JP4070828B2

JP4070828B2 - シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜

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Publication number: JP4070828B2
Application number: JP20058495A
Authority: JP
Inventors: 泰雄清水; 英樹松尾
Original assignee: AZ Electronic Materials Japan Co Ltd
Current assignee: AZ Electronic Materials Japan Co Ltd
Priority date: 1995-07-13
Filing date: 1995-07-13
Publication date: 2008-04-02
Anticipated expiration: 2015-07-13
Also published as: JPH0931333A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性、耐摩耗性、耐蝕性等に優れたシリカ質セラミックスを低温で形成できる組成物、シリカ質セラミックスの低温形成方法、及びシリカ質セラミックス膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、シリカ、窒化珪素、酸窒化珪素の前駆体ポリマーであるポリシラザンは、耐熱性、耐摩耗性、耐蝕性等に優れたセラミックコーティング膜が得られるため、注目されている。従来、このシリカ質セラミックス系コーティングの形成方法としては、ＰＶＤ（スパッタ法等）、ＣＶＤ、ゾルーゲル法、ポリチタノカルボシラン系塗料、ポリ（ジシル）シラザン系塗料、ポリシラザン系塗料、ポリメタロシラザン系塗料などが知られている。
【０００３】
ただ、このようなセラミックスコーティング法には、いずれも問題がある。すなわち、ＰＶＤ、ＣＶＤ法では装置が高価である。ゾルーゲル法では、必要焼成温度が５００℃以上と高い。ポリチタノカルボシラン系塗料では低温焼成（４００℃以下）における表面強度が不十分である。ポリ（ジシル）シラザン系重合体を用いたものは、施工に難があり、クラックが発生する。ポリシラザン、ポリメタロシラザンコーティングでは、２００〜５００℃で焼成できるが、３００℃未満の焼成では膜厚が必ずしも良好でない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、このような問題を解決するために、本発明者らは、先に、ポリシラザン（又はその変成物）を１５０℃以下で熱処理した後、水蒸気雰囲気にさらす又は（及び）触媒を含有した蒸留水中に浸すことにより、従来より低い焼成温度で良好なセラミックス、特にコーティング膜を得る方法を提案した（特願平６−３１３４２５号）。ただ、電子部品、プラスチック等への容易なコーティングを可能とするには、更なる低温、高速でのセラミックスへの転化が望まれる。
【０００５】
従って、本発明の目的は、更に低温、高速でシリカ質セラミックスに転化することが可能な組成物、同セラミックスの低温形成方法及び同セラミックス膜を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、アミン類又は／及び酸類を添加したポリシラザンを水蒸気と接触させると、又はポリシラザンをアミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬するか若しくは該水溶液から発する蒸気と接触させると、５０℃以下の低温で緻密なシリカ質セラミックスが生成することを見い出し、本発明に到達した。もちろん、５０℃以上の温度においてもセラミックス化は進行し、従来法と比較して、高速でシリカ質セラミックスへの転化が起こる。
【０００７】
すなわち、本発明によれば、第一に、主として下記一般式（Ｉ）
【化１】

（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³の少なくとも１つは水素原子である。）
で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物に、アミン類又は／及び酸類を添加してなることを特徴とするシリカ質セラミックス形成用組成物が提供される。
第二に、主として下記一般式（Ｉ）
【化１】

（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³の少なくとも１つは水素原子である。）
で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物に、アミン類又は／及び酸類を添加してなる組成物を、水蒸気と接触させることを特徴とするシリカ質セラミックスの形成方法が提供される。
第三に、主として下記一般式（Ｉ）
【化１】

（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³の少なくとも１つは水素原子である。）
で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物を、アミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬するか、又は該水溶液から発する蒸気と接触させることを特徴とするシリカ質セラミックスの形成方法が提供される。
第四に、アミン類を含有してなることを特徴とするシリカ質セラミックス膜が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明で用いるポリシラザンは、分子内に少なくともＳｉ−Ｈ結合、あるいはＮ−Ｈ結合を有するポリシラザンであればよく、ポリシラザン単独は勿論のこと、ポリシラザンと他のポリマーとの共重合体やポリシラザンと他の化合物との混合物でも利用できる。
用いるポリシラザンには、鎖状、環状、あるいは架橋構造を有するもの、あるいは分子内にこれら複数の構造を同時に有するものがあり、これら単独でもあるいは混合物でも利用できる。
【０００９】
用いるポリシラザンの代表例としては下記のようなものがあるが、これらに限定されるものではない。
一般式（Ｉ）でＲ¹、Ｒ²及びＲ³に水素原子を有するものは、ペルヒドロポリシラザンであり、その製造方法は例えば特開昭６０−１４５９０３号公報、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｏｆＡｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．，Ｃ−１３，Ｊａｎｕａｒｙ１９８３．に報告されている。これらの方法で得られるものは、種々の構造を有するポリマーの混合物であるが、基本的には分子内に鎖状部分と環状部分を含み、
【化２】

の化学式で表すことができる。
【００１０】
ペルヒドロポリシラザンの構造の一例を示すと下記の如くである。
【化３】

【００１１】
一般式（Ｉ）でＲ¹及びＲ²に水素原子、Ｒ³にメチル基を有するポリシラザンの製造方法は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ，．２５，１０（１９８４）に報告されている。この方法により得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−（ＳｉＨ₂ＮＣＨ₃）−の鎖状ポリマーと環状ポリマーであり、いずれも架橋構造をもたない。
【００１２】
一般式（Ｉ）でＲ¹及びＲ²に水素原子、Ｒ³に有機基を有するポリオルガノ（ヒドロ）シラザンの製造法は、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ，．２５，１０（１９８４）、特開昭６１−８９２３０号公報に報告されている。これら方法により得られるポリシラザンには、−（Ｒ²ＳｉＨＮＨ）−を繰り返し単位として、主として重合度が３〜５の環状構造を有するものや（Ｒ³ＳｉＨＮＨ)_x〔（Ｒ²ＳｉＨ）_1.5Ｎ〕_1-X（０．４＜Ｘ＜１）の化学式で示される分子内に鎖状構造と環状構造を同時に有するものがある。
【００１３】
一般式（Ｉ）でＲ¹に水素原子、Ｒ²、Ｒ³に有機基を有するポリシラザン、またＲ¹及びＲ²に有機基、Ｒ³に水素原子を有するものは−（Ｒ¹Ｒ²ＳｉＮＲ³）−を繰り返し単位として、主に重合度が３〜５の環状構造を有している。
【００１４】
次に、用いるポリシラザンの内、一般式（Ｉ）以外のものの代表例を挙げる。ポリオルガノ（ヒドロ）シラザンの中には、Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｏｆＡｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏｃ．Ｃ−１３２，Ｊｕｌｙ１９８４．が報告されている様な分子内に架橋構造を有するものもある。一例を示すと下記の如くである。
【化４】

【００１５】
また、特開昭４９−６９７１７号公報に報告されている様なＲ¹ＳｉＸ₃（Ｘ：ハロゲン）のアンモニア分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザンＲ¹Ｓｉ（ＮＨ)_x、あるいはＲ¹ＳｉＸ₃及びＲ² ₂ＳｉＸ₂の共アンモニア分解によって得られる下記の構造を有するポリシラザンも出発材料として用いることができる。
【化５】

【００１６】
用いるポリシラザンは、上記の如く一般式（Ｉ）で表される単位からなる主骨格を有するが、一般式（Ｉ）表される単位は、上記にも明らかな如く環状化することがあり、その場合にはその環状部分が末端基となり、このような環状化がされない場合には、主骨格の末端はＲ¹、Ｒ²、Ｒ³と同様の基又は水素原子であることができる。
【００１７】
また、ポリシラザン変性物として、例えば下記の構造（式中、側鎖の金属原子であるＭは架橋をなしていてもよい）のように金属原子を含むポリメタロシラザンも出発材料として用いることができる。
【化６】

【００１８】
その他、特開昭６２−１９５０２４号公報に報告されているような繰り返し単位が〔（ＳｉＨ₂）_n（ＮＨ）_m〕及び〔（ＳｉＨ₂）_rＯ〕（これら式中、ｎ、ｍ、ｒはそれぞれ１、２又は３である）で表されるポリシロキサザン、特開平２−８４４３７号公報に報告されているようなポリシラザンにボロン化合物を反応させて製造する耐熱性に優れたポリボロシラザン、特開昭６３−８１１２２号、同６３−１９１８３２号、特開平２−７７４２７号各公報に報告されているようなポリシラザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリメタロシラザン、特開平１−１３８１０８号、同１−１３８１０７号、同１−２０３４２９号、同１−２０３４３０号、同４−６３８３３号、同３−３２０１６７号各公報に報告されているような分子量を増加させたり（上記公報の前４者）、耐加水分解性を向上させた（後２者）、無機シラザン高重合体や改質ポリシラザン、特開平２−１７５７２６号、同５−８６２００号、同５−３３１２９３号、同３−３１３２６号各公報に報告されているようなポリシラザンに有機成分を導入した厚膜化に有利な共重合シラザン、特開平５−２３８８２７号公報、特願平４−２７２０２０号、同５−９３２７５号、同５−２１４２６８号、同５−３０７５０号、同５−３３８５２４号に報告されているようなポリシラザンにセラミックス化を促進するための触媒的化合物を付加又は添加したプラスチックスやアルミニウムなどの金属への施工が可能で、より低温でセラミックス化する低温セラミックス化ポリシラザンなども同様に使用できる。
【００１９】
本発明では、更に、以下のような低温セラミックス化ポリシラザンを使用することできる。例えば、本願出願人による特願平４−３９５９５号明細書に記載されているケイ素アルコキシド付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、前記一般式（Ｉ）で表されるポリシラザンと、下記一般式（IV）：
Ｓｉ（ＯＲ⁴）₄ （IV）
（式中、Ｒ⁴は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素原子数１〜２０個を有するアルキル基又はアリール基を表し、少なくとも１個のＲ⁴は上記アルキル基又はアリール基である）で表されるケイ素アルコキシドを加熱反応させて得られる、アルコキシド由来ケイ素／ポリシラザン由来ケイ素原子比が０．００１〜３の範囲内且つ数平均分子量が約２００〜５０万のケイ素アルコキシド付加ポリシラザンである。
【００２０】
低温セラミックス化ポリシラザンの別の例として、本出願人による特開平６−１２２８５２号公報に記載されているグリシドール付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、前記一般式（Ｉ）で表されるポリシラザンとグリシドールを反応させて得られる、グリシドール／ポリシラザン重量比が０．００１〜２の範囲内且つ数平均分子量が約２００〜５０万のグリシドール付加ポリシラザンである。
【００２１】
低温セラミックス化ポリシラザンの更に別の例として、本願出願人による特願平５−３５６０４号明細書に記載されているアセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、前記一般式（Ｉ）で表されるポリシラザンと、金属としてニッケル、白金、パラジウム又はアルミニウムを含むアセチルアセトナト錯体を反応させて得られる、アセチルアセトナト錯体／ポリシラザン重量比が０．０００００１〜２の範囲内且つ数平均分子量が約２００〜５０万のアセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンである。前記の金属を含むアセチルアセトナト錯体は、アセチルアセトン（２，４−ペンタジオン）から酸解離により生じた陰イオンａｃａｃ^-が金属原子に配位した錯体であり、一般に式（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）_nＭ〔式中、Ｍはｎ価の金属を表す〕で表される。
【００２２】
低温セラミックス化ポリシラザンのまた別の例として、本願出願人による特願平５−９３２７５号明細書に記載されている金属カルボン酸塩付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、前記一般式（Ｉ）で表されるポリシラザンと、ニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属カルボン酸塩を反応させて得られる、金属カルボン酸塩／／ポリシラザン重量比が０．０００００１〜２の範囲内且つ数平均分子量が約２００〜５０万の金属カルボン酸塩付加ポリシラザンである。上記金属カルボン酸塩は、式（ＲＣＯＯ）_nＭ〔式中、Ｒは炭素原子数１〜２２個の脂肪族基又は脂環式基であり、Ｍは上記金属群から選択される少なくとも１種の金属を表し、そしてｎは金属Ｍの原子価である〕で表される化合物である。上記金属カルボン酸塩は無水物であっても水和物であってもよい。また、金属カルボン酸塩／ポリシラザン重量比は好ましくは０．００１〜１、より好ましくは０．０１〜０．５である。金属カルボン酸塩付加ポリシラザンの調製については、上記特願平５−９３２７５号明細書を参照されたい。
【００２３】
本発明のシリカ質セラミックス形成用組成物は、前記したようなポリシラザンあるいはポリシラザンの変成物にアミン類又は／及び酸類が添加されたものである。
ここで用いられるアミン類には、例えば下記一般式（II）で表されるアミン類に加えて、ピリジン類やＤＢＵ、ＤＢＮなども含まれるし、酸類には有機酸や無機酸が含まれる。
【００２４】
アミン類の代表例としては、下記一般式（II）で表されるものが挙げられる。一般式（II）
Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶Ｎ（II）
（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はそれぞれは水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。）
その具体例としては、次のものが挙げられる。
メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミン、トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシルアミン、トリヘキシルアミン、ヘプチルアミン、ジヘプチルアミン、オクチルアミン、ジオクチルアミン、トリオクチルアミン、フェニルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン等。（なお、炭化水素鎖は直鎖でも分枝鎖でもよい。）
【００２５】
また、ピリジン類としては、例えば、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン等が挙げられ、更に、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕７−ウンデセン）、ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕５−ノネン）なども使用できる。
【００２６】
一方、酸類としては酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マレイン酸、ステアリン酸等の有機酸や塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素等の無機酸が挙げられる。
【００２７】
次に、本発明のシリカ質セラミックスの形成方法について説明する。
本発明の方法は、▲１▼前記ポリシラザン（変性物）にアミン類又は／及び酸類を添加した本発明の組成物を、水蒸気と接触させるか、▲２▼前記ポリシラザン（変性物）を、アミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬するか、又は▲３▼前記ポリシラザン（変性物）を、アミン類又は／及び酸類を含む水溶液から発する蒸気と接触させるという方法からなる。
【００２８】
上記▲１▼〜▲３▼の方法において、アミン類又は／及び酸類をポリシラザン（変性物）又は水に添加するに当たっては、前記ポリシラザン（変成物）単独又はそれを溶剤（例えば、ベンゼン、キシレン、トルエン、ジクロロメタン、ＴＨＦ、エーテル類など）に溶解した溶液に、添加する。ポリシラザン単独の場合、その形態は任意であり、薄膜状、繊維状、バルク状、粉末状のいずれでもよい。この場合、アミン類や酸類は、単独であるいは上記と同様の溶剤に希釈して、添加してもよい。アミン類と酸類の両方を添加する場合には、添加する順序は任意である。また、添加する時の温度、圧力、雰囲気は特に制限されるものではない。
【００２９】
上記▲１▼の方法において、アミン類のポリシラザンに対する添加量は、ポリシラザンの重量に対して１ｐｐｍ以上であればよく、好ましくは１００ｐｐｍ〜１００％である。なお、塩基性度（水溶液中でのｐＫｂ値）及び沸点が高いアミンほど、少量の添加で成形時に大きな加速効果を示す傾向がある。
なお、▲２▼及び▲３▼の方法においては、アミン類としては水に可溶なものが好ましい。水溶液中のアミン類濃度としては、１００ｐｐｍ〜アミン類の溶解度限界の範囲内で任意に選択できる。酸類の種類によっては、アミン類が不要な場合もある。また、温度は▲２▼の方法においては０〜１００℃、▲３▼の方法においては２０〜５００℃の範囲で任意に選択される。
【００３０】
また、上記▲１▼〜▲３▼の方法において、酸類のポリシラザンに対する添加量又は水溶液中の濃度は、ポリシラザンの重量に対して０．１ｐｐｍ以上であればよく、好ましくは１０ｐｐｍ〜１０％である。アミン類の種類によっては、酸類が不要な場合もある。
なお、このセラミックス形成用組成物には必要に応じて各種の添加剤、充填剤を含めることができる。
【００３１】
上記▲１▼の方法において、本発明のシリカ質セラミックス形成用組成物を、水蒸気と接触させることにより、５０℃以下の低温で緻密なシリカ質セラミックスを生成することができる。もちろん、５０℃以上でも可能で、速度を速めることが可能である。
本発明上記▲１▼〜▲３▼の方法で形成されるセラミックスは三次元成形物でもよいが、特に低温でセラミックス化できる利点を生かしたセラミックスコーティング膜の形成に適している。
コーティング膜を形成させるには、上記▲１▼の方法においては、本発明のシリカ質セラミックス形成用組成物を基板に１回又は２回以上繰り返し塗布した後、水蒸気と接触させればよいし、上記▲２▼の方法においては、前記ポリシラザン（変性物）を基板に１回又は２回以上繰り返し塗布した後、前記アミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬すればよいし、また上記▲３▼の方法においては、前記ポリシラザン（変性物）を基板に１回又は２回以上繰り返し塗布した後、前記アミン類又は／及び酸類を含む水溶液から発する蒸気と接触させればよい。
【００３２】
本発明の組成物又はポリシラザン（変性物）を塗布する基板は、特に限定させず、金属、セラミックス、プラスチック等のいずれでもよい。
塗布手段としては、通常の塗布方法、つまり浸漬、ロール塗り、バー塗り、刷毛塗り、スプレー塗り、フロー塗り等が用いられる。また、塗布前に基板をヤスリがけ、脱脂、各種ブラスト等で表面処理しておくと、本発明の組成物やポリシラザン変性物の付着性能が向上する。
【００３３】
上記▲１▼の方法における水蒸気との接触は、加湿炉やスチームを用いて行うのが、一般的である。低温の場合には、単に水蒸気を含む容器内で行っても、また大気中で行ってもよい。水蒸気と接触させる温度範囲は２０℃〜５００℃であり、また、湿度範囲は、０．１％ＲＨ〜１００％ＲＨである。
【００３４】
上記の水蒸気との接触処理、アミン類又は／及び酸類含有水溶液中での浸漬処理、あるいはアミン類又は／及び酸類含有水溶液からの蒸気との接触処理によって、ポリシラザン（変性物）中のＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ結合等は消失し、Ｓｉ−Ｏ結合を主体とする強靱なセラミックス、特にセラミックスコーティング膜の形成が可能となる。
【００３５】
なお、本発明の上記▲１▼〜▲３▼の方法において、アミン類を用いた場合には、得られるセラミックス膜中には微量のアミン類が存在するという特徴がある。なお、得られたＳｉＯ₂被膜をアミン類の沸点以上に加熱すれば、膜中のアミン類を除去することが可能である。
【００３６】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明の技術的範囲がこれらにより限定されるものではない。
【００３７】
参考例１［ペルヒドロポリシラザンの合成］
内容積１ｌの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着した。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フラスコに脱気した乾燥ピリジンを４９０ｍｌ入れ、これを氷冷した。次に、ジクロロシラン５１．９ｇを加えると、白色固体状のアダクト（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂・２Ｃ₅Ｈ₅Ｎ）が生成した。反応混合物を氷冷し、撹拌しながら水酸化ナトリウム管及び活性炭管を通して精製したアンモニア５１．０ｇを吹き込んだ後、１００℃で加熱した。
【００３８】
反応終了後、反応混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを用いて洗浄した後、更に乾燥窒素雰囲気下で濾過して濾液８５０ｍｌを得た。濾液５ｍｌから溶媒を減圧除去すると、樹脂状固体ペルヒドロポリシラザン０．１０２ｇが得られた。
【００３９】
得られたポリマーの数平均分子量は、凝固点降下法で（溶媒：乾燥ベンゼン）により測定したところ、１１２０であった。ＩＲ（赤外吸収）スペクトル（溶媒：乾燥ｏ−キシレン；ペルヒドロポリシラザンの濃度：１０．２ｇ／ｌ）は、波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収を示した。ＩＲスペクトルを図１に示す。
【００４０】
参考例２［ポリメチル（ヒドロ）シラザンの合成］
内容積５００ｍｌの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着した。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フラスコにメチルジクロロシラン（ＣＨ₃ＳｉＨＣｌ₂、２４．３ｇ，０．２２１ｍｏｌ）と乾燥ジクロロメタン３００ｍｌを入れた。反応混合物を氷冷し、撹拌しながら乾燥アンモニア２０．５ｇ（１．２０ｍｏｌ）を窒素ガスと共に吹き込んでアンモニア分解を行った。
【００４１】
反応終了後、反応混合物を遠心分離した後、濾過した。濾液から溶媒を減圧除去し、ポリメチル（ヒドロ）シラザンを無色の液体として８．７９ｇ得た。生成物の数平均分子量を凝固点降下法で（溶媒：乾燥ベンゼン）により測定したところ、３１０であった。
【００４２】
内容積１００ｍｌの四つ口フラスコにガス導入管、温度計、コンデンサー及び滴下ロートを装着し、反応系内をアルゴンガスで置換した。四つ口フラスコにテトラヒドロフラン１２ｍｌ及び水酸化カリウム０．１８９ｇ（４．７１ｍｏｌ）を入れ、磁気撹拌を開始した。滴下ロートに上述のポリメチル（ヒドロ）シラザン５．００ｇ及び乾燥テトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、これを水酸化カリウムに滴下した。室温で１時間反応させた後、滴下ロートにヨウ化メタン１．６０ｇ（１１．３ｍｍｏｌ）、及び乾燥テトラヒドロフラン１ｍｌを入れ、これを反応溶液に滴下した。室温で３時間反応させた後、反応混合物の溶媒を減圧除去し、乾燥ｎ−ヘキサン４０ｍｌを加えて遠心分離し、濾過した。濾液の溶媒を減圧除去すると、ポリメチル（ヒドロ）シラザンが白色粉末として４．８５ｇ得られた。
【００４３】
生成したポリマーの数平均分子量は１０６０であった。ＩＲ（赤外吸収）スペクトル〔溶媒：乾燥ｏ−キシレン；ポリメチル（ヒドロ）シラザンの濃度：４３．２ｇ／ｌ〕は、波数（ｃｍ^-1）３３８０、及び１１７０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１４０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１２５０のＳｉ−ＣＨ₃に基づく吸収を示した。ＩＲスペクトルを図２に示す。
【００４４】
比較例
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、室温で乾燥させた（３０分）。この時のＩＲスペクトルは図１のペルヒドロポリシラザンのＩＲスペクトルと同等であった。続いて、このペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコン板を９５℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で１０時間加湿処理した。
【００４５】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図３に示す。図１と比較すると波数（ｃｍ^-1）１１００のＳｉ−Ｏに基づく吸収の成長が見られるが、未反応のポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３５０、及び１２００のＮ−Ｈに基づく吸収：２１９０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０２０〜８２０のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収が多く残存している。
【００４６】
実施例１
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながらプロピオン酸２０ｍｇとトリブチルアミン５００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、５０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で３時間加湿処理した。
【００４７】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図４に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収は消失し、波数（ｃｍ^-1）３７００〜３１００のＯ−Ｈに基づく吸収：１１８０、４６０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００４８】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは１１００Å／ｍｉｎであった。
【００４９】
実施例２
参考例２で合成したポリメチル（ヒドロ）シラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながらプロピオン酸２０ｍｇとトリブチルアミン５００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、５０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で３時間加湿処理した。
【００５０】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図５に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３８０、及び１１７０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１４０のＳｉ−Ｈに基づく吸収は消失し、波数（ｃｍ^-1）３７００〜３３００のＯ−Ｈに基づく吸収：１２７０のＳｉ−ＣＨ₃に基づく吸収：１１３０、４４０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００５１】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは１５００Å／ｍｉｎであった。
【００５２】
実施例３
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながら酢酸２０ｍｇとトリブチルアミン５００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、５０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で３時間加湿処理した。
【００５３】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図６に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収は消失し、波数（ｃｍ^-1）３７００〜３１００のＯ−Ｈに基づく吸収：１１９０、４６０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００５４】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは１０００Å／ｍｉｎであった。
【００５５】
実施例４
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながらプロピオン酸２０ｍｇとジペンチルアミン５００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、５０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で３時間加湿処理した。
【００５６】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図７に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収は消失し、波数（ｃｍ^-1）３７００〜３０００のＯ−Ｈに基づく吸収：１１８０、４６０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００５７】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは１２００Å／ｍｉｎであった。
【００５８】
実施例５
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながらプロピオン酸１００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、９５℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で５時間加湿処理した。
【００５９】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図８に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収はほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：３７００〜３２００のＯ−Ｈに基づく吸収：１１８０、４６０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００６０】
実施例６
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、この溶液１０ｇに撹拌しながらトリペンチルアミン５００ｍｇを室温で徐々に添加した。これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し（１０００ｒｐｍ、２０秒）、９５℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器中で１時間加湿処理した。
【００６１】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図９に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収はほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：３７００〜３０００のＯ−Ｈに基づく吸収：１１７０、４５０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。また、ＦＴ−ＩＲの積算によりノイズを低減し、２９００ｃｍ^-1近辺を拡大したところ、トリペンチルアミンのＣ−Ｈに基づく、わずかな吸収（２８２０〜２９５０ｃｍ^-1）が確認された（図１０参照）。
【００６２】
参考例２
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した（１０００ｒｐｍ、２０秒）。次に、容量２０００ｍｌのビーカーにトリエチルアミン５０ｇと純水９５０ｇを注入し、撹拌しながらマントルヒーターで５０℃に加熱した。これにペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコンウェハーを１５分間浸漬した。
【００６３】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図１１に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収がほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）３６００〜３１００のＯ−Ｈに基づく吸収：１０００〜１２５０、４４０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。なお、波数（ｃｍ^-1）２４００付近の吸収は、雰囲気中のＣＯ₂のものである。（図１２〜１５においても同様。）
【００６４】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは２５００Å／ｍｉｎであった。
【００６５】
参考例３
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した（１０００ｒｐｍ、２０秒）。次に、容量２０００ｍｌのビーカーにｎ−ブチルアミン５０ｇと純水９５０ｇを注入し、室温（２０℃）で撹拌した。これにペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコンウェハーを１時間浸漬した。
【００６６】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図１２に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収が減少し、波数（ｃｍ^-1）３６００〜３２００のＯ−Ｈに基づく吸収：１０００〜１２５０、４６０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００６７】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは３０００Å／ｍｉｎであった。
【００６８】
参考例４
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した（１０００ｒｐｍ、２０秒）。次に、容量２０００ｍｌのビーカーに酢酸５ｇとｎ−ペンチルアミン５０ｇと純水９５０ｇを注入し、撹拌しながらマントルヒーターで５０℃に加熱した。
【００６９】
これにペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコンウェハーを１時間浸漬した。この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図１３に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収がほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）３６００〜３１００のＯ−Ｈに基づく吸収：１０００〜１２５０、４４０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００７０】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは２２００Å／ｍｉｎであった。
【００７１】
実施例１０
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した（１０００ｒｐｍ、２０秒）。次に、容量２０００ｍｌのビーカーにトリエチルアミン５ｇと純水９５ｇを注入し、撹拌しながらマントルヒーターで５０℃に加熱した。このビーカーの気相部分にペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコンウェハーを３０分間つるした。
【００７２】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図１４に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収がほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）３６００〜３１００のＯ−Ｈに基づく吸収：１０００〜１２５０、４５０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００７３】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは２２００Å／ｍｉｎであった。
【００７４】
参考例５
参考例１で合成したペルヒドロポリシラザンをキシレンに溶解し（２０ｗｔ％）、これを直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した（１０００ｒｐｍ、２０秒）。次に、容量２０００ｍｌのビーカーに濃度３０％の過酸化水素水１０００ｇを注入し、撹拌しながらマントルヒーターで５０℃に加熱した。これにペルヒドロポリシラザンを塗布したシリコンウェハーを３０分間浸漬した。
【００７５】
この後にＩＲスペクトルを測定した結果を図１５に示す。ポリシラザン、すなわち波数（ｃｍ^-1）３３９０、及び１１８０のＮ−Ｈに基づく吸収：２１７０のＳｉ−Ｈに基づく吸収：１０４０〜８００のＳｉ−Ｎ−Ｓｉに基づく吸収がほぼ消失し、波数（ｃｍ^-1）３６００〜２９００のＯ−Ｈに基づく吸収：１０００〜１３００、４５０のＳｉ−Ｏに基づく吸収が確認された。
【００７６】
得られた皮膜の緻密性を酸による腐食速度（エッチングレート）測定によって評価した。６０％硝酸１００ｍｌと５０％フッ酸１ｍｌを混合した腐食液に得られた皮膜を２分間浸漬し、浸漬前後の膜厚をエリプソメーターで測定したところ、エッチングレートは２０００Å／ｍｉｎであった。
【００７７】
【発明の効果】
請求項１のシリカ質セラミックス成形用組成物は、主として前記一般式（Ｉ）で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物に、アミン類又は／及び酸類を添加してなるものとしたことから、低温、高速でシリカ系セラミックスに転化することが可能なものとなる。
【００７８】
請求項２のシリカ質セラミックスの形成方法は、主として前記一般式（Ｉ）で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物に、アミン類又は／及び酸類を添加してなる組成物を、水蒸気と接触させるという構成としたことから、本方法によると、１００℃以下、更には５０℃以下の低温で緻密なセラミックス、特にセラミックスコーティング膜を形成することができる。従って、従来必要であった焼成設備が不要になり、しかも高温の焼成処理のゆえに従来適用できなかった基材（プラスチック、電子部品など）へのセラミックスコーティングが可能となる。
【００７９】
請求項３のシリカ質セラミックスの形成方法は、主として前記一般式（Ｉ）で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約１００〜５０，０００のポリシラザン又はその変性物を、アミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬するか、又は該水溶液から発する蒸気と接触させるという構成としたことから、本方法によると、請求項２の方法と同様に低温で緻密なセラミックス、特にセラミックスコーティング膜を形成することができる。従って、従来必要であった焼成設備が不要になり、しかも高温の焼成処理のゆえに従来適用できなかった基材（プラスチック、電子部品など）へのセラミックスコーティングが可能となる。
【００８０】
請求項４のシリカ質セラミックス膜はアミン類を含有してなることを特徴とするが、高温熱覆歴を経ないでしかも緻密なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例１で得られたペルヒドロポリシラザンのＩＲスペクトル図である。
【図２】参考例２で得られたポリメチル（ヒドロ）シラザンのＩＲスペクトル図である。
【図３】比較例で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図４】実施例１で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図５】実施例２で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図６】実施例３で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図７】実施例４で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図８】実施例５で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図９】実施例６で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図１０】実施例６で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図の２９００ｃｍ^-1近辺の拡大図である。
【図１１】実施例７で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図１２】実施例８で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図１３】実施例９で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図１４】実施例１０で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である。
【図１５】実施例１１で得られたポリシラザン処理品のＩＲスペクトル図である

Claims

下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³の少なくとも１つは水素原子である。）で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が１００〜５０，０００の、ポリシラザン、またはポリメタロシラザン、ポリシロキサザン、ポリボロシラザン、ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン、グリシドール付加ポリシラザン、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン、および金属カルボン酸塩付加ポリシラザンからなる群から選ばれるポリシラザン変性物に、一般式（II）：
Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶Ｎ（II）
（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はそれぞれは水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基又はアルコキシ基を表す。）
で表されるアミン、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕５−ノネンからなる群から選ばれる少なくとも一種のアミン又は／及び酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マレイン酸、ステアリン酸、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の酸を添加してなることを特徴とするシリカ質セラミックス低温形成用組成物。
下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³の少なくとも１つは水素原子である。）で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が１００〜５０，０００、ポリシラザン、またはポリメタロシラザン、ポリシロキサザン、ポリボロシラザン、ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン、グリシドール付加ポリシラザン、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン、および金属カルボン酸塩付加ポリシラザンからなる群から選ばれるポリシラザン変性物に、一般式（II）：
Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶Ｎ（II）
（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はそれぞれは水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基又はアルコキシ基を表す。）
で表されるアミン、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕５−ノネンからなる群から選ばれる少なくとも一種のアミン又は／及び酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マレイン酸、ステアリン酸、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の酸を添加してなる組成物を基板に塗布し、前記基板を水蒸気と接触させることを含んでなることを特徴とするシリカ質セラミックスの形成方法。
請求項２の方法により形成された、アミンを含有してなることを特徴とするシリカ質セラミックス膜。