JP5551885B2 - 低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜 - Google Patents
低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜 Download PDFInfo
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Description
たとえば、非特許文献1には、エチルアルコールに溶解されたテトラエチルオルソシリケート(TEOS)をテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の存在下で加水分解させて得られたゼオライト微粒子から比較的粒径の大きい粒子を分離・除去した懸濁液を用いて半導体基板上にゼオライト被膜(MFI結晶構造を有するシリカゼオライト被膜)を形成する方法が開示されている。しかし、この方法から得られるゼオライト被膜は、吸湿性が高いため空気中の水分を吸着して比誘電率が急激に増加(例えば、比誘電率が2.3から3.9に増加)して実用に耐えなくなってしまうという問題があった。そこで、このようにして得られたゼオライト被膜にシリル化処理(Silylation)を施してその表面を疎水化し、この被膜の比誘電率を低く保つ方法などが提案されている。
そこで、本願発明者らは、上記のような問題を解決することを目的として鋭意研究を続けたところ、以下に示すような組成と性状からなるシリカ系被膜形成用塗布液を用いて基板上に被膜を形成し、さらに過熱水蒸気の雰囲気下で加熱処理すればよいことを見出し、本発明を完成するに至った。
前記アルカリ金属元素は、ナトリウムおよび/またはカリウムであることが好ましい。さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子および/または前記テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の中に含まれる不純物としてのアルカリ金属元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で50重量ppb以下であることが好ましい。
また、前記ハロゲン族元素は、塩素および/または臭素であることが好ましい。さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子および/または前記テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の中に含まれる不純物としてのハロゲン族元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で1重量ppm以下であることが好ましい。
また、前記ナノサイズシリカ微粒子は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させたものであることが好ましい。
さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子(MFI型ゼオライト結晶質のシリカ微粒子)の結晶化度は、0.50〜0.83の範囲にあることが好ましい。
また、前記ナノサイズシリカ微粒子は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させたものであることが好ましい。
さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子(MEL型ゼオライト結晶質のシリカ微粒子)の結晶化度は、0.12〜0.15の範囲にあることが好ましい。
また、前記シリカ系被膜形成用塗布液中に、さらにポリシラザン、ポリカルボシランおよびポリシロキサンから選ばれた1種または2種以上のポリ珪素化合物を含むことが好ましい。
(1)上記の低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、
(2)前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程、
(3)前記装置内に過熱水蒸気を導入して、前記被膜を200〜500℃の温度条件下で加熱処理する工程、および
(4)前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜800℃の温度条件下で焼成する工程
を含むことを特徴としている。
(1)上記の低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、
(2)前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程、および
(3)前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を200〜800℃の温度条件下で加熱処理する工程
を含むことを特徴としている。
(1)上記の低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、および
(2)前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を110〜800℃の温度条件下で加熱処理する工程
を含むことを特徴としている。
前記低誘電率シリカ系被膜は、3.5以下の比誘電率を有することが好ましい。
また、前記低誘電率シリカ系被膜は、該被膜に0.5MV/cmの電圧を印加した時の電流密度として測定されるリーク電流量が1.0x10-7A/cm2以下であることが好ましい。
さらに、前記低誘電率シリカ系被膜は、500℃の温度条件下に1時間、晒しても膜劣化が認められない被膜で、耐熱性に優れたものであることが好ましい。
また、前記低誘電率シリカ系被膜は、その表面にSiOH基(シラノール基)の存在が確認できない或いは殆ど確認できない被膜で、耐湿性に優れたものであることが好ましい。
さらに、前記低誘電率シリカ系被膜は、半導体基板上に形成される層間絶縁膜、素子分離用絶縁膜または液晶TFT素子の絶縁膜であることが好ましい。
しかし、これらの従来公知の方法では、粒子径が比較的大きいゼオライトナノ結晶を含む液状組成物を用いて、前記ゼオライト被膜を形成していたため、該被膜中にリーク電流が発生してしまうという問題があった。さらに、得られた被膜の表面が必ずしも平坦ではなく粗いものであった。
また、メチルトリエトキシシラン等のメチル基を有するシラン化合物を加えて疎水性(耐湿性)を向上させた被膜は、耐熱性に乏しいため、その使用環境が限られていた。
また、前記低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液中には、メチルトリエトキシシラン等のメチル基を有するシラン化合物が含まれていないため、高い耐熱性を有する被膜を形成することができる。
すなわち、本発明に係る低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を使用すれば、リーク電流の発生が少なく、また耐熱性に優れた被膜を容易に得ることができる。
そこで、本発明においては、この問題を回避するため、前記シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布した後、少なくとも該基板を過熱水蒸気の雰囲気下で加熱処理して低誘電率シリカ系被膜を形成する方法を提案している。このような本発明に係る低誘電率シリカ系被膜の形成方法によれば、リーク電流が少なく、しかも耐熱性と耐湿性とを兼ね備えた低誘電率シリカ系被膜を基板上に容易に形成することができる。
このようにして得られる本発明に係る低誘電率シリカ系被膜は、その表面にSiOH基(シラノール基)の存在が確認できない或いは殆ど確認できない被膜で、耐湿性(疎水性)に優れたものである。また、3.5以下の比誘電率を有しており、たとえ空気中に晒しておいても比誘電率の増加は認められないものである。
さらに、前記低誘電率シリカ系被膜は、該被膜に0.5MV/cmの電圧を印加した時の電流密度として測定されるリーク電流量が1.0x10-7A/cm2以下のものである。また、該被膜を500℃の温度に1時間、晒しても膜劣化が認められない被膜で、耐熱性に優れたものである。
シリカ系被膜形成用塗布液
本発明に係る低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液は、
少なくともアルカリ金属元素の化合物およびハロゲン族元素の化合物からなる不純物を実質的に含まない、ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含むものである。
通常、一般的な用途のために市販されているテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)中には、不純物としてナトリウム(Na)、カリウム(K)などのアルカリ金属元素の化合物、および臭素(Br)、塩素(Cl)などのハロゲン族元素の化合物がそれぞれ元素基準で数100重量ppm〜数重量%のレベルで含有していることがある。
よって、本発明においては、前記シリカ系被膜形成用塗布液の構成成分であるナノサイズシリカ微粒子および/またはテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の中に含まれる不純物としてのアルカリ金属元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で50重量ppb以下であることが好ましい。
よって、本発明においては、前記シリカ系被膜形成用塗布液の構成成分であるナノサイズシリカ微粒子および/またはテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の中に含まれる不純物としてのハロゲン族元素化合物の含有量は、それぞれの元素基準で1重量ppm以下であることが好ましい。
よって、前記テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(市販品)中にこれらの金属化合物が不純物として含まれている場合には、前記アルカリ金属元素化合物の場合と同様に、前記シリカ系被膜形成用塗布液の構成成分であるナノサイズシリカ微粒子および/またはテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の中に含まれるこれらの金属化合物の含有量を、それぞれの元素基準で50重量ppb以下とすることが好ましい。
また、前記ナノサイズシリカ微粒子は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させたものであることが好ましい。ここで、前記テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)以外のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを使用すると、MFI型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子を得ることが難しいので、これを使用することが望ましい。
さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子の結晶化度は、0.50〜0.83の範囲にあることが好ましい。ここで、前記結晶化度が0.50未満であると、SiOH基(シラノール基)を多く含むため吸湿性の高いシリカ系被膜となり、また前記結晶化度が0.83を超えると、被膜中におけるシリカ微粒子の粒子間空隙が大きくなって被膜中にリーク電流が発生し易くなるので、好ましくない。
また、前記ナノサイズシリカ微粒子は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させたものであることが好ましい。ここで、前記テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)以外のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを使用すると、MEL型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子を得ることが難しいので、これを使用することが望ましい。
さらに、前記ナノサイズシリカ微粒子の結晶化度は、0.12〜0.15の範囲にあることが好ましい。ここで、前記結晶化度が0.12未満であると、SiOH基(シラノール基)を多く含むため吸湿性の高いシリカ系被膜となり、また前記結晶化度が0.15を超えると、被膜中におけるシリカ微粒子の粒子間空隙が大きくなって被膜中にリーク電流が発生し易くなるとなるので、好ましくない。
また、本発明でいう「シリカ微粒子前駆体」とは、結晶化がまったく進んでいない非晶質のシリカ成分または平均粒子径が2nm以下のシリカ微粒子を含むシリカ成分をいう。
さらに、本発明に係る前記シリカ系被膜形成用塗布液中には、該塗布液の調製段階で使用されたテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)をそのまま残しておくことが必要である。これは、前記テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)は、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解触媒として作用するばかりでなく、低誘電率シリカ系被膜の形成段階でテンプレート材として機能するからである。
なお、前記有機化合物は、後述する方法で調製されたシリカ系被膜形成用塗布液中に含まれる水分と溶媒置換して、該塗布液中に含ませることが好ましい。また、この溶媒置換工程では、前記シリカ微粒子の固形分濃度が1〜40重量%、好ましくは5〜20重量%となるように調整することが好ましい。よって、得られるシリカ系被膜形成用塗布液中には、前記有機化合物(有機溶媒)を60〜99重量%含むことになるが、前記の溶媒置換を完全に行わずに、該塗布液中に水分を残しておいてもよい。この場合、水分の残存量は、45重量%以下、好ましくは0.1〜35重量%であることが好ましい。ただし、後述するポリ珪素化合物を前記塗布液中に加える場合、すなわち水と反応するポリシラザンや水に不溶なポリカルボシランを加える場合には、該塗布液中で固形分が凝集したりするので、水分の残存量は1重量%以下とすることが望ましい。また、これらのポリ珪素化合物を加えない場合でも、水分の残存量が45重量%を超えると、前記塗布液を基板上に塗布する時にハジキや塗布ムラが発生するので、好ましくない。
しかし、前記シリカ系被膜形成用塗布液中に含ませるポリ珪素化合物(PSC)は、該塗布液中に含まれるシリカ微粒子(SiO2)に対する重量比(PSC/SiO2))がSiO2換算基準で9/1以下となるような割合で添加することが望ましい。ここで、前記ポリ珪素化合物の添加量が9/1を超えると、多孔質材料としての特性が得られないため、被膜の低誘電率化をはかることが難しくなる。
本発明に係る低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液の調製方法は、MFI型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子を含むシリカ系被膜形成用塗布液(以下、「MFI型シリカ微粒子含有塗布液」という場合がある。)とMEL型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子を含むシリカ系被膜形成用塗布液(以下、「MEL型シリカ微粒子含有塗布液」という場合がある。)では一部、異なるので、以下、これらの調製方法について説明する。
<MFI型シリカ微粒子含有塗布液の調製>
MFI型シリカ微粒子含有塗布液の調製方法は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させて、前記塗布液を調製するものである。
なお、前記不純物の除去に使用される陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂としては、特に制限なく、市販のものを使用することができる。
本発明に係る前記MFI型シリカ微粒子含有塗布液は、
(i)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の水溶液中に撹拌下で0.1〜120分間かけて滴下した後、20〜30℃の室温で0.5〜168時間、100〜200rpmの速度で攪拌し、さらに60〜80℃の温度に加熱した後、この温度に保ちながら0.5〜240時間、100〜200rpmの速度で撹拌して、前記テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)の加水分解を行い、その加水分解物であるシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、
(ii) 次いで、この混合液をオートクレーブ中に入れて、120〜190℃の温度条件下で2〜30時間、水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させることによって調製される。
この場合、前記工程(i)に示す滴下方法に代えて、前記テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)中に、上記と同様な条件下(温度20〜30℃、撹拌速度100〜200rpm)で、前記テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の水溶液を0.1〜120分間かけて滴下してもよい。
さらに、前記テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の水溶液は、蒸留水または超純水中にテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)を5〜40重量%、好ましくは10〜30重量%の割合で含んでいることが望ましい。しかし、この水溶液中に含まれる水は、テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)の加水分解反応を生起させるために使用されるので、その加水分解反応に必要な量を含むものでなければならない。なお、この加水分解反応を促進させるための触媒としては、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)がその機能を有しているので、特別にその他の触媒(たとえば、アンモニア)を外部から添加する必要はない。
さらに、前記工程(ii)における水熱処理は、120〜190℃の温度で2〜30時間かけて行うことが好ましい。ここで、前記水熱処理温度が120℃未満であると、シリカ微粒子前駆体の結晶化が進まないため非晶質部分が残ってしまい、また前記温度が190℃を超えると、シリカ微粒子の結晶が急激に成長して、比較的大きな粒子径の結晶粒子ができやすくなるので、好ましくない。また、前記水熱処理時間が2時間未満であると、シリカ微粒子の結晶化が不十分となり、また前記時間が30時間を超えると、シリカ微粒子の結晶が大きく成長しすぎてしまうので、好ましくない。
MEL型シリカ微粒子含有塗布液の調製方法は、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させて、前記塗布液を調製するものである。
なお、前記不純物の除去に使用される陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂としては、特に制限なく、市販のものを使用することができる。
本発明に係る前記MEL型シリカ微粒子含有塗布液は、
(i)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の水溶液中に撹拌下で0.1〜120分間かけて滴下した後、20〜30℃の室温で0.5〜168時間、100〜200rpmの速度で攪拌して、前記テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)の加水分解を行い、その加水分解物であるシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、
(ii) 次いで、この混合液をオートクレーブ中に入れて、90〜110℃の温度条件下で2〜100時間、水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させることによって調製される。
この場合、前記工程(i)に示す滴下方法に代えて、前記テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)中に、上記と同様な条件下(温度20〜30℃、撹拌速度100〜200rpm)で、前記テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の水溶液を0.1〜120分間かけて滴下してもよい。
さらに、前記テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の水溶液は、蒸留水または超純水中にテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)を5〜40重量%、好ましくは10〜30重量%の割合で含んでいることが望ましい。しかし、この水溶液中に含まれる水は、テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)の加水分解反応を生起させるために使用されるので、その加水分解反応に必要な量を含むものでなければならない。なお、この加水分解反応を促進させるための触媒としては、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)がその機能を有しているので、特別にその他の触媒(たとえば、アンモニア)を外部から添加する必要はない。
さらに、前記工程(ii)における水熱処理は、90〜110℃の温度で2〜100時間かけて行うことが好ましい。ここで、前記水熱処理温度が90℃未満であると、シリカ微粒子前駆体の結晶化が進まないため非晶質なものとなってしまい、また前記温度が110℃を超えると、シリカ微粒子の結晶が急激に成長して、比較的大きな粒子径の結晶粒子ができやすくなるので、好ましくない。また、前記水熱処理時間が2時間未満であると、シリカ微粒子の結晶化が不十分となり、また前記時間が100時間を超えると、シリカ微粒子の結晶が大きく成長しすぎてしまうので、好ましくない。
さらに、前記シリカ系被膜形成用塗布液中に、ポリシラザン、ポリカルボシランから選ばれた1種または2種以上のポリ珪素化合物を加える場合には、上記の理由により、該ポリ珪素化合物を含む有機溶媒分散液を、溶媒置換後の前記シリカ系被膜形成用塗布液中に添加することが望ましい。
なお、前記ポリ珪素化合物を含む有機溶媒分散液は、その分散媒として前記シリカ系被膜形成用塗布液の溶媒置換に用いられる有機化合物(有機溶媒)と同じものを使用することが好ましい。
本発明に係る第一の低誘電率シリカ系被膜の形成方法は、前記MFI型シリカ微粒子含有塗布液または前記MEL型シリカ微粒子含有塗布液を基板上に塗布(塗布工程)し、さらに以下の各工程で少なくとも処理することによって、該基板上にリーク電流が少なく、しかも耐熱性と耐湿性とを兼ね備えた低誘電率シリカ系被膜を形成するものである。
(a)前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程(乾燥工程)。
(b)前記装置内に過熱水蒸気を導入して、前記被膜を200〜500℃の温度条件下で加熱処理する工程(加熱処理工程)。
(c)前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜800℃の温度条件下で焼成する工程(焼成工程)。
塗布工程
一般に、シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布するためには、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、転写法等の塗布方法が採用されているが、本発明においても、このような従来公知の方法を用いて前記塗布液を基板上に塗布することができる。この中でも、半導体基板上などに前記塗布液を塗布する場合には、スピンコート法が好適で、塗布膜厚の均一性や低発塵性などにおいて優れている。従って、本発明においては、このスピンコート法による塗布方法を採用することが望ましいが、大口径の半導体基板上などに塗布する場合には、転写法などを採用してもよい。
なお、本発明方法において「シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布すること」の意味は、前記シリカ系被膜形成用塗布液をシリコンウェハーなどの基板上に直接、塗布するだけでなく、該基板上に形成された半導体加工用保護膜やその他の被膜の上部に塗布することも含むものである。さらに、液晶TFT素子が形成されたガラス基板上などに塗布することも含むものとする。
この工程では、前記塗布工程で得られた基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を特定の温度条件下、すなわち30〜300℃、好ましくは100〜250℃の温度条件下で加熱して乾燥処理する。ここで、この乾燥処理操作を30℃未満の温度で行うと、上記の塗布被膜中に含まれる有機溶媒や水分の多くが蒸発せずにそのまま被膜中に残ってしまうことがあるため、この乾燥処理の目的を達成することが容易でなくなり、さらには形成される被膜の膜厚にムラが生じることがある。一方、この乾燥処理を、たとえ短時間でも300℃を超えた温度で行うと、上記の塗布被膜中に含まれる有機溶媒(有機化合物)や水分は蒸発してその殆どが被膜中からなくなるものの、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の分解が始まって前記成分と一緒に蒸発(脱離)するため、被膜中に比較的、大口径の細孔や空隙を形成してしまうことがある。
前記装置としては、半導体業界などで一般的に使用されているバッチ式または連続式の加熱装置(または加熱炉)を使用することができるが、前記基板を枚葉式のホットプレート上に載置して乾燥・焼成できる加熱装置(または加熱炉)を用いることが好ましい。
また、前記装置内に窒素ガスまたは空気を連続的に導入しながら行うことによって、被膜中から蒸発してきた有機溶媒や水分を簡単に系外に排出することができる。
この工程では、前記乾燥処理操作を終了した装置内に過熱水蒸気を導入して、乾燥処理された被膜を200〜500℃、好ましくは250〜400℃の温度条件下で加熱処理する。ここで、この加熱処理操作を200℃未満の温度で行うと、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の分解があまり進まないため、これが被膜中に残って、比誘電率の増加を招いたり、半導体基板の性能に悪影響を及ぼしたりすることがある。さらに、最終的に得られるシリカ系被膜の表面にSiOH基(シラノール基)が残存し、結果として空気中の水分を吸着して該被膜の比誘電率を高めてしまうことがあるので、好ましくない。
一方、前記シリカ系被膜形成用塗布液を用いて得られるシリカ系被膜は、高い耐熱性を有しているため、この加熱処理操作を500℃を超えた温度で行うこともできるが、後述する焼成工程に供する場合には、敢えて500℃以上の温度で加熱処理することは必要ない。しかし、アルミニウム配線や銅配線などが配設された半導体基板を450℃を超えた温度で加熱すると、これらの配線に損傷を与えてしまうことがあるので、このような場合には、200〜450℃、好ましくは250〜400℃の温度条件下で加熱処理することが望ましい。
また、前記過熱水蒸気は、市販の過熱水蒸気発生装置、例えば、高周波誘導加熱による過熱水蒸気発生装置(日本高周波工業(株)製、Super-Hi等)を用いて、ボイラー(例えば、ユーキャン(株)製US-MG12SP等)で発生させた飽和水蒸気(温度:約100℃)をさらに加熱すると、温度200〜800℃のものを容易に得ることができる。
この工程では、前記加熱処理操作を終了した装置内に不活性ガスとしての窒素ガスを導入して、加熱処理された被膜を350〜800℃、好ましくは380〜450℃の温度条件下で加熱して焼成処理する。ここで、この焼成処理操作を350℃未満の温度で行うと、前記シリカ系被膜形成成分の重合(前記ネットワークの形成)が進みにくいので充分な被膜強度を有する被膜が得られず、またこの焼成処理の温度が800℃を超えると、得られるシリカ系被膜に悪影響を及ぼすことがあるので、好ましくない。しかし、アルミニウム配線や銅配線などが配設された半導体基板を450℃を超えた温度で加熱すると、これらの配線が酸化されたり、あるいは溶融されたりして、当該配線層に致命的な損傷を与えることがあるので、このような場合には、350〜450℃、好ましくは350〜400℃の温度条件下で加熱処理することが望ましい。
前記窒素ガスとしては、窒素含有量が100%のものを必ずしも使用する必要はない。例えば、本出願人の先願発明(国際出願公開WO01/48806号公報)に記載される不活性ガス、すなわち市販の窒素ガスに、空気または酸素ガスを少量加えて、500〜10000容量ppm程度の酸素を含ませた窒素ガスを用いてもよい。
このようにして前記基板上に形成されるシリカ系被膜の膜厚は、被膜を形成する半導体基板やその目的によっても異なるが、例えば、半導体装置におけるシリコン基板(シリコンウェハー)上では100〜600nmの範囲にあり、また多層配線の配線層間では100〜1000nmの範囲にある。
さらに、本発明に係るシリカ系被膜形成用塗布液の特性により、リーク電流が少なく、しかも耐熱性に優れたシリカ系被膜が形成されるので、本発明の目的を十分に達成することができる。
(a)前記液状組成物を塗布した基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程(乾燥工程)。
(b)前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を200〜800℃の温度条件下で加熱処理する工程(加熱処理工程)。
この第二のシリカ系被膜形成方法は、第一のシリカ系被膜形成方法から前記焼成工程を省いた方法を提供するものであるため、得られるシリカ系被膜の被膜強度(ヤング弾性率)が少し劣っている場合もあるが、前記加熱処理工程で加熱水蒸気の作用効果により被膜表面に存在するSiOH基(シラノール基)を取り除くことができ、さらには被膜全体(内部を含む)をむらなく均一に加熱することができるので、リーク電流が少なく、しかも耐熱性と耐湿性とを兼ね備えた低誘電率シリカ系被膜を形成することができる。
しかし、この第二のシリカ系被膜形成方法では、比較的高い温度、例えば250℃以上の温度(すなわち、250〜800℃)で加熱処理することが好ましい。ただし、アルミニウム配線や銅配線などが配設された半導体基板を450℃を超えた温度で加熱すると、これらの配線が酸化されたり、あるいは溶融されたりして、当該配線層に致命的な損傷を与えることがあるので、このような場合には、200〜450℃、好ましくは250〜400℃の温度条件下で加熱処理することが望ましい。
これらの各工程については、前記加熱処理工程における加熱処理温度を除けば、上記の通りである。よって、ここでは、その具体的な説明を省略する。
この第三のシリカ系被膜形成方法は、第一のシリカ系被膜形成方法から前記乾燥工程および前記焼成工程を省いた方法を提供するものであるため、得られるシリカ系被膜の被膜強度(ヤング弾性率)が少し劣っている場合もあるが、前記加熱処理工程で加熱水蒸気の作用効果により被膜表面に存在するSiOH基(シラノール基)を取り除くことができ、さらには被膜全体(内部を含む)をむらなく均一に加熱することができるので、リーク電流が少なく、しかも耐熱性と耐湿性とを兼ね備えた低誘電率シリカ系被膜を形成することができる。
よって、この第三のシリカ系被膜形成方法では、前記加熱処理工程における加熱処理操作を、前記装置内に過熱水蒸気を導入しながら、たとえば110〜150℃の温度条件下で1〜20分間行い、さらに200〜800℃の温度条件下で1〜70分間、段階的に行うことが好ましい。さらに、前記の加熱処理温度を徐々に上げていってもよいことは勿論である。このような方策を講じると、前記乾燥工程を省いても、第二のシリカ系被膜形成方法から得られる被膜とほぼ同等またはこれに近い性状を有する被膜を得ることができる。しかし、本発明においては、上記のような2段階またはそれ以上の段階的な加熱処理だけではなく、一定の温度条件下にて1段階で加熱処理を行うことを排除するものではない。ただし、アルミニウム配線や銅配線などが配設された半導体基板を450℃を超えた温度で加熱すると、これらの配線が酸化されたり、あるいは溶融されたりして、当該配線層に致命的な損傷を与えることがあるので、このような場合には、200〜450℃、好ましくは250〜400℃の温度条件下で加熱処理することが望ましい。
本発明に係る低誘電率シリカ系被膜は、上記の物理的性状を備えたゼオライト結晶質のナノサイズ微粒子を含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されているので、該被膜中に発生するリーク電流量が極めて少ないものである。たとえば、前記シリカ系被膜に0.5MV/cmの電圧を印加した時の電流密度として測定されるリーク電流量は、1.0x10-7A/cm2以下にある。
さらに、前記低誘電率シリカ系被膜は、メチル基を有するシラン化合物などを含まないシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されているので、耐熱性が極めて高いものである。たとえば、前記シリカ系被膜を500℃の温度に1時間、晒しても、該被膜に何ら劣化が認められない程度のものである。
さらに、前記低誘電率シリカ系被膜は、過熱水蒸気を用いて加熱処理しているので、14GPa以上、さらに詳しくは15〜18GPaのヤング弾性率(Young's Modulus)からなる被膜強度を有している。なお、本発明に係る前記シリカ系被膜形成用塗布液を使用すれば、従来公知の加熱処理方法(即ち、前記乾燥工程および前記焼成工程からなる加熱処理法)を用いても、14GPa前後のヤング弾性率を有するシリカ系被膜が得られるが、これ以上の被膜強度を備えたものを得ることは難しい。また、この従来公知の方法では、耐湿性に優れたシリカ系被膜を得ることができない。
よって、本発明に係る低誘電率シリカ系被膜は、半導体基板上、多層配線構造の配線層間、素子表面および/またはPN接合部を設けてなる基板上、あるいは当該基板上に設けられた多層の配線層間などに形成して使用される。この中でも、半導体基板上などに形成される層間絶縁膜、素子分離用絶縁膜、液晶TFT素子絶縁膜などの用途として好適に使用することができる。
次に、本発明の実施例その他で採用された測定方法を具体的に述べれば、以下の通りである。
(1)シリカ微粒子の平均粒子径
シリカ微粒子の分散ゾル(固形分含有量:10重量%)をコロジオン膜上に滴下して乾燥させたものを、電界放出型走査電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ社製;S−5500)を用いて、加速電圧30,000V、倍率30万倍で観察し、その画像から粒子径を求める。
(2)シリカ微粒子の結晶形態
シリカ微粒子(固形分含有量:10重量%)の分散ゾルを磁性ルツボ(B−2型)に約30ml採取し、150℃1時間乾燥後、デシケータに入れて室温まで冷却する。次に、乳鉢にて15分粉砕後、X線回折装置(理学電機(株)製、RINT1400)を用いて結晶形態を測定する。
MFI型結晶構造およびMEL型結晶構造を有するゼオライト粒子(基準物質)をそれぞれX線回折装置(理学電機(株)製、RINT1400)にかけて、2θ=5°〜70°、ステップ角度:0.01°、スキャンスピード:2°/分、管電圧30kV、管電流130mAの条件下(スリットは、発散スリット1、散乱スリット1、受光スリット0.15で、モロクロメーターは不使用。)で測定を行い、2θ=23°付近のピーク強度(W)を求め、これらの基準物質の結晶化度を1.0とする。同様にして、得られたシリカ微粒子のピーク強度(V)を求め、前記基準物質のピーク強度に対する比率(V/W x 1.0)で当該シリカ微粒子の結晶化度を表す。なお、MFI型結晶構造を有する基準物質としては、比較例塗布液1c(混合液M−(c5)を使用)の中に含まれるゼオライト粒子を用い、またMEL型結晶構造を有する基準物質としては、比較例塗布液2c(混合液N−(b7)を使用)の中に含まれるゼオライト粒子を用いた。
(4)被膜の比誘電率
水銀プローブ法(Solid State Measurements 製SSM495、周波数1MHz)により測定する。すなわち、形成されたシリカ系被膜に水銀電極を接触させて、電圧を変えて該被膜の電気容量を測定して、得られた電気容量と膜厚から塗布膜の比誘電率を算出する。
水銀プローブ法(Solid State Measurements 製SSM495、周波数1MHz)により測定する。すなわち、前記塗布膜に水銀電極を接触させて、電圧を変化させながら0.5MV/cmの電圧を印加した時に流れる電流量を測定し、単位面積当りの電流値に換算してリーク電流量を算出する。
(6)高温焼成後の比誘電率(被膜の耐熱性を表す指標)
形成されたシリカ系被膜を、さらに空気雰囲気下にて500℃の温度で60分間焼成した後、上記(4)の方法で再度、比誘電率を測定し、被膜の耐熱性を評価する。この場合、高温焼成後における被膜の比誘電率が高まっていれば、耐熱性に乏しいことを意味する。
赤外線吸収スペクトル法(パーキンエルマー社製FT−IR)により測定する。すなわち、3400cm-1付近に現れる、SiOH基に由来するピークの有無を確認する。この場合、SiOH基に由来するピークがあり、その値が多ければ多い程、耐湿性に乏しいことを意味する。
(8)被膜の機械的強度(ヤング弾性率)
ナノインデンテーション法(MTS Systems Corp製ナノインデンターXP)によりヤング弾性率(Young’s Modulus)を測定する。すなわち、ダイヤモンド製の圧子を前記塗布膜に押し込み、該圧子と塗布膜の接触面積および押し込み強度を測定して、ヤング弾性率を算出する。
テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドを40重量%含む水溶液1kg(TPAOH、ライオン(株)製)に、陽イオン交換樹脂の粉末(WK−40、三菱化学(株)製)300gを添加し、室温条件下、100rpmの速度で1時間撹拌した後、添加した陽イオン交換樹脂粉末を濾過して取り除いた。次に、陰イオン交換樹脂の粉末(SAT−10、三菱化学(株)製)2100gを添加し、室温条件下、100rpmの速度で1時間攪拌した後、添加した陰イオン交換樹脂粉末を濾過して取り除いた。
得られたテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の水溶液に超純水を加えて、15重量%の濃度に調整し、該水溶液中に不純物として含まれるナトリウム(Na)およびカリウム(K)のアルカリ金属元素の化合物、並びに臭素(Br)および塩素(Cl)のハロゲン族元素の化合物の量をそれぞれ原子吸光法(AAS法、(株)日立製作所製偏光ゼーマン原子吸光光度計Z-5710)およびイオンクロマト法(DIONEX製2020i)で測定した。
その結果、イオン交換処理前の水溶液中に含まれていた不純物量が元素基準でナトリウム50重量ppm、カリウム2500重量ppm、臭素2250重量ppmおよび塩素13重量ppmであったのに対し、イオン交換処理後の水溶液中に含む不純物の含有量は、元素基準でナトリウム10重量ppb以下(検出限界)、カリウム10重量ppb以下(検出限界)、臭素1重量ppm以下および塩素1重量ppm以下であった。すなわち、本発明で求められる許容不純物レベルまで、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(市販品)の高純度化を行うことができた。
さらに、比較のために、前記混合液M-(a)530gに純水970gを加えて、固形分濃度をSiO2基準で3重量%に調製した後、これをオートクレーブ(耐圧硝子(株)製TAS-5型)の中に入れて、表1に示す温度条件下で15時間、200rpmの速度で撹拌して、前記シリカ微粒子前駆体の結晶化を行った。その後、前記オートクレーブ中の混合液を室温まで冷却して系外に取り出した。これにより、MFI型結晶構造を有するゼオライト粒子を含む混合液M-(c5)1500gを得た。
なお、この溶媒置換工程に供しても、これらのシリカ系被膜形成用塗布液中に含まれる前記テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドは、溶媒置換されずにそのままそれぞれの塗布液中に残っていた。また、前記水分も、それぞれの塗布液中に約30重量%残存していた。
次に、前記シリカ系被膜形成用塗布液中に含まれるナノサイズシリカ微粒子の結晶形態、X線ピーク強度、結晶化度(比較例塗布液1c中に含まれるゼオライト粒子の結晶化度を1.0とする)および平均粒子径を上記の方法で測定したところ、表1に示す結果が得られた。
さらに、実施例塗布液1b(混合液M-(c3)を使用)の中に含まれるナノサイズシリカ微粒子および比較例塗布液1c(混合液M-(c5)を使用)の中に含まれるゼオライト粒子を、透過型電子顕微鏡で撮った倍率100,000倍の写真(TEM写真)をそれぞれ図1および図2に示す。
次に、これらの基板を枚葉式のホットプレート(東京エレクトロン(株)製ACT-8)上に載置して、窒素ガスを導入(導入量:約10L/分)しながら、該ホットプレートの表面温度を150℃に保って、前記基板上に形成された被膜(塗布被膜)の乾燥処理を3分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分などが蒸発してくるので、前記窒素ガスと一緒に系外に排出した。
さらに、これらの基板を前記の枚葉式ホットプレート上に載せたまま、窒素ガス(導入量:約10L/分)を導入しながら、該ホットプレートの表面温度を400℃に保って、前記基板上に形成された被膜(加熱処理被膜)の焼成処理を30分間行った。
次に、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドを40重量%含む水溶液1kg(TBAOH、ライオン(株)製)に、陽イオン交換樹脂の粉末(WK−40、三菱化学(株)製)300gを添加し、室温条件下、200rpmの速度で1時間、撹拌した後、添加した陽イオン交換樹脂粉末を濾過して取り除いた。次に、陰イオン交換樹脂の粉末(SAT−10、三菱化学(株)製)2100gを添加し、室温条件下、200rpmの速度で1時間攪拌した後、添加した陰イオン交換樹脂粉末を濾過して取り除いた。
実施例1に示すテトラプロピルルアンモニウムハイドロオキサイド(TPAOH)の場合と同様に、この水溶液に超純水を加えて15重量%の濃度に調整し、該水溶液中に不純物として含まれるナトリウム(Na)およびカリウム(K)のアルカリ金属元素の化合物、並びに臭素(Br)および塩素(Cl)のハロゲン族元素の化合物の量をそれぞれ原子吸光法(AAS法)およびイオンクロマト法で測定した。
その結果、イオン交換処理前の水溶液中に含まれていた不純物量が元素基準でナトリウム75重量ppm、カリウム4500重量ppm、臭素3750重量ppmおよび塩素20重量ppmであったのに対し、イオン交換処理後の水溶液中に含む不純物の含有量は、元素基準でナトリウム10重量ppb以下(検出限界)、カリウム10重量ppb以下(検出限界)、臭素1重量ppm以下および塩素1重量ppm以下であった。
次いで、この混合液から1750gずつを採取して、それぞれオートクレーブ(耐圧硝子工業(株)製TAS-5型)の中に入れて、表3に示す温度条件下で48時間、200rpmの速度で撹拌して、前記シリカ微粒子前駆体の結晶化を行った。その後、前記オートクレーブ中の混合液を室温まで冷却して系外に取り出した。これにより、ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子を含む混合液N-(b1)、N-(b2)、N-(b3)、N-(b4) およびN-(b5)、さらにはMEL型結晶構造を有するゼオライト粒子を含む混合液N-(b6)およびN-(b7)をそれぞれ1750g得た。
なお、この溶媒置換工程に供しても、これらのシリカ系被膜形成用塗布液中に含まれる前記テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドは、溶媒置換されずにそのままそれぞれの塗布液中に残っていた。また、前記水分も、それぞれの塗布液中に約30重量%残存していた。
次に、前記シリカ系被膜形成用塗布液中に含まれるナノサイズシリカ微粒子の結晶形態、X線ピーク強度、結晶化度(比較例塗布液2c中に含まれるゼオライト粒子の結晶化度を1.0とする)および平均粒子径を上記の方法で測定したところ、表3に示す結果が得られた。
さらに、実施例塗布液2c(混合液N-(b4)を使用)の中に含まれるナノサイズシリカ微粒子を、走査型電子顕微鏡で撮った倍率300,000倍の写真(SEM写真)、および比較例塗布液2c(混合液N-(b7)を使用)の中に含まれるゼオライト粒子を、走査型電子顕微鏡で撮った倍率100,000倍の写真(SEM写真)をそれぞれ図3および図4に示す。
次に、これらの基板を枚葉式のホットプレート(東京エレクトロン(株)製ACT-8)上に載置して、窒素ガスを導入(導入量:約10L/分)しながら、該ホットプレートの表面温度を150℃に保って、前記基板上に形成された被膜(塗布被膜)の乾燥処理を3分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分などが蒸発してくるので、前記窒素ガスと一緒に系外に排出した。
さらに、これらの基板を前記の枚葉式ホットプレート上に載せたまま、窒素ガス(導入量:約10L/分)を導入しながら、該ホットプレートの表面温度を400℃に保って、前記基板上に形成された被膜(加熱処理被膜)の焼成処理を30分間行った。
次に、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
実施例1の実施例塗布液1b(混合液M-(c3)を使用)を調製する方法と同様な方法で調製した実施例塗布液3aを塗布した実施例基板3aを複数枚、製作すると共に、実施例2の実施例塗布液2c(混合液N-(b4)を使用)を調製する方法と同様な方法で調製した実施例塗布液3bを塗布した実施例基板3bを複数枚、製作した。
次に、前記実施例基板3aおよび実施例基板3bを枚葉式のホットプレート(東京エレクトロン(株)製ACT-8)上に載置して、窒素ガスを導入(導入量:約10L/分)しながら、該ホットプレートの表面温度を150℃に保って、前記基板上に形成された被膜(塗布被膜)の乾燥処理を3分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分などが蒸発してくるので、前記窒素ガスと一緒に系外に排出した。
さらに、これらの基板を前記の枚葉式ホットプレート上に載せたまま、窒素ガス(導入量:約10L/分)を導入しながら、該ホットプレートの表面温度を400℃に保って、前記基板上に形成された被膜(加熱処理被膜)の焼成処理を30分間行った。
次に、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
次いで、前記比較例基板3aおよび比較例基板3bを枚葉式のホットプレート(東京エレクトロン(株)製ACT-8)上に載置して、窒素ガスを導入(導入量:約10L/分)しながら、該ホットプレートの表面温度を150℃に保って、前記基板上に形成された被膜(塗布被膜)の乾燥処理を3分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分などが蒸発してくるので、前記窒素ガスと一緒に系外に排出した。
さらに、これらの基板を前記の枚葉式ホットプレート上に載せたまま、窒素ガス(導入量:約10L/分)を導入しながら、該ホットプレートの表面温度を400℃に保って、前記基板上に形成された被膜(加熱処理被膜)の焼成処理を30分間行った。
次いで、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。すなわち、これらの基板については、上記の過熱水蒸気による加熱処理工程での処理を行わなかった。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
実施例1の実施例塗布液1b(混合液M-(c3)を使用)を調製する方法と同様な方法で調製した実施例塗布液4aを塗布した実施例基板4aを複数枚、製作すると共に、実施例2の実施例塗布液2c(混合液N-(b4)を使用)を調製する方法と同様な方法で調製した実施例塗布液4bを塗布した実施例基板4bを複数枚、製作した。
次に、前記実施例基板4aおよび実施例基板4bを枚葉式のホットプレート(東京エレクトロン(株)製ACT-8)上に載置して、窒素ガスを導入(導入量:約10L/分)しながら、該ホットプレートの表面温度を150℃に保って、前記基板上に形成された被膜(塗布被膜)の乾燥処理を3分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分などが蒸発してくるので、前記窒素ガスと一緒に系外に排出した。
次に、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。すなわち、これらの基板については、上記の実施例1や実施例2に記載された焼成工程での処理を行わなかった。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
さらに、前記過熱水蒸気の温度を400℃に上昇させ、さらに前記ホットプレートの表面温度も400℃に保って、前記基板上に形成された被膜の加熱処理を30分間行った。この際、被膜中に含まれるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)や水分、更にはテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドの分解物などが離脱してくるので、前記過熱水蒸気と一緒に系外に排出した。
次に、これらの基板を室温近い温度まで冷却した後、系外に取り出した。すなわち、これらの基板については、上記の実施例1や実施例2に記載された乾燥工程および焼成工程での処理を行わなかった。
このようにして得られた基板上に形成されたシリカ系被膜の膜厚(SOPRA製分光エリプソメーターESVG)は、約500nmであった。
実施例2の実施例塗布液2c(混合液N-(b4)を使用)を調製する方法と同様な方法で、実施例塗布液5aおよび比較例塗布液4aを調製した。
さらに、この実施例塗布液に、数平均分子量800のポリシラザン(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製NN211)および数平均分子量1000のポリカルボシラン(日本カーボン(株)製NIPUSI-L)から選ばれたそれぞれのポリ珪素化合物を表7に示す割合でそれぞれ混合した。
また、比較のために、前記比較例塗布液4aに、メチルトリメトキシシラン(MTMS)の加水分解物を表7に示す割合で混合した。
なお、表7において、この混合割合は、前記塗布液中に含まれるシリカ系被膜形成成分(SiO2)に対する前記ポリ珪素化合物(PSC)の重量比率(PSC/SiO2x100)をSiO2基準で表したものである。
次いで、実施例2と同様な方法で実施例基板5a、実施例基板5b、実施例基板5c、実施例基板5dおよび比較例基板4aを製作した。
次に、これらの基板上に形成されたシリカ系被膜の比誘電率、リーク電流量、耐熱性指標(空気中、500℃の温度で焼成した後の比誘電率で表す)、耐湿性指標(被膜表面におけるSiOH基の有無で表す)およびヤング弾性率としての被膜強度を上記の方法で観測・測定したところ、表7に示す結果が得られた。
実施例1で使用した「高純度化されたテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド」の代わりに、高純度化されていない上記の市販テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドを使用した以外は、実施例1の実施例塗布液1b(混合液M-(c3))を使用)を調製する方法と同様な方法で、比較例塗布液5aを調製した。
さらに、実施例2で使用した「高純度化されたテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド」の代わりに、高純度化されていない上記の市販テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドを使用した以外は、実施例2の実施例塗布液2c(混合液N-(b4))を使用)を調製する方法と同様な方法で、比較例塗布液5bを調製した。
次いで、比較例塗布液5aを用いて、実施例1と同様な方法で比較例基板5aを製作すると共に、比較例塗布液5bを用いて、実施例2と同様な方法で比較例基板5bを製作した。
Claims (13)
- 低誘電率シリカ系被膜を基板上に形成する方法であって、
(1)アルカリ金属元素化合物の含有量がそれぞれの元素基準で50重量ppb以下でありかつハロゲン族元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で1重量ppm以下であり、平均粒子径が3〜40nmの範囲にあるMEL型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)とを含む低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、
(2)前記基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程、
(3)しかる後、装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を200〜500℃の温度条件下で加熱処理する工程、および
(4)次いで装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜800℃の温度条件下で焼成する工程
を含むことを特徴とする低誘電率シリカ系被膜の形成方法。 - (1)アルカリ金属元素化合物の含有量がそれぞれの元素基準で50重量ppb以下でありかつハロゲン族元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で1重量ppm以下であり、平均粒子径が3〜40nmの範囲にあるMEL型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)とを含む低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、
(2)前記基板上に形成された被膜を30〜300℃の温度条件下で乾燥する工程、及び
(3)しかる後、装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を200〜500℃の温度条件下で加熱処理する工程
を含むことを特徴とする低誘電率シリカ系被膜の形成方法。 - (1)アルカリ金属元素化合物の含有量がそれぞれの元素基準で50重量ppb以下でありかつハロゲン族元素化合物の含有量が、それぞれの元素基準で1重量ppm以下であり、平均粒子径が3〜40nmの範囲にあるMEL型ゼオライト結晶質のナノサイズシリカ微粒子とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)とを含む低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、及び
(2)装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を110〜800℃の温度条件下で加熱処理する工程
を含むことを特徴とする低誘電率シリカ系被膜の形成方法。 - 前記ナノサイズシリカ微粒子が、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて高純度化されたテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAOH)の存在下でテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の加水分解を行ってシリカ微粒子前駆体を含む混合液を調製し、さらにオートクレーブ中で水熱処理して前記シリカ微粒子前駆体を結晶化させたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかにに記載の低誘電率シリカ系被膜の形成方法。
- 前記ナノサイズシリカ微粒子の結晶化度が、0.12〜0.15の範囲にあること特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜の形成方法。
- 前記シリカ系被膜形成用塗布液中に、さらにメチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、プロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)から選ばれた1種または2種以上の有機化合物を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜の形成方法。
- 前記シリカ系被膜形成用塗布液中に、さらにポリシラザン、ポリカルボシランおよびポリシロキサンから選ばれた1種または2種以上のポリ珪素化合物を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜の形成方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の方法から得られた低誘電率シリカ系被膜。
- 前記シリカ系被膜が、3.5以下の比誘電率を有することを特徴とする請求項8に記載の低誘電率シリカ系被膜。
- 前記シリカ系被膜が、該被膜に0.5MV/cmの電圧を印加した時の電流密度として測定されるリーク電流量が1.0x10-7A/cm2以下であることを特徴とする請求項8または9のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜。
- 前記シリカ系被膜が、500℃の温度条件下に1時間、晒しても膜劣化が認められない被膜で、耐熱性に優れたものであることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜。
- 前記シリカ系被膜が、その表面にSiOH基(シラノール基)の存在が確認できない或いは殆ど確認できない被膜で、耐湿性に優れたものであることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜。
- 前記シリカ系被膜が、半導体基板上に形成される層間絶縁膜、素子分離用絶縁膜または液晶TFT素子の絶縁膜であることを特徴とする請求項8〜12のいずれかに記載の低誘電率シリカ系被膜。
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