WO2007007857A1

WO2007007857A1 - 多層プリント配線板

Info

Publication number: WO2007007857A1
Application number: PCT/JP2006/314011
Authority: WO
Inventors: Michimasa Takahashi; Yukinobu Mikado; Takenobu Nakamura; Masakazu Aoyama
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 2005-07-07
Filing date: 2006-07-07
Publication date: 2007-01-18
Also published as: US20100252318A1; EP1858307A4; KR100987619B1; TWI345438B; CN101772261A; JP2012156525A; CN101069458B; CN101069458A; EP2312923A1; EP2312924A1; KR20070070225A; US8481424B2; US20070096328A1; US7834273B2; EP1858307A1; JPWO2007007857A1; US20120005889A1; EP2312924B1; TW200718323A; US8212363B2

Abstract

多層プリント配線板は、各絶縁層の厚さを１００μｍ以下にすると共に、各絶縁層上の導体回路を電気的に接続する複数のバイアホールを、絶縁層表面から内側に向かうにつれて縮径するようなテーパ形状とし、それらのバイアホールを対向配置して多段スタックビア構造を有してなる。落下した際の衝撃力等の外部応力を抑制して、絶縁基板が反りにくくして、導体回路のクラックや、断線等を防止し、実装基板の信頼性や耐落下性の低下を軽減することができる。

Description

明細書多層プリント配線板技術分野

本発明は、表層にコンデンサや I Cなどの電子部品実装するための多層プント配線板に係り、詳しくは、落下による電子部品の落や、電気接続性、信續性の低下を招くことのない多層ブリント配線板に関す。背景技術

近年の擦帯電話、デジタルカメラ等の携帯用電子機器においては、それらの高機能化および高密度化の要求に応じて実装部品の小型ィ匕が図られ、さらに基板においても配線密度（配線幅ライン Z配線間隔スペース〕を小さくしたり、半田/ ッドを小さくしたりするなど、実装部品の高密度化への対応がなされている。このような基板に実装される部品としては、具体的には、 I Gチップ、コンデンサゃ、抵抗、インダクタ等の受動部品、液晶装置、デジタル表示等を行う表示装置、キー / ッドゃスィツチ等の操作系装置、もしくは U S Bやイヤホーン等の部端子がる。

実装基板上にはこれらの実装音品に対応した導体パッドが混在して配設され、実装部品 (よこれらの導体パッ K_tに半田を介して実装される。

このよラな電子部品を実装す多層回路基板の一つとしては、片面または両画に導体回を有する絶縁性硬質基材に対して、レーザ照射によりパイァホール用開口を形虎し、その開口内に金属ペーストもしくはめつきを充填してバイァホ一ルを形成することにより層間接驗された回路基板を作製し、この回路基板を 2層以上用意し、これらの回路基板を逐次積層あるいは一括積層で、積層させることにより製造されるタイプのものある（特開平 1 0— 1 3 0 2 8号公報参照)。このよラな多層回路基板においては、隣接する一方の回路基板のパイァホーノレもしくは/ヾィァホ一ルのランド、他方の回路基板導体回路もしくはランド (二接続されることによって、 2層回路基板がそれぞ^電気的に接続される。また、回路板の電気的接続に寄与しない他の領域で熱硬化性樹脂からなる接着剤層やプリプレグ等により回路基板同士が接着さ^ることによって多層化が図られている。

そして、前 5 &したような多層回路基もしくは一般的プリント配線板の表層には、導体回路を保護するソルダーレジスト層が形成され、そのソルダ一レジスト層の一部に謂口を形成し、その開口力、ら露出する導体 Θ路の表面に、金またニッケル—金等の耐食層が形成されるが通常であり、このような耐食層が形された導体回の表面上に半田バンプ等の半田体力形成され、これらの半田体を介してコンデンサや I Cなどの電子部品が実装されるよラになっている。

ところで、述したような携帯電話、デジタルカメラ等の携帯用電子機器において用いられる、電子部品の高密度実装を実現した多層回路基板においては、 ¾：近、さらに高し、信頼性が要望されてしるのが現状である。

すなわち、板ゃ製品（液晶装置を含んだすべての電部品を実装した基板力 S 筐体に収められた状態を示す。）を一定の高さから、所定の回数に亘つて落下さ世ても、基板の機能や零子機器の機能力低下せず、しかも電子部品が基板から脱容しないような、落下試験に対する信車夏性の更なる向上が望まれている。

また、携帯用電子機器に用いられる基板自体の厚みをさらに薄くすることがめられている Λ 、実装基板を構成する各層の絶縁層の厚みは、 l O O jti m以下あり、多層化しても実装基板自体の^:体としての厚みは、従来よりも薄いものカ要求されている。そのために、実装基板自体の剛性が低 IFしゃすくなる。

また、基板自体の剛性が低下するナこめに、反りなどに対する耐性も低下しやすくなリ、その結果、基板の平坦性が摄なわれやすくなリ、後工程（例えば、部品実装工程）にいて、不具合が発生しやすくなる。

さらに、絶縁層の厚みが薄いので、実装基板自体も軟らかく、反りやすくなるために、外部 7b、らの衝撃などで発生した応力の影響を受【寸やすくなる。例えば、積層する際に中心となる絶縁基板の厚みを 6 0 0 ju m以上にして剛性を高くすることが検討されているが、携帯電子機などの筐体に収まらないことがあるため、中心となる絶縁基板の厚みを大きくするという技術を用し、ることができないというジレンマがる。したがって、上述したような従来実装用多層回路基板では、積層中心とな絶縁基板を厚くして剛性を高めることができないので、信頼性試験における落" 試験に対して、基板の機能や起動を向上させることが難しかった。特に、前述ように部品等の実装密度を高めた実装基板において、信鎮性や、落下試験に対する耐落下性を向上させることが難し力、つた。即ち、信頼'注試験では十分な信頼を得ることができないため、電気接翁性や信頼性などを^;リー層向上させることができないのである。

そこで、本勞明は、信頼性試験に ¾する信頼性を向上させて、電気的接続性や機能性をより確保させ、特に、落下試験に対する信頼性をより向上させること:^ できる多層プりント配線板について提案する。発明の開示

本発明者ら【ま、上記目的の実現のために銳惫研究を重ねた結果、多層回路基ネ反における導体回路同士の電気的接続を行うバイァホールの形状および積層形態に注目し、パイァホールを、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの一方の絶縁層およびその絶縁層から内側に向かって配設された他の絶縁層に形成された第 1 のビア群と、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの他方の絶縁層およびその絶縁層から内側に向かって配設さ札た他の絶縁層に形成された第 2のビア群とに分け、これらの対向する位置関係に穩層された各ビア群に属するバイァホールを、それらが設けられた絶縁基板の表面あるいはその絶縁基板に設けた導体回路表面に対してテ一パをなすような形^に形成した場合に、実装基板を構成する縁基板を薄くしても、その実装基板剛性の低下や、反りの発生等を招くこと力なし、ということを知見し、そのような知見に基づいて、以" Tのような内容を要構成とする本発明を完成した。

すなわち、本発明は、

( 1 ) 絶縁層と導体層とが交互に檁層され、導体層同士力絶縁層に設けたバァホールを介して電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、

前記バイ了ホールは、最も外側 I二位置する 2つの絶縁層のうちの一方の絶緣層から内側に積層された少なくとも 1 層の絶縁層に設けた z ィァホールからな ¾第 1のビア群と、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの他方絶縁層から！ ¾側に積層された少なくとも 1層の絶縁層に設けたバイァホールからなる箄 2のピア群とから構成され、

前記第 1のビア群および第 2のビア群を構成するバイァホールは、絶縁層厚み方向に向かうにつれて縮径するような形状に形成され、かつ、前記絶縁層厚みは、 1 0 0 // m以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。

まだ、本発明は、

( 2 ) 導体回路を有する一の絶縁基板の両面に、導体回路を有する他の絶縁基板が少なくとも 1層以上積層され、前記一の絶縁基板に設けた導体回路と他の絶縁基板に設けた導体回路とが、絶縁基板に設けたバイァホールを介して電気 ½に接続されてなる多層プリント配線板において、

前記一の絶縁基板の一方の表面に積層された前記他の絶縁基板に設けたバイァホールは、絶縁基板の表面あるし、はその表面上に設けた導体回路の表面に対してテ一パをなすような形状に形成される第 1のビア群を精成すると共に、前記一の絶縁基板の他方の表面に積層された前記他の絶縁基板に設けたバイァホール I 、絶縁基板の表面あるいはその表面上に設けた導体回路 CO表面に対してテーパをなすような形状に形成される第 2のビア群を構成し、かつ、前記絶縁基板の厚み ( 、 1 0 0 rj!以下であることを特徵とする多層プリント酉己線板である。

また、本発明は、

( 3 ) 導体回路を有する内層の絶縁基板の両面に、導体回路を有する外層の絶縁基板；少なくとも 1層以上積層され、前記内層の絶凝基板に設けた導体回路と外層の絶縁基板に設けた導体回路とが、各絶縁基板に ISけたバイァホールをして電気的に接続されてなる多層:^リント配線板において、

前記内層の絶縁基板の一方の寒面に積層された前記^層の絶縁華板に設けたパィァホールは、絶縁基板の表面あるいはその表面上に彀けた導体回路の表面に対してテ一パをなすような形状に形成される第 1のビア群を構成すると共に、前記内層の絶縁基板の他方の表面に積層された前記外層の滟縁基板に設けたパイ了ホールは、絶縁基板の表面あるい ίまその表面上に設けた導体回路の表面に対し" テ —パをなすような形状に形成される第 2のビア群を構威し、かつ、前記内層 D絶縁基板または外層の絶縁基板の厚みは、 1 O O jW 以下であることを特徵とする多層プリント配線板である。

さらに、本発明は、

( 4 ) 絶縁層と導体層と 7 ^交互に積層され、導体層同士が絶縁層に設けナニバイァホ一ルを介して電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、

前言 S絶縁層は、少なくと 3層であり、かつ、前言己絶縁層の厚みは、 1 ひ 0 m 以下であり、

前記パイァホールは、第 1のビア群と第 2のビ群からなり、

前記第 1のビア群は、条色縁層の厚み方向に対して、かつ、多層プリン卜配線板の内側に向かって、 2段以上のスタックビアからなバイァホールから形 J¾され、前記第 2のビア群は、糸色縁層の厚み方向に対して、第 1のビア群と逆： ¾"向に、縮径するようなテ一パ形状を有してなるバイァホールから形成される多層プリン卜酉己線板である。

上記本発明においては、絶縁層または絶縁基板の厚さは、 5 0〃1 1以1^とすることができる。

また、本発明においては、前記第 1のビア群は、前記第 2のビア群と対向するような位置関係で積層さて、多段スタックビア耩造を形成することができる。また、前記第 2のビア群に対して絶縁層または絶縁基板の厚み方向にほぽ直交する方向にシフトされた位雷関係で積層することができる。

また、前記第 1のビア群または前記第 2のビア群を形成する各バイァホールは、互いにほぼ同一直線上にィ立置するように積層することができる。また、互いに絶縁層または絶縁基板の厚み方向にほぼ直交する方向にシフ卜された位置関係で積層することができる。

また、前記第 1のビア群または第 2のビア群のいずれか一方のビア群を構成するメィァホールは、前記爺縁基板上の仮想正方格子の対向する 2つの頂点に位置し、他方のビア群を構成するバイァホールは、前記絶縁基板上の仮想正方格子の対向する他の 2つの頂点に位置するように構成することができる。

また、前記第 1のビア群または第 2のビア群のし、ずれか一方のビア群を構成するノィァホールは、前記滟縁基板上の仮想正方格子あるいは三角格子の各頂点に位置し、他方のビア群を構成するバイァホールは、前記絶縁基板上 < 仮想正方格子あるいは三角格子の中心に位置するように構成することができる。

また、前記第 1のビア群または第 2のビア群のいずれか一方のビア群を構成するバイァホールは、前記絶縁基板の所定領城に集中配置され、他方 < ビア群を構成するバイァホ一レは、絶縁基板の前記所定領域を囲んだ周辺領域に配置されることができる。

また、前記各パイァホールは、それが形威されている絶縁層または絶縁基板の表面に対して、あるいはその表面上に設け："こ導体回路の表面に対して、内角で 6 0 - 9 0度の亍一, を有するような形状に形成することができる。

また、前記各パイァホールは、絶縁層まプこは絶縁基板に形成した開口内にめつきを充填することによって形成することができる。

さらに、前記第 1 ビア群および第 2ビア群を構成するバイァホールは、多段スタックビア構造を形成することができる。

本発明によれば、積層中心となる絶縁層およびその一方の表面 JJに積層される絶縁層に設けた第 1のビア群と、積層中心となる絶縁層の他方の表面側に積層される絶縁層に設けナ：:第 2のビア群とが対向酉己置されてなる多段スタックビア構造を構成すると共に、各ビア群に属するパイァホールが、厚み方向に向かうにつれて縮径するような于一パ形状、即ち、絶緣層の表面あるいはその表面上に設けた導体回路の表面にしてテーパをなすような形状に形成されていらので、積層される絶縁層あるいは絶縁基板の厚さが 1 0 O m以下の薄い層でつても、外部からの発生した外都応力（落下した際に^生した衝撃力などを指す）に対して、絶縁層あるいは絶録基板の反りを抑えることができる。

その結果、外音応力を抑制できるので、導体回路のクラックや折線などの発生を抑制し、実装基板の信頼性ゃ耐落下性 O低下を軽減することができるという効果を得ることができる。

すなわち、外郜応力を受けて絶縁層が側に反る場合には、多 ®スタックビアが絶縁層に食いむように嵌合するので、絶縁樹脂と多段スタックビアをなす導体層とが剥れにくくなる。その結果、実基板の信頼性ゃ耐落下性の低下を軽減すること力できる。また、外部応力を受けて絶縁層が内側に反る場合には、多^スタックビアが杭の役目を果たすことになり、絶縁層の反を抑制することがでぎる。そのために、絶縁層に伝わる外 ¾P応力を小さくすることができ、その結果、実装基板の信頼性ゃ耐落下性の低下を軽減することがでぎる。

また、多段スタックビアが絶縁層内咅 Pに形成されているたぬに、絶縁層の反りに対しても、杭の役目を果たすことになリ、絶縁層を反りにくくさせることができる。それ故に、基板の平坦性が損なわれることがないので、ヒートサイクル条件下などの信頼性試験を行っても、導体回路（含むバイァホール）や絶縁層でクラック等が早期に^!生することがなく、実装基板の信頼性が低することがない。特に、絶縁層まプこは絶縁基板の厚み¾ 1 0 0 m以下であ、そのような絶縁層あるいは絶縁基ネ反に導体回路を設け、それらを多層化して実装基板を形成する場合に、実装基板反りを抑制できる点で有用である。

さらに、絶縁層または絶縁基板の厚みが 5 0 ju m以下でぁリ、そのような絶縁層に導体回路を設け、それらを多層化して実装基板を形成する場合にも有用である。実装基板の信頼性ゃ耐落下性が確保することができるも (Oと推定される。また、多段スタックビア（第 1のビア群と第 2のビア群） Λ 対向した位置に形成されることによリ、絶縁層の外側方向と内側方向の両方の反りに対して、効果を発揮すること力できる。即ち、外部応力により絶縁層が反った場合、外側方向および内側方向への反りに対して、多段スタックビアの存在 Iこより、外部応力に対する耐性が低" Fしない。その結果、実装基板の信頼性ゃ耐落下性の低下を軽減することができる。

また、多段スタックビアが対向する位置に形成されることにより、そのような領域では絶縁基板自体の剛性が高められる。した力つて、実装基板の反り自体を低減することができ、後工程（例えば、ソルダーレジスト形成ェ、平田層形成工程、電子部品などの実装工程など）においても、実装基板の平坦性が保持され、実装部品の脱落などの不利益を生じることがない。その結果、実装基板の電気接続性や信頼性が著しく低下することを軽減できる。図面の簡単な説曰月図 1は、本明の多層プリント配線板におけるバイァホールのテーパ形状を説明するための概略図である。

図 2 Aは、本発明の多層プリン卜酉己線板における多段スタックビアの基本形態の一つを示す概略図、図 2 Bは、その多段スタックビアを有する基板の断面を示す S EM写真である。

図 3 Aは、多段スタックビアの変例を示す概略図、図 3 Bは、その基板の断面を示す SEM写真、図 3 Cは、多设スタックビアの他の変形例を示す概略図、図 3 Dは、その基板の断面を示す S EM写真である。

図 4は、本明の多層プリント配線板における多段スタックビアの他の基本形態を示す概略図である。

図 5 A~5 Cは、多段スタックビアを構成するパイァ一ルの平面的な配置パタ一ン例を示す概略図である。

図 6は、多段スタックビアを構成するバイァホールの平面的な配置パターンの他の例（三角格子状配列）を示す概略図である。

図 7は、多段スタックビアを構成するパイァホールの面的な配置パターンのさらに他の例（直線状配列）を示す概略図である。

図 8 A~8巳は、多段スタックビアを構成するバイァールの平面的な配置パターンのさら ί二他の例（集中配列、分散配列）を示す概 US図である。

図 9A~9 Eは、本発明の実施例 1 にかかる多層プ Kント配線板を製造するェ程の一部を示す図である。

図 1 ΟΑ~ Ί Ο Εは、本発明の実施例 1にかかる多層プリント配線板を製造する工程の一部を示す図である。

図 1 1は、本発明の実施例 1にか 7b、る多層プリント配線板を製造する工程の一部を示す図で ¾>る。

図 1 2Α~ Ί 2 Bは、本発明の実施例 1にかかる多層プリント配線板を製造する工程の一部を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

本発明の多環プリン卜配線板は、絶縁層を介して積層された導体層同士を電気的に接続するノィァホールが、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの一方の 2006/314011

絶縁層から ¾側に積層された少、なくとも 1層の絶縁層に設けたパイァホ一リレからなる第 1のビア群と、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの他方の絶緣層から内側に積屨された少なくとも 1層の絶縁層に設けた/ ィァホールからな ¾第 2 のビア群と力、ら構成され、第 1 のビア群および第 2のビア群を構成するバ^ f ァホールは、絶縁層の厚み方向に向かうにつれて縮径するような形状に形成さ、かつ、前記絶凝層の厚みは、 1 O O ju m以下であることを特徴とする多層プント配線板である。

すなわち、導体層と絶縁層と力交互に積層されてなる積層体としての多層ブリント配線板において、最も外俱 IJに位置する 2つの絶縁層のうちの一方の絶縁層から内側に積 Λされた少なくとも 1層の絶縁層に設けた,くィァホール（第 1 (Οビア群）と、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの他方の絶縁層から内側に積層された少なぐとも 1層の絶縁層に設けたバイァホール（第 2のビア群）と、対向位置された多段スタックビアを構成し、その多段スタックビアを構成するパイァホール、絶縁層の表面まはその表面上に設けた導体回路の表面に対してテーパをなすような形状に形成され、かつ、各絶縁基板 CO厚みが 1 0 0 ;U m以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。

本発明において用いられる絶縁層あるいは絶縁基板としては、たとえば、ガラス布ェポ ip^ン樹脂基材、フ Xノール樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基林、ガラス布ポリフエ二レンエーテル樹脂基、ァラ.ミド不織布ーェポキシ樹脂基材、ァラミド不織布一ポリイミド樹脂基材などから選ばれる硬質な積層基材が挙げられる。このよラな絶縁樹脂からなる基ネ反の厚みは、 l O O i m以下であることが望ましし、。また、絶縁樹脂からなる墓板の厚みは、以下であってもよい。

このような絶縁層あるいは絶縁基板の片面または雨面に導体回路を形成した回路基板を積層中心として、その回路基板の表面に絶緣層と導体層とを交互に積層することにより、多層化したブリント配線板（実装基板）が得られる。まナこ、このような実装基板におけるすべての絶縁層または絶緣基板の厚みを 1 0 0 m以下にすることによって、多層ィ匕した実装基板自体のみを薄くすることができるのである。また、本発明において、絶縁基板に設けられる寧体回路と、第.1およ ^第 2のビア群をそれぞれ構成するパイァホール（多段スタックビア）が共に、わつき処理を用し、て形成されることが望ましい。その理由 lfc、第 1のビア群また 1*：第 2のビア群をそれぞれ構成するパイァホールと、そのノィァホールの上面おび下面でそれぞれ接触する導体回路との接続部分が、同一のめっき処理によるわつき膜から形虎されると、剥れが生じにくいし、側面から外部応力を受けてもズレが生じること力ないので、クラッゥ等が、発生しにくいナ二めである。

前記/ ィァホール形成に用いられるめっき膜は、電解めつきあるいは無電解めつき処理によって形成され、用いられる金属とし匸は、銅、ニッケル、鉄、コバルトなどの金属単体であってよく、これらの金属を主とする合金であってもよい。

本発明における多段スタックビアは、図 1に示すように、ビアが形成された絶縁層の厚み方向に向かうにつれて縮径するような状、あるいは絶縁基板の表面またはその表面上に設けた蓐体回路の表面に対してテーパをなすような形状、あるいは、積層された絶縁基板の内側から外側に向、うにつれて裾広がりとなるようなテ一パを有する形状に成される。

たとば、代表的には、上面が底面よりも面積広いほぼ円錐台形に形成されること 7ί»望まし絶縁基板の厚み方向への断面形状（ほぼ台形）におけるテーパの内角が 6 0〜 9 0度の |g囲内であることが望ましい。

その理由は、テ一パ角度力 9 0度以上では、多段スタックビアにおけるアンカ —効果 7¾相殺されてしまうことがある。つまり、外部応力を受けた基板力外側に反る場合における多段スタックビアが絶縁層あるし、は絶縁基板に対して、嵌合しにくくなることもあり、絶縁樹脂と導体層との剥れを引き起こしてしまうことがぁリ、その結果として、絶縁基枳の信頼性ゃ耐落" F性の低下を招いてしまうことがある。一方、 6 0度未満では、多段スタックビフにおける反り抑制が下してしまうことがある。つまり、外部応力を受けた基板が内側に反った場合における杭としての役目が低下してしまう、つまり、反りの抑制を行なうことができない。そのために、絶縁基板の信頼性ゃ耐落下性の低下 ¾招いてしまうことがある。 ΙίΓ記多段スタックビア Iこおける底面側のビア怪（以下、「ビア底径」という）は、少なくとも直径で 1 0〃rnあればよい。その理白としては、ビア形虎はめつき処理 ίこより行われ、そのめつき膜の形成には、ビ: Τ底径として少なくとも 1 0〃m が必、要である。それによつて、上層の導体層（層の導体回路およビア）と下層導体回路との間の電気的な接続を行うこと力できるのである。

本発明における多段スタックビアでは、より側にあるバイァホール（上層のパイァホール）の底面と、より内側にあるパイホール（下層のパアホール）の底面とが同一位置で重なるように形成することが好ましい。即ち、図 2 A ~ 2 Β ίこ示すように、第 1ビア群または第 2ビア群それぞれ構成する複数のバイァホールにおいて、各バイァホール同士がほぼ同一の直線上にあるよラに形成することができる。

また、上層のパイァホールの底面と下層のバイァホールの底面と、その一部にいてでも重なりがあれば、信頼性ゃ耐落下性を低下させにくくするといぅテ一/ 形状付与による機能機能を果たすことができるので、第 1ビア群または第 2 ビア群をそれぞれ構成する複数のバイァホールにおいて、各バイァホール同士が互いに絶縁層の厚み方向にほぼ直交する方向にシフ卜された位置に、かつそれらの/ヾィァホールの底面が、絶縁基板の厚み方向 ί二おいて少なくとも一部で重なるよラな位置に積層することができる。

例えば、図 3 Α ~ 3 Β ίこ示すように、第 1ビア群または第 2ビア群をそれぞれ構成する複数のバイァホールを、バイァホールの約 1 / 2だけ互いにシフ卜した位置に積層することがでさる。また、図 3 C〜； 3 Dに示すように、第 1 ビア群または第 2ビア群をそれぞれ構成する複数のバイァホールを、ほぼバイァホール径だけ互いにシフトした位置に積層することもできる。

このようなテ一パ形状付与による機能は、通常のプリント配線して用いる場合にも、十分に効果を^!揮することができる。

また、本発明における多段スタックビアを構域する第 1のビア群または第 2のビア群は、少なくとも 2層以上の絶縁基板を設【ナ、それらの絶縁基ネ反に設けたバィ 7ホールを積層させることにより形成されることが好ましい。即ち、 3層、 4 層、あるいはそれ以上のバイァホールを積層させて第 1のビア群まプ：:は第 2のビァ群を構成してもよい。

それぞれのスタックビア、即ち、第 1のビア群および第 2のビア群は、同一の積層数（例えば、第 1のビア群： 3層、第 2のビア群： 3層）であつてもよいし、異なる積層数（例えば、第 1のビア群： 2層、第 2のビア群： 3層）であってもよし、。基本的には、多段スタックビアを構成する第 1のビア群と第 2のビア群とを対向する位置関係に形成させることにより、実装基板の電気接德性ゃ信頼性を著しく低下させること力ないという効果を奏することができる。

本発明における多段スタックビアは、電気的な接続を有してい導体層であつてもよいが、電気的な接続がない導体層、いゆるダミーの導体層であってもよし、。多段スタックビア力《ダミーの導体層から形成される場合には、ダミー以外の導体層（ダミー導体層周辺に存在する導体層や対向する多段スダックビアなどで電気的な接続を有する導体層を指す）の信^!性ゃ耐落下性が低することがなく、しかも実装基板の及りを低減できるので、実装基板の平坦性確保することができる。

また、本発明における多段スタックビアを精成する第 1のビア詳および第 2のピア群は、図 2 A〜2 Bに示すように、各絶縁基板の導体回路が fl 成されている領域内で、ほぼ同一位置（同一直線上にある）に配置されるか、 ¾るいは、図 3 A〜3 Dに示すように、互いにシフトされた置関係を保った状 H (分散状態）に配置されることが望ましい。

たとえば、絶縁基板の全領域に亘つて第 1 ビア群およびまたは第 2のビア群を、均等に分散配列させることにより、外部力による反りに対する耐性を向上させることができる。

また、外部応力による反りの影響を最も受けやすい、主に絶縁基板の中央部分に第 1のビア群およまたは第 2のビア群を、集中的に配列させることにより、外部応力による反り ίこ対する耐性を向上させることができる。

また、絶縁基板の中央部には配列させないで、主に絶縁基板の Φ央部を囲んだ周辺部に第 1のビア群およびまたは第 2のビア群を配列させることもできる。このような配列により基板の反リに対する耐性を向上させて、実装基板の平坦性を確保し、外部応力に^ fする耐性を持たせることができる。さらに、主に絶緣基板の中央部分におし、ては、第 1のビア群よび第 2のビア群を対向配置させ、周辺部においては、第"！のビア群および第 2のビア群を互いにシフ卜させた tfe態で配置することもできる。

前記多段スタックビアの平面的な配置/ ターンとしては、上したパターン以外には、正方格子状（図 5 A ~ 5 C参照）、三角格子状（図 6参照）、一直線状（図 7参照）などの種々のパターンが挙げられる。

前記正方格子配置の場合には、例え Iま、図 5 Aに示されたような仮想の正方マトリックス状に規則性を持って、第 1のビア群と第 2のビア群を配置させてたリ、図 5 Bに示されたような仮想のマトリックス状に第 1のビア群を配置させて、そのマトリック又の中間部部分に対向する第 2のビア群を配置させたり、図 5 C に示されたような千鳥状の仮想のマトリックス状に規則性を持って、第 1のビア群と第 2のビア詳を配置させることなどが、挙げられる。

また、前記三角格子状配置の場合には、例えば、図 6に示れたような仮想の三角形状に第 1のビア群を配置させて、三角形の中心部分付近もしくは重心に対向する第 2のビア群を配置させるなどが挙【ザられる。

また、前記一直線状の配置の場合には、例えば、図 7に示さ？ Hたような仮想の一直線状に少なくとも 2つの第 1のビア群を配置させて、その值線の中心部分付近に対向する第 2のビア群を配置させるなどが挙げられる。

また、これらのパターンの 2種類以上を組み合わせたパターンにより多段スタックビアを構成することもできる。

さらに、本発明における多段スタックビアの他の配置パターンとしては、例えば、第 1のピア群が形成されていなし、領 *|¾に第 2のビア群を対向配置させることもできる。例えば、、第 1のビア群を平面^にはマトリックス状に配置させ、第 2 のビア群を第 1のビア群が形成されない令頁域にマトリックス状に配置させる、あるいは、第 1のビア群を主として基板中抉部に配置させ、第 2 < ビア群を基板周辺部に配置させる等のパターンが挙げら^ Iる（図 8 A参照)。

なお、図 5〜國 8においては、第 1のビア群は O印で示され、第 2のビア群は X印で示される力、このような配置と逆の配置であってもよい。ビア径の大きさは、第 1のビア辯と第 2のビア群で同じであってもよいし、それぞれ異なった径であってもよしゝ。

以下、本明にかかる多層プリン卜配線板を製造する方法 CD—例について、具体的に説明する。

( 1 ) 本紫明にかかる多層プリント配線板を製造するに当た.つて、それを構成する基本単位としての回路基板は、糸色縁性基材の片面もしくは雨面に銅箔が貼付けられたものを出発材料として用いることができる。

この絶縁' 基材は、たとえば、 ¾Γラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフエ二レンエーテル樹脂基材、ァラミド不織布—：^ポキシ樹脂基材、ァラミド不織布—ポリイミ樹脂基材から選ばれる硬質な積層基材が使用され、特に、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ましい。前記絶縁'性基材の厚さは、 1 0 0〃m以下であることが望ましく、さらに、 3 0 ~ 7 O jw mの範囲であることがより望ましし、。その理由 ifc、 1 0 0〃mを越える厚さでは、多層化した際に、基板自体の厚みが大きくなリ、筐体に収まることができないという懸念があるからである。

前記回路基板にレーザを用いて/ ィァホール形成用開口を形成させるには、レ一ザ照射により銅箔と絶縁基材を同時に穿孔するダイレクトレーザ法と、銅箔のバイァホーメレに該当する銅箔部分をエッチングにより除去した後、レーザ照射によリ絶縁基材に穿孔するコンフォ一マル法があるが、本発明ではそのどちらを用いてもよい。

前記絶縁性基材に貼付された銅结の厚さは、 5 ~ 2 0〃が望ましい。

その理由【ま、銅箔の厚さが 5 ju r~n未満では、後述するよラなレ一ザ加工を用いて、絶縁性基材にパイァホール形咸用開口を形成する際に、パイァホール位置に対応する銅 gの端面部分が変形することがあるため、所定状の導体回路を形成することが難しいからである。まナこ、エッチングにより微細な線幅の導体回路パターンを形威し難いからである。一方、銅箔の厚さが 2 O m超では、エツチングにより、微細な線幅の導体回路ノターンを形成し難いからである。

この銅箔は、ハーフエッチング (こよつてその厚みを調整してもよい。この場合、銅箔の厚みは、 '上記数値よりも大きいものを用い、エッチング後の銅箔の厚みが上記範囲となるように調整する。 4011

また、 HI路基板として両面鋼張積層板を用いる場合 l*、銅箔厚みが上記範囲 Ρ¾ であるが、両面でその厚みが異なっていてもよい。そ; f により、強度を確保したリして後: Q程を阻害しないようにすることができる。

前記絶縁性基材および銅箔としては、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させて Bステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスするこによリ得られる片面もしくは両面銅張積層板を用いることが好ましい。

その理おは、銅箔がエッチングされた後の製造工程で、配線パターンやバイァホールの位置がずれることなく、位置精度に優れるからである。

( 2 )次に、レーザ加工によつて絶縁性基材に/ ィァホール形成用開口を設ける o 回路基板の形成に片面銅張積層板を用いる場合には、銅箔が貼付けられた側と反対側の絶縁性基材表面に炭酸ガスレーザ照射を行って、絶縁性基材を貫通して、銅箔（あるいは導体回路パターン）に達する開口を形成する。

回路基板の形成に両面銅張積層板を用いる場合には、銅箔が貼付けられた絶録性基材の片方の表面に炭酸ガスレーザ照射を行って、銅箔と絶縁性基材の両方を貫通して、絶縁性基材の他方の表面に貼付した銅箔（&るいは導体回路パターン）に達する開口を形成する、あるいは、絶縁性基材に貼付された片方の銅箔表面に、バイァホール径よりもやや小さな径の孔をエッチングにより形成した後、その孔を照射マ一クとして炭酸ガスレーザ照射を行って、絶縁性基材を貫通して、縁性基材の他方の表面に貼付した銅箔（あるいは導体回路パターン）に達する陽口を形成する。

このよラなレーザ加工は、 ✓ ルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によって亍ゎれ、その力 Dェ条件は、バイァホール形成用開口の側壁；^絶縁性基材の表面に ¾1 "して、 6 0〜9 0度のテ一パをなすように決められる。

たとえ【ま、パルスエネルギ一が 0. 5〜1 O O m J、パルス幅が 1 ~ 1 0ひ / s、ノ《ルス間隔が 0. 5 m s J¾上、ショット数が 2〜 1 0の範囲内とすることによって、開口側壁のテーパ角度を調整することができる。

そして、前記加工条件のもとで形成され得るバイァ一ル形成用開口の口径 fま、 5 0〜2 5 0 ju mであること力望ましい。その範囲内では、テ一パを確実に开成すること:^できると^に、配織の高密度化を達成することができるからである。 ( 3 ) 前記（2 ) の工程で形成された開口の側壁および底壁に残留する封脂残滓を除去するためのデスミア理を行う。

こ CDデスミア処理は、酸あるいは酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸）の薬液処理等の湿式処理や酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レ一ザ処理またはエキシマレーザ処理等の乾式処理 Iこよって行われる。

これらのデスミァ処理方法からいずれの方法を選択するかは、絶縁基材の種類、厚み、パイァホールの開口径、レーザ照射条件どに応じて、残留が予想されるスミア量を考慮して選ばる。

( 4 ) 次に、デスミア処理した基板の銅箔面 Iこ対して、銅箔をめつきリードとする電解銅めつき処理を施して、開口内に電解 i同めつきを完全に充填してなるバィァホール（フィルドビア）形成する。

なお、場合によっては電解銅めつき処理の後、基板のバイァホール鬧口の上部に盛り上がった電解銅めつきを、ベルトサンダー研磨、ノくフ研磨、エッチング等によつて除去して平坦化してもよい。

また、無電解めつき処理を施した後、電解銅めつき処理を施してもい。この場台には、無電解めつき膜は、銅、ニッケル、銀等の金属を用いてもい。

( 5 ) 次いで、前記（4 ) において基上に形成された電解銅めつき膜上に、ェツチングレジスト層を形成する。エッチングレジスト層は、レジスト;夜を塗布する方法あるいは予めフイノレム状にしたものを貼付する方法のいずれの方法でもよし、。このレジスト層上に予め回路が描画されたマスクを載置して、露、現像処理することによってエッチングレジスト層を形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、導体回路およびランドを含んだ導体回路パターン形成する。 .

このエッチング液としては、硫酸—過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも 1種の水溶液が望ましい。

前記銅箔および電解銅めつき膜をエッチングして導体回路を形成する前処理として、ファインパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、電解銅めつき膜の表面全面をエッチングすることによって厚さ調整してもよい。

導体回路の一部としてのランドは、その内径バイァホール口径と ί ぼ同様であか、その外径をパイァホ一ル径よりも大きくし、ランド径を 7 5 ~ 3 5 O jU m 範囲に形成することが好ましい。その理は、ランド径を前記範囲内にすることにより、ビアの位置がシフトしたとしても、多段スタックビアとしての役目を果たすことが出来るからである。

前記（1 ) ~ ( 5 )の工程にしたがって作製された回路基板を積層中心として、そ C 片面または両面に、絶縁樹脂層と銅箔とを積層させる。これにより、絶縁樹脂層が 1層または 2層だけ多層化した基板とる。

そして、前記（2 ) 〜 ( 5 ) と同様の工程により、積層化した絶縁樹脂層に、パイァホールおよび導体回路を形成させ、さらに、絶縁樹脂層と銅箱とを積層させて、前記（2 ) 〜（5 ) と同様の工程を繰レリ返し行うことにより、更に多層化したプリン卜配線板を得ることができる。

述した方法は、絶緣樹脂層の積層を逐次積層することにより絶縁樹脂層の多層ィ匕が行われるが、必要に応じて、絶縁樹脂層の積層を、絶縁樹脂層が 1単位の回路基板を 2層以上に積層し、一括で加熱圧着して多層プリント配線板として形成してもよい。

このような工程にょリ形成した多層プリン卜配線板においては、 «層される各回路基板または各絶縁樹脂層に形成されるバイァホールは、そのバイァホールが胗成される回路基板の表面または絶縁樹脂層の表面に対して内角で 6 0〜9 0度の亍ーパが付与されている。そして、積層中 'Oとなる回路基板を含んだ少なくとも 1層の絶縁樹脂層に开多成されるバイァホーノレは、第 1のビア群を精成し、第 1 のビア群を構成する絶縁樹脂層に対向して配置、積層される少なくとも 1層の他の絶縁樹脂層に形成されたパイァホールは、第 2のビア群を構成している。これらの第 1 ビア群および第 2ビア群により多段スタックビアが構成さ:^、各ビア群 l*、パイァホールが形成される絶縁樹脂層の表面に対して内角で 6 O〜9 0度の -—ノが付与されている。

( 6 ) 次に、最も外俱 I』の回路基板の表面にソルダーレジスト層をそれぞれ形成する。この場合、回路基板の外表面全体にソレダ一レジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾燥した後、この塗膜に、半田パッドの開口部を描画したフォトマスクフィルムを載置して ft光、現像処理すること【こより、導体回路のバイァホール直上に位置する導電性ぺッド部分を露出させた半田パッド開口をそれぞれ形成する。この場合、ソルダーレジスト層をドライフイルムかしたものを貼付けて、露光 - 現像もしくはレーザ (こより開口を形成させてもよい。

フォトマスクが形虎されていない部分カヽら露出した半田パッ上に、ニッケル —金などの耐食層を成する。このとき、ニッケル層の厚みは、 1〜7jumが望ましく、金層の厚みは 0. 01 ~0. 1 mが望ましい。これらの金属以外にも、ニッケル一パラジウ一金、金（単層)、齦（単層）等を形成してもよい。

前記耐食層を形成した後に、マスク層を剥離する。これにより、耐食層を形成された半田パッドと耐食層が形成されてし、ない半田パッドとが混在するプリン卜配線板となる。

(7) 前記（6) の工程で得られたソノレダ一レジストの開口からパイァホール直上に露出した半田/ ジド部分に、半田体を供給し、この半田の溶融'固化によって半田バンプを ff$成し、あるいは導電性ポールまたは導電' ピンを導電性接着剤もしくは半田層を用いてパッド部に接合して、多層回路基板が形成される。前記半田体および田層の供給方法としては、半田転写法や E[l刷法を用いることができる。

ここで、半田転写去は、プリプレダに^ 田箔を貼り合わせ、この半田箔を開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングすることにより、田パターンを形成して半田キャリアフィルムとし、この田キャリアフィルムを、基板のソルダ —レジスト開口部分にフラックスを塗布した後、半田パターン力パッドに接触するように積層し、これを加熱して転写する方法である。

一方、印刷法は、 / ッドに相当する箇所に開口を設けた印刷アスク（メタルマスク）を基板に載置し、半田ペース卜を印刷して加熱処理する方法である。このような半田バンプを成する半田として ( 、 SnZAg半田、 S nZ l n半田、 SnZZn半田、 S η ZB i半田などが使用でき、それらの融; ^は、積層される各回路基板間を接続する導電性バンプの融点よリも低いことが望ましい。

(実施例 1 )

(1 ) まず、多層リント配線板を構成する一つの単位とし匸の回路基板を製作する。この回路基板は積層されるべき複数の絶縁層のうち積層中心となるべき基板であり、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させて Bスラージとしたプリプレグと銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる兩面銅張積層板 10 を出発材料として用いる（図 9 A参照）。

前記絶縁性基材 1 2の厚さは 60// 、銅箔 1 4の厚さは 1 2 mであった。この積層板の銅箔を 1 2 mよりも厚し、ものを用いて、エツラング処理により、銅箔の厚みを 1 2 /mに調整してもよし、。

(2) 銅箔 1 4を有する両面回路基板 1 0に、炭酸ガスレーザ照射を行って、銅箔 1 4および絶縁性基材 1 2を貫通して、反対面の銅箔に至るバイァホール形成用開口 1 6を成し、その後、レーザ加工により形成した園口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア処理した（図 9B参照)。

なお、この実施例においては、パイァホール形成用の開口 "！ 6の形成には、日立ビア社製の高ピーク短パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、厚みが 1 2 μ mの銅箔が貝付された厚み 60 μ のガラス布エポキシ樹脂基材に対して、以下のような加:！:条件にて銅箔上にダイレク卜にレーザビーム照射を行って、 7 5 m øの開口 1 6を 1 00穴/秒のスピ一ドで形成した。

このような条牛で形成した開口 1 6は、開口内壁が絶縁性基材 1 2の表面に対して 65度のテ一パ角度（内角）を有するほぼ円錐台形であった。

(レーザ加工条牛）

パルスエネルギー： 0. 5~ 1 OOmJ

パルス幅： 1〜 1 00 s

パルス間隔： 0. 5ms J¾上

ショット数： 2

発振周波数： 2000〜 3000H z

(3) デスミア処理を終えたバイァホール形成用開口 1 6を設けた側の銅箔 1 4表面に、以下のような条件で、銅箔をめつきリードとする電解銅めつき処理を施し、電解銅めつき膜を形成した（図 9C参照)。

〔電解めつき液〕

硫酸 2. 24 mo I / I 硫酸銅 O . 2 6 m o I / I

添加剤 A (反応促進剤） 1 0. O m I / I

添加剤 B (反応抑制剤） 1 0. O m I I

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 AZ d m²

時間 6 5 分

温度 2 2 2 °C

添加剤 Aによリバィァホール形成用開口内の電解銅めつき膜の形成が促進され、逆に添加剤 Bによリ主として銅箔部分に付着されて、電解銅めつき膜の形成カ抑制される。まナ二、バイァホール形成用開口内が電解銅めつきで完全に充填されて、銅箔 1 4とほ ίま同一のレベルになると、添加剤 Βが付着されるので、銅箔部分と同様に電解銅めつき膜の形成が抑制される。

これにより、開口 1 6内に電解銅めつきが充填されてなるバイァホール 2 Ο ώ《形成され、そのバイァホール 2 0の表面と銅箔面とがほぼ同一レベルに形成される。

また、銅箔 1 4および電解銅めつさ膜からなる導体層を:^ツチングによって、厚みを調整してもよい。必要に応じて、サンダーベルト研磨およびパフ研磨の物理的方法によって導体層の厚みを調整してもよい。

( 4 ) 前記（3 ) の工程により得られた基板の両面に対して、銅箔 1 4および電解銅めつき膜からなる導体層上に、感光性ドライフィルムからなるレジストを

1 5〜2 0 rnの厚みに形成した。このレジスト上にバイァホールのランドを含んだ導体回路力描画されたマスクを載置して、露光■現像処理して、エッチングレジスト層 2 2を形成した（図 9 D参照）。そして、エッチングレジスト非形成から露出する達同箔 1 4および電解銅めつき膜に対して、過酸化水素フ KZ硫酸からなるエッチンク'液を用いたエッチング処理を施して、溶解、除去させた。

( 5 ) その後、エッチングレジスト層 2 2をアルカリ液を用いて剥離させ、バイァホールランドを含む導体回路のパターン 2 4が形成される。これにより、基极の表面と裏面 CO導体回路を電気的に接続するバイァホール 2 0が形成され、そ C バイァホール 2 0と導体回路 2 4を形成する銅箔部分とが平坦化されてなる回路基板が得られる（図 9 E参照)。

(6) 前記（1 ) ~ (5) の工程を経て得られた回路基板の表面および裏面に対して、エポキシ樹脂をガラスク Dスに含潰させて Bステージとした厚み 6 0 μ mのププレダと、厚み 1 2jum<20銅箔とを重ね合わせ、これらを温度： 80 〜

250°0、圧カ： 1. 0〜5. 0 k g f Zcm²のプレ条件のもとで加熱プレスすることによって、回路基板上【こ、厚み 60 mの樹 B旨絶縁層 26およびみ 1 2 μ の導体層 28を積層した（図 1 0 A参照）。

(7) ；欠いで、前記（2) の工程とほぼ同様に、以下のような加工条件にて、基板の両面に対して炭酸ガスレーザ照射を行って、樹脂絶縁層 26および導体層 2 8を貫通して下層の導体回路 24【こ達する 65 m0の/ ィァホール形成用鬧ロ

30を1 00穴 Z秒のスピードで形成し、その後、レーザ加工により形成しナこ開口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア処理し ^ (図 1 O B参照)。

なお、このような条件で形成しナこ開口 30は、開口内壁が樹脂絶縁層 26 O表面に対して 65度のテ一パ角度（角）を有するほぼ円雜台形であった。

(レーザ加工条件）

パルス; ネルギ一： 0. 5〜1 00mJ

パルス幅： 1 ~ 1 O O U s

パルス間隔： 0. 5 ms以上 ,

ショッ卜数： 2

発振周波数： 20 O O〜 3000 H z

(8) 前記（3) の工程とほぼ同様にして、デスミア処理を終えたバイァ τΚ— ル形成用開口側の導体層 28に、以下のような条件で電餱銅めつき処理を施して、電解銅めつき膜 32を形成した（図 1 OC参照)。

〔電解めつき液〕

硫酸 2. 24 mo I Ί

硫酸銅 0. 26 mo I / I

添加剤 A (反応促進剤） 1 O . 0 m I Z.I

添加剤 B (反応抑制剤） 1 0 - 0 m I I

〔電解めつき条件〕電流密度 1 AZ d m²

時間 6 5 分

温度 2 2 ± 2 °C

これにより、開口 3 0内 ί二電解銅めつき 3 2が充されてなるバイァホール 3 4 形成され、そのバイァホ一ル 3 4の表面と銅箔西とがほぼ同一レベル ί二形成される。

( 9 ) 前記（4 ) の工程とほぼ同様にして、前記（8 ) で得た電解銅めつき上に、感光性ドライフィルム力、らなるレジストを 1 5 2 0 mの厚みで形 J¾した。このレジスト上に導体回路、バイァホール 3 4のランド等が描画されたマスクを載置し、第二位置決めマークをカメラで撮像し、基板の位置合わせを行い、露光■ 現像処理を行うことによって、.エッチングレジスト 3 6を形成した（図 1 O D その後、レジスト非形成咅 Pに、過酸化水素水/硫酸からなるエッチング液を用いたエッチング処理を施して、非形成部に該当する鋼めつき膜および銅箔を除去した。

( Ί 0 ) 次いで、エッチングレジスト層 3 6をアルカリ液によって剥離して、バィァホール 3 4およびそのランドを含む導体回路 3 8が形成される。これによリ、基板の表裏を接続するバイァホール 3 4と導体回路 3 8をなす銅箔部分と平坦化された回路基板が得られる（図"！ O E参照)。

さらに、前記（6 ) ~ ( Ί 0 ) の工程を繰り返すことにより、さらに 1層の樹脂絶縁層 4 0が形成され、その樹脂絶縁層 4 0に設けた開口内に電解銅めつきを充填してバイァホール 4 2力形成されると共にパイァホールランドを含む導体回路のパターン 4 4が形成さ; Hる。これによつて、雨面回路基板 1 0の両面 fこ対して、それぞれ 2層の絶縁層および導体回路が形成されてなる多層化たプりント配線板を得ることができる（図 1 1参照)。

すなわち、絶縁層数が 5、導体回路数が 6であるような多層プリント配泉板が形成され、両面回路基板およびその上方に積層さ;^た 2層の絶縁層に形成されたバイァホールは、絶縁層表面に対して 6 5度のテ一パをなすような円錐台形の第 1 Oビア群を構成し、両面 Θ路基板の下方に積層された 2層の絶縁層に形威されノくィァホールも、絶縁層表面に対して 65度のテーパをなすような円錐台形の第 2のビア群を構成し、それらのビア群は互いに対向配置されると共、ほぼ同 ―直線上にあるように積層された。

( 1 1 ) 前記（10) にて得た基板の最も外側に位置する 2つの絶縁層の表面 (こ、ソルダ一レジスト層 46を形成した。

まず、厚みが 20〜30〃mであるフィル厶化されたソルダーレジストを導体 HI路 38が形成された絶縁層の表面に貼付した。次いで、 70°0で20分間、 1 O 0°Cで 30分間の乾燥処理を行なった後、クロム層によってソルダ一レジスト開口部の円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ 5mmのソ一ダライムザラス基坂を、クロム層が形成された側をソルダ一レジス卜層 46に密着させて 1 00 Om JZcm²の紫外錄で露光し、 D N1 T G現像処理した。

さらに、 1 20°0で1 時間、 1 50°Gで 3時間の条件で加熱処理し、パッド部分に対応した開口 48 (開口径 200 m) を有する厚み 20/ mのソルダーレジスト層 46を形成し fこ（図 1 2 A参照)。

多層プリン卜配線板の最も外側に位置する絶縁層の表面に、ソルダ一レジスト層 46を形成する前に、必要に応じて、粗化層を設けることができる。

(1 2) 次に、ソルダーレジス卜層 46を形成した基板を、塩化二ゲル 30 S/1 , 次亜リン酸ナ卜リウム 1 0 g/1、クェン酸ナトリウム 10 から ¾：る p H = 5の無電解ニッケルめっき液に 2 0分間浸潰して、開口部 48から露出する導体回路 38の表面に厚さ 5 jumのニッケルめっき層を形成し:：:。

さらに、その基板を、シアン化金力リウ 2 gZl、塩化アンモ二"^ム 75 g /^1、クェン酸ナトリウム 50 gZl、次距リン酸ナトリウム 10^ノ1カ、らなる無電解金めつき液に 93。Cの条件で 23 ^間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ 0. 03 jumの金めつき層を形成し、ニッケルめっき層と金めつ層とからなる金属層に被覆されてなる導体パッド 5 Oを形成した。

(1 3) そして、ソレダーレジス卜層 4 S上にメタルマスクを載置して、融点 T 2力約 1 83°Cの S nZP b半田もしく Iま S n/A g/C uからなる半田べ一ストを印刷して、メタソレマスクを取り外した後、 1 83 °Cでリフローすることによリ、開口 4 8から露出する導体パッド 5 0上に半田層 5 2が形咸されてなる多層プリント配線板を开$成した（図 1 2 B参照）。

次いで、半田層 5 2が形成されていない領域には、主として、コンデンサ、抵抗等の電子部品を実装し、半田層 5 2力《形成されている領域に ίま、主として、キ —パッド等の外部端子を実装することによって、多層プリント酉己線板を製造した。 (実施例 2 )

前記両面回路基板の表面および裏面にそれぞれ積層された絶録層に形成された第 1のビア群およ第 2のビア群を構成する各バイァホールを、図 3 Αに示すように、互いにバイァホ一ル径の約 1 / 2の距離だけシフトした位置に形成した以外【ま、実施例 1とほぽ同様にして、多層ブリント配線板を製造しナこ。

(実施例 3 )

前記両面回路基才反およびその上方に »層された絶縁層に形成された第 1のビア群および両面回路基板の下方に積層された絶縁層に形成された第 2のビア群を構成する各パイァホールを、図 3 Bに示すように、互いにほぼバイァホ一ル径だけシフ卜した位置に形成した以外は、実施例 1とほぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 4 )

前記両面回路基板の上方に 2層の絶縁層を積層し、両面回路板の下方に 1層の絶縁層を積層して、絶縁層数が 4、導体回路数が 5であるような多層プリント配線板を形成した以外は、実施例 1とほぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 5 )

前記両面回路基板の上方に 2層の絶縁層を積層し、両面回路基板の下方に 1層の絶縁層を積層して、絶縁層数が 4、導体回路数が 5であるよう多層プリント配線板を形成した以外は、実施例 2と ίまぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 6 )

前記両面回路板の上方に 2層の絶緣層を積層して、両面回路基板の下方に 1 層の絶縁層を積層して、絶縁層数が 4、導体回路数が 5であるような多層プリン卜配線板を形威した以外は、実施例 3とほぼ同様にして、多層プリン卜配線板を製造した。

(実施例 7 )

前記両面回路基板およびその上方に積層された絶縁層に成された第 1のビア群を、図 4に示すように、両面回路基板の下方に積層され絶縁層に形成した第 2のビア群にして、互いにほぼバイァホール径だけ水平方向にシフ卜した位置関係で積層した以外は、実施例 1とほぼ同様にして、多層ブリント配線板を製造した。

(実施例 8 )

前記両面回路基板の上方に 2層の糸色縁層を積層して、両面回路基板の下方に 1 層の絶縁層を職層して、絶縁層数が 4、導体回路数が 5でるような多層プリント配線板を形成した以外は、実施例フとほぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 9 )

前記第 1のビア群を形成するパイァホールを、図 5 Bに示すように、絶縁基板上の仮想正方格子（格子間隔： 1 O rnm) の各頂点に位置し、他方のビア群を成するバイァホールを、前記仮想正:^格子の中心に位置するように積層した以は、実施例 4 とほぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 1 O )

前記第 1のビア群を形成するパイァホールを、図 6に示すように、前記絶縁基板上の仮想三角格子（格子間隔： 2 O mm) の各頂点に位置し、第 2のビア群を形成するパイァホールを、前記仮想三角格子の中心に位置して積層した以外は、実施例 4とぽぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 1 1 )

前記第 1のビア群を構成するパイァホールを、図 8 Aにすように、前記絶緣基板のほぼ中央部に位置して、 4 O mm x 4 O mmの領; 内に集中的に配置し、第 2のビア詳を構成するバイァホールを、前記中央部を囲んだ周辺領域 ( 4 0 m m x 4 O mrn) の中央領域の外側で、 7 O mm x 1 0 0 m の領域の内側）に IB 置した以外 (ま、実施例 4とほぼ同様にして、多層プリント MB線板を製造した。 (比較例 1 )

第 1のビア群を構成するバイァホールを形成したが、第 2のビア群を形成しなかった。これ以外は、実施例 1 とほぼ同様にして、多層プリント配線板を製遮した。

(比較例 2 )

第 1のビア群および第 2のビア群を構成するメァールを形成しなかつブこ。これ以外 ίま、実施例 1とほぼ同様にして、多層プリント配線板を製造した。上記実施例 1 〜 1 1および比較例 1 ~ 2にしたがって製造された多層プリント配線板について、 Α項目の評価試験を行い、それぞれ製造された多層プリント配線板を電子機器の筐体に収納 Lた後、 B項目および C頃目の評価試験を行つ： /"こ。それらの評価試験の結果は、表 Ίに示す。

Α · 基板負荷試験

基板の一端を固定した水平状態から、固定されていない他方を 3 c mほど特ち上げて基板を反らした後、水平状態に戻すという繰り返しを 3 0回行った。その後に、多段ビアに該当する特定回路の導通試験を行い、オープン（導体回路の断線）を確認するために、抵抗値 O変化量を測定し、抵 ¾ΐ変化率を算出して、その結果を表 1に示した。

なお、抵抗変化率- ((基板負^試験後の抵抗値-基キ反負荷試験前の抵抗値） / 基板負荷試験前の抵抗値）

Β . 信頼性試験

上記実施例 1 〜 1 1および比載例 1 〜 2で得られた多層プリント配線板 (^導通テストを行い、それぞれランダムに良品を 1 0個ずつ耳又り出した。その後、ヒートサイクソレ条件下（一 5 5°GZ 3分 1 3 0 °CZ3分 1サイクルとして、サイクル数を " 1 0 0 0回、 2 0 0 0 IU、 3 0 0 0回まで行し、、それぞれ 1 0 0ひ回毎に、 2時自然放置させた後に、導通試験を行い、導体回路の断線の有無を確認するために接続抵抗の変化量が 1 0 % ((ヒートサイクメレ後の接続抵抗値一 ¾□期値の接続抵抗値）ノ初期値の接続牴抗値）を越えたもの不良とみなして、の不良とみなされた数を表 1に示した。 C 落下試験

実装した液晶表示部を下向きにした状態で、基板が収納された筐体を 1 mの高さ、ら自然落下させた。そ < 落下回数を 50回、 1 00回、 1 50回行い、導体回路の導通を確認した。

なお、接続抵抗値の変化量が 5%以内では◦ (Go o d)、接続抵抗 fitの変化量が 1 0%以内では△ (A V e r a g e), 接続氐抗値の変化量が 1 0«¾越えでは (P o o r ) で示した。

(表 1 )

(参考例）

評価項目 Αの結果を元に、第 1のビア群と第 2のビア群を構威するバイァホ一ルのテ一パ角度（導体回路の表面に対して、内角を指す。）を 5 5度、 6 0度、 7 0度、 7 5度、 8 0度、 8 5度、 9 0度よび 9 5度と、計 8禾重類の異なる角度のものを作製したとして、，シミュレートを行った。これらの基板に対して、各実施例と比較例とで評価した項目 A . と同様の基板負荷試験を⁵ O回行ったものとして、接続抵抗の変ィヒ量をシミュレートし、抵抗変化率として CO結果を、表 2に示した。

(表 2 )

産業上の利用可能性

以上説明しナ二ように、落下した際 O衝撃力等の外部応力抑え、絶縁層の反リを抑えること力できるので、導体回路のクラックや断線等防止して実装基板の信頼性ゃ耐落" F性の低下を軽減することができる多層プリント配線板を提供することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 絶縁層と導体層とが 55互に積層され、導体層同士力絶縁層に設けナニバイァホ一ルを介して電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、

前記バイァホールは、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの一方の色縁層から内側に積層された少なくとも 1層の絶縁層に設けナニバイァホールからる第 1のビア群と、最も外側に位置する 2つの絶縁層のうちの他方の絶縁層から内側に積層された少なくとも 1層の絶縁層に設けたバイァ一ルからなる第 2 COビア群と 7 ヽら構成され、

前記第 1のビア群および第 2のビア群を構成するバイァホールは、絶縁層の厚み方向に向かうにつれて縮径^ "るようなテーパ形状を有し、かつ、前記絶縁層の厚み (ま、 1 O O z m以下であることを特徴とする多層プリント配線板。

2 . 導体回路を有する一の絶縁基板の両面に、導回路を有する他の絶縁基板がそれぞれ少なくとも 1層積層され、前記一の絶緣板に設けた導体回路と他の絶縁基板に設けた導体回路とが、各絶縁基板に設けナこバイァホールを介して電気的 ί二接続されてなる多層プリント配線板において、

前言己一の絶縁基板の一方の表面に積層された絶縁基ォ反に設けたバイァホールは、前記絶縁基板の表面あるいはその表面上に設けた導体回路の表面に対してテ一パをなすような形状に形成される第 1のビア群を構成すると共に、

前言 Β—の絶縁基板の他方の表面に積層された絶縁基板に設けたバイァホールは、前記雜縁基板の表面あるいはその表面上に設けた導体回路の表面に対して亍ーパをなすような形状に形成される第 2のビア群を構成し、かつ前記絶縁基板の厚みは、 Ί O O jt m以下であることを特徴とする多層プリント配線板。

3 . 導体回路を有する内層の絶縁基板の両面に、導体回路を有する外層の絶縁基板が少なくとも 1層積層され、前記内層の絶縁基板に設けた導体回路と外層の絶録基板に設けた導体回路とが、各絶縁基板に設^たバイァホールを介して電気的 ίこ接続されてなる多層プりント配線板において、前記内層の絶縁基板の一方の表面に積層され前記外層の絶縁基板 (二設けたバィァホールは、前記外層の絶縁基板の表面あるし、はその表面上に設け广ニ導体回路の表面に対してテ一パをなすような形状に形成される第 1のビア群を構成すると共に、前記内層の絶縁基板の他方の表面に積層された前記外層の絶縁基板に設けたバイァホールは、前記外層の絶縁基板の表面 ¾るいはその表面上に設けた導体回路の表面に対してテーパをなすような形状に形成される第 2のビア群を構成し、かつ、前記内層の絶縁基板または外層の絶縁基板の厚みは、 1 0 0 rri以下であることを特徴とする多層プリント配線板。

4 . 前記絶縁層または絶縁基板の厚みが、 5 0 jw m以下である請求項 1 ~ 3 に記載の多層プリント酉己線板。

5 . 前記第 1のビア群は、前記第 2のビア群に対向するような位置関係で積層されていることを特徵とする請求項 1 ~ 3のし、ずれか 1項に記載の多層プリント配線板。

6. 前記第 1のビア群は、前記第 2のビア群に対して絶縁層また【絶縁基板の厚み方向にほぼ直交する方向にシフ卜された位置関係で積層されてし、ることを特徴とする請求項 1〜 3のいずれか 1項に記載多層プリント配線板。

7 . 前記第 1のビア群または前記第 2のビ 7^群を形成する各バイホールは、互いにほぼ同一直線上に位置するように積層されていることを特徴とする請求項 1〜3のいずれか 1項に記載の多層プリント配線板。

8 . 前記第 1のビア群または前記第 2のビ群を形成する各バイホールは、互いに絶縁層または絶縁基板の厚み方向にほぼ 1¾交する方向にシフ卜された位置関係で積層されていることを特徴とする請求項 1 ~ 3のいずれか 1項 fこ記載の多層プリント配線板。

9 . 前記第 1 のビア群または第 2のビア群のいずれか一方 (^ビア群を構成するバイァホール (ま、前記絶縁基板上の仮想正方格子の対向する 2つの項点に位置し、他方のビア群を構成するバイァホールは、前記絶縁基板上の仮想正方格子の他の対向する 2つの頂点に位置するように構成されていることを特徴とする請求項 6に記載の多層プリント配線板。

1 0. 前記第 1のビア群または第 2のビア群のいずれか一方のビア群を構成するバイァホ一ゾレは、前記絶縁基板上 CO仮想正方格子の各頂点 ί二位置し、他方のビア群を構成するパイァホールは、前言己絶縁基板上の仮想正方格子の中心に位置するように構成されていることを特徴とする請求項 6に記載の多層プリント配線板。

1 1 . 前記第 1のビア群または第 2のビア群のいずれか一のビア群を構成するバイァホ一ノレは、前記絶縁基板上 CD仮想三角格子の各頂点に位置し、他方のビア群を構成するパイァホールは、前言己絶縁基板上の仮想三角子の中心に位置して成されていることを特徴とする言青求項 6に記載の多層プリント配線板。

1 2 . 前記第 1のビア群または第 2のビア群のいずれか一:^のビア群を構成するパイァホーノレは、前記絶縁基板の所定領域に集中配置され、他方のビア群を構成するバイァホールは、絶縁基板の前記所定領域を囲んだ周 52領域に配置されていることを特徵とする請求項 6に記戴の多層プリン卜配線板。

1 3 . 前記各バイァホールは、そのバイァホールが形成さ木ている絶縁層または絶縁基板の表面に対して、あるいは絶縁層または絶縁基板に^けた導体回路の表面に対して、内角で 6 0〜 9 0度のテーパをなしていることを特徴とする請求項 1〜 3のいずれか 1項に記載の多層プリン卜配線板。

1 4 . 前記各バイァホールは、絶鍚層または絶縁基板に形减した開口内にめつきを充填したのであることを特徴とする請求項 1 ~ 3のいずれか 1項に記載の多層ブリント配線板。

1 5 _ 前記第 1 ビア群および第 2ビア群を構^するバイァホールは、多段スタックビア構造を形成していることを特徴とする翳求項 1 ~ 3のいずれか 1 項に記載の多層プリント配線板。

1 6 _ 絶縁層と導体曆とが交互に積層され、蓐体層同士が絶縁層に設けたパィァホ——ルを介して電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記絶緣層は、少なくとも 3層であり、かつ、前 f 絶縁層の厚みは、 1 O O jU m 以下で友り、

前記ノくィァホールは、第 1のビア群と第 2のビ群からなり、

前記第 1のビア群は、絶縁層の厚み方向に対して、かつ、多層プリント IE線板の内側に向かって、 2段以上のスタックビアからなるバイァホールから形成され、前記第 2のピア群は、絶縁層の厚み方向に対し匸、第 1のビア群と逆方向に、縮径するようなテ一パ形伏を有してなるバイァホールから形成される多層ブリン卜配線ネ反 _c

1 7 - 前記絶縁層の厚みが 5 0 W m以下であ請求項 1 6に記載の多層プリント配線板。