WO2012023389A1 - 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス - Google Patents

成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス Download PDF

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acrylic resin
gas barrier
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polysilazane compound
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渉 岩屋
近藤　健
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device member made of the molded body, and an electronic device including the electronic device member.
  • a polymer molded body such as a plastic film is inexpensive and excellent in workability, and therefore has been used in various fields with a desired function.
  • a gas barrier plastic film that prevents the permeation of water vapor and oxygen is used for food and pharmaceutical packaging films to maintain the taste and freshness by suppressing the oxidation and alteration of proteins and fats and oils.
  • a transparent plastic film is used instead of a glass plate as a substrate having electrodes in a display such as a liquid crystal display or an electroluminescence (EL) display in order to realize a reduction in thickness, weight, and flexibility. It is being considered.
  • the plastic film has a problem that it easily transmits water vapor, oxygen, and the like as compared with the glass plate, and easily causes deterioration of elements inside the display.
  • Patent Document 1 proposes a flexible display substrate in which a transparent gas barrier layer made of a metal oxide is laminated on a transparent plastic film.
  • the flexible display substrate described in this document is obtained by laminating a transparent gas barrier layer made of a metal oxide on the surface of a transparent plastic film by vapor deposition, ion plating, sputtering, or the like. When it is bent or bent, there is a problem in that the gas barrier layer is cracked and the gas barrier property is lowered.
  • Patent Document 2 discloses a gas barrier laminate obtained by laminating a plastic film and a resin layer containing polyorganosilsesquioxane as a main component on at least one surface of the plastic film.
  • gas barrier properties such as oxygen and water vapor
  • Patent Document 3 discloses a method for producing a gas barrier film by forming a polysilazane film on at least one surface of a film and subjecting the polysilazane film to plasma treatment.
  • this method has a problem in that sufficient gas barrier performance cannot be obtained unless the thickness of the gas barrier layer is in the micron order. For example, it is described that when the thickness of the gas barrier layer is 0.1 ⁇ m, the water vapor transmission rate is 0.50 g / m 2 / day.
  • Patent Document 4 proposes a film in which an acrylic resin is mixed with a polysilazane film, but it does not have a sufficient gas barrier property.
  • JP 2000-338901 A JP 2006-123307 A JP 2007-237588 A JP-A-7-292321
  • the present invention has been made in view of the above-described prior art, and is a molded body excellent in gas barrier properties, transparency, and bending resistance, a manufacturing method thereof, an electronic device member comprising the molded body, and the electronic device It aims at providing an electronic device provided with a member.
  • the present inventors have found that in a molded article having a gas barrier layer, the gas barrier layer is composed of a material containing at least carbon atoms, oxygen atoms and silicon atoms.
  • the carbon atom existing ratio is more than 0% and 70% or less
  • the oxygen atom existing ratio is 10% or more and 70% with respect to the total amount of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms.
  • a molded article having a nitrogen atom content of 0% to 35% and a silicon atom content of 20% to 55% has excellent gas barrier properties, transparency, and bending resistance. .
  • such a molded body is simple and easy by implanting ions into the layer containing the polysilazane compound and the acrylic resin of the molded product having a layer containing the polysilazane compound and the acrylic resin on the surface portion.
  • the inventors have found that it can be produced efficiently and have completed the present invention.
  • the following molded articles (1) to (7) are provided.
  • a molded body having a gas barrier layer wherein the gas barrier layer has a surface layer part composed of a material containing at least carbon atoms, oxygen atoms and silicon atoms, and carbon atoms in the surface layer part,
  • the abundance ratio of carbon atoms is more than 0% and 70% or less
  • the abundance ratio of oxygen atoms is 10% or more and 70% or less
  • the abundance ratio of nitrogen atoms is 0% or more and 35 with respect to the total abundance of oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms % Or less and a silicon atom content of 20% or more and 55% or less.
  • the gas barrier layer is a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin, and has a water vapor permeability of 1 g / m 2 / day or less in an atmosphere of 40 ° C. and 90% relative humidity.
  • the molded product according to (1) which is characterized.
  • (8) A method for producing a molded product according to any one of (2) to (7), wherein the polysilazane compound is a molded product having a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin on the surface.
  • the manufacturing method of the molded object which has the process of inject
  • the following electronic device member (12) is provided.
  • (12) An electronic device member comprising the molded article according to any one of (1) to (7).
  • the following electronic device (13) there is provided the following electronic device (13).
  • (123) An electronic device comprising the electronic device member according to (12).
  • the molded product of the present invention has excellent gas barrier properties, transparency, and bending resistance.
  • the molded body of the present invention can be suitably used as a flexible display or a member for an electronic device such as a solar battery (for example, a solar battery back sheet).
  • the molded article of the present invention having excellent gas barrier properties, transparency, and bending resistance can be produced safely and simply in one step.
  • the area can be easily increased at a lower cost than the inorganic film formation. Since the member for electronic devices of this invention has the outstanding gas barrier property, transparency, and bending resistance, it can be used suitably for electronic devices, such as a display and a solar cell.
  • the molded body of the present invention is a molded body having a gas barrier layer, and the gas barrier layer is made of a material containing at least carbon atoms, oxygen atoms, and silicon atoms (from the surface).
  • the abundance ratio of carbon atoms to the total abundance of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms in the surface layer portion is more than 0% and 70% or less, oxygen
  • the abundance ratio of atoms is 10% to 70%
  • the abundance ratio of nitrogen atoms is 0% to 35%
  • the abundance ratio of silicon atoms is 20% to 55%.
  • the gas barrier layer is preferably a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin.
  • the gas barrier layer of the molded article of the present invention is a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin
  • the abundance ratios of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms in the gas barrier layer are acrylic resin and polysilazane compound. It is in a state similar to the composition ratio when mixing at a predetermined ratio. That is, the molded body of the present invention has a structure in which the polysilazane compound exhibits gas barrier properties by conversion and the inside is flexible due to the acrylic resin in the extreme surface layer portion.
  • the abundance ratio of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms in the gas barrier layer is preferably 35% or more of carbon atoms.
  • nitrogen atoms are 0% or more and 10% or less
  • oxygen atoms are 15% or more and 70% or less, more preferably 15% or more and 30% or less
  • silicon atoms are 15% or more and 30% or less.
  • the gas barrier layer of the molded article of the present invention is a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin
  • the abundance ratio of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms in the gas barrier layer is more specifically as follows: Street.
  • the abundance ratio of carbon atoms to the total abundance of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms is 0% or more and 5% or less.
  • the oxygen atom content rate is 50% to 75%
  • the nitrogen atom content rate is 0% to 5%
  • the silicon atom content rate is 20% to 40%
  • the gas barrier layer surface portion (from the surface) In the depth direction (range of 0 nm to 10 nm)
  • the presence ratio of carbon atoms is more than 0% and 70% or less
  • the presence ratio of oxygen atoms is 10% or more and 70% or less
  • the presence of nitrogen atoms If less than 35% 0% of proportions of silicon atoms is 55% or less than 20%.
  • the abundance ratio of carbon atoms is 0% to 40% with respect to the total abundance of carbon atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms and silicon atoms, oxygen
  • the abundance ratio of atoms is 20% to 70%
  • the abundance ratio of nitrogen atoms is 0% to 10%
  • the abundance ratio of silicon atoms is 20% to 40%
  • the gas barrier layer surface portion depth from the surface
  • the presence ratio of carbon atoms is more than 0% and 70% or less
  • the presence ratio of oxygen atoms is 10% or more and 70% or less
  • the presence of nitrogen atoms If less than 35% 0% of proportions of silicon atoms is 55% or less than
  • the oxygen atom content rate is 10% to 50%
  • the nitrogen atom content rate is 0% to 10%
  • the silicon atom content rate is 10% to 40%
  • the gas barrier layer surface portion (from the surface)
  • the existence ratio of carbon atoms is more than 0% and 70% or less
  • the existence ratio of oxygen atoms is 10% or more and 70% or less
  • 35% The proportion of more than 0% or less
  • the abundance ratio of silicon atoms is 55% or less than 20%.
  • the polysilazane compound used in the present invention is a polymer compound having a repeating unit containing a —Si—N— bond (silazane bond) in the molecule. Specifically, the formula (1)
  • the compound which has a repeating unit represented by these is preferable.
  • the number average molecular weight of the polysilazane compound to be used is not particularly limited, but is preferably 100 to 50,000.
  • n represents an arbitrary natural number.
  • Rx, Ry, and Rz each independently represent a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted cycloalkyl group, an unsubstituted or substituted alkenyl group, unsubstituted or substituted Represents a non-hydrolyzable group such as an aryl group having a group or an alkylsilyl group;
  • alkyl group of the unsubstituted or substituted alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, Examples thereof include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group and n-octyl group.
  • Examples of the unsubstituted or substituted cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.
  • alkenyl group of an unsubstituted or substituted alkenyl group examples include, for example, a vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group and the like having 2 to 2 carbon atoms. 10 alkenyl groups are mentioned.
  • substituents for the alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; hydroxyl group; thiol group; epoxy group; glycidoxy group; (meth) acryloyloxy group
  • halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom
  • hydroxyl group such as hydroxyl group; thiol group; epoxy group; glycidoxy group; (meth) acryloyloxy group
  • An unsubstituted or substituted aryl group such as a phenyl group, a 4-methylphenyl group, and a 4-chlorophenyl group;
  • aryl group of an unsubstituted or substituted aryl group examples include aryl groups having 6 to 10 carbon atoms such as a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
  • substituent of the aryl group examples include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group and ethyl group; carbon numbers such as methoxy group and ethoxy group 1-6 alkoxy groups; nitro groups; cyano groups; hydroxyl groups; thiol groups; epoxy groups; glycidoxy groups; (meth) acryloyloxy groups; unsubstituted phenyl groups, 4-methylphenyl groups, 4-chlorophenyl groups, etc.
  • alkylsilyl group examples include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triisopropylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, methyldiethylsilyl group, dimethylsilyl group, diethylsilyl group, methylsilyl group, and ethylsilyl group.
  • Rx, Ry, and Rz a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group is preferable, and a hydrogen atom is particularly preferable.
  • Examples of the polysilazane compound having a repeating unit represented by the formula (1) include inorganic polysilazanes in which Rx, Ry, and Rz are all hydrogen atoms, and organic polysilazanes in which at least one of Rx, Ry, and Rz is not a hydrogen atom. There may be.
  • inorganic polysilazane the following
  • perhydropolysilazane having a linear structure, a branched structure and a cyclic structure in the molecule.
  • the organic polysilazane can be produced by a known method. For example, it can be obtained by reacting ammonia or a primary amine with a reaction product of an unsubstituted or substituted halogenosilane compound represented by the following formula (2) and a secondary amine.
  • m represents 2 or 3
  • X represents a halogen atom
  • R 1 represents any of the substituents of Rx, Ry, Rz, Rx ′, Ry ′, and Rz ′ described above. .
  • the secondary amine, ammonia, and primary amine to be used may be appropriately selected according to the structure of the target polysilazane compound.
  • a modified polysilazane compound can also be used as the polysilazane compound.
  • the modified polysilazane include, for example, a polymetallosilazane containing a metal atom (the metal atom may be crosslinked) and repeating units of [(SiH 2 ) g (NH) h )] and [(SiH 2 I O] (wherein g, h, and i are each independently 1, 2 or 3), polysiloxazan (Japanese Patent Laid-Open No. 62-195024), and boron compound in polysilazane Polyborosilazane produced by reacting polysilazane (Japanese Patent Laid-Open No.
  • polymetallosilazane produced by reacting polysilazane and metal alkoxide Japanese Patent Laid-Open No. 63-81122, etc.
  • inorganic silazane high polymer And modified polysilazanes such as JP-A-1-138108
  • copolymerized silazanes obtained by introducing an organic component into polysilazane (such as JP-A-2-175726), Low-temperature ceramicized polysilazane (Japanese Patent Laid-Open No. 5-238827, etc.) obtained by adding or adding a catalytic compound for promoting ceramicization to lysilazane,
  • Silicon alkoxide-added polysilazane Japanese Patent Laid-Open No. 5-238827
  • glycidol-added polysilazane Japanese Patent Laid-Open No. 6-122852
  • acetylacetonato complex-added polysilazane Japanese Patent Laid-Open No. 6-306329
  • metal carboxylate-added polysilazane JP-A-6-299118
  • a polysilazane composition obtained by adding amines and / or acids to the polysilazane or a modified product thereof Japanese Patent Laid-Open No. 9-31333
  • alcohol such as methanol or hexamethyldisilazane as a terminal N atom to perhydropolysilazane
  • modified polysilazanes obtained by addition JP-A-5-345826, JP-A-4-63833
  • polysilazane compound perhydropolysilazane in which Rx, Ry, and Rz are all hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of availability and formation of an ion-implanted layer having excellent gas barrier properties.
  • polysilazane compound a commercially available product as a glass coating material or the like can be used as it is.
  • the gas barrier layer of the molded article of the present invention contains at least one acrylic resin in addition to the polysilazane compound. By blending the acrylic resin, a gas barrier molded article having excellent bending resistance and excellent transparency can be obtained.
  • the acrylic resin used in the present invention is a (co) polymer containing at least a repeating unit derived from a (meth) acrylic acid compound in the molecule.
  • (co) polymer means “homopolymer or copolymer” (hereinafter the same).
  • (Meth) acrylic acid” means acrylic acid or methacrylic acid (the same shall apply hereinafter).
  • acrylic resins examples include (i) homopolymers of (meth) acrylic acid compounds, (ii) copolymers obtained from two or more of (meth) acrylic acid compounds, and (iii) (meth) acrylic. A copolymer obtained from an acid compound and another functional monomer may be mentioned.
  • the acrylic resin is a copolymer of (iii)
  • it is preferable that the repeating unit derived from the (meth) acrylic acid compound is contained in an amount of 50 mol% or more based on all repeating units.
  • these (co) polymers can be used alone or in combination of two or more as the acrylic resin.
  • Examples of the (meth) acrylic acid compound include (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic acid fluorinated ester, (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid Examples include aminoalkyl esters, glycidyl esters of (meth) acrylic acid, and (meth) acrylic acid. Among these, (meth) acrylic acid ester is preferable, and methacrylic acid ester is more preferable.
  • the (meth) acrylic acid ester is preferably a (meth) acrylic alkyl ester compound having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably a (meth) acrylic alkyl ester compound having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group.
  • (meth) acrylate esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, and isopropyl (meth) acrylate.
  • Fluorinated esters of (meth) acrylic acid include perfluoro-t-butyl (meth) acrylate, perfluoroisopropyl (meth) acrylate, hexafluoro-2-propyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid tri Fluoroethyl etc. are mentioned.
  • Examples of the hydroxyalkyl ester of (meth) acrylic acid include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.
  • (meth) acrylic acid amide examples include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N, N-dimethylol (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N -Phenyl (meth) acrylamide and the like.
  • Examples of (meth) acrylic acid aminoalkyl esters include N, N-diethylaminoethyl (meth) acrylate.
  • Examples of the glycidyl ester of (meth) acrylic acid include glycidyl (meth) acrylate.
  • an epoxy group-containing monomer such as allyl glycidyl ether; a sulfonic acid group such as styrene sulfonic acid, vinyl sulfonic acid, and salts thereof (for example, sodium salt, potassium salt, ammonium salt, etc.) or a salt thereof Monomer; a monomer containing a carboxyl group such as crotonic acid, itaconic acid, acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, and salts thereof (for example, sodium salt, potassium salt, ammonium salt, etc.) or a salt thereof; Monomers containing anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride; vinyl isocyanate, allyl isocyanate, styrene, vinyl methyl ether, vinyl ethyl ether, vinyl trisalkoxysilane, alkyl male
  • the homopolymer of (i) is obtained by polymerizing one kind of (meth) acrylic acid compound, and the copolymer of (ii) is a monomer mixture composed of two or more kinds of (meth) acrylic acid compounds.
  • the copolymer (iii) can be obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a (meth) acrylic acid compound and another functional monomer.
  • the (co) polymerization method is not particularly limited, and a known polymerization method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, or a suspension polymerization method can be employed.
  • acrylic resin a (meth) acrylic acid ester (co) polymer mixed with a crosslinking agent to form a crosslinked body at least partially can be used.
  • crosslinking agents used include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, etc., or adducts thereof; epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa [1- (2-methyl)- Aziridinyl] aziridine-based cross-linking agents such as triphosphatriazine; chelate-based cross-linking agents such as aluminum chelates; and the like.
  • isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, etc., or adducts thereof
  • epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether
  • hexa [1- (2-methyl)- Aziridinyl] aziridine-based cross-linking agents such as triphosphatriazine
  • chelate-based cross-linking agents such as aluminum
  • the amount of the crosslinking agent used is usually 0.01 to 10 parts by mass, preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the solid content of the (meth) acrylic acid ester (co) polymer.
  • a crosslinking agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the layer forming solution used for forming the acrylic resin-containing layer described later is less likely to gel before forming the coating film, and can easily form the coating film, and polysilazane.
  • a homopolymer of the above (i) (meth) acrylic acid compound and a copolymer obtained from two or more of (ii) (meth) acrylic acid compound are preferable. More preferred are homopolymers of (meth) acrylic acid esters and copolymers obtained from two or more of (meth) acrylic acid esters.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin used in the present invention is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 100,000 to 1,000,000.
  • the total content of the polysilazane compound and the acrylic resin in the gas barrier layer is preferably 50% by mass or more and 70% by mass or more from the viewpoint of forming an ion implantation layer having excellent gas barrier properties. Is more preferable.
  • the content of the acrylic resin in the gas barrier layer is 0.1% by mass or more and 70% by mass when the total amount of the polysilazane compound and the acrylic resin is 100% by mass when flexibility and transparency are important.
  • the following is preferable, more preferably 30% by mass to 70% by mass, and still more preferably 40% by mass to 60% by mass.
  • the content of the acrylic resin is preferably 50% by mass or less, preferably 10% by mass or less, where the total amount of the polysilazane compound and the acrylic resin is 100% by mass. Is more preferable.
  • the gas barrier layer may contain other components in addition to the polysilazane compound and the acrylic resin as long as the object of the present invention is not impaired.
  • Other components include other polymers, curing agents, anti-aging agents, light stabilizers, flame retardants, fillers, pigments, leveling agents, antifoaming agents, antistatic agents, UV absorbers, pH adjusters, dispersions Agents, surface modifiers, plasticizers, drying accelerators, flow inhibitors and the like.
  • the molded article of the present invention has a water vapor transmission rate of 1 g / m 2 / day or less, preferably 0.5 g / m 2 / day or less, more preferably 0.1 g / m 2 at 40 ° C. and 90% relative humidity. m 2 / day or less, and the molded article of the present invention is excellent in gas barrier properties.
  • steam, of a molded object can be measured using a well-known gas-permeability measuring apparatus.
  • the molded article of the present invention is a molded article having a gas barrier layer, wherein the gas barrier layer includes a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin (hereinafter, sometimes referred to as an “acrylic resin-containing layer”). It may have a layer obtained by ion implantation (hereinafter also referred to as “ion implantation layer”).
  • the gas barrier layer includes a layer containing a polysilazane compound and an acrylic resin (hereinafter, sometimes referred to as an “acrylic resin-containing layer”). It may have a layer obtained by ion implantation (hereinafter also referred to as “ion implantation layer”).
  • the molded article of the present invention is a molded article having a gas barrier layer, wherein the gas barrier layer contains a polysilazane compound and an acrylic resin, and has a water vapor transmission rate of 1 g / m in an atmosphere of 40 ° C. and a relative humidity of 90%. 2 / day or less, and it is particularly preferable that this has the ion-implanted layer.
  • the method for forming the acrylic resin-containing layer is not particularly limited.
  • a layer forming solution containing at least one polysilazane compound, at least one acrylic resin, and optionally other components, a solvent, and the like is used.
  • coating on an appropriate base material layer, and drying and forming the obtained coating film moderately is mentioned.
  • Examples of the polysilazane compound and acrylic resin used for forming the acrylic resin-containing layer include the same ones as described above.
  • the solvent used in the layer forming solution is preferably a solvent that can stably dissolve both the polysilazane compound and the acrylic resin.
  • examples thereof include esters such as xylene, toluene, butyl carbitol acetate, n-butyl acetate and ethyl acetate; glycol ethers such as cellosolve and cellosolve acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone;
  • the amount (ratio) of the solvent used is usually 5 to 99% by mass, preferably 5 to 60% by mass, based on the coating method, the type of polysilazane compound used, and the like.
  • a coating apparatus used for applying the layer forming solution a known apparatus such as a spin coater, a knife coater, or a gravure coater can be used.
  • Heating is performed at 80 to 150 ° C. for several tens of seconds to several tens of minutes.
  • the polysilazane compound is cured by crosslinking, condensation, and in some cases, oxidation and hydrolysis to form a ceramic phase, and the acrylic resin is thermally softened.
  • a dense structure in which a ceramic phase mainly composed of Si—N bonds or Si—O bonds and an organic portion composed of an acrylic phase are combined at a fine structure level (compared to a composite material to which an inorganic filler or the like is added). Can be obtained.
  • the thickness of the formed acrylic resin-containing layer is not particularly limited, but is usually 20 nm to 100 ⁇ m, preferably 30 to 500 nm, more preferably 40 to 200 nm. In the present invention, a molded article having sufficient gas barrier performance can be obtained even if the thickness of the acrylic resin-containing layer is nano-order.
  • the ion implantation layer is not particularly limited as long as ions are implanted into the acrylic resin-containing layer.
  • ions to be implanted include rare gases such as argon, helium, neon, krypton, and xenon, ions such as fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon dioxide, chlorine, fluorine, sulfur, silicon compounds, and hydrocarbons; gold, silver And ions of conductive metals such as copper, platinum, nickel, palladium, chromium, titanium, molybdenum, niobium, tantalum, tungsten, and aluminum.
  • rare gases such as argon, helium, neon, krypton, and xenon
  • ions such as fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon dioxide, chlorine, fluorine, sulfur, silicon compounds, and hydrocarbons
  • gold, silver And ions of conductive metals such as copper, platinum, nickel, palladium, chromium, titanium, molybdenum, niobium, tantalum, tungsten, and aluminum.
  • hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, krypton, silicon compounds, which can be implanted more easily and an ion implantation layer having particularly excellent gas barrier properties and transparency can be obtained.
  • Examples of the silicon compound include silane (SiH 4 ) and organosilicon compounds.
  • organosilicon compounds include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra n-butoxysilane, and tetra t-butoxysilane;
  • An alkylalkoxysilane having an unsubstituted or substituted group such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane;
  • Arylalkoxysilanes such as diphenyldimethoxysilane and phenyltriethoxysilane; Disiloxanes such as hexamethyldisiloxane (HMDSO); Aminosilanes such as bis (dimethylamino) dimethylsilane, bis (dimethylamino) methylvinylsilane, bis (ethylamino) dimethylsilane, diethylaminotrimethylsilane, dimethylaminodimethylsilane, tetrakisdimethylaminosilane, tris (dimethylamino) silane; Silazanes such as hexamethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, heptamethyldisilazane, nonamethyltrisilazane, octamethylcyclotetrasilazane, tetramethyldisilazane; Cyanate silanes such
  • Silylalkenes such as 1,4-bistrimethylsilyl-1,3-butadiene, cyclopentadienyltrimethylsilane; Arylalkylsilanes such as phenyldimethylsilane and phenyltrimethylsilane; Alkynylalkylsilanes such as propargyltrimethylsilane; Alkenylalkylsilanes such as vinyltrimethylsilane; Disilanes such as hexamethyldisilane; Siloxanes such as octamethylcyclotetrasiloxane, tetramethylcyclotetrasiloxane, hexamethylcyclotetrasiloxane; N, O-bis (trimethylsilyl) acetamide; Bis (trimethylsilyl) carbodiimide; Etc.
  • Arylalkylsilanes such as phenyldimethylsilane and phenyltrimethylsilane
  • alkanes such as methane, ethane, propane, butane, pentane and hexane; alkenes such as ethylene, propylene, butene and pentene; alkadienes such as pentadiene and butadiene; alkynes such as acetylene and methylacetylene; benzene, toluene, Aromatic hydrocarbons such as xylene, indene, naphthalene and phenanthrene; cycloalkanes such as cyclopropane and cyclohexane; cycloalkenes such as cyclopentene and cyclohexene; and the like. These ions can be used alone or in combination of two or more.
  • the ion implantation amount may be appropriately determined according to the intended use (necessary gas barrier property, transparency, etc.) of the formed article to be formed.
  • a method for implanting ions is not particularly limited. For example, after a layer containing acrylic resin or the like (hereinafter, also referred to as “a layer into which ions are implanted”) is formed, ions are implanted into this layer. Can be mentioned.
  • Examples of the method of implanting ions include a method of irradiating ions accelerated by an electric field (ion beam), a method of implanting ions in plasma (plasma ion implantation method), and the like.
  • the latter method of implanting plasma ions is preferable because a molded article having excellent gas barrier properties and the like can be obtained easily.
  • plasma is generated in an atmosphere containing a plasma generation gas, and a negative high voltage pulse is applied to a layer into which ions are implanted, whereby ions (positive ions) in the plasma are It can be performed by implanting into the surface portion of the layer into which ions are implanted.
  • the thickness of the portion where the ion-implanted layer is formed can be controlled by the implantation conditions such as the type of ion, applied voltage, treatment time, etc., depending on the thickness of the layer into which ions are implanted, the purpose of use of the molded body, etc. Although it may be determined, it is usually 10 to 1000 nm.
  • the ion implantation can be confirmed by performing an elemental analysis measurement in the vicinity of 10 nm from the surface using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the ion-implanted layer obtained as described above has a gas permeability such as a water vapor permeability that is much smaller than that in which ions are not implanted, and is excellent in gas barrier properties.
  • the water vapor transmission rate is usually 1 g / m 2 / day or less, preferably 0.5 g / m 2 / day or less, more preferably 0.1 g / m 2 / day in an atmosphere of 40 ° C. and 90% relative humidity. It is as follows.
  • the shape of the molded product of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a film shape, a sheet shape, a rectangular parallelepiped shape, a polygonal column shape, and a cylindrical shape.
  • a film shape When used as an electronic device member as described later, it is preferably a film or sheet.
  • the thickness of the film can be appropriately determined depending on the intended use of the electronic device.
  • the molded body of the present invention may be composed only of an ion-implanted layer, or may further include other layers. Further, the other layer may be a single layer or two or more layers of the same type or different types. Examples of other layers include a base material layer, an inorganic compound layer, a shock absorbing layer, a conductor layer, and a primer layer.
  • the order of lamination of each layer may be any.
  • the arrangement position of the ion implantation layer is not particularly limited, it is preferable to have the ion implantation layer on the surface for the reason that it can be efficiently manufactured.
  • the ion implantation layer may be formed only on one side of the other layer, or may be formed on both sides of the other layer.
  • the thickness of the laminate is not particularly limited and can be appropriately determined depending on the intended use of the electronic device.
  • the material of the base material layer is not particularly limited as long as it matches the purpose of the molded body, for example, Polyimide, polyamide, polyamideimide, polyphenylene ether, polyether ketone, polyether ether ketone, polyolefin, polyester, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyarylate, acrylic resin, cycloolefin polymer, aromatic A polymer etc. are mentioned.
  • polyester, polyamide or cycloolefin polymer is preferable, and polyester or cycloolefin polymer is more preferable because of excellent transparency and versatility.
  • polyester examples include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyarylate.
  • polyamide examples include wholly aromatic polyamide, nylon 6, nylon 66, nylon copolymer, and the like.
  • cycloolefin polymers include norbornene polymers, monocyclic olefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides thereof. Specific examples thereof include Apel (an ethylene-cycloolefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals), Arton (a norbornene polymer manufactured by JSR), Zeonoa (a norbornene polymer manufactured by Nippon Zeon), and the like. .
  • Apel an ethylene-cycloolefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Arton a norbornene polymer manufactured by JSR
  • Zeonoa a norbornene polymer manufactured by Nippon Zeon
  • the inorganic compound layer is a layer made of one or more inorganic compounds.
  • the inorganic compound that constitutes the inorganic compound layer is generally capable of vacuum film formation and has a gas barrier property, such as an inorganic oxide, an inorganic nitride, an inorganic carbide, an inorganic sulfide, or a composite of these. Examples thereof include nitrides, inorganic oxide carbides, inorganic nitride carbides, and inorganic oxynitride carbides. In the present invention, among these, inorganic oxides, inorganic nitrides, and inorganic oxynitrides are preferable.
  • Examples of the inorganic oxide include metal oxides represented by the general formula MOx.
  • M represents a metal element.
  • x has a different range depending on M. For example, if M is silicon (Si), 0.1 to 2.0, if aluminum (Al), 0.1 to 1.5, and if magnesium (Mg), 0.1 to 1.0, 0.1 to 1.0 for calcium (Ca), 0.1 to 0.5 for potassium (K), 0.1 to 2 for tin (Sn) 0.0, 0.1 to 0.5 for sodium (Na), 0.1 to 1.5 for boron (B), 0.1 to 2.0 for titanium (Ti), lead ( The value is in the range of 0.1 to 1.0 for Pb), 0.1 to 2.0 for zirconium (Zr), and 0.1 to 1.5 for yttrium (Y).
  • a silicon oxide in which M is silicon, an aluminum oxide that is aluminum, and a titanium oxide that is titanium are preferable, and a silicon oxide is more preferable.
  • the value of x ranges from 1.0 to 2.0 if M is silicon, 0.5 to 1.5 if aluminum, and 1.3 to 2.0 if titanium. Those are preferred.
  • Examples of the inorganic nitride include metal nitrides represented by the general formula MNy.
  • M represents a metal element.
  • silicon nitride in which M is silicon, aluminum nitride as aluminum, titanium nitride as titanium, and tin nitride as tin are preferable, and silicon nitride (SiN) Is more preferable.
  • Examples of inorganic oxynitrides include metal oxynitrides represented by the general formula MOxNy.
  • M represents a metal element.
  • silicon oxynitride where M is silicon, aluminum oxynitride which is aluminum, and titanium oxynitride which is titanium are preferable, and silicon oxynitride is more preferable.
  • the metal oxide, the metal nitride, and the metal oxynitride may contain two or more kinds of metals.
  • the method for forming the inorganic compound layer is not particularly limited, and examples thereof include a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, and a dynamic ion mixing method.
  • a magnetron sputtering method is preferable because a laminate having an excellent gas barrier property can be easily obtained.
  • the thickness of the inorganic compound layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 20 to 500 nm, and particularly preferably 50 to 200 nm from the viewpoint of obtaining gas barrier properties.
  • the impact absorbing layer is for preventing cracking when an impact is applied to the molded body.
  • a raw material which forms a shock absorption layer For example, acrylic resin, urethane type resin, silicone type resin, olefin type resin, rubber-type material etc. can be used. Among these, acrylic resins, silicone resins, and rubber materials are preferable.
  • acrylic resin examples include those exemplified as the acrylic resin used for forming the ion implantation layer.
  • silicone resin examples include those containing dimethylsiloxane as a main component.
  • rubber-based material examples include those mainly composed of isoprene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutylene rubber, styrene-butadiene-styrene rubber and the like.
  • the impact absorbing layer may contain other additives such as antioxidants, tackifiers, plasticizers, ultraviolet absorbers, colorants, antistatic agents and the like.
  • the material for forming the shock absorbing layer may be a commercially available material such as an adhesive, a coating agent, and a sealant, and in particular, an acrylic adhesive, a silicone adhesive, a rubber adhesive, etc. An adhesive is preferred.
  • the method for forming the shock absorbing layer is not particularly limited.
  • the material for forming the shock absorbing layer such as an adhesive
  • Examples include a method in which an impact absorbing layer forming solution containing other components such as a solvent is applied onto a layer to be laminated, and the resulting coating film is dried and heated as necessary.
  • a shock absorbing layer may be separately formed on the release substrate, and the obtained film may be transferred and stacked on the layer to be stacked.
  • the thickness of the shock absorbing layer is usually 1 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 50 ⁇ m.
  • Conductor layer examples of the material constituting the conductor layer include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specifically, tin oxide (ATO) doped with antimony; tin oxide (FTO) doped with fluorine; conductive such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) Metal such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole Material, etc.
  • the conductor layer may be a laminate in which a plurality of layers made of these materials are laminated. Among these, a conductive metal oxide is preferable from the viewpoint of transparency, and ITO is particularly preferable.
  • Examples of the method for forming the conductor layer include a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, and the like.
  • the sputtering method is preferable because the conductor layer can be easily formed.
  • the sputtering method introduces a discharge gas (such as argon) into a vacuum chamber, applies a high-frequency voltage or a direct current voltage between the target and the substrate to turn the discharge gas into plasma, and collides the plasma with the target material.
  • a discharge gas such as argon
  • This is a method of obtaining a thin film by skipping and attaching to a substrate.
  • a target made of a material for forming the conductor layer is used as the target.
  • the thickness of a conductor layer suitably according to the use. Usually, it is 10 nm to 50 ⁇ m, preferably 20 nm to 20 ⁇ m.
  • the surface resistivity of the obtained conductor layer is usually 1000 ⁇ / ⁇ or less.
  • the formed conductor layer may be patterned as necessary.
  • the patterning method include chemical etching by photolithography and the like, physical etching using a laser and the like, vacuum deposition method using a mask, sputtering method, lift-off method, printing method, and the like.
  • the primer layer plays a role of improving interlayer adhesion. By providing the primer layer, it is possible to obtain a molded article having extremely excellent interlayer adhesion and surface smoothness.
  • the material constituting the primer layer is not particularly limited, and known materials can be used.
  • a photopolymerizable composition comprising a silicon-containing compound; a photopolymerizable compound comprising a photopolymerizable monomer and / or a photopolymerizable prepolymer, and a polymerization initiator that generates radicals at least in the visible light region; Resin, polyurethane resin (especially two-part curable resin of polyacryl polyol, polyester polyol, polyether polyol, etc.
  • acrylic resin polycarbonate resin
  • vinyl chloride / vinyl acetate copolymer vinyl chloride / vinyl acetate copolymer
  • polyvinyl butyral Resins such as resins and nitrocellulose resins
  • alkyl titanates alkyl titanates
  • ethyleneimines ethyleneimines
  • a primer layer forming solution obtained by dissolving or dispersing the material constituting the primer layer in an appropriate solvent is applied to one or both sides of the layer adjacent to the primer layer, and the resulting coating film is dried. And can be formed by heating as desired.
  • a normal wet coating method can be used as a method for applying the primer layer forming solution to one side or both sides of the layer adjacent to the primer layer. Examples include dipping method, roll coating, gravure coating, knife coating, air knife coating, roll knife coating, die coating, screen printing method, spray coating, gravure offset method and the like.
  • a conventionally known drying method such as hot air drying, hot roll drying, infrared irradiation or the like can be employed.
  • the thickness of the primer layer is usually 10 to 1000 nm.
  • ion implantation may be performed on the obtained primer layer by a method similar to the method for implanting ions into the ion implantation layer, which will be described later.
  • ion implantation also on the primer layer, a more excellent gas barrier film can be obtained.
  • the molded article of the present invention has excellent gas barrier properties and transparency, and when the shape thereof is a film or sheet (hereinafter referred to as “film”), it has excellent bending resistance and is bent. Even if it performs, what maintains gas-barrier property is preferable.
  • the fact that the molded article of the present invention has excellent transparency can be confirmed from the high visible light transmittance of the molded article of the present invention.
  • the visible light transmittance is a transmittance at a wavelength of 550 nm and is preferably 80% or more.
  • the visible light transmittance of the molded product can be measured using a known visible light transmittance measuring device.
  • the molded article of the present invention has excellent folding resistance and can maintain gas barrier properties even when folded, etc.
  • the fact that the folded part of the film-like molded article is subjected to pressure by applying two pressures and opened again is deteriorated. It can be confirmed from the fact that the water vapor transmission rate hardly decreases.
  • the film-shaped molded article of the present invention is excellent in maintaining gas barrier properties even after folding, as compared with an inorganic film having the same thickness.
  • the manufacturing method of the molded object of this invention has the process of inject
  • the molded body is formed by injecting ions into the acrylic resin etc. containing layer while conveying a long shaped product having the acrylic resin etc. containing layer on the surface portion in a certain direction. Is preferably produced.
  • a long shaped product can be unwound from an unwinding roll, and ions can be injected while being conveyed in a certain direction, and can be taken up by a winding roll.
  • the formed molded body can be continuously produced.
  • the shape of the long molded product is a film, may be composed only of a layer containing an acrylic resin or the like, or a laminate including other layers having a layer containing an acrylic resin or the like on the surface portion. Also good.
  • the thickness of the molded product is preferably 0.1 ⁇ m to 500 ⁇ m, and more preferably 5 ⁇ m to 300 ⁇ m, from the viewpoint of unwinding, winding and conveying operability.
  • the method for implanting ions into the acrylic resin-containing layer is not particularly limited. Among these, a method of forming an ion implantation layer on the surface portion of the layer by plasma ion implantation is preferable.
  • a negative high-voltage pulse is applied to a molded article that has been exposed to plasma and has a layer containing an acrylic resin or the like on its surface to inject ions in the plasma into the surface of the layer. This is a method of forming an ion implantation layer.
  • (A) a method in which ions existing in plasma generated using an external electric field are implanted into the surface portion of the layer, or (B) the layer is formed without using an external electric field.
  • a method of injecting ions present in the plasma generated only by the electric field by the negative high voltage pulse to be applied to the surface portion of the layer is preferable.
  • the pressure during ion implantation (pressure during plasma ion implantation) is 0.01 to 1 Pa.
  • the pressure at the time of plasma ion implantation is in such a range, a uniform ion implantation layer excellent in gas barrier properties and the like can be formed easily and efficiently.
  • the processing operation is simple, and the processing time can be greatly shortened. Further, the entire layer can be processed uniformly, and ions in the plasma can be continuously injected into the surface portion of the layer with high energy when a negative high voltage pulse is applied. Furthermore, without applying special other means such as radio frequency (hereinafter abbreviated as “RF”) or a high frequency power source such as a microwave, just applying a negative high voltage pulse to the layer, A high-quality ion-implanted layer can be uniformly formed on the surface of the layer.
  • RF radio frequency
  • a high frequency power source such as a microwave
  • the pulse width when applying a negative high voltage pulse is preferably 1 to 15 ⁇ sec.
  • the pulse width is in such a range, a transparent and uniform ion implantation layer can be formed more easily and efficiently.
  • the applied voltage when generating plasma is preferably -1 kV to -50 kV, more preferably -1 kV to -30 kV, and particularly preferably -5 kV to -20 kV. If ion implantation is performed at an applied voltage greater than ⁇ 1 kV, the ion implantation amount (dose amount) becomes insufficient, and desired performance cannot be obtained. On the other hand, if ion implantation is performed at a value smaller than ⁇ 50 kV, the molded body is charged at the time of ion implantation, and defects such as coloring of the molded body occur.
  • Examples of the source gas for generating plasma ions include the same materials as those exemplified in the section 1) Molded body.
  • a plasma ion implantation apparatus When ions in plasma are implanted into the surface portion of the layer, a plasma ion implantation apparatus is used. Specifically, as a plasma ion implantation apparatus, ( ⁇ ) a high-frequency power is superimposed on a feedthrough that applies a negative high voltage pulse to a layer into which ions are implanted, and the periphery of the layer into which ions are implanted is evenly distributed.
  • An apparatus for enclosing, enclosing, and injecting, colliding and depositing ions in plasma Japanese Patent Laid-Open No.
  • the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ) or ( ⁇ ) because the processing operation is simple, the processing time can be greatly shortened, and it is suitable for continuous use.
  • a method using the plasma ion implantation apparatuses ( ⁇ ) and ( ⁇ ) will be described in detail with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of a continuous plasma ion implantation apparatus including the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ).
  • 1a is a long film-like molded product (hereinafter referred to as “film”) having an acrylic resin-containing layer on its surface
  • 11a is a chamber
  • 20a is a turbo molecular pump
  • 3a is an ion.
  • Unwinding roll for feeding out the film 1a before being injected 5a is a winding roll for winding the ion-implanted film (molded body) 1a into a roll shape
  • 2a is a high-voltage applied rotation can
  • 6a is a film feeding roll
  • 10a is a gas inlet
  • 7a is a high voltage pulse power supply
  • 4a is a plasma discharge electrode (external electric field).
  • FIG. 1B is a perspective view of the high-voltage applying rotation can 2a
  • 15 is a high-voltage introduction terminal (feedthrough).
  • the long film 1a having a layer into which ions to be used are implanted is a film in which an acrylic resin-containing layer is formed on a base material layer.
  • the film 1a is transported in the chamber 11a from the unwinding roll 3a in the direction of the arrow X in FIG. It is wound up on a roll 5a.
  • the film 1a is transported by rotating the high voltage application rotating can 2a at a constant speed. ing.
  • the rotation of the high voltage application rotation can 2a is performed by rotating the central shaft 13 of the high voltage introduction terminal 15 by a motor.
  • the high voltage introduction terminal 15 and the plurality of delivery rolls 6a with which the film 1a comes into contact are made of an insulator, for example, formed by coating the surface of alumina with a resin such as polytetrafluoroethylene.
  • the high voltage application rotation can 2a is made of a conductor, and can be formed of stainless steel, for example.
  • the conveyance speed of the film 1a can be set as appropriate.
  • the film 1a is conveyed from the unwinding roll 3a and is ion-implanted into the surface part (acrylic resin-containing layer) of the film 1a until the film 1a is wound on the winding roll 5a, thereby forming a desired ion-implanted layer.
  • the film winding speed (conveyance speed) is usually 0.1 to 3 m / min, preferably 0.2 to 2.5 m / min, although it depends on the applied voltage and the scale of the apparatus.
  • the chamber 11a is evacuated by a turbo molecular pump 20a connected to a rotary pump to reduce the pressure.
  • the degree of reduced pressure is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa to 1 Pa, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa to 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa.
  • a gas for ion implantation (hereinafter sometimes referred to as “ion implantation gas”) is introduced into the chamber 11a from the gas inlet 10a, and the inside of the chamber 11a is set to a reduced pressure ion implantation gas atmosphere.
  • the ion implantation gas is also a plasma generation gas.
  • plasma is generated by the plasma discharge electrode 4 (external electric field).
  • a method for generating plasma a known method using a high-frequency power source such as a microwave or RF may be used.
  • the negative high voltage pulse 9a is applied by the high voltage pulse power source 7a connected to the high voltage application rotation can 2a via the high voltage introduction terminal 15.
  • a negative high-voltage pulse is applied to the high-voltage application rotation can 2a, ions in the plasma are induced and injected into the surface of the film around the high-voltage application rotation can 2a (in FIG. 1A, the arrow Y) A film-like molded body 1b is obtained.
  • the pressure at the time of ion implantation (the pressure of the plasma gas in the chamber 11a) is preferably 0.01 to 1 Pa, and the pulse width at the time of ion implantation is 1 to 15 ⁇ sec.
  • the applied voltage when applying a negative high voltage to the high voltage applying rotation can 2a is preferably -1 kV to -50 kV.
  • the apparatus shown in FIG. 2 includes the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ).
  • This plasma ion implantation apparatus generates plasma only by an electric field by a high voltage pulse applied without using an external electric field (that is, plasma discharge electrode 4 in FIG. 1).
  • the film (film-like molded product) 1c is removed from the unwinding roll 3b by rotating the high voltage application rotating can 2b in the same manner as the apparatus of FIG. It is conveyed in the direction of the middle arrow X and is taken up by the take-up roll 5b.
  • ion implantation into the surface portion of the acrylic resin-containing layer of the film is performed as follows.
  • the film 1c is placed in the chamber 11b, and the inside of the chamber 11b is evacuated by the turbo molecular pump 20b connected to the rotary pump to reduce the pressure.
  • an ion implantation gas is introduced into the chamber 11b from the gas introduction port 10b, and the inside of the chamber 11b is made a reduced pressure ion implantation gas atmosphere.
  • the pressure at the time of ion implantation (plasma gas pressure in the chamber 11b) is 10 Pa or less, preferably 0.01 to 5 Pa, more preferably 0.01 to 1 Pa.
  • the high voltage pulse power supply 7b connected to the high voltage application rotation can 2b through the high voltage introduction terminal (not shown) is conveyed while the film 1c is conveyed in the direction of X in FIG. Apply 9b.
  • the applied voltage when applying a negative high voltage to the high voltage applying rotation can 2b, the pulse width, and the pressure when implanting ions are the same as in the case of the continuous plasma ion implantation apparatus shown in FIG.
  • the plasma generating means for generating plasma is also used by the high voltage pulse power source, no special other means such as a high frequency power source such as RF or microwave is required.
  • a high frequency power source such as RF or microwave
  • plasma is generated, ions in the plasma are implanted into the surface portion of the acrylic resin-containing layer of the film, and an ion-implanted layer is formed continuously, and the surface portion of the film
  • the electronic device member of the present invention is characterized by comprising the molded article of the present invention. Therefore, since the electronic device member of the present invention has excellent gas barrier properties, it is possible to prevent deterioration of the element due to gas such as water vapor. Moreover, since the light transmittance is high, it is suitable as a display member such as a liquid crystal display or an EL display; a back sheet for a solar cell;
  • the electronic device of the present invention includes the electronic device member of the present invention. Specific examples include a liquid crystal display, an organic EL display, an inorganic EL display, electronic paper, and a solar battery. Since the electronic device of the present invention includes the electronic device member comprising the molded article of the present invention, it has excellent gas barrier properties and transparency.
  • PMMA refers to polymethyl methacrylate which is a homopolymer of methyl methacrylate.
  • the plasma ion implantation device, the water vapor transmission rate measuring device and the measurement conditions, the visible light transmittance measuring device, the bending test method, and the measurement device for elemental analysis of the surface portion of the gas barrier layer by XPS are as follows.
  • the plasma ion implantation apparatus used is an apparatus for implanting ions using an external electric field.
  • RF power source JEOL Ltd., model number “RF” 56000
  • High voltage pulse power supply “PV-3-HSHV-0835” manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.
  • Visible light transmittance measuring device “UV-3101PC” manufactured by Shimadzu Corporation Measurement wavelength: 550 nm
  • PET38 T-100 thickness 38 ⁇ m, hereinafter referred to as “PET film”, manufactured by Mitsubishi Plastics
  • argon (Ar) is plasma-implanted on the surface of the layer containing perhydropolysilazane and PMMA of the molded product under the conditions shown below. Was made.
  • Example 1 A molded body was produced in the same manner as in Example 6 except that ion implantation was not performed. That is, a layer containing perhydropolysilazane and PMMA was formed on a PET film, and this was used as a molded body 9.
  • Example 3 A molded body was produced in the same manner as in Example 1 except that a layer containing perhydropolysilazane and PMMA was not formed on the PET film. That is, argon (Ar) was ion-implanted into the surface of the PET film under the same conditions as in Example 1 to produce a molded body 11.
  • a molded body 12 was produced by forming a silicon nitride (SiN) film having a thickness of 60 nm on a PET film by a sputtering method.
  • SiN silicon nitride
  • Example 6 a molded body 13 was produced in the same manner as in Example 6 except that polyurethane (resin A: manufactured by DIC, Pandex T5265M) was used instead of PMMA.
  • polyurethane resin A: manufactured by DIC, Pandex T5265M
  • Example 6 A molded body 14 was produced in the same manner as in Example 6 except that polyethylene (resin B: manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., kernel KJ640T) was used instead of PMMA.
  • polyethylene resin B: manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., kernel KJ640T
  • Example 6 a molded body 15 was produced in the same manner as in Example 6 except that polycarbonate (resin C: manufactured by Aldrich) was used instead of PMMA.
  • polycarbonate resin C: manufactured by Aldrich
  • Example 1 to 10 the coating liquid stability of the mixed liquid containing perhydropolysilazane and the resin is excellent, and the obtained molded products 1 to 8, 17, and 18 are Comparative Examples 1 to Compared to the molded products 9 to 11 and 14 of 3 and 6, the water vapor permeability was small and the gas barrier property was high. Further, the visible light transmittance was high, the haze value was small, and the transparency was excellent. In Comparative Examples 5 and 7, the coating solution stability was poor, and no molded product was obtained.

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Abstract

　本発明は、ガスバリア層を有する成形体であって、該ガスバリア層が、少なくとも、炭素原子、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる表層部を有し、該表層部における、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下である成形体、この成形体の製造方法、前記成形体からなる電子デバイス用部材、この部材を備える電子デバイスである。本発明の成形体は優れたガスバリア性、透明性、及び耐折り曲げ性を有する。本発明の成形体の製造方法によれば、前記成形体を一工程で安全に簡便に製造することができる。本発明の電子デバイス用部材は、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。

Description

成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
　本発明は、成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスに関する。
　従来、プラスチックフィルム等の高分子成形体は、低価格であり加工性に優れるため、所望の機能を付与して種々の分野で用いられている。
　例えば、食品や医薬品の包装用フィルムには、蛋白質や油脂等の酸化や変質を抑制して味や鮮度を保持するため、水蒸気や酸素の透過を防ぐガスバリア性のプラスチックフィルムが用いられている。
　また、近年、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等のディスプレイには、薄型化、軽量化、フレキシブル化等を実現するために、電極を有する基板として、ガラス板に代えて透明プラスチックフィルムを用いることが検討されている。しかしながら、プラスチックフィルムは、ガラス板に比べて水蒸気や酸素等を透過しやすく、ディスプレイ内部の素子の劣化を起こしやすいという問題があった。
　この問題を解決すべく、特許文献１には、透明プラスチックフィルムに金属酸化物からなる透明ガスバリア層を積層したフレキシブルディスプレイ基板が提案されている。
　しかしながら、この文献記載のフレキシブルディスプレイ基板は、透明プラスチックフィルム表面に、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法等により、金属酸化物からなる透明ガスバリア層を積層したものであるため、該基板を丸めたり折り曲げたりすると、ガスバリア層にクラックが発生してガスバリア性が低下するという問題があった。
　また、特許文献２には、プラスチックフィルムと、該プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、ポリオルガノシルセスキオキサンを主成分とする樹脂層を積層してなるガスバリア性積層体が開示されている。
　しかしながら、酸素、水蒸気等のガスバリア性を得るためには、さらに無機化合物層を積層する必要があるため、工程が煩雑であったりコストがかかったり、毒性を有するガスを使用する危険性がある等の問題があった。
　特許文献３には、フィルムの少なくとも一方の面にポリシラザン膜を形成し、該ポリシラザン膜にプラズマ処理を施してガスバリア性フィルムを製造する方法が開示されている。
　しかしながら、この方法では、ガスバリア層の厚みをミクロンオーダーにしなければ充分なガスバリア性能を出せないという問題があった。例えば、ガスバリア層の厚みを０．１μｍとすると、水蒸気透過率は０．５０ｇ／ｍ2／ｄａｙであったと記載されている。
　また、特許文献４には、ポリシラザン膜にアクリル系樹脂を混合した膜が提案されているが、十分なガスバリア性を有するものではない。
特開２０００－３３８９０１号公報 特開２００６－１２３３０７号公報 特開２００７－２３７５８８号公報 特開平７－２９２３２１号公報
　本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性に優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ガスバリア層を有する成形体において、前記ガスバリア層が、少なくとも、炭素原子、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる表層部を有し、該表層部における、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下である成形体は、優れたガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性を有することを見出した。また、このような成形体は、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層に、イオンを注入することにより、簡便かつ効率よく製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
　かくして本発明の第１によれば、下記（１）～（７）の成形体が提供される。
（１）ガスバリア層を有する成形体であって、該ガスバリア層が、少なくとも、炭素原子、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる表層部を有し、該表層部における、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下であることを特徴とする成形体。
（２）前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層であり、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が、１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下のものであることを特徴とする（１）に記載の成形体。
（３）アクリル系樹脂の含有量が、ポリシラザン化合物及びアクリル系樹脂の合計量に対して、０．１質量％以上７０質量％以下である（２）に記載の成形体。
（４）前記ガスバリア層がポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層にイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする（１）～（３）のいずれかに記載の成形体。
（５）前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする（４）に記載の成形体。
（６）前記ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層に、プラズマイオン注入法によりイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする（４）又は（５）に記載の成形体。
（７）前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする（２）～（６）のいずれかに記載の成形体。
　本発明の第２によれば、下記（８）～（１１）の成形体の製造方法が提供される。
（８）前記（２）～（７）のいずれかに記載の成形体を製造する方法であって、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する成形体の製造方法。
（９）ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスのイオンを注入する工程を有する（８）に記載の成形体の製造方法。
（１０）前記イオンを注入する工程が、プラズマイオン注入法によりイオンを注入する工程であることを特徴とする（８）又は（９）に記載の成形体の製造方法。
（１１）ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する、長尺状の成形物を、一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層に、イオンを注入することを特徴とする（２）～（７）のいずれかに記載の成形体の製造方法。
　本発明の第３によれば、下記（１２）の電子デバイス用部材が提供される。
（１２）前記（１）～（７）のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。
　本発明の第４によれば、下記（１３）の電子デバイスが提供される。
（１３）前記（１２）に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
　本発明の成形体は優れたガスバリア性、透明性、及び耐折り曲げ性を有する。本発明の成形体は、フレキシブルなディスプレイや、太陽電池等の電子デバイス用部材（例えば太陽電池バックシート）として好適に用いることができる。
　本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性を有する本発明の成形体を一工程で安全に簡便に製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。
　本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性を有するため、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。
本発明に使用するプラズマイオン注入装置の概略構成を示す図である。 本発明に使用するプラズマイオン注入装置の概略構成を示す図である。
　以下、本発明を、１）成形体、２）成形体の製造方法、並びに、３）電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。
１）成形体
　本発明の成形体は、ガスバリア層を有する成形体であって、該ガスバリア層が、少なくとも、炭素原子、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる表層部（表面からの深さ方向に０ｎｍ～１０ｎｍの領域）を有し、該表層部における、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下であることを特徴とする。
　本発明の成形体においては、前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層であることが好ましい。
　本発明の成形体のガスバリア層がポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層である場合、前記ガスバリア層内部の炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、アクリル系樹脂及びポリシラザン化合物を所定割合で混合したときの組成割合に類似した状態となっている。すなわち、本発明の成形体は、極表層部においては、ポリシラザン化合物が転化によりガスバリア性を発現し、内部がアクリル系樹脂により柔軟性を持った構造体となっている。
　一般的には、前記ガスバリア層内部（表面からの深さ方向に２０ｎｍ～１５０ｎｍの領域）の、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、好ましくは、炭素原子が３５％以上６０％以下、窒素原子が０％以上１０％以下、酸素原子が１５％以上７０％以下、より好ましくは１５％以上３０％以下、ケイ素原子が１５％以上３０％以下である。
　本発明の成形体のガスバリア層がポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層である場合、前記ガスバリア層の炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、より詳細には、次の通りである。
（α）ガスバリア層におけるアクリル系樹脂の含有量が、前記ガスバリア層中のポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量を１００質量％として、０．１質量％以上１０質量％以下である場合には、前記ガスバリア層内部（表面からの深さ方向に２０ｎｍ～１５０ｎｍの領域）においては、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％以上５％以下、酸素原子の存在割合が５０％以上７５％以下、窒素原子の存在割合が０％以上５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上４０％以下であり、ガスバリア層表層部（表面からの深さ方向に０ｎｍ～１０ｎｍの領域）においては、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下である。
（β）ガスバリア層におけるアクリル系樹脂の含有量が、前記ガスバリア層中のポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量を１００質量％として、１０質量％超４０質量％以下である場合には、前記ガスバリア層内部（表面からの深さ方向に２０ｎｍ～１５０ｎｍの領域）においては、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％以上４０％以下、酸素原子の存在割合が２０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上１０％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上４０％以下であり、ガスバリア層表層部（表面からの深さ方向に０ｎｍ～１０ｎｍの領域）においては、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下である。
（γ）また、ガスバリア層におけるアクリル系樹脂の含有量が、前記ガスバリア層中のポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量を１００質量％として、４０質量％超７０質量％以下である場合には、前記ガスバリア層内部（表面からの深さ方向に２０ｎｍ～１５０ｎｍの領域）においては、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が３０％以上７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上５０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上１０％以下、ケイ素原子の存在割合が１０％以上４０％以下であり、ガスバリア層表層部（表面からの深さ方向に０ｎｍ～１０ｎｍの領域）においては、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下である。
（ポリシラザン化合物）
　本発明に用いるポリシラザン化合物は、分子内に－Ｓｉ－Ｎ－結合（シラザン結合）を含む繰り返し単位を有する高分子化合物である。具体的には、式（１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
で表される繰り返し単位を有する化合物が好ましい。また、用いるポリシラザン化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、１００～５０，０００であるのが好ましい。
　式（１）中、ｎは任意の自然数を表す。
　Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基又はアルキルシリル基等の非加水分解性基を表す。
　前記無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－へキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基等の炭素数１～１０のアルキル基が挙げられる。
　無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等の炭素数３～１０のシクロアルキル基が挙げられる。
　無置換若しくは置換基を有するアルケニル基のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基等の炭素数２～１０のアルケニル基が挙げられる。
　前記アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；ヒドロキシル基；チオール基；エポキシ基；グリシドキシ基；（メタ）アクリロイルオキシ基；フェニル基、４－メチルフェニル基、４－クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基；等が挙げられる。
　無置換又は置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等の炭素数６～１０のアリール基が挙げられる。
　前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１～６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシル基；チオール基；エポキシ基；グリシドキシ基；（メタ）アクリロイルオキシ基；フェニル基、４－メチルフェニル基、４－クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基；等が挙げられる。
　アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリｔ-ブチルシリル基、メチルジエチルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、メチルシリル基、エチルシリル基等が挙げられる。
　これらの中でも、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚとしては、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又はフェニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。
　前記式（１）で表される繰り返し単位を有するポリシラザン化合物としては、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚが全て水素原子である無機ポリシラザン、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚの少なくとも１つが水素原子ではない有機ポリシラザンのいずれであってもよい。
　無機ポリシラザンとしては、下記
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
（式中、ａは任意の自然数を表す。）で表される繰り返し単位を有する直鎖状構造を有し、６９０～２０００の分子量を持ち、一分子中に３～１０個のＳｉＨ３基を有するペルヒドロポリシラザン（特公昭６３－１６３２５号公報）、式（Ａ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
〔式中、ｂ、ｃは任意の自然数を表し、Ｙ１は、水素原子又は式（Ｂ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
（式中、ｄは任意の自然数を表し、＊は結合位置を表し、Ｙ２は水素原子、又は前記（Ｂ）で表される基を表す。）で表される基を表す。〕で表される繰り返し単位を有する、直鎖状構造と分岐構造を有するペルヒドロポリシラザン、式（Ｃ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
で表されるペルヒドロポリシラザン構造を有する、分子内に、直鎖状構造、分岐構造及び環状構造を有するペルヒドロポリシラザン等が挙げられる。
　有機ポリシラザンとしては、
（ｉ）－（Ｒｘ’ＳｉＨＮＨ）－（Ｒｘ’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。以下のＲｘ’も同様である。）を繰り返し単位として、主として重合度が３～５の環状構造を有するもの、
（ｉｉ）－（Ｒｘ’ＳｉＨＮＲｚ’）－（Ｒｚ’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。）を繰り返し単位として、主として重合度が３～５の環状構造を有するもの、
（ｉｉｉ）－（Ｒｘ’Ｒｙ’ＳｉＮＨ）－（Ｒｙ’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。）を繰り返し単位として、主として重合度が３～５の環状構造を有するもの、
（ｉｖ）下記式で表される構造を分子内に有するポリオルガノ（ヒドロ）シラザン、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
（ｖ）下記式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
〔Ｒｘ’、Ｒｙ’は前記と同じ意味を表し、ｅ、ｆは任意の自然数を表し、Ｙ３は、水素原子又は式（Ｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
（式中、ｇは任意の自然数を表し、＊は結合位置を表し、Ｙ４は水素原子、又は前記（Ｅ）で表される基を表す。）で表される基を表す。〕
で表される繰り返し構造を有するポリシラザン等が挙げられる。
　上記有機ポリシラザンは、公知の方法により製造することができる。例えば、下記式（２）で表される無置換若しくは置換基を有するハロゲノシラン化合物と２級アミンとの反応生成物に、アンモニア又は１級アミンを反応させることにより得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　式（２）中、ｍは２又は３を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ１は、前述した、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚ、Ｒｘ’、Ｒｙ’、Ｒｚ’のいずれかの置換基を表す。）
　用いる２級アミン、アンモニア及び１級アミンは、目的とするポリシラザン化合物の構造に応じて、適宜選択すればよい。
　また、本発明においては、ポリシラザン化合物として、ポリシラザン変性物を用いることもできる。ポリシラザン変性物としては、例えば、金属原子（該金属原子は架橋をなしていてもよい。）を含むポリメタロシラザン、繰り返し単位が〔（ＳｉＨ２）ｇ（ＮＨ）ｈ）〕及び〔（ＳｉＨ２）ｉＯ〕（式中、ｇ、ｈ、ｉはそれぞれ独立して、１、２又は３である。）で表されるポリシロキサザン（特開昭６２－１９５０２４号公報）、ポリシラザンにボロン化合物を反応させて製造するポリボロシラザン（特開平２－８４４３７号公報）、ポリシラザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリメタロシラザン（特開昭６３－８１１２２号公報等）、無機シラザン高重合体や改質ポリシラザン（特開平１－１３８１０８号公報等）、ポリシラザンに有機成分を導入した共重合シラザン（特開平２－１７５７２６号公報等）、ポリシラザンにセラミックス化を促進するための触媒的化合物を付加又は添加した低温セラミックス化ポリシラザン（特開平５－２３８８２７号公報等）、
　ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（特開平５－２３８８２７号公報）、グリシドール付加ポリシラザン（特開平６－１２２８５２号公報）、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン（特開平６－３０６３２９号公報）、金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（特開平６－２９９１１８号公報等）、
　上記ポリシラザン又はその変性物に、アミン類及び／又は酸類を添加してなるポリシラザン組成物（特開平９－３１３３３号公報）、ペルヒドロポリシラザンにメタノール等のアルコールあるいはヘキサメチルジシラザンを末端Ｎ原子に付加して得られる変性ポリシラザン（特開平５－３４５８２６号公報、特開平４－６３８３３号公報）等が挙げられる。
　これらの中でも、ポリシラザン化合物としては、入手容易性、及び優れたガスバリア性を有するイオン注入層を形成できる観点から、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚが全て水素原子であるペルヒドロポリシラザンが好ましい。
　また、ポリシラザン化合物としては、ガラスコーティング材等として市販されている市販品をそのまま使用することもできる。
（アクリル系樹脂）
　本発明の成形体のガスバリア層は、ポリシラザン化合物に加えて、アクリル系樹脂の少なくとも一種を含有する。アクリル系樹脂を配合することにより、耐折曲げ性に優れ、透明性が良好なガスバリア性成形体を得ることができる。
　本発明に用いるアクリル系樹脂は、分子内に、（メタ）アクリル酸系化合物由来の繰り返し単位を少なくとも含む（共）重合体である。ここで、「（共）重合体」は、「単独重合体又は共重合体」の意である（以下、同様）。また、「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸又はメタクリル酸の意である（以下同様。）。
　アクリル系樹脂としては、（ｉ）（メタ）アクリル酸系化合物の単独重合体、（ii）（メタ）アクリル酸系化合物の２種以上から得られる共重合体、及び（iii）（メタ）アクリル酸系化合物と他の官能性単量体から得られる共重合体が挙げられる。アクリル系樹脂が（iii）の共重合体である場合、（メタ）アクリル酸系化合物由来の繰り返し単位が、全繰り返し単位に対し５０モル％以上含まれているものが好ましい。
　本発明においては、アクリル系樹脂として、これらの（共）重合体を１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　前記（メタ）アクリル酸系化合物としては、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸のフッ素化エステル、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸アミノアルキルエステル、（メタ）アクリル酸のグリシジルエステル、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、メタクリル酸エステルがより好ましい。
　（メタ）アクリル酸エステルとしては、アルキル基の炭素数が１～２０の（メタ）アクリルアルキルエステル化合物が好ましく、アルキル基の炭素数が１～１０の（メタ）アクリルアルキルエステル化合物がより好ましい。
　（メタ）アクリル酸エステルの具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－ヘプチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－デシル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェニルエチル等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸のフッ素化エステルとしては、（メタ）アクリル酸パーフルオロ－ｔ－ブチル、パーフルオロイソプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸ヘキサフルオロ－２－プロピル、（メタ）アクリル酸トリフルオロエチル等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステルとしては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸アミドとしては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－フェニル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸アミノアルキルエステルとしては、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸のグリシジルエステルとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　他の官能性単量体としては、（メタ）アクリル酸系化合物と共重合可能なものであれば特に限定されない。例えば、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有単量体；スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、及びそれらの塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等）等の如きスルホン酸基又はその塩を含有する単量体；クロトン酸、イタコン酸、アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、及びそれらの塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等）等のカルボキシル基又はその塩を含有する単量体；
無水マレイン酸、無水イタコン酸等の無水物を含有する単量体；ビニルイソシアネート、アリルイソシアネート、スチレン、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルトリスアルコキシシラン、アルキルマレイン酸モノエステル、アルキルフマール酸モノエステル、（メタ）アクリロニトリル、アルキルイタコン酸モノエステル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、塩化ビニル；等が挙げられる。
　これらの単量体は一種単独で、あるいは二種以上を適宜に組み合わせて用いることができる。
　前記（ｉ）の単独重合体は、（メタ）アクリル酸系化合物の一種を重合することにより、（ii）の共重合体は、（メタ）アクリル酸系化合物の２種以上からなるモノマー混合物を共重合することにより、また、（iii）の共重合体は、（メタ）アクリル酸系化合物と他の官能性単量体を含有するモノマー混合物を共重合することにより得ることができる。
　（共）重合する方法は、特に限定されず、溶液重合法、乳化重合法、懸濁重合法等の公知の重合方法が採用できる。
　また、本発明においては、アクリル系樹脂として、（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体を架橋剤と混合して、少なくとも一部に架橋体を形成したものを用いることもできる。
　用いる架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアナート等、あるいはそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。
　架橋剤の使用量は、（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体の固形分１００質量部に対して通常０．０１～１０質量部、好ましくは０．０５～５質量部である。架橋剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらのアクリル系樹脂の中でも、後述するアクリル系樹脂等含有層の形成に用いる層形成用溶液が、塗膜形成前にゲル化しにくくなり、容易に塗膜を形成することができる点と、ポリシラザン化合物との相溶性に優れる点から、上記（ｉ）（メタ）アクリル酸系化合物の単独重合体、及び、（ii）（メタ）アクリル酸系化合物の２種以上から得られる共重合体が好ましく、（メタ）アクリル酸エステルの単独重合体、及び、（メタ）アクリル酸エステルの２種以上から得られる共重合体がより好ましい。
　本発明に用いるアクリル系樹脂の重量平均分子量は１，０００～１，０００，０００であるのが好ましく、１００，０００～１，０００，０００であるのがより好ましい。
　前記ガスバリア層中の、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計含有量は、優れたガスバリア性等を有するイオン注入層を形成できる観点から、５０質量％以上であるのが好ましく、７０質量％以上であるのがより好ましい。
　前記ガスバリア層中のアクリル系樹脂の含有量は、可撓性や透明性を重視する場合には、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量を１００質量％として、０．１質量％以上７０質量％以下であるのが好ましく、３０質量％～７０質量％であるのがより好ましく、４０質量％～６０質量％であるのがさらに好ましい。また、ガスバリア性を重視する場合には、アクリル系樹脂の含有量は、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量を１００質量％として、５０質量％以下であるのが好ましく、１０質量％以下であるのがより好ましい。
　また、前記ガスバリア層は、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、他の高分子、硬化剤、老化防止剤、光安定剤、難燃剤、充填剤、顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤、流れ止め剤等が挙げられる。
　本発明の成形体は、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が、１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、好ましくは０．５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、より好ましくは０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、本発明の成形体はガスバリア性に優れる。なお、成形体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。
　本発明の成形体は、ガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層がポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層（以下、「アクリル系樹脂等含有層」ということがある。）に、イオンが注入されて得られる層（以下、「イオン注入層」ということがある。）を有するものであってもよい。
　本発明の成形体は、ガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含み、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下のものであり、かつ、このものが前記イオン注入層を有するものであることが特に好ましい。
　アクリル系樹脂等含有層を形成する方法としては、特に制約はなく、例えば、ポリシラザン化合物の少なくとも一種、アクリル系樹脂の少なくとも一種、所望により他の成分、及び溶剤等を含有する層形成用溶液を、適当な基材層の上に塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。
　アクリル系樹脂等含有層の形成に用いるポリシラザン化合物及びアクリル系樹脂としては、上述したものと同様のものが挙げられる。
　前記層形成用溶液に用いる溶剤としては、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の両方を安定的に溶解するものが好ましい。例えば、キシレン、トルエン、ブチルカルビトールアセテート、酢酸ｎ－ブチル、酢酸エチル等のエステル類；セロソルブ、セロソルブアセテート等のグリコールエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；等が挙げられる。
　溶剤を使用する場合、前記アクリル系樹脂添加ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度を調節するために、２種類以上の溶剤を混合してもよい。
　溶剤の使用量（割合）は、コーティング方法、用いるポリシラザン化合物等の種類等にもよるが、通常、層形成用溶液の５～９９質量％、好ましくは５～６０質量％である。
　前記層形成用溶液の塗布に用いる塗工装置としては、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の装置を使用することができる。
　得られた塗膜の乾燥及び成形体のガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は８０～１５０℃で、数十秒から数十分行う。
　このような加熱によって、ポリシラザン化合物は架橋、縮合、場合によっては酸化、加水分解して硬化し、セラミックス相を形成し、アクリル系樹脂は熱軟化する。そして、Ｓｉ－Ｎ結合あるいはＳｉ－Ｏ結合を主体とするセラミックス相と、アクリル系相からなる有機質部分とが微細な構造レベルで（無機フィラー等を添加する複合材と比べて）複合化した緻密な膜を得ることができる。
　形成されるアクリル系樹脂等含有層の厚みは、特に制限されないが、通常２０ｎｍ～１００μｍ、好ましくは３０～５００ｎｍ、より好ましくは４０～２００ｎｍである。
　本発明においては、アクリル系樹脂等含有層の厚みがナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。
　本発明の成形体において、イオン注入層は、アクリル系樹脂等含有層中にイオンが注入されてなるものであれば、特に制約はない。
　注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガス、フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄、ケイ素化合物、炭化水素等のイオン；金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン；が挙げられる。
　なかでも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と透明性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。
　ケイ素化合物としては、シラン（ＳｉＨ４）又は有機ケイ素化合物が挙げられる。
　有機ケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ－プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ－ブトキシシラン、テトラｔ－ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン；
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、（３，３，３－トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン；
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン；
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等のジシロキサン；
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン等のアミノシラン；
ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン；
テトライソシアナートシラン等のシアナートシラン；
トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン；
ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン；
ジ－ｔ－ブチルシラン、１，３－ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、テトラメチルシラン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン；
ビス（トリメチルシリル）アセチレン、トリメチルシリルアセチレン、１－（トリメチルシリル）－１－プロピン等のシリルアルキン；
１，４－ビストリメチルシリル－１，３－ブタジエン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン；
フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン；
プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン；
ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン；
ヘキサメチルジシラン等のジシラン；
オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン；
Ｎ，Ｏ－ビス（トリメチルシリル）アセトアミド；
ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド；
等が挙げられる。
　炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン；エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素；シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン；等が挙げられる。
　これらのイオンは、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的（必要なガスバリア性、透明性等）等に合わせて適宜決定すればよい。
　イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、アクリル系樹脂等含有層（以下、「イオンが注入される層」ということがある。）を形成した後、この層にイオンを注入する方法が挙げられる。
　イオンを注入する方法としては、電界により加速されたイオン（イオンビーム）を照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法（プラズマイオン注入法）等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便に優れたガスバリア性等を有する成形体が得られることから、後者のプラズマイオンを注入する方法が好ましい。
　プラズマイオン注入法は、例えば、プラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、イオンが注入される層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン（陽イオン）を、イオンが注入される層の表面部に注入して行うことができる。
　イオン注入層が形成される部分の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、イオンが注入される層の厚み、成形体の使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、１０～１０００ｎｍである。
　イオンが注入されたことは、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を用いて、表面から１０ｎｍ付近の元素分析測定を行うことによって確認することができる。
　以上のようにして得られるイオン注入層は、水蒸気透過率等のガスの透過率が、イオンが注入されていないものに比して格段に小さく、ガスバリア性に優れる。例えば、水蒸気透過率は、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下で、通常１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、好ましくは０．５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、より好ましくは０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である。
　本発明の成形体の形状は、特に制限されず、例えば、フィルム状、シート状、直方体状、多角柱状、筒状等が挙げられる。後述するごとき電子デバイス用部材として用いる場合には、フィルム状、シート状であることが好ましい。該フィルムの厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。
　本発明の成形体は、イオン注入層のみからなるものであってもよいし、さらに他の層を含むものであってもよい。また、他の層は単層であっても、同種又は異種の２層以上であってもよい。
　他の層としては、基材層、無機化合物層、衝撃吸収層、導電体層、プライマー層等が挙げられる。
　本発明の成形体が他の層を含む積層体である場合、各層の積層順はどのようなものであってもよい。また、イオン注入層の配置位置は特に限定されないが、効率よく製造できること等の理由から、イオン注入層を表面に有するのが好ましい。さらに、イオン注入層は、他の層の片面のみに形成されていても、他の層の両面に形成されていてもよい。
　また、本発明の成形体が積層体である場合、積層体の厚みは、特に制限されず、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。
（基材層）
　基材層の素材は、成形体の目的に合致するものであれば特に制限されず、例えば、
ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等が挙げられる。
　これらの中でも、透明性に優れ、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミド又はシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステル又はシクロオレフィン系ポリマーがより好ましい。
　ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。
　ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン共重合体等が挙げられる。
　シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル（三井化学社製のエチレン－シクロオレフィン共重合体）、アートン（ＪＳＲ社製のノルボルネン系重合体）、ゼオノア（日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体）等が挙げられる。
（無機化合物層）
　無機化合物層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物層を構成する無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。本発明においては、これらの中でも、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物が好ましい。
　無機酸化物としては、一般式ＭＯｘで表される金属酸化物が挙げられる。
　式中、Ｍは金属元素を表す。ｘはＭによってそれぞれ範囲が異なり、例えば、Ｍがケイ素（Ｓｉ）であれば０．１～２．０、アルミニウム（Ａｌ）であれば０．１～１．５、マグネシウム（Ｍｇ）であれば０．１～１．０、カルシウム（Ｃａ）であれば０．１～１．０、カリウム（Ｋ）であれば０．１～０．５、スズ（Ｓｎ）であれば０．１～２．０、ナトリウム（Ｎａ）であれば０．１～０．５、ホウ素（Ｂ）であれば０．１～１．５、チタン（Ｔｉ）であれば０．１～２．０、鉛（Ｐｂ）であれば０．１～１．０、ジルコニウム（Ｚｒ）であれば０．１～２．０、イットリウム（Ｙ）であれば、０．１～１．５の範囲の値である。
　これらの中でも、透明性等に優れることから、Ｍがケイ素であるケイ素酸化物、アルミニウムであるアルミニウム酸化物、チタンであるチタン酸化物が好ましく、ケイ素酸化物がより好ましい。なお、ｘの値としては、Ｍがケイ素であれば１．０～２．０が、アルミニウムであれば０．５～１．５が、チタンであれば１．３～２．０の範囲のものが好ましい。
　無機窒化物としては、一般式ＭＮｙで表される金属窒化物が挙げられる。
　式中、Ｍは金属元素を表す。ｙはＭによってそれぞれ範囲が異なり、Ｍがケイ素（Ｓｉ）であればｙ＝０．１～１．３、アルミニウム（Ａｌ）であればｙ＝０．１～１．１、チタン（Ｔｉ）であればｙ＝０．１～１．３、すず（Ｓｎ）であればｙ＝０．１～１．３の範囲の値である。
　これらの中でも、透明性等に優れることから、Ｍがケイ素であるケイ素窒化物、アルミニウムであるアルミニウム窒化物、チタンであるチタン窒化物、スズであるスズ窒化物が好ましく、ケイ素窒化物（ＳｉＮ）がより好ましい。なお、ｙの値としては、Ｍがケイ素であればｙ＝０．５～１．３、アルミニウムであればｙ＝０．３～１．０、チタンであればｙ＝０．５～１．３、スズであればｙ＝０．５～１．３の範囲のものが好ましい。
　無機酸化窒化物としては、一般式ＭＯｘＮｙで表される金属酸化窒化物が挙げられる。
　式中、Ｍは金属元素を表す。ｘ及びｙの値は、Ｍによってそれぞれ範囲が異なる。すなわち、ｘ、ｙは、例えば、Ｍがケイ素（Ｓｉ）であればｘ＝１．０～２．０、ｙ＝０．１～１．３、アルミニウム（Ａｌ）であればｘ＝０．５～１．０、ｙ＝０．１～１．０、マグネシウム（Ｍｇ）であればｘ＝０．１～１．０、ｙ＝０．１～０．６、カルシウム（Ｃａ）であればｘ＝０．１～１．０、ｙ＝０．１～０．５、カリウム（Ｋ）であればｘ＝０．１～０．５、ｙ＝０．１～０．２、スズ（Ｓｎ）であればｘ＝０．１～２．０、ｙ＝０．１～１．３、ナトリウム（Ｎａ）であればｘ＝０．１～０．５、ｙ＝０．１～０．２、ホウ素（Ｂ）であればｘ＝０．１～１．０、ｙ＝０．１～０．５、チタン（Ｔｉ）であればｘ＝０．１～２．０、ｙ＝０．１～１．３、鉛（Ｐｂ）であればｘ＝０．１～１．０、ｙ＝０．１～０．５、ジルコニウム（Ｚｒ）であればｘ＝０．１～２．０、ｙ＝０．１～１．０、イットリウム（Ｙ）であればｘ＝０．１～１．５、ｙ＝０．１～１．０の範囲の値である。
　これらの中でも、透明性等に優れることから、Ｍがケイ素であるケイ素酸化窒化物、アルミニウムであるアルミニウム酸化窒化物、チタンであるチタン酸化窒化物が好ましく、ケイ素酸化窒化物がより好ましい。なお、ｘ及びｙの値としては、Ｍがケイ素であればｘ＝１．０～２．０、ｙ＝０．１～１．３、アルミニウムであればｘ＝０．５～１．０、ｙ＝０．１～１．０、チタンであればｘ＝１．０～２．０、ｙ＝０．１～１．３の範囲のものが好ましい。
　なお、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸化窒化物には、２種類以上の金属が含まれていても良い。
　無機化合物層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ダイナミックイオンミキシング法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア性に優れた積層体が得られることから、マグネトロンスパッタリング法が好ましい。
　無機化合物層の厚さは、特に限定されないが、ガスバリア性が得られる観点から、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、２０～５００ｎｍであることがより好ましく、５０～２００ｎｍであることが特に好ましい。
（衝撃吸収層）
　衝撃吸収層は、成形体に衝撃が加わった時に、割れを防止するためのものである。衝撃吸収層を形成する素材としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等を用いることができる。これらの中でも、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系材料が好ましい。
　アクリル系樹脂としては、前記イオン注入層の形成に用いるアクリル系樹脂として例示したのと同様のものが挙げられる。
　シリコーン系樹脂としては、ジメチルシロキサンを主成分とするものが挙げられる。
　ゴム系材料としては、イソプレンゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、スチレン－ブタジエン－スチレンゴム等を主成分とするものが挙げられる。
　衝撃吸収層には、各種添加剤、例えば、酸化防止剤、粘着付与剤、可塑剤、紫外線吸収剤、着色剤、帯電防止剤等の他の成分を含んでいてもよい。
　衝撃吸収層を形成する素材は、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。
　衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材（粘着剤等）、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。
　また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。
　衝撃吸収層の厚みは、通常１～１００μｍ、好ましくは５～５０μｍである。
（導電体層）
　導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）；フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）；酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これら金属と導電性金属酸化物との混合物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料；等が挙げられる。導電体層は、これらの材料からなる層が複数積層されてなる積層体であってもよい。
　これらの中でも、透明性の点から、導電性金属酸化物が好ましく、ＩＴＯが特に好ましい。
　導電体層の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。これらの中でも、簡便に導電体層が形成できることから、スパッタリング法が好ましい。
　スパッタリング法は、真空槽内に放電ガス（アルゴン等）を導入し、ターゲットと基板との間に高周波電圧あるいは直流電圧を加えて放電ガスをプラズマ化し、該プラズマをターゲットに衝突させることでターゲット材料を飛ばし、基板に付着させて薄膜を得る方法である。ターゲットとしては、前記導電体層を形成する材料からなるものが使用される。
　導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常１０ｎｍ～５０μｍ、好ましくは２０ｎｍ～２０μｍである。
　得られる導電体層の表面抵抗率は、通常１０００Ω／□以下である。
　形成された導電体層には、必要に応じてパターニングを行ってもよい。パターニングする方法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザ等を用いた物理的エッチング等、マスクを用いた真空蒸着法やスパッタリング法、リフトオフ法、印刷法等が挙げられる。
（プライマー層）
　プライマー層は、層間密着性を高める役割を果たす。プライマー層を設けることにより、層間密着性及び表面平滑性に極めて優れる成形体を得ることができる。
　プライマー層を構成する材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ケイ素含有化合物；光重合性モノマー及び／又は光重合性プレポリマーからなる光重合性化合物、及び少なくとも可視光域の光でラジカルを発生する重合開始剤を含む光重合性組成物；ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂（特にポリアクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等とイソシアネート化合物との２液硬化型樹脂）、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ニトロセルロース系樹脂等の樹脂類；アルキルチタネート；エチレンイミン；等が挙げられる。これらの材料は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　プライマー層は、プライマー層を構成する材料を適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を、プライマー層と隣接する層の片面又は両面に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。
　プライマー層形成用溶液をプライマー層と隣接する層の片面又は両面に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。
　プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常、１０～１０００ｎｍである。
　また、得られたプライマー層に、後述する、イオン注入層にイオンを注入する方法と同様な方法によりイオン注入を行ってもよい。プライマー層にもイオン注入を行うことにより、より優れたガスバリア性フィルムを得ることができる。
　本発明の成形体は、優れたガスバリア性、透明性を有し、また、その形状がフィルム状又はシート状（以下、「フィルム状」という。）の場合、耐折り曲げ性に優れ、かつ折り曲げ等を行ってもガスバリア性を維持するものが好ましい。
　本発明の成形体が優れた透明性を有していることは、本発明の成形体の可視光透過率が高いことから確認することができる。可視光透過率は波長５５０ｎｍにおける透過率であり、８０％以上が好ましい。成形体の可視光透過率は、公知の可視光透過率測定装置を使用して測定することができる。
　本発明の成形体が耐折り曲げ性に優れ、折り曲げ等を行ってもガスバリア性を維持できることは、フィルム状の成形体をふたつに折り曲げて圧力をかけ、再び開いたときに折り曲げた部分が劣化しておらず、水蒸気透過率もほとんど低下しないことから確認することができる。本発明のフィルム状の成形体は、同じ厚みの無機膜に比較して、折り曲げ後もガスバリア性を維持することに優れている。
２）成形体の製造方法
　本発明の成形体の製造方法は、アクリル系樹脂等含有層を表面部に有する成形物の、前記アクリル系樹脂等含有層に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする。
　本発明の成形体の製造方法においては、アクリル系樹脂等含有層を表面部に有する長尺状の成形物を一定方向に搬送しながら、アクリル系樹脂等含有層にイオンを注入させて成形体を製造するのが好ましい。
　この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入された成形体を連続的に製造することができる。
　長尺状の成形物の形状はフィルム状であり、アクリル系樹脂等含有層のみからなるものでもよいし、アクリル系樹脂等含有層を表面部に有する、他の層を含む積層体であってもよい。
　成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、０．１μｍ～５００μｍが好ましく、５μｍ～３００μｍがより好ましい。
　アクリル系樹脂等含有層に、イオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオン注入層を形成する方法が好ましい。
　プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、アクリル系樹脂等含有層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオン注入層を形成する方法である。
　プラズマイオン注入法としては、（Ａ）外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又は（Ｂ）外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。
　前記（Ａ）の方法においては、イオンを注入する際の圧力（プラズマイオン注入時の圧力）を０．０１～１Ｐａとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく、ガスバリア性等に優れた均一なイオン注入層を形成することができる。
　前記（Ｂ）の方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（高周波、以下、「ＲＦ」と略す。）や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。
　前記（Ａ）及び（Ｂ）のいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオンを注入するときのパルス幅は、１～１５μｓｅｃであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。
　また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは－１ｋＶ～－５０ｋＶ、より好ましくは－１ｋＶ～－３０ｋＶ、特に好ましくは－５ｋＶ～－２０ｋＶである。印加電圧が－１ｋＶより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量（ドーズ量）が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、－５０ｋＶより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時に成形体が帯電し、また成形体への着色等の不具合が生じ、好ましくない。
　プラズマイオンを生成する原料ガスとしては、前記１）成形体の項で例示したのと同様のものが挙げられる。
　層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。
　プラズマイオン注入装置としては、具体的には、（α）イオンが注入される層に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳して、イオンが注入される層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置（特開２００１-２６８８７号公報）、（β）チャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオンが注入される層周囲にプラズマが到達後、イオンが注入される層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオンが注入される層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置（特開２００１－１５６０１３号公報）、（γ）マイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、（δ）外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。
　これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、（γ）又は（δ）のプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。
　以下、前記（γ）及び（δ）のプラズマイオン注入装置を用いる方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
　図１は、前記（γ）のプラズマイオン注入装置を備える連続的プラズマイオン注入装置の概要を示す図である。
　図１（ａ）において、１ａはアクリル系樹脂等含有層を表面部に有する長尺フィルム状の成形物（以下、「フィルム」という。）、１１ａはチャンバー、２０ａはターボ分子ポンプ、３ａはイオン注入される前のフィルム１ａを送り出す巻き出しロール、５ａはイオン注入されたフィルム（成形体）１ａをロール状に巻き取る巻取りロール、２ａは高電圧印加回転キャン、６ａはフィルムの送り出しロール、１０ａはガス導入口、７ａは高電圧パルス電源、４ａはプラズマ放電用電極（外部電界）である。図１（ｂ）は、前記高電圧印加回転キャン２ａの斜視図であり、１５は高電圧導入端子（フィードスルー）である。
　用いるイオンが注入される層を表面部に有する長尺状のフィルム１ａは、基材層上に、アクリル系樹脂等含有層を形成したフィルムである。
　図１に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム１ａは、チャンバー１１ａ内において、巻き出しロール３ａから図１中矢印Ｘ方向に搬送され、高電圧印加回転キャン２ａを通過して、巻き取りロール５ａに巻き取られる。フィルム１ａの巻取りの方法や、フィルム１ａを搬送する方法等は特に制約はないが、本実施形態においては、高電圧印加回転キャン２ａを一定速度で回転させることにより、フィルム１ａの搬送を行っている。また、高電圧印加回転キャン２ａの回転は、高電圧導入端子１５の中心軸１３をモーターにより回転させることにより行われる。
　高電圧導入端子１５、及びフィルム１ａが接触する複数の送り出し用ロール６ａ等は絶縁体からなり、例えば、アルミナの表面をポリテトラフルオロエチレン等の樹脂で被覆して形成されている。また、高電圧印加回転キャン２ａは導体からなり、例えば、ステンレスで形成することができる。
　フィルム１ａの搬送速度は適宜設定できる。フィルム１ａが巻き出しロール３ａから搬送され、巻き取りロール５ａに巻き取られるまでの間にフィルム１ａの表面部（アクリル系樹脂等含有層）にイオン注入され、所望のイオン注入層が形成されるだけの時間が確保される速度であれば、特に制約されない。フィルムの巻取り速度（搬送速度）は、印加電圧、装置規模等にもよるが、通常０．１～３ｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２～２．５ｍ／ｍｉｎである。
　まず、チャンバー１１ａ内をロータリーポンプに接続されたターボ分子ポンプ２０ａにより排気して減圧とする。減圧度は、通常１×１０－４Ｐａ～１Ｐａ、好ましくは１×１０－３Ｐａ～１×１０－２Ｐａである。
　次に、ガス導入口１０ａよりチャンバー１１ａ内に、イオン注入用のガス（以下、「イオン注入用ガス」ということがある。）を導入して、チャンバー１１ａ内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。なお、イオン注入用ガスはプラズマ生成ガスでもある。
　次いで、プラズマ放電用電極４（外部電界）によりプラズマを発生させる。プラズマを発生させる方法としては、マイクロ波やＲＦ等の高周波電力源等による公知の方法が挙げられる。
　一方、高電圧導入端子１５を介して高電圧印加回転キャン２ａに接続されている高電圧パルス電源７ａにより、負の高電圧パルス９ａが印加される。高電圧印加回転キャン２ａに負の高電圧パルスが印加されると、プラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン２ａの周囲のフィルムの表面に注入され（図１（ａ）中、矢印Ｙ）、フィルム状の成形体１ｂが得られる。
　前述のように、イオンを注入する際の圧力（チャンバー１１ａ内のプラズマガスの圧力）は、０．０１～１Ｐａであるのが好ましく、イオンを注入するときのパルス幅は、１～１５μｓｅｃであるのが好ましく、高電圧印加回転キャン２ａに負の高電圧を印加する際の印加電圧は、－１ｋＶ～－５０ｋＶであるのが好ましい。
　次に、図２に示す連続的プラズマイオン注入装置を使用して、アクリル系樹脂等含有層を表面部に有するフィルムの、前記アクリル系樹脂等含有層にイオンを注入する方法を説明する。
　図２に示す装置は、前記（δ）のプラズマイオン注入装置を備える。このプラズマイオン注入装置は、外部電界（すなわち、図１におけるプラズマ放電用電極４）を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみでプラズマを発生させるものである。
　図２に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム（フィルム状の成形物）１ｃは、前記図１の装置と同様に高電圧印加回転キャン２ｂを回転させることによって巻き出しロール３ｂから図２中矢印Ｘ方向に搬送され、巻き取りロール５ｂに巻き取られる。
　図２に示す連続的プラズマイオン注入装置では、前記フィルムのアクリル系樹脂等含有層の表面部へのイオン注入は次のように行われる。
　まず、図１に示すプラズマイオン注入装置と同様にしてチャンバー１１ｂ内にフィルム１ｃを設置し、チャンバー１１ｂ内をロータリーポンプに接続されているターボ分子ポンプ２０ｂにより排気して減圧とする。そこへ、ガス導入口１０ｂよりチャンバー１１ｂ内に、イオン注入用ガスを導入して、チャンバー１１ｂ内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。
　イオンを注入する際の圧力（チャンバー１１ｂ内のプラズマガスの圧力）は、１０Ｐａ以下、好ましくは０．０１～５Ｐａ、より好ましくは０．０１～１Ｐａである。
　次に、フィルム１ｃを、図２中Ｘの方向に搬送させながら、高電圧導入端子（図示せず）を介して高電圧印加回転キャン２ｂに接続されている高電圧パルス電源７ｂから高電圧パルス９ｂを印加する。
　高電圧印加回転キャン２ｂに負の高電圧が印加されると、高電圧印加回転キャン２ｂの周囲のフィルム１ｃに沿ってプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン２ｂの周囲の成形体フィルム１ｃの表面に注入される（図２中、矢印Ｙ）。フィルム１ｃのアクリル系樹脂等含有層の表面部にイオンが注入されると、フィルム表面部にイオン注入層が形成され、フィルム状の成形体１ｄが得られる。
　高電圧印加回転キャン２ｂに負の高電圧を印加する際の印加電圧、パルス幅及びイオンを注入する際の圧力は、図１に示す連続的プラズマイオン注入装置の場合と同様である。
　図２に示すプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、ＲＦやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、フィルムのアクリル系樹脂等含有層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、フィルムの表面部にイオン注入層が形成された成形体を量産することができる。
３）電子デバイス用部材及び電子デバイス
　本発明の電子デバイス用部材は、本発明の成形体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等のディスプレイ部材；太陽電池用バックシート；等として好適である。
　本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。
　本発明の電子デバイスは、本発明の成形体からなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性と透明性を有する。
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。
　なお、以下において、ＰＭＭＡはメタアクリル酸メチルの単独重合体であるポリメチルメタクリレートのことである。
　用いたプラズマイオン注入装置、水蒸気透過率測定装置と測定条件、可視光透過率測定装置、及び折り曲げ試験の方法及びＸＰＳによるガスバリア層の表層部の元素分析の測定装置は以下の通りである。なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオンを注入する装置である。
（ＸＰＳによる元素分析）
　ガスバリア層表層部における原子の存在割合の測定は、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を使用して下記に示す測定条件で行った。
測定装置：「ＰＨＩ　Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ」アルバックファイ社製
Ｘ線源：ＡｌＫα
Ｘ線ビーム径：１００μｍ
電力値：２５Ｗ
電圧：１５ｋＶ
取り出し角度：４５°
真空度：５．０×１０－８Ｐａ
（プラズマイオン注入装置）
ＲＦ電源：日本電子社製、型番号「ＲＦ」５６０００
高電圧パルス電源：栗田製作所社製、「ＰＶ－３－ＨＳＨＶ－０８３５」
（水蒸気透過率の測定）
　ガス透過率測定装置：水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上のとき、ＬＹＳＳＹ社製、「Ｌ８９－５００」を用い、水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ未満のとき、ＴＥＣＨＮＯＬＯＸ社製、「ｄｅｌｔａｐｅｒｍ」を用いた。
測定条件：相対湿度９０％、４０℃
（可視光線透過率、ヘイズの測定）
　可視光透過率測定装置：島津製作所社製、「ＵＶ－３１０１ＰＣ」
測定波長：５５０ｎｍ
（折り曲げ試験）
　得られた成形体のイオン注入面（比較例１はペルヒドロポリシラザンを含む層側、比較例４は窒化ケイ素膜側）を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーター（フジプラ社製、「ＬＡＭＩＰＡＣＫＥＲ　ＬＰＣ１５０２」）の２本のロール間を、ラミネート速度５ｍ／ｍｉｎ、温度２３℃の条件で通した後、折り曲げた部分を顕微鏡で観察（１００倍）してクラック発生の有無を観察した。クラックの発生が認められなかった場合を「なし」、クラックの発生が認められた場合を「あり」と評価した。
　また、折り曲げ試験前後の水蒸気透過率を測定した。
（塗工液安定性の確認）
　ペルヒドロポリシラザンと樹脂を含む混合液につき、混合後６時間以内にゲル化して製膜不可能な場合を安定性「不良」、ゲル化せず製膜可能な場合を安定性「良好」と評価した。
（実施例１）
　基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂社製、「ＰＥＴ３８　Ｔ－１００」、厚さ３８μｍ、以下、「ＰＥＴフィルム」という。）に、ポリシラザン化合物としてのペルヒドロポリシラザンを主成分とするコーティング剤（クラリアントジャパン社製、「アクアミカＮＬ１１０－２０」）と、アクリル系樹脂としてのＰＭＭＡ（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、Ｍｗ＝１２０，０００）のジオキサン溶液との混合液を塗布し、１２０℃で２分間加熱してＰＥＴフィルム上にペルヒドロポリシラザンとＰＭＭＡを含む厚さ１５０ｎｍ（膜厚）の層を形成して成形物を得た。
　ＰＭＭＡの添加量は全固形分（ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂の合計量）を１００質量％として、０．１質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝０．１：９９．９（質量比）〕とした。
　次に、前記成形物のペルヒドロポリシラザンとＰＭＭＡを含む層の表面に、図１に示すプラズマイオン注入装置を用いて、アルゴン（Ａｒ）を以下に示す条件にてプラズマイオン注入して成形体１を作製した。
〈プラズマイオン注入の条件〉
　・プラズマ生成ガス：アルゴン
　・ガス流量：１００ｓｃｃｍ
　・Ｄｕｔｙ比：０．５％
　・繰り返し周波数：１０００Ｈｚ
　・印加電圧：－１０ｋＶ
　・ＲＦ電源：周波数　１３．５６ＭＨｚ、印加電力　１０００Ｗ
　・チャンバー内圧：０．２Ｐａ
　・パルス幅：５μｓｅｃ
　・処理時間（イオン注入時間）：５分間
　・搬送速度：０．２ｍ／分
（実施例２）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく１質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝１：９９（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体２を作製した。
（実施例３）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく１０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝１０：９０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体３を作製した。
（実施例４）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく３０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝３０：７０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体４を作製した。
（実施例５）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく４０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝４０：６０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体５を作製した。
（実施例６）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく５０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝５０：５０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体６を作製した。
（実施例７）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく６０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝６０：４０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体７を作製した。
（実施例８）
　実施例１において、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく７０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝７０：３０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体８を作製した。
（実施例９）
　実施例６において、ＰＭＭＡの替わりにポリメタクリル酸イソブチル（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、Ｍｗ＝１３０，０００）を使用する以外は、実施例６と同様にして成形体１７を作製した。
（実施例１０）
　実施例６において、ＰＭＭＡの替わりにポリメタクリル酸シクロヘキシル（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、Ｍｗ＝６５，０００）を使用する以外は、実施例６と同様にして成形体１８を作製した。
（比較例１）
　イオン注入を行わない以外は、実施例６と同様にして成形体を作製した。すなわち、ＰＥＴフィルム上にペルヒドロポリシラザンとＰＭＭＡを含む層を形成し、このものを成形体９とした。
（比較例２）
　実施例１において、ペルヒドロポリシラザンを使用しない以外は、実施例１と同様にして成形体を作製した。すなわち、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく１００質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝１００：０（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体１０を作製した。
（比較例３）
　ＰＥＴフィルム上に、ペルヒドロポリシラザンとＰＭＭＡとを含む層を形成しない以外は、実施例１と同様にして成形体を作製した。すなわち、ＰＥＴフィルムの表面にアルゴン（Ａｒ）を実施例１と同様の条件にてプラズマイオン注入して成形体１１を作製した。
（比較例４）
　ＰＥＴフィルムに、スパッタリング法により、厚さ６０ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮ）の膜を形成して、成形体１２を作製した。
（比較例５）
　実施例６において、ＰＭＭＡの替わりにポリウレタン（樹脂Ａ：ＤＩＣ社製、パンデックスＴ５２６５Ｍ）を使用する以外は、実施例６と同様にして成形体１３を作製した。
（比較例６）
　実施例６において、ＰＭＭＡの替わりにポリエチレン（樹脂Ｂ：日本ポリエチレン社製、カーネルＫＪ６４０Ｔ）を使用する以外は、実施例６と同様にして成形体１４を作製した。
（比較例７）
　実施例６において、ＰＭＭＡの替わりにポリカーボネート（樹脂Ｃ：Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を使用する以外は、実施例６と同様にして成形体１５を作製した。
（参考例１）
　実施例１において、ＰＭＭＡを使用しない以外は、実施例１と同様にして成形体を作製した。すなわち、ＰＭＭＡの添加量を、全固形分の０．１質量％ではなく０質量％〔ＰＭＭＡ：ペルヒドロポリシラザン＝０：１００（質量比）〕とした以外は、実施例１と同様にして成形体１６を作製した。
　実施例１～１０、比較例１～７及び参考例１で得られた成形体１～１８について、アクリル系樹脂の添加量（質量％、第１表中、「％」と表記）、注入したイオン種（第１表中、「イオン注入」と表記）、ＰＥＴ上に形成した層の膜厚（ｎｍ）を第１表にまとめた。なお、第１表中、比較例４の「注１」は、ＰＥＴフィルムに、スパッタリング法により、厚さ６０ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮ）の膜を形成して、成形体１２を作製したことを示す。
　また、実施例１～１０、比較例２、３及び参考例１で得られた成形体１～８、１０、１１、１６、１７、１８について、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製）を用いて、表面から１０ｎｍ付近の元素分析測定を行うことにより、それぞれのイオンが注入されたことを確認した。測定結果を下記第１表に示した。第１表中、ガスバリア層表層部における、炭素原子、窒素原子、酸素原子及びケイ素原子の存在割合（％）は、炭素原子、窒素原子、酸素原子及びケイ素原子の合計を１００としたときの、各原子の存在割合である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
（塗工液安定性試験）
　次に、実施例１～１０、比較例１、２、５～７及び参考例１につき、ペルヒドロポリシラザンと樹脂を含む混合液の塗工液安定性試験を実施した。結果を下記第２表に示す。
（全光線透過率・ヘイズの測定）
　実施例１～１０、比較例１～４、６及び参考例１で得られた成形体１～１２、１４、１６、１７、１８につき、全光線透過率・ヘイズを測定した。結果を下記第２表に示す。
（折り曲げ試験）
　また、成形体１～１２、１４、１６、１７、１８について、折り曲げ試験を行い、クラックの発生の有無を確認した。結果を第２表に示す。
（水蒸気透過率）
　さらに、折り曲げ試験前後における成形体１～１２、１４、１６、１７、１８について、水蒸気透過率（ｇ／ｍ２／ｄａｙ）を測定した。結果を第２表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
　第２表から、実施例１～１０においては、ペルヒドロポリシラザンと樹脂を含む混合液の塗工液安定性に優れており、得られる成形体１～８、１７、１８は、比較例１～３、６の成形体９～１１、１４に比して、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有していた。また、可視光線透過率も高く、ヘイズ値も小さく、透明性に優れていた。比較例５及び７は、塗工液安定性が悪く、成形体が得られなかった。
　また、実施例１～１０の成形体１～８、１７、１８は、折り曲げ試験後においてクラックの発生がみられず、水蒸気透過率も小さいままであり、耐折り曲げ性に優れていることがわかる。
１ａ、１ｃ・・・フィルム状の成形物
１ｂ、１ｄ・・・フィルム状の成形体
２ａ、２ｂ・・・回転キャン
３ａ、３ｂ・・・巻き出しロール
４・・・プラズマ放電用電極
５ａ、５ｂ・・・巻き取りロール
６ａ、６ｂ・・・送り出し用ロール
７ａ、７ｂ・・・パルス電源
９ａ、９ｂ・・・高電圧パルス
１０ａ、１０ｂ・・・ガス導入口
１１ａ、１１ｂ・・・チャンバー
１３・・・中心軸
１５・・・高電圧導入端子
２０ａ、２０ｂ・・・ターボ分子ポンプ

Claims (13)

  1. 　ガスバリア層を有する成形体であって、該ガスバリア層が、少なくとも、炭素原子、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる表層部を有し、該表層部における、炭素原子、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、炭素原子の存在割合が０％超７０％以下、酸素原子の存在割合が１０％以上７０％以下、窒素原子の存在割合が０％以上３５％以下、ケイ素原子の存在割合が２０％以上５５％以下であることを特徴とする成形体。
  2. 　前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層であり、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が、１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下のものであることを特徴とする請求項１に記載の成形体。
  3. 　アクリル系樹脂の含有量が、ポリシラザン化合物及びアクリル系樹脂の合計量に対して、０．１質量％以上７０質量％以下である請求項２に記載の成形体。
  4. 　前記ガスバリア層がポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層にイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする請求項１に記載の成形体。
  5. 　前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項４に記載の成形体。
  6. 　前記ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層に、プラズマイオン注入法によりイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする請求項４に記載の成形体。
  7. 　前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項２に記載の成形体。
  8. 　請求項１～７のいずれかに記載の成形体を製造する方法であって、ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する成形体の製造方法。
  9. 　ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン系化合物とアクリル系樹脂とを含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスのイオンを注入する工程を有する請求項８に記載の成形体の製造方法
  10. 　前記イオンを注入する工程が、プラズマイオン注入法によりイオンを注入する工程であることを特徴とする請求項８に記載の成形体の製造方法。
  11. 　ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層を表面部に有する、長尺状の成形物を、一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン化合物とアクリル系樹脂とを含む層に、イオンを注入することを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の成形体の製造方法。
  12. 　請求項１～７のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。
  13. 　請求項１２に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013175911A1 (ja) * 2012-05-21 2013-11-28 リンテック株式会社 ガスバリアシートおよびガスバリアシートの製造方法
EP2823961A4 (en) * 2012-03-06 2015-10-21 Lintec Corp GASSPERRFILMLAMINAT, HAFTFILM AND ELECTRONIC COMPONENT
WO2017099239A1 (ja) * 2015-12-11 2017-06-15 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよびその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103807A (ko) 2015-02-25 2016-09-02 엘에스엠트론 주식회사 유도결합 플라즈마 화학기상증착 장치

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316325B2 (ja) 1983-12-29 1988-04-08 Toa Nenryo Kogyo Kk
JPS6381122A (ja) 1986-09-24 1988-04-12 Toa Nenryo Kogyo Kk 新規ポリチタノシラザン及びその製造方法
JPH01138108A (ja) 1987-08-13 1989-05-31 Sekiyu Sangyo Katsuseika Center 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途
JPH0284437A (ja) 1988-03-24 1990-03-26 Tonen Corp ポリボロシラザン及びその製造方法
JPH02175726A (ja) 1988-12-26 1990-07-09 Sekiyu Sangyo Katsuseika Center 共重合シラザンおよびその製造法
JPH02195024A (ja) 1989-01-20 1990-08-01 Zeller Corp 自在継手の可撓性内部密封部材
JPH0463833A (ja) 1990-06-30 1992-02-28 Tonen Corp 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH05238827A (ja) 1992-02-26 1993-09-17 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH05345826A (ja) 1991-12-04 1993-12-27 Tonen Corp 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH06122852A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06299118A (ja) 1993-04-20 1994-10-25 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06306329A (ja) 1993-02-24 1994-11-01 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH07292321A (ja) 1994-04-28 1995-11-07 Tonen Corp コーティング用組成物
JPH0926755A (ja) * 1994-12-20 1997-01-28 Toshiba Corp 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
JPH0931333A (ja) 1995-07-13 1997-02-04 Tonen Corp シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
JP2000338901A (ja) 1999-06-01 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
JP2001026887A (ja) 1999-07-12 2001-01-30 Agency Of Ind Science & Technol 表面改質方法及び表面改質装置
JP2001156013A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
JP2006052376A (ja) * 2004-02-27 2006-02-23 Lintec Corp 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置
JP2006123307A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス
WO2010107018A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス

Family Cites Families (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62220330A (ja) 1986-03-24 1987-09-28 東洋メタライジング株式会社 帯電防止性ガスバリアフイルム
US4842941A (en) 1987-04-06 1989-06-27 General Electric Company Method for forming abrasion-resistant polycarbonate articles, and articles of manufacture produced thereby
US5143747A (en) 1991-02-12 1992-09-01 Hughes Aircraft Company Die improved tooling for metal working
JPH05185568A (ja) 1992-01-14 1993-07-27 Diafoil Co Ltd 液晶表示パネル用フィルム
EP0578046B1 (en) 1992-07-10 1996-11-06 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production
JPH0664105A (ja) 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
JP3453805B2 (ja) 1992-09-11 2003-10-06 旭硝子株式会社 透明導電膜
FR2701256B1 (fr) 1993-02-08 1995-04-28 Europ Propulsion Procédé d'obtention d'un matériau céramique à base de Sialon par réduction d'un précurseur aluminosilicaté et application à la formation de revêtement céramique sur un substrat réfractaire.
JPH0845452A (ja) 1994-08-01 1996-02-16 Takamisawa Denki Seisakusho:Kk イオンバランス測定装置およびその測定方法
US5907382A (en) 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
JP3484550B2 (ja) 1994-12-22 2004-01-06 大日本印刷株式会社 レトルト包装用フィルム
JPH0910687A (ja) 1995-03-31 1997-01-14 Tonen Corp ＳｉＯ２系セラミックス被覆フィルムの製造方法
JP3489269B2 (ja) 1995-04-28 2004-01-19 東洋製罐株式会社 ガス遮断性透明包装材およびその製造方法
JP3562065B2 (ja) 1995-10-30 2004-09-08 日新電機株式会社 高ガスバリア性高分子物品及びその製造方法
US5965629A (en) * 1996-04-19 1999-10-12 Korea Institute Of Science And Technology Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby
KR100512670B1 (ko) 1996-05-15 2005-09-07 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 디바이스 제조 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법, 및전자 기기 제조 방법
EP0964020B1 (en) 1997-02-14 2003-04-16 Mitsubishi Chemical Corporation Polyalkoxysiloxane compounds, process for producing the same, and coating composition containing the same
JP4144042B2 (ja) 1997-03-06 2008-09-03 東洋製罐株式会社 ガス遮断性プラスチック包材とその製造方法
JP4019334B2 (ja) 1997-03-07 2007-12-12 東レ株式会社 ガスバリア用ポリエステルフイルム
JP3951348B2 (ja) 1997-03-14 2007-08-01 東洋製罐株式会社 ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体
US6194328B1 (en) 1998-12-09 2001-02-27 Advanced Micro Devices, Inc. H2 diffusion barrier formation by nitrogen incorporation in oxide layer
JP3484094B2 (ja) 1999-02-26 2004-01-06 グンゼ株式会社 シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法
JP4205241B2 (ja) 1999-03-04 2009-01-07 住友化学株式会社 積層体
US20060017162A1 (en) 1999-03-12 2006-01-26 Shoji Seta Semiconductor device and manufacturing method of the same
US6849923B2 (en) 1999-03-12 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP4270632B2 (ja) 1999-03-12 2009-06-03 株式会社東芝 ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法
JP2000340166A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Sony Corp 成膜方法及び成膜物
DE19940858A1 (de) * 1999-08-27 2001-03-01 Basf Coatings Ag Sol-Gel-Überzug für einschichtige oder mehrschichtige Lackierungen
JP2001119051A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル
JP2001220509A (ja) 2000-02-07 2001-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性組成物
US6416817B1 (en) 2000-03-03 2002-07-09 Dow Corning Sa Barrier coatings having bis-silanes
JP2002018246A (ja) 2000-07-07 2002-01-22 Sony Corp バリア膜
JP5291275B2 (ja) 2000-07-27 2013-09-18 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法
US6665033B2 (en) 2000-11-30 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method for forming alignment layer by ion beam surface modification
TW570876B (en) 2001-05-11 2004-01-11 Toyo Seikan Kaisha Ltd Silicon oxide film
GB0113751D0 (en) 2001-06-06 2001-07-25 Dow Corning Surface treatment
JP4669631B2 (ja) 2001-06-18 2011-04-13 矢崎総業株式会社 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法
JP2003118029A (ja) 2001-10-16 2003-04-23 Asahi Glass Co Ltd ガスバリヤ性有機基材およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2003154596A (ja) 2001-11-22 2003-05-27 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体
US20030228475A1 (en) 2002-04-18 2003-12-11 Minoru Komada Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the same, and manufacturing method for barrier film
JP2003347570A (ja) 2002-05-27 2003-12-05 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 太陽電池用裏面保護シート
US7449246B2 (en) 2004-06-30 2008-11-11 General Electric Company Barrier coatings
US7015640B2 (en) 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
JP2004107541A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Fuji Photo Film Co Ltd 有機変性層状珪酸塩を含有する重合体組成物、フィルム、ガスバリア性フィルム、並びにそれらを用いた基板及び画像表示素子
JP4185341B2 (ja) 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
US7288311B2 (en) * 2003-02-10 2007-10-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Barrier film
JP2004322489A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Pioneer Electronic Corp ガスバリア基材およびその製造方法
JP2004352966A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Dengiken:Kk 電気・電子絶縁シート
JP2005088431A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルム
JP2005104025A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルム、及びそれを用いた画像表示素子
JP2005119155A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
JP2005119160A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
WO2005043580A1 (en) 2003-10-31 2005-05-12 Ventracor Limited Plasma immersion ion implantation using conductive mesh
JP4531380B2 (ja) 2003-12-15 2010-08-25 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シート
DE102004004177B4 (de) 2004-01-28 2006-03-02 AxynTeC Dünnschichttechnik GmbH Verfahren zur Herstellung dünner Schichten sowie dessen Verwendung
JP4852822B2 (ja) 2004-02-17 2012-01-11 大日本印刷株式会社 バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材
JP4494824B2 (ja) 2004-02-24 2010-06-30 株式会社クラレ 表示装置用フィルムの製造方法
US7390573B2 (en) 2004-03-09 2008-06-24 Exatec Llc Plasma coating system for non-planar substrates
JP5297589B2 (ja) 2004-05-14 2013-09-25 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサン樹脂硬化物からなる独立フィルム、その製造方法および積層フィルム
US20050287307A1 (en) 2004-06-23 2005-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Etch and deposition control for plasma implantation
US20090110892A1 (en) 2004-06-30 2009-04-30 General Electric Company System and method for making a graded barrier coating
JP2006035737A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Teijin Ltd ディスプレイ用に適したガスバリア性高分子積層フィルム
BRPI0513098A (pt) 2004-08-03 2008-04-29 Chemetall Gmbh processo para revestimento de superfìcies metálicas com um revistimento protetor contra corrosão
JP2006070238A (ja) 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
JP2006123306A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
WO2006063388A1 (en) 2004-12-13 2006-06-22 University Of South Australia Craze resistant plastic article and method of production
JP2006192858A (ja) 2005-01-17 2006-07-27 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルム
US7906217B2 (en) 2005-02-22 2011-03-15 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Vapor deposited film by plasma CVD method
JP4624152B2 (ja) 2005-03-24 2011-02-02 富士フイルム株式会社 プラスチックフィルム、ガスバリアフィルム、およびそれを用いた画像表示素子
JP2007022075A (ja) 2005-06-14 2007-02-01 Asahi Kasei Corp 層構造体及びその製造方法
JP2007042616A (ja) 2005-06-29 2007-02-15 Asahi Kasei Corp 発光素子及び表示デバイス並びにそれらの製造方法
US7341766B2 (en) 2005-07-29 2008-03-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier clear film, and display substrate and display using the same
JP2007065644A (ja) 2005-08-03 2007-03-15 Asahi Kasei Corp ディスプレイ用基板及びディスプレイ並びにそれらの製造方法
US20090139564A1 (en) 2005-09-30 2009-06-04 Toray Industries , Inc., A Corporation Sealing Film for Photovoltaic Cell Module and Photovoltaic Module
WO2007044181A2 (en) 2005-10-05 2007-04-19 Dow Corning Corporation Coated substrates and methods for their preparation
JP2007283726A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Bridgestone Corp 成形体及びその製造方法
JP2008015500A (ja) 2006-06-09 2008-01-24 Fujifilm Corp 偏光板用保護フィルム
JP4725735B2 (ja) 2006-08-25 2011-07-13 Ｊｓｒ株式会社 ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法
JP4830733B2 (ja) 2006-09-07 2011-12-07 凸版印刷株式会社 ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP2008174792A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Plasma Ion Assist Co Ltd フッ素系合成樹脂の親水化改質方法及びその物品
US20100003483A1 (en) 2007-02-05 2010-01-07 Kazuhiro Fukuda Transparent gas barrier film
US8846187B2 (en) 2007-02-06 2014-09-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent gas barrier film and method for producing transparent gas barrier film
JP2008204683A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
JP2008235165A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法
JP4917943B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-18 リンテック株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法
JP4917942B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-18 リンテック株式会社 高平滑ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP4978297B2 (ja) 2007-04-25 2012-07-18 凸版印刷株式会社 透明導電性ガスバリアフィルム
US8101288B2 (en) 2007-06-11 2012-01-24 Fujifilm Corporation Gas barrier film and organic device using the same
JP2009110897A (ja) 2007-11-01 2009-05-21 Toray Ind Inc 透明導電性フィルム
JP4969479B2 (ja) 2008-02-20 2012-07-04 尾池工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法
KR101445878B1 (ko) 2008-04-04 2014-09-29 삼성전자주식회사 보호 필름 및 이를 포함하는 봉지 재료
JP2009252574A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP5551885B2 (ja) 2008-05-01 2014-07-16 日揮触媒化成株式会社 低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜
TWI420194B (zh) * 2008-06-30 2013-12-21 Kolon Inc 塑膠基板以及包含此塑膠基板之裝置
WO2010024378A1 (ja) 2008-08-29 2010-03-04 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化ケイ素薄膜または酸窒化ケイ素化合物薄膜の製造方法およびこの方法で得られる薄膜
WO2010067857A1 (ja) 2008-12-12 2010-06-17 リンテック株式会社 積層体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス
JP5566130B2 (ja) * 2009-02-26 2014-08-06 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
TWI522404B (zh) 2009-03-26 2016-02-21 Lintec Corp A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
EP2433980B1 (en) 2009-05-22 2019-07-10 LINTEC Corporation Molded object, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
CN102439078B (zh) 2009-05-22 2015-07-01 琳得科株式会社 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备
JP5612277B2 (ja) 2009-06-16 2014-10-22 リンテック株式会社 ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材
EP2556954B1 (en) 2010-03-31 2019-09-25 Lintec Corporation Transparent conductive film and electronic device using transparent conductive film
KR101886455B1 (ko) 2010-09-07 2018-08-07 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 전자 디바이스

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316325B2 (ja) 1983-12-29 1988-04-08 Toa Nenryo Kogyo Kk
JPS6381122A (ja) 1986-09-24 1988-04-12 Toa Nenryo Kogyo Kk 新規ポリチタノシラザン及びその製造方法
JPH01138108A (ja) 1987-08-13 1989-05-31 Sekiyu Sangyo Katsuseika Center 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途
JPH0284437A (ja) 1988-03-24 1990-03-26 Tonen Corp ポリボロシラザン及びその製造方法
JPH02175726A (ja) 1988-12-26 1990-07-09 Sekiyu Sangyo Katsuseika Center 共重合シラザンおよびその製造法
JPH02195024A (ja) 1989-01-20 1990-08-01 Zeller Corp 自在継手の可撓性内部密封部材
JPH0463833A (ja) 1990-06-30 1992-02-28 Tonen Corp 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH05345826A (ja) 1991-12-04 1993-12-27 Tonen Corp 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH05238827A (ja) 1992-02-26 1993-09-17 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06122852A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06306329A (ja) 1993-02-24 1994-11-01 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06299118A (ja) 1993-04-20 1994-10-25 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH07292321A (ja) 1994-04-28 1995-11-07 Tonen Corp コーティング用組成物
JPH0926755A (ja) * 1994-12-20 1997-01-28 Toshiba Corp 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
JPH0931333A (ja) 1995-07-13 1997-02-04 Tonen Corp シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
JP2000338901A (ja) 1999-06-01 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
JP2001026887A (ja) 1999-07-12 2001-01-30 Agency Of Ind Science & Technol 表面改質方法及び表面改質装置
JP2001156013A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
JP2006052376A (ja) * 2004-02-27 2006-02-23 Lintec Corp 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置
JP2006123307A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス
WO2010107018A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2607412A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2823961A4 (en) * 2012-03-06 2015-10-21 Lintec Corp GASSPERRFILMLAMINAT, HAFTFILM AND ELECTRONIC COMPONENT
WO2013175911A1 (ja) * 2012-05-21 2013-11-28 リンテック株式会社 ガスバリアシートおよびガスバリアシートの製造方法
WO2017099239A1 (ja) * 2015-12-11 2017-06-15 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよびその製造方法
JPWO2017099239A1 (ja) * 2015-12-11 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよびその製造方法

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EP2607412A4 (en) 2014-04-30
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