JP6511851B2 - 多層回路基板、半導体装置、多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層回路基板、半導体装置、多層回路基板の製造方法に関する。

近年、ＬＳＩチップなどの半導体チップの高密度実装化に伴って、プリント配線板の配線の高密度化が進められている。
このため、配線が設けられた複数の基板を積層して多層化したプリント配線板などの多層回路基板が提案されている。
このような多層回路基板としては、例えば、配線が設けられた複数の樹脂基板を、これらの間に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などからなる樹脂接着層を挟んで積層し、加圧・加熱することで、上下の樹脂基板を樹脂接着層で接着し、上下の樹脂基板に設けられた配線間をビアホールに充填された導電性ペーストで電気的に接続したものがある。

特表２０１３−５２１６６３号公報 特開２００６−２５３３２８号公報

しかしながら、上述の多層回路基板のように、上下の樹脂基板を樹脂接着層で接着すると、樹脂材料の誘電損失が生じるために、良好な伝送特性が得られない。
そこで、良好な伝送特性が得られるようにしたい。

本多層回路基板は、貫通穴と、少なくとも貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備え、互いに積層されている複数の基板と、複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる金属配線上に設けられた金属ポストと、隣接する２つの基板の間に空間ができるように設けられた絶縁性スペーサとを備え、金属ポストは、隣接する２つの基板の他方に備えられる貫通穴に挿入され、導電性材料によって、隣接する２つの基板の他方に備えられる金属配線に接合されて、隣接する２つの基板が互いに電気的に接続されており、絶縁性スペーサは、金属ポストの周囲に設けられている。

本半導体装置は、上述の多層回路基板と、多層回路基板に電気的に接続された半導体チップとを備える。
本多層回路基板の製造方法は、貫通穴と、少なくとも貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備える複数の基板を作製し、複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる金属配線上に金属ポストを設け、金属ポストが、隣接する２つの基板の他方に備えられる貫通穴に挿入されるように、隣接する２つの基板の間に空間ができるように金属ポストの周囲に絶縁性スペーサを設けて、複数の基板を積層し、金属ポストと隣接する２つの基板の他方に備えられる金属配線とを導電性材料によって接合し、隣接する２つの基板を互いに電気的に接続して、多層回路基板を製造する。

したがって、本多層回路基板、半導体装置、多層回路基板の製造方法によれば、良好な伝送特性が得られるという利点がある。

本実施形態にかかる多層回路基板の構成を示す模式的断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる多層回路基板を構成する各基板に備えられる金属配線の構成例を説明するための模式的断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる多層回路基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。 （Ａ）〜（Ｋ）は、本実施形態にかかる多層回路基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。 本実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す模式的断面図である。 本実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す模式的断面図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる多層回路基板、半導体装置、多層回路基板の製造方法について、図１〜図６を参照しながら説明する。
本実施形態の多層回路基板は、少なくとも片面に配線が設けられた基板が複数積層された多層回路基板であって、例えばプリント配線板やインターポーザに適用することができる。

本多層回路基板は、図１に示すように、貫通穴１と、少なくとも貫通穴１の一方の側に設けられた金属配線２Ｘとを備え、互いに積層されている複数の基板３と、複数の基板３に含まれる隣接する２つの基板３の一方に備えられる金属配線２Ｘ上に設けられた金属ポスト４と、隣接する２つの基板３の間に空間ができるように設けられた絶縁性スペーサ５とを備える。

そして、金属ポスト４と隣接する２つの基板３の他方に備えられる金属配線２Ｘとが導電性材料６によって接合されて、隣接する２つの基板３が互いに電気的に接続されている。
なお、隣接する２つの基板３は、互いに向かい合う２つの基板である。つまり、隣接する２つの基板３は、積層された状態で、上下に隣接する２つの基板であって、上下で互いに向かい合う２つの基板である。

本実施形態では、基板３は、ガラス基板（絶縁基板）である。このため、本多層回路基板はガラス基板を用いた多層回路基板である。
また、本実施形態では、金属配線２は、図２（Ａ）に示すように、各基板３の両面に設けられており、貫通穴１の一方の側を塞ぐように設けられた金属配線２Ｘ（金属パッド）を含む。なお、金属配線２は、図２（Ｂ）に示すように、各基板３の片面のみに設けられていても良い。つまり、貫通穴１の一方の側を塞ぐように設けられた金属配線２Ｘが設けられている側の反対側の各基板３の表面には金属配線２が設けられていないものとしても良い。ここでは、図２（Ａ）に示すように、金属配線２は、各基板３の両面に接するように設けられている。つまり、樹脂材料を用いた配線層を設けていないため、良好な伝送特性が得られる。また、ここでは、金属配線２は銅配線である。つまり、両面に銅配線２を有するガラス基板３を用いている。

また、本実施形態では、貫通穴１の一方の側を塞ぐように設けられた金属配線２Ｘ上に、この金属配線２Ｘを挟んで貫通穴１の反対側へ延びるように、金属ポスト４が設けられている。ここでは、金属ポスト４は銅ポストである。なお、金属ポスト４の材料は銅に限られるものではなく、例えば銀やスズなどの他の金属材料を用いることもできる。また、金属ポスト４の高さは、絶縁性スペーサ５の高さよりも高くなっており、絶縁性スペーサ５の高さと基板３の厚さを足した合計高さよりも低くなっている。

そして、本実施形態では、金属ポスト４は、隣接する２つの基板３の他方に備えられる貫通穴１に挿入され、導電性材料６によって、隣接する２つの基板３の他方に備えられる金属配線２Ｘに接合されている。つまり、隣接する２つの基板３の一方の基板３の貫通穴１の一方の側を塞ぐように設けられた金属配線２Ｘ上に、この金属配線２Ｘを挟んで貫通穴１の反対側へ延びるように設けられた金属ポスト４は、導電性材料６によって、隣接する２つの基板３の他方の基板３の貫通穴１の一方の側（即ち、一方の基板３が設けられている側の反対側）を塞ぐように設けられた金属配線２Ｘに接合されている。ここでは、導電性材料６は、導電性ペーストである。具体的には、導電性材料６は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉのいずれかを主成分とする金属混合物の導電性ペーストである。本実施形態では、導電性材料６は、基板３の貫通穴１に充填されている。

また、本実施形態では、各基板３の両面に金属配線２が設けられているため、絶縁性スペーサ５は、隣接する２つの基板３の互いに向かい合う表面に設けられた金属配線２の間に空間ができるように設けられている。また、本実施形態では、絶縁性スペーサ５は、金属ポスト４の周囲に設けられている。これは、金属ポスト４が設けられている領域に力がかかりやすいためである。なお、絶縁性スペーサ５は他の場所に設けられていても良い。ここで、絶縁性スペーサ５は、絶縁物からなる突起である。ここでは、金属ポスト４の周囲にリング状の絶縁性スペーサ５が設けられている。本実施形態では、絶縁性スペーサ５は、金属ポスト４に対して基板３の反対側であって貫通穴１の周囲に設けられている。つまり、絶縁性スペーサ５と金属ポスト４は、基板３の反対側に設けられている。

また、本実施形態では、絶縁性スペーサ５の高さは、金属ポスト４の高さよりも低く、かつ、隣接する２つの基板３の互いに向かい合う面に設けられた金属配線２の合計厚さよりも高くなっている。
また、本実施形態では、絶縁性スペーサ５は、ソルダーレジスト材料からなる。これをソルダーレジストスペーサという。ここでは、隣接する２つの基板３の他方の表面上にソルダーレジスト材料からなる突起を設けることによって絶縁性スペーサ５を設けている。このため、絶縁性スペーサ５は、金属ポスト４が設けられている、隣接する２つの基板３の一方には接合されておらず、接しているだけである。このため、絶縁性スペーサ５の材料と基板３の材料との間の熱膨張率差の影響を受けることがない。

なお、これに限られるものではなく、絶縁性スペーサ５は、例えば熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの樹脂材料からなるものとしても良い。この場合、絶縁性スペーサ５は、隣接する２つの基板３の両方に接合されることになる。つまり、隣接する２つの基板３は、金属ポスト４及び導電性材料６を介して接合されるだけでなく、絶縁性スペーサ５を介しても接合されることになる。

なお、上述の構成に限られるものではなく、例えば、絶縁性スペーサ５は、隣接する２つの基板３の一方、即ち、金属ポスト４が設けられている基板３に設けるようにしても良い。このように、金属ポスト４と絶縁性スペーサ５は、基板３の同じ側に設けても良い。
次に、本実施形態にかかる多層回路基板の製造方法について説明する。
まず、貫通穴１と、少なくとも貫通穴１の一方の側に設けられた金属配線２Ｘとを備える複数の基板３を作製する。

次に、複数の基板３に含まれる隣接する２つの基板３の一方に備えられる金属配線２Ｘ上に金属ポスト４を設ける。
次に、金属ポストが、隣接する２つの基板の他方に備えられる貫通穴に挿入されるように、隣接する２つの基板３の間に空間ができるように絶縁性スペーサ５を設けて、複数の基板３を積層する。

そして、金属ポスト４と隣接する２つの基板３の他方に備えられる金属配線２Ｘとを導電性材料６によって接合し、隣接する２つの基板３を互いに電気的に接続して、多層回路基板を製造する。
特に、金属ポスト４を、銅ポストとし、導電性材料６を、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉのいずれかを主成分とする導電性ペーストとして、導電性ペーストを溶融させて銅ポスト４と隣接する２つの基板の他方に備えられる金属配線２Ｘとを接合するのが好ましい。

以下、銅配線２で形成された回路を両面に有するガラス基板３、銅ポスト４、ソルダーレジストスペーサ５、導電性ペースト６を用いて一括積層工法で多層回路基板を作製する場合を例に挙げて、まず図３を参照しながら概略を説明し、その後、図４を参照しながら具体的に説明する。
まず、概略を説明する。

まず、図３（Ａ）に示すように、銅配線２で形成された回路を両面に有するガラス基板３を複数作製する。つまり、多層回路基板を構成する複数のガラス基板３を作製する。
次に、多層回路基板の最も上側のガラス基板３となるガラス基板には、貫通穴１（層間接続用穴）の下側を塞いでいる金属配線２Ｘに銅ポスト４を設ける。また、多層回路基板の最も下側のガラス基板３となるガラス基板には、貫通穴１の上側で貫通穴１の周りにソルダーレジストスペーサ５を設ける。また、多層回路基板の最も上側のガラス基板３と最も下側のガラス基板３との間の中間のガラス基板３となるガラス基板には、貫通穴１の片側（下側）を塞いでいる金属配線２Ｘに銅ポスト４を設け、反対側（上側）の貫通穴１の周りにソルダーレジストスペーサ５を設ける。なお、図３（Ａ）では、多層回路基板の最も上側のガラス基板３と最も下側のガラス基板３との間の中間のガラス基板３となるガラス基板を例示している。

また、多層回路基板の最も下側のガラス基板３となるガラス基板、及び、多層回路基板の最も上側のガラス基板３と最も下側のガラス基板３との間の中間のガラス基板３となるガラス基板に設けられた貫通穴１に導電性ペースト６を充填する。
そして、図３（Ｂ）に示すように、このようにして銅ポスト４及びソルダーレジストスペーサ５が設けられ、導電性ペースト６が充填された複数のガラス基板３を積層する。ここでは、上下に隣接するガラス基板３で、上方のガラス基板３に設けられた銅ポスト４が下方のガラス基板３の貫通穴１に挿入され、貫通穴１に充填されている導電性ペースト６に接触するように、複数のガラス基板３を積層する。

その後、図３（Ｃ）に示すように、導電性ペースト６の融点以上の温度まで加熱し、導電性ペースト６を溶融させて、層間接続をとって、多層回路基板を作製する。ここでは、導電性ペースト６は貫通穴１に充填されているため、導電性ペースト６を溶融させたときに広がって配線をショートさせるのを防ぐことができる。このようにして作製された多層回路基板を、中空一括積層ガラス基板（中空一括積層ガラスインターポーザ；中空一括積層ガラスプリント配線板）ともいう。

このようにして作製された多層回路基板では、ソルダーレジストスペーサ５の高さが上下のガラス基板３の対向する面に設けられた銅配線２の合計厚さよりも高くなっているため、上下のガラス基板３の間に空気層（空間）ができる。
このように多層回路基板を構成する各基板３がガラス基板になっており、これらの基板３の間に空間ができるようにしているため、各基板に樹脂基板を用い、これらの基板を樹脂接着層で接着する場合と比較して、良好な伝送特性を得ることが可能となる。また、多層回路基板を構成する各基板３を複数同時に作製することができるため、コストを低く抑えることができ、容易に高多層化することができる。

なお、銅ポスト４の高さは、ソルダーレジストスペーサ５の高さよりも高くなっており、ソルダーレジストスペーサ５の高さとガラス基板３の厚さを足した合計高さよりも低くなっており、銅ポスト４を導電性ペースト６で確実に接合し、上下のガラス基板３を確実に電気的に接続できるようにしている。
次に、具体的に説明する。

まず、図４（Ａ）に示すように、例えば厚さ約１００μｍのガラス基板３の両面に、例えばスパッタを用いて、銅層２Ａを形成する。つまり、両面に銅層２Ａを有するガラス基板３を作製する。なお、スパッタ後に銅めっきをすることで、銅層２Ａの厚さを厚くすることもできる。
次に、図４（Ｂ）に示すように、レジストを塗布し、配線パターン（回路パターン）の形状となるようにレジストを感光し、レジストパターン１０を形成する。

そして、図４（Ｃ）に示すように、レジストパターン１０を用いて銅層２Ａをエッチングして、銅配線２（２Ｘ）、即ち、銅配線２（２Ｘ）で形成された回路を形成し、レジストパターン１０を除去する。
このようにして、銅配線２（２Ｘ）で形成された回路を両面に有するガラス基板３を複数作製する。これにより、多層回路基板を構成する各基板３を、低コストで良好な伝送特性を有するものとすることができる。

次に、図４（Ｄ）に示すように、上述のようにして作製したガラス基板３の片側（上側）から、レーザドリルを用いて、例えば約１００μｍの径を有する貫通穴１（層間接続用穴）を形成する。なお、この貫通穴１を形成する部分の反対側（下側）には銅配線２Ｘが形成されている。このため、貫通穴１を形成すると、この貫通穴１は、ガラス基板３の反対側で銅配線２Ｘによって塞がれたものとなる。

次に、図４（Ｅ）に示すように、多層回路基板の最も上側及び中間に配置されるガラス基板３の反対側（下側）に銅ポスト用レジスト１１を例えば約２００μｍの厚さになるように形成した後、図４（Ｆ）に示すように、この銅ポスト用レジスト１１を用いて、例えばめっきによって、例えば約１２０μｍの高さを有する銅ポスト４を形成する。
次に、図４（Ｇ）に示すように、銅ポスト用レジスト１１を除去した後、図４（Ｈ）に示すように、多層回路基板の最も下側及び中間に配置されるガラス基板３の片側（上側）の貫通穴１の周りに、ソルダーレジストを塗布し、例えば約３０μｍの高さを有するソルダーレジストスペーサ５を形成する。

次に、図４（Ｉ）に示すように、多層回路基板の最も下側及び中間に配置されるガラス基板３の貫通穴１に、例えばスクリーン印刷を用いて導電性ペースト６を印刷することで、導電性ペースト６を貫通穴１に充填する。
次に、図４（Ｊ）に示すように、上方のガラス基板３に設けられた銅ポスト４が下方のガラス基板３の貫通穴１に挿入され、貫通穴１に充填されている導電性ペースト６に接触するように、上述のようにして作製された複数のガラス基板３を重ね合わせて積層する。

そして、図４（Ｋ）に示すように、導電性ペースト６の融点以上の温度（例えば２００℃程度）まで温度が上がるように加熱して、導電性ペースト６を溶融させることで、層間接続をとって、多層回路基板を作製する。
このように、ガラス基板を用いた場合に一括積層工法で多層回路基板を作製することが可能となる。また、このようにして多層回路基板を作製することで、上下の銅配線間に、厚さ約１００μｍのガラス基板又は高さ約３０μｍの空気層（空間）を有し、空気による誘電損失はほとんどないために、優れた伝送特性を有する多層回路基板を作製することができる。また、多層回路基板を構成する各基板３にガラス基板を用いても、上下のガラス基板３の間にはスペーサ５があるだけで、上下のガラス基板３の間は空間になっているため、例えばはんだ実装時などにおける熱膨張率差の影響を少なくすることができ、ガラス基板にクラックが発生することがないようにすることができる。

ところで、上述のように構成し、製造しているのは、以下の理由による。
多層回路基板として、配線が設けられた複数の樹脂基板を、これらの間に例えば熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などからなる樹脂接着層を挟んで積層し、加圧・加熱することで、上下の樹脂基板を樹脂接着層で接着し、上下の樹脂基板に設けられた配線間をビアホールに充填された導電性ペーストで電気的に接続したものがある。

しかしながら、この多層回路基板のように、上下の樹脂基板を樹脂接着層で接着すると、良好な伝送特性が得られない。
そこで、良好な伝送特性が得られるようにすべく、上述のように構成し、製造している。
また、例えばＬＳＩチップなどの半導体チップの高密度実装化を図るために、プリント配線板と半導体チップとの間に、ガラス基板を用いたインターポーザ（ガラスインターポーザ）を設けることが考えられる。

このようなガラスインターポーザは、有機基板を用いる場合と比べて熱膨張率が半導体チップ（半導体素子）に近くなり、はんだ実装時における熱膨張率差の影響を少なくすることができるため、小さなはんだボールで半導体チップを実装可能となる。これにより、有機基板を用いる場合と比べて同じ面積でより多くのはんだ接合部を設けることができるため、半導体チップの高密度実装化が可能となる。

このようなガラスインターポーザでは、ガラスコアの両面に、例えば半導体プロセスのダマシン工法又はプリント基板プロセスのビルドアップ工法によって、配線層を形成することになる。しかしながら、ダマシン工法は高コストであり、ビルドアップ工法は配線層に樹脂材料（有機材料）を用いるため、良好な伝送特性が得られない。
プリント配線板やインターポーザなどの配線の高密度化を図るために、配線が設けられた複数の基板を積層して多層化した多層回路基板において、複数の基板にガラス基板を用いることが考えられる。

ここで、プリント配線板の製造方法の一つに一括積層工法がある。一括積層工法では、片面に例えば銅配線などの配線（回路）が設けられた樹脂基板（単層）を複数用意し、これらを積層し、加圧・加熱することで、一括で貼り合わせる工法である。
例えば、配線が設けられた樹脂基板を複数用意し、これらの間に例えば熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などからなる樹脂接着層を挟んで積層し、加圧・加熱することで、一括で貼り合わせる方法もある。

しかしながら、多層回路基板を構成する複数の基板にガラス基板を用いる場合、前者の方法を利用することはできない。また、後者の方法では、上下のガラス基板を樹脂接着層で接着することになるため、良好な伝送特性が得られない。
また、上下のガラス基板を樹脂接着層で接着すると、例えばはんだ実装時にはんだ溶融温度にすると、樹脂接着層とガラス基板の熱膨張率差あるいは樹脂接着層と配線の熱膨張率差によって、ガラス基板にクラックが発生するおそれがある。

そこで、ガラス基板を用いて一括積層工法で作製される多層回路基板において、例えばはんだ実装時などに、ガラス基板にクラックが発生することがないようにすべく、上述のように構成し、製造している。
ところで、例えば図５に示すように、上述のように構成される多層回路基板２０の一方の側に、例えばはんだボール２１によって、半導体チップ２３（例えばＬＳＩチップ）を電気的に接続し、他方の側に、例えばはんだボール２２によって、プリント配線板２４（プリント基板）を電気的に接続することで、半導体装置を構成することもできる。この場合も、半導体装置は、上述のように構成される多層回路基板２０と、多層回路基板２０に電気的に接続された半導体チップ２３とを備えるものとなる。なお、この場合、多層回路基板２０はインターポーザ（ここではガラスインターポーザ）として用いられることになる。また、このような構成のものを電子装置ともいう。

また、例えば図６に示すように、上述のように構成される多層回路基板３０に、例えばはんだボール３１によって、半導体チップ３２（例えばＬＳＩチップ）を電気的に接続することで、半導体装置を構成することができる。この場合、半導体装置は、上述のように構成される多層回路基板３０と、多層回路基板３０に電気的に接続された半導体チップ３２とを備えるものとなる。なお、この場合、多層回路基板３０はプリント配線板（ここではガラスプリント配線板）として用いられることになる。

したがって、本実施形態にかかる多層回路基板、半導体装置、多層回路基板の製造方法によれば、良好な伝送特性が得られるという利点がある。
なお、上述の実施形態では、多層回路基板を構成する各基板３としてガラス基板を用いているが、即ち、多層回路基板を構成する各基板３の材料（基材）としてガラスを用いているが、これに限られるものではない。例えば、多層回路基板を構成する各基板３として、ガラスエポキシ基板（ガラスを含む基板）やエポキシ基板（樹脂基板；有機基板）などの基板を用いても良い。つまり、多層回路基板を構成する各基板３の材料として、ガラスエポキシ、エポキシ（樹脂；有機材料）などの材料を用いても良い。但し、上述の実施形態のようにガラス基板３を用いることで、より良好な伝送特性が得られるようにすることができ、また、高密度化を図ることが可能となる。

なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
貫通穴と、少なくとも前記貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備え、互いに積層されている複数の基板と、
前記複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる前記金属配線上に設けられた金属ポストと、
前記隣接する２つの基板の間に空間ができるように設けられた絶縁性スペーサとを備え、
前記金属ポストは、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記貫通穴に挿入され、導電性材料によって、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記金属配線に接合されて、前記隣接する２つの基板が互いに電気的に接続されていることを特徴とする多層回路基板。

（付記２）
前記絶縁性スペーサは、前記金属ポストの周囲に設けられていることを特徴とする、付記１に記載の多層回路基板。
（付記３）
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする、付記１又は２に記載の多層回路基板。

（付記４）
前記絶縁性スペーサは、ソルダーレジスト材料からなることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の多層回路基板。
（付記５）
前記金属ポストが、銅ポストであり、
前記導電性材料が、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉのいずれかを主成分とする導電性ペーストであることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の多層回路基板。

（付記６）
前記絶縁性スペーサの高さは、前記金属ポストの高さよりも低く、かつ、前記隣接する２つの基板の互いに向かい合う面に設けられた金属配線の合計厚さよりも高いことを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の多層回路基板。
（付記７）
付記１〜６のいずれか１項に記載の多層回路基板と、
前記多層回路基板に電気的に接続された半導体チップとを備えることを特徴とする半導体装置。

（付記８）
貫通穴と、少なくとも前記貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備える複数の基板を作製し、
前記複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる前記金属配線上に金属ポストを設け、
前記金属ポストが、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記貫通穴に挿入されるように、前記隣接する２つの基板の間に空間ができるように絶縁性スペーサを設けて、前記複数の基板を積層し、
前記金属ポストと前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記金属配線とを導電性材料によって接合し、前記隣接する２つの基板を互いに電気的に接続して、多層回路基板を製造することを特徴とする多層回路基板の製造方法。

（付記９）
前記金属ポストが、銅ポストであり、
前記導電性材料が、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉのいずれかを主成分とする導電性ペーストであり、
前記導電性ペーストを溶融させて前記銅ポストと前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記金属配線とを接合することを特徴とする、付記８に記載の多層回路基板の製造方法。

１ 貫通穴
２、２Ｘ 金属配線
３ 基板
４ 金属ポスト
５ 絶縁性スペーサ
６ 導電性材料
１０ レジストパターン
１１ 銅ポスト用レジスト
２０ 多層回路基板
２１、２２ はんだボール
２３ 半導体チップ
２４ プリント配線板
３０ 多層回路基板
３１ はんだボール
３２ 半導体チップ

Claims (5)

1. 貫通穴と、少なくとも前記貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備え、互いに積層されている複数の基板と、
   前記複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる前記金属配線上に設けられた金属ポストと、
   前記隣接する２つの基板の間に空間ができるように設けられた絶縁性スペーサとを備え、
   前記金属ポストは、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記貫通穴に挿入され、導電性材料によって、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記金属配線に接合されて、前記隣接する２つの基板が互いに電気的に接続されており、
   前記絶縁性スペーサは、前記金属ポストの周囲に設けられていることを特徴とする多層回路基板。
2. 前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする、請求項１に記載の多層回路基板。
3. 前記絶縁性スペーサは、ソルダーレジスト材料からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の多層回路基板。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層回路基板と、
   前記多層回路基板に電気的に接続された半導体チップとを備えることを特徴とする半導体装置。
5. 貫通穴と、少なくとも前記貫通穴の一方の側に設けられた金属配線とを備える複数の基板を作製し、
   前記複数の基板に含まれる隣接する２つの基板の一方に備えられる前記金属配線上に金属ポストを設け、
   前記金属ポストが、前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記貫通穴に挿入されるように、前記隣接する２つの基板の間に空間ができるように前記金属ポストの周囲に絶縁性スペーサを設けて、前記複数の基板を積層し、
   前記金属ポストと前記隣接する２つの基板の他方に備えられる前記金属配線とを導電性材料によって接合し、前記隣接する２つの基板を互いに電気的に接続して、多層回路基板を製造することを特徴とする多層回路基板の製造方法。