JP2014195117A - 連続マイクロビアレーザ穿孔を用いて多層基板コア構造を形成する方法および当該方法に従って形成された基板コア構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板コア構造製造方法および当該方法に従って形成される基板コア構造を提供する。
【解決手段】開始絶縁層10を貫通するように第1のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、第1のビア開口群を導電材料で充填して第1の導電ビア群18を設ける段階と、開始絶縁層の互いに対向し合う面に第1および第2のパターニング導電層を設ける段階と、第1のパターニング導電層19の上に補完的絶縁層26を設ける段階と、補完的絶縁層26を貫通するように第2のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、第2のビア開口群を導電材料で充填して第2の導電ビア群30を設ける段階と、補完的絶縁層の露出面に補完的パターニング導電層36を設ける段階とを備え、第2の導電ビア群30は、互いに対向し合う面において、第1のパターニング導電層19および補完的パターニング導電層36と接している。
【選択図】図9H
【解決手段】開始絶縁層10を貫通するように第1のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、第1のビア開口群を導電材料で充填して第1の導電ビア群18を設ける段階と、開始絶縁層の互いに対向し合う面に第1および第2のパターニング導電層を設ける段階と、第1のパターニング導電層19の上に補完的絶縁層26を設ける段階と、補完的絶縁層26を貫通するように第2のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、第2のビア開口群を導電材料で充填して第2の導電ビア群30を設ける段階と、補完的絶縁層の露出面に補完的パターニング導電層36を設ける段階とを備え、第2の導電ビア群30は、互いに対向し合う面において、第1のパターニング導電層19および補完的パターニング導電層36と接している。
【選択図】図9H
Description
本発明の実施形態は概して、多層基板コア構造の製造技術に関する。特に、そのようなボードをその内部にマイクロビアをレーザ穿孔することによって製造する方法に関する。
多層基板コア構造(MPWB)は従来、銅被覆コアを最初に準備することによって製造され得る。銅被覆コア(CCL)は、用途の要件に応じて一面または二面が銅で被覆されている積層体であってよい。そのような製造プロセスの一例を、図1から図8において図示する。図1に示すように、絶縁積層体12と、上側銅膜140と、下側銅膜160とを備える二面型CCL101がまず準備される。図2に示すように、上側銅膜140および下側銅膜160は、積層体120に与えられる予定の所定のインターコネクトパターンに従って、例えばエッチング技術を用いて事前パターニングされて、パターニング銅膜150および170が得られる。その後、図3に示すように、誘電体層、例えば、ABF層190および210(層間絶縁用フィルム)が、パターニング銅膜150および160の上に積層されて、図4に示すように、第1の中間積層体180が得られる。図4に示すように、第1の中間積層体180にはその後、機械的穿孔作業およびデスミア処理によって貫通孔201が設けられて、第2の中間積層体220が得られる。デスミア処理は、デスミア溶液を用いてボードを処理して、穿孔作業によって発生するスミアを溶解または除去することを含む。図5に示すように、その後で貫通孔201ならびに中間積層体220の上面および下面にメッキ処理が施されて、メッキ貫通孔(PTH)260を有するメッキ中間積層体240が得られる。図6に示すように、メッキ中間積層体240にはその後で、銅のような導電材料250を用いてPTHプラギング(閉塞)処理を実施するとしてよい。その結果、プラギング中間積層体280が得られる。続いて、図7に図示するように、プラギング中間積層体280には、銅のような導電材料を用いて蓋メッキを行うとしてよく、この結果として上面および下面に蓋メッキ270および290が設けられる。このメッキ処理は、図6に示す積層体280の上に設けられている上側メッキおよび下側メッキに対して行われ、蓋メッキ中間積層体300が得られる。その後、蓋メッキ中間積層体30の上面および下面に設けられている銅を、例えばエッチングによって、パターニングすることによって、図8に示すような配線ボード320が得られる。
先行技術に係る基板は通常、厚みが大きいコア(例えば、約0.7mmの厚みを持つもの、積層または導電層を含まない)を基礎としてその上に作成される。先行技術に係るコア積層プロセスは、時間が長くかかってしまう可能性がある。4層から成るコアを一例として挙げると、先行技術に係る製造プロセスのマクロ的処理段階は、コア焼成および洗浄、コア銅パターニング、銅粗面化、ABF積層、メッキ貫通孔穿孔、デスミア処理、銅メッキ、銅粗面化、メッキ貫通孔プラギング、表面平坦化、銅メッキ、および最後の銅パターニングの全てを含み得る。しかし、機械的に行われるメッキ貫通孔穿孔は、先行技術に係る多層基板コア構造の製造において最も高価なプロセスとなり得る。上述したようにプラギング処理が必要となることから、先行技術では、製造コストがさらに増加し得る。
問題点として、先行技術に係る基板コア構造の基板コア構造は、高価になってしまう可能性があり、機械的穿孔技術が利用される結果製造コストが高くなってしまう可能性がある点が挙げられる。基板コア構造のコストおよび製造コストは、基板コア構造が小型化されて将来の用途のためにサイズ調整される場合には、跳ね上がってしまい得る。さらに、機械的穿孔は、約150ミクロン未満の孔を形成するのには適していない。
先行技術では、費用対効果が高く、適切で、信頼性の高い、多層基板コア構造製造方法が得られない。
図示を簡潔および明確にすることを目的として、図中に示す構成要素は必ずしも実寸に即してはいない。例えば、構成要素の一部の寸法は、明確な図示を目的として、ほかの構成要素に比べて強調されている場合がある。それが適切と考えられる場合は、複数の図面にわたって対応するまたは同様の構成要素を示すべく同じ参照番号を繰り返し用いる場合がある。
以下に記載する詳細な説明では、基板コア構造を製造する方法、例えば、基板コア構造、当該方法に従って形成された基板コア構造、および、当該基板コア構造を備えるシステムが開示される。説明に当たっては、本発明を実施し得る具体的な実施形態を例示する添付図面を参照する。これら以外にも実施形態が存在し得ること、および、本発明の範囲および精神を逸脱することなく構造を変更し得ることを理解されたい。
本発明で使用する場合、「上」、「上方」、「下方」、および「隣接」という用語は、ある構成要素と他の構成要素との間の相対的な位置関係を表すものとする。このため、第1の構成要素は、第2の構成要素の上、上方、または下方に配設されている場合、第2の構成要素と直接接触しているとしてもよいし、または、その間に1以上の構成要素が介在するとしてもよい。さらに、第1の構成要素は、第2の構成要素の隣に、または隣接するように配設される場合、第2の構成要素と直接接触しているとしてもよいし、または、その間に1以上の構成要素が介在するとしてもよい。また、本明細書では、図面および/または構成要素は、選択的に言及する場合がある。例えば、図面X/Yが構成要素A/Bを示すと記載されている場合、この記載は、図面Xが構成要素Aを示し、図面Yが構成要素Bを示す、ことを意味する。また、本明細書において使用する場合、「層」という用語は、単一の材料から成る層、複数の異なる成分の混合物から成る層、複数のさまざまなサブ層から成る層を意味するとしてよい。尚、サブ層は、上述した「層」の定義と同様に定義される。
上述およびその他の実施形態は、図9Aから図11を参照しつつ以下で説明する。図9Aから図9Hは、導電層のサブトラクティブパターニングを含む第1の実施形態に係る多層基板コア構造製造方法の各段階を示す図である。図10Aから図10Hは、例えば、微細な線幅および線間(Fine Line and Space:FLS)ルーティングのために、導電層のセミアディティブパターニングを含む第2の実施形態に係る多層基板コア構造製造方法の各段階を示す図である。図11は、実施形態に係る多層基板コア構造が組み込まれたシステムを示す図である。しかし、これらの図面は、本発明の説明および理解を目的として供されているものであるので、本発明を限定するものと解釈されるべきではない。
図9Aおよび図10Aを参照しつつ説明すると、方法の実施形態は、開始絶縁層10を準備する段階を備える。開始絶縁層は、公知のコア絶縁/誘電材料、例えば、ガラスエポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン(BT)、またはABFのうちいずれかを含むとしてよい。開始絶縁層は、繊維強化ガラスエポキシ樹脂を含むのが好ましい。一実施形態によると、図9Aおよび図10Aに示すように、開始絶縁層10の上に、銅、銀、またはニッケルから成る初期導電層12が設けられるとしてよい。図9Aおよび図10Aに示す実施形態によると、開始絶縁層10は、従来の銅被覆コア(CCL)14の一部であってよい。第1の実施形態によると、初期導電層12は、例えば、厚みが約50ミクロンから約70ミクロンの間にあり、図10Aに示す第2の実施形態によると、初期導電層12は、厚みが約1ミクロンから約2ミクロンの間にあるとしてよい。
次に図9Bおよび図10Bを参照しつつ説明すると、実施形態は、図示されるように、開始絶縁層10を貫通するように第1のビア開口群14をレーザ穿孔する段階を含む。図示されている実施形態によると、ビアは導電層12に到達する。レーザ穿孔するために、二酸化炭素ガスレーザビーム、紫外線レーザビーム、または、エキシマレーザビームを利用するとしてよい。例えば、一実施形態では、ガラス繊維強化開始絶縁層に対して、パワー範囲が約1mJから約10mJの範囲内にあり、パルス幅が約1msから約100msの範囲内にある二酸化炭素レーザを利用する。レーザ穿孔パラメータは、何よりも、レーザ穿孔の対象である材料、当該材料の厚み、および、形成される予定のビアの寸法に応じて決定される。
続いて図9Cおよび図10Cを参照しつつ説明すると、実施形態は、図示されるように、第1のビア開口群14を導電材料16で充填して第1の導電ビア群18を形成する段階を含む。好ましい実施形態によると、導電材料16は、選択的高速無電解メッキによって与えられるとしてよい。導電材料16は銅を含むのが好ましいが、ニッケルおよび/または銀を含むとしてもよい。図10Cに示す実施形態によると、導電材料16は、選択的高速無電解メッキによって与えられるとしてもよい。公知であるように、選択的高速無電解銅メッキは、触媒を含む無電解メッキ溶液を用いて実行するとしてよい。つまり、無電解メッキ溶液は、触媒が含まれていない溶液と比べて、メッキされるべき材料の堆積率が格段に高くなるような量で任意の物質を触媒として含む。当該触媒はさらに、選択的高速無電解メッキを実現可能とするべく、初期導電層の銅領域にのみ当該触媒を堆積させる特性を持つ。
続いて図9Dおよび図9Eならびに図10Dおよび図10Eを参照しつつ説明すると、方法の実施形態は、開始絶縁層10の一の面に第1のパターニング導電層19を設けて、開始絶縁層10の別の面に第2のパターニング導電層20を設ける段階を備える。図9Dおよび図9Eに示す第1の実施形態によると、第1のパターニング導電層を設ける段階は、エッチングによって初期導電層12をパターニングする段階を含み、第2のパターニング導電層を設ける段階は、開始絶縁層10の、初期導電層12が設けられている面とは逆の面に第2の導電層24を設けて、例えばエッチングによって第2の導電層24をパターニングする段階を含む。第2の導電層24は、開始絶縁層10に積層されるのが好ましい。図10Dおよび図10Eに示す第2の実施形態によると、第1のパターニング導電層19を設ける段階は、第1のビア開口群14を充填した後で初期導電層12を例えばエッチングによって除去して、セミアディティブ法によって、第1のパターニング導電層19および第2のパターニング導電層20を設ける段階を含む。初期導電層12の除去は、当業者が想到し得るように、急速エッチング(quick etch)処理を用いて、行うのが好ましい。セミアディティブ法は、公知の処理であり、例えば、必要に応じてデスミア処理を実行して、開始絶縁層10の表面を粗面化した後で、開始絶縁層10に対して無電解メッキを実行して、無電解メッキ膜(不図示)、例えば無電解銅メッキ膜を、開始絶縁層10に形成するとしてよい。そして、無電解メッキ膜にフォトレジストを堆積させて、当該フォトレジストを露光して現像し、開始絶縁層10の上に、第1および/または第2のパターニング導電層のパターンに対応する非マスク領域を残すように、レジストパターンを形成するとしてよい。電解メッキを用いることで、無電解メッキ膜は、シード層として利用され、電解メッキ膜が非マスク領域に積層されるとしてよい。その後、レジストパターンをエッチングによって除去して、その後、それまでレジストパターンによって被覆されていた無電解メッキ膜を、エッチングによって除去するとしてよい。このようにして、第1および第2のパターニング導電層19および20が、図10Eに示す第2の実施形態では、形成されるとしてよい。
続いて図9Fおよび図10Fを参照しつつ説明すると、方法の実施形態は、第1のパターニング導電層19に補完的絶縁層26を設ける段階を備える。一部の実施形態によると、図9Fおよび図10Fに示すように、第2のパターニング導電層20に追加で補完的絶縁層28を設けるとしてもよい。当該実施形態に係る補完的絶縁層は、上述した開始絶縁層に用いられたのと同じ材料を含むとしてよい。一実施形態によると、当該実施形態に係る補完的絶縁層は、対応するパターニング導電層に対して補完的絶縁層を積層することによって設けられるとしてよい。
続いて図9Gおよび図10Gを参照しつつ説明すると、方法の実施形態は、第1の補完的絶縁層26を貫通するように第2の導電ビア群30を設ける段階と、補完的絶縁層26の露出面32に補完的パターニング導電層36を設ける段階とを備える。第2の導電ビア群30は、一の面において第1のパターニング導電層19に接し、別の面において補完的パターニング導電層36に接する。第2の導電ビア群30を設ける段階は、補完的絶縁層26を貫通するように第2のビア開口群34をレーザ穿孔する段階を有するとしてよい。第2のビア開口群は、第1のパターニング導電層に到達する。その後、第2のビア開口群34を、銅、銀および/またはニッケルのような導電材料で充填して、第2の導電ビア群30を形成するとしてよい。レーザ穿孔は、例えば、図9Bおよび図10Bを参照して上述した方法と同様の方法で実行されるとしてよく、第2のビア開口群に導電材料を充填する工程は、図9Gに示す実施形態については、例えば図9Cを参照しつつ説明した方法と同様の方法で(高速無電解メッキを用いる)、図10Gに示す実施形態については、例えば図10Cを参照しつつ上述した方法と同様の方法で(選択的高速無電解メッキを用いる)実行されるとしてよい。補完的パターニング導電層36は、図9Gに示す実施形態については、例えば図9Eを参照しつつ上述した方法と同様の方法で(導電層を積層して、当該導電層をエッチングする方法)、図10Gに示す実施形態については、例えば図10Eを参照しつつ上述した方法と同様の方法で(セミアディティブ法を用いる方法)配設するとしてよい。
さらに図9Gおよび図10Gを参照しつつ説明すると、方法の一実施形態によると、任意で、補完的絶縁層26を第1の補完的絶縁層として、当該実施形態は、第2のパターニング導電層20に第2の補完的絶縁層28を設ける段階と、第3の導電ビア群38を設ける段階と、第2の補完的絶縁層28の露出面41に第2の補完的パターニング導電層40を設ける段階とを備える。この後者の方法の実施形態によると、第3の導電ビア群38は、一の面において第2の補完的パターニング導電層28と接し、別の面において第2のパターニング導電層20と接する。第2の補完的絶縁層28は、一実施形態によると、図9Fおよび図10Fを参照しつつ上述した第1の補完的絶縁層26を設ける方法と同様の方法で、設けられるとしてよい。また、第3の導電ビア群38は、図9Gの実施形態については、例えば図9Cを参照しつつ上述した第1の導電ビア群18を設ける方法と同様の方法で(高速無電解メッキを用いる)、図10Gに示す実施形態については、例えば図10Cを参照しつつ上述した第1の導電ビア群18を設ける方法と同様の方法で(選択的高速無電解メッキを用いる)、設けられるとしてよい。
実施形態によると、ビア開口をレーザによって穿孔すると、図9Hおよび図10Hに示すように、構造が円錐状となり得るレーザ穿孔されたビア開口が形成され、さらに、基板コア構造の任意の各層内で、それぞれが順次延伸する導電ビアが最終的に形成される。これは、先行技術に係るプリントされた貫通孔の場合のように、基板コア構造の厚み全体を貫通するように延伸するものとは対照的である。上述したような実施形態に係る層単位で形成される導電ビア、または、それぞれが順次形成される導電ビアによって、図示されているように、ずれたビアを設けることが可能となる。
図9Hおよび図10Hに示す基板コア構造には、補完的絶縁層の数が2つ、導電ビア群は3つ、パターニング導電層群は4つのみであるが、実施形態はこれに限定されないことに留意されたい。実施形態の範囲には、所望の基板コア構造を実現するために必要な数の補完的絶縁層、対応する導電ビア群、および対応するパターニング導電層群を設けることが含まれる。上述したようにさまざまな構成要素、例えば、補完的絶縁層、導電ビア群、およびパターニング導電層群を設けることは、図9Aから図9Hに示した第1の実施形態について上述した方法、または、図10Aから図10Hに示した第2の実施形態について上述した方法のいずれを用いて実行するとしてもよい。さらに、第2の実施形態については、開始絶縁層10の上に初期導電層12を設ける構成が好ましいとして説明したが、第2の実施形態はこれに限定されず、初期導電層12を設けずに図10Aから図10Hに示す処理フローを含むとしてよい。
図9Hおよび図10Hを参照しつつ説明すると、方法の実施形態は、開始絶縁層10、第1の導電ビア群18、第1のパターニング導電層19、第2のパターニング導電層20、1以上の補完的絶縁層26および28、1以上の追加の導電ビア群(例えば、第2および第3の導電ビア群30および38)、および1以上の補完的パターニング導電層36および40から成る構造に対して、ホットプレス処理を施して、導電ビアをパターニング導電層のパッド部分に結合させることを備えるとしてよい。このホットプレス処理は、当業者が想到し得る公知のホットプレス方法のうち任意の1つの方法に従って行われるとしてよい。圧力を高くして、実施形態において、金属結合に必要な温度を大幅に、例えば、約摂氏400度から約摂氏150度まで、開始絶縁層および補完的絶縁層の材料が耐え得る限りにおいて、低減させるのが好ましいとしてよい。実施形態に係るホットプレス処理の最高温度は、約摂氏260度を超えないのが好ましい。
実施形態は、任意で高速無電解金属メッキによって金属化されるレーザ穿孔ビア開口を用いる多層基板コア構造を形成することが出来る方法を提供するという効果を奏する。実施形態は、新たな多層基板コア構造、および、高コストのメッキ貫通孔構造に代えて低コストのレーザ穿孔マイクロビアが設けられる当該多層基板コア構造を形成する方法を提供する。パターニングの微細度の要件に応じて、2つの異なる方法実施形態が提案されており、一方の方法は図9Aから図9Hを参照しつつ上述し、他方の方法は図10Aから図10Hを参照しつつ上述した。図9Aから図9Hを参照しつつ例示した第1の実施形態に係る方法は、厚みの大きい銅等の厚みの大きい導電層(例えば、厚みが約50ミクロンから約70ミクロンの間である銅)および中程度の線幅と線間(例えば、線幅および線間が約30ミクロン以上)の場合のサブトラクティブパターニングに対応する。図10Aから図10Hを参照しつつ例示した第2の実施形態に係る方法は、厚みの小さい銅等の厚みの小さい導電層(例えば、厚みが約2ミクロン未満である銅導電層)および微細な線幅と線間(例えば、線幅および線間が約30ミクロン未満)の場合のセミアディティブパターニング(SAP)法に対応する。実施形態は、何よりも、以下の問題を解決するという効果を奏する。(1)高コストな機械的に穿孔されるメッキ貫通孔に代えて、低コストなレーザ穿孔マイクロビアを設けることによって、機械的穿孔技術を用いる先行技術に係る基板コア構造の高コストの問題を解決する(2)低コストな処理且つ処理時間の短縮化を実現することによって、銅等から成る導電層を貫通するようにレーザ穿孔する必要があるという問題を解決し、いずれの導電層についても貫通するようにレーザ穿孔する必要がない、信頼性の高いレーザ穿孔ビアコア構造を実現する。一実施形態によると、先行技術に係るメッキ貫通孔構造に代えて、レーザ穿孔されたマイクロビアを設けるだけではなく、コア誘電材料の厚みが低減されるので(実施形態によると、ビアの寸法、ならびに、線幅および線間が概して小さくなるので)、先行技術に係る方法よりも低コストな製造方法が提供される。また、実施形態に係るレーザ穿孔によって、ビアサイズおよびピッチが小さいので、ビアの小型化およびピッチの縮小が可能となり、先行技術にかかる構成に比べて、開始絶縁層の接続密度を高くすることが可能となる。
このため、低コストで、設計が改善されると共に小型化が調整可能となる。レーザ穿孔は、位置合わせ精度が高く(15μmのPOR)、スループットが高く(最高で約2000ビア/秒)、作成可能なビアのサイズが広範囲にわたり(約50ミクロンから約300ミクロンの間)、コストが低い(1000個のビアにつき約2セント)という特徴を持つ。位置合わせ精度が高く、且つ、ビアサイズが小さいことから、ビアピッチを約150ミクロンにまで小さくすることができ、約400ミクロンという通常のメッキ貫通孔のピッチよりも遥かに小さくすることができる。さらに、実施形態によれば、(ピッチ、パッドサイズ、ビア寸法が小型化され得るので)構造を小型化し得る要因があり、(絶縁層の厚みにおけるルーティングがより微細になり得る可能性があることから、より厚みの小さい絶縁層が実現され得る可能性があり、および/または、絶縁層の量が低減され得る可能性があるので)z軸方向の高さを低減し得る基板コア構造基板構造が提供される。実施形態はさらに、(先行技術に係るメッキ貫通孔の場合にそうであるように)全絶縁層の厚み全体を直進して通過するように延伸するビアに限定されない限りにおいて、コアにおけるルーティングを柔軟に実現可能であり、むしろ、ビアが各絶縁層において別個に設けられているので、コアルーティング構成について多くの可能性が得られる。上述の構成は、先行技術に比べて、基板コア構造の設計を改善すると共に性能を向上させ得るという効果を奏し得る。また、一実施形態に係るビアの充填は、誘電領域ではなく銅パッドに対して選択的高速無電解銅メッキを利用しているが、このような構成は、銅領域のみに触媒が植え付けられるように触媒を適切に選択すれば実現可能である。従来の無電解メッキの速度、例えば、無電解銅メッキの速度は、遅い(約4ミクロン/時間から約5ミクロン/時間)場合があったが、高速無電解銅メッキ方法のような高速無電解メッキ方法によって、メッキ速度については、1時間あたり2ミクロンという高速を達成し得る。また、一実施形態によると、ホットプレス処理を利用することによって、ビア(銅、ニッケル、または銀のいずれであっても)とパッド、たとえば銅パッドとの間に形成される金属結合の信頼性を高めることができるという効果が得られる。
このため、低コストで、設計が改善されると共に小型化が調整可能となる。レーザ穿孔は、位置合わせ精度が高く(15μmのPOR)、スループットが高く(最高で約2000ビア/秒)、作成可能なビアのサイズが広範囲にわたり(約50ミクロンから約300ミクロンの間)、コストが低い(1000個のビアにつき約2セント)という特徴を持つ。位置合わせ精度が高く、且つ、ビアサイズが小さいことから、ビアピッチを約150ミクロンにまで小さくすることができ、約400ミクロンという通常のメッキ貫通孔のピッチよりも遥かに小さくすることができる。さらに、実施形態によれば、(ピッチ、パッドサイズ、ビア寸法が小型化され得るので)構造を小型化し得る要因があり、(絶縁層の厚みにおけるルーティングがより微細になり得る可能性があることから、より厚みの小さい絶縁層が実現され得る可能性があり、および/または、絶縁層の量が低減され得る可能性があるので)z軸方向の高さを低減し得る基板コア構造基板構造が提供される。実施形態はさらに、(先行技術に係るメッキ貫通孔の場合にそうであるように)全絶縁層の厚み全体を直進して通過するように延伸するビアに限定されない限りにおいて、コアにおけるルーティングを柔軟に実現可能であり、むしろ、ビアが各絶縁層において別個に設けられているので、コアルーティング構成について多くの可能性が得られる。上述の構成は、先行技術に比べて、基板コア構造の設計を改善すると共に性能を向上させ得るという効果を奏し得る。また、一実施形態に係るビアの充填は、誘電領域ではなく銅パッドに対して選択的高速無電解銅メッキを利用しているが、このような構成は、銅領域のみに触媒が植え付けられるように触媒を適切に選択すれば実現可能である。従来の無電解メッキの速度、例えば、無電解銅メッキの速度は、遅い(約4ミクロン/時間から約5ミクロン/時間)場合があったが、高速無電解銅メッキ方法のような高速無電解メッキ方法によって、メッキ速度については、1時間あたり2ミクロンという高速を達成し得る。また、一実施形態によると、ホットプレス処理を利用することによって、ビア(銅、ニッケル、または銀のいずれであっても)とパッド、たとえば銅パッドとの間に形成される金属結合の信頼性を高めることができるという効果が得られる。
図11は、本発明の実施形態が利用され得るシステム900のうち1つを示す図である。一実施形態によると、電子アセンブリ1000は、図9Hの構造100または図10Hの構造200のような、基板コア構造を備えるとしてよい。アセンブリ1000はさらに、マイクロプロセッサを備えるとしてよい。別の実施形態によると、電子アセンブリ1000は、特定用途向けIC(ASIC)を備えるとしてよい。チップセット(例えば、グラフィクスチップセット、サウンドチップセットおよび制御チップセット)内の集積回路もまた、本発明の実施形態に従ってパッケージングされるとしてよい。
図11に図示される実施形態について、システム900はさらに、メインメモリ1002、グラフィクスプロセッサ1004、大容量ストレージデバイス1006、および/または、入出力モジュール1008を備え、これらの構成要素は互いに図示されているようにバス1010によって結合されている。メモリ1002の例は、これらに限定されないが、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)およびダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を含む。大容量ストレージデバイス1006の例は、これらに限定されないが、ハードディスクドライブ、コンパクトディスクドライブ(CD)、DVD等を含む。入出力モジュール1008の例は、これらに限定されないが、キーボード、カーソル制御装置、ディスプレイ、ネットワークインターフェース等を含む。バス1010の例は、これらに限定されないが、PCI(周辺機器制御インターフェース:Peripheral Control Interface)バス、業界標準アーキテクチャ(ISA)バス等を含む。さまざまな実施形態によると、システム90は、無線携帯電話、携帯情報端末(PDA)、ポケット型PC、タブレットPC、ノートブックPC、デスクトップコンピュータ、セットトップボックス、メディアセンターPC、DVDプレーヤ、およびサーバであってよい。
上述したさまざまな実施形態は、本発明を例示する目的で記載したに過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、特許請求の範囲によって定義される本発明は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく多くの点で変更することが可能であるので、上記に記載した具体的且つ詳細な内容に限定されるものではないと理解されたい。
上述したさまざまな実施形態は、本発明を例示する目的で記載したに過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、特許請求の範囲によって定義される本発明は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく多くの点で変更することが可能であるので、上記に記載した具体的且つ詳細な内容に限定されるものではないと理解されたい。
[項目1]
基板コア構造を製造する方法であって、
開始絶縁層を準備する段階と、
前記開始絶縁層を貫通するように第1のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第1の導電ビア群を設けるべく、前記第1のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記開始絶縁層の一の面に第1のパターニング導電層を設けて、前記開始絶縁層の別の面に第2のパターニング導電層を設ける段階と、
前記第1のパターニング導電層の上に補完的絶縁層を設ける段階と、
前記補完的絶縁層を貫通するように第2のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第2の導電ビア群を設けるべく、前記第2のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記補完的絶縁層の露出面に補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記第2のパターニング導電層と接しており、
前記第2のビア開口群は、前記第1のパターニング導電層に到達しており、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記補完的パターニング導電層と接している
方法。
[項目2]
レーザ穿孔の前に、前記開始絶縁層の一の面に初期導電層を設ける段階
をさらに備え、
充填する段階は、前記初期導電層まで到達するように前記第1の導電ビア群を設ける段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目3]
前記補完的絶縁層を設ける段階は、前記補完的絶縁層を積層する段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目4]
前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、高速無電解メッキを用いる段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目5]
高速無電解メッキは、高速無電解銅メッキを含む
項目4に記載の方法。
[項目6]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目1に記載の方法。
[項目7]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目1に記載の方法。
[項目8]
前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、エッチングによって初期導電層をパターニングする段階を有し、
前記第2のパターニング導電層を設ける段階は、
前記開始絶縁層の前記別の面に第2の導電層を設ける段階と、
エッチングによって前記第2の導電層をパターニングする段階と
を有する
項目1に記載の方法。
[項目9]
第2の導電層を設ける段階は、前記第2の導電層を積層する段階を有する
項目8に記載の方法。
[項目10]
前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、
前記第1のビア開口群を充填した後、初期導電層をエッチングによって除去する段階と、
セミアディティブ法を用いて前記第1のパターニング導電層を設ける段階と
を有し、
セミアディティブ法を用いて前記第2のパターニング導電層を設ける
項目2に記載の方法。
[項目11]
前記初期導電層の厚みは、約1ミクロンから約2ミクロンの間である
項目10に記載の方法。
[項目12]
前記初期導電層を除去する段階は、前記初期導電層をq−エッチングする段階を有する
項目10に記載の方法。
[項目13]
前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、選択的高速無電解銅メッキを用いる段階を有する
項目10に記載の方法。
[項目14]
前記開始絶縁層、前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記補完的絶縁層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層を含む集合体に対してホットプレス処理を施して、前記第1および第2の導電ビア群を前記第1および第2のパターニング導電層のパッド部分に接合する段階
をさらに備える項目1に記載の方法。
[項目15]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記方法はさらに、
前記第2のパターニング導電層に第2の補完的絶縁層を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように第3のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
前記第3のビア開口群を導電材料で充填して第3の導電ビア群を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層の露出面に対して第2の補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第3のビア開口群は、前記第2のパターニング導電層に到達し、
前記第3の導電ビア群は、一の面において前記第2の補完的パターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接する
項目1に記載の方法。
[項目16]
開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層および前記第2のパターニング導電層のうち少なくとも1つに設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
多層基板コア構造。
[項目17]
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目18]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を備え、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、前記第2の補完的絶縁層の対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
項目16に記載の基板コア構造。
[項目19]
前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目18に記載の基板コア構造。
[項目20]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目21]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目22]
前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
項目16に記載の基板コア構造。
[項目23]
電子アセンブリと、
前記電子アセンブリに結合されているメインメモリと
を備えるシステムであって、
前記電子アセンブリは、多層基板コア構造を有し、
前記多層基板コア構造は、
開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層に設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を含み、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
システム。
[項目24]
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目23に記載のシステム。
[項目25]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を含み、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
項目23に記載のシステム。
[項目26]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目23に記載のシステム。
[項目27]
前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目25に記載のシステム。
[項目28]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目23に記載のシステム。
[項目29]
前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
項目23に記載のシステム。
[項目1]
基板コア構造を製造する方法であって、
開始絶縁層を準備する段階と、
前記開始絶縁層を貫通するように第1のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第1の導電ビア群を設けるべく、前記第1のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記開始絶縁層の一の面に第1のパターニング導電層を設けて、前記開始絶縁層の別の面に第2のパターニング導電層を設ける段階と、
前記第1のパターニング導電層の上に補完的絶縁層を設ける段階と、
前記補完的絶縁層を貫通するように第2のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第2の導電ビア群を設けるべく、前記第2のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記補完的絶縁層の露出面に補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記第2のパターニング導電層と接しており、
前記第2のビア開口群は、前記第1のパターニング導電層に到達しており、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記補完的パターニング導電層と接している
方法。
[項目2]
レーザ穿孔の前に、前記開始絶縁層の一の面に初期導電層を設ける段階
をさらに備え、
充填する段階は、前記初期導電層まで到達するように前記第1の導電ビア群を設ける段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目3]
前記補完的絶縁層を設ける段階は、前記補完的絶縁層を積層する段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目4]
前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、高速無電解メッキを用いる段階を有する
項目1に記載の方法。
[項目5]
高速無電解メッキは、高速無電解銅メッキを含む
項目4に記載の方法。
[項目6]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目1に記載の方法。
[項目7]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目1に記載の方法。
[項目8]
前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、エッチングによって初期導電層をパターニングする段階を有し、
前記第2のパターニング導電層を設ける段階は、
前記開始絶縁層の前記別の面に第2の導電層を設ける段階と、
エッチングによって前記第2の導電層をパターニングする段階と
を有する
項目1に記載の方法。
[項目9]
第2の導電層を設ける段階は、前記第2の導電層を積層する段階を有する
項目8に記載の方法。
[項目10]
前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、
前記第1のビア開口群を充填した後、初期導電層をエッチングによって除去する段階と、
セミアディティブ法を用いて前記第1のパターニング導電層を設ける段階と
を有し、
セミアディティブ法を用いて前記第2のパターニング導電層を設ける
項目2に記載の方法。
[項目11]
前記初期導電層の厚みは、約1ミクロンから約2ミクロンの間である
項目10に記載の方法。
[項目12]
前記初期導電層を除去する段階は、前記初期導電層をq−エッチングする段階を有する
項目10に記載の方法。
[項目13]
前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、選択的高速無電解銅メッキを用いる段階を有する
項目10に記載の方法。
[項目14]
前記開始絶縁層、前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記補完的絶縁層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層を含む集合体に対してホットプレス処理を施して、前記第1および第2の導電ビア群を前記第1および第2のパターニング導電層のパッド部分に接合する段階
をさらに備える項目1に記載の方法。
[項目15]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記方法はさらに、
前記第2のパターニング導電層に第2の補完的絶縁層を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように第3のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
前記第3のビア開口群を導電材料で充填して第3の導電ビア群を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層の露出面に対して第2の補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第3のビア開口群は、前記第2のパターニング導電層に到達し、
前記第3の導電ビア群は、一の面において前記第2の補完的パターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接する
項目1に記載の方法。
[項目16]
開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層および前記第2のパターニング導電層のうち少なくとも1つに設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
多層基板コア構造。
[項目17]
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目18]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を備え、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、前記第2の補完的絶縁層の対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
項目16に記載の基板コア構造。
[項目19]
前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目18に記載の基板コア構造。
[項目20]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目21]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目16に記載の基板コア構造。
[項目22]
前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
項目16に記載の基板コア構造。
[項目23]
電子アセンブリと、
前記電子アセンブリに結合されているメインメモリと
を備えるシステムであって、
前記電子アセンブリは、多層基板コア構造を有し、
前記多層基板コア構造は、
開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層に設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を含み、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
システム。
[項目24]
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目23に記載のシステム。
[項目25]
前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を含み、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
項目23に記載のシステム。
[項目26]
前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
項目23に記載のシステム。
[項目27]
前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
項目25に記載のシステム。
[項目28]
前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
項目23に記載のシステム。
[項目29]
前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
項目23に記載のシステム。
Claims (29)
- 基板コア構造を製造する方法であって、
開始絶縁層を準備する段階と、
前記開始絶縁層を貫通するように第1のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第1の導電ビア群を設けるべく、前記第1のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記開始絶縁層の一の面に第1のパターニング導電層を設けて、前記開始絶縁層の別の面に第2のパターニング導電層を設ける段階と、
前記第1のパターニング導電層の上に補完的絶縁層を設ける段階と、
前記補完的絶縁層を貫通するように第2のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
第2の導電ビア群を設けるべく、前記第2のビア開口群を導電材料で充填する段階と、
前記補完的絶縁層の露出面に補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記第2のパターニング導電層と接しており、
前記第2のビア開口群は、前記第1のパターニング導電層に到達しており、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接しており、別の面において前記補完的パターニング導電層と接している
方法。 - レーザ穿孔の前に、前記開始絶縁層の一の面に初期導電層を設ける段階
をさらに備え、
充填する段階は、前記初期導電層まで到達するように前記第1の導電ビア群を設ける段階を有する
請求項1に記載の方法。 - 前記補完的絶縁層を設ける段階は、前記補完的絶縁層を積層する段階を有する
請求項1に記載の方法。 - 前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、高速無電解メッキを用いる段階を有する
請求項1に記載の方法。 - 高速無電解メッキは、高速無電解銅メッキを含む
請求項4に記載の方法。 - 前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
請求項1に記載の方法。 - 前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
請求項1に記載の方法。 - 前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、エッチングによって初期導電層をパターニングする段階を有し、
前記第2のパターニング導電層を設ける段階は、
前記開始絶縁層の前記別の面に第2の導電層を設ける段階と、
エッチングによって前記第2の導電層をパターニングする段階と
を有する
請求項1に記載の方法。 - 第2の導電層を設ける段階は、前記第2の導電層を積層する段階を有する
請求項8に記載の方法。 - 前記第1のパターニング導電層を設ける段階は、
前記第1のビア開口群を充填した後、初期導電層をエッチングによって除去する段階と、
セミアディティブ法を用いて前記第1のパターニング導電層を設ける段階と
を有し、
セミアディティブ法を用いて前記第2のパターニング導電層を設ける
請求項2に記載の方法。 - 前記初期導電層の厚みは、約1ミクロンから約2ミクロンの間である
請求項10に記載の方法。 - 前記初期導電層を除去する段階は、前記初期導電層をq−エッチングする段階を有する
請求項10に記載の方法。 - 前記第1のビア開口群を充填する段階および前記第2のビア開口群を充填する段階は、選択的高速無電解銅メッキを用いる段階を有する
請求項10に記載の方法。 - 前記開始絶縁層、前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記補完的絶縁層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層を含む集合体に対してホットプレス処理を施して、前記第1および第2の導電ビア群を前記第1および第2のパターニング導電層のパッド部分に接合する段階
をさらに備える請求項1に記載の方法。 - 前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記方法はさらに、
前記第2のパターニング導電層に第2の補完的絶縁層を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように第3のビア開口群をレーザ穿孔する段階と、
前記第3のビア開口群を導電材料で充填して第3の導電ビア群を設ける段階と、
前記第2の補完的絶縁層の露出面に対して第2の補完的パターニング導電層を設ける段階と
を備え、
前記第3のビア開口群は、前記第2のパターニング導電層に到達し、
前記第3の導電ビア群は、一の面において前記第2の補完的パターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接する
請求項1に記載の方法。 - 開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層および前記第2のパターニング導電層のうち少なくとも1つに設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を備え、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
多層基板コア構造。 - 前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
請求項16に記載の基板コア構造。 - 前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を備え、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、前記第2の補完的絶縁層の対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
請求項16に記載の基板コア構造。 - 前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
請求項18に記載の基板コア構造。 - 前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
請求項16に記載の基板コア構造。 - 前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
請求項16に記載の基板コア構造。 - 前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
請求項16に記載の基板コア構造。 - 電子アセンブリと、
前記電子アセンブリに結合されているメインメモリと
を備えるシステムであって、
前記電子アセンブリは、多層基板コア構造を有し、
前記多層基板コア構造は、
開始絶縁層と、
前記開始絶縁層を貫通するように設けられている第1の導電ビア群と、
前記開始絶縁層の一の面に設けられている第1のパターニング導電層と、
前記開始絶縁層の別の面に設けられている第2のパターニング導電層と、
前記第1のパターニング導電層に設けられる補完的絶縁層と、
前記補完的絶縁層を貫通するように設けられる第2の導電ビア群と、
前記補完的絶縁層の露出面に設けられる補完的パターニング導電層と
を含み、
前記第1の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記第2のパターニング導電層と接し、
前記第2の導電ビア群は、一の面において前記第1のパターニング導電層と接し、別の面において前記補完的パターニング導電層と接し、
前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口に設けられている
システム。 - 前記第1の導電ビア群および前記第2の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
請求項23に記載のシステム。 - 前記補完的絶縁層は、第1の補完的絶縁層であり、前記補完的パターニング導電層は、第1の補完的パターニング導電層であり、前記基板コア構造はさらに、
前記第2のパターニング導電層に設けられる第2の補完的絶縁層と、
前記第2の補完的絶縁層を貫通するように設けられる第3の導電ビア群と
を含み、
前記第3の導電ビア群は、前記第2のパターニング導電層に到達しており、
前記第3の導電ビア群は、対応するレーザ穿孔されたビア開口内に設けられている
請求項23に記載のシステム。 - 前記第1の導電ビア群、前記第1のパターニング導電層、前記第2のパターニング導電層、前記第2の導電ビア群、および前記補完的パターニング導電層はそれぞれ、銅、ニッケルおよび銀のうち少なくとも1つを含む
請求項23に記載のシステム。 - 前記第3の導電ビア群は、高速無電解メッキされた導電材料を含む
請求項25に記載のシステム。 - 前記開始絶縁層および前記補完的絶縁層はそれぞれ、ガラスエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン(BT)のうち少なくとも1つを含む
請求項23に記載のシステム。 - 前記ビアのうち少なくとも一部は、互いにずれている
請求項23に記載のシステム。
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