JPH11203627A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11203627A JPH11203627A JP10003763A JP376398A JPH11203627A JP H11203627 A JPH11203627 A JP H11203627A JP 10003763 A JP10003763 A JP 10003763A JP 376398 A JP376398 A JP 376398A JP H11203627 A JPH11203627 A JP H11203627A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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-
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- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波数領域において、ＮＬＴＳが小さく、か
つ、優れたＯ／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】第１、第２の磁性膜２１、２２のポール端
部２１１、２２１は、媒体対向面１０において、ギャッ
プ膜２３を挟んで互いに対向している。ヨーク２１２
と、ヨーク２２２とは、媒体対向面１０からみて、ポー
ル端部２１１、２２１の後方に延び、後方結合部２５に
おいて互いに結合されている。コイル膜２４は、絶縁膜
２６によって支持され、後方結合部２５の周りにうず巻
き状に配置されている。ポール端部２１１または２２１
から後方結合部２５までの距離をＹＬ(μm)とし、コイ
ル膜２４のターン数をＮ（ターン）としたとき、Ｎ／Ｙ
Ｌ≧０．２(ターン／μm)を満たす。
つ、優れたＯ／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】第１、第２の磁性膜２１、２２のポール端
部２１１、２２１は、媒体対向面１０において、ギャッ
プ膜２３を挟んで互いに対向している。ヨーク２１２
と、ヨーク２２２とは、媒体対向面１０からみて、ポー
ル端部２１１、２２１の後方に延び、後方結合部２５に
おいて互いに結合されている。コイル膜２４は、絶縁膜
２６によって支持され、後方結合部２５の周りにうず巻
き状に配置されている。ポール端部２１１または２２１
から後方結合部２５までの距離をＹＬ(μm)とし、コイ
ル膜２４のターン数をＮ（ターン）としたとき、Ｎ／Ｙ
Ｌ≧０．２(ターン／μm)を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュ−タの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの書き込み素
子としては、従来より、誘導型電磁変換素子が用いられ
ている。書き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子
は、下部磁性膜、上部磁性膜、ギャップ膜及び絶縁膜に
よって支持されたコイル膜等を有している。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの書き込み素
子としては、従来より、誘導型電磁変換素子が用いられ
ている。書き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子
は、下部磁性膜、上部磁性膜、ギャップ膜及び絶縁膜に
よって支持されたコイル膜等を有している。
【０００３】下部磁性膜及び上部磁性膜の先端部は、微
小厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポー
ル片とから構成されており、下部及び上部ポール片にお
いて書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜のヨ
−クは、下部及び上部ポール片とは反対側にあるバック
ギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。コイル膜はバックギャップ部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
小厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポー
ル片とから構成されており、下部及び上部ポール片にお
いて書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜のヨ
−クは、下部及び上部ポール片とは反対側にあるバック
ギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。コイル膜はバックギャップ部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
【０００４】読み取り素子としては、ＭＲ（magnetores
istive)素子が用いられる。ＭＲ読み取り素子は、磁気
ディスクとの間の相対速度に依存せず、高い分解能が得
られる。ＭＲ読み取り素子は、第１シ−ルド膜と、第２
シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含んでいる。第１シ−ルド
膜及び第２シ−ルド膜は、適当な非磁性絶縁物を介し
て、互いに間隔を隔てて配置され、ＭＲ素子は第１シ−
ルド膜及び第２シ−ルド膜の間に配置されている。
istive)素子が用いられる。ＭＲ読み取り素子は、磁気
ディスクとの間の相対速度に依存せず、高い分解能が得
られる。ＭＲ読み取り素子は、第１シ−ルド膜と、第２
シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含んでいる。第１シ−ルド
膜及び第２シ−ルド膜は、適当な非磁性絶縁物を介し
て、互いに間隔を隔てて配置され、ＭＲ素子は第１シ−
ルド膜及び第２シ−ルド膜の間に配置されている。
【０００５】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。薄膜磁気ヘッドから見た面密度の向上は、書き込
み素子の能力向上、及び、書き込み回路の高周波化によ
って達成される。
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。薄膜磁気ヘッドから見た面密度の向上は、書き込
み素子の能力向上、及び、書き込み回路の高周波化によ
って達成される。
【０００６】上述した面密度向上手段のうち、書き込み
素子の能力を向上させて面密度を向上させる一つの手段
は、ポール片間のギャップ長を小さくすることである。
面密度を高めるもう一つの手段は、磁気ディスクに記録
できるデ−タトラック数を増やすことである。磁気ディ
スクに記録できるトラック数は、通常、ＴＰＩ(trackpe
r inch)として表現される。書き込み素子のＴＰＩ能力
は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を小さく
することによって高めることができる。
素子の能力を向上させて面密度を向上させる一つの手段
は、ポール片間のギャップ長を小さくすることである。
面密度を高めるもう一つの手段は、磁気ディスクに記録
できるデ−タトラック数を増やすことである。磁気ディ
スクに記録できるトラック数は、通常、ＴＰＩ(trackpe
r inch)として表現される。書き込み素子のＴＰＩ能力
は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を小さく
することによって高めることができる。
【０００７】書き込み素子の能力を向上させて面密度を
向上させる具体的手段は、従来より、種々試みられてい
る。例えば、特開平7-262519号公報及び特開平7-225917
号公報は、イオン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅
を、上部ポール片の幅に合わせる手段を開示している。
向上させる具体的手段は、従来より、種々試みられてい
る。例えば、特開平7-262519号公報及び特開平7-225917
号公報は、イオン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅
を、上部ポール片の幅に合わせる手段を開示している。
【０００８】次に、書き込み回路の高周波化による面密
度の向上のため、薄膜磁気ヘッドにおける最大記録再生
周波数は、近年では、１００MHz以上の高周波数まで上
昇している。ところが、このような高周波数領域では、
非線形ビット遷移（Non-linear Transition Shift 以下
ＮＬＴＳと称する）が大きくなると共に、オーバーライ
ト特性（以下Ｏ／Ｗ特性と称する）が劣化することが解
った。ＮＬＴＳとは、データビットが磁気記録媒体上に
近接して書き込まれた場合に、その書き込み位置が移動
する現象である。ＮＬＴＳについては、IEEE TRANSACTI
ONS ON MAGNETICS.VOL.27,No.6,NOVEMBER 1991の第５３
１６頁〜５３１８頁や、IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETI
CS.VOL.32,No.1,JANUARY 1996の第６１頁〜６６頁に説
明がある。これらの文献に記載されているように、ＮＬ
ＴＳが増大すると、種々の読み出しシステムに重大な影
響を与える。例えば、ＰＲＭＬ(Partial response max
imum likelihood)読み出しシステムでは、その動作特性
を劣化させる。
度の向上のため、薄膜磁気ヘッドにおける最大記録再生
周波数は、近年では、１００MHz以上の高周波数まで上
昇している。ところが、このような高周波数領域では、
非線形ビット遷移（Non-linear Transition Shift 以下
ＮＬＴＳと称する）が大きくなると共に、オーバーライ
ト特性（以下Ｏ／Ｗ特性と称する）が劣化することが解
った。ＮＬＴＳとは、データビットが磁気記録媒体上に
近接して書き込まれた場合に、その書き込み位置が移動
する現象である。ＮＬＴＳについては、IEEE TRANSACTI
ONS ON MAGNETICS.VOL.27,No.6,NOVEMBER 1991の第５３
１６頁〜５３１８頁や、IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETI
CS.VOL.32,No.1,JANUARY 1996の第６１頁〜６６頁に説
明がある。これらの文献に記載されているように、ＮＬ
ＴＳが増大すると、種々の読み出しシステムに重大な影
響を与える。例えば、ＰＲＭＬ(Partial response max
imum likelihood)読み出しシステムでは、その動作特性
を劣化させる。
【０００９】この種の薄膜磁気ヘッドでは、これまで、
ＮＬＴＳを、回路的手法により補正する手段が取られて
いた。しかし、回路的手法によって補正できるＮＬＴＳ
は、４０％が限度であった。上述したポールの幾何学的
な設計手段では、１００MHz以上の高周波領域で、ＮＬ
ＴＳを、実際に要求される４０％以下に抑制することが
できない。
ＮＬＴＳを、回路的手法により補正する手段が取られて
いた。しかし、回路的手法によって補正できるＮＬＴＳ
は、４０％が限度であった。上述したポールの幾何学的
な設計手段では、１００MHz以上の高周波領域で、ＮＬ
ＴＳを、実際に要求される４０％以下に抑制することが
できない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高周
波数領域において、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れたＯ
／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することである。
波数領域において、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れたＯ
／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも１つの書き込み素子を有する。前記スライダは、
媒体対向面を有する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも１つの書き込み素子を有する。前記スライダは、
媒体対向面を有する。
【００１２】前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、第
２の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記
スライダに搭載されている。
２の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記
スライダに搭載されている。
【００１３】前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜の
それぞれは、ポール端部と、ヨークとを有する。前記ポ
ール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を
挟んで互いに対向している。
それぞれは、ポール端部と、ヨークとを有する。前記ポ
ール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を
挟んで互いに対向している。
【００１４】前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前
記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに
結合されている。前記コイル膜は、絶縁膜によって支持
され、前記後方結合部の周りにうず巻き状に配置されて
いる。
記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに
結合されている。前記コイル膜は、絶縁膜によって支持
され、前記後方結合部の周りにうず巻き状に配置されて
いる。
【００１５】前記ポール端部から前記後方結合部までの
距離をＹＬ(μm)とし、前記コイル膜のターン数をＮ
（ターン）としたとき、 Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm) を満たす。
距離をＹＬ(μm)とし、前記コイル膜のターン数をＮ
（ターン）としたとき、 Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm) を満たす。
【００１６】上記構造の薄膜磁気ヘッドによれば、書き
込み素子に、１００MHz以上の高周波数の書き込み電流
を供給した場合にも、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れた
Ｏ／Ｗ特性を確保することができる。
込み素子に、１００MHz以上の高周波数の書き込み電流
を供給した場合にも、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れた
Ｏ／Ｗ特性を確保することができる。
【００１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、通常は、
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
【００１８】書き込み素子は、ＭＲ読み取り素子の上に
積層される。この場合、第２シ−ルド膜は、書き込み素
子の第１の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
積層される。この場合、第２シ−ルド膜は、書き込み素
子の第１の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
【００１９】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。図において、寸法は誇張されてい
る。また、スパイラル状に巻かれるコイルターンの前半
分のみを示し、後半部は省略してある。この実施例は、
書き込み素子２と、ＭＲ読み取り素子３とを併せ持つ複
合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書き込み素子２及
びＭＲ読み取り素子３は、スライダ基体１の上に付着さ
れて、読み書き部分がスライダ基体１の媒体対向面（空
気ベアリング面）１０に位置している。矢印ａは磁気記
録媒体の回転方向（空気の流れ方向）を示している。
ドの断面図である。図において、寸法は誇張されてい
る。また、スパイラル状に巻かれるコイルターンの前半
分のみを示し、後半部は省略してある。この実施例は、
書き込み素子２と、ＭＲ読み取り素子３とを併せ持つ複
合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書き込み素子２及
びＭＲ読み取り素子３は、スライダ基体１の上に付着さ
れて、読み書き部分がスライダ基体１の媒体対向面（空
気ベアリング面）１０に位置している。矢印ａは磁気記
録媒体の回転方向（空気の流れ方向）を示している。
【００２１】書き込み素子２は、誘導型薄膜磁気変換素
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２は、第１の磁性膜２１と、第２の磁性膜
２２と、ギャップ膜２３と、コイル膜２４とを含み、ス
ライダ基体１の空気流出端側に搭載されている。
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２は、第１の磁性膜２１と、第２の磁性膜
２２と、ギャップ膜２３と、コイル膜２４とを含み、ス
ライダ基体１の空気流出端側に搭載されている。
【００２２】第１の磁性膜２１は、ポール端部２１１
と、ヨーク２１２とを有する。ヨーク２１２は、媒体対
向面１０からみて、ポール端部２１１の後方に延びてい
る。第２の磁性膜２２も、ポール端部２２１と、ヨーク
２２２とを有する。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜
２２は、一般には、パーマロイで構成される。
と、ヨーク２１２とを有する。ヨーク２１２は、媒体対
向面１０からみて、ポール端部２１１の後方に延びてい
る。第２の磁性膜２２も、ポール端部２２１と、ヨーク
２２２とを有する。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜
２２は、一般には、パーマロイで構成される。
【００２３】第１の磁性膜２１のポール端部２１１と、
第２の磁性膜２２のポール端部２２１は、媒体対向面１
０において、ギャップ膜２３を挟んで互いに対向してい
る。
第２の磁性膜２２のポール端部２２１は、媒体対向面１
０において、ギャップ膜２３を挟んで互いに対向してい
る。
【００２４】ギャップ膜２３はAl2O3、SiO2等の金属酸
化物や、AlN、BN、SiN等の窒化物によって構成できる。
あるいは、Au、CuまたはNiP等の導電性非磁性材料によ
って構成してもよい。
化物や、AlN、BN、SiN等の窒化物によって構成できる。
あるいは、Au、CuまたはNiP等の導電性非磁性材料によ
って構成してもよい。
【００２５】第１の磁性膜２１のヨーク２１２と、第２
の磁性膜２２のヨーク２２２は、媒体対向面１０からみ
て、ポール端部２１１、２２１の後方に延び、後方結合
部２５において互いに結合されている。これにより、第
１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２による薄膜磁気回
路が完成する。コイル膜２４は、絶縁膜２６によって支
持され、後方結合部２５の周りにうず巻き状に配置され
ている。
の磁性膜２２のヨーク２２２は、媒体対向面１０からみ
て、ポール端部２１１、２２１の後方に延び、後方結合
部２５において互いに結合されている。これにより、第
１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２による薄膜磁気回
路が完成する。コイル膜２４は、絶縁膜２６によって支
持され、後方結合部２５の周りにうず巻き状に配置され
ている。
【００２６】本発明の特徴は、媒体対向面１０に現れる
ポール端部２１１または２２１から後方結合部２５まで
の距離をＹＬ(μm)とし、コイル膜２４のターン数をＮ
（ターン）としたとき、Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μ
m)を満たすことにある。
ポール端部２１１または２２１から後方結合部２５まで
の距離をＹＬ(μm)とし、コイル膜２４のターン数をＮ
（ターン）としたとき、Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μ
m)を満たすことにある。
【００２７】Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)の意味す
るところは、ポール端部２１１または２２１から後方結
合部２５までのヨーク２１２、２２２の長さを考慮した
とき、その単位長さ当たりのコイルターン数を大きくす
ること、即ち、コイル膜２４を、ヨーク２１２、２２２
の長さに対して、コンパクトに巻くことである。これに
より、書き込み素子２に、１００MHz以上の高周波数の
書き込み電流を供給した場合にも、ＮＬＴＳが小さく、
かつ、優れたＯ／Ｗ特性を確保することができる。この
点について、実測データを参照して、更に具体的に説明
する。
るところは、ポール端部２１１または２２１から後方結
合部２５までのヨーク２１２、２２２の長さを考慮した
とき、その単位長さ当たりのコイルターン数を大きくす
ること、即ち、コイル膜２４を、ヨーク２１２、２２２
の長さに対して、コンパクトに巻くことである。これに
より、書き込み素子２に、１００MHz以上の高周波数の
書き込み電流を供給した場合にも、ＮＬＴＳが小さく、
かつ、優れたＯ／Ｗ特性を確保することができる。この
点について、実測データを参照して、更に具体的に説明
する。
【００２８】図２は書き込み電流周波数を変化させたと
きのＮＬＴＳ（％）の変化を示す特性図である。曲線Ｌ
１１はＮ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のときの特
性、曲線Ｌ１２は０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞
０．１５(ターン／μm)のときの特性、曲線Ｌ１３はＮ
／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度２００ｋＦＣＩ(flux change per
inch)、コイル起磁力４００ｍＡＴで得られたものであ
る。コイル起磁力４００ｍＡＴは、コイル膜２４のター
ン数を１１ターンとし、３６．４ｍＡのコイル電流を流
して得られたものである。
きのＮＬＴＳ（％）の変化を示す特性図である。曲線Ｌ
１１はＮ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のときの特
性、曲線Ｌ１２は０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞
０．１５(ターン／μm)のときの特性、曲線Ｌ１３はＮ
／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度２００ｋＦＣＩ(flux change per
inch)、コイル起磁力４００ｍＡＴで得られたものであ
る。コイル起磁力４００ｍＡＴは、コイル膜２４のター
ン数を１１ターンとし、３６．４ｍＡのコイル電流を流
して得られたものである。
【００２９】Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のとき
は、特性曲線Ｌ１１に示すように、周波数が１００MHz
を越る範囲で、ＮＬＴＳが急激に大きくなる。
は、特性曲線Ｌ１１に示すように、周波数が１００MHz
を越る範囲で、ＮＬＴＳが急激に大きくなる。
【００３０】０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞０．１
５(ターン／μm)の範囲では、曲線Ｌ１２に示すよう
に、ＮＬＴＳは、Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)の
場合よりも改善されているけれども、周波数が１４０MH
zを越えると急増し、４０（％）を越えて増大する。
５(ターン／μm)の範囲では、曲線Ｌ１２に示すよう
に、ＮＬＴＳは、Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)の
場合よりも改善されているけれども、周波数が１４０MH
zを越えると急増し、４０（％）を越えて増大する。
【００３１】これに対して、本発明に属するＮ／ＹＬ≧
０．２(ターン／μm)の範囲では、周波数が１００MHzを
越え１６０MHzに至るまで、ＮＬＴＳが約２５〜４０％
程度に押さえられている。
０．２(ターン／μm)の範囲では、周波数が１００MHzを
越え１６０MHzに至るまで、ＮＬＴＳが約２５〜４０％
程度に押さえられている。
【００３２】図３はＮ／ＹＬを変化させたときのＮＬＴ
Ｓの変化を示すデータである。図３に示すように、Ｎ／
ＹＬが０．２(ターン／μm)以上になると、ＮＬＴＳは
４０（％）以下になる。
Ｓの変化を示すデータである。図３に示すように、Ｎ／
ＹＬが０．２(ターン／μm)以上になると、ＮＬＴＳは
４０（％）以下になる。
【００３３】この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、ＮＬＴ
Ｓを、回路的手法により補正する手段が取られている。
しかし、回路的手法によって補正できるＮＬＴＳは、４
０％が限度であり、それ以上のＮＬＴＳはこれを補正す
ることができない。上述したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)
の範囲に選定することにより、約１８０MHz程度までは
ＮＬＴＳを４０％以下に押さえることができる。
Ｓを、回路的手法により補正する手段が取られている。
しかし、回路的手法によって補正できるＮＬＴＳは、４
０％が限度であり、それ以上のＮＬＴＳはこれを補正す
ることができない。上述したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)
の範囲に選定することにより、約１８０MHz程度までは
ＮＬＴＳを４０％以下に押さえることができる。
【００３４】図４は書き込み電流周波数を変化させたと
きのＯ／Ｗ（ｄＢ）の変化を示す特性図である。曲線Ｌ
２１はＮ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のときの特
性、曲線Ｌ２２は０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞
０．１５(ターン／μm)のときの特性、曲線Ｌ２３はＮ
／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度２００ｋＦＣＩ(flux change per
inch)、コイル起磁力４００ｍＡＴで得られたものであ
る。コイル起磁力４００ｍＡＴは、コイル膜２４のター
ン数を１１ターンとし、３６．４ｍＡのコイル電流を流
して得られたものである。
きのＯ／Ｗ（ｄＢ）の変化を示す特性図である。曲線Ｌ
２１はＮ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のときの特
性、曲線Ｌ２２は０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞
０．１５(ターン／μm)のときの特性、曲線Ｌ２３はＮ
／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)のときの特性を示してい
る。各特性共、線密度２００ｋＦＣＩ(flux change per
inch)、コイル起磁力４００ｍＡＴで得られたものであ
る。コイル起磁力４００ｍＡＴは、コイル膜２４のター
ン数を１１ターンとし、３６．４ｍＡのコイル電流を流
して得られたものである。
【００３５】Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)のとき
は、特性曲線Ｌ２１に示すように、周波数が１００MHz
を越る範囲で、Ｏ／Ｗ特性が急激に悪くなる。
は、特性曲線Ｌ２１に示すように、周波数が１００MHz
を越る範囲で、Ｏ／Ｗ特性が急激に悪くなる。
【００３６】０．２(ターン／μm)＞Ｎ／ＹＬ＞０．１
５(ターン／μm)の範囲では、曲線Ｌ２２に示すよう
に、Ｏ／Ｗ特性は、Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)
の場合よりも改善されているけれども、周波数が１４０
MHzを越えると急激に悪化し、約１６０MHz付近で−２５
（ｄＢ）以上になる。
５(ターン／μm)の範囲では、曲線Ｌ２２に示すよう
に、Ｏ／Ｗ特性は、Ｎ／ＹＬ≦０．１５(ターン／μm)
の場合よりも改善されているけれども、周波数が１４０
MHzを越えると急激に悪化し、約１６０MHz付近で−２５
（ｄＢ）以上になる。
【００３７】これに対して、本発明に属するＮ／ＹＬ≧
０．２(ターン／μm)の範囲では、周波数が１００MHzを
越え約１８０MHzに至るまで、Ｏ／Ｗ特性が−２５（ｄ
Ｂ）以下に押さえられる。
０．２(ターン／μm)の範囲では、周波数が１００MHzを
越え約１８０MHzに至るまで、Ｏ／Ｗ特性が−２５（ｄ
Ｂ）以下に押さえられる。
【００３８】図５はＮ／ＹＬを変化させたときのＯ／Ｗ
（ｄＢ）の変化を示すデータである。図５に示すよう
に、Ｎ／ＹＬが０．２(ターン／μm)以上になると、Ｏ
／Ｗは−２５（ｄＢ）以下になる。
（ｄＢ）の変化を示すデータである。図５に示すよう
に、Ｎ／ＹＬが０．２(ターン／μm)以上になると、Ｏ
／Ｗは−２５（ｄＢ）以下になる。
【００３９】この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、Ｏ／Ｗ
の許容限度値は−２５（ｄＢ）以下である。上述したよ
うに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、この条件
を、約１８０MHz程度まで満たすことができる。
の許容限度値は−２５（ｄＢ）以下である。上述したよ
うに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、この条件
を、約１８０MHz程度まで満たすことができる。
【００４０】ＭＲ(magnetoresistive)読み取り素子３
は、第１シ−ルド膜３１と、第２シ−ルド膜３２と、Ｍ
Ｒ素子３３と、リード導体膜３４とを含む。第１シ−ル
ド膜３１及び第２シ−ルド膜３２は互いに間隔を隔てて
配置されており、ＭＲ素子３３は第１シ−ルド膜３１及
び第２シ−ルド膜３２の間に配置されている。第２シ−
ルド膜３２は書き込み素子２の第１の磁性膜２１を構成
している。第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２
の間には非磁性絶縁膜３５があり、ＭＲ素子３３及びリ
ード導体膜３４は非磁性絶縁膜３５の内部に配置されて
いる。
は、第１シ−ルド膜３１と、第２シ−ルド膜３２と、Ｍ
Ｒ素子３３と、リード導体膜３４とを含む。第１シ−ル
ド膜３１及び第２シ−ルド膜３２は互いに間隔を隔てて
配置されており、ＭＲ素子３３は第１シ−ルド膜３１及
び第２シ−ルド膜３２の間に配置されている。第２シ−
ルド膜３２は書き込み素子２の第１の磁性膜２１を構成
している。第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２
の間には非磁性絶縁膜３５があり、ＭＲ素子３３及びリ
ード導体膜３４は非磁性絶縁膜３５の内部に配置されて
いる。
【００４１】書き込み素子２は、ＭＲ読み取り素子３の
上に積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書
き込み素子２の第１の磁性膜２１として兼用される。
上に積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書
き込み素子２の第１の磁性膜２１として兼用される。
【００４２】本発明において、書き込み素子２を構成す
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子２及びＭＲ読み取
り素子３は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子２及びＭＲ読み取
り素子３は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
【００４３】図６は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す断面図である。図において、図１に示
された構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。この実施例の特徴は、第１の磁性
膜２１のギャップ対向面に第３の磁性膜２１３を設ける
と共に、第２の磁性膜２２のギャップ対向面に第４の磁
性膜２２３を設けたことである。
別の実施例を示す断面図である。図において、図１に示
された構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。この実施例の特徴は、第１の磁性
膜２１のギャップ対向面に第３の磁性膜２１３を設ける
と共に、第２の磁性膜２２のギャップ対向面に第４の磁
性膜２２３を設けたことである。
【００４４】第３の磁性膜２１３及び第４の磁性膜２２
３は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密度材
料で構成することができる。この場合には、高保持力の
磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮するこ
とができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイとの比
較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。例と
しては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された少な
くとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,C,B,
Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）から
選択された少なくとも一種である。第３の磁性膜２１３
及び第４の磁性膜２２３の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
３は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密度材
料で構成することができる。この場合には、高保持力の
磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮するこ
とができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイとの比
較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。例と
しては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された少な
くとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,C,B,
Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）から
選択された少なくとも一種である。第３の磁性膜２１３
及び第４の磁性膜２２３の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
【００４５】第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２の
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス，Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
（何れも化学記号）から選択された少なくとも一種であ
る。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス，Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
（何れも化学記号）から選択された少なくとも一種であ
る。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
【００４６】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
周波数領域において、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れた
Ｏ／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
周波数領域において、ＮＬＴＳが小さく、かつ、優れた
Ｏ／Ｗ特性を示す薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】書き込み電流周波数を変化させたときのＮＬＴ
Ｓ（％）の変化を示す特性図である。
Ｓ（％）の変化を示す特性図である。
【図３】Ｎ／ＹＬを変化させたときのＮＬＴＳの変化を
示すデータである。
示すデータである。
【図４】書き込み電流周波数を変化させたときのＯ／Ｗ
（ｄＢ）の変化を示す特性図である。
（ｄＢ）の変化を示す特性図である。
【図５】Ｎ／ＹＬを変化させたときのＯ／Ｗ（ｄＢ）の
変化を示すデータである。
変化を示すデータである。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ スライダ基体 １０ 空気ベアリング面 ２ 書き込み素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２３ ギャップ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 スライダ基体と、少なくとも１つの書き
込み素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダ基体は、媒体対向面を有しており、 前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜
と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記スライダ基
体に搭載されており、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のそれぞれは、
ポール端部と、ヨークとを有しており前記ポール端部
は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を挟んで互
いに対向しており、 前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前記ポール端部
の後方に延び、後方結合部において互いに結合されてお
り、 前記コイル膜は、絶縁膜によって支持され、前記後方結
合部の周りにうず巻き状に配置されており、 前記ポール端部から前記後方結合部までの距離をＹＬ
(μm)とし、前記コイル膜のターン数をＮ（ターン）と
したとき、 Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm) を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 更に、ＭＲ読み取り素子を含んでおり、 前記ＭＲ読み取り素子は、第１シ−ルド膜と、第２シ−
ルド膜と、ＭＲ素子とを含み、前記ＭＲ素子が前記第１
シ−ルド膜及び前記第２シ−ルド膜の間に配置され、前
記第２シ−ルド膜が前記書き込み素子の前記第１の磁性
膜を構成する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 １００MHz以上の記録周波数領域で用いられる薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003763A JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
| US09/215,301 US6144533A (en) | 1998-01-12 | 1998-12-18 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003763A JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11203627A true JPH11203627A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11566221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003763A Pending JPH11203627A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6144533A (ja) |
| JP (1) | JPH11203627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382865B1 (ko) * | 2000-01-05 | 2003-05-09 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 기록헤드, 기록헤드의 제조방법, 복합헤드 및자기기록재생장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3795236B2 (ja) | 1997-10-01 | 2006-07-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JP2001312866A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Teac Corp | ガイドシャフト保持機構及び記録媒体記録再生装置 |
| JP3942829B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2007-07-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 |
| US7103312B2 (en) * | 2001-09-20 | 2006-09-05 | Andrew Corporation | Method and apparatus for band-to-band translation in a wireless communication system |
| US6775108B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-08-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic head having a read element shield and substrate with matching coefficients of thermal expansion |
| US7233458B2 (en) * | 2002-09-11 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | High magnetic moment Co-Fe-O-N films with soft magnetic properties |
| US7423508B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-09-09 | Intel Corporation | Control of eddy currents in magnetic vias for inductors and transformers in integrated circuits |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452164A (en) * | 1994-02-08 | 1995-09-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic write head |
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP10003763A patent/JPH11203627A/ja active Pending
- 1998-12-18 US US09/215,301 patent/US6144533A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382865B1 (ko) * | 2000-01-05 | 2003-05-09 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 기록헤드, 기록헤드의 제조방법, 복합헤드 및자기기록재생장치 |
| US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
| US7173793B2 (en) | 2000-01-05 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6144533A (en) | 2000-11-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030611 |