JPH06299118A - コーティング用組成物及びコーティング方法 - Google Patents
コーティング用組成物及びコーティング方法Info
- Publication number
- JPH06299118A JPH06299118A JP5093275A JP9327593A JPH06299118A JP H06299118 A JPH06299118 A JP H06299118A JP 5093275 A JP5093275 A JP 5093275A JP 9327593 A JP9327593 A JP 9327593A JP H06299118 A JPH06299118 A JP H06299118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polysilazane
- coating
- metal carboxylate
- molecular weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温（１５０〜３５０℃）焼成により、又は
焼成なしで、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ、クラッ
クのない緻密な塗膜を与えるコーティング用組成物と、
その施工法を提供すること。 【構成】 数平均分子量１００〜５万のポリシラザンと
ニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ル
テニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウム、アル
ミニウムを含む金属カルボン酸塩を反応して得られる金
属カルボン酸塩／ポリシラザンの原子比が０．００００
０１〜２の範囲内かつ数平均分子量が約２００〜５０万
の金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物を含有する
コーティング用組成物。この組成物を基板に塗布後、５
０℃以上で焼成すると耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ
たＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｍ−又はＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｃ−Ｍ（Ｍは
上記金属元素）系のセラミックス膜が得られる。
焼成なしで、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ、クラッ
クのない緻密な塗膜を与えるコーティング用組成物と、
その施工法を提供すること。 【構成】 数平均分子量１００〜５万のポリシラザンと
ニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ル
テニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウム、アル
ミニウムを含む金属カルボン酸塩を反応して得られる金
属カルボン酸塩／ポリシラザンの原子比が０．００００
０１〜２の範囲内かつ数平均分子量が約２００〜５０万
の金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物を含有する
コーティング用組成物。この組成物を基板に塗布後、５
０℃以上で焼成すると耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ
たＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｍ−又はＳｉ−Ｎ−Ｏ−Ｃ−Ｍ（Ｍは
上記金属元素）系のセラミックス膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、変性ポリシラザンを必
須成分とし、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れた被覆膜
を形成できるコーティング用組成物、及びこれを用いた
コーティング方法に関する。
須成分とし、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れた被覆膜
を形成できるコーティング用組成物、及びこれを用いた
コーティング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度の耐熱、耐摩耗、耐食性を得るため
には、有機系塗料では不十分であり、セラミックス系コ
ーティングが用いられる。従来、セラミックス系コーテ
ィングの形成方法としては、ＰＶＤ（スパッタ法等）、
ＣＶＤ、ゾルーゲル法、ポリチタノカルボシラン系塗
料、ポリ（ジシル）シラザン系塗料、ポリシラザン系塗
料、ポリメタロシラザン系塗料などが知られている。
には、有機系塗料では不十分であり、セラミックス系コ
ーティングが用いられる。従来、セラミックス系コーテ
ィングの形成方法としては、ＰＶＤ（スパッタ法等）、
ＣＶＤ、ゾルーゲル法、ポリチタノカルボシラン系塗
料、ポリ（ジシル）シラザン系塗料、ポリシラザン系塗
料、ポリメタロシラザン系塗料などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如きセラミック
ス系コーティング法が知られているが、いずれも問題が
ある。すなわち、ＰＶＤ，ＣＶＤ法では装置が高価であ
る。ゾルーゲル法では、必要焼成温度が５００℃以上と
高い。ポリチタノカルボシラン系塗料では低温焼成（４
００℃以下）における表面強度が不十分である。ポリ
（ジシル）シラザン系重合体を用いたものは、施工に難
があり、クラックが発生する。ポリシラザン、ポリメタ
ロシラザンコーティングでは、２００〜５００℃で焼成
できるが、３００℃未満の焼成では膜質が必ずしも良好
でない。
ス系コーティング法が知られているが、いずれも問題が
ある。すなわち、ＰＶＤ，ＣＶＤ法では装置が高価であ
る。ゾルーゲル法では、必要焼成温度が５００℃以上と
高い。ポリチタノカルボシラン系塗料では低温焼成（４
００℃以下）における表面強度が不十分である。ポリ
（ジシル）シラザン系重合体を用いたものは、施工に難
があり、クラックが発生する。ポリシラザン、ポリメタ
ロシラザンコーティングでは、２００〜５００℃で焼成
できるが、３００℃未満の焼成では膜質が必ずしも良好
でない。
【０００４】そこで、本発明は、上記の如き従来技術に
おける問題を解決し、低温（５０℃〜３５０℃）焼成に
より、または焼成せずに５０℃未満の温度で保持するこ
とにより、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ、クラック
のない緻密な塗膜を与えるコーティング用組成物とその
施工法を提供すること、特に、低温焼成という特長によ
り、従来不可能であった、電子部品、プラスチック等へ
のコーティングを可能とすることを目的とする。
おける問題を解決し、低温（５０℃〜３５０℃）焼成に
より、または焼成せずに５０℃未満の温度で保持するこ
とにより、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ、クラック
のない緻密な塗膜を与えるコーティング用組成物とその
施工法を提供すること、特に、低温焼成という特長によ
り、従来不可能であった、電子部品、プラスチック等へ
のコーティングを可能とすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するために鋭意検討した結果、ポリシラザン
と、ニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、
鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウ
ム、アルミニウムの群から選択される少なくとも一種の
金属を含む金属カルボン酸塩を反応させることにより、
該反応物の塗膜を空気中で焼成する際の硬化反応が促進
され、従来よりも低い焼成温度で良好な被覆が形成され
ることを見出した。
点を解決するために鋭意検討した結果、ポリシラザン
と、ニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、
鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウ
ム、アルミニウムの群から選択される少なくとも一種の
金属を含む金属カルボン酸塩を反応させることにより、
該反応物の塗膜を空気中で焼成する際の硬化反応が促進
され、従来よりも低い焼成温度で良好な被覆が形成され
ることを見出した。
【０００６】こうして、本発明によれば、主として一般
式（Ｉ）：
式（Ｉ）：
【０００７】
【化２】
【０００８】（但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 はそれぞれ独立
に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素に直
結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキル
アミノ基、アルコキシ基を表わす。ただし、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 のうち少なくとも１つは水素原子である。）
で表わされる単位からなる主骨格を有する数平均分子量
が１００〜５万のポリシラザンとニッケル、チタン、白
金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オスミウ
ム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群から選
択される少なくとも一種の金属を含む金属カルボン酸塩
を反応させて得られる、金属カルボン酸塩／ポリシラザ
ン重量比が０．０００００１〜２の範囲内かつ数平均分
子量が約２００〜５０万の金属カルボン酸塩とポリシラ
ザンの反応物を少なくとも含有するコーティング用組成
物が提供される。
に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素に直
結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキル
アミノ基、アルコキシ基を表わす。ただし、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 のうち少なくとも１つは水素原子である。）
で表わされる単位からなる主骨格を有する数平均分子量
が１００〜５万のポリシラザンとニッケル、チタン、白
金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オスミウ
ム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群から選
択される少なくとも一種の金属を含む金属カルボン酸塩
を反応させて得られる、金属カルボン酸塩／ポリシラザ
ン重量比が０．０００００１〜２の範囲内かつ数平均分
子量が約２００〜５０万の金属カルボン酸塩とポリシラ
ザンの反応物を少なくとも含有するコーティング用組成
物が提供される。
【０００９】本発明で用いる金属カルボン酸塩とポリシ
ラザンの反応物の数平均分子量は２００〜５０万、好ま
しくは５００〜１０，０００の範囲内である。本発明に
用いる金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物を製造
する方法は、ポリシラザンと金属カルボン酸塩を無溶媒
または溶媒中で、かつ反応に対して不活性な雰囲気下で
反応させることからなる。
ラザンの反応物の数平均分子量は２００〜５０万、好ま
しくは５００〜１０，０００の範囲内である。本発明に
用いる金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物を製造
する方法は、ポリシラザンと金属カルボン酸塩を無溶媒
または溶媒中で、かつ反応に対して不活性な雰囲気下で
反応させることからなる。
【００１０】用いるポリシラザンは、分子内に少なくと
もＳｉ−Ｈ結合、あるいはＮ−Ｈ結合を有するポリシラ
ザンであればよく、ポリシラザン単独は勿論のこと、ポ
リシラザンと他のポリマーとの共重合体やポリシラザン
と他の化合物との混合物でも利用できる。用いるポリシ
ラザンには、鎖状、環状、あるいは架橋構造を有するも
の、あるいは分子内にこれら複数の構造を同時に有する
ものがあり、これら単独でもあるいは混合物でも利用で
きる。
もＳｉ−Ｈ結合、あるいはＮ−Ｈ結合を有するポリシラ
ザンであればよく、ポリシラザン単独は勿論のこと、ポ
リシラザンと他のポリマーとの共重合体やポリシラザン
と他の化合物との混合物でも利用できる。用いるポリシ
ラザンには、鎖状、環状、あるいは架橋構造を有するも
の、あるいは分子内にこれら複数の構造を同時に有する
ものがあり、これら単独でもあるいは混合物でも利用で
きる。
【００１１】用いるポリシラザンの代表例としては下記
のようなものがあるが、これらに現定されるものではな
い。一般式（Ｉ）でＲ1 ，Ｒ2 、及びＲ3 に水素原子を
有するものは、ペルヒドロポリシラザンであり、その製
造法は例えば特開昭６０−１４５９０３号公報、Ｄ．Ｓ
ｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．，Ｃ−１３，Ｊａｎｕａｒｙ
１９８３．に報告されている。これらの方法で得られる
ものは、種々の構造を有するポリマーの混合物である
が、基本的には分子内に鎖状部分と環状部分を含み、
のようなものがあるが、これらに現定されるものではな
い。一般式（Ｉ）でＲ1 ，Ｒ2 、及びＲ3 に水素原子を
有するものは、ペルヒドロポリシラザンであり、その製
造法は例えば特開昭６０−１４５９０３号公報、Ｄ．Ｓ
ｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．，Ｃ−１３，Ｊａｎｕａｒｙ
１９８３．に報告されている。これらの方法で得られる
ものは、種々の構造を有するポリマーの混合物である
が、基本的には分子内に鎖状部分と環状部分を含み、
【００１２】
【化３】
【００１３】の化学的で表わすことができる。ペルヒド
ロポリシラザンの構造の一例を示すと下記の如くであ
る。
ロポリシラザンの構造の一例を示すと下記の如くであ
る。
【００１４】
【化４】
【００１５】一般式（Ｉ）でＲ1 及びＲ2 に水素原子、
Ｒ3 にメチル基を有するポリシラザンの製造方法は、
Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．，Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅ
ｍ，．２５，１０（１９８４）に報告されている。この
方法により得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−
（ＳｉＨ2 ＮＣＨ3 ）−の鎖状ポリマーと環状ポリマー
であり、いずれも架橋構造をもたない。
Ｒ3 にメチル基を有するポリシラザンの製造方法は、
Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．，Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅ
ｍ，．２５，１０（１９８４）に報告されている。この
方法により得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−
（ＳｉＨ2 ＮＣＨ3 ）−の鎖状ポリマーと環状ポリマー
であり、いずれも架橋構造をもたない。
【００１６】一般式（Ｉ）でＲ1 及びＲ3 に水素原子、
Ｒ2 に有機基を有するポリオルガノ（ヒドロ）シラザン
の製造法は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒ
ｅｐｒ．，Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌ
ｙｍ．Ｃｈｅｍ．，２５，１０（１９８４）、特開昭６
１−８９２３０号公報に報告されている。これらの方法
により得られるポリシラザンには、−（Ｒ2 ＳｉＨＮ
Ｈ）−繰り返し単位として、主として重合度が３〜５の
環状構造を有するものや（Ｒ3 ＳｉＨＮＨ）ｘ〔（Ｒ2
ＳｉＨ）1.5 Ｎ〕1-x （０．４＜ｘ＜１）の化学式で示
せる分子内に鎖状構造と環状構造を同時に有するものが
ある。
Ｒ2 に有機基を有するポリオルガノ（ヒドロ）シラザン
の製造法は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒ
ｅｐｒ．，Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌ
ｙｍ．Ｃｈｅｍ．，２５，１０（１９８４）、特開昭６
１−８９２３０号公報に報告されている。これらの方法
により得られるポリシラザンには、−（Ｒ2 ＳｉＨＮ
Ｈ）−繰り返し単位として、主として重合度が３〜５の
環状構造を有するものや（Ｒ3 ＳｉＨＮＨ）ｘ〔（Ｒ2
ＳｉＨ）1.5 Ｎ〕1-x （０．４＜ｘ＜１）の化学式で示
せる分子内に鎖状構造と環状構造を同時に有するものが
ある。
【００１７】一般式（Ｉ）でＲ1 に水素原子、Ｒ2 及び
Ｒ3 に有機基を有するポリシラザン、またＲ1 及びＲ2
に有機基、Ｒ3 に水素原子を有するものは−（Ｒ1 Ｒ2
ＳｉＮＲ3 ）−を繰り返し単位として、主に重合度が３
〜５の環状構造を有している。次に用いるポリシラザン
の内、一般式（Ｉ）以外のものの代表例をあげる。
Ｒ3 に有機基を有するポリシラザン、またＲ1 及びＲ2
に有機基、Ｒ3 に水素原子を有するものは−（Ｒ1 Ｒ2
ＳｉＮＲ3 ）−を繰り返し単位として、主に重合度が３
〜５の環状構造を有している。次に用いるポリシラザン
の内、一般式（Ｉ）以外のものの代表例をあげる。
【００１８】ポリオルガノ（ヒドロ）シラザンの中に
は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎ ｏｆ Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．，Ｃ−１３２，Ｊｕ
ｌｙ１９８４．が報告されている様な分子内に架橋構造
を有するものもある。一例を示すと下記の如くである。
は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎ ｏｆ Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．，Ｃ−１３２，Ｊｕ
ｌｙ１９８４．が報告されている様な分子内に架橋構造
を有するものもある。一例を示すと下記の如くである。
【００１９】
【化５】
【００２０】また、特開昭４９−６９７１７号に報告さ
れている様なＲ1 ＳｉＸ3 （Ｘ：ハロゲン）のアンモニ
ア分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザン
（Ｒ 1 Ｓｉ（ＮＨ）ｘ）、あるいはＲ1 ＳｉＸ3 及びＲ
2 2 ＳｉＸ2 の共アンモニア分解によって得られる下記
の構造を有するポリシラザンも出発材料として用いるこ
とができる。
れている様なＲ1 ＳｉＸ3 （Ｘ：ハロゲン）のアンモニ
ア分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザン
（Ｒ 1 Ｓｉ（ＮＨ）ｘ）、あるいはＲ1 ＳｉＸ3 及びＲ
2 2 ＳｉＸ2 の共アンモニア分解によって得られる下記
の構造を有するポリシラザンも出発材料として用いるこ
とができる。
【００２１】
【化６】
【００２２】用いるポリシラザンは、上記の如く一般式
（Ｉ）で表わされる単位からなる主骨格を有するが、一
般式（Ｉ）で表わされる単位は、上記にも明らかな如く
環状化することがあり、その場合にはその環状部分が末
端基となり、このような環状化がされない場合には、主
骨格の末端はＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と同様の基又は水素であ
ることができる。
（Ｉ）で表わされる単位からなる主骨格を有するが、一
般式（Ｉ）で表わされる単位は、上記にも明らかな如く
環状化することがあり、その場合にはその環状部分が末
端基となり、このような環状化がされない場合には、主
骨格の末端はＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と同様の基又は水素であ
ることができる。
【００２３】用いるポリシラザンの分子量に特に制約は
なく、入手可能なものを用いることができるが、金属カ
ルボン酸塩との反応性の点で、式（Ｉ）におけるＲ1 ，
Ｒ2、及びＲ3 は立体障害の小さい基が好ましい。即
ち、Ｒ1 ，Ｒ2 及びＲ3 としては水素原子及びＣ1 〜Ｃ
5 のアルキル基が好ましく、水素原子及びＣ1 〜Ｃ2 の
アルキル基がさらに好ましい。
なく、入手可能なものを用いることができるが、金属カ
ルボン酸塩との反応性の点で、式（Ｉ）におけるＲ1 ，
Ｒ2、及びＲ3 は立体障害の小さい基が好ましい。即
ち、Ｒ1 ，Ｒ2 及びＲ3 としては水素原子及びＣ1 〜Ｃ
5 のアルキル基が好ましく、水素原子及びＣ1 〜Ｃ2 の
アルキル基がさらに好ましい。
【００２４】用いる金属カルボン酸塩は、式（ＲＣＯ
Ｏ）n Ｍ〔式中、Ｒは脂肪族基または脂環基で炭素数１
〜２２のものを表わし、ＭはＮｉ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｒｈ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ａｌからなる群
より選択される少なくとも１種の金属を表わし、ｎはＭ
の原子価である。〕で表わされる化合物である。また、
金属カルボン酸塩は無水物でも水和物でもよい。
Ｏ）n Ｍ〔式中、Ｒは脂肪族基または脂環基で炭素数１
〜２２のものを表わし、ＭはＮｉ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｒｈ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ａｌからなる群
より選択される少なくとも１種の金属を表わし、ｎはＭ
の原子価である。〕で表わされる化合物である。また、
金属カルボン酸塩は無水物でも水和物でもよい。
【００２５】ポリシラザンと金属カルボン酸塩との混合
比は、金属カルボン酸塩／ポリシラザン重量比が０．０
００００１から２になるように、好ましくは０．００１
から１になるように、さらに好ましくは０．０１から
０．５になる様に加える。金属カルボン酸塩の添加量を
これより増やすとポリシラザンの分子量が上がり過ぎて
ゲル化し、また、少ないと十分な効果が得られない。
比は、金属カルボン酸塩／ポリシラザン重量比が０．０
００００１から２になるように、好ましくは０．００１
から１になるように、さらに好ましくは０．０１から
０．５になる様に加える。金属カルボン酸塩の添加量を
これより増やすとポリシラザンの分子量が上がり過ぎて
ゲル化し、また、少ないと十分な効果が得られない。
【００２６】反応は、無溶媒で行なうこともできるが、
有機溶媒を使用する時に比べて、反応制御が難しく、ゲ
ル状物質が生成する場合もあるので、一般に有機溶媒を
用いた方が良い。溶媒としては、芳香族炭化水素、脂肪
族炭化水素、脂環式炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン
化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル類、芳香
族アミン類が使用できる。好ましい溶媒としては、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メチレン、クロ
ロホルム、ｎ−ヘキサン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ピリジン、メチルピリジン等があり、特に好
ましい溶媒としてはキシレン、ピリジン、メチルピリジ
ン等があげられる。また反応に対して不活性な雰囲気、
例えば、窒素、アルゴン等の雰囲気中において反応を行
なうことが好ましいが、空気中のような酸化性雰囲気中
でも可能である。
有機溶媒を使用する時に比べて、反応制御が難しく、ゲ
ル状物質が生成する場合もあるので、一般に有機溶媒を
用いた方が良い。溶媒としては、芳香族炭化水素、脂肪
族炭化水素、脂環式炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン
化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル類、芳香
族アミン類が使用できる。好ましい溶媒としては、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メチレン、クロ
ロホルム、ｎ−ヘキサン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ピリジン、メチルピリジン等があり、特に好
ましい溶媒としてはキシレン、ピリジン、メチルピリジ
ン等があげられる。また反応に対して不活性な雰囲気、
例えば、窒素、アルゴン等の雰囲気中において反応を行
なうことが好ましいが、空気中のような酸化性雰囲気中
でも可能である。
【００２７】反応温度は広い範囲にわたって変更するこ
とができ、例えば有機溶媒を使用する場合には、その有
機溶媒の沸点以下の温度に加熱してもよいが、数平均分
子量の高い固体を得るには、引続き有機溶媒の沸点以上
に加熱して有機溶媒を留去させて反応を行なうこともで
きる。反応温度は、一般に１５０℃以下にするのが好ま
しい。
とができ、例えば有機溶媒を使用する場合には、その有
機溶媒の沸点以下の温度に加熱してもよいが、数平均分
子量の高い固体を得るには、引続き有機溶媒の沸点以上
に加熱して有機溶媒を留去させて反応を行なうこともで
きる。反応温度は、一般に１５０℃以下にするのが好ま
しい。
【００２８】反応時間は特に重要ではないが、通常、１
〜５０時間程度である。反応は一般に常圧付近で行なう
のが好ましい。本発明において、前記の金属カルボン酸
塩とポリシラザンの反応物を用いてコーティング用組成
物を調製するには、通常金属カルボン酸塩とポリシラザ
ンの反応物を溶剤に溶解させればよい。
〜５０時間程度である。反応は一般に常圧付近で行なう
のが好ましい。本発明において、前記の金属カルボン酸
塩とポリシラザンの反応物を用いてコーティング用組成
物を調製するには、通常金属カルボン酸塩とポリシラザ
ンの反応物を溶剤に溶解させればよい。
【００２９】溶剤としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メ
タン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等の
エーテル類が使用できる。好ましい溶媒は、塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム、塩化エ
チレン、塩化エチリデン、トリクロロエタン、テトラク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチルエーテル、
イソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ブチル
エーテル、１，２−ジオキシエタン、ジオキサン、ジメ
チルジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピ
ラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、イソヘキサ
ン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタン、オクタ
ン、イソオクタン、シクロペンタン、メチルシクロペン
タン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の炭化水素
等である。
化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メ
タン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等の
エーテル類が使用できる。好ましい溶媒は、塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム、塩化エ
チレン、塩化エチリデン、トリクロロエタン、テトラク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチルエーテル、
イソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ブチル
エーテル、１，２−ジオキシエタン、ジオキサン、ジメ
チルジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピ
ラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、イソヘキサ
ン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタン、オクタ
ン、イソオクタン、シクロペンタン、メチルシクロペン
タン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の炭化水素
等である。
【００３０】これらの溶剤を使用する場合、前記の金属
カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の溶解度や溶剤の
蒸発速度を調節するために、２種類以上の溶剤を混合し
てもよい。溶剤の使用量（割合）は採用するコーティン
グ方法により作業性がよくなるように選択され、また金
属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の平均分子量、
分子量分布、その構造によって異なるので、コーティン
グ用組成物中溶剤は９０重量％程度まで混合することが
でき、好ましくは１０〜５０重量％の範囲で混合するこ
とができる。
カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の溶解度や溶剤の
蒸発速度を調節するために、２種類以上の溶剤を混合し
てもよい。溶剤の使用量（割合）は採用するコーティン
グ方法により作業性がよくなるように選択され、また金
属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の平均分子量、
分子量分布、その構造によって異なるので、コーティン
グ用組成物中溶剤は９０重量％程度まで混合することが
でき、好ましくは１０〜５０重量％の範囲で混合するこ
とができる。
【００３１】また溶剤濃度は金属カルボン酸塩とポリシ
ラザンの反応物の平均分子量、分子量分布、その構造に
よって異なるが、通常０〜９０重量％の範囲で良い結果
が得られる。また、本発明においては、必要に応じて適
当な充填剤を加えてもよい。充填剤の例としてはシリ
カ、アルミナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物
系無機物あるいは炭化珪素、窒化珪素等の非酸化物系無
機物の微粉等が挙げられる。また用途によってはアルミ
ニウム、亜鉛、銅等の金属粉末の添加も可能である。さ
らに充填剤の例を詳しく述べれば、ケイ砂、石英、ノバ
キュライト、ケイ藻土などのシリカ系：合成無定形シリ
カ：カオリナイト、雲母、滑石、ウオラストナイト、ア
スベスト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム等の
ケイ酸塩：ガラス粉末、ガラス球、中空ガラス球、ガラ
スフレーク、泡ガラス球等のガラス体：窒化ホウ素、炭
化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、窒化
ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化チタン、窒化チタン、炭化
チタン等の非酸化物系無機質：炭酸カルシウム：酸化亜
鉛、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、酸化ベリリウ
ム等の金属酸化物：硫酸バリウム、二硫化モリブデン、
二硫化タングステン、弗化炭素その他無機物：アルミニ
ウム、ブロンズ、鉛、ステンレススチール、亜鉛等の金
属粉末、カーボンブラック、コークス、黒鉛、熱分解炭
素、中空カーボン球等のカーボン体等があげられる。
ラザンの反応物の平均分子量、分子量分布、その構造に
よって異なるが、通常０〜９０重量％の範囲で良い結果
が得られる。また、本発明においては、必要に応じて適
当な充填剤を加えてもよい。充填剤の例としてはシリ
カ、アルミナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物
系無機物あるいは炭化珪素、窒化珪素等の非酸化物系無
機物の微粉等が挙げられる。また用途によってはアルミ
ニウム、亜鉛、銅等の金属粉末の添加も可能である。さ
らに充填剤の例を詳しく述べれば、ケイ砂、石英、ノバ
キュライト、ケイ藻土などのシリカ系：合成無定形シリ
カ：カオリナイト、雲母、滑石、ウオラストナイト、ア
スベスト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム等の
ケイ酸塩：ガラス粉末、ガラス球、中空ガラス球、ガラ
スフレーク、泡ガラス球等のガラス体：窒化ホウ素、炭
化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、窒化
ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化チタン、窒化チタン、炭化
チタン等の非酸化物系無機質：炭酸カルシウム：酸化亜
鉛、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、酸化ベリリウ
ム等の金属酸化物：硫酸バリウム、二硫化モリブデン、
二硫化タングステン、弗化炭素その他無機物：アルミニ
ウム、ブロンズ、鉛、ステンレススチール、亜鉛等の金
属粉末、カーボンブラック、コークス、黒鉛、熱分解炭
素、中空カーボン球等のカーボン体等があげられる。
【００３２】これら充填剤は、針状（ウィスカーを含
む。）、粒状、鱗片状等種々の形状のものを単独又は２
種以上混合して用いることができる。又、これら充填剤
の粒子の大きさは１回に塗布可能な膜厚よりも小さいこ
とが望ましい。また充填剤の添加量は金属カルボン酸塩
とポリシラザンの反応物１重量部に対して、０．０５重
量部〜１０重量部の範囲であり、特に好ましい添加量は
０．２重量部〜３重量部の範囲である。又、充填剤の表
面をカップリング剤処理、蒸着、メッキ等で表面処理し
て使用してもよい。
む。）、粒状、鱗片状等種々の形状のものを単独又は２
種以上混合して用いることができる。又、これら充填剤
の粒子の大きさは１回に塗布可能な膜厚よりも小さいこ
とが望ましい。また充填剤の添加量は金属カルボン酸塩
とポリシラザンの反応物１重量部に対して、０．０５重
量部〜１０重量部の範囲であり、特に好ましい添加量は
０．２重量部〜３重量部の範囲である。又、充填剤の表
面をカップリング剤処理、蒸着、メッキ等で表面処理し
て使用してもよい。
【００３３】コーティング用組成物には、必要に応じて
各種顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線
吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥
促進剤、流れ止め剤を加えてもよい。本発明によれば、
同様にして、上記の如きコーティング用組成物を用いた
コーティング方法が提供され、このコーティング方法は
上記のコーティング用組成物を基盤に１回又は２回以上
繰り返し塗布した後、焼成し珪素−窒素−酸素−金属元
素系又は珪素−窒素−酸素−炭素−金属元素系セラミッ
クスから成る被覆膜を形成させることを特徴とするもの
である。
各種顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線
吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥
促進剤、流れ止め剤を加えてもよい。本発明によれば、
同様にして、上記の如きコーティング用組成物を用いた
コーティング方法が提供され、このコーティング方法は
上記のコーティング用組成物を基盤に１回又は２回以上
繰り返し塗布した後、焼成し珪素−窒素−酸素−金属元
素系又は珪素−窒素−酸素−炭素−金属元素系セラミッ
クスから成る被覆膜を形成させることを特徴とするもの
である。
【００３４】また本発明は上記のごとく焼成した被覆膜
を５０℃未満の条件で長時間保持し、被覆膜の性質を向
上させることを特徴とするコーティング方法を提供す
る。更に本発明は上記のごときコーティング用組成物を
基板に１回または２回以上繰り返し塗布した後、被覆膜
を５０℃未満の条件で長時間保持し、珪素−窒素−酸素
−金属元素系又は珪素−窒素−酸素−炭素−金属元素系
セラミックスから成る被覆膜を形成させることを特徴と
するコーティング方法を提供する。
を５０℃未満の条件で長時間保持し、被覆膜の性質を向
上させることを特徴とするコーティング方法を提供す
る。更に本発明は上記のごときコーティング用組成物を
基板に１回または２回以上繰り返し塗布した後、被覆膜
を５０℃未満の条件で長時間保持し、珪素−窒素−酸素
−金属元素系又は珪素−窒素−酸素−炭素−金属元素系
セラミックスから成る被覆膜を形成させることを特徴と
するコーティング方法を提供する。
【００３５】コーティング組成物を塗布する基盤は、特
に限定されず、金属、セラミックス、プラスチックス等
のいずれでもよい。コーティングとしての塗布手段とし
ては、通常の塗布方法、つまり浸漬、ロール塗り、バー
塗り、刷毛塗り、スプレー塗り、フロー塗り等が用いら
れる。又、塗布前に基盤をヤスリがけ、脱脂、各種ブラ
スト等で表面処理しておくとコーティング組成物の付着
性能は向上する。
に限定されず、金属、セラミックス、プラスチックス等
のいずれでもよい。コーティングとしての塗布手段とし
ては、通常の塗布方法、つまり浸漬、ロール塗り、バー
塗り、刷毛塗り、スプレー塗り、フロー塗り等が用いら
れる。又、塗布前に基盤をヤスリがけ、脱脂、各種ブラ
スト等で表面処理しておくとコーティング組成物の付着
性能は向上する。
【００３６】このような方法でコーティングし、充分乾
燥させた後、加熱・焼成する。この焼成によって金属カ
ルボン酸塩とポリシラザンの反応物は架橋、縮合、ある
いは、焼成雰囲気によっては酸化、加水分解して硬化
し、強靱な被覆を形成する。上記焼成条件は金属カルボ
ン酸塩とポリシラザンの反応物の分子量や構造によって
異なるが、０．５〜１０℃／分の緩やかな昇温速度で５
０℃〜１０００℃の範囲の温度で焼成する。好ましい焼
成温度は２５０℃〜３５０℃の範囲である。焼成雰囲気
は酸素中、空気中あるいは不活性ガス等のいずれであっ
てもよいが、空気中がより好ましい。空気中での焼成に
より金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、
あるいは空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行
し、上記のような低い焼成温度でＳｉ−Ｏ結合あるいは
Ｓｉ−Ｎ結合を主体とする強靱な被覆の形成が可能とな
る。
燥させた後、加熱・焼成する。この焼成によって金属カ
ルボン酸塩とポリシラザンの反応物は架橋、縮合、ある
いは、焼成雰囲気によっては酸化、加水分解して硬化
し、強靱な被覆を形成する。上記焼成条件は金属カルボ
ン酸塩とポリシラザンの反応物の分子量や構造によって
異なるが、０．５〜１０℃／分の緩やかな昇温速度で５
０℃〜１０００℃の範囲の温度で焼成する。好ましい焼
成温度は２５０℃〜３５０℃の範囲である。焼成雰囲気
は酸素中、空気中あるいは不活性ガス等のいずれであっ
てもよいが、空気中がより好ましい。空気中での焼成に
より金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、
あるいは空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行
し、上記のような低い焼成温度でＳｉ−Ｏ結合あるいは
Ｓｉ−Ｎ結合を主体とする強靱な被覆の形成が可能とな
る。
【００３７】コーティングする金属カルボン酸塩とポリ
シラザンの反応物の種類によっては、限られた焼成条件
ではセラミックスへの転化が不完全である場合があり、
この場合には焼成後の被覆膜を５０℃未満の条件で長時
間保持し、被覆膜の性質を向上させることが可能であ
る。この場合の保持雰囲気は空気中が好ましく、また水
蒸気圧を高めた湿潤空気中でも更に好ましい。保持する
時間は特に現定されるものではないが、１０分以上３０
日以内が現実的に適当である。また保持温度は特に現定
されるものではないが、０℃以上５０℃未満が現実的に
適当である。ここで５０℃以上で保持することも当然有
効であるが、本文では５０℃以上での加熱操作を「焼
成」と定義している。即ち、ある温度で一定時間焼成し
た後、温度を例えば５０℃に下げて長時間焼成すること
も有効であるが、この操作は前述の「加熱・焼成」操作
の一類型である。
シラザンの反応物の種類によっては、限られた焼成条件
ではセラミックスへの転化が不完全である場合があり、
この場合には焼成後の被覆膜を５０℃未満の条件で長時
間保持し、被覆膜の性質を向上させることが可能であ
る。この場合の保持雰囲気は空気中が好ましく、また水
蒸気圧を高めた湿潤空気中でも更に好ましい。保持する
時間は特に現定されるものではないが、１０分以上３０
日以内が現実的に適当である。また保持温度は特に現定
されるものではないが、０℃以上５０℃未満が現実的に
適当である。ここで５０℃以上で保持することも当然有
効であるが、本文では５０℃以上での加熱操作を「焼
成」と定義している。即ち、ある温度で一定時間焼成し
た後、温度を例えば５０℃に下げて長時間焼成すること
も有効であるが、この操作は前述の「加熱・焼成」操作
の一類型である。
【００３８】この空気中での保持により金属カルボン酸
塩とポリシラザンの反応物の酸化、あるいは空気中に共
存する水蒸気による加水分解が更に進行し、セラミック
スへの転化が完了して、性質のより向上した、より強靱
な被覆膜の形成が可能となる。以上の方法によれば焼成
温度が低下でき、高い焼成温度に起因する種々の問題を
軽減することができる。
塩とポリシラザンの反応物の酸化、あるいは空気中に共
存する水蒸気による加水分解が更に進行し、セラミック
スへの転化が完了して、性質のより向上した、より強靱
な被覆膜の形成が可能となる。以上の方法によれば焼成
温度が低下でき、高い焼成温度に起因する種々の問題を
軽減することができる。
【００３９】更に、コーティングする金属カルボン酸塩
とポリシラザンの反応物の種類によっては、５０℃以上
での焼成を全く行なわず、塗布後の被覆膜を５０℃未満
の条件で長時間保持し、被覆膜の性質を向上させること
が可能である。この場合の保持雰囲気は空気中が好まし
く、また水蒸気圧を高めた湿潤空気中でも更に好まし
い。保持する時間は特に限定されるものではないが、１
０分以上３０日以内が現実的に適当である。また保持温
度は特に限定されるものではないが、０℃以上５０℃未
満が現実的に適当である。ここで５０℃以上で保持する
ことも当然有効であるが、本文では５０℃以上での加熱
操作を「焼成」と定義している。この空気中での保持に
より金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、
あるいは空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行
し、セラミックスへの転化が完了して、Ｓｉ−Ｏ結合あ
るいはＳｉ−Ｎ結合を主体とした強靱な被覆膜の形成が
可能となる。以上の方法によれば高い焼成温度に起因す
る種々の問題を大幅に軽減することができ、場合によっ
ては室温付近でのセラミックスへの転化が可能となる。
とポリシラザンの反応物の種類によっては、５０℃以上
での焼成を全く行なわず、塗布後の被覆膜を５０℃未満
の条件で長時間保持し、被覆膜の性質を向上させること
が可能である。この場合の保持雰囲気は空気中が好まし
く、また水蒸気圧を高めた湿潤空気中でも更に好まし
い。保持する時間は特に限定されるものではないが、１
０分以上３０日以内が現実的に適当である。また保持温
度は特に限定されるものではないが、０℃以上５０℃未
満が現実的に適当である。ここで５０℃以上で保持する
ことも当然有効であるが、本文では５０℃以上での加熱
操作を「焼成」と定義している。この空気中での保持に
より金属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、
あるいは空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行
し、セラミックスへの転化が完了して、Ｓｉ−Ｏ結合あ
るいはＳｉ−Ｎ結合を主体とした強靱な被覆膜の形成が
可能となる。以上の方法によれば高い焼成温度に起因す
る種々の問題を大幅に軽減することができ、場合によっ
ては室温付近でのセラミックスへの転化が可能となる。
【００４０】
【実施例】以下、実施例と比較例により本発明を更に詳
細に説明する。 参考例１〔原料ペルヒドロポリシラザンの製造〕 内容積１１の四つ口フラスコにガス吹きこみ管、メカニ
カルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置した。反
応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フ
ラスコに脱気した乾燥ピリジン４９０mlを入れ、これを
氷冷した。次にジクロロシラン５１．６ｇを加えると白
色固体状のアダクト（ＳｉＨ2 Ｃｌ・２Ｃ5 Ｈ5 Ｎ）が
生成した。反応混合物を氷冷し、攪拌しながら、水酸化
ナトリウム管及び活性炭管を通して精製したアンモニア
５１．０ｇを吹き込んで加熱した。
細に説明する。 参考例１〔原料ペルヒドロポリシラザンの製造〕 内容積１１の四つ口フラスコにガス吹きこみ管、メカニ
カルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置した。反
応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フ
ラスコに脱気した乾燥ピリジン４９０mlを入れ、これを
氷冷した。次にジクロロシラン５１．６ｇを加えると白
色固体状のアダクト（ＳｉＨ2 Ｃｌ・２Ｃ5 Ｈ5 Ｎ）が
生成した。反応混合物を氷冷し、攪拌しながら、水酸化
ナトリウム管及び活性炭管を通して精製したアンモニア
５１．０ｇを吹き込んで加熱した。
【００４１】反応終了後、反応混合物を遠心分離し、乾
燥ピリジンを用いて洗浄した後、更に窒素雰囲気下でろ
過してろ液８５０mlを得た。ろ液５mlから溶媒を減去留
去すると樹脂状固体ペルヒドロポリシラザン０．１ｇが
得られた。得られたポリマーの数平均分子量は、凝固点
降下法（溶媒：乾燥ベンゼン）により測定したところ、
９０３であった。ＩＲ（赤外吸収）スペクトル（溶媒：
乾燥ｏ−キシレン；ペルヒドロポリシラザンの濃度：１
０．２ｇ／１）は、波数（cm-1）３３４０（見かけの吸
光係数ε＝０．５５７１ｇ-1cm-1）、及び１１７５のＮ
Ｈに基づく吸収１；２１６０（ε＝３．１４）のＳｉＨ
に基づく吸収；１０２０〜８２０のＳｉＨ及びＳｉＮＳ
ｉに基づく吸収を示した。1 ＨＮＭＲ（プロトン核磁気
共鳴）スペクトル（６０MHZ 、溶媒ＣＤＣｌ3 ／基準物
質ＴＭＳ）は、いずれも幅広い吸収を示している。即
ち、δ４．８及び４．４（ｂｒ．，ＳｉＨ）；１．５
（ｂｒ．，ＮＨ）の吸収が観測された。
燥ピリジンを用いて洗浄した後、更に窒素雰囲気下でろ
過してろ液８５０mlを得た。ろ液５mlから溶媒を減去留
去すると樹脂状固体ペルヒドロポリシラザン０．１ｇが
得られた。得られたポリマーの数平均分子量は、凝固点
降下法（溶媒：乾燥ベンゼン）により測定したところ、
９０３であった。ＩＲ（赤外吸収）スペクトル（溶媒：
乾燥ｏ−キシレン；ペルヒドロポリシラザンの濃度：１
０．２ｇ／１）は、波数（cm-1）３３４０（見かけの吸
光係数ε＝０．５５７１ｇ-1cm-1）、及び１１７５のＮ
Ｈに基づく吸収１；２１６０（ε＝３．１４）のＳｉＨ
に基づく吸収；１０２０〜８２０のＳｉＨ及びＳｉＮＳ
ｉに基づく吸収を示した。1 ＨＮＭＲ（プロトン核磁気
共鳴）スペクトル（６０MHZ 、溶媒ＣＤＣｌ3 ／基準物
質ＴＭＳ）は、いずれも幅広い吸収を示している。即
ち、δ４．８及び４．４（ｂｒ．，ＳｉＨ）；１．５
（ｂｒ．，ＮＨ）の吸収が観測された。
【００４２】比較例１ （焼成時のセラミックス化の評価）一般にポリシラザン
の焼成時には、Ｓｉ−Ｒ1 ，Ｎ−Ｒ2 （Ｒ1 ，Ｒ2 は水
素原子、またはアルキル基等を示す）結合の切断と、Ｓ
ｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ結合の生成（後者は酸化性雰囲気下で
の焼成時に限る）が起こり、ポリシラザンは窒化珪素、
シリコンオキシナイトライド、シリカなどのセラミック
スに転化する。この過程をセラミックス化と称する。本
比較例または実施例では焼成を大気雰囲気下で行なった
ためポリシラザンは主にシリカに変化したが、このセラ
ミックス化の進行の半定量的評価をＩＲ法にて行なっ
た。
の焼成時には、Ｓｉ−Ｒ1 ，Ｎ−Ｒ2 （Ｒ1 ，Ｒ2 は水
素原子、またはアルキル基等を示す）結合の切断と、Ｓ
ｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ結合の生成（後者は酸化性雰囲気下で
の焼成時に限る）が起こり、ポリシラザンは窒化珪素、
シリコンオキシナイトライド、シリカなどのセラミック
スに転化する。この過程をセラミックス化と称する。本
比較例または実施例では焼成を大気雰囲気下で行なった
ためポリシラザンは主にシリカに変化したが、このセラ
ミックス化の進行の半定量的評価をＩＲ法にて行なっ
た。
【００４３】ＳｉＨ残存率＝（加熱後のＳｉＨ吸光度／
加熱前のＳｉＮ吸光度）×１００（％） ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝加熱後のＳｉＯ吸光度／加熱後のＳ
ｉＮ吸光度 両者の数値はセラミックス化進行の指標となるものであ
り、ＳｉＨ残存率が小さいほど、またＳｉＯ／ＳｉＮ比
が大きいほどセラミックス化が進んでいる事を示す。
加熱前のＳｉＮ吸光度）×１００（％） ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝加熱後のＳｉＯ吸光度／加熱後のＳ
ｉＮ吸光度 両者の数値はセラミックス化進行の指標となるものであ
り、ＳｉＨ残存率が小さいほど、またＳｉＯ／ＳｉＮ比
が大きいほどセラミックス化が進んでいる事を示す。
【００４４】なおここでＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＨの特性
吸収はそれぞれ約８４０，１１６０，２１６０cm-1のも
のを用いた。また吸光度は、 吸光度＝１ｏｇ（Ｉ0 ／Ｉ） にて計算した。Ｉは吸収ピークの透過率、Ｉ0 はピーク
のベースとなる透過率である。
吸収はそれぞれ約８４０，１１６０，２１６０cm-1のも
のを用いた。また吸光度は、 吸光度＝１ｏｇ（Ｉ0 ／Ｉ） にて計算した。Ｉは吸収ピークの透過率、Ｉ0 はピーク
のベースとなる透過率である。
【００４５】実施例１ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量６００〜９００）の４．４％ピリジ
ン溶液１１３．６ｇに酢酸パラジウム（三津和化学薬品
（株）製、純度＞９５％）０．０１ｇを添加し、窒素雰
囲気中、２０℃で２時間攪拌しながら反応を行った。こ
の溶液を減圧し溶媒を除去した後、キシレンにて希釈
し、１０％キシレン溶液とした。本溶液の数平均分子量
はＧＰＣにより測定したところ１１７４であった。
−１；数平均分子量６００〜９００）の４．４％ピリジ
ン溶液１１３．６ｇに酢酸パラジウム（三津和化学薬品
（株）製、純度＞９５％）０．０１ｇを添加し、窒素雰
囲気中、２０℃で２時間攪拌しながら反応を行った。こ
の溶液を減圧し溶媒を除去した後、キシレンにて希釈
し、１０％キシレン溶液とした。本溶液の数平均分子量
はＧＰＣにより測定したところ１１７４であった。
【００４６】この溶液をコーティング液とし、直径４イ
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚４１６８Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は比較例１と同様）ＳｉＨ残存
率１９．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝２．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレート９８１
Å／min ．であった。
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚４１６８Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は比較例１と同様）ＳｉＨ残存
率１９．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝２．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレート９８１
Å／min ．であった。
【００４７】一方酢酸パラジウムを付加しないポリシラ
ザンのコーティング液を同様のプロセスで施工、評価し
たところ、ＳｉＨ残存率２１％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝
１．１、エッチングレートは２３３５Å／min ．であっ
た。（表１参照）
ザンのコーティング液を同様のプロセスで施工、評価し
たところ、ＳｉＨ残存率２１％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝
１．１、エッチングレートは２３３５Å／min ．であっ
た。（表１参照）
【００４８】実施例２ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量６００〜９００）の２０％キシレン
溶液２０ｇに酢酸パラジウム（三津和化学薬品（株）
製、純度＞９５％）０．００４ｇを添加し、大気中、２
０℃で２時間攪拌しながら反応を行った。この溶液をキ
シレンにて希釈し、１５％キシレン溶液とした。本溶液
の数平均分子量はＧＰＣより測定したところ１２１４で
あった。
−１；数平均分子量６００〜９００）の２０％キシレン
溶液２０ｇに酢酸パラジウム（三津和化学薬品（株）
製、純度＞９５％）０．００４ｇを添加し、大気中、２
０℃で２時間攪拌しながら反応を行った。この溶液をキ
シレンにて希釈し、１５％キシレン溶液とした。本溶液
の数平均分子量はＧＰＣより測定したところ１２１４で
あった。
【００４９】この溶液をコーティング液とし、直径４イ
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚６３８Åの塗膜を
得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評価
したところ、（評価法は比較例１と同様）ＳｉＨ残存率
８．８％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝３．１であった。
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚６３８Åの塗膜を
得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評価
したところ、（評価法は比較例１と同様）ＳｉＨ残存率
８．８％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝３．１であった。
【００５０】更にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工
業株式会社製）１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社
製）１７６３mlの混合溶液で処理したところ、エッチン
グレートは９８２Å／min.であった。一方酢酸パラジウ
ムを付加しないポリシラザンのコーティング液を同様の
プロセスで施工、評価したところ、ＳｉＨ残存率２１
％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．１、エッチングレートは２
３３５Å／min.であった。（表１参照）
業株式会社製）１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社
製）１７６３mlの混合溶液で処理したところ、エッチン
グレートは９８２Å／min.であった。一方酢酸パラジウ
ムを付加しないポリシラザンのコーティング液を同様の
プロセスで施工、評価したところ、ＳｉＨ残存率２１
％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．１、エッチングレートは２
３３５Å／min.であった。（表１参照）
【００５１】実施例３ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量６００〜８００）の１０％キシレン
溶液２０ｇにピリジンを１０ｇ加えた混合溶液に酢酸ニ
ッケル４水和物（関東化学（株）製、特級）０．０２ｇ
を添加し、大気中、２０℃で６時間攪拌しながら反応を
行った。本溶液の数平均分子量はＧＰＣにより測定した
ところ１５７６であった。
−１；数平均分子量６００〜８００）の１０％キシレン
溶液２０ｇにピリジンを１０ｇ加えた混合溶液に酢酸ニ
ッケル４水和物（関東化学（株）製、特級）０．０２ｇ
を添加し、大気中、２０℃で６時間攪拌しながら反応を
行った。本溶液の数平均分子量はＧＰＣにより測定した
ところ１５７６であった。
【００５２】この溶液をコーティング液とし、直径４イ
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚５０８６Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同じ）ＳｉＨ残存
率１３．０％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝２．３であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１９
１８Å／min.であった。
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚５０８６Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同じ）ＳｉＨ残存
率１３．０％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝２．３であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１９
１８Å／min.であった。
【００５３】実施例４ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量６００〜８００）の１０％キシレン
溶液２０ｇにピリジンを１０ｇ加えた混合溶液に４酢酸
２ロジウム（三津和化学薬品（株）製）０．０２ｇを添
加し、大気中、２０℃で６時間攪拌しながら反応を行っ
た。本溶液の数平均分子量はＧＰＣにより測定したとこ
ろ１１９７であった。
−１；数平均分子量６００〜８００）の１０％キシレン
溶液２０ｇにピリジンを１０ｇ加えた混合溶液に４酢酸
２ロジウム（三津和化学薬品（株）製）０．０２ｇを添
加し、大気中、２０℃で６時間攪拌しながら反応を行っ
た。本溶液の数平均分子量はＧＰＣにより測定したとこ
ろ１１９７であった。
【００５４】この溶液をコーティング液とし、直径４イ
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚３９７３Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同様）ＳｉＨ残存
率１６．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１５
４０Å／min.であった。
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚３９７３Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同様）ＳｉＨ残存
率１６．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１５
４０Å／min.であった。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、耐熱性、耐摩耗性、耐
食性に優れ、基材との密着性の良い被覆が、従来にない
低温での焼成で得られる。本発明の組成物は、金属、セ
ラミックス等はもちろん、高温処理に不適なプラスチッ
ク材料、電子部品等の表面保護剤として好適である。特
にプラスチックのハードコーティング剤、合成樹脂フィ
ルムや容器のガス透過抑制用コーティング剤、半導体の
保護膜や絶縁膜、即ちパシベーション膜、層間絶縁膜、
チップコート膜など、また半導体の封止剤、液晶表示体
のアンダーコート膜や配向膜としても利用することがで
きる。
食性に優れ、基材との密着性の良い被覆が、従来にない
低温での焼成で得られる。本発明の組成物は、金属、セ
ラミックス等はもちろん、高温処理に不適なプラスチッ
ク材料、電子部品等の表面保護剤として好適である。特
にプラスチックのハードコーティング剤、合成樹脂フィ
ルムや容器のガス透過抑制用コーティング剤、半導体の
保護膜や絶縁膜、即ちパシベーション膜、層間絶縁膜、
チップコート膜など、また半導体の封止剤、液晶表示体
のアンダーコート膜や配向膜としても利用することがで
きる。
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】この溶液をコーティング液とし、直径４イ
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚３９７３Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同様）ＳｉＨ残存
率１６．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１５
４０Å／min.であった。実施例５ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量９００）の２０％キシレン溶液１０
ｇにプロピオン酸パラジウム（II)(エヌ・イー・ケムキ
ャット（株）製）の０．５％キシレン溶液４ｇを添加
し、更にキシレンを６ｇ加え、大気中、２０℃で３時間
攪拌しながら反応を行った。本溶液の数平均分子量はＧ
ＰＣにより測定したところ９６１であった。この溶液を
コーティング液とし、直径４インチ、厚さ０．５mmのシ
リコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布（１０
００rpm ，２０秒）し、大気雰囲気下３５０℃で１時間
加熱し、膜厚４１６１Åの塗膜を得た。この塗膜のセラ
ミックス化の進行度をＩＲで評価したところ、（評価法
は実施例１と同様）ＳｉＨ残存率０％、ＳｉＯ／ＳｉＮ
比＝１６．２であった。更にこの塗膜を４９％フッ酸
（ダイキン工業株式会社製）１８ml、６１％硝酸（小宗
化学株式会社製）１７６３mlの混合溶液で処理したとこ
ろ、エッチングレートは９３８Å／min.であった。
ンチ、厚さ０．５mmのシリコンウェハー上にスピンコー
ターを用いて塗布（１０００rpm ，２０秒）し、大気雰
囲気下３５０℃で１時間加熱し、膜厚３９７３Åの塗膜
を得た。この塗膜のセラミックス化の進行度をＩＲで評
価したところ、（評価法は実施例１と同様）ＳｉＨ残存
率１６．９％、ＳｉＯ／ＳｉＮ比＝１．９であった。更
にこの塗膜を４９％フッ酸（ダイキン工業株式会社製）
１８ml、６１％硝酸（小宗化学株式会社製）１７６３ml
の混合溶液で処理したところ、エッチングレートは１５
４０Å／min.であった。実施例５ 東燃製ペルヒドロポリシラザンＴｙｐｅ−１（ＰＨＰＳ
−１；数平均分子量９００）の２０％キシレン溶液１０
ｇにプロピオン酸パラジウム（II)(エヌ・イー・ケムキ
ャット（株）製）の０．５％キシレン溶液４ｇを添加
し、更にキシレンを６ｇ加え、大気中、２０℃で３時間
攪拌しながら反応を行った。本溶液の数平均分子量はＧ
ＰＣにより測定したところ９６１であった。この溶液を
コーティング液とし、直径４インチ、厚さ０．５mmのシ
リコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布（１０
００rpm ，２０秒）し、大気雰囲気下３５０℃で１時間
加熱し、膜厚４１６１Åの塗膜を得た。この塗膜のセラ
ミックス化の進行度をＩＲで評価したところ、（評価法
は実施例１と同様）ＳｉＨ残存率０％、ＳｉＯ／ＳｉＮ
比＝１６．２であった。更にこの塗膜を４９％フッ酸
（ダイキン工業株式会社製）１８ml、６１％硝酸（小宗
化学株式会社製）１７６３mlの混合溶液で処理したとこ
ろ、エッチングレートは９３８Å／min.であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】
【表１】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】このような方法でコーティングし、充分乾
燥させた後、加熱・焼成する。この焼成によって金属カ
ルボン酸塩とポリシラザンの反応物は架橋、縮合、ある
いは、焼成雰囲気によっては酸化、加水分解して硬化
し、強靱な被覆を形成する。上記焼成条件は金属カルボ
ン酸塩とポリシラザンの反応物の分子量や構造によって
異なる。昇温速度は特に限定しないが、０．５〜１０℃
／分の緩やかな昇温速度が好ましい。好ましい焼成温度
は２５０℃〜３５０℃の範囲である。焼成雰囲気は酸素
中、空気中あるいは不活性ガス等のいずれであってもよ
いが、空気中がより好ましい。空気中での焼成により金
属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、あるい
は空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行し、上
記のような低い焼成温度でＳｉ−Ｏ結合あるいはＳｉ−
Ｎ結合を主体とする強靱な被覆の形成が可能となる。
燥させた後、加熱・焼成する。この焼成によって金属カ
ルボン酸塩とポリシラザンの反応物は架橋、縮合、ある
いは、焼成雰囲気によっては酸化、加水分解して硬化
し、強靱な被覆を形成する。上記焼成条件は金属カルボ
ン酸塩とポリシラザンの反応物の分子量や構造によって
異なる。昇温速度は特に限定しないが、０．５〜１０℃
／分の緩やかな昇温速度が好ましい。好ましい焼成温度
は２５０℃〜３５０℃の範囲である。焼成雰囲気は酸素
中、空気中あるいは不活性ガス等のいずれであってもよ
いが、空気中がより好ましい。空気中での焼成により金
属カルボン酸塩とポリシラザンの反応物の酸化、あるい
は空気中に共存する水蒸気による加水分解が進行し、上
記のような低い焼成温度でＳｉ−Ｏ結合あるいはＳｉ−
Ｎ結合を主体とする強靱な被覆の形成が可能となる。
Claims (2)
- 【請求項１】 主として一般式（Ｉ）： 【化１】 （但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 はそれぞれ独立に水素原子、
アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、またはこれらの基以外でケイ素に直結する基が炭
素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、ア
ルコキシ基を表わす。ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 のうち
少なくとも１つは水素原子である。）で表わされる単位
からなる主骨格を有する数平均分子量が１００〜５万の
ポリシラザンとニッケル、チタン、白金、ロジウム、コ
バルト、鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、イ
リジウム、アルミニウムの群から選択される少なくとも
一種の金属を含む、金属カルボン酸塩を反応させて得ら
れる、金属カルボン酸塩／ポリシラザン重量比が０．０
００００１〜２の範囲内かつ数平均分子量が約２００〜
５０万の金属カルボン酸塩付加ポリシラザンを少なくと
も含有するコーティング用組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のコーティング用組成物を
基板に１回または２回以上繰り返し塗布した後、５０℃
以上の温度で焼成し珪素−窒素−酸素−金属元素系又は
珪素−窒素−酸素−炭素−金属元素系セラミックスから
成る被覆膜を形成させることを特徴とするコーティング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09327593A JP3385060B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09327593A JP3385060B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06299118A true JPH06299118A (ja) | 1994-10-25 |
| JP3385060B2 JP3385060B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=14077894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09327593A Expired - Lifetime JP3385060B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385060B2 (ja) |
Cited By (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
| JPH09183663A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tonen Corp | プラスチックフィルムにＳｉＯ２系セラミックスを被覆する方法 |
| US5747623A (en) * | 1994-10-14 | 1998-05-05 | Tonen Corporation | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics |
| JPH10279362A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Tonen Corp | ＳｉＯ２系セラミックス膜の形成方法 |
| JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
| WO2005066285A3 (de) * | 2004-01-07 | 2005-08-18 | Clariant Int Ltd | Hydrophile beschichtung auf polysilazanbasis |
| WO2006016672A1 (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
| US7344603B2 (en) | 2001-12-27 | 2008-03-18 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Solvent for treating polysilazane and method of treating polysilazane with the solvent |
| WO2010024441A1 (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 紫外線吸収剤組成物 |
| US7785948B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-08-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor element and process for producing the same |
| WO2011027826A1 (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シリカ質膜製造方法およびそれに用いるポリシラザン塗膜処理液 |
| WO2011122497A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス |
| WO2011125602A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2012011377A1 (ja) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法 |
| WO2012014653A1 (ja) | 2010-07-27 | 2012-02-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| WO2012023389A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2012026362A1 (ja) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機光電変換素子 |
| WO2012032907A1 (ja) | 2010-09-07 | 2012-03-15 | リンテック株式会社 | 粘着シート、及び電子デバイス |
| WO2012067230A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| WO2012090665A1 (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス |
| WO2012090644A1 (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム及び電子デバイス |
| JP2012148416A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Mitsui Chemicals Inc | 積層体およびその製造方法 |
| WO2013011872A1 (ja) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 |
| WO2013015096A1 (ja) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体及び電子部材 |
| WO2013065812A1 (ja) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
| WO2013081003A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | リンテック株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法、およびガスバリア性フィルムを備える電子部材又は光学部材 |
| WO2013089046A1 (ja) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム |
| EP2626378A1 (en) | 2009-03-17 | 2013-08-14 | LINTEC Corporation | Molded article, process for producing the molded article, member for electronic device, and electronic device |
| WO2013118642A1 (ja) | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
| WO2013122055A1 (ja) | 2012-02-15 | 2013-08-22 | コニカミノルタ株式会社 | 機能性フィルム、およびその製造方法、並びに前記機能性フィルムを含む電子デバイス |
| WO2013133256A1 (ja) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体、粘着フィルム、および電子部材 |
| WO2013141318A1 (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール |
| WO2013147093A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、及び電子デバイス |
| WO2013161894A1 (ja) | 2012-04-25 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、電子デバイス用基板および電子デバイス |
| WO2013172359A1 (ja) | 2012-05-14 | 2013-11-21 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| US8766411B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-07-01 | Cheil Industries, Inc. | Filler for filling a gap, method of preparing the same and method of manufacturing semiconductor capacitor using the same |
| WO2014109356A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| WO2014136624A1 (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-12 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する部材の製造方法及びそれにより製造された凹凸構造を有する部材 |
| WO2014157686A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 積層体及びその製造方法、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
| WO2014157685A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2014175069A1 (ja) | 2013-04-26 | 2014-10-30 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 疎水性ゾルゲル材料を用いた凹凸構造を有する基板 |
| WO2015011980A1 (ja) | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法 |
| WO2015022922A1 (ja) | 2013-08-14 | 2015-02-19 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 発光素子、及び発光素子の製造方法 |
| WO2015053405A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
| WO2015098401A1 (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 発光素子 |
| WO2015104968A1 (ja) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 光学基板、光学基板の製造に用いられるモールド、及び光学基板を含む発光素子 |
| JP2016022593A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス |
| JP2016022594A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス |
| EP3070143A1 (en) | 2015-03-17 | 2016-09-21 | Konica Minolta, Inc. | Coated semiconductor nanoparticle and method for manufacturing the same |
| JPWO2014119750A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| JPWO2015029732A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2017-03-02 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
| US20170107344A1 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-20 | Lintec Corporation | Elongated gas barrier laminate and method for producing same |
| WO2017170547A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| KR20180083797A (ko) | 2017-01-13 | 2018-07-23 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 조성물 및 실리카질막의 제조 방법 |
| WO2018181004A1 (ja) | 2017-03-28 | 2018-10-04 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体 |
| US10093831B2 (en) | 2014-04-24 | 2018-10-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Copolymerized polysilazane, manufacturing method therefor, composition comprising same, and method for forming siliceous film using same |
| CN108707420A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-10-26 | 广东工业大学 | 一种室温等离子体固化的聚硅氮烷涂层及其制备方法和应用 |
| WO2019078069A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム用基材、ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、及び電子デバイス |
| JP2019108565A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 大阪瓦斯株式会社 | 金属部材の表面処理方法および耐熱性焼結被膜 |
| US10408984B2 (en) | 2014-10-10 | 2019-09-10 | Jx Nippon Oil And Energy Corporation | Optical phase difference component, composite optical component, incorporating optical phase difference component, and method for manufacturing optical phase difference component |
| US10522790B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-12-31 | Jxtg Nippon Oil & Energy Corporation | Film member having uneven structure |
| JP2020012051A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用の組成物、シリカ系被膜を備える基板の製造方法、及びシリカ系被膜形成用の組成物に添加される添加剤 |
| WO2020138206A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体 |
| JP2020171887A (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン含有組成物 |
| US10967618B2 (en) | 2016-03-18 | 2021-04-06 | Lintec Corporation | Curable composition for forming primer layer, gas barrier laminated film, and gas barrier laminate |
| CN114085644A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-02-25 | 上海电缆研究所有限公司 | 一种耐高温密封胶及其制备方法、应用 |
| US11760854B2 (en) | 2014-06-04 | 2023-09-19 | Lintec Corporation | Gas barrier laminated body, method for producing same, member for electronic device, and electronic device |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP09327593A patent/JP3385060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (85)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747623A (en) * | 1994-10-14 | 1998-05-05 | Tonen Corporation | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics |
| JPH09183663A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tonen Corp | プラスチックフィルムにＳｉＯ２系セラミックスを被覆する方法 |
| JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
| JPH10279362A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Tonen Corp | ＳｉＯ２系セラミックス膜の形成方法 |
| JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
| US7344603B2 (en) | 2001-12-27 | 2008-03-18 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Solvent for treating polysilazane and method of treating polysilazane with the solvent |
| WO2005066285A3 (de) * | 2004-01-07 | 2005-08-18 | Clariant Int Ltd | Hydrophile beschichtung auf polysilazanbasis |
| WO2006016672A1 (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
| JP2006054353A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Az Electronic Materials Kk | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
| US7785948B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-08-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor element and process for producing the same |
| WO2010024441A1 (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 紫外線吸収剤組成物 |
| EP2626378A1 (en) | 2009-03-17 | 2013-08-14 | LINTEC Corporation | Molded article, process for producing the molded article, member for electronic device, and electronic device |
| WO2011027826A1 (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シリカ質膜製造方法およびそれに用いるポリシラザン塗膜処理液 |
| KR20120056289A (ko) | 2009-09-04 | 2012-06-01 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 실리카질막 제조방법 및 그것에 사용하는 폴리실라잔 도막 처리액 |
| US9896764B2 (en) | 2009-09-04 | 2018-02-20 | Merck Patent Gmbh | Method for producing siliceous film and polysilazane coating treatment liquid used therefor |
| WO2011122497A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス |
| WO2011125602A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2012011377A1 (ja) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法 |
| WO2012014653A1 (ja) | 2010-07-27 | 2012-02-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| WO2012023389A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2012026362A1 (ja) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機光電変換素子 |
| WO2012032907A1 (ja) | 2010-09-07 | 2012-03-15 | リンテック株式会社 | 粘着シート、及び電子デバイス |
| WO2012067230A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| WO2012090665A1 (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス |
| WO2012090644A1 (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム及び電子デバイス |
| JP2012148416A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Mitsui Chemicals Inc | 積層体およびその製造方法 |
| WO2013011872A1 (ja) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 |
| US8766411B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-07-01 | Cheil Industries, Inc. | Filler for filling a gap, method of preparing the same and method of manufacturing semiconductor capacitor using the same |
| WO2013015096A1 (ja) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体及び電子部材 |
| WO2013065812A1 (ja) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
| EP3636432A1 (en) | 2011-11-04 | 2020-04-15 | LINTEC Corporation | Gas barrier film, method for producing same, gas barrier film laminate, member for electronic devices, and electronic device |
| WO2013081003A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | リンテック株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法、およびガスバリア性フィルムを備える電子部材又は光学部材 |
| WO2013089046A1 (ja) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム |
| US10494261B2 (en) | 2012-02-08 | 2019-12-03 | Ridgefield Acquisition | Inorganic polysilazane resin |
| WO2013118642A1 (ja) | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
| WO2013122055A1 (ja) | 2012-02-15 | 2013-08-22 | コニカミノルタ株式会社 | 機能性フィルム、およびその製造方法、並びに前記機能性フィルムを含む電子デバイス |
| WO2013133256A1 (ja) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体、粘着フィルム、および電子部材 |
| WO2013141318A1 (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール |
| WO2013147093A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、及び電子デバイス |
| WO2013161894A1 (ja) | 2012-04-25 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、電子デバイス用基板および電子デバイス |
| WO2013172359A1 (ja) | 2012-05-14 | 2013-11-21 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
| CN104903090B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-12-07 | 柯尼卡美能达株式会社 | 气体阻隔性膜 |
| US9359527B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-06-07 | Konica Minolta, Inc. | Gas barrier film |
| JPWO2014109356A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-01-19 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| CN104903090A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-09-09 | 柯尼卡美能达株式会社 | 气体阻隔性膜 |
| WO2014109356A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| JPWO2014119750A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| WO2014136624A1 (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-12 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する部材の製造方法及びそれにより製造された凹凸構造を有する部材 |
| WO2014157685A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| WO2014157686A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 積層体及びその製造方法、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
| WO2014175069A1 (ja) | 2013-04-26 | 2014-10-30 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 疎水性ゾルゲル材料を用いた凹凸構造を有する基板 |
| US9859512B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-01-02 | Jxtg Nippon Oil & Energy Corporation | Substrate having rugged structure obtained from hydrophobic sol/gel material |
| WO2015011980A1 (ja) | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法 |
| WO2015022922A1 (ja) | 2013-08-14 | 2015-02-19 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 発光素子、及び発光素子の製造方法 |
| US9660217B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-05-23 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Light emitting element and method for maufacturing light emitting element |
| JPWO2015029732A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2017-03-02 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
| WO2015053405A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
| JPWO2015053405A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
| CN105593013A (zh) * | 2013-10-10 | 2016-05-18 | 柯尼卡美能达株式会社 | 气体阻隔性膜的制造方法 |
| WO2015098401A1 (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 発光素子 |
| WO2015104968A1 (ja) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 光学基板、光学基板の製造に用いられるモールド、及び光学基板を含む発光素子 |
| US20170107344A1 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-20 | Lintec Corporation | Elongated gas barrier laminate and method for producing same |
| US10377870B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-08-13 | Lintec Corporation | Elongated gas barrier laminate and method for producing same |
| US10093831B2 (en) | 2014-04-24 | 2018-10-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Copolymerized polysilazane, manufacturing method therefor, composition comprising same, and method for forming siliceous film using same |
| US10522790B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-12-31 | Jxtg Nippon Oil & Energy Corporation | Film member having uneven structure |
| US11760854B2 (en) | 2014-06-04 | 2023-09-19 | Lintec Corporation | Gas barrier laminated body, method for producing same, member for electronic device, and electronic device |
| JP2016022593A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス |
| JP2016022594A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス |
| US10408984B2 (en) | 2014-10-10 | 2019-09-10 | Jx Nippon Oil And Energy Corporation | Optical phase difference component, composite optical component, incorporating optical phase difference component, and method for manufacturing optical phase difference component |
| EP3070143A1 (en) | 2015-03-17 | 2016-09-21 | Konica Minolta, Inc. | Coated semiconductor nanoparticle and method for manufacturing the same |
| US10967618B2 (en) | 2016-03-18 | 2021-04-06 | Lintec Corporation | Curable composition for forming primer layer, gas barrier laminated film, and gas barrier laminate |
| WO2017170547A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
| US10364372B2 (en) | 2017-01-13 | 2019-07-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition and method of producing siliceous film |
| KR20180083797A (ko) | 2017-01-13 | 2018-07-23 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 조성물 및 실리카질막의 제조 방법 |
| WO2018181004A1 (ja) | 2017-03-28 | 2018-10-04 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体 |
| US11512231B2 (en) | 2017-03-28 | 2022-11-29 | Lintec Corporation | Gas barrier laminate |
| WO2019078069A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム用基材、ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、及び電子デバイス |
| JP2019108565A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 大阪瓦斯株式会社 | 金属部材の表面処理方法および耐熱性焼結被膜 |
| CN108707420A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-10-26 | 广东工业大学 | 一种室温等离子体固化的聚硅氮烷涂层及其制备方法和应用 |
| US11111397B2 (en) | 2018-07-17 | 2021-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Silica-based film-forming composition, method of producing substrate including silica-based film, and additive added to silica-based film-forming composition |
| KR20200008963A (ko) | 2018-07-17 | 2020-01-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 실리카계 피막 형성용의 조성물, 실리카계 피막을 구비하는 기판의 제조 방법, 및 실리카계 피막 형성용의 조성물에 첨가되는 첨가제 |
| JP2020012051A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用の組成物、シリカ系被膜を備える基板の製造方法、及びシリカ系被膜形成用の組成物に添加される添加剤 |
| WO2020138206A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体 |
| JP2020171887A (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン含有組成物 |
| CN114085644A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-02-25 | 上海电缆研究所有限公司 | 一种耐高温密封胶及其制备方法、应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3385060B2 (ja) | 2003-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06299118A (ja) | コーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JP3307471B2 (ja) | セラミックコーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JP3212400B2 (ja) | セラミックコーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JP3370408B2 (ja) | セラミックコーティングの製造方法 | |
| JPH05238827A (ja) | コーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JPH06122852A (ja) | コーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| US6083860A (en) | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics | |
| JP4070828B2 (ja) | シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜 | |
| JP2613787B2 (ja) | 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途 | |
| JP3666915B2 (ja) | セラミックスの低温形成方法 | |
| JPH01138107A (ja) | 改質ポリシラザン、その製造方法及びその用途 | |
| JPH04153283A (ja) | 耐熱性絶縁塗料 | |
| JP3904691B2 (ja) | ポリシラザン含有組成物及びシリカ質膜の形成方法 | |
| JP3696311B2 (ja) | ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック | |
| JPH06140657A (ja) | 太陽電池 | |
| JP3919862B2 (ja) | 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜 | |
| JP4101322B2 (ja) | 低誘電率セラミックス材料及びその製造方法 | |
| KR100285890B1 (ko) | 폴리오르가노실록사잔및그제조방법 | |
| JPH0827425A (ja) | コーティング用組成物、セラミックス被膜及び被膜の製法 | |
| JP2670501B2 (ja) | コーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JPH01221466A (ja) | コーティング用組成物及びコーティング方法 | |
| JP3442160B2 (ja) | ＳｉＯ２ 系セラミック被膜の形成方法 | |
| JP4302782B2 (ja) | 紫外線防止透明板の製造方法 | |
| JP3916278B2 (ja) | フェニルシリル基架橋ポリシラザン及びその製造方法 | |
| JP3916272B2 (ja) | 分子間架橋されたポリシラザン及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131227 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |