JP5754441B2 - セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 - Google Patents
セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5754441B2 JP5754441B2 JP2012530687A JP2012530687A JP5754441B2 JP 5754441 B2 JP5754441 B2 JP 5754441B2 JP 2012530687 A JP2012530687 A JP 2012530687A JP 2012530687 A JP2012530687 A JP 2012530687A JP 5754441 B2 JP5754441 B2 JP 5754441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- surface modification
- ultraviolet light
- air removal
- vacuum ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
e+Xe→e+Xe*
Xe*+Xe+Xe→Xe2*+Xe
となり、励起されたエキシマ分子であるXe2*が基底状態に遷移する時に波長172nmのエキシマ光を発光する。エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことが出来る。更には始動・再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。
1.表面改質工程6を複数配設し、真空紫外光の照射量を段階的に変化させる。
2.表面改質工程6に真空紫外光照射手段を複数配設し、段階的に変化させる。
1.安定したセラミック膜を製造することが可能となった。
2.巾手方向、長手方向の性能ばらつきが抑制可能となった。
3.高速搬送でも安定したセラミック膜を製造することが可能となった。
本発明の塗布方法に係わるポリシラザンとは、珪素−窒素結合を持つポリマーで、Si−N、Si−H、N−H等からなるSiO2、Si3N4、及び両方の中間固溶体SiOxNy等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
(溶媒)
ポリシラザン膜形成用塗布液を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応してしまう様なアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用することが出来る。
酸化珪素化合物への転化を促進するために、アミンや金属の触媒を添加することも出来る。具体的には、AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製 アクアミカ NAX120−20、NN110、NN310、NN320、NL110A、NL120A、NL150A、NP110、NP140、SP140等が挙げられる。
帯状基材としては、ポリシラザンを含むポリシラザン膜形成用塗布液に使用している溶媒に耐性を有していれば特に限定はない。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等が挙げられる。これらの中でポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)等が好ましく用いられる。
応力緩和層は、主に、活性光線硬化樹脂と、必要に応じて粒子、好ましくは無機粒子を含む構成で形成することが好ましい。
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製した。
厚さ125μm、幅1000mm、長さ300mのPETフィルム(テイジンテトロンフィルム(易接着層付))(帝人デュポン社製)を準備した。
キシレン 92質量部
ポリシラザン(アクアミカ クラリアント社製) 8質量部
触媒(アミン系) 0.08質量部
(ポリシラザン膜の形成方法)
準備したPETフィルムの易接着層上に図2に示す製造装置を使用し、調製したポリシラザン膜形成用塗布液をエクストルージョン型の塗布コーターを使用した押出し塗布方式で乾燥後の膜厚が300nmになる様に下記に示す条件で塗布し、引き続き、温度80℃で、1分間乾燥しポリシラザン膜を形成した。この後、図3(a)に示す表面改質装置を使用し、表1に示す様に、表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差ΔP及び表面改質室の酸素濃度を変え、表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.101から115とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。尚、比較試料として、同伴空気除去手段を使用しないで(表面改質室の内部の圧力を外気の圧力と同じにし)、表面改質室の内部の酸素濃度を変え、表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、比較試料No.116から119とした。
塗布速度:塗布速度5.0m/minとした。尚、表面改質室の内部の酸素ガス濃度の変化は図8に示す気体供給手段により、表面改質室へ供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、表面改質室の内部の圧力は表面改質室への窒素ガスの供給量と、同伴空気除去手段としての排気ポンプによる同伴空気除去室の排気量との調整により調整した。
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光線源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
作製した試料No.101から119に付き、セラミック膜の安定性の代用特性として水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキ、を以下に示す方法で観察し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表1に示す。
以下の測定方法により評価した。
恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
(原材料) 水分と反応して腐食する金属:カルシウム(粒状)
水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(φ3mmから5mm、粒状)
<水蒸気バリア性評価方法>
試料の長さ方向の中央部分から5mを取り出し、巾手方向に均等に12mm×12mmの大きさで5箇所、長手方向に10cm間隔で12mm×12mmの大きさで10箇所を切り出した後、真空蒸着装置(日本電子製真空蒸着装置 JEE−400)を用い、バリアフィルム試料の蒸着させたい部分(12mm×12mm)以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス製)を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。
水蒸気透過率のランク
5:水蒸気透過率1×10−3g/m2/day未満
4:水蒸気透過率4×10−3g/m2/day未満、1×10−3g/m2/day以上
3:水蒸気透過率7×10−3g/m2/day未満、4×10−3g/m2/day以上
2:水蒸気透過率1×10−2g/m2/day未満、7×10−3g/m2/day以上
1:水蒸気透過率1×10−2g/m2/day以上
水蒸気透過率のバラツキの評価ランク
◎:A≦5%
○:5%<A≦10%
△:10<A≦20%
×:A≧20%
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製した。
実施例1と同じ帯状基材を準備した。
実施例1と同じポリシラザン膜形成用塗布液を調製した。
準備した帯状基材の上に実施例1と同じ方法で、調製したポリシラザン膜形成用塗布液を塗布しポリシラザン膜を形成した。この後、図3(b)に示す表面改質装置を使用し、表2に示す様に同伴空気除去手段を使用しとして表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差ΔP及び表面改質室の酸素濃度を変え表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.201から215とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。尚、比較試料として、同伴空気除去手段を使用しないで(表面改質室の内部の圧力を外気の圧力と同じにし)、表面改質室の内部の酸素濃度を変え、表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、比較試料No.216から219とした。尚、第1真空紫外光照射手段によるポリシラザン膜への真空紫外光の照射量は第2真空紫外光照射手段のポリシラザン膜への真空紫外光の照射量に対しての60%とした。
塗布速度:塗布速度5.0m/minとした。尚、表面改質室の内部の酸素ガス濃度の変化は図8に示す気体供給手段により、表面改質室へ供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差は、同伴空気除去手段として気体供給手段から表面改質室への窒素ガスの供給量と、同伴空気除去手段として排気ポンプによる同伴空気除去室の排気量との調整により調整した。
第1真空紫外光照射手段
表面改質条件
真空紫外光:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:60mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
表面改質条件
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
作製した試料No.201から219に付き、水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、実施例1と同じ評価ランクに従って評価した結果を表2に示す。
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製した。
実施例1と同じ帯状基材を準備した。
実施例1と同じポリシラザン膜形成用塗布液を調製した。
準備した帯状基材の上に実施例1と同じ方法で、調製したポリシラザン膜形成用塗布液を塗布しポリシラザン膜を形成した。この後、図4に示す表面改質装置を使用し、表3に示す様に同伴空気除去手段を使用して、帯状基材の搬送方向において表面改質室の上流側の第1同伴空気除去室と、下流側の第3同伴空気除去室の内部の圧力と外気の圧力との圧力差ΔP及び酸素濃度、表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室(第1同伴空気除去室、第3同伴空気除去室)の内部の圧力との圧力差ΔP及び酸素濃度を変え表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.301から316とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。
塗布速度:塗布速度5.0m/minとした。尚、表面改質室の内部の酸素ガス濃度の変化は図8に示す気体供給手段により、表面改質室へ供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室(第1同伴空気除去室、第3同伴空気除去室)の内部の圧力との圧力差は表面改質室への窒素ガスの供給量と、同伴空気除去室(第1同伴空気除去室、第3同伴空気除去室)の排気量との調整により調整した。
真空紫外光照射手段
表面改質条件
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
*2:同伴空気除去室の内部の圧力と外気の圧力との圧力差ΔPを示す。尚、上流側の第1同伴空気除去室と下流側の第3同伴空気除去室との内部の圧力と外気の圧力との圧力差ΔPは同じとした。
作製した試料No.301から321に付き、水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、同じ評価ランクに従って評価した結果を表4に示す。
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行い、セラミック膜を形成したフィルムを作製した。
実施例1と同じ帯状基材を準備した。
実施例1と同じポリシラザン膜形成用塗布液を調製した。
準備した帯状基材の上に実施例1と同じ方法で、調製したポリシラザン膜形成用塗布液を塗布しポリシラザン膜を形成した。この後、図5(b)に示す表面改質装置を使用し、表5に示す様に同伴空気除去手段を使用して、第1表面改質室及び第2表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差ΔP及び酸素濃度を変え表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.401から424とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。
塗布速度:塗布速度5.0m/minとした。尚、第1表面改質装置の表面改質室及び第2表面改質装置の表面改質室の内部の酸素ガス濃度の変化は図8に示す気体供給手段により、第1表面改質装置の表面改質室及び第2表面改質装置の表面改質室へ供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、第1表面改質装置の表面改質室及び第2表面改質装置の表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差は第1表面改質装置の表面改質室及び第2表面改質装置の表面改質室への窒素ガスの供給量と、同伴空気除去室の排気量との調整により調整した。
第1表面改質装置の表面改質室の真空紫外光照射手段
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
作製した試料No.401から436に付き、水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、実施例1と同じ評価ランクに従って評価した結果を表6に示す。
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製した。
実施例1と同じ帯状基材を準備した。
実施例1と同じポリシラザン膜形成用塗布液を調製した。
図3(a)に示す表面改質装置の帯状基材の搬送方向において上流側に、同伴空気除去手段として気体供給手段に繋がった気体供給管を有する第1不活性ガス供給室、第2不活性ガス供給室、第3不活性ガス供給室を有する図7(a)に示す同伴空気除去室を連続して配設し表面改質装置とした。
準備した帯状基材の上に実施例1と同じ方法で、調製したポリシラザン膜形成用塗布液を塗布しポリシラザン膜を形成した。この後、準備した表面改質装置を使用し、表7に示す様に同伴空気除去室の第1不活性ガス供給室、第2不活性ガス供給室、第3不活性ガス供給室の酸素濃度、及び表面改質室の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差及び酸素濃度を変え表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.501から505とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。
塗布速度:塗布速度5.0m/minとした。尚、第1不活性ガス供給室、第2不活性ガス供給室、第3不活性ガス供給室及び表面改質室の酸素濃度の調整は図8に示す気体供給手段により供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差は表面改質室への窒素ガスの供給量と、同伴空気除去室の排気量との調整により調整した。
表面改質室の真空紫外光照射手段
真空紫外光源:Xeエキシマランプ(式会社エムディエキシマ製MEUT−1−330)
照射強度:100mW/cm2
真空紫外光源とポリシラザン膜の表面との距離:2mm
照射強度は、浜松ホトニクス(株)製 UV POWER METER C8026で測定した値を示す。
作製した試料No.501から505に付き、水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、実施例1と同じ評価ランク従って評価した結果を表8に示す。
以下に示す方法でポリシラザン膜を形成した後、真空紫外光を照射し表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製した。
実施例1と同じ帯状基材を準備した。
実施例1と同じポリシラザン膜形成用塗布液を調製した。
図3(a)に示す表面改質装置の帯状基材の搬送方向において上流側に図7(b)に示す同伴空気除去手段として、第1吸引ノズル、第2吸引ノズルを配設し表面改質装置とした。
準備した帯状基材の上に実施例1と同じ方法で、調製したポリシラザン膜形成用塗布液を塗布しポリシラザン膜を形成した。この後、準備した表面改質装置を使用し、表9に示す様に同伴空気除去手段の第1吸引ノズル、第2吸引ノズルの吸引力、及び表面改質室の内部の圧力と同伴空気除去室の内部の圧力との圧力差及び表面改質室の内部の酸素濃度を変え表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.601から605とした。帯状基材の搬送速度は5.0m/minとした。
作製した試料No.601から605に付き、水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、実施例1と同じ評価ランクに従って評価した結果を表10に示す。
実施例1で作製した試料No.115を作製する時、表10に示す様に基材の厚さを10μmから100μm、真空紫外光源との距離2mmから5mm変えて表面改質を行った他は、試料No.115と同じ条件で表面改質を行いセラミック膜を形成したフィルムを作製し、試料No.701から704とした。尚、表面改質室の酸素濃度の調整は図7に示す気体供給手段により供給する窒素ガス量を制御することで行った。又、表面改質室の内部の圧力は実施例1と同じ方法により調整した。真空紫外光源と帯状基材の距離の変化は、真空紫外光照射手段に帯状基材と、真空紫外光源との距離を調整する手段を設けることで行った。
作製した試料No.701から704に付き、実施例1と同じ水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキを実施例1と同じ方法で測定し、実施例1と同じ評価ランクに従って評価した結果、基材と真空紫外光源との距離が好ましい間隔に設定することで水蒸気透過率、水蒸気透過率のバラツキ、何れも優れた結果を示した。
1a1、1b1、1c1、301 帯状基材
1a2、1b3、1c3 セラミック膜
1b2 アンカーコート層
1c2 応力緩和層
2 製造工程
6 表面改質工程
6a、6′a、6″a、8 表面改質装置
6a1、6′a1、6″a1、8a、9a1、10a 表面改質室
6a2、6a3、6′a2、6′a3、6″a3、6″a5、9a2、9a3、6″a2、6″a4 同伴空気除去室
6b、6″b、9b、10c 真空紫外光照射手段
6′b1 第1真空紫外光照射手段
6′b2 第2真空紫外光照射手段
401、8c、10c バックロール
9a 第1表面改質装置
10 第2表面改質装置
12、13、14 同伴空気除去手段
12a 不活性ガス供給室
13a 第1吸引ノズル
13b 第2吸引ノズル
14a、14b 吸引装置
15 気体供給手段
15a 不活性ガスタンク
15b 酸素ガスタンク
15c 制御装置
Claims (10)
- 連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法であって、
前記表面改質工程において、真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が10000ppm以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を複数使用し、
使用するすべての前記表面改質装置において、前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力を前記表面改質室の圧力よりも高く、又は低く制御することを特徴とするセラミック膜形成方法。 - 連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法であって、
前記表面改質工程において、真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が10000ppm以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を1つ使用し、
前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力と前記表面改質室の圧力との圧力差ΔPを8Pa以上100Pa以下に制御することを特徴とするセラミック膜形成方法。 - 前記帯状基材の搬送方向において、前記同伴空気除去室は、前記表面改質室よりも上流側に備えられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック膜形成方法。
- 前記真空紫外光照射手段は、前記帯状基材と該真空紫外光照射手段との距離を調整する調整手段を有していることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のセラミック膜形成方法。
- 前記帯状基材の搬送速度が、5m/minから40m/minであることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載のセラミック膜形成方法。
- 連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法に使用するセラミック膜形成装置であって、
真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が10000ppm以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を複数有し、
すべての前記表面改質装置において、前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力を前記表面改質室の圧力よりも高く、又は低く制御することを特徴とするセラミック膜形成装置。 - 連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法に使用するセラミック膜形成装置であって、
真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が10000ppm以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を1つ有し、
前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力と前記表面改質室の圧力との圧力差ΔPを8Pa以上100Pa以下に制御することを特徴とするセラミック膜形成装置。 - 前記帯状基材の搬送方向において、前記同伴空気除去室は、前記表面改質室よりも上流側に備えられていることを特徴とする請求項6又は7に記載のセラミック膜形成装置。
- 前記真空紫外光照射手段は、前記帯状基材と該真空紫外光照射手段との距離を調整する調整手段を有していることを特徴とする請求項6から8の何れか1項に記載のセラミック膜形成装置。
- 前記帯状基材の搬送速度が、5m/minから40m/minであることを特徴とする請求項6から9の何れか1項に記載のセラミック膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012530687A JP5754441B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010190527 | 2010-08-27 | ||
JP2010190527 | 2010-08-27 | ||
PCT/JP2011/069021 WO2012026482A1 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 |
JP2012530687A JP5754441B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012026482A1 JPWO2012026482A1 (ja) | 2013-10-28 |
JP5754441B2 true JP5754441B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=45723476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012530687A Expired - Fee Related JP5754441B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5754441B2 (ja) |
WO (1) | WO2012026482A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6017256B2 (ja) | 2012-10-11 | 2016-10-26 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | ケイ素質緻密膜の形成方法 |
JP6655418B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-02-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2024079391A (ja) | 2022-11-30 | 2024-06-11 | 株式会社リコー | 電極形成装置、樹脂構造体の製造装置、電極形成方法および樹脂構造体の製造方法 |
CN117244410B (zh) * | 2023-10-30 | 2024-03-12 | 宁夏机械研究院股份有限公司 | 陶瓷膜管自动挂膜机及其使用方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503157A (ja) * | 2005-07-26 | 2009-01-29 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ガスの透過を減少させるために基材上に薄いガラス様の被膜を形成する方法 |
JP2009255040A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
-
2011
- 2011-08-24 WO PCT/JP2011/069021 patent/WO2012026482A1/ja active Application Filing
- 2011-08-24 JP JP2012530687A patent/JP5754441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503157A (ja) * | 2005-07-26 | 2009-01-29 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ガスの透過を減少させるために基材上に薄いガラス様の被膜を形成する方法 |
JP2009255040A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2012026482A1 (ja) | 2013-10-28 |
WO2012026482A1 (ja) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5880442B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス | |
JP6504284B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、その製造方法、およびこれを用いた電子デバイス | |
JP5895687B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
TWI733786B (zh) | 積層膜及其製造方法 | |
JP5958346B2 (ja) | ガスバリア積層体の製造方法 | |
JP5747915B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
TWI567219B (zh) | 氣體阻隔膜及氣體阻隔膜的製造方法 | |
WO2015053405A1 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP5754441B2 (ja) | セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置 | |
JP2012131194A (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP5861644B2 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法、及びガスバリア性フィルム | |
JP2016022595A (ja) | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを有する電子デバイス | |
JP5273074B2 (ja) | バリアフィルムの製造方法 | |
JPWO2017145635A1 (ja) | 光照射装置および光照射方法 | |
JP4314777B2 (ja) | 透明導電膜積層体の製造方法 | |
JP5319342B2 (ja) | ガスバリア膜の製造方法、太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルム | |
WO2016010117A1 (ja) | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを用いてなる電子デバイス | |
JP6295864B2 (ja) | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス | |
JP6858641B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP5825216B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法および製造装置 | |
WO2015025782A1 (ja) | ガスバリアーフィルムの製造装置及びガスバリアーフィルムの製造方法 | |
US20150344651A1 (en) | Process for manufacturing gas barrier film | |
WO2015025783A1 (ja) | ガスバリアーフィルムの製造装置及びガスバリアーフィルムの製造方法 | |
JP6578689B2 (ja) | ガスバリア性フィルムおよび該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイス | |
JP2016022596A (ja) | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを有する電子デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140311 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5754441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |