JP3807312B2 - プリント基板とその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層プリント配線板のコア材となるプリント基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3は従来のインターステシャルバイアホール構造を有する多層プリント配線板の断面構造図である。
【0003】
30は多層プリント配線板、31は両面プリント配線板、31Bは導体回路、31Cはスルーホール、31Dは穴埋め樹脂、32は片面プリント配線板、32Aは絶縁基材、33はフィルドバイアホール、32Bは導体回路である。
【0004】
コア材としての両面プリント配線板31の両側に片面プリント配線板32がプリプレグを介して複数枚積層されている。この片面プリント配線板32にはその絶縁基材32Aを貫通する導電性のフィルドバイアホール33が形成されている。これが片面プリント配線板32の導体回路32Bと両面プリント配線板31の導体回路31Bとの間を電気的に接続する。なお、同図に示すように片面プリント配線板32が複数枚積層される場合には、外側に位置する片面プリント配線板32のフィルドバイアホール33がその内側に位置する片面プリント配線板32の導体回路32Bに電気的に接続されている。
【0005】
一方、両面プリント配線板31では、両側の導体回路31A、31Bを電気的に接続するためのスルーホール31Cが形成されている。これは絶縁基材31Cに穴明けを行う。次に穴の内周面に化学メッキと電気メッキとを重ねて中空円筒状の導電路を形成する。次いでスルーホール内を穴埋め樹脂31Dで埋めた後、平坦に研磨するという工程を経て製造される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述したコア材としての両面プリント配線板31の製造方法では、絶縁基材31にレーザーを照射して穴開けし、スルーホールメッキ法により導電路を形成する。さらに絶縁基材31表面に導電パターンを形成している。
【0007】
しかし、このように導電路と導電パターンとを別工程で形成するので工数が増える。またサブトラクティブ法を使用したパターン形成ではファインピッチのパターンが得られないという大きな欠点がある。
【0008】
本発明は導電路と導電パターンとを同一工程で形成可能として工数を削減し、且つパターン形成をファインピッチ化して高密実装が可能なプリント基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項に係る発明は所定の熱分解温度を有する中間樹脂層を挟んで両側にそれよりも熱分解温度の低い樹脂材料層を積層した基板を準備し、該基板の所定位置にレーザ照射による穴加工を施して、前記熱分解温度の低い樹脂層部分の穴径が大きくなる貫通穴を形成した後、当該基板の表裏両面に所定パターンのレジスト膜を形成し、しかる後前記貫通穴を含む基板の表裏両面に前記貫通穴が平坦になるまで当該貫通穴部で表裏導通した導電性パターンの上下両方を同時にメッキを施して平坦部を形成し、その後前記レジスト膜を除去した後、前記平坦部に導体回路を形成する工程を含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法である。従って熱分解温度の異なる材料を積層した基板を使用することで穴明け加工、エッチング処理すると熱分解温度の高い材料の層の穴径が小さくなる。メッキを施すとこの小さな穴径部が閉じられ、以降メッキが堆積して行く結果として、この小さな穴径部を境界に上下両方でメッキが進行するので、片方のみよりも短時間に処理がおこなわれる。
次に請求項2に係る発明は前記レーザー照射による穴あけ後の貫通穴に、過酸化マンガンによるエッチング処理を行うことを特徴とする請求項6記載のプリント基板の製造方法である。結果として容易に貫通穴に残留する樹脂を取り除くことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
<第1実施例>
図1(a) から(g) は本発明に係る第1実施例の工程説明図である。
【0020】
1は絶縁性基板、1Bは導体回路、1Cは貫通穴(スルーホール)、1Dはドライフィルムレジスト、1Eはメッキ層、1Fは絶縁材である。
【0021】
最初に図1(a) に図示するような絶縁性基板1を準備した。絶縁性基板1としては、ガラスクロスエポキシ樹脂基材、ガラスクロスビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラスクロスポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミドポリイミド液晶ポリマー等である。準備した絶縁性基板1は例えば熱硬化型ポキシ樹脂基材であり、厚みは約50μm樹脂である。そしてこの絶縁性基板1にレーザ加工で貫通穴1Cを設けた。レーザー加工はパルス発振型炭酸ガスレーザー加工装置によって行われる。加工条件は、パルスエネルギーが0.1〜1.0mJであり、パルス幅が1〜100μsであり、ショット数が2〜50の範囲である。このレーザ加工によって設けられた貫通穴1Cの形状は直径d1が約60μmΦで直径d2が約40μmΦである。この後、貫通穴1Cの内部に残留する樹脂を取り除くため、酸素プラズマ放電、コロナ放電処理、過マンガン酸カリウム処理等によるデスミア処理を行う。更に貫通穴1Cの内面と絶縁性基板1の表裏全面に無電解メッキを施す。この無電解メッキの膜厚は約4500Åである。
【0022】
次に、図1(b) に図示するように絶縁性基板1の表裏面にドライフィルムレジスト1Dを設けた。このドライフィルムレジスト1Dは具体的にはアルカリ現像タイプであり、ドライフィルムレジスト1Dは感光性を有する。このドライフィルムレジスト1Dの膜厚は約40μmである。そしてドライフィルムレジスト1Dを露光現像して所望するパターンのレジスト膜を得た。
【0023】
続いて図1(c) はメッキ処理の途中状態を示す。メッキ処理は直流電解メッキ法にて行われる。図1(a) 工程で設けた無電解メッキ層を電極として使用するものである。そしてこのメッキ層1Eの材料は銅、スズ、銀、半田、銅とスズの合金、銅と銀の合金等であってもよく、メッキ可能な金属であれば使用できる。図1(b) 工程で得られたドライフィルムレジスト1D付きの絶縁性基板1をメッキ浴槽に浸漬する。従ってメッキ層1Eは貫通穴1Cの内面と絶縁性基板1の表裏全面共に同時に成長しメッキ層1Eは厚みを増していく。厚みを増していく途中で、貫通穴1Cの底面部から表層部へ成長して、そしてメッキ層1Eにより貫通穴1Cの底面部が閉じられる。
【0024】
更に、図1(d) に図示するように、図1(c) の状態から絶縁性基板1の表裏面のメッキ層1Eの厚みt1が約60μmまでメッキ処理が継続される。従って貫通穴対応部を含めた絶縁性基板1の表裏両面がほぼ平坦化する。その後に、絶縁性基板1の表裏両面のメッキ層1Eの凸凹を滑らかにする為と、表裏両面のメッキ層1Eの厚み調整のためにエッチングを行う。使用するエッチング液は塩化銅である。
【0025】
結果としてセミアディティブ製造方法を使用した導電路と導電パターンとを同一工程で形成可能として工数を削減し、且つパターン形成をファインピッチ化して高密実装が可能なプリント基板とその製造方法を得ることができた。
【0026】
続いて、図1(e) に図示するように絶縁性基板1の表裏面に設けられたドライフィルムレジスト1Dを剥離した。剥離方法は剥離剤による。使用する剥離液は例えばアルカリ系剥離液である。従ってドライフィルムレジスト1Dを剥離した下層から(a) 工程で設けた無電解メッキが露出した。続いて、この無電解メッキをエッチングした。使用するエッチング液は例えば硫酸過水素である。
【0027】
次に、図1(f) に図示するように、図1(e) 工程で得られた絶縁性基板1の上下に絶縁材1Fを介して、さらに他の導電性パターンを設けてビルドアップ基板を構成した。この絶縁材1Fの塗布方法はスピンコート、カーテンコート、スプレーコート、真空ラミネーター積層プレス等である。使用する絶縁材1Fは例えば熱硬化型エポキシ材料である。塗布された絶縁材1Fの厚みは約30〜50μmである。そしてこの絶縁材1Fの上にパータンが形成され多層化される。このパータン形成の大略は絶縁材1F上に導電材を設けた後に、レジスト材塗布、レジスト材露光、レジスト材現像、導電材エッチングにて行われる。具体的には4層の多層プリント配線板が得られた。
【0028】
更に、図1(g) に図示するように前述した4層の多層プリント配線板の最上層にさらに各1層の他の導電性パターンを積層してビルドアップ基板を構成した。具体的には6層の多層プリント配線板が得られた。
<第2実施例>
図2(a) から(g) の工程図は本発明に係る第2実施例の工程説明図である。この第2実施例の図2(a) の工程は図1(a) と、図2(b) の工程は図1(b) と、図2(c) の工程は図1(c) と、図2(d) の工程は図1(d) と、図2(e) の工程は図1(e) と、図2(f) の工程は図1(f) と対応する。以下は第1実施例と異なる点を重点に説明する。
【0029】
最初に図2(a) に図示するような絶縁性基板1を準備した。この絶縁性基板1は第1の絶縁性基板11を介して表面に第2の絶縁性基板12を、裏面に第3絶縁性基板13を設けた3層構造である。第1の絶縁性基板11、第2の絶縁性基板12、第3絶縁性基板13は実施例1で使用した同じ材料である。第1の絶縁性基板11は具体的にはアラミドまたはエポキシ系樹脂である。この第1の絶縁性基板11は厚みが約25μmであり、熱分解温度が約500度Cである。さらに表面の第2の絶縁性基板12と裏面の第3の絶縁性基板13は同一材料を使用した。この第2、3の絶縁性基板12、13は具体的には熱硬化型エポキシ樹脂である。この第2、3の絶縁性基板12、13は厚みが約12.5μmであり、熱分解温度が約300度Cである。そしてこの絶縁性基板1にレーザ加工で貫通穴1Cを設けた。レーザー加工は実施例1と同様である。しかし第1の絶縁性基板11と第2、3の絶縁性基板12、13とは熱分解温度が異なるために穴径が異なる。熱分解温度が低い第2の絶縁性基板12の穴径は熱分解温度が高い第1の絶縁性基板11の穴径より大きくなる。詳細には第2の絶縁性基板12はテーパを有する穴形状となる。第2の絶縁性基板12の穴径と第1の絶縁性基板11の穴径との口径差を大きくするために続いて貫通穴1Cを有する絶縁性基板1をエッチングした。使用するエッチング液は過マンガン酸である。熱硬化型エポキシ樹脂の第2、3の絶縁性基板12、13はエッチングされ易く、アラミドまたはエポキシ系樹脂の第1の絶縁性基板11はエッチングされ難い。結果として得られた穴形状の直径d3の直径は約50μmΦで、直径d4の直径は約40μmΦである。次に第1の絶縁性基板11の穴形の直径d5は約30μmΦである。更に第3の絶縁性基板13の穴形の直径d6は約40μmΦである。そしてこれら3個の穴が貫通穴1Cである。更に貫通穴1Cの全面と絶縁性基板1の表裏全面に無電解メッキを施す。この無電解メッキの膜厚は約4500Åである。
【0030】
次に、図2(b) に図示するように実施例1と同様に絶縁性基板1の表裏面にドライフィルムレジスト1Dを設けた。
【0031】
続いて図2(c) はメッキ処理の途中状態を示す。実施例1と同様に図2(b) で得られたドライフィルムレジスト1D付きの絶縁性基板1をメッキ浴槽に浸漬する。従ってメッキ層1Eは貫通穴1Cの全面と絶縁性基板1の表裏全面共に同時に成長しメッキ層1Eは厚みを増していく。厚みを増していく途中で最初に第1の絶縁性基板11に設けられた穴部が充填され、そしてメッキ層1Eにより閉じられる。メッキ層1Eの成長は穴部を境界に上下両方に同時に行われるので例えば実施例1のような片面方向から行うよりも処理時間を短縮できる。
【0032】
以降の工程は図2(d) から(g) の工程を実施例1と同様に順番に行われる。
【0033】
本実施例では(a) 工程の無電解法にてメッキ層を形成し、(c) 工程で電解法にて該メッキ層を成長させ所望する厚みのメッキ層を得た。しかし(a) 工程の無電解法のみで所望する厚みのメッキ層を得ても良い。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明のプリント基板の製造方法を使用すると導電路と導電パターンとを同一工程で形成可能として工数を削減し、且つパターン形成をファインピッチ化して高密実装が可能なプリント基板とその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る第1実施例の工程説明図、
【図2】 本発明に係る第2実施例の工程説明図、
【図3】 従来のインターステシャルバイアホール構造を有する多層プリント配線板の断面構造図である。
【符号の説明】
1 絶縁性基板、
1B 導体回路、
1C 貫通穴(スルーホール)、
1D ドライフィルムレジスト、
1E メッキ層、
1F 絶縁材、
11 第1の絶縁性基板、
12 第2の絶縁性基板、
13 第3の絶縁性基板、
31 両面プリント配線板、
31B 導体回路、
31C スルーホール、
31D 穴埋め樹脂、
32 片面プリント配線板、
32A 絶縁基材、
33 フィルドバイアホール、
32B 導体回路、
10 多層プリント板、

Claims (2)

  1. 所定の熱分解温度を有する中間樹脂層を挟んで両側にそれよりも熱分解温度の低い樹脂材料層を積層した基板を準備し、該基板の所定位置にレーザ照射による穴加工を施して、前記熱分解温度の低い樹脂層部分の穴径が大きくなる貫通穴を形成した後、
    当該基板の表裏両面に所定パターンのレジスト膜を形成し、
    しかる後前記貫通穴を含む基板の表裏両面に前記貫通穴が平坦になるまで当該貫通穴部で表裏導通した導電性パターンの上下両方を同時にメッキを施して平坦部を形成し、
    その後前記レジスト膜を除去した後、
    前記平坦部に導体回路を形成する工程を含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
  2. 前記レーザー照射による穴あけ後の貫通穴に、過酸化マンガンによるエッチング処理を行うことを特徴とする請求項1記載のプリント基板の製造方法。
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