JP2017050391A - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加熱プレス後の多層基板の平坦性を向上させる。
【解決手段】加熱プレス前の積層体20において、少なくとも2つ以上のランド電極11を、積層方向から見て、互いにずらして配置することで、積層方向に並ぶ少なくとも2つ以上の隙間22を、積層方向から見て、互いにずらして配置する。この積層体20を加熱プレスすることで、樹脂フィルム10を構成する樹脂材料が流動して積層体20の内部の隙間22が埋められる。これによれば、積層方向に並ぶ複数の隙間22が積層方向から見て同じ位置にある場合と比較して、多層基板1の平坦性を向上させることができる。
【選択図】図2B
【解決手段】加熱プレス前の積層体20において、少なくとも2つ以上のランド電極11を、積層方向から見て、互いにずらして配置することで、積層方向に並ぶ少なくとも2つ以上の隙間22を、積層方向から見て、互いにずらして配置する。この積層体20を加熱プレスすることで、樹脂フィルム10を構成する樹脂材料が流動して積層体20の内部の隙間22が埋められる。これによれば、積層方向に並ぶ複数の隙間22が積層方向から見て同じ位置にある場合と比較して、多層基板1の平坦性を向上させることができる。
【選択図】図2B
Description
本発明は、多層基板およびその製造方法に関するものである。
従来、多層基板の製造方法として、表面に形成されたランド電極と貫通孔に埋め込まれたビア形成材料とを有する樹脂フィルムを複数積層して積層体を形成し、この積層体を加熱プレスする方法がある(例えば、特許文献1参照)。この加熱プレスは、樹脂フィルムが軟化する温度で行われる。加熱プレスにより、樹脂フィルムが軟化して流動し、隣り合う樹脂フィルムの間に存在する隙間が埋められ、隣り合う樹脂フィルム同士が熱融着により接着される。
ところで、従来では、各樹脂フィルムに形成される各ランド電極は、同じ平面パターン形状とされていた。そして、各ランド電極は、積層体を樹脂フィルムの積層方向から見て、同じ位置に配置されていた。また、各樹脂フィルムの各ビアは、ビアの中心をランド電極の中心に合わせて配置されていた。すなわち、積層体において、各ビアは、複数の樹脂フィルムの積層方向で直線状に並んで配置されていた。
ここで、加熱プレス前の積層体において、隣り合う樹脂フィルムの間に存在する隙間は、1つの樹脂フィルムの表面におけるランド電極とランド電極との間に生じている。すなわち、ランド電極が配置されていない領域に隙間が生じている。このため、加熱プレス後の多層基板において、ランド電極が配置されていない領域は、ランド電極が配置されている領域と比較して、多層基板の厚さが薄くなってしまう。このような理由により、加熱プレス後の多層基板において、基板表面の平坦性が悪くなってしまう。
本発明は上記点に鑑みて、加熱プレス後の多層基板の平坦性を向上させることができる多層基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、多層基板の製造方法であって、
少なくとも樹脂材料で構成されたフィルム状の絶縁基材(10)であって、絶縁基材の表面に形成され、所定の平面形状を有するランド電極(11)と、厚さ方向に貫通して形成された貫通孔(13)に充填され、ランド電極と連なる層間接続材料(14)とを備えるものを複数枚準備する準備工程と、
複数枚の絶縁基材を積層し、絶縁基材の積層方向において、複数のランド電極と複数の層間接続材料とが連続した連続構造(21)をなすとともに、積層される絶縁基材同士の間であってランド電極が配置されていない領域に生じた隙間(22)が積層方向に複数存在する積層体(20)を形成する積層工程と、
積層方向にて積層体を加熱しつつ加圧することにより、複数枚の絶縁基材を流動させて隙間を埋める加熱加圧工程とを有し、
積層工程は、連続構造を構成する少なくとも2つ以上のランド電極が、積層方向から見て互いにずらして配置されるとともに、積層方向に存在する少なくとも2つ以上の隙間が、積層方向から見て互いにずらして配置された積層体を形成することを特徴としている。
少なくとも樹脂材料で構成されたフィルム状の絶縁基材(10)であって、絶縁基材の表面に形成され、所定の平面形状を有するランド電極(11)と、厚さ方向に貫通して形成された貫通孔(13)に充填され、ランド電極と連なる層間接続材料(14)とを備えるものを複数枚準備する準備工程と、
複数枚の絶縁基材を積層し、絶縁基材の積層方向において、複数のランド電極と複数の層間接続材料とが連続した連続構造(21)をなすとともに、積層される絶縁基材同士の間であってランド電極が配置されていない領域に生じた隙間(22)が積層方向に複数存在する積層体(20)を形成する積層工程と、
積層方向にて積層体を加熱しつつ加圧することにより、複数枚の絶縁基材を流動させて隙間を埋める加熱加圧工程とを有し、
積層工程は、連続構造を構成する少なくとも2つ以上のランド電極が、積層方向から見て互いにずらして配置されるとともに、積層方向に存在する少なくとも2つ以上の隙間が、積層方向から見て互いにずらして配置された積層体を形成することを特徴としている。
本発明では、加熱加圧工程前の積層体において、少なくとも2つ以上のランド電極を互いにずらして配置することで、積層方向に並ぶ少なくとも2つ以上の隙間を互いにずらして配置している。これにより、積層方向に並ぶ複数の隙間の全てが積層方向から見て同じ位置にある場合と比較して、加熱加圧後の多層基板の厚みを均一に近づけることができる。よって、本発明によれば、多層基板の平坦性を向上させることができる。
また、請求項5に記載の発明では、多層基板であって、
少なくとも樹脂材料で構成されており、積層された複数枚のフィルム状の絶縁基材(10)と、
複数の絶縁基材のそれぞれの表面に配置され、所定の平面形状を有する複数のランド電極(11)と、
複数の絶縁基材のぞれぞれに設けられ、ランド電極と接続された複数の層間接続材料(12)とを備え、
複数のランド電極と複数の層間接続材料とは、絶縁基材の積層方向において、連続した連続構造(21)をなしており、
連続構造を構成する少なくとも2つ以上のランド電極が、積層方向から見て互いにずらして配置されていることを特徴としている。
少なくとも樹脂材料で構成されており、積層された複数枚のフィルム状の絶縁基材(10)と、
複数の絶縁基材のそれぞれの表面に配置され、所定の平面形状を有する複数のランド電極(11)と、
複数の絶縁基材のぞれぞれに設けられ、ランド電極と接続された複数の層間接続材料(12)とを備え、
複数のランド電極と複数の層間接続材料とは、絶縁基材の積層方向において、連続した連続構造(21)をなしており、
連続構造を構成する少なくとも2つ以上のランド電極が、積層方向から見て互いにずらして配置されていることを特徴としている。
本発明では、連続構造を構成する少なくとも2つ以上のランド電極を、積層方向から見て互いにずらして配置している。これにより、表面にランド電極が形成された複数枚の絶縁基材を積層して積層体を形成し、この積層体を加熱加圧して多層基板を製造した場合において、多層基板の厚みを均一に近づけることができる。よって、本発明によれば、多層基板の平坦性を向上させることができる。
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 (第1実施形態)
図1に示すように、本実施形態の多層基板1は、樹脂フィルム10が複数枚積層されたものである。多層基板1は、積層方向での一方側の表面である一面1aとその反対側の表面である他面1bとを有している。多層基板1には、樹脂フィルム10の積層方向において、複数のランド電極11が配置されている。ランド電極11は、多層基板1の一面1a、他面1bや樹脂フィルム10同士の間に配置されている。複数のランド電極11は、樹脂フィルム10に設けられたビア12を介して、互いに電気的に接続されている。多層基板1の厚さ方向、すなわち、複数の樹脂フィルム10の積層方向で、ランド電極11とビア12とが交互に接続されている。図1中のZ方向が多層基板1の厚さ方向である。ランド電極11とビア12は、多層基板1の厚さ方向における配線を構成するものである。
図1に示すように、本実施形態の多層基板1は、樹脂フィルム10が複数枚積層されたものである。多層基板1は、積層方向での一方側の表面である一面1aとその反対側の表面である他面1bとを有している。多層基板1には、樹脂フィルム10の積層方向において、複数のランド電極11が配置されている。ランド電極11は、多層基板1の一面1a、他面1bや樹脂フィルム10同士の間に配置されている。複数のランド電極11は、樹脂フィルム10に設けられたビア12を介して、互いに電気的に接続されている。多層基板1の厚さ方向、すなわち、複数の樹脂フィルム10の積層方向で、ランド電極11とビア12とが交互に接続されている。図1中のZ方向が多層基板1の厚さ方向である。ランド電極11とビア12は、多層基板1の厚さ方向における配線を構成するものである。
各樹脂フィルム10は、フィルム状の絶縁基材である。各樹脂フィルム10は、熱可塑性樹脂で構成されている。各樹脂フィルム10は、相互に接着されている。各ランド電極11は、銅箔等の金属箔により構成されている。各ランド電極11の平面形状は、同じ円形状である。各ビア12は、樹脂フィルム10の両側に位置するランド電極同士を接続する層間接続材料である。各ビア12は、金属粉末の焼結体によって構成されている。各ビア12の平面形状は、同じ円形状である。
多層基板の厚さ方向で電気的に接続されている複数のランド電極11および複数のビア12において、1つのランド電極11が、他の1つのランド電極11に対してずらして配置されているとともに、1つのビア12が、他の1つのビア12に対してずらして配置されている。ここで、2つのランド電極11がずらして配置されているとは、2つのランド電極11のそれぞれの多層基板1の表面に沿う方向での両端部11aの位置が異なることを意味する。同様に、2つのビア12がずらして配置されているとは、2つのビア12のそれぞれの多層基板1の表面に沿う方向での両端部12aの位置が異なっていることを意味する。
なお、本実施形態では、X方向において、複数のランド電極11のそれぞれがずらして配置されているとともに、複数のビア12のそれぞれがずらして配置されている。Y方向においては、複数のランド電極11のそれぞれが同じ位置に配置されているとともに、複数のビア12のそれぞれが同じ位置に配置されている。X方向は、多層基板1の表面に沿う一方向である。Y方向は、多層基板1の表面に沿う方向であって、X方向に垂直な方向である。
次に、本実施形態の多層基板1の製造方法について説明する。
まず、図2Aに示すように、ランド電極11等が形成された複数枚の樹脂フィルム10を準備する準備工程を行う。具体的には、各樹脂フィルム10の片面に金属箔を設け、金属箔をパターニングする。これにより、各樹脂フィルム10の片面のみにランド電極11を形成する。その後、レーザ加工やドリル加工により、各樹脂フィルム10にビアホール13を形成する。ビアホール13は、樹脂フィルム10の厚さ方向にて樹脂フィルム10の両面を貫通する貫通孔である。ビアホール13は、ランド電極11を貫通していない。換言すると、ビアホール13は、ランド電極11を底部とする有底孔である。ビアホール13は、樹脂フィルム10の厚さ方向から見て、ランド電極11と重なる位置に形成される。その後、ペースト状の金属材料14をビアホール13に充填する。ペースト状の金属材料14は、有機溶剤等を混ぜることによって金属粉末をペースト状にしたものである。これにより、金属材料14がランド電極11と連なる。金属材料14は、ビア12を形成するためのビア形成用材料である。したがって、金属材料14が層間接続材料を構成している。
続いて、図2Bに示すように、複数枚の樹脂フィルム10を積層して積層体20を形成する積層工程を行う。この積層工程では、基本的に、1枚の樹脂フィルム10のランド電極11が形成されている面10aと、他の1枚の樹脂フィルム10のランド電極11が形成されていない面10bとを向かい合わせる。そして、複数枚の樹脂フィルム10のうち積層方向の中央に位置する2枚の樹脂フィルム101、102については、ランド電極11が形成されていない面10b同士を向かい合わせる。これにより、複数の樹脂フィルム10の積層方向において、複数のランド電極11と複数の金属材料14とが連続した連続構造21をなす積層体20を形成する。本実施形態の連続構造21は、多層基板1の一面1aに位置するランド電極11から多層基板1の他面1bに位置するランド電極11までの複数のランド電極11によって形成されている。この積層体20の内部には、積層される樹脂フィルム10同士の間であって、ランド電極11が配置されていない領域に生じた隙間22が、積層方向(すなわち、図2A中のZ方向)に複数存在する。
このとき、1つの連続構造21を構成する少なくとも2つ以上のランド電極11が、積層方向から見て互いにずらして配置されている。図2では、上から1番目のランド電極11に対して、上から2番目のランド電極11および3番目のランド電極11がずらして配置されている。さらに、上から1番目と2番目のランド電極11の両方に対して、上から6番目のランド電極11および7番目のランド電極11がずらして配置されている。同様に、1つの連続構造21を構成する少なくとも2つ以上の金属材料14が、積層方向から見て互いにずらして配置されている。2つの金属材料14がずらして配置されているとは、2つの金属材料14のそれぞれの多層基板1の表面に沿う方向での両端部の位置が異なることを意味する。これにより、積層体の内部において、積層方向に複数存在する隙間のうち少なくとも2つ以上の隙間も、積層方向から見て互いにずらして配置されている。
続いて、図2Cに示すように、積層方向にて積層体20を加熱しつつ加圧する加熱加圧工程を行う。このときの加熱温度は、樹脂フィルム10を構成する熱可塑性樹脂が軟化して流動する温度である。この工程では、熱可塑性樹脂が流動して積層体20の内部の隙間22が埋められる。そして、各樹脂フィルム10が相互に接着されて一体化する。また、このときの加熱により、金属材料14が焼結してビア12が形成される。これにより、積層方向に並ぶ複数のランド電極11が複数のビア12を介して電気的に接続される。以上により、図1に示す多層基板1が製造される。
ここで、本実施形態の多層基板1の製造方法と図3A、3Bに示す比較例1の多層基板J1の製造方法とを比較する。
比較例1では、図3Aに示すように、加熱加圧工程前の積層体J20において、同じ円形状である各ランド電極11が、積層方向から見て同じ位置に配置されている。これにより、積層方向に並ぶ複数の隙間22の全てが、積層方向から見て同じ位置にある。積層体20は、積層方向に垂直な方向において、ランド電極11が配置された領域R1と、ランド電極11が配置されていない領域であって、隙間22が存在する領域R2とを有している。
このため、図3Bに示すように、加熱加圧工程後では、多層基板J1のうち各ランド電極11が配置されていない領域R2の厚さT2が、多層基板J1のうち各ランド電極11が配置されている領域R1の厚さT1と比較して薄くなる。このように、比較例1の多層基板J1の製造方法では、多層基板1の平坦性が悪くなってしまう。
これに対して、本実施形態では、加熱加圧工程前の積層体20において、少なくとも2つ以上のランド電極11を、積層方向から見て、互いにずらして配置している。これにより、積層方向に並ぶ少なくとも2つ以上の隙間22を、積層方向から見て、互いにずらして配置している。具体的には、各ランド電極11を3種類の異なる配置場所のいずれかに配置している。各隙間22を3種類の異なる配置場所のいずれかに配置している。
このため、比較例1と比較して、加熱加圧工程後の多層基板1の厚みT3を均一に近づけることができる。よって、本実施形態によれば、多層基板1の平坦性を向上させることができる。
また、比較例1の製造方法によって製造される多層基板J1は、図4Aに示すように、Z方向において樹脂のみが存在する樹脂領域R2と、Z方向において金属のみが存在する金属領域R3と、Z方向において金属と樹脂が混在する混在領域R4とを有する。換言すると、多層基板J1は、X方向で隣り合う任意の2つのランド電極11の間の領域は、樹脂のみが存在する領域となっている。
このため、熱ストレスによって多層基板J1の内部が破損するという問題が生じる。具体的には、図4Bに示すように、常温よりも高温になると、多層基板J1が膨張する。このとき、樹脂領域R2、金属領域R3、混在領域R4のそれぞれを構成する材料の熱膨張係数が異なるため、ビア12に対してZ方向の引張応力が発生する。一方、図4Cに示すように、常温よりも低温になると、多層基板J1が収縮する。このとき、樹脂領域R2、金属領域R3、混在領域R4のそれぞれを構成する材料の熱膨張係数が異なるため、ビア12に対してZ方向の圧縮応力が発生する。この引張応力や圧縮応力によって、ビア12に対して引張応力がかかるため、ビア12にクラックが発生してしまう。
これに対して、本実施形態の多層基板1は、図1に示すように、Z方向において樹脂のみが存在する領域やZ方向において金属のみが存在する領域が無い状態となっている。換言すると、多層基板1は、X方向で隣り合う任意の2つのランド電極11の間の領域は、金属と樹脂が混在する混在領域となっている。
このため、金属と樹脂のそれぞれの熱膨張係数の違いによって発生する応力を分散させることができる。これにより、熱ストレスによる多層基板1の破損の発生を抑制できる。よって、多層基板1の信頼性を向上させることができる。
なお、本実施形態では、加熱加圧工程前の積層体20において、1つの連続構造21を構成する複数のランド電極11をずらして配置して、Z方向において樹脂のみが存在する樹脂領域R2が完全に無い状態としたが、樹脂領域R2が完全に無くなっていなくてもよい。複数のランド電極11をずらして配置することにより、比較例1の積層体J20と比較して、樹脂領域R2を少なくする。これによっても、比較例1と比較して、多層基板1の平坦性を向上させることができる。ただし、多層基板1の平坦性をより高めるという観点では、Z方向において樹脂のみが存在する樹脂領域R2が完全にない状態とすることが好ましい。
また、本実施形態では、積層工程において、複数枚の樹脂フィルム10のうち積層方向の中央に位置する2枚の樹脂フィルム101、102について、ランド電極11が形成されていない面10b同士を向かい合わせたが、複数枚の樹脂フィルム10のうち積層方向の中央以外の他の位置の2枚の樹脂フィルム10について、ランド電極11が形成されていない面10b同士を向かい合わせてもよい。
(第2実施形態)
図5に示すように、本実施形態の多層基板1は、ランド電極11およびビア12がずらして配置されている第1領域R11と、ランド電極11およびビア12が同じ位置に配置されている第2領域R12とを備えている。
図5に示すように、本実施形態の多層基板1は、ランド電極11およびビア12がずらして配置されている第1領域R11と、ランド電極11およびビア12が同じ位置に配置されている第2領域R12とを備えている。
第1領域R11は、第1実施形態の多層基板1と同様の構造を有している。第1領域R11における多層基板1の表面1aにICチップ31が実装されている。ICチップ31は、ボール状の半田32によって、ランド電極11と接続されている。
第2領域R12は、第1実施形態で説明した比較例1の多層基板J1と同様の構造を有している。第2領域R12における多層基板1の表面1aにICチップ33が実装されている。ICチップ33は、ワイヤ34によって、ランド電極11と接続されている。
本実施形態では、第1領域R11の方が第2領域R12よりも高い平坦性が要求される。そこで、第1領域R11において、第1実施形態と同様に、ランド電極11とビア12をずらして配置する。すなわち、加熱加圧工程前の積層体20において、少なくとも2つ以上のランド電極11を互いにずらして配置するとともに、少なくとも2つ以上の金属材料14を互いにずらして配置する。これにより、第1領域R11の平坦性を向上させることができる。
(第3実施形態)
図6に示すように、本実施形態の多層基板1は、Z方向に並んで電気的に接続されている複数のランド電極11から構成される複数のランド電極群G1、G2、G3、G4を有している。これらの複数のランド電極群G1、G2、G3、G4は、多層基板1の表面に沿う方向(例えば、X方向)に複数並んで配置されている。そして、複数のランド電極群G1、G2、G3、G4は、多層基板1の一面1aに位置するランド電極11同士のピッチP1と、多層基板1の他面1bに位置するランド電極11同士のピッチP4とが異なるように配置されている。ランド電極11同士のピッチとは、多層基板1の表面に沿う方向で隣り合うランド電極11の中心間の距離である。
図6に示すように、本実施形態の多層基板1は、Z方向に並んで電気的に接続されている複数のランド電極11から構成される複数のランド電極群G1、G2、G3、G4を有している。これらの複数のランド電極群G1、G2、G3、G4は、多層基板1の表面に沿う方向(例えば、X方向)に複数並んで配置されている。そして、複数のランド電極群G1、G2、G3、G4は、多層基板1の一面1aに位置するランド電極11同士のピッチP1と、多層基板1の他面1bに位置するランド電極11同士のピッチP4とが異なるように配置されている。ランド電極11同士のピッチとは、多層基板1の表面に沿う方向で隣り合うランド電極11の中心間の距離である。
具体的には、各層におけるランド電極11のピッチP1〜P4は、一面1a側から1層目のランド電極11同士のピッチP1、2層目のランド電極11同士のピッチP2、3層目のランド電極11同士のピッチP3、4層目のランド電極11同士のピッチP4の順に大きくなっている。このように、各層におけるランド電極11のピッチP1〜P4が、一面1aから他面1bに向かうにつれて大きくなるように、各ランド電極群G1〜G4においてランド電極11をずらして配置している。これにより、他面1bでのランド電極11同士のピッチP4が、一面1aでのランド電極11同士のピッチP1よりも大きくなっている。
このような多層基板1は、図7に示すように、加熱加圧工程前の積層体20において、積層方向で同じ位置にあるランド電極11同士の距離P1〜P4が、積層方向の一方側から他方側に向かうにつれて大きくなるように、複数のランド電極11を互いにずらして配置することで製造される。
ここで、本実施形態の多層基板1と図8に示す比較例2の多層基板J1とを比較する。比較例2では、基本的に、積層方向から見てランド電極同士11の位置を同じとする構造を採用しつつ、本実施形態と同様に、多層基板J1の一面J1aのランド電極11同士のピッチP1と多層基板J1の他面J1bのランド電極11同士のピッチP4とを異ならせている。この場合、ランド電極11の移動が必要なランド電極群G2、G3、G4のそれぞれに対して1層の引き出し配線15、16、17が必要となる。このため、図8に示す比較例2では、多層基板J1の内部に3層の導体層が必要となる。
これに対して、本実施形態では、積層方向から見てランド電極11をずらして配置する際に、ランド電極11同士のピッチP1〜P4を段階的に大きくすることで、ランド電極11同士のピッチの変換が可能である。このように、ランド電極11同士の変換量を全ての導体層に分散させるので、比較例2のように、ランド電極群G2、G3、G4のそれぞれに対して1層の引き出し配線15、16、17を配置する必要がない。本実施形態では、多層基板1の内部に2層の導体層、すなわち、ランド電極11があればよい。したがって、本実施形態によれば、多層基板1の導体層の総数を低減することができる。
(第4実施形態)
本実施形態は、第1実施形態の多層基板1の製造方法の一部を変更したものである。
本実施形態は、第1実施形態の多層基板1の製造方法の一部を変更したものである。
すなわち、本実施形態では、図9Aに示すように、積層工程において、ランド電極11と金属材料14のうちランド電極11のみをずらして配置された積層体20を形成する。この積層体20の内部においても、第1実施形態と同様に、積層方向に複数存在する隙間22が、積層方向から見て互いにずらして配置されている。
このため、図9Bに示すように、比較例1と比較して、加熱加圧工程後における多層基板1の厚みT4、T5の差を小さく抑えることができる。すなわち、本実施形態においても、比較例1と比較して、加熱加圧工程後の多層基板1の厚みを均一に近づけることができる。
(第5実施形態)
図10、11、12に示すように、本実施形態の多層基板1は、電気的に接続されている複数のランド電極11が螺旋状に配置されている。複数のランド電極11を電気的に接続する複数のビア12も螺旋状に配置されている。
図10、11、12に示すように、本実施形態の多層基板1は、電気的に接続されている複数のランド電極11が螺旋状に配置されている。複数のランド電極11を電気的に接続する複数のビア12も螺旋状に配置されている。
ここで、複数のランド電極11が螺旋状に配置されているとは、図11および図13に示すように、ランド電極11の中心11bを積層方向で順につなぐ仮想線VL1が、螺旋状の線となるように、複数のランド電極11を配置することを意味する。図13に示すように、図11中の各ランド電極111〜118を同じ平面に図示したときに、各ランド電極111〜118の中心111b〜118bをZ方向に並ぶ順につなぐ仮想線VL1が周状(例えば、円周状)の線になる。
同様に、複数のビア12が螺旋状に配置されているとは、図11および図14に示すように、ビア12の中心12bを積層方向で順につなぐ仮想線VL2が、螺旋状の線となるように、複数のビア12を配置することを意味する。図14に示すように、図11中の各ビア121〜127を同じ平面に図示したときに、各ビア121〜127の中心121b〜127bをZ方向に並ぶ順につなぐ仮想線VL2は周状(例えば、円周状)の線になる。
図14に示すように、ビア12は、その中心12bの位置が、ビア12と接続されているランド電極11の中心11bの位置と異なっている。また、ビア12は、それと接続される2つのランド電極11がZ方向から見て重なり合う領域に配置されている。
次に、本実施形態の多層基板1の製造方法について説明する。第1実施形態の多層基板1の製造方法における積層工程を次のように変更する。すなわち、図15に示すように、積層工程において、連続構造21を構成する複数のランド電極11の全部が螺旋状に配置され、かつ、連続構造21を構成する複数の金属材料14の全部が螺旋状に配置された積層体20を形成する。これにより、上記した構造の多層基板1が製造される。
このように、本実施形態では、複数のランド電極11が螺旋状に配置されることで、X方向、Y方向の両方において、複数のランド電極11が互いにずらして配置されている。このため、積層体20の内部に存在する複数の隙間22が、X方向、Y方向の両方において、ずらして配置されるので、第1実施形態と同様の効果が得られる。
さらに、本実施形態によれば、下記の効果が得られる。すなわち、本実施形態のように、複数のランド電極11を螺旋状に配置する場合では、複数のランド電極11を直線状に配置する従来構造に対して、ランド電極11の位置を少しずつ変更すればよい。したがって、本実施形態の多層基板1によれば、複数のランド電極11を直線状に配置する従来構造を基準にして、多層基板1を設計することが可能である。
(第6実施形態)
図16、17に示すように、本実施形態の多層基板1は、電気的に接続されている複数のランド電極11とビア12のうちランド電極11のみが螺旋状に配置されている。複数のビア12は直線状に配置されている。
図16、17に示すように、本実施形態の多層基板1は、電気的に接続されている複数のランド電極11とビア12のうちランド電極11のみが螺旋状に配置されている。複数のビア12は直線状に配置されている。
本実施形態では、図18に示すように、積層工程において、連続構造21を構成する複数のランド電極11の全部が螺旋状に配置され、かつ、連続構造21を構成する複数の金属材料14の全部が直線状に配置された積層体20を形成する。これにより、上記した構造の多層基板1が製造される。
本実施形態においても、ランド電極11が螺旋状に配置されているので、第5実施形態と同様の効果を奏する。
なお、複数の金属材料14(すなわち、複数のビア12)が螺旋状に配置されている場合の方が、直線状に配置されている場合よりも、ランド電極11のずらし量を大きくできる。このため、第6実施形態よりも第5実施形態の方が好ましい。
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、下記のように、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(1)第1実施形態では、X方向とY方向のうちX方向のみにおいて、ランド電極11をずらして配置したが、X方向とY方向の両方において、ランド電極11をずらしてもよい。このとき、複数のランド電極11を、螺旋状以外の状態で配置してもよい。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、下記のように、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(1)第1実施形態では、X方向とY方向のうちX方向のみにおいて、ランド電極11をずらして配置したが、X方向とY方向の両方において、ランド電極11をずらしてもよい。このとき、複数のランド電極11を、螺旋状以外の状態で配置してもよい。
(2)第1実施形態では、連続構造21を構成する複数のランド電極11を、3種類の位置に配置したが、2種類の位置に配置したり、4種類の位置に配置したりしてもよい。ただし、積層体20の内部に存在する複数の隙間22が、積層方向に垂直な方向で分散されるように、複数のランド電極11を3種類以上の位置に配置することが好ましい。
(3)上記各実施形態では、ランド電極11の平面形状が円形状であったが、多角形等の他の平面形状であってもよい。ランド電極11の平面形状が円形状や正多角形以外の他の形状の場合、ランド電極11の中心11bとは、所定の平面形状における重心の位置を意味する。
(4)上記各実施形態では、樹脂フィルム10が熱可塑性樹脂で構成されていたが、熱可塑性樹脂以外の樹脂材料で構成されていてもよい。この樹脂材料は、加熱加圧工程で軟化して流動するものであればよい。また、樹脂フィルム10は、樹脂材料だけで構成されていてもよく、樹脂材料だけでなく、樹脂材料以外の材料が含まれていてもよい。要するに、樹脂フィルム10は、少なくとも樹脂材料で構成されていればよい。
(5)上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
10 樹脂フィルム
11 ランド電極
13 貫通孔
14 金属材料
20 積層体
21 連続構造
22 隙間
11 ランド電極
13 貫通孔
14 金属材料
20 積層体
21 連続構造
22 隙間
Claims (8)
- 多層基板の製造方法であって、
少なくとも樹脂材料で構成されたフィルム状の絶縁基材(10)であって、前記絶縁基材の表面に形成され、所定の平面形状を有するランド電極(11)と、厚さ方向に貫通して形成された貫通孔(13)に充填され、前記ランド電極と連なる層間接続材料(14)とを備えるものを複数枚準備する準備工程と、
複数枚の前記絶縁基材を積層し、前記絶縁基材の積層方向において、複数の前記ランド電極と複数の前記層間接続材料とが連続した連続構造(21)をなすとともに、積層される前記絶縁基材同士の間であって前記ランド電極が配置されていない領域に生じた隙間(22)が前記積層方向に複数存在する積層体(20)を形成する積層工程と、
前記積層方向にて前記積層体を加熱しつつ加圧することにより、複数枚の前記絶縁基材を流動させて前記隙間を埋める加熱加圧工程とを有し、
前記積層工程は、前記連続構造を構成する少なくとも2つ以上の前記ランド電極が、前記積層方向から見て互いにずらして配置されるとともに、積層方向に存在する少なくとも2つ以上の前記隙間が、前記積層方向から見て互いにずらして配置された前記積層体を形成することを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記積層工程は、前記連続構造を構成する複数の前記ランド電極が螺旋状に配置された前記積層体を形成することを特徴とする請求項1に記載の多層基板の製造方法。
- 前記積層工程は、前記積層体として、さらに、前記連続構造を構成する少なくとも2つ以上の前記層間接続材料が前記積層方向から見て互いにずらして配置された前記積層体を形成することを特徴とする請求項1に記載の多層基板の製造方法。
- 前記積層工程は、前記連続構造を構成する複数の前記ランド電極が螺旋状に配置され、かつ、前記連続構造を構成する複数の前記層間接続材料が螺旋状に配置された前記積層体を形成することを特徴とする請求項1に記載の多層基板の製造方法。
- 多層基板であって、
少なくとも樹脂材料で構成されており、積層された複数枚のフィルム状の絶縁基材(10)と、
複数の前記絶縁基材のそれぞれの表面に配置され、所定の平面形状を有する複数のランド電極(11)と、
複数の前記絶縁基材のぞれぞれに設けられ、前記ランド電極と接続された複数の層間接続材料(12)とを備え、
複数の前記ランド電極と複数の前記層間接続材料とは、前記絶縁基材の積層方向において、連続した連続構造(21)をなしており、
前記連続構造を構成する少なくとも2つ以上の前記ランド電極が、前記積層方向から見て互いにずらして配置されていることを特徴とする多層基板。 - 前記連続構造を構成する複数の前記ランド電極が、螺旋状に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の多層基板。
- 前記連続構造を構成する少なくとも2つ以上の前記層間接続材料が、前記積層方向から見て互いにずらして配置されていることを特徴とする請求項5に記載の多層基板。
- 前記連続構造を構成する複数の前記ランド電極が螺旋状に配置され、かつ、前記連続構造を構成する複数の前記層間接続材料が螺旋状に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の多層基板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015172166A JP2017050391A (ja) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 多層基板およびその製造方法 |
KR1020187003772A KR20180037968A (ko) | 2015-09-01 | 2016-08-08 | 다층 기판 및 그 제조 방법 |
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US15/756,745 US20180242464A1 (en) | 2015-09-01 | 2016-08-08 | Multilayer substrate and method for manufacturing the same |
PCT/JP2016/073348 WO2017038399A1 (ja) | 2015-09-01 | 2016-08-08 | 多層基板およびその製造方法 |
TW105127075A TWI612866B (zh) | 2015-09-01 | 2016-08-24 | 多層基板及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015172166A JP2017050391A (ja) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 多層基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017050391A true JP2017050391A (ja) | 2017-03-09 |
Family
ID=58187286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015172166A Pending JP2017050391A (ja) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 多層基板およびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180242464A1 (ja) |
JP (1) | JP2017050391A (ja) |
KR (1) | KR20180037968A (ja) |
CN (1) | CN107926123A (ja) |
DE (1) | DE112016003985T5 (ja) |
TW (1) | TWI612866B (ja) |
WO (1) | WO2017038399A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US20210118791A1 (en) * | 2015-11-10 | 2021-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package and electronic device including the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108112168B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-04-03 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种厚铜板内层非功能性焊盘设计添加方法 |
US11638351B2 (en) | 2018-06-14 | 2023-04-25 | Fujikura Ltd. | Component-embedded substrate |
CN113272950A (zh) * | 2018-12-25 | 2021-08-17 | 京瓷株式会社 | 电子部件安装用基板以及电子装置 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200714163A (en) * | 2005-09-16 | 2007-04-01 | Murata Manufacturing Co | Ceramic multilayer substrate and process for producing the same |
JP2007053393A (ja) | 2006-10-10 | 2007-03-01 | Denso Corp | 多層基板およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-09-01 JP JP2015172166A patent/JP2017050391A/ja active Pending
-
2016
- 2016-08-08 KR KR1020187003772A patent/KR20180037968A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-08-08 DE DE112016003985.9T patent/DE112016003985T5/de not_active Withdrawn
- 2016-08-08 CN CN201680050397.2A patent/CN107926123A/zh active Pending
- 2016-08-08 WO PCT/JP2016/073348 patent/WO2017038399A1/ja active Application Filing
- 2016-08-08 US US15/756,745 patent/US20180242464A1/en not_active Abandoned
- 2016-08-24 TW TW105127075A patent/TWI612866B/zh not_active IP Right Cessation
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JP2019021793A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107926123A (zh) | 2018-04-17 |
TWI612866B (zh) | 2018-01-21 |
DE112016003985T5 (de) | 2018-05-24 |
WO2017038399A1 (ja) | 2017-03-09 |
US20180242464A1 (en) | 2018-08-23 |
KR20180037968A (ko) | 2018-04-13 |
TW201717723A (zh) | 2017-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181204 |