TW201101955A - Multilayer printed wiring board - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 490
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 198
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 42
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 23
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 2
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[5-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrazin-2-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC=1N=CC(=NC=1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Cu] Chemical compound [Bi].[Cu] QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004901 spalling Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
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- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0352—Differences between the conductors of different layers of a multilayer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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Description
201101955 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於供在表層安裝電容器或Ic等電子零件用的夕 層印刷佈線板,詳言之,關於不致因掉落而造成電子零= 脫落,或者導致電耗接性與可靠度等降低的多層印刷佈線 板。 【先前技術】 近年在行動電話、數位相機等行動用電子機器方面,因 應該等之高功能化及高密度化,而要求安裝零件小型化, 對於基板,亦將錢密度(佈線寬寬度/佈相隔間隙)縮 小、焊錫焊㈣小#以因應安裝零件之高密度化。 此種基板上所安裝的零件,具體而言例如有··扣曰片 電容器、€阻、電感器等被動零件;液晶裝置、執:數位 顯不等的顯示裝置;鍵盤或開關等操作類裝置;或⑽、 耳機等外接端子。 〇 在女裝基板上混雜㈣有對應於該等安裝零件的導體 塾,安裝零件則藉由焊錫而安裝於該等導_塾上。 作為安裝此種電子零件的多層電路基板之-,有對於單 面或雙面具有導體電路的絕緣 硬處基材,利用雷射照射 而形成介層洞用開口,並在兮 报&入@、 在该開口内填充金屬膏或鍍骐而 ;,'同,以製成層間耦接的電路基板,準備2層以上 /亥電路基板’並將該等電路基板利用逐次積層或統籌— -人積層而進行積層製造的彡 元式(參照日本專利特開平1 〇_ 13〇28號公報)。 150406.doc 201101955 此種多層電路基板中,利用相鄰之其中一電路基板的介 層洞或介層洞之獨立點(Land),耦接於另一電路基板的導 體電路或獨立點,而分別將2層電路基板電耦接。 此外,對電路基板的電耦接不具作用的其他區域,則利 用由熱硬化性樹脂所構成的接合劑層或預浸體等,將電路 基板間施行接合以達多層化。 並且,在如前述之多層電路基板或一般印刷佈線板的表 層,形成保護導體電路的防焊劑層,在該防焊劑層其中一 部分形成開口,在從該開口裸露出的導體電路表面上,通 常形成金或鎳_金等耐蝕層,在此種耐蝕層所形成的導體 電路表面上將形成焊錫凸塊等焊錫體,並利用該等焊錫體 安裝電容器、1C等電子零件。 但是,如上述之行動電話、數位相機等行動用電子機器 中所使用實現電子零件高密度安裝的多層電路基板,最近 有要求更高之可靠度的情況。 換5之,要求當將基板或成品(安裝有包括液晶裝置在 内之所有電子零件的基板收容於框體中之狀態),從一定 高度處,即使經既定次數掉落,仍不致降低基板之功能或 電子機器之功能,且電子零件亦不致從基板中脫落,要求 對落下試驗之更高的可靠度。 再者,對行動用電子機器所使用的基板本身要求厚度更 薄,而構成安裝基板的各層絕緣層厚度在1〇〇 μιη以下,即 使多層化,安裝基板本身的整體厚度仍要求較習知更薄, 因而容易造成安裝基板本身的剛性降低。 150406.doc 201101955 再者,因為基板本身的剛性降低’因而對翹曲等的耐性 亦容易降低’結果,容易損及基板的平坦性,在後續步驟 (例如零件安裝步驟)中容易發生不良之狀況。 再者,因為絕緣層的厚度較薄’安裝基板本身亦趨於柔 軟亚容易發生翹曲狀況’因而容易受到來自外部衝擊等所 產生之應力的影響。例如施行積層之際,雖考慮使用厚产 咖卿以上之中心絕緣基板俾提高剛性,但因為益法收= Ο
於行動電子機料的框财,“無_料加巾心絕緣 基板厚度之技術的窘境。 所以’如上述習知的安裝用多層電路基板,因為無法增 ,積層m緣基㈣提高·,因而對可靠度試驗中: 落下試驗,顧難提升基板的性能1別在如前述提高零件 等之安裝密度的安裝基板中,頗難提升可靠度以及落下試 驗的耐掉落性。即,在可靠度試驗巾無法獲得充分的可靠 度,因而無法更加提升電耦接性與可靠度等。 所以’本發明揭示-種提升對可靠度試驗的可靠度,更 加確保電輕接性與功能性,尤其更加提升對落下試驗之可 靠度的多層印刷佈線板。 【發明内容】 本發明者等為實現上述目的經深人鑽研,結果著眼於多 層電路基板中執行導體電路間電麵接的介層洞形狀及積層 形態,發現將介層㈣分為··第丨介層洞組,其形成於位 於最靠外側的2個絕緣層中之一絕緣層與由該絕緣層朝内 側配設的另-絕緣層;以及第2介層洞組,其形成於位於 150406.doc 201101955 最靠外側的2個絕緣層中之另一絕緣層與由該絕緣層朝内 側配·又的另一絕緣層;將依該等相對向之位置關係而積層 的各"層洞組所屬之介層洞,相對於該等所設置之絕緣基 板表面或該絕緣基板上所設置之導體電路表面,形成推拔 形狀的情況,即使將構成安裝基板的絕緣基板削薄,仍不 導致該基板的剛性降低或發生翹曲狀況等,根據此種見 解,完成以如下内容為主旨構成的本發明。 換言之,本發明係 (1) 種夕層印刷佈線板,係將絕緣層與導體層交互積 層,並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層間電耦接的 多層印刷佈線板; 上述介層洞由第1介層洞組及第2介層洞組所構成;該第 1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層朝著 積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構成;該第2 介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另一絕緣層朝 著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構成; 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,形成朝 絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層之厚 度係100 μιη以下。 再者,本發明係 (2) —種多層印刷佈線板,係在具有導體電路的一絕緣 基板之雙面上,分別至少積層丨層具有導體電路的其他絕 緣基板,且上述一絕緣基板中所設置之導體電路,與其他 絕緣基板中所設置之導體電路,經由設置於絕緣基板中之 150406.doc 201101955 介層洞而電耦接的多層印刷佈線板; 在上述一絕緣基板之其中一表面上所積層的上述另—絕 緣基板上所設置之介層洞,形成第丨介層洞組,該第丨介層 洞組相對於絕緣基板之表面或該表面上所設置之導體電路 的表面而呈推拔形狀;而在上述一絕緣基板之另一表面上 所積層的上述另一絕緣基板上所設置之介層洞,形成第2 介層洞組’該第2介層洞組相對於絕緣基板之表面或該表 面上所设置之導體電路的表面而呈推拔形狀;上述絕緣基 〇 板之厚度係100 μιη以下。 再者,本發明係 (3)—種多層印刷佈線板,係在具有導體電路的内層絕 緣基板之雙面上,分別至少積層丨層具有導體電路的外層 絕緣基板,且上述内層絕緣基板中所設置之導體電路,與 外層絕緣基板中所設置之導體電路,經由設置於各絕緣基 板中之介層洞而電耦接的多層印刷佈線板; 在上述内層絕緣基板之其中一表面上所積層的上述外層 〇 絕緣基板上所設置之介層洞,形成相對於絕緣基板之表面 或該表面上所設置之導體電路的表面而呈推拔形狀之第1 介層洞組;而在上述内層絕緣基板之另一表面上所積層的 上述外層絕緣基板上所設置之介層洞,形成相對於絕緣基 板之表面或該表面上所設置之導體電路的表面而呈推拔形 狀之第2介層洞組;上述内層絕緣基板或外層絕緣基板之 厚度係100 μιη以下。 再者,本發明係 150406.doc 201101955 * (句一種多層印刷佈線板,係絕緣層與導體層交互積 層並利用a又置於絕緣層中之介層洞將導體層間電柄接的 多層印刷佈線板; 上述絕緣層至少有3層,且上述絕緣層之厚度係ι〇〇 μηι 以下; 上述介層洞由第丨介層洞組與第2介層洞組所構成; 上述第1介層洞組由相對於絕緣層厚度方向而朝向多層 印刷佈線板之内側的2層以上堆疊介層洞(stacked via)所構 成之介層洞所形成; 上述第2介層洞組由相對於絕緣層厚度方向而具有朝向 第1介層洞組之相反方向逐漸縮徑之推拔形狀的介層洞所 形成。 上述本發明中’絕緣層或絕緣基板的厚度可設定在5 〇 μπι以下。 再者’本發明中,上述第1介層洞組依與上述第2介層洞 組呈相對向的位置關係而積層,而形成多層堆疊介層洞之 構造。此外’亦可依相對於上述第2介層洞組,朝大致正 交於絕緣層或絕緣基板厚度方向的方向偏移之位置關係而 積層。 再者’形成上述第1介層洞組或上述第2介層洞组的各介 層洞’可依相互位於大致同一直線上的方式而積層。此 外’亦可依相互在大致正交於絕緣層或絕緣基板厚度方向 之方向偏離的位置關係而積層。 再者,構成上述第1介層洞組或第2介層洞組中任一介層 150406.doc 201101955 洞組的介層洞,位於上述絕緣基板上之假想正方格子的相 對向2個頂點處,而構成另—介層洞組的介相,位於上 述絕緣基板上之假想正方格子_,相對向的其他2個頂點 處0 再者,構成上述第〗介層洞組或第2介層洞組中任一介層 洞組的介層洞,位於上述絕緣基板上之假想正方格子或三 角格子的各能處,*料另-介層肋的介層洞位於上 述絕緣基板上之假想正方格子或三角格子的中心處。
再者,構成上述第!介層洞組或第2介層洞組中任一介層 洞組的介層洞,集中配置於上述絕緣基板的既定區域,: 構成另m㈣介層㈣置於簡絲巾包圍上述既 定區域的周邊區域。 再者,上述各介相相對於其所形成的絕緣層或絕緣基 板之表面’或相對於在該表面上所設置之導體電路的表 面,形成具有内角60〜90度之推拔的形狀。 再者,上述各介層_用在絕緣層或絕緣基板中所形成 之開口内填充鍍膜而形成。 再者,構成上述第i介層洞組及第2介層洞組的介層洞, 可形成多層堆疊介層洞之構造。 依知、本發明,構成第!介層洞組(其設置於積層之中心的 絕緣層及其一表面側所積層之絕緣層上)、與第2介層洞組 (其設置於積層之中心的絕緣層及其另—表面側所積層之 絕緣層上)呈相對向而配置的多層堆疊介層洞之構造,且 各介層洞組所屬介層洞形成朝厚度方向逐漸縮徑的推拔形 150406.doc 201101955 二T相對於絕緣層之表面或其表面上所設置之導體 緣基板之形狀,因此即使所積層之絕緣層或絕 厚度為100 _以下的較薄層,仍可相對於來自外 部所發生的外部應力(指掉落時所發生的衝擊力等),抑制 絕緣層或絕緣基板發生翹曲之狀況。 果,因為可抑料部應力,因而抑料體電路發生龜 ^斷線m可獲㈣餘絲基㈣可靠度與耐掉 落性降低之程度的效果。 2 D之,當承受外部應力而使絕緣層朝外側翹曲時,因 為夕層堆豐介層洞依進入絕緣層中的狀態而後合,因而絕 緣樹月曰與構成多層堆疊介層洞的導體層不易出現剝落之狀 況。其、结I,可減㈣裝基板的可靠度與耐掉落性降低之 程度。 再者,當承受外部應力而使絕緣層朝内側翹曲的情況, 多層堆疊介層洞發揮樁的功用,因而可抑制絕緣層發生翹 曲之狀況《因此’可縮小傳遞給絕緣層的外部應力,結 果,可減輕安裝基板的可靠度與耐掉落性降低之程度。 再者,因為多層堆疊介層洞形成於絕緣層内部,因而即 便對絕緣層的翹曲亦可發揮樁的功用,可使絕緣層不易出 現翹曲之狀況。所以’因為不致損及基板的平坦性,因而 即使在熱循環等條件下施行可靠度試驗,仍可使導體電路 (含介層洞在内)、絕緣層等不致過早發生龜裂等狀況,俾 不致降低安裝基板的可靠度。 特別當絕緣層或絕緣基板之厚度設定在100 μιη以下,並 150406.doc •10- 201101955 在如此絕緣層或絕緣基板中設置導體電路,且將該等多層 化而形成安裝基板時,可有助於抑制安裝基板發生翹曲之 狀況。 再者’絕緣層或絕緣基板厚声力 土攸序度在50 μηι以下,亦有助於 在此種絕緣層上設置導體電路, 、 亚將5亥羊多層化而形成安 裝基板的情況。推定可確保安梦其 文衮基板的可靠度或耐掉 性。 ' 再者,藉由使多層堆疊介層洞(第!介層洞組與第2介層
洞組)形成於相對向位置,可發揮對絕緣層㈣側方向: 内側方向等二方向防止翹曲之效果。#,當1緣層因外; 應力而翹曲時’對於朝外側方向與内側方向的翹曲,因為 多層堆疊介層洞的存在’而不致降低對於外部應力的耐 性。結果’可減輕安裝基板的可靠度與耐掉落性降低之程 度0 再者,藉由將多層堆疊介層洞形成於相對向之位置,可 提高如此區域中的絕緣基板本身之剛性。所以,可 — 裝基板本身之翹曲,在後續步驟(例如防焊劑形成=女 焊錫層形成步驟、電子零件等之安裝步驟等等)中,可保 持安裝基板的平坦性’不致發生安裝零件料等不良狀 況。其結果,可減輕安裝基板的電㈣性與可靠度明顯降 低之程度。 【實施方式】 本發明多層印刷佈線板的特徵在於:將隔著絕緣層^而 積層的導體層間施以電耦接之介層洞2〇,由設置於從位於 150406.doc η· 201101955 最靠外側2個絕緣層26中之一絕緣層26朝内側積層的至少i 層絕緣層26之介層洞20構成的第丨介層洞組2〇A,以及由設 置於從位於最靠外側2個絕緣層26中之另一絕緣層%朝内 側積層的至少1層絕緣層26之介層洞2〇構成的第2介層洞組 20B所構成;而構成上述第1介層洞組2〇A及第2介層洞組 20B的介層洞20,形成朝絕緣層26厚度方向逐漸縮徑的形 狀,且上述絕緣層26之厚度係1 〇〇 μηι以下。 換言之’多層印刷佈線板的特徵在於:在導體層與絕緣 層2 6父互積層而構成為積層體的多層印刷佈線板中,設置 於從位於最靠外側2個絕緣層26中之一絕緣層26朝内側積 層的至少1層絕緣層26之介層洞20(第1介層洞組2〇Α),以 及設置於從位於最靠外側2個絕緣層26中另一絕緣層26朝 内側積層的至少1層絕緣層26之介層洞20(第2介層洞組 20Β) ’構成相對向位置的多層堆疊介層洞,而構成該多層 堆疊介層洞的介層洞20 ’相對於絕緣層26之表面或其表面 上所設置之導體電路的表面形成推拔形狀,且各絕緣基板 之厚度係在100 μιη以下。 本發明中所使用的絕緣層26或絕緣基板,可選擇自例如 玻璃纖維布環氧樹脂(Epoxy Resin)基材、酚樹脂(phen〇1 Resin)基材、玻璃纖維布雙馬來醯亞胺三4樹脂 (Bismaleimide Triazine Resin)基材、玻璃纖維布聚苯謎樹 脂(Poly Phenylene Ether Resin)基材、醯胺(Amide)不織布 _ 環氧樹脂基材、醯胺不織布-聚醯亞胺樹脂(Polyimide Resin)基材等之中的硬質積層基材。由此種絕緣樹脂所構 150406.doc •12- 201101955 成之基板的厚度最好在100 μηι以下。此外,由絕緣樹脂所 構成之基板的厚度亦可設定在50 μηι以下。 以在此種絕緣層26或絕緣基板之單面或雙面上形成有導 體電路的電路基板為積層之中心,並在該電路基板表面上 交互積層有絕緣層26與導體層,依此可獲得多層化的印刷 佈線板(安裝基板)。此外’藉由將此種安裝基板的所有絕 緣層26或絕緣基板之厚度設定在pm以下,可將多層化 的安裝基板本身之厚度變為較薄。 G 再者,本發明中’絕緣基板中所設置之導體電路'以及 分別構成第1及第2介層洞組20A、20B的介層洞2〇(多層堆 疊介層洞),最好均藉由鍍膜處理而形成。因為分別構成 第1及第2介層洞組20A、20B的介層洞20,以及分別接觸 於該介層洞20上面與下面的導體電路間之耦接部分,若藉 由相同鍍膜處理的鍍膜而形成,較不易剝落,即使從側面 承受外部應力仍不致偏移,且較不易發生龜裂等狀況。 形成上述介層洞20時所使用的鍍膜,最好利用電解電鍍 © 或無電解鍍膜處理形成,而所使用的金屬可為銅、鎳、 鐵、鈷等金屬單體,亦可為以該等金屬為主的合金。 本發明的多層堆疊介層洞如^所示,形成朝向形成介 層’同的絕緣層26之厚度方向呈逐漸縮徑的形狀,或形成相 對於絕緣基板之表面或該表面上所設置之導體電路的表面 呈推拔形狀的形狀,或具有從所積層之絕緣基板的内側朝 外侧而下緣逐漸擴大的推拔形狀。 例如代表性而言,最好形成上面之面積大於底面之面積 ]50406.doc -13- 201101955 的略圓錐梯形’最好朝絕緣基板之厚度方向的截面形狀 (略梯形)之推拔内角在60〜90度範圍内。 因為推拔角度在90度以上,將抵銷多層堆疊介層洞的錯 釘效果。即,當承受外部應力的基板朝外側翹曲時,多層 堆疊介層洞不易嵌合絕緣層26或絕緣基板,導致絕緣樹脂 與導體層剝落,結果將造成絕緣基板的可靠度與耐掉落性 降低反之,若小於60度,將降低抑制多層堆疊介層洞翹 的程度即虽承受外部應力的基板朝内側翹曲時,將 降低作為樁的功用’亦即無法抑㈣曲。所以,導致降低 絕緣基板的可靠度與耐掉落性。 上述多層堆疊介層洞的底面側之介層洞直徑(以下稱 "層洞底徑」)至少為直徑1〇 μιη即可。因為介層洞藉甴 鍍膜處理而形成,而在形成該電鍍膜時,介層洞底徑至少 需要10 μηι左右。藉此可電耦接於上層導體層(上層導體電 路及介層洞)與下層導體電路之間。 本發明的多層堆叠介層洞之較靠外側的介層洞2〇(上層 介層洞20)底面’與較#内側的介層洞2()(下層介層洞2〇)底 面’最好形成重疊在同一位置處。即,如圖2a〜2b所示, 分別構成第1介層洞組20A或第2介層洞組2〇B的複數介層 洞20’可形成各介層洞紙致位於同—直線上的狀態。 再者,只要上層介層洞20之底面與下層介層洞2〇之底面 的其中-部分相重叠,即可利用形成推拔形狀而達成使可 靠度與耐掉落性不易降低的功能,因此對於分別構成第ι 介層洞組20A或第2介層洞組2〇B的複數介層洞2〇,使各介 150406.doc -14- 201101955 層洞20間相互位於朝大致正交於絕緣層26厚度的方向偏離 之位置處,且使該等介層洞20之底面在絕緣基板厚度方向 上至少部分相重疊的位置處而積層。 例如圖3Α〜3Β所示,可將分別構成第}介層洞組2〇Α或第 2介層洞組20Β的複數介層洞20,積層於相互偏離約介層洞 20徑之1/2的位置。此外,如圖3C〜3D所示,亦可將分別 構成第1介層洞組20A或第2介層洞組20B的複數介層洞 2〇,積層於大致相互偏離介層洞2〇徑的位置。
Ο 賦予此種推拔形狀所產生的功能,即使使用為普通印刷 佈線板時仍可充分發揮效果 再者,本發明中,構成多層堆疊介層洞的第丨介層洞組 20A或第2介層洞組細,最好至少設置2層以上的絕緣基 板’且藉由積層設置於該等絕緣基板中的介層洞2〇而形 成°即’可積層3層、4層、或以上的介層洞2(),而構成第 1介層洞組20A或第2介層洞組2〇6。 合個堆疊介層洞 即弟1 "層洞組20A及第2介層們殂 ,可為相同積層數(例如第晴層洞組2〇a: 3層、第以 層洞組20B : 3厗、,介π * . θ 亦了為不同積層數(例如第1介層洞組 20Α . 2層、第2介層洞組2〇β · 3居、苴士 l叶 及^ Ά入 層)。基本上,藉由使構成 多層堆疊介層洞的第1介爲 a ’同、··且20Α與第2介層洞組2〇Β形 成相對向之位置關#,/ '、便可達避免安裝基板的電耦接性與 可罪度明顯降低的效果。 月的夕層堆疊介層洞可為電耦接的導體層,亦可為 未電耦接之導體層,即 ’-、 厅'胃虛s又(Du mmy)導體層。當多層 150406.doc •15- 201101955 堆疊介層洞由虛設導體層形成時,除虛設導體層以外的導 體層(指虛設導體層周邊所存在之導體層、或藉由相對向 之多層堆疊介層洞等而電耦接的導體層)之可靠度與耐掉 落性便不致降低,且可減少安震基板發生勉曲之狀況,因 而可確保安裝基板的平坦性。 再者,本發明中,構成多層堆疊介層洞2〇的第i介層洞 組20A及第2介層洞組20B,最好如圖2八〜28所示,在各 絕緣基板的導體電路所形成之區域内,配置於大致同一位 置(同一直線上)’或如圖3 A〜3D所示,配置成保持相互偏 離之位置關係的狀態(分散狀態)。 例如於絕緣基板整體區域,使第1介層洞組2〇A及/或第2 介層洞組20B均等分散排列,藉此可提升對於因外部應力 所造成之翹曲的耐性。 再者,主要藉由在最容易受因外部應力所造成翹曲之影 響的絕緣基板中央部分處,集中排列第1介層洞組2〇A及/ 或第2介層洞組20B,可提升對於因外部應力所造成之翹曲 的耐性。 再者,亦可不排列於絕緣基板中央處,而主要在包圍絕 緣基板中央處的周邊部,排列第j介層洞組2〇A及或第2介 層洞組20Β»藉由此種排列可提升對於基板翹曲的耐性, 可確保安裝基板的平坦性,並具有對於外部應力的耐性。 再者,亦可主要在絕緣基板中央部分處,將第丨介層洞 、、20A與第2介層洞組20B相對向而配置,並在周邊部將第 1介層洞組20A與第2介層洞組20B依相互偏離之狀態而配 150406.doc •16- 201101955 置。 上述多層堆疊介層洞的平面配置模式,除上述模式之 外,尚有如:正方格子狀(參照圖^5〇、三角格子狀(來 照圖6)、一直線狀(參照圖7)等各種模式。 上述正方格子狀配置的情況,有如:依圖从所示虛擬正 方矩陣狀的規則性,配置第1介層洞組嫩與第2介層洞植 細’或如圖5B所示假想矩陣狀,配置^介層洞組⑽, 並將第2介層洞組細配置於該矩陣之中央處部分,或如圖
5C所示交錯狀假想矩陣狀的規則性,配置第】介層洞組 20A與第2介層洞組20B等。 再者,上述三角格子狀配置的情況,有如:依圖6所示 虛擬三角形狀配置第1介層洞組20A,並將第2介層洞組 20B配置於三角形中心部分附近或重心處等。 再者’上述一直線狀配置的情況,例如至少將2個第1介 層洞組胤配置成圖7所示虛擬一直線狀,並在該直線中心 部分附近配置第2介層洞組2〇b等。 再者,亦可利用組合2種以上的該等模式而構成多層堆 疊介層洞。 再者,本發明多層堆疊介層洞的其他配置模式,例如 有:在未形成第1介層洞組20A的區域中相對向而配置第2 介層洞組2〇B。例如將第1介層洞、组20A於平φ中配置成矩 陣狀,並將第2介層洞組20B在未形成第1介層洞組2〇八的 區域中配置成矩陣狀;或者’將第1介層洞組2GA主要配置 於基板中央4,並將第2介層洞組20B配置於基板周邊處等 150406.doc -17· 201101955 模式(參照圖8A)。 另外’圖5〜圖8中’第1介層洞組20A以「〇」表示,而 第2介層洞組20B則以「X」表示,但亦可為此種配置的相 反配置。介層洞直徑的大小,第1介層洞組20A與第2介層 洞組20B可以均相同,亦可為互異之直徑。 以下’針對本發明的多層印刷佈線板之製造方法的一例 具體說明。 (1)當製造本發明的多層印刷佈線板之際,作為其構成 基本單位的電路基板,可使用在單面或雙面上貼附有銅箔 之絕緣性基材作為起始材料。 該絕緣性基材可使用選擇自諸如玻璃纖維布環氧樹脂基 材、玻璃纖維布雙馬來醯亞胺三4樹脂基材、玻璃纖維布 聚苯醚樹脂基材、醯胺不織布_環氧樹脂基材、醯胺不織 布-聚醯亞胺樹脂基材中的硬質積層基材,特別以玻璃纖 維布環氧樹脂基材為佳。 上述絕緣性基材之厚度最好在100 μιη以下’尤以30〜70 μιη範圍内為佳。因為若超過1〇〇 μηι的厚度,當施行多層 化之際,基;本身的厚度增#,有無法收容於框體中的顧 慮。 對於在上述電路基板上使用雷射而形成介層洞形成用開 口例如有.利用雷射照射,同時對銅镇與絕緣基材施以 穿孔的直接雷射法’以及對銅箔中屬於介層洞之銅箔部分 施以姓刻而去除後,再利用雷射照射對絕緣基材施以穿孔 的保形法(conformal) ’本發明可使用其任—之方法。 150406.doc -18- 201101955 貼附於上述絕緣性基材的銅箔之厚度最好為5〜2 〇 μ。 因為當銅箔厚度小於5 01!1時,於使用如後述之雷射加工 而對絕緣性基材形成介層洞形成用開口之際,在對應於介 層洞位置的銅荡端面部分可能出現變形,因此頗難开〕成既 定形狀的導體電路。此外,亦頗難利用餘刻形成線寬度細 微之導體電路圖案。另一方面,若銅箔厚度超過2〇 gm, 則頗難利用蝕刻形成線寬度細微的導體電路圖案。 該銅猪亦可利用半蝕刻(half etching)調整其厚度。此情 〇 ,使用大於上述數值之厚度的㈣,並將經钱刻後= 鋼俗厚度调整為如上述之範圍。 再者,使用雙面貼銅積層板作為電路基板時,亦可使銅 箔厚度在上述範圍内,但是雙面的厚度不同。藉此可在確 保強度之下,不致妨礙及後續步驟。 上述絕緣性基材及ml,㈣最好㈣以環氧樹脂含潤 玻璃纖維布而形成為B階段的預浸體,將其與銅荡積層, 並加熱壓貼而獲得的單面或雙面貼銅積層板。 © ®為在銅箱經餘刻後的製造步驟中,不致發生佈線圖案 與介層洞位置偏移之狀況,因此位置精度優越。 ⑺其次’利用雷射加工在絕緣性基材上設置介 成用開口。 當使用單面貼銅積層板形成電路基板時,以二氧化碳雷 射照射銅貼附側之相反側的絕緣性基材之表面,貫通Ζ 緣性基材,而形成到達銅猪(或導體電路圖案)的開口、。、 虽使用雙面貼銅積層板形成電路基板時,以二氧化碳雷 150406.doc •19- 201101955 射照射銅貼阶a· 寸、、、邑緣性基材之早側的表面,貫通銅箔與絕 2性基材二者’而形成到達絕緣性基材另—面所貼附之銅 白(或導體電路圖案)的開口,或者,在貼附於絕緣性基材 的單側㈣之表面上,利用钮刻形成較介層洞徑略小直徑 的孔之後#以該孔為照射標記並施以二氧化碳雷射照 射’貫通絕緣性基& & ^ 基材,而形成到達絕緣性基材另一表面上 所貼附之銅箔(或導體電路圖案)的開口。 此種雷射加工利用脈衝振盪型二氧化碳雷射加工裝置而 實施’其加工條件’依使介層洞形成用開口側壁對絕緣性 基材之表面’形成6G,度推拔之方式而決定。 例如藉由設定成脈衝能量〇.5〜1〇〇mJ、脈衝寬度 —、脈衝間隔0.5ms以上、發射數2〜1〇範圍内,可調 整開口之側壁的推拔角度。 在上述加卫條件下所形成之介層洞形成用開口的 口徑隶好為50〜250 μιη。因為;· ρ 马在3亥範圍内可確實形成推 拔,且可達成佈線的高密度化。 (3)施行去膠渣處理,去除殘 除殘留於上述(2)步驟所形成之 開口的側壁及底壁上的樹脂殘渔。 該去膠渣處理可利用諸如: ^ 凌或虱化劑(例如鉻酸、過 猛酸)藥液處理等濕式處理;戋 恭 A者氧電漿放電處理、電暈 放電處理、紫外線雷射處理或準 ^ ^ 飞早刀子雷射處理等乾式處理 而貫細·。 對於該等去膠渣處理方法, 了配合絕緣基材種類、厚 度、;I層洞開口徑、雷射照射條 件寻’考慮預想的膠渣殘 150406.doc -20· 201101955 留量而選擇任一方法。 ⑷其次’對於去膠逢處理過的基板銅箱面,施行以鋼 落為電鍛引線的電解鍍鋼處理,形成在開口内完全填充電 解鍍銅的介層洞(填充洞)。 另外,依情況,經電解㈣處理後,亦可將在基板介層 *;同開口上端隆起的電解鍍銅’利用砂帶研磨、拋光研磨、 蝕刻等去除而使之平坦化。 再者’亦可在實施無電解㈣處理後,再施行電解錢銅 Ο 處理。此情況下,無電解鍍膜亦可使用諸如銅、鎳'銀等 金屬。 (5)其次,在上述(4)中’於基板上所形成的電解鐘銅膜 上形成蚀刻光阻層。姓刻光阻層可採取諸如塗佈光阻液、 或貼附預先形成薄膜等任-方法而形成。在該光阻層上載 置預先描緣有電路的遮罩,經曝光、顯影處理而形成姓刻 光阻層,再對未形成姓刻光阻之部分的金屬層施以钱刻, 形成包含有導體電路與獨立點的導體電路之圖案。 ❹ ’亥蝕刻液最好從硫酸-過氧化氫、過硫酸鹽、氯化亞 銅、氯化亞鐵的水溶液中,至少選擇i種的水溶液。 在姓刻上述㈣及電解鍵銅膜而形成導體電路前亦可施 加前處理,預先蝕刻電解鍍銅膜之表面的整面而調整厚 度’以較易於形成精細圖案。 作為導體電路其中一部分的獨立點,最好其内徑大致等 於介層洞之口經,或外徑大於介層洞之直徑,並將獨立點 之直徑形成於75〜350 μηι之範圍。因為藉由將獨立點之直 150406.doc -21 - 201101955 徑設定在上述範圍内,即使介層洞位置出現偏離狀況,仍 可發揮多層堆疊介層洞的功用。 以依上述(1)〜(5)步驟所製得之電路基板為積層之中心, 並在其單面或雙面上積層有絕緣樹脂層與銅箔。藉此可形 成多出1層或2層絕緣樹脂層的多層化基板。 並且,如同上述(2)〜(5)的相同步驟,在經積層化的絕緣 樹脂層上形成介層洞及導體電路,可更進一步積層絕緣樹 月曰層與銅箔,藉由重複上述(2)〜(5)相同的步驟,可獲得更 加多層化的印刷佈線板。 _ c 前述方法藉由逐次積層之方式施行絕緣樹脂層的積層, 而使絕緣樹脂層多層化,但是視需要,絕緣樹脂層的積 層亦可積層2層以上之具有—層絕緣樹月旨層的電路基 板’並統籌於一次施行加熱壓接而形成多I印刷佈線板。 在藉由如此步驟所形成的多層印刷佈線板中,形成於所 積層的各電路基板或各絕緣樹脂層上之介層洞,賦予該介 5的電路基板表面或絕緣樹脂層表面内角〜9〇度之推 拔^所以’在成為積層之中心的電路基板之至少!層絕緣❹ 層中,所形成之介層洞構成第】介層洞組,並配置成 與構成第1介層洞組的絕緣樹脂層呈相對向之狀態;而形 ^於所積層之至少】層其他料樹脂層中的介層洞構成第2 介層:la。該等第i介層洞組及第2介層洞組職多層堆疊 二層洞’而各介層洞組賦予相對於形成介層洞的絕緣樹脂 層表面内角60〜90度的推拔。 )其人,在最外側的電路基板表面上分別形成防焊劑 150406.doc •22- 201101955 :。此情況下,電路基板外表面整體塗佈有防焊劑組成 ,將該塗膜乾燥後,再於該塗膜上載置著經描♦焊錫焊 墊開口部的光罩薄膜,並利用曝光、顯影處理’分別形成 使位於導體電路之介層洞 之焊錫焊墊開口。此;==電性焊墊部分裸露出 亦可貼附防焊劑層乾膜,並 利用曝光.顯影或雷射而形成開口。 ο 在未形成有光罩的部分裸露出之焊錫焊塾上,形成錄_ 金等耐餘層。此時,鎳層之厚度最好為卜7 _,金声之厚 ^最好為⑽七^除該等金屬以外,亦可形成錦备 金、金(單層)、銀(單層)等。 ,上述耐飯層形成之後,將遮罩層㈣。藉此成為形成 有耐姓層的焊錫谭墊與未形成耐敍層的痒錫焊塾混 的印刷佈線板。 ° ^ (:、對於依上述⑷步驟所獲得之防谭劑開口朝介層洞正 方裸露出的焊錫焊塾部分,供應烊錫體 ❹ :㈣/固化而形成焊錫凸塊,或者,將導電性焊 電性針腳,使用導電性接合 一 上,以形成多層電路基板。層而接合於祥塾部 印2知錫體與焊錫層的供應方法,可使用焊錫轉寫法或 其t ’焊錫轉寫法係藉由在預浸體上貼合焊錫箔 該焊錫箔蝕刻成僅殘留相當於 / " 錫圖荦作為焊錨W 的地方’而形成焊 圖案作為㈣载體缚膜,再將該烊錫载體薄膜 的防焊劑開口部分處塗佈助焊劑之後,積層為焊錫㈣接 150406.doc •23- 201101955 觸於焊墊的狀悲,並對其加熱而轉寫的方法。 另一方面,印刷法係將在相當於焊墊之部位設有開口的 印刷遮罩(金屬遮罩)載置於基板上,印刷以焊錫膏並加熱 處理的方法。形成此種焊錫凸塊的焊錫可使用諸如,
Sn/Ag焊錫、Sn/In焊錫、Sn/Zn焊錫、Sn/Bi焊錫等,該等 的融點最好較低於耦接在所積層之各電路基板間的導電性 凸塊融點。 (實施例1) (1)首先,製作構成多層印刷佈線板之一個單位的電路 基板。該電路基板於所積層的複數絕緣層中,作為積層之 中心的基板,將以環氧樹脂含潤於玻璃纖維布中而形成之 B階段的預浸體與鋼進行積層,並經加熱壓貼而獲得雙 面貼銅積層板1 〇,以其為起始材料(參照圖9 A)。 上述絕緣性基材12之厚度係60 μιη,銅箔14之厚度係^ ㈣。該積層板㈣亦可使用較厚㈣㈣者,再施=刻 處理將銅箔厚度調整為12 μιη。 (2 )對具鋼箔14的雙面電路基板丨〇施以二氧化碳雷射照 射’貫通銅及絕緣性基材12’形成到達背面銅箱时 層洞形成用開口 16 ’然後於經雷射加工所形成的開口内, 以過錳酸之藥液處理施行去膠渣處理(參照圖9B)。 另外,在本實施例巾,在形成介層洞形成㈣口 16時, 使用日立VIA公司製之高尖+短脈衝振盪型二氧化碳雷射 加工機,對於貼附有厚度12 μηι之銅帛而厚度為6〇 _之玻 璃纖維布環氧樹月旨基材,依以下加工條件在銅羯上直接照 150406.doc -24- 201101955 射雷射束,以100孔/秒的速度形成75 開口 16。 依此種條件所形成的開口 16,形成開口之内壁對絕緣性 基材12之表面具有65度推拔角度(内角)的略圓錐梯形。 0.5〜1 OOmJ 1~1ΟΟμβ 0.5 ms以上 2 (雷射加工條件) 脈衝能量: 脈衝寬度: 脈衝間隔: 發射數: 〇
振盪頻率: 2000〜3000Hz (3)在完成去膠渣處理後,對設置有介層洞形成用開口 16之側的銅箔14表面上’以銅箔作為電鍍引線,依以下條 件施行電解鍍銅處理’形成電解鍍銅膜(參照圖9C)。 [電解電鍍液] 硫酸: 2.24mol/l 硫酸銅: 〇.26mol/l 添加劑A(反應促進劑): 10.〇mi/i 添加劑B(反應抑制劑): l〇.〇mi/i [電解電鍍條件] 電流密度: lA/dm2 時間: 65分 % «V ΤΓΣ; 利用添加劑A促進在介層洞形成用開口内之電解鑛鋼膜 的形成’相反地,利用添加劑B抑制主要附著於銅箱部分 之電解鑛銅膜的形成。此外,㈣解鑛銅完全填充於介厚 150406.doc -25- 201101955 洞形成用開口内’而與銅箱14形成大致相同高度之程度 時’因為附著有添加劑B,gj而如同銅落部分般地抑制; 解鍍銅膜之形成。 藉此於帛口 16内填充電解鍍銅而形成介層㈣,該介層 洞20之表面與銅箔面形成為大致相同高度。 再者,亦可藉由對銅箱14及由電解鑛銅膜所構成之導體 層施㈣刻,而調整厚度。視需要,亦可利用砂帶研磨及 拋光研磨等物理方法調整導體層之厚度。
(4)對依上述(3)步驟所獲得之基板的雙面,在銅箔“與 由電解鍍銅膜所構成之導體層上,形成由感光性乾膜所構 成之厚度15〜20 _的光阻。在該光阻上載置财有包含介 層洞之獨立點)的導體電路之遮罩,施以曝光·顯影處 理,而形成蝕刻光阻層22(參照圖9D)。然後,對於由 成姓刻光阻之部份裸露出的銅箱14及電解鍍銅膜,使用 過氧化氫水/硫酸所構成之蝕刻液,施行蝕刻處理而溶 解、去除。 (5)然後,使用鹼液剝離蝕刻光阻層22,形成包含有介❹ 層洞獨立點的導體電路圖案24。藉此’形成電麵接於基板 表面與背面之導體電路間的介層洞2〇,可獲得使該介層洞 2〇與導體電路24的㈣部分平坦化之電路基板(參照圖 9E)。 (6)在經由上述(1)〜(5)步驟所獲得之電路基板的表面及 者面,重疊有含潤環氧樹脂於玻璃纖維布而形成B階段的 厚度60 _之預浸體、與厚度12叫之㈣,再將該等於溫 150406.doc •26· 201101955 度:80〜250°C、壓力:1.0〜5.0 kgf/cm2的壓貼條件下施行 加熱壓貼,以在電路基板上積層厚度60 μιη之樹脂絕緣層 26、及厚度12 μιη之導體層28(參照圖10Α)。 (7)其次,大致如同上述(2)步驟,依照下述加工條件, 對基板雙面施行二氧化碳雷射照射,依1〇〇孔/秒的速度形 成貫通樹脂絕緣層26及導體層28,並到達下層導體電路24 的65 μιηψ之介層洞形成用開口 3〇,然後,對利用雷射加工
所形成的開口内,利用過錳酸的藥液處理而施行去膠渣處 理(參照圖10Β)。 另外’依此種條件所形成開口 30,其開口内壁對樹脂絕 緣層26之表面具有65度推拔角度(内角)的略圓錐梯形。 (雷射加工條件)
脈衝能量: 0.5~100mJ 脈衝寬度: 1〜100μ8 脈衝間隔: 0.5 ms以上 發射數: 2 振盈頻率: 2000〜3000 Hz (8)大致如同上述(3)步驟,對完成去膠渣處理後的介層 洞形成用開口侧之導體層28,依下述條件施行電解鍍鋼声 理,形成電解鍍鋼膜32(參照圖1 〇c)。 5处 [電解電鍍液] 2.24 mol/1 0.26 mol/1 10.0 ml/1 硫酸: 硫酸銅: 添加劑A(反應促進劑): 150406.doc ·27· 201101955
添加劑B(反應抑制劑): [電解電鍍條件J 10.0 ml/1 電流密度: 1 A/dm2 時間: 65分 溫度 : 22±2〇C 藉此形成在開口 30内填充有電解鍍銅32的介層洞34,該 介層洞34表面與鋼荡面形成為大致相同高度。 ° (9)大致如同上述(4)步驟,在依上述⑻所獲得之電解鍍 銅上’形成由感光性乾膜所構成而厚度為15〜2〇 _之光 阻在6亥光阻上載置描繪有導體電路及介層洞%之獨立點 等的遮罩,並制照相機拍攝第4位標記而施行對基板 對位k以曝光•顯影處理而形成飯刻光阻層3 6(參昭 圖10D)。 …、 然後,對未形成光阻之部份,使用由過氧化氣水/硫酸 所構成之蝕刻液施行蝕刻處理,將相當於未形成光阻之部 份的鍍銅膜及銅箔去除。 (10)其次,利用鹼液將蝕刻光阻層36剝離,形成包含有 介層洞34及獨立點的導體電路38。藉此獲得使基板表背面 相耦接的介層洞34與構成導體電路38的鋼箔部分平坦化的 電路基板(參照圖10E)。 再者,藉由重複上述(6)〜(10)步驟,再形成!層樹脂絕緣 層40,再於該樹脂絕緣層4〇中所設置之開口内填充電解鍍 銅而形成介層洞42,並且形成包含有介層洞獨立點的導體 電路圖案44。藉此可獲得對雙面電路基板1〇之雙面分別形 150406.doc -28- 201101955 成有2層絕緣層及導體電路的多層化印刷佈線板(參照圖 11) » 換s之,形成絕緣層數為5層、導體電路數為6層的多層 印刷佈線板,在雙面電路基板及其上方所積層之2層絕緣 層中所形成的介層洞,構成相對於絕緣層之表面呈65度推 拔的圓錐梯形第1介層洞組,而積層在雙面電路基板下方 的2層絕緣層中所形成之介層洞,亦構成相對於絕緣層之 表面呈65度推拔的圓錐梯形第2介層洞組,該等介層洞組 〇 呈相對向而配置,且大致積層於同一直線上。 (11) 在依上述(10)所獲得之基板中,位於最外側的2個絕 緣層表面上形成防焊劑層46。 首先,將厚度20〜30 μηι之薄膜化的防焊劑,貼附於形成 有導體電路38的絕緣層之表面上。接著,施行7(Γ(:τ2〇分 鐘以及100°C下30分鐘的乾燥處理,然後將利用鉻層描繪 出防焊劑開口部之圓形圖案(遮罩圖案)且厚度5 mm的鈉鈣 玻璃(Soda-lime Glass)基板,使形成有鉻層之一側密接於 〇 防焊劑層46,並以1000 mJ/cm2之紫外線曝光,而施行 DMTG顯影處理。 然後,依小時、15〇力下3小時的條件施行加熱 處理,形成具有對應於焊墊部分之開口 48(開口徑2〇〇 μϊη) 且厚度20 μηι的防焊劑層46(參照圖12Α)。 在多層印刷佈線板靠最外側的絕緣層表面上,形成防焊 劑層46之前’視需要亦可設置粗化層。 (12) 其次,將形成防焊劑層46的基板,在由氯化鎳3〇 150406.doc 29- 201101955 g/l、次磷酸鈉10 g/l、及檸檬酸鈉10 g/l所構成之pH=5的 無電解鍍鎳液中浸潰20分鐘,在從開口部48裸露出的導體 電路38之表面上形成厚度5μηι的鍍鎳層。 然後’將該基板在由氰化金卸2 g/Ι、氯化銨7 5 g/i、轉 檬酸鈉50 g/Ι、及次磷酸鈉10 g/】所構成之無電解鍍金液 中,依93°C之條件浸潰23秒鐘,在鍍鎳層上形成厚度〇〇3 μηι的鍍金層,而形成被覆有由鍍鎳層與鍍金層所構成之 金屬層所的導體焊墊50。 (1 3)然後’在防焊劑層46上載置金屬遮罩,並印刷由融 點Τ2約183°C的Sn/Pb焊錫或Sn/Ag/Cu所構成焊錫膏,在將 金屬遮罩拆除後’於l83〇C下施行迴焊,而獲得在從開口 48裸露出的導體焊墊5〇上形成有焊錫層52的多層印刷佈線 板(參照圖12B)。 其-人’藉由在未形成焊錫層52的區域中主要安裝電容 器、電阻等電子零件,並在形成有焊錫層52的區域中安裝 數子鍵盤等外接端子,而製成多層印刷佈線板。 (實施例2) 除將形成於分別積層在上述雙面電路基板之表面及背面 上的絕緣層中,且構成第i介層洞組及第2介層洞組的各介 層洞’如圖3A所示,形成相互偏離約介層洞徑之ι/2距離 的位置之外,其餘均大致如同實施例丨般的製造多層印刷 佈線板。 (實施例3) 除將形成於分別積層在上述雙面電路基板及其上方的絕 150406.doc •30- 201101955 緣層中之第1介層洞組,以及形成於積層在雙面電路基板 下方的絕緣層中之第2介層洞組的各介層洞,如圖3B所 示,形成於相互偏離大致介層洞徑的位置之外,其餘均大 致如同實施例1般的製造多層印刷佈線板。 (實施例4) 除在上述雙面電路基板之上方積層有2層絕緣層,並在 雙面電路基板之下方積層有1層絕緣層,而形成絕緣層數4 層、導體電路數5層的多層印刷佈線板之外,其餘均大致 ζ) 如同實施例1般的製造多層印刷佈線板。 (實施例5) 除在上述雙面電路基板之上方積層有2層絕緣層,並在 雙面電路基板之下方積層有1層絕緣層,而形成絕緣層數4 層、導體電路數5層的多層印刷佈線板之外,其餘均大致 如同實施例2般的製造多層印刷佈線板。 (實施例6) 除在上述雙面電路基板之上方積層有2層絕緣層,並在 Ο 雙面電路基板之下方積層有1層絕緣層,而形成絕緣層數4 層、導體電路數5層的多層印刷佈線板之外,其餘均大致 如同實施例3般的製造多層印刷佈線板。 (實施例7) 除將形成於積層在上述雙面電路基板及其上方之絕緣層 中的第1介層洞組’如圖4所示,相對於形成於積層在雙面 電路基板下方之絕緣層中的第2介層洞組,依相互朝水平 方向偏離大致介層洞徑的位置關係施行積層之外,其餘均 150406.doc -31· 201101955 大致如同實施例1般的製造多層印刷佈線板。 (實施例8) 除在上述雙面電路基板之上方積層有2層絕緣層,並在 雙面電路基板之下方積層有丨層絕緣層,而形成絕緣層數4 層、導體電路數5層的多層印刷佈線板之外,其餘均大致 如同實施例7般的製造多層印刷佈線板。 (實施例9) 除使形成上述第1介層洞組的介層洞,如圖5B所示,位 於絕緣基板上的假想正方格子(格子間隔:1〇 mm)之各頂 點處,並使形成另一介層洞組的介層洞位於上述假想正方 格子之中心的方式積層之外,其餘均大致如同實施例4般 的製造多層印刷佈線板。 (實施例10) 除依使形成上述第1介層洞組的介層洞,如圖6所示,位 於上述絕緣基板上的假想三角格子(格子間隔:20 m叫之 各頂點處,並使形成第2介層洞組的介層洞位於上述假想 三角格子之中心處的方式積層之外,其餘均大致如同實施 例4般的製造多層印刷佈線板。 (實施例11) 除使構成上述第1介層洞組的介層洞’如圖8A所示,位 於上述絕緣基板大致中央處’並|中配置於扣_χ4〇咖 之區域内,並且使構成第2介層洞組的介層洞,配置於包 圍上述中央處的周邊區域(在4〇 mmx4〇瓜爪的中央區域之 外側,且70 _100 _區域之内側)之外其餘均大致如 150406.doc -32- 201101955 同實施例4般的製造多層印刷佈線板。 (比較例1) 雖形成構成第1介層洞組的介層洞,但並未形成第2介層 洞組。其餘均大致如同實施例1般的製造多層印刷佈線 板。 (比較例2) 未形成構成第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞。其餘 均大致如同實施例i般的製造多層印刷佈線板。 〇 對於依照如上述實施例1〜11及比較例1〜2所製得之多層 印刷佈線板,施行A項目評估試驗,將各自所製得之多層 印刷佈線板收納於電子機器的框體中之後,並施行B項目 及C項目的評估試驗。該等評估試驗的結果,如表丨所示。 Α·基板負荷試驗 從基板一端被固定的水平狀態,將未固定之另一端上舉 約3cm而使基板翹曲後,再回復成水平狀態的步驟,重複 貫施30次。然後,施行對應於多層介層洞之特定電路的導 〇 通試驗,為確認開路(導體電路斷線)狀態,測量電阻值變 化量,並計算出電阻變化率,結果如表丨所示。 —另外,電阻變化率=((基板負荷試驗後的電阻值_基板負 荷試驗前的電阻值)/基板負荷試驗前的電阻值) 、 Β·可靠度試驗 對於依照上述實施例1〜u及比較例卜2所製得之多層印 刷佈線板,施行導通測試,分別隨機取出1〇個良品。缺 後,在熱循環條件下(將-5VC/3分仁413(TC/3分當作 150406.doc -33- 201101955 環),分別施行直到循環數為1000次、2〇〇〇次、3〇〇〇次為 止’且分別於每隔1000次,自然放置2小時後,再施行導 通試驗,為確認有無出現導體電路斷線之狀況,將耦接電 阻之變化量超過1 0%((熱循環後的耦接電阻值_初期值的耦 接電阻值)/初期值的耦接電阻值)者視為「不良」,並將該 視為不良之數量記於表1中。 C.落下試驗 在將安裝液晶顯示部朝下的狀態下,將收納有基板的框 體從lm高度處自然落下。實施5〇次、1〇〇次、15〇次之掉 落,而確認導體電路之導通狀態。 另外,當耦接電阻值之變化量在5%以内的情況,記為 〇(佳)’當耦接電阻值之變化量在i 〇%以内的情況,記為 △(中等),畲耦接電阻值之變化量超過丨0%的情況,記為 X(不佳)。 (表1)
負荷試驗 可靠度試驗 落下試驗 ~ 電阻變化率 1000次 2000次 3000次 50次 100次 150次 實施例1 3% 0 1 3 〇 〇 〇' 實施例2 5% 0 1 4 〇 〇 △ 實施例3 5% 0 2 3 〇 〇 △ 實施例4 4% 0 2 4 〇 〇 〇— 實施例5 3% 0 1 4 〇 〇 〇' 實施例6 4% 0 2 3 〇 〇 〇 實施例7 5% 1 3 4 〇 〇 △ 實施例8 4% ~0~ 1 3 〇 〇 〇 實施例9 3% 0 2 4 〇 〇 △ 實施例10 3% 0 1 3 〇 〇 〇 實施例11 4% 0 2 4 〇 〇 Δ 比較例1 9% 1 4 6 〇 Δ X 比較例2 11% 1 6 9 △ X X 150406.doc •34- 201101955 (參考例) 以評估項目A的结果數據為基礎,分別製作出構成第1介 層洞組與第2介層洞組的介層洞推拔角度(指相對於導體電 路表面的内角)為S5度、6〇度、7〇度、75度、8〇度、Μ 度、90度及95度,合計8種不同基板,並施行模擬。對該 等基板依照如同各實施例與比較例中之評估項目Α.的基板 負荷試驗施行50次,而施行耦接電阻之變化量的模擬,電 阻之變化率的結果’如表2所示。 〇 (表 2) 推拔角 ~~ 電阻變化率 55度 7.42% 度 1 4^89% 〒。度 —~- 478% 75度 4.65% k度 "—' 4.58% 85度 4.76% - 90度 4.89% 95度 6.98% 〜 (產業上之可利用性) 〇 如上述所說明’因為可抑制掉落時的衝擊力等外部應 力可抑制絕緣層龜曲之狀況,因而可提供能防止導體電 出見龜裂或斷線等狀況,且可減輕安裝基板的可靠度斑 耐掉落性降低之程度的多層印刷佈線板。 、 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之多層印刷佈線板的介層洞推拔形狀說明 概略圖。 為本發明之夕層印刷伟線板的多層堆疊介層洞的一 150406.doc • 35 - 201101955 基本形態之概略圖,圖呈古兮'夕a _ 馬具有β玄多層堆疊介層洞的基板 截面之SEM照片。 圖3Α為多層堆疊介層洞之變化例的概略圖,請為該 基板截面之SEM照片,圖3(:為多層堆叠介層洞另一變化例 概略圖’圖3D為該基板截面SEM照片。 圖4為本發明之多層印刷佈線板的多層堆疊介層洞之另 一基本形態的概略圖。 圖5A、5B、5C為構成多層堆疊介層洞,其介層洞平面 配置模式例之概略圖。 圖6為構成多層堆疊介層洞的介層洞平面配置模另一例 (二角格子狀排列)之概略圖。 圖7為構成多層堆疊介層洞的介層洞平面配置模式再另 一例(直線狀排列)之概略圖。 圖8A、8B為構成多層堆疊介層洞的介層洞平面配置模 式再另一例(集中排列、分散排列)之概略圖。 圖9A、9B、9C' 9D' 9E為製造本發明的實施例1之多層 印刷佈線板的步驟之一部分的圖。 圖10A、10B、l〇C、10D、10E為製造本發明實施例 多層印刷佈線板的步驟之一部分的圖。 圖11為製造本發明實施例1之多層印刷佈線板的步驟之 一部分的圖。 圖12 A、12B為製造本發明實施例1之多層印刷佈線板的 步驟之一部分的圖。 【主要元件符號說明】 150406.doc -36- 201101955
10 雙面貼銅積層板 12 絕緣性基材 14 銅绪 16、 30 介層洞形成用開口 20、 34 介層洞 20A 第1介層洞組 20B 第2介層洞組 22 ' 36 蝕刻光阻層 24 ' 44 導體電路圖案 26 > 40 樹脂絕緣層(絕緣層) 28 導體層 32 電解鍍銅膜 38 導體電路 38A 導體電路(外層) 38B 導體電路(内層) 46 防焊劑層 48 開口 50 導體焊墊 52 焊錫層 θ 推拔角度 150406.doc •37-
Claims (1)
- 201101955 七、申請專利範圍: 1. 一種多層印刷佈線板,其係將絕緣層與導體層交互積 層,並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層彼此電性 連接者;其特徵在於: 上述介層洞由第1介層洞組及第2介層洞組所構成;該 第1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層 朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構 成;該第2介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另 0 一絕緣層朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層 洞所構成; 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,具有 向絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層 之厚度係100 μιη以下; 上述第1介層洞組及第2介層洞組係形成於不同之絕緣 層。 2. 一種多層印刷佈線板,其係將絕緣層與導體層交互積 〇 層’並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層彼此電性 連接者;其特徵在於: 上述介層洞由第1介層洞組及第2介層洞組所構成;該 第1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層 朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構 成;該第2介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另 一絕緣層朝著積層在内側的至少丨層絕緣層設置之介層 洞所構成; I50406.doc 201101955 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,具有 向絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層 之厚度係100 μιη以下; 上述第1介層洞組係以形成於多層佈線板之一方最表 面之絕緣層之介層洞為基點,朝向内層側積層有介層洞 者。 一種多層印刷佈線板’其係將絕緣層與導體層交互積 層’並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層彼此電性 連接者;其特徵在於: 上述介層洞由弟1介層洞組及第2介層洞組所構成;該 第1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層 朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構 成’該第2介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另 一絕緣層朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層 洞所構成; 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,具有 向絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層 之厚度係10 0 μιη以下; 上述第1介層洞組及第2介層洞組係夾著一包含導體電 路之絕緣基板而形成。 一種多層印刷佈線板,其係將絕緣層與導體層交互積 層’並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層彼此電性 連接者;其特徵在於: 上述介層洞由第1介層洞組及第2介層洞組所構成;該 150406.doc 201101955 第1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層 朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構 成’該第2介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另 —絕緣層朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層 洞所構成; 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,具有 向絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層 之厚度係10 0 μηι以下; Ο 上述第1介層洞組係積層於積層時為中心之絕緣層之 側’上述第2介層洞組係積層於積層時為中心之上述 絕緣層之另一側。 5' 一種多層印刷佈線板’其係將絕緣層與導體層交互積 層,並利用設置於絕緣層中之介層洞將導體層彼此電性 連接者;其特徵在於: 上述介層洞由第1介層洞組及第2介層洞組所構成;該 第1介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之一絕緣層 ° 朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層洞所構 成,該第2介層洞組由從位於最外側的2個絕緣層中之另 一絕緣層朝著積層在内側的至少1層絕緣層設置之介層 洞所構成; 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組的介層洞,具有 向絕緣層厚度方向逐漸縮徑的推拔形狀,且上述絕緣層 之厚度係100 μιη以下; 上述第1介層洞組及第2介層洞組中,至少構成其中一 150406.doc 201101955 方之介層洞組之介層洞之各個係具有朝向另一方之介層 洞組而逐漸縮徑的推拔形狀。 6.如吻求項1〜5之任一多層印刷佈線板,其中設置於上述 絕緣層之介層洞係: 積層有下層介層洞及上層介層洞, 以相對於形成有介層洞之絕緣層之—方之表面或設置 於°亥表面上之導體電路而成為推拔狀之方式所形成, 積層在與絕緣層之厚度方向大致正交之方向上偏移後 之位置,且 積層於使該等介層洞之底面至少一部份重疊之位置。 7 _如凊求項1〜5之任一多層印刷佈線板,其中上述介層洞 係以無電解鍍膜或電解鍍膜形成。 8.如&求項1〜5之任一多層印刷佈線板’其中包含於絕緣 性基材之一面或兩面上貼有銅箔之電路基板作為基本單 元; 貝占於上述絕緣性基材之銅箔之厚度係5〜20 μπι。 9·如請求項i〜5之任一多層印刷佈線板,其中上述介層洞 形成用開口之口徑係50〜250 μιη。 1〇·如請求項U之任一多層印刷佈線板,其中上述介層洞 ^成用開口之側壁及底壁係施加有去潰(desmear)處理。 11. 如1求項1〜5之任一多層印刷佈線板,其中作為上述導 體層上之導體電路之一部份的焊盤(land)之外徑係大於 上述介層洞徑。 12. 如請求項11之多層印刷佈線板,其中上述焊盤的外徑係 150406.doc 201101955 75〜350 pm。 13,如請求項1〜5之任一多層印刷佈線板,其中 構成上述第1介層洞組及第2介層洞組之介層洞係偏移 地積層;且 使構成上述第丨介層洞組及第2介層洞組之各介層洞开, 成於互相偏移了介層洞徑之1 /2的距離之位置上。 〇 150406.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005199443 | 2005-07-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201101955A true TW201101955A (en) | 2011-01-01 |
TWI345438B TWI345438B (zh) | 2011-07-11 |
Family
ID=37637236
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095124798A TW200718323A (en) | 2005-07-07 | 2006-07-07 | Multilayered printed wiring board |
TW099128529A TW201101955A (en) | 2005-07-07 | 2006-07-07 | Multilayer printed wiring board |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095124798A TW200718323A (en) | 2005-07-07 | 2006-07-07 | Multilayered printed wiring board |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7834273B2 (zh) |
EP (4) | EP2312923B1 (zh) |
JP (2) | JP5172340B2 (zh) |
KR (1) | KR100987619B1 (zh) |
CN (2) | CN101772261B (zh) |
TW (2) | TW200718323A (zh) |
WO (1) | WO2007007857A1 (zh) |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7759582B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-07-20 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
US7834273B2 (en) * | 2005-07-07 | 2010-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
WO2008053833A1 (fr) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Ibiden Co., Ltd. | Tableau de câblage imprimé multicouche |
US8569876B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-10-29 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
WO2008112068A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-09-18 | Dynamic Details, Inc. | Multilayer printed wiring boards with copper filled through-holes |
US8877565B2 (en) * | 2007-06-28 | 2014-11-04 | Intel Corporation | Method of forming a multilayer substrate core structure using sequential microvia laser drilling and substrate core structure formed according to the method |
US8440916B2 (en) | 2007-06-28 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method |
JP2009200310A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Fujikura Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2009231596A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | 多層配線板、多層配線板ユニット、および電子機器 |
US8263878B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-09-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
JP5233637B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2013-07-10 | 日立金属株式会社 | 多層セラミック基板、及び電子部品 |
DE102008019127B4 (de) * | 2008-04-16 | 2010-12-09 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement |
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- 2006-07-07 TW TW095124798A patent/TW200718323A/zh unknown
- 2006-07-07 CN CN2010101032938A patent/CN101772261B/zh active Active
- 2006-07-07 KR KR1020077011447A patent/KR100987619B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-07 EP EP11001003A patent/EP2312923B1/en active Active
- 2006-07-07 JP JP2007524715A patent/JP5172340B2/ja active Active
- 2006-07-07 CN CN2006800012939A patent/CN101069458B/zh active Active
- 2006-07-07 EP EP11001004A patent/EP2312924B1/en active Active
- 2006-07-07 EP EP11001002A patent/EP2312922B1/en active Active
- 2006-07-07 WO PCT/JP2006/314011 patent/WO2007007857A1/ja active Application Filing
- 2006-07-07 TW TW099128529A patent/TW201101955A/zh unknown
- 2006-07-07 EP EP06781086A patent/EP1858307B1/en active Active
-
2010
- 2010-06-21 US US12/819,805 patent/US8212363B2/en active Active
-
2011
- 2011-09-23 US US13/243,112 patent/US8481424B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-16 JP JP2012059654A patent/JP5415580B2/ja active Active
Also Published As
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TW200718323A (en) | 2007-05-01 |
CN101772261B (zh) | 2012-08-29 |
JPWO2007007857A1 (ja) | 2009-01-29 |
EP2312923B1 (en) | 2012-09-12 |
JP5415580B2 (ja) | 2014-02-12 |
WO2007007857A1 (ja) | 2007-01-18 |
EP2312924B1 (en) | 2012-09-12 |
US7834273B2 (en) | 2010-11-16 |
TWI345438B (zh) | 2011-07-11 |
EP2312922A1 (en) | 2011-04-20 |
US8212363B2 (en) | 2012-07-03 |
JP5172340B2 (ja) | 2013-03-27 |
EP1858307B1 (en) | 2012-05-16 |
EP1858307A1 (en) | 2007-11-21 |
TWI335784B (zh) | 2011-01-01 |
KR100987619B1 (ko) | 2010-10-13 |
EP1858307A4 (en) | 2010-08-11 |
US20120005889A1 (en) | 2012-01-12 |
EP2312924A1 (en) | 2011-04-20 |
CN101069458B (zh) | 2010-04-07 |
EP2312922B1 (en) | 2012-09-12 |
KR20070070225A (ko) | 2007-07-03 |
US8481424B2 (en) | 2013-07-09 |
US20070096328A1 (en) | 2007-05-03 |
CN101772261A (zh) | 2010-07-07 |
JP2012156525A (ja) | 2012-08-16 |
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US20100252318A1 (en) | 2010-10-07 |
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