JP5291275B2 - コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法に関し、更に詳しくは、金属または合成樹脂からなる部材との熱膨張差や変形等によるストレスを緩和することで、クラック等の発生のおそれが無く、しかも、被覆面の耐性、特に、耐酸化性、耐食性、気体の透過防止等が向上したコーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法に関するものである。
これらの半導体製造装置では、各製造プロセスにおいては、通常、腐食性ガスや腐食性液体が頻繁に用いられており、そのために、これらの腐食性物質に接する金属製部材は腐食しやすく、パーティクル発生の原因となるばかりではなく、金属製部材中に含まれる金属不純物が装置内を汚染し、半導体ウェハに汚染による欠陥を発生させる懸念があった。例えば、ドライエッチングプロセスにおいては、塩化水素や臭化水素ガスなどの腐食性ガスを用いているために、エッチング装置に用いる鉄やアルミニウムなどの金属製部材の材質として、耐食性に考慮した材料を採用する必要に迫られていた。
また、その表面にさらにフッ素樹脂をコーティングすることも行われているが、このフッ素樹脂コーティング膜にも微量ながら金属不純物が存在しており、これが不純物汚染の原因ともなる。さらに、フッ素樹脂は使用温度に限界があるために、フッ素樹脂の耐熱温度を超えるような高温で処理する半導体製造装置には適用できなかった。
この方法は、ペルヒドロポリシラザンあるいはポリオルガノシラザンを、金属製部材の表面に塗布した後、100〜600℃で加熱してシリカガラス膜に転化させることにより、金属製部材に耐食性に優れた膜あるいは高温耐酸化性に優れた膜を被覆するものである。
ペルヒドロポリシラザンを金属製部材の表面に塗布し、その後大気中で焼成すれば、緻密質のコーティング膜が得られる。また、ポリオルガノシラザンを金属製部材の表面に塗布し、その後大気中で焼成すれば、柔軟なコーティング膜が得られる。
さらに、金属製部材の鋭角部、例えば端面や鋭利なキズ部には、塗膜が付着しにくく均一なシリカガラス膜形成が困難である。
このように、上記公知のポリシラザンを用いたシリカガラス膜では、半導体製造装置のように高温で腐食性雰囲気のような過酷な条件で使用される場合の腐食防止対策としては不十分なものであった。
上記課題を解決するために、本発明は次の様なコーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法を採用した。
すなわち、本発明の請求項1記載のコーティング膜が施された部材は、金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部に、ペルヒドロポリシラザン単体、またはペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ前記ペルヒドロポリシラザンの含有量が前記ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0である溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする緻密層上に、ペルヒドロポリシラザン及び下記化学式(1)
【化1】
(但し、R1はアルキル基である)
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする柔軟層を備えたコーティング膜を形成してなることを特徴とする。
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を塗布し、次いで、この第2の溶液を大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理し、二酸化珪素を主成分とする柔軟層を形成することを特徴とする。
ペルヒドロポリシラザン及び下記化学式(3)
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を塗布し、次いで、前記乾燥した膜及び該第2の溶液を大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理し、前記乾燥した膜を二酸化珪素を主成分とする緻密層とするとともに、この緻密層上に二酸化珪素を主成分とする柔軟層を形成することを特徴とする。
ここでは、半導体製造プロセスにおいて好適に用いられる、エッチング装置、CVD装置、PVD装置、プラズマCVD装置、スパッタ装置、イオン注入装置等の各種装置のチャンバーを例に採り説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1は、本発明の第1の実施の形態のコーティング膜が施されたステンレス製チャンバー(部材)を示す部分断面図であり、図において、符号1は、チャンバーの主要部を構成するステンレススチール板(基体)、2はステンレススチール板1上(内面)に形成された二酸化珪素(SiO2)を主成分とする緻密層である。
ポリオルガノシラザンとして好ましいものは、R1をアルキル基、R2及びR3を水素原子としたもので、アルキル基の中でもメチル基が特に好ましい。
において、m/(m+n)が0.65〜0.95であるペルヒドロポリシラザン−ポリオルガノシラザン共重合体を大気中もしくは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理して得られる緻密なガラス質のSiO2層が挙げられる。
ペルヒドロポリシラザン単体をステンレススチール板上に成膜して大気中もしくは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理した場合に得られる層は、緻密度が最も高い極めて緻密な層となる。
また、ポリオルガノシラザン単体をステンレススチール板上に成膜して大気中もしくは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理した場合に得られる層は、有機基を含むことから上記の緻密層に比べて原子間結合が疎になり、緻密度が最も低い極めて柔軟な層となる。
したがって、ペルヒドロポリシラザンの、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対する含有量(0≦Ch≦1)、あるいはポリオルガノシラザンの、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対する含有量Co(=1−Ch)を基に緻密度を表すことができる。
ペルヒドロポリシラザン 緻密度 膜質の区分記号
の含有量(Ch)
1.00〜0.95 最緻密層 A0
0.95〜0.90 緻密層A A1
0.90〜0.80 緻密層B A2
0.80〜0.65 緻密層C A3
0.65〜0.40 柔軟層 B1
0.40〜0 最柔軟層 B0
以降、この膜質の区分記号を適宜用いることとする。
この緻密なSiO2層を緻密層2としたステンレス製チャンバーは、ステンレススチール板1に直接、緻密層2を形成したものであるから、ステンレススチール板1の表面にクラック等が発生し難い。また、ステンレススチール板1の表面は、緻密層2で覆われているので、高濃度の酸化性ガスにより酸化されるおそれが無い。また、耐酸化性に限らず、耐食性、気体の透過防止等も向上する。
ここでは、予め、緻密層2を形成するステンレススチール板1の表面を水洗して付着物等を除去し、次いで、脱脂処理を施すために有機溶剤等を用いて洗浄し、乾燥させておく。
また、緻密層2の出発原料となる、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含む緻密層形成用塗布液(溶液)を作製しておく。
この塗布液は、各所定量のペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを有機溶媒に溶解したもので、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜0.95の範囲となるように調整されている。
次いで、この塗布液が塗布されたステンレススチール板1を、大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で、80〜400℃の温度範囲で30〜180分加熱処理する。
この塗布液は、加熱処理過程で加熱分解した後にガラス化し、SiO2を主成分とする緻密層2となる。
加熱処理が更に進行すると、前記重合体が水や酸素と反応することで反応物の酸化、水蒸気による加水分解が進行し、シロキサン結合(Si−O−Si)あるいはSi−N結合が形成されて、緻密性に加えてある程度の柔軟性を有するセラミックスに転化する。
図2は、本発明の第2の実施の形態のコーティング膜が施されたステンレス製チャンバー(部材)を示す部分断面図であり、本実施の形態のステンレス製チャンバーが、上述した第1の実施の形態のステンレス製チャンバーと異なる点は、第1の実施の形態の緻密層2上に、さらに柔軟層11を形成した点である。
このステンレス製チャンバーでは、これら緻密層2及び柔軟層11により2層構造のコーティング膜とされている。
ポリオルガノシラザンとして好ましいものは、R1をアルキル基、R2及びR3を水素原子としたもので、アルキル基の中でもメチル基が特に好ましい。
ステンレススチール板1の表面の洗浄〜緻密層2の形成までは、第1の実施の形態のステンレス製チャンバーの製造方法と全く同様であるから、説明を省略する。
この塗布液は、各所定量のペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを有機溶媒に溶解したもので、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して、好ましくは0〜0.65、特に好ましくは0.4〜0.65の範囲となるように調整されている。有機溶媒は、上述した第1の実施形態の製造方法にて用いられたものを使用すればよい。
次いで、この塗布液が緻密層2上に塗布されたステンレススチール板1を、大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で、80〜400℃の温度範囲で30〜180分加熱処理する。
この塗布液は、加熱処理過程で加熱分解した後にガラス化し、SiO2を主成分とする柔軟層11となる。
しかも、ステンレススチール板1との熱膨張差や変形に起因するストレスが緩和され、ステンレススチール板1及び緻密層2が保護されたステンレス製チャンバーを容易に作製することができる。
図3は、本発明の第3の実施の形態のコーティング膜が施されたステンレス製チャンバー(部材)を示す部分断面図であり、本実施の形態のステンレス製チャンバーが、上述した第2の実施の形態のステンレス製チャンバーと異なる点は、ステンレススチール板1上に直接、柔軟層11を形成し、この柔軟層11上に緻密層2を形成した点である。
このステンレス製チャンバーでは、これら柔軟層11及び緻密層2により2層構造のコーティング膜とされている。
また、緻密層2は、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0の範囲となるように調整されている。
図4は、本発明の第4の実施の形態のコーティング膜が施されたステンレス製チャンバー(部材)を示す部分断面図であり、本実施の形態のステンレス製チャンバーが、上述した第2の実施の形態のステンレス製チャンバーと異なる点は、ステンレススチール板1上に直接、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.95〜1.0の範囲となる緻密層21を形成し、この緻密層21上に柔軟層11を形成した点である。
このステンレス製チャンバーでは、これら緻密層21及び柔軟層11により2層構造のコーティング膜とされている。
ステンレススチール板1の表面の洗浄までは、第1〜第3の実施の形態のステンレス製チャンバーの製造方法と全く同様であり、説明を省略する。
このステンレススチール板1の表面に緻密層21を形成するために、緻密層21の出発原料となるポリシラザンとして、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.95〜1.0である緻密層形成用塗布液を作製しておく。
次いで、ディップ法により、この塗布液をステンレススチール板1上に塗布し、乾燥させる。第1の実施の形態と同様の加熱処理を行うと、この塗布液は加熱処理過程で加熱分解した後にガラス化し、緻密層21となる。
この塗布液は、各所定量のペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを有機溶媒に溶解したもので、ペルヒドロポリシラザンの含有量がペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して、好ましくは0〜0.65、特に好ましくは0.4〜0.65の範囲となるように調整されている。
なお、緻密層形成用塗布液を塗布し、乾燥させた後に、または更に柔軟層11を形成させる温度よりも低い温度で予備加熱をした後に、上記の柔軟層形成用塗布液を塗布し、乾燥し、加熱処理を行ってもよい。
しかも、ステンレススチール板1との熱膨張差や変形に起因するストレスが緩和され、ステンレススチール板1及び緻密層21が保護されたステンレス製チャンバーを容易に作製することができる。
(実施例1)
ペルヒドロポリシラザンの含有量とポリメチルヒドロシラザンの含有量の比が0.85:0.15となるようにペルヒドロポリシラザン及びポリメチルヒドロシラザンそれぞれの含有量を調整した緻密層形成用塗布液を作製し、この塗布液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.8μmの緻密層(膜質A2)とした。
ペルヒドロポリシラザンの含有量とポリメチルヒドロシラザンの含有量の比が0.70:0.30となるようにペルヒドロポリシラザン及びポリメチルヒドロシラザンそれぞれの含有量を調整した緻密層形成用塗布液を作製し、この塗布液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.8μmの緻密層(膜質A3)とした。
ペルヒドロポリシラザンの含有量とポリメチルヒドロシラザンの含有量の比が0.85:0.15となるようにペルヒドロポリシラザン及びポリメチルヒドロシラザンそれぞれの含有量を調整した緻密層形成用塗布液を作製し、この塗布液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.8μmの緻密層(膜質A2)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面には、緻密層(膜質A2)と柔軟層(膜質B1)の2層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は1.6μmであった。
ペルヒドロポリシラザンをスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.8μmの最緻密層(膜質A0)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、最緻密層(膜質A0)と柔軟層(膜質B1)の2層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は1.6μmであった。
ペルヒドロポリシラザンの含有量とポリメチルヒドロシラザンの含有量の比が0.50:0.50となるようにペルヒドロポリシラザン及びポリメチルヒドロシラザンそれぞれの含有量を調整した柔軟層形成用塗布液を作製し、この塗布液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.8μmの柔軟層(膜質B1)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、柔軟層(膜質B1)と緻密層(膜質A3)の2層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は1.6μmであった。
ペルヒドロポリシラザンに、平均粒径が1μmのシリカフィラーを0.3g/ccの割合で混合し、この混合液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み1.5μmの緻密層(膜質A0)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層(膜質A0)と柔軟層(膜質B1)の2層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は2.3μmであった。
ペルヒドロポリシラザンをスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.6μmの緻密層(膜質A0)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層(膜質A0)、緻密層(膜質A3)及び柔軟層(膜質B1)の3層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は1.8μmであった。
ペルヒドロポリシラザンの含有量とポリメチルヒドロシラザンの含有量の比が0.80:0.20となるようにペルヒドロポリシラザン及びポリメチルヒドロシラザンそれぞれの含有量を調整した緻密層形成用塗布液を作製し、この塗布液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.6μmの緻密層(膜質A2)とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層(膜質A2)、柔軟層(膜質B1)及び柔軟層(膜質B0)の3層構造の積層膜が形成された。この積層膜の膜厚は1.8μmであった。
ペルヒドロポリシラザンをスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、無機質シリカ層(膜質A0)とした。この無機質シリカ層の膜厚は0.8μmであった。
ポリメチルヒドロシラザンをスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、300℃にて1時間熱処理を行い、有機質シリカ層(膜質B0)とした。この有機質シリカ層の膜厚は0.8μmであった。
また、各項目共、特性評価に供する試料数を20個とした。
(1)加熱試験
1)クラックの有無
◎:全く異常が認められなかった
○:微小なマイクロクラックが一部に認められた
△:クラックが一部に認められた
×:クラックが全面に認められた
◎:全く変色が認められなかった
○:端面近傍のみに僅かに淡い変色が認められた
△:全面に僅かに淡い変色が認められた
×:全面に変色が認められた
腐食の有無
◎:全く異常が認められなかった
○:膜の一部が損傷しているのが認められた
△:膜の一部が剥離(または消失)しているのが認められた
×:膜が完全に剥離(または消失)しているのが認められた
このように、比較例1、2は、実施例1〜8と比較して特性が劣っていることが確認された。
本発明が適用された半導体製造用装置の金属製部材は、半導体製造プロセスに用いられる各種反応性ガスや腐食性ガス等、あるいは各種処理液に直接接触するか接触する可能性が大である鉄、ステンレススチール、アルミニウムなどの金属製部材であって、具体的には、口ードロックチャンバー、トランスファーチャンバー、プロセスチャンバーなどの内壁、搬送用ロボット、ゲートバルブ、ゲートバルブを構成するシャッター、ガス供給系もしくは排気系配管、ガス供給系もしくは排気系で使用されるバルブ、レギュレータ、圧カセンサー、マスフローコントローラー、フィルタ、もしくは逆止弁、マニフォールドなどを構成する金属製部材である。また、腐食性ガス・液体保管用ボトルあるいはボンベについても、本発明を適用することにより顕著な腐食性改善効果を期待できる。
本発明において、かかるR処理の際の曲率半径を0.2以上としたのは、これ以下では、塗膜の均一化を果たし得ないからである。
かかる突起部の研磨法としては、機械研磨、電解研磨、パフ研磨、化学研磨などの方法があるが、化学研磨法が最も優れた性状の表面を形成できるので好ましい。最も好ましい平均表面粗さRaは、1μm以下である。
本発明で用いているこの柔軟膜形成性ポリシラザン系重合体であるペルヒドロシラザン−アルキルヒドロシラザン共重合体において、ペルヒドロシラザン成分を含まなくともよいが、ペルヒドロシラザン成分とアルキルヒドロシラザン成分との構成比を、50:50〜20:80の範囲とすることが好ましい。
かかる中間的な膜特性を有するポリシラザン系重合体塗布液と同等な塗布液は上記化学式(3)においてペルヒドロシラザン成分とアルキルヒドロシラザン成分との構成比を調整することによっても実現できるが、混合によって調製する方が製造ははるかに容易である。
ポリシラザン系重合体単体を実用的な時間で加熱分解するには、加熱温度は450℃以上の温度が必要であるが、ポリシラザン系重合体の一部を改質したり、触媒添加もしくは水蒸気雰囲気中での加熱分解によって、加熱温度は100℃以下の温度で十分分解反応が進行し、シリカガラス膜が生成する。
また加熱時間は、加熱温度、触媒添加の有無、水蒸気分圧などにより異なるが、400℃の加熱では、30〜180分程度で硬化が完了する。
無機触媒の代表的なものとしては、銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)などの金属微粒子があるが、特にPd微粒子が触媒としての効果が優れていることから好ましい。
金属微粒子の好ましい添加量は、ポリシラザン系重合体100重量部に対して0.01〜10重量部、より好ましくは0.05〜5重量部である。添加量が少ないと効果がなく、一方多すぎると金属微粒子の凝集部が膜の欠陥となるので好ましくない。
ポリシラザン系重合体溶解用の溶媒としては、ポリシラザン系重合体の分解反応を促進することのないよう、水酸基を含有しない溶媒、あるいは水分を含有しない溶媒が望ましく、特に、キシレン、ジブチルエーテルが望ましい。
ここで、望ましい溶媒の濃度は、塗布物の厚み、塗布方法や、ポリシラザン系重合体の分子量によっても異なるが、通常、好ましい範囲は10〜50質量%であり、特に望ましい範囲は15〜25質量%程度である。この濃度が高くなると、溶液粘度が高くなって溶液の塗布が困難になり、均一な厚みの塗膜ができにくくなる。また、濃度が低下すると、厚膜が得られにくくなる。
また、被覆層の厚さを、10μm以上とすると、均一な厚さの膜を形成することが難しく、クラック発生の原因ともなり、好ましくない。さらに、これ以上被膜層を厚くしても所望の耐食性が改善されず経済的ではない。
被塗布物である金属製部材は、あらかじめ所用の形状に成型した後、その表面端部の稜線に周知の方法でR加工を施し曲面とする。この曲面加工を施す稜線は、金属製部材の表面のうち、少なくとも腐食性雰囲気に接する表面端部の稜線を対象とすることが必要であり、好ましくはすべての稜線に曲面加工を施すことが望ましい。
塗布方法としては、ディップ塗布法、スプレー塗布法、刷毛塗り法、スピンコート法、静電塗布法、グラビアロール塗布法、バー塗布法、フロー塗布法など公知の方法を採用することができる。
なお、被塗布物の形状によって最適な塗布法を選択することが可能であるが、塗布の容易さ、膜性状などからスピンコート法、ディップ塗布法、あるいはスプレー塗布法が望ましい。
ついで、塗膜を乾燥させた後、加熱反応させるが、この際、触媒を使用することにより低温で反応を行わせることができる。
[第5の実施の形態]
図5は、本発明の第5の実施の形態の金属製部材を示す断面図であり、図において、符号31は金属製部材基体であり、その端部稜線にはR処理による面取りが施されている。そして、この金属製部材基体31上には、その表面から順に、薄肉の緻密質シリカガラス膜32、柔軟質シリカガラス膜33、および薄肉の緻密質シリカガラス膜34が順次積層されている。
以上により、金属製部材基体31上に、薄肉の緻密質シリカガラス膜32、柔軟質シリカガラス膜33、および薄肉の緻密質シリカガラス膜34の3層構造の被覆層が形成される。
図6は、本発明の第6の実施の形態の金属製部材を示す断面図であり、この金属製部材基体31上には、金属製部材基体31の表面から順に、柔軟質シリカガラス膜33、薄肉の緻密質シリカガラス膜34が順次積層されている。
更に詳しくは、平均表面粗さRaが3.2μm程度以下の金属製部材基体31表面に、柔軟質シリカガラス膜33を表面粗さとほぼ同等の厚みで形成する。ついで、その表面に0.5μm程度の薄肉の緻密質シリカガラス膜34を形成する。
図7は、本発明の第7の実施の形態の金属製部材を示す断面図であり、この金属製部材基体31上には、金属製部材基体31の表面から順に、厚肉の緻密質シリカガラス膜41および柔軟質シリカガラス膜33が順次積層されている。
図8は、本発明の第8の実施の形態の金属製部材を示す断面図であり、この金属製部材基体31上には、金属製部材基体31の表面から順に、厚肉の緻密質シリカガラス膜41、柔軟質シリカガラス膜33、薄肉の緻密質シリカガラス膜34が順次積層されている。
この構成によって、緻密質シリカガラス膜41の膜厚が厚いことから、耐食性・耐久性にすぐれた被覆層が得られる。
平均表面粗さRaが3.2μmで、すべての端部稜線をR0.2で面取りを行った20mm×20mm×2tのステンレス板に、n/(m+n)が0.2のペルヒドロシラザン−メチルヒドロシラザン共重合体を20重量%含むキシレン溶液をスピンコート法により塗布し、大気中220℃で1時間加熱して膜厚0.5μmの緻密質シリカガラス膜を形成した。
次いで上記の被膜の上に、ペルヒドロシラザンを20重量%含むキシレン溶液をスピンコート法により塗布し、大気中320℃で1時間加熱して膜厚0.5μmの緻密質シリカガラス膜を形成した。
作成した試料板の被覆層の膜厚は3μmであった。
平均表面粗さRaが3.2μmで、すべての端部稜線をR0.2で面取りを行った20mm×20mm×2tのステンレス板に、まず、n/(m+n)が0.2のペルヒドロシラザン−メチルヒドロシラザン共重合物を20重量%含むキシレン溶液をスピンコートにて塗布し、大気中にて1時間放置し乾燥させた。次いで、その上にn/(m+n)が0.8のペルヒドロシラザン−メチルヒドロシラザン共重合物を20重量%含むキシレン溶液を同じくスピンコート法にて塗布し、大気中にて320℃で1時間加熱した。こうして、金属表面に接して膜厚2.5μmの緻密質シリカガラス層と、これに接して膜厚3μmの柔軟質シリカガラス膜からなる被覆層を形成した。
作成した被覆層の膜厚は、5.5μmであった。
平均表面粗さRaが3.2μmで、すべての端部稜線をR0.2で面取りを行った20mm×20mm×2tのステンレス板に、まず、n/(m+n)が0.3のペルヒドロシラザン−メチルヒドロシラザン共重合物を20重量%含むキシレン溶液をスピンコートにて塗布し、室温・大気中にて1時間放置し乾燥させた。
次いで、その上にn/(m+n)が0.75のペルヒドロシラザン−メチルヒドロシラザン共重合物を20重量%含むキシレン溶液を、同じくスピンコート法にて塗布し、大気中にて320℃で1時間加熱した。こうして、金属表面に接して膜厚2.5μmの緻密質シリカガラス層と、これに接して膜厚3μmの柔軟質シリカガラス膜とからなる被覆層を形成した。
作成した被覆層の膜厚は、5.8μmであった。
平均表面粗さRaが3.2μmで、すべての端部稜線をR0.2で面取りを行った20mm×20mm×2tのサイズで平均表面粗さRaが3.2μmのステンレス板を用意し、すべての端部稜線をR0.2で面取りを行ない、試料とした。
表3及び表4の結果から明らかなように、実施例11〜13では、いずれも表面の変色、クラック発生及び膜剥離は認められなかった。一方、表面被覆層を形成しなかった比較例11は試料全表面に腐食が進行していた。
また、接着改良層としては、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)等の各種金属からなるメッキ層、セラミックス溶射膜 、シリコンワニス、ヒートレスグラス等の有機膜等を必要に応じて適宜使用可能である。
以上詳細に説明したように、本発明のコーティング膜が施された部材によれば、金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部に、ペルヒドロポリシラザン単体、またはペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ前記ペルヒドロポリシラザンの含有量が前記ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0である溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする緻密層上に、ペルヒドロポリシラザン及び上記化学式(1)で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする柔軟層を備えたコーティング膜を形成したので、金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部を緻密層及び柔軟層により覆うことでクラック等の発生を防止することができ、高濃度の酸化性物質による酸化を防止することができる。また、耐酸化性に限らず、耐食性、気体の透過防止等を向上させることができる。
また、上記のコーティング膜が施された金属、セラミックスまたは合成樹脂からなる部材を提供することができる。
また、本発明のコーティング膜を、特殊な装置を用いることなく、容易に形成することができ、しかも得られる製品のコストダウンを図ることができるコーティング膜の製造方法を提供することができる。
2 緻密層
11 柔軟層
21 緻密層
31 金属製部材基体
32 緻密質シリカガラス膜
33 柔軟質シリカガラス膜
34 緻密質シリカガラス膜
41 緻密質シリカガラス膜
Claims (5)
- 金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部に、
ペルヒドロポリシラザン単体、またはペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ前記ペルヒドロポリシラザンの含有量が前記ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0である溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする緻密層上に、ペルヒドロポリシラザン及び下記化学式(1)
【化1】
(但し、R1はアルキル基である)
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする柔軟層を備えたコーティング膜を形成してなることを特徴とするコーティング膜が施された部材。
- 前記柔軟層上に、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記柔軟層のポリオルガノシラザンの含有量より少ない溶液を熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする第3の層を備えたことを特徴とする請求項1記載のコーティング膜が施された部材。
- 前記柔軟層は、前記ポリオルガノシラザンの含有量が異なる複数の溶液それぞれを個別に熱処理して得られる二酸化珪素を主成分とする複数の層を積層してなることを特徴とする請求項1または2記載のコーティング膜が施された部材。
- 金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部に、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ前記ペルヒドロポリシラザンの含有量が前記ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0である溶液を塗布し、その後、当該溶液を大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理し、二酸化珪素を主成分とする緻密層とし、次いで、この緻密層上に、ペルヒドロポリシラザン及び下記化学式(2)
【化2】
(但し、R1はアルキル基である)
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を塗布し、次いで、この第2の溶液を大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理し、二酸化珪素を主成分とする柔軟層を形成することを特徴とするコーティング膜の製造方法。
- 金属または合成樹脂からなる部材の表面および/または内面の少なくとも一部に、ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含みかつ前記ペルヒドロポリシラザンの含有量が前記ペルヒドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含むポリシラザン全体量に対して0.65〜1.0である溶液を塗布し、その後、当該溶液を乾燥させ、次いで、この乾燥した膜上に、
ペルヒドロポリシラザン及び下記化学式(3)
【化3】
(但し、R1はアルキル基である)
で表される骨格を繰り返し単位とするポリオルガノシラザンを含みかつ該ポリオルガノシラザンの含有量が前記溶液より多い第2の溶液を塗布し、次いで、前記乾燥した膜及び該第2の溶液を大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で熱処理し、前記乾燥した膜を二酸化珪素を主成分とする緻密層とするとともに、この緻密層上に二酸化珪素を主成分とする柔軟層を形成することを特徴とするコーティング膜の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3479648B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2003-12-15 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
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US20040115239A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-06-17 | Shastri Venkatram P. | Engineering of material surfaces |
KR101052434B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2011-07-29 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 폴리실라잔 함유 코팅 용액 |
DE10318234A1 (de) * | 2003-04-22 | 2004-11-25 | Clariant Gmbh | Verwendung von Polysilazan zur Herstellung von hydrophob- und oleophobmodifizierten Oberflächen |
DE102004011212A1 (de) * | 2004-03-04 | 2005-09-29 | Clariant International Limited | Perhydropolysilazane enthaltende Beschichtungen für Metall- und Polymeroberflächen |
DE102004011213A1 (de) * | 2004-03-04 | 2005-09-22 | Clariant International Limited | Beschichtungen für Metalloberflächen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung als selbstreinigende Schutzschicht, insbesondere für Autofelgen |
US7604678B2 (en) * | 2004-08-12 | 2009-10-20 | Hoeganaes Corporation | Powder metallurgical compositions containing organometallic lubricants |
BRPI0516621A (pt) * | 2004-10-19 | 2008-09-16 | Valspar Sourcing Inc | composição de revestimento, artigo, e, método de revestir um substrato |
DE102004054661A1 (de) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Clariant International Limited | Verwendung von Polysilazanen zur Beschichtung von Metallbändern |
TW200621918A (en) * | 2004-11-23 | 2006-07-01 | Clariant Int Ltd | Polysilazane-based coating and the use thereof for coating films, especially polymer films |
JP4578993B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-11-10 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
DE102005008857A1 (de) * | 2005-02-26 | 2006-09-07 | Clariant International Limited | Verwendung von Polysilazanen als permanente Anit-Fingerprint-Beschichtung |
MX2007011281A (es) * | 2005-04-11 | 2007-11-12 | Alcan Tech & Man Ltd | Metodo para mejorar las propiedades de barrera de capas de barrera de ceramica. |
CN101228035A (zh) * | 2005-07-25 | 2008-07-23 | 株式会社新克 | 凹版制版辊及其制造方法 |
WO2007132755A1 (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Think Laboratory Co., Ltd. | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
JP4968856B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-07-04 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 硬質被膜形成方法及びグラビア製版ロールの製造方法 |
DE102006045617B4 (de) * | 2006-09-22 | 2010-06-10 | Innovent E.V. Technologieentwicklung | Verfahren zur Herstellung einer anorganisch-anorganischen Gradientenverbundschicht |
JP5041512B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-10-03 | サーモス株式会社 | 飲食物用断熱容器 |
US7732068B2 (en) * | 2007-08-28 | 2010-06-08 | Alcoa Inc. | Corrosion resistant aluminum alloy substrates and methods of producing the same |
US8309237B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-11-13 | Alcoa Inc. | Corrosion resistant aluminum alloy substrates and methods of producing the same |
JP5160189B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2013-03-13 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 |
US20090162544A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Garesche Carl E | Method of surface coating to enhance durability of aesthetics and substrate component fatigue |
US9340869B2 (en) | 2008-08-19 | 2016-05-17 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device |
JP5379530B2 (ja) | 2009-03-26 | 2013-12-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
KR101489551B1 (ko) | 2009-05-22 | 2015-02-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 |
JPWO2011027619A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | バリアフィルム及びその製造方法 |
JP5849703B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2016-02-03 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法、有機光電変換素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP5761030B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2015-08-12 | コニカミノルタ株式会社 | バリアフィルムの製造方法 |
JP2011184719A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 耐食性部材、気相成長装置、気相成長方法及びコーティング方法 |
JP5697230B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-04-08 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP5750441B2 (ja) | 2010-08-20 | 2015-07-22 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP2012048993A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Cherubim Japan Co Ltd | 耐熱絶縁電線 |
TWI535561B (zh) | 2010-09-21 | 2016-06-01 | Lintec Corp | A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device |
US20130224503A1 (en) * | 2010-09-21 | 2013-08-29 | Lintec Corporation | Formed body, production method thereof, electronic device member and electronic device |
TWI457235B (zh) * | 2010-09-21 | 2014-10-21 | Lintec Corp | A gas barrier film, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device |
WO2012067789A2 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Method of reducing electromigration of silver and article made thereby |
WO2013017132A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Inmold Biosystems A/S | Reactive silicon oxide precursor facilitated anti-corrosion treatment |
FR2980394B1 (fr) * | 2011-09-26 | 2013-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Structure multicouche offrant une etancheite aux gaz amelioree |
JP6091758B2 (ja) | 2012-02-27 | 2017-03-08 | 三菱重工業株式会社 | 熱交換器 |
DE102012208287A1 (de) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Osram Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optischen elements |
WO2014192700A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法 |
DE102013019108B3 (de) * | 2013-11-14 | 2015-01-22 | Daimler Ag | Bereitstellung einer korrosionsgeschützten Kraftfahrzeug-Abgasanlagenkomponente |
CN106232687B (zh) * | 2014-04-24 | 2020-07-07 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 共聚聚硅氮烷、其制造方法以及包含其的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法 |
JP6475388B1 (ja) * | 2018-07-18 | 2019-02-27 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン含有組成物 |
WO2020076138A1 (ko) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 복합 코팅액, 이를 이용하여 제조된 금속 기판 구조체, 및 그 제조 방법 |
JP6926059B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 透明塗膜形成用組成物 |
JP7211620B2 (ja) * | 2018-12-30 | 2023-01-24 | 京葉ケミカル株式会社 | ガラス皮膜付き材料の製造方法 |
TWI730741B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-06-11 | 宗揚科技有限公司 | 車體鍍膜的方法及其鍍膜結構 |
JP6810434B1 (ja) * | 2020-05-11 | 2021-01-06 | 株式会社アイセル | 紙を用いた構造体の製造方法、紙を用いた構造体およびコーティング方法 |
WO2022061410A1 (en) * | 2020-09-24 | 2022-03-31 | Nanokote Pty Ltd | Coating process |
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US20240044009A1 (en) * | 2020-12-23 | 2024-02-08 | Tocalo Co.,Ltd. | Coating film formation method |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2193864B1 (ja) * | 1972-07-31 | 1974-12-27 | Rhone Poulenc Sa | |
JPS60145903A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-08-01 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 無機ポリシラザン及びその合成方法 |
FR2579602B1 (fr) * | 1985-03-29 | 1987-06-05 | Rhone Poulenc Rech | Composition polysilazane pouvant reticuler en presence d'un metal ou d'un compose metallique catalysant la reaction d'hydrosilylation |
JP2700233B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-01-19 | 財団法人石油産業活性化センター | 共重合シラザンおよびその製造法 |
JPH0650522Y2 (ja) * | 1989-03-24 | 1994-12-21 | 昭和電線電纜株式会社 | 絶縁性被覆体 |
US5114749A (en) * | 1989-08-01 | 1992-05-19 | Nkk Corporation | Method for manufacturing carbon material having good resistance to oxidation by coating the carbon material with an inorganic polysilazane and then heating |
JP2980352B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1999-11-22 | 東燃株式会社 | プライマー組成物 |
JPH05345983A (ja) | 1991-06-18 | 1993-12-27 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 耐食性金属部材 |
JPH06128530A (ja) * | 1992-10-17 | 1994-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 耐熱絶縁電線 |
JP2790163B2 (ja) * | 1993-07-29 | 1998-08-27 | 富士通株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びフラットディスプレイ装置の製造方法 |
US5616650A (en) * | 1993-11-05 | 1997-04-01 | Lanxide Technology Company, Lp | Metal-nitrogen polymer compositions comprising organic electrophiles |
JP3370408B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-01-27 | 東燃ゼネラル石油株式会社 | セラミックコーティングの製造方法 |
US6232216B1 (en) * | 1996-04-16 | 2001-05-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Thin film forming method |
JP4046809B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2008-02-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 前駆体ポリマー組成物及び低誘電率絶縁材料 |
JPH11314302A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-16 | Asahi Glass Co Ltd | プラスチック製品 |
JP3993330B2 (ja) * | 1999-01-04 | 2007-10-17 | クラリアント インターナショナル リミティド | SiO2系セラミックス膜の形成方法 |
US6479405B2 (en) * | 2000-10-12 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon oxide layer in semiconductor manufacturing process using spin-on glass composition and isolation method using the same method |
KR100374642B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
KR100354441B1 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for fabricating spin-on-glass insulation layer of semiconductor device |
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