DE112005000522T5

DE112005000522T5 - Platinen-Herstellungsverfahren und Platine

Info

Publication number: DE112005000522T5
Application number: DE112005000522T
Authority: DE
Inventors: Katsuya Fukase; Toyoaki Sakai; Munetoshi Irisawa; Toyokazu Komuro; Yasuo Kaneda; Masanori Natsuka; Wakana Aizawa
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Mitsubishi Paper Mills Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date: 2004-03-03
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2007-01-18
Also published as: WO2005086552A1; US20070181994A1; US7679004B2

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, wobei die zweite Harzschicht unlöslich oder geringlöslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Platine und insbesondere auf ein Verfahren zum Herstellen einer Platine, die ein Loch hat, das als Durchgangsbohrung oder Durchgangsloch bezeichnet wird, und eine Platine, die man durch dessen Herstellungsverfahren erhält. Im Detail bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer Platine und zum Lösen eines Problems einer Positionsverschiebung zwischen einem Lötauge und einem Loch, die durch Ausrichtung hervorgerufen wird, und stellt ein Verfahren zum Herstellen einer Platine zur Verfügung, das auf ein lötaugenloses Loch oder ein Loch mit der kleinen Lötaugenweite anpassbar ist, die Merkmale hiervon sind benötigt für eine Hochintegrationsanforderung von Platinen.
Hintergrund der Erfindung
Bezugnehmend auf einen Trend der letzten Zeit zu in der Größe reduzierter oder multifunktionaler elektronischer Ausrüstung, wurde hochintegrierte oder dünne Technologie für die Verdrahtungsstruktur für eine Platine verfolgt. Eines von bekannten Mitteln zum Erzielen solcher Gegebenheiten ist es, eine Platine in einem Multilayer auszubilden. Wie in den 98(a) und 98(b) dargestellt, wird in der Platine, die durch Stapeln einer Mehrzahl von Verdrahtungsschichten ausgebildet ist, die Leitung im Allgemeinen zwischen den jeweiligen Schichten durch ein kleines Loch, wie z. B. eine Durchgangsbohrung oder eine Nicht-Durchgangsbohrung (unten, ein Loch) gemacht, dessen innere Wand mit einer leitenden Schicht bedeckt ist oder gefüllt wird, und das als eine Durchgangsbohrung 31, ein Durchgangsloch 32 (Durchkontaktierungsloch) oder ein interstitielles Durchgangsloch 33 (interstitielles Durchkontaktierungsloch) bezeichnet wird.
99 ist eine schematische Ansicht des Loches, wie es von oben aussieht. In der Peripherie des Loches 17 ist eine leitende Schicht ausgebildet, die als Lötauge 18 bezeichnet wird. Es gibt verschiedene Arten der Form des Lötauges, wie z. B. eckige, kreisförmige, elliptische und deformierte Formen. Das kreisförmige Lötauge wird jedoch wegen des davon belegten Bereiches oder der einfachen Verwendung eines Schaltkreis-Designs häufig verwendet. Um mit dem Trend der Hochintegrierung fertig zu werden, wird ein lötaugenloses Loch oder ein Loch mit einer schmalen Lötaugenweite benötigt.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine beinhaltet ein subtraktives Verfahren, ein additives Verfahren und ein semiadditives Verfahren. Bei dem subtraktiven Verfahren wird eine Ätz-Fotolackschicht über einem Schaltkreisteil eines isolierenden Substrats mit einer auf seiner Fläche ausgebildeten leitenden Schicht zur Verfügung gestellt, und eine leitende Schicht über einem Nicht-Schaltkreisteil, der belichtet ist, wird durch Ätzen entfernt, um so einen Schaltkreis auszubilden. Bei der additiven Methode wird eine plattierte Fotolackschicht auf einem Nicht-Schaltkreisteil einer Fläche eines isolierenden Substrats ausgebildet und eine leitende Schicht wird in einem zu einem Schaltkreisteil korrespondierenden Teil durch einen nicht-elektrolytischen Metallisierungsprozess ausgebildet. Bei der semiadditiven Methode wird eine plattierte Fotolackschicht auf einem Nicht-Schaltkreisteil ist isolierenden Substrats mit einer dünnen leitenden Schicht auf seiner Oberfläche ausgebildet, während eine leitende Schicht auf einem zu einem Schaltkreisteil korrespondierenden Teil durch einen elektrolytischen Metallisierungsprozess ausgebildet wird. Danach wird die plattierte Fotolackschicht auf dem Nicht-Schaltkreisteil entfernt und die dünne leitende Schicht auf dem Nicht-Schaltkreisteil wird dann entfernt, um so einen Schaltkreis durch einen Blitz-Ätzprozess auszubilden.
Die Fotolackschicht zum Ätzen und die plattierte Fotolackschicht werden durch Verfahren wie z. B. ein Schablonendruckverfahren, einem Fotofabrikationsverfahren mit einem Belichtungsschritt und einem Entwicklungsschritt unter Verwendung von fotosensitivem Material, oder einem Tintenstrahlverfahren ausgebildet. In dem Fall in dem ein lötaugenloses Loch oder ein Loch mit einer schmalen Lötaugenweite ausgebildet werden soll, ist es wichtig, bei einem Prozess einer Perforationsbearbeitung, dem Druckschablonenverfahren, dem Belichtungsschritt oder dem Tintenstrahlverfahren eine Ausrichtung durchzuführen. Insbesondere bei dem Fall des Ausbildens des lötaugenlosen Lochs oder des Lochs mit einer schmalen Lötaugenweite, die für eine hochintegrierte Platine benötigt werden, ist es notwendig, eine hohe Genauigkeit bei der Ausrichtung zu realisieren. Wie in 99 dargestellt, sollte die am meisten wünschenswerte Ausrichtung für ein Lötauge eine solche Form haben, um eine gleichförmige Weite in allen Richtungen des Loches zu haben. In anderen Worten ist die erstrebenswerte Art und Weise so, dass das Loch und das Lötauge konzentrische Kreise bilden. Wenn die Ausrichtung ungenau ist, gibt es jedoch ein Problem, weil das Loch und das Lötauge keine konzentrischen Kreise bilden, wie in 100 dargestellt.
100(a) und 100(b) zeigen die schematischen Aufsichten, wobei jede einen Fall einer Positionsverschiebung zwischen dem Loch und dem Lötauge illustriert. Die Positionsverschiebung mit einer Distanz X ist jeweils für Loch mit einer schmalen Lötaugenweite in der 100(a) und für das Loch mit einer großen Lötaugenweite in der 100(b) generiert. Obwohl das Lötauge in 100(b) um das Loch bei dem Loch mit einer großen Lötaugenweite ausgebildet ist, ist in 100(a) das Lötauge durch einen Teil des Lochs bei dem Loch mit einer schmalen Lötaugen weite abgeschnitten, was in einem Problem resultiert, dass es unmöglich ist, ein Loch mit einem schmalen Lötauge um die gesamte äußere Peripherie des Loches auszubilden. Unter den herkömmlichen Umständen hat die Genauigkeit in der Ausrichtung durch die Präzision des Perforationsprozesses, die Ausdehnung eines Substrats oder eine Änderung in einer Dimension einer Fotomaske für die Belichtung eine Limitierung. Darüber haben die auf einer hochintegrierten Platine auszubildenden Löcher eine große Anzahl von Durchmessern und die Anzahl der Löcher ist sehr groß. Aus diesem Grund war es sehr schwer, die Ausrichtung in Bezug auf alle Löcher akkurat durchzuführen. Demgemäß hat wie in JP-A-3-236956 und JP-A-7-7265 beschrieben, das Schaltkreisdesign ein Problem beim Einsetzen einer großen Lötaugenweite ungeachtet der Anforderung eines lötaugenlosen Lochs oder eines Lochs mit einer schmalen Lötaugenweite für die hochintegrierte Platine.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Platine, wie z. B. bei einem subtraktiven Verfahren, einem additiven Verfahren oder einem semiadditiven Verfahren zur Verfügung zu stellen, das das Problem der Positionsverschiebung zwischen einem Lötauge und einem Loch löst, das durch eine Ausrichtung bei der Ausbildung einer Fotolackschicht zum Ätzen und einer plattierten Fotolackschicht verursacht wird. Eine solche Methode kann für ein lötaugenloses Loch oder ein Loch mit einer schmalen Lötaugenweite eingesetzt werden, was für eine hochintegrierte Platine benötigt wird.
Offenbarung der Erfindung
Die Erfinder haben Studien durchgeführt, um das Problem zu lösen, die in der folgenden Erfindung resultieren:

(1) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, wobei die zweite Harzschicht unlöslich oder geringlöslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht.
(2) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine Durchgangsbohrung oder/und eine Nicht-Durchgangsbohrung und das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche hat, wobei eine innere Wandfläche der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung ausgenommen ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, wobei die zweite Harzschicht unlöslich oder geringfügig löslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht.
(3) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung hat, die in dem Substrat ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht; Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht; Ausbilden einer vierten Harzschicht über der inneren Wandfläche der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung; Entfernen der zweiten Harzschicht und Entfernen der ersten Harzschicht.
(4) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Bereitstellen einer foto-vernetzbaren Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht bezüglich eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die durch das Verfahren gemäß (3) hergestellt ist, und Aufweisen einer vierten Harzschicht auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung und in einem peripheren Teil des Lochs entsprechend der Umstände; Vernetzen des foto-vernetzbaren Harzes an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen von nicht-reagierter foto-vernetzbarer Harzschicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen der bloßgelegten leitenden Schicht und Entfernen der vierten Harzschicht und der foto-vernetzbaren Harzschicht.
(5) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf einem Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht; Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten foto-vernetzbaren Harzschicht; Bereitstellen einer vierten Harzschicht auf der leitenden Schicht in dem Loch; Vernetzen eines foto-vernetzbaren Harzes an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen der zweiten Harzschicht; Entfernen einer nicht-reagierten foto-vernetzbaren Harzschicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des bloßgelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der vierten Harzschicht und der foto-vernetzbaren Harzschicht;
(6) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer fotoleitenden Schicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und der inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht mit Ausnahme eines Teils über dem Loch; Entfernen des Teils der fotoleitenden Schicht über dem Loch; Ausbilden einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; Entfernen der zweiten Harzschicht; Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes auf der fotoleitenden Schicht; Ausbilden einer dritten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des bloßgelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der dritten Harzschicht; der fotoleitenden Schicht und der vierten Harzschicht.
(7) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer fotoleitenden Schicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und der inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht mit Ausnahme von einem Teil über dem Loch; Entfernen eines Teils der fotoleitenden Schicht über dem Loch; Entfernen der zweiten Harzschicht; Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes auf der fotoleitenden Schicht; Ausbilden einer dritten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert und auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; Entfernen eines Teils der fotoleitenden Schicht, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des bloßgelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der dritten Harzschicht und der fotoleitenden Schicht.
(8) Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer foto-vernetzbaren Harzschicht als eine erste Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine erste leitende Schicht auf einer Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat, Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der foto-vernetzbaren Harzschicht, die auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten foto-vernetzbaren Harzschicht, Vernetzen der foto-vernetzbaren Harzschicht in einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, Entfernen einer nicht-reagierten foto-vernetzbaren Harzschicht und der zweiten Harzschicht, Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht auf der ersten leitenden Schicht, die bloßgelegt ist, und Entfernen der foto-vernetzbaren Harzschicht, die vernetzt ist, und Entfernen der ersten leitenden Schicht in deren unterem Teil.
(9) Das Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß einem der (1), (2), (3), (5), (6), (7) und (8), wobei der Schritt des Ausbildens einer zweiten Harzschicht auf der ersten Harzschicht, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, die Schritte enthält: Gleichförmiges Laden einer Fläche der ersten Harzschicht und Induzieren einer Potentialdifferenz an der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht und der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, und Ausbilden der zweiten Harzschicht auf der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht durch Verwendung der Potentialdifferenz.
(10) Das Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß einem der (1), (3), (5), (6) und (7), weiterhin beinhaltend die Schritte: Bereitstellen einer plattierten leitenden Schicht auf der leitenden Schicht, die auf der inneren Wandfläche des Lochs zur Verfügung gestellt ist nach dem Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist.
(11) Das Verfahren zum Herstellen einer Platine entsprechend einem der (1), (3), (5), (6) und (7), weiterhin beinhaltend die Schritte: Bereitstellen einer plattierten leitenden Schicht auf der leitenden Schicht, die auf der inneren Wandfläche des Lochs nach dem Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, ausgebildet ist, und Entfernen der ersten Harzschicht in einem peripheren Teil des Lochs mit einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht, um einen Teil zu vergrößern, der mit einem Lötaugen-Teil korrespondiert.
(12) Eine Platine, in der ein Schaltkreisteil auf einem isolierenden Substrat durch eine leitende Schicht ausgebildet ist, und wo eine Durchgangsbohrung und/oder eine Nicht-Durchgangsbohrung mit einer inneren Wand ausgebildet ist, die bedeckt oder gefüllt ist mit der leitenden Schicht, wobei ein Lötauge der Durchgangsbohrung und/oder der Nicht-Durchgangsbohrung kontinuierlich ähnlich einem konzentrischen Kreis in Bezug auf das Loch ausgebildet ist, eine maximale Höhe der leitenden Schicht in einem Nicht-Schaltungsteil des Lötauges gleich oder größer als –5μm ist, wobei ein Eckteil des isolierenden Substrats als Referenzpunkt gesetzt ist, und die gleich oder kleiner als eine Dicke der leitenden Schicht in einem Schaltkreisteil ist, und eine Lötaugenweite vom Referenzpunkt 0 bis 40 μm ist.
(13) Die Platine gemäß (12), wobei ein Unterschied zwischen den maximalen und minimalen Werten der Lötaugenweite gleich oder kleiner als 8 μm ist.
(14) Die Platine gemäß (12) oder (13), wobei eine Querschnittsform der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil unterschiedlich von dem der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil ist.
(15) Die Platine gemäß einem der (12) bis (14), wobei ein Teil mit einer maximalen Höhe in einem Bereich von der inneren Wand des Lochs zu einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch in der leitenden Schicht des Lötauges vorliegt.

Die Verfahren (1) und (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung, die die Verfahren zum Herstellen eines offenen Substrats mit einem Harz sind, stellen einen fundamentalen Prozess in der Erfindung dar. Bei dem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird zunächst die erste Harzschicht auf der Fläche des isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf der Fläche und der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung hat, zur Verfügung gestellt, um das Loch zu schließen. Als nächstes wird die zweite Harzschicht auf der ersten Harzschicht durch Mittel wie z. B. einem Elektro-Abscheideverfahren ausgebildet.
Bei dem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird eine Lösung, in der ein für die zweite Harzschicht zu verwendendes Harz in einer Flüssigkeit in einem Partikelzustand dispergiert ist, verwendet, um die zweite Harzschicht auszubilden. Das Harzpartikel ist geladen, um positiv oder negativ zu sein. Wie in 101 dargestellt, ist eine Entwicklungs-Elektrode 19 angeordnet, um gegenüber einem einen Schaltkreis bildenden Substrat 4, und eine leitende Schicht 2 ist auf einer Fläche und einer inneren Wand eines Lochs 3 zur Verfügung gestellt, indem eine erste Harzschicht 5 aufgestapelt (aufgebracht) ist. Wenn die leitende Schicht 2 des Schaltkreis-Ausbildenden Substrates 4 geerdet ist, wird eine geeignete Vorspannung angelegt, und ein geladenes Harzteilchen 20 wird in einer Richtung des schaltkreis-ausbildenden Substrats 4 gemäß einem elektrischen Feld E durch Elektrophorese aufgebracht. 101 zeigt den Fall, bei dem das Harzpartikel 20 positiv aufgeladen ist und eine positive Vorspannung angelegt ist. Auch in dem Fall, bei dem das Harzpartikel negativ aufgeladen ist und eine negative Vorspannung angelegt ist, wird das Harzpartikel 20 durch Elektrophorese in der Richtung des den Schaltkreis ausbildenden Substrats 4 auf dieselbe Weise aufgetragen.
Die Menge der auf der fotoleitenden Schicht abzuscheidenden Harzpartikel, die durch Elektrophorese näher in die Richtung des den Schaltkreis ausbildenden Substrats gekommen sind, wird durch die elektrostatische Kapazität der fotoleitenden Schicht bestimmt. Wie in 102 gezeigt, wird bei einem isolierenden Substrat 1, das eine leitende Schicht 2 auf jeder Fläche und der inneren Wand einer Durchgangsbohrung (Durchgangsbohrung) 31 oder/und einem Durchgangsloch (Nicht-Durchgangsbohrung) 32 und einer darauf gebundenen fotoleitenden Schicht 15 hat, die elektrostatische Kapazität der fotoleitenden Schicht 15 durch die darunter liegende Form beeinflusst. Es wird nämlich eine Differenz in der elektrostatischen Kapazität zwischen dem Teil der fotoleitenden Schicht 15 auf der leitenden Schicht 2 und dem Teil der fotoleitenden Schicht 15 auf der Durchgangsbohrung (Durchgangsbohrung) 31 oder/und dem Durchgangsloch (Nicht-Durchgangsbohrung) 32 verursacht.
Unten wird die Differenz in der elektrostatischen Kapazität der fotoleitenden Schicht und die Differenz in der Menge der zweiten Harzschicht, die darauf abgeschieden wird, beschrieben. Wenn angenommen wird, dass diese Platine ein Kondensator mit der Fläche der leitenden Schicht und der Fläche der fotoleitenden Schicht als Elektroden ist, gilt die folgende Gleichung (1): Q = CV (1)[wobei Q die elektrische Ladung auf der fotoleitenden Schicht, C die elektrostatische Kapazität, und V das elektrische Potential der Fläche der fotoleitenden Schicht im Bezug auf die Fläche der leitenden Schicht ist]
Die elektrostatische Kapazität C wird durch die folgende Gleichung (2) ausgedrückt: C = εS/d (2)[wobei ε die Dielektrizitätskonstante, d der Abstand zwischen der Fläche der fotoleitenden Schicht und der Fläche der leitenden Schicht, und S die Fläche ist]
Hierbei ist die elektrostatische Kapazität des Teils der fotoleitenden Schicht über dem Loch durch C_H dargestellt; die elektrostatische Kapazität des Teils der fotoleitenden Schicht auf der Flächen-Leitungsschicht durch C_S; die elektrische Ladung auf dem Teil der fotoleitenden Schicht über dem Loch mit Q_H; die elektrische Ladung auf dem Teil der fotoleitenden Schicht auf der Flächen-Leitungsschicht durch Q_S; das elektrische Potential des Teils der Fläche der fotoleitenden Schicht über dem Loch durch V_H; das elektrische Potential auf dem Teil der fotoleitenden Schicht auf der Flächen-Leitungsschicht durch V_S; die Zahl der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht, die auf dem Teil der fotoleitenden Schicht über dem Loch abgeschieden ist, durch N_H; die Zahl der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht, die auf dem Teil der fotoleitenden Schicht auf der Flächen-Leitungsschicht abgeschieden ist, durch N_S; der Abstand zwischen dem Teil der Fläche der fotoleitenden Schicht über dem Loch und der Fläche der leitenden Schicht; und der Abstand zwischen dem Teil der Fläche der fotoleitenden Schicht auf der Flächenleitungsschicht und der Flächenleitungsschicht durch d_S.
Nämlich, wie in 103 dargestellt, wenn die elektrostatischen Kapazitäten C in einem gegebenen Bereich (S ist konstant) zwischen über dem Loch und auf der Flächenleitungsschicht verglichen werden, ist die elektrostatische Kapazität C_H über dem Loch kleiner als die elektrostatische Kapazität C_S auf der Flächenleitungsschicht, weil die Distanz d_H 21 zwischen dem Teil der Fläche der fotoleitenden Schicht über dem Loch und der Fläche der leitenden Schicht größer ist als die Distanz d_S 22 zwischen dem Teil der Fläche der fotoleitenden Schicht auf der Flächenleitungsschicht und der Flächenleitungsschicht. Die Harzpartikel werden auf der fotoleitenden Schicht so abgeschieden, dass die gesamte Fläche der fotoleitenden Schicht äquipotential (das heißt, V_H = V_S) wird. Hierzu wird die elektrische Ladung Q_H über dem Loch kleiner als die elektrische Ladung Q_S auf der Fläche der leitenden Schicht. Wie durch die folgende Gleichung (3) gezeigt wird, ist die Höhe der elektrischen Ladung Q proportional zu der Anzahl N der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht. Q = Nq (3)[wobei N die Zahl der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht und q die elektrische Ladung von einem Partikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht ist]
Daher wird die Anzahl N_H der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht, die auf dem Teil der fotoleitenden Schicht über dem Loch abgeschieden wird, sehr klein und sie ist kleiner als die Anzahl N_S der Harzpartikel zum Ausbilden der zweiten Harzschicht, die auf dem Teil der fotoleitenden Schicht auf der Flächenleitungsschicht abgeschieden wird.
Wie oben beschrieben, wird eine Differenz zwischen dem Umfang der zweiten Harzschicht, der auf der ersten Harzschicht angesammelt ist, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, und dem Umfang der zweiten Harzschicht, die auf der ersten Harzschicht angesammelt ist, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, hergestellt, was durch die Differenz in einer elektrostatischen Kapazität C hervorgerufen wird. Was die auf der ersten Harzschicht, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, zur Verfügung gestellte zweite Harzschicht betrifft, wird die zweite Harzschicht bis zu einer solchen Dicke ausgebildet, um so eine Widerstandseigenschaft gegenüber der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht herzustellen. Auf der anderen Seite, was die ersten über dem Loch zur Verfügung gestellte Harzschicht betrifft, ist diese zweite Harzschicht in einem solchen Umfang zur Verfügung gestellt, so dass sie in der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht auf der ersten Harzschicht erodiert. Durch Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der zweiten Harzschicht als Fotolack ist es möglich, die leitende Schicht, die auf der inneren Wand in dem Loch und um das Loch zur Verfügung gestellt ist, akkurat und selektiv freizulegen.
Bei dem Verfahren (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung ist es möglich, ein offenes Substrat, das ein Harz auf dieselbe Weise hat wie in dem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung gezeigt, indem das isolierende Substrat verwendet wird, das die Durchgangsbohrung oder/und die Nicht-Durchgangsbohrung und die leitende Schicht auf der Fläche mit Ausnahme der inneren Wand des Lochs hat, anstelle des isolierenden Substrats, das die leitende Schicht auf der Fläche und der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung hat.
Ein in den Verfahren (1) und (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung beinhalteter serieller Prozess benötigt keinen Ausrichtungsprozess. Unabhängig von der Größe, Form, Anzahl und Position der Löcher, die auf der Platine vorliegen, ist es dementsprechend möglich, ein offenes Substrat einfach herzustellen, das ein Harz hat, bei dem eine Harzschicht nur in dem Teil des Loches akkurat und selektiv nicht vorliegt.
Die 11 bis 14 sind schematische Seitenansichten, die ein Beispiel eines offenen Substrats zeigen, das ein Harz hat, das durch den seriellen Prozess, der in dem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung enthalten ist, hergestellt ist. 11 zeigt ein offenes Substrat 11 mit einem Harz, bei dem eine erste Harzschicht 5 und eine zweite Harzschicht 6 auf einer Fläche mit Ausnahme eines Teils eines Lochs 3 auf einem isolierenden Substrat zur Verfügung gestellt ist, das eine leitende Schicht 2 auf einer Fläche und einer inneren Wand des Lochs 3 hat. Bei dem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung ist es möglich, die erste Harzschicht in einem Teil zu entfernen, der zu einer Distanz La von der inneren Wand des Loches, wie in 12 gezeigt, zu entfernen, indem eine Gegebenheit zum Ausbilden einer zweiten Harzschicht und eine Gegebenheit zum Entfernen einer ersten Harzschicht über dem Loch reguliert wird. Darüber hinaus ist es wie in 99 dargestellt möglich, eine gleichförmige Lötaugenweite auszubilden. Wie in den 13 und 14 dargestellt, können die erste Harzschicht oder/und die zweite Harzschicht auch ein offenes Substrat ausbilden, das ein Harz hat, das in das Loch ragt.
Die 15 bis 18 sind schematische Querschnittsansichten, die ein Beispiel eines offenen Substrats zeigen, das ein Harz hat, das durch einen in dem Verfahren (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung beinhaltenden seriellen Prozess hergestellt ist. 15 zeigt ein offenes Substrat 11, das ein Harz hat, bei dem eine erste Harzschicht 5 und eine zweite Harzschicht 6 auf einer Fläche mit Ausnahme des Teils des Lochs 3 des isolierenden Substrats 1 zur Verfügung gestellt ist, das die leitende Schicht 2 auf einer Fläche hat. Bei dem Verfahren (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung ist es möglich, die erste Harzschicht in einem Teil zu entfernen, der zu einer Distanz La von der inneren Wand des Lochs, wie in 16 dargestellt, korrespondiert, indem die Gegebenheit zum Ausbilden der zweiten Harzschicht und die Gegebenheit zum Entfernen der ersten Harzschicht über dem Loch reguliert wird. Wie in 99 dargestellt, ist es weiterhin möglich, eine gleichförmige Lötaugenweite auszubilden, wie in den 17 und 18 dargestellt, ist es weiterhin auch möglich, ein offenes Substrat auszubilden, das ein Harz hat, bei dem die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht in das Loch hervorragen.
Für das offene Substrat, das ein Harz hat, das in dem Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung erhalten wird, wird ein serieller Prozess ausgeführt, den man erhält, indem man einen Lochfüllungs-Tinten-Schritt, einen Füllungsschritt für leitende Tinte, einen Elektro-Abscheidungsschritt, einen Metallisierungsschritt, einen Fotolack-Ausbildungsschritt und einen Ätzschritt geeignet kombiniert. Als Konsequenz ist es möglich, eine Platine durch ein subtraktives Verfahren, ein additives Verfahren oder ein semiadditives Verfahren herzustellen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
3 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
10 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
12 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
13 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
14 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
15 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
16 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
17 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
18 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
19 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
20 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
21 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
22 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
23 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
24 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
25 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
26 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
27 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
28 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
29 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
30 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
31 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
32 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
33 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
34 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
35 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
36 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
37 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
38 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
39 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
40 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
41 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
42 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
43 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
44 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
45 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
46 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
47 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
48 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
49 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
50 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
51(a) und (b) zeigen die Querschnittsansichten, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigen;
52(a) und (b) zeigen die Querschnittsansichten, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigen;
53(a) und (b) zeigen die Querschnittsansichten, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigen;
54 ist ein Substrat, das zum Ausbilden eines Schaltkreises verwendet wird;
55 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
56 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
57 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
58 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
59 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
60 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
61 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
62 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
63 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
64 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
65 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugen-Teil einer Platine gemäß der Erfindung zeigt;
66(a) und (b) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 65;
67 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugen-Teil einer Platine gemäß der Erfindung zeigt;
68 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugen-Teil einer Platine gemäß der Erfindung zeigt;
69(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 68;
70(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 68;
71(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 68;
72(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 68;
73(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil von Linie A in 68;
74(a) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten eines Beispiels einer Platine in der vorliegenden Erfindung;
75 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Beispiels einer Platine in der vorliegenden Erfindung;
76(a) und (b) zeigen die schematischen Querschnittsansichten eines Beispiels einer Platine in der vorliegenden Erfindung;
77 ist eine schematische Aufsicht, die einen Loch-Lötaugen-Teil einer Platine gemäß der Erfindung zeigt;
78(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil entlang Linie B von 77;
79(a), (b) und (c) zeigen die schematischen Querschnittsansichten von dem Teil entlang Linie C von 77;
80(a) und (b) zeigen die schematischen Querschnittsansichten eines Beispiels einer Platine in der vorliegenden Erfindung;
81 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
82 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
83 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
84 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines offenen Substrats, das ein Harz durch ein Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung hat;
85 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
86 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
87 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
88 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
89 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
90 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
91 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
92 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
93 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
94 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
95 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
96 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
97 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
98(a) und (b) ist ein Beispiel einer Platine, die eine Durchgangsbohrung und/oder eine Nicht-Durchgangsbohrung hat;
99 ist eine schematische Ansicht, die ein Loch und ein Lötauge zeigt;
100(a) und (b) zeigen schematische Ansichten, die Positionsverschiebungen zwischen einem Loch und einem Lötauge zeigen;
101 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zum Ausbilden einer zweiten Harzschicht in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
102 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
103 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine der vorliegenden Erfindung zeigt;
104(a) und (b) zeigen schematische Aufsichten, die einen Vergleich zwischen (a) einem Loch mit einer schmalen Lötaugenweite und (b) einem Loch mit einer großen Lötaugenweite in Platinen zeigt, bei denen die Lochdurchmesser, die Abstände zwischen den Löchern und Weiten der leitenden Schichten in den Schaltkreisteilen gleich sind, und
105(a) und (b) zeigen schematische Aufsichten, die einen Vergleich von Positionsverschiebungen zwischen (a), einem Loch mit einer schmalen Lötaugenweite, und (b), einem Loch mit einer großen Lötaugenweite, in Platinen zeigen, bei denen die Lochdurchmesser, die Abstände zwischen den Löchern und Weiten der leitenden Schichten in den Schaltkreisteilen gleich sind.
Beste Art die Erfindung auszuführen
Verfahren zum Herstellen eines offenen Substrats, das ein Harz hat
Unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 wird eine Beschreibung einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines offenen Substrats gegeben, das ein Harz als eine Basis eines Verfahrens zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung hat. Die Beschreibung wird gegeben, indem eine Durchgangsbohrung als Beispiel verwendet wird. Mit demselben Verfahren, wie unten mit einer Nicht-Durchgangsbohrung beschrieben wird, ist es möglich, eine Platine herzustellen. Auch in einem Aufbau-Substrat, bei dem eine Durchgangsbohrung und ein Durchgangsloch koexistieren, ist es weiterhin möglich, eine Platine durch dasselbe Verfahren herzustellen.
In einem Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird ein Loch 3 geschlossen und eine erste Harzschicht 5 ist aufgesammelt (aufgebracht), um auf einem Schaltkreis ausbildenden Substrat 4 abdeckend zu sein, das durch ein isolierendes Substrat 1 mit einer leitenden Schicht 2 auf einer Fläche und einer inneren Wand des Loches 3, wie in 1 (2) gezeigt, ausgebildet ist. Als nächstes wird eine zweite Harzschicht 6 auf einer auf einer Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht 5 durch Mittel wie z. B. einem Elektro-Abscheidungsverfahren (4) ausgebildet. Des weiteren wird nur die erste Harzschicht 5, die über dem Loch 3 mit einer kleinen Menge der zweiten Harzschicht, die angesammelt ist, zur Verfügung gestellt ist, mit einer Entwicklungslösung für eine erste Harzschicht entfernt, so dass ein offenes Substrat 11 mit Harz hergestellt ist (5). Wie in den 11 bis 14 gezeigt, ist es möglich, eine Schaltkreisstruktur mit einer gewünschten Lötaugenweite auszubilden, indem die Menge des Entfernens der ersten Harzschicht reguliert wird.
In einem Verfahren (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird das in 6 gezeigte Loch 3 geschlossen und die erste Harzschicht 5 ist angesammelt (aufgebracht), um auf dem den Schaltkreis ausbildenden Substrat 4 abdeckend zu sein, das durch das isolierende Substrat 1 mit dem Loch 3 und der leitenden Schicht 2 auf der Fläche, wie in 6 (7) gezeigt, errichtet ist. Als nächstes wird die zweite Harzschicht auf der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht 5 durch Mittel wie z. B. ein Elektro-Abscheidungsverfahren (9) ausgebildet. Weiterhin wird die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellte erste Harzschicht 5, über dem die zweite Harzschicht nicht ausgebildet ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht entfernt, so dass das offene Substrat 11 mit einem Harz hergestellt ist (10). Wie in den 15 bis 18 gezeigt ist, ist es möglich, eine Schaltkreisstruktur mit einer gewünschten Lötaugenweite durch Regulieren der Menge des Entfernens der ersten Harzschicht auszubilden.
Verfahren zum Herstellen einer Platine durch ein subtraktives Verfahren
In einem Verfahren (3) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird das offene Substrat 11 mit einem Harz durch dasselbe Verfahren wie das Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung hergestellt. Wie in den 11 bis 14 gezeigt, ist es möglich, eine Schaltkreisstruktur mit einer gewünschten Lötaugenweite durch Regulieren der Menge des Entfernens der ersten Harzschicht auszubilden. Anschließend wird eine vierte Harzschicht 4 auf der leitenden Schicht auf der inneren Wand des Loches und in dem peripheren Teil des Loches (19) ausgebildet und die zweite Harzschicht 6 und die erste Harzschicht 5 werden entfernt. Als Konsequenz ist es möglich, einen Zustand zu erhalten, bei dem nur die innere Wand des Lochs und der periphere Teil des Lochs mit der vierten Harzschicht 10 bedeckt sind (20). Die zweite Harzschicht 6 und die erste Harzschicht 5 können zur selben Zeit entfernt werden und die erste Harzschicht 5 kann (20) entfernt werden nachdem die zweite Harzschicht 6 entfernt ist (22). Bevor die vierte Harzschicht 10 auf der leitenden Schicht auf der inneren Wand des Loches und in dem peripheren Bereich des Loches zur Verfügung gestellt wird, ist es weiterhin möglich, die zweite Harzschicht 6 (21) zu entfernen und anschließend die vierte Harzschicht 10 (22) zur Verfügung zu stellen und dann die erste Harzschicht 5 (20) zu entfernen.
Für das isolierende Substrat (20) mit der leitenden Schicht auf der Fläche und den inneren Wänden der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung und mit der vierten Harzschicht, die auf der zu dem Loch und dem Lötaugenteil (20) korrespondierenden leitenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, ist es z. B. möglich, eine Ätz-Fotolackschicht auf der Flächenleitungsschicht durch ein Foto-Fabrikationsverfahren, ein Schablonendruckverfahren und ein Tintenstrahlverfahren zur Verfügung zu stellen. Ein solches Verfahren zum Bereitstellen der Ätz-Fotolackschicht wurde in "Printed Circuit Technique Manual" beschrieben (herausgegeben durch die Japan Electronics Packaging and Circuits Association und veröffentlicht 1987 durch THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.), Veröffentlichungen der JP-A-5-338187, JP-A-2002-16343, Japanische Patent-Nr. 3281476, Japanische Patent-Nr. 3281486, JP-A-2002-158422 und JP-A-2002-23470).
Ein Verfahren (4) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung verwendet eine foto-vernetzbare Harzschicht als eine der Fotofabrikationsverfahren und eine Ätz-Fotolackschicht ist auf einer Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt. Für das isolierende Substrat (20) mit der leitenden Schicht auf der Fläche und der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung und mit der vierten Harzschicht, die auf der zu dem Loch und dem Lötaugen Teil korrespondierenden leitenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, ist eine foto-vernetzbare Harzschicht 38 zur Verfügung gestellt (23). Als nächstes wird der Schaltkreisteil belichtet um die foto-vernetzbare Harzschicht (24) zu vernetzen und die nicht-reagierte foto-vernetzbare Harzschicht wird entfernt (25), und die leitende Schicht 2, die zu den belichteten Nicht-Schaltkreisteilen korrespondiert, wird dann durch Ätzen entfernt (26) und eine Ätz-Fotolackschicht eines nicht notwendigen vernetzten Teils 39 wird entfernt, um eine Platine herzustellen (27).
Verfahren zum Herstellen einer Platine durch ein subtraktives Verfahren unter Verwendung einer foto-vernetzbaren Harzschicht als erste Harzschicht
In einem Verfahren (5) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird als erstes die foto-vernetzbare Harzschicht als die erste Harzschicht 5 auf der Fläche des isolierenden Substrats zur Verfügung gestellt (2), so dass die leitende Schicht auf der Fläche und der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung hat (1). Als nächstes wird die zweite Harzschicht auf der foto-vernetzbaren Harzschicht, die auf der leitenden Schicht 2 zur Verfügung gestellt ist (4), ausgebildet. Dann wird die foto-vernetzbare Harzschicht, die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellt ist, die nicht durch die zweite Harzschicht 6 bedeckt ist, mit einer Entfernungslösung für die foto-vernetzbare Harzschicht entfernt (5). Wie in den 11 bis 14 dargestellt, ist es möglich, eine Schaltkreisstruktur mit einer gewünschten Lötaugenweite durch Regulieren der Menge des Entfernens der ersten Harzschicht auszubilden.
Dann wird eine vierte Harzschicht 10 auf dem Teil der leitenden Schicht auf der inneren Wand des Loches 3 und in der Peripherie des Loches ausgebildet (28). Zum selektiven Ausbilden der vierten Harzschicht auf dem Teil der leitenden Schicht auf der inneren Wand des Loches 3 und in der Peripherie des Loches kann bevorzugt ein Elektro-Abscheidungsverfahren verwendet werden. Dann wird eine Schaltkreisstruktur mit Licht durch Kontaktbelichtung oder Projektionsbelichtung unter Verwendung einer Fotomaske, oder einem direkten Laser-Schreibverfahren belichtet, um damit den Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht 26, die zu einem Schaltkreisteil korrespondiert, zu vernetzen (29).
Dann werden der nicht-reagierte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht, die zu einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, und die zweite Harzschicht entfernt (30). Der unreagierte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die zweite Harzschicht können durch einen Arbeitsablauf entfernt werden. Alternativ kann der nicht-reagierte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht nach dem Entfernen der zweiten Harzschicht entfernt werden. Dann wird der belichtete Teil der leitenden Schicht 2, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, durch Ätzen entfernt (31). Die verbleibende vierte Harzschicht 10 und der vernetzte Teil 26 der foto-vernetzbaren Harzschicht werden durch Peeling entfernt, wobei eine Platine hergestellt wird. (32).
Das Verfahren (5) zum Herstellen einer Platine in dieser Erfindung wurde in der Reihenfolge dessen Schritte beschrieben. Jedoch ist es auch möglich, dieselbe Platine herzustellen, indem die jeweiligen Schritte ohne die exakte Art und Weise des Herstellens der Platine gemäß der Reihenfolge der Schritte kombiniert wird. In anderen Worten wird in dem Prozess bis zu dem Schritt des Entfernens des Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht über dem Loch (5) das Herstellen in derselben Reihenfolge der Schritte wie in dem ersten Aspekt des Verfahrens hergestellt. Dann ist es möglich, die Reihenfolge der vier Schritte, der Schritt des Bereitstellens der vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; der Schritt des Vernetzens eines Teils des foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, zu vernetzen; der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht; und der Schritt des Entfernens eines unreagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht- Schaltkreisteil korrespondiert, zu ändern. Zum Beispiel gibt es ein Verfahren, bei dem der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht; der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden und ein Verfahren, bei dem der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht, der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden.
Alternativ kann ein Verfahren Erwähnung finden, bei dem der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht; und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden, und ein Verfahren, bei dem der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit ein Schaltkreisteil korrespondiert; der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht; und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden. Indem der Schritt des Vernetzens eines Teils eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, vor dem Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht durchgeführt wird, ist es möglich, die foto-vernetzbare Harzschicht über die zweite Harzschicht zu belichten.
Weiter ist es auch möglich, den Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht und den Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, simultan auszuführen. Erwähnung kann ein Verfahren finden, bei dem der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch und der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden, und dann der der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht- Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden; oder ein Verfahren, bei dem der Schritt des Vernetzens eines Teils eines foto-vernetzbaren Harzes, das mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, und der Schritt des Bereitstellens einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch sequenziell ausgeführt werden, und dann der Schritt des Entfernens der zweiten Harzschicht und der Schritt des Entfernens eines nicht-reagierten Teils der foto-vernetzbaren Harzschicht, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, sequenziell ausgeführt werden. Dieses Verfahren ist überlegen, weil es die Anzahl der Schritte um einen reduzieren kann.
„Verfahren zum Herstellen einer Platine durch eine subtraktives Verfahren, das eine fotoleitende Schicht als erste Harzschicht verwendet"
Mit einem Verfahren (6) zum Herstellen einer Platine (1) der Erfindung, wird als erstes eine fotoleitende Schicht 5 auf jeder Fläche eines einen Schaltkreis ausbildenden Substrats 4 (1) zur Verfügung gestellt, welches isolierendes Substrat mit einer leitenden Schicht auf jeder Fläche und der inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung (2) ist. Dann wird durch Mittel, wie z. B. Elektro-Abscheidung, eine zweite Harzschicht 6 auf dem Teil der fotoleitenden Schicht 5 auf jeder leitenden Schicht 2 ausgebildet (4). Anschließend wird der Teil der fotoleitenden Schicht 5 über dem Loch 3, das nicht durch die zweite Harzschicht 6 bedeckt ist, durch einen Entwickler für die fotoleitende Schicht entfernt (5). Wie in den 11 bis 14 dargestellt, ist es möglich, die Lötaugenweite des Lochs entsprechend der zu entfernenden Menge der fotoleitenden Schicht anzupassen.
Dann wird die verbleibende zweite Harzschicht mit einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht entfernt (21). Ein positives oder negatives elektrostatisches latentes Bild wird auf der freigelegten fotoleitenden Schicht 5 ausgebildet (33). An dem Schaltkreisteil und auf dem Teil der leitenden Schicht in dem Loch wird durch Verwendung des elektrostatischen latenten Bildes eine dritte Harzschicht 8 durch Mittel, wie z. B. ein Elektro-Abscheidungsverfahren ausgebildet (34). Nach dem Entfernen des Teils der fotoleitenden Schicht 5, die nicht mit der dritten Harzschicht 8 bedeckt ist, durch einen Entwickler für die fotoleitende Schicht (35), wird der freigelegte Teil der leitenden Schichten 2, die mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondieren, durch Ätzen entfernt (36). Die verbleibende dritte Harzschicht 8 und die fotoleitende Schicht 5 werden durch Peeling entfernt, wobei eine Platine hergestellt wird (32).
Mit einem Verfahren zum Herstellen einer Platine (7) der Erfindung, ebenso mit dem Verfahren zum Herstellen einer Platine (1) der Erfindung, wird eine fotoleitende Schicht 5 auf jeder Fläche des den Schaltkreis ausbildenden Substrats 4 (1) zur Verfügung gestellt, dass ein isolierendes Substrat mit einer leitenden Schicht auf jeder Fläche und der inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung (2) ist. Dann wird durch Mittel, wie z. B. Elektro-Abscheidung, eine zweite Harzschicht 6 auf dem Teil der fotoleitenden Schicht 5 auf der leitenden Schicht 2 (4) ausgebildet. Anschließend wird der Teil der fotoleitenden Schicht 5 über dem Loch 3, die nicht mit der zweiten Harzschicht 6 bedeckt ist, durch einen Entwickler für die fotoleitende Schicht (5) entfernt. Wie in den 11 bis 14 gezeigt, ist es möglich, die Lötaugenweite des Lochs entsprechend der Menge der zu entfernenden fotoleitenden Schicht anzupassen.
Anschließend wird auf dem freigelegten Teil der leitenden Schicht in dem Loch eine vierte Harzschicht 10 ausgebildet (37). Dann wird die verbleibende zweite Harzschicht 6 mit einer Entfernungslösung (38) für eine zweite Harzschicht entfernt. Alternativ wird nach dem Entfernen der zweiten Harzschicht 6 mit einer Entfernungslösung (21) für die zweite Harzschicht auf dem freigelegten Teil der leitenden Schicht in dem Loch, die vierte Harzschicht 10 durch Mittel wie z. B. ein Elektro-Abscheidungsverfahren (38) ausgebildet. Ein positives oder negatives elektrostatisches latentes Bild wird auf der freigelegten fotoleitenden Schicht 5 (39) ausgebildet. Durch Verwendung des elektrostatischen latenten Bildes an dem Schaltkreisteil wird weiter eine dritte Harzschicht 8 durch Mittel, wie z. B. ein Elektro-Abscheideverfahren (40) ausgebildet. Nach dem Entfernen des nicht mit der dritten Harzschicht 8 bedeckten Teils der fotoleitenden Schicht 5 durch einen Entwickler für die fotoleitende Schicht (41) wird der freigelegte Teil der leitenden Schichten 2, die zu einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondieren, durch Ätzen entfernt (42). Die verbleibende dritte Harzschicht 8, die fotoleitende Schicht 5 und vierte Harzschicht 10 werden durch Peeling entfernt, wobei eine Platine hergestellt wird (32).
Verfahren zum Herstellen einer Platine durch ein semiadditives Verfahren unter Verwendung einer foto-vernetzbaren Harzschicht als erste Harzschicht
In einem Verfahren (8) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird als erstes das Loch 3 (44) auf dem isolierenden Substrat 1 (43) ausgebildet. Anschließend wird eine dünne erste leitende Schicht 12 auf einer Fläche des isolierenden Substrats 1 (45) zur Verfügung gestellt. Als nächstes wird eine foto-vernetzbare Harzschicht 25 als eine erste Harzschicht auf der ersten leitenden Schicht 12 zur Verfügung gestellt, um so das Loch zu bedecken (46). Anschließend wird die zweite Harzschicht auf der foto-vernetzbaren Harzschicht 25, die auf der leitenden Schicht 12 zur Verfügung gestellt ist, durch Mittel, wie z. B. Elektro-Abscheidung, ausgebildet (47). Dann wird die foto-vernetzbare Harzschicht 25, die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellt ist, die nicht mit der zweiten Harzschicht 6 bedeckt ist, mit einer Entfernungslösung für die foto-vernetzbare Harzschicht entfernt, um das offene Substrat 11 mit dem Harz herzustellen (48). Durch Regulierung der Menge des Entfernens der foto-vernetzbaren Harzschicht ist es möglich, ein Loch mit einer gewünschten Lötaugenweite zu erhalten.
Anschließend wird ein Belichtungsschritt durchgeführt, um die foto-vernetzbare Harzschicht 25 in einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, zu vernetzen (49). Anschließend wir d die zweite Harzschicht und die nicht-reagierte foto-vernetzbare Harzschicht entfernt, um eine plattierte Fotolackschicht auszubilden, die durch einen vernetzten Teil 26 gegeben ist (50). Nachdem die plattierte Fotolackschicht ausgebildet ist, wird eine zweite leitende Schicht 13 auf einer Fläche in einem Teil, in dem die erste leitende Schicht 12 freigelegt ist, durch eine elektrolytischen Plattierungsbearbeitung ausgebildet (51). Dann wird der vernetzte Teil 26 (die plattierte Fotolackschicht) entfernt (52) und die dünne erste leitende Schicht 12, die unter der plattierten Fotolackschicht zur Verfügung gestellt ist, wird durch Ätzen entfernt, wobei eine Platine ausgebildet wird (53). Das Loch kann mit der zweiten leitenden Schicht gefüllt sein oder nicht gefüllt sein. Die 51(a), 52(a) und 53(a) zeigen einen Zustand, in dem das Loch nicht mit der zweiten leitenden Schicht 13 gefüllt ist und weiterhin zeigen die 51(b), 52(b) und 53(b) einen Zustand, in dem das Loch mit der zweiten leitenden Schicht 13 gefüllt ist.
Schritt zum Ausbilden einer zweiten Harzschicht
In einem Verfahren (9) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird in den Verfahren (1), (2), (3), (5), (6), (7) und (8) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung mit Ausnahme von dem über dem Loch zur Verfügung gestellten Teil in dem Schritt des Ausbildens der zweiten Harzschicht auf der ersten Harzschicht ein Aufladungsschritt verwendet. In dem Verfahren (9) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird als erstes die Fläche der ersten Harzschicht geladen, um die zweite Harzschicht auszubilden. In dem Fall, in dem die erste Harzschicht, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, und die erste Harzschicht, die auf einer isolierenden Schicht, wie z. B. Luft oder einem isolierenden Substrat, zur Verfügung gestellt ist, unter denselben Bedingungen einem Aufladungsprozess unterworfen werden, ist ein absoluter Wert eines Aufladungspotentials bei dem auf der isolierenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht größer als ein Wert auf der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht. Wenn die Differenz des Aufladungspotentials als ein elektrostatisches latentes Bild betrachtet wird und die zweite Harzschicht auf der ersten Harzschicht durch Mittel, wie z. B. ein Elektro-Abscheidungsverfahren, ausgebildet wird, entsteht eine Differenz zwischen der Menge der zweiten Harzschicht, die auf der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht gebunden wird, und der Menge der zweiten Harzschicht, die auf der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht gebunden wird. Die zweite Harzschicht wird auf der ersten Harzschicht, die auf der Flächenleitungsschicht ausgebildet ist, bis zu einer solchen Dicke zur Verfügung gestellt, um so eine Widerstandseigenschaft gegenüber einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht zu generieren, und die zweite Harzschicht wird auf der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht in einer solchen Menge ausgebildet, um so mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht erodiert zu werden. Durch Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der zweiten Harzschicht, die als Fotolack eingesetzt ist, ist es möglich, die leitende Schicht auf der inneren Wand des Loches und um das Loch akkurat und selektiv freizulegen.
Während die Beschreibung für ein Beispiel, bei dem das Verfahren (9) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung auf das Verfahren (1) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung angewendet wird, gegeben ist, kann es auch auf die Verfahren (3), (5), (6), (7) und (8) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung auf dieselbe Weise angewendet werden.
Die erste Harzschicht 5 wird auf der Fläche des isolierenden Substrats (1) zur Verfügung gestellt, das die leitende Schicht auf der Fläche und der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung (2) hat. Anschließend wird die Fläche der ersten Harzschicht 5 fast gleichförmig durch Mittel, wie z. B. Corona-Ladung, dem Aufladungs-Prozessieren unterworfen, und ist somit geladen, um eine positive oder negative Ladung zu haben, wobei eine Potentialdifferenz zwischen der über dem Loch 3 zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht 5 und der auf der zweiten leitenden Schicht 13 zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht 5 (3) induziert wird. 3 zeigt den Fall, bei dem eine positive Aufladung durchgeführt wird, bei dem ein Wert eines Potentials durch eine Größe eines Zeichens dargestellt ist. In anderen Worten hat die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellte Harzschicht 5, die in Kontakt mit Luft ist, ein höheres Aufladungspotential als die erste Harzschicht 5, die auf der leitenden Schicht 13 zur Verfügung gestellt ist. Durch Verwendung der Potentialdifferenz wird als nächstes die zweite Harzschicht 6 auf der ersten Harzschicht 5 ausgebildet, die auf der zweiten leitenden Schicht 13 durch Mittel, wie z. B. einer Elektro-Abscheidung (4) ausgebildet wird. Weiterhin wird nur die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellte erste Harzschicht 5, die einen kleineren Umfang des Bindens der zweiten Harzschicht hat, mit einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht entfernt, so dass das offene Substrat 11 mit einem Harz hergestellt wird (5).
Als nächstes wird eine Beschreibung für ein Beispiel gegeben, bei dem das Verfahren (9) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung auf das Verfahren (2) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung angewendet wird. Die erste Harzschicht 5 wird an dem den Schaltkreis ausbildenden Substrat 4 gesammelt, in das durch ein isolierendes Substrat mit dem Loch 3 und der leitenden Schicht 2 auf der Fläche, wie in 6 dargestellt, begründet wird, um zum Schließen des Lochs 3 abzudecken (7). Anschließend wird die Fläche der ersten Harzschicht 5 der Aufladungs-Bearbeitung fast gleichförmig durch Mittel, wie z. B. die Corona-Ladung, unterworfen, und ist somit geladen, um eine positive oder negative Ladung zu haben, wobei eine Potentialdifferenz zwischen der über dem Loch 3 zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht 5 und der ersten Harzschicht 5, die auf der zweiten leitenden Schicht 13 zur Verfügung gestellt ist, induziert wird (8). 8 zeigt den Fall, bei dem eine positive Aufladung durchgeführt wird, bei der ein Wert eines Potentials durch eine Größe eines Zeichens dargestellt ist. In anderen Worten hat die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht 5, die mit Luft in Kontakt ist, ein höheres Aufladungs-Potential als die erste Harzschicht 5, die über der leitenden Schicht 13 zur Verfügung gestellt ist, abhängig von denselben Aufladungs-Bedingungen. Durch Verwendung der Potentialdifferenz wird als nächstes die zweite Harzschicht 6 auf der ersten Harzschicht 5 durch Mittel, wie z. B. eine Elektro-Abscheidung, ausgebildet, die auf der zweiten leitenden Schicht 13 zur Verfügung gestellt ist (9). Weiter wird die erste Harzschicht 5, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, auf der die zweite Harzschicht nicht ausgebildet ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht entfernt, so dass das offene Substrat 11 mit einem Harz hergestellt wird (10).
Subtraktives Verfahren, das mit einer feinen Verdrahtung korrespondiert
Im Allgemeinen ist ein subtraktives Verfahren nicht für eine feine Verdrahtung geeignet, was dadurch begründet wird, dass gewöhnlich ein Loch auf einer laminierten Platte mit einer auf einem isolierenden Substrat gebundenen leitenden Schicht zur Verfügung gestellt wird und eine leitende Schicht dann auf einer Fläche der laminierten Platte, die eine innere Wand des Lochs beinhaltet, durch einen nicht-elektrolytischen Plattierungs-Bearbeitung und eine elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung, wie in 54 dargestellt, zur Verfügung gestellt wird. Wenn die leitende Schicht dick durch Plattieren zur Verfügung gestellt wird, um eine Verlässlichkeit des Leitens der inneren Wand des Loches zu haben, wird auch die Dicke der leitenden Schicht, die auf der Fläche zur Verfügung gestellt ist, vergrößert. Als Konesequenz wird das Ätzen einer Seite ein Problem, wenn die leitende Schicht in einem Nicht-Schaltkreisteil durch Ätzen entfernt werden soll. Somit gibt es ein Problem, dass es nicht möglich ist, der Mikrofabrikation einer Verdrahtungsstruktur zu entsprechen. Daher ist es notwendig, dass die auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellte leitende Schicht eine ausreichende Dicke hat und die Dicke der leitenden Schicht, die auf der Fläche zur Verfügung gestellt wird, so weit wie möglich gedünnt wird.
Es wird eine Beschreibung eines Verfahrens (10) einer Herstellung einer Platine gemäß der Erfindung gegeben. Eine erste Harzschicht wird an ein isolierendes Substrat, das eine leitende Schicht auf einer Fläche und einer inneren Wand eines in 55 gezeigten Loches hat, gebunden, so dass es zum Schließen des Loches abdeckt (56). Es ist möglich, ein isolierendes Substrat als das isolierende Substrat mit der leitenden Schicht auf der Fläche und der inneren Wand des Loches zu verwenden, das man erhält, indem das Loch 3 auf dem isolierenden Substrat 1, das die leitende Schicht 12 auf beiden Flächen gebunden hat, ausbildet und dann die dünne leitende Schicht 13 in dem Loch 3 und auf der Fläche durch die nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung zur Verfügung stellt. Als nächstes wird die zweite Harzschicht 6 auf der ersten Harzschicht 5, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, durch Mittel, wie z. B. einer Elektro-Abscheidung (57) ausgebildet. Weiterhin wird nur die erste Harzschicht 5, die über dem Loch 3 zur Verfügung gestellt ist, auf der die zweite Harzschicht nicht ausgebildet ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht entfernt (58).
Als nächstes wird die plattierte leitende Schicht 7 auf der freigelegten leitenden Schicht 3 durch Mittel, wie z. B. elektrolytisches Plattieren (59) zur Verfügung gestellt. Anschließend wird die zweite Harzschicht entfernt (60) und weiterhin wird die erste Harzschicht entfernt (61). Als Konsequenz kann nur die leitende Schicht in dem Loch verdickt werden. Die zweite Harzschicht und die erste Harzschicht können zu einer Zeit entfernt werden.
In anderen Worten ist es durch Anwendung des Verfahrens (10) des Herstellens einer Platine gemäß der Erfindung auf die Verfahren (1), (3), (5), (6) und (7) des Herstellens einer Platine gemäß der Erfindung möglich, eine plattierte leitende Schicht auf der leitenden Schicht in dem freigelegten Loch durch Mittel, wie z. B. eine elektrolytischen Plattierungs-Bearbeitung, nachdem die über dem Lochteil ausgebildete erste Harzschicht entfernt worden ist, zur Verfügung zu stellen. Somit ist es möglich, die Dicke der leitenden Schicht, die auf der Fläche zur Verfügung gestellt ist, so zu bewirken, dass sie klein und gleichförmig ist, während man die Dicke der leitenden Schicht in dem Loch beibehält. Als Konesequenz ist es auch möglich, eine feine Verdrahtung durch das subtraktive Verfahren auszubilden.
Bei einem Verfahren (11) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird die plattierte leitende Schicht 7 auf der inneren Wand des Loches durch Mittel, wie z. B. elektrolytisches Plattieren (61) zur Verfügung gestellt, und das erste Harz 5 wird dann in einem gewünschten Umfang mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht wiederum auf dieselbe Art und Weise wie in dem Verfahren (10) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung entfernt. In diesem Fall ist es durch Regulierung des Umfangs der Entfernung der ersten Harzschicht möglich, eine Platine mit einer gewünschten Lötaugenweite, wie in den 62 bis 64 dargestellt, herzustellen. Gemäß dem Verfahren hat ein Lötauge des Loches außerdem eine gleichförmige Weite, wie es in 99 dargestellt ist. Das Verfahren (11) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung kann auf die Verfahren (1), (3), (5), (6) und (7) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung angewendet werden.
Platine
Eine Beschreibung einer Platine, die man durch das Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung erhält, wird nun gegeben.
Eine Platine (12) gemäß der Erfindung, bei der ein Schaltkreisteil auf einem isolierenden Substrat durch eine leitende Schicht ausgebildet ist, und die eine Durchgangsbohrung und/oder eine Nicht-Durchgangsbohrung mit einer inneren Wand, die mit der leitenden Schicht bedeckt oder gefüllt ist, hat, ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Lötauge der Durchgangsbohrung und/oder der Nicht-Durchgangsbohrung kontinuierlich ähnlich einem konzentrischen Kreis in Bezug auf die Durchgangsbohrung ausgebildet ist, eine maximale Höhe der leitenden Schicht in einem nicht-verbindenden Teil des Lötauges gleich oder größer als –5μm ist, wobei ein Eckteil des nichtleitenden Substrats als Referenzpunkt gesetzt ist, und gleich oder kleiner als eine Dicke der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil ist, und eine Lötaugenweite von dem Referenzpunkt 0 bis 40μm ist.
Eine Platine (13) gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Differenz zwischen maximalen und minimalen Werten der Lötaugenweite kleiner oder gleich 8μm ist. In anderen Worten ist ein Lötauge 18 eines Loches 17 kontinuierlich ähnlich einem konzentrischen Kreis ausgebildet und entspricht einer Bedingung für eine Vergrößerung einer Dichte, das ist eine Reduktion der Lötaugenweite.
104 ist eine schematische Aufsicht, die einen Vergleich von (a) einem Loch mit einer schmalen Lötaugenweite und (b) einem Loch mit einer großen Lötaugenweite in Platinen zeigt, bei denen Lochdurchmesser, Abstände zwischen den Löchern und Weiten der leitenden Schichten in Schaltkreisteilen gleich sind. 105 zeigt den Fall, bei dem eine Positionsverschiebung mit einem Abstand X in den Platinen generiert ist. Bei beiden, dem Loch mit der schmalen Lötaugenweite in 105(a) und dem Loch mit der großen Lötaugenweite in 105(b) kann eine gleichförmige Lötaugenweite nicht ausgebildet werden. Bei dem Loch mit der größten Lötaugenweite in 105(b) ist das Lötauge an dem gesamten Umfang des Loches ausgebildet. Bei dem Loch mit der schmalen Lötaugenweite in 105(a) gibt es ein Problem insoweit, dass das Lötauge von dem Umfangsteil des Loches abgeschnitten ist. Bei der Platine (13) gemäß der Erfindung ist die Lötaugenweite gleichförmig und ein solches Problem wird nicht verursacht. Für das Loch mit der schmalen Lötaugenweite in der Platine (13) gemäß der Erfindung kann, wie in 104(a) dargestellt, außerdem die Dichte vergrößert werden. Wenn die Lötaugenweite 40μm übersteigt, wird sie als groß betrachtet. Als Konsequenz erhält man eine Platine mit einer geringen Dichte, wie in 104(b) dargestellt, so dass es unmöglich ist, einem Anstieg der Dichte zu entsprechen.
Weiterhin ist eine maximale Höhe der leitenden Schicht in einem nicht-verbindenden Teil des Lötauges des Loches gleich oder größer als –5μm und ist gleich oder kleiner als eine Dicke der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil. In dem nicht-verbindenden Teil des Lötauges des Loches ist daher die Platine kaum durch eine Temperatur oder eine Feuchtigkeit beeinflusst. Somit hat die Platine eine hohe Zuverlässigkeit. Der Grund hier für ist, dass ein Eckteil des nichtleitenden Substrats, von dem man annimmt, dass es innerhalb der Platine am meisten Beanspruchung empfängt, mit der leitenden Schicht geschützt ist. Wenn eine Höhe der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil des Lötauges des Loches kleiner als –5μm ist, ist ein freigelegter Bereich des isolierenden Substrats vergrößert, so dass der Einfluss der Temperatur und der Feuchtigkeit vergrößert ist. Wenn die Dicke der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil überschritten wird, wird der Lochteil außerdem konvex, so dass eine Widerstandsfähigkeit auf einen mechanischen Schock reduziert wird oder ein Hindernis bei einem Schritt des Montierens der Platine verursacht wird.
Eine Platine (14) gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Querschnittsform der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil unterschiedlich ist von der der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil. Eine Platine (15) gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil mit einer maximalen Höhe in einem Bereich einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch vorhanden ist, das von der inneren Wand des Loches in der leitenden Schicht des Lötauges ausgebildet ist.
65 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugenteil einer Platine gemäß der Erfindung zeigt, wodurch das durch die leitende Schicht ausgebildete Lötauge 18 um das Loch 17 ausgebildet ist und eine Verdrahtung 28 von dem Lötauge verbunden ist. Bei der Platine gemäß der Erfindung ist das Lötauge konzentrisch in Bezug auf das Loch 17 ausgebildet. Außerdem ist eine maximale Höhe T1 der leitenden Schicht 18 in einem nicht-verbindenden Teil des Lötauges gleich oder größer als –5μm und ist gleich oder kleiner als eine Dicke T2 der leitenden Schicht in einem Schaltkreisteil, mit einem Eckteil eines isolierenden Substrats, das als Referenzpunkt G gesetzt ist. Außerdem ist eine Lötaugenweite L von dem Referenzpunkt G gleich oder kleiner als 40μm. 66(a) und 66(b) zeigen den Fall, bei dem T1 gleich der Dicke T2 der leiten Schicht in dem Schaltkreisteil ist und die Lötaugenweite L größer als 0μm und gleich oder kleiner als 40μm ist.
68 ist eine schematische Aufsicht, die den Fall zeigt, bei dem die Lötaugenweite L 0μm bei der Platine gemäß der Erfindung ist. Das Lötauge bezieht eine leitende Schicht, die um das Loch zur Verfügung gestellt ist, ein. Bei der Erfindung, in dem Fall, bei dem die Lötaugenweite L 0μm ist, wird die leitende Schicht in dem Lötauge, die bestätigt werden kann, wenn das Loch von einem oberen Teil betrachtet wird, als ein Lötauge mit einer Lötaugenweite L von 0μm eingestellt. Die 69 bis 73 sind schematische Querschnittsansichten, die die Platine in 68 entlang Linie A zeigen. Die Lötaugenweite L ist 0μm und T1 ist gleich oder größer als –5μm und ist gleich oder kleiner als die Dicke T2 der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil. In 69 ist eine obere Endfläche der leitenden Schicht des Lötaugenteils senkrecht zu einer inneren Wand des Lochs. 69(a) illustriert, dass T1 gleich T2 ist, 69(b) illustriert, dass T1 0 μm ist und 69(c) illustriert, dass T1 gleich oder größer als –5μm ist und kleiner als 0μm ist. 70(a) illustriert, dass T1 gleich T2 ist, 70(b) illustriert, dass T1 0μm ist, und 70(c) illustriert, dass T1 gleich oder größer als –5μm und kleiner als 0μm ist. In 71 ist die obere Endfläche der leitenden Schicht des Lötaugenteils konvex. 71(a) illustriert, dass T1 gleich T2 ist, 71(b) illustriert, dass T1 0μm ist und 71(c) illustriert, dass T1 gleich oder größer als –5μm und kleiner als 0μm ist. In 72 wird die obere Endfläche der leitenden Schicht des Lötaugenteils größer von der inneren Wand des Loches in Richtung des mittigen Teils des Loches. 72(a) illustriert, dass T1 gleich T2 ist, 72(b) illustriert, dass T1 größer als 0μm ist und gleich oder kleiner als die Dicke von T2, und 72(c) illustriert, dass T1 gleich oder kleiner als –5μm und kleiner als 0μm ist. In 73 wird die obere Endfläche der leitenden Schicht des Lötaugenteils niedriger von der inneren Wand des Loches in Richtung des mittigen Teils des Loches. 73(a) illustriert, dass T1 gleich T2 ist, 73(b) illustriert, dass T1 0μm ist und 73(c) illustriert, dass T1 gleich oder größer als –5μm und kleiner als 0μm ist. Bei der Erfindung ist T1 gleich oder größer als –5μm und ist gleich oder kleiner als T2. Wenn ein Freilegen um einen offenen Teil des Loches, das heißt um den Referenzpunkt G kleiner ist, wird die Zuverlässigkeit der Platine jedoch mehr verbessert. Daher ist es besonders bevorzugt, dass T1 gleich oder größer als 0μm und gleich oder kleiner als T2 ist.
74 ist eine schematische Ansicht, die eine Durchgangsbohrung zeigt, in der das Loch mit einer leitenden Schicht gefüllt ist. 74(a) zeigt ein Beispiel, bei dem die Lötaugenweite größer 0 ist und gleich oder kleiner als 40μm ist. In 74(b) ist die Lötaugenweite 0μm. Wenn bei der Platine gemäß der Erfindung die Höhe T1 der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil des Lötauges gleich oder größer als –5μm und gleich oder kleiner als die Höhe T2 der leitenden Schicht in dem verbindenden Teil des Lötauges ist, und die Lötaugenweite L gleich oder kleiner als 40μm ist, kann der innere Teil des Loches somit mit der leitenden Schicht gefüllt sein.
75 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel zeigt, bei dem eine Lötaugenform des einen Öffnungsteils der Durchgangsbohrung anders ist als die des anderen Öffnungsteils. Bei einem der Öffnungsteile ist eine maximale Höhe T1_a der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil des Lötauges gleich oder größer als 0μm und ist gleich oder kleiner als eine Höhe T2_a der leitenden Schicht in dem verbindenden Teil des Lötauges, und eine Lötaugenweite L_a ist gleich oder kleiner als 40μm. In dem anderen Öffnungsteil ist eine maximale Höhe T1_b der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil des Lötauges 0μm und die Lötaugenweite L_b ist 0μm.
76 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Durchgangsloch zeigt. 76(a) zeigt ein Beispiel, bei dem das Durchgangsloch mit der leitenden Schicht gefüllt ist, wobei die Höhe T1 der leitenden Schicht in dem Nicht-Verbindungsteil des Lötauges gleich oder größer als 0μm ist, aber gleich oder kleiner als die Höhe T2 der leitenden Schicht in dem verbindenden Teil des Lötauges und die Lötaugenweite L ist gleich oder kleiner als 40μm. 76(b) zeigt ein Beispiel, bei dem das Durchgangsloch nicht mit der leitenden Schicht gefüllt ist, wobei die Höhe T1 der leitenden Schicht in dem Nicht-Verbindungsteil des Lötauges gleich oder größer als 0μm ist, die Höhe T2 der leitenden Schicht in dem Verbindungsteil des Lötauges gleich oder kleiner als T2 und die Lötaugenweite L gleich oder kleiner als 40μm ist.
67 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugenteil der Platine gemäß der Erfindung zeigt. Bei der Platine gemäß der Erfindung ist es wünschenswert, dass eine Differenz zwischen maximalen und minimalen Werten der Lötaugenweite gleich oder kleiner als 8μm sein sollen und sie sollten besonders bevorzugt gleich oder kleiner als 5μm sein. Bei diesem Zustand sind das Loch und das Lötauge kontinuierlich ähnlich einem konzentrischen Kreis ausgebildet. Bei dem Zustand, bei dem die Differenz zwischen den maximalen Werten und den minimalen Werten gleich oder kleiner als 8μm ist, ist eine Mitte des Loches und die des Lötauges kaum zueinander verschoben. Somit genügt die Platine gemäß der Erfindung einer Bedingung, die bewirkt, dass die Lötaugenweite gleichförmig ist. In anderen Worten wird die Platine gemäß der Erfindung kaum durch Genauigkeit einer Positionsverschiebung bei dem Herstellungsprozess beeinflusst. Wenn der Unterschied größer als 8μm ist, wird das Lötauge nicht mit einer gleichförmigen Weite um das Loch, wie in 100(a) ausgebildet. Als Konsequenz hat die Platine eine geringe Zuverlässigkeit.
77 ist eine schematische Aufsicht, die ein Loch-Lötaugenteil der Platine gemäß der Erfindung zeigt. 78 ist eine schematische Querschnittsansicht, die entlang Linie B in 77 genommen wurde, und 79 ist eine schematische Querschnittsansicht, die entlang Linie C in 77 genommen wurde. Bei der Platine gemäß der Erfindung ist bevorzugt, dass die Querschnittsform der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil und die der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil sich voneinander unterscheiden. In einem solchen Fall wird ein Volumen in einem Verbindungsteil der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil und das in dem Lötaugenteil vergrößert. Als Konsequenz ist es möglich, einen vorteilhaften Effekt, dass eine elektrische Zuverlässigkeit in dem Verbindungsteil verbessert werden kann, zu erhalten. Eine Kombination der Querschnittsformen der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil und der des Lötaugenteils kann zum Beispiel beinhalten: 78(a)–79(b), 78(a)–79(c), 78(b)–79(a), 78(b)–79(c), 78(c)–79(a) und 78(c)–79(b).
Bei der leitenden Schicht des Lötauges gibt die Platine (4) gemäß der Erfindung, bei der ein Teil mit einer maximalen Höhe innerhalb eines Bereichs von der inneren Wand des Lochs zu einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch präsent ist, ein lötaugenloses Loch oder ein Loch mit einer schmalen Lötaugenweite zu erkennen, bei der, wie in 80 dargestellt, eine Lötaugenweite schmal ist. Unabhängig von einer zylindrischen Form, einer konischen Form und einer perforierenden Form können die Platinen mit solchen Löchern einer Vergrößerung in einer Dichte entsprechen und können eine wirkungsvolle Ausführungsform der Platine gemäß der Erfindung zur Verfügung stellen.
Material und Schritt
Es wird eine Beschreibung eines Verfahrens zum Herstellen einer Platine und einem Material, das zu der Platine gemäß der Erfindung in Bezug steht, gegeben. Es ist für ein isolierendes Substrat, das eine leitende Schicht auf einer Fläche und einer inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung gemäß der Erfindung hat, möglich, eine Konfiguration zu verwenden, bei der ein Loch auf einer laminierten Platte zur Verfügung gestellt ist, bei eine Folie einer leitenden Schicht mit dem isolierenden Substrat verbunden ist und dann eine plattierte leitende Schicht auf einer Fläche der laminierten Platte einschließlich der inneren Wand des Loches durch eine Plattierungs-Bearbeitung zur Verfügung gestellt ist, eine Konfiguration zu verwenden, bei der das Loch auf dem isolierenden Substrat zur Verfügung gestellt ist und dann eine leitende Schicht auf der Fläche einschließlich der inneren Wand des Loches durch ein Sputter-Verfahren, ein Verdampfungsverfahren, eine nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung, eine nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung -elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung, oder eine Beschichtungs-Bearbeitung zur Verfügung gestellt ist, und eine Konfiguration zu verwenden, bei der ein Loch auf der laminierten Platte zur Verfügung gestellt ist, die die mit dem isolierenden Substrat verbundene Folie der leitenden Schicht hat, und eine leitende Schicht separat nur auf der inneren Wand des Loches durch Mittel, wie z. B. ein nicht-elektrolytisches Plattierungsverfahren, zur Verfügung gestellt ist. Die Folie der leitenden Schicht kann auch einer Ätz-Bearbeitung unterworfen sein, um nach dem Verbinden ein dünner Film zu sein.
Für das isolierende Substrat, das die Durchgangsbohrung oder/und die Nicht-Durchgangsbohrung hat und das die leitende Schicht zusätzlich zu der inneren Wand des Loches gemäß der Erfindung beinhaltet, ist es möglich, eine Konfiguration zu verwenden, bei dem das Loch auf der laminierten Platte zur Verfügung gestellt ist, die man erhält, indem man die leitende Schicht mit dem isolierenden Substrat verbindet.
Für das isolierende Substrat ist es möglich, ein Substrat zu verwenden, das aus einem Papiergrundmaterial-Phenolharz oder einem Glasgrundmaterial-Epoxyharz, einem Polyesterfilm, einem Polyamidfilm und einem Flüssigkristall-Polymerfilm ausgebildet ist. Für die leitende Schicht ist es möglich, Kupfer, Silber, Gold, Aluminium, rostfrei (Edelstahl), eine 42-Legierung, Nickel-Chrom, Wolfram, ITO, ein leitendes Polymer oder verschiedene Metallkomplexe zu verwenden. Diese Beispiele wurden in " Printed Circuit Technique Manual" (verlegt durch Japan Electronics Packaging and Circuits Association und veröffentlicht 1987 durch THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) beschrieben.
Eine erste Harzschicht gemäß der Erfindung ist nicht besonders beschränkt falls es eine solche Charakteristik hat, dass es mit einem einen Schaltkreis ausbildenden Substrat frei thermokompressions-gebonded werden kann und beschichtet werden kann, um für einen Lochteil bedeckend zu sein, und eine Löslichkeit in Bezug auf die Entwicklungslösung für die erste Harzschicht hat, und außerdem für einen nachfolgenden Schritt in einem seriellen Prozess, der in dem Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung enthalten ist, benötigt wird. Spezifische Beispiele beinhalten einen Film, der aus einem Acrylharz, einem Epoxyharz, einem Urethanharz, einem Phenolharz, einem Novolakharz, einem Styrol-Maleat-copolymer, einem Vinylacetatharz, oder einem Vinylbenzoatharz ausgebildet ist, ein Film, der in einer alkalischen Lösung gelöst ist, die man erhält, indem man eine sauere Gruppe in die Harze einbringt, und einen nicht-fotosensitiven Film wie z. B. einen wasserlöslichen Film, z. B. Polyethylenglykol oder Polyvinylalkohol. Außerdem ist es auch möglich, einen negativen Trockenfilm-Fotolack zum Herstellen einer Platine und einen organischen Foto-Halbleiter-Fotolack, der sich eine fotoleitende Schicht zunutze macht, zu verwenden.
Die foto-vernetzbare Harzschicht, die als die erste Harzschicht gemäß den Verfahren (5) und (8) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung verwendet werden soll, beinhaltet einen Foto-Vernetzungstyp-(Negativ)-Trockenfilm-Fotolack zum Herstellen einer Platine, der im Allgemeinen verwendet wird. Es werden Beispiele gegeben und jedes foto-vernetzbare Harz kann auch angewendet werden, wenn es nicht von dem Wesentlichen der Erfindung abweicht. Zum Beispiel, kann eine solches fotovernetzbares Harz ein Bindemittel-Polymer, das eine sauere Gruppe einer Carbonsäure enthält, ein fotopolymerisierendes multifunktionales Monomer, einen fotopolymerisierenden Initiator, ein Lösungsmittel und andere negative fotosensitive Harz-Zusammensetzungen, die durch Additive gebildet sind, sein. Deren Mischungsverhältnis wird in Abhängigkeit der geforderten Eigenschaften, wie z. B. eine Sensitivität, eine Auflösung, eine Härte und eine Abdeck-Eigenschaft bestimmt. Diese Beispiele wurden in "Photopolymer Handbook" (herausgegeben durch Photopolymer Special Meeting und veröffentlicht 1989 von Kogyo Chosakai Publishing Co., Ltd.) und "Photopolymer Technology" (herausgegeben durch Aya Yamaoka und Mototaroh Nagamatsu und veröffentlicht 1988 von THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) beschrieben. Zum Beispiel ist es möglich, Riston hergestellt von DuPont MRC Dry Film Co., Ltd., PhoTec, hergestellt von Hitachi Chemical Co., Ltd., und SUNFORT, hergestellt von ASAHI KASEI CORPORATION als auf dem Markt erhältliche Produkte zu verwenden.
Wenn die foto-vernetzbare Harzschicht, die als die erste Harzschicht gemäß der Erfindung verwendet werden soll, eine Drei-Schicht-Struktur hat, die zwischen einem Trägerfilm (Polyethylenterephtalat) und einem Schutzfilm (Polyethylen) eingefüllt ist, ist sie für die Konservierung und Bonden geeignet. Wenn Blocken kein Problem wird, ist es auch möglich, eine Zwei-Schicht-Struktur zu verwenden, die den Schutzfilm nicht verwendet.
Die foto-vernetzbare Harzschicht, die als die erste Harzschicht gemäß der Erfindung verwendet werden soll, kann eine Multi-Schichtstruktur haben. Zum Beispiel wird eine alkalilösliche Harzschicht auf einer oder beiden Seiten der foto-vernetzbaren Harzschicht zur Verfügung gestellt. Eine Multi-Schicht foto-vernetzbare Harzschicht hat den Vorteil, dass eine Aufladungsfähigkeit verbessert werden kann und ein Widerstand zu einer Beschädigung in einem Zuführungssystem im Vergleich zu einer Einzel-Schicht foto-vernetzbaren Harzschicht verbessert werden kann.
Die gemäß den Verfahren (6) oder (7) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung als die erste Harzschicht verwendete fotoleitende Schicht kann grob in einen konventionellen Typ oder einen Speichertyp, in Abhängigkeit eines Verfahrens zum Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes, aufgeteilt werden. Bei dem herkömmlichen Typ wird zunächst eine Fläche der fotoleitenden Schicht geladen, um fast gleichförmig positiv oder negativ im dunklen oder unter Dunkelkammerbeleuchtung geladen zu sein, und eine Leitungs-Fähigkeit der fotoleitenden Schicht wird dann durch eine Belichtung herbeigeführt, wobei die Menge des Aufladens eines belichtenden Teils verringert wird. Somit wird ein elektrostatisches latentes Bild, das mit einer Schaltkreisstruktur korrespondiert, ausgebildet. Anschließend wird ein geladenes Harzpartikel, das eine dritte Harzschicht ausbilden soll, elektrostatisch abgeschieden und entlang des elektrostatischen latenten Bildes fixiert, wobei die dritte Harzschicht in einem Schaltkreisteil ausgebildet wird. Bei dem konventionellen Typ ist es möglich, fotoleitende Schichten zu verwenden, die in den Publikationen des ersten Deutschen Patents Nr. 117391, zweites Deutsches Patent Nr. 526720, Deutsches Patent Nr. 3210577, JP-A-52-2437, JP-A-57-48736, JP-A-59-168462, JP-A-63-129689, JP-A-2001-352148, Japanische Patent-Nr. 3281476 und Japanische Patent-Nr. 3281486 beschrieben sind.
Bei dem Speichertyp wird eine Belichtungs-Bearbeitung, die mit einer Schaltkreisstruktur korrespondiert, durchgeführt, um zu veranlassen, dass der belichtende Teil die Leitungsfähigkeit in im Dunkeln oder unter Dunkelkammerbeleuchtung wiedergibt, und eine positive oder negative Aufladungs-Bearbeitung wird dann über der Fläche der fotoleitenden Schicht durchgeführt, um die Fläche der fotoleitenden Schicht mit Ausnahme des belichtenden Teils zu laden, wobei ein elektrostatisches latentes Bild, das mit der Schaltkreisstruktur korrespondiert, ausgebildet wird. Anschließend wird das geladene die dritte Harzschicht auszubildende Harzpartikel elektroabgeschieden und entlang des elektrostatischen latenten Bildes fixiert. Bei dem Speichertyp ist es möglich, fotoleitende Schichten zu verwenden, die in den Publikationen JP-A-2002-158422 und JP-A-2002-23470 beschrieben sind. Wenn die fotoleitende Schicht gemäß der Erfindung eine Drei-Schicht-Struktur hat, die zwischen einem Trägerfilm (Polyethylenterephtalat) und einem Schutzfilm (Polyethylen) eingefüllt ist, ist sie für die Speicherung und Anheften geeignet. Wenn Blocken kein Problem wird, ist es auch möglich, eine Zwei-Schicht-Struktur zu verwenden, die den Schutzfilm nicht verwendet.
Jedes Verfahren zum Befestigen der ersten Harzschicht an der Flächenleitungsschicht kann verwendet werden, wenn es möglich ist, die erste Harzschicht ohne Erzeugen einer Unebenheit oder/und einer Welligkeit der ersten Harzschicht zur Verfügung zu stellen und Luft oder Staub in die Befestigungsfläche zu mischen. Zum Beispiel wird eine Vorrichtung zum Pressen einer thermischen Gummirolle für eine Leiterplatine durch Druck verwendet, wobei eine Laminierung durchgeführt wird.
Nachdem die erste Harzschicht angesammelt ist, wird die Trägerschicht abgelöst. In diesem Fall wird ablösungsladen-generiert, so dass die Fläche der ersten Harzschicht ungleichförmig aufgeladen ist. Wenn die Ladungsunebenheit generiert ist, wird das zweite Harz elektro-abgeschieden und entlang der Ladungs-Unebenheit angebracht. Daher ist es notwendig, die Ladung zu entfernen oder die Ladung gleichmäßig durchzuführen. Zum Beispiel ist es möglich, ein Verfahren zum Durchführen von Blasen durch einen Ionen-Blaskopf durchzuführen, ein Verfahren zum Durchführen von Heizen (Ausheizen) bei 50°C oder mehr, und ein Verfahren zum Blasen von Dampf oder Wasser einzusetzen.
Die Entwicklungslösung für die erste Harzschicht gemäß der Erfindung dient dazu, die erste Harzschicht darin zu lösen, und eine Entwicklungslösung entsprechend einer Zusammensetzung der zu verwendenden ersten Harzschicht wird verwendet. Die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht wird mit der Entwicklungslösung entfernt und nur der obere Teil des Loches wird geöffnet. Für die Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist es möglich, jede Lösung unter der Bedingung zu verwenden, dass die erste Harzschicht im Umfang der Dicke des Films gelöst wird (das heißt, die zweite Harzschicht ist bei dem Schritt des Ausbildens eines Öffnungsteils nicht aufgeblasen und eine Form wird nicht geändert) selbst wenn die zweite Harzschicht unlöslich ist oder die zweite Harzschicht geringfügig löslich ist. Für den Fall, dass ein alkalilösliches Harz für die erste Harzschicht verwendet wird, wird eine Alkalilösung brauchbar verwendet. Zum Beispiel ist es möglich, eine Lösung einer anorganischen Grundkomponente wie z. B. Alkalimetall-Silikat, Alkalimetall-Hydroxid, Alkalimetall-Phosphat und -carbonat, oder Ammoniumphosphat und -carbonat, und eine organische Grundkomponente, wie z. B. Ethanolamine, Ehtylendiamine, Propandiamin, Triethylen-Tetramine und Morpholin zu verwenden. Diese Lösungen kontrollieren die Löslichkeit der zweiten Harzschicht. Daher ist es notwendig, eine Konzentration, eine Temperatur und einen Düsendruck zu regulieren. Nach dem Öffnen mit der Entwicklungslösung wird der Fortgang der Entwicklung durch Waschen oder eine Säurebehandlung gestoppt.
Die zweite Harzschicht gemäß der Erfindung ist unlöslich oder geringfügig löslich in der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht und jedes Harz, das in einem Elektro-Abscheideverfahren verwendet werden kann, kann angewendet werden. Eine für die zweite Harzschicht verwendete Lösung erhält man, indem man ein Harz in einem Partikel-Zustand in einer Flüssigkeit dispergiert. Das Partikel ist positiv oder negativ aufgeladen. Es ist möglich, als die Flüssigkeit Wasser oder eine elektrisch nichtleitende Flüssigkeit zu verwenden. Für den Fall, dass Wasser verwendet wird, enthält die zweite Harzschicht als eine Hauptkomponente ein Polymer, das einen geeigneten Säurewert hat, und sie ist mit einem organischen Amin neutralisiert, wobei ein kolloidales Partikel, das in dem Wasser geladen ist, ausgebildet wird. Für den Fall, dass die elektrisch nichtleitende Flüssigkeit verwendet wird, wird ein Harz, wie z. B. ein Acrylharz, ein Vinylacetatharz, ein Vinylchloridharz, ein Vinylidenchloridharz oder ein Vinylacetalharz, wie z. B. Polyvinylbutylaldehyd, Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen und deren Chloride, ein Polyesterharz, wie z. B. Polyethylenterephtalat oder Polyethylenisophtalat oder ein Polyamidharz, ein vinyl-denaturiertes Alkydharz, Gelatine, ein Zellulose-Esterderivat, wie z. B. Carboxymethylzellulose in einem Partikelzustand in einer elektrisch nicht-leitenden Flüssigkeit dispergiert. Das Harzpartikel kann auch einen Ladungs-Kontrollwirkstoff enthalten. Es ist notwendig, die Ladungen separat als positiv oder negativ, in Abhängigkeit des positiven oder negativen Zustandes einer Vorspannung bei der Formation der zweiten Harzschicht, zu verwenden. Es ist möglich, für eine Lösung, die man durch Dispergieren des Harzes zum Ausbilden der zweiten Harzschicht in der elektrisch nicht-leitenden Flüssigkeit erhält, geeignet einen nassen Toner für Elektro-Fotographie zu verwenden.
Die zweite Harzschicht kann ausgebildet werden, indem man eine Entwicklungs-Elektrode gegenüber einem einen Schaltkreis ausbildenden Substrat, an dem die erste Harzschicht gebunden ist, anordnet und eine Lösung, die ein geladenes Harzpartikel, das in einer Flüssigkeit dispergiert ist, zwischen das den Schaltkreis ausbildenden Substrat und eine Entwicklungs-Elektrode füllt, die leitende Schicht des den Schaltkreis ausbildenden Substrates erdet und eine geeignete Vorspannung anlegt. Zum Beispiel ist es möglich, Entwicklungsvorrichtungen zu verwenden, die in den Publikationen JP-A-2004-163605 und JP-A-2002-132049 beschrieben sind. Es ist möglich, die Dicke der zweiten Harzschicht festzulegen, indem man die Ladung des Harzpartikels und eine anzulegende Spannung kontrolliert, eine Zufuhr-Geschwindigkeit und eine Menge der Zufuhr einer Harzpartikel-Dispergierlösung kontrolliert. Das durch das Elektro-Abscheidungsverfahren angesammelte Harzpartikel wird auf der ersten Harzschicht durch Heizen, Druck, Licht oder ein Lösungsmittel fixiert, so dass man die zweite Harzschicht erhält. Indem man die zweite Harzschicht als eine Fotolackschicht einsetzt, wird die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht entfernt.
Bei der Erfindung enthält die dritte Harzschicht ein Harz, das unlöslich oder geringfügig löslich in einer Entwicklungslösung für eine fotoleitende Schicht und ein Ätzmittel für die leitende Schicht ist. Es ist bevorzugt, dass die dritte Harzschicht auch durch das Elektro-Abscheidungsverfahren ausgebildet wird. Das Elektro-Abscheidungsverfahren beinhaltet ein positives Entwicklungsverfahren des Bereitstellens der dritten Harzschicht auf einem nicht-belichtenden Teil, das heißt einer geladenen fotoleitenden Schicht durch Verwenden eines Harzpartikels beinhaltend einer Ladung mit entgegengesetzter Polarität zu einem elektrostatischen latenten Bild und ein inverses Entwicklungsverfahren des Bereitstellens der dritten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht in dem belichteten Teil, das heißt einem Nicht-Aufladungsteil unter Anwendung einer geeigneten Vorspannung durch Verwenden eines Harzpartikels beinhaltend eine Ladung mit derselben Polarität wie das elektrostatische latente Bild. Bei der Erfindung ist es notwendig, die dritte Harzschicht auf der leitenden Schicht in und/oder um das Loch, das nicht geladen ist, zur Verfügung zu stellen. Aus diesem Grund ist es bevorzugt, die Inversions-Entwicklungsmethode zu verwenden.
Bei dem Verfahren (6) oder (7) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung wird, um die dritte Harzschicht auszubilden, eine Lösung verwendet, die man durch Dispergieren eines für die dritte Harzschicht verwendeten Harzes in einem Partikelzustand in einer Lösung erhält. Das Harzpartikel ist positiv oder negative geladen. Es ist möglich, als Flüssigkeit Wasser oder eine elektrisch nicht-leitende Flüssigkeit zu verwenden.
Für den Fall, dass Wasser verwendet wird, enthält die dritte Harzschicht als eine Hauptkomponente ein Polymer, das einen geeigneten Säurewert hat, und sie ist mit einem organischen Amin neutralisiert, wobei ein kolloidales Partikel, das in dem Wasser geladen ist, ausgebildet wird. Für den Fall, dass die elektrisch nichtleitende Flüssigkeit verwendet wird, wird ein Harz, wie z. B. ein Acrylharz, ein Vinylacetatharz, ein Vinylchloridharz, ein Vinylidenchloridharz oder ein Vinylacetalharz, wie z. B. Polyvinylbutylaldehyd, Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen und deren Chloride, ein Polyesterharz, wie z. B. Polyethylenterephtalat oder Polyethylenisophtalat oder ein Polyamidharz, ein vinyl-denaturiertes Alkydharz, Gelatine, ein Zellulose-Esterderivat, wie z. B. Carboxymethylzellulose in einem Partikelzustand in einer elektrisch nicht-leitenden Flüssigkeit dispergiert. Es kann herbeigeführt werden, dass das Partikel einen Ladungs-Kontrollwirkstoff enthält. Es ist notwendig, die Ladungen separat als positiv oder negativ, in Abhängigkeit des positiven oder negativen Zustandes einer Vorspannung bei der Formation der zweiten Harzschicht, zu verwenden. Es ist möglich, für eine Lösung, die man durch Dispergieren des Harzes zum Ausbilden der dritten Harzschicht in der elektrisch nicht-leitenden Flüssigkeit erhält, geeignet einen nassen Toner für Elektro-Fotographie zu verwenden.
Es ist möglich, die Dicke der zweiten Harzschicht festzulegen, indem man die Ladung des Harzpartikels und eine anzulegende Spannung kontrolliert, eine Zufuhr-Geschwindigkeit und eine Menge der Zufuhr einer Harzpartikel-Dispergierlösung kontrolliert. Das durch das Elektro-Abscheidungsverfahren angesammelte Harzpartikel wird auf der ersten Harzschicht durch Heizen, Druck, Licht und ein Lösungsmittel fixiert, so dass man die dritte Harzschicht erhält.
Die vierte Harzschicht gemäß der Erfindung enthält ein Harz, das unlöslich oder geringfügig löslich in einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht, einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht und einem Ätzmittel für die leitende Schicht ist. Es ist bevorzugt, dass die vierte Harzschicht auch durch ein Elektro-Abscheideverfahren ausgebildet wird. Für das Elektro-Abscheideverfahren ist es möglich, ein Wassersystem-Elektro-Abscheideverfahren zu verwenden, das imstande ist, selektives Anheften auf der leitenden Schicht durchzuführen. Wie in den 81 und 82 dargestellt, ist es alternativ bevorzugt, ein Inversions-Entwicklungsverfahren zu verwenden, das imstande ist, die Fläche der ersten Harzschicht oder der zweiten Harzschicht zu laden und die vierte Harzschicht auf der leitenden Schicht in oder/und um das Loch, das nicht geladen ist, zur Verfügung zu stellen. Wenn das Inversions-Entwicklungsverfahren ausgeführt werden soll, wird ein geeignetes elektrisches Feld angelegt. Die Bedingungen der Ladung eines Partikels und das Potential einer Elektrode werden auf eine solche Art und Weise kontrolliert, dass sich das dritte Harz auf der leitenden Schicht in einer ausreichenden Dicke ansammelt. Es ist für die Entwicklungsvorrichtung z. B. möglich, Entwicklungsvorrichtungen zu verwenden, die in den Publikationen JP-A-2004-163605 und JP-A-2002-132049 beschrieben sind.
Es ist z. B. möglich, als eine Komponente für die vierte Harzschicht gemäß der Erfindung ein wasserlösliches Elektro-Abscheideharz und ein nasses Tonerharz, das für Elektro-Fotografie verwendet wird, zu verwenden. Für manche wasserlöslichen Elektro-Abscheideharze ist ein Polymer mit einem geeigneten Säurewert als eine Grundkomponente enthalten und es ist mit einem organischen Amin neutralisiert, um ein wasser-dispergiertes Harz zu sein, und ein großes geladenes colloidales Partikel ist in dem Wasser ausgebildet. Eine Komponente des für die Elektro-Fotografie verwendeten nassen Tonerharzes beinhaltet ein Harzpartikel, das in einer elektrisch nicht-leitenden Flüssigkeit dispergiert ist und spezifische Beispiele des Harzpartikels beinhalten Acrylharz, ein Vinylacetatharz, ein Vinylchloridharz, ein Vinylidenchloridharz oder ein Vinylacetalharz, wie z. B. Polyvinylbutylaldehyd, Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen und deren Chloride, ein Polyesterharz, wie z. B. Polyethylenterephthalat oder Polyethylenisophthalat oder ein Polyamidharz, ein vinyl-denaturiertes Alkydharz, Gelatine, ein Zellulose-Esterderivat, wie z. B. Carboxymethylzellulose. Es kann herbeigeführt werden, dass das Teil einen Ladungs-Kontrollwirkstoff enthält. Es ist notwendig, eine positive und negative Ladung separat zu entsprechend der Ladungspolarität der ersten Harzschicht oder der zweiten Harzschicht zu verwenden.
Beispiele des Verfahrens zum Entfernen der vierten Harzschicht beinhalten ein Verfahren, das ein organisches Lösungsmittel, eine alkalische Lösung, eine Säurelösung oder eine wässrige Lösung enthält, ein Band-Ablösungsverfahren oder ein Polierverfahren. Zum Beispiel enthält eine Säurelösung Schwefelsäure, Essigsäure, Chlorwasserstoffsäure (Salzsäure), wässriges Ammoniumchlorid, wässriges Wasserstoffperoxid und eine Lösung, die Kupferionen enthält, eine Kupferionen enthaltende Lösung oder eine Eisenionen enthaltende Lösung.
Außerdem ist es möglich, die Band-Ablösemethode und das Polierverfahren zu verwenden. Die foto-vernetzbare Harzschicht gemäß dem Verfahren (4) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung beinhaltet einen negativen (Foto-Vernetzungstyp) Trockenfilm-Fotolack zum Herstellen einer Platine, der im Allgemeinen verwendet wird. Beispiele werden unten gegeben und jedes foto-vernetzbare Harz kann angewendet werden, wenn es nicht von dem Wesentlichen der Erfindung abweicht. Es ist z. B. möglich, eine negative photosensitive Harz-Zusammensetzung zu verwenden, die durch Bindemittel-Polymer gegeben ist, das eine Carbonsäuregruppe, ein fotopolymerisierendes multifunktionales Monomer, einen fotopolymerisierenden Initiator, ein Lösungsmittel und andere Additive enthält. In deren Mischungsverhältnis wird durch eine Balance der geforderten Eigenschaften, wie z. B. Sensitivität, eine Auflösung, eine Härte und eine Abdeck-Eigenschaft bestimmt. Diese Beispiele wurden in "Photopolymer Handbook" (herausgegeben durch usw. Photopolymer Special Meeting und veröffentlicht 1989 von Kogyo Chosakai Publishing Co., Ltd.) und "Photopolymer Technology" (herausgegeben durch Aya Yamaoka und Mototaroh Nagamatsu und veröffentlicht 1988 von THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) beschrieben. Zum Beispiel ist es möglich, Riston hergestellt von DuPont MRC Dry Film Co., Ltd., PhoTec, hergestellt von Hitachi Chemical Co., Ltd., und SUNFORT, hergestellt von ASAHI KASEI CORPORATION als auf dem Markt erhältliche Produkte zu verwenden.
Die foto-vernetzbare Harzschicht, die mit dem Verfahren (4) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung in Bezug steht, kann durch ein Thermo-Kompressions-Bonding-Verfahren zur Verfügung gestellt werden. Die leitende Schicht wird in dem Lochteil durch die vierte Harzschicht geschützt. Somit ist es nicht notwendig, eine Abdeckung über dem Lochteil durchzuführen. Demgemäß ist es möglich, eine foto-vernetzbare Harzschicht mit einer geringen Dicke zu verwenden. Außerdem ist es notwendig, eine Löslichkeit für die Entfernungslösung der foto-vernetzbaren Harzschicht zu haben.
Für eine Entfernungslösung für die nicht-reagierte foto-vernetzbare Harzschicht wird eine Entwicklungslösung verwendet, die die foto-vernetzbare Harzschicht auflösen oder dispergieren kann und die zu einer Zusammensetzung der verwendeten foto-vernetzbaren Harzschicht korrespondiert. Im Allgemeinen wird eine Alkalilösung brauchbar verwendet und es ist möglich, eine Lösung einer anorganischen Grundkomponente, wie z. B. Alkalimetall-Silikat, Alkalimetall-Hydroxid, Alkalimetall-Phosphat und -carbonat, oder Ammoniumphosphat und -carbonat, und eine organische Grundkomponente, wie z. B. Ethanolamin, Ehtylendiamin, Propandiamin, Triethylen-Tetramine und Morpholin zu verwenden. Bei diesen Lösungen ist es notwendig, eine Konzentration, eine Temperatur und einen Düsendruck zu regulieren. Es ist möglich, die Entfernung der foto-vernetzbaren Harzschicht schnell zu stoppen, indem ein Waschen oder eine Säurebehandlung anschließend zu einer Behandlung, die durch die Entfernungslösung für die foto-vernetzbare Harzschicht durchgeführt wird, durchgeführt wird. Um den vernetzten Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht nach Verwendung als Ätz-Fotolackschicht zu entfernen, ist es möglich, eine starke alkalische Lösung zu verwenden, die Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natrium-meta-Silikat, Alkohol und ein organisches Lösungsmittel, wie z. B. Keton, enthält.
Für ein Verfahren zum Laden der Fläche der ersten Harzschicht oder der der zweiten Harzschicht ist herkömmlich ein berührungsloses Aufladungsverfahren, wie z. B. ein Corotron-Verfahren und ein Scorotron-Verfahren und ein berührendes Aufladungsverfahren, wie z. B. ein leitendes Rollaufladen bekannt, und jedes der Verfahren kann angewendet werden.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung werden ein Verfahren zum Belichten eines Lichtes auf eine fotoleitende Schicht und eine Vernetzungsreaktion der foto-vernetzbaren Harzschicht durch direktes Laserschreiben (Zeichnen), eine Adhäsionsbelichtung durch eine Fotomaske und eine Projektionsbelichtung, durchgeführt. Es ist möglich, eine Quecksilberdampf-Höchstdrucklampe, eine Quecksilberdampf-Hochdrucklampe, eine Metall-Halogen-Lampe oder eine Xenonlampe zu verwenden.
Es ist ausreichend, dass ein Ätzmittel, das bei dem Ätzen der leitenden Schicht gemäß der Erfindung verwendet wird, die leitende Schichten auflösen und entfernen kann. Es ist z. B. möglich, allgemeine Ätzmittel, wie z. B. alkalischen Ammoniak, Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid, Kupfer(II)-chlorid, Peroxosulfat und Eisen(III)-chlorid zu verwenden. Für die Vorrichtung und das Verfahren ist es außerdem möglich, eine Vorrichtung und ein Verfahren, wie z. B. horizontales Sprüh-Ätzen oder Immersions-Ätzen zu verwenden. Diese Details wurden in "Printed Circuit Technique Manual" beschrieben (herausgegeben durch die Japan Electronics Packaging and Circuits Association und veröffentlicht 1987 durch THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) beschrieben. Außerdem wurde ein Plattierungsverfahren, das für dieselbe Erfindung verwendet werden kann, z. B. in demselben Handbuch beschrieben.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung ist es möglich, ein Verfahren zum Entfernen der vernetzten foto-vernetzbaren Harzschicht mit einer alkalischen Lösung mit hohem pH-Wert oder einem organischen Lösungsmittel als ein Verfahren zum Durchführen der Entfernung, zu verwenden.
Es ist ausreichend, dass das Ätzmittel, das für das Ätzen der ersten leitenden Schicht, das mit dem Verfahren, (8) zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung in Bezug steht, die erste leitende Schicht lösen und Entfernen kann. Es ist z. B. möglich, allgemeine Ätzmittel, wie z. B. alkalischen Ammoniak, Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid, Kupfer(II)-chlorid, Peroxosulfat, und Eisen(III)-chlorid zu verwenden. Für die Vorrichtung und das Verfahren ist es außerdem möglich, eine Vorrichtung und ein Verfahren, wie z. B. horizontales Sprüh-Ätzen oder Immersions-Ätzen zu verwenden. Diese Details wurden in "Printed Circuit Technique Manual" beschrieben (herausgegeben durch die Japan Electronics Packaging and Circuits Association und veröffentlicht 1987 durch THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) beschrieben.
Für die nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung und die elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung gemäß der Erfindung ist es möglich, eine Bearbeitung zu verwenden, die in "Printed Circuit Technique Manual" (herausgegeben durch die Japan Electronics Packaging and Circuits Association und veröffentlicht 1987 durch THE NIKKAN KOGYO SHIMBUN LTD.) als ein Beispiel verwendet wird.
BEISPIEL
BEISPIEL 1
<Ausbilden der ersten Harzschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde ein Harzfilm für eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films nach dem Trocknen ist 15μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren (Florstreichverfahren) verwendet wurde.
Tabelle 1
Ein kupfer-kaschiertes Laminat beinhaltend eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 200 × 200 × 0,4 mm wurde als ein einen Schaltkreis ausbildendes Substrat verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische Kupferplattierungs-elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitungen (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.; OPC Prozess M) wurde durchgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 12,5μm auf einer Fläche des Substrats und der inneren Wände der Durchgangsbohrungen auszubilden. Als nächstes wurde der Harzfilm bei der 120°C Vorheizbedingung durch Verwenden einer Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm laminiert. Dann wurde ein Polyethylenterephtalat-Film bei Raumtemperatur gelöst und Heizen wurde bei 80°C für eine Minute durchgeführt, um eine Unebenheit des Lösens und Aufladens auf der ersten Harzschicht zu eliminieren, die durch Lösen des Polyethylenterephtalat-Films generiert ist.
<Ausbilden der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC-Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine Elektro-Abscheidebeschichtung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde.
Anschließend wurde Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Herstellen eines offenen Substrats mit Harz>
Nur die erste Harzschicht, die über dem Loch ausgebildet ist, die nicht mit der zweiten Harzschicht zur Verfügung gestellt ist, wurde eluiert und entfernt, indem eine alkalische Lösung verwendet wurde, so dass ein offenes Substrat mit einem Harz ausgebildet wurde. Ein um das Loch zur Verfügung gestellter Teil in dem offenen Substrat mit einem Harz, in dem die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht nicht vorliegt, wurde durch ein Mikroskop überwacht. Ein Eluierungs-Abstand I der ersten Harzschicht wurde gemessen, wie in 83 dargestellt, indem ein Einschnitt der Perforation als Basispunkt gesetzt wurde. Infolgedessen wurde das in Tabelle 2 gezeigte Resultat erhalten. Es wurde bestätigt, dass ein gewünschter Eluierungs-Abstand durch Anpassen der Eluierungs-Bedingungen erhalten werden kann.
Tabelle 2
BEISPIEL 2
<Ausbilden der ersten Harzschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde ein Harzfilm für eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films nach dem Trocknen ist 15μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren (Florstreichverfahren) verwendet wurde.
Ein kupfer-kaschiertes Laminat beinhaltend eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 200 × 200 × 0,4 mm wurde als ein einen Schaltkreis ausbildendes Substrat verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden. Als nächstes wurde der erste Harzfilm bei der 120°C Vorheizbedingung durch Verwenden einer Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm laminiert.
Dann wurde Heizen bei 80°C für eine Minute durchgeführt, um eine Unebenheit des Lösens und Aufladens auf der ersten Harzschicht zu eliminieren, die durch Lösen des Polyethylenterephtalat-Films generiert ist.
<Ausbilden der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC-Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine Elektro-Abscheidebeschichtung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde.
Anschließend wurde Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Herstellen eines offenen Substrats mit Harz>
Nur die erste Harzschicht, die über dem Loch ausgebildet ist, die nicht mit der zweiten Harzschicht zur Verfügung gestellt ist, wurde eluiert und entfernt, indem eine alkalische Lösung verwendet wurde, so dass ein offenes Substrat mit einem Harz ausgebildet wurde. Ein um das Loch zur Verfügung gestellter Teil in dem offenen Substrat mit einem Harz, in dem die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht nicht vorliegt, wurde durch ein Mikroskop überwacht. Ein Eluierungs-Abstand 1 der ersten Harzschicht wurde gemessen, wie in 84 dargestellt, indem ein Einschnitt der Perforation als Basispunkt gesetzt wurde. Infolgedessen wurde das in Tabelle 3 gezeigte Resultat erhalten. Es wurde bestätigt, dass ein gewünschter Eluierungs-Abstand durch Anpassen der Eluierungs-Bedingungen erhalten werden kann.
Tabelle 3
BEISPIEL 3
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films nach dem Trocknen ist 15μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren verwendet wurde.
Ein kupfer-kaschiertes Laminat beinhaltend eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 200 × 200 × 0,4 mm wurde als ein einen Schaltkreis ausbildendes Substrat verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische Kupferplattierungs-elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitungen (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.; OPC Prozess M) wurde durchgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12,5μm auf einer Fläche des Substrats und der inneren Wände der Durchgangsbohrungen auszubilden. Als nächstes wurde der Harzfilm bei der 120°C Vorheizbedingung durch Verwenden einer Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm laminiert. Dann wurde ein Polyethylenterephtalat-Film bei Raumtemperatur gelöst und Heizen wurde bei 80°C für eine Minute durchgeführt, um eine Unebenheit des Lösens und Aufladens auf der ersten Harzschicht zu eliminieren, die durch Lösen des Polyethylenterephtalat-Films generiert ist.
<Ausbilden der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC-Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine Elektro-Abscheidebeschichtung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde.
Anschließend wurde Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Entfernung der ersten Harzschicht über dem Loch>
Als nächstes wurde die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.-% Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop beobachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L1 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L2 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser des Entfernungsteils der ersten Harzschicht von L3 = 188μm, wie in 85 dargestellt.
<Ausbildung der vierten Harzschicht>
Ein Corona-Auflader (eine Aufladungs-Wandlerleistung; 4,2 kV) wurde verwendet, um eine Ladung an beide Flächen der zweiten Harzschicht aufzubringen. Ein Flächenpotential wurde als 250 V gemessen. Indem eine Acrylharztyp-Emulsion (ein Toner, der in Beispiel der Publikation JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, wobei ein Toner auf einer leitenden Schicht auf einer inneren Wand des Loches angeheftet wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, so dass man eine vierte Harzschicht erhält.
<Entfernen der ersten Harzschicht, Entfernen der zweiten Harzschicht>
Die zweite Harzschicht und die erste Harzschicht wurden zur selben Zeit mit einer 3-%igen Natronlaugenlösung bei 50°C entfernt, und wurden bei 90°C für 20 Minuten nach einem Waschen getrocknet, so dass man ein Substrat erhielt, bei dem die auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellte leitende Schicht mit der vierten Harzschicht bedeckt war.
Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L7 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L8 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser des bedeckenden Teils der vierten Harzschicht von L9 = 188μm, wie in 86 dargestellt.
<Ausbilden einer Ätz-Fotolackschicht durch eine foto-vernetzbare Harzschicht>
Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack unter gelber Dunkelkammerbeleuchtung verwendet wurde, wurde ein auf dem Markt erhältlicher Trockenfilm-Fotolack mit einer Dicke von 10μm auf beide Seiten des Substrats thermokompressions-gebondet, so dass eine foto-vernetzbare Harzschicht auf einer leitenden Schicht, die auf dem Substrat ausgebildet ist, zur Verfügung gestellt wurde. Eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite und eine Lücke: 50μm) wurde montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampe-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Aufspannungsmeachnismus aufweist, (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Außerdem wurde das Substrat gedreht, um die Belichtung in der foto- vernetzbaren Harzschicht auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet wurde. Nachdem der Trägerfilm abgelöst wurde, wurde eine unausgehärtete foto-vernetzbare Harzschicht eluiert und entfernt, indem eine 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C), so dass eine Ätz-Fotolackschicht ausgebildet wurde, die durch den vernetzten Teil ausgebildet ist.
<Herstellen der Platine>
Eine Behandlung mit einer Eisen(III)-Chlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, ein Düsendruck von 3,0 kgf/cm²) wurde durchgeführt, um eine elektrolytische kupferplattierte Schicht, eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht und eine Kupferschicht eines kupfer-kaschierten Laminats, die freigelegt wurden, zu entfernen. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolackschicht verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, so dass man eine Platine erhalten hat. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Als Konsequenz wurde ein Lötauge, das die leitende Schicht in dem peripheren Teil der Durchgangsbohrung ist, konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet. Somit erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L10 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L11 = 125 μm in der Kupferplattierung und einen Lötaugen-Durchmesser von L12 = 178μm, wie in 87 dargestellt. Außerdem konnte keine Unterbrechung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil bestätigt werden.
BEISPIEL 4
<Ausbilden der ersten Harzschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films nach dem Trocknen ist 15μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren verwendet wurde.
Ein kupfer-kaschiertes Laminat beinhaltend eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 200 × 200 × 0,4 mm wurde als ein einen Schaltkreis ausbildendes Substrat verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische Kupferplattierungs-elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitungen (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.; OPC Prozess M) wurde durchgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12,5μm auf einer Fläche des Substrats und der inneren Wände der Durchgangsbohrungen auszubilden. Als nächstes wurde der Harzfilm bei der 120°C Vorheizbedingung durch Verwenden einer Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm laminiert. Dann wurde ein Polyethylenterephtalat-Film bei Raumtemperatur gelöst und Heizen wurde bei 80°C für eine Minute durchgeführt, um eine Unebenheit des Lösens und Aufladens auf der ersten Harzschicht zu eliminieren, die durch Lösen des Polyethylenterephtalat-Films generiert ist.
<Ausbildung der zweiten Harzschicht>
Ein Corona-Auflader (eine Aufladungs-Wandlerleistung; +5,0 kV) wurde verwendet, um eine Ladung auf beiden Flächen der ersten Harzschicht aufzubringen. Ein Flächenpotential wurde gemessen. Infolgedessen wurde bestätigt, dass der Teil der ersten Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht ein Potential von +100V hat und der Teil der ersten Harzschicht über dem Loch ein Potential von +300V hat, und eine Aufladungs-Potential-Differenz wurde zwischen der Flächenleitungsschicht und dem Loch hergestellt. Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, wobei der Toner auf der gesamten Fläche der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht elektro-abgeschieden wurde. Anschließend wurde ein Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Entfernung der ersten Harzschicht über dem Loch>
Als nächstes wurde die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.% Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop beobachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L1 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L2 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser des Entfernungsteils der ersten Harzschicht von L3 = 160μm, wie in 85 dargestellt.
<Entfernung der zweiten Harzschicht in Ausbildung der vierten Harzschicht>
Nachdem die zweite Harzschicht mit Xylol entfernt worden war, wurde eine Ladung auf die Fläche der ersten Harzschicht durch Verwendung eines Corona-Aufladers (eine Aufladungs-Wandlerleistung; +4,2 kV) aufgebracht. Ein Flächen-Potential wurde als 260V gemessen. Indem eine Acrylharz-Typ-Emulsion (ein Toner, der in dem Beispiel 1 der Publikation JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, so dass der Toner auf der leitenden Schicht, die auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellt ist, angesammelt wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, so dass man eine vierte Harzschicht erhielt.
<Entfernen der ersten Harzschicht>
Die erste Harzschicht wurde mit einer 1 %-igen Natriumcarbonatlösung gelöst und entfernt und wurde nach dem Waschen bei 90°C für 20 Minuten getrocknet, so dass man ein Substrat erhielt, bei dem die leitende Schicht auf der inneren Wand des Loches und in dem peripheren Teil des Loches mit der vierten Harzschicht bedeckt war.
Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L4 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L5 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser eines abdeckenden Teils einer vierten Harzschicht von L6 = 125μm, wie in 88 dargestellt.
<Ausbildung der Ätz-Fotolackschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle gezeigten Zusammensetzung verwendet wird, wurde ein Film (eine Dicke des Films nachdem Trocknen ist 10μm), der durch eine fotoleitende Schicht ausgebildet ist, auf einen Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt von Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhangstreichverfahren (Florstreichverfahren) verwendet wurde. Der Film der fotoleitenden Schicht wurde an beiden Seiten des Substrats thermo-kompressions-gebondet, so dass die fotoleitende Schicht auf der leitenden Schicht zur Verfügung gestellt wurde. Unter gelber Dunkelkammerbeleuchtung wurde eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Aufspannungsmeachnismus aufweist, (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Außerdem wurde das Substrat gewendet, um eine Belichtung der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Art und Weise durchzuführen.
Tabelle 4
Formula 1
Indem ein Corona-Auflader (eine Aufladungs-Wandlerleistung; +5,0 kV) für das der Belichtungsbearbeitung unterworfenen Substrat verwendet wurde, wurden beide Seiten geladen, um ein elektrostatisches latentes Bild auszubilden. Nach einer Minute seit der Aufladungsbearbeitung war ein Flächenpotential eines nicht-belichteten Teils 330V und ein Flächenpotential eines belichteten Teils +100V. Indem der Mitsubishi OPC Drucksystem-Positiv-Ladungs-Toner ("ODP-TW" hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +220V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, so dass ein Tonerbild in einem Schaltkreisteil, das auf der fotoleitenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, erhalten wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert. Die fotoleitende Schicht, die nicht mit dem Toner bedeckt wurde, wurde durch Verwenden der 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C) eluiert und entfernt, so dass eine elektrolytische kupferplattierte Schicht in einem Nicht-Schaltkreisteil freigelegt wurde.
<Herstellen der Platine>
Eine Behandlung mit einer Eisen(III)-Chlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, ein Düsendruck von 3,0 kgf/cm²) wurde durchgeführt, und die elektrolytische kupferplattierte Schicht, die nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht und die Kupferschicht des kupfer-kaschierten Laminats, die freigelegt wurden, wurden entfernt. Der Toner, die fotoleitende Schicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolackschicht verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, so dass man eine Platine erhalten hat. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Als Konsequenz wurde ein Lötauge, das die leitende Schicht in dem peripheren Teil der Durchgangsbohrung ist, konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet. Somit erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L13 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L14 = 125 μm in der Kupferplattierung und einen Lötaugen-Durchmesser von L15 = 150μm, wie in 89 dargestellt. Außerdem konnte keine Unterbrechung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil bestätigt werden.
BEISPIEL 5
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Die folgenden Experimente wurden unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung durchgeführt.
In einem kupfer-kaschierten Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (die Fläche 340 mm × 510 mm, die Grunddicke 0,1 mm, und die Kuferschichtdicke 12μm) wurde eine Durchgangsbohrunge mit 150μm Durchmesser geöffnet. Dann wurde eine stromlose Kupferplattierungs-Bearbeitung und eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um so eine stromlose kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0,5μm und eine elektrolytisch kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 12μm auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung und jeder Fläche zur Verfügung zu stellen. Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack verwendet wurde, wurden 20μm dicke schaltkreis-ausbildende Trockfilm-Fotolacke durch Thermo-Kompression auf den gegenüberliegenden Seiten der Substrate gebondet, so dass die foto-vernetzbare Harzschichten auf den leitenden Schichten zur Verfügung gestellt wurde. Danach wurde bei Raumtemperatur jeder Trägerfilm gelöst und das Substrat wurde für eine Minute bei 80°C geheizt. Als Resultat wurde die ungleichmäßige Ablösungsladung auf dem Trockenfilm-Fotolack, die durch Ablösen des Trägerfilms generiert wurde, eliminiert.
<Ausbildung der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner (hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd., "ODP-TW") für ein Mitsubishi OPC-Drucksystem verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200V angelegt, um Elektro-Abscheidungsbeschichtung durchzuführen. Als Resultat wurde der Toner auf dem Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht auf jeder Flächenleitungsschicht elektrolytisch abgeschieden. Anschließend wurde der Toner bei 70°C für zwei Minuten erhitzt und fixiert, was in einer günstigen zweiten Harzschicht resultiert.
<Entfernen der ersten Harzschicht über dem Loch>
Der Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht über dem Loch wurde durch Verwenden einer wässrigen 1 Gew.-%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) gelöst und entfernt. Der Durchgangsbohrungsteil wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Als Resultat wurde wie in 85 gezeigt, folgendes gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L1 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungsbearbeitung = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L2 an der Kupferplattierung = 125μm und der Durchmesser L3 des Teils, an dem die foto-vernetzbare Harzschicht entfernt ist, = 158μm.
<Ausbildung der vierten Harzschicht>
Die zweite Harzschicht wurde gleichförmig auf +200V durch ein Corona-Aufladungsgerät geladen. Indem eine Acrylharz-Emulsion (der Toner, der im Beispiel 1 der JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +100V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen, so dass der Toner elektrolytisch auf der inneren Wand des Loches abgeschieden wurde. Der Toner wurde bei 70°C für zwei Minuten aufgeheizt und fixiert, was in einer günstigen vierten Harzschicht resultiert.
<Herstellen der Platine>
Dann wurde eine Fotomaske (Leiterweite und Lücke: 50μm) mit einer darauf bezeichneten Schaltkreisstruktur montiert. Somit wurde, indem ein Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellengerät zum Heizen mit einem Ansaugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde, eine Belichtung mit ultravioletter Strahlung für 30 Sekunden durchgeführt. Weiter wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung auch auf dieselbe Weise auf der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer gegenüberliegenden Seite durchgeführt wurde. Als Resultat wurde der vernetzte Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet.
Bei dem Substrat, das der Belichtungsbearbeitung vollständig unterworfen wurde, wurde die zweite Harzschicht und der nicht-gehärtete Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht durch Verwenden von Xylol und einer wässrigen 1-Gew.-%-Natriumcarbonat-Lösung (30°C) gelöst und entfernt, wobei ein durch den vernetzten Teil gebildeter Fotolack-Schaltkreis ausgebildet ist. Dann wurde das Substrat mit einem Eisen-Chlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, Düsendruck 3,0 kgf/cm²) bearbeitet, um den freigelegten Teil der elektrolytisch kupferplattierten Schicht, und die darunter liegende stromlose kupferplattierte Schicht und die Kupferschicht des kupfer-kaschierten Laminats zu entfernen. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolack verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxid-wässrigen Lösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, um in einer Platine zu resultieren. Die erhaltene Platine wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Als Resultat wurde wie in 89 dargestellt, folgendes gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L13 nach Abschließen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L14 an der Kupferplattierung = 125 μm und der Lötaugen-Durchmesser von L15 = 150μm; und eine lötaugenlose Durchgangsbohrung wurde ausgebildet, wobei keine Leitungsunterbrechnung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil gefunden wurde., wie in 87 dargestellt. Außerdem konnte keine Trennung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil bestätigt werden.
BEISPIEL 6
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Die folgenden Experimente wurden unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung durchgeführt.
In einem kupfer-kaschierten Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (die Fläche 340 mm × 510 mm, die Grunddicke 0,1 mm, und die Kuferschichtdicke 12μm) wurde eine Durchgangsbohrunge mit 150μm Durchmesser geöffnet. Dann wurde eine stromlose Kupferplattierungs-Bearbeitung und eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um so eine stromlose kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0,5μm und eine elektrolytisch kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0.5 μm auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung und jeder Fläche zur Verfügung zu stellen. Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack verwendet wurde, wurden 20μm dicke schaltkreis-ausbildende Trockfilm-Fotolacke durch Thermo-Kompression auf den gegenüberliegenden Seiten der Substrate gebondet, so dass die foto-vernetzbare Harzschichten auf den leitenden Schichten zur Verfügung gestellt wurde.
<Ausbilden der zweiten Harzschicht>
Bei Raumtemperatur wurde jeweils der Trägerfilm abgelöst. Dann wurden die Flächen der foto-vernetzbaren Harzschicht auf den gegenüberliegenden Seiten mit einem einem Corona-Aufladungsgerät geladen (Aufladungswandler-Leistung +5,0V). Anschließend wurde, indem ein Positiv-Ladungs-Toner (hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd., "ODP-TW") für das Mitsubishi OPC-Drucksystem verwendet wurde, eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen (invers). Als Resultat wurde der Toner auf der gesamten Fläche mit Ausnahme des Lochteils elektrolytisch abgeschieden. Anschließend wurde der Toner bei 70°C für zwei Minuten geheizt und fixiert, was in einer günstigen zweiten Harzschicht resultiert.
<Entfernen der ersten Harzschicht über dem Loch und Ausbilden der plattierten leitenden Schicht in dem Loch>
Nur der Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht über dem Loch wurde gelöst und entfernt, indem eine wässrige 1-Gew.-%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde unter einem Mikroskop untersucht. Als Resultat wurde, wie in 90 gezeigt, das Folgende gefunden: der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L16 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchmesser L17 des Teils der entfernten foto-vernetzbaren Harzschicht = 110μm. Anschließend wurde eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, wobei eine elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 12μm auf dem Teil der stromlos kupferplattierten Schicht in der Durchgangsbohrung ausgebildet wird.
<Entfernen der ersten Harzschicht an einer Peripherie des Lochs>
Anschließend wurde der Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht in der Peripherie der Durchgangsbohrung gelöst und entfernt, indem eine wässrige 1-Gew.-%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde unter dem Mikroskop untersucht. Es wurde als ein Resultat festgestellt, dass der Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht in der Peripherie der Durchgangsbohrung konzentrisch mit der Durchgangsbohrung entfernt wurde. Wie in 91 dargestellt, wurde folgendes festgestellt: der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L18 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L19 nach der Elektrolyse-Kupferplattierung = 125μm, und der Durchmesser L20 des Teils der entfernten foto-vernetzbaren Harzschicht = 190μm.
<Ausbilden der vierten Harzschicht>
Dann wurde die zweite Harzschicht gleichförmig auf +200V durch ein Corona-Aufladungsgerät geladen. Indem eine Acrylharz-Emulsion (der Toner, der im Beispiel 1 der JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +100V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen, so dass der Toner elektrolytisch auf der inneren Wand des Loches abgeschieden wurde. Der Toner wurde bei 70°C für zwei Minuten aufgeheizt und fixiert, was in einer günstigen vierten Harzschicht resultiert.
<Herstellen der Platine>
Dann wurde eine Fotomaske (Leiterweite und Lücke: 50μm) mit einer darauf bezeichneten Schaltkreisstruktur montiert. Somit wurde, indem ein Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellengerät zum Heizen mit einem Ansaugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde, eine Belichtung mit ultravioletter Strahlung für 30 Sekunden durchgeführt. Weiter wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung auch auf dieselbe Weise auf der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer gegenüberliegenden Seite durchgeführt wurde. Als Resultat wurde der vernetzte Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet.
Bei dem Substrat, das der Belichtungsbearbeitung vollständig unterworfen wurde, wurde die zweite Harzschicht und der nicht-gehärtete Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht durch Verwenden von Xylol und einer wässrigen 1-Gew.-%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) gelöst und entfernt, wobei ein durch den vernetzten Teil gebildeter Fotolack-Schaltkreis ausgebildet ist. Dann wurde das Substrat mit einem Eisenchlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, Düsendruck 3,0 kgf/cm²) bearbeitet, um dabei den freigelegten Teil der stromlos kupferplattierten Schicht und der Kupferschicht des kupfer-kaschierten Laminats zu entfernen. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolack verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxid-wässrigen Lösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, was in einer Platine resultiert. Die erhaltene Platine wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Als Resultat wurde festgestellt, dass das Lötauge, das der Teil der leitenden Schicht in der Umgebung der Durchgangsbohrung ist, konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet wurde. Wie in 92 dargestellt, wurde folgendes festgestellt: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L21 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L22 an der Kupferplattierung = 125μm und der Lötaugen-Durchmesser L23 = 180μm; eine Durchgangsbohrung mit einer schmalen Lötaugenweite wurde ausgebildet. Wobei keine Trennung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil bemerkt wurde.
BEISPIEL 7
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Die folgenden Experimente wurden unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung durchgeführt.
In dem eine Beschichtungslösung mit der Zusammensetzung von Tabelle 4 auf einem 25μm dicken Polyethylenterephtalat-Film (hergestellt von Mitsubishi Polyester Film Co.) verwendet wurde, wurde ein Film, der aus einer fotoleitenden Schicht gebildet wurde, mit einem Vorhang-Beschichtungsverfahren hergestellt.
In einem kupfer-kaschierten Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (die Fläche 340 mm × 510 mm, die Grunddicke 0,1 mm, und die Kuferschichtdicke 12μm) wurde eine Durchgangsbohrunge mit 0.15 mm Durchmesser geöffnet. Dann wurde eine stromlose Kupferplattierungs-Bearbeitung und eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um so eine stromlose kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0,5μm und eine elektrolytisch kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0.5 μm auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung und jeder Fläche zur Verfügung zu stellen. Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack verwendet wurde, wurden die fotoleitenden Schichtfilme durch Thermo-Kompression auf den gegenüberliegenden Seiten des Substrats gebondet, so dass fotoleitende Schichten auf den leitenden Schichten zur Verfügung gestellt wurden. Anschließend wurden bei Raumtemperatur jeweils der Polyethylenterephtalat-Film abgelöst und das Substrat wurde für eine Minute bei 80°C geheizt. Als Resultat wurde die ungleichmäßige Ablösungsladung auf der fotoleitenden Schicht, die durch Ablösung des Polyethylenterephtalat-Films generiert wurde, eliminiert.
<Ausbildung der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner (hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd., "ODP-TW") für ein Mitsubishi OPC-Drucksystem verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Elektro-Abscheidungsbeschichtung durchzuführen. Als ein Resultat wurde der Toner elektrolytisch auf der gesamten Fläche mit Ausnahme des Lochteils abgeschieden. Anschließend wurde der Toner bei 70°C für zwei Minuten erhitzt und fixiert, was in einer günstigen zweiten Harzschicht resultiert.
<Entfernen der ersten Harzschicht über dem Loch und Ausbilden der plattierten leitenden Schicht in dem Loch>
Nur der Teil der foto-leitenden Schicht über dem Loch wurde durch gelöst und entfernt, indem eine wässrige 1-Gew.-%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) verwendet wurde. Der Lochteil wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Als ein Resultat wurde, wie in 90 gezeigt, das Folgende gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L16 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm und der Durchmesser L17 des Teils der entfernten fotoleitenden Schicht = 110μm. Anschließend wurde eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, wobei eine elektrolytische kupferplattiert Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12μm auf dem Teil der stromlos kupferplattierten Schicht in der Durchgangsbohrung zur Verfügung gestellt wird. Dann wurde, indem Propylencarbonat als ein Lösungsmittel, das die zweite Harzschicht löst aber die fotoleitende Schicht nicht löst, nur die zweite Harzschicht von der Fläche gelöst und entfernt. Nach Waschen mit Wasser wurde Trocknen bei 90°C für 20 Minuten durchgeführt.
<Herstellen der Platine>
Eine Fotomaske (Leiterweite und Lücke: 50μm) mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur wurde montiert. Indem ein Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellengerät zum Heizen mit einem Absaugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde, wurde somit eine Belichtung mit ultravioletter Strahlung für 30 Sekunden durchgeführt. Weiter wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung auch auf dieselbe Art und Weise auf der fotoleitenden Schicht auf der gegenüberliegenden Seite durchgeführt wurde. Als ein Resultat wurde eine Leitfähigkeit in dem belichteten Teil der fotoleitenden Schicht induziert.
Die gegenüberliegenden Seiten des Substrats, die der Belichtungsbearbeitung vollständig ausgesetzt waren, wurden durch ein Corona-Aufladungsgerät (Aufladungswandlerleistung +5,0V) geladen, so dass auf ihnen ein elektrostatisches latentes Bild ausgebildet wurde. Das Flächenpotential des unbelichteten Teils nach einer Minute nach der Aufladungsbearbeitung war 330V, und das Flächenpotential an dem belichteten Teil war 100V. Anschließend wurde, indem ein Positiv-Ladungs-Toner ("ODP-TW" hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd.) für ein Mitsubishi OPC-Drucksystem verwendet wurde, eine Vorspannung von 220V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen. Als ein Resultat erhielt man ein Tonerbild auf dem belichteten Teil der leitenden Schicht und auf dem Schaltkreisteil der fotoleitenden Schicht. Dann wurde der Toner bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, was in einer dritten Harzschicht resultiert.
Der Teil der fotoleitenden Schicht, die nicht mit der dritten Harzschicht bedeckt ist, wurde gelöst und entfernt, indem eine -wässrige 1-Gew.%-Natriumcarbonat Lösung (30°C) verwendet wurde, wodurch der Teil der stromlos kupferplattierten Schicht, die zu einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, freigelegt wurde. Dann wurde das Substrat mit einem Eisenchlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, Düsendruck 3,0 kg/cm²) bearbeitet, wodurch der freigelegte Teil der stromlich kupferplattierten Schicht und der darunter liegenden Kupferschicht des kupfer-kaschierten Laminats entfernt wurde. Die fotoleitende Schicht und die dritte Harzschicht, die als Ätz-Fotolack verwendet wurde, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxid-wässrigen Lösung (40°C) entfernt, was in einer Platine resultiert. Die erhaltene Platine wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Wie in 93 dargestellt, wurde als Resultat das Folgende gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L24 nach dem Beenden des Lochherstellungs-Prozesses = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L25 an der Kupferplattierung = 125 μm und der Durchgangsbohrungs-Lötaugen-Durchmesser von L26 = 150μm; und eine lötaugenlose Durchgangsbohrung wurde ausgebildet. Wobei keine Trennung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil erkannt wurde.
BEISPIEL 8
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Die folgenden Experimente wurden unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung durchgeführt.
In dem eine Beschichtungslösung mit der Zusammensetzung von Tabelle 1 auf einem 25μm dicken Polyethylenterephtalat-Film (hergestellt von Mitsubishi Polyester Film Co.) verwendet wurde, wurde ein Film, der aus einer fotoleitenden Schicht gebildet wurde, mit einem Vorhang-Beschichtungsverfahren hergestellt.
In einem kupfer-kaschierten Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (die Fläche 340 mm × 510 mm, die Grunddicke 0,1 mm, und die Kuferschichtdicke 12μm) wurde eine Durchgangsbohrunge mit 0.15 mm Durchmesser geöffnet. Dann wurde eine stromlose Kupferplattierungs-Bearbeitung und eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um so eine stromlose kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0,5μm und eine elektrolytisch kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0.5 μm auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung und jeder Fläche zur Verfügung zu stellen. Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack verwendet wurde, wurden die fotoleitenden Schichtfilme durch Thermo-Kompression auf den gegenüberliegenden Seiten des Substrats gebondet, so dass fotoleitende Schichten auf den leitenden Schichten zur Verfügung gestellt wurden.
<Ausbildung der zweiten Harzschicht>
Anschließend wurde bei Raumtemperatur jeweils der Polyethylenterephtalat-Film abgelöst. Dann wurden die gegenüberliegenden Seiten der fotoleitenden Schichten durch ein Corona-Aufladungsgerät (Aufladungswandlerleistung: +5,0 kV) aufgeladen. Das Oberflächenpotential wurde gemessen und für den Teil der fotoleitenden Schicht auf der Flächenleitungsschicht zu +100V bestimmt, und für den Teil der fotoleitenden Schicht über dem Loch ein Potential zu +300V bestimmt. Somit wurde gezeigt, dass ein Kontrast in der elektrischen Ladung zwischen der Flächenleitungsschicht und über dem Loch bewirkt wurde. Anschließend wurde, indem ein Positiv-Ladungs-Toner (hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd., "ODP-TW") für ein Mitsubishi OPC Drucksystem verwendet wurde, eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen. Als ein Resultat wurde der Toner auf der gesamten Fläche mit Ausnahme des Lochteils, elektrolytisch abgeschieden. Anschließend wurde der Toner bei 70°C für zwei Minuten geheizt und fixiert, was in einer günstigen ersten Harzschicht resultiert.
<Entfernung der ersten Harzschicht über dem Loch und Ausbilden einer plattierten leitenden Schicht in dem Loch>
Dann wurde nur der Teil der fotoleitenden Harzschicht über dem Loch wurde gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.%-Natriumcarbonat-wässrigen Lösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde unter einem Mikroskop untersucht. Als Resultat wurde, wie in 90 gezeigt, das Folgende gefunden: der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L16 nach dem Fertigstellen der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchmesser L17 des Teils der entfernten foto-vernetzbaren Harzschicht = 110μm. Anschließend wurde eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung durchgeführt, wobei eine elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 12μm auf dem Teil der stromlos kupferplattierten Schicht in der Durchgangsbohrung ausgebildet wird.
<Entfernen der ersten an der Peripherie des Loches>
Weiter wurde wiederum, indem eine 1-Gew.%-Natriumcarbonat-wässrigen Lösung (30°C) verwendet wurde, der Teil der fotoleitenden Schicht an dem Durchgangsbohrungsteil gelöst und entfernt. Der Teil der fotoleitenden Schicht in der Peripherie der Durchgangsbohrung wurde konzentrisch mit der Durchgangsbohrung entfernt. Wie in 91 dargestellt, wurde folgendes gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L18 nach dem Beenden der Lochherstellungs-Bearbeitung = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L19 an der Kupferplattierung = 125μm, und der Durchmesser L20 des Teils der entfernten fotoleitenden Schicht = 190μm.
<Ausbildung der vierten Harzschicht>
Dann wurden die gegenüberliegenden Seiten durch ein Corona-Aufladungsgerät (Aufladungswandlerleistung +5,0 V) aufgeladen. Das Oberflächenpotential wurde gemessen und zu +380V bestimmt. Anschließend wurde, indem eine Acrylharz-Emulsion (der Toner, der in Beispiel 1 der JP-A-2002-296847 beschrieben wurde) verwendet wurde, eine Vorspannung von +300V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen, so dass der Toner auf dem Teil der leitenden Schicht auf der inneren Wand des Loches abgeschieden wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, was in einer dritten Harzschicht resultiert. Dann wurde, indem Propylencarbonat als ein Lösungsmittel verwendet wurde, das die erste Harzschicht löst aber nicht die dritte Harzschicht und die fotoleitende Schicht löst, nur die erste Harzschicht gelöst und von der Fläche entfernt. Nach dem Waschen mit Wasser wurde Trocknen bei 90°C für 20 Minuten durchgeführt.
<Herstellung der Platine>
Anschließend wurde eine Fotomaske (Leiterweite und Lücke: 50μm) mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur montiert. Indem ein Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellengerät zum Heizen mit einem Absaugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde, wurde somit eine Belichtung mit ultravioletter Strahlung für 30 Sekunden durchgeführt. Weiter wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung wurde das Substrat gedreht, so dass die Belichtung auch auf dieselbe Art und Weise auf der fotoleitenden Schicht auf der gegenüberliegenden Seite durchgeführt wurde. Als ein Resultat wurde eine Leitfähigkeit in dem belichteten Teil der fotoleitenden Schicht induziert.
Die gegenüberliegenden Seiten des Substrats, die der Belichtungsbearbeitung vollständig ausgesetzt waren, wurden durch ein Corona-Aufladungsgerät (Aufladungswandlerleistung +5,0V) geladen, so dass auf ihnen ein elektrostatisches latentes Bild ausgebildet wurde. Das Flächenpotential des unbelichteten Teils nach einer Minute nach der Aufladungsbearbeitung war 330V, und das Flächenpotential an dem belichteten Teil war 100V. Anschließend wurde, indem eine Acrylharz-Emulsion (der Toner, der in Beispiel 1 der JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, eine Vorspannung von 220V angelegt, um eine umgekehrte Entwicklung durchzuführen. Als ein Resultat erhielt man ein Tonerbild auf dem Schaltkreisteil der fotoleitenden Schicht. Dann wurde der Toner bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, was in einer zweiten Harzschicht resultiert.
Der Teil der fotoleitenden Schicht, die nicht mit der zweiten Harzschicht bedeckt ist, wurde gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.%-Natriumcarbonat-wässrige Lösung (30°C) verwendet wurde, wodurch der Teil der stromlos kupferplattierten Schicht, die zu einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, freigelegt wurde. Dann wurde das Substrat mit einem Eisenchlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, Düsendruck 3,0 kg/cm²) bearbeitet, wodurch der freigelegte Teil der stromlich kupferplattierten Schicht und der darunter liegenden Kupferschicht des kupfer-kaschierten Laminats entfernt wurde. Die fotoleitende Schicht und die dritte Harzschicht, die als Ätz-Fotolack verwendet wurde, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxid-wässrigen Lösung (40°C) und Isopropanol entfernt, was in einer Platine resultiert. Die erhaltene Platine wurde unter einem Mikroskop betrachtet. Wie in 92 dargestellt, wurde als Resultat das Folgende gefunden: Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L21 nach dem Beenden des Lochherstellungs-Prozesses = 150μm, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L22 an der Kupferplattierung = 125 μm und der Durchgangsbohrungs-Lötaugen-Durchmesser von L23 = 158μm; und eine Durchgangsbohrung mit einer schmalen Lötaugenweite wurde ausgebildet. Wobei keine Trennung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil erkannt wurde.
BEISPIEL 9
<Ausbilden der ersten Harzschicht>
Das nächste Experiment wurde unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung durchgeführt.
Eine Durchgangsbohrung mit einer Größe von 0,15mm Durchmesser wurde auf einem Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (eine Fläche 340 mm × 510 mm und eine Dicke eines Grundmaterials von 0,1 mm ausgebildet und eine Desmear-Bearbeitung wurde dann durchgeführt. Anschließend wurde eine nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 0,5μm als eine erste leitende Schicht auf einer inneren Wand der Durchgangsbohrung und einer Fläche des Substrats zur Verfügung zu stellen. Ein in Tabelle 1 gezeigtes alkalilösliches Harz wurde auf jede Seite eines Trockenfilm-Trockenlacks für eine Schaltkreisausbildung angebracht, das eine Dicke von 20μm hat, um eine alkalilösliche Harzschicht mit einer Dicke von 5μm auszubilden, und ein Trockenfilm-Fotolack wurde in Kontakt mit einer ersten leitenden Schicht angesammelt, so dass eine Multischicht foto-vernetzbare Harzschicht auf der ersten leitenden Schicht zur Verfügung gestellt wurde. Dann wurde ein Mylar-Film bei Raumtemperatur abgelöst und ein Heizen wurde bei 80°C für eine Minute durchgeführt, so dass eine durch Ablösen verurscahte Ungleichmäßigkeit des Aufladens eliminiert wurde.
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC-Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine Elektro-Abscheidebeschichtung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde. Anschließend wurde Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Entfernung der ersten Harzschicht über dem Loch>
Als nächstes wurde die über dem Loch zur Verfügung gestellte multilayer foto-vernetzbare Harzschicht gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.% Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop beobachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L27 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L28 = 149 μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser des Entfernungsteils der multilayer foto-vernetzbare Harzschicht von L29 = 150μm, wie in 94 dargestellt.
<Herstellen der Platine>
Als nächstes wurde die zweite Harzschicht von der Multischicht foto-vernetzbaren Harzschicht mit Xylol entfernt. Dann wurde eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite und Lücke: 50μm) montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellenvorrichtung zum Heizen mit einem Saugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) durchgeführt. Weiterhin wurde das Substrat gewendet, um die Belichtung einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Art und Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil ausgebildet wurde.
Für das der Belichtungsbearbeitung unterworfene Substrat wurde anschließend eine alkalilösliche Harzschicht und eine nicht-reagierte Trockenfilm-Fotolack eluiert und entfernt, indem eine 1-Gew.%-Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde, so dass eine erste leitende Schicht, die mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, freigelegt wurde. Als nächstes wurde elektrolytische Kupferplattierung durchgeführt, um eine elektrolytisch kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von 12μm als eine zweite leitende Schicht auf der ersten leitenden Schicht auszubilden. Anschließend wurde eine Behandlung mit einer Natriumhydroxidlösung durchgeführt und der vernetzte Teil des Trockenfilm-Fotolacks, der als Fotolackschicht verwendet wird, wurde abgelöst und entfernt.
Weiter wurde eine Behandlung mit einem Ätzmittel eines Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Typs (30°C, ein Düsendruck von 2,0 kg/cm²) durchgeführt und die erste leitende Schicht, die freigelegt war, wurde entfernt. Die somit erhaltene Platine wurde durch ein Mikroskop betrachtet. Als Konsequenz erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L30 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L31 = 126μm in der Kupferplattierung und einen Lötaugen-Durchmesser von L32 = 149μm, wie in 95 dargestellt. Eine Trennung wurde bei der Platine nicht generiert.
BEISPIEL 10
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde ein Harzfilm für eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films nach dem Trocknen ist 15μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren (Florstreichverfahren) verwendet wurde.
Ein kupfer-kaschiertes Laminat beinhaltend eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 200 × 200 × 0,4 mm wurde als ein einen Schaltkreis ausbildendes Substrat verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.; OPC Prozess M) wurde durchgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 0,5μm auf einer Fläche des Substrats und der inneren Wände der Durchgangsbohrungen auszubilden. Als nächstes wurde der Harzfilm bei der 120°C Vorheizbedingung durch Verwenden einer Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm laminiert. Dann wurde ein Polyethylenterephtalat-Film bei Raumtemperatur gelöst und Heizen wurde bei 80°C für eine Minute durchgeführt, um eine Unebenheit des Lösens und Aufladens auf der ersten Harzschicht zu eliminieren, die durch Lösen des Polyethylenterephtalat-Films generiert ist.
<Ausbilden der zweiten Harzschicht>
Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC-Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt durch Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde eine Vorspannung von +200 Volt angelegt, um eine Elektro-Abscheidebeschichtung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde. Anschließend wurde Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Entfernung der ersten Harzschicht über dem Loch>
Die über dem Loch zur Verfügung gestellte erste Harzschicht, bei der die zweite Harzschicht nicht zur Verfügung gestellt wurde, wurde gelöst und entfernt, indem eine 1-Gew.%-Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L16 = 150μm in der Perforation und einen Durchmesser des Teils der entfernten ersten Harzschicht von L17 = 108μm, wie in 90 dargestellt.
<Ausbilden einer plattierten leitenden Schicht in dem Loch>
Eine elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitung (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD., OPC Prozess M) wurde durchgeführt, um eine elektrolytische Kupferplattierungsschicht mit einer Dicke von ungefähr 12μm auf der auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellten leitenden Schicht zur Verfügung zu stellen.
<Entfernen der ersten Harzschicht im peripheren Teil des Loches>
Indem wiederum die 1-Gew.%-Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde, wurde die erste Harzschicht in dem Durchgangsbohrungsteil entfernt. Durch eine Betrachtung durch das Mikroskop, wurde die erste Harzschicht in dem Durchgangsbohrungsteil konzentrisch mit der Durchgangsbohrung entfernt. Es wurde ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L18 = 150μm in der Perforation, ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L19 = 125μm in der Kupferplattierung und ein Durchmesser des Teils der entfernten ersten Harzschicht von L20 = 158μm, wie in 91 dargestellt, erhalten.
<Ausbildung der vierten Harzschicht>
Ein Corona-Auflader (eine Aufladungs-Wandlerleistung; 4,2 kV) wurde verwendet, um eine Ladung an beide Flächen der zweiten Harzschicht aufzubringen. Ein Flächenpotential wurde als 250 V gemessen. Indem eine Acrylharztyp-Emulsion (ein Toner, der in Beispiel der Publikation JP-A-2002-296847 beschrieben ist) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, wobei ein Toner auf einer leitenden Schicht auf einer inneren Wand des Loches angeheftet wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, so dass man eine vierte Harzschicht erhält.
<Entfernung der ersten Harzschicht, Entfernung der zweiten Harzschicht>
Die zweite Harzschicht und die erste Harzschicht wurden zur selben Zeit mit einer 3-%igen Natronlaugenlösung bei 50°C entfernt, und wurden bei 90°C für 20 Minuten nach einem Waschen getrocknet, so dass man ein Substrat erhielt, bei dem die auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellte leitende Schicht mit der vierten Harzschicht bedeckt war.
Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Infolgedessen erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L33 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L34 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Durchmesser des bedeckenden Teils der vierten Harzschicht von L35 = 158μm, wie in 96 dargestellt.
<Ausbildung einer Ätz-Fotolackschicht durch eine foto-vernetzbare Harzschicht>
Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack verwendet wurde, wurde ein auf dem Markt erhältlicher Trockenfilm-Fotolack mit einer Dicke von 10μm auf beide Seiten des Substrats thermo-kompressions-gebondet, so dass eine foto-vernetzbare Harzschicht auf einer leitenden Schicht, die auf dem Substrat ausgebildet ist, zur Verfügung gestellt wurde. Eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite und eine Lücke: 30μm) wurde montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampe-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Aufspannungsmeachnismus aufweist, (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Außerdem wurde das Substrat gedreht, um die Belichtung in der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet wurde. Nachdem der Trägerfilm abgelöst wurde, wurde eine unausgehärtete foto-vernetzbare Harzschicht eluiert und entfernt, indem eine 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C), so dass eine Ätz-Fotolackschicht ausgebildet wurde, die durch den vernetzten Teil ausgebildet ist.
<Herstellen der Platine>
Eine Behandlung mit einer Eisen(III)-Chlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, ein Düsendruck von 3,0 kgf/cm²) wurde durchgeführt, um eine elektrolytische kupferplattierte Schicht, eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht und eine Kupferschicht eines kupfer-kaschierten Laminats, die freigelegt wurden, zu entfernen. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolackschicht verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, so dass man eine Platine erhalten hat. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop betrachtet. In Konsequenz erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L21 = 150μm in der Perforation, einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L22 = 125μm in der Kupferplattierung und einen Lötaugen-Durchmesser von L23 = 150μm, wie in 92 dargestellt. Weiterhin konnte keine Trennung in dem Schaltkreisteil und dem Durchgangsbohrungsteil festgestellt werden.
BEISPIEL 11
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Indem eine Beschichtungslösung mit einer in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung verwendet wurde, wurde ein Harzfilm für eine erste Harzschicht (eine Dicke des Films ist 20μm), die durch eine alkali-lösliches Harz ausgebildet ist, auf einem Polyethylenterephtalat-Film mit einer Dicke von 25μm (hergestellt durch Mitsubishi Chemichal Polyester Film Co., Ltd.) hergestellt, indem ein Vorhang-Streichverfahren (Florstreichverfahren) verwendet wurde.
Kupfer-kaschierte Laminate A bis D, die eine Kupferfolie mit einer Dicke von ungefähr 12μm in einer Größe von 510 × 340 × 0,4 mm beinhalten, wurde als schaltkreis-ausbildende Substrate verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm mit einem Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische kupferplattierungs-elektrolytische Kupferplattierungs-Bearbeitungen (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD., OPC Prozess M) wurden ausgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12,5μm auf einer Fläche und den inneren Wänden der Durchgangsbohrungen auszubilden. Als nächstes wurde der erste Harzschichtfilm unter einer 120°C Vorheizbedingung, indem ein Beschichtungsgerät für einen Trockenfilm verwendet wurde, laminiert, so dass man eine erste Harzschicht erhielt. Dann wurde ein Polyethylenterephtalat-Film bei Raumtemperatur abgelöst.
<Ausbildung der zweiten Harzschicht>
Ein Corona-Auflader (eine Aufladungs-Wandlerleistung; +5,0 kV) wurde verwendet, um eine Ladung auf beiden Flächen der ersten Harzschicht aufzubringen. Ein Flächenpotential wurde gemessen. Infolgedessen wurde bestätigt, dass die erste Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht ein Potential von +100V hat und der Teil des Harzfilms über dem Loch ein Potential von +300V hat, und eine Aufladungs-Potential-Differenz wurde zwischen der Flächenleitungsschicht und dem Loch hergestellt. Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine Inversions-Entwicklung durchzuführen, wobei der Toner auf der gesamten Fläche mit Ausnahme des Lochteils elektro-abgeschieden wurde. Anschließend wurde ein Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhalten wurde.
<Herstellung eines offenen Substrats mit Harz>
Nur die über dem Loch ausgebildete erste Harzschicht, die nicht mit der zweiten Harzschicht zur Verfügung gestellt wurde, wurde eluiert und entfernt, indem eine Alkalilösung verwendet wurde, so dass ein offenes Substrat mit einem Harz, das in 85 gezeigt ist, ausgebildet wurde. Das offene Substrat mit einem Harz wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Als Konsequenz beobachtete man einen Teil des Lochteils, bei dem die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht nicht vorhanden waren. Indem man die Bedingungen der Alkalilösung veränderte, erhielt man, wie in Tabelle 5 gezeigt, den Durchgangsbohrungs-Durchmesser L1 in der Perforation und den Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L2 in der Kupferplattierung und den Durchmesser L3 des Teils der entfernten ersten Harzschicht, wie in 85 dargestellt.
Tabelle 5
<Ausbildung der vierten Harzschicht>
Ein Corona-Aufladegerät (eine Aufladungswandlerleistung; +4,2 kV) wurde verwendet, um eine Ladung auf beide Flächen der zweiten Harzschicht aufzubringen. Ein Flächenpotential wurde als 250V gemessen. Indem eine Acrylharz-Typ-Emulsion verwendet wurde (der Toner, der in dem Beispiel 1 der JP-A-2002-296847 beschrieben ist) wurde als nächstes eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine inverse Entwicklung durchzuführen, wobei der Toner auf einer leitenden Schicht in dem inneren Teil des Loches angeheftet wurde. Der Toner wurde bei 90°C für zwei Minuten thermisch fixiert, so dass man eine vierte Harzschicht erhielt.
<Entfernung der ersten Harzschicht, Entfernung der zweiten Harzschicht>
Die zweite Harzschicht und die erste Harzschicht wurden zur selben Zeit mit einer 3-%igen Natronlaugenlösung bei 50°C entfernt, und wurden bei 90°C für 20 Minuten nach einem Waschen getrocknet, so dass man ein Substrat erhielt, bei dem die auf der inneren Wand des Loches zur Verfügung gestellte leitende Schicht mit der vierten Harzschicht bedeckt war. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop betrachtet. Als Konsequenz wurde die vierte Harzschicht konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet. Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L7 in der Perforation, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L8 in der Kupferplattierung und der Durchmesser L9 des Teils der durch die vierte Harzschicht bedeckt ist, dargestellt in 86, wurden mit den in Tabelle 6 dargestellten Resultaten erhalten.
Tabelle 6
<Ausbildung einer Ätz-Fotolackschicht durch eine foto-vernetzbare Harzschicht>
Indem eine Beschichtungsanlage für einen Trockenfilm-Fotolack unter gelber Dunkelkammerbeleuchtung verwendet wurde, wurde ein auf dem Markt erhältlicher Trockenfilm-Fotolack mit einer Dicke von 10μm auf beide Seiten des Substrats thermo-kompressions-gebondet, so dass eine foto-vernetzbare Harzschicht auf einer leitenden Schicht zur Verfügung gestellt wurde. Eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite und eine Lücke: 50μm) wurde montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampe-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Aufspannungsmeachnismus aufweist, (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Außerdem wurde das Substrat gedreht, um die Belichtung in der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet wurde. Nachdem der Trägerfilm abgelöst wurde, wurde eine unausgehärtete foto-vernetzbare Harzschicht eluiert und entfernt, indem eine 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C), so dass eine Ätz-Fotolackschicht ausgebildet wurde, die durch den vernetzten Teil ausgebildet ist.
<Herstellung der Platine>
Eine Behandlung mit einer Eisen(III)-Chlorid-Typ-Ätzmittel (40°C, ein Düsendruck von 3,0 kgf/cm²) wurde durchgeführt, um eine elektrolytische kupferplattierte Schicht, eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht und eine Kupferschicht eines kupfer-kaschierten Laminats, die freigelegt wurden, zu entfernen. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht und die vierte Harzschicht, die als Ätz-Fotolackschicht verwendet wurden, wurden mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung (40°C) und Methylethylketon entfernt, so dass man eine Platine erhalten hat. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop betrachtet.
<Bewertung der Platine>
(1) Untersuchung der Form
Die Platine, die man erhalten hatte, wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz fand man, dass das Lötauge, das die leitende Schicht in dem peripheren Teil der Durchgangsbohrung darstellt, konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet war. Somit war der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L10 in der Perforation, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L11 in der Kupferplattierung und der Lötaugen-Durchmesser L12, wie in 87 dargestellt, und die maximale Höhe T1 der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil, die Dicke T2 der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil und die Lötaugenweite L, wie in 66, wie in Tabelle gezeigt. Darüber hinaus wurde eine Trennung in dem Schaltkreisteil und im Durchgangsbohrungsteil nicht festgestellt.
Tabelle 7
Der maximale Wert L_max und der minimale Wert L_min der Lötaugenweite des Loches, die in 67 gezeigt sind, wurden basierend auf 100 Punkten gemessen, und ein maximaler Wert einer Differenz ist in Tabelle 8 dargestellt. L bezeichnet eine mittlere Lötaugenweite. Es wurde bestätigt, dass die Differenz gleich oder kleiner als 8μm in den Platinen C und D mit einer schmalen Lötaugenweite war.
Tabelle 8
Bei den Platinen A bis D wurden die Querschnittsform der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil und die der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil untersucht. In Konsequenz erhielt man die in Tabelle 9 dargestellten Resultate. Für die Platinen A und B wurde weiterhin bestätigt, dass ein Teil mit einer maximalen Höhe innerhalb eines Bereichs von der inneren Wand des Loches bis zu einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch in der leitenden Schicht des Lötauges vorliegt.
Tabelle 9
(2) Zuverlässigkeitstest
(Temperaturschocktest)
20 Substrate zur Evaluierung (24 Leitungen zur Evaluierung) wurden aus einer Platine ausgeschnitten, und jeder Leitungswiderstand wurde nach der Herstellung gemessen. Ein Zyklus, bei dem die Temperatur bei –65°C für fünf Minuten gehalten wurde und bei einer Temperatur von 150°C für fünf Minuten gehalten wurde, wurde 1000-mal wiederholt, und dann wurde der Leitungswiderstand gemessen. Eine Rate der Anzahl der Leitungen zur Evaluierung, die erhöhte Leitungswiderstände haben, ist in Tabelle 10 gezeigt.
(Temperaturzyklustest)
20 Substrate zur Evaluierung (24 Linien (Leitungen) zur Evaluierung) wurden aus einer Platine ausgeschnitten, und es wurde jeweils der Leitungswiderstand nach der Herstellung gemessen. Ein Zyklus, bei dem die Temperatur bei –65°C für 15 Minuten gehalten wurde und bei einer Temperatur von 150°C für 15 Minuten gehalten wurde, wurde 1000-mal wiederholt, und der elektrische Widerstand wurde dann gemessen. Eine Rate der Anzahl der Leitungen zur Evaluierung, die erhöhte elektrische Widerstände haben, ist in Tabelle 10 dargestellt.
(Überdrucktest mit gesättigtem Dampf)
Eine Platine wurde bei 121 °C, einer relativen Feuchtigkeit von 100% und einem Druck von 0,21 MPa gelagert, und es wurde bestätigt, ob ein Riss nach 168 Stunden generiert ist, und ein Resultat ist in Tabelle 10 gezeigt.
Tabelle 10
Es wurde bestätigt, dass die Platinen A bis D gemäß der Erfindung eine sehr hohe Zuverlässigkeit haben.
VERGLEICHSBEISPIEL 1
Ein kupfer-kaschiertes Laminat, das eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12μm in einer Größe von 510 × 340 × 0,4 mm enthält, wurde verwendet, um eine Mehrzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,15 mm durch einen Bohrer auszubilden, und nicht-elektrolytische Kupferplattierungen – elektrolytische Kupferplattierungs-Prozesse (OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.; OPC Prozess M) wurden durchgeführt, um eine kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12,5μm auf einer Fläche und inneren Wänden der Durchgangsbohrungen auszubilden. Indem ein Beschichtungsgerät für einen Trockenfilm unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung verwendet wurde, wurde ein Trockenfilm-Fotolack mit einer Dicke von 10μm, der auf dem Markt erhältlich ist, auf beide Seite des Substrates thermo-kompressions-gebondet, so dass eine foto-vernetzbare Harzschicht auf einer leitenden Fläche zur Verfügung gestellt wurde. Eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite: 50μm, eine Leiterlücke: 50μm, ein Lötaugen-Durchmesser: 250μm) wurde montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellenvorrichtung zum Ausheizen, die einen Ansaug- und Anheft-Mechanismus hervorbringt (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Weiter wurde das Substrat gedreht, um die Belichtung der foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil der Schaltkreisstruktur ausgebildet wurde. Nachdem der Trägerfilm abgelöst wurde, wurde eine nicht-gehärtete foto-vernetzbare Harzschicht eluiert und entfernt, indem eine 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C) verwendet wurde, so dass eine Ätz-Fotolackschicht, die durch einen vernetzten Teil gegeben ist, ausgebildet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde durch Abdecken mit der foto-vernetzbaren Harzschicht, die vernetzt war, geschützt.
Eine Behandlung mit einem Eisen-III-Chloridtyp-Ätzmittel (40°C), ein Düsendruck von 3,0 kgf/cm²) wurde durchgeführt, um eine elektrolytische kupferplattierte Schicht, eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht und eine Kupferschicht eines kupfer-kaschierten Laminats, die freigelegt waren, zu entfernen. Die foto-vernetzbare Harzschicht nach dem Ende der Ätzbearbeitung wurde bestätigt. Als Konsequenz waren einige Teile der foto-vernetzbaren Harzschicht in dem Durchgangsbohrungsbereich abgelöst. Der vernetzte Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht, der als Ätz-Fotolackschicht verwendet wurde, wurde mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung (40°C) entfernt, so dass man eine Platine erhielt. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz erhielt man einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser in der Perforation von 150μm und einen Durchgangsbohrungs-Durchmesser eines kupferplattierten Teils von 125μm. Ein Lötaugen-Durchmesser war 240μm. Eine Differenz zwischen maximalen und minimalen Werten der Lötaugenweite wurde basierend auf 100 Punkten gemessen. Als Konsequenz war ein maximaler Wert 17μm und das Lötauge war nicht konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet, und die Lötaugenweite war nicht gleichförmig. Weiterhin wurde eine Stufe in einem Teil generiert, von dem die die foto-vernetzbare Harzschicht abgelöst war.
Die Querschnittsform der Platine gemäß des Vergleichsbeispiels 1 wurde untersucht. Als Konsequenz wurde bestätigt, dass die leitende Schicht in dem Schaltkreisteil eine in 79(c) gezeigte Form annimmt und die leitende Schicht in dem Lötaugenteil eine in 78(c) dargestellte Form annimmt, und diese identisch zueinander sind.
Ein Resultat, das man erhält, indem man die Zuverlässigkeitstests, die in Beispiel 11 beschrieben sind, an der Platine gemäß des Vergleichsbeispiels 1 durchführt, ist in Tabelle 11 gezeigt. Bei der Platine gemäß Vergleichsbeispiel 1 erhielt man ein Resultat, bei dem der Überdrucktest mit gesättigtem Dampf dasselbe Testergebnis wie die Platine, die man gemäß Beispiel 1 erhält, zeigt. Jedoch waren die Resultate, die man durch Temperaturschocktest und den Temperaturzyklustest erhält, schwach.
Tabelle 11
BEISPIEL 12
<Ausbildung der ersten Harzschicht>
Eine Durchgangsbohrung mit einer Größe von 0,15 mm Durchmesser wurde auf Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substraten F, H und I (340 × 510 × 0,1 mm) ausgebildet und eine Desmear-Bearbeitung wurde dann durchgeführt. Anschließend wurde eine nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 0,5μm als eine erste leitende Schicht auf einer Fläche inklusive einem inneren Teil der Durchgangsbohrung zur Verfügung zu stellen. Indem ein Beschichtungsgerät für einen Trockenfilm-Fotolack unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung verwendet wurde, wurde ein Trockenfilm-Fotolack für Schaltkreiseausbildung, der eine Dicke von 20μm hat, auf beide Seiten des Substrats thermo-kompressions-gebondet, um eine foto-vernetzbare Harzschicht auf den leitenden Schichten zur Verfügung zu stellen.
Anschließend wurde ein Trägerfilm bei Raumtemperatur abgelöst und eine Ladung wurde auf beide Flächen der foto-vernetzbaren Harzschicht aufgebracht, indem ein Corona-Aufladungsgerät (eine Aufladungswandlerleistung; +5,0 kV) verwendet wurde. Indem ein Positiv-Ladungs-Toner für das Mitsubishi OPC Drucksystem ("ODP-TW" hergestellt von Mitsubishi Paper Mills Ltd.) verwendet wurde, wurde anschließend eine Vorspannung von +200V angelegt, um eine inverse Entwicklung durchzuführen, so dass der Toner auf einer gesamten Fläche mit Ausnahme eines Lochteils elektro-abgeschieden wurde. Dann wurde ein Heizen bei 70°C für zwei Minuten durchgeführt, um den Toner zu fixieren, so dass man eine ausgezeichnete zweite Harzschicht erhielt.
Als nächstes wurde nur die foto-vernetzbare Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, gelöst und entfernt, indem eine Entfernungslösung für eine foto-vernetzbare Harzschicht verwendet wurde. Der Durchgangsbohrungsteil wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz wurde die foto-vernetzbare Harzschicht in dem peripheren Teil der Durchgangsbohrung konzentrisch mit der Durchgangsbohrung entfernt. Ein Durchgangsbohrung L36 in der Perforation, ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser L37 in der Plattierung und ein Durchmesser L38 des Teils der entfernten foto-vernetzbaren Harzschicht, wie in 97 dargestellt, erhielt man wie in Tabelle 12 gezeigt.
Tabelle 12
<Entfernung von unnötiger plattierter Fotolackschicht in dem Schaltkreisteil>
Unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung wurde eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite und eine Lücke: 50μm) auf einer vierten Harzschicht montiert und eine ultraviolette Belichtung wurde für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellenvorrichtung zum Backen, die einen Ansaug- und Anheft-Mechanismus hat (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.) verwendet wurde. Weiter wurde das Substrat gewendet, um die Belichtung auf einer rückwärtigen Fläche auf dieselbe Art und Weise durchzuführen, so dass ein vernetzter Teil ausgebildet wurde. Indem Xylol und eine Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (30°C) für das der Belichtungs-Bearbeitung ausgesetzte Substrat verwendet wurde, wurde anschließend eine zweite Harzschicht und eine nicht-gehärtete foto-vernetzbare Harzschicht eluiert und entfernt, so dass eine erste leitende Schicht, die mit einem Schaltkreisteil korrespondiert, freigelegt wurde.
<Ausbildung eines Schaltkreisteils>
Danach wurde eine elektrolytische Kupferplattierung durchgeführt, um eine elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12μm als eine zweite leitende Schicht auf der ersten leitenden Schicht auszubilden. Anschließend wurde eine Behandlung mit einer Natriumhydroxidlösung durchgeführt und der vernetzte Teil des foto-vernetzbaren Harzes, das als Fotolackschicht verwendet ist, wurde gelöst und entfernt.
Weiter wurde eine Behandlung mit einem Ätzmittel eine Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Typs (30°C, ein Düsendruck von 2,0 kgf/cm²) durchgeführt, und die erste leitende Schicht, die freigelegt war, wurde entfernt, so dass man eine Platine erhielt.
<Beurteilung der Platine>
(1) Betrachtung der Form
Die Platine, die man erhielt, wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz wurde das Lötauge konzentrisch mit der Durchgangsbohrung entfernt. Der Durchgangsbohrungs-Durchmesser L30 in der Perforation, der Durchgangsbohrungs-Durchmesser von L31 in dem plattierten Teil und der Lötaugen-Durchmesser L32, wie in 95 dargestellt, und die maximale Höhe T 1 der leitenden Schicht in dem nicht-verbindenden Teil, die Dicke T2 der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil, und die Lötaugenweite L, wie in 66 dargestellt, erhielt man wie in Tabelle 13 gezeigt. Weiter wurde eine Trennung in dem Schaltkreisteil und im Durchgangsbohrungsteil nicht bestätigt.
Tabelle 13
Der maximale Wert L_max und der minimale Wert L_min der Lötaugenweite des Loches, gezeigt in 67, wurden basierend auf 100 Punkten gemessen, und ein maximaler Wert einer dazwischen liegenden Differenz ist in Tabelle 14 gezeigt. L bezeichnet eine mittlere Lötaugenweite. Es wurde bestätigt, dass die Differenz gleich oder kleiner als 8μm in den Platinen H und I mit einer schmalen Lötaugenweite ist.
Tabelle 14
Bei den Platinen F, H und I wurden die Querschnittsformen der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil und die der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil untersucht. Als Konsequenz erhielt man die in Tabelle 15 dargestellten Resultate. Für die Platine F wurde weiterhin bestätigt, dass ein Teil mit einer maximalen Höhe in einem Bereich von der inneren Wand des Loches bis zu einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch in der leitenden Schicht des Lötauges vorhanden war.
Tabelle 15
(2) Zuverlässigkeitstest
Ein Zuverlässigkeitstest wurde an den Platinen F, H und I mit den Verfahren durchgeführt, die in dem Beispiel 11 beschrieben sind, und ein Resultat ist in Tabelle 16 gezeigt.
Tabelle 16
Es wurde bestätigt, dass die Platinen F, H und I gemäß der Erfindung eine sehr hohe Zuverlässigkeit haben.
VERGLEICHSBEISPIEL 2
Eine Durchgangsbohrung mit einer Größe von 0,15 mm Durchmesser wurde auf einem Glasgrundmaterial-Epoxyharz-Substrat (340 × 510 × 0,1 mm) ausgebildet und eine Desmear-Bearbeitung wurde dann durchgeführt. Anschließend wurde eine nicht-elektrolytische Plattierungs-Bearbeitung durchgeführt, um eine nicht-elektrolytische kupferplattierte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 0,5μm als eine erste leitende Schicht auf einer Fläche einschließlich einem inneren Teil der Durchgangsbohrung zur Verfügung zu stellen. Indem ein Beschichtungsgerät für einen Trockenfilm verwendet wurde, wurde ein foto-vernetzbarer Trockfilm-Fotolack, der auf dem Markt erhältlich ist, unter gelber Dunkelkammer-Beleuchtung thermo-kompressions-gebondet. Anschließend wurde eine ultraviolette Belichtung für 30 Sekunden durchgeführt, indem eine Hochdruck-Quecksilberdampflampen-Lichtquellenvorrichtung zum Heizen mit einem Saugkontakt-Mechanismus (UNILEC URM 300, hergestellt durch USHIO INC.), so dass eine foto-vernetzbare Harzschicht auf den leitenden Schichten zur Verfügung gestellt wurde durch eine Fotomaske mit einer darauf gezeichneten Schaltkreisstruktur (eine Leiterweite: 50μm, eine Leiterlücke: 50μm und ein Lötaugen-Durchmesser: 250μm) verwendet wurde. Anschließend wurde eine Alkali-Eluierung mit einer 1 Gew.-%-Natriumcarbonatlösung (eine Flüssigkeitstemperatur von 35°C) durchgeführt, so dass eine plattierte Fotolackschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil ausgebildet wurde.
Dann wurde elektrolytische Kupferplattierung durchgeführt, um eine zweite leitende Schicht mit einer Dicke von ungefähr 12μm auf einer Fläche eines Teils, auf dem die erste leitende Schicht freigelegt war, auszubilden. Als nächstes wurde eine Behandlung mit einer 3 Gew.-%-Natriumhydroxidlösung bei 40°C durchgeführt, um die Fotolackschicht zu entfernen. Anschließend wurde eine Behandlung mit einem Ätzmittel eines Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Typs (30°C, ein Düsendruck von 2,0 kgf/cm²) durchgeführt, um die erste leitende Schicht zu Ätzen, so dass man eine Platine erhielt. Die somit erhaltene Platine wurde mit einem Mikroskop untersucht. Als Konsequenz war ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser in der Perforation 150μm und ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser in einem kupferplattierten Teil 126μm. Gemäß 66(a) war eine Höhe der leitenden Schicht in einem nicht-verbindenden Teil T1 = 11,5μm, eine Dicke der leitenden Schicht in einem Schaltkreisteil T2 = 11,5μm und ein Durchgangsbohrungs-Durchmesser war 260μm. Ein maximaler Wert und minimaler Wert der Lötaugenweite des Loches wurde basierend auf 100 Punkten gemessen, und ein maximaler Wert einer dazwischen liegenden Differenz war 18μm, ein Lötauge wurde nicht konzentrisch mit der Durchgangsbohrung ausgebildet und eine Lötaugenweite war nicht gleichförmig.
Eine Querschnittsform der Platine gemäß des Vergleichsbeispiels 2 wurde untersucht. Als Konsequenz wurde bestätigt, dass die leitende Schicht in dem Schaltkreisteil eine wie in 79(b) gezeigte Form annimmt, und die leitende Schicht in dem Lötaugenteil eine wie in 78(b) dargestellte Form annimmt, und diese identisch zueinander sind.
Bei der Platine gemäß des Vergleichsbeispiels 2 erhielt man ein Resultat durch die Durchführung der Zuverlässigkeitstests, die in dem Beispiel 11 beschrieben sind, wie in Tabelle 17 dargestellt. Bei der Platine gemäß des Vergleichsbeispiels 2 waren die Resultate des Überdrucktests mit gesättigtem Dampf dieselben wie die der Platine, die man bei Beispiel 12 erhielt. Jedoch waren die Resultate des Temperaturschocktests und eines Temperaturzyklustests schwach.
Tabelle 17
INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
Die Erfindung kann in einem Verfahren zum Herstellen einer Platine, wie z. B. einem gedruckten Verdrahtungssubstrat oder einem Halbleitergerät verwendet werden. Für ein offenes Substrat mit einem Harz, das man in einem seriellen Prozess, der in dem Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß der Erfindung beinhaltet ist, wird ein serieller Prozess durchgeführt den man erhält, indem man einen Lochfüllung-Tinten-Schritt, einen Füllungsschritt mit leitender Tinte, eine Elektro-Abscheidungsschritt, einen Metallplattierungsschritt, einen Fotolack-Ausbildungsschritt und einen Ätzschritt durchführt. Als Konsequenz ist es möglich, eine Platine mit einem Loch herzustellen, das ein Lötauge mit einer gleichförmigen und optimalen Weite hat.
Zusammenfassung
Als Mittel zum Lösen eines Problems einer Positionsverschiebung eines Lötauges und eines Loches, die durch Ausrichtung bei der Ausbildung der Ätz-Fotolackschicht und einer plattierten Fotolackschicht bei einem Verfahren zum Herstellen einer Platine verursacht wird, wird ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den folgenden Schritten zur Verfügung gestellt: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Fläche und einer inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, Ausbilden einer zweiten Harzschicht, die unlöslich oder geringlöslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, auf der ersten auf der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht, und eine Verfahren zum Herstellen einer Platine mit dem folgenden Schritt zur Verfügung gestellt: Gleichförmiges Laden einer Fläche der ersten Harzschicht um eine Potentialdifferenz an der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht und der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht zu induzieren, bevor die zweite Harzschicht ausgebildet wird. Weiter ist eine Platine zur Verfügung gestellt, die ein Loch mit einer kleinen Positionsverschiebung und hoher Genauigkeit hat.

1: isolierendes Substrat
2: leitende Schicht
3: Loch
4: Schaltkreis ausbildendes Substrat
5: erste Harzschicht
6: zweite Harzschicht
7: im Loch plattierte leitende Schicht
8: dritte Harzschicht
10: vierte Harzschicht
11: offenes Substrat mit Harz
12: erste leitende Schicht
13: zweite leitende Schicht
17: Loch
18: Lötauge
19: Entwicklungs-Elektrode
20: Harzpartikel
21: Abstand zwischen der Fläche der ersten Harzschicht auf der Fläche-Leitungsschicht und der Flächen-Leitungsschicht
22: Abstand zwischen der Fläche der ersten Harzschicht über dem Loch und der Fläche der leitenden Schicht
24: Alkali-lösliche Harzschicht
25: foto-vernetzbare Harzschicht
26: vernetzter Teil
27: Multilayer foto-vernetzbare Harzschicht
28: Schaltkreisteil
31: Durchgangsbohrung (Durchgangsbohrung)
32: Durchgangsloch (Nicht-Durchgangsbohrung)
33: interstitielles Durchgangsloch
38: foto-vernetzbare Harzschicht (Trockenfilm-Fotolack)
39: vernetzter Teil

Claims

Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, wobei die zweite Harzschicht unlöslich oder geringlöslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine Durchgangsbohrung oder/und eine Nicht-Durchgangsbohrung und das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche hat, wobei eine innere Wandfläche der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung ausgenommen ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, wobei die zweite Harzschicht unlöslich oder geringfügig löslich in einer Entwicklungslösung für die erste Harzschicht ist, und Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, mit der Entwicklungslösung für die erste Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung hat, die in dem Substrat ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht; Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht; Ausbilden einer vierten Harzschicht über der inneren Wandfläche der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung; Entfernen der zweiten Harzschicht und Entfernen der ersten Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Bereitstellen einer foto-vernetzbaren Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht bezüglich eines isolierenden Substrats mit einer leitenden Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wand einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die durch das Verfahren gemäß Anspruch 3 hergestellt ist, und Aufweisen einer vierten Harzschicht auf der inneren Wand der Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung und in einem peripheren Teil des Lochs entsprechend der Umstände; Vernetzen des foto-vernetzbaren Harzes an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen von einer nicht-reagierten foto-vernetzbarer Harzschicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen der freigelegten leitenden Schicht und Entfernen der vierten Harzschicht und der foto-vernetzbaren Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer foto-vernetzbaren Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf der Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf einem Teil der foto-vernetzbaren Harzschicht auf der Fläche der leitenden Schicht; Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten foto-vernetzbaren Harzschicht; Bereitstellen einer vierten Harzschicht auf der leitenden Schicht in dem Loch; Vernetzen eines foto-vernetzbaren Harzes an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen der zweiten Harzschicht; Entfernen einer nicht-reagierten foto-vernetzbaren Harzschicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des bloßgelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der vierten Harzschicht und der foto-vernetzbaren Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer fotoleitenden Schicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und der inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht mit Ausnahme eines Teils über dem Loch; Entfernen des Teils der fotoleitenden Schicht über dem Loch; Ausbilden einer vierten Harzschicht auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; Entfernen der zweiten Harzschicht; Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes auf der fotoleitenden Schicht; Ausbilden einer dritten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert; Entfernen fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des freigelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der dritten Harzschicht, der fotoleitenden Schicht und der vierten Harzschicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer fotoleitenden Schicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine leitende Schicht auf einer Substratfläche und der inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und der Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat; Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht mit Ausnahme von einem Teil über dem Loch; Entfernen eines Teils der fotoleitenden Schicht über dem Loch; Entfernen der zweiten Harzschicht; Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes auf der fotoleitenden Schicht; Ausbilden einer dritten Harzschicht auf der fotoleitenden Schicht an einem Teil, der mit einem Schaltkreisteil korrespondiert und auf einem Teil der leitenden Schicht in dem Loch; Entfernen eines Teils der fotoleitenden Schicht, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert; Ätzen des bloßgelegten Teils der leitenden Schicht; und Entfernen der dritten Harzschicht und der fotoleitenden Schicht.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Platine mit den Schritten: Ausbilden einer foto-vernetzbaren Harzschicht als eine erste Harzschicht auf einer Fläche eines isolierenden Substrats, das eine erste leitende Schicht auf einer Substratfläche und einer inneren Wandfläche einer Durchgangsbohrung oder/und einer Nicht-Durchgangsbohrung, die in dem Substrat ausgebildet ist, hat, Ausbilden einer zweiten Harzschicht auf der foto-vernetzbaren Harzschicht, die auf der Fläche der leitenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, Entfernen der über dem Loch zur Verfügung gestellten foto-vernetzbaren Harzschicht, Vernetzen der foto-vernetzbaren Harzschicht in einem Teil, der mit einem Nicht-Schaltkreisteil korrespondiert, Entfernen einer nicht-reagierten foto-vernetzbaren Harzschicht und der zweiten Harzschicht, Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht auf der ersten leitenden Schicht, die freigelegt ist, und Entfernen der foto-vernetzbaren Harzschicht, die vernetzt ist, und Entfernen der darunter liegenden ersten leitenden Schicht.
Das Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß einem der Ansprüche 1, 2, 3, 5, 6, 7 oder 8, wobei der Schritt des Ausbildens einer zweiten Harzschicht auf der ersten Harzschicht, die auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellt ist, die Schritte enthält: Gleichförmiges Laden einer Fläche der ersten Harzschicht und Induzieren einer Potentialdifferenz an der über dem Loch zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht und der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht, und Ausbilden der zweiten Harzschicht auf der auf der Flächenleitungsschicht zur Verfügung gestellten ersten Harzschicht durch Verwendung der Potentialdifferenz.
Das Verfahren zum Herstellen einer Platine gemäß einem der Ansprüche 1, 3, 5, 6 oder 7, weiterhin beinhaltend die Schritte: Bereitstellen einer plattierten leitenden Schicht auf der leitenden Schicht, die auf der inneren Wandfläche des Lochs zur Verfügung gestellt ist, nachdem die ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, entfernt ist.
Das Verfahren zum Herstellen einer Platine entsprechend einem der 1, 3, 5, 6 oder 7, weiterhin beinhaltend die Schritte: Bereitstellen einer plattierten leitenden Schicht auf der leitenden Schicht, die auf der inneren Wandfläche des Lochs nach dem Entfernen der ersten Harzschicht, die über dem Loch zur Verfügung gestellt ist, ausgebildet ist, und Entfernen der ersten Harzschicht in einem peripheren Teil des Lochs mit einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht, um einen Teil zu vergrößern, der mit einem Lötaugen-Teil korrespondiert.
Eine Platine, in der ein Schaltkreisteil auf einem isolierenden Substrat durch eine leitende Schicht ausgebildet ist, und eine Durchgangsbohrung und/oder eine Nicht-Durchgangsbohrung mit einer inneren Wand ausgebildet ist, die mit der leitenden Schicht bedeckt oder gefüllt ist, wobei ein Lötauge der Durchgangsbohrung und/oder der Nicht-Durchgangsbohrung kontinuierlich ähnlich einem konzentrischen Kreis in Bezug auf das Loch ausgebildet ist, eine maximale Höhe der leitenden Schicht in einem Nicht-Schaltungsteil des Lötauges gleich oder größer als –5μm ist, wobei ein Eckteil des isolierenden Substrats als Referenzpunkt gesetzt ist, und die gleich oder kleiner als eine Dicke der leitenden Schicht in einem Schaltkreisteil ist, und eine Lötaugenweite vom Referenzpunkt 0 bis 40 μm ist.
Die Platine gemäß Anspruch 12, wobei ein Unterschied zwischen den maximalen und minimalen Werten der Lötaugenweite gleich oder kleiner als 8 μm ist.
Die Platine gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei eine Querschnittsform der leitenden Schicht in dem Schaltkreisteil unterschiedlich von der der leitenden Schicht in dem Lötaugenteil ist.
Die Platine gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei ein Teil mit einer maximalen Höhe in einem Bereich von der inneren Wand des Lochs zu einer Dicke der leitenden Schicht in dem Loch in der leitenden Schicht des Lötauges vorliegt.