JP2019079900A - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装信頼性の高いプリント配線板の提供【解決手段】 実施形態のプリント配線板は、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを有するコア基板とコア基板上に積層されているビルドアップ層Ｂｕ１、Ｂｕ２を有する。そして、ビルドアップ層Ｂｕ１、Ｂｕ２は、内側の導体層と最外の導体層を有する。各導体層を形成する導体回路は底角を有し、少なくとも１つの内側の導体層を形成する導体回路の底角は、第１導体層を形成する導体回路の底角より大きい。【選択図】 図２

Description

本発明は、コア基板とコア基板上に交互に積層されている導体層と樹脂絶縁層とを有するプリント配線板に関する。

特許文献１は図２Ａに多層プリント配線板を開示している。そのプリント配線板では、絶縁層と導体層が交互に積層されていて、隣接する導体層は絶縁層に形成されているバイアホールで接続されている。また、特許文献１は、図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに多層プリント配線板の製造方法を示している。特許文献１の図９Ｂによれば、銅箔に至るバイアホール形成用の開口が絶縁層に形成されている。その後、その開口内にバイアホールが形成されている。それから、図９Ｅに示されるように、絶縁層の両面に導体層が形成されている。そして、図９Ｅの回路基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層することで、特許文献１は、図１２Ａに示される多層プリント配線板を製造している。

特開２０１２−１５６５２５号公報

[特許文献１の課題]
図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに示されている製造方法によれば、特許文献１では、図９Ｅの回路基板はコア基板と考えられる。そして、そのコア基板は銅箔に至るバイアホールを有している。例えば、特許文献１の図１２Ａに示される多層プリント配線板はヒートサイクルでストレスを受けると、図９Ｅに示される回路基板（コア基板）が大きなストレスを受けると考えられる。特に、特許文献１の図９Ｅに示される回路基板（コア基板）に形成されているバイアホールの底面とその底面と接続している銅箔（導体回路）との界面に働くストレスが大きいと考えられる。そのストレスで図９Ｅに示される回路基板（コア基板）内のバイアホールの底面と銅箔（導体回路）との間の接続信頼性が低下すると予想される。

本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記コア層の前記第１面上の第１導体層と前記コア層の前記第２面上の第２導体層と前記コア層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有するコア基板と、第３面と前記第３面と反対側の第４面を有し、前記第１面と前記第４面が対向するように前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、第７面と前記第７面と反対側の第８面を有し、前記第２面と前記第８面が対向するように前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている内側の第１導体層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第７面上に形成されている内側の第２導体層と、第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有し、前記第６面が前記１面を向くように前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、第９面と前記第９面と反対側の第１０面とを有し、前記第１０面が前記第２面を向くように前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層と、前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１導体層上に形成されている第１のソルダーレジスト層と、前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２導体層上に形成されている第２のソルダーレジスト層、とからなる。そして、前記第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記第１面と前記第２面と前記第３面と前記第５面と前記第７面と前記第９面のそれぞれは粗面を有し、前記第１面の粗面は第１の十点平均粗さ(rz１)を有し、前記第２面の粗面は第２の十点平均粗さ(rz２)を有し、前記第３面の粗面は第３の十点平均粗さ(rz３)を有し、前記第５面の粗面は第５の十点平均粗さ(rz５)を有し、前記第７面の粗面は第７の十点平均粗さ(rz７)を有し、前記第９面の粗面は第９の十点平均粗さ(rz９)を有し、前記rz３は、前記rz３と前記rz１と前記rz２と前記rz５と前記rz９の中で最も小さく、前記rz７は、前記rz７と前記rz１と前記rz２と前記rz５と前記rz９の中で最も小さく、前記第１導体層と前記第２導体層と前記内側の第１導体層と前記内側の第２導体層と前記最外の第１導体層と前記最外の第２導体層は金属箔と前記金属箔上のシード層と前記シード層上の電解めっき膜で形成され、前記第１導体層は複数の第１導体回路と隣接する前記第１導体回路間の第１スペースで形成され、前記第２導体層は複数の第２導体回路と隣接する前記第２導体回路間の第２スペースで形成され、前記内側の１導体層は複数の内側の第１導体回路と隣接する前記内側の第１導体回路間の内側の第１スペースで形成され、前記内側の第２導体層は複数の内側の第２導体回路と隣接する前記内側の第２導体回路間の内側の第２スペースで形成され、前記最外の第１導体層は複数の最外の第１導体回路と隣接する前記最外の第１導体回路間の最外の第１スペースで形成され、前記最外の第２導体層は複数の最外の第２導体回路と隣接する前記最外の第２導体回路間の最外の第２スペースで形成され、前記第１導体回路は第１導体回路の幅を有し、前記第２導体回路は第２導体回路の幅を有し、前記内側の第１導体回路は内側の第１導体回路の幅を有し、前記内側の第２導体回路は内側の第２導体回路の幅を有し、前記最外の第１導体回路は最外の第１導体回路の幅を有し、前記最外の第２導体回路は最外の第２導体回路の幅を有し、前記第１導体回路の幅は最小の第１導体回路の幅を有し、前記第２導体回路の幅は最小の第２導体回路の幅を有し、前記内側の第１導体回路の幅は最小の内側の第１導体回路の幅を有し、前記内側の第２導体回路の幅は最小の内側の第２導体回路の幅を有し、前記最外の第１導体回路の幅は最小の最外の第１導体回路の幅を有し、前記最外の第２導体回路の幅は最小の最外の第２導体回路の幅を有し、前記最小の内側の第１導体回路の幅は、前記最小の内側の第１導体回路の幅と前記最小の第１導体回路の幅と前記最小の第２導体回路の幅と前記最小の最外の第１導体回路の幅と前記最小の最外の第２導体回路の幅の中で最も小さく、前記最小の内側の第２導体回路の幅は、前記最小の内側の第２導体回路の幅と前記最小の第１導体回路の幅と前記最小の第２導体回路の幅と前記最小の最外の第１導体回路の幅と前記最小の最外の第２導体回路の幅の中で最も小さく、前記第１スペースは第１スペースの幅を有し、前記第２スペースは第２スペースの幅を有し、前記内側の第１スペースは内側の第１スペースの幅を有し、前記内側の第２スペースは内側の第２スペースの幅を有し、前記最外の第１スペースは最外の第１スペースの幅を有し、前記最外の第２スペースは最外の第２スペースの幅を有し、前記第１スペースの幅は最小の第１スペースの幅を有し、前記第２スペースの幅は最小の第２スペースの幅を有し、前記内側の第１スペースの幅は最小の内側の第１スペースの幅を有し、前記内側の第２スペースの幅は最小の内側の第２スペースの幅を有し、前記最外の第１スペースの幅は最小の最外の第１スペースの幅を有し、前記最外の第２スペースの幅は最小の最外の第２スペースの幅を有し、前記最小の内側の第１スペースの幅は、前記最小の内側の第１スペースの幅と前記最小の第１スペースの幅と前記最小の第２スペースの幅と前記最小の最外の第１スペースの幅と前記最小の最外の第２スペースの幅の中で最も小さく、前記最小の内側の第２スペースの幅は、前記最小の内側の第２スペースの幅と前記最小の第１スペースの幅と前記最小の第２スペースの幅と前記最小の最外の第１スペースの幅と前記最小の最外の第２スペースの幅の中で最も小さく、前記最小の第１導体回路は、前記最小の第１導体回路の底面と前記最小の第１導体回路の側面との間に第１底角を有し、前記最小の第２導体回路は、前記最小の第２導体回路の底面と前記最小の第２導体回路の側面との間に第２底角を有し、前記最小の内側の第１導体回路は、前記最小の内側の第１導体回路の底面と前記最小の内側の第１導体回路の側面との間に内側の第１底角を有し、前記最小の内側の第２導体回路は、前記最小の内側の第２導体回路の底面と前記最小の内側の第２導体回路の側面との間に内側の第２底角を有し、前記最小の最外の第１導体回路は、前記最小の最外の第１導体回路の底面と前記最小の最外の第１導体回路の側面との間に最外の第１底角を有し、前記最小の最外の第２導体回路は、前記最小の最外の第２導体回路の底面と前記最小の最外の第２導体回路の側面との間に最外の第２底角を有し、前記内側の第１底角は、前記内側の第１底角と前記第１底角と前記第２底角と前記最外の第１底角と前記最外の第２底角の中で最も大きく、前記内側の第２底角は、前記内側の第２底角と前記第１底角と前記第２底角と前記最外の第１底角と前記最外の第２底角の中で最も大きい。

本発明に係る第２の観点のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記コア層の前記第１面上の第１導体層と前記コア層の前記第２面上の第２導体層と前記コア層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有するコア基板と、第３面と前記第３面と反対側の第４面を有し、前記第１面と前記第４面が対向するように前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、第７面と前記第７面と反対側の第８面を有し、前記第２面と前記第８面が対向するように前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている内側の第１導体層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第７面上に形成されている内側の第２導体層と、第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有し、前記第６面が前記１面を向くように前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、第９面と前記第９面と反対側の第１０面とを有し、前記第１０面が前記第２面を向くように前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層、からなる。そして、前記第１導体層は第１導体回路を含み、前記第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記第１導体回路は、前記第１導体回路の底面と前記第１導体回路の側面との間に第１底角を有し、前記第２導体層は第２導体回路を含み、前記第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記第２導体回路は、前記第２導体回路の底面と前記第２導体回路の側面との間に第２底角を有し、前記内側の第１導体層は内側の第１導体回路を含み、前記内側の第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第１導体回路は、前記内側の第１導体回路の底面と前記内側の第１導体回路の側面との間に内側の第１底角を有し、前記内側の第２導体層は内側の第２導体回路を含み、前記内側の第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第２導体回路は、前記内側の第２導体回路の底面と前記内側の第２導体回路の側面との間に内側の第２底角を有し、前記最外の第１導体層は最外の第１導体回路を含み、前記最外の第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第１導体回路は、前記最外の第１導体回路の底面と前記最外の第１導体回路の側面との間に最外の第１底角を有し、前記最外の第２導体層は最外の第２導体回路を含み、前記最外の第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第２導体回路は、前記最外の第２導体回路の底面と前記最外の第２導体回路の側面との間に最外の第２底角を有し、前記第１面と前記第２面と前記第３面と前記第５面と前記第７面と前記第９面のそれぞれは粗面を有し、前記第１面の粗面は第１の十点平均粗さ(rz１)を有し、前記第２面の粗面は第２の十点平均粗さ(rz２)を有し、前記第３面の粗面は第３の十点平均粗さ(rz３)を有し、前記第５面の粗面は第５の十点平均粗さ(rz５)を有し、前記第７面の粗面は第７の十点平均粗さ(rz７)を有し、前記第９面の粗面は第９の十点平均粗さ(rz９)を有し、前記粗面の粗さの大きさと前記底角の大きさは関連していて、前記粗面の大きさが大きいと、前記底角の大きさは小さく、前記粗面の大きさが小さいと、前記底角の大きさは大きい。

[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、最小の内側の第１導体回路の幅は、最小の第１導体回路の幅と最小の第２導体回路の幅と最小の最外の第１導体回路の幅と最小の最外の第２導体回路の幅より小さい。また、最小の内側の第２導体回路の幅は、最小の第１導体回路の幅と最小の第２導体回路の幅と最小の最外の第１導体回路の幅と最小の最外の第２導体回路の幅より小さい。従って、内側の第１導体層と内側の第２導体層に信号用の導体回路を形成することができる。高速な信号を伝送するため、内側の第１導体層を形成する導体回路の表面の凹凸と内側の第２導体層を形成する導体回路の表面の凹凸は小さいことが好ましい。そのため、実施形態では、内側の第１導体層を支える樹脂絶縁層の粗面の粗さrz３や内側の第２導体層を支える樹脂絶縁層の粗面の粗さrz７は、コア層の粗面の粗さrz１、rz２より小さい。また、内側の第１導体層を支える樹脂絶縁層の粗面の粗さrz３や内側の第２導体層を支える樹脂絶縁層の粗面の粗さrz７は、最外の樹脂絶縁層の粗面の粗さrz５、rz９より小さい。粗面の粗さが小さいと、導体回路は樹脂絶縁層から剥がれやすい。その不具合の発生を抑えるため、実施形態では、内側の第１底角は第１底角と第２底角と最外の第１底角と最外の第２底角より大きい。また、内側の第２底角は第１底角と第２底角と最外の第１底角と最外の第２底角より大きい。例えば、内側の第１導体層に形成される最少の導体回路の断面積と第１導体層に形成される最少の導体回路の断面積が比較されると、内側の第１導体層に形成される最少の導体回路の断面積は第１導体層に形成される最少の導体回路の断面積より大きい。内側の第２導体層に形成される最少の導体回路の断面積と第２導体層に形成される最少の導体回路の断面積が比較されると、内側の第２導体層に形成される最少の導体回路の断面積は第２導体層に形成される最少の導体回路の断面積より大きい。このように、実施形態のプリント配線板では、内側の第１導体層を形成する導体回路の断面積や内側の第２導体層を形成する導体回路の断面積は、相対的に大きい。そして、導体層の物性（例えば、熱膨張係数）と樹脂絶縁層の物性（例えば、熱膨張係数）は異なるので、ヒートショック等で導体回路に応力が蓄えられると考えられる。大きな断面積を有する導体回路（前者）と小さな断面積を有する導体回路（後者）で単位面積当たりの応力が比較されると、前者の値は後者の値より小さい。そして、その応力は熱等で解放される。その解放により、導体回路と樹脂絶縁層の粗面との間の界面にストレスが伝達すると予想される。単位面積当たりの応力が大きく、粗面の大きさが小さいと、導体回路が樹脂絶縁層から剥がれやすい。しかしながら、実施形態では、単位面積当たりの応力が小さく、粗面の大きさが小さい。また、内側の第１導体層や内側の第２導体層に対し、第１導体層を形成する第１導体回路は相対的に小さな断面積を有する。しかしながら、第１導体層に含まれる第１導体回路は、相対的に大きな粗面を介し樹脂絶縁層に接着している。従って、単位面積当たりの応力が大きくても、粗面の大きさが大きいので、第１導体層は樹脂絶縁層から剥がれがたい。第２導体層や最外の第１導体層、最外の第２導体層は第１導体層と同様に樹脂絶縁層から剥がれがたい。

本発明の実施形態に係るプリント配線板と半田バンプを有するプリント配線板の断面図 図２（Ａ）は実施形態のプリント配線板の拡大図、図２（Ｂ）はスルーホール用の貫通孔の説明図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の導体層の平面図 図９（Ａ）は実施形態のプリント配線板の説明図であり、図９（Ｂ）は第１導体層内の第１導体回路の説明図である

[実施形態]
図１（Ａ）は、実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｓ２とを有するコア基板３０を有する。コア基板３０は、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｓ２とを有するコア層２０と、コア層２０の第１面Ｆ１上に形成されている第１導体層３４Ｆと、コア層２０の第２面Ｓ２上に形成されている第２導体層３４Ｓと、コア層２０を貫通し第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６で形成されている。コア層２０は、樹脂と補強材と無機粒子で形成されている。樹脂の例はエポキシであり、補強材の例はガラスクロスであり、無機粒子の例はシリカである。コア層２０は、第１面Ｆ１から第２面Ｓ２に向かってテーパーしている第１開口２８Ｆと第２面Ｓ２から第１面Ｆ１に向かってテーパーしている第２開口２８Ｓとからなる貫通孔２８を有し、その貫通孔２８内にめっきを充填することで、スルーホール導体３６が形成されている。コア基板３０の第１面Ｆ１とコア層２０の第１面Ｆ１は同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓ２とコア層２０の第２面Ｓ２は同じ面である。

プリント配線板は、さらに、コア基板３０の第１面Ｆ１上に第１ビルドアップ層Ｂｕ１を有する。第１ビルドアップ層Ｂｕ１は、コア基板３０の第１面Ｆ１と第１導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている内側の第１導体層５８Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し、第１導体層３４Ｆと内側の第１導体層５８Ｆとを接続する第１ビア導体６０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１導体層５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層１５０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている内側の第３導体層１５８Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆとを接続する第３ビア導体１６０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆ上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている最外の第１導体層２５８Ｆと、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、内側の第３導体層１５８Ｆと最外の第１導体層２５８Ｆとを接続する最外の第１ビア導体２６０Ｆとを有する。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の樹脂絶縁層は、最外の樹脂絶縁層と内側の樹脂絶縁層に分類される。内側の樹脂絶縁層は、最外の樹脂絶縁層とコア層２０との間に形成されている。図１（Ａ）のプリント配線板１０では、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第３樹脂絶縁層１５０Ｆが内側の樹脂絶縁層に属し、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆが最外の樹脂絶縁層に属する。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の導体層は、最外の導体層と内側の導体層に分類される。内側の導体層は、内側の樹脂絶縁層上に形成されている。図１（Ａ）のプリント配線板１０では、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆが内側の導体層に属し、最外の第１導体層２５８Ｆが最外の導体層に属する。

プリント配線板１０は、コア基板３０の第２面Ｓ２上に第２ビルドアップ層Ｂｕ２を有する。第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、コア基板３０の第２面Ｓ２と第２導体層３４Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている内側の第２導体層５８Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通し、第２導体層３４Ｓと内側の第２導体層５８Ｓとを接続する第２ビア導体６０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２導体層５８Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている内側の第４導体層１５８Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓとを接続する第４ビア導体１６０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓ上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている最外の第２導体層２５８Ｓと、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通し、内側の第４導体層１５８Ｓと最外の第２導体層２５８Ｓとを接続する最外の第２ビア導体２６０Ｓとを有する。
第２ビルドアップ層内の樹脂絶縁層は、最外の樹脂絶縁層と内側の樹脂絶縁層に分類される。内側の樹脂絶縁層は、最外の樹脂絶縁層とコア層２０との間に形成されている。図１（Ａ）のプリント配線板１０では、第２樹脂絶縁層５０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓが内側の樹脂絶縁層に属し、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓが最外の樹脂絶縁層に属する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の導体層は、最外の導体層と内側の導体層に分類される。内側の導体層は、内側の樹脂絶縁層上に形成されている。図１（Ａ）のプリント配線板１０では、内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓが内側の導体層に属し、最外の第２導体層２５８Ｓが最外の導体層に属する。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１と第２ビルドアップ層Ｂｕ２に属する樹脂絶縁層は、樹脂と補強材と無機粒子で形成されている。それらの例はコア層の例と同じである。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第１開口７１Ｆから露出する最外の第１導体層２５８Ｆは、電子部品を実装するための第１パッド７３Ｆを形成する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。第２開口７１Ｓから露出する最外の第２導体層２５８Ｓは、電子部品を実装するための第２パッド７３Ｓを形成する。

図３（Ｃ）に示されるように、貫通孔２８は、第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓで形成されていて、第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓは、図２（Ｂ）に示されるように、接合エリア２８Ｐで繋がっている。図２（Ｂ）では、接合エリア２８Ｐに斜線が描かれている。接合エリア２８Ｐの外周はネック部２８Ｃと称される。実施形態のスルーホール導体３６は、このような貫通孔２８内に形成されている。そのため、スルーホール導体３６はネック部２８Ｃで屈曲する。従って、実施形態のスルーホール導体３６がストレスを受けると、接続信頼性が低下しやすい。しかしながら、導体層の厚みの観点から、実施形態のスルーホール導体３６は劣化しがたい。

第１導体層３４Ｆはスルーホール導体３６に直接繋がっている第１スルーホールランド３６Ｆを有する。第１スルーホールランド３６Ｆはスルーホール導体３６の直上に位置し、スルーホール導体３６から延びている。
第２導体層３４Sはスルーホール導体３６に直接繋がっている第２スルーホールランド３６Sを有する。第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６の直上に位置し、スルーホール導体３６から延びている。

図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示されているプリント配線板の拡大図である。第１導体層３４Ｆは、コア層２０の第１面Ｆ１上に形成されている第１金属箔３２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆ上の第１シード層４２ｔｆと第１シード層４２ｔｆ上の第１電解めっき膜４４ｔｆから成る。
第２導体層３４Ｓは、コア層２０の第２面Ｓ２上に形成されている第２金属箔３２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓ上の第２シード層４２ｔｓと第２シード層４２ｔｓ上の第２電解めっき膜４４ｔｓから成る。
内側の第１導体層５８Ｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆ上の内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１シード層４２ｓｆ上の内側の第１電解めっき膜４４ｓｆから成る。
内側の第２導体層５８Ｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている内側の第２金属箔３２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓ上の内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２シード層４２ｓｓ上の内側の第２電解めっき膜４４ｓｓから成る。
内側の第３導体層１５８Ｆは、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第３金属箔３２ｇｆ上の内側の第３シード層４２ｇｆと内側の第３シード層４２ｇｆ上の内側の第３電解めっき膜４４ｇｆから成る。
内側の第４導体層１５８Ｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている内側の第４金属箔３２ｇｓと内側の第４金属箔３２ｇｓ上の内側の第４シード層４２ｇｓと内側の第４シード層４２ｇｓ上の内側の第４電解めっき膜４４ｇｓから成る。
最外の第１導体層２５８Ｆは、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆ上の最外の第１シード層４２ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ上の最外の第１電解めっき膜４４ｕｆから成る。
最外の第２導体層２５８Ｓは、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓ上に形成されている最外の第２シード層４２ｕｓと最外の第２シード層４２ｕｓ上の最外の第２電解めっき膜４４ｕｓから成る。

コア基板３０の第１面Ｆ１上に形成される第１樹脂絶縁層５０Ｆは、第１面Ｆ１と対向する第４面Ｆ４と第４面Ｆ４と反対側の第３面Ｆ３とを有する。コア基板３０の第２面Ｓ２上に形成される第２樹脂絶縁層５０Ｓは、第２面Ｓ２と対向する第８面Ｓ８と第８面Ｓ８と反対側の第７面Ｓ７とを有する。第１樹脂絶縁層５０Ｆの第３面Ｆ３上に形成される第３樹脂絶縁層１５０Ｆは、第３面Ｆ３と対向する第１４面Ｆ１４と第１４面Ｆ１４と反対側の第１３面Ｆ１３とを有する。第２樹脂絶縁層５０Ｓの第７面Ｓ７上に形成される第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、第７面Ｓ７と対向する第１８面Ｓ１８と第１８面Ｓ１８と反対側の第１７面Ｓ１７とを有する。第３樹脂絶縁層１５０Ｆの第１３面Ｆ１３上に形成される最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆは、第１３面Ｆ１３と対向する第６面Ｆ６と第６面Ｆ６と反対側の第５面Ｆ５とを有する。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの第１７面Ｓ１７上に形成される最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓは、第１７面Ｓ１７と対向する第１０面Ｓ１０と第１０面Ｓ１０と反対側の第９面Ｓ９とを有する。

コア層２０の第１面Ｆ１とコア層２０の第２面Ｓ２と第１樹脂絶縁層５０Ｆの第３面Ｆ３と第３樹脂絶縁層１５０Ｆの第１３面Ｆ１３と最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆの第５面Ｆ５と第２樹脂絶縁層５０Ｓの第７面Ｓ７と第４樹脂絶縁層１５０Ｓの第１７面Ｓ１７と最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓの第９面Ｓ９のそれぞれは粗面を有する。第１面Ｆ１の粗面は第１の十点平均粗さ(rz１)を有する。第２面Ｓ２の粗面は第２の十点平均粗さ(rz２)を有する。第３面Ｆ３の粗面は第３の十点平均粗さ(rz３)を有する。第５面Ｆ５の粗面は第５の十点平均粗さ(rz５)を有する。第７面Ｓ７の粗面は第７の十点平均粗さ(rz７)を有する。第９面Ｓ９の粗面は第９の十点平均粗さ(rz９)を有する。第１３面Ｆ１３の粗面は第１３の十点平均粗さ(rz１３)を有する。第１７面Ｓ１７の粗面は第１７の十点平均粗さ(rz１７)を有する。この明細書内で十点平均粗さを粗さと称することができる。

コア層２０の粗面（第１面Ｆ１の粗面と第２面Ｓ２の粗面）の大きさ（粗さrz1と粗さrz2）と最外の樹脂絶縁層（最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ）の粗面（第５面Ｆ５の粗面と第９面Ｓ９の粗面）の大きさ（粗さrz5と粗さrz9）は略等しい。粗さrz1と粗さrz2と粗さrz5と粗さrz9は略等しい。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の樹脂絶縁層を有する。その時、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の樹脂絶縁層の内、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層の粗面の大きさは、第５面Ｆ５の粗面の粗さrz５より小さい。この場合、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層であり、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆは大きな粗面を有する樹脂絶縁層である。このように、実施形態のプリント配線板１０は、小さな粗面を有する樹脂絶縁層と大きな粗面を有する樹脂絶縁層を有する。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の樹脂絶縁層を有する場合、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層であって、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は大きな粗面を有する樹脂絶縁層である。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の樹脂絶縁層の数が３以上である場合、２／３以上の内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層である。

第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の樹脂絶縁層を有する。その時、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の樹脂絶縁層の内、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層の粗面の大きさは、第９面Ｓ９の粗面の粗さrz９より小さい。この場合、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層であり、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓは大きな粗面を有する樹脂絶縁層である。このように、実施形態のプリント配線板１０は、小さな粗面を有する樹脂絶縁層と大きな粗面を有する樹脂絶縁層を有する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の樹脂絶縁層を有する場合、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層であって、少なくとも１つの内側の樹脂絶縁層は大きな粗面を有する樹脂絶縁層である。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の樹脂絶縁層の数が３以上である場合、２／３以上の内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層である。

各樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層と大きな粗面を有する樹脂絶縁層に分類される。小さな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさと大きな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の粗さが比較されると、小さな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさは大きな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさより小さい。小さな粗面を有する樹脂絶縁層は、相対的に小さな粗面を有する樹脂絶縁層である。大きな粗面を有する樹脂絶縁層は、相対的に大きな粗面を有する樹脂絶縁層である。
小さな粗面を有する各樹脂絶縁層の粗面の大きさは略等しい。大きな粗面を有する各樹脂絶縁層の粗面の大きさは略等しい。小さな粗面の大きさは大きな粗面の大きさより小さい。
粗面の粗さ（大きさ）は十点平均粗さで代表される。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の小さな粗面を有する樹脂絶縁層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の小さな粗面を有する樹脂絶縁層はコア基板に関して対称に形成される。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の大きな粗面を有する樹脂絶縁層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の大きな粗面を有する樹脂絶縁層はコア基板に関して対称に形成される。その例が図９（Ａ）に示される。図９（Ａ）では樹脂絶縁層に番号が順に付けられている。コア基板直上に形成されている樹脂絶縁層に１が付与され、最外の樹脂絶縁層に最も大きな数字が付与される。図９（Ａ）では、最外の樹脂絶縁層に４が付与されている。
図９（Ａ）に示されるように、第１ビルドアップ層内の番号１で示される内側の樹脂絶縁層が小さな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＦＳであれば、第２ビルドアップ層内の番号１で示される内側の樹脂絶縁層は小さな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＦＳである。第１ビルドアップ層内の番号２で示される内側の樹脂絶縁層が大きな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＢＳであれば、第２ビルドアップ層内の番号２で示される内側の樹脂絶縁層は大きな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＢＳである。図９（Ａ）では、番号３で示される内側の樹脂絶縁層は大きな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＢＳである。
最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆは必ず大きな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＢＳであって、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓは必ず大きな粗面を有する樹脂絶縁層ＭＢＳである。

粗面の粗さ（大きさ）の例が以下に示される。
第３の粗さ(rz３)は、第３の粗さ(rz３)と第１の粗さ(rz１)と第２の粗さ(rz２)と第５の粗さ(rz５)と第９の粗さ(rz９)の内、最も小さい。第１の粗さ(rz１)と第２の粗さ(rz２)と第５の粗さ(rz５)と第９の粗さ(rz９)は略等しい。そして、第１３の粗さ(rz１３)は第３の粗さ(rz３)と略等しい。もしくは、第１３の粗さ(rz１３)は第１の粗さ(rz１)と略等しい。
第７の粗さ(rz７)は、第７の粗さ(rz７)と第１の粗さ(rz１)と第２の粗さ(rz２)と第５の粗さ(rz５)と第９の粗さ(rz９)の中で最も小さい。第１の粗さ(rz１)と第２の粗さ(rz２)と第５の粗さ(rz５)と第９の粗さ(rz９)は略等しい。そして、第１７の粗さ(rz１７)と第７の粗さ(rz７)は略等しい。もしくは、第１７の粗さ(rz１７) は第１の粗さ(rz１)と略等しい。
第３の粗さ(rz３)と第７の粗さ(rz７)はほぼ等しい。第１３の粗さ（rz13）と第１７の粗さ（rz17）の粗さはほぼ等しい。

内側の樹脂絶縁層の内、小さな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさは、最外の樹脂絶縁層の粗面の大きさとコア層の粗面の大きさより小さい。そして、最外の樹脂絶縁層の粗面の大きさはコア層の粗面の大きさより大きい。

図２（Ａ）に示されるように、第１導体層３４Ｆを形成する第１導体回路の断面形状は、実質的に台形である。第１導体回路は第１導体回路の底面と第１導体回路の側面との間に第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）を有する。
第２導体層３４Ｓを形成する第２導体回路の断面形状は、実質的に台形である。第２導体回路は第２導体回路の底面と第２導体回路の側面との間に第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）を有する。
内側の第１導体層５８Ｆを形成する内側の第１導体回路の断面形状は、実質的に台形である。内側の第１導体回路は内側の第１導体回路の底面と内側の第１導体回路の側面との間に内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）を有する。
内側の第２導体層５８Ｓを形成する内側の第２導体回路の断面形状は、実質的に台形である。内側の第２導体回路は内側の第２導体回路の底面と内側の第２導体回路の側面との間に内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）を有する。
内側の第３導体層１５８Ｆを形成する内側の第３導体回路の断面形状は、実質的に台形である。内側の第３導体回路は第３導体回路の底面と第３導体回路の側面との間に内側の第３底角（θｇｆｌ、θｇｆｒ）を有する。
内側の第４導体層１５８Ｓを形成する内側の第４導体回路の断面形状は、実質的に台形である。内側の第４導体回路は内側の第４導体回路の底面と内側の第４導体回路の側面との間に内側の第４底角（θｇｓｌ、θｇｓｒ）を有する。
最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１導体回路の断面形状は、実質的に台形である。最外の第１導体回路は最外の第１導体回路の底面と最外の第１導体回路の側面との間に最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）を有する。
最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２導体回路の断面形状は、実質的に台形である。最外の第２導体回路は最外の第２導体回路の底面と最外の第２導体回路の側面との間に最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）を有する。
底角は図２（Ａ）に示されている。

底角の大きさと粗面の大きさは関連している。粗面の大きさが小さいと、その粗面上に形成されている導体回路の底角は大きい。そして、粗面の大きさが大きいと、その粗面上に形成されている導体回路の底角は小さい。
実施形態のプリント配線板１０は、大きな粗面を有する樹脂絶縁層と小さな粗面を有する樹脂絶縁層を含む。小さな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成されている導体回路の底角は、大きな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成されている導体回路の底角より大きい。従って、実施形態のプリント配線板１０は、小さな底角を有する導体回路で形成される導体層と大きな底角を有する導体回路で形成される導体層を有する。小さな底角の大きさと大きな底角の大きさが比較されると、大きな底角の大きさと小さな底角の大きさとの比（大きな底角の大きさ／小さな底角の大きさ）は１より大きい。小さな底角は相対的に小さな底角を有し、大きな底角は相対的に大きな底角を有する。

コア基板を形成する導体層（第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ）は、小さな底角を有する導体回路で形成される。

最外の導体層（最外の第１導体層２５８Ｆと最外の第２導体層２５８Ｓ）は、小さな底角を有する導体回路で形成される。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層は、大きな底角を有する導体回路で形成される。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層の数が複数である場合、大きな底角を有する導体回路で形成される導体層と小さな底角を有する導体回路で形成される導体層が混在する。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層の数が３以上である場合、大きな底角を有する導体回路で形成される導体層の数は２／３以上である。

第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層は、大きな底角を有する導体回路で形成される。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層の数が複数である場合、大きな底角を有する導体回路で形成される導体層と小さな底角を有する導体回路で形成される導体層が混在する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層の数が３以上である場合、大きな底角を有する導体回路で形成される導体層の数は２／３以上である。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の小さな底角を有する導体回路で形成される導体層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の小さな底角を有する導体回路で形成される導体層はコア基板に関して対称に形成される。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の大きな底角を有する導体回路で形成される導体層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の大きな底角を有する導体回路で形成される導体層はコア基板に関して対称に形成される。

底角の例が以下に示される。
内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）の角度は、内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）の角度と第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の角度と第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）の角度と最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）の角度と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）の角度の中で最も大きい。第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の角度と第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）の角度と最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）の角度と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）の角度は略等しい。そして、内側の第３底角（θｇｆｌ、θｇｆｒ）の角度は内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）の角度と略等しい。もしくは、内側の第３底角（θｇｆｌ、θｇｆｒ）の角度は第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の角度と略等しい。
内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）の角度は、内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）の角度と第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の角度と第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）の角度と最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）の角度と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）の角度の中で最も大きい。第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の角度と第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）の角度と最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）の角度と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）の角度は略等しい。そして、内側の第４底角（θｇｓｌ、θｇｓｒ）の角度は内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）の角度と略等しい。もしくは、内側の第４底角（θｇｓｌ、θｇｓｒ）の角度は第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）の角度と略等しい。
内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）の角度と内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）の角度はほぼ等しい。

コア基板３０の導体層３４Ｆ、３４Ｓを形成する導体回路の底角は最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓを形成する導体回路の底角より大きい。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓを形成する導体回路の底角は内側の導体層内の小さな底角を有する導体回路の底角より大きい。

底角の大きさ（角度）が第１導体層を使って例示される。図９（Ｂ）に第１導体層内の第１導体回路が示されている。
第１底角は左側に形成されている第１底角θｔｆｌと右側に形成されている第１底角θｔｆｒを有する。そして、左側に形成されている第１底角θｔｆｌの大きさと右側に形成されている第１底角θｔｆｒの大きさが異なる場合、２つの第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）の内、第１底角は大きな底角で代表される。各導体層内の導体回路の底角の大きさは第１導体層と同様に代表される。

実施形態のプリント配線板１０では、コア基板３０を形成する導体層(第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ)がスルーホール導体３６で接続されている。第１導体層３４Ｆはスルーホール導体３６の周りとスルーホール導体の直上にスルーホール導体の第１スルーホールランド３６Ｆを有する。また、第２導体層３４Ｓはスルーホール導体３６の周りとスルーホール導体の直上にスルーホール導体の第２スルーホールランド３６Ｓを有する。第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６から延びている。第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６と直接接続している。第１スルーホールランド３６Ｆとスルーホール導体３６は一体的に形成されている。第２スルーホールランド３６Ｓとスルーホール導体３６は一体的に形成されている。そのため、スルーホール導体３６と第１導体層３４Ｆ間の接続信頼性やスルーホール導体３６と第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。

図８（Ａ）は第１導体層３４Ｆの平面図である。
第１導体層３４Ｆは、スルーホール導体３６に繋がる第１スルーホールランド３６Ｆと複数の第１導体回路３４ｔｆと隣接する第１導体回路間の第１スペースＳＰｔｆで形成されている。第１導体回路３４ｔｆは種々の第１導体回路の幅Ｌｔｆを有し、第１導体回路の幅Ｌｔｆは最小の第１導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｔｆｍを有する。第１スペースＳＰｔｆは種々の第１スペースの幅Ｓｔｆを有し、第１スペースの幅Ｓｔｆは最小の第１スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｔｆｍを有する。第１スペースの幅Ｓｔｆは隣接する第１導体回路３４ｔｆ間の距離である。最小の第１導体回路の幅Ｌｔｆｍを有する第１導体回路は最小の第１導体回路３４ｔｆｍを形成する。最小の第１導体回路３４ｔｆｍも図２（Ａ）に示される第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）を有する。

図８（Ｂ）は第２導体層３４Ｓの平面図である。
第２導体層３４Ｓは、スルーホール導体３６に繋がる第２スルーホールランド３６Ｓと複数の第２導体回路３４ｔｓと隣接する第２導体回路間の第２スペースＳＰｔｓで形成されている。第２導体回路３４ｔｓは種々の第２導体回路の幅Ｌｔｓを有し、第２導体回路の幅Ｌｔｓは最小の第２導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｔｓｍを有する。第２スペースＳＰｔｓは種々の第２スペースの幅Ｓｔｓを有し、第２スペースの幅Ｓｔｓは最小の第２スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｔｓｍを有する。第２スペースの幅Ｓｔｓは隣接する第２導体回路３４ｔｓ間の距離である。最小の第２導体回路の幅Ｌｔｓｍを有する第２導体回路は最小の第２導体回路３４ｔｓｍを形成する。最小の第２導体回路３４ｔｓｍも図２（Ａ）に示される第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）を有する。

図８（Ｃ）は内側の第１導体層５８Ｆの平面図である。
内側の第１導体層５８Ｆは、第１ビア導体６０Ｆの直上に形成される内側の第１ビアランド６０ＦＦと複数の内側の第１導体回路５８ｓｆと隣接する内側の第１導体回路５８ｓｆ間の内側の第１スペースＳＰｓｆで形成されている。内側の第１導体回路５８ｓｆは種々の内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆを有し、内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆは最小の内側の第１導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｓｆｍを有する。内側の第１スペースＳＰｓｆは種々の内側の第１スペースの幅Ｓｓｆを有し、内側の第１スペースの幅Ｓｓｆは最小の内側の第１スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｓｆｍを有する。内側の第１スペースの幅Ｓｓｆは隣接する内側の第１導体回路５８ｓｆ間の距離である。最小の内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆｍを有する内側の第１導体回路は最小の内側の第１導体回路５８ｓｆｍを形成する。最小の内側の第１導体回路５８ｓｆｍも図２（Ａ）に示される内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）を有する。

図８（Ｄ）は内側の第２導体層５８Ｓの平面図である。
内側の第２導体層５８Ｓは、第２ビア導体６０Ｓの直上に形成される内側の第２ビアランド６０ＳＳと複数の内側の第２導体回路５８ｓｓと隣接する内側の第２導体回路５８ｓｓ間の内側の第２スペースＳＰｓｓで形成されている。内側の第２導体回路５８ｓｓは種々の内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓを有し、内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓは最小の内側の第２導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｓｓｍを有する。最小の内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓｍを有する内側の第２導体回路は最小の内側の第２導体回路５８ｓｓｍを形成する。内側の第２スペースＳＰｓｓは種々の内側の第２スペースの幅Ｓｓｓを有し、内側の第２スペースの幅Ｓｓｓは最小の内側の第２スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｓｓｍを有する。最小の内側の第２導体回路５８ｓｓｍも図２（Ａ）に示される内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）を有する。内側の第２スペースの幅Ｓｓｓは隣接する内側の第２導体回路５８ｓｓ間の距離である。

図８（Ｅ）は内側の第３導体層１５８Ｆの平面図である。
内側の第３導体層１５８Ｆは、第３ビア導体１６０Ｆの直上に形成される内側の第３ビアランド１６０ＦＦと複数の内側の第３導体回路１５８ｆｆと隣接する内側の第３導体回路１５８ｆｆ間の内側の第３スペースＳＰ３ｆで形成されている。内側の第３導体回路１５８ｆｆは種々の内側の第３導体回路の幅Ｌ３ｆを有し、内側の第３導体回路の幅Ｌ３ｆは最小の内側の第３導体回路の幅（最小配線幅）Ｌ３ｆｍを有する。最小の内側の第３導体回路の幅Ｌ３ｆｍを有する内側の第３導体回路は最小の内側の第３導体回路１５８ｆｆｍを形成する。内側の第３スペースＳＰ３ｆは種々の内側の第３スペースの幅Ｓ３ｆを有し、内側の第３スペースの幅Ｓ３ｆは最小の内側の第３スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓ３ｆｍを有する。内側の第３スペースの幅Ｓ３ｆは隣接する内側の第３導体回路１５８ｆｆ間の距離である。最小の内側の第３導体回路１５８ｆｆｍも図２（Ａ）に示される内側の第３底角（θｇｆｌ、θｇｆｒ）を有する。

図８（Ｆ）は内側の第４導体層１５８Ｓの平面図である。
内側の第４導体層１５８Ｓは、第４ビア導体１６０Ｓの直上に形成される内側の第４ビアランド１６０ＳＳと複数の内側の第４導体回路１５８ｓｓと隣接する内側の第４導体回路１５８ｓｓ間の内側の第４スペースＳＰ４ｓで形成されている。内側の第４導体回路１５８ｓｓは種々の内側の第４導体回路の幅Ｌ４ｓを有し、内側の第４導体回路の幅Ｌ４ｓは最小の内側の第４導体回路の幅（最小配線幅）Ｌ４ｓｍを有する。最小の内側の第４導体回路の幅Ｌ４ｓｍを有する内側の第４導体回路は最小の内側の第４導体回路１５８ｓｓｍを形成する。内側の第４スペースＳＰ４ｓは種々の内側の第４スペースの幅Ｓ４ｓを有し、内側の第４スペースの幅Ｓ４ｓは最小の内側の第４スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓ４ｓｍを有する。内側の第４スペースの幅Ｓ４ｓは隣接する内側の第４導体回路１５８ｓｓ間の距離である。最小の内側の第４導体回路１５８ｓｓｍも図２（Ａ）に示される内側の第４底角（θｇｓｌ、θｇｓｒ）を有する。

図８（Ｇ）は最外の第１導体層２５８Ｆの平面図である。
最外の第１導体層２５８Ｆは、最外の第１ビア導体２６０Ｆの直上に形成される最外の第１ビアランド２６０ＦＦと複数の最外の第１導体回路２５８ｕｆと隣接する最外の第１導体回路２５８ｕｆ間の最外の第１スペースＳＰｕｆで形成されている。最外の第１導体回路２５８ｕｆは種々の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆを有し、最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆは最小の最外の第１導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｕｆｍを有する。最外の第１スペースＳＰｕｆは種々の最外の第１スペースの幅Ｓｕｆを有し、最外の第１スペースの幅Ｓｕｆは最小の最外の第１スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｕｆｍを有する。最外の第１スペースの幅Ｓｕｆは隣接する最外の第１導体回路２５８ｕｆ間の距離である。最小の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆｍを有する最外の第１導体回路は最小の最外の第１導体回路２５８ｕｆｍを形成する。最小の最外の第１導体回路２５８ｕｆｍも図２（Ａ）に示される最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）を有する。

図８（Ｈ）は最外の第２導体層２５８Ｓの平面図である。
最外の第２導体層２５８Ｓは、最外の第２ビア導体２６０Ｓの直上に形成される最外の第２ビアランド２６０ＳＳと複数の最外の第２導体回路２５８ｕｓと隣接する最外の第２導体回路２５８ｕｓ間の最外の第２スペースＳＰｕｓで形成されている。最外の第２導体回路２５８ｕｓは種々の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓを有し、最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓは最小の最外の第２導体回路の幅（最小配線幅）Ｌｕｓｍを有する。最外の第２スペースＳＰｕｓは種々の最外の第２スペースの幅Ｓｕｓを有し、最外の第２スペースの幅Ｓｕｓは最小の最外の第２スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓｕｓｍを有する。最外の第２スペースの幅Ｓｕｓは隣接する最外の第２導体回路２５８ｕｓ間の距離である。最小の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓｍを有する最外の第２導体回路は最小の最外の第２導体回路２５８ｕｓｍを形成する。最小の最外の第２導体回路２５８ｕｓｍも図２（Ａ）に示される最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）を有する。

各導体層に存在する最小の導体回路の幅は粗面の大きさに関連している。大きな粗面上に形成されている導体層内に存在する最小の導体回路の幅は、小さな粗面上に形成されている導体層内に存在する最小の導体回路の幅より大きい。

各導体層に存在する最小の導体回路の幅は導体回路の底角に関連している。大きな底角を有する導体回路で形成される導体層内に存在する最小の導体回路の幅は、小さな底角を有する導体回路で形成される導体層内に存在する最小の導体回路の幅より小さい。

各導体層に存在する最小のスペースの幅は粗面の大きさに関連している。大きな粗面上に形成されている導体層内に存在する最小のスペースの幅は、小さな粗面上に形成されている導体層内に存在する最小のスペースの幅より大きい。

各導体層に存在する最小のスペースの幅は導体回路の底角に関連している。大きな底角を有する導体回路で形成される導体層内に存在する最小のスペースの幅は、小さな底角を有する導体回路で形成される導体層内に存在する最小のスペースの幅より小さい。

図２（Ａ）に示される実施形態のプリント配線板１０の一例が次に示される。
最小の内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆｍは、最小の内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆｍと最小の第１導体回路の幅Ｌｔｆｍと最小の第２導体回路の幅Ｌｔｓｍと最小の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆｍと最小の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓｍの中で最も小さい。そして、最小の内側の第３導体回路の幅Ｌ３ｆｍは、最小の内側の第１導体回路の幅Ｌｓｆｍと略等しい。あるいは、最小の内側の第３導体回路の幅Ｌ３ｆｍと最小の第１導体回路の幅Ｌｔｆｍと最小の第２導体回路の幅Ｌｔｓｍと最小の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆｍと最小の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓｍは略等しい。
最小の内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓｍは、最小の内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓｍと最小の第１導体回路の幅Ｌｔｆｍと最小の第２導体回路の幅Ｌｔｓｍと最小の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆｍと最小の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓｍの中で最も小さい。そして、最小の内側の第４導体回路の幅Ｌ４ｓｍは、最小の内側の第２導体回路の幅Ｌｓｓｍと略等しい。あるいは、最小の内側の第４導体回路の幅Ｌ４ｓｍと最小の第１導体回路の幅Ｌｔｆｍと最小の第２導体回路の幅Ｌｔｓｍと最小の最外の第１導体回路の幅Ｌｕｆｍと最小の最外の第２導体回路の幅Ｌｕｓｍは略等しい。

最小の内側の第１スペースの幅Ｓｓｆｍは、最小の内側の第１スペースの幅Ｓｓｆｍと最小の第１スペースの幅Ｓｔｆｍと最小の第２スペースの幅Ｓｔｓｍと最小の最外の第１スペースの幅Ｓｕｆｍと最小の最外の第２スペースの幅Ｓｕｓｍの中で最も小さい。そして、最小の内側の第３スペースの幅Ｓ３ｆｍは最小の内側の第１スペースの幅Ｓｓｆｍと略等しい。あるいは、最小の内側の第３スペースの幅Ｓ３ｆｍと最小の第１スペースの幅Ｓｔｆｍと最小の第２スペースの幅Ｓｔｓｍと最小の最外の第１スペースの幅Ｓｕｆｍと最小の最外の第２スペースの幅Ｓｕｓｍは略等しい。
最小の内側の第２スペースの幅Ｓｓｓｍは、最小の内側の第２スペースの幅Ｓｓｓｍと最小の第１スペースの幅Ｓｔｆｍと最小の第２スペースの幅Ｓｔｓｍと最小の最外の第１スペースの幅Ｓｕｆｍと最小の最外の第２スペースの幅Ｓｕｓｍの中で最も小さい。そして、最小の内側の第４スペースの幅（最小絶縁間隔）Ｓ４ｓｍは最小の内側の第２スペースの幅Ｓｓｓｍと略等しい。あるいは、最小の内側の第４スペースの幅Ｓ４ｓｍと最小の第１スペースの幅Ｓｔｆｍと最小の第２スペースの幅Ｓｔｓｍと最小の最外の第１スペースの幅Ｓｕｆｍと最小の最外の第２スペースの幅Ｓｕｓｍは略等しい。
このため、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層に微細な導体回路を形成することができる。例えば、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓの配線密度を高くすることができる。プリント配線板を小さくすることができる。プリント配線板の厚みを薄くすることができる。

実施形態では、例えば、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓはその他の層に形成されている導体層より細い導体回路を有する。従って、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓに信号用の導体回路を形成することが有利である。高速な信号を伝送するため、内側の第１導体層５８Ｆを形成する導体回路５８ｓｆの表面の凹凸と内側の第２導体層５８Ｓを形成する導体回路５８ｓｓの表面の凹凸は小さいことが好ましい。そのため、実施形態では、内側の第１導体層５８Ｆを支える第１樹脂絶縁層５０Ｆの粗面の大きさrz３や内側の第２導体層５８Ｓを支える第２樹脂絶縁層５０Ｓの粗面の大きさrz７は、コア層２０の第１面Ｆ１の粗面の大きさrz１、コア層２０の第２面Ｓ２の粗面の大きさrz２、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆの粗面の大きさrz５と最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓの粗面の大きさrz９より小さい。粗面の大きさが小さいと、導体回路は樹脂絶縁層から剥がれやすい。その不具合の発生を抑えるため、実施形態では、内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）が第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）、第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）、最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）より大きい。また、実施形態では、内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）が第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）、第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）、最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）と最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）より大きい。例えば、各導体層に形成されている最小の導体回路の幅が等しいと仮定される。最少の内側の第１導体回路５８ｓｆｍの断面積と最少の第１導体回路３４ｔｆｍの断面積が比較されると、最少の内側の第１導体回路５８ｓｆｍの断面積は最少の第１導体回路３４ｔｆｍの断面積より大きい。最少の内側の第２導体回路５８ｓｓｍの断面積と最少の第２導体回路３４ｔｓｍの断面積が比較されると、最少の内側の第２導体回路５８ｓｓｍの断面積は最少の第２導体回路３４ｔｓｍの断面積より大きい。このように、実施形態のプリント配線板では、内側の第１導体層５８Ｆを形成する導体回路の断面積や内側の第２導体層５８Ｓを形成する導体回路の断面積を大きくすることができる。そして、導体層の物性（例えば、熱膨張係数）と樹脂絶縁層の物性（例えば、熱膨張係数）は異なるので、ヒートショック等で導体回路に応力が蓄えられると考えられる。大きな断面積を有する導体回路（前者）と小さな断面積を有する導体回路（後者）で単位面積当たりの応力が比較されると、前者の値は後者の値より小さい。そして、その応力は熱等で解放される。その解放により、導体回路と樹脂絶縁層の粗面との間の界面にストレスが伝わると予想される。単位面積当たりの応力が大きく、粗面の粗さ（大きさ）が小さいと、導体回路が樹脂絶縁層から剥がれやすい。しかしながら、実施形態では、単位面積当たりの応力が小さく、粗面の粗さ（大きさ）が小さい。また、内側の第１導体層５８Ｆを形成する内側の第１導体回路５８ｓｆの断面積より、第１導体層３４Ｆを形成する第１導体回路３４ｔｆの断面積は小さい。しかしながら、第１導体回路３４ｔｆは大きな粗さを有する粗面を介しコア層２０に接着している。従って、単位面積当たりの応力が大きくても、粗面の凹凸が大きいので、第１導体層３４Ｆはコア層２０から剥がれがたい。第２導体層３４Ｓや最外の第１導体層２５８Ｆ、最外の第２導体層２５８Ｓは第１導体層３４Ｆと同様に樹脂絶縁層から剥がれがたい。
このように、粗面の大きさと底角は関連している。小さな粗面上に形成されている導体回路の底角は大きい。大きな粗面上に形成されている導体回路の底角は小さい。小さな粗面上に形成されている導体回路の底角は、大きな粗面上に形成されている導体回路の底角より大きい。

高速な信号が内側の第１導体層５８Ｆや内側の第２導体層５８Ｓで伝送されても、断面積が大きいので、低抵抗で信号を伝送することができる。底角が大きいと導体回路の電気抵抗を小さくすることができる。データの伝送速度を大きくすることができる。

内側の第３導体層１５８Ｆや内側の第４導体層１５８Ｓが小さな粗面を介して樹脂絶縁層に接着されても、内側の第１導体層と同様に、それらは樹脂絶縁層から剥がれがたい。それらに含まれる導体回路で高速な信号を伝送することが出来る。

内側の第３導体層１５８Ｆや内側の第４導体層１５８Ｓが大きな粗面を介して樹脂絶縁層に接着されても、第１導体層と同様に、それらは樹脂絶縁層から剥がれがたい。

[実施形態の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図７に示される。
図３（Ａ）に示される出発基板２０ｚが準備される。出発基板２０ｚは、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｓ２を有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ１上に積層されている第１金属箔３２ｔｆと第２面Ｓ２上に積層されている第２金属箔３２ｔｓで形成されている。第１金属箔３２ｔｆはコア層２０の第１面Ｆ１と第１金属箔３２ｔｆとの間の界面にマット面３２ｔｆｍを有する。マット面３２ｔｆｍは大きな凹凸を有する。第２金属箔３２ｔｓはコア層２０の第２面Ｓ２と第２金属箔３２ｔｓとの間の界面にマット面３２ｔｓｍを有する。マット面３２ｔｓｍは大きな凹凸を有する。コア層２０は補強材と樹脂で形成されている。コア層２０は無機粒子を有しても良い。コア層２０の樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。コア層２０の補強材の例はガラスクロスやアラミド繊維である。コア層２０の無機粒子の例はシリカやアルミナである。

図３（Ｂ）に示されるように、第１金属箔３２ｔｆにＣＯ２レーザが照射される。出発基板２０ｚの第１面Ｆ１側に第１開口２８Ｆが形成される。第１開口２８Ｆは、第１面から第２面Ｓ２に向かってテーパーしている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。

図３（Ｃ）に示されるように、第２金属箔３２ｔｓにＣＯ２レーザが照射される。出発基板２０ｚの第２面Ｓ２側に第２開口２８Ｓが形成される。第２開口２８Ｓは、第２面Ｓ２から第１面Ｆ１に向かってテーパーしている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓで貫通孔２８が形成される。第１開口と第２開口の接合箇所に接合エリア２８Ｐが形成される。接合エリア２８Ｐの外周がネック部２８Ｃを形成する。

第１金属箔３２ｔｆと第２金属箔３２ｔｓ、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき処理により第１シード層４２ｔｆと第２シード層４２ｔｓが形成される（図３（Ｄ））。第１シード層４２ｔｆを用いて第１電解めっき膜４４ｔｆが形成され、第２シード層４２ｔｓを用いて第２電解めっき膜４４ｔｓが形成される（図４（Ａ））。第１電解めっき膜４４ｔｆ上に第１エッチングレジスト４８ｔｆが形成される。第２電解めっき膜４４ｔｓ上に第２エッチングレジスト４８ｔｓが形成される（図４（Ｂ））。第１エッチングレジストから露出する第１電解めっき膜４４ｔｆと第１シード層４２ｔｆ、第１金属箔３２ｔｆがエッチングで除去される。第２エッチングレジストから露出する第２電解めっき膜４４ｔｓと第２シード層４２ｔｓ、第２金属箔３２ｔｓがエッチングで除去される。エッチングレジストが除去され、コア基板３０が完成する（図４（Ｃ））。貫通孔２８にスルーホール導体３６が形成される。同時に第１スルーホールランド３６Ｆを含む第１導体層３４Ｆや第２スルーホールランド３６Ｓを含む第２導体層３４Ｓが形成される。第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓはサブトラクティブ法で形成される。第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓは厚い厚みを有する導体層に属する。
実施形態では、貫通孔２８の略中央部分に接合エリア２８Ｐやネック部２８Ｃが形成される。そのため、めっきでスルーホール導体３６が形成される時、スルーホール導体３６内にボイドが発生し難い。スルーホール導体３６の信頼性が高い。第１導体層３４Ｆは、第１金属箔３２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆ上の第１シード層４２ｔｆと第１シード層４２ｔｆ上の第１電解めっき膜４４ｔｆから成る。第２導体層３４Ｓはと第２金属箔３２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓ上の第２シード層４２ｔｓと第２シード層４２ｔｓ上の第２電解めっき膜４４ｔｓから成る。第１導体層３４Ｆは第１底角（θｔｆｌ、θｔｆｒ）を有し、第２導体層３４Ｓは第２底角（θｔｓｌ、θｔｓｒ）を有する。コア基板３０の第１面Ｆ１に形成される粗面は第１の粗さ(rz１)を有し、コア基板３０の第２面Ｓ２に形成される粗面は第２の粗さ(rz２)を有する。
コア基板の導体層は小さな底角を有する導体回路で形成される。コア層の粗面は大きな粗面に属する。コア基板の導体層３４Ｆ、３４Ｓは厚い厚みを有する導体層に属する。

コア基板３０の第１面Ｆ１上に第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆが順に積層される。第２面Ｓ２上に第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓが順に積層される（図４（Ｄ））。内側の第１金属箔３２ｓｆは第３面Ｆ３と内側の第１金属箔３２ｓｆとの間の界面にマット面３２ｓｆｍを有する。マット面３２ｓｆｍは小さな凹凸を有する。内側の第２金属箔３２ｓｓは第７面Ｓ７と内側の第２金属箔３２ｓｓとの間の界面にマット面３２ｓｓｍを有する。マット面３２ｓｓｍ小さな凹凸を有する。第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓは、ガラスクロス等の補強材とシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成されている。ＣＯ２ガスレーザにて第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆを貫通し第１導体層３４Ｆへ至る開口５１Ｆが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓを貫通し第２導体層３４Ｓに至る開口５１Ｓが形成される（図５（Ａ））。

内側の第１金属箔３２ｓｆと開口５１Ｆの内壁上に内側の第１シード層４２ｓｆが形成される。内側の第２金属箔３２ｓｓと開口５１Ｓの内壁上に内側の第２シード層４２ｓｓが形成される。内側の第１シード層４２ｓｆ上にめっきレジスト４８ｓｆが形成され、内側の第２シード層４２ｓｓ上にめっきレジスト４８ｓｓが形成される（図５（Ｂ））。めっきレジスト４８ｓｆから露出する内側の第１シード層４２ｓｆ上に内側の第１電解めっき膜４４ｓｆが形成される。めっきレジスト４８ｓｓから露出する内側の第２シード層４２ｓｓ上に内側の第２電解めっき膜４４ｓｓが形成される。この時、開口５１Ｆは内側の第１電解めっき膜４４ｓｆで充填される。開口５１Ｓは内側の第２電解めっき膜４４ｓｓで充填される。開口５１Ｆに第１導体層３４Ｆに接続する第１ビア導体６０Ｆが形成される。開口５１Ｓに第２導体層３４Ｓに接続する第２ビア導体６０Ｓが形成される（図５（Ｃ））。めっきレジスト４８ｓｆ、４８ｓｓが除去される。
内側の第１電解めっき膜４４ｓｆから露出する内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆが除去される。内側の第２電解めっき膜４４ｓｓから露出する内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓが除去される。内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８ＳがＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）で形成される（図５（Ｄ））。内側の第１導体層５８Ｆは、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆ上の内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１シード層４２ｓｆ上の内側の第１電解めっき膜４４ｓｆとから成る。内側の第２導体層５８Ｓは、内側の第２金属箔３２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓ上の内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２シード層４２ｓｓ上の内側の第２電解めっき膜４４ｓｓとから成る。内側の第１導体層５８Ｆは内側の第１底角（θｓｆｌ、θｓｆｒ）を有し、内側の第２導体層５８Ｓは内側の第２底角（θｓｓｌ、θｓｓｒ）を有する。第１樹脂絶縁層５０Ｆの粗面は第３の粗さ(rz３)を有し、第２樹脂絶縁層５０Ｓの粗面は第７の粗さ(rz７)を有する。
内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓは小さな凹凸を有する金属箔から形成される。従って、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓは小さな粗面を有する。第１底角と第２底角は大きな底角に属する。内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓは薄い厚みを有する導体層に属する。

図４（Ｄ）〜図５（Ｄ）の工程が繰り返される。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３金属箔３２ｇｆが順に第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１導体層５８Ｆ上に形成される。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４金属箔３２ｇｓが順に第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２導体層５８Ｓ上に形成される。
内側の第３金属箔３２ｇｆは第１３面Ｆ１３と内側の第３金属箔３２ｇｆとの間の界面にマット面３２ｇｆｍを有する。マット面３２ｇｆｍ小さな凹凸を有する。内側の第４金属箔３２ｇｓは第１７面Ｓ１７と内側の第４金属箔３２ｇｓとの間の界面にマット面３２ｇｓｍを有する。マット面３２ｇｓｍは小さな凹凸を有する。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に内側の第３導体層１５８ＦがＭＳＡＰで形成される。同時に、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆを接続する第３ビア導体１６０Ｆが形成される。内側の第３導体層１５８Ｆは、内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第３金属箔３２ｇｆ上の内側の第３シード層４２ｇｆと内側の第３シード層４２ｇｆ上の内側の第３電解めっき膜４４ｇｆとから成る。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に内側の第４導体層１５８ＳがＭＳＡＰで形成される。同時に、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓを接続する第４ビア導体１６０Ｓが形成される（図６（Ａ））。内側の第４導体層１５８Ｓは、内側の第４金属箔３２ｇｓと内側の第４金属箔３２ｇｓ上の内側の第４シード層４２ｇｓと内側の第４シード層４２ｇｓ上の内側の第４電解めっき膜４４ｇｓとから成る。内側の第３導体層１５８Ｆは内側の第３底角（θｇｆｌ、θｇｆｒ）を有し、内側の第４導体層１５８Ｓは内側の第４底角（θｇｓｌ、θｇｓｒ）を有する。第３樹脂絶縁層１５０Ｆの粗面は第１３の粗さ(rz１３)を有し、第４樹脂絶縁層１５０Ｓの粗面は第１７の粗さ(rz１７)を有する。
内側の第３導体層１５８Ｆと内側の第４導体層１５８Ｓは小さな凹凸を有する金属箔から形成される。従って、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと第４樹脂絶縁層１５０Ｓは小さな粗面を有する。第３底角と第４底角は大きな底角に属する。内側の第３導体層１５８Ｆと内側の第４導体層１５８Ｓは薄い厚みを有する導体層に属する。

第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆ上に最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆが順に積層される。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓ上に最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓが順に積層される。
最外の第１金属箔３２ｕｆは最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆの第５面Ｆ５と最外の第１金属箔３２ｕｆとの間の界面にマット面３２ｕｆｍを有する。マット面３２ｕｆｍは大きな凹凸を有する。最外の第２金属箔３２ｕｓは最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓの第９面Ｓ９と最外の第２金属箔３２ｕｓとの間の界面にマット面３２ｕｓｍを有する。マット面３２ｕｓｍは大きな凹凸を有する。
ＣＯ２ガスレーザが最外の第１金属箔３２ｕｆに照射される。最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、内側の第３導体層１５８Ｆへ至る開口２５１Ｆが形成される。
ＣＯ２ガスレーザが最外の第２金属箔３２ｕｓに照射される。最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通し、内側の第４導体層１５８Ｓに至る開口２５１Ｓが形成される（図６（Ｂ））。

無電解めっき処理により最外の第１金属箔３２ｕｆと開口２５１Ｆの内壁上に最外の第１シード層４２ｕｆが形成される。最外の第２金属箔３２ｕｓと開口２５１Ｓの内壁上に最外の第２シード層４２ｕｓが形成される。電解めっき処理により最外の第１シード層４２ｕｆ上に最外の第１電解めっき膜４４ｕｆが形成される。同時に、開口２５１Ｆ内に最外の第１ビア導体２６０Ｆが形成される。同時に、最外の第２シード層４２ｕｓ上に最外の第２電解めっき膜４４ｕｓが形成される。開口２５１Ｓ内に最外の第２ビア導体２６０Ｓが形成される。最外の第１電解めっき膜４４ｕｆ上にエッチングレジスト４８ｕｆが形成される。最外の第２電解めっき膜４４ｕｓ上にエッチングレジスト４８ｕｓが形成される（図７（Ａ））。エッチングレジスト４８ｕｆから露出する最外の第１電解めっき膜４４ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ、最外の第１金属箔３２ｕｆがエッチングで除去される。最外の第１導体層２５８Ｆがサブトラクティブ法で形成される。エッチングレジスト４８ｕｓから露出する最外の第２電解めっき膜４４ｕｓと最外の第２シード層４２ｕＳ、最外の第２金属箔３２ｕｓがエッチングで除去される。最外の第２導体層２５８Ｓがサブトラクティブ法で形成される（図７（Ｂ））。コア基板３０の第１面Ｆ１上に第１ビルドアップ層Ｂｕ１が形成され、コア基板３０の第２面Ｓ２上に第２ビルドアップ層Ｂｕ２が形成される。
最外の第１導体層２５８Ｆは、最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆ上の最外の第１シード層４２ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ上の最外の第１電解めっき膜４４ｕｆとから成る。最外の第２導体層２５８Ｓは、最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓ上の最外の第２シード層４２ｕｓと最外の第２シード層４２ｕｓ上の最外の第２電解めっき膜４４ｕｓとから成る。最外の第１導体層２５８Ｆは最外の第１底角（θｕｆｌ、θｕｆｒ）を有し、最外の第２導体層２５８Ｓは最外の第２底角（θｕｓｌ、θｕｓｒ）を有する。最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆの粗面は第５の粗さ(rz５)を有し、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓの粗面は第９の粗さ(rz９)を有する。
最外の樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓの粗面は大きな粗面に属する。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは小さな底角を有する導体回路で形成される。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは厚い厚みを有する導体層に属する。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に最外の第１導体層２５８Ｆに含まれる第１パッド７３Ｆを露出する第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に最外の第２導体層２５８Ｓに含まれる第２パッド７３Ｓを露出する第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図１（Ａ））。第１開口７１Ｆから露出する第１パッド７３Ｆ上にリフローで第１半田バンプ７６Ｆが形成される。第２開口７１Ｓから露出する第２パッド７３Ｓ上にリフローで第２半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１（Ｂ））。

各シード層を無電解銅めっき膜で形成することが好ましい。各電解めっき膜を電解銅めっき膜で形成することが好ましい。

小さな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさ（十点平均粗さ）Ｒｚは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。大きな粗面を有する樹脂絶縁層の粗面の大きさ（十点平均粗さ）Ｒｚは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。コア層２０の粗面の大きさは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。最外の樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓの粗面の大きさは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。粗面の大きさの観点から、粗面は小さな粗面と大きな粗面に分類される。例えば、小さな粗面の大きさＲｚは２．５μｍ以下であり、大きな粗面の大きさＲｚは３．５μｍ以上である。

小さな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成されている金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。大きな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成されている金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。コア層上に形成されている金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。最外の樹脂絶縁層上に形成されている金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。マット面の粗さは大きな凹凸と小さな凹凸に分類される。コア基板３０を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓは大きな凹凸を有する金属箔から形成される。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは大きな凹凸を有する金属箔から形成される。少なくとも１つの内側の導体層は大きな凹凸を有する金属箔から形成される。少なくとも１つの内側の導体層は小さな凹凸を有する金属箔から形成される。
大きな凹凸を有する金属箔から形成される導体回路は小さな底角を有し、小さな凹凸を有する金属箔から形成される導体回路は大きな底角を有する。

例えば、樹脂絶縁層の粗面は樹脂絶縁層上に積層される金属箔のマット面を転写することで形成される。コア層の粗面は、コア層上に積層される金属箔のマット面を転写することで形成される。大きな凹凸を有する金属箔から大きな粗面が形成される。小さな凹凸を有する金属箔から小さな粗面が形成される。マット面の大きさと粗面の大きさは略等しい。マット面の大きさと粗面の大きさは等しいことが好ましい。

例えば、大きな底角は８０度より大きく、９０度より小さい。大きな底角は８５度以上であることが好ましい。小さな底角は７０度より大きく、８５度より小さい。小さな底角は８５度未満であることが好ましい。コア基板３０を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓは小さな底角を有する導体回路で形成される。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは小さな底角を有する導体回路で形成される。少なくとも１つの内側の導体層は小さな底角を有する導体回路で形成される。少なくとも１つの内側の導体層は大きな底角を有する導体回路で形成される。

粗面の大きさとその粗面上の導体層を形成する導体回路の底角は関連している。例えば、小さな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成される導体回路の底角は８０度より大きく、９０度より小さい。大きな粗面を有する樹脂絶縁層上に形成される導体回路の底角は７０度より大きく、８５度より小さい。

導体層の厚みとその導体層を形成する導体回路の底角は関連している。大きな底角を有する導体回路で形成される導体層の厚みは小さく、小さな底角を有する導体回路で形成される導体層の厚みは大きい。コア基板３０を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓは厚い厚みを有する導体層に分類される。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは厚い厚みを有する導体層に分類される。少なくとも１つの内側の導体層は厚い厚みを有する導体層に分類される。少なくとも１つの内側の導体層は薄い厚みを有する導体層に分類される。
厚い厚みを有する導体層の厚みは、薄い厚みを有する導体層の厚みより厚い、例えば、厚い厚みを有する導体層の厚みは、１５μｍ以上、３５μｍ以下である。厚い厚みを有する導体層の厚みは２０μｍ以上であることが好ましい。薄い厚みを有する導体層の厚みは５μｍ以上、２５μｍ以下である。薄い厚みを有する導体層の厚みは１５μｍ以下であることが好ましい。薄い厚みを有する導体回路の底角は大きく、厚い厚みを有する導体回路の底角は小さい。そのため、両者の導体の体積の差が小さくなる。データの伝送速度の差が小さくなる。

厚い厚みを有する導体層は大きな粗面上に形成され、薄い厚みを有する導体層は小さな粗面上に形成される。表皮効果と導体の体積の観点から両者のデータの伝送速度の差が小さくなる。

導体層を形成する導体回路の底角とその導体層を形成する金属箔の厚みは関連している。大きな底角を有する導体回路で形成される導体層は薄い厚みを有する金属箔から形成される。小さな底角を有する導体回路で形成される導体層は厚い厚みを有する金属箔から形成される。導体層を形成する金属箔は、厚い厚みを有する金属箔と薄い厚みを有する金属箔に分類される。厚い厚みを有する金属箔の厚みは薄い厚みを有する金属箔の厚みより厚い。厚い厚みを有する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。厚い厚みを有する金属箔の厚みは５μｍ以上であることが好ましい。薄い厚みを有する金属箔の厚みは２μｍ以上、５μｍ以下である。薄い厚みを有する金属箔の厚みは３μｍ以下であることが好ましい。コア基板３０を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓは厚い厚みを有する金属箔から形成される。最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓは厚い厚みを有する金属箔から形成される。少なくとも１つの内側の導体層は厚い厚みを有する金属箔から形成される。少なくとも１つの内側の導体層は薄い厚みを有する金属箔から形成される。

金属箔の厚みと金属箔のマット面の凹凸の大きさは関連している。厚い厚みを有する金属箔は大きな凹凸を有する金属箔であり、薄い厚みを有する金属箔は小さな凹凸を有する金属箔である。

各導体層の厚みの例が次に示される。
コア基板３０を形成する導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。コア基板の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。コア基板の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。
最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓの厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。最外の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。最外の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。
薄い厚みを有する内側の導体層の厚みは５μｍ以上、２５μｍ以下である。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、５μｍ以下である。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは５μｍ以上、２５μｍ以下である。
厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。
最外の導体層を形成する金属箔の厚みをコア基板の導体層を形成する金属箔の厚みより薄くすることができる。

各導体層を形成する金属箔のマット面の粗さの例が次に示される。
最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
コア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さをコア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さより小さくすることができる。例えば、コア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の粗さＲｚは３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、４．５μｍ以下である。
薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。
厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。

最外の導体層を形成する金属箔の厚みをコア基板の導体層を形成する金属箔の厚みより薄くすることができる。最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さをコア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さより小さくすることができる。

３０ コア基板
３２ｔｆ、３２ｓｆ、３２ｇｆ、３２ｕｆ、３２ｔｓ、３２ｓｓ、３２ｇｓ、３２ｕｓ 金属箔
３４Ｆ 第１導体層
３４Ｓ 第２導体層
３６ スルーホール導体
５０Ｆ 第１樹脂絶縁層
５０Ｓ 第２樹脂絶縁層
５８Ｆ 内側の第１導体層
５８Ｓ 内側の第２導体層
２５０Ｆ 最外の第１樹脂絶縁層
２５０Ｓ 最外の第２樹脂絶縁層
２５８Ｆ 最外の第１導体層
２５８Ｓ 最外の第２導体層

Claims (5)

1. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記コア層の前記第１面上の第１導体層と前記コア層の前記第２面上の第２導体層と前記コア層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有するコア基板と、
   第３面と前記第３面と反対側の第４面を有し、前記第１面と前記第４面が対向するように前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
   第７面と前記第７面と反対側の第８面を有し、前記第２面と前記第８面が対向するように前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている内側の第１導体層と、
   前記第２樹脂絶縁層の前記第７面上に形成されている内側の第２導体層と、
   第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有し、前記第６面が前記１面を向くように前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、
   第９面と前記第９面と反対側の第１０面とを有し、前記第１０面が前記第２面を向くように前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、
   前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層と、
   前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１導体層上に形成されている第１のソルダーレジスト層と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２導体層上に形成されている第２のソルダーレジスト層、とからなるプリント配線板であって、
   前記第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第１導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第２導体層を形成する導体回路の断面形状は略台形であって、
   前記第１面と前記第２面と前記第３面と前記第５面と前記第７面と前記第９面のそれぞれは粗面を有し、
   前記第１面の粗面は第１の十点平均粗さ(rz１)を有し、
   前記第２面の粗面は第２の十点平均粗さ(rz２)を有し、
   前記第３面の粗面は第３の十点平均粗さ(rz３)を有し、
   前記第５面の粗面は第５の十点平均粗さ(rz５)を有し、
   前記第７面の粗面は第７の十点平均粗さ(rz７)を有し、
   前記第９面の粗面は第９の十点平均粗さ(rz９)を有し、
   前記rz３は、前記rz３と前記rz１と前記rz２と前記rz５と前記rz９の中で最も小さく、
   前記rz７は、前記rz７と前記rz１と前記rz２と前記rz５と前記rz９の中で最も小さく、
   前記第１導体層と前記第２導体層と前記内側の第１導体層と前記内側の第２導体層と前記最外の第１導体層と前記最外の第２導体層は金属箔と前記金属箔上のシード層と前記シード層上の電解めっき膜で形成され、
   前記第１導体層は複数の第１導体回路と隣接する前記第１導体回路間の第１スペースで形成され、
   前記第２導体層は複数の第２導体回路と隣接する前記第２導体回路間の第２スペースで形成され、
   前記内側の１導体層は複数の内側の第１導体回路と隣接する前記内側の第１導体回路間の内側の第１スペースで形成され、
   前記内側の第２導体層は複数の内側の第２導体回路と隣接する前記内側の第２導体回路間の内側の第２スペースで形成され、
   前記最外の第１導体層は複数の最外の第１導体回路と隣接する前記最外の第１導体回路間の最外の第１スペースで形成され、
   前記最外の第２導体層は複数の最外の第２導体回路と隣接する前記最外の第２導体回路間の最外の第２スペースで形成され、
   前記第１導体回路は第１導体回路の幅を有し、前記第２導体回路は第２導体回路の幅を有し、前記内側の第１導体回路は内側の第１導体回路の幅を有し、前記内側の第２導体回路は内側の第２導体回路の幅を有し、前記最外の第１導体回路は最外の第１導体回路の幅を有し、前記最外の第２導体回路は最外の第２導体回路の幅を有し、
   前記第１導体回路の幅は最小の第１導体回路の幅を有し、前記第２導体回路の幅は最小の第２導体回路の幅を有し、前記内側の第１導体回路の幅は最小の内側の第１導体回路の幅を有し、前記内側の第２導体回路の幅は最小の内側の第２導体回路の幅を有し、前記最外の第１導体回路の幅は最小の最外の第１導体回路の幅を有し、前記最外の第２導体回路の幅は最小の最外の第２導体回路の幅を有し、
   前記最小の内側の第１導体回路の幅は、前記最小の内側の第１導体回路の幅と前記最小の第１導体回路の幅と前記最小の第２導体回路の幅と前記最小の最外の第１導体回路の幅と前記最小の最外の第２導体回路の幅の中で最も小さく、
   前記最小の内側の第２導体回路の幅は、前記最小の内側の第２導体回路の幅と前記最小の第１導体回路の幅と前記最小の第２導体回路の幅と前記最小の最外の第１導体回路の幅と前記最小の最外の第２導体回路の幅の中で最も小さく、
   前記第１スペースは第１スペースの幅を有し、前記第２スペースは第２スペースの幅を有し、前記内側の第１スペースは内側の第１スペースの幅を有し、前記内側の第２スペースは内側の第２スペースの幅を有し、前記最外の第１スペースは最外の第１スペースの幅を有し、前記最外の第２スペースは最外の第２スペースの幅を有し、
   前記第１スペースの幅は最小の第１スペースの幅を有し、前記第２スペースの幅は最小の第２スペースの幅を有し、前記内側の第１スペースの幅は最小の内側の第１スペースの幅を有し、前記内側の第２スペースの幅は最小の内側の第２スペースの幅を有し、前記最外の第１スペースの幅は最小の最外の第１スペースの幅を有し、前記最外の第２スペースの幅は最小の最外の第２スペースの幅を有し、
   前記最小の内側の第１スペースの幅は、前記最小の内側の第１スペースの幅と前記最小の第１スペースの幅と前記最小の第２スペースの幅と前記最小の最外の第１スペースの幅と前記最小の最外の第２スペースの幅の中で最も小さく、
   前記最小の内側の第２スペースの幅は、前記最小の内側の第２スペースの幅と前記最小の第１スペースの幅と前記最小の第２スペースの幅と前記最小の最外の第１スペースの幅と前記最小の最外の第２スペースの幅の中で最も小さく、
   前記最小の第１導体回路は、前記最小の第１導体回路の底面と前記最小の第１導体回路の側面との間に第１底角を有し、
   前記最小の第２導体回路は、前記最小の第２導体回路の底面と前記最小の第２導体回路の側面との間に第２底角を有し、
   前記最小の内側の第１導体回路は、前記最小の内側の第１導体回路の底面と前記最小の内側の第１導体回路の側面との間に内側の第１底角を有し、
   前記最小の内側の第２導体回路は、前記最小の内側の第２導体回路の底面と前記最小の内側の第２導体回路の側面との間に内側の第２底角を有し、
   前記最小の最外の第１導体回路は、前記最小の最外の第１導体回路の底面と前記最小の最外の第１導体回路の側面との間に最外の第１底角を有し、
   前記最小の最外の第２導体回路は、前記最小の最外の第２導体回路の底面と前記最小の最外の第２導体回路の側面との間に最外の第２底角を有し、
   前記内側の第１底角は、前記内側の第１底角と前記第１底角と前記第２底角と前記最外の第１底角と前記最外の第２底角の中で最も大きく、
   前記内側の第２底角は、前記内側の第２底角と前記第１底角と前記第２底角と前記最外の第１底角と前記最外の第２底角の中で最も大きい。
2. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記第１底角は左側に形成されている第１底角と右側に形成されている第１底角を有し、前記左側に形成されている第１底角の大きさと前記右側に形成されている第１底角の大きさが異なる場合、２つの第１底角の内、前記第１底角は大きな底角で代表され、
   前記第２底角は左側に形成されている第２底角と右側に形成されている第２底角を有し、前記左側に形成されている第２底角の大きさと前記右側に形成されている第２底角の大きさが異なる場合、２つの第２底角の内、前記第２底角は大きな底角で代表され、
   前記内側の第１底角は左側に形成されている内側の第１底角と右側に形成されている内側の第１底角を有し、前記左側に形成されている内側の第１底角の大きさと前記右側に形成されている内側の第１底角の大きさが異なる場合、２つの内側の第１底角の内、前記内側の第１底角は大きな底角で代表され、
   前記内側の第２底角は左側に形成されている内側の第２底角と右側に形成されている内側の第２底角を有し、前記左側に形成されている内側の第２底角の大きさと前記右側に形成されている内側の第２底角の大きさが異なる場合、２つの内側の第２底角の内、前記内側の第２底角は大きな底角で代表され、
   前記最外の第１底角は左側に形成されている最外の第１底角と右側に形成されている最外の第１底角を有し、前記左側に形成されている最外の第１底角の大きさと前記右側に形成されている最外の第１底角の大きさが異なる場合、２つの最外の第１底角の内、前記最外の第１底角は大きな底角で代表され、
   前記最外の第２底角は左側に形成されている最外の第２底角と右側に形成されている最外の第２底角を有し、前記左側に形成されている最外の第２底角の大きさと前記右側に形成されている最外の第２底角の大きさが異なる場合、２つの最外の第２底角の内、前記最外の第２底角は大きな底角で代表される。
3. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記コア基板は前記スルーホール導体を形成するための貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に向けてテーパーしている第１開口と前記第２面から前記第１面に向けてテーパーしている第２開口で形成されている。
4. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記コア層の前記第１面上の第１導体層と前記コア層の前記第２面上の第２導体層と前記コア層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有するコア基板と、
   第３面と前記第３面と反対側の第４面を有し、前記第１面と前記第４面が対向するように前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
   第７面と前記第７面と反対側の第８面を有し、前記第２面と前記第８面が対向するように前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている内側の第１導体層と、
   前記第２樹脂絶縁層の前記第７面上に形成されている内側の第２導体層と、
   第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有し、前記第６面が前記１面を向くように前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、
   第９面と前記第９面と反対側の第１０面とを有し、前記第１０面が前記第２面を向くように前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、
   前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層、とからなるプリント配線板であって、
   前記第１導体層は第１導体回路を含み、前記第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記第１導体回路は、前記第１導体回路の底面と前記第１導体回路の側面との間に第１底角を有し、
   前記第２導体層は第２導体回路を含み、前記第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記第２導体回路は、前記第２導体回路の底面と前記第２導体回路の側面との間に第２底角を有し、
   前記内側の第１導体層は内側の第１導体回路を含み、前記内側の第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第１導体回路は、前記内側の第１導体回路の底面と前記内側の第１導体回路の側面との間に内側の第１底角を有し、
   前記内側の第２導体層は内側の第２導体回路を含み、前記内側の第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記内側の第２導体回路は、前記内側の第２導体回路の底面と前記内側の第２導体回路の側面との間に内側の第２底角を有し、
   前記最外の第１導体層は最外の第１導体回路を含み、前記最外の第１導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第１導体回路は、前記最外の第１導体回路の底面と前記最外の第１導体回路の側面との間に最外の第１底角を有し、
   前記最外の第２導体層は最外の第２導体回路を含み、前記最外の第２導体回路の断面形状は略台形であって、前記最外の第２導体回路は、前記最外の第２導体回路の底面と前記最外の第２導体回路の側面との間に最外の第２底角を有し、
   前記第１面と前記第２面と前記第３面と前記第５面と前記第７面と前記第９面のそれぞれは粗面を有し、
   前記第１面の粗面は第１の十点平均粗さ(rz１)を有し、
   前記第２面の粗面は第２の十点平均粗さ(rz２)を有し、
   前記第３面の粗面は第３の十点平均粗さ(rz３)を有し、
   前記第５面の粗面は第５の十点平均粗さ(rz５)を有し、
   前記第７面の粗面は第７の十点平均粗さ(rz７)を有し、
   前記第９面の粗面は第９の十点平均粗さ(rz９)を有し、
   前記粗面の粗さの大きさと前記底角の大きさは関連していて、前記粗面の大きさが大きいと、前記底角の大きさは小さく、前記粗面の大きさが小さいと、前記底角の大きさは大きい。
5. 請求項４のプリント配線板であって、前記コア層の前記第１面上に形成されている小さな粗面を有する樹脂絶縁層と前記コア層の前記第２面上に形成されている小さな粗面を有する樹脂絶縁層はコア基板に関して対称に形成される。

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