JP4683758B2

JP4683758B2 - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP4683758B2
Application number: JP2001129795A
Authority: JP
Inventors: 周一立野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2011-05-18
Anticipated expiration: 2021-04-26
Also published as: JP2002329971A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体素子収納用パッケージなどの配線基板に好適な配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、携帯情報端末の発達やコンピューターを持ち運んで操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及によって小型、薄型且つ高精細の配線基板が求められる傾向にある。
【０００３】
従来より、配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される配線基板として、高密度の配線が可能なセラミック配線基板が多用されている。このセラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁層と、その表面に形成されたＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体とから構成されるもので、この絶縁層の一部に凹部が形成され、この凹部に半導体素子が収納され、蓋体によって凹部を気密に封止されるものである。
【０００４】
ところが、このようなセラミック配線基板の絶縁層を構成するセラミックスは、硬くて脆い性質を有することから、製造工程又は搬送工程において、セラミックスの欠けや割れ等が発生しやすく、半導体素子の封止の気密性が損なわれることがあるために歩留まりが低い等の問題があった。また、高温での焼成により焼成収縮が生じるために、得られる基板に反り等の変形や寸法のばらつき等が発生しやすいという問題があった。
【０００５】
そこで、最近では、銅箔を接着した有機樹脂を含む絶縁層表面にエッチング法により微細な回路を形成し、しかる後にこの基板を積層して多層化したプリント基板や、銅などの金属粉末を含むペーストを絶縁層に印刷して配線層を形成した後、これを積層し、あるいは積層後に、所望位置にマイクロドリルやパンチング等によりビアホールを形成し、そのビア内壁にメッキ法により金属を付着させて配線層を接続して多層化したプリント配線基板が提案されている。
【０００６】
このようなプリント配線基板においては、その強度を高めるために有機樹脂に対して球状あるいは繊維状の無機材料を分散させた絶縁層も提案されている。また、配線基板を小型化するために、ビアホール導体の径を小径化、狭ピッチ化すること、ビアホール導体を任意位置に配置できること、配線の微細化、多層化が求められている。
【０００７】
このようなプリント配線基板の多層化、配線の微細化の要求に対応して、最近では、各絶縁層に対してビアホールを形成し、そのビアホール内に低抵抗金属粉末を含む導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した後、導体層を形成し、絶縁層を積層して多層配線化した配線基板が試作されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マイクロドリルやパンチングを用いて孔を開ける方法では、ドリル径あるいはパンチ径は最小０．１５ｍｍ程度であり、要求される微細加工には適していなかった。特に、有機樹脂に対して繊維状の無機材料を分散させた絶縁層に対してマイクロドリルやパンチングを用いて孔を開ける場合、ビアホールの径が小さくなると孔開け加工中にドリルまたはパンチング用ピンが繊維間に入り込み折れてしまうという問題があった。
【０００９】
また、レーザー光照射によりビアホールを形成する場合、レーザー光の光径を制御することによりその径を任意に調整できる点で微細なホールの形成には非常に有利である。
【００１０】
ところが、レーザー光が照射される部分は加熱により分解除去されるが、特に絶縁層表面近傍において照射部の周辺部分もレーザー光の影響を受けるため表面が分解され、ビアホールの形状は、特にレーザー光入射側の絶縁層表面近傍のみ径が大きくなっていた。すなわち、ビアホールの孔径が設計値から大きく外れることになり、この部分に導電性物質を充填すると、場合によっては近接するビアホール導体間で短絡が発生し、回路パターン間の短絡不良の原因となる。このため、ビアホールのピッチを広くしなければならず微細配線化できないという問題があった。
【００１１】
また、加工部分の加工屑がレーザー光照射部の周辺部分に付着したりするため該周辺部分が盛り上がるような変形が生じ、その結果、絶縁層の平坦度が悪くなり、導体層がうまく形成できなかったり、また、配線基板を多層化する場合、積層時にデラミネーションが生じたり、積層体の平坦度が悪くなるという問題が生じた。
【００１２】
さらに、前記レーザ照射部の樹脂がカーボンに変質し、樹脂層と導体層との間に介在するため、導体層の密着性が悪くなるという問題があった。
【００１３】
したがって、本発明は、コア基板表面に形成される１００μｍ以下の厚さの絶縁層に形成されるビアホールの寸法精度を高め、ビアホール径の微小化、狭ピッチ化、及び微細配線化が可能で、信頼性に優れる情報端末やモバイルコンピューターに最適な小型、薄型且つ高精細の配線基板およびその製造方法を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記のような課題について鋭意検討した結果、レーザー光照射によりビアホールを形成する工程において、入射側の絶縁層表面に特定の厚みとレーザー光の透過率が特定以下の樹脂フィルムを設け、前記ビアホール内に導電性物質を充填した後、前記樹脂フィルムを剥離することにより、絶縁層表面近傍のレーザー光照射部近傍の径の変化、変形および変質のない寸法精度の高いビアホールが形成できることを見いだし、本発明に至った。
【００１５】
即ち、本発明の配線基板の製造方法は、（ａ）第１の配線回路層が表面に被着形成されたコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁層表面に樹脂フィルムを接着層を介して接着する工程と、（ｃ）前記樹脂フィルム側から、レーザー光を照射して前記樹脂フィルム及び前記絶縁層を貫通し前記第１の配線回路層に達するビアホールを形成する工程と、（ｄ）前記ビアホール内に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成する工程と、（ｅ）前記樹脂フィルムを除去する工程と、（ｆ）前記絶縁層表面に第２の配線回路層を形成し前記第１の配線回路層と前記第２の配線回路層とを電気的に接続する工程と、（ｇ）加熱、加圧して少なくとも前記絶縁層を硬化させる工程を含む配線基板の製造方法であって、前記樹脂フィルムと接着層とを合わせた厚さが絶縁層厚さの０．１５倍以上であり、かつ前記樹脂フィルムのレーザー光に対する光透過率が０．８以下であることを特徴とするものである。
【００１６】
なお、前記（ｂ）工程において、前記絶縁層の厚みが１００μｍ以下であり、前記樹脂フィルムの厚みが、１０〜５０μｍ、接着層の厚みが１０μｍ以下であるのが適当である。
【００１７】
また、前記絶縁層に形成されたビアホール径が、入射側をｄ１、第１の配線回路層側をｄ₂としたとき、０．５≦ｄ₂／ｄ₁≦１．０の関係にあることによって、ビアホールの孔径の設計値からのずれを小さくすることができるとともに、ビアホール導体の抵抗増加および接続不良を抑制できる。また、前記レーザー光が紫外領域の波長を持つことによって、被加工物の熱による変質を抑制することができ、微細なビアホールを精度よく形成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の配線基板の製造方法を図１に基づき説明する。
（ａ）まず、絶縁基板１の表面に第１の配線回路層２が形成されたコア基板Ａの表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層４を積層形成する。
【００１９】
ここで用いられるコア基板Ａは、絶縁基板１の表面に配線回路層２が形成されたものであればあらゆるものが使用できる。例えば、図１（ａ）に示される通り、絶縁基板１にレーザーで貫通穴を形成し、その貫通穴内に導電性ペーストを充填してビアホール導体３を形成したもの、さらには、このようなシート表面に配線回路層２を形成したものを複数層積層した多層構造のもの、絶縁層４にドリルでビアホールを形成しその内壁に銅メッキを形成して表裏の配線回路層の接続を行ったものなど使用できる。特に、コア基板Ａの絶縁基板１内には、繊維体を含有することによって強度を高めることができる。
【００２０】
また、第１の配線回路層２は、例えば、絶縁基板１の表面全面に金属箔を接着した後、フォトレジスト形成、パターン露光、現像、レジスト除去の工程からなるフォトレジスト法に従い形成することができる。
【００２１】
絶縁層４は、有機樹脂、または有機樹脂と無機質フィラーからなる組成物を混練機や３本ロールなどの手段によって十分に混合し、これを圧延法、押し出し法、射出法、ドクターブレード法などによってシート状に成形し、このシートをコア基板Ａ上へ位置合わせ積層することにより絶縁層４を形成することができる。この時の温度は、絶縁層４のコア基板Ａへ密着性を高めるために、１００〜１５０℃、１〜７ＭＰａ、好適には、１２０〜１５０℃、１〜５ＭＰａ、最適には１２０〜１４０℃、２〜５ＭＰａであることが望ましい。
【００２２】
また、この絶縁層４の厚みは、微細配線回路を形成するために、１００μｍ以下、特に５０μｍ以下、さらには４５μｍ以下であることが望ましい。
【００２３】
（ｂ）次に、作製した絶縁層４の上に、接着層５を介して樹脂フィルム６を重ねる。樹脂フィルム６は、ＰＥＴ、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、アクリル、フッ素系などの高分子材料等のシート化が可能なものが使用できる。特に、ＰＥＴ、ポリエチレン、フッ素系高分子が好適に使用できる。
【００２４】
この時、樹脂フィルム６の表面は、絶縁層４との密着性を高めるために接触面を粗化処理することもできる。
【００２５】
また、樹脂フィルム６は、後述するレーザー光に対する透過率が０．８以下であることが望ましい。これは、光の透過率が０．８を超えてしまうと、レーザーによって樹脂フィルム６を貫通してビアホールを形成する時に、樹脂フィルム６に貫通穴を形成することが難しくなり、絶縁層４のみが加工され、その加工屑が絶縁層４と樹脂フィルム６の間に飛散するなどの弊害が生じるためである。
【００２６】
また、接着層５は、アクリル系、エポキシ系等の通常、糊となるタイプの接着剤が使用できる。接着層５の厚みは２〜１０μｍであることが望ましい。これは、接着層５が無いかもしくは２μｍより薄い場合、絶縁層４と樹脂フィルム６の密着性が悪くなり、密着の悪い部分にレーザー光が照射されると、絶縁層表面近傍のレーザー照射部の周辺部分に変質および変形が生じるためである。また、接着層５の厚みが１０μｍよりも厚いと、樹脂フィルム６を絶縁層２から剥離する時に絶縁層２上に接着層５が部分的に残り、樹脂を硬化する際に残留した接着層５がカーボンとして残留し、配線基板を多層化する場合、積層不良の原因になるからである。
【００２７】
本発明によれば、この樹脂フィルム６と接着層５の合計厚みが絶縁層４の厚みの０．１５倍以上であることが必要である。これは厚みが０．１５倍よりも小さいと、レーザー加工時に樹脂フィルム６の効果が充分に発揮されず、
レーザー光の加工しきい値近傍部分をカットできないために、スミアの発生や、ビアホールの熱変形が生じてしまう。樹脂フィルム６と接着層５の合計厚みは、絶縁層の厚みが１００μｍ以下、特に５０μｍ以下である場合、１２〜５０μｍであることが望ましく、５０μｍよりも厚くなると、絶縁層に対して精度の高いビアホールを形成することが困難となるためである。
【００２８】
（ｃ）次に、上記樹脂フィルム６を接着した絶縁層４に対して、レーザー光７を樹脂フィルム６側から照射して、樹脂フィルム６、接着層５および絶縁層４に直径１００μｍ以下、特に６０μｍ以下のビアホール８を形成する（図２（ｃ））。
この時、形成されるビアホール８の形状は、レーザー光の径方向のエネルギー分布およびレーザー光照射時に発生する熱の伝導及び被加工物がレーザー光を吸収して分子間、原子間結合を解離するアブレーションにより、必然的にレーザー光入射側の絶縁層表面の孔径がレーザー光の孔径に対して大きくなる。
【００２９】
特に、図１（ｃ）ように、レーザー光７によりビアホール８が形成されレーザー光の入射面側のホール径をｄ₁、配線回路層３側のビアホール径をｄ₂とした時、０．５≦ｄ₂／ｄ₁≦１、特に０．７≦ｄ₂／ｄ₁≦１．０であることが望ましい。ビアホール８の両端面のホール径ｄ₂、ｄ₁を上記のとおりにすることにより、ビアホールの孔径の設計値からのずれが小さくて済み、回路パターン間の短絡不良が減ずるため、配線回路の信頼性が向上するとともに、ビアホールのピッチを狭くすることができ、微細配線化が可能となる。
【００３０】
ビアホール８の形成に使用されるレーザー光は、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザー等の公知の方法が使用できるが、特に微小径ビアホール径を狭ピッチで加工するのに適した紫外光の波長をもつＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレーザー等が適しており、特にＵＶ−ＹＡＧレーザーが好適である。
【００３１】
（ｄ）そして、形成したビアホール８に対して、導体ペーストを充填してビアホール導体９を形成する。導体ペーストは、低抵抗金属粉末１００重量部に対して、エポキシ、セルロース等の有機樹脂を０．１〜５重量部、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール、オクタノール、テルピネオール等の溶剤を４〜１０重量部の組成からなることが望ましい。また、該ペーストには、前記樹脂中に含まれる溶剤、硬化剤又は／及びビアホールを形成した樹脂をペーストに添加したものが好適である。所望によっては、導体ペーストをビアホール８に充填した後、６０〜１４０℃で加熱処理を行い、ペースト中の溶剤および樹脂分を分解、揮散除去することもできる。
【００３２】
（ｅ）次に、絶縁層４表面より樹脂フィルム６および接着層５を剥離する。
【００３３】
（ｆ）次に、絶縁層４表面に、第２の配線回路層１０を形成する。配線回路層１０の形成には、１）銅等の金属箔を絶縁層４に接着剤で貼りつけた後に、回路パターンのレジストを形成して酸等によって不要な部分の金属をエッチング除去する、２）予め回路パターンに打ち抜きした金属箔を絶縁層４表面に貼りつける、３）絶縁層４の表面に導体ペーストを回路パターンにスクリーン印刷や、フォトレジスト法等によって形成する、４）フィルム、ガラス、金属板上にメッキ、金属箔を形成し、これをエッチングにより回路パターンを形成し、絶縁層４表面に転写する等の方法が採用されるが、この中でも４）の転写法は、絶縁層４を薬品に晒すことがない、絶縁層形成と配線回路層形成とを平行して行うことができる、などの利点を有する。
【００３４】
（ｇ）その後、１５０〜３００℃の硬化温度で加熱して絶縁層４の有機樹脂を完全に硬化させる。また、コア基板Ａにおける絶縁基板１が未硬化の場合には、これも同時に熱硬化することもできる。また、絶縁層４をコア基板Ａに見立てて、（ａ）〜（ｆ）を所望回数繰り返して多層化することができる。また、硬化処理は、各絶縁層形成毎に行うこともできるが、最終的に一括して行うと、工程の簡略化を図ることができる。このようにして任意の層数の多層配線基板を作製できる。
【００３５】
なお、本発明の上記製造方法において、絶縁層４を形成する材料としては、少なくとも有機樹脂を含有するもので、エポキシ系樹脂、トリアジン系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノール樹脂、フッ素系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリイミド系樹脂等一般に回路基板に使用される樹脂が用いられるが、特に、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド樹脂が望ましく、とりわけ原料として室温でワニス状になる熱硬化性樹脂であることが望ましい。
【００３６】
また、上記有機樹脂にガラス繊維を補強材として含浸させた有機樹脂を用いることもできる。この時、ガラス繊維は、織布または不織布として含有されることが望ましい。特に、均一なビアホールを形成するために、織布の繊維の一部をほぐし織布の厚さを均一にする開繊したものであることが望ましい。また、ガラス繊維は、絶縁層中に３０〜７０体積％の割合で含まれることが望ましい。
【００３７】
さらに、絶縁層４の強度を高めるために、上記有機樹脂に無機質フィラーを添加することもできる。無機質フィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ等が好適に用いられ、フィラーの形状は平均粒径が１０μｍ以下、特に５μｍ以下、最適には２μｍ以下の略球形状の粉末が用いられる。また、場合によっては、高誘電率の無機質フィラーを用いることによって、絶縁層４の誘電率を高めることも可能である。さらに、有機樹脂と無機質フィラーとの体積比率を８５：１５〜１５：８５の比率範囲で適宜配合することにより、絶縁層４の熱膨張係数を調整することができる。
【００３８】
一方、配線回路層２は、銅等の低抵抗金属からなる金属箔や、銅、アルミニウム、金、銀等の低抵抗金属粉末を含む導体から形成される。低抵抗化の上では、金属箔から構成されることが望ましい。
【００３９】
また、ビアホール導体９は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀等の群から選ばれる少なくとも１種、または２種以上の合金を主体とする低抵抗金属粉末を含む導体から形成される。低抵抗金属としては、特に銅または銅を含む合金が望ましく、充填される低抵抗金属粉末は、平均粒径が０．１〜１０μｍのものが望ましい。
【００４０】
また、場合によっては、上記の金属以外に、回路の抵抗調整のためにＮｉ−Ｃｒ合金などの高抵抗の金属を導体ペースト中に混合、又は合金化しても良い。更に低抵抗化のために、前記低抵抗金属よりも低融点の金属、例えば、半田、錫等の低融点金属を導体組成物中に含んでもよい。また、ビアホール導体中には、上記の抵抵抗金属以外に、金属粉末間の結合材として、あるいは金属粉末の充填性を向上させるために結合剤及び溶剤が添加される。
【００４１】
本発明によれば、厚さが１００μｍ以下の薄い絶縁層にレーザー加工でビアホールを形成する場合においても、レーザー光の透過率が０．８以下の樹脂フィルムを積層するとともに、その樹脂フィルムおよび接着層の合計厚みが絶縁層の厚みの０．１５倍以上となるようにすることによって、厚みの薄い絶縁層に微細加工に優れた紫外領域のレーザーで容易に加工でき、その結果、直径が７５μｍ以下、特に６０μｍ以下の微細な直径のビアホール導体を±５μｍの高い位置精度で形成できる結果、シリコンチップのＩ／Ｏパッドの密度が増加しパッド間の距離が２００μｍ以下、特に１５０μｍ以下になった場合でも必要な微細な配線回路を形成できる。
【００４２】
【実施例】
ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂（熱膨張率測定によるガラス転移点１６５〜１８５℃）を含むスラリー（溶媒トルエン）をガラス織布に含浸させた後、乾燥させ、ガラス繊維含浸プリプレグを準備した。なお、含有比率は、ポリイミド樹脂５０体積％、ガラスの織布５０体積％とした。
【００４３】
次に、このプリプレグの表面に銅箔からなる配線回路層を形成した。この配線回路層は、ＰＥＴフィルム表面に接着された銅箔に対して、レジスト塗布、露光、現像、エッチング処理、レジスト除去、によって所定の回路パターンの配線回路層を形成した。その後、この配線回路層が形成されたＰＥＴフィルムをプリプレグの表面に積層し、１３０℃、４ＭＰａで圧着した後、ＰＥＴフィルムを剥がすことによって配線回路層を転写させた。
【００４４】
次に、このプリプレグの表面に、１０〜１２０μｍの絶縁層を形成した。
この絶縁層の形成は、平均粒径が０．５μｍのＳｉＯ₂粉末と、熱硬化型ＰＰＥ樹脂との混合物をスラリー化し、ドクターブレード法によって１０〜１２０μｍの厚みに調整した。
【００４５】
そして、この絶縁シートを上記コア基板の表面に積層し、１４０℃、３分、５０ｋｇ／ｃｍ²で熱圧着させて絶縁層を形成した。
【００４６】
その後、この絶縁層の表面に、厚み３〜４μｍのアクリル系接着層を介して厚さ１２μｍのＰＥＴフィルムを接着した。但し、ＰＥＴフィルムとして波長３５５ｎｍの紫外光透過率が異なる複数のＰＥＴフィルムを準備した。
【００４７】
そして、このＰＥＴフィルム側からＵＶ−ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）を条件３０μＪ、７０ショットで絶縁層の入射側で５０μｍφのビアホール加工を行なった。そしてそのビアホール内に銀をメッキした銅粉末を含む銅ペーストを充填してビアホール導体を形成後、前記ＰＥＴフィルムおよびアクリル系接着層を剥離した。
【００４８】
一方、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる転写シートの表面に接着剤を介して厚さ１２μｍ、表面粗さ０．８μｍの銅箔を一面に接着し、その後、フォトレジストを塗布し露光現像を行った後、これを塩化第二鉄溶液中に浸漬して非パターン部をエッチング除去して配線回路層を形成した。なお、作製した配線回路層は、線幅が５０μｍ、配線と配線との間隔が５０μｍとした。
【００４９】
そして、前記のビアホール導体を形成した絶縁層の表面に、配線パターンが形成された転写シートを重ね合わせて１３０℃、３分、５０ｋｇ／ｃｍ²圧着し、転写シートのみを剥離して配線回路層を転写し、絶縁層の表面に配線回路層を埋め込んだ。
【００５０】
得られた積層体について、２４０℃で１時間、５０ｋｇ／ｃｍ²の荷重をかけた状態で加熱して完全硬化させて配線基板を作製した。
【００５１】
得られた配線基板について、ビアホール導体の抵抗測定を行なった。この抵抗測定は、ビアホール導体の両端の配線回路層間の抵抗を測定した。また、実体顕微鏡を用い、ビアホール導体の一方の端面側のホール径ｄ₁および他方の端面側のホール径ｄ₂の測定を行い、ｄ₂／ｄ₁の比率を求めた。
【００５２】
また、ビアホール導体の寸法精度について、設計値からの中心位置のずれを測定し、１００個のビアホール導体の位置ずれを測定した。
【００５３】
【表１】

【００５４】
表１の結果からも明らかなように、樹脂フィルムの光透過率が０．８よりも大きいと、ビアホール導体周囲イへの加工屑の飛散樹脂屑がビアホール内に残存し、ビアホール導体の抵抗を増大させ、スミアの発生やビアホール導体の変形が見られた。また、（ｔ１＋ｔ２）／Ｔが０．１５よりも小さい試料Ｎｏ．１では、ビアホール内への導体ペーストの充填不良が発生した。
【００５５】
これに対して、本発明品は、いずれも厚さ１００μｍ以下の絶縁層に対して直径が１００μｍ以下の低抵抗のビアホール導体を高い寸法精度で形成することができた。
【００５６】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、絶縁層の表面に特定の厚み、光透過率の樹脂フィルムおよび接着層を貼り合わせて、レーザー光照射によりビアホールを形成することにより、寸法精度が高く、接続信頼性に優れた配線基板を作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１絶縁基板
２第１の配線回路層
３ビアホール導体
４絶縁層
５接着層
６樹脂フィルム
７レーザー光
８ビアホール
９ビアホール導体
１０第２の配線回路層
Ａコア基板

Claims

（ａ）第１の配線回路層が表面に被着形成されたコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁層表面に樹脂フィルムを接着層を介して接着する工程と、（ｃ）前記樹脂フィルム側から、レーザー光を照射して前記樹脂フィルム及び前記絶縁層を貫通し前記第１の配線回路層に達するビアホールを形成する工程と、（ｄ）前記ビアホール内に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成する工程と、（ｅ）前記樹脂フィルムを除去する工程と、（ｆ）前記絶縁層表面に第２の配線回路層を形成し前記第１の配線回路層と前記第２の配線回路層とを電気的に接続する工程と、（ｇ）加熱、加圧して少なくとも前記絶縁層を硬化させる工程を含む配線基板の製造方法であって、前記樹脂フィルムと接着層とを合わせた厚さが前記絶縁層の厚さの０．１５倍以上であり、かつ前記樹脂フィルムの前記レーザー光に対する光透過率が０．８以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
前記絶縁層の厚みが１００μｍ以下である請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記樹脂フィルムの厚みが１０〜５０μｍ、前記接着層の厚みが１０μｍ以下である請求項１または請求項２記載の配線基板の製造方法。
前記絶縁層に形成されたビアホール径が、入射側をｄ１、第１の配線回路層側をｄ２としたとき、０．５≦ｄ２／ｄ１≦１．０の関係にある請求項１項記載の配線基板の製造方法。
前記レーザー光が紫外領域の波長を持つ請求項１乃至請求項４のいずれか記載の配線基板の製造方法。