WO2000045430A1

WO2000045430A1 - Electronic parts mounting method and device therefor

Info

Publication number: WO2000045430A1
Application number: PCT/JP2000/000372
Authority: WO
Inventors: Kazuto Nishida; Hidenobu Nishikawa; Yoshinori Wada; Hiroyuki Otani
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 2000-01-26
Publication date: 2000-08-03
Also published as: KR100502222B1; US20050155706A1; US20050224974A1; US6926796B1; US8007627B2; EP1156520A1; CN1201383C; EP1156520A4; US7683482B2; CN1339174A; US20070013067A1; KR20010092458A; TW478078B

Description

明細書電子部品の実装方法及びその装置技術分野

本発明は、電子回路用プリント基板（本明細書では、代表例として「基板」と称するが、この「基板」にはインタポーザや電子部品が装着される他の部品などの被装着体を意味する。）に電子部品例えば I Cチップや表面弾性波（S AW) デバイスなどを単体（I Cチップの場合にはベア I C) 状態で実装する回路基板への電子部品の実装方法及びその装置及び上記実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された電子部品ュニットに関するものである。背景技術

今日、電子回路基板は、あらゆる製品に使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回路基板上で用いられる周波数も高くなつており、インピーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用する電子機器に適した実装方法となっている。また、携帯機器の増加から、回路基板に I Cチップをパッケージではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求められている。このために、 I Cチップそのまま単体で回路基板に搭載したときの I Cチップや、電子機器及びフラットパネルディスプレイへ実装した I Cチップには、一定数の不良品が混在している。また、上記フリップチップ以外にも CS P (Ch i p S i z e P a c k a g e) , BGA (B a l l G r i d A r r a y) 等が用いられるようになってきている。

従来の電子機器の回路基板へ I Cチップを接合する方法（従来例 1) としては特公平 06— 66355号公報等により開示されたものがある。これを図 1

5に示す。図 1 5に示すように、バンプ 73を形成した I Cチップ 71に A g ペースト 74を転写して回路基板 76の電極 75に接続したのち A gペースト 74を硬化し、その後、封止材 78を I Cチップ 71と回路基板 76の間に流し込む方法が一般的に知られている。

また、液晶ディスプレイに I Cチップを接合する方法（従来例 2) として、図 1 6に示される特公昭 62— 6652号公報のように、異方性導電フィルム 80を使用するものであって、絶縁性樹脂 83中に導電性微片 82を加えて構成する異方性導電接着剤層 81をセパレータ 85から剥がして基板や液晶ディスプレイ 84のガラスに塗布し、 I Cチップ 86を熱圧着することによって、 A uバンプ 87の下以外の I Cチップ 86の下面と基板 84の間に上記異方性導電接着剤層 81が介在している半導体チップの接続構造が、一般に知られている。

従来例 3としては、 UV硬化樹脂を基板に塗布し、その上に I Cチップをマゥントし加圧しながら、 UV照射することにより両者の間の樹脂を硬化し、その収縮力により両者間のコンタクトを維持する方法が、知られている。

このように、 I Cチップを接合するには、フラットパッケージのような I C チップをリードフレーム上にダイボンディングし、 I Cチップの電極とリードフレームをワイヤボンドしてつなぎ、樹脂成形してパッケージを形成した後に、クリームハンダを回路基板に印刷し、その上にフラットパッケージ I Cを搭載しリフローするという工程を行うことにより、上記接合が行われていた。これらの SMT (S u r f a c e Mo u n t Te c h n o l o g y) といわれる工法では、 I Cをパッケージにする工程が長く、 I C部品の生産に時間を要し、また、回路基板を小型化するのが困難であった。例えば I Cチップは、フラットパックに封止された状態では、 I Cチップの約 4〜10倍程度の面積を必要とするため、小型化を妨げる要因となっていた。

これに対し、工程の短縮と小型軽量化の為に I Cチップを裸の状態でダイレクトに基板に搭載するフリップチップ工法が最近では用いられるようになってきた。このフリップチップ工法は、 I Cチップへのバンプ形成、バンプレベリング、 Ag · P dペースト転写、実装、検査、封止樹脂による封止、検査とを行うスタッド 'バンプ 'ボンディング（SBB) や、 I Cチップへのバンプ形成と基板への UV硬化樹脂塗布とを並行して行い、その後、実装、樹脂の UV 硬化、検査を行う U V樹脂接合のような多くの工法が開発されている。

ところが、どの工法においても I Cチップのバンプと基板の電極を接合するペーストの硬化や封止樹脂の塗布硬化に時間がかかり生産性が悪レ、という欠点を有していた。また、回路基板として、反り量を管理されたセラミックゃガラスを用いる必要が有り、高価となる欠点を有していた。

また、従来例 1のような導電性ペーストを接合材に用いる工法においては、その転写量を安定化するために、 I cチップのバンプはレべリングして、平坦化してから用いる必要があった。

また、従来例 2のような異方性導電接着剤による接合構造においては、回路基板の基材としてガラスを用いるものが開発されているが、 I Cチップ側電極と基板側電極との間の電気的導通のために導電粒子を両電極間に挟み込む必要があるため、導電性接着剤中の導電粒子を均一に分散することが必要となる力導電性接着剤中の導電粒子を均一に分散することが困難であり、粒子の分散異常によりショートの原因になったり、導電性接着剤が高価であったり、バンプの高さをそろえる為に、 I Cチップの電極のバンプは電気メツキにより形成しなければならなかつたりした。

また、従来例 3のように U V硬化樹脂を用いて接合する方法においては、ノンプの高さバラツキを ± 1 ( m) 以下にしなければならず、また、樹脂基板 (ガラスエポキシ基板）等の平面度の悪い基板には接合することができないといった問題があった。また、ハンダを用いる方法においても、接合後に基板と

I Cチップの熱膨張収縮差を緩和する為に封止樹脂を流し込み硬化する必要があった。この樹脂封止の硬化には、 2〜8時間の時間を必要とし、生産性がきわめて悪いといった問題があった。

従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、回路基板と電子部品を接合した後に、電子部品と基板の間に流し込む封止樹脂工程やバンプの高さを一定に揃えるバンプレべリング工程を必要とせず、導電粒子を有する異方性導電層を介在させて電子部品を基板に生産性良くかつ高信頼性で接合する回路基板への電子部品の実装方法及び装置及び上記実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された電子部品ュニットを提供することにある。発明の開示

上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。

本発明の第 1態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一により電子部品の電極に超音波熱圧着してバンプを形成し、

無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方性導電層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツールにより上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g ί以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2態様によれば、上記バンプを形成したのち、上記異方性導電層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載する前に、

上記形成されたバンプを、一度、 2 0 g f 以下の荷重で押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるようにした第 1態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3態様によれば、上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の 5〜 9 0 w t %である第 1又は 2態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 4態様によれば、上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂は当初上記基板に塗布する際に液体であり、上記基板に塗布後、上記基板を炉内に入れて上記塗布された絶縁性樹脂の液体を硬化させることにより、又は、加熱されたツールにより上記塗布された絶縁性樹脂の液体を押圧することにより、半固体化したのち、上記電子部品を上記基板に搭載する第 1〜3のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 5態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたポールをキヤビラリ一により電子部品の電極に超音波熱圧着して金バンプを形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方性導電層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、ツールにより上記電子部品の上面側から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、

次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 6態様によれば、上記電子部品は複数の電極を有し、上記位置合わせの前に、上記回路基板に、上記異方性導電層として、上記電子部品の上記複数の電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の異方性導電膜シートを貼り付けたのち上記位置合わせを行い、上記接合においては、上記異方性導電膜シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第 1〜 5のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 7態様によれば、上記バンプを上記電子部品上に形成する際にヮィャボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークにより金ボールを形成するとき、チヤムファー角を 1 0 0 ° 以下とし、かつ、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有する上記キヤビラリ一により、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する第 1〜 6のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 8態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一により電子部品の電極にバンプを形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方性導電層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、所定温度に加熱されたツールにより上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化し、

その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 9態様によれば、上記圧力 P 1は 2 0 g f Zバンプ以上、上記圧力 P 2は上記圧力 P 1の 1 / 2以下とする第 8態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 1 0態様によれば、無機ブイラ一を配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方^導電層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置と、上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしないバンプを形成する装置と、上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、ツールにより、加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g ί以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 1 1態様によれば、無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方性導電層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置と、

上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレベリングしない金バンプを形成する装置と、上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、ツールにより上記電子部品の上面から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置と、

ツールにより加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 1 2態様によれば、上記金ボールを形成する装置は、上記金ボ一ルと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有するとともにチヤムファ一角が 1 0 0 ° 以下となる上記キヤピラリーを有して、該キヤビラリ一により、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する第 1 0 〜 1 1態様のいずれかに記載の電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 1 3態様によれば、無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子を配合した異方性導電層を回路基板又は電子部品に貼り付ける装置と、上記電子部品の電極にワイヤボンディング同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に形成してレべリングしないバンプを形成する装置と、

上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、所定温度に加熱されたツールにより、上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 1 4態様によれば、上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フィラーの平均粒径が 3 μ m以上である第 1〜 3のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 1 5態様によれば、上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フイラ一は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラーであって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの一方の無機フィラーの平均粒径は、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの他方の無機フィラーの平均粒径の 2倍以上異なっている第 1〜3， 1 4のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 1 6態様によれば、上記異方性導電層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フイラ一量が少ないようにした第 1〜3， 1 4， 1 5のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 1 7態様によれば、上記異方性導電層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした第 1 6態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 1 8態様によれば、電子部品の電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラーが配合されかつ硬化された異方性導電層を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記異方性導電層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 1 9態様によれば、電子部品の電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラーが配合されかつ硬化された異方性導電層を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記異方性導電層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した第 1樹脂層と、上記第 1樹脂層に接触し、かつ、上記第 1樹脂層よりも上記無機フィラ一量が少ない絶縁性樹脂で構成される第 2樹脂層とを備える電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 2 0態様によれば、上記バンプはめつき又は印刷により形成したバンプである第 1〜 9， 1 4〜 1 7のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 1態様によれば、上記バンプはめつき又は印刷により形成したバンプである第 1 8， 1 9のいずれかの態様に記載の電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 2 2態様によれば、上記異方性導電層は、上記無機フィラーを配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フィラーの平均粒径より大きい平均直径を有する導電粒子を配合した第 1〜 9， 1 4〜1 7， 2 0のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 3態様によれば、上記異方性導電層は、上記無機フィラーを配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フィラーの平均粒径がより大きい平均直径を有する導電粒子を配合した第 1 0〜1 2のいずれかの態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 2 4態様によれば、上記異方性導電層は、上記無機フイラ一を配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フイラ一の平均粒径がより大きい平均直径を有する導電粒子を配合した第 1 8， 1 9， 2 1のいずれかの態様に記載の電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 2 5態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一により電子部品の電極に超音波熱圧着してバンプを形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、絶縁性樹脂に無機フイラ一を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツールにより上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 6態様によれば、上記バンプを形成したのち、上記絶縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した上記固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載する前に、上記形成されたバンプを、一度、 2 0 g f 以下の荷重で押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるようにした第 2 5態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 7態様によれば、上記絶縁性樹脂が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の 5〜 9 0 w t %である第 2 5又は 2 6態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 8態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキヤビラリーにより電子部品の電極に超音波熱圧着して金バンプを形成し、

上記形成されたバンプをレペリングせずに、絶縁性樹脂に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、ツールにより上記電子部品の上面側から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、

次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 2 9態様によれば、上記電子部品は複数の電極を有し、上記位置合わせの前に、上記回路基板に、上記絶縁性樹脂層として、上記電子部品の上記複数の電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の絶縁性樹脂シートを貼り付けたのち上記位置合わせを行い、上記接合においては、上記絶縁性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第 2 5〜 2 8のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 0態様によれば、上記バンプを上記電子部品上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークにより金ボールを形成するとき、チヤムファー角を 1 0 0 ° 以下とし、かつ、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有する上記キヤビラリ一により、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する第 2 5〜 2 9のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 1態様によれば、ワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一により電子部品の電極にバンプを形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、絶縁性樹脂に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、所定温度に加熱されたツールにより上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、

その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 2態様によれば、上記圧力 P 1は 2 0 g f /バンプ以上、上記圧力 P 2は上記圧力 P 1の 1 Z 2以下とする第 3 1態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 3態様によれば、絶縁性樹脂に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置と、上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしないバンプを形成する装置と、

上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、ツールにより、加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。本発明の第 3 4態様によれば、絶縁性樹脂に無機フイラ一を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置と、上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に金属線の先端に電気スパ —クによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしない金バンプを形成する装置と、上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、ツールにより上記電子部品の上面から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置と、

ツールにより加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり

2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。

本発明の第 3 5態様によれば、絶縁性樹脂に無機フイラ一を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を回路基板又は電子部品に貼り付ける装置と、

上記電子部品の電極にワイヤボンディング同様に金属線の先端に電気スパ一クによりボールを形成し、これをキヤビラリ一により上記基板の上記電極に形成してレべリングしないバンプを形成する装置と、

上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、所定温度に加熱されたツールにより、上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備える電子部品の実装装置を提供する。本発明の第 3 6態様によれば、上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フィラーは、異なる平均粒径を持つ複数種類の無機フィラーである第 2 5〜2 7のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 7態様によれば、上記絶縁性樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした第 2 5〜2 7， 3 6のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 8態様によれば、上記絶縁性樹脂層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、他の部分よりも上記無機フイラ一量が少ないようにした第 3 7態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 3 9態様によれば、上記電子部品に接触する部分では、電子部品表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、上記基板に接触する部分では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いるようにした第 3 7， 3 8のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 4 0態様によれば、上記絶縁性樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のレ、ずれか一方に接触する部分が、上記無機フィラーを配合しないようにした第 2 5〜 2 7， 3 6のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 4 1態様によれば、電子部品の電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラーが配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記絶縁性樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ない電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 4 2態様によれば、電子部品の電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラーが配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記絶縁性樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した第 1樹脂層と、上記第 1樹脂層に接触し、かつ、上記第 1樹脂層よりも上記無機フィラー量が少なレ、絶縁性樹脂で構成される第 2樹脂層とを備える電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 4 3態様によれば、上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合するとき、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱するようにした第 5又は 2 8の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。

本発明の第 4 4態様によれば、第:！〜 9， 1 4〜； 1 7， 2 5〜3 2， 3 6〜 4 0 , 4 3のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された電子部品ュニットを提供する。

本発明の第 4 5態様によれば、上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置は、上記電子部品の上記上面側から、又は、上記基板側から、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱する加熱部材を備え、上記金属接合時に上記加熱部材により加熱するようにした第 1 1 又は 34の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。図面の簡単な説明

本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面についての好ましい実施形態に関連した次の記述から明らかになる。この図面においては、

図 1 A、図 1 B、図 1 C、図 1 D、図 1 E、図 1 F、図 1 Gは、それぞれ本発明の第 1実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法を示す説明図であり、

図 2 A、図 2 Bは、それぞれ第 1実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法において、熱硬化性樹脂中の無機フィラーが接合開始当初に熱硬化性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプによりバンプ外側方向へ押し出される状態を示す説明図、及び、図 2 Cはバンプと基板電極の間に無機フィラーが入り込まない状態を示す説明図であり、

図 3A、図 3 B、図 3 C、図 3D、図 3 E、図 3 F、図 3Gは、それぞれ本発明の第 1実施形態における実装方法において、 I Cチップのワイヤボンダ一を用いたバンプ形成工程を示す説明図であり、

図 4A、図 4 B、図 4 Cは、それぞれ本発明の第 1実施形態にかかる実装方法において、回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 5A、図 5B、図 5Cは、それぞれ本発明の第 1実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 6A、図 6 B、図 6 Cは、それぞれ、本発明の第 3実施形態の実装方法において異方性導電膜シートに代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置することを説明するための説明図、及び、図 6D，図 6 Eはそれぞれ上記第 1実施形態での接合状態の拡大説明図であり、

図 7A、図 7B、図 7C、図 7D、図 7E、図 7 Fは、それぞれ、本発明の第 3実施形態の実装方法において、図 6 A〜図 6 Eの変形例として、異方性導電膜シートに代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置することを説明するための説明図であり、

図 8A、図 8 B、図 8Cは、それぞれ本発明の第 5実施形態にかかる実装方法において、回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 9A、図 9 B、図 9Cは、それぞれ本発明の第 5実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 10A、図 10B、図 10 C、図 1 ODは、それぞれ本発明の第 6実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 1 1 A、図 1 1 B、図 1 1 C、図 1 1 D、図 1 1 Eは、それぞれ本発明の第 6実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 1 2A、図 1 2B、図 1 2C、図 1 2Dは、それぞれ本発明の第 7実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 1 3は、本発明の第 7実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 14 A、図 14 Bは、それぞれ熱硬化性樹脂シートを I Cチップ 1側に形成した第 1実施形態の変形例を示す説明図、及び、熱硬化性接着剤を I Cチップ 1側に形成した第 1実施形態の変形例を示す説明図であり、

図 1 5は、従来の回路基板との I Cチップの接合方法を示す断面図であり、図 1 6A、図 1 6 Bは、それぞれ従来の回路基板との I Cチップの接合方法を示す説明図であり、

図 1 7は、上記第 1実施形態において、 80 mの外径のバンプの場合の抵抗ィ直と荷重との関係のグラフの図であり、

図 1 8は、上記第 1実施形態において、 80 μπι， 40 / mのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の高い領域を示したグラフの図であり、

図 1 9は、上記第 3実施形態において、樹脂シート（異方性導電膜シート）の加熱温度と反応率とのグラフの図であり、

図 20は、上記第 1実施形態で使用される電子部品搭載装置の斜視図であり、図 21 A、図 21 B、図 21 C、図 21 Dは、それぞれ図 20の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動作を示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での位置認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図であり、図 22は、上記第 4実施形態で使用する超音波印加装置の概略図であり、図 23は、上記第 5実施形態で使用される貼り付け装置の概略図であり、図 24A、図 24 Bは、それぞれ AC F工法と上記実施形態の工法との比較説明のためのバンプ付近の拡大断面図であり、

図 25は、本発明の第 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I C チップの実装方法及び装置により接合された接合状態の模式断面図であり、図 26は、上記第 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される樹脂シートの部分拡大模式断面図であり、

図 27は、本発明の第 1 3実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I

>実装方法及び装置により接合された接合状態での絶縁性樹脂と無機ラーの模式断面図であり、

図 28A、図 28 B、図 28C、図 28Dは、それぞれ本発明の第 14実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層の種々の例を示す電子部品ュニットの模式断面図であり、

図 29A、図 29 B、図 29C、図 29Dは、それぞれ本発明の第 14実施形態の変形例にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層の種々の例の模式断面図であり、

図 30は、図 29 Aに示された上記第 14実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 3 1は、図 29 Bに示された上記第 14実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 32A、図 32Bは、図 29C、図 29 Dにそれぞれ示された上記第 14 実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 33A、図 33 B、図 33 C、図 33D、図 33 E、図 33 Fは、それぞれ上記第 14実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層の無機フィラーの量と異方性導電層の厚み方向の位置との様々な関係のグラフを示す図であり、

図 34は、本発明の第 1 5実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される異方性導電層の製造工程の説明図であり、

図 35は、図 34の部分拡大図であり、

図 36は、上記第 1実施形態の一具体例における導電粒子の平均直径と無機フイラ一の粒子の平均直径の分布図であり、

図 37A、図 37 Bは、それぞれ上記第 1実施形態の変形例において使用可能なバンプの例を示す図であり、

図 38A、図 38 B、図 38 C、図 38D、図 38 E、図 38 F、図 38G は、それぞれ本発明の第 1 6実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I

Cチップの実装方法を示す説明図であり、

図 39A、図 39 Bは、それぞれ第 1 6実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法において、熱硬化性樹脂中の無機フイラ一が接合開始当初に熱硬化性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプによりバンプ外側方向へ押し出される状態を示す説明図、及び、図 39Cはバンプと基板電極の間に無機フィラーが入り込まなレ、状態を示す説明図であり、

図 40A、図 40 B、図 40 C、図 40D、図 40 E、図 40 F、図 40G は、それぞれ本発明の第 1 6実施形態における実装方法において、 I のワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図であり、

図 41 A、図 41 B、図 41 Cは、それぞれ本発明の第 1 6実施形態にかかる実装方法において、回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、図 42A、図 42B、図 42Cは、それぞれ本発明の第 1 6実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、図 43A、図 43 B、図 43 Cは、それぞれ、本発明の第 1 8実施形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置することを説明するための説明図であり、

図 44A、図 44 B、図 44C、図 44D、図 44 E、図 44 Fは、それぞれ、本発明の第 1 8実施形態の実装方法において、図 43 A〜図 43 Cの変形例として、熱硬化性樹脂シートに代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置することを説明するための説明図であり、

図 45A、図 45B、図 45Cは、それぞれ本発明の第 20実施形態にかかる実装方法において、回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、図 46 A、図 46 B、図 46 Cは、それぞれ本発明の第 20実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、図 47A、図 47B、図 47C、図 47Dは、それぞれ本発明の第 21実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 48A、図 48 B、図 48C、図 48D、図 48 Eは、それぞれ本発明の第 21実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 49A、図 49 B、図 49 C、図 49Dは、それぞれ本発明の第 22実施形態である実装方法において回路基板と I Cチップの接合工程を示す説明図であり、

図 50は、本発明の第 22実施形態である実装方法において回路基板と I C チップの接合工程を示す説明図であり、

図 51 A、図 51 Bは、それぞれ熱硬化性樹脂シートを I Cチップ 1側に形成した第 1 6実施形態の変形例を示す説明図、及び、熱硬化性接着剤を I Cチップ 1側に形成した第 1 6実施形態の変形例を示す説明図であり、

図 5 2は、上記第 1 6実施形態において、 8 0 /i mの外径のバンプの場合の抵抗値と荷重との関係のグラフの図であり、

図 5 3は、上記第 1 6実施形態において、 8 0 μ m， 4 0 μ mのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の高い領域を示したグラフの図であり、

図 5 4は、上記第 1 8実施形態において、樹脂シートの加熱温度と反応率とのグラフの図であり、

図 5 5は、上記第 1 6実施形態で使用される電子部品搭載装置の斜視図であり、

図 5 6 A、図 5 6 B、図 5 6 C、図 5 6 Dは、それぞれ図 5 5の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動作を示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での位置認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図であり、図 5 7は、上記第 1 9実施形態で使用する超音波印加装置の概略図であり、図 5 8は、上記第 2 0実施形態で使用される貼り付け装置の概略図であり、図 5 9 A、図 5 9 Bは、それぞれ A C F工法と上記実施形態の工法との比較説明のためのバンプ付近の拡大断面図であり、

図 6 0は、本発明の第 2 4実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により接合された接合状態の模式断面図であり、図 6 1は、上記第 2 4実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される樹脂シートの部分拡大模式断面図であり、

図 6 2は、本発明の第 2 8実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により接合された接合状態での絶縁性樹脂と無機フィラーの模式断面図であり、

図 6 3 A、図 6 3 B、図 6 3 C、図 6 3 Dは、それぞれ本発明の第 2 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層の種々の例を示す電子部品ュニットの模式断面図であり、

図 64A、図 64 B、図 64 C、図 64Dは、それぞれ本発明の第 29実施形態の変形例にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層の種々の例の模式断面図であり、

図 65は、図 64 Aに示された上記第 29実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 66は、図 64 Bに示された上記第 29実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 67A、図 67Bは、図 64 C、図 64 Dにそれぞれ示された上記第 29 実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層を使用して接合された接合状態の模式断面図であり、

図 68A、図 68 B、図 68 C、図 68D、図 68 E、図 68 Fは、それぞれ上記第 29実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層の無機フィラーの量と絶縁性樹脂層の厚み方向の位置との様々な関係のグラフを示す図であり、

図 69は、本発明の第 30実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I

Cチップの実装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層の製造工程の説明図であり、

図 70は、図 69の部分拡大図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。

以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 (第 1実施形態）

以下、本発明の第 1実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその装置の一例としての回路基板への I Cチップの実装方法及びその実装装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 1 Aから図 1 4を参照しながら説明する。まず、本発明の第 1実施形態にかかる回路基板への I Cチップ実装方法を図 1 A〜図 4 C及び図 6 A〜Fを用いて説明する。

図 1 Aの電子部品の一例である I Cチップ 1において I Cチップ 1の A 1パッド電極 2にワイヤボンディング装置により図 3 A〜図 3 Fのごとき動作によりバンプ（突起電極） 3を形成する。すなわち、図 3 Aでホルダであるキヤピラリー 9 3から突出したワイヤ 9 5の下端にボール 9 6を形成し、図 3 Bでヮィャ 9 5を保持するキヤビラリー 9 3を下降させ、ボール 9 6を I Cチップ 1 の電極 2に接合して大略バンプ 3の形状を形成し、図 3 Cでワイヤ 9 5を下方に送りつつキヤビラリ一 9 3の上昇を開始し、図 3 Dに示すような大略矩形のループ 9 9にキヤピラリー 9 3を移動させて図 3 Eに示すようにバンプ 3の上部に湾曲部 9 8を形成し、引きちぎることにより図 1 B，図 3 Fに示すようなバンプ 3を形成する。あるいは、図 3 Bでワイヤ 9 5をキヤピラリー 9 3でクランプして、キヤビラリ一 9 3を上昇させて上方に引き上げることにより、金属線、例えば、金ワイヤ（金線） 9 5 (なお、金属線の例としては、スズ、ァルミユウム、銅、又はこれらの金属に微量元素を含有させた合金のワイヤなどがあるが、以下の実施形態では代表例として金ワイヤ（金線）として記載する。）を引きちぎり、図 3 Gのようなバンプ 3の形状を形成するようにしてもよい。このように、 I Cチップ 1の各電極 2にバンプ 3を形成した状態を図 1 Bに示す。

次いで、この実施形態では、各電極 2にバンプ 3が形成された I Cチップ 1 を回路基板 4へ装着するとき、異方性導電層の一例として、異方性導電膜（A C F ) シート 1 0を介在させるものである。この異方性導電膜シート 1 0は、異方性導電膜シ一ト 1 0を構成する絶縁性熱硬化性の固形樹脂中の導電粒子 1 0 aの平均直径より小さい平均直径の無機フィラー 6 f を含有する。例えば、図 3 6に示すように、導電粒子 1 0 aの平均直径を、従来の A C Fでの導電粒子 1 0 aの平均直径 1 . 0 // mより小さい 0 . 5 μ mとするとき、無機フイラ一 6 f の粒子の平均直径は 3〜 5 μ ιη程度とする。異方性導電膜シート 1 0に含まれる上記導電粒子 1 0 aとして、ニッケル粉に金メッキを施したものを用いる。このように構成することにより、基板側の電極 5と I Cチップ側のバンプ 3との間での接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。

上記導電粒子 1 0 aとしては、さらに好ましくは、上記導電粒子 1 0 aの導電粒子本体 1 0 a— 1の外側に絶縁層 1 0 a— 2でコ一トしたものを用い、導電粒子 1 0 aの量を通常汎用されている異方性導電膜の 2倍以上とすることにより、ある確率でバンプ 3に導電粒子 1 0 aが挟まれることになり、吸湿時の膨潤やその後のリフローによる熱衝撃に対する耐性を向上することができる。このように絶縁コートされた導電粒子 1 0 aは、バンプ 3で基板電極 5との間に挟み込まれると、そのときに導電粒子 1 0 aの外側の極薄い絶縁コート部分 1 0 a— 2が削りとられて導電粒子本体 1 0 a— 1が露出して導電性を発揮する。したがって、バンプ 3と電極 5に挟まれない部分では、絶縁コート部分 1 0 a - 1が削りとられないため、導電性を発揮しない。よって、平面方向で電極 5と電極 3の間でのショートが発生しにくいということになる。また、通常、スタツドバンプを用いると、頭頂部の面積が小さいので導電粒子 1 0 aを電極 5とバンプ 3との間に挟み込むことが難しいので、導電粒子 1 0 aの量を多く入れることが必要であるが、そのようにすると、導電粒子同士が接触して電極 3， 5間をショートさせることがあるので、上記したように、絶縁コートされた絶縁性の導電粒子を使用するのが好ましい。また、リフロー特性などが良くなるのは、温度や湿度による膨潤により異方性導電膜形成用接着剤（又は異方性導電膜シート）が Z方向（異方性導電膜シートの厚み方向）に膨張した場合にも、導電粒子 1 0 aがそれ以上に膨張して接続を保つことができるためである。このため、導電粒子 1 0 aには、反発力のある A u— N i コートのプラスチック粒子などを用いるのが好ましい。次に、図 1 Cの回路基板 4の電極 5上に、図 1 Dに示すように、 I Cチップ 1の大きさより若干大きな寸法にカットされ、かつ、無機フィラー 6 f が配合された異方性導電膜シート 1 0を配置し、例えば 8 0〜1 2 0 °Cに熱せられた貼付けツール 7により例えば 5〜 1 0 k g f Z c m2程度の圧力で異方性導電膜シ一ト 1 0を基板 4に貼付ける。この後、異方性導電膜シート 1 0の貼付けツール側に取り外し可能に配置されたのセパレータ 1 0 gを剥がすことにより基板 4の準備工程が完了する。このセパレ一タ 1 0 gは、ツール 7に無機フィラー 6 f を配合した固体又は半固体の熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シート 1 0が貼り付くのを防止するためのものである。ここで、図 1 Gに図 1 Fの G 部分を部分的に拡大して示すように、異方性導電膜シ一ト 1 0は、導電粒子 1 0 aの平均直径より小さい平均直径の球状又は破砕シリカ、アルミナ等のセラミクスなどの無機系フイラ一 6 f を絶縁性樹脂 6 mに分散させて混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましいとともに、後工程のリフロ一工程での高温に耐えうる程度の耐熱性 (例えば、 2 4 0 °Cに 1 0秒間耐えうる程度の耐熱性）を有することが好ましい。上記絶縁性樹脂は、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニフエ二レンサルファイド（P P S ) 、ポリカーボネイト、変性ポリフエ二レンオキサイド（P P O) など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性樹脂 6 mのガラス転移点は一般に 1 2 0〜2 0 0 °C程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。

次に、図 1 E及び図 1 Fに示されるように、図 2 0の電子部品搭載装置 6 0 0において、部品保持部材 6 0 1の先端の熱せられた接合ツール 8により、上記工程でバンプ 3が形成された I Cチップ 1をトレー 6 0 2から吸着保持しつつ、該 I Cチップ 1を、上記前工程で準備されかつステージ 9上に載置された基板 4の I Cチップ 1の電極 2に対応する電極 5上に位置合わせして異方性導電膜シート 1 0を介して I Cチップ 1を基板 4に押圧する。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用する。例えば、図 2 1 Cに示すように、基板 4に形成された位置認識マーク 6 0 5又はリード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置 6 0 0の基板認識用カメラ 6 0 4で認識して、図 2 1 Dに示すようにカメラ 6 0 4で得られた画像 6 0 6を基に、基板 4のステージ 9上での直交する X Y方向の X Y座標位置と X Y座標の原点に対する回転位置とを認識して基板 4の位置を認識する。一方、図 2 1 Aに示すように、接合ツール 8に吸着保持された I Cチップ 1の位置認識用マーク 6 0 8又は回路パターンを I Cチップ用位置認識力メラ 6 0 3で認識して、図 2 1 Bに示すようにカメラ 6 0 3 で得られた画像 6 0 7を基に、 I Cチップ 1の上記 X Y方向の X Y座標位置と X Y座標の原点に対する回転位置とを認識して I Cチップ 1の位置を認識する。そして、上記基板 4と I Cチップ 1との位置認識結果を基に、接合ツール 8又はステージ 9を移動させて、 I Cチップ 1の電極 2が対応する基板 4の電極 5 上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール 8により I Cチップ 1を基板 4に押圧する。このとき、バンプ 3は基板 4の電極 5上でバンプ 3の頭部 3 aが図 4 Bから図 4 Cのごとく変形しながら押しつけられていく。このとき、第 1実施形態で示した図 2 Aから図 2 Bと同様にこの実施形態においても、熱硬化性樹脂 6 m中の無機フィラー 6 f は、接合開始当初に熱硬化性樹脂 6 m中に入り込んできた尖っているバンプ 3により、バンプ 3の外側方向へ押し出される。また、第 1実施形態で示した図 2 Cと同様にこの実施形態においても、この外側方向への押し出し作用によりバンプ 3と基板電極 5 の間に無機フィラー 6 f が入り込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。このとき、もし、バンプ 3と基板電極 5の間に無機フィラー 6 f が多少入り込んだとしても、バンプ 3と基板電極 5とが直接接触していることにより、全く問題はない。このとき、印加する荷重は、バンプ 3の外径により異なるが、頭部 3 aの折れ重なった部分が図 4 Cのように必ず変形するようにする。また、このとき、図 6 Eに示すように、異方性導電膜シート 10中の導電粒子 10 aが樹脂ボール球に金属メツキを施されている場合には、導電粒子 10 aが変形することが必要である。また、異方性導電膜シ一ト 1 0中の導電粒子 10 aがニッケルなど金属粒子の場合には、図 6 Dに示すように、ノンプ 3や基板側の電極 5にめり込むような荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも 20 (g f _ バンプ 1ケあたり）を必要とする。すなわち、図 1 7には、 80 μ mの外径のバンプの場合の抵抗と荷重との関係のグラフより 20 (g f /バンプ 1ケあたり）未満では抵抗値 1 0 ΟηαιηΩ/バンプより大きくなつて抵抗値が大きくなりすぎて実用上問題があるため、 20 (g f ノバンプ 1ケあたり）以上であることが好ましいことが示されている。また、図 1 8には、 80 / m， 40 μ mのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の高い領域を示したグラフである。これより、 40 μ m以上の外径のバンプでは最低荷重は 25 (g f /バンプ 1ケあたり）以上であることが好ましく、 40 /m未満の外径のバンプでは最低荷重は 20 (g f /バンプ 1ケあたり）以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。なお、今後、リ一ドの狭ピッチ化とともにバンプ外径が 40 // m未満と小さくなつた場合、バンプの投影面積に応じて、その 2乗に比例して荷重が減少する傾向があることが推定される。よって、 I Cチップ 1を介してバンプ 3側に印加する最低荷重は、最低で 20 (g f /バンプ 1ケあたり）を必要とするのが好ましい。上記

I Cチップ 1を介してバンプ 3側に印加する荷重の上限は、 1〇チップ1、ノンプ 3、回路基板 4などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は 100 (g f /バンプ 1ケあたり）若しくは 1 50 (g f /バンプ：！ケぁたり）を越えることもある。このとき、導電粒子の平均直径より小さい平均直径の無機フィラー 6 f を使用していれば、熱硬化性樹脂 6 mの弾性率を増加させるとともに熱膨張係数を下げる効果を発揮することができる。

なお、図中、参照符号 1 0 sは、異方性導電膜シート 10のうち接合ツール 8の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂 6 mが溶融後に熱硬化された樹脂である。

なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵ヒータ 8 aにより熱せられた接合ツール 8により、上記前工程でバンプ 3が電極 2上に形成された I Cチップ 1を、上記前工程で準備された基板 4に対して I Cチップ 1の電極 2 が対応する基板 4の電極 5上に図 1 Eに示すように位置するように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図 1 Fに示すように押圧接合する工程とを、 1つの位置合わせ兼押圧接合装置、例えば、図 1 Eの位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置合わせ工程は図 5 B の位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程は図 5 Cの接合装置で行うようにしてもよい。なお、図 5 Cでは、生産性を向上させるため、 2つの接合装置 8 を示しており、 1枚の回路基板 4の 2個所を同時に押圧接合できるようにしている。

上記及び下記の各実施形態において、回路基板 4としては、多層セラミック基板、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）、ァラミド不織布基板、ガラス布積層ポリイミド樹脂基板、 F P C (フレキシブル 'プリンテッド 'サーキット）又はァラミド不織布エポキシ基板（例えば、松下電器産業株式会社製の登録商標ァリブ「A L I V H」として販売されている樹脂多層基板）などが用いられる。

これらの基板 4は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではない。そこで、図 5 A及び図 5 Bに示すように、例えば約 1 0 μ m以下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合ツール 8とステージ 9とにより、接合ツール 8側からステージ 9側に向けて熱と荷重とを I Cチップ 1を通じて回路基板 4に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板 4の反りが矯正される。

また、 I Cチップ 1は、アクティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に 1バンプあたり 2 0 g ί以上の強い荷重で加圧することで、基板 4 と I Cチップ 1の両方の反りやうねりを矯正することができる。この I Cチップ 1の反りは、 I Cチップ 1を形成するとき、 S iに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生するものである。バンプの変形量は 1 0〜2 5 z m程度であり、この程度の基板が当初から持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバンプ 3の変形でそれぞれのバンプ 3が順応することで許容できるようになる。

こうして、回路基板 4の反りが矯正された状態で、例えば 1 4 0〜2 3 0 °C の熱が I Cチップ 1と回路基板 4との間の異方性導電膜シート 1 0に例えば数秒〜 2 0秒程度印加され、この異方性導電膜シート 1 0が硬化される。このとき、最初は異方性導電膜シート 1 0を構成する熱硬化性樹脂 6 mが流れて I C チップ 1のエッジまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、このようにエツジまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂 6 mの体積を I Cチップ 1と回路基板 4との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加熱された接合ツール 8が上昇することにより、加熱源がなくなるため I Cチップ 1と異方性導電膜シート 1 0の温度は急激に低下して、異方性導電膜シート 1 0は流動性を失い、図 1 F及び図 4 Cに示されるように、 I Cチップ 1は、異方性導電膜シート 1 0を構成していて硬化した樹脂 1 0 sにより、回路基板 4上に固定される。また、回路基板 4側をステージ 9のヒータ 9 aなどにより加熱しておくと、接合ツール 8の温度をより低くすることができる。

このようにすれば、異方性導電膜シート 1 0に導電粒子 1 0 aの平均直径よりも小さい平均粒径の無機フイラ一を配合した熱硬化性樹脂を用いることができ、さらに、異方性導電膜シート 1 0に含まれる導電粒子 1 0 aとしてニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。

上記第 1実施形態によれば、熱硬化性樹脂 6 mに配合する無機ブイラ一 6 f として導電粒子 1 0 aの平均直径より小さい平均粒径をもつ無機フイラ一 6 f を配合することにより、導電粒子 1 0 aの働きを阻害することなくより信頼性を向上することができる。すなわち、バンプ 3と基板 4の電極 5との間に導電粒子 1 0 aが挟まれる。このとき、同時に無機フィラー 6 f が挟まれても導電粒子 1 0 aの平均直径よりその平均粒径が小さいため、導電性を阻害することがなく、その上、熱硬化性樹脂 6 mの弾性率を増加し、熱膨張係数を低下して I Cチップ 1と基板 4の接合信頼性を向上する。

(第 2実施形態）

次に、本発明の第 2実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を説明する。この第 2実施形態においては、第 1実施形態において、熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シート 1 0に配合する無機フイラ一 6 f の混合割合を上記絶縁性熱硬化性樹脂例えば絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂 6 mの 5〜9 0 w t %として、一層好適なものとしたものである。 5 w t %未満では無機フィラー 6 f を混合する意味がない一方、 9 O w t %を超えると、接着力が極度に低下するとともに、シート化するのが困難になるため好ましくない。一例として、高い信頼性を維持させる観点から、樹脂基板では 2 0〜4 0 w t %、セラミック基板では 4 0〜7 0 w t %が好ましいとともに、ガラエポ基板では 2 0 w t %程度でもシート封止剤の線膨張係数をかなり低下させることができ、樹脂基板において効果がある。なお、体積％では、 w t %のおよそ半分の割合、又はエポキシ樹脂が 1に対してシリカ約 2の比重の割合とする。通常では、熱硬化性樹脂 6 m のシート化する際の製造上の条件と基板 4の弾性率、及び最終的には信頼性試験結果により、この無機ブイラ一 6 f の混合割合が決定される。

上記したような混合割合の無機フィラー 6 f を熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シ一ト 1 0に配合することにより、異方性導電膜シート 1 0の熱硬化性樹月旨 6 mの弾性率を増加させることができ、熱膨張係数を低下させて I Cチップ 1と基板 4の接合信頼性を向上させることができる。また、基板 4の材料に合わせて、熱硬化性樹脂 6 mの材料常数、すなわち弾性率、線膨張係数を最適なものとするように、無機フィラー 6 f の混合割合を決定することができる。なお、無機フィラー 6 f の混合割合が揷花するにつれて、弾性率は大きくなるが、線膨張係数は小さくなる傾向がある。

第 1実施形態及び第 2実施形態においては、液体ではなく固体の異方性導電膜シート 1 0を使用するため取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといった利点がある。

なお、図 1 Aから図 1 G及び図 2 A〜図 2 C、後述する図 6及び図 7においては、異方性導電層の一例としての熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シート 1 0又は異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを回路基板 4側に形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、図 1 4 A又は図 1 4 B に示すように、 I Cチップ 1側に形成したのち、基板 4に接合するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シート 1 0の場合には、異方性導電膜シート 1 0の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパレータ 6 aとともに、ステージ 2 0 1上のゴムなどの弾性体 1 1 7に吸着ノズルなどの保持部材 2 0 0により保持された I Cチップ 1を押し付けて、バンプ 3の形状に沿って異方性導電膜シート 1 0力 Cチップ 1に貼り付けられるようにしてもよレ、。

(第 3実施形態）

次に、本発明の第 3実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 6 A〜図 6 C及び図 7 A〜図 7 Fを用いて説明する。

この第 3実施形態では、第 1実施形態において、熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜シート 1 0を基板 4に貼り付ける代わりに、図 6 A及び図 7 A， Dに示すように、異方性導電層の一例としての液体状の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを回路基板 4上に、デイスペンス 5 0 2などによる塗布、又は印刷、又は転写するようにしたのち、半固体状態、いわゆる Bステージ状態、まで固化し。その後、上記第 1又は第 2実施形態と同様に、上記 I Cチップ 1を上記基板 4に搭載する。

詳しくは、図 6 Aに示すように、液体状の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを回路基板 4上に、図 7 Aに示すような空気圧で吐出量が制御されかつ基板平面上で直交する 2方向に移動可能なデイスペンス 5 0 2などによる塗布、又は印刷、又は転写する。次いで、図 6 Bのごとくヒータ 7 8 aを内蔵したッール 7 8により、熱と圧力を印加して均一化しながら、図 6 Cのように半固体状態、いわゆる Bステージ状態、まで固化する。

又は、液体状の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bの粘性が低い場合には、図 7 Aに示すように、ディスペンザ 5 0 2で基板 4上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤 6 bを塗布したのち、熱硬化性接着剤 6 bの粘性が低いために自然に基板上で広がり、図 7 Bに示すような状態となる。その後、図 7 Cに示すように、コンペャのような搬送装置 5 0 5により上記基板 4を炉 5 0 3内に入れて、炉 5 0 3のヒータ 5 0 4により上記塗布された絶縁性樹脂の液体状熱硬化性接着剤 6 bを硬化させることにより、半固体化、すなわち、いわゆる B ステージ状態まで固化する。

一方、液体状の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bの粘性が高い場合には、図 7 Dに示すように、ディスペンサ 5 0 2で基板 4上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤 6 bを塗布したのち、熱硬化性接着剤 6 bの粘性が高いために自然に基板上で広がらないため、図 7 E， Fに示すように、スキージ 5 0 6で平らに延ばす。その後、図 7 Cに示すように、コンペャのような搬送装置 5 0 5により上記基板 4を炉 5 0 3内に入れて、炉 5 0 3のヒータ 5 0 4により上記塗布された絶縁性樹脂の液体状熱硬化性接着剤 6 bを硬化させることにより、半固体化、すなわち、いわゆる Bステージ状態、まで固化する。

このように異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを半固体化するときには、熱硬化性接着剤 6 b中の熱硬化性樹脂の特性により差はあるものの、該熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0〜 8 0 %の温度である 8 0〜 1 3 0 °Cで押圧する _c 通常は、熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0 %程度の温度で行う。このように熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0〜 8 0 %とする理由は、図 1 9の異方性導電膜シ一トの加熱温度と反応率とのグラフより、 8 0〜 1 3 0 °Cの範囲内ならば、まだ、後工程でさらに反応する範囲を充分に残すことができる。言い換えれば、 8 0〜 1 3 0 °Cの範囲内の温度ならば、時間にもよる力絶縁性樹脂たとえばエポキシ樹脂の反応率が 1 0〜 5 0 %程度に抑制できるので、後工程の

I Cチップ圧着時の接合に問題が生じない。すなわち、 I Cチップ圧着時に押圧するときに所定の押圧量を確保することができ、押し切れなくなるという問題を生じにくい。なお、反応を抑えて溶剤分のみを気化させることにより、半固体化することもある。

上記熱硬化性接着剤 6 bを上記したように半固体化させたのち、基板 4に複数の I Cチップ 1を装着する場合には、基板 4の複数の I Cチップ 1を装着する複数の個所において上記熱硬化性接着剤 6 bの上記半固体化工程を前段取り工程とし予め行っておき、このように前段取りされた基板 4を供給して供給された基板 4に複数の I Cチップ 1を上記複数の個所に接合することでより生産性が高くなる。この後の工程では、熱硬化性接着剤 6 bを使用する場合でも、基本的には上記した第 1又は第 2実施形態の異方性導電膜シート 1 0を用いる工程と同一の工程を行う。上記半固定化工程を加えることで、液体の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを異方性導電膜シ一ト 1 0と同様に使用することができ、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといった利点がある。このように流動性のある異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを使用する場合には、固体の異方性導電膜シート 1 0を使用する場合と比較して、基板 4の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる利点をも合わせて持つ。

(第 4実施形態）

次に、本発明の第 4実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 2 2を用いて説明する。第 4実施形態が第 1実施形態と異なる点は、 I Cチップ 1を基板 4に接合するとき、荷重に加えて超音波も印加して、バンプ 3をレべリングせずに、必要に応じて 2 0 g f 以下の荷重で押圧して、バンプ形成時の引き千切りにより生じた上記バンプ 3の先端のネック（ヒゲ）部分の倒れによる隣接バンプ又は電極とのショートを防止するようにバンプ先端を整えたのち、 I C チップ 1と位置合わせして I Cチップ 1を基板 4に搭載して、金属バンプ 3を基板側の電極表面の金属と超音波併用熱圧着することである。 I Cチップ 1を基板 4に接合する状態は、先の実施形態での図 2及び図 6などと同様である。上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合するとき、上記 I Cチップ 1の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記 I Cチップ 1側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよい。

この第 4実施形態では、絶縁性熱硬化性樹脂 6 mに無機フィラー 6 f を配合した固体の異方性導電膜シート 1 0又は液体の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを上記したように半固体化させたものを基板 4に貼り付け、又は熱硬化性樹脂を含む異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを基板 4に塗布し半固体化させたのち、回路基板 4の電極 5と電子部品 1の電極 2にワイヤボンディングと同様に図 3 A〜図 3 Fのごとき動作により金線 9 5の先端に電気スパークによりボール 9 6を形成し、このボール 9 6をキヤピラリー 9 3により基板電極 5に超音波熱圧着して形成されたバンプ 3を、レべリングせずに、 I Cチップ 1と位置合わせして I Cチップ 1を基板 4に搭載する。ここで、上記「液体の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを上記したように半固体化させたもの」とは、第 3実施形態で説明したような液体の異方性導電膜形成用熱硬化性接着剤 6 bを半分固体化したものであり、 Bステージ化したものとほぼ同じものである。このとき、図 2 2に示す超音波印加装置 6 2 0において、内蔵ヒータ 6 2 2により予め加熱された接合ツール 6 2 8により、該接合ツール 6 2 8に吸着された I Cチップ 1の上面からエアシリンダ 6 2 5による荷重と、ピェゾ素子のような超音波発生素子 6 2 3により発生させられて超音波ホーン 6 2 4を介して印加される超音波とを作用させて金バンプ 3のネック部分の倒れを防止するように先端を整えつつ金バンプ 3と基板側の金メツキとを金属接合する。次に、 I Cチップ 1の上面又は、及び基板側から加熱しながら、上記 I Cチップ 1を上記回路基板 4に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板 4の反りの矯正とバンプ 3を押しつぶしながら、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4の間に介在する上記異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bを上記熱により硬化して、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4を接合して両電極 2， 5を電気的に接続する。なお、超音波印加装置 6 2 0による上記金属接合時に、上記 I Cチップ 1の上記上面側から、又は、上記基板側から、又は、上記 I Cチップ 1側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよレ、。すなわち、具体的には、内蔵ヒータ 6 2 2により上記 I Cチップ 1の上記上面側から加熱したり、又は、上記基板側から回路基板 4側をステージ 9 のヒータ 9 aにより加熱したり、又は、内蔵ヒータ 6 2 2とステージ 9のヒータ 9 aとにより上記 I Cチップ 1側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよレ、。

なお、 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力を必要とする理由は、このように超音波を用いた接合でも摩擦熱が生じにくくなるので、接合できなくなるためである。金と金とを接合するような場合においても、ある一定加重でバンプを押しつけて、そこに超音波を印加することにより摩擦熱が生じて金属同士が接合される。したがって、この場合にもバンプを押圧する程度の一定荷重すなわち 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力が必要となる。加圧力の一例としては、 1バンプあたり 5 0 g f 以上とする。

上記第 4実施形態によれば、金属バンプ 3と基板 4の金属メツキが金属拡散接合されるので、よりバンプ部分での強度を持たせたいような場合や、接続抵抗値をさらに低くしたいような場合に好適である。

(第 5実施形態）

次に、本発明の第 5実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 8 A〜図 8 C及び図 9 A〜図 9 Cを用いて説明する。第 5実施形態は、第 1実施形態とは封止工程を省略することができる点が異なる。

上記したように I Cチップ 1上の電極 2に突起電極（バンプ） 3を形成しておき、回路基板 4には、図 8 B，図 8 C，図 9 A及び図 2 3に示すように、 I

Cチップ 1の複数の電極 2の内端縁を結んだ大略矩形の外形寸法 O Lより小さい形状寸法の矩形のシート状の異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bを回路基板 4の電極 5を結んだ中心部分に貼り付け又は塗布しておく。このとき、シート状の異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bの厚みは、その体積が I Cチップ 1と基板 4との隙間より大きくなるようにする。また、図 2 3の貼り付け装置 6 4 0により、巻き戻しロール 6 4 4から巻き戻されて巻き付けロール 6 4 3に巻き取られる矩形のシート状の異方性導電膜シート 6 5 6を、その切り目 6 5 7が予め入れられた部分で、上下のカッター 6 4 1により、 I Cチップ 1の複数の電極 2の内端縁を結んだ大略矩形の外形寸法 O L より小さい形状寸法に切断する。切断された矩形のシート状の異方性導電膜シート 1 0は、内蔵ヒータ 6 4 6で予め加熱された貼り付けへッド 6 4 2で吸着保持されて、上記回路基板 4の電極 5を結んだ中心部分に貼り付けされる。次に、バンプ 3と回路基板 4の電極 5を位置合わせし、図 8 A及び図 9 Bに示すように、ヒータ 8 aにより加熱された接合ツール 8により I Cチップ 1を回路基板 4に加圧押圧して、基板 4の反りの矯正を同時に行いながら、 I Cチップ

1と回路基板 4の間に介在する異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bを硬化する。このとき、異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bは、接合ツール 8から I Cチップ 1を介して加えられた熱により上記したように軟化し、図 9 Cのごとく貼り付けられた又は塗布された位置より加圧されて外側へ向かって流れ出る。この流れ出た異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bが封止材料（アンダーフィル）となり、ノンプ 3と電極 5との接合の信頼性を著しく向上する。また、ある一定時間がたっと、上記異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bでは徐々に硬化が進行し、最終的には硬化した樹脂 6 sにより I Cチップ 1と回路基板 4を接合することになる。 I Cチップ 1を押圧している接合ツール 8を上昇することで、 I Cチップ 1と回路基板 4 の電極 5の接合が完了する。厳密に言えば、熱硬化の場合には、熱硬化性樹脂の反応は加熱している間に進み、接合ツール 8が上昇するとともに流動性はほとんど無くなる。上記したような方法によると、接合前では異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bが電極 5を覆っていないので、接合する際にバンプ 3が電極 5に直接接触し、電極 5の下に異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bが入り込まず、バンプ 3と電極 5との間での接続抵抗値を低くすることができる。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド 8の温度をより低くすることができる。この方法を上記第 3実施形態に適用すると金バンプと回路基板の金電極（例えば、銅やタングステンにニッケル、金メッキしたもの）との接合がより容易に行える。

(第 6実施形態）

次に、第 6実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 1 0〜図 1 1を用いて説明する。第 6実施形態においては、第 1実施形態と異なる点は、バンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5にズレて実装された場合においても、信頼性の高い接合を達成することもできる点である。

第 6実施形態においては、図 1 0 Aに示すように、バンプ 3を I Cチップ 1 上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金線 9 5を電気スパークにより金ボール 9 6を形成する。次に、電気スパークするときの時間でボールの大きさを調整しつつ、 9 5 aで示す直径 Φ d— B u m pのボール 9 6 aを形成し、このように形成された直径 Φ d — B u m pのボール 9 6 aを、電気スパークを発生させるための時間又は電圧のパラメータを制御して、チヤムファー角 6 c が 1 0 0。以下のキヤピラリー 1 9 3の 9 3 aで示すチヤムファー直径 φ Dが金ボール直径 d—B u m pの l Z 2力ら 3 / 4となるようにボール 9 6 aを成形し、図 1 O Cに示すようにキヤビラリ一 9 3の金ボールと接する部分に平らな部位 9 3 bを設けて図 1 O Dに示すようなバンプ 3を形成するのではなく、図 1 O Aに示すようにキヤピラリー 1 9 3の金ボール 9 6 aと接する部分に平らな部位を設けない先端部位 1 9 3 aを有する先端形状としたキヤピラリー 1 9 3で、 I Cチップ 1の電極 2に、超音波熱圧着により、図 1 0 Bに示すようなバンプ 1 0 3を形成する。上記先端形状のキヤビラリ一 1 9 3を用いることで、図 1 0 Bの bのような先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3を I Cチップ 1の電極 2に形成することができる。上記方法で形成した先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5に図 1 1 Cのごとくズレて実装された場合においても、バンプ 1 0 3がその先端が大略円錐形であるため、バンプ 1 0 3の外径の半分までのズレである場合は、バンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4の電極 5 と接触することができる。

これに対して、図 1 1 Dに示すようなバンプ 3では、バンプ 3を回路基板 4 の電極 5に図 1 1 Cのごとく寸法 Zだけズレて実装された場合には、図 1 1 E に示すように、幅寸法 dのいわゆる台座 3 gの一部が電極 5に接触するが、部分的にしか接触せず、接触状態が不安定な接合となる。このような不安定な接合状態のままでは、このような基板 4を冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合には、上記不安定な接合状態の接合がオープンすなわち接合不良となってしまう可能性があった。これに対して、上記第 6実施形態では、図 1 1 Cのごとく先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3が回路基板 4の電極 5に対して寸法 Zだけズレて実装された場合においても、バンプ 1 0 3が円錐形であるため、バンプ 1

0 3の外径の半分までのズレである場合は、バンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4 の電極 5と接触することができ、冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合でも接合不良となることが防止できる。

(第 7実施形態）

次に、第 7実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 1 2〜図 1 3を用いて説明する。この第 7実施形態では、第 1実施形態において、回路基板 4への I Cチップ 1の接合したのちの熱硬化性樹脂の硬化時に I Cチップ 1と回路基板 4の応力を緩和することができるようにしたものである。

第 7実施形態においては、絶縁性熱硬化性樹脂 6 mに無機フィラー 6 f を配合した固体又は半固体の異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bを介在させながら、 I Cチップ 1の電極 2に上記ワイヤボンディングにより形成されたバンプ 3を、レべリングせずに、回路基板 4の電極 5と位置合わせする。例えば 2 3 0 °C程度の一定温度に加熱されたツール 8により I Cチップ 1をその裏面から加熱しながら、上記 I Cチップ 1を上記回路基板 4に 1バンプあたりセラミック基板の場合には圧力 P 1 = 8 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板 4の反りの矯正を行いながら、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4の間に介在する上記異方性導電膜シ一ト 1 0又は熱硬化性接着剤 6 bを上記熱により硬化する。次に、一定時間 t l後、すなわち、全体時間を例えば 2 0秒とすれば、材料の反応率により変わるが、その 1 Z 4とか 1 Z 2の 5秒〜 1 0秒後、言い換えれば、材料の反応率が 9 0 %に達する前に、上記圧力 P 1より低 V、圧力 P 2まで下げて熱硬化性接着剤 6 bの硬化時の応力を緩和し、上記 I C チップ 1と上記回路基板 4を接合して両電極 2， 5を電気的に接続する。好適には、バンプが変形していくためには最低限 2 0 g f 程度は必要であるため、すなわち、バンプの変形及び順応に必要な圧力を得るとともに、余分な樹脂を I Cチップ 1と基板 4との間から押し出すため、上記圧力 P 1は 2 0 g f /バンプ以上である一方、バンプの変形等の前に樹脂内部に偏在した硬化歪み除去するため、圧力 P 2は 2 0 g f /バンプ未満とすることにより、より信頼性が向上する。その理由は詳しくは以下のとおりである。すなわち、図 1 2 Cに示すように、異方性導電膜シート 1 0又は熱硬化性接着剤 6 b中の熱硬化性樹脂の応力分布は圧着時に I Cチップ 1と基板 4側とで大きくなつている。

このままでは、信頼性試験や通常の長期使用で繰り返し疲労が与えられると、 I Cチップ 1又は基板 4側で異方性導電膜シ一ト 1 0又は熱硬化性接着剤 6 b 中の熱硬化性樹脂が応力に耐えきれずに剥離することがある。このような状態になると、 I Cチップ 1と回路基板 4の接着力が十分でなくなり、接合部がォープンすることになる。そこで、図 1 3のように、より高い圧力 P 1とより低い圧力 P 2との 2段階の圧力プロファイルを用いることにより、熱硬化性接着剤 6 bの硬化時に上記圧力 P 1より低い圧力 P 2まで下げることができて、図 1 2 Dのごとく、圧力 P 2のときに樹脂内部に偏在した硬化歪み除去して I C チップ 1と回路基板 4の応力を緩和する（言い換えれば、応力の集中度合いを減らす）ことができ、その後、上記圧力 P 1まで上げることにより、バンプの変形及び順応に必要な圧力を得るとともに、余分な樹脂を I Cチップ 1と基板 4との間から押し出すことができて、信頼性が向上する。

なお、上記「I Cチップ 1と回路基板 4の接着力」とは、 I Cチップ 1と基板 4をひっつける力のことを意味する。これは、接着剤による接着力と、接着剤を硬化したときの硬化収縮力と、 Z方向の収縮力（例えば 1 8 0 °Cに熱せられている接着剤が常温に戻るときに収縮するときの収縮力）のこれら 3つの力によって、 I C 1と基板 4とは接合されている。

(第 8実施形態）

次に、第 8実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 1 2〜図 1 3を用いて説明する。この第 8実施形態では、上記各実施形態において、上記絶縁性樹脂 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 f の平均粒径が 3 / m以上であるようにしたものである。ただし、上記無機フィラー 6 f の最大平均粒径は、 I Cチップ 1と基板 4との接合後の隙間寸法を超えない大きさとする。

もし、無機フイラ一 6 f を絶縁性樹脂 6 mに配合するときに、平均粒径が 3 i m未満の細かな粒子を無機フィラー 6 f として用いると、それらの粒子の表面積自体が全体として大きくなり、平均粒径が 3 μ m未満の細かな粒子である無機フィラー 6 ίの周りに吸湿することがあり、 I Cチップ 1と基板 4との接合において好ましくない。

従って、同じ重量の無機フィラー 6 f を配合する場合には、平均粒径が 3 μ m以上の大きな無機フィラー 6 f を用いることで、無機フィラー 6 f の周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となる。また、一般に、平均粒径（言い換えれば平均粒度）の大きな無機フィラーの方が安価であるため、コスト的にも好ましい。

なお、図 24 Aに示すように、 I Cチップ 1と基板 4との接合において従来の ACF 、 An i s o t r o p i c C o n d u c t i v e F i l m :異方性導電膜） 5 9 8を使用する工法では、 AC F 5 98中の導電粒子 5 9 9をバンプ 3と基板電極 5との間に必ず挟むと同時に直径 3〜 5 imの導電粒子が直径 1〜3 //mまで押しつぶされて導電性を発揮させる必要がある。しかしながら、本発明の上記各実施形態では、導電粒子 1 0 aがあっても必ずしもバンプ 3と基板電極 5との間に挟む必要は無く、図 24 Bに示すようにバンプ 3を基板電極 5で押しつぶしながら圧着するので、この圧着のときにバンプ 3と基板電極 4との間の異方性導電層 1 0とともに無機フィラー 6 f もバンプ 3と基板電極 4と間から抜け出ることになり、基板電極 4とバンプ 3の間に不要な無機フィラー 6 f が挟まることにより導電性を阻害することがほとんど無いという特徴に基づき、 3 /xm以上の大きな平均粒径の無機フィラー 6 f を使用することができる。すなわち、本実施形態では、万が一、導電粒子 1 0 aがバンプ 3 と基板電極 5との間に挟まれず、直径 3〜 5 /i mの導電粒子 1 0 aが直径 1〜 3 μηιまで押しつぶされて導電性を発揮することがなくても、バンプ 3を基板電極 5で押しつぶしながら圧着してバンプ 3が基板電極 5に電気的に直接接触して電気的導電性を得ているため、何ら問題はなく、無機フィラーによる影響を受けずに信頼性を向上することができる。すなわち、上記導電粒子 1 0 aは、バンプ 3と基板電極 5との直接接合において、導電粒子 1 0 aがバンプ 3と基板電極 5との間に挟まれた場合には、基板側の電極 5と I Cチップ側のバンプ 3との間での接続抵抗値を低下せしめることができるといった、付加的効果を奏するものである。

(第 9実施形態）

次に、本発明の第 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュ-ット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 2 5， 2 6を用いて説明する。図 2 5， 2 6は、それぞれ、上記第 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により製造された接合状態の模式断面図及びそのときに使用される異方性導電膜シート 1 0の部分拡大模式断面図である。この第 9実施形態では、上記各実施形態において、上記異方性導電層 1 0の上記絶縁性樹脂 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f - 1 , 6 f — 2とするものである。具体例としては、 0 . 5 μ ιτιの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜 4 μ mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

上記第 9実施形態によれば、複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f

— 1， 6 f — 2を絶縁性樹脂 6 mに混合することにより、絶縁性樹脂 6 mに混合する無機フィラー 6 f の量を増加させることができて、、無機フィラーの周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となるとともに、フィルム化（固体化）することが容易になる。すなわち、重量。 /₀で考えた場合、一種類の無機フィラーよりも、粒径の異なる無機フィラーを混在して入れた方が、単位体積あたりの無機フィラーの量を増やすことが可能である。これによつて、封止シ一トとしての異方性導電膜シ一ト 1 0又は異方性導電膜形成用接着剤 6 bへの無機フィラー 6 ίの配合量を増加し、異方性導電膜シ一ト 1 0又は異方性導電膜形成用接着剤 6 bの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。

(第 1 0実施形態）

次に、本発明の第 1 0実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記第 9実施形態における効果をより確実なものとするため、さらに、上記複数の異なる平均粒径を持つ無機フイラ一 6 f — 1， 6 f 一 2のうちの一方の無機フイラ一 6 f — 1の平均粒径は、他方の無機ブイラ一 6 f — 2の平均粒径の 2倍以上異なっているものである。具体例としては、 0 . 5 / mの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜4 μ ιηの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

このようにすることにより、上記第 9実施形態での効果をより一層高めることができる。すなわち、一方の無機フィラー 6 f — 1の平均粒径は、他方の無機フイラ一 6 f — 2の平均粒径の 2倍以上異なっている複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f — 1， 6 f — 2を絶縁性樹脂 6 mに混合することにより、絶縁性樹脂 6 mに混合する無機フィラー 6 f の量をより確実に増加させることができて、フィルム化（固体化）することがより容易になり、異方性導電膜シート 1 0又は異方性導電膜形成用接着剤 6 bへの無機フィラー 6 f の配合量を増加し、異方性導電膜シート 1 0又は異方性導電膜形成用接着剤 6 bの線膨張係数をより低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性をより向上させることができる。

(第 1 1実施形態）

次に、本発明の第 1 1実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記第 9実施形態における効果をより確実なものとするため、さらに、上記絶縁性樹脂 6 mに配合する上記無機フィラー 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f — 1， 6 f — 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フイラ一のうちの一方の無機フィラー 6 f — 1は 3 / mを超える平均粒径を持ち、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの他方の無機フイラ一 6 f — 2は 3 // m以下の平均粒径を持つことが好ましい。具体例としては、 0 . 5 μ mの平均粒径を持つ無機フイラ一と、 2〜4 /i mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

(第 1 2実施形態）

次に、本発明の第 1 2実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、上記絶縁性樹脂 6 mに配合する上記無機フィラ一6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f — 1， 6 f 一 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1は上記絶縁性樹脂 6 mと同一材料からなることにより、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。具体例としては、 0 . 5 μ mの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜4 /z mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

この第 1 2実施形態によれば、第 9実施形態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f ― 1は上記絶縁性樹脂 6 mと同一材料からなることにより、上記絶縁性樹脂 6 mに応力が作用したとき、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1が上記絶縁性樹脂 6 mと一体化することにより、応力緩和作用を奏することができる。

(第 1 3実施形態）

次に、本発明の第 1 3実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、上記絶縁性樹脂 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f - 1 , 6 f — 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f 一 1は上記絶縁性樹脂 6 mであるェポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラー 6 ί — 1が圧縮されることにより、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。

この第 1 3実施形態によれば、第 9実施形態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1は上記絶縁性樹脂 6 mと同一材料からなることにより、上記絶縁性樹脂 6 mに応力が作用したとき、平均粒径の大きい一方の無機ブイラ一 6 f 一 1が上記絶縁性樹脂 6 mであるエポキシ樹脂よりも柔らかいため、上記応力により、上記一方の無機フィラー 6 f — 1が図 2 7 に示すように圧縮されてその周囲で圧縮に対する反力である引張力が分散されることにより、応力緩和作用を奏することができる。

(第 1 4実施形態）

次に、本発明の第 1 4実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、図 2 8 A， B , 図 2 9 A， B，図 3 0及び図 3 1に示されるように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4に接触する部分 7 0 0又は層 6 X力 S、他の部分 7 0 1又は層 6 yよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることができる。この場合、図 2 8 A, Bに示すように、上記 I C チップ 1又は上記基板 4に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 2 9 A, B及び図 3 0，図 3 1に示すように明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 2 9 A， B及び図 3 0，図 3 1において、上記異方性導電層 1 0 は、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂 6 mと同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラー 6 f を配合した第 1樹脂層 6 Xと、上記第 1樹脂層 6 Xに接触し、力つ、上記第 1樹脂層 6 Xよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しない上記絶縁性樹脂で構成される第 2樹脂層 6 yとを備えて多層構造にすることもできる。

このようにすれば、以下のような効果を奏することができる。すなわち、もし、上記無機フィラー 6 f を異方性導電層全体に同じ重量パーセント（w t %) で入れると、 I Cチップ側又は基板側又はその両方の対向面の近傍に無機フイラ一 6 f が多くなることがあり、 I Cチップ 1と基板 4との中間部分では逆に少なくなる。この結果、 I Cチップ側又は基板側又はその両方の対向面の近傍に無機フィラー 6 ίが多いため、異方性導電層 1 0と I Cチップ 1又は基板 4又はその両方との間での接着力が低下することがある。上記第 1 4実施形態によれば、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4のいずれか一方に接触する部分 7 0 0又は層 6 x力他の部分 7 0 1又は層 6 yよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることにより、無機フィラー量が多いために接着力が低下することを防止できる。

以下に、この第 1 4実施形態の種々の変形例について説明する。

まず、第 1の変形例として、図 2 8 C，図 2 9 C及び図 3 2 Aに示されるように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 0が、他の部分 7 0 1よりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機ブイラ一 6 f を配合しないようにすることもできる。この場合も、図 2 8 Cに示すように、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機フイラ一量が変わるようにしてもよいし、図 2 9 C及び図 3 2 Aに示されるように、明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 2 9 C及び図 3 2 Aにおいて、上記異方性導電層 1 0は、上記第 1樹脂層 6 Xの上記第 2樹脂層 6 yとは反対側に、上記第 1樹脂層 6 Xよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しない上記絶縁性樹脂で構成される第 3樹脂層 6 zをさらに備えて多層構造とし、上記第 1樹脂層 6 Xと上記第 3 樹脂層 6 zは、それぞれ、上記 I Cチップ 1と上記基板 4とに接触するようにすることもできる。

さらに、別の変形例として、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又はその両方にそれぞれ接触する部分 7 0 0は、その上記無機ブイラ一量が 2 0 w t %未満、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにする一方、上記他の部分 7 0 1はその上記無機フィラー量が 2 0 w t %以上であるようにすることもできる。この場合、図 2 8 A， B， Cに示すように上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又は両方に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機ブイラ一量が変わるようにしてもよいし、図 2 9 A， B，図 2 9 C，図 3 0，図 3 1，及び図 3 2 Aに示すように明確に区別するようにしてもよい。すなわち、上記第 1樹脂層 6 X又は第 1樹脂層 6 X及び上記第 3 樹脂層 6 zは、その上記無機フィラー量が 2 0 w t %未満か、もしくは上記無機フイラ一 6 f を配合しないようにする一方、上記第 2樹脂層 6 yはその上記無機フィラー量が 2 0 w t %以上であるようにすることもできる。

具体例としては、上記第 2樹脂層 6 yは、絶縁性樹脂 6 mとして熱硬化性ェポキシ樹脂としたとき、セラミック基板の場合には 5 O w t %であり、ガラエポ基板の場合は 2 0 w t %とする。また、一例として、第 1樹脂層 6 x又は第

3樹脂層 6 z又はその両方の厚さは 1 5 / m、第 2樹脂層 6 yの厚さは 4 0〜

6 0 i mとする。また、上記異方性導電層 1 0の厚さは、 I Cチップ 1と基板 4との接合後の隙間寸法よりも大きな寸法として、 I Cチップ 1と基板 4との接合時に I Cチップ 1と基板 4との間に完全に満たされるようにして接合をより確実なものとする。

また、別の変形例として、図 2 8 C , 図 2 9 C及び図 3 2 Aに示す変形例と無機フィラーの配合量を逆にするようにしてもよい。すなわち、図 2 8 Dに示されるように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 3の中間部分 7 0 2が、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 3よりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることもできる。この場合も、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又は両方に接触する部分

7 0 3と、中間部分 7 0 2とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 2 9 D及び図 3 2 Bに示されるように、明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 2 9 D及び図 3 2 Bに示されるように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4に接触する部分に位置されかつ上記無機フィラー 6 f を配合した絶縁性樹脂 6 mで構成される第 4樹脂層 6 Vと、上記 I Cチップ 1と上記基板 4との中間部分に位置されかつ上記第 4樹脂層 6 Vよりも上記無機フィラー量が少ないか又は含まれていない絶縁性樹脂 6 mで構成される第 5樹脂層 6 wとを備えるようにすることもできる。

このようにすれば、上記 I Cチップ 1と上記基板 4との上記中間部分 7 0 2 又は上記第 5樹脂層 6 wでは、上記 I Cチップ 1と上記基板 4とにそれぞれ接触する部分 7 0 3又は上記第 4樹脂層 6 vよりも上記無機フイラ一量が少ないか又は含まれていないため、弾性率が低くなり、応力緩和効果を奏することができる。また、上記 I Cチップ 1と上記基板 4とにそれぞれ接触する部分 7 0 3又は上記第 4樹脂層 6 Vの絶縁性樹脂として I Cチップ 1と基板 4とに対する密着力の高いものを選択して使用すれば、上記 I Cチップ 1に接触する部分 7 0 3又は I Cチップ 1の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vでは、 I Cチップ 1 の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フィラー 6 f の配合量又は材料を選択する一方、上記基板 4に接触する部分 7 0 3又は基板 4の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vでは、基板 4の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機ブイラー6 f の配合量又は材料を選択することができる。この結果、上記 I C チップ 1に接触する部分 7 0 3又は I Cチップ 1の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vと I Cチップ 1との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなるとともに、上記基板 4に接触する部分 7 0 3又は基板 4の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vと基板 4との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなる。

さらに、図 3 3 A， Bに実線で示すように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4のいずれか一方に接触する部分 P 1から他の部分 P 2に向かって、上記無機フィラー量が徐々に又は段階的に少なくなるようにすることもできる。

また、図 3 3 C， Dに実線で示すように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I

Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分 P 3， P 4から他の部分すなわち I Cチップ 1と上記基板 4との中間部分 P 5に向かって、上記無機フィラー量が徐々に又は段階的に多くなるようにすることもできる。

また、図 3 3 Eに実線で示すように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分（図 2 8 Dの変形例における接触部分 7 0 3に相当する部分）から、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4との中間部分（図 2 8 Dの変形例における中間部分 7 0 2に相当する部分）に向かつて、上記無機フィラー量が徐々に少なくなるようにすることもできる。また、図 3 3 Fに実線で示すように、上記異方性導電層 1 0は、上記 I Cチップ 1の近傍部分、次いで、上記基板 4の近傍部分、次いで、上記 I Cチップ 1の近傍部分と上記基板 4の近傍部分との中間部分の順に上記無機フイラ一量が少ないようにすることもできる。なお、図 3 3 Fでは、上記順に徐々に上記無機フィラー量が変化するように例示しているが、これに限られるものではなく、段階的に変化するようにしてもよい。

上記図 3 3 E， Fの変形例のようにすれば、上記 I Cチップ 1と上記基板 4 との中間部分では、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分よりも上記無機フィラー量が少ないか又は含まれていないため、弾性率が低くなり、応力緩和効果を奏することができる。また、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分の絶縁性樹脂として I Cチップ 1と基板 4とに対する密着力の高いものを選択して使用すれば、 I Cチップ 1に接触する部分では、 I Cチップ 1の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フィラー 6 f の配合量又は材料を選択する一方、基板 4に接触する部分では、基板 4の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フィラー 6 f の配合量又は材料を選択することができる。この観点で無機フィラー 6 f の配合量を決定すると、通常は、図 3 3 Fに実線で示すように、上記 I Cチップ 1の近傍部分、次いで、上記基板 4の近傍部分、次いで、上記 I Cチップ 1の近傍部分と上記基板 4の近傍部分との中間部分の順に上記無機フイラ一量が少ないようなる。このような構成とすることにより、 I Cチップ 1に接触する部分と I Cチップ 1 との線膨張係数が接近するため、両者の問での剥離が生じにくくなるとともに、基板 4に接触する部分と基板 4との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなる。

図 3 3 A〜Fのいずれの場合でも、実用上、上記無機フィラー量は 5〜 9 0 w t %の範囲内とすることが好ましい。 5 w t %未満では無機フイラ一 6 f を混合する意味がない一方、 9 0 w t %を超えると、接着力が極度に低下するとともに、シ一ト化するのが困難になるため好ましくないためである。

なお、上記のような複数の樹脂層 6 X , 6 又は6 ， 6 y , 6 zで構成される多層構造の膜を異方性導電層として用いて I Cチップ 1を基板 4に熱圧着した場合には、接合時の熱により絶縁性樹脂 6 mが軟化、溶融して上記樹脂層が混じり合うので、最終的には、各樹脂層の明確な境界が無くなり、図 3 3のように傾斜した無機フィラー分布となる。

さらに、上記第 1 4実施形態又は各変形例において、無機フイラ一 6 f の入つた部分又は層を有する異方性導電層、又は、無機フィラー分布が傾斜した異方性導電層において、上記部分又は樹脂層に応じて、異なった絶縁性樹脂を用いることも可能である。例えば、 I Cチップ 1に接触する部分又は樹脂層では、 I Cチップ表面に用レ、られる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、基板 4に接触する部分又は樹脂層では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いることも可能となる。

上記第 i 4実施形態及びそれらの上記種々の変形例によれば、 I Cチップ 1 又は上記基板 4と異方性導電層 1 0との接合界面では無機フイラ一 6 f が存在しないかその量が少なく、絶縁性樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂が多くなり、 I Cチップ 1又は上記基板 4と絶縁性樹脂 6 mとの密着強度を向上させることができて、 I Cチップ 1又は上記基板 4との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が向上する。

もし、接着そのものには寄与しないが線膨張係数を下げる効果を持つ無機フイラ一 6 f が絶縁性樹脂 6 m中に均一に分散されていると、基板 4又は I Cチップ表面に無機フィラー 6 f 力接触し、接着に寄与する接着剤の量が減少することになり、接着性の低下を招く。この結果、もし I Cチップ 1または基板 4 と接着剤の間で剥離が生じると、そこから水分が侵入し、 I Cチップ 1の電極の腐食などの原因となる。また、剥離部分から剥がれが進行すると、 I Cチップ 1と基板 4の接合そのものが不良となり、電気的に接続不良となる。

これに対して、上記第 1 4実施形態及びそれらの上記種々の変形例によれば、上記したように、無機フィラー 6 f による線膨張係数を下げる効果を持たせたまま接着力を向上させることができる。これによつて、 I Cチップ 1及び基板 4との密着強度が向上し、信頼が向上する。

さらに、無機フィラー 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xを I Cチップ側に配置した場合、又は、 I Cチップ側において無機フィラー分布を小さくした場合には、当該部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xは、 I Cチップ表面の窒化シリコンゃ酸化珪素からなるパッシベイシヨン膜に対して密着力を向上させることが可能となる。また、これら I Cチップ表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を適宜選択して用いることも可能となる。また、 I C チップ近傍での弾性率を下げることで、異方性導電層の一例である封止シ一ト材料のなかでの応力集中が緩和される。基板 4に用いられる材料がセラミックのように固い（弾性率の高い）場合には、このような構造をとると、基板近傍での封止シート材料との弾性率、線膨張係数がマッチングして、尚、好適である。

一方、無機フイラ一 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xを基板側に配置した場合には、又は、基板側において無機フィラー分布を小さくした場合には、樹脂基板やフレキシブル基板（F P C ) などのように基板 4に曲げが加わるような場合において、基板 4を電子機器の筐体に組み込む際に曲げ応力が加わるようなとき、基板 4と異方性導電層の一例である封止シ一トとの密着強度を向上する目的で用いることができる。 I Cチップ側の表面層がポリイミド膜で形成された保護膜よりなる場合においては、一般に、絶縁性樹脂の密着が良好で、問題とならない場合に I Cチップ 1から基板 4にかけて、弾性率と線膨張係数が連続的または段階的に変化することで、 I cチップ側で封止シートが固く、基板側では柔らかい材料とすることができる。これにより、封止シート内部での応力発生が小さくなることから信頼性が向上する。

さらに、 I Cチップ側と基板側の両側に無機ブイラー 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 X， 6 zを配置した場合、又は、 I Cチップ側と基板側の両側において無機フイラ一分布を小さくした場合には、上記 I Cチップ側と基板側との 2つの場合を両立させるものであり、 I Cチップ側及び基板側の両方での密着性を向上させることができるとともに、線膨張係数を下げて I Cチップ 1 と基板 4の両者を高い信頼性で接続させることができる。また、 I Cチップ側表面の材質及び基板材質に応じて、より密着性、樹脂塗れ性の良好な絶縁性樹脂を選択して用いることができる。また、これらの無機フイラ一 6 f の量の多い少ないの傾斜は自由に変えることができるので、無機フィラー 6 f の少ない部分又は層を極薄くしたりすることで、基板材料とのマッチングが可能である。

(第 1 5実施形態）

次に、本発明の第 1 5実施形態においては、上記第 8〜 1 4実施形態及びそれらの変形例にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置により使用される異方性導電層の製造工程を図 3 4 , 図 3 5に基づいて説明する。

まず、直接、回路基板 4上で異方性導電層を形成する場合には、回路基板 4 の上に、第 1樹脂シートを貼付け、その上に第 2樹脂シートを貼付ける。このとき、第 1樹脂シートに無機フィラー 6 f が多い場合は図 2 8 Aまたは図 3 0 のようになり、逆の場合には図 2 8 Bまたは図 3 1のようになる。すなわち、前者の場合には、第 1樹脂シートは上記無機フィラー 6 f が多い部分 7 0 1又は第 2樹脂層 6 yに対応する樹脂シートであり、後者の場合には、上記無機フイラ一 6 f が少ない部分 7 0 0又は第 1樹脂層 6 Xに対応する樹脂シートとなる。

また、第 2樹脂シートの上にさらに第 3樹脂シートを形成して、第 1樹脂シ

—トと第 3樹脂シートとが無機フイラ一 6 f が少ない部分 7 0 0又は第 1樹脂層 6 Xに対応する場合には、図 2 8 Cまたは図 3 2 Aのようになる。

また、これらを、図 3 4，図 3 5に示すように、予めセパレ一タと呼ばれるベースフィルム 6 7 2上で、第 1樹脂シート 6 7 3と第 2榭脂シ一ト 6 7 4とをこの順に（図 3 4，図 3 5にはこの場合のみ示す。）、又はこれとは逆に、又はさらに第 3樹脂シートをも、貼り付けて形成してもよい。この場合には、図 3 4，図 3 5のように、上下一対の加熱可能なローラ 6 7 0， 2 7 0などで複数の樹脂シート 6 7 3， 6 7 4を、必要に応じて加熱しつつ、貼り付けていく。その後、形成された樹脂シート体 6 7 1を所定寸法毎に切断すれば、図 2 8 A〜C，図 2 9 A〜C，図 3 0〜3 2のいずれかに示すような上記異方性導電膜シート 1 0となる。

また、別の変形例として、異方性導電膜シート 1 0が連続した異方性導電膜シート体を作製する際には、溶剤に溶かせたエポキシ及び無機フィラーをドクターブレード法などによりセパレーターと呼ばれるベースフィルム上に塗布する。この溶剤を乾燥させて異方性導電膜シート体が製作される。

このとき、一旦、無機フィラー 6 f の濃度が低いか、又は、無機フィラー 6 f が入っていない液体状の絶縁性樹脂を第 1層としてベースフィルム上に塗布し、場合によっては、その塗布された第 1層の乾燥を行う。乾燥しない場合には、無機フィラー 6 f 力若干、第 1層に第 2層の無機フィラー 6 f が混入していき、図 3 3のように無機フィラー分布が傾斜した構造となる。

上記塗布形成された第 1層の上に、無機フィラー 6 f を第 1層よりも多く混入した液体状の絶縁性樹脂を塗布して第 2層とする。第 2層を乾燥することにより、ベ一スフイルム上に第 1層と第 2層とが形成された 2層構造の異方性導電膜シ一ト体が形成できる。異方性導電膜シート体を所定寸法毎に切断すれば、図 2 8 A，図 2 9 A，図 3 0に示すような上記異方性導電膜シート 1 0となる。なお、基板側に無機フィラー 6 f が少ない層を配置する場合には、上記と逆の工程、すなわち、ベースフィルム上に第 2層を形成したのち、第 2層上に第 1層を形成して、 2層構造の異方性導電膜シート体が形成できる。異方性導電膜シート体を所定寸法毎に切断すれば、図 2 8 B，図 2 9 B，図 3 1に示すような上記異方性導電膜シ一ト 1 0となる。

また、一旦、無機フィラー 6 f の濃度が低い、又は、無機フイラ一 6 ίが入つていなレ、絶縁性樹脂 6 mを第 1層として塗布乾燥（省略されることもある。）し、第 1層の上に無機ブイラ一 3 f を第 1層よりも多く混入した絶縁性樹脂を塗布して第 2層として塗布乾燥（省略されることもある。）し、この上に無機フィラーの量が第 2層より少ないまたは無い第 3層を塗布する。これを乾燥することにより、ベースフィルム上に第 1層と第 2層と第 3層とが形成された 3層構造の異方性導電膜シート体が形成できる。異方性導電膜シート体を所定寸法毎に切断すれば、図 2 8 C，図 2 9 C，図 3 2 Aに示すような上記異方性導電膜シート 1 0となる。

上記直接、回路基板 4上で異方性導電層を形成する方法によれば、上記電子部品ユニットを製造する側で、上記異方性導電層において、電子部品に最適な材料の樹脂を選択して電子部品側に配置する一方、基板に最適な材料の樹脂を選択して基板側に配置することができ、樹脂の選択の自由度を高めることがでさる。

これに対して、異方性導電膜シート体を製造する方法では、上記したほど選択の自由度は無いが、一括して多数の上記異方性導電膜シ一ト 1 0を製造することかできて、製造効率が良いとともに安価なものとなるとともに、貼り付け装置が 1台で十分になる。

上記したように、本発明の上記各実施形態によれば、電子部品例えば I Cチップと回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。すなわち、例えば、従来例として記載したスタツド ·バンプ'ボンディングや半田バンプによる接合では、フリップチップ接合した後に封止材を注入してバッチ炉に入れて硬化する必要がある。この封止材の注入には、 1ケあたり数分、また、封止材の硬化に、 2から 5時間を要する。スタッド 'バンプ ·ボンディング実装においては、さらにその前行程として、バンプに A gペーストを転写して、これを基板に搭載した後、 A gペーストを硬化するという工程が必要となる。この工程には 2時間を要する。これに対して、上記実施形態の方法では、上記封止工程を無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。さらに、上記実施形態では、固体又は半固体の絶縁性樹脂の封止シート等を用いることにより、例えば分子量の大きなエポキシ樹脂を用いることができることとなり、 1 0〜2 0秒程度の短時間で接合が可能となり、接合時間の短縮も図ることができ、さらに生産性を向上させることができる。さらに、以下のような効果をも奏することができる ( 1 ) バンプ形成バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) では、専用のバンプ形成工程を半導体メ一力一で行う必要があり、限定されたメ一力一でしかバンプの形成ができない。ところが、本発明の上記実施形態によれば、ワイヤボンディング装置により、汎用のワイヤボンディング用の I Cチップを用いることができ、 I Cチップの入手が容易となる。すなわち、汎用のワイヤボンディング用の I C チップを用いることができる理由は、ワイヤボンディングであれば、 A 1パッドが形成された通常の I Cパッド上に、ワイヤボンディング装置やバンプボンデイング装置を用いてバンプが形成可能であるからである。一方、バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) によりメツキバンプを形成するには、 A 1パッドの上に、 T i、 C u、 C rなどのバリヤメタルを形成したのちにレジストをスピンコートで塗布し、露光してバンプ形成部のみ穴をあける。これに電気を通電して、その穴部分に A uなどからなるメツキを行うことで形成する。従つて、メツキバンプを形成するには、大規模なメツキ装置や、シアン化合物などの危険物の廃液処理装置を必要とするので、通常のアセンブリ工程を行うェ場では現実には実施不可能である。

また、従来例 1の方法に比べて、導電性接着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安定させるためのバンプレべリングが不要となり、そのようなレべリング工程用のレべリング装置が不要となる。その理由は、バンプを押圧しながら基板の電極上で押しつぶすため、予めバンプだけをレべリングしておく必要がないためである。

また、上記実施形態において以下のようにすれば、バンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5にズレて実装された場合においても、信頼性の高い接合を達成することもできる。すなわち、バンプ 3を I Cチップ 1上に形成する際にワイヤボンデイングと同様に金線を電気スパークにより金ボール 9 6 aを形成する。次に、 9 5 aで示す直径 Φ d—B u m pのボール 9 6 aを形成し、これをチヤムファー角 Θ cが 1 0 0 ° 以下となるキヤピラリー 1 9 3の 9 3 aで示すチヤムファー直径 ø Dを金ボ一ル 9 6 aの直径 d— B u m pの 1 2から 3 / 4とし、キヤピラリー 1 9 3の金ボーノレ 9 6 aと接する部分に平らな部位を設けない先端形状としたキヤピラリー 1 9 3で I Cチップ 1の電極 2に超音波及び熱圧着によりバンプ 1 0 3を形成する。上記形状のキヤピラリー 1 9 3を用いることで図 1 0 Bのような先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3を I Cチップ 1の電極 2 に形成することができる。上記方法で形成したバンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5に図 1 1 Cのごとく寸法 Zだけズレて実装された場合においても、バンプ

1 0 3がその先端が大略円錐形であるためバンプ 1 0 3の外径の半分までのズレである場合はバンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4の電極 5と接触することができる。従来のバンプ 3の図 1 1 Dではバンプ 3のいわゆる台座 3 gの幅寸法 d の一部が接触するが、部分的にしか接触せず不安定な接合となる。これを冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合に接合部分がオープンとなる。本発明では、このような不安定な接合がなくなり、生産歩留まりと信頼性の高い接合を提供することができる。

( 2 ) I Cチップと回路基板の接合

従来例 2の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明の上記実施形態では、 I Cチップ側電極と基板側電極との間の電気的導通のために導電粒子を両電極間に挟み込む必要が無く、独立した工程としてのレべリング工程においてバンプ 3をレべリングせずに回路基板 4の電極 5に従来例 1、 2よりも強い荷重（例えば、 1 バンプ 3あたり 2 0 g f 以上の加圧力）で押しつけてバンプ 3と電極 5とを直接的に接合することができるため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。すなわち、上記導電粒子 1 0 aは、バンプ 3 と基板電極 5との直接接合において、導電粒子 1 0 aがバンプ 3と基板電極 5 との間に挟まれた場合には、基板側の電極 5と I Cチップ側のバンプ 3との間での接続抵抗値を低下せしめることができるといった、付加的効果を奏するものである。

また、従来のレべリング工程では基板電極との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行っているが、本発明の上記各実施形態ではバンプ 3の押しつぶしを電極 2又は 5への接合と同時に行うことができるので、独立したレベリング工程が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板 4の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合することができるので、又は、バンプ 3， 1 0 3に付着させた導電性ペーストを硬化して接合時に導電性ペーストを変形させることにより、バンプ 3， 1 0 3のレべリングを一切不要として、接合時に回路基板 4の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりに強い。

ところで、従来例 1では 1 0 / m/ l Cチップ（1個の I Cチップ当たり 1 0 /z mの厚み反り寸法精度が必要であることを意味する。）、従来例 2では 2 μ τη/ I C、従来例 3でも 1 / mZ I Cチップ（バンプ高さバラツキ土 1〃m 以下）というような高精度の基板 4やバンプ 3， 1 0 3の均一化が必要であり、実際上は、 L C Dに代表されるガラス基板が用いられている。これに対して、本発明の上記実施形態によれば、接合時に回路基板 4の反りゃうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりのある平面度の悪い基板、例えば、樹脂基板、フレキシブル基板、多層セラミック基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のある I Cチップの接合方法を提供することができる。また、 I Cチップ 1と回路基板 4との間の熱硬化性樹脂 6 mの体積を I Cチップ 1と回路基板 4との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。よって、従来例 1で必要とした導電性接着剤で I Cチップと回路基板を接合した後に I C チップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がなく、工程を短縮することができる。

なお、無機フィラー 6 f を熱硬化性樹脂 6 mにその 5〜9 0 w t %程度配合することにより、熱硬化性樹脂の弾性率、熱膨張係数を基板 4に最適なものにコントロールすることができる。これに加えて、通常のメツキバンプでこれを利用すると、バンプと回路基板の間に無機フイラ一が入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本発明の上記実施形態のようにスタッドバンプ（ヮィヤーボンディングを応用した形成方法）を用いるようにすれば、接合開始当初に熱硬化性樹脂 6 m中に入り込んできた尖っているバンプ 3， 1 0 3により、無機フィラー 6 ίを、よって、熱硬化性樹脂 6 mを、バンプ 3， 1 0 3の外側方向へ押し出さすことにより、バンプ 3， 1 0 3が変形していく過程で無機フイラ一 6 f と熱硬化性樹脂 6 mをバンプ 3 , 1 0 3と電極 5， 2の間から押し出し、不要な介在物を存在させないようにすることができ、より信頼^を向上させることができる。

以上、本発明によれば、従来の接合工法よりも生産性よく、低廉な電子部品例えば I Cチップと回路基板の接合方法及びその装置を提供することができる。なお、上記第 1実施形態においては、レべリングをしない図 1に示すようなバンプ 3の他、図 3 7 A， Bにそれぞれ示すようなレべリング済みのスタッドバンプ 3 0 0， 3 0 1を有する I Cチップ 1と基板 4との間での接合にも適用することができる。この場合、レべリング工程は必要となるが、封止工程が不要となるなどの他の効果は奏することができる。また、上記バンプは、めっき又は印刷により、外観が図 3 7 A， Bと大略同様に形成されたバンプを使用することもできる。例えば、 I Cチップの電極上にチタンやニッケルや金をこの順にめつきでバンプを形成したり、アルミニウムやニッケルなどと合成樹脂とを混合したペーストを I Cチップの電極上に印刷して乾燥又は硬化させることにより、ポリマーバンプを形成することもできる。特に、レべリングしたバンプやめつき又は印刷により形成したバンプを使用する場合、バンプの変形量を少ないため、万が一、無機ブイラ一がバンプと基板電極との間に挟まれてしまつてバンプと基板電極との間の電気的接続が不安定になる恐れがあるが、バンプと基板電極との間に導電粒子 1 0 aも挟まれることになり、この導電粒子 1 0 aによりバンプと基板電極との間の導通を確保することができる。

上記したように、本発明によれば、電子部品と回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。

さらに、以下のような効果をも奏することができる。

( 1 ) バンプ形成

バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) では、専用のバンプ形成工程を半導体メ一カーで行う必要があり、限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。ところが、本発明によれば、ワイヤボンディング装置により、電子部品の例として汎用のワイヤボンディング用の I Cチップを用いることができ、 I Cチップの入手が容易となる。

また、従来例 1の方法に比べて、導電性接着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安定させるためのバンプレべリングが不要となり、そのようなレベリング工程用のレベリング装置が不要となる。

また、先端が大略円錐状のバンプを電子部品の電極に形成すれば、バンプを回路基板の電極にズレて実装された場合においても、バンプがその先端が大略円錐形であるためバンプの外径の半分までのズレである場合はバンプの一部が必ず基板の電極と接触することができる。従来のバンプではバンプのいわゆる台座の一部が接触するが、部分的にしか接触せず不安定な接合となる。これを冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合に接合部分がオープンとなる。本発明では、このような不安定な接合がなくなり、生産歩留まりと信頼性の高い接合を提供することができる。

( 2 ) I Cチップと回路基板の接合

従来例 2の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明では、電子部品側電極と基板側電極との間の電気的導通のために導電粒子を両電極間に挟み込む必要が無く、独立した工程としてのレべリング工程においてバンプをレベリングせずに回路基板の電極に従来例 1、 2よりも強い荷重（例えば、 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力）で押しつけてバンプと電極とを直接的に接合することができるため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。すなわち、上記導電粒子は、バンプと基板電極との直接接合において、導電粒子がバンプと基板電極との間に挟まれた場合には、基板側の電極と電子部品側のバンプとの間での接続抵抗値を低下せしめることができるといった、付加的効果を奏するものである。

また、従来のレべリング工程では基板電極との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行っているが、本発明ではバンプの押しつぶしを電極への接合と同時に行うことができるので、独立したレべリング工程が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板の反りゃうねりを変形させて矯正しながら接合することができるので、又は、バンプに付着させた導電性ペーストを硬化して接合時に導電性ペーストを変形させることにより、バンプのレべリングを一切不要として、接合時に回路基板の反りゃうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりに強い。

ところで、従来例 1では 1 0 / m/ 1 Cチップ（1個の I Cチップ当たり 1 0 / mの厚み反り寸法精度が必要であることを意味する。）、従来例 2では 2 μ m/ I C、従来例 3でも 1 z mZ l Cチップ（バンプ高さバラツキ ± 1 μ πι 以下）というような高精度の基板やバンプの均一化が必要であり、実際上は、 L C Dに代表されるガラス基板が用いられている。これに対して、本発明によれば、接合時に回路基板の反りゃうねりを変形させて矯正しながら接合することができるので、反りやうねりのある平面度の悪い基板、例えば、樹脂基板、フレキシブル基板、多層セラミック基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のある I cチップの接合方法を提供することができる。

また、電子部品と回路基板との間の絶縁性樹脂の体積を電子部品と回路基板との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。よって、従来例 1で必要とした導電性接着剤で I Cチップと回路基板を接合した後に I Cチップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がなく、工程を短縮することができる。なお、無機フィラーを絶縁性樹脂にその 5〜 9 0 w t %程度配合することにより、絶縁性樹脂の弾性率、熱膨張係数を基板に最適なものにコント口ールすることができる。これに加えて、通常のメツキバンプでこれを利用すると、ノンプと回路基板の間に無機フィラーが入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本発明のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディングを応用した形成方法）を用いるようにすれば、接合開始当初に絶縁性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプにより、無機フィラーを、よって、絶縁性樹脂を、バンプの外側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形していく過程で無機：ラーと絶縁性樹脂をバンプと電極の間から押し出し、不要な介在物を存在させないようにすることができ、より信頼性を向上させることができる。

また、同じ重量の無機フィラーを配合する場合には、平均粒径が 3 / m以上の大きな無機フィラーを用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持つ無機フイラ一を用いるようにする力一方の無機フィラーの平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の 2倍以上異なっている無機フィラーを用いるようにする力、少なくとも 2種穎の無機フィラーのうちの一方の無機フイラ一は 3 μ mを超える平均粒径を持ち、他方の無機フイラ一は 3 / m以下の平均粒径を持つ無機フイラ一を用いるようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となるとともに、無機フィラーの量を増加させることができて、フィルム化（固体化）することが容易になる上に、異方性導電層例えば異方性導電膜シート又は異方性導電膜形成用接着剤の線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。。

さらに、平均粒径の大きい一方の無機フイラ一は上記絶縁性樹脂と同一材料からなるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、平均粒径の大きい一方の無機フイラ一は上記絶縁性樹脂であるエポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラーが圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。

また、電子部品又は上記基板と異方性導電層との接合界面では無機フィラーが存在しないかその量を少なくすれば、絶縁性樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂が多くなり、電子部品又は上記基板と絶縁性樹脂との密着強度を向上させることができて、無機フイラ一による線膨張係数を下げる効果を持たせたまま、電子部品又は上記基板との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が向上する。

さらに、上記電子部品に接触する部分又は層では、電子部品表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、上記基板に接触する部分又は層では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いるようにすれば、さらに密着性を向上させることができる。

以上、本発明によれば、回路基板と電子部品を接合した後に、電子部品と基板の間に流し込む封止樹脂工程やバンプの高さを一定に揃えるバンプレベリング工程を必要とせず、電子部品を基板に生産性良くかつ高信頼性で接合する回路基板への電子部品の実装方法及び装置を提供することができる。

(第 1 6実施形態）

以下、本発明の第 1 6実施形態にかかる電子部品例えば I Cチップの実装方法及びその装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置の一例としての回路基板への I Cチップの実装方法及びその実装装置を図 3 8 Aから図 5 1を参照しながら説明する。

まず、本発明の第 1 6実施形態にかかる回路基板への I Cチップ実装方法を図 3 8 A〜図 4 1 Cを用いて説明する。図 3 8 Aの電子部品の一例である I C チップ 1において I Cチップ 1の A 1パッド電極 2にワイヤボンディング装置により図 4 O A〜図 4 0 Fのごとき動作によりバンプ（突起電極） 3を形成する。すなわち、図 4 O Aでホルダであるキヤピラリー 9 3から突出したワイヤ 9 5の下端にボール 9 6を形成し、図 4 0 Bでワイヤ 9 5を保持するキヤビラリ一 9 3を下降させ、ボール 9 6を I Cチップ 1の電極 2に接合して大略バンプ 3の形状を形成し、図 4 O Cでワイヤ 9 5を下方に送りつつキヤビラリ一 9 3の上昇を開始し、図 4 0 Dに示すような大略矩形のループ 9 9にキヤビラリ一 9 3を移動させて図 4 0 Eに示すようにバンプ 3の上部に湾曲部 9 8を形成し、引きちぎることにより図 4 0 Fに示すようなバンプ 3を形成する。あるいは、図 4 0 Bでワイヤ 9 5をキヤビラリ一 9 3でクランプして、キヤビラリ一

9 3を上昇させて上方に引き上げることにより、金属線、例えば、金ワイヤ (金線） 9 5 (なお、金属線の例としては、スズ、アルミニウム、銅、又はこれらの金属に微量元素を含有させた合金のワイヤなどがあるが、以下の実施形態では代表例として金ワイヤ（金線）として記載する。）を引きちぎり、図 4 O Gのようなバンプ 3の形状を形成するようにしてもよい。このように、 I C チップ 1の各電極 2にバンプ 3を形成した状態を図 3 8 Bに示す。

次に、図 3 8 Cに示す回路基板 4の電極 5上に、図 3 8 Dに示すように、 I Cチップ 1の大きさより若干大きな寸法にてカツトされた無機フィラー 6 f を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層の一例としての絶縁性樹脂シート例えば熱硬化性樹脂シート 6を配置し、例えば 8 0〜 1 2 0 °Cに熱せられた貼付けツール 7により、例えば 5〜 1 0 k g f / c m2程度の圧力で熱硬化性樹脂シート 6をステージ 1 0 9上の基板 4の電極 5上に貼り付ける。この後、無機フイラ一 6 f を配合した固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート 6のツール 7側に取り外し可能に配置されたセパレータ 6 aを剥がすことにより、基板 4の準備工程が完了する。このセパレータ 6 aは、ツール 7に無機フィラー 6 f を配合した固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート 6が貼り付くのを防止するためのものである。ここで、図 3 8 Gに図 3 8 Fの G部分を部分的に拡大して示すように、熱硬化性樹脂シート 6は、球状又は破碎シリカ、アルミナ等のセラミクスなどの無機系フイラ一 6 f を絶縁性樹脂 3 0 6 mに分散させて混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましいとともに、後工程のリフロ一工程での高温に耐えうる程度の耐熱性 (例えば、 2 4 0 °Cに 1 0秒間耐えうる程度の耐熱性）を有することが好ましい。上記絶縁性樹脂は、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フユノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニフエ二レンサルファイド（P P S ) 、ポリカーボネイト、変性ポリフエ二レンオキサイド（P P O) など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性樹脂 3 0 6 mのガラス転移点は一般に 1 2 0〜2 0 0 °C程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。

次に、図 3 8 E及び図 3 8 Fに示すように、図 5 5の電子部品搭載装置 6 0 0において、部品保持部材 6 0 1の先端の熱せられた接合ツール 8により、上記前工程でバンプ 3が電極 2上に形成された I Cチップ 1をトレー 6 0 2から吸着保持しつつ、該 I Cチップ 1を、上記前工程で準備されかつステージ 9上に載置された基板 4に対して、 I Cチップ 1の電極 2が対応する基板 4の電極 5上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール 8により I Cチップ 1を基板 4に押圧する。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用する。例えば、図 5 6 Cに示すように、基板 4に形成された位置認識マーク 6 0 5又はリード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置 6 0 0の基板認識用カメラ 6 0 4で認識して、図 5 6 Dに示すようにカメラ 6 0 4で得られた画像 6 0 6を基に、基板 4のステージ 9上での直交する X Y方向の X Y 座標位置と X Y座標の原点に対する回転位置とを認識して基板 4の位置を認識する。一方、図 5 6 Aに示すように、接合ツール 8に吸着保持された I Cチップ 1の位置認識用マーク 6 0 8又は回路パターンを I Cチップ用位置認識カメラ 6 0 3で認識して、図 5 6 Bに示すようにカメラ 6 0 3で得られた画像 6 0 7を基に、 I Cチップ 1の上記 X Y方向の X Y座標位置と X Y座標の原点に対する回転位置とを認識して I Cチップ 1の位置を認識する。そして、上記基板 4と I Cチップ 1との位置認識結果を基に、接合ツール 8又はステージ 9を移動させて、 I Cチップ 1の電極 2が対応する基板 4の電極 5上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール 8により I Cチップ 1を基板 4に押圧する。

このとき、バンプ 3は、その頭部 3 aが、基板 4の電極 5上で図 4 1 Aから図 4 1 Bに示すように変形されながら押しつけられていく。このとき、図 3 9 A から図 3 9 Bに示すように、熱硬化性樹脂 3 0 6 m中の無機フィラー 6 f は、接合開始当初に熱硬化性樹脂 3 0 6 m中に入り込んできた尖っているバンプ 3 により、バンプ 3の外側方向へ押し出される。また、図 3 9 Cに示すように、この外側方向への押し出し作用によりバンプ 3と基板電極 5の間に無機フィラ一 6 f が入り込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。このとき、もし、バンプ 3と基板電極 5の間に無機フィラー 6 f が多少入り込んだとしても、バンプ 3と基板電極 5とが直接接触していることにより、全く問題はない。

このとき、 I Cチップ 1を介してバンプ 3側に印加する荷重は、バンプ 3の外径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ 3の頭部 3 aが、必ず図 4 1 Cのように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は、最低で 2 0 ( g f Zバンプ 1ケあたり）を必要とする。すなわち、図 5 2には、 8 0 μ mの外径のバンプの場合の抵抗値と荷重との関係のグラフより 2 0 ( g f Zバンプ 1ケあたり）未満では抵抗値 1 0 Ο πιιη ΩΖバンプより大きくなつて抵抗値が大きくなりすぎて実用上問題があるため、 2 0 ( g f /バンプ 1ケあたり）以上であることが好ましいことが示されている。また、図 5 3には、 8 0 /i m， 4 0 μ mのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の高い領域を示したグラフである。これより、 4 0 / m以上の外径のバンプでは最低荷重は 2 5 ( g f ノバンプ 1ケあたり）以上であることが好ましく、 4 0 / m未満の外径のバンプでは最低荷重は 2 0 ( g f /バンプ 1ケあたり）以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。なお、今後、リ一ドの狭ピッチ化とともにバンプ外径が 4 0 / m未満と小さくなつた場合、ノンプの投影面積に応じて、その 2乗に比例して荷重が減少する傾向があることが推定される。よって、 I Cチップ 1を介してバンプ 3側に印加する最低荷重は、最低で 2 0 ( g f /バンプ 1ケあたり）を必要とするのが好ましい。上記 I Cチップ 1を介してバンプ 3側に印加する荷重の上限は、 1〇チップ1、バンプ 3、回路基板 4などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は 1 5 0 ( g f Zバンプ 1ケあたり）を越えることもある。なお、図中、参照符号 6 sは、熱硬化性樹脂シート 6のうち接合ツール 8の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂 3 0 6 mが溶融後に熱硬化された樹脂である。

なお、セラミックヒ一タ又はパルスヒータなどの内蔵ヒータ 8 aにより熱せられた接合ツール 8により、上記前工程でバンプ 3が電極 2上に形成された I Cチップ 1を、上記前工程で準備された基板 4に対して I Cチップ 1の電極 2 が対応する基板 4の電極 5上に図 3 8 Eに示すように位置するように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図 3 8 Fに示すように押圧接合する工程とを、 1つの位置合わせ兼押圧接合装置、例えば、図 3 8 Eの位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置合わせ工程は図 4 2 Bの位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程は図 4 2 Cの接合装置で行うようにしてもよレ、。なお、図 4 2 Cでは、生産性を向上させるため、 2つの接合装置 8を示しており、 1枚の回路基板 4の 2個所を同時に押圧接合できるようにしている。

回路基板 4は、セラミック多層基板、 F P C、ガラス布積層エポキシ基板 (ガラエポ基板）やガラス布積層ポリイミド樹脂基板、ァラミド不織布ェポキシ基板（例えば、松下電器産業株式会社製の登録商標ァリブ「A L I V H」として販売されている樹脂多層基板）などが用いられる。これらの基板 4は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではない。そこで、図 4 2 A及び図 4 2 Bに示すように、例えば約 1 0 i m以下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合ツール 8とステージ 9とにより、接合ツール 8側からステージ 9側に向けて熱と荷重を I Cチップ 1を通じて回路基板 4に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板 4の反りが矯正せしめられる。また、 I Cチップ 1は、アクティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の強い荷重で加圧することで、基板 4と I Cチップ 1の両方の反りやうねりを矯正することができる。この I Cチップ 1の反りは、 I Cチップ 1を形成するとき、

S iに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生するものである。バンプの変形量は 1 0〜2 5 // m程度であり、この程度の基板が当初から持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバンプ 3の変形でそれぞれのバンプ 3が順応することで許容できるようになる。

こうして回路基板 4の反りが矯正された状態で、例えば 1 4 0〜2 3 0 °Cの熱が I Cチップ 1と回路基板 4の間の熱硬化性樹脂シート 6に例えば数秒〜 2 0秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート 6が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート 6を構成する熱硬化性樹脂 3 0 6 mが流れて I Cチップ

1のエッジまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、このようにエッジまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂 3 0 6 mの体積は I Cチップ 1と回路基板 4との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加熱されたツール 8が上昇することにより、加熱源がなくなるため I Cチップ 1と熱硬化性樹脂シート 6の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂シート 6は流動性を失い、図 3 8 F及び図 4 1 Cに示すように、 I Cチップ 1は硬化した熱硬化性樹脂 6 sにより回路基板 4上に固定される。また、回路基板 4側をステージ 9のヒータ 9 aなどにより加熱しておくと、接合ツール 8の温度をより低く設定することができる。

(第 1 7実施形態）

次に、本発明の第 1 7実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を説明する。この第 1 7実施形態においては、第 1 6実施形態において、熱硬化性樹脂シ

—ト 6に配合する無機フィラー 6 f の混合割合を上記絶縁性熱硬化性樹脂例えば絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂 3 0 6 mの 5〜 9 0 w t %として、一層好適なものとしたものである。 5 w t %未満では無機フィラー 6 f を混合する意味がない一方、 9 0 w t %を超えると、接着力が極度に低下するとともに、シート化するのが困難になるため好ましくない。一例として、高い信頼性を維持させる観点から、樹脂基板では 2 0〜4 0 w t %、セラミック基板では 4 0〜 7 0 w t %が好ましいとともに、ガラエポ基板では 2 0 w t %程度でもシート封止剤の線膨張係数をかなり低下させることができ、樹脂基板において効果がある。なお、体積％では、 w t。/。のおよそ半分の割合、又はエポキシ樹脂が 1に対してシリカ約 2の比重の割合とする。通常では、熱硬化性樹脂 3 0 6 mのシート化する際の製造上の条件と基板 4の弾性率、及び最終的には信頼性試験結果により、この無機フィラー 6 f の混合割合が決定される。

上記したような混合割合の無機フィラー 6 f を熱硬化性樹脂シ一ト 6に配合することにより、熱硬化性樹脂シート 6の熱硬化性樹脂 3 0 6 mの弾性率を増加させることができ、熱膨張係数を低下させて I Cチップ 1と基板 4の接合信頼性を向上させることができる。また、基板 4の材料に合わせて、熱硬化性樹月旨 3 0 6 mの材料常数、すなわち弾性率、線膨張係数を最適なものとするように、無機フィラー 6 f の混合割合を決定することができる。なお、無機フイラ一 6 f の混合割合が挿花するにつれて、弾性率は大きくなるが、線膨張係数は小さくなる傾向がある。

第 1 6実施形態及び第 1 7実施形態においては、液体ではなく固体の熱硬化性樹脂シート 6を使用するため取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといつた利点がある。

なお、図 3 8 Aから図 3 8 G及び図 3 9 A〜図 3 9 C、後述する図 4 3及び図 4 4においては、絶縁性樹脂層の一例としての熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを回路基板 4側に形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、図 5 1 A又は図 5 1 Bに示すように、 I Cチップ 1側に形成したのち、基板 4に接合するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化性榭脂シ一ト 6の場合には、熱硬化性樹脂シート 6の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパレ一タ 6 aとともに、ステージ 2 0 1上のゴムなどの弾性体 1 1 7に吸着ノズルなどの保持部材 2 0 0により保持された I Cチップ 1を押し付けて、バンプ 3の形状に沿って熱硬化性樹脂シート 6が I Cチップ 1に貼り付けられるようにしてもよい。

(第 1 8実施形態）

次に、本発明の第 1 8実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 4 3 A 〜図 4 3 C及び図 4 4 A〜図 4 4 Fを用いて説明する。

この第 1 8実施形態では、第 1 6実施形態において、熱硬化性樹脂シート 6 を基板 4に貼り付ける代わりに、図 4 3 A及び図 4 4 A， Dに示すように、絶縁性樹脂層の一例としての液体状の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを回路基板 4上に、デイスペンス 5 0 2などによる塗布、又は印刷、又は転写するようにしたのち、半固体状態、いわゆる Bステージ状態、まで固化し。その後、上記第 1又は第 1 7実施形態と同様に、上記 I Cチップ 1を上記基板 4に搭載する。

詳しくは、図 4 3 Aに示すように、液体状の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを回路基板 4上に、図 4 4 Aに示すような空気圧で吐出量が制御されかつ基板平面上で直交する 2方向に移動可能なデイスペンス 5 0 2などによる塗布、又は印刷、又は転写する。次いで、図 4 3 Bのごとくヒータ 7 8 aを内蔵したツール 7 8 により、熱と圧力を印加して均一化しながら、図 4 3 Cのように半固体状態、いわゆる Bステージ状態、まで固化する。

又は、液体状の熱硬化性接着剤 3 0 6 bの粘性が低い場合には、図 4 4 Aに示すように、デイスペンザ 5 0 2で基板 4上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを塗布したのち、熱硬化性接着剤 3 0 6 bの粘性が低いために自然に基板上で広がり、図 4 4 Bに示すような状態となる。その後、図 4 4 Cに示すように、コンペャのような搬送装置 5 0 5により上記基板 4を炉 5 0 3内に入れて、炉 5 0 3のヒータ 5 0 4により上記塗布された絶縁性樹脂の液体状熱硬化性接着剤 3 0 6 bを硬化させることにより、半固体化、すなわち、いわゆる Bステ一ジ状態まで固化する。

一方、液体状の熱硬化性接着剤 3 0 6 bの粘性が高い場合には、図 4 4 Dに示すように、デイスペンザ 5 0 2で基板 4上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを塗布したのち、熱硬化性接着剤 3 0 6 bの粘性が高いために自然に基板上で広がらないため、図 4 4 E， Fに示すように、スキージ 5 0 6で平らに延ばす。その後、図 4 4 ( C ) に示すように、コンべャのような搬送装置 5 0 5により上記基板 4を炉 5 0 3内に入れて、炉 5 0 3のヒータ 5 0 4により上記塗布された絶縁性樹脂の液体状熱硬化性接着剤 3 0 6 bを硬化させることにより、半固体化、すなわち、いわゆる Bステージ状態、まで固化する。このように熱硬化性接着剤 3 0 6 bを半固体化するときには、熱硬化性接着剤 3 0 6 b中の熱硬化性樹脂の特性により差はあるものの、該熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0〜8 0 %の温度である 8 0〜1 3 0 °Cで押圧する。通常は、熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0 %程度の温度で行う。このように熱硬化性樹脂のガラス転移点の 3 0〜8 0 %とする理由は、図 5 4の樹脂シートの加熱温度と反応率とのグラフより、 8 0〜1 3 0 °Cの範囲内ならば、まだ、後工程でさらに反応する範囲を充分に残すことができる。言い換えれば、 8 0〜1 3

0 °Cの範囲内の温度ならば、時間にもよる力絶縁性樹脂たとえばエポキシ樹脂の反応率が 1 0〜 5 0 %程度に抑制できるので、後工程の I Cチップ圧着時の接合に問題が生じない。すなわち、 I Cチップ圧着時に押圧するときに所定の押圧量を確保することができ、押し切れなくなるという問題を生じにくい。なお、反応を抑えて溶剤分のみを気化させることにより、半固体化することもある。

上記熱硬化性接着剤 3 0 6 bを上記したように半固体化させたのち、基板 4 に複数の I Cチップ 1を装着する場合には、基板 4の複数の I Cチップ 1を装着する複数の個所において上記熱硬化性接着剤 3 0 6 bの上記半固体化工程を前段取り工程とし予め行っておき、このように前段取りされた基板 4を供給して供給された基板 4に複数の I Cチップ 1を上記複数の個所に接合することでより生産性が高くなる。この後の工程では、熱硬化性接着剤 3 0 6 bを使用する場合でも、基本的には上記した第 1又は第 1 7実施形態の熱硬化性樹脂シート 6を用いる工程と同一の工程を行う。上記半固定化工程を加えることで、液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを熱硬化性樹脂シ一ト 6と同様に使用することができ、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといつた利点がある _c このように流動性のある熱硬化性接着剤 3 0 6 bを使用する場合には、固体の熱硬化性樹脂シート 6を使用する場合と比較して、基板 4の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる利点をも合わせて持つ。 (第 1 9実施形態）

次に、本発明の第 1 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 5 7を用いて説明する。第 1 9実施形態が第 1 6実施形態と異なる点は、 I Cチップ 1を基板 4に接合するとき、荷重に加えて超音波も印加して、バンプ 3をレべリングせずに、必要に応じて 2 0 g f 以下の荷重で押圧して、バンプ形成時の引き千切りにより生じた上記バンプ 3の先端のネック（ヒゲ）部分の倒れによる隣接バンプ又は電極とのショートを防止するようにバンプ先端を整えたのち、 I Cチップ 1と位置合わせして I Cチップ 1を基板 4に搭載して、金属バンプ 3を基板側の電極表面の金属と超音波併用熱圧着することである。 I Cチップ 1を基板 4に接合する状態は、先の実施形態での図 3 9及び図 4 3などと同様である。

この第 1 9実施形態では、絶縁性熱硬化性樹脂 3 0 6 mに無機フィラー 6 f を配合した固体の熱硬化性樹脂シート 6又は液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを上記したように半固体化させたものを基板 4に貼り付け、又は熱硬化性樹脂を含む熱硬化性接着剤 3 0 6 bを基板 4に塗布し半固体化させたのち、回路基板 4の電極 5と電子部品 1の電極 2にワイヤボンディングと同様に図 4 O A〜図

4 0 Fのごとき動作により金線 9 5の先端に電気スパークによりボール 9 6を形成し、このボール 9 6をキヤピラリー 9 3により基板電極 5に超音波熱圧着して形成されたバンプ 3を、レべリングせずに、 I Cチップ 1と位置合わせして I Cチップ 1を基板 4に搭載する。ここで、上記「液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを上記したように半固体化させたもの」とは、第 1 8実施形態で説明したような液体の熱硬化性接着剤 3 0 6 bを半分固体化したものであり、 Bステ —ジ化したものとほぼ同じものである。これを使用することにより、シート封止材料や A C F (異方性導電膜）よりも安価な材料が利用できる。このとき、図 5 7に示す超音波印加装置 6 2 0において、内蔵ヒータ 6 2 2により予めカロ熱された接合ツール 6 2 8により、該接合ツール 6 2 8に吸着された I Cチップ 1の上面からエアシリンダ 6 2 5による荷重と、ピエゾ素子のような超音波発生素子 6 2 3により発生させられて超音波ホーン 6 2 4を介して印加される超音波とを作用させて金バンプ 3のネック部分の倒れを防止するように先端を整えつつ金バンプ 3と基板側の金メツキとを金属接合する。次に、 I Cチップ 1の上面又は、及び基板側から加熱しながら、上記 I Cチップ 1を上記回路基板 4に 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板 4の反りの矯正とバンプ 3を押しつぶしながら、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4の間に介在する上記熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを上記熱により硬化して、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4を接合して両電極 2， 5 を電気的に接続する。

上記第 1 9実施形態によれば、金属バンプ 3と基板 4の金属メツキが金属拡散接合されるので、よりバンプ部分での強度を持たせたいような場合や、接続抵抗値をさらに低くしたいような場合に好適である。

(第 2 0実施形態）

次に、本発明の第 2 0実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 4 5 A 〜図 4 5 C及び図 4 6 A〜図 4 6 Cを用いて説明する。第 2 0実施形態は、第 1 6実施形態とは封止工程を省略することができる点が異なる。上記したように I Cチップ 1上の電極 2に突起電極（バンプ） 3を形成しておき、回路基板 4には、図 4 5 B，図 4 5 C，図 4 6 A及び図 5 8に示すように、 I Cチップ 1の複数の電極 2の内端縁を結んだ大略矩形の外形寸法 O Lより小さい形状寸法の矩形のシ一ト状の熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを回路基板 4の電極 5を結んだ中心部分に貼り付け又は塗布しておく。このとき、シート状の熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 b の厚みは、その体積が I Cチップ 1と基板 4との隙間より大きくなるようにする。また、図 5 8の貼り付け装置 6 4 0により、巻き戻しロール 6 4 4から卷き戻されて巻き付けロール 6 4 3に巻き取られる矩形のシート状の熱硬化性樹脂シート 6 5 6を、その切り目 6 5 7が予め入れられた部分で、上下のカツタ

—6 4 1により、 I Cチップ 1の複数の電極 2の内端縁を結んだ大略矩形の外形寸法〇Lより小さい形状寸法に切断する。切断された矩形のシート状の熱硬化性樹脂シート 6は、内蔵ヒータ 6 4 6で予め加熱された貼り付けへッド 6 4 2で吸着保持されて、上記回路基板 4の電極 5を結んだ中心部分に貼り付けされる。次に、バンプ 3と回路基板 4の電極 5を位置合わせし、図 4 5 A及び図

4 6 Bに示すように、ヒータ 8 aにより加熱された接合ツール 8により I Cチップ 1を回路基板 4に加圧押圧して、基板 4の反りの矯正を同時に行いながら、 I Cチップ 1と回路基板 4の間に介在する熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを硬化する。このとき、熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bは、接合ツール 8から I Cチップ 1を介して加えられた熱により上記したように軟化し、図 4 6 Cのごとく貼り付けられた又は塗布された位置より加圧されて外側へ向かって流れ出る。この流れ出た熱硬化性樹脂シート 6 又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bが封止材料（アンダーフィル）となり、バンプ 3 と電極 5との接合の信頼性を著しく向上する。また、ある一定時間がたっと、上記熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bでは徐々に硬化が進行し、最終的には硬化した樹脂 6 sにより I Cチップ 1と回路基板 4を接合することになる。 I Cチップ 1を押圧している接合ツール 8を上昇することで、 I Cチップ 1と回路基板 4の電極 5の接合が完了する。厳密に言えば、熱硬化の場合には、熱硬化性樹脂の反応は加熱している間に進み、接合ツール 8が上昇するとともに流動性はほとんど無くなる。上記したような方法によると、接合前では熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bが電極 5を覆っていないので、接合する際にバンプ 3が電極 5に直接接触し、電極 5の下に熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bが入り込まず、バンプ 3と電極 5 との間での接続抵抗値を低くすることができる。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド 8の温度をより低くすることができる。この方法を上記第 1 8実施形態に適用すると金バンプと回路基板の金電極（例えば、銅やタンダステンにニッケル、金メッキしたもの）との接合がより容易に行える。

(第 2 1実施形態）

次に、第 2 1実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 4 7〜図 4 8を用いて説明する。第 2 1実施形態においては、第 1 6実施形態と異なる点は、バンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5にズレて実装された場合においても、信頼性の高い接合を達成することもできる点である。

第 2 1実施形態においては、図 4 7 Aに示すように、バンプ 3を I Cチップ 1上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金線 9 5を電気スパークにより金ボール 9 6を形成する。次に、電気スパークするときの時間でボールの大きさを調整しつつ、 9 5 aで示す直径 Φ d— B u m pのボール 9 6 aを形成し、このように形成された直径 Φ d— B u m pのボール 9 6 aを、電気スパークを発生させるための時間又は電圧のパラメ一タを制御して、チヤムファー角 Θ c 力 S 1 0 0。以下のキヤピラリー 1 9 3の 9 3 aで示すチヤムファー直径 φ Dが金ボール直径 d— B u m pの 1 Z 2から 3 / 4となるようにボール 9 6 aを成形し、

図 4 7 Cに示すようにキヤピラリー 9 3の金ボールと接する部分に平らな部位 9 3 bを設けて図 4 7 Dに示すようなバンプ 3を形成するのではなく、図 4 7 Aに示すようにキヤピラリー 1 9 3の金ボール 9 6 aと接する部分に平らな部位を設けない先端部位 1 9 3 aを有する先端形状としたキヤピラリー 1 9 3で、 I Cチップ 1の電極 2に、超音波熱圧着により、図 4 7 Bに示すようなバンプ 1 0 3を形成する。上記先端形状のキヤビラリ一 1 9 3を用いることで、図 4 7 Bの bのような先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3を I Cチップ 1の電極 2に形成することができる。上記方法で形成した先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3 を回路基板 4の電極 5に図 4 8 Cのごとくズレて実装された場合においても、バンプ 1 0 3がその先端が大略円錐形であるため、バンプ 1 0 3の外径の半分までのズレである場合は、バンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4の電極 5と接触することができる。

これに対して、図 4 8 Dに示すようなバンプ 3では、バンプ 3を回路基板 4 の電極 5に図 4 8 Cのごとく寸法 Zだけズレて実装された場合には、図 4 8 E に示すように、幅寸法 dのいわゆる台座 3 gの一部が電極 5に接触するが、部分的にしか接触せず、接触状態が不安定な接合となる。このような不安定な接合状態のままでは、このような基板 4を冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合には、上記不安定な接合状態の接合がオープンすなわち接合不良となってしまう可能性があった。これに対して、上記第 2 1実施形態では、図 4 8 Cのごとく先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3が回路基板 4の電極 5に対して寸法 Zだけズレて実装された場合においても、バンプ 1 0 3が円錐形であるため、バンプ 1 0 3の外径の半分までのズレである場合は、バンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4の電極 5と接触することができ、冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合でも接合不良となることが防止できる。

(第 2 2実施形態）

次に、第 2 2実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 4 9〜図 5 0を用いて説明する。この第 2 2実施形態では、第 1 6実施形態において、回路基板 4への I Cチップ 1の接合したのちの熱硬化性樹脂の硬化時に I

と回路基板 4の応力を緩和することができるようにしたものである（第 2 2実施形態においては、絶縁性熱硬化性樹脂 3 0 6 mに無機フィラー 6 f を配合した固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを介在させながら、 I Cチップ 1の電極 2に上記ワイヤボンディングにより形成されたバンプ 3を、レべリングせずに、回路基板 4の電極 5と位置合わせする。例えば 2 3 0 °C程度の一定温度に加熱されたツール 8により I Cチップ 1をその裏面から加熱しながら、上記 I Cチップ 1を上記回路基板 4に 1バンプあたりセラミック基板の場合には圧力 P 1 = 8 0 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板 4の反りの矯正を行いながら、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4の間に介在する上記熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 b を上記熱により硬化する。次に、一定時間 t l後、すなわち、全体時間を例えば 2 0秒とすれば、材料の反応率により変わるが、その 1 Z 4とか 1 Z 2の 5 秒〜 1 0秒後、言い換えれば、材料の反応率が 9 0 %に達する前に、上記圧力 P 1より低い圧力 P 2まで下げて熱硬化性接着剤 3 0 6 bの硬化時の応力を緩和し、上記 I Cチップ 1と上記回路基板 4を接合して両電極 2， 5を電気的に接続する。好適には、バンプが変形していくためには最低限 2 0 g f 程度は必要であるため、すなわち、バンプの変形及び順応に必要な圧力を得るとともに、余分な樹脂を I Cチップ 1と基板 4との間から押し出すため、上記圧力 P 1は 2 0 g f Zバンプ以上である一方、バンプの変形等の前に樹脂内部に偏在した硬化歪み除去するため、圧力 P 2は 2 0 g f /バンプ未満とすることにより、より信頼性が向上する。その理由は詳しくは以下のとおりである。すなわち、図 4 9 Cに示すように、熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 b中の熱硬化性樹脂の応力分布は圧着時に I Cチップ 1と基板 4側とで大きくなつている。

このままでは、信頼性試験や通常の長期使用で繰り返し疲労が与えられると、 I Cチップ 1又は基板 4側で熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 b中の熱硬化性樹脂が応力に耐えきれずに剥離することがある。このような状態になると、 I Cチップ 1 と回路基板 4の接着力が十分でなくなり、接合部がオープンすることになる。そこで、図 5 0のように、より高い圧力 P 1とより低い圧力 P 2との 2段階の圧力プロファイルを用いることにより、熱硬化性接着剤 3 0 6 bの硬化時に上記圧力 P 1より低い圧力 P 2まで下げることができて、図 4 9 Dのごとく、圧力 P 2のときに樹脂内部に偏在した硬化歪み除去して I Cチップ 1と回路基板 4の応力を緩和する（言い換えれば、応力の集中度合いを減らす）ことができ、その後、上記圧力 P 1まで上げることにより、バンプの変形及び順応に必要な圧力を得るとともに、余分な樹脂を I Cチップ 1 と基板 4との間から押し出すことができて、信頼性が向上する。

なお、上記「 I Cチップ 1と回路基板 4の接着力」とは、 I Cチップ 1と基板 4をひっつける力のことを意味する。これは、接着剤による接着力と、接着剤を硬化したときの硬化収縮力と、 Z方向の収縮力（例えば 1 8 0 °Cに熱せられている接着剤が常温に戻るときに収縮するときの収縮力）のこれら 3つの力によって、 I C 1と基板 4とは接合されている。

(第 2 3実施形態）

次に、第 2 3実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 4 9〜図 5 0を用いて説明する。この第 2 3実施形態では、上記各実施形態において、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに配合する上記無機フィラー 6 f の平均粒径が 3 μ m以上であるようにしたものである。ただし、上記無機フイラ一 6 ίの最大平均粒径は、 I Cチップ 1と基板 4との接合後の隙間寸法を超えない大きさとする。

もし、無機ブイラ一 6 f を絶縁性樹脂 3 0 6 mに配合するときに、平均粒径が 3 μ m未満の細かな粒子を無機フイラ一 6 f として用いると、それらの粒子の表面積自体が全体として大きくなり、平均粒径が 3 μ m未満の細かな粒子である無機ブイラ一 6 f の周りに吸湿することがあり、 I Cチップ 1と基板 4との接合において好ましくない。

従って、同じ重量の無機フィラー 6 f を配合する場合には、平均粒径が 3 μ m以上の大きな無機フィラー 6 f を用いることで、無機フィラー 6 f の周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となる _c また、一般に、平均粒径（言い換えれば平均粒度）の大きな無機フィラーの方が安価であるため、コスト的にも好ましい。また、図 59 Aに示すように、 I Cチップ 1と基板 4との接合において AC F (An i s o t r o p i c Co n d u c t i v e F i l m :異方性導電膜） 598を使用する工法では、 A CF 598中の導電粒子 599をバンプ 3と基板電極 5との間に必ず挟む必要があるが、本発明の上記実施形態では導電粒子が無いためそのような必要は無く、図 59 Bに示すようにバンプ 3を基板電極 5で押しつぶしながら圧着するので、この圧着のときにバンプ 3と基板電極 4との間の絶縁性樹脂層 6， 30 6 bとともに無機フィラー 6 f もバンプ 3と基板電極 4と間から抜け出ることになり、基板電極 4とバンプ 3の間に不要な無機フイラ一 6 f が挟まることにより導電性を阻害することがほとんど無いという特徴に基づき、 3 //m以上の大きな平均粒径の無機フイラ一 6 f を使用することができる。

(第 24実施形態）

次に、本発明の第 24実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置を図 60, 26を用いて説明する。図 60， 26は、それぞれ、上記第 24実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置により製造された接合状態の模式断面図及びそのときに使用される樹脂シート 6の部分拡大模式断面図である。この第 24実施形態では、上記各実施形態において、上記絶縁性樹脂層 6 , 306 bの上記絶縁性樹脂 306 mに配合する上記無機フィラー 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ無機フイラ一 6 f - 1 , 6 f — 2とするものである。具体例としては、 0. 5 /zmの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜4 mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

上記第 24実施形態によれば、複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f — 1， 6 f — 2を絶縁性樹脂 306 mに混合することにより、絶縁性樹脂 3 06mに混合する無機ブイラー6 ίの量を増加させることができて、、無機フイラ一の周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となるとともに、フィルム化（固体化）することが容易になる。すなわち、重量％で考えた場合、一種類の無機フィラーよりも、粒径の異なる無機フィラーを混在して入れた方が、単位体積あたりの無機フィラーの量を増やすことが可能である。これによつて、封止シートとしての樹月旨シート 6又は接着剤 3 0 6 bへの無機フィラー 6 f の配合量を増加し、榭脂シ一ト 6又は接着剤

3 0 6 bの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。

(第 2 5実施形態）

次に、本発明の第 2 5実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記第 2 4実施形態における効果をより確実なものとするため、さらに、上記複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f — 1， 6 f 一 2のうちの一方の無機フイラ一 6 f - 1の平均粒径は、他方の無機フィラー 6 f 一 2の平均粒径の 2倍以上異なっているものである。具体例としては、 0 . 5 / mの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜4 x mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。このようにすることにより、上記第 2 4実施形態での効果をより一層高めることができる。すなわち、一方の無機フィラー 6 f — 1の平均粒径は、他方の無機フイラ一 6 f — 2の平均粒径の 2倍以上異なっている複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー 6 f — 1， 6 f — 2を絶縁性樹脂 3 0 6 mに混合することにより、絶縁性樹脂 3 0 6 mに混合する無機フィラー 6 f の量をより確実に増加させることができて、フィルム化（固体化）することがより容易になり、樹脂シート 6又は接着剤 3 0 6 bへの無機フィラー 6 f の配合量を増加し、樹脂シート 6又は接着剤 3 0 6 bの線膨張係数をより低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性をより向上させることができる。

(第 2 6実施形態）

次に、本発明の第 2 6実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記第 2 4実施形態における効果をより確実なものとするため、さらに、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f _ 1， 6 ί— 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの一方の無機フィラー 6 f — 1は 3 mを超える平均粒径を持ち、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの他方の無機フィラー 6 f — 2は 3 z m以下の平均粒径を持つことが好ましい。具体例としては、 0 . 5 μ mの平均粒径を持つ無機フィラーと、 2〜4 /i mの平均粒径を持つ無機フィラーとする。

(第 2 7実施形態）

次に、本発明の第 2 7実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 ίは、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f — 1， 6 f — 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの平均粒径の大きい一方の無機フイラ一 6 f ― 1は上記絶縁性樹脂 3 0 6 m と同一材料からなることにより、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。具体例としては、 0 . 5 // mの平均粒径を持つ無機フイラ一と、 2〜4 / mの平均粒径を持つ無機フイラ一とする。

この第 2 7実施形態によれば、第 2 4実施形態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1は上記絶縁性樹脂 3 0 6 mと同一材料からなることにより、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに応力が作用したとき、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f ― 1が上記絶縁性樹脂 3 0 6 mと一体化することにより、応力緩和作用を奏することができる。

(第 2 8実施形態）

次に、本発明の第 2 8実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに配合する上記無機フイラ一 6 f は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー 6 f — 1， 6 f 一 2であって、上記少なくとも 2種類の無機フイラ一のうちの平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f 一 1は上記絶縁性樹脂 3 0 6 m であるエポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラー 6 f 一 1が圧縮されることにより、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。

この第 2 8実施形態によれば、第 2 4実施形態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1は上記絶縁性樹脂 3 0 6 mと同一材料からなることにより、上記絶縁性樹脂 3 0 6 mに応力が作用したとき、平均粒径の大きい一方の無機フィラー 6 f - 1が上記絶縁性樹脂 3 0 6 mであるェポキシ樹脂よりも柔らかいため、上記応力により、上記一方の無機フィラー 6 f 一 1が図 6 2に示すように圧縮されてその周囲で圧縮に対する反力である引張力が分散されることにより、応力緩和作用を奏することができる。

(第 2 9実施形態）

次に、本発明の第 2 9実施形態にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ュニット若しくはモジュール例えば半導体装置においては、上記各実施形態において、さらに、図 6 3 A， B , 図 6 4 A， B，図 6 5及び図 6 6に示されるように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ

1又は上記基板 4に接触する部分 7 0 0又は層 6 Xが、他の部分 7 0 1又は層 6 yよりも上記無機ブイラ一量が少ないか、もしくは上記無機フイラ一 6 f を配合しないようにすることができる。この場合、図 6 3 A， Bに示すように、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 6 4 A， B及び図 6 5，図 6 6に示すように明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 6 4 A， B及び図 6 5，図 6 6において、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂 3 0 6 mと同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラー 6 f を配合した第 1樹脂層 6 Xと、上記第 1樹脂層 6 Xに接触し、力、つ、上記第 1 樹脂層 6 Xよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しない上記絶縁性樹脂で構成される第 2樹脂層 6 yとを備えて多層構造にすることもできる。

このようにすれば、以下のような効果を奏することができる。すなわち、もし、上記無機フイラ一 6 f を絶縁性樹脂層全体に同じ重量パーセント（w t %) で入れると、 I Cチップ側又は基板側又はその両方の対向面の近傍に無機フイラ一 6 f が多くなることがあり、 I Cチップ 1と基板 4との中間部分では逆に少なくなる。この結果、 I Cチップ側又は基板側又はその両方の対向面の近傍に無機フィラー 6 f が多いため、絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bと I Cチップ 1又は基板 4又はその両方との間での接着力が低下することがある。上記第 2 9実施形態によれば、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4のいずれか一方に接触する部分 7 0 0又は層 6 X 1S 他の部分 7 0 1又は層 6 yよりも上記無機フイラ一量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることにより、無機フィラー量が多いために接着力が低下することを防止できる。以下に、この第 2 9実施形態の種々の変形例について説明する。

まず、第 1の変形例として、図 6 3 C，図 6 4 C及び図 6 7 Aに示されるように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 0が、他の部分 7 0 1よりも上記無機フイラ一量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることもできる。この場合も、図 6 3 Cに示すように、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 6 4 C及び図 6 7 Aに示されるように、明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 6 4

C及び図 6 7 Aにおいて、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記第 1樹脂層 6 Xの上記第 2樹脂層 6 yとは反対側に、上記第 1樹脂層 6 Xよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは上記無機フイラ一 6 ίを配合しない上記絶縁性樹脂で構成される第 3樹脂層 6 zをさらに備えて多層構造とし、上記第 1樹脂層 6 Xと上記第 3樹脂層 6 zは、それぞれ、上記 I Cチップ 1と上記基板 4 とに接触するようにすることもできる。

さらに、別の変形例として、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又はその両方にそれぞれ接触する部分 7 0 0は、その上記無機フィラー量が 2 0 w t %未満か、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにする一方、上記他の部分 7 0 1はその上記無機フイラ一量が 2 O w t %以上であるようにすることもできる。この場合、図 6 3 A， B， Cに示すように上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又は両方に接触する部分 7 0 0と、他の部分 7 0 1とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 6 4 A, B , 図 6 4 C , 図 6 5，図 6 6，及び図 6 7 Aに示すように明確に区別するようにしてもよい。すなわち、上記第 1樹脂層 6 X又は第 1樹脂層 6 X及び上記第 3 樹脂層 6 zは、その上記無機フィラー量が 2 0 w t %未満か、もしくは上記無機フイラ一 6 f を配合しないようにする一方、上記第 2樹脂層 6 yはその上記無機フイラ一量が 2 0 w t %以上であるようにすることもできる。

具体例としては、上記第 2樹脂層 6 yは、絶縁性樹脂 3 0 6 mとして熱硬化性エポキシ樹脂としたとき、セラミック基板の場合には 5 O w t %であり、ガラエポ基板の場合は 2 0 w t %とする。また、一例として、第 1樹脂層 6 X又は第 3樹脂層 6 _Z又はその両方の厚さは 1 5 // m、第 2樹脂層 6 yの厚さは 4 0〜6 0 μ πιとする。また、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bの厚さは、 I Cチップ 1と基板 4との接合後の隙間寸法よりも大きな寸法として、 I Cチップ 1 と基板 4との接合時に I Cチップ 1と基板 4との間に完全に満たされるようにして接合をより確実なものとする。

また、別の変形例として、図 6 3 C，図 6 4 C及び図 6 7 Aに示す変形例と無機フィラーの配合量を逆にするようにしてもよい。すなわち、図 6 3 Dに示されるように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 3の中間部分 7 0 2が、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4の両方にそれぞれ接触する部分 7 0 3よりも上記無機フイラ一量が少ないか、もしくは上記無機フィラー 6 f を配合しないようにすることもできる。この場合も、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4又は両方に接触する部分 7 0 3と、中間部分 7 0 2とを明確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図 6 4 D及び図 6 7 Bに示されるように、明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図 6 4 D及び図 6 7 Bに示されるように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4に接触する部分に位置されかつ上記無機フイラ一 6 f を配合した絶縁性樹脂 3 0 6 mで構成される第 4樹脂層 6 vと、上記 I Cチップ 1と上記基板 4との中間部分に位置されかつ上記第 4樹脂層 6 Vよりも上記無機フィラー量が少ないか又は含まれていない絶縁性樹脂 3 0 6 mで構成される第 5樹脂層 6 wとを備えるようにすることもできる。

このようにすれば、上記 I Cチップ 1と上記基板 4との上記中間部分 7 0 2 又は上記第 5樹脂層 6 wでは、上記 I Cチップ 1と上記基板 4とにそれぞれ接触する部分 7 0 3又は上記第 4樹脂層 6 Vよりも上記無機フィラー量が少ないか又は含まれていないため、弾性率が低くなり、応力緩和効果を奏することができる。また、上記 I Cチップ 1と上記基板 4とにそれぞれ接触する部分 7 0 3又は上記第 4樹脂層 6 Vの絶縁性樹脂として I Cチップ 1と基板 4とに対する密着力の高いものを選択して使用すれば、上記 I Cチップ 1に接触する部分 7 0 3又は I Cチップ 1の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vでは、 I Cチップ 1 の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フィラー 6 f の配合量又は材料を選択する一方、上記基板 4に接触する部分 7 0 3又は基板 4の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vでは、基板 4の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フィラー 6 f の配合量又は材料を選択することができる。この結果、上記 I C チップ 1に接触する部分 7 0 3又は I Cチップ 1の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vと I Cチップ 1との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなるとともに、上記基板 4に接触する部分 7 0 3又は基板 4の近傍部分の上記第 4樹脂層 6 Vと基板 4との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなる。さらに、図 6 8 A， Bに実線で示すように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 b は、上記 I Cチップ 1又は上記基板 4のいずれか一方に接触する部分 P 1から他の部分 P 2に向かって、上記無機フィラー量が徐々に又は段階的に少なくなるようにすることもできる。

また、図 6 8 C， Dに実線で示すように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分 P 3， P 4から他の部分すなわち I Cチップ 1と上記基板 4との中間部分 P 5に向かって、上記無機フイラ一量が徐々に又は段階的に多くなるようにすることもできる。

また、図 6 8 Eに実線で示すように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分（図 6 3 Dの変形例における接触部分 7 0 3に相当する部分）から、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4との中間部分（図 6 3 Dの変形例における中間部分 7 0 2に相当する部分）に向かって、上記無機フイラ一量が徐々に少なくなるようにすることもできる。また、図 6 8 Fに実線で示すように、上記絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bは、上記 I Cチップ 1の近傍部分、次いで、上記基板 4の近傍部分、次いで、上記 I

Cチップ 1の近傍部分と上記基板 4の近傍部分との中間部分の順に上記無機フイラ一量が少ないようにすることもできる。なお、図 6 8 Fでは、上記順に徐々に上記無機フイラ一量が変化するように例示しているが、これに限られるものではなく、段階的に変化するようにしてもよい。

上記図 6 8 E， Fの変形例のようにすれば、上記 I Cチップ 1と上記基板 4 との中間部分では、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分よりも上記無機フィラー量が少ないか又は含まれていないため、弾性率が低くなり、応力緩和効果を奏することができる。また、上記 I Cチップ 1及び上記基板 4にそれぞれ接触する部分の絶縁性樹脂として I Cチップ 1と基板 4とに対する密着力の高いものを選択して使用すれば、 I Cチップ 1に接触する部分では、 I Cチップ 1の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フイラ一 6 f の配合量又は材料を選択する一方、基板 4に接触する部分では、基板 4の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機ブイラー 6 f の配合量又は材料を選択することができる。この観点で無機フィラー 6 f の配合量を決定すると、通常は、図 6 8 Fに実線で示すように、上記 I Cチップ 1の近傍部分、次いで、上記基板 4の近傍部分、次いで、上記 I Cチップ 1の近傍部分と上記基板 4の近傍部分との中間部分の順に上記無機フイラ一量が少ないようなる。このような構成とすることにより、 I Cチップ 1に接触する部分と I Cチップ 1との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなるとともに、基板 4に接触する部分と基板 4との線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなる。

図 6 8 A〜Fのいずれの場合でも、実用上、上記無機フィラー量は 5〜 9 0 w t %の範囲内とすることが好ましい。 5 w t %未満では無機フィラー 6 f を混合する意味がない一方、 9 0 w t %を超えると、接着力が極度に低下するとともに、シート化するのが困難になるため好ましくないためである。

なお、上記のような複数の樹脂層 6 x， 6 y又は 6 x， 6 y , 6 ζで構成される多層構造の膜を絶縁性樹脂層として用いて I Cチップ 1を基板 4に熱圧着した場合には、接合時の熱により絶縁性樹脂 3 0 6 mが軟化、溶融して上記樹脂層が混じり合うので、最終的には、各樹脂層の明確な境界が無くなり、図 6 8のように傾斜した無機フイラ一分布となる。

さらに、上記第 2 9実施形態又は各変形例において、無機フィラー 6 f の入つた部分又は層を有する絶縁性樹脂層、又は、無機フィラー分布が傾斜した絶縁性樹脂層において、上記部分又は樹脂層に応じて、異なった絶縁性樹脂を用いることも可能である。例えば、 I Cチップ 1に接触する部分又は樹脂層では、 I Cチップ表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、基板 4に接触する部分又は樹脂層では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いることも可能となる。

上記第 2 9実施形態及びそれらの上記種々の変形例によれば、 I Cチップ 1 又は上記基板 4と絶縁性樹脂層 6， 3 0 6 bとの接合界面では無機フイラ一 6 f が存在しないかその量が少なく、絶縁性樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂が多くなり、 I Cチップ 1又は上記基板 4と絶縁性樹脂 3 0 6 mとの密着強度を向上させることができて、 I Cチップ 1又は上記基板 4との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が向上する。

もし、接着そのものには寄与しないが線膨張係数を下げる効果を持つ無機フイラ一 6 f が絶縁性樹脂 3 0 6 m中に均一に分散されていると、基板 4又は I Cチップ表面に無機フィラー 6 f が接触し、接着に寄与する接着剤の量が減少することになり、接着性の低下を招く。この結果、もし I Cチップ 1または基板 4と接着剤の間で剥離が生じると、そこから水分が侵入し、 I Cチップ 1の電極の腐食などの原因となる。また、剥離部分から剥がれが進行すると、 I C チップ 1と基板 4の接合そのものが不良となり、電気的に接続不良となる。これに対して、上記第 2 9実施形態及びそれらの上記種々の変形例によれば、上記したように、無機ブイラ一 6 f による線膨張係数を下げる効果を持たせたまま接着力を向上させることができる。これによつて、 I Cチップ 1及び基板 4との密着強度が向上し、信頼性が向上する。

さらに、無機フィラー 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xを I Cチップ側に配置した場合、又は、 I Cチップ側において無機フィラー分布を小さくした場合には、当該部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xは、 I Cチップ表面の窒化シリコンゃ酸化珪素からなるパッシべィション膜に対して密着力を向上させることが可能となる。また、これら I Cチップ表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を適宜選択して用いることも可能となる。また、 I C チップ近傍での弾性率を下げることで、絶縁性樹脂層の一例である封止シート材料のなかでの応力集中が緩和される。基板 4に用いられる材料がセラミックのように固い（弾性率の高い）場合には、このような構造をとると、基板近傍での封止シート材料との弾性率、線膨張係数がマッチングして、尚、好適である。

一方、無機フィラー 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 Xを基板側に配置した場合には、又は、基板側において無機フイラ一分布を小さくした場合には、樹脂基板ゃフレキシブル基板（F P C ) などのように基板 4に曲げが加わるような場合において、基板 4を電子機器の筐体に組み込む際に曲げ応力が加わるようなとき、基板 4と絶縁性樹脂層の一例である封止シートとの密着強度を向上する目的で用いることができる。 I Cチップ側の表面層がポリイミド膜で形成された保護膜よりなる場合においては、一般に、絶縁性樹脂の密着が良好で、問題とならない場合に I Cチップ 1から基板 4にかけて、弾性率と線膨張係数が連続的または段階的に変化することで、 I Cチップ側で封止シートが固く、基板側では柔らかい材料とすることができる。これにより、封止シート内部での応力発生が小さくなることから信頼性が向上する。

さらに、 I Cチップ側と基板側の両側に無機フィラー 6 f の少ない部分 7 0 0又は樹脂層 6 x， 6 _Zを配置した場合、又は、 I Cチップ側と基板側の両側において無機フィラー分布を小さくした場合には、上記 I Cチップ側と基板側との 2つの場合を両立させるものであり、 I Cチップ側及び基板側の両方での密着性を向上させることができるとともに、線膨張係数を下げて I Cチップ 1 と基板 4の両者を高い信頼性で接続させることができる。また、 I Cチップ側表面の材質及び基板材質に応じて、より密着性、樹脂塗れ性の良好な絶縁性樹脂を選択して用いることができる。また、これらの無機フイラ一 6 f の量の多い少ないの傾斜は自由に変えることができるので、無機フィラー 6 f の少ない部分又は層を極薄くしたりすることで、基板材料とのマッチングが可能である。

(第 3 0実施形態）

次に、本発明の第 3 0実施形態においては、上記第 8〜 1 4実施形態及びそれらの変形例にかかる回路基板への電子部品例えば I Cチップの実装方法及び装置及び上記実装方法により上記 I Cチップが上記基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体装置により使用される絶縁性樹脂層の製造工程を図 6 9，図 7 0に基づいて説明する。

まず、直接、回路基板 4上で絶縁性樹脂層を形成する場合には、回路基板 4 の上に、第 1樹脂シートを貼付け、その上に第 2樹脂シートを貼付ける。このとき、第 1樹脂シートに無機フィラー 6 f が多い場合は図⁶ 3 Aまたは図 6 5 のようになり、逆の場合には図 6 3 Bまたは図 6 6のようになる。すなわち、前者の場合には、第 1樹脂シートは上記無機フィラー 6 f が多い部分 7 0 1又は第 2樹脂層 6 yに対応する樹脂シートであり、後者の場合には、上記無機フイラ一 6 f が少ない部分 7 0 0又は第 1樹脂層 6 Xに対応する樹脂シートとなる。

また、第 2樹脂シートの上にさらに第 3樹脂シートを形成して、第 1樹脂シ一トと第 3樹脂シートとが無機フィラー 6 f が少ない部分 7 0 0又は第 1樹脂層 6 Xに対応する場合には、図 6 3 Cまたは図 6 7 Aのようになる。

また、これらを、図 6 9 , 図 7 0に示すように、予めセパレータと呼ばれるベースフィルム 6 7 2上で、第 1樹脂シート 6 7 3と第 2樹脂シ一ト 6 7 4とをこの順に（図 6 9，図 7 0にはこの場合のみ示す。）、又はこれとは逆に、又はさらに第 3樹脂シートをも、貼り付けて形成してもよい。この場合には、図 6 9，図 7 0のように、上下一対の加熱可能なローラ 6 7 0， 2 7 0などで複数の樹脂シート 6 7 3， 6 7 4を、必要に応じて加熱しつつ、貼り付けていく。その後、形成された樹脂シート体 6 7 1を所定寸法毎に切断すれば、図 6 3 A〜C，図 6 4 A〜C，図 6 5〜 3 2のいずれかに示すような上記絶縁性樹脂シート 6となる。

また、別の変形例として、絶縁性樹脂シート 6が連続した絶縁性樹脂シート体を作製する際には、溶剤に溶かせたエポキシ及び無機フイラ一をドクターブレード法などによりセパレーターと呼ばれるベ一スフイルム上に塗布する。この溶剤を乾燥させて絶縁性樹脂シート体が製作される。

このとき、一旦、無機フィラー 6 f の濃度が低いか、又は、無機フィラー 6 f が入っていない液体状の絶縁性樹脂を第 1層としてベースフィルム上に塗布し、場合によっては、その塗布された第 1層の乾燥を行う。乾燥しない場合には、無機ブイラ一 6 f が、若干、第 1層に第 2層の無機フィラー 6 f が混入していき、図 6 8のように無機フィラー分布が傾斜した構造となる。

上記塗布形成された第 1層の上に、無機フィラー⁶ f を第 1層よりも多く混入した液体状の絶縁性樹脂を塗布して第 2層とする。第 2層を乾燥することにより、ベ一スフイルム上に第 1層と第 2層とが形成された 2層構造の絶縁性樹脂シート体が形成できる。絶縁性樹脂シート体を所定寸法毎に切断すれば、図 6 3 A, 図 6 4 A，図 6 5に示すような上記絶縁性樹脂シ一ト 6となる。なお、基板側に無機フィラー 6 f が少ない層を配置する場合には、上記と逆の工程、すなわち、ベースフィルム上に第 2層を形成したのち、第 2層上に第 1層を形成して、 2層構造の絶縁性樹脂シート体が形成できる。絶縁性樹脂シ一ト体を所定寸法毎に切断すれば、図 6 3 B，図 6 4 B，図 6 6に示すような上記絶縁性樹脂シ一ト 6となる。

また、一旦、無機フィラー 6 f の濃度が低い、又は、無機フィラー 6 f が入つていない絶縁性樹脂 3 0 6 mを第 1層として塗布乾燥（省略されることもある。）し、第 1層の上に無機フィラー 3 f を第 1層よりも多く混入した絶縁性樹脂を塗布して第 2層として塗布乾燥（省略されることもある。）し、この上に無機フイラ一の量が第 2層より少ないまたは無い第 3層を塗布する。これを乾燥することにより、ベースフィルム上に第 1層と第 2層と第 3層とが形成された 3層構造の絶縁性榭脂シ一ト体が形成できる。絶縁性樹脂シ一ト体を所定寸法毎に切断すれば、図 6 3 C，図 6 4 C，図 6 7 Aに示すような上記絶縁性樹脂シート 6となる。

上記直接、回路基板 4上で絶縁性樹脂層を形成する方法によれば、上記電子部品ユニットを製造する側で、上記絶縁性樹脂層において、電子部品に最適な材料の樹脂を選択して電子部品側に配置する一方、基板に最適な材料の樹脂を選択して基板側に配置することができ、樹脂の選択の自由度を高めることがでさる。

これに対して、絶縁性樹脂シート体を製造する方法では、上記したほど選択の自由度は無いが、一括して多数の上記絶縁性樹脂シート 6を製造することかできて、製造効率が良いとともに安価なものとなるとともに、貼り付け装置が 1台で十分になる。

上記したように、本発明の上記各実施形態によれば、電子部品例えば I Cチップと回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。すなわち、例えば、従来例として記載したスタツド ·バンプ'ボンディングや半田バンプによる接合では、フリップチップ接合した後に封止材を注入してバッチ炉に入れて硬化する必要がある。この封止材の注入には、 1ケあたり数分、また、封止材の硬化に、 2から 5時間を要する。スタッド 'バンプ ·ボンディング実装においては、さらにその前行程として、バンプに A gペーストを転写して、これを基板に搭載した後、 A gペーストを硬化するという工程が必要となる。この工程には 2時間を要する。これに対して、上記実施形態の方法では、上記封止工程を無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。さらに、上記実施形態では、固体又は半固体の絶縁性樹脂の封止シート等を用いることにより、例えば分子量の大きなエポキシ樹脂を用いることができることとなり、 1 0〜2 0秒程度の短時間で接合が可能となり、接合時間の短縮も図ることができ、さらに生産性を向上させることができる。また、接合材料として導電粒子の無い熱硬化性樹脂シート 6又は熱硬化性接着剤 3 0 6 bを用いた場合には、従来例 2で示した方法に比べて絶縁性樹脂中に導電†生微片を加える必要が無いため、安価な I Cチップの実装方法及び装置を提供することができる。

さらに、以下のような効果をも奏することができる。

( 1 ) バンプ形成

バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) では、専用のバンプ形成工程を半導体メ一カーで行う必要があり、限定されたメーカ一でしかバンプの形成ができない。ところが、本発明の上記実施形態によれば、ワイヤボンディング装置により、汎用のワイヤボンディング用の I Cチップを用いることができ、 I Cチップの入手が容易となる。すなわち、汎用のワイヤボンディング用の I C チップを用いることができる理由は、ワイヤボンディングであれば、 A 1パッドが形成された通常の I Cパッド上に、ワイヤボンディング装置やバンプボンデイング装置を用いてバンプが形成可能であるからである。一方、バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) によりメツキバンプを形成するには、 A 1パッドの上に、 T i、 C u、 C rなどのバリヤメタノレを形成したのちにレジストをスピンコートで塗布し、露光してバンプ形成部のみ穴をあける。これに電気を通電して、その穴部分に A uなどからなるメツキを行うことで形成する。従つて、メツキバンプを形成するには、大規模なメツキ装置や、シアン化合物などの危険物の廃液処理装置を必要とするので、通常のァセンブリ工程を行うェ場では現実には実施不可能である。

また、従来例 1の方法に比べて、導電性接着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安定させるためのバンプレべリングが不要となり、そのようなレべリング工程用のレべリング装置が不要となる。その理由は、ノンプを押圧しながら基板の電極上で押しつぶすため、予めバンプだけをレベリングしておく必要がないためである。

また、上記実施形態において以下のようにすれば、バンプ 1 0 3を回路基板

4の電極 5にズレて実装された場合においても、信頼性の高い接合を達成することもできる。すなわち、バンプ 3を I Cチップ 1上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金線を電気スパークにより金ボール 9 6 aを形成する。次に、 9 5 aで示す直径 Φ d—B u m pのボール 9 6 aを形成し、これをチヤムファー角 Θ cが 1 0 0 ° 以下となるキヤピラリー 1 9 3の 9 3 aで示すチヤムファ一直径 φ Dを金ボール 9 6 aの直径 d— B u m pの 1 / 2力、ら 3 Z 4とし、キヤピラリー 1 9 3の金ボール 9 6 aと接する部分に平らな部位を設けない先端形状としたキヤピラリー 1 9 3で I Cチップ 1の電極 2に超音波及び熱圧着によりバンプ 1 0 3を形成する。上記形状のキヤビラリ一 1 9 3を用いることで図 4 7 Bのような先端が大略円錐状のバンプ 1 0 3を I Cチップ 1の電極 2 に形成することができる。上記方法で形成したバンプ 1 0 3を回路基板 4の電極 5に図 4 8 Cのごとく寸法 Zだけズレて実装された場合においても、バンプ 1 0 3がその先端が大略円錐形であるためバンプ 1 0 3の外径の半分までのズレである場合はバンプ 1 0 3の一部が必ず基板 4の電極 5と接触することができる。従来のバンプ 3の図 4 8 Dではバンプ 3のいわゆる台座 3 gの幅寸法 d の一部が接触するが、部分的にしか接触せず不安定な接合となる。これを冷熱衝撃試験ゃリフローにかけた場合に接合部分がオープンとなる。本発明では、このような不安定な接合がなくなり、生産歩留まりと信頼性の高い接合を提供することができる。

( 2 ) I Cチップと回路基板の接合

従来例 2の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明の上記実施形態では、独立したェ程としてのレべリング工程においてバンプ 3をレべリングせずに回路基板 4の電極 5に従来例 1、 2よりも強い荷重（例えば、 1バンプ 3あたり 2 0 g f 以上の加圧力）で押しつけてバンプ 3と電極 5とを直接的に接合することができるため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。

また、従来のレべリング工程では基板電極との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行っているが、本発明の上記各実施形態ではバンプ 3の押しつぶしを電極 2又は 5への接合と同時に行うことができるので、独立したレベリング工程が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板 4の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合することができるので、又は、バンプ 3， 1 0 3に付着させた導電性ペーストを硬化して接合時に導電性ペーストを変形させることにより、バンプ 3， 1 0 3のレべリングを一切不要として、接合時に回路基板 4の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりに強レ、。

ところで、従来例 1では 1 0 Cチップ（1個の I Cチップ当たり 1 0 / mの厚み反り寸法精度が必要であることを意味する。）、従来例 2では 2 m/ I C、従来例 3でも 1 / mZ l Cチップ（バンプ高さバラツキ土 1 / m 以下）というような高精度の基板 4やバンプ 3， 1 0 3の均一化が必要であり、実際上は、 L C Dに代表されるガラス基板が用いられている。これに対して、本発明の上記実施形態によれば、接合時に回路基板 4の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりのある平面度の悪い基板、例えば、樹脂基板、フレキシブル基板、多層セラミック基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のある I Cチップの接合方法を提供することができる。また、 I Cチップ 1 と回路基板 4との間の熱硬化性樹脂 3 0 6 mの体積を I と回路基板 4との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。よって、従来例 1で必要とした導電^接着剤で I Cチップと回路基板を接合した後に I Cチップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がなく、工程を短縮することができる。

なお、無機フィラー 6 f を熱硬化性樹脂 3 0 6 mにその 5〜9 0 w t。/。程度配合することにより、熱硬化性樹脂の弾性率、熱膨張係数を基板 4に最適なものにコントロールすることができる。これに加えて、通常のメツキバンプでこれを利用すると、バンプと回路基板の間に無機フィラーが入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本発明の上記実施形態のようにスタッドバンプ

(ワイヤーボンディングを応用した形成方法）を用いるようにすれば、接合開始当初に熱硬化性樹脂 3 0 6 m中に入り込んできた尖っているバンプ 3， 1 0 3により、無機フイラ一 6 f を、よって、熱硬化性樹脂 3 0 6 mを、バンプ 3， 1 0 3の外側方向へ押し出さすことにより、バンプ 3， 1 0 3が変形していく過程で無機フィラー 6 f と熱硬化性樹脂 3 0 6 mをバンプ 3， 1 0 3と電極 5，

2の間から押し出し、不要な介在物を存在させないようにすることができ、より信頼性を向上させることができる。

以上、本発明によれば、従来の接合工法よりも生産性よく、低廉な電子部品例えば I Cチップと回路基板の接合方法及びその装置を提供することができる。上記したように、本発明によれば、電子部品と回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非常に生産性を向上させることができる。

また、接合材料として導電粒子の無い絶縁性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤）を用いた場合には、従来例 2で示した方法に比べて絶縁性樹脂中に導電性微片を加える必要が無いため、安価な電子部品の実装方法及び装置を提供することができる。

さらに、以下のような効果をも奏することができる。

( 1 ) バンプ形成バンプをメツキで形成する方法（従来例 3 ) では、専用のバンプ形成工程を半導体メーカーで行う必要があり、限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。ところが、本発明によれば、ワイヤボンディング装置により、電子部品の例として汎用のワイヤボンディング用の I Cチップを用いることができ、 I Cチップの入手が容易となる。

( 2 ) I Cチップと回路基板の接合

従来例 2の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明では、独立した工程としてのレべリング工程においてバンプをレべリングせずに回路基板の電極に従来例 1、 2 よりも強い荷重（例えば、 1バンプあたり 2 0 g f 以上の加圧力）で押しつけてバンプと電極とを直接的に接合することができるため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。

ところで、従来例 1では 1 0 /x mZ l Cチップ（1個の I Cチップ当たり 1 0 // mの厚み反り寸法精度が必要であることを意味する。）、従来例 2では 2 μ m/ I C、従来例 3でも 1 μ / I Cチップ（バンプ高さバラツキ士 1 m 以下）というような高精度の基板やバンプの均一化が必要であり、実際上は、 L C Dに代表されるガラス基板が用いられている。これに対して、本発明によれば、接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合することができるので、反りやうねりのある平面度の悪い基板、例えば、樹脂基板、フレキシブル基板、多層セラミック基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のある I Cチップの接合方法を提供することができる。

また、電子部品と回路基板との間の絶縁性樹脂の体積を電子部品と回路基板との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。よって、従来例 1で必要とした導電性接着剤で I Cチップと回路基板を接合した後に I Cチップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がなく、工程を短縮することができる。なお、無機フィラーを絶縁性樹脂にその 5〜 9 0 w t %程度配合することにより、絶縁性樹脂の弾性率、熱膨張係数を基板に最適なものにコントロールすることができる。これに加えて、通常のメツキバンプでこれを利用すると、バンプと回路基板の間に無機フィラーが入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本発明のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディングを応用した形成方法）を用いるようにすれば、接合開始当初に絶縁性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプにより、無機フィラーを、よって、絶縁性樹脂を、バンプの外側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形していく過程で無機フィラーと絶縁性樹脂をバンプと電極の間から押し出し、不要な介在物を存在させないようにすることができ、より信頼 i~生を向上させることができる。

また、同じ重量の無機フィラーを配合する場合には、平均粒径が 3 Ai m以上の大きな無機フィラーを用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持つ無機フイラ一を用いるようにする力、一方の無機フィラーの平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の 2倍以上異なっている無機フィラーを用いるようにする力、少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの一方の無機フイラ一は 3 μ mを超える平均粒径を持ち、他方の無機フイラ一は 3 m以下の平均粒径を持つ無機フィラーを用いるようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となるとともに、無機フィラーの量を増加させることができて、フィルム化（固体化）することが容易になる上に、絶縁性樹脂層例えば樹脂シート又は接着剤の線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。。

さらに、平均粒径の大きい一方の無機フイラ一は上記絶縁性樹脂と同一材料からなるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、平均粒径の大きい一方の無機フイラ一は上記絶縁性樹脂であるエポキシ樹脂よりも柔ら力く、上記一方の無機フィラーが圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。

また、電子部品又は上記基板と絶縁性樹脂層との接合界面では無機フィラーが存在しないかその量を少なくすれば、絶縁性樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂が多くなり、電子部品又は上記基板と絶縁性樹脂との密着強度を向上させることができて、無機フイラ一による線膨張係数を下げる効果を持たせたまま、電子部品又は上記基板との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が向上する。

なお、上記各実施形態において、上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合するとき及び上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶすときの両方の工程において上記電子部品及び基板の両方とも加熱することなく、それぞれ、行ったのち、上記電子部品側から、又は基板側から、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよい。以上、本発明によれば、回路基板と電子部品を接合した後に、電子部品と基板の間に流し込む封止樹脂工程やバンプの高さを一定に揃えるバンプレべリング工程を必要とせず、電子部品を基板に生産性良くかつ高信頼性で接合する回路基板への電子部品の実装方法及び装置を提供することができる。

本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとつては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims

請求の範囲

1. ワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりポール（96， 96 a) を形成し、上記形成されたボ一ルをキヤピラリー (9 3， 1 9 3) により電子部品（1) の電極（2) に超音波熱圧着してバンプ（3， 1 03) を形成し、

無機フイラ一を配合した絶縁性樹脂に導電粒子（1 0 a) を配合した異方性導電層（1 0) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（4) の電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツール（8) により上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

2. 上記バンプを形成したのち、上記異方性導電層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板（4) の上記電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載する前に、

上記形成されたバンプを、一度、 20 g f 以下の荷重で押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるようにした請求項 1に記載の電子部品の実装方法。

3. 上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂（6m) が絶縁性熱硬化性ェポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性ェポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の 5〜 90 w t %である請求項 1又は

2に記載の電子部品の実装方法。

4. 上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂（6 m) は当初上記基板に塗布する際に液体であり、上記基板に塗布後、上記基板を炉（503) 内に入れて上記塗布された絶縁性樹脂の液体を硬化させることにより、又は、加熱されたッール（78) により上記塗布された絶縁性樹脂の液体を押圧することにより、半固体化したのち、上記電子部品を上記基板に搭載する請求項 1〜3のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

5. ワイヤボンディングと同様に金属線（95) の先端に電気スパークによりボール（96， 96 a) を形成し、上記形成されたボールをキヤピラリー (93， 1 93) により電子部品（1) の電極（2) に超音波熱圧着して金バンプ（3， 103) を形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子（10 a) を配合した異方性導電層（10) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（4) の電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

その後、ツール（8) により上記電子部品の上面側から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、

次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

6. 上記電子部品（1) は複数の電極（2) を有し、上記位置合わせの前に、上記回路基板（4) に、上記異方性導電層として、上記電子部品（1) の上記複数の電極（2) を結んだ外形寸法（OL) より小さい形状寸法の固形の異方性導電膜シート（10) を貼り付けたのち上記位置合わせを行い、上記接合においては、上記異方性導電膜シート（10) を加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした請求項 1〜 5のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

7. 上記バンプを上記電子部品上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金属線（95) の先端に電気スパークにより金ボール（96 a) を形成するとき、チヤムファー角（6 c) を 100° 以下とし、かつ、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有する上記キヤビラリ一により、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する請求項 1〜 6のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

8. ワイヤボンディングと同様に金属線（95) の先端に電気スパークによりボール (96, 96 a) を形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一 (93， 1 93) により電子部品（1) の電極（2) にバンプ（3， 103) を形成し、

その後、所定温度に加熱されたツール（8) により上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化し、

その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

9. 上記圧力 P 1は 20 g f Zバンプ以上、上記圧力 P 2は上記圧力 P 1の 1 / 2以下とする請求項 8に記載の電子部品の実装方法。

10. 無機フイラ一を配合した絶縁性樹脂に導電粒子（10 a) を配合した異方性導電層（1 0) を、回路基板（4) の電極（5) 又は電子部品（1) に貝占り付ける装置（7， 1 0 9, 200， 20 1) と、

上記電子部品（1) の電極（2) にワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（9 6， 9 6 a) を形成し、これをキャピラリー（9 3， 1 9 3) により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしないバンプ（3， 1 0 3) を形成する装置（93， 1 9 3) と、

上記電子部品を上記回路基板（4) の上記電極（5) に位置合わせして搭載する装置（600) と、

ツール（8) により、加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8， 9) とを備える電子部品の実装装置。

1 1. 無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子（1 0 a) を配合した異方性導電層（1 0) を、回路基板（4) の電極（5) 又は電子部品（1) に貼り付ける装置（7， 1 0 9， 200, 20 1) と、

上記電子部品（1 ) の電極（2) にワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（9 6， 9 6 a) を形成し、これをキャピラリー（93， 1 93) により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしない金バンプ（3， 1 0 3) を形成する装置（93， 1 9 3) と、

ツール（6 28) により上記電子部品の上面から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置（6 20) と、ツール（8) により加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8， 9) とを備える電子部品の実装装置。

1 2. 上記金ボール（96 a) を形成する装置（93， 1 93 ) は、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有するとともにチヤムファー角（e _c) が 100° 以下となる上記キヤビラリ一を有して、該キヤピラリーにより、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する請求項 10〜1 1のいずれかに記載の電子部品の実装装置。

1 3. 無機フィラーを配合した絶縁性樹脂に導電粒子（10 a) を配合した異方性導電層（10) を回路基板（4) 又は電子部品（1) に貼り付ける装置

(7， 109， 200, 201) と、

上記電子部品（1) の電極（2) にワイヤボンディング同様に金属線（9

5) の先端に電気スパークによりボール（96， 96 a) を形成し、これをキャピラリー（ 93， 1 93 ) により上記基板の上記電極に形成してレべリングしないバンプ（3， 103) を形成する装置（93， 1 93) と、

所定温度に加熱されたツール（8) により、上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8， 9) とを備える電子部品の実装装置。

14. 上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フィラーの平均粒径が 3 μ m以上である請求項 1〜 3のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

1 5. 上記異方性導電層の上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フイラ一は、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも 2種類の無機フィラー（6 f — 1， 6 f - 2) であって、上記少なくとも 2種類の無機フィラーのうちの一方の無機フィラー（6 f — l) の平均粒径は、上記少なくとも 2種類の無機フイラ一のうちの他方の無機フィラー（6 f — 2) の平均粒径の 2倍以上異なっている請求項 1〜 3， 14のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

1 6. 上記異方性導電層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フイラ一量が少ないようにした請求項 1〜 3， 14〜 1 5のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

1 7. 上記異方性導電層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした請求項 1 5に記載の電子部品の実装方法。

1 8. 電子部品（1) の電極（2) に形成されたバンプ（3, 103) を、絶縁性樹脂（6 m) に無機フィラー（6 f ) が配合されかつ硬化された異方性導電層（10) を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板

(4) の電極（5) に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記異方性導電層（1 0) は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした電子部品ュニット。

1 9. 電子部品（1) の電極（2) に形成されたバンプ（3， 103) を、絶縁性樹脂（6 m) に無機フィラー（6 f ) が配合されかつ硬化された異方性導電層（1 0) を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板 (4) の電極（5) に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、上記異方性導電層（1 0) は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上記無機フイラ一を配合した第 1樹脂層（6 x) と、上記第 1樹脂層に接触し、力つ、上記第 1樹脂層よりも上記無機フィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第 2 樹脂層（6 y) とを備える電子部品ユニット。

20. 上記バンプはめつき又は印刷により形成したバンプである請求項 1〜 9， 1 4〜1 7のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

2 1. 上記バンプはめつき又は印刷により形成したバンプである請求項 1 8 〜1 9のいずれかに記載の電子部品ュニット。

22. 上記異方性導電層は、上記無機フィラーを配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フィラーの平均粒径より大きい平均直径を有する導電粒子（1 0 a ) を配合した請求項 1〜9， 1 4〜1 7， 20のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

23. 上記異方性導電層は、上記無機フィラー（6 f ) を配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フィラーの平均粒径がより大きい平均直径を有する導電粒子（1 0 a) を配合した請求項 1 0〜1 2のいずれかに記載の電子部品の実

24. 上記異方性導電層は、上記無機フィラー（6 f ) を配合した固形の絶縁性樹脂に、上記無機フイラ一の平均粒径がより大きい平均直径を有する導電粒子（1 0 a) を配合した請求項 1 8〜1 9， 2 1のいずれかに記載の電子部品ュニット。

25. ワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（96， 9 6 a) を形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一 (9 3， 1 93) により電子部品（1 ) の電極（2) に超音波熱圧着してバンプ（3， 1 03) を形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、絶縁性樹脂（3 0 6 m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 30 6 b) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（4) の電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツール（8) により上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

26. 上記バンプを形成したのち、上記絶縁性樹脂（3 0 6m) に上記無機フィラー（6 f ) を配合した上記固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 3 0 6 b) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板（4) の上記電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載する前に、上記形成されたバンプを、一度、 20 g ί以下の荷重で押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるようにした請求項 25に記載の電子部品の実装方法。

2 7. 上記絶縁性樹脂（30 6m) が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性ェポキシ樹脂に配合する上記無機ブイラ一の量は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の 5〜 90 w t。/。である請求項 2 5又は 26に記載の電子部品の実装方法。

28. ワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（96， 9 6 a) を形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一 (93， 1 93) により電子部品（1 ) の電極（2) に超音波熱圧着して金バンプ（3, 1 0 3) を形成し、

上記形成されたバンプをレべリングせずに、絶縁性樹脂（306 m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 3 0 6 b) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（4) の電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g f 以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

29. 上記電子部品（1) は複数の電極（2) を有し、上記位置合わせの前に、上記回路基板（4) に、上記絶縁性樹脂層として、上記電子部品（1) の上記複数の電極（2) を結んだ外形寸法（OL) より小さい形状寸法の固形の絶縁性樹脂シート（6) を貼り付けたのち上記位置合わせを行い、上記接合においては、上記絶縁性樹脂シート（6) を加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした請求項 25〜28のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

30. 上記バンプを上記電子部品上に形成する際にワイヤボンディングと同様に金属線（95) の先端に電気スパークにより金ボール（96 a) を形成するとき、チヤムファー角（Θ c) を 100° 以下とし、かつ、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端形状を有する上記キヤビラリーにより、先端が大略円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する請求項

25〜 29のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

3 1. ワイヤボンディングと同様に金属線（95) の先端に電気スパークによりボール（96， 96 a) を形成し、上記形成されたボールをキヤビラリ一 (93， 1 93) により電子部品（1) の電極（2) にバンプ（3， 1 03) を形成し、上記形成されたバンプをレべリングせずに、絶縁性樹脂（306 m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 306 b) を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（4) の電極（5) とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、

その後、所定温度に加熱されたツール（8) により上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、

その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する電子部品の実装方法。

32. 上記圧力 P 1は 20 g f /バンプ以上、上記圧力 P 2は上記圧力 P 1 の 1ノ 2以下とする請求項 3 1に記載の電子部品の実装方法。

33. 絶縁性樹脂（306m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 306 b) を、回路基板（4) の電極（5) 又は電子部品（1) に貼り付ける装置（7， 1 09， 200， 201) と、

上記電子部品（1) の電極（2) にワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（96， 96 a) を形成し、これをキャピラリー（93， 1 93) により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしないバンプ（3， 1 03) を形成する装置（93， 1 9 3) と、

ツール（8) により、加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g ί以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8， 9) とを備える電子部品の実装装置。

34. 絶縁性樹脂（3 06m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 30 6 b) を、回路基板（4) の電極（5) 又は電子部品（1) に貼り付ける装置（7， 1 0 9， 200， 20 1) と、上記電子部品（1) の電極（2) にワイヤボンディングと同様に金属線（9 5) の先端に電気スパークによりボール（96， 96 a) を形成し、これをキャピラリー（ 93， 1 9 3 ) により上記基板の上記電極に超音波熱圧着して形成してレべリングしない金バンプ（3， 1 03) を形成する装置（93， 1 9 3) と、

ツール（6 28) により上記電子部品の上面から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置（6 20) と、ツール（8) により加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に 1バンプあたり 20 g ί以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8，

9) とを備える電子部品の実装装置。

3 5. 絶縁性樹脂（30 6m) に無機フィラー（6 f ) を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（6， 3 0 6 b) を回路基板（4) 又は電子部品（1 ) に貼り付ける装置（7， 1 0 9， 200, 20 1) と、

5) の先端に電気スパークによりボール（96， 9 6 a) を形成し、これをキャピラリー（ 93， 1 9 3 ) により上記基板の上記電極に形成してレべリングしないバンプ（3， 1 0 3) を形成する装置（9 3， 1 9 3) と、上記電子部品を上記回路基板（4) の上記電極（5) に位置合わせして搭載する装置（600) と、

所定温度に加熱されたツール（8) により、上記電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路基板に圧力 P 1により押圧して上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力 P 1より低い圧力 P 2に降下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（8， 9) とを備える電子部品の実装

36. 上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フイラ一は、異なる平均粒径を持つ複数種類の無機フィラー（6 f — 1， 6 f — 2) である請求項 25〜27のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

37. 上記絶縁性樹脂層（6， 306 b) は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした請求項 25〜 27， 36のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

38. 上記絶縁性樹脂層（6， 306 b) は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした請求項 37に記載の電子部品の実装方法。

39. 上記電子部品に接触する部分では、電子部品表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用レ、る一方、上記基板に接触する部分では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いるようにした請求項 37, 38のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

40. 上記絶縁性樹脂層（6， 306 b) は、上記電子部品又は上記基板のレ、ずれか一方に接触する部分が、上記無機フィラーを配合しないようにした請求項 25〜 27， 36のいずれかに記載の電子部品の実装方法。

41. 電子部品（1) の電極（2) に形成されたバンプ（3， 103) を、絶縁性樹脂（306m) に無機フイラ一（6 f ) が配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層（6， 306 b) を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板（4) の電極（5) に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記絶縁性榭脂層（6， 306 b) は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ない電子部品ュニット。

4 2. 電子部品（1) の電極（2) に形成されたバンプ（3， 1 0 3) を、絶縁性樹脂（30 6 m) に無機フイラ一（6 f ) が配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層（6， 3 06 b) を介在させかつ上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板（4) の電極（5) に接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続しており、

上記絶縁性樹脂層（6， 306 b) は、上記電子部品又は上記基板のいずれカ方に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した第 1樹脂層（6 x) と、上記第 1樹脂層に接触し、かつ、上記第 1樹脂層よりも上記無機フィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第 2樹脂層（6 y) とを備える電子部品ユニット。

4 3. 上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合するとき、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱するようにした請求項 5又は 28に記載の電子部品の実装方法。

44. 請求項：！〜 9， 1 4〜： 1 7， 25〜3 2， 3 6〜40， 43のいずれかに記載の電子部品の実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された電子部品ュニット。

4 5. 上記超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合する装置は、上記電子部品の上記上面側から、又は、上記基板側から、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱する加熱部材を備えて、上記金属接合時に上記加熱部材により加熱するようにした請求項 1 1又は 34に記載の電子部品の実装装置。