JP2011184719A - 耐食性部材、気相成長装置、気相成長方法及びコーティング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面が耐食性のコーティング膜で覆われた耐食性部材であって、少なくとも、前記コーティング膜は3層以上の構造からなり、前記3層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする耐食性部材。
【選択図】図1
Description
例えば、ドライエッチングプロセスにおいては、塩化水素や臭化水素ガスなどの腐食性ガスを用いているために、エッチング装置に用いる鉄やアルミニウムなどの金属製部材の材質として、耐食性に考慮した材料を採用する必要に迫られていた。
また、ステンレススチールの中でも、耐食性に優れているSUS316Lが用いられることもあるが、この場合においても、半導体製造装置が使用される環境下では必ずしも十分満足できる耐食性を有しているとはいえない。また、表面にさらにフッ素樹脂をコーティングすることも行われているが、このフッ素樹脂コーティング膜にも微量ながら金属不純物が存在しており、これが不純物汚染の原因ともなる。さらに、フッ素樹脂は使用温度に限界があるために、フッ素樹脂の耐熱温度を超えるような高温で処理する半導体製造装置には適用できなかった。
このように、本発明の耐食性部材の金属製部材の表面の金属としては、半導体製造装置に一般的に用いられているステンレスとすることができる。
このように、コーティング膜の厚さは、0.5〜10μmであれば、膜厚均一で、欠陥がほとんどないコーティング膜が形成されるため、より耐食性の高い耐食性部材となる。
このように、本発明の気相成長装置のコーティングする金属製部材の表面の金属としては、気相成長装置に一般的に用いられているステンレスとすることができる。
このように、コーティング膜の厚さは、0.5〜10μmであれば、膜厚均一で、欠陥がほとんどないコーティング膜を形成するのが容易であるため、より耐食性が高く、気相成長においてパーティクルの発生がほとんど無い気相成長装置となる。
このように、本発明の気相成長装置を用いて、ウェーハ上に気相成長を行うことで、パーティクルの発生や、金属不純物汚染の無い気相成長を行うことができるため、高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる。
このように、コーティングする金属製部材の表面の金属としては、半導体製造装置に一般的に用いられているステンレスとすることができる。
このように、コーティング膜の厚さは、0.5〜10μmであれば、膜厚均一で、欠陥がほとんどないコーティング膜が形成されるため、金属製部材の耐食性をより高くすることができる。
このように、予め平滑化処理することによって平均表面粗さRa3.2μm以下にすることで、コーティング膜の付着性が良くなり、長寿命で、より耐食性の高いコーティング膜を施すことができる。
図1に示すように、本発明の耐食性部材15は、金属を含む材料からなる金属製部材14の金属の表面が耐食性のコーティング膜10で覆われた耐食性部材15であって、少なくとも、コーティング膜10は3層以上の構造からなり、3層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層11、13で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層12である。
その他、ロードロックチャンバー、トランスファーチャンバー、プロセスチャンバーなどの内壁、搬送用ロボット、ゲートバルブ、ゲートバルブを構成するシャッター、ガス供給系もしくは排気系の配管、ガス供給系もしくは排気系で使用されるバルブ、レギュレータ、圧力センサー、マスフローコントローラー、フィルタ、逆止弁、マニフォールドなどを構成する金属製部材に本発明のコーティング膜をコーティングして本発明の耐食性部材とすることができる。また、腐食性ガス・液体保管用ボトルあるいはボンベについても、本発明を適用することにより顕著な腐食性改善効果を期待できる。
チャンバー26には、チャンバー26内に原料ガス及びキャリアガス(例えば、水素)を含む気相成長ガスをサセプタ17の上側の領域に導入して、サセプタ17上に載置されたウェーハWの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管20、21が接続されている。
また、チャンバー26のガス導入管20、21が接続された側の反対側には、チャンバー26内からガスを排出するガス排出管22、23が接続されている。
このコーティングされる金属製部材としては、HClガス等の反応性ガスと接触する部材が好ましく、例えば、チャンバーベース25、ガス導入管20、21、ガス排出管22、23等の反応性ガスに対して露出された面をコーティングすることが好ましい。
このような気相成長方法であれば、パーティクルの発生や、金属不純物汚染の無い気相成長を行うことができるため、高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる。
本発明のコーティング方法では、例えば、所望の形状に成型した金属製部材の表面にコーティング膜をコーティングする。
前処理としては、例えば、コーティングされる金属製部材の表面端部稜線に、R処理を行って端部稜線の曲率半径を0.2以上とすることが好ましい。本発明において、金属製部材の表面端部稜線にR処理を施す理由として、金属製部材表面に塗布液を塗布する際に、その端部稜線に沿って、平坦部より塗布膜の膜厚に厚い部分ができ、塗布膜の加熱分解時にクラックが入り、その部分から腐食が発生してしまう場合があるが、端部稜線に上記のR処理を施すと、塗布膜の局部的な膜厚変化が生じにくく、膜厚均一にコーティングでき、クラックの発生が比較的容易に阻止できる。
表面形状によって塗布した塗布膜の付着性が異なってくる。すなわち、金属製部材の表面は、通常旋盤加工などによる加工傷やクラックなどの凹凸が存在しているが、この表面の凹凸を予め平滑化して上記範囲の表面粗さにすることで、付着性が良くなり、均一な膜を形成することが容易で、さらにピンホールの発生を防止できるため、耐食性のより高いコーティング膜を形成できる。
この有機溶媒は、ポリシラザンの反応に悪影響を与えないものであればよく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリエチルベンゼン等の芳香族化合物、シクロブタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等のシクロパラフィン、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、n−オクタン、i−オクタン、n−ノナン、i−ノナン、n−デカン、i−デカン等の飽和炭化水素化合物、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類等が好適に用いられる。
この有機溶媒は、アルコキシシランの反応に悪影響を与えないものであればよく、アセトン、n−ブチルケトン、i−ブチルケトン等、ケトン類が好適に用いられる。
本発明において、溶液を塗布する際に、水分が存在すると塗布膜成型前に分解反応が進行してしまい均一な膜となりにくいため、塗布工程においては、可能な限り水分を排除できるように雰囲気制御できる方法が好ましい。このため、ディップ法、スプレー法が適している。また、スピンコート法は均一な膜が得られやすい特徴があるが、コーティングされる金属製部材が曲面を有する形状のものには、ディップ法、スプレー法の適用が好ましい。ただし、ディップ法は曲面を有する部材にも適用可能であるが、均一な膜厚を得るためには技能の習熟が必要である。また、スプレー法は複雑形状の金属製部材の被覆には、技術的な困難が伴うが、比較的容易に膜厚均一な塗布膜を得ることができる。
塗布膜を乾燥し、加熱してシリカガラスに転化すると、収縮が起こり膜厚は減少する。従って、所望のコーティング膜の膜厚に対して上記範囲で塗布膜の厚さを設定することが好ましい。例えばスピンコート法においては、供給する塗布液の量及び回転時間、回転速度を調整することにより塗布膜の厚みを調整することができる。また、ディップ法においては、溶液の粘度、溶媒種、被塗布物の形状によって、スプレー法においては、スプレー時間、溶液濃度によって、塗布膜の厚みを調整できる。
ポリシラザン溶液の塗布膜は、上記加熱処理プロセスで、加熱処理の初期段階においては、ペルヒドロポリシラザンやポリオルガノシラザンの反応が進行すると、Si−O結合の他に、Si−N結合、Si−H結合、Si−R結合等を含む重合体が形成される。この段階では、シロキサン結合(Si−O−Si)が充分形成されていないために、セラミックスへの転化が不十分なものである。加熱処理が更に進行すると、前記重合体が水や酸素と反応することで反応物の酸化、水蒸気による加水分解が進行し、シロキサン結合(Si−O−Si)あるいはSi−N結合が形成されて、緻密性を有するセラミックスに転化して緻密層となる。また、アルコキシシラン溶液の塗布膜は、上記加熱処理プロセスで、加熱処理が進行すると、アルコキシシランが水や酸素と反応し、アルキル基等がアルコールとして脱離することで、柔軟性を有するセラミックスに転化して柔軟層となる。また、塗布膜を乾燥させた後、触媒を使用することにより低温で反応を行わせることもできる。
厚みが0.5μm以上であれば、金属製部材の表面に均一な膜を形成するのが容易で、十分な耐食性改善効果を得ることができる。また、厚みが0.5μm以上であれば、コーティング膜にピットやピンホールが発生しにくいため、不純物ガスが蓄積されず、半導体製造装置の汚染を防止し、さらには耐食性も高く保つことができる。また、コーティング膜を厚くするために塗布膜が厚くなると、作業環境中に存在するパーティクルを塗布膜が取り込んで塗布膜欠陥が発生する心配もなく、塗布膜欠陥を防止するために、塗布する際の作業環境を必要以上に高清浄化する必要もないため、低コストに高品質のコーティング膜を形成できる。
(実施例1)
ペルヒドロポリシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.3μmの緻密層とした。
次いで、メチルシリケート溶液をスピンコート法により上記の緻密層上に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.5μmの柔軟層とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層、柔軟層及び緻密層の3層構造のコーティング膜が形成された。このコーティング膜の膜厚は1.1μmであった。
ペルヒドロポリシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.3μmの緻密層とした。
次いで、メチルシリケート溶液をスピンコート法により上記の緻密層上に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.5μmの柔軟層とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層、柔軟層及び緻密層の3層構造のコーティング膜が形成された。このコーティング膜の膜厚は1.3μmであった。
ペルヒドロポリシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.3μmの緻密層とした。
次いで、メチルシリケート溶液をスピンコート法により上記の緻密層上に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.5μmの柔軟層とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層、柔軟層及び緻密層の3層構造のコーティング膜が形成された。このコーティング膜の膜厚は1.3μmであった。
ペルヒドロポリシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.3μmの緻密層とした。
次いで、メチルシリケート溶液をスピンコート法により上記の緻密層上に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.5μmの柔軟層とした。
次いで、ペルヒドロポリシラザンとポリメチルヒドロシラザンを1:1の割合で混合した溶液をスピンコート法により上記の柔軟層上に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、厚み0.5μmの緻密層とした。
以上により、ステンレススチール板の表面に、緻密層、柔軟層、緻密層、緻密層の4層構造のコーティング膜が形成された。このコーティング膜の膜厚は1.6μmであった。
ペルヒドロポリシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、無機質シリカ層とした。この無機質シリカ層の膜厚は0.8μmであった。
ポリメチルヒドロシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、350℃にて1時間熱処理を行い、有機質シリカ層とした。この有機質シリカ層の膜厚は0.8μmであった。
なお、加熱試験の条件は、コーティングされたステンレススチール板を、腐食性ガス(塩化水素ガス)雰囲気で、200℃、30分加熱した。
1)変色の有無
◎:全く変色が認められなかった。
○:端面近傍のみに僅かに淡い変色が認められた。
△:全面に僅かに淡い変色が認められた。
×:全面に変色が認められた。
◎:全く異常が認められなかった。
○:微小なマイクロクラックが一部に認められた。
△:クラックが一部に認められた。
×:クラックが全面に認められた。
◎:全く異常が認められなかった。
○:膜の一部が損傷しているのが認められた。
△:膜の一部が剥離(または消失)しているのが認められた。
×:膜が完全に剥離(または消失)しているのが認められた。
14…金属製部材、 15…耐食性部材、16、29…不透明石英部材、
17…サセプタ、 18…ウェーハ回転機構、 19…パージガス導入管、
20、21…ガス導入管、 22、23…ガス排出管、 24…気相成長装置、
25…チャンバーベース、 26…チャンバー、 27、28…透明石英部材、
W…ウェーハ。
Claims (11)
- 金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面が耐食性のコーティング膜で覆われた耐食性部材であって、少なくとも、前記コーティング膜は3層以上の構造からなり、前記3層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする耐食性部材。
- 前記金属製部材の表面の金属は、ステンレスであることを特徴とする請求項1に記載の耐食性部材。
- 前記コーティング膜の厚さは、0.5〜10μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の耐食性部材。
- 少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタとを具備する気相成長装置であって、少なくとも、
該気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、3層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、該3層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする気相成長装置。 - 前記金属製部材の表面の金属は、ステンレスであることを特徴とする請求項4に記載の気相成長装置。
- 前記コーティング膜の厚さは、0.5〜10μmであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の気相成長装置。
- 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の気相成長装置を用いて、前記サセプタ上にウェーハを載置し、前記ガス導入管から反応性ガスを前記チャンバー内に導入し、該導入された反応性ガスを前記ガス排出管から排出しながら、前記ウェーハ上に気相成長を行うことを特徴とする気相成長方法。
- 金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面を3層以上の構造の耐食性のコーティング膜で覆うコーティング方法において、少なくとも、前記金属製部材の金属の表面上にポリシラザン溶液を塗布して熱処理することにより最下層の緻密層を形成し、該緻密層より上にアルコキシシラン溶液を塗布して熱処理することにより中間層の柔軟層を形成し、該柔軟層より上にポリシラザン溶液を塗布して熱処理することにより最表層の緻密層を形成することを特徴とするコーティング方法。
- 前記金属製部材の表面の金属を、ステンレスとすることを特徴とする請求項8に記載のコーティング方法。
- 前記コーティング膜の厚さを、0.5〜10μmとすることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のコーティング方法。
- 前記金属製部材の金属の表面を、予め平滑化処理することによって平均表面粗さRa3.2μm以下にして、その後、前記金属の表面を前記コーティング膜で覆うことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載のコーティング方法。
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