JPS61130848A - 電子線終点検知機構付イオンミリング装置 - Google Patents
電子線終点検知機構付イオンミリング装置Info
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- JPS61130848A JPS61130848A JP59251866A JP25186684A JPS61130848A JP S61130848 A JPS61130848 A JP S61130848A JP 59251866 A JP59251866 A JP 59251866A JP 25186684 A JP25186684 A JP 25186684A JP S61130848 A JPS61130848 A JP S61130848A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 title claims description 12
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線終点検知機構付イオンミリング装置に係
り、特に電子線の透過性を利用して試料研摩終点を検知
するのに好適なイオンミリング装置に関するものである
。
り、特に電子線の透過性を利用して試料研摩終点を検知
するのに好適なイオンミリング装置に関するものである
。
一般にイオンミリング装置は、真空に排気されたチャン
バーと、このチャンバー内に設置されたイオンガンおよ
び試料支持部材より構成されておυ、イオンガンから照
射されるイオンビームを試料表面に衝突させることによ
って、セラミックス、金属、鉱物、半導体試料等の薄膜
化を行い、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）試料を作製する
ようになっている。イオンミリングには通常約１０時間
を必要とするが、ミリングを掛は過ぎると、観察すべき
部分まで削られてしまい、′長時間の労力が無駄になっ
てしまうっ ところで、従来の終点検知機構には、光学顕微鏡で実験
者が観察するようにしたものや、Ｑａｔａｎ社のカタロ
グＥＪＯＯ３１のデュアルチャンバーイオンミリング装
置に示しであるように、レーザ光を試料表面に当てて試
料に孔があいたときの通過光を検出するようにしたもの
がある。しかし、これらの方法は、試料に孔があいたか
否かという判断しかできず、最終的な終点を決めるには
、イオンミリング装置から一旦試料を外し、ＴＥＭでそ
の仕上り具合を暖察し、再びミリングを掛けるという操
作ｔ−数回繰り返さねばならない。また、透明な試料に
対してはレーザ終点検知器は全く効果がない。
バーと、このチャンバー内に設置されたイオンガンおよ
び試料支持部材より構成されておυ、イオンガンから照
射されるイオンビームを試料表面に衝突させることによ
って、セラミックス、金属、鉱物、半導体試料等の薄膜
化を行い、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）試料を作製する
ようになっている。イオンミリングには通常約１０時間
を必要とするが、ミリングを掛は過ぎると、観察すべき
部分まで削られてしまい、′長時間の労力が無駄になっ
てしまうっ ところで、従来の終点検知機構には、光学顕微鏡で実験
者が観察するようにしたものや、Ｑａｔａｎ社のカタロ
グＥＪＯＯ３１のデュアルチャンバーイオンミリング装
置に示しであるように、レーザ光を試料表面に当てて試
料に孔があいたときの通過光を検出するようにしたもの
がある。しかし、これらの方法は、試料に孔があいたか
否かという判断しかできず、最終的な終点を決めるには
、イオンミリング装置から一旦試料を外し、ＴＥＭでそ
の仕上り具合を暖察し、再びミリングを掛けるという操
作ｔ−数回繰り返さねばならない。また、透明な試料に
対してはレーザ終点検知器は全く効果がない。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、試料を所用の厚みまでミリングしたことを検
知することが可能で、かつ、透明な試料に対しても有効
な終点検知機構を備えた電子線終点検知機構付イオンミ
リング装置管提供することにある。
ところは、試料を所用の厚みまでミリングしたことを検
知することが可能で、かつ、透明な試料に対しても有効
な終点検知機構を備えた電子線終点検知機構付イオンミ
リング装置管提供することにある。
本発明の特徴は、真空チャンバー内に設置したイオンガ
ンの前方に位置する試料支持部材近傍に設けた電子銃と
、この電子銃の試料をはさんだ反射側に設けた電子線量
の検知手段とを具備した構成のものとした点にある。
ンの前方に位置する試料支持部材近傍に設けた電子銃と
、この電子銃の試料をはさんだ反射側に設けた電子線量
の検知手段とを具備した構成のものとした点にある。
以下本発明を第１図に示した実施例を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の電子線終点検知機構付イオンミリング
装置の一実施例を示す縦断面図である。
装置の一実施例を示す縦断面図である。
本発明に係るイオンミリング装置は、試料のミリング終
点検知に電子線の透過性を利用したもので、試料に電子
銃から発射される電子線を照射し、試料がミリングされ
て薄膜化すると透過電子線が増加するので、これを検知
することで試料のミリング後の厚みを検知するようにし
たもので、主な材料の電子線の透過率をあらかじめ求め
ておけば、所用の厚みまでミリングしたことを検知する
ことができ、その出力を用いてミリング装置を止めるこ
とができる。
点検知に電子線の透過性を利用したもので、試料に電子
銃から発射される電子線を照射し、試料がミリングされ
て薄膜化すると透過電子線が増加するので、これを検知
することで試料のミリング後の厚みを検知するようにし
たもので、主な材料の電子線の透過率をあらかじめ求め
ておけば、所用の厚みまでミリングしたことを検知する
ことができ、その出力を用いてミリング装置を止めるこ
とができる。
第１図において、１は真空チャンバーで、図示しない真
空排気装置によって真空状態になってい する
つ真空チャンバー１のほぼ中央に図示しない試料支持部
材によって試料２が支持されでいる。この試料２をはさ
むように２台のイオンガン３が設置してあシ、試料２の
表裏から試料２をミリングするようにしである。試料２
の上方には電子銃４およびアノード５が設けてあシ、試
料２の下方には、試料２を透過した電子線量を検知する
ファラデーゲージ６が設置しである。イオンガン３の内
部には、イオンガンアノード７があり、周りのケースと
は碍子８で絶縁しである。イオンガン３の内部にはアル
ゴンガスが導入されており、このアルゴンガスはアノー
ド７でイオン化されて加速され、試料２０表面に衝突し
、試料２はイオンビームにより徐々に削られ薄膜化する
。それにしたがい、電子銃４からの電子線が試料２を透
過し、透過した電子線量がファラデーゲージ６で押えら
れ、試料２の厚さが検知される。ただし、この場合、あ
らかじめ主な物質の電子線透過率を調べておく必要があ
る。なお、所用の厚みまで試料２０ミリングを行ったと
ころで、検知基板９でりＶ−スイッチ１０ｔ−切り、高
圧電源１１からの電力の供給を止め、ミリングを中止さ
せる。
空排気装置によって真空状態になってい する
つ真空チャンバー１のほぼ中央に図示しない試料支持部
材によって試料２が支持されでいる。この試料２をはさ
むように２台のイオンガン３が設置してあシ、試料２の
表裏から試料２をミリングするようにしである。試料２
の上方には電子銃４およびアノード５が設けてあシ、試
料２の下方には、試料２を透過した電子線量を検知する
ファラデーゲージ６が設置しである。イオンガン３の内
部には、イオンガンアノード７があり、周りのケースと
は碍子８で絶縁しである。イオンガン３の内部にはアル
ゴンガスが導入されており、このアルゴンガスはアノー
ド７でイオン化されて加速され、試料２０表面に衝突し
、試料２はイオンビームにより徐々に削られ薄膜化する
。それにしたがい、電子銃４からの電子線が試料２を透
過し、透過した電子線量がファラデーゲージ６で押えら
れ、試料２の厚さが検知される。ただし、この場合、あ
らかじめ主な物質の電子線透過率を調べておく必要があ
る。なお、所用の厚みまで試料２０ミリングを行ったと
ころで、検知基板９でりＶ−スイッチ１０ｔ−切り、高
圧電源１１からの電力の供給を止め、ミリングを中止さ
せる。
以上説明したように、本発明によれば、電子線終点検知
機構を備えているので、試料を所定の厚みまでミリング
したことを検知でき、そこでミリングを中止することが
でき、さらに、透明試料に対しても適用可能でめるとい
う効果がある。
機構を備えているので、試料を所定の厚みまでミリング
したことを検知でき、そこでミリングを中止することが
でき、さらに、透明試料に対しても適用可能でめるとい
う効果がある。
第１図は本発明の電子線終点検知機構付ミリング装置の
一実施例を示す縦断面図である。 １・・・真空チャンバー、２・・・試料、３・・・イオ
ンガン、４・・・電子銃、６・・・７アラデーゲージ、
９・・・検知基板、１０・・・リレースイッチ、１１・
・・電圧電源。
一実施例を示す縦断面図である。 １・・・真空チャンバー、２・・・試料、３・・・イオ
ンガン、４・・・電子銃、６・・・７アラデーゲージ、
９・・・検知基板、１０・・・リレースイッチ、１１・
・・電圧電源。
Claims (1)
- １、真空排気装置と、該真空排気装置によつて排気され
る真空チャンバーと、該真空チャンバー内に設置したイ
オンガンと、該イオンガンの前方に位置する試料支持部
材と、前記イオンガンに高電圧を供給する電源部とより
なるイオンミリング装置において、前記試料支持部材近
傍に設けた電子銃と、該電子銃の試料をはさんだ反対側
に設けた電子線量の検知手段とを具備することを特徴と
する電子線終点検知機構付イオンミリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251866A JPS61130848A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 電子線終点検知機構付イオンミリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251866A JPS61130848A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 電子線終点検知機構付イオンミリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130848A true JPS61130848A (ja) | 1986-06-18 |
Family
ID=17229089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251866A Pending JPS61130848A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 電子線終点検知機構付イオンミリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130848A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
| EP0687897A1 (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-20 | Hitachi, Ltd. | Method for making specimen and apparatus thereof |
| WO1996035226A1 (de) * | 1995-04-29 | 1996-11-07 | Bal-Tec Ag | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die elektronenmikroskopie |
| JP2009175046A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Denso Corp | 加工装置および薄膜試料の生産方法 |
| JP2010054409A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Jeol Ltd | イオンビーム加工装置 |
| US8247785B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-08-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam device and method for use in a particle beam device |
| JP2017528899A (ja) * | 2014-07-25 | 2017-09-28 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッドＥ．Ａ．Ｆｉｓｃｈｉｏｎｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ， Ｉｎｃ． | 顕微鏡用試料の作製装置 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59251866A patent/JPS61130848A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
| EP0687897A1 (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-20 | Hitachi, Ltd. | Method for making specimen and apparatus thereof |
| US5656811A (en) * | 1994-06-14 | 1997-08-12 | Hitachi, Ltd. | Method for making specimen and apparatus thereof |
| WO1996035226A1 (de) * | 1995-04-29 | 1996-11-07 | Bal-Tec Ag | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die elektronenmikroskopie |
| US8247785B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-08-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam device and method for use in a particle beam device |
| JP2009175046A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Denso Corp | 加工装置および薄膜試料の生産方法 |
| JP2010054409A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Jeol Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JP2017528899A (ja) * | 2014-07-25 | 2017-09-28 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッドＥ．Ａ．Ｆｉｓｃｈｉｏｎｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ， Ｉｎｃ． | 顕微鏡用試料の作製装置 |
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