JP5675457B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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式(3)〜式(5)におけるR13は、式(7)または式(8)である。
(a1)H
(a2)C1〜C20の飽和または非飽和アルキル基であって、CnH2n+1またはCnH2n-1-2xで表され、n=1〜20、x=0〜n−1の範囲であるもの
(a3)アルキルアミン基
(a4)カルビノール基
(a5)アルデヒドまたはケトン
(a6)COORで表され、R=CmH2m+1またはCmH2m-1-2y(m=0〜20、y=0〜m−1の範囲)であるもの
(a7)F、Cl、Br、またはI
(a8)CNまたはNO2
(a9)ヒドロキシまたはエーテル類
(a10)アミン類
(a11)アミド類
(a12)チオまたはチオエーテル類
(a13)ホスフィン類またはリン酸類
(a14)環状基、ベンゾ、アゾル、オキサゾル、チアゾル、またはジオキソル
式(6)におけるYは、下記(b1)〜(b5)のうちのいずれかである。
(b1)F、Cl、Br、またはI
(b2)オキソカルボニル基またはCH3COO−
(b3)アミド基またはCH3CONH−
(b4)スルホニル基またはCH3SO3−
(b5)ホスホリルオキシ基またはPh2POO−
式(7)におけるR9 〜R10及び式(8)におけるR9 〜R12は、それぞれ、下記(c1)〜(c15)のうちのいずれかである。
(c1)H
(c2)C1〜C20の飽和または非飽和アルキル基であって、CnH2n+1またはCnH2n-1-2xで表され、n=1〜20、x=0〜n−1の範囲であるもの
(c3)カルビノール基
(c4)アルデヒドまたはケトン
(c5)COORで表され、R=CmH2m+1またはCmH2m-1-2y(m=0〜20、y=0〜m−1の範囲)であるもの
(c6)F、Cl、Br、またはI
(c7)CNまたはNO2
(c8)ヒドロキシまたはエーテル類
(c9)アミン類
(c10)アミド類
(c11)チオまたはチオエーテル類
(c12)ホスフィン類またはリン酸類
(c13)環状基、ベンゾ、アゾル、オキサゾル、チアゾル、またはジオキソル
(c14)アルキルアミン基
(c15)2−ニトロベンジル構造を含む基
式(2)におけるR21〜R24は、それぞれ、下記(e1)〜(e11)のいずれかであり、X11、X12は、O,NH,CO2 ,S,CON2H2,N=N,及びHN−NHのうちいずれかである。
(e1)ClH2l+1で表される基(但し、前記lは、0〜4いずれかの整数)
(e2)CmH2mで表される基(但し、前記mは、2〜4いずれかの整数)
(e3)CnH2n-1で表される基(但し、前記nは、2〜4いずれかの整数)
(e4)COORで表される基(但し、前記Rは、CpH2p+1(但し、前記pは、0〜4のいずれかの整数)または、R=C6H5で表される基)
(e5)アルデヒド、ケトン類、COCqH2q+1で表される基(但し、前記qは、0〜4のいずれかの整数)またはベンゾフェノン
(e6)ヒドロキシ(OH)またはエーテル類
(e7)アミン(NH2)またはアルキルアミン
(e8)アミド
(e9)ハロゲン類
(e10)ニトリル(CN)
(e11)ニトロ(NO2)
このように構成された本発明の方法では、ITOのナノ粒子を含む塗布液を塗布して乾燥させたナノ粒子塗膜と、前記配位子がインジウム原子及びスズ原子に配位した錯体を含む塗布液を塗布して乾燥させた錯体塗膜とが、基板上に交互に形成される。このナノ粒子塗膜及び錯体塗膜の積層体を、焼成してアニールすれば、ITOからなる透明導電膜が得られる。
<錯体1>
200mLフラスコに3,4−ジヒドロキシ安息香酸エチル(EtP,6.62g,36.4mmol)、酢酸インジウム(10.0g,34.3mmol)、酢酸スズ(II)(0.500g,2.11mmol)、メトキシ酢酸(3.09g,34.3mmol)と1−メチル−2−ピロリドン(NMP,100mL)を混合する。N2 雰囲気下で130℃、1時間加熱する。ロータリエバポレータで酢酸とNMPを除去(120℃・1時間)し、更に、ロータリエバポレータで生成物を乾燥(130℃・1時間)する。これに73mLになるように4:1:1の体積比で混合した乳酸エチル/γ−ブチロラクトン/N,N−ジメチルアセトアミド混合溶媒を加え、固形分が溶解するまで超音波洗浄器で撹拌する。
錯体1のメトキシ酢酸(3.09g,34.3mmol)を2−メトキシエトキシ酢酸(4.59g,34.3mmol)に変えた以外は同じ方法で合成した。この結果、溶液中では式(12)に示す反応が起こり、その式(12)の右辺に示した錯体が生成されているものと推察される。また、その推察は、図4に示すNMRスペクトルでも立証されている。できた溶液(InSn錯体溶液21の一例で、以下錯体2という)の濃度は、0.5mol/Lである。なお、この濃度は、金属錯体に含まれる金属の濃度である。
100mLフラスコに、特開2010−256706号公報に記載の方法で製造した2−ニトロベンジル・プロトカテク酸(5.26g,18.2mmol)、酢酸インジウム(5.00g,17.1mmol)、酢酸スズ(II)(0.250g,1.06mmol)と1−メチル−2−ピロリドン(NMP,50mL)を混合する。N2 雰囲気下、130℃で1時間加熱する。ロータリエバポレータで酢酸とNMPを除去(120℃・1時間)し、更に、ロータリエバポレータで生成物を乾燥(130℃・1時間)する。これに36.4mLになるように4:1:1の体積比で混合した乳酸エチル/g−ブチロラクトン/N,N−ジメチルアセトアミド混合溶媒を加え、固形分が溶解するまで超音波洗浄器で撹拌する。この結果、溶液中では式(13)に示す反応が起こり、その式(13)の右辺に示した錯体が生成されているものと推察される。また、その推察は、図5に示すNMRスペクトルでも立証されている。できた溶液(InSn錯体溶液21の一例で、以下錯体3という)の濃度は、0.50mol/Lである。なお、この濃度は、金属錯体に含まれる金属の濃度である。
錯体3の2−ニトロベンジル・プロトカテク酸(5.26g,18.2mmol)を、前記公報に記載の方法で製造した3,4−ジメトキシ−6−ニトロベンジル・プロトカテク酸(6.35g,18.2mmol)に変えた以外は同じ方法で合成した。この結果、溶液中では式(14)に示す反応が起こり、その式(14)の右辺に示した錯体が生成されているものと推察される。また、その推察は、図6に示すNMRスペクトルでも立証されている。できた溶液(InSn錯体溶液21の一例で、以下錯体4という)の濃度は、0.50mol/Lである。なお、この濃度は、金属錯体に含まれる金属の濃度である。
50mLサンプル管に硝酸インジウム・3和水物(11.75g,33.110mmol)と塩化スズ(II)(0.350g,1.846mmol)を混合する。50mLになるように2−メトキシエタノールを加える。固形分が溶解するまで撹拌する。この結果、溶液中には、In,Snに硝酸が配位した錯体が生成されているものと推察される。この溶液(以下錯体5という)は、配位子が本発明の範囲から外れているが、濃度は、0.70mol/Lである。なお、この濃度は、金属錯体に含まれる金属の濃度である。
次に、前述のように製造した錯体1〜5と、市販のInSn粒子分散液11とを表1に示す溶液1,溶液2,…の順序で基板10の表面に積層して、実施例及び比較例の透明導電膜30を製造した。また、表1には、各実施例または比較例の構成に対応した別称も括弧内に示したので、必要に応じて参照されたい(他の表も同様)。
<焼成法1>二段階焼成方法:
バッチ式炉で前記塗膜が形成された基板10を大気中で500℃で1時間焼成する(昇温20−40℃/分、自然冷却)。次に、市販の一般的なローラ搬送炉を使用して、試料を1〜4%水素を含む窒素下で500℃で20分焼成する(昇温50℃/分、冷却40℃/分)。
図7に模式的に示すように構成された市販の雰囲気制御ローラ搬送炉50(例えば、ノリタケカンパニーリミテッド製「ローラーハースキルンRHK05070」)を使用して、前記塗膜が形成された基板10を図8に示す雰囲気設定で焼成した。
(i)錯体溶液とInSn粒子分散液11との積層の効果
比較例3〜5に示すように、錯体のみから透明導電膜30を製造すると(図12参照)、体積抵抗率は0.82〜2.4mΩ・cmと良好だが、透明導電膜30が200nmを超えるとクラックが発生するため、厚膜化による表面抵抗率の低化には限界がある。
ITOの結晶成長への影響を調べるため、酸化焼成を大気中、低酸素雰囲気(4%O2 )下で行った。カテコール誘導体であるEtPとInSnの錯体(実施例1)では、大気中で焼成するよりも、低酸素雰囲気で焼成した方が、より低抵抗のITO導電膜が得られた。実施例1において、低酸素雰囲気で酸化焼成した透明導電膜30のSEM画像(図9(A))と大気中で酸化焼成した透明導電膜30のSEM画像(図9(B))とを比較すると、低酸素雰囲気で焼成した方が、個々のITO粒子の結晶成長がより進行して大粒径化している。これが、表面抵抗率が低下した理由と考えられる。
(iii)カテコール誘導体錯体の比較
次に、実施例1の錯体1に代えて、錯体2,4を利用したもの、錯体1と錯体3または5との混合液を利用したもの、三層,四層に塗膜を積層したものなどを製造し、前記と同様の実験を行った。溶液1,溶液2,…の内訳及び製造後の透明導電膜30の厚さを表3に、焼成条件を表4に、それぞれ示す。なお、表3の(c)は、混合した溶液の体積比を表している。
(iV)多層膜化
更に、実施例6,7では、厚膜化を進めて表面抵抗率を低下させることができた。比較例7のように、InSn粒子分散液11の塗膜を二層積層すると、膜厚は1850nmになった。これに、錯体1を積層した三層膜(実施例6)ではクラック生成なしで膜厚1820nm、InSn粒子分散液11+錯体5+InSn粒子分散液11+錯体1の四層膜(実施例7)では、膜厚1870nmとなった。これらを低酸素雰囲気で焼成すると、三層膜で表面抵抗率13Ω/□、四層膜で10Ω/□と、更に低抵抗の透明導電膜30が得られた。
(V)酸化焼成雰囲気中の酸素濃度の影響
また、表4に示すように、前述の実施例1〜5に対しては雰囲気中の酸素濃度を変えて酸化焼成を行った。酸素濃度0.5〜4%では、どの濃度でも、実施例1を大気中で酸化焼成したときの34Ω/□よりも低い表面抵抗率が得られた。最低の表面抵抗率が得られる酸素濃度は、用いる錯体の種類により多少異なった。
13…InSn粒子塗膜 21…InSn錯体溶液
23…InSn錯体塗膜 30…透明導電膜
50…雰囲気制御ローラ搬送炉 S…試料
Claims (5)
- 基板上に、ITOのナノ粒子を含む塗布液を塗布して乾燥させたナノ粒子塗膜と、式(1)または式(2)で表される配位子がインジウム原子及びスズ原子に配位した錯体を含む塗布液を塗布して乾燥させた錯体塗膜とを、少なくとも1層ずつ交互に、かつ、最上層が前記錯体塗膜となるように形成する工程と、
前記基板上に形成された前記ナノ粒子塗膜及び前記錯体塗膜の積層体を、酸素濃度0.01〜10%の低酸素雰囲気で焼成し、続いて、還元雰囲気でアニールする工程と、
を有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
式(3)〜式(5)におけるR13は、式(7)または式(8)である。
式(1)におけるR1 〜R4 のうち、式(3)〜式(6)のいずれでもないもの、及び式(7)〜式(8)におけるR5 〜R8 は、それぞれ、下記(a1)〜(a14)のうちのいずれかである。
(a1)H
(a2)C1〜C20の飽和または非飽和アルキル基であって、CnH2n+1またはCnH2n-1-2xで表され、n=1〜20、x=0〜n−1の範囲であるもの
(a3)アルキルアミン基
(a4)カルビノール基
(a5)アルデヒドまたはケトン
(a6)COORで表され、R=CmH2m+1またはCmH2m-1-2y(m=0〜20、y=0〜m−1の範囲)であるもの
(a7)F、Cl、Br、またはI
(a8)CNまたはNO2
(a9)ヒドロキシまたはエーテル類
(a10)アミン類
(a11)アミド類
(a12)チオまたはチオエーテル類
(a13)ホスフィン類またはリン酸類
(a14)環状基、ベンゾ、アゾル、オキサゾル、チアゾル、またはジオキソル
式(6)におけるYは、下記(b1)〜(b5)のうちのいずれかである。
(b1)F、Cl、Br、またはI
(b2)オキソカルボニル基またはCH3COO−
(b3)アミド基またはCH3CONH−
(b4)スルホニル基またはCH3SO3−
(b5)ホスホリルオキシ基またはPh2POO−
式(7)におけるR9 〜R10及び式(8)におけるR9 〜R12は、それぞれ、下記(c1)〜(c15)のうちのいずれかである。
(c1)H
(c2)C1〜C20の飽和または非飽和アルキル基であって、CnH2n+1またはCnH2n-1-2xで表され、n=1〜20、x=0〜n−1の範囲であるもの
(c3)カルビノール基
(c4)アルデヒドまたはケトン
(c5)COORで表され、R=CmH2m+1またはCmH2m-1-2y(m=0〜20、y=0〜m−1の範囲)であるもの
(c6)F、Cl、Br、またはI
(c7)CNまたはNO2
(c8)ヒドロキシまたはエーテル類
(c9)アミン類
(c10)アミド類
(c11)チオまたはチオエーテル類
(c12)ホスフィン類またはリン酸類
(c13)環状基、ベンゾ、アゾル、オキサゾル、チアゾル、またはジオキソル
(c14)アルキルアミン基
(c15)2−ニトロベンジル構造を含む基
式(2)におけるR21〜R24は、それぞれ、下記(e1)〜(e11)のいずれかであり、X11、X12は、O,NH,CO2 ,S,CON2H2,N=N,及びHN−NHのうちいずれかである。
(e1)ClH2l+1で表される基(但し、前記lは、0〜4いずれかの整数)
(e2)CmH2mで表される基(但し、前記mは、2〜4いずれかの整数)
(e3)CnH2n-1で表される基(但し、前記nは、2〜4いずれかの整数)
(e4)COORで表される基(但し、前記Rは、CpH2p+1 (但し、前記pは、0〜4のいずれかの整数)または、R=C6H5で表される基)
(e5)アルデヒド、ケトン類、COCqH2q+1 で表される基(但し、前記qは、0〜4のいずれかの整数)またはベンゾフェノン
(e6)ヒドロキシ(OH)またはエーテル類
(e7)アミン(NH2)またはアルキルアミン
(e8)アミド
(e9)ハロゲン類
(e10)ニトリル(CN)
(e11)ニトロ(NO2) - 前記還元雰囲気は、水素濃度1〜4%の還元雰囲気であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
- 前記焼成は、20〜250℃/分の昇温速度で昇温し、400〜600℃の温度に保持して行うことを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電膜の製造方法。
- 前記焼成と前記アニールとを連続して行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電膜の製造方法。
- 前記ナノ粒子塗膜と前記錯体塗膜とを形成する工程では、各塗膜をそれぞれ交互に2層以上形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の透明導電膜の製造方法。
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