第1シ−ルド膜と、第2
シ−ルド膜と、MR素子とを含んでいる。第1シ−ルド
膜及び第2シ−ルド膜は、適当な非磁性絶縁物を介し
て、互いに間隔を隔てて配置され、MR素子は第1シ−
ルド膜及び第2シ−ルド膜の間に配置されている。
istive)素子が用いられる。MR読み取り素子は、磁気
ディスクとの間の相対速度に依存せず、高い分解能が得
られる。MR読み取り素子は、第1シ−ルド膜と、第2
シ−ルド膜と、MR素子とを含んでいる。第1シ−ルド
膜及び第2シ−ルド膜は、適当な非磁性絶縁物を介し
て、互いに間隔を隔てて配置され、MR素子は第1シ−
ルド膜及び第2シ−ルド膜の間に配置されている。
【0005】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量(面密度)を高めなければなら
ない。薄膜磁気ヘッドから見た面密度の向上は、書き込
み素子の能力向上、及び、書き込み回路の高周波化によ
って達成される。
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量(面密度)を高めなければなら
ない。薄膜磁気ヘッドから見た面密度の向上は、書き込
み素子の能力向上、及び、書き込み回路の高周波化によ
って達成される。
【0006】上述した面密度向上手段のうち、書き込み
素子の能力を向上させて面密度を向上させる一つの手段
は、ポール片間のギャップ長を小さくすることである。
面密度を高めるもう一つの手段は、磁気ディスクに記録
できるデ−タトラック数を増やすことである。磁気ディ
スクに記録できるトラック数は、通常、TPI(trackpe
r inch)として表現される。書き込み素子のTPI能力
は、デ−タ.トラックの幅を決めるヘッド寸法を小さく
することによって高めることができる。
素子の能力を向上させて面密度を向上させる一つの手段
は、ポール片間のギャップ長を小さくすることである。
面密度を高めるもう一つの手段は、磁気ディスクに記録
できるデ−タトラック数を増やすことである。磁気ディ
スクに記録できるトラック数は、通常、TPI(trackpe
r inch)として表現される。書き込み素子のTPI能力
は、デ−タ.トラックの幅を決めるヘッド寸法を小さく
することによって高めることができる。
【0007】書き込み素子の能力を向上させて面密度を
向上させる具体的手段は、従来より、種々試みられてい
る。例えば、特開平7-262519号公報及び特開平7-225917
号公報は、イオン.ビ−ム.ミリングにより、下部の幅
を、上部ポール片の幅に合わせる手段を開示している。
向上させる具体的手段は、従来より、種々試みられてい
る。例えば、特開平7-262519号公報及び特開平7-225917
号公報は、イオン.ビ−ム.ミリングにより、下部の幅
を、上部ポール片の幅に合わせる手段を開示している。
【0008】次に、書き込み回路の高周波化による面密
度の向上のため、薄膜磁気ヘッドにおける最大記録再生
周波数は、近年では、100MHz以上の高周波数まで上
昇している。ところが、このような高周波数領域では、
非線形ビット遷移(Non-linear Transition Shift 以下
NLTSと称する)が大きくなると共に、オーバーライ
ト特性(以下O/W特性と称する)が劣化することが解
った。NLTSとは、データビットが磁気記録媒体上に
近接して書き込まれた場合に、その書き込み位置が移動
する現象である。NLTSについては、IEEE TRANSACTI
ONS ON MAGNETICS.VOL.27,No.6,NOVEMBER 1991の第53
16頁〜5318頁や、IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETI
CS.VOL.32,No.1,JANUARY 1996の第61頁〜66頁に説
明がある。これらの文献に記載されているように、NL
TSが増大すると、種々の読み出しシステムに重大な影
響を与える。例えば、PRML(Partial response max
imum likelihood)読み出しシステムでは、その動作特性
を劣化させる。
度の向上のため、薄膜磁気ヘッドにおける最大記録再生
周波数は、近年では、100MHz以上の高周波数まで上
昇している。ところが、このような高周波数領域では、
非線形ビット遷移(Non-linear Transition Shift 以下
NLTSと称する)が大きくなると共に、オーバーライ
ト特性(以下O/W特性と称する)が劣化することが解
った。NLTSとは、データビットが磁気記録媒体上に
近接して書き込まれた場合に、その書き込み位置が移動
する現象である。NLTSについては、IEEE TRANSACTI
ONS ON MAGNETICS.VOL.27,No.6,NOVEMBER 1991の第53
16頁〜5318頁や、IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETI
CS.VOL.32,No.1,JANUARY 1996の第61頁〜66頁に説
明がある。これらの文献に記載されているように、NL
TSが増大すると、種々の読み出しシステムに重大な影
響を与える。例えば、PRML(Partial response max
imum likelihood)読み出しシステムでは、その動作特性
を劣化させる。
【0009】この種の薄膜磁気ヘッドでは、これまで、
NLTSを、回路的手法により補正する手段が取られて
いた。しかし、回路的手法によって補正できるNLTS
は、40%が限度であった。上述したポールの幾何学的
な設計手段では、100MHz以上の高周波領域で、NL
TSを、実際に要求される40%以下に抑制することが
できない。
NLTSを、回路的手法により補正する手段が取られて
いた。しかし、回路的手法によって補正できるNLTS
は、40%が限度であった。上述したポールの幾何学的
な設計手段では、100MHz以上の高周波領域で、NL
TSを、実際に要求される40%以下に抑制することが
できない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高周
波数領域において、NLTSが小さく、かつ、優れたO
/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することである。
波数領域において、NLTSが小さく、かつ、優れたO
/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも1つの書き込み素子を有する。前記スライダは、
媒体対向面を有する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも1つの書き込み素子を有する。前記スライダは、
媒体対向面を有する。
【0012】前記書き込み素子は、第1の磁性膜と、第
2の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記
スライダに搭載されている。
2の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記
スライダに搭載されている。
【0013】前記第1の磁性膜及び前記第2の磁性膜の
それぞれは、ポール端部と、ヨークとを有する。前記ポ
ール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を
挟んで互いに対向している。
それぞれは、ポール端部と、ヨークとを有する。前記ポ
ール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を
挟んで互いに対向している。
【0014】前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前
記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに
結合されている。前記コイル膜は、絶縁膜によって支持
され、前記後方結合部の周りにうず巻き状に配置されて
いる。
記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに
結合されている。前記コイル膜は、絶縁膜によって支持
され、前記後方結合部の周りにうず巻き状に配置されて
いる。
【0015】前記ポール端部から前記後方結合部までの
距離をYL(μm)とし、前記コイル膜のターン数をN
(ターン)としたとき、 N/YL≧0.2(ターン/μm) を満たす。
距離をYL(μm)とし、前記コイル膜のターン数をN
(ターン)としたとき、 N/YL≧0.2(ターン/μm) を満たす。
【0016】上記構造の薄膜磁気ヘッドによれば、書き
込み素子に、100MHz以上の高周波数の書き込み電流
を供給した場合にも、NLTSが小さく、かつ、優れた
O/W特性を確保することができる。
込み素子に、100MHz以上の高周波数の書き込み電流
を供給した場合にも、NLTSが小さく、かつ、優れた
O/W特性を確保することができる。
【0017】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、通常は、
MR読み取り素子を含んでいる。MR読み取り素子は、
第1シ−ルド膜と、第2シ−ルド膜と、MR素子とを含
み、第1シ−ルド膜及び第2シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、MR素子が第1シ−ルド膜及び第2シ
−ルド膜の間に配置されている。
MR読み取り素子を含んでいる。MR読み取り素子は、
第1シ−ルド膜と、第2シ−ルド膜と、MR素子とを含
み、第1シ−ルド膜及び第2シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、MR素子が第1シ−ルド膜及び第2シ
−ルド膜の間に配置されている。
【0018】書き込み素子は、MR読み取り素子の上に
積層される。この場合、第2シ−ルド膜は、書き込み素
子の第1の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
積層される。この場合、第2シ−ルド膜は、書き込み素
子の第1の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
【0019】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【0020】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。図において、寸法は誇張されてい
る。また、スパイラル状に巻かれるコイルターンの前半
分のみを示し、後半部は省略してある。この実施例は、
書き込み素子2と、MR読み取り素子3とを併せ持つ複
合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書き込み素子2及
びMR読み取り素子3は、スライダ基体1の上に付着さ
れて、読み書き部分がスライダ基体1の媒体対向面(空
気ベアリング面)10に位置している。矢印aは磁気記
録媒体の回転方向(空気の流れ方向)を示している。
ドの断面図である。図において、寸法は誇張されてい
る。また、スパイラル状に巻かれるコイルターンの前半
分のみを示し、後半部は省略してある。この実施例は、
書き込み素子2と、MR読み取り素子3とを併せ持つ複
合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書き込み素子2及
びMR読み取り素子3は、スライダ基体1の上に付着さ
れて、読み書き部分がスライダ基体1の媒体対向面(空
気ベアリング面)10に位置している。矢印aは磁気記
録媒体の回転方向(空気の流れ方向)を示している。
【0021】書き込み素子2は、誘導型薄膜磁気変換素
子であり、MR読み取り素子3の上に積層されている。
書き込み素子2は、第1の磁性膜21と、第2の磁性膜
22と、ギャップ膜23と、コイル膜24とを含み、ス
ライダ基体1の空気流出端側に搭載されている。
子であり、MR読み取り素子3の上に積層されている。
書き込み素子2は、第1の磁性膜21と、第2の磁性膜
22と、ギャップ膜23と、コイル膜24とを含み、ス
ライダ基体1の空気流出端側に搭載されている。
【0022】第1の磁性膜21は、ポール端部211
と、ヨーク212とを有する。ヨーク212は、媒体対
向面10からみて、ポール端部211の後方に延びてい
る。第2の磁性膜22も、ポール端部221と、ヨーク
222とを有する。第1の磁性膜21及び第2の磁性膜
22は、一般には、パーマロイで構成される。
と、ヨーク212とを有する。ヨーク212は、媒体対
向面10からみて、ポール端部211の後方に延びてい
る。第2の磁性膜22も、ポール端部221と、ヨーク
222とを有する。第1の磁性膜21及び第2の磁性膜
22は、一般には、パーマロイで構成される。
【0023】第1の磁性膜21のポール端部211と、
第2の磁性膜22のポール端部221は、媒体対向面1
0において、ギャップ膜23を挟んで互いに対向してい
る。
第2の磁性膜22のポール端部221は、媒体対向面1
0において、ギャップ膜23を挟んで互いに対向してい
る。
【0024】ギャップ膜23はAl2O3、SiO2等の金属酸
化物や、AlN、BN、SiN等の窒化物によって構成できる。
あるいは、Au、CuまたはNiP等の導電性非磁性材料によ
って構成してもよい。
化物や、AlN、BN、SiN等の窒化物によって構成できる。
あるいは、Au、CuまたはNiP等の導電性非磁性材料によ
って構成してもよい。
【0025】第1の磁性膜21のヨーク212と、第2
の磁性膜22のヨーク222は、媒体対向面10からみ
て、ポール端部211、221の後方に延び、後方結合
部25において互いに結合されている。これにより、第
1の磁性膜21及び第2の磁性膜22による薄膜磁気回
路が完成する。コイル膜24は、絶縁膜26によって支
持され、後方結合部25の周りにうず巻き状に配置され
ている。
の磁性膜22のヨーク222は、媒体対向面10からみ
て、ポール端部211、221の後方に延び、後方結合
部25において互いに結合されている。これにより、第
1の磁性膜21及び第2の磁性膜22による薄膜磁気回
路が完成する。コイル膜24は、絶縁膜26によって支
持され、後方結合部25の周りにうず巻き状に配置され
ている。
【0026】本発明の特徴は、媒体対向面10に現れる
ポール端部211または221から後方結合部25まで
の距離をYL(μm)とし、コイル膜24のターン数をN
(ターン)としたとき、N/YL≧0.2(ターン/μ
m)を満たすことにある。
ポール端部211または221から後方結合部25まで
の距離をYL(μm)とし、コイル膜24のターン数をN
(ターン)としたとき、N/YL≧0.2(ターン/μ
m)を満たすことにある。
【0027】N/YL≧0.2(ターン/μm)の意味す
るところは、ポール端部211または221から後方結
合部25までのヨーク212、222の長さを考慮した
とき、その単位長さ当たりのコイルターン数を大きくす
ること、即ち、コイル膜24を、ヨーク212、222
の長さに対して、コンパクトに巻くことである。これに
より、書き込み素子2に、100MHz以上の高周波数の
書き込み電流を供給した場合にも、NLTSが小さく、
かつ、優れたO/W特性を確保することができる。この
点について、実測データを参照して、更に具体的に説明
する。
るところは、ポール端部211または221から後方結
合部25までのヨーク212、222の長さを考慮した
とき、その単位長さ当たりのコイルターン数を大きくす
ること、即ち、コイル膜24を、ヨーク212、222
の長さに対して、コンパクトに巻くことである。これに
より、書き込み素子2に、100MHz以上の高周波数の
書き込み電流を供給した場合にも、NLTSが小さく、
かつ、優れたO/W特性を確保することができる。この
点について、実測データを参照して、更に具体的に説明
する。
【0028】図2は書き込み電流周波数を変化させたと
きのNLTS(%)の変化を示す特性図である。曲線L
11はN/YL≦0.15(ターン/μm)のときの特
性、曲線L12は0.2(ターン/μm)>N/YL>
0.15(ターン/μm)のときの特性、曲線L13はN
/YL≧0.2(ターン/μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度200kFCI(flux change per
inch)、コイル起磁力400mATで得られたものであ
る。コイル起磁力400mATは、コイル膜24のター
ン数を11ターンとし、36.4mAのコイル電流を流
して得られたものである。
きのNLTS(%)の変化を示す特性図である。曲線L
11はN/YL≦0.15(ターン/μm)のときの特
性、曲線L12は0.2(ターン/μm)>N/YL>
0.15(ターン/μm)のときの特性、曲線L13はN
/YL≧0.2(ターン/μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度200kFCI(flux change per
inch)、コイル起磁力400mATで得られたものであ
る。コイル起磁力400mATは、コイル膜24のター
ン数を11ターンとし、36.4mAのコイル電流を流
して得られたものである。
【0029】N/YL≦0.15(ターン/μm)のとき
は、特性曲線L11に示すように、周波数が100MHz
を越る範囲で、NLTSが急激に大きくなる。
は、特性曲線L11に示すように、周波数が100MHz
を越る範囲で、NLTSが急激に大きくなる。
【0030】0.2(ターン/μm)>N/YL>0.1
5(ターン/μm)の範囲では、曲線L12に示すよう
に、NLTSは、N/YL≦0.15(ターン/μm)の
場合よりも改善されているけれども、周波数が140MH
zを越えると急増し、40(%)を越えて増大する。
5(ターン/μm)の範囲では、曲線L12に示すよう
に、NLTSは、N/YL≦0.15(ターン/μm)の
場合よりも改善されているけれども、周波数が140MH
zを越えると急増し、40(%)を越えて増大する。
【0031】これに対して、本発明に属するN/YL≧
0.2(ターン/μm)の範囲では、周波数が100MHzを
越え160MHzに至るまで、NLTSが約25〜40%
程度に押さえられている。
0.2(ターン/μm)の範囲では、周波数が100MHzを
越え160MHzに至るまで、NLTSが約25〜40%
程度に押さえられている。
【0032】図3はN/YLを変化させたときのNLT
Sの変化を示すデータである。図3に示すように、N/
YLが0.2(ターン/μm)以上になると、NLTSは
40(%)以下になる。
Sの変化を示すデータである。図3に示すように、N/
YLが0.2(ターン/μm)以上になると、NLTSは
40(%)以下になる。
【0033】この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、NLT
Sを、回路的手法により補正する手段が取られている。
しかし、回路的手法によって補正できるNLTSは、4
0%が限度であり、それ以上のNLTSはこれを補正す
ることができない。上述したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、N/YL≧0.2(ターン/μm)
の範囲に選定することにより、約180MHz程度までは
NLTSを40%以下に押さえることができる。
Sを、回路的手法により補正する手段が取られている。
しかし、回路的手法によって補正できるNLTSは、4
0%が限度であり、それ以上のNLTSはこれを補正す
ることができない。上述したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、N/YL≧0.2(ターン/μm)
の範囲に選定することにより、約180MHz程度までは
NLTSを40%以下に押さえることができる。
【0034】図4は書き込み電流周波数を変化させたと
きのO/W(dB)の変化を示す特性図である。曲線L
21はN/YL≦0.15(ターン/μm)のときの特
性、曲線L22は0.2(ターン/μm)>N/YL>
0.15(ターン/μm)のときの特性、曲線L23はN
/YL≧0.2(ターン/μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度200kFCI(flux change per
inch)、コイル起磁力400mATで得られたものであ
る。コイル起磁力400mATは、コイル膜24のター
ン数を11ターンとし、36.4mAのコイル電流を流
して得られたものである。
きのO/W(dB)の変化を示す特性図である。曲線L
21はN/YL≦0.15(ターン/μm)のときの特
性、曲線L22は0.2(ターン/μm)>N/YL>
0.15(ターン/μm)のときの特性、曲線L23はN
/YL≧0.2(ターン/μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度200kFCI(flux change per
inch)、コイル起磁力400mATで得られたものであ
る。コイル起磁力400mATは、コイル膜24のター
ン数を11ターンとし、36.4mAのコイル電流を流
して得られたものである。
【0035】N/YL≦0.15(ターン/μm)のとき
は、特性曲線L21に示すように、周波数が100MHz
を越る範囲で、O/W特性が急激に悪くなる。
は、特性曲線L21に示すように、周波数が100MHz
を越る範囲で、O/W特性が急激に悪くなる。
【0036】0.2(ターン/μm)>N/YL>0.1
5(ターン/μm)の範囲では、曲線L22に示すよう
に、O/W特性は、N/YL≦0.15(ターン/μm)
の場合よりも改善されているけれども、周波数が140
MHzを越えると急激に悪化し、約160MHz付近で−25
(dB)以上になる。
5(ターン/μm)の範囲では、曲線L22に示すよう
に、O/W特性は、N/YL≦0.15(ターン/μm)
の場合よりも改善されているけれども、周波数が140
MHzを越えると急激に悪化し、約160MHz付近で−25
(dB)以上になる。
【0037】これに対して、本発明に属するN/YL≧
0.2(ターン/μm)の範囲では、周波数が100MHzを
越え約180MHzに至るまで、O/W特性が−25(d
B)以下に押さえられる。
0.2(ターン/μm)の範囲では、周波数が100MHzを
越え約180MHzに至るまで、O/W特性が−25(d
B)以下に押さえられる。
【0038】図5はN/YLを変化させたときのO/W
(dB)の変化を示すデータである。図5に示すよう
に、N/YLが0.2(ターン/μm)以上になると、O
/Wは−25(dB)以下になる。
(dB)の変化を示すデータである。図5に示すよう
に、N/YLが0.2(ターン/μm)以上になると、O
/Wは−25(dB)以下になる。
【0039】この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、O/W
の許容限度値は−25(dB)以下である。上述したよ
うに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、この条件
を、約180MHz程度まで満たすことができる。
の許容限度値は−25(dB)以下である。上述したよ
うに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、この条件
を、約180MHz程度まで満たすことができる。
【0040】MR(magnetoresistive)読み取り素子3
は、第1シ−ルド膜31と、第2シ−ルド膜32と、M
R素子33と、リード導体膜34とを含む。第1シ−ル
ド膜31及び第2シ−ルド膜32は互いに間隔を隔てて
配置されており、MR素子33は第1シ−ルド膜31及
び第2シ−ルド膜32の間に配置されている。第2シ−
ルド膜32は書き込み素子2の第1の磁性膜21を構成
している。第1シ−ルド膜31及び第2シ−ルド膜32
の間には非磁性絶縁膜35があり、MR素子33及びリ
ード導体膜34は非磁性絶縁膜35の内部に配置されて
いる。
は、第1シ−ルド膜31と、第2シ−ルド膜32と、M
R素子33と、リード導体膜34とを含む。第1シ−ル
ド膜31及び第2シ−ルド膜32は互いに間隔を隔てて
配置されており、MR素子33は第1シ−ルド膜31及
び第2シ−ルド膜32の間に配置されている。第2シ−
ルド膜32は書き込み素子2の第1の磁性膜21を構成
している。第1シ−ルド膜31及び第2シ−ルド膜32
の間には非磁性絶縁膜35があり、MR素子33及びリ
ード導体膜34は非磁性絶縁膜35の内部に配置されて
いる。
【0041】書き込み素子2は、MR読み取り素子3の
上に積層される。この場合、第2シ−ルド膜32は、書
き込み素子2の第1の磁性膜21として兼用される。
上に積層される。この場合、第2シ−ルド膜32は、書
き込み素子2の第1の磁性膜21として兼用される。
【0042】本発明において、書き込み素子2を構成す
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。MR読み取り素子3としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子2及びMR読み取
り素子3は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。MR読み取り素子3としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子2及びMR読み取
り素子3は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
【0043】図6は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す断面図である。図において、図1に示
された構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。この実施例の特徴は、第1の磁性
膜21のギャップ対向面に第3の磁性膜213を設ける
と共に、第2の磁性膜22のギャップ対向面に第4の磁
性膜223を設けたことである。
別の実施例を示す断面図である。図において、図1に示
された構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。この実施例の特徴は、第1の磁性
膜21のギャップ対向面に第3の磁性膜213を設ける
と共に、第2の磁性膜22のギャップ対向面に第4の磁
性膜223を設けたことである。
【0044】第3の磁性膜213及び第4の磁性膜22
3は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密度材
料で構成することができる。この場合には、高保持力の
磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮するこ
とができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイとの比
較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。例と
しては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された少な
くとも一種を挙げることができる。ここで、MはN,C,B,
Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb(何れも化学記号)から
選択された少なくとも一種である。第3の磁性膜213
及び第4の磁性膜223の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
3は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密度材
料で構成することができる。この場合には、高保持力の
磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮するこ
とができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイとの比
較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。例と
しては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された少な
くとも一種を挙げることができる。ここで、MはN,C,B,
Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb(何れも化学記号)から
選択された少なくとも一種である。第3の磁性膜213
及び第4の磁性膜223の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
【0045】第1の磁性膜21及び第2の磁性膜22の
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス,Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Mは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
(何れも化学記号)から選択された少なくとも一種であ
る。第1の磁性膜21及び第2の磁性膜22の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス,Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Mは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
(何れも化学記号)から選択された少なくとも一種であ
る。第1の磁性膜21及び第2の磁性膜22の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
【0046】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【0047】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
周波数領域において、NLTSが小さく、かつ、優れた
O/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
周波数領域において、NLTSが小さく、かつ、優れた
O/W特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図2】書き込み電流周波数を変化させたときのNLT
S(%)の変化を示す特性図である。
S(%)の変化を示す特性図である。
【図3】N/YLを変化させたときのNLTSの変化を
示すデータである。
示すデータである。
【図4】書き込み電流周波数を変化させたときのO/W
(dB)の変化を示す特性図である。
(dB)の変化を示す特性図である。
【図5】N/YLを変化させたときのO/W(dB)の
変化を示すデータである。
変化を示すデータである。
【図6】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
1 スライダ基体 10 空気ベアリング面 2 書き込み素子 21 第1の磁性膜 22 第2の磁性膜 23 ギャップ膜
Claims (3)
- 【請求項1】 スライダ基体と、少なくとも1つの書き
込み素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダ基体は、媒体対向面を有しており、 前記書き込み素子は、第1の磁性膜と、第2の磁性膜
と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記スライダ基
体に搭載されており、 前記第1の磁性膜及び前記第2の磁性膜のそれぞれは、
ポール端部と、ヨークとを有しており前記ポール端部
は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を挟んで互
いに対向しており、 前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前記ポール端部
の後方に延び、後方結合部において互いに結合されてお
り、 前記コイル膜は、絶縁膜によって支持され、前記後方結
合部の周りにうず巻き状に配置されており、 前記ポール端部から前記後方結合部までの距離をYL
(μm)とし、前記コイル膜のターン数をN(ターン)と
したとき、 N/YL≧0.2(ターン/μm) を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】 請求項1に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 更に、MR読み取り素子を含んでおり、 前記MR読み取り素子は、第1シ−ルド膜と、第2シ−
ルド膜と、MR素子とを含み、前記MR素子が前記第1
シ−ルド膜及び前記第2シ−ルド膜の間に配置され、前
記第2シ−ルド膜が前記書き込み素子の前記第1の磁性
膜を構成する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項3】 請求項1に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 100MHz以上の記録周波数領域で用いられる薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10003763A JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
US09/215,301 US6144533A (en) | 1998-01-12 | 1998-12-18 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10003763A JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11203627A true JPH11203627A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11566221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10003763A Pending JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6144533A (ja) |
JP (1) | JPH11203627A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100382865B1 (ko) * | 2000-01-05 | 2003-05-09 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 기록헤드, 기록헤드의 제조방법, 복합헤드 및자기기록재생장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3795236B2 (ja) | 1997-10-01 | 2006-07-12 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JP2001312866A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Teac Corp | ガイドシャフト保持機構及び記録媒体記録再生装置 |
JP3942829B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2007-07-11 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 |
US7103312B2 (en) * | 2001-09-20 | 2006-09-05 | Andrew Corporation | Method and apparatus for band-to-band translation in a wireless communication system |
US6775108B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-08-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic head having a read element shield and substrate with matching coefficients of thermal expansion |
US7233458B2 (en) * | 2002-09-11 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | High magnetic moment Co-Fe-O-N films with soft magnetic properties |
US7423508B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-09-09 | Intel Corporation | Control of eddy currents in magnetic vias for inductors and transformers in integrated circuits |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5452164A (en) * | 1994-02-08 | 1995-09-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic write head |
US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP10003763A patent/JPH11203627A/ja active Pending
- 1998-12-18 US US09/215,301 patent/US6144533A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100382865B1 (ko) * | 2000-01-05 | 2003-05-09 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 기록헤드, 기록헤드의 제조방법, 복합헤드 및자기기록재생장치 |
US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
US7173793B2 (en) | 2000-01-05 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6144533A (en) | 2000-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030611 |