JPWO2008069055A1 - 配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体 - Google Patents

Abstract

本発明の一実施形態にかかる配線基板は、絶縁層７と、絶縁層７に埋設されたビア導体８と、を備えた配線基板２に関する。ビア導体８は、平面方向Ｘに対して傾斜した括れ部８０を有している。

Description

本発明は、配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体に関する。

従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）あるいはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を、配線基板に実装した実装構造体が知られている。

配線基板としては、例えば複数の絶縁層と導体層とを積層するとともに、ビア導体を介して導体層どうしを接続したものがある（例えば特許文献１参照）。

このような配線基板では、近年の電子機器の小型化にともなう配線の高密度化を達成すべく、絶縁層および導体層の積層数が増加する傾向にある。

一方、配線基板におけるビア導体としては、一方の端部から他方の端部に向けて幅狭となるテーパ状とされたものが採用されている。このようなテーパ状のビア導体を採用した場合、ビア導体と導体層との界面の接触面積は、一方の端部に比べて他方の端部のほうが小さくなる。そのため、他方の端部と導体層との界面に応力が集中しやすく、ビア導体が導体層から剥離しやすいという問題がある。ビア導体の剥離は、配線基板における導通不良を生じさせ、配線基板の歩留まり低下の原因となることがある。

特開平８−１１６１７４号公報

本発明は、配線基板におけるビア導体の剥離を効果的に低減することにより、信頼性の優れた配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体を提供することを課題としている。

上記課題を解決するため、本発明の第１の形態に係る配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設されたビア導体と、を備えた配線基板であって、前記ビア導体は、前記絶縁層の表面に沿った平面方向に対して傾斜した括れ部を有している。

また、本発明の第２の形態に係る配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設されたビア導体と、を備え、前記ビア導体は、その表面が前記ビア導体の内部方向に凹んだ凹曲面であり、該凹部の位置を前記ビア導体の周方向に沿ってプロットしてできた前記ビア導体の断面は、前記絶縁層の表面と平行な平面に対して傾斜している。

本発明によれば、配線基板においてビア導体の剥離を有効に低減することができ、配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体の歩留まり向上に寄与することができる。

本発明の一実施形態に係る半導体素子の実装構造体の断面図である。 図１に示した実装構造体におけるビア導体の周囲を拡大して示した断面図である。 図１に示した半導体素子の実装構造体のビア導体の斜視図である。 図１に示した半導体素子の実装構造体のビア導体が形成される貫通孔の周囲を、貫通孔を形成するときのエネルギー分布とともに示した断面図である。

符号の説明

１ 実装構造体
２ 配線基板
３ 半導体素子
４ バンプ
６ 導体層
７ 絶縁層
７０ 接着層
７１ フィルム層
８ ビア導体
８０ 括れ部
８１ 凸部
Ａ 傾斜角度
Ｘ 平面方向
Ｙ 厚み方向（Ｘ方向に直交する方向）

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板および半導体素子の実装構造体を、図１ないし図４を参照しつつ詳細に説明する。

図１に示した半導体素子の実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２上に実装された半導体素子３とを含んでいる。

半導体素子３は、ＩＣまたはＬＳＩ等の例えばシリコンを母材とするものであり、半田等のバンプ４を介して配線基板２に実装されている。

配線基板２は、電気信号を伝達するための伝達路を構築するためのものである。配線基板２は、平板状に形成されたコア基板５と、コア基板５の上面５３及び下面５４において、交互に積層された複数の導体層６および複数の絶縁層７と、を含んでいる。

コア基板５は、絶縁性を有するものであり、例えば織布に熱硬化性樹脂を含浸させたシートなどを積層して固化することによって形成することができる。織布としては、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスを用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂を用いることができる。コア基板５はまた、セラミックスにより形成することもできる。コア基板５のためのセラミックスとしては、例えば酸化アルミニウム焼結体又はムライト質焼結体などの酸化物系セラミックス、あるいは窒化アルミニウム質焼結体又は炭化珪素質焼結体などの非酸化物系セラミックスを使用することができる。

コア基板５には、コア基板５の厚み方向を貫通するスルーホール５０を有している。スルーホール５０内には、スルーホール導体５１および絶縁体５２が形成されている。スルーホール導体５１は、後述するコア基板５の上面５３および下面５４に形成された導体層６を相互に電気的に接続するものであり、導電性を有する材料によりスルーホール５０の内面に形成されている。このようなスルーホール導体５１は、例えば銅めっきにより形成することができる。絶縁体５２は、コア基板５の平坦性を確保するためのものであり、スルーホール導体５１の形成後にスルーホール５０に絶縁性樹脂を充填することにより形成することができる。

複数の導体層６は、電気信号を伝達するための伝達路として機能するものである。各導体層６は、導電性を有しており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されている。複数の導体層６は、絶縁層７を介してコア基板５の上方および下方に積み上げられており、コア基板５の上面５３および下面５４に形成された導体層６を含んでいる。コア基板５の上面５３および下面５４に形成された導体層６はスルーホール導体５１を介して電気的に接続されており、配線パターンを形成するためにコア基板５の上面５３および下面５４に部分的に形成されている。

複数の絶縁層７は、導体層６間の絶縁性を確保するためのものであり、接着層７０およびフィルム層７１を含んでいる。

接着層７０は、絶縁層７を相互に接着するとともに、フィルム層７１を導体層６に対して固着させるためのものであり、導体層６を覆うように形成される。

フィルム層７１は、基板全体の剛性を向上させるためのものであり、接着層７０を覆うように形成されている。

接着層７０およびフィルム層７１は、絶縁性を有する材料により、例えば乾燥後の厚みが１μｍ以上１０μｍ以下となるように形成されている。フィルム層７１の厚みは、接着層７０の厚みよりも大きくなるように設定するのが好ましく、例えばフィルム層７１と接着層７０との厚みの差は７μｍ以下となるように形成されている。ここで、フィルム層７１と接着層７０との厚みの差は、接着層７０が乾燥した後の両者の厚みの差を指している。

フィルム層７１の厚みを接着層７０の厚みよりも大きくし、両者の厚みの差を７μｍ以下とすれば、後述する製造方法を用いてビア導体８を形成する場合に、ビア導体８の括れ部８０（図２および図３参照）を適切に形成することができ、配線基板２の歩留まり向上に寄与することができる。

接着層７０は、例えば熱分解温度が２６０℃以上３２０℃以下となるように形成され、フィルム層７１は、例えば熱分解温度が３８０℃以上５２０℃以下となるように形成される。好ましくは、接着層７０とフィルム層７１との熱分解温度の差は、例えば６０℃以上２６０℃以下とされる。熱分解温度とは、樹脂が固化した状態において該樹脂に熱を加えることによって、樹脂の一部が分解、蒸発又は昇華などにより消滅し、その樹脂の重量が５％減少する温度をいう。

このような接着層７０およびフィルム層７１は、例えば、まず、樹脂材料により形成された接着層７０とフィルム層７１とを張り合わせた状態で、コア基板５又は導体層６に対して積層し、次に、該積層体を加熱プレス装置を用いて加熱加圧して樹脂を固化させることによって形成することができる。もちろん、コア基板５又は導体層６に対して接着層７０となるべき樹脂層を形成した後にフィルム層７１を積層し、次に、該積層体を加熱加圧により樹脂を固化させることによっても形成することができる。

接着層７０のための樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂のうち、少なくともいずれか一つを用いることができる。一方、フィルム層７１のための樹脂材料としては、例えばポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂および液晶ポリマー樹脂のうち、少なくともいずれか一つを用いることができる。フィルム層７１は、接着層７０のための材料としてポリイミド樹脂を用いる場合には、接着層７０と接着性の良好なポリベンゾオキサゾール樹脂により形成するのが望ましい。

接着層７０としては、絶縁性を有する球状フィラーが含んだものを使用することもできる。このような接着層７０では、接着層７０に孔を形成したときに、露出した球状フィラーや球状フィラーの欠落部によって貫通孔の内面に凹凸が生じる。そのため、後述するビア導体８は、接着層７０において存在する部分において、接着層７０との密着性が高くなる。

絶縁層７には、厚み方向に貫通するビア導体８が形成されている。このビア導体８は、図１および図２に示したように絶縁層７を挟んで位置する異なる導体層６を電気的に接続するためのものであり、絶縁層７の貫通孔７２に埋設されている。

図２および図３に示したように、ビア導体８は、括れ部８０および凸部８１を有しており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されている。このビア導体８は、端部８２と括れ部８０との間がテーパー状に形成され、端部８２と括れ部８０との間において、ビア導体８の幅が括れ部８０に向う方向に小さくなっている。またビア導体８は、凸部８１と括れ部８０との間がテーパー状に形成され、端部８２と括れ部８０との間において、ビア導体８の幅が括れ部８０に向う方向に小さくなっている。すなわち、ビア導体８は、その表面がビア導体８の内部に向かって凹んだ凹曲面であり、該凹部の位置をビア導体８の周方向に沿ってプロットしてできたビア導体８の断面（括れ部８０の断面）は、絶縁層７の表面と平行な平面に対して傾斜している。このような形状のビア導体８では、絶縁層７に厚み方向Ｙに力が印加されたとしても、ビア導体８の一部が絶縁層７に密着し、ビア導体８の一部が印加された力に対して反対方向に抗力が与え絶縁層７が導体層６から剥離するのを低減することができる。

括れ部８０は、導体層６とビア導体８の端部８２，８３の界面８４，８５に作用する応力を分散する。括れ部８０は、全体として楕円形を呈する環状に形成されているとともに、平面方向Ｘに対して傾斜している。平面方向Ｘに対する括れ部８０の傾斜角度Ａは、例えば１０度以上２０度以下とされている。これによって、ビア導体８の端部８３と導体層６との間に作用する応力を効果的に緩和するとともに、ビア導体８と導体層６との界面８４，８５に印加される応力を小さく抑え、導体層６に対するビア導体８の剥離を効果的に低減することができる。なお、平面方向Ｘとは、絶縁層７の表面に対して平行な方向である。

なお、図３に示した括れ部８０は、楕円状に形成されているが、ビア導体８は平面方向Ｘに対して傾斜していればよく、楕円状以外の形状、例えば多角形状や、外周が蛇行するような形状等であっても構わない。

凸部８１は、フィルム層７１および接着層７０の熱膨張時における導体層６とビア導体８との剥離を抑制するためのものである。この凸部８１は、平面方向Ｘに突出したものであり、絶縁層７において接着層７０に位置している。

配線基板２に対しては、配線基板２にバンプ４を介して半導体素子２を接続する際等に熱が加えられることがある。その一方で、フィルム層７１としては、フィルム層７１を構成する原子が、フィルム層７１の厚み方向Ｙよりフィルム層７１の平面方向（水平方向）Ｘに強固に配列されているものが使用される場合がある。このようなフィルム層７１は、平面方向Ｘの熱膨張率がフィルム層７１の厚み方向Ｙに比べて小さい。そのため、配線基板２に熱が加えられた場合には、フィルム層７１が厚み方向Ｙに熱膨張しようとする。これに対して、ビア導体８の凸部８１が接着層７０に位置していれば、フィルム層７１と共に接着層７０に厚み方向Ｙに力が印加されたとしても、印加された力に対して凸部８１がストッパとして働く。その結果、接着層７０に凸部８１が存在することにより、印加された力に対して凸部８１が抗力を及ぼす。これにより、導体層６とビア導体８との剥離を抑制することができ、配線基板２の破壊を低減することができる。

ここで、従来のビア導体は、導体層との接合面が、ビア導体を構成する金属（例えば銅）と導体層を構成する金属（例えば銅）との界面であり、銅などの金属の結晶が不連続に形成されることがある。そのため、ビア導体では、接合面において、接合強度が通常よりも脆弱になる傾向がある。また、製造工程における酸化や洗浄不足により、接合面に異物が混入される場合があり、この場合は更に接合強度が低下する。このように接合面は、接合強度が弱く、かつ剥離の原因となる異物が混入されやすい場所であるために、接合面においてはビア導体と導体層とが剥離しやすく、特に幅細の端部における接合面では応力が集中しやすい。

これに対して、図１ないし図３に示した実装構造体１によれば、ビア導体８に括れ部８０を形成することによって、従来のビア導体において端部と導体層との接合面に集中していた応力を、ビア導体８の括れ部８０にも加わるようにして応力を分散することができる。

ビア導体８はさらに、括れ部８０が平面方向Ｘに傾斜した形状とされているために、括れ部８０を平面方向Ｘに沿った方向に形成する場合に比べて、括れ部８０に沿った断面の面積（周長）を大きくすることができる。これによって、ビア導体８に作用する応力を、括れ部８０によってさらに分散することができる。その結果、配線基板２をマザーボードに実装する際等のように、配線基板２に外力が作用し、ビア導体８と導体層６との界面（接合面）８４，８５に応力が集中する場合であっても、その応力をビア導体８の括れ部８０において緩和することができる。これにより、ビア導体８と導体層６との剥離の発生を低減し、配線基板２及び実装構造体１の歩留まりを向上させることができる。

次に、配線基板の製造方法について説明する。

まず、コア基板５およびフィルム層７１を準備する。

コア基板５は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを銅箔とともに熱プレスして硬化することによって、例えば厚み寸法が０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成される。またコア基板５は、配線基板２の低熱膨張化を行うために、全芳香族ポリアミド、全芳香族ポリエステル又は液晶ポリマーなどの低熱膨張の繊維を用いて形成してもよい。

次に、コア基板５に、従来周知のドリル加工などによって、厚み方向Ｙに貫通するにスルーホール５０を形成し、電解めっきなどにより、スルーホール５０内にスルーホール導体５１を形成する。スルーホール５０は、複数形成され、直径が例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定される。

さらに、スルーホール５０内に例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体５２を形成する。次に、コア基板５の上面５３及び下面５４に、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、導体層６を構成する材料を被着する。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をしてコア基板５の上面５３及び下面５４に導体層６を形成する。

次に、導体層６の上面に対して絶縁層７を形成する。絶縁層７は、コア基板５の表面に接着層７０となる樹脂層を形成した後にフィルム層７１を張り合わせ、接着層７０およびフィルム層７１を固化させることによって形成される。絶縁層７の厚みは、例えば３μｍ以上１５μｍ以下とされる。

接着層７０となる樹脂層は、例えば従来周知のダイコート法又はスピンコート法等によって、樹脂材料を被着することにより形成することができる。フィルム層７１としては、例えばポリベンゾオキサゾール樹脂を主成分としたシートが使用される。一方、接着層７０を形成するための樹脂材料としては、例えばフィルム層７１よりも熱分解温度の低いもの、例えばポリイミドが使用される。接着層７０を形成するための樹脂材料には、シリカなどの絶縁性を有する材料からなる球状フィラーを含有させておいてもよい。

次に、図４に示すように、絶縁層７にレーザー光を照射して貫通孔７２を形成する。レーザー光は、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ_２レーザー装置を用いて、絶縁層７の表面に対して垂直方向（絶縁層７の厚み方向Ｙ）から、絶縁層７の表面に向けて照射される。

レーザー加工の方法としては、パンチング加工を採用することができる。パンチング加工は、レーザー光Ｌにおけるエネルギー分布のピークＰをビーム中心から偏心させる方法である。すなわち、貫通孔７２を形成するレーザー光Ｌとしては、レーザー光のエネルギーのピークＰが、貫通孔７２の中心と一致するガウシアンビームＧでなく、ピークＰを形成すべき貫通孔７２の中心からずらしたエネルギー分布を有するレーザー光Ｌを使用する。

レーザー光Ｌにおけるエネルギー分布のピークＰの貫通孔７２の中心（ビーム中心）からのオフセット量Ｏは、絶縁層７の厚み寸法に応じて設定すればよく、例えば絶縁層７の厚み寸法が８μｍ以上１５μｍ以下の場合には、オフセット量Ｏが５μｍ以下に設定される。これは、オフセット量Ｏを５μｍよりも大きくに設定すると、括れ部８０を形成しうる形状の貫通孔７２を実現する前に、導体層６が高温となって融解し、導体層６に孔が形成されてしまう恐れがあるからである。

レーザー光Ｌにおけるエネルギー分布のピークＰは、ＣＯ_２レーザー装置を用いたパンチング加工にて貫通孔７２を形成する場合、例えば１．０×１０^−３Ｊ以上１．０×１０^−１Ｊ以下に設定される。絶縁層７に対するビームＢの照射時間は、例えば１．０×１０^−３秒以上１．０秒以下に設定される。

このようなレーザー光Ｌを絶縁層７に照射した場合、照射されたレーザー光Ｌの中心よりもエネルギー分布のピークＰに対応する箇所が最もレーザー光Ｌのエネルギーが集中して高温となるため、該箇所を中心に絶縁層７の成分が昇華する。そのため、フィルム層７１には、上面から下方（接着層７０）に向うほど幅細となるテーパ状に孔が形成される。

フィルム層７１を貫通したレーザー光Ｌは、接着層７０に照射され、該照射箇所を中心に接着層７０が昇華する。接着層７０はフィルム層７１よりも熱分解温度が低温であるため、フィルム層７１よりも昇華し易い。そのため、接着層７０には、上部から下部（導体層６）に向うほど幅広となるテーパ状に孔が形成される。

このように、フィルム層７１に形成される孔が接着層７０に向うほど幅細となるテーパ状に形成されるのに対して、接着層７０に形成される孔が導体層６に向うほど幅広となるテーパ状に孔が形成されるため、貫通孔７２は接着層７０とフィルム層７１との界面近傍に括れ部７３を有する形状となる。

一方、接着層７０を貫通したレーザー光Ｌの一部は、導体層６において反射し、その反射光によって接着層７０が昇華させられる。ここで、導体層６は熱伝導率が絶縁層７よりも優れているため、絶縁層７よりも導体層６のほうが熱を逃し易く、導体層６と絶縁層７の界面における接着層７０は昇華しにくい。そのため、貫通孔７２は、導体層６の若干上方位置に凸部７４を有する形状となる。

また、レーザー光Ｌにおけるエネルギー分布のピークＰが中心からオフセットしているため、エネルギー強度の高い部分に対応する導体層６からの反射光は、接着層６ばかりでなく、フィルム層７１の一部をも昇華させる。そのため、貫通孔７２は、括れ部７３が絶縁層７の平面方向Ｘに対して傾斜したものとなる。

なお、貫通孔７２の形成方法としては、パンチング加工に代えて、レーザー光を移動させながら照射と非照射とを繰り返し行なうトレパン加工を採用してもよい。

次いで、貫通孔７２にビア導体８を形成する。このビア導体８は、例えば無電解めっきにより銅などの金属を貫通孔７２に充填することにより形成することができる。

貫通孔７２は、括れ部７３および凸部７４を有するとともに、絶縁層７の上面から括れ部７３の間が括れ部７３に向うほど幅細となるテーパ状である一方、括れ部７３から凸部７４の間が凸部７４に向うほど幅広となるテーパ状の形状とされている。そのため、ビア導体８は、貫通孔７２の形状に倣って、図２および図３に示したように、括れ部８０および凸部８１を有する。ビア導体８は、絶縁層７の上面から括れ部８０の間において括れ部８０に向うほどビア導体８の幅が小さくなるような第１テーパ部を有している。さらにビア導体８は、括れ部８０と凸部８１との間において、凸部８１に向うほどビア導体８の幅が大きくなるような第２テーパ部を有している。

ここで、ビア導体８を無電解めっきなどにより形成した場合、ビア導体８は金属結晶が連続的に形成された一体物となる。そのため、ビア導体８は、複数の金属層を積層して形成した場合のような結晶が不連続なものに比べて剛性が優れている。その結果、ビア導体８は、外的な負荷によっても破壊されにくく、配線基板２及び半導体素子３の実装構造体１の導通性を良好に維持することができる。

なお、絶縁層７の貫通孔７２にビア導体８を形成する前に、貫通孔７２の内面を、例えばかマンガン酸などを用いてエッチィング処理しておいてもよい。このようなエッチング処理を施した場合、貫通孔７２の内面に微細な凹凸が形成されて粗面化される。そのため、貫通孔７２に形成されるビア導体８は、貫通孔７２の内面との密着性が高いものとなる。これにより、ビア導体８が貫通孔７２の内面から剥離するのを抑制することが可能となる。

また、接着層７０としてシリカなどの絶縁性を有する球状フィラーを含むものを使用した場合、貫通孔７２の内面における接着層７０に対応する部分は、球状フィラーが露出し、あるいは球状フィラーが欠落して凹凸を有する面となる。その結果、球状フィラーを含む接着層７０では、貫通孔７２の内面をエッチング処理した場合と同様に、ビア導体８と貫通孔７２の内面との密着性を向上させ、ビア導体８の剥離を抑制することが可能となる。

そして、上述した導体層６の形成、絶縁層７の形成、貫通孔７２の形成、およびビア導体８の形成を繰り返すことで、配線基板２を作製することができる。さらに、配線基板２に対してバンプ３を介して半導体素子２を実装することによって、半導体素子の実装構造体１を形成することができる。

本発明は、上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

Claims (14)

1. 絶縁層と、前記絶縁層に埋設されたビア導体と、を備え、
   前記ビア導体は、前記絶縁層の表面に沿った平面方向に対して傾斜した括れ部を有している、配線基板。
2. 前記括れ部は、前記平面方向に対して１０度以上２０度以下傾斜している、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記ビア導体における前記平面方向に直交する方向の端部と前記括れ部との間の部分は、前記端部から前記括れ部に向って前記ビア導体の幅が小さくなっている、請求項１に記載の配線基板。
4. 前記ビア導体は、外側に向かって突出した凸部を有している、請求項１に記載の配線基板。
5. 前記凸部は、前記端部と前記括れ部との間に形成されている、請求項４に記載の配線基板。
6. 前記ビア導体における前記括れ部と前記凸部との間に位置する部分は、前記凸部から前記括れ部に向って前記ビア導体の幅が小さくなっている、請求項５に記載の配線基板。
7. 前記絶縁層は、接着層と、前記接着層上に積層されたフィルム層と、を有しており、
   前記フィルム層の熱分解温度は、前記接着層の熱分解温度よりも高く、
   前記フィルム層と前記接着層との熱分解温度差は、６０℃以上２６０℃以下である、請求項１に記載の配線基板。
8. 前記フィルム層及び前記接着層の厚みは、１μｍから１０μｍであり、
   前記フィルム層の厚みと前記接着層の厚みの差は、７μｍ以下である、請求項７に記載の配線基板。
9. 前記フィルム層は、ポリベンゾオキサゾール樹脂であり、
   前記接着層は、ポリイミド樹脂である、請求項７に記載の配線基板。
10. 前記フィルム層における前記ビア導体との接触部分は、粗面化処理されている、請求項７に記載の配線基板。
11. 前記接着層は、絶縁性を有する球状フィラーを含んでいる、請求項７に記載の配線基板。
12. 請求項１に記載の配線基板と、
    前記配線基板に実装され、前記ビア導体と電気的に接続される半導体素子と、
    を備えた、半導体素子の実装構造体。
13. 前記半導体素子は、前記ビア導体と電気的に接続されたバンプを介して前記ビア導体に接続されている、請求項１２に記載の半導体素子の実装構造体。
14. 絶縁層と、前記絶縁層に埋設されたビア導体と、を備え、
    前記ビア導体は、その表面が前記ビア導体の内部方向に凹んだ凹曲面であり、該凹部の位置を前記ビア導体の周方向に沿ってプロットしてできた前記ビア導体の断面は、前記絶縁層の表面と平行な平面に対して傾斜している、配線基板。

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