JP2002329971A

JP2002329971A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002329971A
Application number: JP2001129795A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Tateno; 周一立野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2002-11-15
Anticipated expiration: 2021-04-26
Also published as: JP4683758B2

Abstract

(57)【要約】【課題】コア基板表面に形成される１００μｍ以下の厚
さの絶縁層に寸法精度の高い良好なビアホール導体を形
成する。【解決手段】第１の配線回路層２が表面に被着形成され
たコア基板Ａの表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の
絶縁層４を形成し、この絶縁層４表面に樹脂フィルム６
を接着層５を介して接着し、樹脂フィルム６側から、レ
ーザー光７を照射して樹脂フィルム７及び絶縁層４にビ
アホール８を形成し、ビアホール８内に導体ペーストを
充填してビアホール導体９を形成し、樹脂フィルム７を
除去し、絶縁層４表面に第２の配線回路層１０を形成し
第１の配線回路層２と第２の配線回路層２とを電気的に
接続させた後、これを加熱、加圧して少なくとも絶縁層
４を硬化させる配線基板の製造方法であって、樹脂フィ
ルム７と接着層５とを合わせた厚さが絶縁層４の厚さの
０．１５倍以上であり、かつ樹脂フィルム６のレーザー
光に対する光透過率を０．８以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体素
子収納用パッケージなどの配線基板に好適な配線基板の
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、携帯情報端末の発達やコンピュータ
ーを持ち運んで操作するいわゆるモバイルコンピューテ
ィングの普及によって小型、薄型且つ高精細の配線基板
が求められる傾向にある。

【０００３】従来より、配線基板、例えば、半導体素子
を収納するパッケージに使用される配線基板として、高
密度の配線が可能なセラミック配線基板が多用されてい
る。このセラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁層
と、その表面に形成されたＷやＭｏ等の高融点金属から
なる配線導体とから構成されるもので、この絶縁層の一
部に凹部が形成され、この凹部に半導体素子が収納さ
れ、蓋体によって凹部を気密に封止されるものである。

【０００４】ところが、このようなセラミック配線基板
の絶縁層を構成するセラミックスは、硬くて脆い性質を
有することから、製造工程又は搬送工程において、セラ
ミックスの欠けや割れ等が発生しやすく、半導体素子の
封止の気密性が損なわれることがあるために歩留まりが
低い等の問題があった。また、高温での焼成により焼成
収縮が生じるために、得られる基板に反り等の変形や寸
法のばらつき等が発生しやすいという問題があった。

【０００５】そこで、最近では、銅箔を接着した有機樹
脂を含む絶縁層表面にエッチング法により微細な回路を
形成し、しかる後にこの基板を積層して多層化したプリ
ント基板や、銅などの金属粉末を含むペーストを絶縁層
に印刷して配線層を形成した後、これを積層し、あるい
は積層後に、所望位置にマイクロドリルやパンチング等
によりビアホールを形成し、そのビア内壁にメッキ法に
より金属を付着させて配線層を接続して多層化したプリ
ント配線基板が提案されている。

【０００６】このようなプリント配線基板においては、
その強度を高めるために有機樹脂に対して球状あるいは
繊維状の無機材料を分散させた絶縁層も提案されてい
る。また、配線基板を小型化するために、ビアホール導
体の径を小径化、狭ピッチ化すること、ビアホール導体
を任意位置に配置できること、配線の微細化、多層化が
求められている。

【０００７】このようなプリント配線基板の多層化、配
線の微細化の要求に対応して、最近では、各絶縁層に対
してビアホールを形成し、そのビアホール内に低抵抗金
属粉末を含む導体ペーストを充填してビアホール導体を
形成した後、導体層を形成し、絶縁層を積層して多層配
線化した配線基板が試作されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロドリルやパンチングを用いて孔を開ける方法では、ド
リル径あるいはパンチ径は最小０．１５ｍｍ程度であ
り、要求される微細加工には適していなかった。特に、
有機樹脂に対して繊維状の無機材料を分散させた絶縁層
に対してマイクロドリルやパンチングを用いて孔を開け
る場合、ビアホールの径が小さくなると孔開け加工中に
ドリルまたはパンチング用ピンが繊維間に入り込み折れ
てしまうという問題があった。

【０００９】また、レーザー光照射によりビアホールを
形成する場合、レーザー光の光径を制御することにより
その径を任意に調整できる点で微細なホールの形成には
非常に有利である。

【００１０】ところが、レーザー光が照射される部分は
加熱により分解除去されるが、特に絶縁層表面近傍にお
いて照射部の周辺部分もレーザー光の影響を受けるため
表面が分解され、ビアホールの形状は、特にレーザー光
入射側の絶縁層表面近傍のみ径が大きくなっていた。す
なわち、ビアホールの孔径が設計値から大きく外れるこ
とになり、この部分に導電性物質を充填すると、場合に
よっては近接するビアホール導体間で短絡が発生し、回
路パターン間の短絡不良の原因となる。このため、ビア
ホールのピッチを広くしなければならず微細配線化でき
ないという問題があった。

【００１１】また、加工部分の加工屑がレーザー光照射
部の周辺部分に付着したりするため該周辺部分が盛り上
がるような変形が生じ、その結果、絶縁層の平坦度が悪
くなり、導体層がうまく形成できなかったり、また、配
線基板を多層化する場合、積層時にデラミネーションが
生じたり、積層体の平坦度が悪くなるという問題が生じ
た。

【００１２】さらに、前記レーザ照射部の樹脂がカーボ
ンに変質し、樹脂層と導体層との間に介在するため、導
体層の密着性が悪くなるという問題があった。

【００１３】したがって、本発明は、コア基板表面に形
成される１００μｍ以下の厚さの絶縁層に形成されるビ
アホールの寸法精度を高め、ビアホール径の微小化、狭
ピッチ化、及び微細配線化が可能で、信頼性に優れる情
報端末やモバイルコンピューターに最適な小型、薄型且
つ高精細の配線基板およびその製造方法を提供するもの
である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な課題について鋭意検討した結果、レーザー光照射によ
りビアホールを形成する工程において、入射側の絶縁層
表面に特定の厚みとレーザー光の透過率が特定以下の樹
脂フィルムを設け、前記ビアホール内に導電性物質を充
填した後、前記樹脂フィルムを剥離することにより、絶
縁層表面近傍のレーザー光照射部近傍の径の変化、変形
および変質のない寸法精度の高いビアホールが形成でき
ることを見いだし、本発明に至った。

【００１５】即ち、本発明の配線基板の製造方法は、
（ａ）第１の配線回路層が表面に被着形成されたコア基
板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層を形
成する工程と、（ｂ）前記絶縁層表面に樹脂フィルムを
接着層を介して接着する工程と、（ｃ）前記樹脂フィル
ム側から、レーザー光を照射して前記樹脂フィルム及び
前記絶縁層を貫通し前記第１の配線回路層に達するビア
ホールを形成する工程と、（ｄ）前記ビアホール内に導
体ペーストを充填してビアホール導体を形成する工程
と、（ｅ）前記樹脂フィルムを除去する工程と、（ｆ）
前記絶縁層表面に第２の配線回路層を形成し前記第１の
配線回路層と前記第２の配線回路層とを電気的に接続す
る工程と、（ｇ）加熱、加圧して少なくとも前記絶縁層
を硬化させる工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記樹脂フィルムと接着層とを合わせた厚さが絶縁層厚
さの０．１５倍以上であり、かつかつ前記樹脂フィルム
のレーザー光に対する光透過率が０．８以下であること
を特徴とするものである。

【００１６】なお、前記（ｂ）工程において、前記絶縁
層の厚みが１００μｍ以下であり、前記樹脂フィルムの
厚みが、１０〜５０μｍ、接着層の厚みが１０μｍ以下
であるのが適当である。

【００１７】また、前記絶縁層に形成されたビアホール
径が、入射側をｄ１、第１の配線回路層側をｄ₂とした
とき、０．５≦ｄ₂／ｄ₁≦１．０の関係にあることによ
って、ビアホールの孔径の設計値からのずれを小さくす
ることができるとともに、ビアホール導体の抵抗増加お
よび接続不良を抑制できる。また、前記レーザー光が紫
外領域の波長を持つことによって、被加工物の熱による
変質を抑制することができ、微細なビアホールを精度よ
く形成することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板の製造方
法を図１に基づき説明する。（ａ）まず、絶縁基板１の表面に第１の配線回路層２が
形成されたコア基板Ａの表面に、熱硬化性樹脂を含有す
る軟質の絶縁層４を積層形成する。

【００１９】ここで用いられるコア基板Ａは、絶縁基板
１の表面に配線回路層２が形成されたものであればあら
ゆるものが使用できる。例えば、図１（ａ）に示される
通り、絶縁基板１にレーザーで貫通穴を形成し、その貫
通穴内に導電性ペーストを充填してビアホール導体３を
形成したもの、さらには、このようなシート表面に配線
回路層２を形成したものを複数層積層した多層構造のも
の、絶縁層４にドリルでビアホールを形成しその内壁に
銅メッキを形成して表裏の配線回路層の接続を行ったも
のなど使用できる。特に、コア基板Ａの絶縁基板１内に
は、繊維体を含有することによって強度を高めることが
できる。

【００２０】また、第１の配線回路層２は、例えば、絶
縁基板１の表面全面に金属箔を接着した後、フォトレジ
スト形成、パターン露光、現像、レジスト除去の工程か
らなるフォトレジスト法に従い形成することができる。

【００２１】絶縁層４は、有機樹脂、または有機樹脂と
無機質フィラーからなる組成物を混練機や３本ロールな
どの手段によって十分に混合し、これを圧延法、押し出
し法、射出法、ドクターブレード法などによってシート
状に成形し、このシートをコア基板Ａ上へ位置合わせ積
層することにより絶縁層４を形成することができる。こ
の時の温度は、絶縁層４のコア基板Ａへ密着性を高める
ために、１００〜１５０℃、１〜７ＭＰａ、好適には、
１２０〜１５０℃、１〜５ＭＰａ、最適には１２０〜１
４０℃、２〜５ＭＰａであることが望ましい。

【００２２】また、この絶縁層４の厚みは、微細配線回
路を形成するために、１００μｍ以下、特に５０μｍ以
下、さらには４５μｍ以下であることが望ましい。

【００２３】（ｂ）次に、作製した絶縁層４の上に、接
着層５を介して樹脂フィルム６を重ねる。樹脂フィルム
６は、ＰＥＴ、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカ
ーボネート、アクリル、フッ素系などの高分子材料等の
シート化が可能なものが使用できる。特に、ＰＥＴ、ポ
リエチレン、フッ素系高分子が好適に使用できる。

【００２４】この時、樹脂フィルム６の表面は、絶縁層
４との密着性を高めるために接触面を粗化処理すること
もできる。

【００２５】また、樹脂フィルム６は、後述するレーザ
ー光に対する透過率が０．８以下であることが望まし
い。これは、光の透過率が０．８を超えてしまうと、レ
ーザーによって樹脂フィルム６を貫通してビアホールを
形成する時に、樹脂フィルム６に貫通穴を形成すること
が難しくなり、絶縁層４のみが加工され、その加工屑が
絶縁層４と樹脂フィルム６の間に飛散するなどの弊害が
生じるためである。

【００２６】また、接着層５は、アクリル系、エポキシ
系等の通常、糊となるタイプの接着剤が使用できる。接
着層５の厚みは２〜１０μｍであることが望ましい。こ
れは、接着層５が無いかもしくは２μｍより薄い場合、
絶縁層４と樹脂フィルム６の密着性が悪くなり、密着の
悪い部分にレーザー光が照射されると、絶縁層表面近傍
のレーザー照射部の周辺部分に変質および変形が生じる
ためである。また、接着層５の厚みが１０μｍよりも厚
いと、樹脂フィルム６を絶縁層２から剥離する時に絶縁
層２上に接着層５が部分的に残り、樹脂を硬化する際に
残留した接着層５がカーボンとして残留し、配線基板を
多層化する場合、積層不良の原因になるからである。

【００２７】本発明によれば、この樹脂フィルム６と接
着層５の合計厚みが絶縁層４の厚みの０．１５倍以上で
あることが必要である。これは厚みが０．１５倍よりも
小さいと、レーザー加工時に樹脂フィルム６の効果が充
分に発揮されず、レーザー光の加工しきい値近傍部分を
カットできないために、スミアの発生や、ビアホールの
熱変形が生じてしまう。樹脂フィルム６と接着層５の合
計厚みは、絶縁層の厚みが１００μｍ以下、特に５０μ
ｍ以下である場合、１２〜５０μｍであることが望まし
く、５０μｍよりも厚くなると、絶縁層に対して精度の
高いビアホールを形成することが困難となるためであ
る。

【００２８】（ｃ）次に、上記樹脂フィルム６を接着し
た絶縁層４に対して、レーザー光７を樹脂フィルム６側
から照射して、樹脂フィルム６、接着層５および絶縁層
４に直径１００μｍ以下、特に６０μｍ以下のビアホー
ル８を形成する（図２（ｃ））。この時、形成されるビ
アホール８の形状は、レーザー光の径方向のエネルギー
分布およびレーザー光照射時に発生する熱の伝導及び被
加工物がレーザー光を吸収して分子間、原子間結合を解
離するアブレーションにより、必然的にレーザー光入射
側の絶縁層表面の孔径がレーザー光の孔径に対して大き
くなる。

【００２９】特に、図１（ｃ）ように、レーザー光７に
よりビアホール８が形成されレーザー光の入射面側のホ
ール径をｄ₁、配線回路層３側のビアホール径をｄ₂とし
た時、０．５≦ｄ₂／ｄ₁≦１、特に０．７≦ｄ₂／ｄ₁≦
１．０であることが望ましい。ビアホール８の両端面の
ホール径ｄ₂、ｄ₁を上記のとおりにすることにより、ビ
アホールの孔径の設計値からのずれが小さくて済み、回
路パターン間の短絡不良が減ずるため、配線回路の信頼
性が向上するとともに、ビアホールのピッチを狭くする
ことができ、微細配線化が可能となる。

【００３０】ビアホール８の形成に使用されるレーザー
光は、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーおよびエキシ
マレーザー等の公知の方法が使用できるが、特に微小径
ビアホール径を狭ピッチで加工するのに適した紫外光の
波長をもつＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレーザー等が適して
おり、特にＵＶ−ＹＡＧレーザーが好適である。

【００３１】（ｄ）そして、形成したビアホール８に対
して、導体ペーストを充填してビアホール導体９を形成
する。導体ペーストは、低抵抗金属粉末１００重量部に
対して、エポキシ、セルロース等の有機樹脂を０．１〜
５重量部、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール、オク
タノール、テルピネオール等の溶剤を４〜１０重量部の
組成からなることが望ましい。また、該ペーストには、
前記樹脂中に含まれる溶剤、硬化剤又は／及びビアホー
ルを形成した樹脂をペーストに添加したものが好適であ
る。所望によっては、導体ペーストをビアホール８に充
填した後、６０〜１４０℃で加熱処理を行い、ペースト
中の溶剤および樹脂分を分解、揮散除去することもでき
る。

【００３２】（ｅ）次に、絶縁層４表面より樹脂フィル
ム６および接着層５を剥離する。

【００３３】（ｆ）次に、絶縁層４表面に、第２の配線
回路層１０を形成する。配線回路層１０の形成には、
１）銅等の金属箔を絶縁層４に接着剤で貼りつけた後
に、回路パターンのレジストを形成して酸等によって不
要な部分の金属をエッチング除去する、２）予め回路パ
ターンに打ち抜きした金属箔を絶縁層４表面に貼りつけ
る、３）絶縁層４の表面に導体ペーストを回路パターン
にスクリーン印刷や、フォトレジスト法等によって形成
する、４）フィルム、ガラス、金属板上にメッキ、金属
箔を形成し、これをエッチングにより回路パターンを形
成し、絶縁層４表面に転写する等の方法が採用される
が、この中でも４）の転写法は、絶縁層４を薬品に晒す
ことがない、絶縁層形成と配線回路層形成とを平行して
行うことができる、などの利点を有する。

【００３４】（ｇ）その後、１５０〜３００℃の硬化温
度で加熱して絶縁層４の有機樹脂を完全に硬化させる。
また、コア基板Ａにおける絶縁基板１が未硬化の場合に
は、これも同時に熱硬化することもできる。また、絶縁
層４をコア基板Ａに見立てて、（ａ）〜（ｆ）を所望回
数繰り返して多層化することができる。また、硬化処理
は、各絶縁層形成毎に行うこともできるが、最終的に一
括して行うと、工程の簡略化を図ることができる。この
ようにして任意の層数の多層配線基板を作製できる。

【００３５】なお、本発明の上記製造方法において、絶
縁層４を形成する材料としては、少なくとも有機樹脂を
含有するもので、エポキシ系樹脂、トリアジン系樹脂、
ポリブタジエン系樹脂、フェノール樹脂、フッ素系樹
脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリイミド系樹脂等一
般に回路基板に使用される樹脂が用いられるが、特に、
ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビス
マレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマ
レイミド樹脂が望ましく、とりわけ原料として室温でワ
ニス状になる熱硬化性樹脂であることが望ましい。

【００３６】また、上記有機樹脂にガラス繊維を補強材
として含浸させた有機樹脂を用いることもできる。この
時、ガラス繊維は、織布または不織布として含有される
ことが望ましい。特に、均一なビアホールを形成するた
めに、織布の繊維の一部をほぐし織布の厚さを均一にす
る開繊したものであることが望ましい。また、ガラス繊
維は、絶縁層中に３０〜７０体積％の割合で含まれるこ
とが望ましい。

【００３７】さらに、絶縁層４の強度を高めるために、
上記有機樹脂に無機質フィラーを添加することもでき
る。無機質フィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ａ
ｌＮ等が好適に用いられ、フィラーの形状は平均粒径が
１０μｍ以下、特に５μｍ以下、最適には２μｍ以下の
略球形状の粉末が用いられる。また、場合によっては、
高誘電率の無機質フィラーを用いることによって、絶縁
層４の誘電率を高めることも可能である。さらに、有機
樹脂と無機質フィラーとの体積比率を８５：１５〜１
５：８５の比率範囲で適宜配合することにより、絶縁層
４の熱膨張係数を調整することができる。

【００３８】一方、配線回路層２は、銅等の低抵抗金属
からなる金属箔や、銅、アルミニウム、金、銀等の低抵
抗金属粉末を含む導体から形成される。低抵抗化の上で
は、金属箔から構成されることが望ましい。

【００３９】また、ビアホール導体９は、例えば、銅、
アルミニウム、金、銀等の群から選ばれる少なくとも１
種、または２種以上の合金を主体とする低抵抗金属粉末
を含む導体から形成される。低抵抗金属としては、特に
銅または銅を含む合金が望ましく、充填される低抵抗金
属粉末は、平均粒径が０．１〜１０μｍのものが望まし
い。

【００４０】また、場合によっては、上記の金属以外
に、回路の抵抗調整のためにＮｉ−Ｃｒ合金などの高抵
抗の金属を導体ペースト中に混合、又は合金化しても良
い。更に低抵抗化のために、前記低抵抗金属よりも低融
点の金属、例えば、半田、錫等の低融点金属を導体組成
物中に含んでもよい。また、ビアホール導体中には、上
記の抵抵抗金属以外に、金属粉末間の結合材として、あ
るいは金属粉末の充填性を向上させるために結合剤及び
溶剤が添加される。

【００４１】本発明によれば、厚さが１００μｍ以下の
薄い絶縁層にレーザー加工でビアホールを形成する場合
においても、レーザー光の透過率が０．８以下の樹脂フ
ィルムを積層するとともに、その樹脂フィルムおよび接
着層の合計厚みが絶縁層の厚みの０．１５倍以上となる
ようにすることによって、厚みの薄い絶縁層に微細加工
に優れた紫外領域のレーザーで容易に加工でき、その結
果、直径が７５μｍ以下、特に６０μｍ以下の微細な直
径のビアホール導体を±５μｍの高い位置精度で形成で
きる結果、シリコンチップのＩ／Ｏパッドの密度が増加
しパッド間の距離が２００μｍ以下、特に１５０μｍ以
下になった場合でも必要な微細な配線回路を形成でき
る。

【００４２】

【実施例】ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂（熱
膨張率測定によるガラス転移点１６５〜１８５℃）を含
むスラリー（溶媒トルエン）をガラス織布に含浸させた
後、乾燥させ、ガラス繊維含浸プリプレグを準備した。
なお、含有比率は、ポリイミド樹脂５０体積％、ガラス
の織布５０体積％とした。

【００４３】次に、このプリプレグの表面に銅箔からな
る配線回路層を形成した。この配線回路層は、ＰＥＴフ
ィルム表面に接着された銅箔に対して、レジスト塗布、
露光、現像、エッチング処理、レジスト除去、によって
所定の回路パターンの配線回路層を形成した。その後、
この配線回路層が形成されたＰＥＴフィルムをプリプレ
グの表面に積層し、１３０℃、４ＭＰａで圧着した後、
ＰＥＴフィルムを剥がすことによって配線回路層を転写
させた。

【００４４】次に、このプリプレグの表面に、１０〜１
２０μｍの絶縁層を形成した。この絶縁層の形成は、平
均粒径が０．５μｍのＳｉＯ₂粉末と、熱硬化型ＰＰＥ
樹脂との混合物をスラリー化し、ドクターブレード法に
よって１０〜１２０μｍの厚みに調整した。

【００４５】そして、この絶縁シートを上記コア基板の
表面に積層し、１４０℃、３分、５０ｋｇ／ｃｍ²で熱
圧着させて絶縁層を形成した。

【００４６】その後、この絶縁層の表面に、厚み３〜４
μｍのアクリル系接着層を介して厚さ１２μｍのＰＥＴ
フィルムを接着した。但し、ＰＥＴフィルムとして波長
３５５ｎｍの紫外光透過率が異なる複数のＰＥＴフィル
ムを準備した。

【００４７】そして、このＰＥＴフィルム側からＵＶ−
ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）を条件３０μＪ、７
０ショットで絶縁層の入射側で５０μｍφのビアホール
加工を行なった。そしてそのビアホール内に銀をメッキ
した銅粉末を含む銅ペーストを充填してビアホール導体
を形成後、前記ＰＥＴフィルムおよびアクリル系接着層
を剥離した。

【００４８】一方、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）からなる転写シートの表面に接着剤を介して厚さ１
２μｍ、表面粗さ０．８μｍの銅箔を一面に接着し、そ
の後、フォトレジストを塗布し露光現像を行った後、こ
れを塩化第二鉄溶液中に浸漬して非パターン部をエッチ
ング除去して配線回路層を形成した。なお、作製した配
線回路層は、線幅が５０μｍ、配線と配線との間隔が５
０μｍとした。

【００４９】そして、前記のビアホール導体を形成した
絶縁層の表面に、配線パターンが形成された転写シート
を重ね合わせて１３０℃、３分、５０ｋｇ／ｃｍ²圧着
し、転写シートのみを剥離して配線回路層を転写し、絶
縁層の表面に配線回路層を埋め込んだ。

【００５０】得られた積層体について、２４０℃で１時
間、５０ｋｇ／ｃｍ²の荷重をかけた状態で加熱して完
全硬化させて配線基板を作製した。

【００５１】得られた配線基板について、ビアホール導
体の抵抗測定を行なった。この抵抗測定は、ビアホール
導体の両端の配線回路層間の抵抗を測定した。また、実
体顕微鏡を用い、ビアホール導体の一方の端面側のホー
ル径ｄ₁および他方の端面側のホール径ｄ₂の測定を行
い、ｄ₂／ｄ₁の比率を求めた。

【００５２】また、ビアホール導体の寸法精度につい
て、設計値からの中心位置のずれを測定し、１００個の
ビアホール導体の位置ずれを測定した。

【００５３】

【表１】

【００５４】表１の結果からも明らかなように、樹脂フ
ィルムの光透過率が０．８よりも大きいと、ビアホール
導体周囲イへの加工屑の飛散樹脂屑がビアホール内に残
存し、ビアホール導体の抵抗を増大させ、スミアの発生
やビアホール導体の変形が見られた。また、（ｔ１＋ｔ
２）／Ｔが０．１５よりも小さい試料Ｎｏ．１では、ビ
アホール内への導体ペーストの充填不良が発生した。

【００５５】これに対して、本発明品は、いずれも厚さ
１００μｍ以下の絶縁層に対して直径が１００μｍ以下
の低抵抗のビアホール導体を高い寸法精度で形成するこ
とができた。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明によれば、
絶縁層の表面に特定の厚み、光透過率の樹脂フィルムお
よび接着層を貼り合わせて、レーザー光照射によりビア
ホールを形成することにより、寸法精度が高く、接続信
頼性に優れた配線基板を作製できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２第１の配線回路層３ビアホール導体４絶縁層５接着層６樹脂フィルム７レーザー光８ビアホール９ビアホール導体１０第２の配線回路層Ａコア基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）第１の配線回路層が表面に被着形成
されたコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質
の絶縁層を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁層表面に樹
脂フィルムを接着層を介して接着する工程と、（ｃ）前
記樹脂フィルム側から、レーザー光を照射して前記樹脂
フィルム及び前記絶縁層を貫通し前記第１の配線回路層
に達するビアホールを形成する工程と、（ｄ）前記ビア
ホール内に導体ペーストを充填してビアホール導体を形
成する工程と、（ｅ）前記樹脂フィルムを除去する工程
と、（ｆ）前記絶縁層表面に第２の配線回路層を形成し
前記第１の配線回路層と前記第２の配線回路層とを電気
的に接続する工程と、（ｇ）加熱、加圧して少なくとも
前記絶縁層を硬化させる工程を含む配線基板の製造方法
であって、前記樹脂フィルムと接着層とを合わせた厚さ
が前記絶縁層の厚さの０．１５倍以上であり、かつかつ
前記樹脂フィルムの前記レーザー光に対する光透過率が
０．８以下であることを特徴とする配線基板の製造方
法。
【請求項２】前記絶縁層の厚みが１００μｍ以下である
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】前記樹脂フィルムの厚みが１０〜５０μ
ｍ、前記接着層の厚みが１０μｍ以下である請求項１ま
たは請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】前記絶縁層に形成されたビアホール径が、
入射側をｄ１、第１の配線回路層側をｄ２としたとき、
０．５≦ｄ２／ｄ１≦１．０の関係にある請求項１項記
載の配線基板の製造方法。
【請求項５】前記レーザー光が紫外領域の波長を持つ請
求項１乃至請求項４のいずれか記載の配線基板の製造方
法。