JP3729092B2

JP3729092B2 - 導電性接合材、多層型プリント配線基板及び多層型プリント配線基板の製造方法

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Publication number: JP3729092B2
Application number: JP2001185443A
Authority: JP
Inventors: 徹竹部; 喜夫渡邉; 賢太郎藤井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-06-19
Filing date: 2001-06-19
Publication date: 2005-12-21
Anticipated expiration: 2021-06-19
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に導体パターンが形成された基板を積層する際に、一方の基板に設けられたバンプに被着する導電性接合材、この導電性接合材を用いて基板が積層された多層型プリント配線基板及びこの多層型プリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層型プリント配線基板の製造方法には、先ず、内層基板に導体パターンを形成し、次いで、導体パターンが形成された内層基板上に絶縁層を形成し、次いで、この絶縁層上に更に導体パターンを形成し、これを繰り返すことで、導電層を複数形成する、所謂ビルドアップ法がある。しかしながら、このビルドアップ法は、製造途中で何れかの層に不良が発生すると、全てが不良となってしまい、生産性が悪い。そこで、導体パターンが形成された基板を別々に複数製造し、各基板を絶縁層を介して積層し、これを一体化して多層型プリント配線基板を製造する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述の導体パターンが形成された各基板を絶縁層を介して積層して、これを一体化する製造方法では、層間の電気的接続を図る手段として、導電性ペーストが用いられている。しかしながら、導電性ペーストは、例えば粒径が１０μｍ程度の銅粒子にバインダーとなるエポキシ樹脂、硬化剤等が含有されており、層間接続部の抵抗値が不安定となったり、また、高くなってしまう。
【０００４】
また、層間の電気的接続を図る別の手段としては、錫鉛半田を一方の基板の接続部に塗布する方法がある。しかしながら、錫鉛半田を用いる場合、フラックスが不純物となってしまうことから、フラックスを用いずに接合し層間接続を行う必要がある。このため、層間接続部での密着性が悪くなってしまう。また、錫鉛半田は、融点が低いことから、電子部品を実装するためリフロー処理を行う際、再溶融し膨張してしまい、断線が発生するおそれがある。
【０００５】
更に、層間の電気的接続を図る別の手段としては、金を接続材として用い、積層された基板を加熱圧接する方法がある。しかしながら、これは、樹脂収縮による圧着であるので信頼性に乏しい。
【０００６】
本発明の目的は、従来より低温の加熱圧着処理で複数の基板を電気的に接合することができる導電性接合材、この導電性接合材を用いて層間接続が図られた多層型プリント配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、バンプの高さを均一にして層間接続をすることができる導電性接合材、この導電性接合材を用いて層間接続が図られた多層型プリント配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
更に、本発明は、多層型プリント配線基板の製造効率を向上させつつ、接続信頼性高めることができる導電性接合材、この導電性接合材を用いて層間接続が図られた多層型プリント配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る導電性接合材は、複数の基板が積層された多層型プリント配線基板を製造するときに、一方の基板に設けられた他の基板と電気的に接続するためのバンプの先端部に被着される導電性接合材であって、銀、金、銅等の導電性のコロイド粒子が分散剤で分散されてなる。この導電性接合材剤には、コロイド粒子より大きい、例えば平均粒径が１０〜１００μｍ程度とする加熱促進をさせる発熱性の物資からなる粒子が、密着性の向上や加熱促進を図るため混合されている。
【００１０】
本発明に係る多層型プリント配線基板は、上述した課題を解決すべく、少なくとも一方の面に導電パターンが形成された複数の基板と、一方の基板の導体パターンと他方の基板の導体パターンとの間に設けられる絶縁層とを備える。そして、一方の基板の導体パターンには、他方の基板の導体パターンと電気的に接続するためのバンプが設けられ、このバンプは、先端部に、上述した導電性接合材が被着され、他方の基板の導体パターンと接合されている。
【００１１】
また、このプリント配線基板の製造方法は、内層基板の少なくとも一方の面に導電層が形成され、この導電層にバンプを形成するステップと、内層基板の導電層をパターニングして導電パターンを形成するステップと、外層基板の少なくとも一方の面に導電層が設けられ、この導電層をパターニングして導体パターンを形成するステップと、内層基板の導体パターンに設けられたバンプの先端部に導電性接合材を被着するステップと、絶縁層を介して内層基板の導体パターンと外層基板の導体パターンとが対向するように積層し、加熱圧着し、絶縁層を介して相対向する導体パターンをバンプで電気的に接続するステップとを有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された多層型プリント配線基板について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１に示すように、本発明が適用された多層型プリント配線基板１は、内層基板２，３と、外層基板４，５とを有する。各基板２，３，４，５は、絶縁層を構成するプリプレグ６，７，８を介して積層され一体化されている。
【００１４】
内層基板２，３と外層基板４，５は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させて形成されている。そして、内層基板２，３と外層基板４，５の各面には、銅箔をパターニングした導体パターン１１〜１８が設けられている。内層基板２の各面に設けられた導体パターン１１，１２、内層基板３の各面に設けられた導体パターン１３，１４、外層基板４の各面に設けられた導体パターン１５，１６及び外層基板５の各面に設けられた導体パターン１７，１８は、それぞれ基板２，３，４，５に穿設された貫通孔２１，２２，２３，２４に導電性ペースト２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａとを充填することにより層間接続されている。なお、この層間接続は、貫通孔２１，２２，２３，２４の壁面に無電解銅メッキ等によりメッキ層を設けることによって行うようにしてもよい。
【００１５】
また、内層基板２の一方の面に設けられた導体パターン１１には、プリプレグ６を介して相対向する外層基板４の導体パターン１６と層間接続をするためのバンプ２６が設けられている。このバンプ２６は、外層基板４の導体パターン１６のランド３１に電気的に接続されている。また、内層基板３には、プリプレグ７を介して相対向する内層基板２の導体パターン１２と層間接続をするためのバンプ２７が設けられている。このバンプ２７は、内層基板２の導体パターン１２のランド３２に電気的に接続されている。更に、内層基板３には、プリプレグ８を介して相対向する外層基板５の導体パターン１７と層間接続をするためのバンプ２８が設けられている。このバンプ２８は、外層基板５の導体パターン１７のランド３３に電気的に接続されている。これらバンプ２６，２７，２８は、先端部に被着された本発明が適用された導電性接合材を介してランド３１，３２，３３に接続されている。なお、バンプ２６，２７，２８は、プリプレグ６，７，８に穿設された挿通孔３４，３５，３６に挿通されることで、ランド３１，３２，３３に接続されている。
【００１６】
次に、以上のような多層型プリント配線基板１の製造方法について図面を参照して説明する。先ず、バンプ２６，２７，２８が形成される基板、すなわち内層基板２，３の製造方法について図面を参照して説明する。以下、内層基板３を例にとって説明すると、内層基板３は、図２に示すように、両面に銅箔が貼り合わされ、導電層１３ａ，１４ａが設けられている。また、この内層基板３は、導電層１３ａ，１４ａの層間接続をするため、貫通孔２２がドリル等で形成され、この貫通孔２２内に、導電性ペースト２２ａが充填されている。なお、この層間接続は、貫通孔２２の壁面に無電解銅メッキ、電解銅メッキ等によりメッキ層を設けることによって行うようにしてもよい。
【００１７】
次いで、図３に示すように、内層基板３の導電層１３ａ，１４ａ上には、バンプ２７，２８を形成するため、ドライフィルム４１，４２が貼り合わされる。そして、ドライフィルム４１，４２は、形成するバンプ２７，２８に応じた露光フィルムを用いて露光された後現像される。そして、ドライフィルム４１，４２には、図４に示すように、バンプ２７，２８が形成される領域に、導電層１３ａ，１４ａを外部に臨ませる凹部４１ａ，４２ａが形成される。次いで、図５に示すように、無電解メッキや電解メッキ等により凹部４１ａ，４２ａ内には、銅が析出され、導電層１３ａ，１４ａと一体的にバンプ２７，２８が形成される。
【００１８】
この後、図６に示すように、ドライフィルム４１，４２は、内層基板３より剥離される。そして、バンプ２７，２８が形成された導電層１３ａ，１４ａには、導電層１３ａ，１４ａをパターニングして導体パターン１３，１４を形成するために、レジスト４３，４４が電着される。そして、レジスト４３，４４は、導体パターン１３，１４を形成するためのフォトフィルムを用いて露光され、次いで現像される。これによって、図７に示すように、導体パターン１３，１４の形成されない領域のレジスト４３，４４が除去される。次いで、図８に示すように、選択的に導電層１３ａ，１４ａは、エッチングされる。すなわち、導電層１３ａ，１４ａは、レジスト４３，４４が除去された領域のみエッチングされる。また、導電層１３ａ，１４ａからは、残留したレジスト４３，４４が除去される。これによって、内層基板３には、導体パターン１３，１４が形成されると共に、バンプ２７，２８が形成される。
【００１９】
次に、バンプ２６，２７，２８が形成されない基板、すなわち外層基板４，５の製造方法について図面を参照して説明する。以下、外層基板４を例にとって説明すると、外層基板４は、図９に示すように、両面に銅箔が貼り合わされ、導電層１５ａ，１６ａが設けられている。また、この外層基板４は、導電層１５ａ，１６ａの層間接続をするため、貫通孔２３がドリル等で形成され、この貫通孔２３内に、導電性ペースト２３ａが充填されている。なお、この層間接続は、貫通孔２３の壁面に無電解銅メッキ、電解銅メッキ等によりメッキ層を設けることによって行うようにしてもよい。
【００２０】
次いで、図１０に示すように、外層基板４の導電層１５ａ，１６ａ上には、導体パターン１５，１６を形成するため、ドライフィルム４５，４６が貼り合わされる。そして、各面にドライフィルム４５，４６は、形成する導体パターン１５，１６に応じた露光フィルムを用いて露光された後現像される。これによって、図１１に示すように、ドライフィルム４５，４６は、導体パターン１５，１６が形成される領域を除いて除去される。次いで、図１２に示すように、導電層１５、１６は、ドライフィルム４５，４６が除去された領域がエッチングされ除去される。そして、エッチングされた導電層１５ａ，１６ａからは、残留したドライフィルム４５，４６が除去される。これによって、外層基板４には、導体パターン１５，１６が形成されると共に、導体パターン１６にバンプ２６が接続されるランド３１が形成される。そして、ランド３１には、バンプ２６との密着性を向上のため、錫銀等がメッキ処理又は半田印刷される。なお、このメッキ処理又は半田印刷は、他のランド３２，３３にも同様に施される。
【００２１】
外層基板５も、以上説明した外層基板４と同様に製造される。また、内層基板２の導体パターン１２側には、バンプは設けられずランドが設けられるのみである。この場合、導体パターン１１側の面は、内層基板３と同様な方法で製造し、導体パターン１２側は、外層基板４と同様な方法で製造するようにすればよい。
【００２２】
ところで、以上のように形成された各基板２〜５の間には、図１３に示すように、絶縁層となるプリプレグ６，７，８が配設される。このプリプレグ６，７，８は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたシート材である。これらプリプレグ６，７，８には、バンプ２６，２７，２８が挿通される挿通孔３４，５，３６が例えばドリルにより形成される。
【００２３】
次いで、内層基板２，３のバンプ２６，２７，２８には、本発明が適用された導電性接合材が被着される。ここで、この導電性接合材としては、導電性のコロイド粒子を分散剤で均一に分散されたものが用いられる。導電性のコロイド粒子は、数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度の導電性の粒子であり、例えばヘリウムやアルゴン等の不活性ガス中で金属を蒸発させ、ガス分子に金属原子を衝突させることで急速に冷却し凝縮させることにより製造される。このようなコロイド粒子は、通常、ナノ粒子であるため活性が高く、融点が低くなる。例えば、銀は、融点が９６０．８℃であるが、コロイド粒子であると、融点より低い温度、具体的に２６０℃程度で溶融する。したがって、本発明が適用された導電性接合材によれば、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合温度を下げることができる。
【００２４】
このコロイド粒子としては、例えば酸化しにくい銀が用いられる。銀のコロイド粒子は、分散剤により分散するように１０ｎｍ〜５０ｎｍのものが用いられる。これは、銀コロイド粒子を５０ｎｍより大きくすると、銀コロイド粒子が分散剤により分散しにくくなるためである。また、このコロイド粒子は、粒径が小さい程良いが、ここでは、製造技術上１０ｎｍとされる。
【００２５】
導電性接合材は、以上のようなコロイド粒子に、分散剤となる樹脂が混合されている。この分散剤としては、例えばアクリル系樹脂が用いられている。この分散剤は、コロイド粒子を分散させるのに必要な量として、乾燥後の重量で、コロイド粒子９４重量％に対して６重量％程度混入される。すなわち、この導電性接合材は、従来の導電性ペーストより樹脂含有量が少なく、これによって、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合部の抵抗値を下げることができる。なお、この分散剤として用いる樹脂は、分子量が１万程度である。
【００２６】
更に、導電性接合材には、コロイド粒子より大きい粒子が混入される。この粒子は、例えばランド３１，３２，３３との密着性を向上させるための錫銀合金である。なお、錫銀合金の組成比は、銀が３．５で錫が９６．５である。このように、導電性接合材は、バンプ２６，２７，２８の先端部に被着されることで、ランド３１，３２，３３に施された錫銀半田や錫銀メッキとの相性が良くなり、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との密着性を上げることができる。また、この錫銀合金は、粒子径が１０μｍ程度で、コロイド粒子より大きい粒子であることから、コロイド粒子より大きい錫銀合金が混入された導電性接合材は、バンプ２６，２７，２８の高さのばらつきを無くし、ランド３１，３２，３３との接合を確実に行うことができるようにする。
【００２７】
また、銀コロイド粒子に分散剤を混合し水で調整した銀コロイド溶液と錫銀合金との組成比は、重量で、１：１〜１０：１である。この組成比は、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との密着性、バンプ２６，２７，２８の高さのばらつき等を考慮して決められる。
【００２８】
また、導電性接合材には、ランド３１，３２，３３との密着性を向上させるための粒子として、上記錫銀合金に代えて又は錫銀合金と共に、銅粒子に銀をコートした粒子を混入するようにしてもよい。この銀コート粒子は、例えば１０〜１００μｍである。これによって、導電性接合材は、ランド３１，３２，３３に施された錫銀半田、錫銀メッキ等と、また、ランド３１，３２，３３を構成する銅箔と馴染みやすくなり、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との密着性を向上することができる。また、錫銀合金を混入したときと同様に、バンプ２６，２７，２８の高さのばらつきを抑えることができる。
【００２９】
更に、導電性接合材には、基板２，３，４，５をプリプレグ６，７，８を介して加熱圧接して一体化する際、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３とが確実に接合するように、１０〜１００μｍ程度の発熱性の物質の粒子が混入される。この発熱性の物質の粒子としては、グラファイト、フェライト、炭化珪素、チタン酸バリウム、アルミナ等が用いられる。これによって、基板２，３，４，５を加熱圧着して一体化する際に、確実に、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３とを接合することができる。
【００３０】
以上のように構成された導電性接合材は、２５重量％程度の水で１０Ｐ（ポイズ）程度に調整される。そして、導電性接合材は、貯留部に貯留された導電性接合材にバンプ２６，２７，２８の先端部が浸漬され、この後、例えば１００℃で１分間乾燥されることによって、バンプ２６，２７，２８の先端部に被着される。なお、導電性接合材をバンプ２６，２７，２８の先端部に被着する方法としては、この他に、インクジェットを用いてバンプ２６，２７，２８の先端部に塗布する方法、印刷によってバンプ２６，２７，２８の先端部に塗布する方法、ディスペンサーを用いてバンプ２６，２７，２８の先端部に塗布する方法等がある。
【００３１】
そして、バンプ２６，２７，２８に以上のようにして導電性接合材が被着された各基板２，３，４，５は、間にプリプレグ６，７，８を挟んで一体化される。具体的に、図１３に示すように、外層基板４と内層基板２との間には、導体パターン１６と導体パターン１１との絶縁を図るためプリプレグ６が配され、内層基板２と内層基板３との間には、導体パターン１２と導体パターン１３との絶縁を図るためプリプレグ７が配され、内層基板３と外層基板５との間には、導体パターン１４と導体パターン１７との絶縁を図るためプリプレグ８が配される。
【００３２】
そして、基板２，３，４，５の間にプリプレグ６，７，８が配設されると、これは、加圧装置に配設される。具体的に、この加圧装置は、３０ｋｇ／ｃｍ^２以上加圧可能で最大３００℃まで加熱可能な装置である。多層型プリント配線基板１の製造方法では、コロイド粒子に銀を用いた場合を例に取り説明すると、基板２，３，４，５とプリプレグ６，７，８とが積層されたものを、３０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で加圧しながら、先ず、１３０℃で３０分間加熱し、プリプレグ６，７，８、すなわちガラスエポキシ樹脂を溶融する。次いで、同じ条件で加圧しながら、１８０℃で７０分加熱し、熱硬化型樹脂であるガラスエポキシ樹脂を硬化する。次いで、同じ条件で加圧しながら、２６０℃で１０分間加熱することによりバンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合部を溶融する。これによって、図１に示すように、基板２，３，４，５をプリプレグ６，７，８を介在させた状態で一体化し多層型プリント配線基板１を製造することができる。
【００３３】
なお、高周波を使用するときには、３０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で加圧しながら、１３０℃で３０分間加熱し、次いで、同じ条件で加圧しながら、１８０℃で７０分加熱するし、熱硬化型樹脂であるガラスエポキシ樹脂を硬化する。このときの周波数は、２．４５ＧＨｚであり、出力は、５００Ｗであり、照射時間は、１〜２分である。
【００３４】
以上のように、本発明が適用された多層型プリント配線基板１では、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合に導電性接合材を用いる。導電性接合材は、コロイド粒子が含有されていることから、加熱加圧時の温度を下げることができ、製造効率を上げることができる。また、導電性接合材は、従来の導電性ペーストに比べ樹脂含有量が少ないことから、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合部の抵抗値を下げることができる。更に、導電性接合材は、コロイド粒子の他に、ミクロンオーダーの粒子が密着性の向上や加熱促進の観点から加えられる。これら粒子は、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との密着性を向上させたり、加熱圧接時に効率良く他の材料を溶融させることができる他に、バンプ２６，２７，２８の高さのばらつきを抑え、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３との接合を確実に行うことができる。
【００３５】
なお、下記表１にφ０．１ｍｍのバンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３の接合部の抵抗値を示す。
【００３６】
【表１】

【００３７】
表１に示すように、本発明が適用された導電性接合材（銀コロイド＋錫銀合金の導電性接合材、銀コロイド＋銀コート銅粒子、銀コロイド＋銀コート銅粒子）は、銅ペーストより格段に抵抗値を下げ、銅メッキの抵抗値に近づけることができる。
【００３８】
以上、本発明が適用された導電性接合材として、銀コロイド粒子を用いた例を説明したが、コロイド粒子としては、この他に、金コロイド粒子、銅コロイド粒子等を用いるようにしてもよい。
【００３９】
また、以上の例では、バンプ２６，２７，２８とランド３１，３２，３３の接合に本発明が適用された導電性接合材を用いる例を説明したが、この導電性接合材は、この他に、電子部品をプリント配線基板の実装部に実装するのに用いてもよい。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性のコロイド粒子が含有されており、このコロイド粒子は、活性が高いことから融点が低くなる。したがって、接合時における処理温度を低くすることができると共に処理効率を向上させることができる。また、この導電性接合材は、従来の導電性ペーストに比べ樹脂含有量が少ないことから、接合部の抵抗を低くすることができる。
【００４１】
この導電性接合材を多層型プリント配線基板のバンプとランドの接合に用いたときには、多層型プリント配線基板の製造効率を向上させることができると共に、バンプとランドの接合部の抵抗値を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用された多層型プリント配線基板の要部断面図である。
【図２】両面に導電層を構成する銅箔が貼り合わされた内層基板の要部断面図である。
【図３】内層基板の銅箔上にドライフィルムが貼り合わされた状態を示す要部断面図である。
【図４】内層基板の銅箔上に貼り合わされたドライフィルムを露光現像しバンプを形成するための凹部を形成した状態を示す要部断面図である。
【図５】ドライフィルムに形成された凹部に銅が析出された状態を示す要部断面図である。
【図６】内層基板に導体パターンを形成するため銅箔上にレジストを形成した状態を示す断面図である。
【図７】レジストが導体パターンに合わせて選択的に除去された状態を示す要部断面図である。
【図８】導体パターンが形成された内層基板の要部断面図である。
【図９】両面に導電層を構成する銅箔が貼り合わされた外層基板の要部断面図である。
【図１０】外層基板の銅箔上にドライフィルムが貼り合わされた状態を示す要部断面図である。
【図１１】外層基板の銅箔上に貼り合わされたドライフィルムが導体パターンに合わせて選択的に除去された状態を示す要部断面図である。
【図１２】導体パターンが形成された外層基板の要部断面図である。
【図１３】基板間にプリプレグを配した状態を説明する要部断面図である。
【符号の説明】
１多層型プリント配線基板、２，３内層基板、４，５外層基板、６〜８プリプレグ、１１〜１８導体パターン、２１〜２４貫通孔、２６〜２８バンプ、３１〜３３ランド、３４〜３６挿通孔

Claims

複数の基板が積層された多層型プリント配線基板を製造するときに、一方の基板に設けられた他の基板と電気的に接続するためのバンプの先端部に被着される導電性接合材であって、
導電性のコロイド粒子が分散剤で分散されるとともに、加熱促進をさせる発熱性の物資からなる粒子が混合されている導電性接合材。
上記コロイド粒子は、銀である請求項１記載の導電性接合材。
更に、他方の基板との密着性を高める粒子が混合されている請求項１記載の導電性接合材。
上記粒子の平均粒径は、１０μｍ〜１００μｍである請求項３記載の導電性接合材。
少なくとも一方の面に導電パターンが形成された複数の基板と、
上記一方の基板の導体パターンと上記他方の基板の導体パターンとの間に設けられる絶縁層とを備え、
一方の基板の導体パターンには、他方の基板の導体パターンと電気的に接続するためのバンプが設けられ、
上記バンプと上記他方の基板の導体パターンとは、バンプの先端部に被着された導電性接合材を介して接合されており、
上記導電性接合材は、導電性のコロイド粒子が分散剤で分散されるとともに、加熱促進をさせる発熱性の物資からなる粒子が混合されたものである多層型プリント配線基板。
上記導電性接合材には、更に他方の基板との密着性を高める粒子が混合されている請求項５記載の多層型プリント配線基板。
上記粒子の平均粒径は、１０μｍ〜１００μｍである請求項６記載の多層型プリント配線基板。
上記複数の基板と上記絶縁層とは、加熱圧着により一体化される請求項５記載の多層型プリント配線基板。
内層基板の少なくとも一方の面に導電層が形成され、この導電層にバンプを形成するステップと、
上記内層基板の導電層をパターニングして導電パターンを形成するステップと、
外層基板の少なくとも一方の面に導電層が設けられ、この導電層をパターニングして導体パターンを形成するステップと、
上記内層基板の導体パターンに設けられたバンプの先端部に導電性接合材を被着するステップと、
絶縁層を介して上記内層基板の導体パターンと上記外層基板の導体パターンとが対向するように積層し、加熱圧着し、絶縁層を介して相対向する導体パターンをバンプで電気的に接続するステップとを有し、
上記導電性接合材は、導電性のコロイド粒子が分散剤で分散されるとともに、加熱促進をさせる発熱性の物資からなる粒子が混合されたものである多層型プリント配線基板の製造方法。
上記導電性接合材には、更に他方の基板との密着性を高める粒子が混合されている請求項９記載の多層型プリント配線基板の製造方法。
上記粒子の平均粒径は、１０μｍ〜１００μｍである請求項１０記載の多層型プリント配線基板の製造方法。