CN101489920A - 涂布液、使用涂布液形成的金属化合物薄膜及其形成方法 - Google Patents
涂布液、使用涂布液形成的金属化合物薄膜及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101489920A CN101489920A CNA2007800265212A CN200780026521A CN101489920A CN 101489920 A CN101489920 A CN 101489920A CN A2007800265212 A CNA2007800265212 A CN A2007800265212A CN 200780026521 A CN200780026521 A CN 200780026521A CN 101489920 A CN101489920 A CN 101489920A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chemical formula
- coating fluid
- metal
- mentioned
- pyrocatechol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 180
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 179
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims abstract description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229940052810 complex b Drugs 0.000 claims abstract description 11
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 66
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 64
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 59
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 43
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 31
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 196
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 154
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 132
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 118
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 118
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 105
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 68
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 62
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 34
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 33
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 31
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 30
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 30
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 30
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N pentane-2,3-dione Chemical compound CCC(=O)C(C)=O TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 29
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 29
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 25
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 23
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 23
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 20
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 14
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 14
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 14
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 13
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 amino, hydroxyl Chemical group 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NGCQFPUZUSJQOU-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;titanium Chemical compound [Ti].OC1=CC=CC=C1O NGCQFPUZUSJQOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 9
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CWLKHIHGOBVTMS-UHFFFAOYSA-N ethanol;niobium(5+) Chemical compound [Nb+5].CCO CWLKHIHGOBVTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BMTAFVWTTFSTOG-UHFFFAOYSA-N Butylate Chemical group CCSC(=O)N(CC(C)C)CC(C)C BMTAFVWTTFSTOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CULSIAXQVSZNSV-UHFFFAOYSA-N germanium(4+) Chemical compound [Ge+4] CULSIAXQVSZNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 5
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 4
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 4
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 3
- HWHKFXJOKNIRCU-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol formonitrile Chemical compound C#N.OC=1C=CC=CC1O HWHKFXJOKNIRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FFJOCSMRRVABSU-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol tantalum Chemical compound [Ta].OC1=CC=CC=C1O FFJOCSMRRVABSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LHBUQXJBITZGBJ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;cobalt Chemical compound [Co].OC1=CC=CC=C1O LHBUQXJBITZGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QIZAFOBQPIQQFP-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;niobium Chemical compound [Nb].OC1=CC=CC=C1O QIZAFOBQPIQQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IRSWRCCZAUZIMU-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;tin Chemical compound [Sn].OC1=CC=CC=C1O IRSWRCCZAUZIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- UKVOBEGHWYQDJX-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzaldehyde;silicon Chemical compound [Si].OC1=CC=C(C=O)C=C1O UKVOBEGHWYQDJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXBSSVBZYVTKBJ-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzene-1,2-diol;titanium Chemical compound [Ti].OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1O FXBSSVBZYVTKBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSPXCEXAAYLMNL-UHFFFAOYSA-N [Ba].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Ba].OC1=CC=CC=C1O QSPXCEXAAYLMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGCYJPWIEXWQBW-UHFFFAOYSA-N [Bi].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Bi].OC1=CC=CC=C1O UGCYJPWIEXWQBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLYQAASMOZWNFR-UHFFFAOYSA-N [Eu].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Eu].OC1=CC=CC=C1O QLYQAASMOZWNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKTVFRTYGPCWKY-UHFFFAOYSA-N [Ge+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] Chemical compound [Ge+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] QKTVFRTYGPCWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYYIEHYVEXGYPI-UHFFFAOYSA-N [Hf].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Hf].OC1=CC=CC=C1O MYYIEHYVEXGYPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTGPRBDYUVKKLN-UHFFFAOYSA-N [In].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [In].OC1=CC=CC=C1O JTGPRBDYUVKKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPQAAVMTVHFDC-UHFFFAOYSA-N [Mg].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Mg].OC1=CC=CC=C1O DKPQAAVMTVHFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXKDAVVXRSGIQJ-UHFFFAOYSA-N [Mn].OC1=CC=CC=C1O Chemical compound [Mn].OC1=CC=CC=C1O WXKDAVVXRSGIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- HLCLIVGZVSGTEE-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol vanadium Chemical compound [V].OC1=CC=CC=C1O HLCLIVGZVSGTEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYPAMUQWWFFJI-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;copper Chemical compound [Cu].OC1=CC=CC=C1O YBYPAMUQWWFFJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VJIQPILXBRZRMS-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;germanium Chemical compound [Ge].OC1=CC=CC=C1O VJIQPILXBRZRMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQRLVNFTCUZFSJ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;iron Chemical compound [Fe].OC1=CC=CC=C1O OQRLVNFTCUZFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYBYBNMTDGSTSW-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;molybdenum Chemical compound [Mo].OC1=CC=CC=C1O QYBYBNMTDGSTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAEGPCLERBNXHS-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;silicon Chemical compound [Si].OC1=CC=CC=C1O JAEGPCLERBNXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQSSRUAWBFTSKE-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;tungsten Chemical compound [W].OC1=CC=CC=C1O ZQSSRUAWBFTSKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COZKIZRZDYVVHC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;zinc Chemical compound [Zn].OC1=CC=CC=C1O COZKIZRZDYVVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYIYBJHFKLEZNO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;zirconium Chemical compound [Zr].OC1=CC=CC=C1O MYIYBJHFKLEZNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.OC(=O)C1=CC=CC=C1O CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N butan-2-olate Chemical compound CCC(C)[O-] WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N niobium(v) ethoxide Chemical compound CCO[Nb](OCC)(OCC)(OCC)OCC ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDAVALFEVOBEOJ-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-1h-pyridin-2-one;titanium Chemical compound [Ti].OC1=CC=CN=C1O PDAVALFEVOBEOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSCKLAFBVVNJLK-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzene-1,2-diol titanium Chemical compound [Ti].OC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1O JSCKLAFBVVNJLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJNPNXSISMKQEX-UHFFFAOYSA-N 4-nitrocatechol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1O XJNPNXSISMKQEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCIDSJLKOUAYDU-UHFFFAOYSA-N [Ge+9] Chemical compound [Ge+9] KCIDSJLKOUAYDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUHJNAINENZSNQ-UHFFFAOYSA-N [V+3].CC(=O)CC(C)=O Chemical compound [V+3].CC(=O)CC(C)=O VUHJNAINENZSNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- ZBGLGVFYHCSILI-UHFFFAOYSA-N acetic acid;europium Chemical compound [Eu].CC(O)=O ZBGLGVFYHCSILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- PNCDAXYMWHXGON-UHFFFAOYSA-N ethanol;niobium Chemical compound [Nb].CCO.CCO.CCO.CCO.CCO PNCDAXYMWHXGON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJAORVQUNCMFTG-UHFFFAOYSA-N ethanol;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].CCO GJAORVQUNCMFTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethanolate Chemical compound [Mg+2].CC[O-].CC[O-] XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ZIKKVZAYJJZBGE-UHFFFAOYSA-N molybdenum(4+) Chemical compound [Mo+4] ZIKKVZAYJJZBGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 1
- 238000011403 purification operation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N s-propan-2-yl azepane-1-carbothioate Chemical compound CC(C)SC(=O)N1CCCCCC1 LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229940035637 spectrum-4 Drugs 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/047—Titanium dioxide
- C01G23/053—Producing by wet processes, e.g. hydrolysing titanium salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- B01J21/066—Zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0219—Coating the coating containing organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/36—Compounds of titanium
- C09C1/3607—Titanium dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1225—Deposition of multilayers of inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种涂布液,其包含选自化学式1表示的金属络合物A、化学式2表示的金属络合物B和化学式3表示的金属络合物C中的一种以上金属络合物。其中,化学式1、化学式2、化学式3中的M是金属离子;化学式1、化学式2、化学式3中的X1~X4分别是O、NH、CO2和S中的任一个;化学式1中的Y1~Y8和化学式3中的Y1~Y4分别是CH或N;化学式2和化学式3中的Z1~Z3以及化学式2中的Z4~Z6中每组中的一个选自O、NH和S,另两个选自CH和N;化学式1、化学式2、化学式3中的L是轴向配位体;化学式1、化学式2、化学式3中的k是金属络合物的价数,且等于M、X1-X4和L所具有的电荷总和。
Description
技术领域
本发明涉及用于形成金属化合物薄膜的涂布液、金属化合物薄膜及其形成方法、以及在表面形成有金属氧化物薄膜的制品。
背景技术
作为在玻璃、金属、陶瓷等的表面形成金属氧化物薄膜的技术,有溅射、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等干法,以及以溶胶凝胶法为代表的湿法。
但是,溅射、PVD等采用物理方法的干式工艺需要高度真空,装置越大越是难以保持高真空,因此,很难形成大面积的金属氧化物薄膜。另外,使材料气化需要大量的能量,而且为了改善成膜性还必须对形成金属氧化物薄膜的基体进行加热,需要巨大的能量。此外,基体为复杂形状时,存在对基体中的“阴影”部分成膜困难的问题。
另外,CVD涉及到化学反应,难以使组成保持均匀,而且为了抑制副产物,要求非常复杂的控制。
此外,在溶胶凝胶法中,由于温度和湿度的不同而使缩聚反应进程产生明显的差异,因此,在想要经常获得均匀的薄膜时,必须要严格控制成膜条件。而且,由于涂布液的溶胶常常不稳定,在实际运用中存在很多需要解决的问题,例如为了保持溶胶的粘度并防止固体物质的沉积需要特别的设计等。此外,还存在一些情况,需要通过使金属氧化物薄膜中含有两种以上的金属,有时会使金属氧化物薄膜表现出特定的功能,但是在溶胶凝胶法中,由于水解速率因金属种类而有所不同,将不同种类的金属混合会产生相分离,不能表现出这样的功能。
因此,提出了一种技术,其是在基体表面涂布含有金属络合物的涂布液,然后通过烧制将金属络合物热分解,从而形成金属氧化物薄膜(参照专利文件1~3)。在该技术中,作为金属络合物的配位体,经常使用乙二胺四乙酸、二乙醇胺、乙酰丙酮等分子内具有两个以上取代基(例如氨基、羟基等)的多齿配位体。
专利文件1:日本特开平09-278489号公报
专利文件2:日本特开平11-228113号公报
专利文件3:日本特开平11-256342号公报
发明内容
本发明要解决的课题
在以往的使用含金属络合物的涂布液形成金属氧化物薄膜的方法中,在涂膜形成后对金属络合物加热进行热分解时,作为有机物质的配位体消失,导致涂膜产生大幅度的体积收缩,结果存在如下问题:金属氧化物薄膜产生裂纹、或者金属氧化物薄膜和基体之间的密合性受损。特别是金属氧化物薄膜的厚度越厚,裂纹和密合性不良的问题就会越显著。
本发明就是鉴于上述问题而作成的,其目的在于提供一种不会产生裂纹或金属化合物薄膜(如金属氧化物薄膜)与基体间的密合性不良,能形成高质量的金属化合物薄膜的涂布液、金属化合物薄膜的形成方法、金属化合物薄膜以及金属化合物薄膜包覆制品。
解决问题的方法
本申请的第一个发明涉及一种涂布液,该涂布液包含选自化学式1表示的金属络合物A、化学式2表示的金属络合物B和化学式3表示的金属络合物C中的一种以上金属络合物。
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
化学式1、化学式2、化学式3中的M是金属离子;化学式1、化学式2、化学式3中的X1~X4分别是O、NH、CO2和S中的任一种;化学式1中的Y1~Y8和化学式3中的Y1~Y4分别是CH或N;化学式2和化学式3中的Z1~Z3以及化学式2中的Z4~Z6中每组中的一个选自O、NH和S,另两个选自CH和N;化学式1、化学式2、化学式3中的L是轴向配位体,作为L,例如有烷氧离子、氢氧根离子和卤素离子等阴离子,或者水、醇类、胺类等与金属形成配位键的分子;化学式1、化学式2、化学式3中的k是金属络合物的价数,且等于M、X1-X4和L所具有的电荷的总和。
作为本发明的涂布液,包括:含金属络合物A的涂布液、含金属络合物B的涂布液、含金属络合物C的涂布液、以及含有其中的2种以上金属络合物的涂布液。
使用本发明涂布液,可以在基体表面形成金属化合物薄膜。例如,将本发明的涂布液涂布在基体表面并进行干燥,就会在基体表面形成包含金属络合物A、金属络合物B、金属络合物C或前述金属络合物中的两种以上的涂膜。然后对该涂膜进行烧制,上述金属络合物就会被热分解,配位体消失,形成由化学式18表示的金属M的化合物制成的薄膜。该金属M的化合物根据化学式18中的X5和X6种类(X5和X6是X1-X4中含有的O、N和S中的任一个)而不同。例如,X5和X6都为O时,金属M的化合物就成为金属M的氧化物。另外,X5和X6可以均为S,也可以均为N,还可以是选自O、S和N中的任意两个。
使用本发明的涂布液而形成的金属化合物薄膜不会产生裂纹,并且与基体的密合性优异。而且由于不产生裂纹,可以增加金属化合物薄膜的厚度。
如上所述,不产生裂纹的理由推测如下。即,如化学式1~化学式3所表示的分子结构可知,金属络合物A~金属络合物C具有平板的结构,因此在将涂布液涂布在基体上形成薄膜时,由于金属络合物彼此之间的相互作用,形成了金属络合物彼此重叠那样的分子集合结构(堆积)。此外,配位体所含有的芳香环彼此之间的作用也对形成上述的分子集合结构有贡献。因此可认为:即使在烧制时配位体消失,也可抑制在平行于基体表面方向上的体积收缩,并且可抑制产生裂纹和剥离。
另外,使用以往采用的金属络合物形成金属氧化物薄膜时产生裂纹或密合性不良的理由可认为如下。当金属原子形成络合物时,通过最外层d轨道形成键,所述键向以金属原子为中心的正八面体的各个顶点延伸,其前端存在配位体的取代基,因此,例如图8所示的分子结构所示,通常的有机金属络合物具有以金属为中心的立体结构。因此,对由金属络合物制成的薄膜进行烧制,由于热分解而使配位体消失时,在三维方向上会产生较大的体积收缩,结果产生裂纹或由于基体与薄膜的尺寸失配而导致的剥离。
此外,使用本发明的涂布液形成的金属化合物薄膜的硬度高。而且,使用本发明的涂布液形成的金属化合物薄膜是平滑的,透明性也高,因此,例如在玻璃表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持玻璃的透过性;在镜子表面形成金属化合物薄膜时,可以保持镜子的反射率。
此外,本发明的涂布液即使不含粘合剂,也能形成具有耐久性的金属化合物薄膜。因此,所形成的薄膜中的金属化合物的浓度不会被粘合剂稀释,金属化合物的作用(例如,光催化作用)高。
另外,由于本发明的涂布液是稳定的,因此能够长期保存
作为上述M,可列举例如Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta、Pb等。作为M,可以只使用一种金属,也可以混合两种以上金属使用。
使用Ti作为上述M时,使用本发明的涂布液形成的金属化合物薄膜(化学式18中的M为Ti)可发挥光催化作用。其中,X5和X6均为O的情况下(TiO2的情况下),可在紫外光的波长区域发挥光催化作用。另外,X5和X6中的至少一个为S或N时,可以在不同的波长区域(例如可见光区域)发挥光催化作用。
使用In和Sn的组合、Ga和Zn的组合或Nb和Ti的组合作为上述M,且X5和X6均为O时,使用本发明的涂布液形成的金属氧化物薄膜(ITO、Ga-ZnO或Nb-TiO2)可发挥透明导电膜的功能。
使用Sn作为M,且X5和X6都为O时,使用本发明的涂布液形成的金属氧化物薄膜(SnO2)可发挥作为Low-E膜的热线阻断作用。如果使用M为V且X5和X6都为O的本发明的涂布液在玻璃表面上形成金属氧化物薄膜(V2O5),则可以生产调光玻璃。
使用Nb作为上述M时,使用本发明的涂布液形成的金属氧化物薄膜可表现出超亲水性。
上述金属络合物A例如可以为化学式4~化学式11所表示的金属络合物中的任一个。
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
[化学式9]
[化学式10]
[化学式11]
在上述化学式4中,X1和X3为S、X2和X4为O;除此之外,还可以是X1和X4为S、且X2和X3为O,X1和X2为S、X3和X4为O,X1~X4之一为S其余为O,或X1~X4之一为O其余为S。同样地,化学式7、9和11也可以如上述那样变更X1~X4的组合。
另外,在化学式10中,Y4和Y8为N、Y1~Y3和Y5~Y7为CH;除此之外,还可以是Y1和Y8为N、Y1-Y7为CH。
上述金属络合物B例如可以为化学式12~化学式15表示的金属络合物中的任一个。
[化学式12]
[化学式13]
[化学式14]
[化学式15]
此外,在上述化学式13中,Z1和Z4为S、Z2~Z3和Z5~Z6为CH。除此之外,还可以是Z1和Z6为S、Z2~Z5为CH。
上述金属络合物C例如可以为化学式16~化学式17表示的金属络合物中的任一个。
[化学式16]
[化学式17]
本发明的涂布液可以容易地制造。例如,该涂布液能够如下制得:在适当的溶剂中将2摩尔当量的作为配位体的成分加入到金属烷氧化物或金属盐(例如金属氯化物)等原料中,并通过加热生成金属络合物A和/或金属络合物B,必要时可进行过滤/回收操作。或者,该涂布液能够如下制得:在适当的溶剂中将两种作为配位体的成分各1摩尔当量加入到金属烷氧化物或金属盐(例如金属氯化物)等原料中,并通过加热生成金属络合物C,必要时可进行分离/纯化操作。在制备金属络合物A~金属络合物C时,作为配位体的成分为1,2-取代型芳香化合物;在化学式4表示的金属络合物A的情况下,配位体成分为邻苯二酚(化学式19);在化学式5~化学式11表示的金属络合物A的情况下,配位体成分分别为化学式20~化学式26表示的化合物;在化学式12~化学式15表示的金属络合物B的情况下,配位体成分分别为化学式27~化学式30表示的化合物;在化学式16表示的金属络合物C的情况下,配位体成分为邻苯二酚(化学式19)和化学式27表示的化合物的组合;在化学式17表示的金属络合物C的情况下,配位体成分为邻苯二酚(化学式19)和化学式29表示的化合物的组合。
[化学式19]
[化学式20]
[化学式21]
[化学式22]
[化学式23]
[化学式24]
[化学式25]
[化学式26]
[化学式27]
[化学式28]
[化学式29]
[化学式30]
本发明的涂布液中,作为溶剂,例如可以是包含醇类(例如2-丙醇、甲醇、乙醇、正丁醇)、醚类(例如乙醚、MTBE、THF等)、烃类(例如辛烷、正己烷、环己烷、苯、甲苯、二甲苯等)、二甲亚砜、二甲基甲酰胺、卤化物(氯仿、二溴甲烷、二氯甲烷等)、酮类(丙酮、甲乙酮(MEK)、AcAc等)、乙酸乙酯,水等的溶剂。
涂布液中的金属络合物浓度没有特别限制,只要该浓度不超过金属络合物的溶解度的范围,例如优选0.1~5重量%的浓度。当2种以上的金属形成均匀混合的复合金属化合物薄膜时,可以按照期望的比例将相应的金属络合物混合使用。
本申请的第二个发明涉及一种金属氧化物薄膜的形成方法,该方法包括:将上述第一个发明中的涂布液涂布在基体上形成薄膜,然后使上述薄膜中含有的选自金属络合物A、金属络合物B和金属络合物C中的一种以上金属络合物转变成化学式18表示的金属化合物。
[化学式18]
化学式18中的X5和X6是上述X1~X4中含有的O、N和S中的任一个;1、m和n分别是X5、X6和M的价数。另外,x和y分别是X5和X6在上述金属化合物中的含有率,x和y之和是不超过1的值。
按照本发明形成的金属化合物薄膜不会产生裂纹,与基体的密合性优异,并且硬度也高。另外,如上所述,由于不产生裂纹,可以增加金属化合物薄膜的厚度。
此外,按照本发明形成的金属化合物薄膜是平滑的,且透明性高,因此,例如在玻璃表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持玻璃的透过性;在镜子表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持镜子的反射率。
此外,本发明的涂布液即使不含粘合剂,也能形成具有耐久性的金属化合物薄膜。因此,所形成的薄膜中的金属化合物的浓度不会被粘合剂稀释,金属化合物的作用(例如,光催化作用)高。特别是,金属化合物为Nb化合物时,金属化合物薄膜的超亲水性显著。此外,金属化合物为Ti化合物且该金属化合物的化学式(化学式1~化学式3中的任一个)中的X1~X4中的任一个为NH或S时,金属化合物薄膜成为响应可见光的光催化剂。
上述基体没有特别限定,但在由金属络合物A~金属络合物C转变为化学式18表示的金属化合物的过程中使用烧制法时,上述基体优选能够耐受烧制时的温度的物质。作为基体的具体例子,例如可列举玻璃(例如PYREX(注册商标)玻璃、钠玻璃、石英玻璃)、金属(例如铁、不锈钢、铝、铜、黄铜等)、陶瓷(例如氧化铝、氧化锆、氧化硅)、以及树脂(例如聚酰亚胺树脂等)等耐热高分子。
作为上述涂布的方法,可以广泛使用能够形成涂布液的涂膜的方法,例如可列举旋涂法、浸涂法、喷涂法等通常使用的涂布方法。另外,优选在涂布该涂布液后,在室温常压下使薄膜自然干燥。然后,可以进行例如涂膜的烧制。
作为将金属络合物A~金属络合物C转变成化学式18表示的化合物的方法,例如有涂布该涂布液并对形成的涂膜进行烧制的方法。烧制温度优选例如250~1800℃的范围。如果烧制温度为250℃以上,则可以形成牢固致密的膜。如上所述,由于烧制温度可以为250℃左右的低温,因此如果使用本发明的涂布液,即使在不耐热的基材表面也可以形成金属化合物薄膜。另外,即使基体为钠玻璃,也可以不使用底涂层而形成金属化合物薄膜。烧制温度可以根据金属M的种类和期望的金属化合物薄膜的结晶相来进行调节。
本申请的第三个发明涉及根据上述第二个发明的金属化合物薄膜的形成方法所形成的金属化合物薄膜。
本发明的金属化合物薄膜不会产生裂纹,与基体的密合性优异,并且硬度高。此外,本发明的金属化合物薄膜是平滑的,且透明性高,因此,例如在玻璃表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持玻璃的透过性;在在镜子表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持镜子的反射率。此外,由于本发明的金属化合物薄膜可以不含粘合剂,因此所形成的薄膜中的金属化合物的浓度不会被粘合剂所稀释,金属化合物的作用(例如光催化作用)高。特别是,金属化合物为Nb化合物时,金属化合物薄膜的超亲水性显著。另外,金属化合物为Ti化合物且该金属化合物的化学式(化学式1~化学式3中的任一个)的X1~X4中的任一个为NH或S时,金属化合物薄膜成为响应可见光的光催化剂。
本申请的第四个发明涉及一种金属化合物薄膜包覆制品,其包括基体和根据上述第二个发明中金属化合物薄膜形成方法在基体表面上形成的金属化合物薄膜。
在本发明的金属化合物包覆制品中,金属化合物薄膜不会产生裂纹,与基体的密合性优异,并且硬度高。此外,本发明的金属化合物薄膜是平滑的,且透明性高,因此,例如在玻璃表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持玻璃的透过性;在在镜子表面上形成金属化合物薄膜时,可以保持镜子的反射率。此外,由于本发明的金属化合物薄膜可以不含粘合剂,因此所形成的薄膜中的金属化合物的浓度不会被粘合剂所稀释,金属化合物的作用(例如光催化作用)高。特别是,金属化合物为Nb化合物时,金属化合物薄膜的超亲水性显著。另外,金属化合物为Ti化合物且该金属化合物的化学式(化学式1~化学式3中的任一个)的X1~X4中的任一个为NH或S时,金属化合物薄膜成为响应可见光的光催化剂。
上述基体没有特别限定,但在由金属络合物A~金属络合物C转变为化学式18表示的金属化合物的过程中使用烧制法时,上述基体优选能够耐受烧制时的温度的物质。作为基体的具体例子,例如可列举玻璃(例如PYREX(注册商标)玻璃、钠玻璃、石英玻璃)、金属(例如铁、不锈钢、铝、铜、黄铜等)、陶瓷(例如氧化铝、氧化锆、氧化硅)、以及树脂(例如聚酰亚胺树脂等)等耐热高分子。
附图说明
[图1]是显示金属氧化物薄膜的表面的照片。
[图2]是金属氧化物薄膜在表面吸附了亚甲基蓝并且照射紫外线时,表示金属氧化物薄膜的吸光度变化的曲线图。
[图3]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图4]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图5]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图6]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图7]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图8]是表示钛-亚氨基二乙醇络合物的分子结构的说明图。
[图9]是显示金属氧化物薄膜表面的照片。
[图10]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图11]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图12]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图13]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图14]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图15]是表示金属氧化物薄膜表面的SEM图像以及表示元素分析结果的图表。
[图16]是表示金属氧化物薄膜的可见光吸收特性的图。
[图17]是表示金属氧化物薄膜的接触角变化的图。
具体实施方式
基于实施例说明本发明。
实施例1
(a)涂布液的制备
将邻苯二酚溶解在适量的二甲苯中,制备溶液,并向该溶液中滴加异丙醇钛(IV)(Titanium(IV)isopropoxide),其量为异丙醇钛(IV)与邻苯二酚的摩尔比为1:2,然后进行混合。将上述混合液回流约1小时,然后进行蒸馏直至蒸气温度为140℃。蒸馏后,将剩余的混合物在室温下放置一夜后,使用膜滤器将产生的沉淀物过滤。然后,将过滤得到的固体物质置于140℃的真空中,除去易挥发成分,使之干燥。该干燥一直持续到固体物质的量接近于理论值(约98%)。得到的固体物质为邻苯二酚钛。
接着,将1g上述邻苯二酚钛(换算成邻苯二酚钛为3.79mmol)溶解在乙酰丙酮和丙酮按体积比1:14的比例混合而得到的100ml混合液中,从而得到涂布液A。
此外,作为用于制作厚膜的涂布液,将1.32g上述邻苯二酚钛(换算成邻苯二酚钛为5.0mmol)溶解在乙酰丙酮和苯按体积比1:1的比例混合而得到的10ml混合液中,从而得到涂布液B。
(b)在玻璃基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法将上述(a)中制得的涂布液A涂布在PYREX(注册商标)玻璃制成的大小为50mm×50mm的基板表面上,形成涂膜。旋涂法的转速为1000rpm,涂布时间为30秒,且涂布液的滴加量约为0.5ml。
接着,对上述基板进行烧制。烧制分别按照下述所示的250℃条件、300℃条件、350℃条件和500℃条件下进行。
250℃条件:在空气氛围中,用1小时从室温升温至250℃,在250℃下保持25小时,最后用1小时冷却至室温。
300℃条件:在空气氛围中,用1小时从室温升温至300℃,在300℃下保持25小时,最后用1小时冷却至室温。
350℃条件:在空气氛围中,用1小时从室温升温至350℃,在350℃下保持25小时,最后用1小时冷却至室温。
500℃条件:在空气氛围中,用1小时从室温升温至500℃,在500℃下保持25小时,最后用1小时冷却至室温。
通过上述烧制,在玻璃基板表面形成了金属氧化物(TiO2)薄膜。
在按照下述条件形成厚膜。
500℃厚膜条件:使用旋涂法按照与上述同样的条件将上述(a)中制得的涂布液B涂布在由PYREX(注册商标)玻璃制成的大小为50mm×50mm的基板上,形成涂膜。然后在空气氛围中,用1小时从室温升温至500℃,在500℃下保持1小时,最后用1小时冷却至室温。由此,在PYREX(注册商标)玻璃基板上形成了金属氧化物(TiO2)的厚膜。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在上述(b)形成的金属氧化物薄膜中,使用光学显微镜分别观察使用涂布液A在500℃烧制条件下形成的金属氧化物薄膜、以及在500℃厚膜条件下形成的金属氧化物厚膜的表面。图1的上图是对在500℃烧制条件下使用涂布液A形成的金属氧化物薄膜的表面拍摄的照片;下图是对在500℃厚膜条件下形成的金属氧化物薄膜的表面拍摄的照片。如图1中的上下两个照片所示,任何一个金属氧化物薄膜都没有产生裂纹。
另外,测定了上述(b)中所形成的金属氧化物薄膜的硬度。其结果如表1所示
[表1]
如表1所示,在烧制条件为250℃条件、300℃条件、350℃条件和500℃条件中的任何一种烧制条件下,金属氧化物薄膜都具有H以上的硬度。另外,硬度的测定条件基于铅笔划痕试验(JIS K 5400)。表1中还给出了下述比较例2中制作的金属氧化物薄膜的测定结果。
测定上述(b)中形成的金属化合物薄膜的透明性,其浊度为0.1以下。另外,透明性的测定方法基于塑料-透明材料的雾度的确定方法(JIS K 7136)。
此外,上述(b)中形成的金属化合物薄膜平滑并且与玻璃基板的密合性优异。
(d)光催化作用的评价
(i)在上述(b)形成的金属氧化物薄膜中,测定烧制条件为500℃条件下的金属氧化物薄膜表面的水的接触角。测定分别在UV照射前及进行了规定时间的UV照射之后进行。需要说明的是,光源使用40W-BLB灯,UV照射的条件为:试样表面的UV强度为2.4mW/cm2。测定结果如表2所示。
[表2]
UV照射时间(小时) | 水接触角(°) |
0 | 64 |
1 | 10 |
2 | 10 |
3 | 7 |
6 | 3> |
24 | 3> |
如表2所示,接触角在UV照射前约为64°,但在UV照射1小时后金属氧化物的薄膜变成亲水以致接触角约为10°,在UV照射6小时后变成超亲水性,接触角为3°以下。该结果表明,该金属氧化物薄膜被光诱导为超亲水性。表2中还给出了后述的比较例2中制作的金属氧化物薄膜的测定结果。
在上述(b)形成的金属氧化物薄膜中,测定了烧制条件为300℃条件和350℃条件下形成的金属氧化物薄膜表面的水的接触角。测定分别在UV照射前(初期)、UV照射1小时、2小时和3小时后进行。需要说明的是,光源使用40W-BLB灯,UV照射的条件为:试样表面的UV强度为2.4mW/cm2。测定结果如表3所示。
[表3]
如表3所示,在烧制条件为300℃条件的情况下以及烧制条件为350℃条件下都可以实现接触角为10°以下的超亲水性。特别是在烧制条件为350℃的情况下,只照射1小时就可实现超亲水性。表3中还给出了后述比较例2中制作的金属氧化物薄膜的测定结果。
(ii)另外,按照上述(b)形成金属氧化物薄膜,并将在500℃条件下烧制的玻璃基板浸渍在0.1mM的亚甲基蓝水溶液中一夜,再用蒸馏水洗涤,然后测定玻璃基板的初期吸光度。接着,对金属氧化物薄膜进行UV照射,同时每经过规定时间间隔就测定玻璃基板的吸光度。结果如图2所示。需要说明的是,试验条件基于光催化制品的湿式分解性能试验方法(日本光催化工业会)。
如图2所示,在UV照射20分钟后,由亚甲基蓝产生的波长664nm附近的峰(吸光度)开始变小,随着UV照射时间的增加,吸光度持续减小。在开始UV照射24小时的时刻,波长664nm附近的峰减少至初始吸光度的大约三分之一。该结果表明,金属氧化物薄膜由于光催化作用而使亚甲基蓝分解。
从上述(i)和(ii)的实验结果可以确定,本实施例1所制作的金属氧化物薄膜具有较高的光催化活性。
实施例2
(a)涂布液的制备
将1.1g(10mmol)的邻苯二酚溶解在丙酮和苯按体积比1:1的比例混合而得到溶液中,制备混合液。向该混合溶液中滴加异丙醇钛(IV),其量为异丙醇钛(IV)与邻苯二酚的摩尔比为1:2,从而得到涂布液。另外,调节涂布液中的溶剂总量使得异丙醇钛(IV)的浓度为0.1M。本实施例2中制得的涂布液与上述实施例1的涂布液同样,是邻苯二酚钛溶液。
(b)在玻璃基板表面形成金属氧化物薄膜
与上述实施例1同样地,使用上述(a)中制得的涂布液,在由PYREX(注册商标)玻璃制成的大小为50mm×50mm的基板表面上形成金属氧化物薄膜。但是,涂布涂布液之后的烧制条件为上述500℃条件。
实施例2中形成的金属氧化物薄膜也具有与上述实施例1中相同的效果。
实施例3
(a)金属氧化物薄膜的形成
将上述实施例1(a)中制得的涂布液涂布在后述的由不同材料制成的基板上,然后烧制以形成金属氧化物薄膜。涂布液的涂布方法如下:基板的材质为玻璃纤维时使用滴涂法;基板的材质为其他材质时使用流涂法。另外,烧制条件均为上述的500℃条件。
(b)光催化活性的试验
(i)测量在UV照射之前以及照射10分钟后的上述(a)中形成的金属氧化物薄膜的水接触角。UV照射前的测定值(初期值)为20°以上且在照射10分钟后的值为5°以下时,金属氧化物薄膜的亲水性被评定为○。其结果如表4所示。
[表4]
基板的材质 | 亲水性试验 |
钠玻璃 | ○ |
PYREX(注册商标)玻璃 | ○ |
石英玻璃 | ○ |
瓷砖 | ○ |
铜 | ○ |
黄铜 | ○ |
铝 | ○ |
镍银合金(Ni-Al) | ○ |
如表4所示,当基板的材质是钠玻璃、PYREX(注册商标)玻璃、石英玻璃、瓷砖、铜、黄铜、铝或镍银合金(Ni-Ag)时,金属氧化物薄膜的亲水性评价结果均为○。
(ii)将上述(a)中的表面上形成有金属氧化物薄膜的基板浸渍于0.01M的硝酸银中,用UV光照射10分钟。如果在基板照射部分观察到银的粘附,则将光催化活性评价为○。结果如表5所示。
[表5]
基板的材质 | 亲水性试验 |
钠玻璃 | ○ |
PYREX(注册商标)玻璃 | ○ |
石英玻璃 | ○ |
瓷砖 | ○ |
铜 | ○ |
铝 | ○ |
镍银合金(Ni-Al) | ○ |
玻璃纤维 | ○ |
如表5所示,当基板的材质是钠玻璃、PYREX(注册商标)玻璃、石英玻璃、瓷砖、铜、铝、镍银合金(Ni-Ag)、玻璃纤维时,金属氧化物薄膜的亲水性评价结果均为○。
实施例4
(a)涂布液的制备
将仲丁醇铝(Alluminium(III)sec-butoxide)和适量的苯混合,将其作为溶液1。另外,将邻苯二酚溶解在适量的苯中,将其作为溶液2。向溶液2中滴加溶液1,使得仲丁醇铝和邻苯二酚的摩尔比为2:3,得到混合溶液。调节混合溶液中溶剂的总量,使得仲丁醇铝的浓度为0.2M。接着,将上述混合溶液回流约10分钟,然后加入苯使得铝的浓度为0.05M,得到涂布液。该涂布液为邻苯二酚铝络合物的溶液。
(b)在硅片基板的表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法将上述(a)中制备的涂布液涂布在硅片基板的表面(在1000rpm下进行30秒)。然后将硅片基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在使用上述(b)中的旋涂法涂布涂布液后,观察硅片基板的表面,其表面均匀光滑。
另外,在上述(b)中烧制后,对硅片基板的表面进行SEM观察,同时使用能量分散型X射线分光法(EDAX)进行元素分析。图3~5的上面部分为所观察到的SEM图像(同一区域的图像),可看到该图像中白色部分和黑色部分混合存在。在图3的SEM图像中,表示为光谱4的部分为看上去是白色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si(图3的中部和下部)。图4的SEM图像中,表示为光谱3的部分为看上去是黑色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si和来自金属氧化物薄膜的A1(图4的中部和下部)。图5的SEM图像中,表示为光谱2的区域包含看上去为黑色的部分和看上去为白色的部分,对该区域进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si和来自金属氧化物薄膜的A1(图5的中部和下部)。由上述结果可以确定,在硅片基板上形成了均匀的氧化铝薄膜。
实施例5
(a)涂布液的制备
向甲苯中溶解有邻苯二酚的溶液中滴加乙醇铌(V)(niobium(V)ethoxide),并使乙醇铌(V)与邻苯二酚的摩尔比为1:2,得到混合溶液。另外,调节该混合溶液中的溶剂总量使得乙醇铌(V)的浓度为0.1M。接着,对上述混合溶液进行蒸馏直至溶剂的一半被蒸发,蒸馏时的蒸气温度为110℃。然后加入甲苯调节铌的浓度为0.05M,得到涂布液。该涂布液为铌的邻苯二酚络合物的溶液。
(b)在硅片基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(在1000rpm下进行30秒)将上述(a)中制备的涂布液涂布在硅片基板的表面。然后将硅片基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在使用上述(b)中的旋涂法涂布涂布液后,观察硅片基板的表面,其表面均匀光滑。
另外,在上述(b)的烧制后,对硅片基板的表面进行SEM观察,同时使用能量分散型X射线分光法(EDAX)进行元素分析。图6的上面部分的图像为所观察的SEM图像,在该SEM图像上没有观察到不均匀图案。对该SEM图像上的规定区域进行元素分析时,如图6的中部和下部所示,检测到Nb、Si、O和C。由上述结果可以确定,在硅片基板上形成了均匀的Nb2O5膜。
实施例6
(a)涂布液的制备
将原硅酸四乙酯(TEOS-Tetraethyl Orthosilicate)滴加到在适量的二甲苯中溶解了邻苯二酚而得到的溶液中,并使原硅酸四乙酯与邻苯二酚的摩尔比为1:2,得到混合溶液。调节该混合溶液中的溶剂总量使得原硅酸四乙酯的浓度为0.1M。接着,将上述混合溶液回流约1小时,再进行蒸馏。蒸馏持续到溶剂的一半被蒸发,蒸馏时的蒸气温度为140℃。然后加入二甲苯调节硅的浓度为0.05M,由此得到涂布液。该涂布液为硅的邻苯二酚络合物的溶液。
(b)在铝基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(在1000rpm下进行30秒)将上述(a)中制备的涂布液涂布在铝基板的表面。然后将铝基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在使用上述(b)中的旋涂法涂布涂布液后,观察铝基板的表面,其表面均匀光滑。
在上述(b)的烧制后,对铝基板的表面进行SEM观察,同时使用能量分散型X射线分光法(EDAX)进行元素分析。图7的上半部分的图像为SEM图像,在该SEM图像上没有观察到不均匀的图案。对图7的SEM图像中表示为光谱3的区域进行元素分析时,检测到来自铝基板的Al和来自金属氧化物薄膜的Si(图7的中部和下部)。由上述结果可以确定,在铝基板上形成了均匀的Si的氧化物薄膜。
实施例7
(a)涂布液的制备
将丙醇锗(IV)(Germanium(IV)propoxide)滴加到在二甲苯中溶解了邻苯二酚而得到的溶液中,并使丙醇锗(IV)与邻苯二酚摩尔比为1:2,从而得到混合溶液。另外,调节该混合溶液中的溶剂总量使得丙醇锗(IV)的浓度为0.1M。上述混合溶液回流约1小时后,再进行蒸馏。蒸馏持续到溶剂的一半被蒸发,蒸馏时的蒸气温度为140℃。然后加入二甲苯调节锗的浓度为0.05M,由此得到涂布液。该涂布液为锗的邻苯二酚络合物的溶液。
(b)在铝基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(在1000rpm下进行30秒)将上述(a)中制备的涂布液涂布在铝基板的表面。然后将铝基板在上述500℃条件下烧制。
实施例8
(a)涂布液的制备
将邻苯二酚溶解在甲苯中,制备溶液,向该溶液中滴加乙醇铌(V)(niobium(V)ethoxide)并使乙醇铌(V)与邻苯二酚的摩尔比为2:5,由此得到混合溶液。调节该混合溶液中的溶剂总量使得乙醇铌(V)的浓度为0.5M。然后蒸馏去该溶液的一半,确认蒸馏时的蒸气温度为100℃,蒸馏后混合液中残余的易挥发组分在减压条件下使用旋转蒸发器蒸发除去,再使用真空干燥仪在真空下将残余固体加热到100℃,彻底除去残余的易挥发组分。持续干燥直至得到接近理论值(约98%)的固体物质(乙醇铌)。
在本实施例8中,可以从乙醇铌(V)(50.0g,0.157mol)、邻苯二酚(43.3g,0.939mol)和甲苯(320mL)的溶液中得到56.0g(收率98%)的固体物质(邻苯二酚铌)。将得到的固体物质(邻苯二酚铌)溶解在乙酰丙酮与甲苯按体积比1:4的比例混合而得到的混合溶液中,调节铌在混合溶液中的浓度为0.10M或4wt%,制成涂布液。
(b)金属氧化物薄膜的形成
使用旋涂法将上述(a)中制得的涂布液涂布在由钠钙玻璃(SLG)或PYREX(注册商标)玻璃制成的长宽为50mm×50mm、厚度为3mm的基板表面上,形成涂膜。旋涂法中的转速设定为750rpm,且滴加量约为0.4ml。
使用电炉在空气中对涂有该涂布液的涂敷玻璃基板进行烧制,得到涂敷有Nb2O5的玻璃。关于烧制条件,以10℃/min的升温速度升温至规定的烧制温度(300、350、400、450、500、550、600℃),然后在该烧制温度下保持1小时,然后自然冷却。烧制后,可以在涂敷玻璃基板上得到良好的氧化铌薄膜。
(c)金属氧化物(氧化铌)薄膜的评价
(i)总透光度、浊度、色差的测定
测定上述(b)中表面上形成了氧化铌薄膜的涂敷玻璃的总透光度、浊度和色差。另外,总透光度和浊度使用日本电色工业株式会社制造的NDH-500W并基于JIS K7136来测定。此外,色差使用日本电色工业株式会社制造的SE-2000并基于JIS Z 8722来测定。其结果如下述表6所示。
[表6]
金属氧化物 | 基板 | 烧制温度(℃) | 总透光度(%) | 浊度(%) | 色差(ΔE) |
Nb2O5 | SLG | 300 | 79.79 | 0.25 | 11.39 |
Nb2O5 | SLG | 350 | 81.09 | 0.23 | 9.17 |
Nb2O5 | SLG | 400 | 82.03 | 0.20 | 7.02 |
Nb2O5 | SLG | 450 | 86.76 | 0.17 | 2.54 |
Nb2O5 | SLG | 500 | 86.48 | 040 | 2.52 |
Nb2O5 | SLG | 550 | 86.47 | 020 | 2.49 |
Nb2O5 | SLG | 600 | 85.08 | 0.17 | 3.44 |
Nb2O5 | PYR | 500 | 87.95 | 0.14 | 1.79 |
*SLG=钠钙玻璃PYR=PYREX
(ii)硝酸银的光诱导还原反应试验(氧化铌)
将上述(b)中表面上形成有氧化铌薄膜的涂敷玻璃浸渍在0.01M的硝酸银水溶液中,且涂敷玻璃位于水面以下50mm处。在这种状态下,照射人造太阳光1小时,评价有无由光催化反应导致的金属银的析出(即光催化活性)。结果如下述表7所示。另外,银的析出(有无反应)通过肉眼确认。
[表7]
金属氧化物 | 基板 | 烧制温度(℃) | 银析出* |
Nb2O5 | SLG | 300 | × |
Nb2O5 | SLG | 350 | × |
Nb2O5 | SLG | 400 | × |
Nb2O5 | SLG | 450 | × |
Nb2O5 | SLG | 500 | ○ |
Nb2O5 | SLG | 550 | ○ |
Nb2O5 | SLG | 600 | ○ |
Nb2O5 | PYR | 500 | × |
*存在银析出:○;没有银析出:×
(iii)光诱导超亲水性的试验
对上述(b)中形成有氧化铌薄膜的涂敷玻璃进行UV照射,测定照射前后水的接触角的变化。其结果如下述表8所示。UV照射使用40W-BLB灯在2.4mW/cm2的强度(光的波长365nm处的强度)下进行。另外,接触角的测定分别在照射前、照射1小时、2小时、3小时、6小时和24小时后进行。
[表8]
(iv)试验结果
当基体为钠钙玻璃时,光催化活性非常显著,特别是,在烧制温度为500℃以上时,光催化活性更加显著。另外,无论烧制温度高低,都显示超亲水性,特别是,当烧制温度为500~550℃时,超亲水性显著。在烧制温度为600℃时,作为亲水性不良的原因,认为可能是由于氧化铌转变成其他的结晶体系。
由上述结果可以确认,氧化铌薄膜作为光自清洗性涂膜是有效的。
实施例9
向10mL的甲苯/2-丁酮(摩尔比1:1)溶剂中加入2-氨基苯酚(218mg,2mmol)和异丙醇钛(IV)(TTIP)(284mg,1mmol),然后利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。结果在玻璃基板上形成了金属氧化物(CNO-Ti)薄膜。
使用可见/紫外分光光度计(U-3310,Hitachi High-TechnologiesCorporation)测定上述的表面形成有金属氧化物薄膜的玻璃基板的吸光度光谱,评价金属氧化物薄膜的可见光吸收特性(参照图16)。
另外,按照以下的方法评价所形成的金属氧化物薄膜的可见光响应性(光诱导亲水性)。即,在对金属氧化物薄膜照射可见光后,测定水的接触角,评价光诱导亲水性(参见图17)。其中,使用荧光灯(20000 1x)作为光源,并且波长为420nm以下的光被过滤掉。另外,接触角测定计使用Dataphysics公司制造的OCA 15plus。
可见/紫外分光光度计的测定结果显示,金属氧化物薄膜的吸收端的初期增加为400~450nm附近(与通常的氧化钛薄膜相比,金属氧化物薄膜的可见光吸收特性高)。经除去波长为420nm以下的紫外光的光照射后的水接触角比照射前的值小,且随着照射时间的增加变得更小。这表明作为光催化活性之一的光诱导亲水性通过可见光而表现出来。
实施例10
向10mL的甲苯溶剂中加入2-氨基苯酚(250mg,2mmol)和TTIP(284mg,1mmol),利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。其结果,在玻璃基板上形成了金属氧化物(CNS-Ti)薄膜。
对于上述形成的金属氧化物薄膜,与上述实施例9同样地,对其可见光吸收特性和光诱导亲水性进行评价(参照图16和17)。结果与实施例9中的结果大致相同。
实施例11
向10mL的甲苯溶剂中加入2-巯基苯酚(252mg,2mmol)和TTIP(284mg,1mmol),利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。其结果,在玻璃基板上形成了金属氧化物(COS-Ti)薄膜。
对于上述形成金属氧化物薄膜,与上述实施例9同样地,对其可见光吸收特性和光诱导亲水性进行评价(参见图16和17)。结果与实施例9中的结果大致相同。
实施例12
向10mL的甲苯/2-丁酮(摩尔比1:1)溶剂中加入邻氨基苯甲酸(274mg,2mmol)和TTIP(284mg,1mmol),利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。其结果,在玻璃基板上形成了金属氧化物(ANT-Ti)薄膜。
对于上述形成金属氧化物薄膜,与上述实施例9同样地,对其可见光吸收特性和光诱导亲水性进行评价(参见图16和17)。结果与实施例9中的结果大致相同。
实施例13
向10mL的甲苯/2-丁酮(摩尔比1:1)溶剂中加入硫代水杨酸(308mg,2mmol)和TTIP(284mg,1mmol),利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。其结果,在玻璃基板上形成了金属氧化物(TAL-Ti)薄膜。
对于上述形成金属氧化物薄膜,与上述实施例9同样地,对其可见光吸收特性和光诱导亲水性进行评价(参见图16和17)。结果与实施例9中的结果大致相同。
实施例14
向10mL的乙酰丙酮/乙酸乙酯(摩尔比1:4)溶剂中加入3,4-二羟基苯甲酸-钛络合物(176mg,,1mmol),利用超声波使试剂溶解,制成涂布液。然后使用旋涂法在PYREX(注册商标)玻璃基板上涂布涂布液,使用电炉在500℃下烧制1小时。其结果,在玻璃基板上形成了金属氧化物(HOOC-CT-Ti)薄膜。
对于上述形成金属氧化物薄膜,与上述实施例9同样地,对其可见光吸收特性和光诱导亲水性进行评价(参见图16和17)。结果与实施例9中的结果大致相同。
(比较例1)
(a)涂布液的制备
将异丙醇钛(IV)加入到在适量的甲苯中溶解了2,2’-亚氨基二乙醇而得到的溶液中,得到混合溶液。另外,调节该混合溶液中的溶剂总量使得异丙醇钛(IV)的浓度为0.5M。接着,将上述混合溶液回流大约1小时,然后进行蒸馏。蒸馏持续到混合溶液的量剩下一半,且蒸馏时的蒸气温度为110℃。然后,向上述混合液中以混合液1mL:1mL苯的比例加入苯,得到涂布液。该涂布液为2,2’-亚氨基二乙醇合钛(titanium 2,2’-iminodiethoxide)(钛-亚氨基二乙醇络合物)的溶液。图8示出了2,2’-亚氨基二乙醇合钛的分子结构。
(b)在玻璃基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(以1000rpm进行30秒钟,加入约0.5mL)将上述(a)中制备的涂布液涂布在玻璃基板(50mm×50mm的PYREX(注册商标)玻璃)。然后将玻璃基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
利用光学显微镜观察上述(b)中形成的金属氧化物薄膜。图9是金属氧化物薄膜表面的照片。如图9所示,在金属氧化物薄膜表面产生大量裂纹。
认为其理由如下。即,如图3所示,本比较例1中的涂布液所含的2,2’-亚氨基二乙醇合钛具有金属位于中心的立体结构。因此,在对由2,2’-亚氨基二乙醇合钛形成的薄膜进行烧制,由于热分解使配位体消失,造成了在三维方向产生较大体积的收缩,结果产生了裂纹。
(比较例2)
(a)涂布液的制备
用乙醇将1重量%的TNS(氧化钛纳米片)的水悬浮液稀释到0.25重量%,使用超声波对其照射5分钟,得到涂布液。
(b)在玻璃基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(以1000rpm进行30秒钟,加入约0.5mL)将上述(a)中制备的涂布液涂布在玻璃基板(50mm×50mm的PYREX(注册商标)玻璃)的表面,然后对该玻璃基板进行烧制。烧制分别在上述250℃条件、300℃条件、350℃条件下进行。
(c)金属氧化物薄膜的评价
测定上述(b)中形成的各金属氧化物薄膜的硬度。其结果如上述表1所示。如表1所示,在烧制条件为250℃条件、300℃条件和350℃条件的任一情况下,本比较例2中的各金属氧化物薄膜的硬度均为6B以下。另外,测定条件与实施例1中的测定条件相同。
对于上述(b)中的金属氧化物薄膜,测定了与水的接触角。测定结果如上述表3所示。
如上述表3所示,在烧制条件为300℃条件或350℃条件时,照射3小时后的接触角均为4.9°,与上述实施例1中的接触角为同等程度。
(比较例3)
(a)涂布液的制备
将仲丁醇铝(Alluminium(III)sec-butoxide)和适量的苯混合,将其作为溶液1。另外,将2,2’-亚氨基二乙醇溶解在适量的苯中,将其作为溶液2。向溶液2中滴加溶液1,使得仲丁醇铝和2,2’-亚氨基二乙醇的摩尔比为2:3,得到混合溶液。调节该混合溶液中溶剂的总量,使得仲丁醇铝的浓度为0.1M。然后,将上述混合溶液回流大约1小时,再在110℃温度下蒸馏大约1小时,直至混合液量剩下一半。然后加入苯使得铝的浓度为0.05M,得到涂布液。该涂布液是铝的2,2’-亚氨基二乙醇络合物的溶液。
(b)在硅片基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(在1000rpm下进行30秒钟)将上述(a)中制备的涂布液涂布在硅片基板的表面。然后将硅片基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在使用上述(b)中的旋涂法涂布涂布液后,观察硅片基板的表面,其表面均匀光滑。
另外,在上述(b)的烧制后,对硅片基板表面进行SEM观察,同时使用能量分散型X射线分光法(EDAX)进行元素分析。图10~图13的上面的图像是所观察的SEM图像(图10和图11为同一区域的SEM照片,图12和图13为同一区域的SEM照片)。图10和图11的SEM图像中看上去为白色的部分和看上去为黑色的部分混合存在。另外,图12和图13的SEM图像中存在几十微米的尺度上肉眼观察有差异的区域。
在图10的SEM图像中,表示为光谱2的区域是看上去为黑色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si和来自金属氧化物薄膜的Al(图10的中部和下部)。图11的SEM图像中,表示为光谱3的区域是看上去为白色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si(图11的中部和下部)。另外,对图12的SEM图像中表示为光谱3的区域中进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si和来自金属氧化物薄膜的Al(图12的中部和下部)。对图13的SEM图像中表示为光谱3的区域进行元素分析时,检测到来自硅片基板的Si(图13的中部和下部)。
如上所述,不仅在微观的尺度上存在未检测到Al的部分(看上去为白色的部分)(图11的元素分析结果),而且对于比较广的区域,也存在未检测到Al的部分(图13的元素分析结果),从这些结果可知,形成在硅片基板上的Al2O3的氧化物薄膜非常不均匀。
(比较例4)
(a)涂布液的制备
将原硅酸四乙酯(TEOS-Tetraethyl Orthosilicate)滴加到2,2’-亚氨基二乙醇溶解在适量的二甲苯中而得到的溶液中,并使原硅酸四乙酯与2,2’-亚氨基二乙醇摩尔比为1:2,得到混合溶液。调节该混合溶液中的溶剂总量使得原硅酸四乙酯的浓度为0.1M。接着,将上述混合溶液回流大约1小时后,进行蒸馏。蒸馏持续到一半溶剂被蒸发,蒸馏时的蒸气温度为140℃。然后加入二甲苯调节硅的浓度为0.05M,得到涂布液。该涂布液为硅的2,2’-亚氨基二乙醇络合物的溶液。
(b)在铝基板表面形成金属氧化物薄膜
使用旋涂法(以1000rpm进行30秒钟)将上述(a)中制备的涂布液涂布在铝基板的表面。然后将铝基板在上述500℃条件下烧制。
(c)金属氧化物薄膜的评价
在使用上述(b)中的旋涂法涂布涂布液后,观察铝基板的表面,其表面均匀光滑。
此外,在上述(b)的烧制后,对铝基板的表面进行SEM观察,同时使用能量分散型X射线分光法(EDAX)进行元素分析。图14和图15中上面的图像是SEM图像(同一部分的图像),在该SEM图像中,看上去为白色的部分和看上去为黑色的部分混合存在。在图14的SEM图像中,表示为光谱2的部分是看上去为白色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自铝基板的Al(图14的中部和下部)。在图15的SEM图像中,表示为光谱2的部分是看上去为黑色的部分,对该部分进行元素分析时,检测到来自铝基板的Al和来自金属氧化物薄膜的Si(图15的中部和下部)。
从上述结果可知,在铝基板上混合存在未形成Si的氧化物薄膜的部分(SEM图像上看起来为白色的部分)和形成Si的氧化物薄膜的部分(SEM图像上看起来为黑色的部分),Si的氧化物薄膜是不均匀的。
(比较例5)
(a)涂布液的制备
将丙醇锗(IV)(Germanium(IV)propoxide)滴加到在适量的二甲苯中溶解了二乙醇胺而得到的溶液中,并使丙醇锗(IV)与二乙醇胺摩尔比为1:2,得到混合溶液。调节该混合溶液中的溶剂总量使得丙醇锗(IX)的浓度为0.1M。将上述混合溶液回流大约1小时后,进行蒸馏。蒸馏持续到一半溶剂被蒸发,蒸馏时的蒸气温度为140℃。然后加入二甲苯调节锗的浓度至0.05M,得到涂布液。该涂布液为锗的2,2’-亚氨基二乙醇络合物的溶液,但由于凝胶化,不能涂布在基板上。
需要指出的是,本发明并不局限于上述实施例,可以在不超出本发明的范围内以各种方式实施。
例如,上述各实施例中的金属络合物或者包含该金属络合物的涂布液,可以是按照下述方法制备的。使用这些金属络合物或者涂布液,能够获得与上述各实施例中几乎一样的效果。
(1)邻苯二酚钛(分子量:264)
通过对邻苯二酚(22.0g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去20mL以脱水。接着,边搅拌边加入28.4g(100mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏直至溶液的量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余的固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钛络合物)为茶色,其收量为26.0g(98.5mmol),收率为98%。将2.64g邻苯二酚-钛络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(2)2,3-二萘酚钛(titanium naphthalene-2,3-dioxide)(分子量:366)
通过对2,3-二羟基萘(32.0g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去20mL以脱水。然后,边搅拌边加入28.4g(100mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(2,3-二羟基萘-钛络合物)为茶色,其收量为36.2g(98.9mmol),收率为99%。将3.66g 2,3-二羟基萘-钛络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(3)氰基邻苯二酚钛(分子量:314)
通过对3,4-二羟基苯甲腈(5.00g,37.0mmol)和甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入5.25g(18.5mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(3,4-二羟基苯甲腈-钛络合物)为茶色,其收量为5.80g(18.5mmol),收率为100%。将3.14g 3,4-二羟基苯甲腈-钛络合物溶解在100mL的乙醇中,制成涂布液。
(4)羧基邻苯二酚钛(分子量352)
通过对3,4-二羟基苯甲酸(30.8g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入28.4g(100mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(3,4-二羟基苯甲酸-钛络合物)为茶色,其收量为35.0g(99.4mmol),收率为99%。将3.52g 3,4-二羟基苯甲酸-钛络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/乙酸乙酯(1:4)中,制成涂布液。
(5)硝基邻苯二酚钛(分子量354)
通过对4-硝基邻苯二酚(10g,64.5mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去20mL以脱水。然后,边搅拌边加入9.15g(32.2mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(4-硝基邻苯二酚-钛络合物)为茶色,其收量为11.0g(31.1mmol),收率为97%。将3.54g 4-硝基邻苯二酚-钛络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(6)吡啶-2,3-二醇钛(titanium pyridine-2,3-dioxide)(分子量:266)
通过对2,3-二羟基吡啶(22.2g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入28.4g(100mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(2,3-二羟基吡啶-钛络合物)为黄色,其收量为26.6g(100mmol),收率为100%。
(7)1,4-二噁烷-2,3-二醇钛(titanium 1,4-dioxane-2,3-dioxide)(分子量:284)
通过对1,4-二噁烷-2,3-二醇(10.0g,83.3mmol)和甲苯(90ml)的溶液蒸馏除去6mL以脱水。然后,边搅拌边加入11.8g(41.6mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(1,4-二噁烷-2,3-二醇-钛络合物)为茶色,其收量为12.2g(35.9mmol),收率为86%。
(8)水杨酸钛(分子量:320)
通过对水杨酸(27.6g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去20mL以脱水。然后,边搅拌边加入28.4g(100mmol)的异丙醇钛(IV)(TTIP)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(水杨酸-钛络合物)为红色,其收量为32.0g(100mmol),收率为100%。将3.20g水杨酸-钛络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(9)邻苯二酚锆
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入5.00g(10.6mmol)的异丙醇锆(IV)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-锆络合物)为黑色,其收量为3.07g(10.0mmol),收率为100%。
(10)邻苯二酚铪
通过对邻苯二酚(2.34g,2.12mmol)和甲苯(26ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入5.00g(10.6mmol)的丁醇铪(IV)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铪络合物)为黑色,其收量为4.18g(10.6mmol),收率为100%。将邻苯二酚-铪络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(11)邻苯二酚钒(分子量:213)
通过对邻苯二酚(3.30g,30.0mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入6.97g(20mmol)的乙酰丙酮合钒(III)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钒络合物)为黑色,其收量为4.26g(20.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-钒络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(12)邻苯二酚铌(分子量:363)
通过对邻苯二酚(8.64g,78.5mmol)和甲苯(70ml)的溶液蒸馏除去10mL以脱水。然后,边搅拌边加入10.0g(31.4mmol)的乙醇铌(V)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为110℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铌络合物)为茶色,其收量为11.4g(31.4mmol),收率为100%。将3.63g邻苯二酚-铌络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(13)邻苯二酚钽(分子量:451)
通过对邻苯二酚(5.51g,50.0mmol)和甲苯(50ml)的溶液蒸馏除去10mL以脱水。然后,边搅拌边加入8.13g(20.0mmol)的乙醇钽(V)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为110℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钽络合物)为黄色,其收量为9.02g(20.0mmol),收率为100%。将4.51g邻苯二酚-钽络合物溶解在100mL的乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(14)邻苯二酚钼(二氧)(分子量:236)
通过对邻苯二酚(1.10g,10.0mmol)和二甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.26g(10.0mmol)的二氧双乙酰丙酮合钼(IV)(dioxymolybdenum(IV)bisacetyl acetonate)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钼络合物)为黑色,其收量为3.26g(10.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-钼络合物溶解在乙醇中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(15)邻苯二酚钨(分子量400)
将邻苯二酚(2.20g,20mmol)混合到二甲苯(60ml)与2-丙醇(20ml)的溶液中。然后,边搅拌边加入3.26g(10mmol)的氯化钨(IV)。将该混合溶液回流1小时,然后蒸馏直至溶液量变为10mL。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钨络合物)为黑色,其收量为4.00g(10.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-钨络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(16)邻苯二酚锰(分子量:163)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.46g(20mmol)的醋酸锰(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-锰络合物)为绿色,其收量为3.26g(20.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-锰络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(17)邻苯二酚铁(分子量:164)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.48g(20mmol)的醋酸铁(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铁络合物)为橙色或茶色,其收量为3.28g(20.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-铁络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(18)邻苯二酚钴(分子量:167)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.54g(20mmol)的醋酸钴(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钴络合物)为绿色,其收量为3.34g(20.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-钴络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,得到涂布液。
(19)邻苯二酚铜(分子量:171.6)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入2.50g(20mmol)的甲醇铜(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铜络合物)为紫色,其收量为3.30g(19.2mmol),收率为96%。将邻苯二酚-铜络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(20)邻苯二酚锌(分子量:173)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.76g(20mmol)的醋酸锌(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-锌络合物)为白色,其收量为3.46g(20.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-锌络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(21)邻苯二酚铝(分子量:189)
通过对邻苯二酚(3.30g,30.0mmol)和甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入4.08g(20mmol)的异丙醇铝(III)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铝络合物)为绿色,其收量为78g(20.0mmol),收率为100%。将1.89g邻苯二酚-铝络合物溶解在100mL乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(22)邻苯二酚镓(III)(分子量:232)
通过对邻苯二酚(1.65g,15mmol)和二甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.67g(10mmol)的乙酰丙酮合镓(III)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-镓络合物)为灰色,其收量为2.32g(10.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-镓络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(23)邻苯二酚铟(III)(分子量:277)
通过对邻苯二酚(3.30g,30mmol)和二甲苯(90ml)的溶液蒸馏除去10mL以脱水。然后,边搅拌边加入5.84g(20mmol)的醋酸铟。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铟络合物)为绿色,其收量为5.54g(20.0mmol),收率为100%。将6.93g邻苯二酚-铟络合物溶解在100mL乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(24)邻苯二酚硅(IV)(分子量:244)
通过对邻苯二酚(22.0g,0.20mol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去20mL以脱水。然后,边搅拌边加入20.8g(0.10mmol)的四乙氧基硅烷(TEOS)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上以15mL/h的液体流速蒸馏,直至溶液量变为100mL。结果得到邻苯二酚-硅络合物的甲苯溶液。向2mL该邻苯二酚-硅络合物的甲苯溶液中加入2mL的乙酰丙酮,制成涂布液。
(25)羰基邻苯二酚硅(IV)(分子量:300)
通过对3,4-二羟基苯甲醛(27.6g,200mmol)和甲苯(220ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入20.8g(100mmol)的四乙氧基硅烷(TEOS)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(3,4-二羟基苯甲醛-硅络合物)为黑色,其收量为30.0g(100mmol),收率为100%。将15g 3,4-二羟基苯甲醛-硅络合物溶解在100mL二甲亚砜/乙醇(1:9)中,制成涂布液。
(26)邻苯二酚锗(分子量:288.6)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.09g(10.0mmol)的异丙醇锗(IV)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-锗络合物)为灰色,其收量为2.89g(10.0mmol),收率为100%。将邻苯二酚-锗络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(27)邻苯二酚锡(分子量:335)
通过对邻苯二酚(2.20g,20.0mmol)和甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入4.11g(10.0mmol)的丁醇锡(IV)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-锡络合物)为绿色,其收量为3.35g(10.0mmol),收率为100%。将6.70g邻苯二酚-锡络合物溶解在100mL乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
(28)邻苯二酚铋(分子量:371)
通过对邻苯二酚(1.65g,15mmol)和二甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入4.70g(10mmol)的戊醇铋(III)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用旋转蒸发器在减压下使残留的混合液中的易挥发组分蒸发。再使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铋络合物)为黑色,其收量为3.71g(10mmol),收率为100%。将邻苯二酚-铋络合物溶解在乙醇中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(29)邻苯二酚镁(分子量:132)
通过对邻苯二酚(2.20g,20mmol)和甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入2.29g(20mmol)的乙醇镁(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-镁络合物)为黑色,其收量为2.57g(19.5mmol),收率为97%。将邻苯二酚-镁络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(30)邻苯二酚钡(分子量:245)
通过对邻苯二酚(1.37g,12.5mmol)和甲苯(25ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入3.20g(12.5mmol)的异丙醇钡(II)。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为100℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-钡络合物)为灰绿色,其收量为3.08g(12.5mmol),收率为100%。将邻苯二酚-钡络合物溶解在乙酰丙酮中直至饱和,再过滤得到涂布液。
(31)邻苯二酚铕(III)(分子量:314)
通过对邻苯二酚(3.30g,30mmol)和二甲苯(45ml)的溶液蒸馏除去5mL以脱水。然后,边搅拌边加入6.58g(20mmol)的醋酸铕。将该混合溶液回流1小时,然后在蒸馏温度为132℃以上进行蒸馏,直至溶液量变为一半。蒸馏后,使用膜滤器进行抽滤,分离出生成物的固体成分。使用真空干燥机在真空下将残余固体成分加热至100℃,彻底除去残余的易挥发组分。固体成分(邻苯二酚-铕络合物)为黄色,其收量为6.28g(20mmol),收率为100%。将0.314g邻苯二酚-铕络合物溶解在10mL乙酰丙酮/甲苯(1:4)中,制成涂布液。
Claims (19)
1.一种涂布液,该涂布液包含选自化学式1表示的金属络合物A、化学式2表示的金属络合物B和化学式3表示的金属络合物C中的一种以上金属络合物,
化学式1:
化学式2:
化学式3:
其中,化学式1、化学式2、化学式3中的M是金属离子;化学式1、化学式2、化学式3中的X1~X4分别是O、NH、CO2和S中的任一个;化学式1中的Y1~Y8和化学式3中的Y1~Y4分别是CH或N;化学式2和化学式3中的Z1~Z3以及化学式2中的Z4~Z6中每组中的一个选自O、NH和S,另两个选自CH和N;化学式1、化学式2、化学式3中的L是轴向配位体;
化学式1、化学式2、化学式3中的k是金属络合物的价数,且等于M、X1-X4和L所具有的电荷总和。
2.权利要求1所述的涂布液,其中,上述M是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta和Pb中的一种以上的金属离子。
4.权利要求3所述的涂布液,其中,上述M是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta和Pb中的一种以上的金属离子。
6.权利要求5所述的涂布液,其中,上述M是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta和Pb中的一种以上的金属离子。
8.权利要求7所述的涂布液,其中,上述M是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta和Pb中的一种以上的金属离子。
12.一种涂布液,其是将含有金属烷氧化物或金属盐的溶液和化学式19~化学式30中的任一个所表示的配位体混合而得到。
13.权利要求12所述的涂布液,其中,上述金属是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta和Pb中的一种以上的金属。
14.一种金属化合物薄膜的形成方法,该方法包括:
将权利要求1~13中任一项所述的涂布液涂布在基体上而形成涂膜,并使上述涂膜中含有的金属络合物转变为化学式18表示的金属化合物,
化学式18:
化学式18中的X5和X6分别是上述X1~X4中包含的O、N和S中的任一个;1、m和n分别是X5、X6和M的价数;另外,x和y分别是X5和X6在上述金属化合物中的含有率,x和y之和是不超过1的值。
15.权利要求14所述的金属化合物薄膜的形成方法,其中,通过烧制使上述金属络合物变成上述金属化合物。
16.权利要求15所述的金属化合物薄膜的形成方法,其中,上述烧制的温度在250℃~1800℃的范围。
17.利用权利要求14~16中任一项所述的金属化合物薄膜的形成方法所形成的金属化合物薄膜。
18.一种包覆有金属化合物薄膜的制品,其包括:
基体;和
利用权利要求14~16中任一项所述的金属化合物薄膜的形成方法在基体表面上形成的金属化合物薄膜。
19.权利要求18所述的包覆有金属化合物薄膜的制品,其中,上述基体为树脂、金属、陶瓷和玻璃中的任意一种。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193415 | 2006-07-13 | ||
JP193415/2006 | 2006-07-13 | ||
PCT/JP2006/325082 WO2008007451A1 (fr) | 2006-07-13 | 2006-12-15 | Solution de revêtement, couche mince d'oxyde de titane formée en utilisant la solution de revêtement et procédé de formation de la couche mince |
JPPCT/JP2006/325082 | 2006-12-15 | ||
PCT/JP2006/325783 WO2008007453A1 (fr) | 2006-07-13 | 2006-12-25 | Liquide de revêtement, couche mince d'oxyde de titane formée en utilisant le liquide de revêtement et son procédé de formation |
JPPCT/JP2006/325783 | 2006-12-25 | ||
JPPCT/JP2007/051618 | 2007-01-31 | ||
PCT/JP2007/051618 WO2008007469A1 (fr) | 2006-07-13 | 2007-01-31 | Fluide de revêtement, film mince conducteur formé à partir du fluide de revêtement, et procédé de formation de ce dernier |
PCT/JP2007/063929 WO2008007751A1 (fr) | 2006-07-13 | 2007-07-12 | Liquide de revêtement, couche mince de composé métallique formée en utilisant le liquide de revêtement et son procédé de formation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101489920A true CN101489920A (zh) | 2009-07-22 |
CN101489920B CN101489920B (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=38923024
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800553427A Expired - Fee Related CN101484387B (zh) | 2006-07-13 | 2006-12-15 | 涂布液、使用该涂布液形成的氧化钛薄膜及其形成方法 |
CN2006800553338A Expired - Fee Related CN101484386B (zh) | 2006-07-13 | 2006-12-25 | 涂布液、使用该涂布液形成的氧化钛薄膜及其形成方法 |
CN2007800265227A Expired - Fee Related CN101490309B (zh) | 2006-07-13 | 2007-01-31 | 涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法 |
CN2007800265212A Expired - Fee Related CN101489920B (zh) | 2006-07-13 | 2007-07-12 | 涂布液、使用涂布液形成的金属化合物薄膜及其形成方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800553427A Expired - Fee Related CN101484387B (zh) | 2006-07-13 | 2006-12-15 | 涂布液、使用该涂布液形成的氧化钛薄膜及其形成方法 |
CN2006800553338A Expired - Fee Related CN101484386B (zh) | 2006-07-13 | 2006-12-25 | 涂布液、使用该涂布液形成的氧化钛薄膜及其形成方法 |
CN2007800265227A Expired - Fee Related CN101490309B (zh) | 2006-07-13 | 2007-01-31 | 涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7964283B2 (zh) |
EP (4) | EP2053022A1 (zh) |
JP (4) | JP4988737B2 (zh) |
KR (4) | KR101025122B1 (zh) |
CN (4) | CN101484387B (zh) |
TW (1) | TWI389987B (zh) |
WO (4) | WO2008007451A1 (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5413708B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2014-02-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜、透明導電基板及びそれを用いたデバイス並びに透明導電膜の製造方法 |
KR101274840B1 (ko) | 2008-05-14 | 2013-06-13 | 도오까이 료가구 데쓰도오 가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 조성물 |
KR101120065B1 (ko) * | 2009-01-08 | 2012-03-23 | 솔브레인 주식회사 | 신규의 아미딘 유도체를 가지는 게르마늄 화합물 및 이의 제조 방법 |
DE102009009337A1 (de) * | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
JP5627195B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-11-19 | 東海旅客鉄道株式会社 | 感光性組成物、感光性金属錯体、塗布液、及び金属酸化物薄膜パターンの製造方法 |
DE102009022117A1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Material für eine Lochtransportschicht mit p-Dotierung |
JP5582843B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-09-03 | 東海旅客鉄道株式会社 | 金属酸化物膜パターンの製造方法 |
JP5582962B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-09-03 | 東海旅客鉄道株式会社 | 透明導電膜の製膜方法 |
JP5675457B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-02-25 | 東海旅客鉄道株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
WO2013018253A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | パナソニック株式会社 | 感光性電磁波遮断インキ組成物、電磁波遮断硬化物、および電磁波遮断硬化物の製造方法 |
US10164284B2 (en) | 2012-07-27 | 2018-12-25 | Lockheed Martin Energy, Llc | Aqueous redox flow batteries featuring improved cell design characteristics |
US9382274B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-07-05 | Lockheed Martin Advanced Energy Storage, Llc | Aqueous redox flow batteries featuring improved cell design characteristics |
US9768463B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-09-19 | Lockheed Martin Advanced Energy Storage, Llc | Aqueous redox flow batteries comprising metal ligand coordination compounds |
KR101956333B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2019-03-08 | 주식회사 엘지화학 | 나프탈렌 유도체와 금속 복합체를 포함하는 캡슐 조성물 및 이를 이용한 가역적 캡슐 형성방법 |
JP6269361B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2018-01-31 | 三菱ケミカル株式会社 | シュウ酸ジフェニルの製造方法、炭酸ジフェニルの製造方法およびポリカーボネートの製造方法 |
CN107108669A (zh) | 2014-11-26 | 2017-08-29 | 洛克希德马丁尖端能量存储有限公司 | 取代的儿茶酚盐的金属络合物及含有其的氧化还原液流电池 |
US10253051B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-04-09 | Lockheed Martin Energy, Llc | Preparation of titanium catecholate complexes in aqueous solution using titanium tetrachloride or titanium oxychloride |
US9666893B2 (en) * | 2015-07-30 | 2017-05-30 | Cristal Inorganic Chemicals Switzerland Ltd | Hydrothermal treatment method for producing redox-active transition metal coordination compounds |
US10644342B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-05-05 | Lockheed Martin Energy, Llc | Coordination complexes containing monosulfonated catecholate ligands and methods for producing the same |
US10316047B2 (en) | 2016-03-03 | 2019-06-11 | Lockheed Martin Energy, Llc | Processes for forming coordination complexes containing monosulfonated catecholate ligands |
US9938308B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-04-10 | Lockheed Martin Energy, Llc | Coordination compounds having redox non-innocent ligands and flow batteries containing the same |
US10377687B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-08-13 | Lockheed Martin Energy, Llc | Processes for forming titanium catechol complexes |
US10343964B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-07-09 | Lockheed Martin Energy, Llc | Processes for forming titanium catechol complexes |
US10065977B2 (en) | 2016-10-19 | 2018-09-04 | Lockheed Martin Advanced Energy Storage, Llc | Concerted processes for forming 1,2,4-trihydroxybenzene from hydroquinone |
US10930937B2 (en) | 2016-11-23 | 2021-02-23 | Lockheed Martin Energy, Llc | Flow batteries incorporating active materials containing doubly bridged aromatic groups |
US10497958B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-12-03 | Lockheed Martin Energy, Llc | Coordinatively unsaturated titanium catecholate complexes and processes associated therewith |
US10741864B2 (en) | 2016-12-30 | 2020-08-11 | Lockheed Martin Energy, Llc | Aqueous methods for forming titanium catecholate complexes and associated compositions |
US10320023B2 (en) * | 2017-02-16 | 2019-06-11 | Lockheed Martin Energy, Llc | Neat methods for forming titanium catecholate complexes and associated compositions |
CN109143713B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-05-11 | 浙江工业大学 | 一种TPA-TPY-Fe2+金属络合物纳米薄片及其应用 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS551195B2 (zh) * | 1972-09-27 | 1980-01-12 | ||
JPS55167130A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Metal oxide thin film forming method |
US4525556A (en) * | 1982-08-13 | 1985-06-25 | The Dow Chemical Company | Polymerization of olefins |
JPS62105156A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Mita Ind Co Ltd | 静電荷像現像用カラ−トナ− |
JPS6353560A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Canon Inc | 静電荷像現像用現像剤 |
US4880758A (en) * | 1987-08-24 | 1989-11-14 | The Dow Chemical Company | Preparation of ABO3 compounds from mixed metal aromatic coordination complexes |
JPH06119816A (ja) | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
JP3258392B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2002-02-18 | 眞人 垣花 | 錯体重合法による複合酸化物の製造方法 |
JPH06144950A (ja) | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Kubota Corp | 窯業系軽量建材の製造方法 |
JP2517874B2 (ja) | 1993-09-30 | 1996-07-24 | 工業技術院長 | 酸化チタン薄膜光触媒の製造方法 |
EP1203617A1 (en) | 1994-10-31 | 2002-05-08 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Titanium dioxide photo catalyst structure |
JPH08160668A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Orient Chem Ind Ltd | 荷電制御剤及び静電荷像現像用トナー |
JP3012182B2 (ja) | 1995-11-15 | 2000-02-21 | 荏原ユージライト株式会社 | 銀および銀合金めっき浴 |
JP3947815B2 (ja) | 1996-02-16 | 2007-07-25 | 光史 佐藤 | 塗布液およびこれを用いた薄膜作製方法 |
JPH09248467A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Nippon Soda Co Ltd | 酸化チタン薄膜形成用組成物及びそれを用いる光触媒構造体 |
JPH1087345A (ja) | 1996-09-09 | 1998-04-07 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | 酸化チタン薄膜形成用塗布液組成物 |
JPH1087535A (ja) | 1996-09-18 | 1998-04-07 | Kuraray Co Ltd | 不飽和アルコールの製造方法 |
JPH10237078A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属錯体溶液、感光性金属錯体溶液及び金属酸化物膜の形成方法 |
US6169119B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-01-02 | Reliance Electric Technologies, Llc | Metal oxide sols and process for making the same |
WO1998048075A1 (fr) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Nippon Steel Corporation | Tole enduite et fluide de traitement de surface pour metaux |
JPH1171103A (ja) | 1997-06-27 | 1999-03-16 | Kasei Optonix Co Ltd | 複合金属酸化物の前駆体および複合金属酸化物の製造方法 |
JP3664422B2 (ja) | 1998-02-04 | 2005-06-29 | ナガセケムテックス株式会社 | 塗布液およびこれを用いた金属酸化物薄膜作成方法 |
JP3007961B2 (ja) | 1998-03-13 | 2000-02-14 | 工業技術院長 | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP3291560B2 (ja) | 1998-05-15 | 2002-06-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 光触媒膜の成膜方法とそれに用いる塗料 |
JP2000264893A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-26 | Jsr Corp | 金属錯体、金属錯体の製造方法、金属錯体水溶液および金属酸化物 |
JP3383838B2 (ja) | 1999-02-25 | 2003-03-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 金属酸化物の製造方法及び微細パターンの形成方法 |
JP3978635B2 (ja) | 1999-04-09 | 2007-09-19 | テイカ株式会社 | シュウ酸チタニルコーティング液およびそれを用いた光触媒エレメントの製造方法 |
US6346570B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-02-12 | Kuraray Co., Ltd. | Water resistant composition, coating agent, and recording material |
JP2001261378A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Taki Chem Co Ltd | 鏡及びその製造方法 |
JP4003007B2 (ja) | 2000-07-27 | 2007-11-07 | 日亜化学工業株式会社 | 酸化物透明導電性薄膜用組成物及び酸化物透明導電性薄膜の製造方法 |
JP3886759B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-02-28 | 中島硝子工業株式会社 | 酸化チタン薄膜被覆ガラス板の製造方法 |
US7077895B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-07-18 | Kansai Paint Co., Ltd. | Coating compound for forming titanium oxide film, method for forming titanium oxide film and metal susbstrate coated with titanium oxide film |
JP4972268B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | 酸化チタン膜形成用液体、酸化チタン膜の形成法、酸化チタン膜及び光触媒性部材 |
JP2003267733A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Japan Carlit Co Ltd:The | 金属酸化物前駆体溶液とその調整方法及び金属酸化物薄膜とその形成方法 |
JP4537023B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-09-01 | 学校法人日本大学 | 硬質塗膜の製造方法 |
JP4482681B2 (ja) | 2003-08-12 | 2010-06-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 機能性金属錯体素子 |
JP2005181776A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Canon Inc | 非磁性一成分現像方法 |
JP4995428B2 (ja) | 2004-03-10 | 2012-08-08 | 東海旅客鉄道株式会社 | 酸化チタン塗膜形成方法 |
JP2006073267A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Fujikura Ltd | 透明導電膜および透明導電膜の製造方法ならびに色素増感太陽電池 |
CN1631999A (zh) * | 2004-12-02 | 2005-06-29 | 上海大学 | 自清洁二氧化钛光催化涂布液的制造方法 |
KR101274840B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2013-06-13 | 도오까이 료가구 데쓰도오 가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 조성물 |
-
2006
- 2006-12-15 CN CN2006800553427A patent/CN101484387B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 KR KR1020087030714A patent/KR101025122B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-15 JP JP2008524715A patent/JP4988737B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 US US12/226,835 patent/US7964283B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 WO PCT/JP2006/325082 patent/WO2008007451A1/ja active Application Filing
- 2006-12-15 EP EP20060834809 patent/EP2053022A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-25 CN CN2006800553338A patent/CN101484386B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-25 US US12/226,826 patent/US7993753B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-25 KR KR1020087030715A patent/KR101077709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-25 EP EP20060843186 patent/EP2050718A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-25 WO PCT/JP2006/325783 patent/WO2008007453A1/ja active Application Filing
- 2006-12-25 JP JP2008524716A patent/JP5324218B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-31 EP EP20070707804 patent/EP2045359A1/en not_active Withdrawn
- 2007-01-31 JP JP2008524721A patent/JP5226512B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-31 WO PCT/JP2007/051618 patent/WO2008007469A1/ja active Application Filing
- 2007-01-31 CN CN2007800265227A patent/CN101490309B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-31 US US12/226,827 patent/US8003219B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-31 KR KR1020087030716A patent/KR101086921B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-07-12 US US12/307,725 patent/US8445118B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-12 TW TW96125367A patent/TWI389987B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-12 JP JP2008524846A patent/JP5243248B2/ja active Active
- 2007-07-12 CN CN2007800265212A patent/CN101489920B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-12 KR KR1020097002515A patent/KR101075285B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-07-12 EP EP20070790723 patent/EP2048111A1/en not_active Withdrawn
- 2007-07-12 WO PCT/JP2007/063929 patent/WO2008007751A1/ja active Search and Examination
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101489920B (zh) | 涂布液、使用涂布液形成的金属化合物薄膜及其形成方法 | |
CN101137731B (zh) | 氧化钛涂布剂及氧化钛涂膜的形成方法 | |
TWI592210B (zh) | 光催化組合物及其應用 | |
CA2735862A1 (en) | Doped titanium dioxide coatings and methods of forming doped titanium dioxide coatings | |
SG187646A1 (en) | Photocatalyst coated body and photocatalyst coating liquid | |
CN103648762B (zh) | 绝热叠层体 | |
CN1902287B (zh) | 可溶性金属氧化物和金属氧化物溶液 | |
US20100203308A1 (en) | Production of a flexible, gas-tight,and transparent composite film | |
Semlali et al. | Mesoporous Pt-TiO2 thin films: Photocatalytic efficiency under UV and visible light | |
JP2012036331A (ja) | 塗料組成物及び塗膜形成方法 | |
JP5546341B2 (ja) | 着色透明被膜、熱線吸収用透明被膜及びその製造方法 | |
CN1316980A (zh) | 生产具有均匀层厚的光学层的方法 | |
Vasconcelos et al. | Optical characterization of 316L stainless steel coated with sol–gel titania | |
JP3381886B2 (ja) | 光触媒構造体及びその製造方法 | |
CN110312683A (zh) | 硅掺杂金属氧化物粒子、及含有硅掺杂金属氧化物粒子的紫外线吸收用组合物 | |
JP2000119043A (ja) | パターン膜被覆物品の製造方法 | |
JP3135679B2 (ja) | 紫外線遮蔽膜形成用溶液およびこれを用いた紫外線遮蔽膜の製造方法 | |
Stanton | Coloured, photocatalytic coatings for self-cleaning and architectural glazing applications | |
JP2006206411A (ja) | 酸化ケイ素皮膜付基板の製造方法 | |
JPH07291665A (ja) | 金属酸化物被膜形成用塗布液と該塗布液による被膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130710 Termination date: 20180712 |