JP2003142528A - 回路基板とリペア方法及び実装構造体 - Google Patents
回路基板とリペア方法及び実装構造体Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、導電
性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジを与え
ず、高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧
着実装が可能になり、狭ピッチ及びエリア配列の高性能
な接続が低コストで実現できる回路基板とリペア方法及
び実装構造体を提供する。 【解決手段】回路基板５の少なくとも入出力端子電極４
上の接続部位に樹脂フィルム１が存在し、樹脂フィルム
１の接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設け
られ、前記貫通孔に導電性接着剤３が充填されており、
かつ樹脂フィルム１が多孔質の樹脂フィルムである。
性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジを与え
ず、高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧
着実装が可能になり、狭ピッチ及びエリア配列の高性能
な接続が低コストで実現できる回路基板とリペア方法及
び実装構造体を提供する。 【解決手段】回路基板５の少なくとも入出力端子電極４
上の接続部位に樹脂フィルム１が存在し、樹脂フィルム
１の接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設け
られ、前記貫通孔に導電性接着剤３が充填されており、
かつ樹脂フィルム１が多孔質の樹脂フィルムである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板とリペア
方法及び実装構造体に関する。さらに詳しくは、多孔質
樹脂フィルムを用いた回路基板とリペア方法及び実装構
造体に関する。
方法及び実装構造体に関する。さらに詳しくは、多孔質
樹脂フィルムを用いた回路基板とリペア方法及び実装構
造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯用電子機器の小型化、高性能化に伴
い半導体デバイスなどの小型化、高性能化がますます求
められている。そのため端子ピン数が増加し、狭ピッチ
化あるいはエリア配列にすることが重要となる。しか
し、狭ピッチ化にも限界があり、今以上の狭ピッチ化を
進める必要がある一方で、素子あるいは配線上にもパッ
ドを設けて実装することが重要となっている。しかしワ
イヤボンディングのような技術は、半導体装置の周辺か
ら回路基板へ金属ワイヤで接続する実装技術であるた
め、狭ピッチ接続においても限界があり、エリア配列の
ピンには対応できない。これが可能な技術として半田に
よる接続があるが、これもリフロ−により半田を溶融さ
せるため、狭ピッチで半田を供給しににくく、また接続
においてもエリア配列での実装においては、半田バンプ
の径が大きいこと、基板製造プロセスの微細化の必要性
やパッケージとしての信頼性を考えると、現在２５０μ
ｍピッチ前後が実装限界となっている。しかも環境問題
も懸念され、コストも高い。
い半導体デバイスなどの小型化、高性能化がますます求
められている。そのため端子ピン数が増加し、狭ピッチ
化あるいはエリア配列にすることが重要となる。しか
し、狭ピッチ化にも限界があり、今以上の狭ピッチ化を
進める必要がある一方で、素子あるいは配線上にもパッ
ドを設けて実装することが重要となっている。しかしワ
イヤボンディングのような技術は、半導体装置の周辺か
ら回路基板へ金属ワイヤで接続する実装技術であるた
め、狭ピッチ接続においても限界があり、エリア配列の
ピンには対応できない。これが可能な技術として半田に
よる接続があるが、これもリフロ−により半田を溶融さ
せるため、狭ピッチで半田を供給しににくく、また接続
においてもエリア配列での実装においては、半田バンプ
の径が大きいこと、基板製造プロセスの微細化の必要性
やパッケージとしての信頼性を考えると、現在２５０μ
ｍピッチ前後が実装限界となっている。しかも環境問題
も懸念され、コストも高い。
【０００３】その他、半田以外にもバリアメタルを形成
した後、Ａｕめっきバンプを形成する構造などもある。
した後、Ａｕめっきバンプを形成する構造などもある。
【０００４】一方、フリップチップ実装として突起電極
が形成された半導体装置を、接合層を介して回路基板の
入出力端子電極上に実装する方式がある。例えばワイヤ
ボンディング法を用いて形成された突起電極を有する半
導体装置を、導電性接着剤を介して回路基板の入出力端
子電極上に実装し、封止樹脂により補強された実装構造
がある。この場合導電性接着剤という接合層の存在によ
り接続部の高信頼性が確保されている。しかし、バンプ
形成工程、バンプレベリング工程、導電性接着剤供給工
程、実装工程、封止樹脂封入工程、導電性接着剤及び封
止樹脂の硬化工程など工程数が非常に多いことや、バッ
チ処理のため樹脂の硬化時間が長く生産タクト、高生産
性が懸念されている。また、導電性接着剤の供給工程で
は突起電極への転写によって供給するため、狭ピッチに
なると突起電極を小さくせざるを得ないので、導電性接
着剤の転写量（供給量）が減少し、接続信頼性を確保す
るのが困難となる。
が形成された半導体装置を、接合層を介して回路基板の
入出力端子電極上に実装する方式がある。例えばワイヤ
ボンディング法を用いて形成された突起電極を有する半
導体装置を、導電性接着剤を介して回路基板の入出力端
子電極上に実装し、封止樹脂により補強された実装構造
がある。この場合導電性接着剤という接合層の存在によ
り接続部の高信頼性が確保されている。しかし、バンプ
形成工程、バンプレベリング工程、導電性接着剤供給工
程、実装工程、封止樹脂封入工程、導電性接着剤及び封
止樹脂の硬化工程など工程数が非常に多いことや、バッ
チ処理のため樹脂の硬化時間が長く生産タクト、高生産
性が懸念されている。また、導電性接着剤の供給工程で
は突起電極への転写によって供給するため、狭ピッチに
なると突起電極を小さくせざるを得ないので、導電性接
着剤の転写量（供給量）が減少し、接続信頼性を確保す
るのが困難となる。
【０００５】これ以外に、突起電極は電解めっき、また
は無電解めっきで生成された例えばＡｕ、Ｎｉなどで構
成されたものも用いることができる。また、接合層には
半田や異方性導電膜（ACF: Anisotropic Conductive Fi
lm）や異方性導電ペーストなども用いることができる。
半田ペーストとして用いる場合や導電性接着剤（等方
的）を用いる場合には実装時はほとんど荷重を必要とし
ないが、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト
などを用いる場合は、接続の安定性や信頼性を確保する
ためには最大で２００ｇ／ピン程度の荷重を必要とする
こともある。特に図９（ａ）〜（ｂ）に異方性導電膜
（ＡＣＦ）を用いた場合の実装方法を示す。基板６１の
電極６２と基板６６の電極６５とが異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）６０を介して一体化され実装されている。異方性導
電膜（ＡＣＦ）６０の中に含まれている導電粒子６３は
例えばＮｉ粒子、Ａｕ（またはＮｉ−Ａｕ）コートされ
た樹脂ボールなどを用いることができる。接着剤シート
６４には例えばエポキシ系樹脂を用いている。熱と荷重
を同時に作用させて電極６２と電極６５の間に導電粒子
が挟み込まれるように接続がとれる。この異方性導電膜
（ＡＣＦ）による実装では、導電粒子が３０μｍ間隔で
膜中に分散しており、電極間に１つでも挟まれれば接続
を確保することができるから、フリップチップ実装では
最も狭ピッチ接続が可能な有効な工法である。また、樹
脂の硬化時間も短く、工程数も少ないことから生産性に
優れている。しかし、以下に示す課題が生じていた。異
方性導電膜（ＡＣＦ）などの熱圧着実装は、従来液晶分
野では実績をあげてきたが、一般的にはまだ普及してい
るとは言えない。それはＡＣＦの中に含まれている導電
粒子や熱膨張係数を制御するために混入されているシリ
カフィラーが実装時に素子面に応力を及ぼし、素子にダ
メージを与えたり、Ａｌ配線が断線するなどの不良を発
生させていたからである。また、突起電極が回路基板の
入出力端子電極に導電性フィラーをかみながらも直接接
触しつつ樹脂が硬化するために、応力を緩和する要素が
存在せず素子特性を劣化させることになる。また、樹脂
基板の入出力端子電極上に実装する場合には、実装時に
入出力端子電極が変形し、基板内のビアが断裂する不良
が生じる場合などもあった。図１０には図９のような構
造で従来の異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて実装したと
きの結果を示している。半導体装置の突起電極はワイヤ
ボンディング法を用いて形成されたＡｕバンプ、基板は
セラミック基板とガラスエポキシ基板（ＦＲ４）、ＡＣ
Ｆには５μｍφのＮｉフィラーを含んだ厚み７０μｍの
ものを用いた。図１０（ａ）では実装後の１ピン当たり
の初期接続抵抗を示している。これには半導体装置の端
子電極、Ａｕバンプ、ＡＣＦの抵抗が含まれている。セ
ラミックの場合、実装荷重８０ｇ／ｂｕｍｐないと初期
の接続が得られなかった。ガラスエポキシ基板でも８０
ｇ／ｂｕｍｐかけないと抵抗値が安定しないことがわか
った。また図１０（ｂ）は各サンプルの温度に対する抵
抗値変化をみたものであるが、ガラスエポキシ基板（Ｆ
Ｒ４）の実装荷重４０、８０ｇ／ｂｕｍｐのものが安定
していることがわかった。しかし、図１０（ｃ）の熱衝
撃試験（液相−５５〜１２５℃）に投入した結果では、
実装荷重４０ｇ／ｂｕｍｐと８０ｇ／ｂｕｍｐにも差が
生じている。そして、８５℃８５％ＲＨに１６時間投入
後の２３０℃以上１０秒キ−プの吸湿リフロ−試験では
８０ｇ／ｂｕｍｐで実装したものでも接続不良が発生し
た。これは、接続性を樹脂の圧縮応力だけでもたせてい
るために、吸湿後の熱膨張に耐えられないからである。
さらに、図１０（ｄ）は各実装荷重における断面構造を
調べた写真であるが、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４）の
入出力端子電極の変形が実装荷重１５ｇ／ｂｕｍｐぐら
いから生じていることがわかる。セラミック基板では基
板に剛性があるため、実装荷重８０ｇ／ｂｕｍｐでも入
出力端子電極の変形は起きていないが、初期の接続が不
安定で、図１０（ｂ）の温度特性では接続不良を引き起
こしてしまうのである。
は無電解めっきで生成された例えばＡｕ、Ｎｉなどで構
成されたものも用いることができる。また、接合層には
半田や異方性導電膜（ACF: Anisotropic Conductive Fi
lm）や異方性導電ペーストなども用いることができる。
半田ペーストとして用いる場合や導電性接着剤（等方
的）を用いる場合には実装時はほとんど荷重を必要とし
ないが、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト
などを用いる場合は、接続の安定性や信頼性を確保する
ためには最大で２００ｇ／ピン程度の荷重を必要とする
こともある。特に図９（ａ）〜（ｂ）に異方性導電膜
（ＡＣＦ）を用いた場合の実装方法を示す。基板６１の
電極６２と基板６６の電極６５とが異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）６０を介して一体化され実装されている。異方性導
電膜（ＡＣＦ）６０の中に含まれている導電粒子６３は
例えばＮｉ粒子、Ａｕ（またはＮｉ−Ａｕ）コートされ
た樹脂ボールなどを用いることができる。接着剤シート
６４には例えばエポキシ系樹脂を用いている。熱と荷重
を同時に作用させて電極６２と電極６５の間に導電粒子
が挟み込まれるように接続がとれる。この異方性導電膜
（ＡＣＦ）による実装では、導電粒子が３０μｍ間隔で
膜中に分散しており、電極間に１つでも挟まれれば接続
を確保することができるから、フリップチップ実装では
最も狭ピッチ接続が可能な有効な工法である。また、樹
脂の硬化時間も短く、工程数も少ないことから生産性に
優れている。しかし、以下に示す課題が生じていた。異
方性導電膜（ＡＣＦ）などの熱圧着実装は、従来液晶分
野では実績をあげてきたが、一般的にはまだ普及してい
るとは言えない。それはＡＣＦの中に含まれている導電
粒子や熱膨張係数を制御するために混入されているシリ
カフィラーが実装時に素子面に応力を及ぼし、素子にダ
メージを与えたり、Ａｌ配線が断線するなどの不良を発
生させていたからである。また、突起電極が回路基板の
入出力端子電極に導電性フィラーをかみながらも直接接
触しつつ樹脂が硬化するために、応力を緩和する要素が
存在せず素子特性を劣化させることになる。また、樹脂
基板の入出力端子電極上に実装する場合には、実装時に
入出力端子電極が変形し、基板内のビアが断裂する不良
が生じる場合などもあった。図１０には図９のような構
造で従来の異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて実装したと
きの結果を示している。半導体装置の突起電極はワイヤ
ボンディング法を用いて形成されたＡｕバンプ、基板は
セラミック基板とガラスエポキシ基板（ＦＲ４）、ＡＣ
Ｆには５μｍφのＮｉフィラーを含んだ厚み７０μｍの
ものを用いた。図１０（ａ）では実装後の１ピン当たり
の初期接続抵抗を示している。これには半導体装置の端
子電極、Ａｕバンプ、ＡＣＦの抵抗が含まれている。セ
ラミックの場合、実装荷重８０ｇ／ｂｕｍｐないと初期
の接続が得られなかった。ガラスエポキシ基板でも８０
ｇ／ｂｕｍｐかけないと抵抗値が安定しないことがわか
った。また図１０（ｂ）は各サンプルの温度に対する抵
抗値変化をみたものであるが、ガラスエポキシ基板（Ｆ
Ｒ４）の実装荷重４０、８０ｇ／ｂｕｍｐのものが安定
していることがわかった。しかし、図１０（ｃ）の熱衝
撃試験（液相−５５〜１２５℃）に投入した結果では、
実装荷重４０ｇ／ｂｕｍｐと８０ｇ／ｂｕｍｐにも差が
生じている。そして、８５℃８５％ＲＨに１６時間投入
後の２３０℃以上１０秒キ−プの吸湿リフロ−試験では
８０ｇ／ｂｕｍｐで実装したものでも接続不良が発生し
た。これは、接続性を樹脂の圧縮応力だけでもたせてい
るために、吸湿後の熱膨張に耐えられないからである。
さらに、図１０（ｄ）は各実装荷重における断面構造を
調べた写真であるが、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４）の
入出力端子電極の変形が実装荷重１５ｇ／ｂｕｍｐぐら
いから生じていることがわかる。セラミック基板では基
板に剛性があるため、実装荷重８０ｇ／ｂｕｍｐでも入
出力端子電極の変形は起きていないが、初期の接続が不
安定で、図１０（ｂ）の温度特性では接続不良を引き起
こしてしまうのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の実装技術で、異
方性導電膜（ＡＣＦ）のような接続は狭ピッチ接続にも
対応し、なおかつタクトなど生産性に優れ、低コストで
非常に有用な実装技術だが、実装に高荷重が必要で、素
子や回路基板へのダメ−ジ考えると一部の特殊用途でし
か使用できていない。また、信頼性においては他の実装
技術よりも接続信頼性が懸念される傾向がある。
方性導電膜（ＡＣＦ）のような接続は狭ピッチ接続にも
対応し、なおかつタクトなど生産性に優れ、低コストで
非常に有用な実装技術だが、実装に高荷重が必要で、素
子や回路基板へのダメ−ジ考えると一部の特殊用途でし
か使用できていない。また、信頼性においては他の実装
技術よりも接続信頼性が懸念される傾向がある。
【０００７】しかし、現在、高性能な品質を確保するだ
けでなく、低コスト化のためにも生産タクト及び生産性
も向上させた実装の開発が必要になっている。このた
め、生産タクトや高生産性には熱圧着実装が有効と考え
られるが、前述のようにＡＣＦのような熱圧着実装はま
だ一般的ではなく、半導体装置や回路基板へのダメ−ジ
（特性劣化）や接続信頼性が懸念されている現状であ
る。
けでなく、低コスト化のためにも生産タクト及び生産性
も向上させた実装の開発が必要になっている。このた
め、生産タクトや高生産性には熱圧着実装が有効と考え
られるが、前述のようにＡＣＦのような熱圧着実装はま
だ一般的ではなく、半導体装置や回路基板へのダメ−ジ
（特性劣化）や接続信頼性が懸念されている現状であ
る。
【０００８】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、導電性接
着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジを与えず、高
生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着実装
が可能になり、狭ピッチ及びエリア配列の高性能な接続
が低コストで実現できる回路基板とリペア方法及び実装
構造体を提供することを目的とする。
め、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、導電性接
着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジを与えず、高
生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着実装
が可能になり、狭ピッチ及びエリア配列の高性能な接続
が低コストで実現できる回路基板とリペア方法及び実装
構造体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の回路基板は、入出力端子電極を有する回路
基板であって、前記回路基板の少なくとも入出力端子電
極上の接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フィ
ルムの接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設
けられ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されており、
かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムであるこ
とを特徴とする。
め、本発明の回路基板は、入出力端子電極を有する回路
基板であって、前記回路基板の少なくとも入出力端子電
極上の接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フィ
ルムの接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設
けられ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されており、
かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムであるこ
とを特徴とする。
【００１０】次に本発明の回路基板のリペア方法は、入
出力端子電極を有する回路基板の少なくとも入出力端子
電極上の接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フ
ィルムの接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が
設けられ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されてお
り、かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムであ
る回路基板に電子部品を搭載する際のリペア方法であっ
て、前記回路基板に電子部品を仮搭載し、前記仮搭載し
た後に接続特性を検査し、接続特性の良否を判断した後
に良品であれば、加熱加圧して前記電子部品を本搭載
し、不良品であれば、電子部品を除去し、新たな電子部
品と交換することを特徴とする。
出力端子電極を有する回路基板の少なくとも入出力端子
電極上の接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フ
ィルムの接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が
設けられ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されてお
り、かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムであ
る回路基板に電子部品を搭載する際のリペア方法であっ
て、前記回路基板に電子部品を仮搭載し、前記仮搭載し
た後に接続特性を検査し、接続特性の良否を判断した後
に良品であれば、加熱加圧して前記電子部品を本搭載
し、不良品であれば、電子部品を除去し、新たな電子部
品と交換することを特徴とする。
【００１１】次に本発明の実装構造体は、入出力端子電
極を有する回路基板に電子部品を搭載した実装構造体で
あって、前記回路基板の少なくとも入出力端子電極上の
接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フィルムの
接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設けら
れ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されており、かつ
前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムである回路基
板に電子部品を搭載した後の前記導電性接着剤及び前記
樹脂フィルムの厚みは、少なくとも電子部品の実装領域
においては搭載する前より小さくなっていることを特徴
とする。
極を有する回路基板に電子部品を搭載した実装構造体で
あって、前記回路基板の少なくとも入出力端子電極上の
接続部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フィルムの
接続部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設けら
れ、前記貫通孔に導電性接着剤が充填されており、かつ
前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムである回路基
板に電子部品を搭載した後の前記導電性接着剤及び前記
樹脂フィルムの厚みは、少なくとも電子部品の実装領域
においては搭載する前より小さくなっていることを特徴
とする。
【００１２】本発明によれば、導電性接着剤を回路基板
側に一定かつ安定量供給し、電子部品が熱圧着実装され
るための入出力端子電極を有する回路基板とそのリペア
ー方法及び実装構造体を提供できる。
側に一定かつ安定量供給し、電子部品が熱圧着実装され
るための入出力端子電極を有する回路基板とそのリペア
ー方法及び実装構造体を提供できる。
【００１３】これにより、基板の反りうねりに対し柔軟
に対応でき、導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線に
ダメ−ジを与えないので、高生産に適し、高信頼性も確
保された低荷重の熱圧着実装が可能になる。従って、狭
ピッチ及びエリア配列の高性能な接続が低コストで実現
される。
に対応でき、導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線に
ダメ−ジを与えないので、高生産に適し、高信頼性も確
保された低荷重の熱圧着実装が可能になる。従って、狭
ピッチ及びエリア配列の高性能な接続が低コストで実現
される。
【００１４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
第１の実施の形態にかかる回路基板の概略図である。回
路基板の入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接
続部位に相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着
剤が充填されている回路基板である。このとき樹脂フィ
ルムを多孔質にすることにより、特に貫通孔内側の導電
性接着剤と接触する部分においては導電性接着剤の樹脂
成分が孔に浸入していき、密着力が強まり接続信頼性が
向上する。もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填するこ
とにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、導
電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなどを
防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いること
で基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず低
荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これにより
高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着実
装が可能になる。
第１の実施の形態にかかる回路基板の概略図である。回
路基板の入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接
続部位に相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着
剤が充填されている回路基板である。このとき樹脂フィ
ルムを多孔質にすることにより、特に貫通孔内側の導電
性接着剤と接触する部分においては導電性接着剤の樹脂
成分が孔に浸入していき、密着力が強まり接続信頼性が
向上する。もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填するこ
とにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、導
電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなどを
防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いること
で基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず低
荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これにより
高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着実
装が可能になる。
【００１５】ここで多孔質とは空気を含んだ空孔を意味
し、独立孔であるが、樹脂フィルム成形時にいくつかの
独立孔が合わさりより大きな孔を形成することも可能で
ある。存在比率は樹脂フィルムの５０％以下であること
が望ましい。より好ましくは３〜４０％の範囲内にある
ことが望ましい。あまり比率が高すぎると樹脂フィルム
硬化時に空孔がそのまま残存してしまい、信頼性に弊害
が生じるからである。また、孔の大きさは平均２０μｍ
φ以下であることが望ましい。より好ましくは０．１〜
１０μｍφの範囲内にあることが望ましい。理由は存在
比率の場合と同様である。
し、独立孔であるが、樹脂フィルム成形時にいくつかの
独立孔が合わさりより大きな孔を形成することも可能で
ある。存在比率は樹脂フィルムの５０％以下であること
が望ましい。より好ましくは３〜４０％の範囲内にある
ことが望ましい。あまり比率が高すぎると樹脂フィルム
硬化時に空孔がそのまま残存してしまい、信頼性に弊害
が生じるからである。また、孔の大きさは平均２０μｍ
φ以下であることが望ましい。より好ましくは０．１〜
１０μｍφの範囲内にあることが望ましい。理由は存在
比率の場合と同様である。
【００１６】次に、多孔質フィルムの好ましい厚さは、
多孔質フィルムは半導体装置の突起電極（バンプ）の高
さをａ（μｍ）、回路基板の下地部分からの高さをｂ
（μｍ）とすると少なくとも多孔質フィルムの厚さ≧ａ
＋ｂ（μｍ）であることが望ましい。より好ましくは多
孔質フィルムの厚さ≧ａ＋ｂ＋５（μｍ）である。これ
を裏付ける実験結果を図１１および表１に示す。
多孔質フィルムは半導体装置の突起電極（バンプ）の高
さをａ（μｍ）、回路基板の下地部分からの高さをｂ
（μｍ）とすると少なくとも多孔質フィルムの厚さ≧ａ
＋ｂ（μｍ）であることが望ましい。より好ましくは多
孔質フィルムの厚さ≧ａ＋ｂ＋５（μｍ）である。これ
を裏付ける実験結果を図１１および表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】図１１および表１は、０．３ｍｍ厚で５ｍ
ｍ□の大きさ、ピン数１００ピンのＳｉテストチップ
を、０．６ｍｍ厚のガラスエポキシＦＲ４基板に各条件
で実装したときの結果を示す。このとき、樹脂フィルム
にはナガセケムテックス製品番Ｒ６００１で厚みが３０
μｍ及び５０μｍのもの、導電性接着剤には８５重量％
のＡｇフィラーを含んだものを用いた。回路基板の入出
力端子電極の高さは１５μｍである。突起電極は無電解
Ｎｉ−Ａｕのめっきバンプで高さは５、１５、３５μｍ
のものを用いた。めっきバンプの大きさはテストチップ
の開口部が１００μｍ□なので、高さ５、１５、３５μ
ｍのものはそれぞれ１１０、１３０、１７０μｍ□にな
る。樹脂フィルムに穴をあけ導電性接着剤を充填して実
装したときのチップ−基板間距離を３箇所測定した結果
を表１に示す。表１の結果からわかるように１ピン３．
５ｇのほとんど無荷重で実装した場合でも少なくとも数
μｍ程度（一番上の結果で４μｍ）収縮するため、信頼
性及び密着力を確保するためにはこの収縮量も考慮する
ことが重要になる。また、端的な例として、図１２に断
面写真の１例を示す。突起電極の高さ３５μｍ、回路基
板の入出力端子電極の高さ１５μｍに対し３０μｍの厚
みの樹脂フィルムで実装した場合である。突起電極の高
さと回路基板の入出力端子電極の高さの和は５０μｍで
あるから、樹脂フィルムの厚みより２０μｍ大きい。そ
こでチップ−基板間距離は最低でも５０μｍ程度になる
ことはあきらかで、樹脂フィルムの厚み（絶対量）が足
りないためにチップ−基板間に隙間が生じていることが
わかる。
ｍ□の大きさ、ピン数１００ピンのＳｉテストチップ
を、０．６ｍｍ厚のガラスエポキシＦＲ４基板に各条件
で実装したときの結果を示す。このとき、樹脂フィルム
にはナガセケムテックス製品番Ｒ６００１で厚みが３０
μｍ及び５０μｍのもの、導電性接着剤には８５重量％
のＡｇフィラーを含んだものを用いた。回路基板の入出
力端子電極の高さは１５μｍである。突起電極は無電解
Ｎｉ−Ａｕのめっきバンプで高さは５、１５、３５μｍ
のものを用いた。めっきバンプの大きさはテストチップ
の開口部が１００μｍ□なので、高さ５、１５、３５μ
ｍのものはそれぞれ１１０、１３０、１７０μｍ□にな
る。樹脂フィルムに穴をあけ導電性接着剤を充填して実
装したときのチップ−基板間距離を３箇所測定した結果
を表１に示す。表１の結果からわかるように１ピン３．
５ｇのほとんど無荷重で実装した場合でも少なくとも数
μｍ程度（一番上の結果で４μｍ）収縮するため、信頼
性及び密着力を確保するためにはこの収縮量も考慮する
ことが重要になる。また、端的な例として、図１２に断
面写真の１例を示す。突起電極の高さ３５μｍ、回路基
板の入出力端子電極の高さ１５μｍに対し３０μｍの厚
みの樹脂フィルムで実装した場合である。突起電極の高
さと回路基板の入出力端子電極の高さの和は５０μｍで
あるから、樹脂フィルムの厚みより２０μｍ大きい。そ
こでチップ−基板間距離は最低でも５０μｍ程度になる
ことはあきらかで、樹脂フィルムの厚み（絶対量）が足
りないためにチップ−基板間に隙間が生じていることが
わかる。
【００１９】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００２０】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉのうちの
少なくとも１つを用いることができる。また、封止樹脂
は樹脂膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を
主成分として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ
絶縁樹脂として用いることもできるし、導電性粒子、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｔｉなどの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂とし
て用いることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉのうちの
少なくとも１つを用いることができる。また、封止樹脂
は樹脂膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を
主成分として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ
絶縁樹脂として用いることもできるし、導電性粒子、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｔｉなどの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂とし
て用いることもできる。
【００２１】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき貫通孔は入出力端
子電極内部にまでおよび、導電性接着剤は入出力端子電
極内部にまでおよんだ貫通孔に充填されている。このと
き、電極内部の深さは１０μｍ以下であることが望まし
い。より好ましくは０．１〜５μｍ程度である。これは
通常回路基板の入出力端子電極は下地がＣｕでその上に
ＮｉやＰｄを数μｍから１０μｍ程度積み、さらにＡｕ
やＰｔなどの反応性に乏しい安定な元素を最大でも１μ
ｍ程度積む。このとき貫通孔がＣＵなどの酸化されやす
い金属まで到達すると、導電性接着剤硬化時に酸化され
接続性が劣化する原因となるので、ＮｉやＰｄの領域で
貫通孔をとめた方がよいとの理由からである。
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき貫通孔は入出力端
子電極内部にまでおよび、導電性接着剤は入出力端子電
極内部にまでおよんだ貫通孔に充填されている。このと
き、電極内部の深さは１０μｍ以下であることが望まし
い。より好ましくは０．１〜５μｍ程度である。これは
通常回路基板の入出力端子電極は下地がＣｕでその上に
ＮｉやＰｄを数μｍから１０μｍ程度積み、さらにＡｕ
やＰｔなどの反応性に乏しい安定な元素を最大でも１μ
ｍ程度積む。このとき貫通孔がＣＵなどの酸化されやす
い金属まで到達すると、導電性接着剤硬化時に酸化され
接続性が劣化する原因となるので、ＮｉやＰｄの領域で
貫通孔をとめた方がよいとの理由からである。
【００２２】こうすることにより、導電性接着剤は入出
力端子電極表面だけでなく、側面にも接触するので、接
触性が増すと同時にし、一種のくさびのようになり接続
信頼性も向上する。もちろん導電性接着剤を貫通孔に充
填することにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応
でき、導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−
ジなどを防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用
いることで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要
とせず低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。こ
れにより高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の
熱圧着実装が可能になる。
力端子電極表面だけでなく、側面にも接触するので、接
触性が増すと同時にし、一種のくさびのようになり接続
信頼性も向上する。もちろん導電性接着剤を貫通孔に充
填することにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応
でき、導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−
ジなどを防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用
いることで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要
とせず低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。こ
れにより高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の
熱圧着実装が可能になる。
【００２３】なお貫通孔はレ−ザ−により形成すること
が可能である。また、出力を調整することにより回路基
板の入出力端子電極内部にまで及ぶ貫通孔を形成するこ
とができる。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着させ
るときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基板に
接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができる。樹
脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣＦ）に
用いられているとの同じような樹脂を用いることができ
るが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００１で１
週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を用いる
こともできる。また、穴をあける工程と樹脂膜（フィル
ム）を回路基板に接着させる工程は別々に行えるので生
産タクトが向上でき生産性に優れる。
が可能である。また、出力を調整することにより回路基
板の入出力端子電極内部にまで及ぶ貫通孔を形成するこ
とができる。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着させ
るときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基板に
接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができる。樹
脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣＦ）に
用いられているとの同じような樹脂を用いることができ
るが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００１で１
週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を用いる
こともできる。また、穴をあける工程と樹脂膜（フィル
ム）を回路基板に接着させる工程は別々に行えるので生
産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００２４】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００２５】（実施の形態３）図３は本発明の第３の実
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき導電性接着剤の導
電性フィラ−の全体積の少なくとも５０％以上は大きさ
が均一なフィラ−で構成することにより、貫通孔に充填
される導電性接着剤の充填性が良好になるので、実装時
により低荷重で導電性フィラ−の良好な接触状態を得る
ことでき、接続信頼性が向上する。
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき導電性接着剤の導
電性フィラ−の全体積の少なくとも５０％以上は大きさ
が均一なフィラ−で構成することにより、貫通孔に充填
される導電性接着剤の充填性が良好になるので、実装時
により低荷重で導電性フィラ−の良好な接触状態を得る
ことでき、接続信頼性が向上する。
【００２６】ここで、導電性フィラーの粒子直径は０．
１〜１３μｍφのものが望ましい。これを裏付ける実験
結果を図１３に示す。図１３は回路基板上にナガセケム
テックス製品番Ｒ６００１で厚みが３０及び５０μｍの
ものを接着し、その上に９μｍ厚のポリエチレン−２，
６−ナフタレート（ＰＥＮ）のカバーフィルムがついた
ものである（全体の厚みは３９μｍ及び５９μｍになっ
ている）。これにＹＡＧレーザーにて５０μｍφの穴を
あけ各導電性接着剤を充填し、その埋め込み性をＳＥＭ
による断面観察したものである。導電性フィラーはいず
れもＡｇである。導電性接着剤１は平均粒径８μｍ程度
で最大粒径５０μｍ程度のものも含まれている導電性接
着剤である。導電性接着剤２及び３は平均粒径１〜２μ
ｍ程度の粒状のフィラーで最大１３μｍφ程度のものが
含まれている導電性接着剤である。導電性接着剤４は粒
径５μｍφ程度の粒のそろった単一分散の粒度分布をも
った導電性接着剤である。これからあきらかなように導
電性接着剤１のように粗いフィラーだと断面から観察さ
れるフィラーの充填性がよくなく、導電性接着剤２〜４
におけるより細かいフィラーになると充填性及び充填密
度も非常に良好になることがわかる。
１〜１３μｍφのものが望ましい。これを裏付ける実験
結果を図１３に示す。図１３は回路基板上にナガセケム
テックス製品番Ｒ６００１で厚みが３０及び５０μｍの
ものを接着し、その上に９μｍ厚のポリエチレン−２，
６−ナフタレート（ＰＥＮ）のカバーフィルムがついた
ものである（全体の厚みは３９μｍ及び５９μｍになっ
ている）。これにＹＡＧレーザーにて５０μｍφの穴を
あけ各導電性接着剤を充填し、その埋め込み性をＳＥＭ
による断面観察したものである。導電性フィラーはいず
れもＡｇである。導電性接着剤１は平均粒径８μｍ程度
で最大粒径５０μｍ程度のものも含まれている導電性接
着剤である。導電性接着剤２及び３は平均粒径１〜２μ
ｍ程度の粒状のフィラーで最大１３μｍφ程度のものが
含まれている導電性接着剤である。導電性接着剤４は粒
径５μｍφ程度の粒のそろった単一分散の粒度分布をも
った導電性接着剤である。これからあきらかなように導
電性接着剤１のように粗いフィラーだと断面から観察さ
れるフィラーの充填性がよくなく、導電性接着剤２〜４
におけるより細かいフィラーになると充填性及び充填密
度も非常に良好になることがわかる。
【００２７】もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填する
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
【００２８】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００２９】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００３０】（実施の形態４）図４は本発明の第４の実
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき前記導電性接着剤
の導電性フィラ−の全体積の少なくとも２０％以上７０
％以下の程度が、フィラー形状が粒状のものであること
が好ましい。これにより、フィラ−形状を粒状にするこ
とにより貫通孔に充填される導電性接着剤の充填性が良
好になるので、実装時により低荷重で導電性フィラ−の
良好な接触状態を得ることでき、接続信頼性が向上す
る。逆に鱗片状ではバルク状でのフィラ−の接触性はよ
いが、充填性が悪くなるので、埋め込んだ後の接続性が
懸念される。
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき前記導電性接着剤
の導電性フィラ−の全体積の少なくとも２０％以上７０
％以下の程度が、フィラー形状が粒状のものであること
が好ましい。これにより、フィラ−形状を粒状にするこ
とにより貫通孔に充填される導電性接着剤の充填性が良
好になるので、実装時により低荷重で導電性フィラ−の
良好な接触状態を得ることでき、接続信頼性が向上す
る。逆に鱗片状ではバルク状でのフィラ−の接触性はよ
いが、充填性が悪くなるので、埋め込んだ後の接続性が
懸念される。
【００３１】もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填する
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
【００３２】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００３３】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００３４】（実施の形態５）図５は本発明の第５の実
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき、導電性接着剤中
の導電性フィラ−の体積含有率が前記樹脂フィルム中の
フィラ−の体積含有率よりも大きくする。このとき大き
くする程度は、体積含有率の比較で差が５％〜６０％程
度の範囲にあることが望ましい。例えば導電性接着剤の
フィラーの体積含有率が５５％であるとすると、樹脂フ
ィルム中のフィラーの含有率が５０％で差が５％という
ような具合である。これにより、実装時に樹脂フィルム
が溶融・固化するときに樹脂フィルムと同時に導電性接
着剤も一緒に縮むが、導電性フィラ−の体積が樹脂フィ
ルムに含まれているフィラ−の体積より大きいので、導
電性接着剤の導電性フィラ−の接触（充填密度）が飽和
するため、導電性接着剤に律速されて縮み量が決定され
る。従って低荷重で導電性フィラ−の最良の接触状態を
得ることでき、接続信頼性が向上する。
施の形態にかかる回路基板の概略図である。回路基板の
入出力端子電極上に樹脂フィルムが存在し、接続部位に
相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤が充填
されている回路基板である。このとき、導電性接着剤中
の導電性フィラ−の体積含有率が前記樹脂フィルム中の
フィラ−の体積含有率よりも大きくする。このとき大き
くする程度は、体積含有率の比較で差が５％〜６０％程
度の範囲にあることが望ましい。例えば導電性接着剤の
フィラーの体積含有率が５５％であるとすると、樹脂フ
ィルム中のフィラーの含有率が５０％で差が５％という
ような具合である。これにより、実装時に樹脂フィルム
が溶融・固化するときに樹脂フィルムと同時に導電性接
着剤も一緒に縮むが、導電性フィラ−の体積が樹脂フィ
ルムに含まれているフィラ−の体積より大きいので、導
電性接着剤の導電性フィラ−の接触（充填密度）が飽和
するため、導電性接着剤に律速されて縮み量が決定され
る。従って低荷重で導電性フィラ−の最良の接触状態を
得ることでき、接続信頼性が向上する。
【００３５】もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填する
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
【００３６】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００３７】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００３８】（実施の形態６）図６（ａ）〜（ｇ）は本
発明の第６の実施の形態にかかる回路基板に電子部品を
搭載するときのリペア方法を示す概略図である。回路基
板５の入出力端子電極４上に樹脂フィルム１が存在し
（図６（ａ））、接続部位に相当する位置に貫通孔１０
が設けられ（図６（ｂ））、導電性接着剤３がスキージ
ー１１により充填される（図６（ｃ）−（ｄ））。その
後、端子電極１３と突起電極１４を有する電子部品１２
が仮搭載される（図６（ｅ））。これは、１ｇ／ピン程
度の荷重で仮搭載すれば充分である。好ましくは搭載さ
れる界面部分が８０℃程度に暖められていると樹脂フィ
ルムに粘着性がでてより確実に仮搭載される。そして、
そこでプロ−ブ針１５を入出力端子電極４に当て検査す
る（図６（ｆ））。その後、良品であれば、加熱・加圧
ヘッド１６により加熱・加圧して本搭載し、不良品であ
れば、電子部品を除去し、新たな電子部品を同じように
搭載して、検査、本搭載する。導電性接着剤はヒ−トシ
−ル性の樹脂を用いるとリペアにより効果的である。こ
のときの条件は、前記表１にも示した通り、５ｍｍ□で
１００ピンのチップに対し３．５ｇ／ピン程度の実装荷
重で十分信頼性がある接続性が得られる。また加熱条件
に関しては、１８０℃〜２３０℃で３〜２０ｓｅｃ程度
の熱が導電性接着剤と樹脂フィルムに加えられればよ
い。実装荷重１ピン当たり３．５ｇの低荷重で１８０
℃、２０ｓｅｃ（昇温１０秒、その後１０秒保持）の熱
量が加えられたときの信頼性結果の１例として、温度サ
イクル試験（−４０〜８５℃）に投入した結果を図１４
に示す（４サンプル）。結果は非常に良好であった。
発明の第６の実施の形態にかかる回路基板に電子部品を
搭載するときのリペア方法を示す概略図である。回路基
板５の入出力端子電極４上に樹脂フィルム１が存在し
（図６（ａ））、接続部位に相当する位置に貫通孔１０
が設けられ（図６（ｂ））、導電性接着剤３がスキージ
ー１１により充填される（図６（ｃ）−（ｄ））。その
後、端子電極１３と突起電極１４を有する電子部品１２
が仮搭載される（図６（ｅ））。これは、１ｇ／ピン程
度の荷重で仮搭載すれば充分である。好ましくは搭載さ
れる界面部分が８０℃程度に暖められていると樹脂フィ
ルムに粘着性がでてより確実に仮搭載される。そして、
そこでプロ−ブ針１５を入出力端子電極４に当て検査す
る（図６（ｆ））。その後、良品であれば、加熱・加圧
ヘッド１６により加熱・加圧して本搭載し、不良品であ
れば、電子部品を除去し、新たな電子部品を同じように
搭載して、検査、本搭載する。導電性接着剤はヒ−トシ
−ル性の樹脂を用いるとリペアにより効果的である。こ
のときの条件は、前記表１にも示した通り、５ｍｍ□で
１００ピンのチップに対し３．５ｇ／ピン程度の実装荷
重で十分信頼性がある接続性が得られる。また加熱条件
に関しては、１８０℃〜２３０℃で３〜２０ｓｅｃ程度
の熱が導電性接着剤と樹脂フィルムに加えられればよ
い。実装荷重１ピン当たり３．５ｇの低荷重で１８０
℃、２０ｓｅｃ（昇温１０秒、その後１０秒保持）の熱
量が加えられたときの信頼性結果の１例として、温度サ
イクル試験（−４０〜８５℃）に投入した結果を図１４
に示す（４サンプル）。結果は非常に良好であった。
【００３９】もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填する
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し、素子や配線にダメ−ジな
どを防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いる
ことで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせ
ず低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これに
より高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧
着実装が可能になる。
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し、素子や配線にダメ−ジな
どを防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いる
ことで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせ
ず低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これに
より高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧
着実装が可能になる。
【００４０】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００４１】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００４２】（実施の形態７）図７（ａ）〜（ｂ）は本
発明の第７の実施の形態にかかる回路基板に電子部品を
搭載した実装構造を示す概略図である。回路基板５の入
出力端子電極４上に樹脂フィルム１が存在し、接続部位
に相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤３が
充填される。その後、電子部品１２が搭載される。ここ
で、電子部品を搭載後の導電性接着剤３及び樹脂フィル
ム１の厚みは、少なくとも電子部品の実装領域において
は搭載する前より小さくなっている。このような状態の
構造にすることで、導電性接着剤の導電性フィラ−の最
良の接触状態を得ることでき、接続信頼性が向上する。
ここで、前記表１の特に突起電極（バンプ）の高さが５
μｍのときの結果からわかるように、最も実装荷重が低
荷重の場合（３．５ｇ／ピン）であっても４μｍ程度の
収縮はあることから、少なくとも接続信頼性を確保する
ためには４μｍ以上薄くなる必要がある。
発明の第７の実施の形態にかかる回路基板に電子部品を
搭載した実装構造を示す概略図である。回路基板５の入
出力端子電極４上に樹脂フィルム１が存在し、接続部位
に相当する位置に貫通孔が設けられ、導電性接着剤３が
充填される。その後、電子部品１２が搭載される。ここ
で、電子部品を搭載後の導電性接着剤３及び樹脂フィル
ム１の厚みは、少なくとも電子部品の実装領域において
は搭載する前より小さくなっている。このような状態の
構造にすることで、導電性接着剤の導電性フィラ−の最
良の接触状態を得ることでき、接続信頼性が向上する。
ここで、前記表１の特に突起電極（バンプ）の高さが５
μｍのときの結果からわかるように、最も実装荷重が低
荷重の場合（３．５ｇ／ピン）であっても４μｍ程度の
収縮はあることから、少なくとも接続信頼性を確保する
ためには４μｍ以上薄くなる必要がある。
【００４３】これは下記表２に示す条件の少なくとも１
つを満たすことで実現することができる。
つを満たすことで実現することができる。
【００４４】
【表２】
【００４５】表２において、条件（ａ）は樹脂フィルム
の反応開始温度から反応終了温度までにおいて導電性接
着剤の弾性率が樹脂フィルムの弾性率と等しいか小さい
領域が存在する。これは樹脂フィルムが反応して溶融・
固化するまでに樹脂フィルムが実装荷重に応じて縮む
が、そのとき導電性接着剤の弾性率が樹脂フィルムより
等しいか小さい領域が存在することで導電性接着剤も樹
脂フィルムと一緒に縮むことができることを意味する。
そして導電性接着剤の導電性フィラ−の接触性が良好に
なり接続信頼性が向上する。また、樹脂フィルムも圧縮
され補強材としての信頼性が向上する。条件（ｂ）は導
電性接着剤に熱硬化性樹脂を用いた場合は半硬化状態
で、あるいは熱可塑性樹脂を用いることで弾性率の小さ
い状態が始めから保たれており、条件（ａ）におけるの
と同じ効果が得られる。条件（ｃ）においては、導電性
接着剤を樹脂フィルムより遅硬化のものにするというこ
とである。これも硬化を遅らせることにより、樹脂フィ
ルムが硬化するときに導電性接着剤がペ−ストもしくは
半硬化状態を保つことができ、条件（ａ）、（ｂ）にお
けるのと同じ効果をうむことができる。条件（ｄ）は導
電性接着剤のガラス転移温度が１７０℃以下の熱硬化性
樹脂で樹脂フィルムの硬化保持温度が１７０℃以上であ
るいうものである。この条件にすることで、導電性接着
剤が硬化したとしても樹脂フィルムの硬化温度が導電性
接着剤のガラス転移温度以上であるため、弾性率が極端
に小さく柔らかくなるので、条件（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）と同じような効果が得られる。条件（ｄ）は導電
性接着剤と樹脂フィルムのガラス転移温度が両方とも１
８０℃以下で、ガラス転移温度以下の樹脂フィルムの弾
性率が５ＧＰａ以下、同じくガラス転移温度以下の導電
性接着剤の弾性率が４ＧＰａ以下でかつ同温度で導電性
接着剤の弾性率が樹脂フィルムの弾性率を越えることは
ないというものである。これにより両者の材料の弾性率
が低いので熱応力に対し応力緩和に優れること、フィラ
−充填量の多い導電性接着剤の弾性率の方を樹脂フィル
ムより低くすることで、導電性接着剤の応力緩和作用を
さらに高めることで、熱歪みに対する機械的なバルク破
壊をふせぎ、導電性フィラ−の接触が損なわれることを
防止することができる。これにより接続信頼性がさらに
向上する。また、図８に示すように導電性接着剤と樹脂
フィルムの硬化を、昇温工程と温度保持工程を有するよ
うにすることで、樹脂フィルムの反応が緩やかになり、
樹脂フィルムを回路基板に貼り付けるときにかんだ空気
をボイドとして実装領域外に排出することができ、より
接続信頼性が向上する。もし、この工程を有しないと樹
脂フィルムの反応・硬化が急激なためボイドは実装領域
内に閉じこめられ、信頼性低下の原因となる。
の反応開始温度から反応終了温度までにおいて導電性接
着剤の弾性率が樹脂フィルムの弾性率と等しいか小さい
領域が存在する。これは樹脂フィルムが反応して溶融・
固化するまでに樹脂フィルムが実装荷重に応じて縮む
が、そのとき導電性接着剤の弾性率が樹脂フィルムより
等しいか小さい領域が存在することで導電性接着剤も樹
脂フィルムと一緒に縮むことができることを意味する。
そして導電性接着剤の導電性フィラ−の接触性が良好に
なり接続信頼性が向上する。また、樹脂フィルムも圧縮
され補強材としての信頼性が向上する。条件（ｂ）は導
電性接着剤に熱硬化性樹脂を用いた場合は半硬化状態
で、あるいは熱可塑性樹脂を用いることで弾性率の小さ
い状態が始めから保たれており、条件（ａ）におけるの
と同じ効果が得られる。条件（ｃ）においては、導電性
接着剤を樹脂フィルムより遅硬化のものにするというこ
とである。これも硬化を遅らせることにより、樹脂フィ
ルムが硬化するときに導電性接着剤がペ−ストもしくは
半硬化状態を保つことができ、条件（ａ）、（ｂ）にお
けるのと同じ効果をうむことができる。条件（ｄ）は導
電性接着剤のガラス転移温度が１７０℃以下の熱硬化性
樹脂で樹脂フィルムの硬化保持温度が１７０℃以上であ
るいうものである。この条件にすることで、導電性接着
剤が硬化したとしても樹脂フィルムの硬化温度が導電性
接着剤のガラス転移温度以上であるため、弾性率が極端
に小さく柔らかくなるので、条件（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）と同じような効果が得られる。条件（ｄ）は導電
性接着剤と樹脂フィルムのガラス転移温度が両方とも１
８０℃以下で、ガラス転移温度以下の樹脂フィルムの弾
性率が５ＧＰａ以下、同じくガラス転移温度以下の導電
性接着剤の弾性率が４ＧＰａ以下でかつ同温度で導電性
接着剤の弾性率が樹脂フィルムの弾性率を越えることは
ないというものである。これにより両者の材料の弾性率
が低いので熱応力に対し応力緩和に優れること、フィラ
−充填量の多い導電性接着剤の弾性率の方を樹脂フィル
ムより低くすることで、導電性接着剤の応力緩和作用を
さらに高めることで、熱歪みに対する機械的なバルク破
壊をふせぎ、導電性フィラ−の接触が損なわれることを
防止することができる。これにより接続信頼性がさらに
向上する。また、図８に示すように導電性接着剤と樹脂
フィルムの硬化を、昇温工程と温度保持工程を有するよ
うにすることで、樹脂フィルムの反応が緩やかになり、
樹脂フィルムを回路基板に貼り付けるときにかんだ空気
をボイドとして実装領域外に排出することができ、より
接続信頼性が向上する。もし、この工程を有しないと樹
脂フィルムの反応・硬化が急激なためボイドは実装領域
内に閉じこめられ、信頼性低下の原因となる。
【００４６】もちろん導電性接着剤を貫通孔に充填する
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
ことにより、基板の反りうねりに対し柔軟に対応でき、
導電性接着剤が応力を緩和し素子や配線にダメ−ジなど
を防ぐことができる。さらに、導電性接着剤を用いるこ
とで基板の電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず
低荷重実装が可能になり、接続信頼性も高い。これによ
り高生産に適し、高信頼性も確保された低荷重の熱圧着
実装が可能になる。
【００４７】なお、貫通孔はレ−ザ−により形成するこ
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
とが可能である。樹脂膜（フィルム）を回路基板に接着
させるときは８０℃で１秒もあれば粘着性がでて回路基
板に接着させ、なおかつ半硬化状態を保つことができ
る。樹脂膜（フィルム）には通常の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）に用いられているとの同じような樹脂を用いること
ができるが、ナガセケムテックス（株）製品番Ｒ６００
１で１週間程度は常温保存可能な樹脂膜（フィルム）を
用いることもできる。また、穴をあける工程と樹脂膜
（フィルム）を回路基板に接着させる工程は別々に行え
るので生産タクトが向上でき生産性に優れる。
【００４８】導電性接着剤はエポキシ系樹脂を主成分と
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
した構成となり、導電性フィラーには、例えばＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉの少なく
とも１つを用いることができる。また、封止樹脂は樹脂
膜（フィルム）を用い、一般のエポキシ系樹脂を主成分
として含むが、そして、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶縁樹
脂として用いることもできるし、導電性粒子、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉな
どの少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂として用い
ることもできる。
【００４９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
により、導電性接着剤を回路基板側に一定かつ安定量供
給し、電子部品が低荷重で熱圧着実装されるための入出
力端子電極を有する高信頼性、高生産性に優れた回路基
板が実現できる。
により、導電性接着剤を回路基板側に一定かつ安定量供
給し、電子部品が低荷重で熱圧着実装されるための入出
力端子電極を有する高信頼性、高生産性に優れた回路基
板が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である回路基板の概
略断面図
略断面図
【図２】本発明の第２の実施の形態である回路基板の概
略断面図
略断面図
【図３】本発明の第３の実施の形態である回路基板の概
略断面図
略断面図
【図４】本発明の第４の実施の形態である回路基板の概
略断面図
略断面図
【図５】本発明の第５の実施の形態である回路基板の概
略断面図
略断面図
【図６】（ａ）〜（ｇ）は本発明の第６の実施の形態で
ある回路基板に電子部品を搭載するときのリペア方法を
示す概略工程断面図
ある回路基板に電子部品を搭載するときのリペア方法を
示す概略工程断面図
【図７】（ａ）〜（ｂ）は本発明の第７の実施の形態で
ある実装構造の概略工程断面図
ある実装構造の概略工程断面図
【図８】本発明の第７の実施の形態における加熱温度工
程説明図
程説明図
【図９】（ａ）〜（ｂ）は従来の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）を用いた実装方法を示す概略工程断面図
Ｆ）を用いた実装方法を示す概略工程断面図
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来の異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）を用いて実装した場合の結果、及び（ｄ）は接続部
断面写真
Ｆ）を用いて実装した場合の結果、及び（ｄ）は接続部
断面写真
【図１１】本発明の第１の実施の形態における実験の方
法を示す断面図
法を示す断面図
【図１２】本発明の第１の実施の形態における実験の結
果を示す断面図
果を示す断面図
【図１３】本発明の第３の実施の形態における実験の結
果を示す観察図
果を示す観察図
【図１４】本発明の第６の実施の形態における実験の結
果を示すグラフ
果を示すグラフ
１ 樹脂フィルム（樹脂膜）
２ 孔
３ 導電性接着剤
４ 入出力端子電極
５ 回路基板
６ 導電性フィラ−
７ 樹脂
８ 樹脂フィルム中のフィラ−
９ 剥離シ−ト
１０ 穴（レ−ザ−による）
１１ スキ−ジ
１２ 電子部品
１３ 端子電極
１４ 突起電極
１５ プロ−ブ針
１６ 加圧・加熱ヘッド
６１ 基板１
６２ 電極１
６３ 導電粒子
６４ 接着剤
６５ 電極２
６６ 基板２
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 板垣 峰広
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 戸村 善広
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 西山 東作
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 留河 悟
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 CC02 CC03
CC12 CD04 CD11 CD13 CD51
CD57 GG20
5E336 AA04 AA16 CC31 CC55 DD12
DD13 EE08 GG14 GG16
5F044 KK03 KK18 KK19 LL07 RR00
Claims (18)
- 【請求項１】入出力端子電極を有する回路基板であっ
て、前記回路基板の少なくとも入出力端子電極上の接続
部位に樹脂フィルムが存在し、前記樹脂フィルムの接続
部位に相当する厚さ方向の位置に貫通孔が設けられ、前
記貫通孔に導電性接着剤が充填されており、かつ前記樹
脂フィルムが多孔質の樹脂フィルムであることを特徴と
する回路基板。 - 【請求項２】前記貫通孔は前記入出力端子電極内部にま
であけられ、前記導電性接着剤は前記入出力端子電極内
部にまであけられた貫通孔に充填されている請求項１に
記載の回路基板。 - 【請求項３】前記導電性接着剤には導電性フィラーが配
合されており、前記導電性接着剤の導電性フィラーの全
体積の５０体積％以上は大きさが実質的に均一なフィラ
ーで構成されている請求項１に記載の回路基板。 - 【請求項４】前記導電性接着剤の導電性フィラーの全体
積の２０体積％以上はフィラー形状が粒状である請求項
１に記載の回路基板。 - 【請求項５】前記導電性接着剤には導電性フィラーが配
合され、前記樹脂フィルム中にもフィラーが配合されて
おり、前記導電性接着剤中の導電性フィラーの体積含有
率は前記樹脂フィルム中のフィラーの体積含有率よりも
大きい請求項１に記載の回路基板。 - 【請求項６】入出力端子電極を有する回路基板の少なく
とも入出力端子電極上の接続部位に樹脂フィルムが存在
し、前記樹脂フィルムの接続部位に相当する厚さ方向の
位置に貫通孔が設けられ、前記貫通孔に導電性接着剤が
充填されており、かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹脂
フィルムである回路基板に電子部品を搭載する際のリペ
ア方法であって、 前記回路基板に電子部品を仮搭載し、 前記仮搭載した後に接続特性を検査し、接続特性の良否
を判断した後に良品であれば、加熱加圧して前記電子部
品を本搭載し、不良品であれば、電子部品を除去し、新
たな電子部品と交換することを特徴とするリペア方法。 - 【請求項７】前記回路基板の導電性接着剤はヒ−トシ−
ル性の導電性接着剤である請求項６に記載のリペア方
法。 - 【請求項８】入出力端子電極を有する回路基板に電子部
品を搭載した実装構造体であって、前記回路基板の少な
くとも入出力端子電極上の接続部位に樹脂フィルムが存
在し、前記樹脂フィルムの接続部位に相当する厚さ方向
の位置に貫通孔が設けられ、前記貫通孔に導電性接着剤
が充填されており、かつ前記樹脂フィルムが多孔質の樹
脂フィルムである回路基板に電子部品を搭載した後の前
記導電性接着剤及び前記樹脂フィルムの厚みは、少なく
とも電子部品の実装領域においては搭載する前より小さ
くなっていることを特徴とする実装構造体。 - 【請求項９】電子部品搭載時の導電性接着剤と樹脂フィ
ルムは硬化されて一体化されている請求項８に記載の実
装構造体。 - 【請求項１０】前記樹脂フィルムの反応開始温度から反
応終了温度までにおいて、前記導電性接着剤の弾性率が
前記樹脂フィルムの弾性率と等しいかまたは小さくなる
ような状態が存在する請求項８に記載の実装構造体。 - 【請求項１１】前記導電性接着剤が熱硬化性樹脂で半硬
化状態または熱可塑性樹脂である請求項８に記載の実装
構造体。 - 【請求項１２】前記導電性接着剤が前記樹脂フィルムよ
り遅れて硬化する材料である請求項８に記載の実装構造
体。 - 【請求項１３】前記導電性接着剤のガラス転移温度が１
７０℃以下の熱硬化性樹脂で前記樹脂フィルムの硬化保
持温度が１７０℃以上である請求項８に記載の実装構造
体。 - 【請求項１４】前記導電性接着剤と前記樹脂フィルムの
ガラス転移温度が両方とも１８０℃以下で、ガラス転移
温度以下の樹脂フィルムの弾性率が５ＧＰａ以下、同じ
くガラス転移温度以下の導電性接着剤の弾性率が４ＧＰ
ａ以下であり、かつ同温度で導電性接着剤の弾性率が樹
脂フィルムの弾性率を越えることはない請求項８に記載
の実装構造体。 - 【請求項１５】導電性接着剤の導電性フィラーはＡｇ、
Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ及びＴｉから
選ばれる少なくとも１つを含む請求項８に記載の実装構
造体。 - 【請求項１６】樹脂フィルムはエポキシ系樹脂を主成分
として含み、無機物の粒子を含む請求項８に記載の実装
構造体。 - 【請求項１７】樹脂フィルムはエポキシ系樹脂を主成分
として含み、導電性フィラーとしてＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、
Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ及びＦｅから選ばれる少なくとも
１つを含む請求項８に記載の実装構造体。 - 【請求項１８】前記電子部品の突起電極はＡｕ、Ｓｎ、
Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、Ｐ
ｔ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒの少なくとも１つを含む
請求項８に記載の実装構造体。
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|---|---|---|---|
| JP2001339853A JP3704497B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | 回路基板とリペア方法及び実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001339853A JP3704497B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | 回路基板とリペア方法及び実装構造体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142528A true JP2003142528A (ja) | 2003-05-16 |
| JP3704497B2 JP3704497B2 (ja) | 2005-10-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001339853A Expired - Fee Related JP3704497B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | 回路基板とリペア方法及び実装構造体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208027A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 立体回路基板およびその製造方法 |
| US7459340B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-12-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8134081B2 (en) | 2006-01-13 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Three-dimensional circuit board and its manufacturing method |
-
2001
- 2001-11-05 JP JP2001339853A patent/JP3704497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8134081B2 (en) | 2006-01-13 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Three-dimensional circuit board and its manufacturing method |
| US8809693B2 (en) | 2006-01-13 | 2014-08-19 | Panasonic Corporation | Three-dimensional circuit board |
| JP2007208027A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 立体回路基板およびその製造方法 |
| JP4613846B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 立体回路基板およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP3704497B2 (ja) | 2005-10-12 |
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