JPH11259814A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH11259814A JPH11259814A JP11013640A JP1364099A JPH11259814A JP H11259814 A JPH11259814 A JP H11259814A JP 11013640 A JP11013640 A JP 11013640A JP 1364099 A JP1364099 A JP 1364099A JP H11259814 A JPH11259814 A JP H11259814A
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- yoke
- coil
- head according
- magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドにおいて、磁束の流れを改善し、
インダクタンスを小さくし、信号対雑音比を改善し、製
造を簡単かつ低コスト化する。 【解決手段】 一端においてバッククロージュア領域8
3で互いに接触し、かつ他端において変換ギャップ96
を画定する第1及び第2磁気ヨーク層84、86を備え
る磁気ヘッド。一方のヨーク層86を環状コイル78が
取り巻き、そのコイル軸線104が該ヨーク層の中を通
過している。データ書き込み時に環状コイルを電流が流
れて、そのコイル軸線に沿って磁束を誘導し、該磁束
は、記録媒体に書き込むために効率良くかつ直接変換ギ
ャップに送られる。データ読取り時には、変換ギャップ
をよぎる磁束が、環状コイルが取り巻くヨーク層に沿っ
て流れ、該環状コイルに増幅のための電流を効率良く誘
導する。別の実施例では、別個の読取り変換器114を
環状コイルに隣接して配置し、複合ヘッドを形成する。
インダクタンスを小さくし、信号対雑音比を改善し、製
造を簡単かつ低コスト化する。 【解決手段】 一端においてバッククロージュア領域8
3で互いに接触し、かつ他端において変換ギャップ96
を画定する第1及び第2磁気ヨーク層84、86を備え
る磁気ヘッド。一方のヨーク層86を環状コイル78が
取り巻き、そのコイル軸線104が該ヨーク層の中を通
過している。データ書き込み時に環状コイルを電流が流
れて、そのコイル軸線に沿って磁束を誘導し、該磁束
は、記録媒体に書き込むために効率良くかつ直接変換ギ
ャップに送られる。データ読取り時には、変換ギャップ
をよぎる磁束が、環状コイルが取り巻くヨーク層に沿っ
て流れ、該環状コイルに増幅のための電流を効率良く誘
導する。別の実施例では、別個の読取り変換器114を
環状コイルに隣接して配置し、複合ヘッドを形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドに関し、
特に高データ転送速度で高面密度信号を変換することが
できる環状コイルを備えた低い姿勢・断面形状の磁気ヘ
ッドに関する。
特に高データ転送速度で高面密度信号を変換することが
できる環状コイルを備えた低い姿勢・断面形状の磁気ヘ
ッドに関する。
【0002】
【従来の技術】テープ又はディスクの形態をなす磁気記
録媒体がデータの記録に広く使用されている。磁気ヘッ
ドは、一般にこれらの記録媒体と相互作用する仕事を実
行するために用いられる。
録媒体がデータの記録に広く使用されている。磁気ヘッ
ドは、一般にこれらの記録媒体と相互作用する仕事を実
行するために用いられる。
【0003】図9は、第1ヨーク層6と第2ヨーク層8
との間に挟まれた平坦なインダクティブコイル4を備え
る従来の磁気ヘッド2を示している。2つの磁気ヨーク
層6、8は、一端においてバッククロージュア領域で互
いに接触して磁路9を形成し、かつ他端において狭い変
換ギャップ12を画定している。データ書き込み時に
は、情報を表す電流が一対の電気リード11、13の中
及びインダクティブコイル4の中を通過して、磁路9に
沿って磁束を誘導する。誘導された磁束は狭い変換ギャ
ップ12に到達し、隣接配置されて移動する記録媒体
(図示せず)を磁化する。
との間に挟まれた平坦なインダクティブコイル4を備え
る従来の磁気ヘッド2を示している。2つの磁気ヨーク
層6、8は、一端においてバッククロージュア領域で互
いに接触して磁路9を形成し、かつ他端において狭い変
換ギャップ12を画定している。データ書き込み時に
は、情報を表す電流が一対の電気リード11、13の中
及びインダクティブコイル4の中を通過して、磁路9に
沿って磁束を誘導する。誘導された磁束は狭い変換ギャ
ップ12に到達し、隣接配置されて移動する記録媒体
(図示せず)を磁化する。
【0004】データ読取り時には、記録された媒体(図
示せず)から発生する磁束が、狭い磁気ギャップ12を
よぎる際に捕捉される。磁気ギャップに捕らえられた磁
束は、両ヨーク層6、8により画定される連続的な磁路
9に沿って流れ、インダクティブコイル4内に電流を誘
導する。電気リード11、13を通るように流れるイン
ダクティブコイル4内の誘導電流は、前記記録媒体に格
納されたデータに対応している。
示せず)から発生する磁束が、狭い磁気ギャップ12を
よぎる際に捕捉される。磁気ギャップに捕らえられた磁
束は、両ヨーク層6、8により画定される連続的な磁路
9に沿って流れ、インダクティブコイル4内に電流を誘
導する。電気リード11、13を通るように流れるイン
ダクティブコイル4内の誘導電流は、前記記録媒体に格
納されたデータに対応している。
【0005】図9に示すように、磁気ヘッド2のインダ
クティブコイル4は、幾何学的に平坦な形態(トポロ
ジ)をなす。当業者に知られているように、インダクテ
ィブコイル4のような構造を電流が通ると、誘導される
磁束は、その大部分がインダクティブコイル4の軸線1
4に隣接する中央領域に発生する。データ書き込み時に
変換ギャップ12に送るための誘導磁束を収集するの
は、物理的に比較的広い面積と高透磁率を有するバック
クロージュア領域10である。磁束は、第2ヨーク層8
により画定される長い磁路9の中を通過しなければなら
ない。この構成は、いくつかの点で好ましくない。
クティブコイル4は、幾何学的に平坦な形態(トポロ
ジ)をなす。当業者に知られているように、インダクテ
ィブコイル4のような構造を電流が通ると、誘導される
磁束は、その大部分がインダクティブコイル4の軸線1
4に隣接する中央領域に発生する。データ書き込み時に
変換ギャップ12に送るための誘導磁束を収集するの
は、物理的に比較的広い面積と高透磁率を有するバック
クロージュア領域10である。磁束は、第2ヨーク層8
により画定される長い磁路9の中を通過しなければなら
ない。この構成は、いくつかの点で好ましくない。
【0006】第一に、長い磁路9は実質的に磁気ヘッド
2の磁気抵抗の原因となり、磁気ヘッド2における磁束
の伝送効率を低下させる。この効率の悪さを補償するた
めに、インダクティブコイル4は通常多数の巻線を巻回
する。その結果、インダクティブコイルのインダクタン
スが更に増大する。高インダクタンスの磁気ヘッドは、
データ書き込みモードにおいて書き込み電流に対する応
答が鈍く、かつデータ読取りモードにおいて高速度で媒
体を読み取ることができない。
2の磁気抵抗の原因となり、磁気ヘッド2における磁束
の伝送効率を低下させる。この効率の悪さを補償するた
めに、インダクティブコイル4は通常多数の巻線を巻回
する。その結果、インダクティブコイルのインダクタン
スが更に増大する。高インダクタンスの磁気ヘッドは、
データ書き込みモードにおいて書き込み電流に対する応
答が鈍く、かつデータ読取りモードにおいて高速度で媒
体を読み取ることができない。
【0007】更に、幾何学的に一定でない長い磁路は、
磁区の不安定さの主な原因であり、これは特に、一般に
「スパイダウェブ」(spider web)パターンと呼ばれる
非常に不安定な磁区パターンが存在するバッククロージ
ュア領域10においてひどい状態となる。動作時のヨー
ク層6、8における不安定な磁区の絶え間ない併合及び
分離は、磁気ヘッドに重大なバルクハウゼンノイズ(ポ
ップコーンノイズとも呼ばれる)を生じさせ、その結果
磁気ヘッドの信号対雑音比(SNR)を低下させる。こ
の状態に更に妥協するために、巻数の多いインダクティ
ブコイル4は、熱雑音の主な原因であるオーム抵抗が高
い。その結果、SNRが更に低下する。
磁区の不安定さの主な原因であり、これは特に、一般に
「スパイダウェブ」(spider web)パターンと呼ばれる
非常に不安定な磁区パターンが存在するバッククロージ
ュア領域10においてひどい状態となる。動作時のヨー
ク層6、8における不安定な磁区の絶え間ない併合及び
分離は、磁気ヘッドに重大なバルクハウゼンノイズ(ポ
ップコーンノイズとも呼ばれる)を生じさせ、その結果
磁気ヘッドの信号対雑音比(SNR)を低下させる。こ
の状態に更に妥協するために、巻数の多いインダクティ
ブコイル4は、熱雑音の主な原因であるオーム抵抗が高
い。その結果、SNRが更に低下する。
【0008】上述した問題を解決するために、様々な磁
気ヘッドが提案されている。図10は、コーエン(Cohe
n)他による論文「Toroidal Head Supports Data Trans
ferRates」、Data Storage、1997年2月発行、第23〜28
頁、に記載される従来技術の磁気ヘッドを示している。
図10に示す磁気ヘッド16は、2つのコイルセグメン
ト18A、18Bで形成された環状コイル18を備え
る。第1コイルセグメント18Aは、第2コイルセグメ
ント18Bに直列に接続している。電気リード20、2
2は、それぞれ第1及び第2コイルセグメント18A、
18Bに接続している。
気ヘッドが提案されている。図10は、コーエン(Cohe
n)他による論文「Toroidal Head Supports Data Trans
ferRates」、Data Storage、1997年2月発行、第23〜28
頁、に記載される従来技術の磁気ヘッドを示している。
図10に示す磁気ヘッド16は、2つのコイルセグメン
ト18A、18Bで形成された環状コイル18を備え
る。第1コイルセグメント18Aは、第2コイルセグメ
ント18Bに直列に接続している。電気リード20、2
2は、それぞれ第1及び第2コイルセグメント18A、
18Bに接続している。
【0009】第1コイルセグメント18Aは第1ヨーク
層24を巻回している。同様に、第2コイルセグメント
18Bは第2ヨーク層26を巻回している。両ヨーク層
24、26は、一端においてバッククロージュア領域2
8で互いに接触し、かつ他端において狭い変換ギャップ
28を画定する。この構成では、変換ギャップ30を有
する連続的な磁路36が、2つのヨーク層24、26に
よって画定される。
層24を巻回している。同様に、第2コイルセグメント
18Bは第2ヨーク層26を巻回している。両ヨーク層
24、26は、一端においてバッククロージュア領域2
8で互いに接触し、かつ他端において狭い変換ギャップ
28を画定する。この構成では、変換ギャップ30を有
する連続的な磁路36が、2つのヨーク層24、26に
よって画定される。
【0010】データ書き込み時には、書き込み電流I
が、電気リード20、22を介してコイル18を流れ
る。従って磁束がコイル18内に誘導される。図9に示
すインダクティブコイル4と同様にして、螺旋構造のコ
イルセグメント18A、18Bは、それぞれコイル軸線
32、34に隣接する領域の周囲に磁束を発生させる。
誘導された磁束は、磁束を収集するためにバッククロー
ジュア領域28に依存することなく、直接両ヨーク層2
4、26の中を流れる。磁気ヘッド16はより効率的に
磁束の流れを制御することができ、従って性能が向上す
る。
が、電気リード20、22を介してコイル18を流れ
る。従って磁束がコイル18内に誘導される。図9に示
すインダクティブコイル4と同様にして、螺旋構造のコ
イルセグメント18A、18Bは、それぞれコイル軸線
32、34に隣接する領域の周囲に磁束を発生させる。
誘導された磁束は、磁束を収集するためにバッククロー
ジュア領域28に依存することなく、直接両ヨーク層2
4、26の中を流れる。磁気ヘッド16はより効率的に
磁束の流れを制御することができ、従って性能が向上す
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この磁気ヘッド16は
有利であるように思われるが、以前としてコイル18の
巻数を多くする必要がある。従って、磁気ヘッド16は
好ましくない高インダクタンスを有する。
有利であるように思われるが、以前としてコイル18の
巻数を多くする必要がある。従って、磁気ヘッド16は
好ましくない高インダクタンスを有する。
【0012】上述したコーエンらの論文において、その
著者はコイルの高インダクタンスが磁気ヘッドの性能に
有害な影響を与えることを十分に承知している。実際、
コーエンらは特に、ヘッドのインダクタンスLがコイル
巻数Nの2乗に比例するのに対し、磁気ヘッド16が発
生する出力信号は、コイル巻数Nに対して線形的に増加
するだけであると述べている。この従来の磁気ヘッド1
6は、高磁気抵抗の長い2つのヨーク層24、26を効
率よく駆動するために必要な巻数Nの多いコイルを有す
るように形成される。
著者はコイルの高インダクタンスが磁気ヘッドの性能に
有害な影響を与えることを十分に承知している。実際、
コーエンらは特に、ヘッドのインダクタンスLがコイル
巻数Nの2乗に比例するのに対し、磁気ヘッド16が発
生する出力信号は、コイル巻数Nに対して線形的に増加
するだけであると述べている。この従来の磁気ヘッド1
6は、高磁気抵抗の長い2つのヨーク層24、26を効
率よく駆動するために必要な巻数Nの多いコイルを有す
るように形成される。
【0013】両コイルセグメント18A、18Bは2つ
のヨーク層24、26の間に挟まれており、これが第2
ヨーク層26をひどく湾曲させている。この結果、より
長い第2ヨーク層26が磁路36を画定することにな
る。磁路36がより長くかつより湾曲しているため、狭
いギャップ層30から十分な強度の磁場を供給するため
には、より多くのコイル巻線でヨーク24、26を駆動
する必要がある。これらが作用した結果、磁気ヘッド1
6は高いインダクタンスを有することになる。
のヨーク層24、26の間に挟まれており、これが第2
ヨーク層26をひどく湾曲させている。この結果、より
長い第2ヨーク層26が磁路36を画定することにな
る。磁路36がより長くかつより湾曲しているため、狭
いギャップ層30から十分な強度の磁場を供給するため
には、より多くのコイル巻線でヨーク24、26を駆動
する必要がある。これらが作用した結果、磁気ヘッド1
6は高いインダクタンスを有することになる。
【0014】最近のデータ記憶装置は、幾何学的に寸法
をより小さく、かつより高い記憶容量を有するように作
られている。狭いトラック幅及び高い面密度を有するこ
れらの記憶製品と相互作用するために、磁気ヘッドはそ
のインダクタンスを小さくし、それにより通常の動作に
十分な高速性及び応答性を持たせる必要がある。また、
磁気ヘッドは、バックグラウンドノイズにより有効な信
号が劣化しないように、SNRを高くしなければならな
い。
をより小さく、かつより高い記憶容量を有するように作
られている。狭いトラック幅及び高い面密度を有するこ
れらの記憶製品と相互作用するために、磁気ヘッドはそ
のインダクタンスを小さくし、それにより通常の動作に
十分な高速性及び応答性を持たせる必要がある。また、
磁気ヘッドは、バックグラウンドノイズにより有効な信
号が劣化しないように、SNRを高くしなければならな
い。
【0015】更に、磁気ヘッドは物理的に小さくしなけ
ればならず、ディスクドライブ装置のアクチュエータア
ームの速い動作に適応するように設計された超小型な空
気ベアリングスライダに適合し得るものでなければなら
ない。これらの要求は全て磁気ヘッドの設計及び製造に
厳しい条件を与えるものである。
ればならず、ディスクドライブ装置のアクチュエータア
ームの速い動作に適応するように設計された超小型な空
気ベアリングスライダに適合し得るものでなければなら
ない。これらの要求は全て磁気ヘッドの設計及び製造に
厳しい条件を与えるものである。
【0016】本発明の目的は、磁束の流れを効率良くし
て、動作の高速性及び高感度を実現し得る磁路を有する
磁気ヘッドを提供することにある。
て、動作の高速性及び高感度を実現し得る磁路を有する
磁気ヘッドを提供することにある。
【0017】本発明の別の目的は、高周波数信号につい
て動作し得るようにインダクタンスの小さい磁気ヘッド
を提供することにある。
て動作し得るようにインダクタンスの小さい磁気ヘッド
を提供することにある。
【0018】本発明の更に別の目的は、高い信号対雑音
比を有する磁気ヘッドを提供することにある。
比を有する磁気ヘッドを提供することにある。
【0019】本発明の更に別の目的は、容易にかつ低コ
ストで製造し得る磁気ヘッドを提供することにある。
ストで製造し得る磁気ヘッドを提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明の或る実施例で
は、磁気ヘッドは、その一方を環状コイルが取り巻く第
1及び第2磁気ヨーク層を備える。前記両ヨーク層は、
一端においてバッククロージュア領域で互いに接触し、
他端において変換ギャップを画定する。前記環状コイル
の軸線は、該コイルが取り巻く一方のヨーク層内を通る
ように配置される。
は、磁気ヘッドは、その一方を環状コイルが取り巻く第
1及び第2磁気ヨーク層を備える。前記両ヨーク層は、
一端においてバッククロージュア領域で互いに接触し、
他端において変換ギャップを画定する。前記環状コイル
の軸線は、該コイルが取り巻く一方のヨーク層内を通る
ように配置される。
【0021】データ書き込みモードでは、前記環状コイ
ルを通過する電流が、そのコイル軸線に沿って磁束を誘
導し、この磁束がデータを書き込むために変換ギャップ
に効率良く送られる。データ読み取りモードでは、変換
ギャップをよぎる磁束が前記コイルに取り巻かれた一方
のヨーク層に沿って流れ、かつ増幅のために環状コイル
に電流を効率良く誘導する。
ルを通過する電流が、そのコイル軸線に沿って磁束を誘
導し、この磁束がデータを書き込むために変換ギャップ
に効率良く送られる。データ読み取りモードでは、変換
ギャップをよぎる磁束が前記コイルに取り巻かれた一方
のヨーク層に沿って流れ、かつ増幅のために環状コイル
に電流を効率良く誘導する。
【0022】別の実施例では、磁気ヘッドは、異方性磁
気抵抗(AMR)変換器または巨大磁気抵抗(GMR)
変換器のような読取りセンサを有する複合ヘッドとして
構成される。
気抵抗(AMR)変換器または巨大磁気抵抗(GMR)
変換器のような読取りセンサを有する複合ヘッドとして
構成される。
【0023】
【発明の実施の形態】図1において、磁気変換器50
は、ロードビーム54に取り付けられたフレクシャ56
上に装着された空気ベアリングスライダ52に支持され
ている。スライダ52、フレクシャ56及びロードビー
ム54は、一まとめにしてヘッドジンバルアセンブリ
(HGA)58と呼ばれており、これはアーム軸線64
を中心に回転可能なアームアセンブリ62のアクチュエ
ータアーム60Aに結合されている。互いに離隔された
回転磁気ディスク66の積層体が、共通のスピンドル6
8に取り付けられている。アクチュエータアームアセン
ブリ62は、磁気ディスク66A、66B間の空隙内に
延長するように分岐された複数のアクチュエータアーム
60A〜60Cを有する。
は、ロードビーム54に取り付けられたフレクシャ56
上に装着された空気ベアリングスライダ52に支持され
ている。スライダ52、フレクシャ56及びロードビー
ム54は、一まとめにしてヘッドジンバルアセンブリ
(HGA)58と呼ばれており、これはアーム軸線64
を中心に回転可能なアームアセンブリ62のアクチュエ
ータアーム60Aに結合されている。互いに離隔された
回転磁気ディスク66の積層体が、共通のスピンドル6
8に取り付けられている。アクチュエータアームアセン
ブリ62は、磁気ディスク66A、66B間の空隙内に
延長するように分岐された複数のアクチュエータアーム
60A〜60Cを有する。
【0024】通常の動作時には、磁気ディスク66A、
66Bがスピンドル68を中心に矢印70の向きに高速
度で回転する。スライダ52とディスク面72との間を
動く空気の空気力学的作用が、スライダ52を例えば磁
気ディスク66Aのディスク面72の上方に浮かせる。
他方、ロードビーム54及び弾性フレクシャ56のばね
力が前記スライダをディスク面72に向けて付勢する。
スライダ16がディスク面72の上を実質的に一定の浮
上高さで浮上するところで釣合点に達する。
66Bがスピンドル68を中心に矢印70の向きに高速
度で回転する。スライダ52とディスク面72との間を
動く空気の空気力学的作用が、スライダ52を例えば磁
気ディスク66Aのディスク面72の上方に浮かせる。
他方、ロードビーム54及び弾性フレクシャ56のばね
力が前記スライダをディスク面72に向けて付勢する。
スライダ16がディスク面72の上を実質的に一定の浮
上高さで浮上するところで釣合点に達する。
【0025】図2乃至図5は、インダクティブヘッドで
あってよい磁気ヘッド74の一実施例を示している。説
明のために、図2乃至図4では保護層及び絶縁層を削除
して、磁気ヘッド74の関連する構成要素を示してい
る。保護層及び絶縁層は図5に示されている。
あってよい磁気ヘッド74の一実施例を示している。説
明のために、図2乃至図4では保護層及び絶縁層を削除
して、磁気ヘッド74の関連する構成要素を示してい
る。保護層及び絶縁層は図5に示されている。
【0026】磁気ヘッド74は、好適には例えばセラミ
ック材料のような非磁性かつ非導電性の材料で形成され
る基板76上に形成される。基板76上には第1ヨーク
層84が設けられている。インダクティブコイル78は
第1ヨーク層84より上に配置される。インダクティブ
コイル78は、その形態が環状をなし、かつ第2ヨーク
層86を取り巻いている。環状コイル78は、第2ヨー
ク層86を通過するコイル軸線104を有する。環状コ
イル78の一部分は第1ヨーク層84と第2ヨーク層8
6の間に挟まれている。
ック材料のような非磁性かつ非導電性の材料で形成され
る基板76上に形成される。基板76上には第1ヨーク
層84が設けられている。インダクティブコイル78は
第1ヨーク層84より上に配置される。インダクティブ
コイル78は、その形態が環状をなし、かつ第2ヨーク
層86を取り巻いている。環状コイル78は、第2ヨー
ク層86を通過するコイル軸線104を有する。環状コ
イル78の一部分は第1ヨーク層84と第2ヨーク層8
6の間に挟まれている。
【0027】磁気ヘッド74の第1及び第2ヨーク層8
4、86は、88及び先端領域90を通る閉じた磁路1
00を形成する。バッククロージュア領域88は、第1
ヨーク層84及び第2ヨーク層86に結合するフィード
スルー83を有する。先端領域90は、ギャップ層96
により分離された第1及び第2ポール先端層92、94
を有する。
4、86は、88及び先端領域90を通る閉じた磁路1
00を形成する。バッククロージュア領域88は、第1
ヨーク層84及び第2ヨーク層86に結合するフィード
スルー83を有する。先端領域90は、ギャップ層96
により分離された第1及び第2ポール先端層92、94
を有する。
【0028】磁気ヘッド74は、図4に示すように第1
及び第2ポール先端部92、94について垂直方向に整
合する側壁を有する。具体的には、第1ポール先端部9
2の左側壁92Lは、第2ポール先端部94の左側壁9
4Lに垂直方向に整合している。同様に、第1ポール先
端部92の右側壁92Rは、第2ポール先端部94の右
側壁94Rと同一面をなしている。側壁92L、94L
及び92R、94Rが整合することにより、磁気ヘッド
74が記録媒体表面72上にデータを十分に画定された
データトラックで書き込むことが可能になる(図3)。
及び第2ポール先端部92、94について垂直方向に整
合する側壁を有する。具体的には、第1ポール先端部9
2の左側壁92Lは、第2ポール先端部94の左側壁9
4Lに垂直方向に整合している。同様に、第1ポール先
端部92の右側壁92Rは、第2ポール先端部94の右
側壁94Rと同一面をなしている。側壁92L、94L
及び92R、94Rが整合することにより、磁気ヘッド
74が記録媒体表面72上にデータを十分に画定された
データトラックで書き込むことが可能になる(図3)。
【0029】データ書き込み時には、コイル78を流れ
る電流が、ヨーク層84、86内に磁束を誘導する。誘
導された磁束は閉磁路100の中を流れ、ギャップ層9
6に到達して記録媒体72を磁化する(図3)。
る電流が、ヨーク層84、86内に磁束を誘導する。誘
導された磁束は閉磁路100の中を流れ、ギャップ層9
6に到達して記録媒体72を磁化する(図3)。
【0030】データ読取り時には、記録媒体72(図
3)から発生する磁束が絶縁ギャップ96を過ぎる。そ
のときに捕らえられた磁束が、両ヨーク層84、86に
より画定される連続的な磁路100に沿って流れ、イン
ダクティブコイル78に電流を誘導する。前記コイル内
の誘導電流は、記憶媒体72に記憶されているデータの
内容に対応している。
3)から発生する磁束が絶縁ギャップ96を過ぎる。そ
のときに捕らえられた磁束が、両ヨーク層84、86に
より画定される連続的な磁路100に沿って流れ、イン
ダクティブコイル78に電流を誘導する。前記コイル内
の誘導電流は、記憶媒体72に記憶されているデータの
内容に対応している。
【0031】コイル78は、第1及び第2ヨーク層8
4、86からその間に介在する絶縁層98を介して電気
的に絶縁されている(図5)。第2ヨーク層86上に配
置された絶縁オーバコート層102が、磁気ヘッド74
を物理的に保護している。本実施例では、絶縁層98、
102に選択された材料がアルミナ(Al2O3)であ
る。これに代えて、二酸化ケイ素(SiO2)、窒化ケ
イ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN4)又は
ダイアモンド状炭素(DLC)のような他の絶縁材料を
同様に用いることができる。
4、86からその間に介在する絶縁層98を介して電気
的に絶縁されている(図5)。第2ヨーク層86上に配
置された絶縁オーバコート層102が、磁気ヘッド74
を物理的に保護している。本実施例では、絶縁層98、
102に選択された材料がアルミナ(Al2O3)であ
る。これに代えて、二酸化ケイ素(SiO2)、窒化ケ
イ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN4)又は
ダイアモンド状炭素(DLC)のような他の絶縁材料を
同様に用いることができる。
【0032】第1及び第2ヨーク層84、86並びに第
1及び第2ポール先端層92、94の材料は、高磁気モ
ーメントを有する材料が好ましい。このような材料を例
示すると、コバルト・ジルコニウム・タンタル合金(C
oZrTa)、コバルト・ジルコニウム・ニオブ合金
(CoZrNb)、鉄ニッケル合金(NiFe)、及び
鉄タンタル・ニオブ合金(FeTaNb)がある。各層
84、86、92、94について高磁気モーメント材料
を選択するのは、データ書込み時に磁気ヘッド74の早
期磁気飽和を防止するためである。
1及び第2ポール先端層92、94の材料は、高磁気モ
ーメントを有する材料が好ましい。このような材料を例
示すると、コバルト・ジルコニウム・タンタル合金(C
oZrTa)、コバルト・ジルコニウム・ニオブ合金
(CoZrNb)、鉄ニッケル合金(NiFe)、及び
鉄タンタル・ニオブ合金(FeTaNb)がある。各層
84、86、92、94について高磁気モーメント材料
を選択するのは、データ書込み時に磁気ヘッド74の早
期磁気飽和を防止するためである。
【0033】高い飽和保磁力での媒体への書込みは、よ
り高い書込み電流の使用を必要とする。しかしながら、
より高い書込み電流はより高い磁束を発生させ、これが
ヨーク層84、86及びポール先端層92、94をより
強い磁化状態に駆動する。コイル78をより高い駆動電
流が流れる状態において、ヨーク層84、86及びポー
ル先端層92、94が対応する駆動磁束の増加に応答し
なくなる点に到達することがある。このとき、前記各層
は磁気飽和状態にあるとされる。
り高い書込み電流の使用を必要とする。しかしながら、
より高い書込み電流はより高い磁束を発生させ、これが
ヨーク層84、86及びポール先端層92、94をより
強い磁化状態に駆動する。コイル78をより高い駆動電
流が流れる状態において、ヨーク層84、86及びポー
ル先端層92、94が対応する駆動磁束の増加に応答し
なくなる点に到達することがある。このとき、前記各層
は磁気飽和状態にあるとされる。
【0034】これらの膜層における早期磁気飽和が、磁
気ヘッド74を高い飽和保持力で媒体に書き込むのに必
要な高い書込み電流を磁気ヘッド74が受け入れること
をできなくする。各膜層84、86、92、94につい
て高い磁気モーメント材料を用いることにより、磁気ヘ
ッド74が高電流モードで動作する際に、これらの膜層
が早期磁気飽和状態になるのを防止する。
気ヘッド74を高い飽和保持力で媒体に書き込むのに必
要な高い書込み電流を磁気ヘッド74が受け入れること
をできなくする。各膜層84、86、92、94につい
て高い磁気モーメント材料を用いることにより、磁気ヘ
ッド74が高電流モードで動作する際に、これらの膜層
が早期磁気飽和状態になるのを防止する。
【0035】本発明の第2ヨーク層86は、図2乃至図
5に示されるように、実質的に水平な断面形状を有する
ことに注意すべきである。第2ヨーク層86を形状的に
平坦にすることによって、様々な利点が得られる。
5に示されるように、実質的に水平な断面形状を有する
ことに注意すべきである。第2ヨーク層86を形状的に
平坦にすることによって、様々な利点が得られる。
【0036】第一に、一般に薄膜製品の加工において直
面するフテップカバレッジの問題が重要でなくなる。超
小型電子薄膜製品の製造では、下側の膜層よりも上側の
膜層を付着させることがより困難であり、従って信頼性
が低くなる場合が非常に多い。その理由は、上側の膜層
は一般に成膜時に形状がより不均一になり、従って下側
の膜層よりステップカバレッジの問題が大きくなる。本
発明による平坦な第2ヨーク層86を設けることは、読
取りり変換器が平坦な第2ヨーク層86の上に形成され
るような複合ヘッドの形成において特に有利である。
面するフテップカバレッジの問題が重要でなくなる。超
小型電子薄膜製品の製造では、下側の膜層よりも上側の
膜層を付着させることがより困難であり、従って信頼性
が低くなる場合が非常に多い。その理由は、上側の膜層
は一般に成膜時に形状がより不均一になり、従って下側
の膜層よりステップカバレッジの問題が大きくなる。本
発明による平坦な第2ヨーク層86を設けることは、読
取りり変換器が平坦な第2ヨーク層86の上に形成され
るような複合ヘッドの形成において特に有利である。
【0037】本発明の特徴は、平坦な第2ヨーク層86
によって磁路100の長さが短くかつ湾曲が少なくなる
ことである。短くかつより直線的な磁路100を設ける
ことにより、様々な利点が得られる。第一に、磁路10
0の磁気抵抗Rが低減する。磁気抵抗Rは、次の数式に
よって定義される。
によって磁路100の長さが短くかつ湾曲が少なくなる
ことである。短くかつより直線的な磁路100を設ける
ことにより、様々な利点が得られる。第一に、磁路10
0の磁気抵抗Rが低減する。磁気抵抗Rは、次の数式に
よって定義される。
【0038】R=E/φ (1) ここで、EはA巻数(A-turns)で測定されるコイル7
8を駆動する起電力であり、φは磁路100内に誘導さ
れる磁束(単位:ウェイバ)である。磁気抵抗Rの定義
は、幾分オームの法則における抵抗のそれに類似してお
り、次の代数方程式によって決定される。
8を駆動する起電力であり、φは磁路100内に誘導さ
れる磁束(単位:ウェイバ)である。磁気抵抗Rの定義
は、幾分オームの法則における抵抗のそれに類似してお
り、次の代数方程式によって決定される。
【0039】R=γ・l/A (2) ここで、lは磁路100の長さ(単位:μm)であり、
Aは磁路100の断面積(単位:μm2)であり、γは
磁路100を画定する材料の磁気抵抗である。ここで、
平坦な第2ヨーク層86は実際上断面が全く湾曲してい
ない。従って、磁路100は短い磁路長lで実現するこ
とができ、それにより磁路100の磁気抵抗R全体が低
減される。
Aは磁路100の断面積(単位:μm2)であり、γは
磁路100を画定する材料の磁気抵抗である。ここで、
平坦な第2ヨーク層86は実際上断面が全く湾曲してい
ない。従って、磁路100は短い磁路長lで実現するこ
とができ、それにより磁路100の磁気抵抗R全体が低
減される。
【0040】第二に、平坦な第2ヨーク層86及び短い
路長lにより、コイル78への相互インダクタンスが小
さくなる。コイル78はより小さいインダクタンスで動
作するので、より素早いコイルとなる。更に、その形態
が平坦な第ヨーク層86は、該ヨーク層における磁区不
安定を引き起こし難くなり、その結果磁気ヘッド74が
動作する際によりバルクハウゼンノイズを受けないよう
にすることができる。
路長lにより、コイル78への相互インダクタンスが小
さくなる。コイル78はより小さいインダクタンスで動
作するので、より素早いコイルとなる。更に、その形態
が平坦な第ヨーク層86は、該ヨーク層における磁区不
安定を引き起こし難くなり、その結果磁気ヘッド74が
動作する際によりバルクハウゼンノイズを受けないよう
にすることができる。
【0041】また、短い磁路長lは、より少ない巻数の
コイル78で駆動することができ、従って、コイル78
を流れる電流の経路の抵抗全体が低減する。コイル78
における電流路の抵抗が小さくなることによって、磁気
ヘッド74の熱雑音が削減され、従って信号対雑音比が
改善される。
コイル78で駆動することができ、従って、コイル78
を流れる電流の経路の抵抗全体が低減する。コイル78
における電流路の抵抗が小さくなることによって、磁気
ヘッド74の熱雑音が削減され、従って信号対雑音比が
改善される。
【0042】平坦な第2ヨーク層86を環状コイル78
で取り巻くようにした本発明の構成は、特に高データ転
送速度を目的とする場合に有利である。コイル軸線10
1を第2ヨーク層86に一致させたことによって、誘導
磁束が長い誘導磁路を通過する必要が無くなる。その代
わりに、発生した磁束は、データ書き込みの時に用いる
ためにポール先端層92、94に効率良く伝送される。
同様に、データ読取り時には、同様の利点が得られる。
磁気ヘッド74は、コイルの巻数を少なくしてかつ性能
において全く妥協することなく製造し得るという効果の
組合せが得られる。
で取り巻くようにした本発明の構成は、特に高データ転
送速度を目的とする場合に有利である。コイル軸線10
1を第2ヨーク層86に一致させたことによって、誘導
磁束が長い誘導磁路を通過する必要が無くなる。その代
わりに、発生した磁束は、データ書き込みの時に用いる
ためにポール先端層92、94に効率良く伝送される。
同様に、データ読取り時には、同様の利点が得られる。
磁気ヘッド74は、コイルの巻数を少なくしてかつ性能
において全く妥協することなく製造し得るという効果の
組合せが得られる。
【0043】また、最近の磁気ヘッドは、熱放散能力が
制限された微小な領域に組み立てられる点を指摘しなけ
ればならない。従来の大部分の磁気ヘッドは、一方で高
磁気抵抗及び高インダクタンスのヨーク層を効率的に駆
動するため、及び他方で前記コイルに過剰な電流が流れ
込むのを防止することにより熱放散の問題を軽減するた
めに、コイル巻線を2層以上に積層することによってコ
イルの巻数を増加させている。しかしながら、コイル巻
線の階層が増えると、該コイルを巻き付けるヨーク層の
断面形状の湾曲を更に大きくする必要があり、その結果
コイルの自己インダクタンス及びヨーク層の相互インダ
クタンス双方を更に増大させることになる。性能に対す
る要求と信頼性に対する要求とを釣り合わせて、妥協点
を見つける必要がある。従って、大部分の従来の磁気ヘ
ッドは最適に設計されていない。上述した問題点は、本
明細書に記載されている磁気ヘッドでは重要でないが、
それは本発明の磁気ヘッドが過多なコイル巻線を必要と
しないからである。
制限された微小な領域に組み立てられる点を指摘しなけ
ればならない。従来の大部分の磁気ヘッドは、一方で高
磁気抵抗及び高インダクタンスのヨーク層を効率的に駆
動するため、及び他方で前記コイルに過剰な電流が流れ
込むのを防止することにより熱放散の問題を軽減するた
めに、コイル巻線を2層以上に積層することによってコ
イルの巻数を増加させている。しかしながら、コイル巻
線の階層が増えると、該コイルを巻き付けるヨーク層の
断面形状の湾曲を更に大きくする必要があり、その結果
コイルの自己インダクタンス及びヨーク層の相互インダ
クタンス双方を更に増大させることになる。性能に対す
る要求と信頼性に対する要求とを釣り合わせて、妥協点
を見つける必要がある。従って、大部分の従来の磁気ヘ
ッドは最適に設計されていない。上述した問題点は、本
明細書に記載されている磁気ヘッドでは重要でないが、
それは本発明の磁気ヘッドが過多なコイル巻線を必要と
しないからである。
【0044】図6は、積層構造の第1及び第2ヨーク層
84、86によって実現される磁気ヘッド74の変形例
を示している。各ヨーク層84、86は、絶縁層によっ
て積層された構造である。例えば、第1ヨーク層84で
は、絶縁層108が2つの膜層84Aと84Bとの間に
挟まれている。同様に第2ヨーク層では、別の絶縁層1
06が2つの膜層86Aと86Bとの間に挟まれてい
る。ヨーク層84、86を積層構造にすることによっ
て、高周波数動作時に渦電流の形成が阻止される。
84、86によって実現される磁気ヘッド74の変形例
を示している。各ヨーク層84、86は、絶縁層によっ
て積層された構造である。例えば、第1ヨーク層84で
は、絶縁層108が2つの膜層84Aと84Bとの間に
挟まれている。同様に第2ヨーク層では、別の絶縁層1
06が2つの膜層86Aと86Bとの間に挟まれてい
る。ヨーク層84、86を積層構造にすることによっ
て、高周波数動作時に渦電流の形成が阻止される。
【0045】図6に渦電流の経路110を例示する。渦
電流は、絶縁層106がない場合、電流路110に沿っ
て流れる。渦電流は、主にレンツの法則によってあらゆ
る磁束の変化に対抗するように応答して発生する。渦電
流の形成は、データの読取り時に捕捉される磁束及びデ
ータ書込み時の駆動磁束に有害な影響を与え、その後に
無駄な熱に変換されて消失することから好ましくない。
特に高周波数で用いる際に発生する渦電流の作用は、図
6に示すようにヨーク層84、86を積層構造にするこ
とによって阻止することができる。
電流は、絶縁層106がない場合、電流路110に沿っ
て流れる。渦電流は、主にレンツの法則によってあらゆ
る磁束の変化に対抗するように応答して発生する。渦電
流の形成は、データの読取り時に捕捉される磁束及びデ
ータ書込み時の駆動磁束に有害な影響を与え、その後に
無駄な熱に変換されて消失することから好ましくない。
特に高周波数で用いる際に発生する渦電流の作用は、図
6に示すようにヨーク層84、86を積層構造にするこ
とによって阻止することができる。
【0046】図7は本発明の第2実施例を示しており、
異方性磁気抵抗(AMR)変換器、巨大磁気抵抗(GM
R)変換器又はスピンバルブセンサであるような磁気抵
抗変換器である読取り変換器114を備える。磁気抵抗
変換器114は、一対の磁気シールド116、84の間
に挟まれ、かつそれらから電気的に絶縁分離されてい
る。この実施例では、ヨーク層84がコイル78の第1
ヨーク層として、かつ読取り変換器114のシールド層
として機能する2つの作用を行なう。
異方性磁気抵抗(AMR)変換器、巨大磁気抵抗(GM
R)変換器又はスピンバルブセンサであるような磁気抵
抗変換器である読取り変換器114を備える。磁気抵抗
変換器114は、一対の磁気シールド116、84の間
に挟まれ、かつそれらから電気的に絶縁分離されてい
る。この実施例では、ヨーク層84がコイル78の第1
ヨーク層として、かつ読取り変換器114のシールド層
として機能する2つの作用を行なう。
【0047】図8は、本発明による磁気ヘッド118の
第3実施例を示している。本実施例では、読取り変換器
114が書込み変換器及び基板76より上に配置されて
いる。同様に、読取り変換器114は、異方性磁気抵抗
(AMR)変換器、巨大磁気抵抗(GMR)変換器又は
スピンバルブセンサとすることができる。第2実施例と
同様に、磁気抵抗変換器114は、一対の磁気シールド
86、120の間に挟まれ、かつそれらから電気的に絶
縁分離されている。
第3実施例を示している。本実施例では、読取り変換器
114が書込み変換器及び基板76より上に配置されて
いる。同様に、読取り変換器114は、異方性磁気抵抗
(AMR)変換器、巨大磁気抵抗(GMR)変換器又は
スピンバルブセンサとすることができる。第2実施例と
同様に、磁気抵抗変換器114は、一対の磁気シールド
86、120の間に挟まれ、かつそれらから電気的に絶
縁分離されている。
【0048】本実施例では、膜層86がコイル78の第
2ヨーク層としてかつ読取り変換器114のシールド層
として2つの役割を果たす。一般に、読取り変換器11
4は書込み変換器より先に製造される。本実施例の構成
の背景である理論的根拠は、磁気抵抗変換器の形成に
は、水平な支持層を必要とする多数の精巧で極薄の膜層
を成膜することが必要であるということである。読取り
変換器に関連する精巧な膜層を基板近くに付着させるこ
とは、ステップカバレッジの問題を少なくする。しかし
ながら、この方法の欠点は、前記コイルを含むインダク
ティブヘッド及び関連する膜層を形成することが、その
後に高温でのアニーリング工程をいくつか必要とし、先
に形成されている精巧な膜層を有する読取り変換器に有
害となる虞がある。第3実施例の磁気ヘッド118は、
この問題を軽減するものであり、それは第2ヨーク層8
6の平坦な形状の特徴によってステップカバレッジの問
題が実質的に解消されているからである。
2ヨーク層としてかつ読取り変換器114のシールド層
として2つの役割を果たす。一般に、読取り変換器11
4は書込み変換器より先に製造される。本実施例の構成
の背景である理論的根拠は、磁気抵抗変換器の形成に
は、水平な支持層を必要とする多数の精巧で極薄の膜層
を成膜することが必要であるということである。読取り
変換器に関連する精巧な膜層を基板近くに付着させるこ
とは、ステップカバレッジの問題を少なくする。しかし
ながら、この方法の欠点は、前記コイルを含むインダク
ティブヘッド及び関連する膜層を形成することが、その
後に高温でのアニーリング工程をいくつか必要とし、先
に形成されている精巧な膜層を有する読取り変換器に有
害となる虞がある。第3実施例の磁気ヘッド118は、
この問題を軽減するものであり、それは第2ヨーク層8
6の平坦な形状の特徴によってステップカバレッジの問
題が実質的に解消されているからである。
【0049】本発明は、その技術的範囲内において上記
実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができ
る。本発明の磁気ヘッドに使用される材料は、必ずしも
上述したものに限定されるものではない。例えば、上述
した絶縁材料に加えて、ハードベークしたフォトレジス
ト材料を代替物として用いることができる。
実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができ
る。本発明の磁気ヘッドに使用される材料は、必ずしも
上述したものに限定されるものではない。例えば、上述
した絶縁材料に加えて、ハードベークしたフォトレジス
ト材料を代替物として用いることができる。
【図1】本発明の磁気ヘッドの使用状態を例示する部分
破砕概略斜視図である。
破砕概略斜視図である。
【図2】本発明の磁気ヘッドの実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図3】図2の3−3線における平面図である。
【図4】図2の4−4線における正面図である。
【図5】図2の5−5線における側断面図である。
【図6】積層構造のヨーク層を有する図2乃至図5の磁
気ヘッドの変形例を示す側断面図である。
気ヘッドの変形例を示す側断面図である。
【図7】読取り変換器を書込み変換器の下側に配置した
複合ヘッドとして製造される本発明の第2実施例を示す
側断面図である。
複合ヘッドとして製造される本発明の第2実施例を示す
側断面図である。
【図8】読取り変換器を書込み変換器より上に配置する
複合ヘッドとして製造される本発明の第3実施例を示す
側断面図である。
複合ヘッドとして製造される本発明の第3実施例を示す
側断面図である。
【図9】従来の磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図10】別の従来の磁気ヘッドを示す斜視図である。
2 磁気ヘッド 4 インダクティブコイル 6 第1ヨーク層 8 第2ヨーク層 9 磁路 10 バッククロージュア領域 11、13 電気リード 12 変換ギャップ 14 軸 16 磁気ヘッド 18 コイル 18A 第1コイルセグメント 18B 第2コイルセグメント 20、22 電気リード 24 第1ヨーク層 26 第2ヨーク層 28 バッククロージュア領域 30 変換ギャップ 32、34 コイル磁区 36 磁路 50 磁気変換器 52 空気ベアリングスライダ 54 ロードビーム 56 フレクシャ 58 ヘッドジンバルアセンブリ(HGA) 60A〜60C アクチュエータアーム 62 アームアセンブリ 64 軸線 66、66A、66B 磁気ディスク 68 スピンドル 70 矢印 72 ディスク面 74 磁気ヘッド 76 基板 78 インダクティブコイル 83 フィードスルー 84 第1ヨーク層 84A、84B 膜層 86 第2ヨーク層、磁気シールド 88 バッククロージュア領域 90 先端領域 92 第1ポール先端層 92L 左側壁 92R 右側壁 94 第2ポール先端層 94L 左側壁 94R 右側壁 96 ギャップ層 98 絶縁層 100 磁路 101 コイル軸線 102 絶縁オーバコート層 104 コイル軸線 106 絶縁層 108 絶縁層 110 経路 114 磁気抵抗変換器 116 磁気シールド 118 磁気ヘッド 120 磁気シールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シューペイ・シー アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95148,サン・ノゼ,シャトーデュラッ ク・3254 (72)発明者 ヨング・シェン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95035,ミルピタス,ヘイ・コート・1084 (72)発明者 ビリー・ウェイン・クルー アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95035,サン・ノゼ,#33,アリミトスロ ード・23760
Claims (28)
- 【請求項1】 主面を有する基板と、 前記基板の前記主面の上に配置される第1及び第2ヨー
ク層と、 一方の前記ヨーク層のみを取り巻く環状コイルアセンブ
リとを備え、前記環状コイルが、該環状コイルが取り巻
く前記一方のヨーク層に一致するコイル軸線を画定する
複数のコイル巻線を有することを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項2】 前記各ヨーク層が実質的に水平な断面
形状を有する平坦なジオメトリであることを特徴とする
請求項1に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 前記第1ヨーク層が、前記第2ヨーク
層より前記基板に近い位置に配置されていることを特徴
とする請求項1に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】 前記第2ヨーク層より上に配置された
読取り変換器を有することを特徴とする請求項3に記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項5】 前記読取り変換器が巨大磁気抵抗変換
器であることを特徴とする請求項4に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項6】 前記読取り変換器が異方性磁気抵抗変
換器であることを特徴とする請求項4に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項7】 前記環状コイルが前記第2ヨーク層を
取り巻いていることを特徴とする請求項3に記載の磁気
ヘッド。 - 【請求項8】 前記基板の上に形成された読取り変換
器を備え、前記第1及び第2ヨーク層が前記読取り変換
器より上に配置されることを特徴とする請求項7に記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項9】 前記読取り変換器が巨大磁気抵抗変換
器であることを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項10】 前記読取り変換器が異方性磁気抵抗変
換器であることを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項11】 前記読取り変換器が、スピンがトンネ
ルするセンサであることを特徴とする請求項8に記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項12】 前記ヨーク層が、高磁気モーメント材
料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項13】 前記ヨーク層が、コバルト・ジルコニ
ウム・タンタル合金(CoZrTa)、コバルト・ジル
コニウム・ニオブ合金(CoZrNb)、鉄ニッケル合
金(FeNi)及び鉄タンタル・ニオブ合金(FeTa
Nb)からなる群から選択された材料で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項14】 前記各ヨーク層が絶縁材料による積層
構造であることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項15】 前記第1及び第2ヨーク層が、それぞ
れ第1及び第2ポール先端層を有することを特徴とする
請求項1に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項16】 前記第1ポール先端層の側壁が、前記
第2ポール先端層の側壁と垂直方向に実質的に整合して
いることを特徴とする請求項15に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項17】 主面を有する基板と、 前記主面上に配置され、それぞれに実質的に水平な断面
形状を有する平坦なジオメトリの第1及び第2ヨーク層
と、 一方の前記ヨーク層を取り巻く環状コイルとを備えるこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項18】 前記第1及び第2ヨーク層にそれぞれ
隣接して配置された第1及び第2ポール先端層と、 前記第1及び第2ポール先端層間に配置された絶縁ギャ
ップ層とを備えることを特徴とする請求項17に記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項19】 前記環状コイルが、該環状コイルが取
り巻く前記一方のヨーク層内を通るコイル軸線を画定す
る複数のコイル巻線を有することを特徴とする請求項1
8に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項20】 前記各ヨーク層が絶縁材料による積層
構造であることを特徴とする請求項19に記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項21】 前記ヨーク層が高磁気モーメント材料
で形成されていることを特徴とする請求項19に記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項22】 前記第1ヨーク層が前記第2ヨーク層
より前記基板に近い位置に配置され、かつ前記環状コイ
ルが前記第1ヨーク層を取り巻いていることを特徴とす
る請求項21に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項23】 前記第1ヨーク層が前記第2ヨーク層
より前記基板に近い位置に配置され、かつ前記環状コイ
ルが前記第2ヨーク層を取り巻いていることを特徴とす
る請求項21に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項24】 前記第2ヨーク層より上に配置された
読取り変換器を備えることを特徴とする請求項18に記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項25】 前記読取り変換器が巨大磁気抵抗変換
器であることを特徴とする請求項24に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項26】 前記読取り変換器が異方性磁気抵抗変
換器であることをとくちょうとする請求項24に記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項27】 前記読取り変換器がスピンバルブセン
サであることを特徴とする請求項24に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項28】 前記基板が、その上に予め形成された
読取り変換器を備え、前記第1及び第2ヨーク層が前記
読取り変換器より上に配置されていることを特徴とする
請求項18に記載の磁気ヘッド。
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