TW478078B

TW478078B - Method and apparatus for mounting electronic component

Info

Publication number: TW478078B
Application number: TW089101475A
Authority: TW
Inventors: Kazuto Nishida; Hidenobu Nishikawa; Yoshinori Wada; Hiroyuki Otani
Original assignee: Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 2000-01-28
Publication date: 2002-03-01
Also published as: US8007627B2; US6926796B1; US20070013067A1; EP1156520A1; KR100502222B1; CN1339174A; US20050155706A1; US20050224974A1; US7683482B2; KR20010092458A; CN1201383C; WO2000045430A1; EP1156520A4

Description

技術領域 ”發月係有關於將如1C晶片及表面彈性波（8肩）裝置等電子零件以單體（IC晶片時為裸露IC)狀態予以實裝於電子電路用印刷電路基板(在本說明書雖以代表例稱謂「基」唯本基板」乃有裝設插入物或電子零件之其他另件等裝设體之意）之對於電路基板之電子零件安裝方法及其裝置，以及藉該裝置及上述安裝方法將上述電子零件實裝於上述基板之電子零件單元。技術背景今日，電子電路基板已被使用於所有產品，且由於功能曰愈提昇，使用於電路基板上之頻率亦增高，致促使阻抗減低之倒裝晶片安裝已成為適於使用高頻率電子機器之安裝方法。又由於攜帶機器之增加，乃被要求將IC晶片非以包裝而是以裸露原樣予以裝載之倒裝晶片安裝。因此將單體原樣裝載於電路基板時之1C晶片或安裝於電子機器及平板顯示器之1C晶片乃混有一定數目之不良品❶且除上述倒裝晶片之外亦有 CSP (Chip Size Package)，BGA (Ball Grid Array)等漸被使用。習知之將IC晶片接合於電子機器電路基板之方法（習知例1)係有由特公平06-66355號公報等予以揭露者。將此顯示於第15圖。一般乃如有如第15圖所示，將形成有凸起 73之1C晶片71經轉印銀漿74連接於電路基板76之電極75並使銀漿74硬化後，再將封止材料78注入於1C晶片71與電路基板76間之方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 478078

A7 ___B7 __ 五、發明說明（2 ) 又，將1C晶片接合於液晶顯示器之方法（習知例2)則一般知有如第16圖之特公昭62-6652號公報所示使用各自異性導電薄膜80，將絕緣性樹脂83中添加導電性微片82所成各向異性導電黏接劑層81自隔離物85予以剝離並塗敷於基板或液晶顯示器84之玻璃，復藉熱壓1C晶片86，而在金凸起87底下以外之1C晶片86下面與基板84間介裝上述各向異性導電黏接劑層81之半導電晶片連接構造。以習知例3亦知有將UV硬化樹脂塗敷於基板，再於其上裝設1C晶片予以加壓，且藉UV照射俾使兩者間之樹脂硬化，並由其收縮力以維持兩者間接觸之方法。如是，欲接合1C晶片時，係將扁平包裝之1C晶片焊接於導線框上，使1C晶片之電極與導線框引線接合，並經植f 脂成型予以構成包裝後，將焊糊印刷於電路基板，藉實施在其上裝載扁平包裝1C之反流工程，而進行上述接合。此等所謂SMT (Surface Mount Technology)工程方式則由於包裝1C之工程時間較長，1C另件之生產需費時間，且欲小型化電路基板頗為困難。例如1C晶片以扁平型封裝予以密封時’由於需要1C晶片之約4〜10倍左右面積，以致呈妨礙小型化之主因。針對之，為縮短工程及小型輕量化，最近則開始採用將1C晶片以裸露狀態直接予以裝載於基板之倒裝晶片工程方式。該倒裝晶片工程方式乃被開發有進行IC晶片之凸起形成，凸起水平整理，Ag · Pd漿轉印，實裝，檢查，封止樹脂之密封，檢查之凸起嵌入接合，以及並行進行1C晶紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）唯，不關任何工程方式均有1C晶片之凸起與基板之電極接漿硬化及封止樹狀魏硬化需㈣間而生產性不高之欠點’且電路基板需使用f曲量經受控制之陶究或玻璃以致呈高價之欠點。又，如習知例1之使用導電性糊漿為接合材料之工程方式，則為轉印量之安定化，致需將1(：晶片之凸起經整平予以平坦化後才加以使用。又，如習知例2之由各向異性導電黏接劑予以促成之接合構造，雖已開發有以電路基板基材而使用玻璃者，卻為1C晶片側電極與基板側電極間之電氣導通而需將導電粒子介裝於兩電極間，致必須促使導電性黏接劑中導電粒子分佈均勻，唯欲使導電性黏接劑中導電粒子分佈均勻並非易事，乃有粒子分佈不均構成短路，及導電性黏接劑昂責，或為使凸起高度一致需藉電鍍形成1(：晶片之電極凸起等問題。又，如習知例3之利用UV硬化樹脂進行接合之方法，則需將凸起兩度之參差不齊抑劑於土 1( “ 以下，並有無法黏接於樹脂基板（環氧玻璃）等之平面度不佳基板之問題。且在使用焊接之方法，為緩和基板與1(：晶片之熱膨脹收縮差而需在接合後灌入封止樹脂予以硬化。唯該灌入封止树月曰予以硬化需費2〜8小時，致有生產性極為低劣之問題 6 * --------訂------ ——線_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部智慧財產局 Α7 五、發明說明（4 〇爰疋，為解決上述問題，本發明係以提供一種將電路基板與電子零件接合後，不需經過在電子零件與基板間灌入封止樹脂之工程及將凸起高度整平之凸起水平整理工程，而藉介裝具導電粒子之各向異性導電層俾使電子零件以良好生產性及高信賴性接合於電路基板之電子零件安裝方法及其裝置，以及由上述安裝方法將上述電子零件安裝於上述基板所成電子零件單元為目的。發明之開示為達成上述目的，本發明乃被如下構成。本發明之第一形態為提供一種電子零件安裝方法，係如同引線接合藉電火花在金屬線尖端形成球粒，並將該形成之球粒由毛管予以超音波熱壓於電子零件之電極以形成凸起。且對調配有無機填料之絕緣性樹脂予以介裝調配有導電粒子之各向異性導電層，再使上述電子零件之上述電極與電路基板之電極互相位置對正，而將上述電子零件裝載於上述基板。然後’自上述電子零件側予以加熱，或自基板側予以加熱’或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，藉工具將上述電子零件用一凸起2〇gf以上壓力予以擠壓於上述電路基板，以進行上述基板之彎曲矯正及上述凸起之墨潰處理，促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂予以硬化，而將上 L本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮）

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五、發明說明（5 ) 这電子零件與上述電路基板加以接合，以電氣連接上述電子零件之電極與上述電路基板之電極。本發明之第二形態為提供一種如第一形態所述之電子零件女裝方法，乃在形成上述凸起後經介裝上述各向異性導電層促使上述電子零件之電極與上述電路基板位置對^ 將上述電子零件裝載於上述基板之前，將上述形成之凸起先以2〇gf以下負荷予以擠壓整理其月’J端以防止上述凸起之頸部斜倒。本發明之第三形態為提供一種如第一或第二形態所述之電子零件安裝方法，其中上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂為絕緣性熱硬化性環氧樹脂，而與該絕緣性熱硬化性環氧樹脂調配之上述無機填料量為上述絕緣性熱硬化性環氧樹脂5〜90wt%。本發明之第四形態為提供一種如第一乃至第三之任一形態所記載之電子零件安裝方法，其中上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂在塗敷於上述基板當初為液體，卻經塗敷於上述基板後，藉將上述基板裝入爐内予以硬化上述塗敷之絕緣性樹脂液體，或藉使用經加熱之工具壓住上述經濟部智慧財產局員工消費合作社印製塗敷之絕緣性樹脂液體予以半固體後，而將上述電子零件裝載於上述基板。本發明之第五形態為提供一種電子零件安裝方法，係如同引線接合由電火花在金屬線尖端形成球粒，並將該形成之球粒藉毛管予以超音波熱壓於電子零件之電極以形成金凸起，發明說明（6) 且對上述所形成凸起不予整平，在調配有無機填料之絕緣性樹脂介裝以調配有導電粒子之各向異性導電層，再使上述電子零件之電極與電路基板之電極位置對正，將上述電子零件裝載於上述基板，然後，藉工具自上述電子零件上側面施加負荷防止上述金凸起頸部倒斜以整平尖端，以及施加超音波將上述金凸起與上述基板之電極金屬接合，其次’自上述電子零件之上側面予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板侧雙方予以加熱，將上述電子零件以1凸起2〇gf以上壓力予以擠壓於上述電路基板，並矯正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起’促使介在於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性V電層之上述絕緣性樹脂硬化，而將上述電子零件與上述電路基板予以接合，以電氣連接上述電子零件之電極與上述電路基板之電極。本發明之第六形態為提供一種如第一乃至第五之任一形態所述之電子零件安裝方法，其中上述電子零件係具有 ^數電極，且在上述位置對正前，作為上述各向異性導電層將比及上述電子零件之上述多數電極予以連接所成外形尺寸更小形狀尺寸之固形各向異性導電膜片貼接於上述電路基板後並予以位置對正，而在上述結合時，將上述各向異性導電膜片予以加熱，對上述電子零件施壓推向上述電路基板，同時進行上述電路基板之彎曲矯正以及促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂化經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ~-——-^---- 五、發明說明（7 ) 將上述電子零件與上述電路基板予以接合。本發明之第七形態為提供一種如第一乃至第六之任一〜所述電子零件安裝方法，係在上述電子零件上形成上述凸起而如同引線接合藉電火花在金屬、線尖端形成金球粒時，將倒稜角設為100。以下，且藉在接近於上述金球粒部份具有未設置平坦部位尖端形狀之上述毛管，在上述電子零件之上述電極形成尖端大略呈圓錐狀之上述金凸起。本發明之第八形態為提供一種電子零件安裝方法，係如同引線接合在金屬線尖端藉電火花形成球粒，並將所成球粒由毛管於電子零件之電極形成凸起，且對所形成凸起不予整平而在調配有無機填料之絕緣性樹脂介裝調S己有導電粒子之各向異性導電I，俾使上述電子零件之上述電極與電路基板之電極位置對正並將上述電子零件裝載於上述基板上，復藉加熱至所定溫度之工具自上述電子零件上面予以加熱，將上述電子零件以施加壓力P1擠向上述電路基板而矯正上述基板之彎曲，促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化然後，經所定時間後，再將上述施加壓力自壓力P1 下降至較低壓力P2以緩和上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化時之應力，並將上述電子零件與上述電路基板予以接合而使上述電子零件之電極與上述電路基板之上述電極電氣連接。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 f --------1--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 ----------Β7____ 五、發明說明（8 ) 本發明之第九形態為提供一種如第八形態之電子零件安裝方法，係將上述壓力P1設為20gf/凸起以上，將上述 ’ 壓力P2設於上述壓力P1之1/2以下。 •, 本發明之第十形態為提供一種電子零件之安裝裝置， _ 係具有：將調配有無機填料之絕緣性樹脂再予以調配導電粒子所成各向異性導電層貼接於電路基板之電極或電子零 * 件之裝置，與 ^ 在上述電子零件之電極，如同引線接合由電火花在金屬線尖端形成球粒，且藉毛管予以超音波熱壓於上述基板之上述電極上’以形成未經整平之凸起之裝置，與將上述電子零件位置對正於上述電路基板之上述電極並予以裝載之裝置，以及由工具予以加熱，並以各凸起2〇gf以上壓力將上述電子零件推向上述電路基板進行端正上述基板之彎曲，及促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性 φ 導電層之上述絕緣性樹脂硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電 , 路基板之上述電極之裝置。本發明之第十一形態為提供一種電子零件之安裝裝置 ’係具有：將調配有無機填料之絕緣性樹脂再予以調配導電粒子所成各向異性導電層貼接於電路基板之電極或電子零件之裝置，與在上述電子零件之電極，如同引線接合藉電火花在金屬線尖端形成球粒，且藉毛管將之超音波熱壓於上述基板本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 11 • ·!1 訂-----— II ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（9 之上述電極以形成未經整平之金凸起之裝置，與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述電子零件對正於上述電路基板之上述電極並予以裝載之裝置，與藉工具自上述電子零件上面施加負荷而防止上述金凸起頸部斜倒以整平其尖端同時，並施加超音波以金屬接合上述金凸起與上述基板之上述電極之裝置，以及藉工具予以加熱，且將上述電子零件以各凸起2〇#以上壓力予以推向上述電路基板進行矯正上述基板之彎曲及壓々上述凸起’並促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極之裝置。本發明之第十二形態為提供一種如第十〜--形態之任一電子零件之安裝裝置，其中上述形成金凸起之裝置係具有與上述金凸起接近部份並不設置平坦部位之尖端形狀並倒稜角為100。以下之上述毛管，且藉該毛管在上述電子零件之上述電極形成尖端大略呈圓錐狀之上述金凸起。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明第十三形態為提供一種電子零件之安裝裝置，係具有：將調配有無機填料之絕緣性樹脂再調配導電粒子所成各向異性導電層貼接於電路基板或電子零件之裝置，與在上述電子零件之電極，如同引線接合由電火花在金屬線尖端形成球粒’且藉毛管將之形成於上述基板之上述電極以構成未經整平之凸起之裝置，與 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 一 _B7___ 五、發明說明（10) 將上述電子零件對正於上述電路基板之上述電極予以裝載之裝置，以及藉加熱至所定溫度之工具，自上述電子零件上面予以加熱’並將上述電子零件以施加壓力P1推向上述電路基板進行矯正上述基板之彎曲，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，然後，經所定時間後再將上述施加壓力P1下降至壓力P2以緩和上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化時之應力同時，進行接合上述電子零件與上述電路基板以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極之裝置。本發明之第十四形態為提供一種如第—三形態之任一電子零件安裝方法，其中調配於上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂中之上述無機填料平均粒徑為3 # m以上〇本發明之第十五形態為提供一種如第一〜三，十四形態之任一電子零件安裝方法，其中調配於上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂中之上述無機填料為具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料，且上述至少兩種無機填料中之一方無機填料平均粒徑相差與上述至少兩種無機填料中之另方無機填料平均粒徑二倍以上。本發明之第十六形態為提供一種如第一〜— ^ 二，十四，十五形態之任-電子零件安裝方法，其中上述各向異性導電層之接觸於上述電子零件或上述基板任_方之部份係被形成比其他部份其上述無機填料量為少。 ^ · I------^--------•線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 ^~-----—------ -__ 五、發明說明（11 ) 本發明之第十七形態為提供一種如第十六形態之電子零件安裝方法，其中上述各向異性導電層之分別接觸於上述電子零件及上述基板之部份係被形成比其他部份其上述 , 無機填料量為少。本發明之第十八形態為提供一種電子零件單元，係將幵少成於電子零件之電極之凸起以被壓潰狀態，介絕緣性樹脂調配無機填料並經硬化所成各向異性導電層接合於電路基板之電極，而電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極，且上述各向異性導電層之接觸於上述電子零件或上述基板任一方之部份，其無機填料量被形成比其他部份為少 0 本發明之第十九形態為提供一種電子零件單元，係將形成於電子零件之電極之凸起以被壓潰狀態，介絕緣性樹脂調配無機填料並經硬化所成各向異性導電層接合於電路基板之電極，而電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極，且上述各向異性導電層乃具有被定位於接觸於上述電子零件或上述基板任一方之部位且將上述無機填料調配於與上述絕緣性樹脂相同之絕緣性樹脂所成第一樹脂層，以及接觸於上述第一樹脂層且由比該第一樹脂層其無機填料量較少之絕緣性樹脂予以構成之第二樹脂層。本發明之第二十形態為提供一種如第一〜九，十四〜十七之任一形態所述之電子零件安裝方法，其中上述凸起 l· i ----1---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經务部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 --^ 五、發明說明（12 係由電鍍或印刷予以構成。本發明之第二十_形態為提供_種如第十人十九之任-形態所述電子零件單元，其中上述凸起係由電錢或印刷予以構成。本發月之第一十二形態為提供一種如第--九，十四 =十七，二十之任一形態所述電子零件安裝方法，其中上述^向異性導電層係為在調配有上述無機填料之固形絕緣性樹脂再予以調配具比上述無機填料平均粒經更大平均直徑之導電粒子者。本發明之第二十三形態為提供一種如第十〜十二之任 -形態所述f子零件安裝裝置，其巾上述各向異性導電層係為在調配有上述無機填料之固形絕緣性樹脂再予以調配具比上述無機填料平均粒徑更大平均直徑之導電粒子者。本發明之第二十四形態為提供一種如第十八十九，二十一之任一形態所述電子零件單元，其中上述各向異性導電層係為在調配有上述無機填料之固形絕緣性樹脂再予以調配具比上述無機填料平均粒徑更大平均直徑之導電粒子所成。本發明之第二十五形態為提供一種電子零件安裝方法 ’係如同引線接合在金屬線尖端藉電火花形成球粒，並將所成球粒由毛管予以超音波熱壓於電子零件之電極以形成凸起，且對所形成凸起不予整平而介裝絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固體絕緣性樹脂層，促使上述電子零件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15

------------^---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 161. 線- 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13 ) 之上述電極與電路基板之電極對正並將上述電子零件裝載於上述基板，然後’自上述電子零件側予以加熱，或自基板側予以 , 加熱’或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，復藉工具將電子零件以各凸起20gf以上施加壓力推向上述電路基板，而矯正上述基板彎曲及壓潰上述凸起，並促使介裝於上述電子零件及上述電路基板間之上述絕緣性樹脂層硬化’將上述電子零件與上述電路基板予以接合以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極〇本發明之第二十六形態為提供一種如第二十五形態所述之電子零件安裝方法，其中當將上述凸起形成後，欲介裝上述絕緣性樹脂調配上述無機填料所成固體或半固體絕緣性樹脂層，並使上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極對正而將上述電子零件裝載於上述基板之前係將上述形成之凸起先以2〇gfw下負荷予以擠壓防止上述凸起頸部斜倒以整平其尖端。本發明之第二十七形態為提供一種如第二十五或二十 /、形怨所述電子零件安裝方法，其中上述絕緣性樹脂為絕緣性熱硬化性環氧樹脂，且調配於該絕緣性熱硬化性環氧樹脂之上述無機填料之量為上述絕緣性熱硬化性環氧樹脂之 5 〜90wt%。本發明之第二十八形態為提供一種電子零件安裝方法 l· —*----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

478078 部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（Μ) ’係如同引線接合在金屬線尖端藉電火花形成球粒，並將所形成球粒由毛管予以超音波熱壓於電子零件之電極以形成金凸起，且對所形成凸起不予整平，經介裝絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固體絕緣性樹脂層，及使上述電子零件之上述電極對正於電路基板之電極將上述電子零件裝載於上述基板，然後，藉工具自上述電子零件上側施加負荷以防止上述金凸起頸部斜倒而進行整平尖端同時，復施加超音波將上述金凸起與上述基板之電極予以金屬接合，其次，自上述電子零件之上述上面側予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，並以每凸起2〇gf以上之施加壓力將上述電子零件推壓於上述電路基板，以矯正上述基板之f曲及壓潰上述凸起，且促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂層硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極。本發明之第二十九形態為提供一種如第二十五〜二十八形態之任-形態所述電子零件之安裝方法其中上述電子零件係具有多數電極，且在進行上述對正之前，先在上述電路基板作為上述絕緣性樹脂將比上述電子零件之上述多數電極予以連接所成外形尺寸更小形狀尺寸之固形絕緣性樹脂薄片予以黏貼後再進行對正，並於上述接合將上述本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（2】〇 X 297公爱 --------------裝i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·- •線- 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（15 ) 絕緣性樹脂薄片予以加熱，同時將上述電子零件施壓推向上述電路基板以進行橋正電路基板之彎曲，及促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，以接合上述電子零件與上述電路基板。本發明之第三十形態為提供一種如第二十五〜二十九形態之任一形態所述電子零件之安全方法，其中為將上述凸起形成於上述電子零件而如同引線接合在金屬線尖端藉電火花形成金凸起時，乃將倒稜角設為1〇〇。以下，且藉具有與上述金凸起接觸處未設平坦部位之尖端形狀毛管，將尖端大略呈圓錐狀之上述金凸起形成於上述電子零件之上述電極。本發明之第三Η—形態為提供一種電子零件之安裝方法’係如同引線接合在金屬線尖端藉電火花形成球粒，並將上述所形成球粒由毛管在電子零件之電極形成凸起，且對上述所形成凸起不予整平，經介設絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固體之絕緣性樹脂層，將上述電子零件之上述電極與電路基板之電極對正促使上述電子零件裝載於上述基板，然後’藉加熱至所定溫度之工具自上述電子零件上面予以加熱，並施加壓力將上述電子零件以壓力ρι擠向上述電路基板而矯正上述基板之彎曲，同時將介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂予以硬化，之後’經所定時間再將上述施加壓力自上述壓力p 1 降至較低之壓力P2以緩和上述絕緣性樹脂硬化時之鹿力 * --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經齋部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 --------------Β7_ 五、發明說明（I6) ’同時接合上述電子零件與上述電路基板而電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極。 _ 本發明之第三十二形態為提供一種如第三十一形態所 — 述電子零件之安裝方法，其中上述壓力Ρ1為20gf/凸起以上’上述壓力P2為上述壓力以下。本發明之第三十三形態為提供一種電子零件之安裝裝置，係具有：將絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固 ί I 體之絕緣性樹脂層黏貼於電路基板之電極或電子零件之裝置，與在上述電子零件之電極如同引線接合於金屬線尖端藉電火花形成球粒，並由毛管將之超音波熱壓於上述基板之上述電極以形成未經整平凸起之裝置，與將上述電子零件對正於上述電路基板之上述電極予以裝載之裝置，以及由工具予以加熱，將上述電子零件以每一凸起20#以上之施加壓力推向上述電路基板進行矯正上述基板之彎曲，同時促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板並電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極之裝置。本發明之第二十四形態為提供一種電子零件之安裝裝置，係具有·將絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固體之絕緣性樹脂層黏貼於電路基板之電極或電子零件之裝置，與 -------------裝-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 I----^--- 五、發明說明（I7 ) 在上述電子零件之電極如同引線接合於金屬線尖端藉電火花形成球粒，並由毛管將之超音波熱壓於上述基板之上述電極以形成未經整平金凸起之裝置，與 • 將上述電子零件對正於上述電路基板之上述電極予以裝載之裝置，與藉工具自上述電子零件上面施加負荷一邊防止上述金凸起頸部斜倒一邊整平其尖端，且施加超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合之裝置，以及由工具予以加熱，將上述電子零件以每一凸起20#以上之施加壓力推向上述電路基板進行矯正上述基板之彎曲及壓潰上述金凸起，同時促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板並電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極之裝置。 I 本發明之第二十五形態為提供一種電子零件之安裝裝置，係具有：將絕緣性樹脂調配無機填料所成固體或半固體之絕緣性樹脂層黏貼於電路基板之電極或電子零件之裝置，與在上述電子零件之電極如同引線接合於金屬線尖端藉電火花形成球粒，並由毛管將之形成於上述基板之上述電極以形成未經整平凸起之裝置，與將上述電子零件對正於上述電路基板之上述電極予以裝載之裝置，以及藉被加熱至所定溫度之工具，自上述電子零件面

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） ----i---------------訂 i n H ϋ I n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^/8078 五、經· 濟* 部智' 慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（I8 ) 加熱，並施加壓力將上述電子零件以壓力？1予以推向上述電路基板以繞正上述基板之彎曲，同時將介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂予以硬化，然後經所定時間後，將上述施加壓力自壓力p 1下降至較低壓力P2以緩和上述絕緣性樹脂硬化時之應力，同時接合上述電子零件與上述電路基板以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極之裝置。本發明之第三十六形態為提供一種如第二十五〜二十七之任一形態所述電子零件之安裝方法，其中調配於上述絕緣性樹脂之上述無機填料係為具不同平均粒徑之多種無機填料所成。本發明之第三十七形態為提供一種如第二十五〜二十七，三十六之任一形態所述電子零件之安裝方法，其中上述絕緣性樹脂層之接觸於上述電子零件或上述基板任一之部份，其上述無機填料之量係比其他部份少。本發明之第三十八形態為提供一種如第三十七形態所述電子零件之安裝方法，其中上述絕緣性樹脂層之分別接觸於上述電子零件及上述基板之部份，其上述無機填料之量係比其他部份少。本發明之第三十九形態為提供一種如第三十七，三十八形態所述電子零件之安裝方法，其中接觸於上述電子零件之部分係使用可促成電子零件表面所用膜原料提昇密接性之絕緣性樹脂’而接觸於上述基板之部分則使用可促成基板表面之材料提昇密接性之絕緣性樹脂。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --— — — — — — — — — — — ·1111111 — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 _ 五、發明說明（19) 本發明之第四十形態為提供一種如第二十五〜二十七，三十六之任—形態所述電子零件之安裝方法，其中上述絕緣性樹脂層之接觸於上述電子零件或上述基板之部分係未被調配上述無機填料。本發月之第四^形態為提供-種電子零件單元，係將形成於電子零件之電極之凸起，經介裝絕緣性樹脂調配無機填料所成且經硬化之絕緣性樹脂層並以上述凸起被壓潰之狀態接合於電路基板，俾使上述電子零件之上述電極及上述電路基板之電極電氣連接，而上述絕緣性樹脂層之接觸於上述電子零件或上述基板任一之部份則比其他部分其無機填料為少。本發明之第四十二形態為提供一種電子零件單元，係將形成於電子零件之電極之凸起，經介裝絕緣性樹脂調配無機填料所成且經硬化之絕緣性樹脂層並以上述凸起被壓潰之狀態接合於電路基板，俾使上述電子零件之上述電極及上述電路基板之電極電氣連接，而上述絕緣性樹脂層乃被定位於與上述電子零件或上述基板之任-方接觸之位置，且具有與上述絕緣性樹脂相同之絕緣性樹脂調配上述無機填料所成之第一樹脂層，及由比上述第一樹脂層其上述無機填料量為少之絕緣性樹脂予以構成之第二樹脂層。本發明之第四十三形態為提供一種如第五或二十八形態所述電子零件之安裝方法，當中當施加上述超音波欲將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合時，係自本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) 22 4 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 B7 經- 部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（2〇) 上述電子零件之上述上面側予以加熱，或自上述棊板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱者。 …、本發明之第四十四形態為提供一種電子零件單元，係藉第一〜九，十四〜十七，二十五〜三十二，三十六〜四十，四十三之任一形態所述電子零件之安裝方法將電子零件安裝於基板所成。本發明之第四十五形態為提供一種如第十一或三十四形態所示電子零件之安裝裝置，其中施加上述超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合之裝置，係具有自上述電子零件之上述上面側，或自上述基板側，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱之加熱構件，而在上述金屬接合時由上述加熱構件予以加熱。圖示之簡單說明本發明之該等及其他目的與特徵，係由所添附圖示有關較佳實施形態之下述記載可更加明瞭，則其圖示：第1A，IB，1C，ID，IE，IF , 1G圖分別為表示本發明第一實施形態有關之電路基板之電子零件例如IC晶片安裝方法之說明圖，第2A，2B圖分別為於第一實施形態有關之電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法，當熱硬化性樹脂中之無機填料開始接合時被竄進熱硬化性樹脂之尖銳凸起予以推出凸起外側之狀態示意說明圖，及第2C圖為凸起與基板電極間未竄入無機填料之狀態示意說明圖，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 23 -------------^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製說 A7 B7 五、發明說明（21 ) 第3A，3B ’ 3C ’ 3D，3E，3F，3G圖分別為在本發明第一實施形態有關之安裝方法，1C晶片使用引線接合形成凸起之工程示意說明圖，第4A，4B，4C圖分別為本發明第一實施形態有關之安裝方法之電路基板與1C晶片接合工程顯示說明圖，第5A，5B，5C圖分別為本發明第一實施形態之安裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第6A ’ 6B ’ 6C圖分別為本發明第三實施形態，替代各向異性導電膜片將熱硬化性黏接劑配設於電路基板上之說明用顯示圖’及第6D，6E圖分別為上述第一實施形態之接合狀態擴大說明圖，第7A ’ 7B ’ 7C ’ 7D ’ 7E ’ 7F圖分別為說明本發明第三實施形態之安裝方法，以第6A〜6E圖之變形例將熱硬化性黏接劑替代各向異性導電膜片配設於電路基板上之說明圖，第8A，8B，8C圖分別為本發明第五實施形態有關之女裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第9A，9B，9C圖分別為本發明第五實施形態之安裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第10A，_，1()C，10D圖分別為本發明第六實施形態之安裝方法之電路基板與IC晶片接合工程示意說明圖，第11A，11B，lie，11D，11E圖分別為本發明第實施形態之安裝方法之電路基板與Ic晶片接合工程示音、明圖，匕纸張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） J ·---.---^----------^--------- t請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24 部智·慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 _ B7 五、發明說明（22 ) 第12A，12B，12C，12D圖分別為本發明第七實施形態之安裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第13圖為本發明第七實施形態之安裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第14A，14B圖分別為將熱硬化性樹脂片形成於ic晶片側之第一實施形態變形例之示意說明圖，第15圖為習知電路基板與1C晶片之接合方法示意剖面圖，第16A，16B圖分別為習知之電路基板與ic晶片之接合方法示意說明圖，第17圖為上述第一實施形態之80 // m外徑凸起時之電阻值與負荷之關係曲線圖，第18圖為上述第一實施形態之依據外徑分別為8〇//m ’ 40 // m之凸起與最低負荷之關係而予以顯示信賴性較高領域之曲線圖，第19圖為在上述第三實施形態之樹脂片（各向異性導電膜片）之加熱溫度與反應率之曲線圖，第20圖為上述第一實施形態所使用之電子零件裝載裝置斜視圖，第21A，21B，21C，21D圖分別為第20圖之電子零件裝載裝置另件側之位置認識動作示意斜視圖，另件之位置認識晝像圖，基板側之位置認識動作示意斜視圖，及基板之位置認識畫像圖，第22圖為第.四實施形態所使用之超音波施加裂置概本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（23) 圖第23圖為上述第五實施形態所使用之黏貼裝置概略圖第24A，24B圖分別為說明比較ACF工程方式與上述實施形態之工程方式所用之凸起附近擴大剖面圖，第25圖為本發明第九實施形態有關藉對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置予以接合之接合狀態模式剖面圖，第26圖為上述第九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置所使用樹脂片之部份擴大模式剖面圖，第27圖為本發明第十三實施形態有關對電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置予以接合之接合狀態下之絕緣性樹脂與無機填料模式剖面圖，第28A，28B，28C，28D圖分別為本發明第十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置所使用各向異性導電層之各種例示電子零件單元模式剖面圖，第29A，29B，29C，29D圖分別為本發明第十四實施形態變形例有關對於電路基板之電子零件例如1(：晶片之安裝方法及裝置所使用各向異性導電層各種例示模式剖面圖第30圖為採用第29A圖所示上述第十四實施形雜有關對於電路基板之.電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置所 -H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I -H ϋ H ^1 ϋ· H ϋ -I I- H ·1 H 一· 1· ϋ I ϋ ϋ I I I n I i κ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 餐濟部智•慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 — B7 五、發明說明（24) 使用各向異性導電層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第3 1圖為採用第29B圖所示上述第十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置所使用各向異性導電層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第32A，32B圖為分別採用顯示於第29C，29D圖之上述第十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方式及裝置所使用各向異性導電層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第33A，33B，33C，33D，33E，33F圖分別為上述第十四實施形態對於電路基板之電子零件例如1(：晶片之安裝方法及裝置所使用各向異性導電層之無機填料量與各向異性導電層厚度方向位置之各種關係曲線示意圖，第34圖為本發明第十五實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置所使用各向異性導電層之製造工程說明圖，第35圖為第34圖之部份擴大圖，第36圖為上述第一實施形態一具體例之導電粒子平均直徑與無機填料之粒子平均直徑分佈圖，第37A，37B圖分別為上述第一實施形態變形例可使用之凸起例示圖，第 3 8A，38B，38C，3 8D，38E，3 8F，38G圖分別為本發明第十六實施形態對於電路基板之電子零件例如Ic晶片之女裝方法不意說明圖，第39A，39B圖分別為在第十六實施形態有關對於 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（25) 路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法，熱硬化性樹脂中無機填料於接合開始時被竄進熱硬化性樹脂之尖銳凸起推出凸起外側方向之狀態示意說明圖，及第39C圖為凸起 , 與基板電極間未竄入無機填料之狀態示意說明圖，第 40A ’ 40B ’ 40C ’ 40D，40E，40F，40G 圖分別為在本發明第十六實施形態之安裝方法採用1C晶片之引線接合形成凸起之工程示意說明圖，第41A，41B，41C圖分別為本發明第十六實施形態有關女裝方法之電路基板與1C晶片之接合工程示意說明圖，第42A，42B，42C圖分別為本發明第十六實施形態之女裝方法之電路基板與1C晶片接合工程示意說明圖，第43A，43B，43C圖分別為在本發明第十八實施形態之安裝方法，說明替代熱硬化性樹脂片將熱硬化性黏接劑配置於電路基板上之說明圖，第44A，44B，44C，44D，44E , 44F圖分別為說明在本發明第十八實施形態之安裝方法，以第43A〜43B圖之變形例將熱硬化性黏接劑替代熱硬化性樹脂片予以配設於電路基板上之說明圖，第45A，45B , 45C圖分別為本發明第二十實施形態有關安裝方法之電路基板與1C晶片之接合工程示意說明圖，第46A，46B，46C圖分別為本發明第二十實施形態有關安裝方法之電路基板與1C晶片之接合工程示意說明圖，第47A , 47B，47C，47D圖分別為本發明第二十一實施形態有關安裝方法之電路基板與1C晶片之接合工程示意本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28 -J---1---'---、—--------訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 _____B7 五、發明說明（26) 說明圖，第48A，48B，48C，48D，48E圖分別為本發明第二十一實施形態有關安裝方法之電路基板與Ic晶片之接合工程示意說明圖，第49A，49B，49C，49D圖分別為本發明第二十二實施形態安裝方法之電路基板與1(：晶片之接合工程示意說明圖，第50圖為本發明第二十二實施形態安裝方法之電路基板與1C晶片之接合工程示意說明圖，第51A，51B圖分別為將熱硬化性樹脂片形成於1<：晶片側之第十六實施形態變形例示意說明圖，及將熱硬化性黏接劑形成於1C晶片側之第十六實施形態變形例示意說明圖，第52圖為上述第十六實施形態之凸起外徑時之電阻值與負荷之關係曲線圖，第53圖為上述第十六實施形態之依據凸起外徑分別為 80 # m，40 // m時與最低負荷之關係將信賴性較高領域予以顯示之曲線圖，第54圖為在上述第十八實施形態之樹脂片加熱溫度與反應度之曲線圖，第55圖為上述第十六實施形態所使用電子零件裝載裝置斜視圖，第56A，56B，56C，56D圖分別為第55圖電子零件事載裝置之另件側*位置認識動作示意斜視圖，另件之位置$ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） --------------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 攀濟部智•慧財產局員工消費合作社印製 29 478078 A7 B7 五、發明說明（27 ) 識畫像圖，基板側位置認識動作示意斜視圖，基板之位置認識畫像圖，第57圖為上述第十九實施形態所使用超音波施加裝置之概略圖，第58圖為上述第二十實施形態所使用黏貼裝置概略圖第59A，59B圖分別為ACF工程方式與上述實施形態之工程方式比較說明用之凸起附近擴大剖面圖，第60圖為由本發明第二十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置予以接合之接合狀態模式剖面圖，第61圖為上述第二十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置所使用樹脂片之部份擴大模式剖面圖，第62圖為由本發明第二十八實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置予以接合之接合狀態下之絕緣性樹脂與無機填料模式剖面圖，第63A，63B，63C，63D圖分別為本發明第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置所使用之絕緣性樹脂層各種例示之電子零件單元模式剖面圖，第64 A，64B，64C，64D圖分別為本發明第二十九實施形態變形例有關對於電路基板之電子零件例如IC晶片安裝方法及裝置所·使用絕緣性樹脂層各種例示之模式剖面圖本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 #濟部智•慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ___—_______ B7 五、發明說明（28) ，第65圖為採用第64A圖所示上述第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如IC晶片安裝方法及裝置所使用絕緣性樹脂層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第66圖為採用第64B圖所示上述第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置所使用絕緣性樹脂層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第67A，67B圖分別為採用第64C，64D圖所示上述第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如IC晶片安裝方法及裝置所使用絕緣性樹脂層予以接合之接合狀態模式剖面圖，第68A，68B，68C，68D，68E，68F圖分別為上述第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置所使用絕緣性樹脂層之無機填料量與絕緣性樹脂層厚度方向位置之種種關係曲線顯示圖，第69圖為本發明第三十形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置所使用絕緣性樹脂層之製造工程說明圖，第70圖為第69圖之部份擴大圖。發明之最佳實施形態在繼續本發明之記述前，對所添附圖示之相同另件乃附以相同參照符號。以下即就本發明之實施形態依據圖示詳細加以說明。 (第一實施形態）· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 31 — — — — — — — — — — — — — · I I I I I I I 訂— — — — — — — I- *5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7___ 五、發明說明（29) 以下乃就本發明第一實施形態之電子零件安裝方法及其裝置之一例示，參照第1A〜14圖，對於電路基板之IC 晶片安裝方法及其安裝裝置，以及由上述安裝方法將上述 1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置加以說明。首先，利用第1A〜4C圖及第6A〜6F圖說明本發明第一實施形態之對於電路基板之1C晶片安裝方法。在第1A圖之電子零件例之IC晶片i，藉引線接合裝置以如第3A〜3F圖之動作於1C晶片襯墊電極形成凸起 (突起電極）3。即，在第3A圖於自支持挾之毛管93所突出金屬線95下端形成球粒96，並在第3B圖使保持金屬線95 之毛管93下降令球粒96接合於1C晶片1之電極2形成大略凸起3形狀’且於第3C圖將金屬線95往下送移及使毛管93開始上昇’復令毛管93沿第3D圖所示大略矩形之環匝99移動於凸起3上方形成如第3E圖之彎曲部98，而予以扯掉以形成如第IB，3F圖所示凸起3。或在第3B圖以毛管93挾持金屬線95並令毛管93上昇拉向上方，將金屬線例如金線95( 金屬線雖有錫，鋁，銅或該等金屬含微量元素所成合金線等例’唯以下實施形態則以金線為代表例予以記載）加以扯掉’而形成如第3G圖所示凸起3形狀亦可。將如此在ic 晶片1之各電極2形成凸起3之狀態顯示於第1B圖。繼之’在本實施形態欲將各電極2形成有凸起3之1(：晶片1裝設於電路基板4時，以各向異性導電層一例係介裝各向異性導電膜（ACF)片10。該各向異性導電膜片10乃含有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 32 J ， ------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 部智慧，財產局員工消費合 i} 社印製五、發明說明（30) 較構成各向異性導電膜片1〇之絕緣性熱硬化性固體樹脂中之導電粒子l〇a平均直徑更小平均直徑之無機填料6f。例如第3b圖所示，將導電粒子1〇a平均直徑欲設成較習知acf 之導電粒子10a平均直徑ι·〇以m為小之〇 5 #爪時，無機填料6f之粒子平均直徑即為3〜5以m左右。以各向異性導電膜片10所含上述導電粒子1〇&則採用鎳粉施加鍍金者。藉如此構成，可促使基板側電極5與IC晶片側凸起間之連接電阻值減低而更為適宜。就上述導電粒子言之，係採用上述導電粒子丨〇a之導電粒子本體l〇a-l外側再塗敷絕緣層1〇a-2者更佳，且藉將導電粒子10a量設成一般廣泛應用之各向異性導電膜兩倍以上，即呈該導電粒子以某機率被凸起3所挾持，而可提昇吸濕時之泡脹或對於其後逆流所導致熱衝擊之耐性。經如此絕緣塗敷之導電粒子10a，當被凸起3挾持於與基板電極5之間時，該導電粒子10a外側之極薄絕緣層部份 l〇a-2乃被削掉露出導電粒子本體1〇aq而可發揮其導電性。因此，未被凸起3與電極5所挾持部份由於絕緣塗層部份 1〇心2未被削掉致不能發揮其導電性。於是，平面方向之電極5與電極3之間不易產生短路。又，通常使用柱形凸起時，由於其頭頂部面積較小不易將導電粒子1〇a挾於電極5 與凸起3之間，致需要多加導電粒子i〇a之量，唯如此一來導電粒子互相接觸有時會使電極3，5間短路。故如上述，宜採用經絕緣塗敷之絕緣性導電粒子較佳。又逆流特性所以變佳，則是由·於溫度及濕度所致之泡脹雖各向異性導電 --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂：線· -33 A7 ----—___-_ B7______ 五、發明說明（31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜形成用黏接劑（或各向異性導電膜片）沿z方向（各向異性導電膜片之厚度方向）膨脹，亦因導電粒子1〇a比其更加膨脹而可保持連接狀態所致。因此，以導電粒子1〇a採用具排斥力之Au-Ni塗層之塑膠粒子等較宜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，在第1C圖之電路基板4之電極5上，如第10圖所示，配设經切割為較1C晶片稍大尺寸且調配無機填料6f 之各向異性導電膜片1 〇，並藉經加熱至例如8〇〜丨2〇。匸之黏貼工具7將各向異性導電膜片10以例如5〜10kgf/cm2左右壓力予以黏貼於基板4。然後再剝除被配置於各向異性導電膜片10之黏貼工具側可卸除自如之阻離物1 〇g而完成基板4之準備工程。該阻離物i〇g則是防止含調配無機填料 6f所成固體或半固體熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片j〇貼住工具7所用者。在此如第ig圖將第1F圖之G部份予以部份擴大顯示，各向異性導電膜片1〇係以將比導電粒子1〇a 之平均直徑更小平均直徑之球狀或破碎矽石，礬土等陶究無機系填料6f分散混合於絕緣性樹脂6m，再由刮刀法予以平坦化並將溶劑部份氣化予以固體化者較佳同時，亦具有能耐住後續工程之逆流工程高溫程度之耐熱性（例如在 240°C可耐住10秒鐘左右之耐熱性）較宜。上述絕緣性樹脂則雖可使用例如絕緣性熱硬化性樹脂（如環氧樹脂，苯盼樹脂，聚酰亞胺等），或絕緣性熱可逆性樹脂（如聚亞苯基硫化物（PPS)，聚碳酸酯，變性聚亞苯基氧化物（ppo)等），或絕緣性熱硬化性樹脂與絕緣性熱可塑性樹脂混合所成者，唯在此乃以·代表例繼續說明絕緣性熱硬化性樹脂。該 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7

五、發明說明（32) 經濟部智•慧財產局員工消費合作社印製熱硬化性樹脂6m之玻璃化點一般為120〜200°C左右。又僅使用熱可塑性樹脂時，起初予以加熱一旦經軟化後，再停止加熱藉自然冷卻予以軟化，另使用絕緣性熱硬化性樹脂混合熱可塑性樹脂所成者時，由於熱硬化性樹脂較具支配性功能，故與僅使用熱硬化性樹脂相同藉加熱即可硬化。接著，如第1E及1F圖所示，乃在第20圖之電子零件裝載裝置600藉另件保持構件6〇1尖端經加熱之接合工具8，將於上述被形成凸起3之1C晶片1自托盤602予以吸住保持，並將該1C晶片1對正於在上述前工程予以準備且裝載於載物台9上之基板4之對應於1C晶片1之電極2之電極5，再介各向異性導電膜片10將該1C晶片1推壓於基板4。該對正係使用眾所周知之位置認識動作。例如第21C圖所示，將基板4所形成之位置認識標誌605或導線及紋間表面之圖案由電子零件裝載裝置600之基板認識用攝影機604予以認識，並如第21D圖所示，將由攝影機604所獲晝像606為基礎，認識基板4之在載物台9上呈直交之XY方向之XY座標位置及對於XY座標原點之旋轉位置而認識基板4之位置。另，如第21A圖所示，將接合工具8所吸住保持之1C晶片1之位置識用標遠、6 0 8或電路圖案以IC晶片用位置認識攝影機 603予以認識，再如第21B圖所示，以攝影機603所獲畫像 607為基礎，經認識1C晶片1之上述XY方向之XY座標位置及對於XY座標原點之旋轉位置而認識1C晶片1之位置。且以上述基板4與1C晶片1之位置認識結果為基礎，令接合工本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 35 -----I-------裝 i I ----訂·----I II -線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜ν / Λ

五、發明說明（33) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製具8或載物台9移動，俾使IC晶片丨之電極2對正於其應對應之基板4之電極5上方位置後，藉上述經加熱之接合工具8 將1C晶片1推擠於基板4。此時，凸起3之頭部乃在基板4之電極5上自第4B圖變形為第4C圖地被擠壓。而如同第一實施形態之自第2A至2B圖所示，本實施形態之熱硬化性樹脂6m中之無機填料6f，亦被於接合開始當初竄進熱硬化性樹脂6m中之尖銳凸起3予以推出凸起3之外側。又如第一貫施形態之第2C圖所示，本實施形態亦由於此種外側方向之推出作用致無機填料6f不會竄入凸起3與基板電極5 之間，而可發揮減低連接電阻值之效果，此時就算凸起3 及基板電極5之間竄進若干無機填料6[，亦由於凸起3與基板電路5直接接觸，故全然不會有問題。此時所施加之負何雖依凸起之外徑有異，唯一定需要使頭部之彎折重疊部份如第4C圖所示變形。又，此時如第6E圖所示，各向異性導電膜片10中之導電粒子l〇a為樹脂球粒被施加金屬電鍍時，則該導電粒子1 〇a需要變形。又，各向異性電膜片1 〇中之導電粒子l〇a為錄等金屬粒子時，如第圖所示，乃需施加令其陷入凸起3或基板側電極5之負荷。該負荷最低亦需20(gf/每一凸起）。即，在第17圖，由8〇//〇1外徑凸起時之電阻值與負荷之關係曲線圖可知，未滿2〇(gf/每一凸起）時電阻值大於l〇〇mm Ω/凸起，致電阻值過高實用上成問題，而表示以20(gf/每一凸起）以上較宜。又，第18圖，則是根據外徑分別為80 # m，40 // m之凸起與最低負荷之關係而顯示信賴性較高領域之曲線圖。藉此，可推斷4〇 “ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 36 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — —--訂-----I--- 478078 經濟部會慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（34) m以上外徑之凸起以最低負荷為25(gf/每一凸起）以上較佳 ’外徑未滿40# m之凸起以最低負荷為2〇(gf/每一凸起）以上左右其信賴性較高。又，今後隨導線之間距狹窄化凸起外徑趨小至未滿4〇；ζπι時，可推斷對應凸起之投影面積，負荷有與其二乘方以比率減少之傾向。於是，介上述1(：晶片1施加於凸起3側之最低負荷至少最低需要2〇(gf/每一凸起）為妥。介上述1C晶片1施加於凸起側之負荷上限乃以不損傷1C晶片1，凸起3，電路基板4等之程度較宜。有時，其最大負荷會超過l〇〇(gf/每一凸起）或l50(gf/每一凸起）。此時，如使用較導電粒子平均直徑更小平均直徑之無機填料6f ’則可促使熱硬化性樹脂6m之彈性率增加同時，亦能發揮減低熱膨脹係數之效果。且’圖中之參照符號l〇s為各向異性導電膜片1〇當中由接合工具8之熱予以溶解之熱硬化性樹脂6m溶解後再經熱硬化所成之樹脂。又，將藉由陶瓷加熱器或脈衝加熱器等内藏加熱器8a 予以加熱之接合工具8在上述前工程於電極2上形成凸起3 之ic晶片1，對於上述前工程所準備基板4促使Ic晶片電極2對應於基板4電極5上之如第1E圖所示位置之位置對正工程，以及位置對正後如第11?圖所示予以推壓接合之工程，以一個位置對正兼推壓接合裝置，例如第ie圖之位置對正兼推壓接合裝置予以進行亦可。唯，以各別裝置，例如為連續生產多數基板而欲同時進行位置對正作業及推壓接合作業以提昇生產性時，乃可將上述位置對正工 — — — — — — — — — — I! ! 11111 訂·！ I — II - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（35) 由第5B圖之位置對正裝置予以進行，將上述推壓接合工程由第5C圖之位置對正裝置予以進行，將上述推壓接合工程由第5C圖之接合裝置予以進行。又，第5匸圖為提昇生產性係顯示有兩個接合裝置8，可將一電路基板4之兩部同時予以推壓接合。在上述及下述之各實施形態，作為電路4則可使用多層陶瓷基板，玻璃佈疊積層環氧基板（環氧玻璃基板），芳族聚酰胺不織布基板，玻璃佈置積層聚酰亞胺樹脂基板， FPC(可撓性印刷電路）或芳族聚酰胺不織布環氧基板（例如，松下電器產業株式會社製之以登錄商標阿利部r ALIVH 」販售之樹脂多層基板）等。該等基板4由於熱經歷，裁剪，加工而產生有弯曲或起伏，並非完整平面。於是，如第5八及5B圖所示，藉平行度分別被管理呈可調整於例如1〇 β m以下之接合工具8 及載物台9，將熱及負荷介ic晶片1自接合工具8側向載物台9側局部性予以施加於電路基板4，而可矯正其施加部份之電路基板4彎曲。又’ 1C晶片1雖以活動面中心呈凹而彎曲，唯將此於接合時以每凸起20gf以上強力負荷予以加壓，則可矯正基板4與1C晶片1雙方之彎曲及起伏。該IC晶片1之彎曲乃是於形成1C晶片1，而將薄膜形成於si時所產生之内部應力予以促成的。凸起之變形量係在1〇〜25/zm左右，此程度之基板起初即具有由内層銅箔顯示於表面之起伏影響，乃能藉凸起3之變形由各凸起3予以順應而呈可容許著。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） •}—-?—·_——-I · I------訂---------^9— (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 38 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（36) 如是，以電路基板4彎曲己被矯正之狀態，例如將14〇〜230°C之熱施加於1C晶片1與電路基板4間之各向異性導電膜片10例如數秒〜20秒左右，乃可硬化該各向異性導電膜片10。此時，起初構成各向異性導電膜片1〇之熱硬化性樹脂6m即流動並封止至1C晶片1邊緣。又由於是樹脂，故當加熱時，起初會自然軟化，致會發生如此流至邊緣之流動性。且藉將熱硬化性樹脂6m之體積設成較ic晶片1與電路基板4間之空間更大，乃能促使由該空間予以播出地流動，而可奏出封止效果。之後，藉將被加熱之接合工具8 予以上昇，而由於加熱源消失致1C晶片1與各向異性導電膜片10之溫度急速下降，各向異性導電膜片i 0即失去流動性，如第1F及4C圖所示，1C晶片1藉構成各向異性導電膜片10且硬化之樹脂10S而被固定於電路基板4上。又，如將電路基板4側由載物台9之加熱器9a等預先予以加熱，則可減低接合工具8之溫度。如此，各向異性導電膜片10係可使用調配有平均粒徑比導電粒子10a平均直徑更小之無機填料之熱硬化性樹脂，且以各向異性導電膜片1〇所含導電粒子1〇a而使用鎳粉施加鍍金者，乃可減低連接電阻值並更加適宜。依據上述第一實施形態，藉作為調配於熱硬化性樹脂 6m之無機填料6m而予以調配平均粒徑比導電粒子1〇a平均直徑更小之無機填料6f，則可不致阻礙導電粒子丨〇a之作業以提昇信賴性。即，導電粒子1〇a係被挾住於凸起3與基板4之電極5間。·此時雖同時挾住無機填料針亦由於其平均本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A*!規格（210 X 297公爱） ------- -------- - - ---· I I I I--—訂-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 五、發明說明（37) 粒徑較導電粒子l〇a平均直徑為小，故可不致阻礙導電性，加之增加熱硬化性樹脂6111之彈性度，促使熱膨脹係數減低而提昇1C晶片1與基板4接合之信賴性。 (第二實施形態）其次’就本發明第二實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置加以說明。本第二實施形態係為將在第一實施形態調配於含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片10之無機填料6f混合比例設成上述絕緣性熱硬化性樹脂例如絕緣性熱硬化性環氧樹脂 6m之5〜90wt❶/〇而呈更加適宜者❶因如未滿5wt%則混合無機填料6f並無意義，如超過9〇wt%則黏接力極度下降同時難於薄片化致為不宜。以其一例自維持高信賴性之觀點言之，樹脂基板以20〜40wt%，陶瓷基板以40〜70wt%較妥 ’同時環氧玻璃基板為20wt%亦能促使薄片封止劑之線膨脹係數相當減低，對樹脂基板至為有效。又，體積％乃為 wt%之一大略一半比例，或針對環氧樹脂1將矽石設為約2 之重量比例。通常係由熱硬化性樹脂6m薄片時之製造上條件與基板4之彈性度，以及最終由信賴性試驗結果而決定該無機填料6f之混合比例。藉將如上述混合比割之無機填料6f調配於含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片10，則可使各向異性導電膜片1〇之熱硬化性樹脂6m之彈性度增加，並使熱膨脹係數降低本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ——1」|卜令 (請先閱讀-t面之注意事項再填寫本頁} tr---------ΜΨ, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40 478078

五、發明說明（38) 經濟部i曰慧財產局員工消費合作社印製以提昇1C晶片1與基板4之接合信賴性。又，能對應基板4 材料促使熱硬化性樹脂6m之材料常數，即彈性度，線膨脹係數呈最適當地以決定無機填料6f之混合比例。且隨無機填料6f之混合比例增加彈性度雖會變大，但線膨脹係數卻有趨小之傾向。在第一實施形態及第二實施形態，由於並非液體而是使用固體各向異性導電膜片10致易於處理同時，亦因無液體成份能以高分子予以形成，故具有容易形成玻璃化點較高者之優點。又，在第1A〜1G及2A〜2C圖，後述之第ό及7圖，雖以各向異性導電層一例說明將含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片10或各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑讣形成於電路基板4側之情形，唯並非限定此，如第14Α或14Β 圖所示，形成於1C晶片1側後再接合於基板4亦可。此時，尤其是含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片1〇時，將由吸住筒口等保持構件200予以保持之ic晶片1與裝脫自如被配置於各向異性導電膜片10電路基板側之阻離物6a_齊推向載物台201上之橡膠等彈性體117,而沿凸起3形狀使各向異性導電膜片10貼接於1C晶片1亦可。 (第三實施形態）繼之，參照第6A〜6C圖及第7A〜7F圖說明本發明第三實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法在上述基板安裝丨匸晶片所成之電子零件單元或組件例如半導體裝置。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公爱） !!裝 i — — — — — — 訂·！ I -線 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 41 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（39) 本第三實施形態係替代第一實施形態之將含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜片10黏貼於基板4，如第6A及7A， D圖所示，.以各向異性導電層一例將液體狀各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b經調配器502等之塗敷，或印刷，或轉印於電路基板4上後予以固化至半固體狀態之所謂B級狀態，然後與上述第一或第二實施形態一樣將冗晶片1裝載於上述基板4。詳言之，如第6A圖所示，將液體狀各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b，以第7 A圖所示由氣壓控制吐出量且可沿基板平面上直交兩方向移動之調配器502等予以塗敷，或印刷，或轉印於電路基板4上。接著如第6B圖藉内藏有加熱器78a之工具78施加熱與壓力予以均勻化，並如第6C圖固化至半固體狀態之所謂B級狀態。又，液體狀各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b 之黏性較低時，則如第7A圖所示，以調配器502在基板4 上所定位置塗敷液體熱硬化性黏接劑6b後，由於熱硬化性黏接前6b之黏性較低自然擴展於基板上呈如第7B圖所示狀態。之後如第7C圖所示，經如輸送帶之搬送裝置5〇5將上述基板4送入於爐503内，藉由爐503之加熱器504予以硬化上述塗敷之絕緣性樹脂之液體狀熱硬化性黏接劑6b，以固化至半固體化，即所謂B級狀態。另’液體狀各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b 之黏性較高時，乃如第7D圖所示，以調配器502在基板4 上所定位置塗敷液體熱硬化性黏接劑後，由於熱硬化性黏本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---Η---1-----------訂--------- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 42 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ____B7__ 五、發明說明（40) 接劑6b之黏性較高不致自然擴展於基板上，故如第7E，7F 圖所示以橡皮滾50b予以碾平。之後如第7C圖所示，經如輸送帶之搬送裝置505將上述基板4送入爐503内，藉由爐 503之加熱器504予以硬化上述塗敷之絕緣性樹脂之液體狀熱硬化性黏接劑6b，以固化至半固體化，即所謂B級狀態〇如此欲將各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6 b予以半固體化時，雖依熱硬化性黏接劑6b之熱硬化性樹脂特性而有差異，唯乃以該熱硬化性樹脂之玻璃化點30〜80% 之溫度80〜130°C予以推壓。通常以熱硬化性樹脂之玻璃化點30%左右之溫度加以進行。如此設於熱硬化性樹脂玻璃化點30〜80%之理由，則由第19圖之各相異性導電膜片之加熱溫度與反應率曲線圖可知如於80〜130°C之範圍内尚能在後工程留住更使充份反應之餘地。換言之，如在8〇〜13 0 C範圍内溫度’雖依時間有異，卻由於可抑制絕緣性樹脂例如環氧樹脂之反應率於1〇〜50%左右，故後工程之1C晶片推壓時之接合不會產生問題。亦即在後工程之Ic 晶片壓接時可確保所定推壓量而不易發生無法鋼開之問題。又，藉抑制反應僅使溶劑部份予以氣化係可加以半固體化。將上述熱硬化性黏接劑6b如上述予以半固體化後，欲將多數1C晶片1裝設於基板4時，藉在基板4之欲裝設多數ic 晶片之多數位置預先以前段處理工程進行上述熱硬化性黏接劑6b之上述半固體化工程，並藉提供如此經前段處理之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — —— — — — — — — — — ·1111111 a— — — — — — — — (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 43 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（41) 基板4且在所提供基板4之上述多數位置接合多數1C晶片1 而可提高生產性。又於後續工程欲使用熱硬化性黏接劑6b 時’基本上亦進行與上述第一或第二實施形態之使用各向異性導電膜片10工程相同之工程。而由於加上前述半固體化工程’乃可將液體各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b與各向異性導電膜片1〇同樣予以使用，復由於固體易予處理同時，更因無液體成份致能以高分子予以形成，而具有易於形成玻璃化點較高者之優點。如此使用具流動性各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b時，比及使用固體各向異性導電膜片1 〇更兼具有能以任意大小塗敷，印刷 ’或轉印於基板4任意位置之優點。 (第四實施形態）接著參照第22圖就本發明第四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法在上述基板安裝上述1C晶片所成電子零件單元或組件例如半導體裝置加以說明。第四實施形態與第一實施形態不同處係在；將1C晶片1接合於基板4時，除施加負荷亦施加超音波，將凸起3不予整平即依需以2〇gf以下負荷予以推壓，並以防止由形成凸起時之扯掉動作所生成上述凸起3尖端頸（髭毛）部份之傾斜導致與鄰接凸起或電極之短路而予以整平後，位置對正與1C晶片1使1C晶片i裝載於基板4，促使金屬凸起3與基板側電極表面金屬互相超音波兼熱壓接。且將1C晶片1接合於基板4之情形乃與上述實施形態之第2及6圖等相同。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ΓΙΙ1Ι— — — — — — ·1111111 ^ ·1111111 I (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 44 478078

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（42) 在本第四實施形態，係將絕緣性熱硬化性樹脂6111調配無機填料6f所成之固體各向異性導電膜片10或將液體各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b如上述經半固體化者黏貼於基板4，或將含熱硬化性樹脂之各向異性導電膜形成熱硬化性黏接劑6b塗敷於基板4經半固體化後，再於電路基板4之電極5與電子零件1之電極2如同引線接合藉第 3A〜3F圖之動作，由電火花在金線95尖端形成球粒96，且對將該球粒96由毛管93予以超音波熱壓於基板電極5所形成之凸起3不予整平，經位置對正於ic晶片1而將IC晶片 1裝載於基板4。在此所謂「液體各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑6b如上述經半固體化者」則是如第三實施形態所作說明將液體各向異性導電膜形成用熱硬化性黏接劑 6b予以半固體化而與經B級化者略同。此時乃在如第22圖所示超音波施加裝置620，藉經内藏加熱器622預先加熱之接合工具628，自該接合工具628所吸住1C晶片1上面作用以氣筒625所致負荷以及加壓電元件之超音波發生元件623 所產生且介超音波喇。八624予以施加之超音波，一邊防止金凸起3之頸部倒斜以整理尖端而將金凸起3與基板側之鍍金予以金屬接合。其次自1C晶片1上面或基板側予以加熱，並將上述1C晶片1以每一凸起20gf以上施加壓力推向上述基板4經端正上述基板中之彎曲及壓潰凸起3，且促使介裝於上述1C晶片1與上述電路基板4間之上述各相異性導電膜片10或熱硬化性黏接劑6b由上述熱予以硬化，而接合上述1C晶片1與上述電路基板4以電氣連接兩電極2, 5。又，本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I !! I i — — — — — — — — (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 45 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（43) 在由超音波施加裝置620予以上述金屬接合時，自上述1(：晶片1之上述上面側，或自上述基板側，或自上述IC晶片i 側及上述基板側雙方予以加熱亦可。具體言之，亦即由内藏加熱器622自上述1C晶片1之上述上面側予以加熱，或自基板側將電路基板4側由載物台9之加熱器9a予以加熱，或由内藏加熱器622及載物台9之加熱器9a自上述1C晶片！側及上述基板雙方予以加熱亦可。又，每一凸起需要20gf以上施加壓力之理由，乃在於如是使用超音波之接合，亦由於不易產生摩擦熱而無法接合所致。就是金與金接合時，亦藉入所定負荷推壓凸起並同時施加超音波以產生磨擦熱而使金屬互相接合。因此，此時亦需推壓凸起程度之所定負荷即每一凸起20gf以上之施加壓力。施加壓力之一例則為每一凸起5〇gf以上。依據上述第四實施形態，由於金屬凸起3與基板4之金屬鍍金係被金屬擴散接合，故適於促使凸起部份更具強度或促使連接電阻值更為降低。 (第五實施形態）茲就本發明第五實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板之電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第8A〜8C圖與第9A〜9C圖加以說明。第五實施形態係可省略封止工程而異於第一實施形態。如上述在1C晶片1上之電極2預先形成突起電極（凸起 )3，及在電路基板4如第8B，8C，9A及23圖所示，將比連本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----T-------I i — — — — — — — — — — — I (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 46 478078 A7 B7 五、發明說明（44)

接1C晶片1之多數電極2内端緣所成大略矩形之外形尺寸 0L更小形狀尺寸之矩形薄片狀各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b貼接或塗敷於連接電路基板4之電極5所成 • 中心部位。此時將薄片狀之各向異性導電膜片10或熱硬化性黏接劑6b之厚度體積設成比1C晶片1與基板4間隙更大。再藉第23圖之貼接裝置640，將自捲回滾筒644予以捲回並由捲取滾筒643予以捲取之矩形薄片狀各向異性導電膜片 656，於其預先被設有段落裂隙657部份由上下切割機641 予以切成比將連接1C晶片1之多數電極2内端緣所成大略矩形之外形尺寸更小形狀尺寸。所切成矩形薄片狀各向異性導電膜片10則由以内藏加熱器646預先加熱之貼接頭642予以吸住保持，而被黏貼於連接上述電路基板4之電極5所成中心部位。其次，將凸起3與電路基板4之電極5對正，如第8A及9B圖所示’藉經加熱器8a予以加熱之接合工具8將 1C晶片1施壓推向電路基板4，邊端正基板4之彎曲邊使介裝於1C晶片1與電路基板4間之各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b硬化。此時，各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b即藉自接合工具8經1(：晶片i予以施加之熱如上述軟化，並由被如第9C圖所貼接或塗敷之位置予以施壓而向外側流出。該流出之各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b即成封止材料（未充滿），可顯著地提昇凸起3與電極5之接合信賴性《又，經所定時間後，上述各向異性導電膜片10或熱硬化性黏接劑6b逐漸進行硬化，最後由硬化之樹脂6s促使1C晶片1與電路基板4接合。且藉將推壓IC 請先 Μ 讀 .背面之注意事項 I k 頁訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ------ —_B7 _ 五、發明說明（45 ) 晶片1之接合工具8予以上提而完成1(：晶片丨與電路基板4之電極5之接合。嚴格說之，熱硬化時，熱硬化性樹脂之反應即在加熱中進行，隨著接合工具8之上提流動性幾乎變無。藉如上述方法，由於接合前各向異性導電膜片ι〇或熱硬化性黏接劑6b並未被覆於電極5 ,故接合時凸起3直接接觸於電極5，於電極5下不會侵入各向異性導電膜片ι〇或熱硬化性黏接劑6b，而可減低凸起3與電極5間之連接電阻值。又如將電路基板側予以加熱，則可減低接合工具8之溫度。且如將本方法適用於上述第三實施形態時，可更加容易地進行金凸起與電路基板之金電極（例如將銅或鎢予以鍍鎳，鍍金者）之接合。 (第六貫施形態）繼之，參照第10〜11圖說明第六實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置。在第六實施形態與第一實施形態相異之點係在將凸起103錯位安裝於電路基板4之電極5時，亦可達成高信賴性之接合。在第六實施形態乃如第1 〇 A圖所示，將凸起3形成於1C 晶片1上時係與引線接合一樣將金線95藉電火花形成金球粒96。其次於進行電火花時間内調整球粒之大小以形成95a 所示直徑(|)d — Bump之球粒96a，再將如此形成直徑(j>d — Bump之球粒96a，藉控制電火花發生時間或電壓參數，以形成倒稜角0為1〇〇。以下之由毛管193之93a所示倒稜直徑本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 48 卜丨----------SW------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 -_— _B7__ 五、發明說明（46 ) ΦΙ)呈金球粒直徑d—Bump之1/2至3/4之球粒96a，且並非如第10C圖所示在毛管93與金球粒接觸部位設置平坦部位 93b以形成第i〇d圖所示凸起，乃是以具如第l〇A圖所示與金球粒96a接觸部份未設置平坦部位之尖端部位193a之呈尖端形狀毛管193，在1C晶片1之電極2藉超音波熱壓予以形成如第10B圖所示凸起103。而如此採用上述尖端形狀毛管193即可在1C晶片1之電極2形成如第10B圖之b所示突端大略呈圓錐狀之凸起103。則將由上述方法形成之突端大略呈圓錐狀之凸起103如第11C圖所示錯位安裝於電路基板4之電極5時，亦由於凸起103突端大略呈圓錐狀，故只要錯位於凸起103外徑一半之範圍内，該凸起1〇3之一部份定會接觸於基板4之電極5。針對之，第11D圖所示凸起3如錯開如第lie圖之尺寸 Z被安裝於電路基板4之電極5時，則如第11E圖所示僅幅度尺寸d之所謂台座3g—部份會接觸於電極5，卻僅部份接觸而呈接觸狀態不穩定之接合。如以此種不安定接合狀賤將如此基板4送進冷熱衝擊試驗或反流時，乃有上述不穩疋接合狀態之接合斷開呈接合不良之可能性。對此在第六實施形態雖如第11C圖所示突端大略呈圓錐狀之凸起丨〇3 被錯開尺寸Z而安裝於電路基板4之電極時，亦由於凸起 103為圓錐狀，致錯位於凸起103外徑一半之範圍内，該凸起103—部份定會接觸於基板4之電極5 ,故送進冷熱衝擊試驗或反流時可防止其呈接合不良。 (第七實施形態）本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ·1111111· (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 49 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（47) 其次’就第七實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述IC晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第12〜13圖予以說明。本第七實施形態係為在第一實施形態之對於電路基板4接合1C晶片1後之熱硬化性樹脂硬化處理時，可緩和1C晶片1與電路基板中之應力者。第七實施形態乃介設無機填料6f調配於絕緣性硬化性樹脂6m所成固體或半固體各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b，而將由引線接合形成於ic晶片1之電極2之凸起3，不予整平即對正於電路基板4之電極5。且以加熱至例如230°C左右所定溫度之工具8將1C晶片1自其背後予以加熱’並將1C晶片1如為陶瓷基板時以每一凸起pi = 8〇gf壓力以上之施加壓力予以推向於上述電路基板4，以端正上述基板4之彎曲，及藉上述熱促使介裝於上述1(：晶片丨與上述電路基板4間之上述各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b硬化。其次，經所定時間^後，亦即設全部時間例如為2 0秒知時’雖依材料反應率而異’經其1 /4或1 /2之5 〜10秒鐘後，換言之，在材料反應率到達9〇%之前，將上述壓力P1降至較低壓力P2以緩和熱硬化性黏接劑6b硬化時之應力’而將上述1C晶片1與上述電路基板4予以接合並電氣連接兩電極2，5。最佳，為促進凸起變形最低限度需要20gf左右’亦即為獲得凸起變形及順應所需壓力，以及為將多餘樹脂自1C晶片1與基板4間予以擠出，將上述壓力本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ^— — — 1 — — — — — — — ·1111111 — — — — — — — —— (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 50 478078 A7 B7 煙濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（48) P1設為20gf/每一凸起以上同時，為除去凸起變形前已偏在於樹脂内部之硬化歪斜，將上述壓力P2設為2〇gf/每一凸起以下，而可更加提昇信賴性。其理由之詳細則如下述。即如第12圖所示，各向異性導電膜片10或熱硬化性黏接劑6b中之熱硬化性樹脂之應力分佈係在壓接時於IC晶片j 與基板4側呈較大。如此，由於信賴性試驗或通常之長期使用被反覆賦予疲勞時，在1C晶片1或基板4側有時各向異性導電膜片1〇或熱硬化性黏接劑6b中之熱硬化性樹脂耐不住應力而剝離。如變成此種狀態，由於1C晶片1與電路基板4之黏接力不充份致接合部位會脫開。於是如第13圖，藉採用較高壓力P1 與較低壓力P2之兩階段壓力輪廓而可在熱硬化性黏接劑 6b硬化時自上述壓力P1下降至較低壓力P2，如第12D圖於壓力P2時除去偏在於樹脂内部之硬化歪斜以緩和1C晶片1 與電路基板4之應力（換言之，可減低應力集中程度），然後再提高至上述壓力P1而可獲得凸起變形及順應所需壓力同時，並能將多餘之樹脂自1C晶片1與基板4之間予以擠出以提昇信賴性。又，上述「1C晶片1與電路基板4之黏接力」乃是將1C 晶片1與基板4予以互相拉引之力量之意。這是指藉黏接劑之黏接力，將黏接劑予以硬化時之硬化收縮力，Z方向之收縮力（例如加熱至1 80°C之黏接劑回復至常溫時收縮之收縮力）之三種力量使1C晶片1與基板4互相結合。 (第八實施形態）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 51 --------------裝—— (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 訂： •-線- 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（49) 茲就第八實施形態有關對於電路基板之電子零件例如 1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1(：晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體 • 裝置參照第12〜13圖加以說明。本第八實施形態係為將上述各實施形態之調配於上述絕緣性樹脂6m之上述無機填料bf平均粒徑設成3//m以上者。唯上述無機填料6f之最大平均粒徑則被規範於不超過1C晶片1與基板4接合後之間隙尺寸。若將無機填料6f調配於絕緣性樹脂6m時，以無機填料6f而採用平均粒徑未滿3 // m之微細粒子，則該等粒子全部表面積較大，致在平均粒徑未滿3 之微細粒子無機填料6f周圍有時吸濕，對於IC晶片丨與基板4之接合不妥宜。因此，欲調配相同重量之無機填料矸時，藉採用平均粒徑3# m以上大之無機填料6f乃可減低無機填料6f周圍之吸濕量以提昇耐濕性。又，通常平均粒徑（換言之為平均粒度）較大無機填料較價廉，故對於成本亦較宜。且，如第24A圖所示，在1C晶片丨與基板4之接合採用 I 知之 ACF(Anisotropic Conductive Film :各向異性導電膜）598工程方式時，係需要將ACF 598中之導電粒子599 挾住於凸起3與基板電極5之間同時，亦須將直徑3〜5ym 之導電粒子壓碎至直徑1〜3/zm以發揮導電性。但在本發明之上述各實施形態，雖有導電粒子i 〇a亦不一定需要挾住於凸起3與基板電極5之間，由於如第24B圖所示將凸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ί 丨 7-丨·|丨|_| ·!-丨丨__ 訂·ί 丨丨 _丨_ - (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 52 Α7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（50) 3以基板電極5予以壓潰進行壓接，故在壓接時與凸起3及基板電極5間之各向異性導電層-起該無機填料6f亦自凸起3與基板電極5間脫出，致基於幾乎不會產生基板電極 5與凸起3間挾住不需要之無機填料6f所致導電性阻礙之特徵而可使用3 # m以上大平均粒徑之無機填料6f。即，在本實施形態，萬-導電粒子1Ga未被挾住於凸起3與基板電極之間而直從3〜5 // in導電粒子1 〇a被壓碎至直徑1 〜3//m亦未發揮導電性時，由於將凸起3以基板電極5予以壓凊壓接促使凸起3直接電氣性接觸於基板電極5並獲得電氣導電性，故能不成問題地不受無機填料之影響以提昇信賴性。亦即，上述導電粒子1〇a在凸起3與基板電極5之直接接合，被挾住於凸起3與基板電極5時，可奏出促使基板側電極5與1C晶片側凸起3間之連接電阻值減低之附加效果。 (第九實施形態）接著’參照第25，26圖說明本發明第九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元及組件例如半導體裝置。第25，26圖分別為由上述第九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如IC晶片之安裝方法及裝置製造接合狀態之模式剖面圖及當時所使用各向異性導電膜片10之部份擴大模式剖面圖。本第九實施形態乃是將上述各實施形態之調配於上述各向異性導電層10之上述絕緣性樹脂6m之上述無機填料6f，以具多本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ^--------^---------^ {請先閲讀脅面之注意事項再填寫本頁) 53 478078 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印剎π

五、發明說明（51 ) 數相異平均粒徑之無機填料6f-l，6f-2予以形成者。具體例以具〇·5 # m平均粒徑之無機填料及具2〜4 # m平均粒栌之無機填料為之。二依據上述第九實施形態，係藉將具多數相異平均粒經之無機填料6f-l，6f-2混合於絕緣性樹脂6m，而可增加混合於絕緣性樹脂6〇1之無機填料訐量，以減低無機填料周圍之吸濕量並提昇耐濕性同時，呈易於薄片化（固體化）。即，以重量％加以考量時，比及一種無機填料將粒徑相異無機填料予以混合加入，較能增加單位體積之無機填料量。藉此，將作為封止薄片對於各向異性導電膜片1〇或各向異性導電膜形成用黏接劑6b之無機填料“調配量予以增加，而可減低各向異性導電膜片10或各向異性導電膜形成用黏接劑6b之線膨脹係數，予以更加長壽化以提昇信賴性。 (第十實施形態）其次，在本發明第十實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，為促進上述第九實施形態之效果更加確疋’係將具上述多數相異平均粒徑之無機填料bf· 1，bf-2 田中之一方無機填料6f·1平均粒徑設成與另方無機填料bf-2平均粒徑相差兩倍以上者。其具體例則以具〇 m平均粒徑之無機填料與具2〜4/i m平均粒徑之無機填料為之。藉如此構成’乃可更加提昇在上述第九實施形態之效果。亦即’藉將具一方無機填料1)广1平均粒徑相異於另方

本紙張尺度顧㈣_群（CNS)A4規格_ 297公釐） il.4 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) I I ^ ·1111111 . 54 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（52) 無機填料bf-2兩倍以上之多數相異平均粒徑之無機填料bf-1，bf-2混合於絕緣性樹脂6m，而可更為確實地增加混合於絕緣性樹脂6m之無機填料bf量，變為容易予以薄片化( 固體化），而增加對於各向異性導電膜片1〇或各向異性導膜形成用黏接劑6b之無機填料6f調配管，俾使各相異性導電膜片6b或各相異性導電膜形成用黏接劑6b之線膨脹係數更為減低’予以長壽化以提昇信賴性。 (第十一實施形態）繼之，本發明第十一實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，為促使上述第九實施形態之效果更為確貫’上述調配於絕緣性樹脂6m之上述無機填料6f乃是具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料6f_i , 6f-2，且以上述至少兩種無機填料中之一方無機填料6f-1具超過3以m 平均粒徑，上述至少兩種無機填料中之另方無機填料6广2 具3 # m以下平均粒徑較宜。具體例則以具〇·5以m平均粒徑之無機填料與具2〜4 // m平均粒徑之無機填料為之。 (第十二實施形態）接著，本發明第十二實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，係將上述各實施形態中，調配於上述絕緣性樹脂6m之上述無機填料計以具多數相異平均粒徑之 ------I----裝！ —訂！ 1·線 {請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ----——--- 五、發明說明（53 ) 至少兩種無機填料6fM，6f_2為之，且將上述至少兩種無機填料中之平均粒徑李交大一方無機填料6f韻與上述絕緣性樹脂6m相同材料予以構成，故可奏出應力緩和作用。具體例乃以具0.5 v m平均粒徑之無機填料及具2〜4 #爪平均粒徑之無機填料為之。依據本第十二實施形態，除具第九實施形態之作用效果外，更由於平均粒徑較大一方無機填料6广1係由與上述絕緣性樹脂6m相同材料所構成，故當應力作用於上述絕緣性樹脂6m時，平均粒徑較大一方無機填料6{^即與上述絕緣性樹脂6m呈一體化，而可奏出應力緩和作用。 (第十三實施形態）繼之本發明第十二貫施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上朮1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，係將上述各實施形態，其調配於上述絕緣性樹脂6m之上述無機填料計以具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料6f-l，6f-2為之，具上述至少兩種無機填料中之平均粒徑較大一方無機填料6以比及上述絕緣性樹脂6m之環氧樹脂更柔軟，並藉壓縮上述一方無機填料 6f-l而可奏出應力緩和作用。依據本第十三實施形態，除具第九實施形態之作用效果外，由於平均粒徑較大一方無機填料6fW以與上述絕緣性樹脂6m相同材料所成，且當應力作用上述絕緣性樹脂6m 時，該平均粒徑較大一方無填料6f-1比及上述絕緣性樹脂 I ;-111!--i — — — — — — — — — — — ι (請先M讀臂面之注意事項再填寫本頁)

478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（54) 6m之環氧樹脂更柔軟，並因上述應力致上述一方無機填料6f-l如第27圖所示被壓縮，而在其周圍對於壓縮之反作用力之拉力即呈分散，故可奏出應力緩和作用。 (第十四實施形態）其次，本發明第十四實施形態有關封於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及由上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，更如第28A，28B及29A，29B，30及31 圖所示，可將上述各向異性導電層10之接觸於上述IC晶片 1或上述基板4之部份700或層6x形成呈其上述無機填料量較其他部份701或層6y為少，或不予調配上述無機填料6f 。此時，則如第28A，28B圖所示，可將接觸於上述ic晶片1或上述基板4之部份700不必與其他部份701或層6y明確地予以區別而使無機填料量徐徐變化，或如第29A，29B ’ 30圖及3 1圖所示予以明確區別亦可。即，在第29A，29B ，30及31圖上述各向異性導電層1〇係具有：被定位於與上述1C晶片1或上述基板4接觸部份且將上述無機填料6f調配於與上述絕緣性樹脂6m相同之絕緣性樹脂所成之第一樹脂層6x，及接觸於上述第一樹脂層6x且由無機填料量較上述第一樹脂層6x為少，或未調配上述無機填料6f之上述絕緣性樹脂所構成之第二樹脂層6y，而尚可形成為多層構造〇如此，乃可奏出如下效果。即，若將上述無機填料6f 以與各向異性導電層全體重量相同百分比（wt%)予以添加本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 111!! -裝！ — 訂·！ I! — !線 (請先M讀脅面之注意事項再填寫本頁) 57 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（55) 時，有時無機填料在1C晶片側或基板側或其兩方對向面近傍呈現較多，且1C晶片1與基板4間之中間部份反而較少。其結果，由於1C晶片或基板側或其雙方對向面近傍無機填料6f較多，各向異性導電層1〇與1(：晶片i或基板4或其雙方間之黏接力時會減低。唯，如依據上述第十四實施形態，藉接觸於上述1C晶片1或上述基板4中任一方之部份7〇〇或層6x之上述無機填料量較其他部份7〇1或層6y為少，或不予調配上述無機填料6f，而可防止因無機填料量過多所致之黏接力降低。以下，再就本第十四實施形態之種種變形例加以說明〇首先，以第一變形例言之，如第28C，29C及32A圖所示，上述各向異性導電層1〇係可將其分別與上述IC晶片1 及上述基板4雙方接觸部份700之無機填料量形成較其他部份701為少，或亦可不予調配上述無機填料6f。此時，如第28C圖所示，乃可將接觸於上述IC晶片1及上述基板4之雙方部份700與其他部份701不予明確區別徐徐變化其無機填料量，或如第29C及32A圖所示予以明確區別亦可。即，在第29C及32A圖，上述各向異性導電層10於第一樹脂層6x之隔第二樹脂層6y更外側更具有由無機填料量較第一樹脂層6x為少，或未調配上述無機填料6f之上述絕緣性樹脂所成第三樹脂層6z而呈多層構造，且上述第一樹脂層6x 與上述第三樹脂層6z亦可形成分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ΓΙΙ1 — — — — — — — i — — — — — — ^« — — — — — — 1— (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 58 478078 經·濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（56) 又’以另別變形例言之，接觸於上述1C晶片1或上述基板4或分別接觸於雙方之部份7〇〇，係可將其上述無機填料量形成未滿於2〇wt%，或不予調配上述無機填料6f同時 '’上述其他部份701之上述無機填料量則可形成為20wt% 以上。此時，如第28A，28B，28C圖所示，可將接觸於上述1C晶片1或上述基板4或雙方之部份7〇〇與其他部份7〇1不予明確區別而徐徐變化其無機填料量，亦可如第29a，29B ’ 29C ’ 30，31及32A圖所示予以明確地區別。即，上述第一樹脂層6x或上述第一樹脂層6χ與第三樹脂層6Z，其上述無機填料量可設成未滿於2〇wt%，或不予調配上述無機填料6f同時’上述第二樹脂層6y之上述無機填料量則可設成20wt°/〇以上。舉一具體例，上述第二樹脂層6y以熱硬化性環氧樹脂為絕緣性樹脂6m時，如是陶瓷基板則設為5〇wt%，如是環氧玻璃基板乃設為20wto/〇。又以一例，係將第一樹脂層 6x或第三樹脂層6z或其雙方之厚度設為15//m，並將第二樹脂層6y之厚度設為40〜60/zm。又，上述各向異性導電層10之厚度則被設成較1C晶片1與基板4接合時之間須尺寸更大之尺寸，以便1C晶片1與基板4接合時可完全填滿IC晶片1與基板4之間，俾使接合更加確實。又，以其他變形例言之，亦可將無機填料之調配量設為與第28C，29C及32A圖所示變形例相反。即如第md圖所示，可將上述各向異性導電層10分別接觸於上述1(：晶片 1及上述基板4之雙方部份703之中間部份7〇2設成其上述無 — — — — — — — — — — — — — ^ i — — — — — — ^» — — — — 1 — 1 (請先閱讀脅面之注意ί項再填寫本頁>

-59 - 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（57) 機填料量比分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4之雙方部份703為少，或不予調配上述無機填料6f。此時乃可將接觸於上述1C晶片1或上述基板4或雙方之部份703與其中間部份702不予明確區別地徐徐變化其無機填料量，或如第 29D及32B圖所不予以明媒地區別亦可。即如第29D及32B 圖所示，上述各向異性導電層10亦可形成為具：由定位於接觸上述1C晶片1及上述基板4部份且調配上述無機填料6f 之上述絕緣性樹脂所構成之第四樹脂層6v，以及由定位於上述1C晶片1與上述基板4之中間部份且上述無機填料量較上述第四樹脂層6v為少或未含無機填料6f之絕緣性樹脂 6m所構成之第五樹脂層6w。如是，上述1C晶片1及上述基板4之中間部份702或上述第五樹脂層6w由於比分別接觸於上述ic晶片1與上述基板4之部份703或上述第四樹脂層6v，其上述無機填料量較少或或未予包含，故彈性度變低而可奏出應力緩和效果。又’以分別接觸於1C晶片1與上述基板4之部份703或上述第四樹脂6v之絕緣性樹脂而選擇對於上述1(：晶片1與上述基板4黏接力較高者予以使用時，則在接觸於上述IC晶片1 之部份703或上述1C晶片1近傍部份之上述第四樹脂層6乂可盡量接近1C晶片1之線膨脹係數地選擇無機填料之調配量或材料同時，在接觸於上述基板4之部份703或基板4近傍部份之上述第四樹脂層6v可盡量接近基板4之線膨脹係數地選擇無機填料6f之調配量或材料。其結果，接觸於上述1C晶片1之部份703或上述1C晶片1近傍部份之上述第四本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) -· i_Bi 1· i·— Αϋ 1 I 1« 一0J· ammam an A— 辱· 60 478078 經杳部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58) 樹脂層6v與1C晶片1之線膨脹係數相接近，致不易發生兩者間之剝離同時，接觸於上述基板4之部份703或基板4近傍部份之上述第四樹脂層6v與基板4之線膨脹係數相接近 ’致兩者間不易發生剝離。又，如第33 A，33B圖之以實線所示，上述各向異性導電層10亦可將上述無機填料量設為自接觸於上述IC晶片或上述基板1之部份向另外部P2徐徐或階段性地趨少。又，如在第33C，33D圖以實線所示，上述各向異性導電層10亦可將上述無機填料量設為自分別接觸於上述IC 晶片1與上述基板4之部份P3，P4向另外部份，即ic晶片1 與基板4之中間部份P5徐徐或階段性地趨多。又’如第33E圖以實線所示，上述各向異性導電層1〇亦可將上述無機填料設為自分別接觸於上述IC晶片1與上述基板中之部份（相當於第28D圖變形例之接觸部份7〇3之部份）向上述1C晶片1與上述基板4之中間部份（相當於第 28D圖變形例之中間部份702之部份）徐徐趨少。又，如第33F圖以實線所示，上述各向異性導電層1〇亦可將上述無機填料量設為以上述IC晶片1近傍部份，接著上述基板4近傍部份，接著上述IC晶片丨近傍部份與上述基板4近傍部份之中間部份之順序予以趨少。而在第33f 圖’雖例示上述無機填料量以上述順序徐徐地變化，唯並非限定於此，亦可使其階段性變化。則形成如上述第33E，33F圖之變形例，由於上述IC 晶片1及上述基板4之中間部份比分別接觸於上述1(：晶片i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） II--— — — — — — — — — ^ ills — ^»—— — — —1 — (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 61 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（59) 及上述基板4之部份其無機填料量較少或未予包含，致彈性率變低而可奏出應力緩和效果。又，以分別接觸於上述 1C晶片1及上述基板4部份之絕緣性樹脂如選擇對於1(：晶片 1及基板4具較高黏接力者加以使用時，在接觸於IC晶片之部份可盡量選擇接近於1(：晶片1線膨脹係數之無機填料6f 調配量或材料同時，在接觸於基板4之部份亦盡量選擇接近於基板4線膨脹係數之無機填料6£調配量及材料。以此觀點而決定無機填料6f之調配量時，通常如第33F圖以實線所示’上述無機填料量可以自上述IC晶片1近傍部份，接著上述基板4近傍部份，再接著上述IC晶片1近傍部份與上述基板4近傍部份之中間部份之順序予以趨少。藉形成如此構造，由於接近於1C晶片1部份與IC晶片1之線膨脹係數相接近’致兩者之間不易產生剝離同時，由於接觸基板 4部份與基板4之線膨脹係數相接近，故兩者之間不易產生剝離。第33A〜F圖之任何情形，實用上將上述無機填料量設於5〜90wt%較佳。因為未滿5wt%時混合無機填料6{*並無意義，而超過90wt%又會致使黏接力極端下降，並因難薄片化甚為不妥宜。且，以如上述多數樹脂層6x，6y*6x，6y , 6z所構成多層構成之膜作為各向異性導電層加以使用而將IC晶片1 熱壓於基板4時’由於接合時之熱會導致絕緣性樹脂6rn溶解軟化並混入上述樹脂層，故最後各樹脂層呈無明確之境界，變為如第33圖之傾斜無機填料分佈。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ul^llllm i — — — — — — ^» — — — — — 1 — —^^wi (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 62 478078

f M-濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，在第十四實施形態或各變形例，具無機填料針進入之部分或層之各向異性導電壓，或無機填料分佈呈傾斜之各向異性導電層，亦可對應上述部份或樹脂層使用不同之絕緣性樹脂。例如接觸於IC晶片丨之部份或樹脂層，針對1C晶片表面所使用膜原料乃可使用能促進密接性提升之絕緣性樹脂同時，接觸於基板4部份或樹脂層則可使用對於基板表面材料能提昇密接性之絕緣性樹脂。依據上述第十四實施形態及該等之上述種種變形例，由於1C晶片1或上述基板4與各向異性導電層1〇之接合界面並不存在無機填料6f或甚少量，致絕緣性樹脂可發揮其本來之黏接性，且在上述接合界面黏接性較高之絕緣性樹脂變夕’可提昇1C晶片1或上述基板4與絕緣性樹脂6m之密接強度同時，亦可提昇與IC晶片丨或上述基板4之黏接性。而藉此，可提升在各種信賴性試驗之壽命同時，亦可提升對於彎曲之耐剝離強度。若’對黏接本身並無貢獻卻具可降低線膨脹係數效果之無機填料6f均勻分散於絕緣性樹脂6m中時，無機填料6f 即接觸於基板4或1C晶片表面，提供黏接功能之黏接劑量減少’會招致黏接性之下降。其結果，如IC晶片丨或上述基板4與黏接劑之間產生剝離時，自該處乃會侵入水份，形成1C晶片1之電極腐蝕之原因。又，自剝離部份進行剝離時’ 1C晶片1與上述基板4之接合則呈不良，致電氣性連接亦呈不良。針對之，依據上述第十四實施形態或該等之上述種種本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） Μ--------^---------^ (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 63 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（61) 變形例，乃如上所述，可依舊具有無機填料針所導致線膨脹係數下降效果卻又能提昇黏接力。且藉此可提昇與IC晶片1及上述基板4之密接強度，並提昇信賴性。

' 又’如將無機填料6f較少份7〇〇或樹脂層6x配置於IC 晶片側時，或將1C晶片側之無機填料分佈變疏時，該部份 700或樹脂層6x對於1C晶片表面之由四氮化三石夕或二氧化石夕所或鈍化膜則可提升密接力。又，對於該等IC晶片表面所用原料亦可適當地選擇使用能提昇密接性之絕緣性樹脂。又，藉將1C晶片近傍之彈性率予以減低，乃能緩和各向異性導電層例之封止薄片材料中之應力集中。基板4所使用材料如與陶瓷一樣硬（彈性率高），且如採用此種構造時，即與基板近傍封止薄片材料之彈性率，線膨脹係數甚多配合’而更加適宜。另’如將無機填料酐較少部份700或樹脂層6x配置於基板側時，或將基板側之無機填料分佈變疏時，如同樹脂基板或撓性基板（FPC)等基板被施加彎曲，將基板4組裝於電子機器之框體被施加彎曲應力時，乃可以提昇基板4與各向異性導電層例之封止薄片材料之密接強度為目的加以使用° 1C晶片側表面層如是由聚酰亞胺膜所成保護膜予以形成’且一般絕緣性樹脂之密接性良好不成問題時，如自 1C晶片1至基板4將彈性率及線膨脹係數予以連續或階段性變化’則可構成封止薄片在IC晶片側呈硬在基板側呈柔軟之材料。並藉此由於封止薄片内部應力發生較小致可提昇信賴性。本纸張尺度朝中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） .-------I----: — --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 64 478078 經潜部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（62) 又’在1C晶片側及基板側之兩側配置無機填料6f較少部份700或樹脂層6x，62時，或在IC晶片側及基板側之兩側使無機填料分佈變疏時，係為將IC晶片側及基板側之兩種情形予以兩立者，乃可促使IC晶側及基板側雙方之密接性提昇同時’尚可降低線膨脹係數而以高信賴性將IC晶片 1及基板4兩者予以連接。又，對應IC晶片側表面之材質及基板材質，亦可選擇使用黏接性及樹脂塗敷性更為良好之絕緣性樹脂。又，由於該等無機填料6f之多或少之傾斜係可自由予以變換，故藉將無機填料6f較少部份或層形成或極薄，而可與基板材料適當配合。 (第十五實施形態）其他，在本發明第十五實施形態，就上述第八〜十四實施形態及該等變形例有關對於電路基板之電子零件例如 ic晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將Ic晶片女裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導趙裝置所使用之各向異性導電層製造工程參照第34，35圖加以說明。首先’欲在電路基板4上直接形成各向異性導電層時 ’係在電路基板4上黏貼第一樹脂片，再於其上黏貼第二树脂片。此時’第一樹脂片如較多無機填料6f時即呈如第 28A或30圖之情形，反之則呈如第283或31圖之情形。亦即前者時，第一樹脂片乃是對應於上述無機填料6f較多部伤701或第一樹脂層6y之樹脂片，後者時，則對應於上述無機填料6f較少部份700或第一樹脂層6χ之樹脂片。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !!! -裝·！！| 訂·！ I! · (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 65 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（63) 又，在第二樹脂片上更形成第三樹脂片，且第一樹脂片及第三樹脂片對應於無機填料6f較少部份700或第一樹脂層6x時，.係呈如第28C或32A圖之情形。又，如第34，35圖所示，將此等預先在所謂阻離物之帶基薄膜672上，使第一樹脂片673及第二樹脂片674以此順序（第34，35圖僅表示此種情形），或與此反順序，或連第三樹脂片一起予以貼接而形成亦可。此時，如第34，35 圖所示，以上下一對可加熱滾筒670，270等將多數樹脂片 673，674依需加熱予以黏貼。然後將所形成樹脂片體671 以所定尺寸予以裁剪，即呈第28A〜C，29A〜C，30〜32 圖之任一所示之上述各向異性導電膜片1〇。又’以另外變形例言之，欲製作各向異性導電膜片1〇連續之各向異性導電膜片體時，乃將溶解於溶劑之環氧或無機填料藉刮刀法等塗敷於所謂阻離物之帶基薄膜上。而將該溶劑予以乾燥即可製成各向異性導電膜片體。此時，一旦將無機填料6£濃度較低，或未添加茶機填料6f之液體狀絕緣性樹脂以第一層予以塗敷於帶基薄膜上，並有時對該塗敷之第一層進行乾燥。如不予乾燥時，第一層之無機填料6f即會若干混進於第一層，而如第33圖所示’無機填料分佈呈傾斜構造。在上述塗敷形成之第一層上，將較第一層多混入無機填料6f之液體狀絕緣性樹脂予以塗敷以形成第二層。並藉乾燥第二層，而可形成在帶基薄膜上具第一層及第二層之兩層構造各向異性導電膜片體。且將各向異性導電膜片體 k紙張尺財國國家標準（CNS)A-4規格⑽χ29 1 I I ^----·!丨丨！訂--— — — — — — (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 66 A7

經，濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（64) 以所定尺寸予以裁剪，即成第28A，29A，30圖所示之上述各向異性導電膜片10。又’欲在基板側配置無機填料6f較少層時，與上述工程相反’亦即在帶基薄膜上形成第二層後，在第二層上形成第一層’而可製成兩層構造各向異性導電膜片體。復將各向異性導電膜片體以所定尺寸予以裁剪，即成第28B , 29B，31圖所示之上述各向異性導電膜片1〇。又旦將無機填料6f濃度較低，或未添加無機填料 6f之絕緣性樹脂6111以第一層予以塗敷乾燥（有時省略之），再於第一層上塗敷無機填料6f較第一層多混入之絕緣性樹脂以形成第二層並予以乾燥（有時省略之），復於其上再塗敷無機填料量較第二層為少或無之第三層。且藉將之予以乾燥’而可構成在帶基薄膜之形成第一層及第二層及第三層之三層構造各向異性導電膜片體。如將該各向異性導電膜片體以所定尺寸予以裁剪，則成第28C，29C，32A圖所示之上述各向異性導電膜片10。依據上述直接在電路基板4上形成各向異性導電層之方法，在上述電子零件單元之製作側，就上述各向異性導電層可選擇最適合電子零件之材料樹脂配置於電子零件側同時，亦可選擇最適合於基板之材料樹脂配置於基板側，而藉此提高計樹脂之選擇自由度。針對之，各向異性導電膜片體之製造方法雖無上述程度之選擇自由度，唯可統括製造多數上述各向異性導電膜片10，而除製造效率良好成本低廉之外，更以一台貼接裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 67 — — — — — — —— — — — — — ·1111111 ·11111111 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A7 B7 五、發明說明（65) 置即能充份夠用。如上述，依據本發明之上述各實施形態，係可刪除習知為將電子零件例如1C晶片與電路基板予以接合所需之許多工程，而能非常地提昇生產性。即，例如以習知例加以記載之凸起嵌入接合或凸起焊接之接合，經翻轉片接合後需要注入封止材料並進入間歇式烘爐加以硬化。此種封止材料之注入則每一個需要數分鐘，並封止材料之硬化亦需 2到5個小時。又，於凸起嵌入接合安裝之前工程，乃需將 Ag糊漿轉印於凸起，並將此裝載於基板後，再硬化八㊁糊漿之工程。此工程亦須兩個小時。針對之，上述實施形態之方法係可刪除上述封止工程，能非常地提昇生產性。且上述實施形態藉利用固體或半固體絕緣性樹脂之封止片等 ’變為能採用例如分子量較大環氧樹脂，故能以1〇〜2〇秒左右短時間即完成接合，以謀圖縮短接合時間，同時更加提昇生產性，而奏出如下效果。 (1)形成凸起將凸起以電鑛予以形成之方法（習知例3 )，係需由半導體製造商進行專用之凸起形成工程，且除所限定之製造商外並無法形成凸起。但，依據本發明之上述實施形態，藉引線接合裝置即能使用泛用之引線接合用1C晶片，而該 1C晶片較易取得。其可使用泛用之引線接合用1(：晶片之理由乃在如是引線接合，則可使用引線接合裝置或凸起接合裝置於形成有A1襯墊之通常1C晶片形成凸起所致。另，欲藉將凸起以電鍍予以形成之方法（習知例3)以形成電鍍凸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）丨丨丨—丨__丨丨丨丨訂·丨丨丨__丨！ (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 68 ------------Β7_ 五、發明說明（66) 起時，係在Α1襯墊上形成Ti，Cll，Cr等勢疊金屬後以旋轉塗裝將保護膜予以塗敷，並經曝光僅於凸起形成部穿孔。且對此予以通電，而在該孔部進行Au等所成之電鍍即完成。因此’欲形成電鍍凸起則需大規模之電鍍裝置或氰化物等危險物品之廢液處理裝置，故在進行通常組裝工程之工廠，實際上無法實施之。又，比及習知例1之方法，在所謂導電性黏接劑轉印之不安定轉印工程為促使黏接劑轉印量穩定所需之凸起整平作業即呈不需要，而該整平工程用之整平裝置亦不需要。其理由乃在將凸起予以推壓並在基板電極上予以壓潰，致不需預先僅將凸起予以整平。經濟部i曰慧財產局員工消費合作社印製又’上述實施形態如下予以進行，則雖將凸起1〇3錯位安裝於電路基板4電極5，亦可達成高信賴性之接合。即，將凸起3形成於1C晶片1上時如同引線接合將全線由電火花予以形成金球粒96a。其次，形成為以95a表示之直徑(|)d-Bump 之球粒96a，將此之以倒稜角0c為100。以下毛管193之93 a 所表示倒稜直徑φ(1設成金球粒96a之直徑d-Bump之1/2至 3/4，且以尖端形狀呈毛管ip〗與金球粒96a接觸部份未設置平坦部位之毛管193藉超音波及熱壓在1C晶片1之電極2 形成凸起103。而由於使用上述形狀之毛管193乃可在1(：晶片1之電極2形成如第10B圖之尖端大略圓錐狀之凸起1〇3 。將上述方法形成之凸起1〇3如第11C圖錯開Z尺寸安裝於電路基板4之電極5，亦由於凸起103尖端為大略圓錐狀，致錯開尺寸在凸起103外徑一半之範圍内，凸起103 一部份本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 69 478078 五、發明說明（67) 必能接觸於基板4之電極5。而習知凸起3於第UD圖，雖凸起3之所謂台座3g之幅度尺寸d 一部份會接觸，唯僅部份接觸而己致呈不安定接合。如將此送至冷熱衝擊試驗或反流時，接合部分即張開。本發明並不會有如此不穩定之接合，乃可提供高生產成品率及高信賴性之接合。 (2)IC晶片與電路基板之接合依據習知例2之方法，連接電阻係依存於凸起與電路基板之電極間所存在之導電粒子數目，然，在本發明之上述實施形態，並不需為1C晶側電極與基板電極間之電氣性導通而兩電極間挾住導電粒子，可由獨立工程在整平工程將凸起了不予整平即用較習知例丨，2更強負荷（例如每一凸起20gf以上壓力）推壓於電路基板4之電極5直接予以接合，致連接電阻值並不需依存於所介裝之粒子數目，乃可獲得穩定之連接電阻值。即，當上述導電粒子1〇a於凸起3 與基板電極5直接接合時被挾住於凸起3與基板電極5間，當有可奏出促使基板側電極5與1(：晶片側凸起3間之連接電阻值下降之附加效果。濟部智慧財產局消費合社印製又，I知之整乎工程係為將與基板電極接合時之凸起同度予以整乎於一定所進行者，但本發明之上述各實施形態卻能於與電極2或5接合同時將凸予以壓潰，故不只不需獨立之整平工程，更能於接合時俾使電路基板4之彎曲起伏變形予以矯正而接合，且能於硬化附著於凸起3，1〇3之導電性糊漿加以接合時藉促使導電性糊漿變形，而切實不需整乎凸起3，103，即可在接合時促使電路基板4之彎曲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（68) 或起伏變形並予以矯正接合，故對彎曲及起伏甚為有效。又，習知例1係需以10 A m/IC晶片（一個1C晶片需要10 # m之厚度彎曲尺寸精度之意），習知例2則需以2 # m/IC • 晶片，習知例3亦需以1 // m/IC晶片（凸起高度不齊於土 1/z m以下）之高精密度使基板4與凸起3，1〇3均勻化，故實際上乃採用由LCD所代表之玻璃基板。針對之，依據本發明之上述實施形態，由於接合時促使電路基板4之彎曲或起伏變形並予以矯正接合，以致可使用具彎曲或起伏平面度較差之基板，例如樹脂基板，撓性基板，多層陶瓷基板等，且能提供更為低廉，以及具泛用性之1(：晶片接合方法。又’如將1C晶片1與電路基板4間之熱硬化性樹脂6m 體積設成較大於1C晶片1與電路基板4間之空間容積時，熱硬化性樹脂即能自該空間被擠壓流出，而可奏出封止效果。於是，不需進行習知例1所需之經以導電性黏接劑接合IC 晶片與電路基板後再於1C晶片下封止樹脂（未滿塗敷），致可縮短工程。又，如將無機填料6f以熱硬化性樹脂6m之5〜90wt% 予以調配於熱硬化性樹脂6m，則可將熱硬化性樹脂之彈性率’熱膨脹係數最適宜地控制於基板4。加之，將此予以利用於通常之電鍍凸起時，凸起與電路基板間會進入無機填料，以致接合信賴性變低。唯，如本發明上述實施形態採用嵌入凸起（利用引線接合之形成方法），藉接合開始當初竄進熱硬化性樹脂6m中之尖銳凸起3，103將無機填料6f介熱硬化性樹脂一齊推出凸起3，103外側方向，乃可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） Μ--------^---------^ (請先閲讀臂面之注意事項再填寫本頁) 71 478078 A7 B7 五、發明說明（69) (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 在凸起3，103變形之過程將無機填料6[及熱硬化性樹脂6〇1 自凸起3，103與電極5，2間予以推出，促使不需要之介在物消失，以更加提昇信賴性。以上’依據本發明，係能提供比習知之接合方法生產性更佳且低廉之電子零件例如1C晶片與電路基板之接合方法及其裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又’在上述第一實施形態，除未整平如第1圖所示凸起3之外，亦可適用於具分別顯示於第37A，373經整平之嵌入凸起300，301之1C晶片與電路基板4間之接合。此時，雖需要整平工程，卻能奏出不需要封止工程等之另外效果。又，上述凸起亦可使用藉電鍍或抑制被形成外觀與第 37A，3 7B圖大略相同之凸起。例如在1(：晶片之電極上將鈦或錄或金以此順序予以電鍍而形成凸起，或藉將鋁或錄等與合成樹脂混合所成糊漿印刷於IC晶片之電極上並予以乾燥硬化亦可形成聚合體凸起。尤其是使用經整平及電鑛或印刷所成凸起時，由於凸起之變形量少，致萬一無機填料被扶持於凸起與基板電極間而有凸起與基板電路間之電氣連接變成不穩定之虞，唯由於導電粒子l〇a亦會被挾住於凸起與基板電路之間，故藉該導電粒子l〇a仍可確保凸起與基板電極間之導通。如上述，依據本發明則可刪除習知為接合電子零件與電路基板所需之許多工程，而可非常地提昇生產性。且更能奏出如下效果。 (1)凸起形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 72 478078 A7

之注請先閲讀背面意事項 S ' I裝頁 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（71) 依存於介裝粒子，而可獲得穩定之連接電阻值。即，上述導電粒子於凸起與基板電極直接接合，當被挾住於凸起與基板電極間時，乃能奏出可促使基板側電極與電子零件側凸起間之連接電阻值減低之附加效果。又，習知之整平工程係為將與基板電極接合時之凸起高度予以整平於統一水平所進行者，但本發明卻能於與電極接合時間時進行凸起之壓潰作業，故不只不需獨立之整平工程’更能於接合時促使電路基板之變曲或起伏蠻形予以矯正並接合，復在硬化附著於凸起之導電性糊漿予以接合時藉促使導電性糊漿彎形，而切實不需凸起之整平作業，故對彎曲及起伏頗強。又，習知例1係需以10# m/IC晶片（每一 1C晶片需10 V m之厚度彎曲尺寸精密度之意），習知例2則需以2 “ m/IC 晶片，習知例3亦需以1 v m/IC晶片（凸起高度不齊在土1/z m以下）之高精密度均勻化基板與凸起，致實際上乃採用由LCD所代表之玻璃基板。針對之，如依據本發明，由於接合時促使電路基板之彆曲或起伏彎形予以矯正而接合，故可使用具彎曲或起伏之平面度較差基板，例如樹脂基板，撓性基板，多層陶瓷基板等，以提供更低廉，且具泛用性之1C晶片接合方法。又，如將電子零件與電路基板間之熱硬化性樹脂體積設成大於電子零件與電路基板間之空間容積時，熱硬化性樹脂即自該空間被撥壓流出，可奏出封止效果。於是不需進行習知例1所需之經以導電性黏接劑將IC晶片與電路基本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ,---- 脅A--------訂--------- 0 (請先閲讀脅面之注意事項再填寫本頁) 74 478078 .· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -— ___B7__ 五、發明說明（72) 板予以接合後再於1C晶片下封止樹脂（未滿塗敷），而可縮短工程。又’藉將無機填料以熱硬化性樹脂之5〜90wt%予以調配於熱硬化性樹脂，則可將熱硬化性樹脂之彈性率，熱膨脹係數最為適宜地控制於基板。加上，將此利用於通常之電鍍凸起時，凸起與電路基板間即進入無機填料，致接合信賴性變低。唯如本發明採用嵌入凸起（利用引線接合之形成方法），藉接合起初竄入於熱硬化性樹脂中之尖銳凸起將無機填料介熱硬化性樹脂一同推出凸起之外側方向，乃可在凸起變形之過程將無機填料及熱硬化性樹脂自凸起與電極間予以推出，將不必要之介裝物予以消除，而可更加提昇信賴性。又，在調配相同重量之無機填料時，如使用平均粒徑 3 // m以上之大無機填料，或使用多數平均粒徑相異之無機填料，或使用一方無機填料之平均粒徑與另方無機填料之平均粒徑相差兩倍以上之無機填料，或使用至少兩種無機填料中之一方無機填料具超過3"m平均粒徑，另方無機填料具3# m以下平均粒徑之無機填料，則能減低無機填料周圍之吸濕量，除可提昇耐濕性之外，尚可促使無機真料量增加’ i易於薄膜化(固體化)同時，亦可減低各向異性導電層，例如各向異性導電膜片或各向異性導電膜形成用黏接劑之線膨脹係數，而能予以更為長命化以提昇信賴性。 β Μ--------^---------線 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 且，如將平均粒徑較大一方無機填料由與上述絕緣性

本紙張尺度適用hi家標準（CNS)A4規格（21〇__ χ 297公釐） 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（73) 樹脂相同材料予以構成，則可奏出應力緩和作用，又如將平均粒較大一方無機填料形成較上述絕緣性樹脂之環氧樹脂更為柔軟，而上述一方無機填料如被予以壓縮，則亦能 ' 奏出應力緩和作用。又’如使電子零件或上述基板與各向異性導電層之接合界面不存在無機填料或其量少，則能令絕緣性樹脂發揮其本來黏接性，而上述接合界面即增多黏接性高之絕緣性樹脂，故可提昇電子零件或上述基板與絕緣性樹脂之密接強度，且維持無機填料所導致之線膨脹係數減低效果，以提昇與電子零件或上述基板之黏接性。並藉此能促使在各種信賴性試驗之壽命增長同時，亦提昇對於彎曲之剝離強度。又’接觸於上述電子零件之部份或層，如使用對電子零件表面所用膜原料可促進其密接性之絕緣性樹脂，且接觸於上述基板之部份或層，如使用對基板表面之材料可提昇其密接性之絕緣性樹脂，則可更加提昇密接性。以上，如依據本發明，經將電路基板與電子零件予以接合後，即不需要再於電路基板與電子零件間注入封止樹月曰之工程’以及整理凸起高度於統一水平之整平工程，而可提供能以良好生產性且高信賴性將電子零件接合於基板之對於電路基板之電子零件安裝方法及裝置。 (第十六實施形態）以下’就本發明第十六實施形態有關電子零件例如ic 晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將1C晶片安 to— 1----— — — — — — ·1111111 1 — — — — — — — (請先閱讀贵面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 478078 麽濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（74) 裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置一例，參照第38A〜51圖說明對於電路基板之ic晶片安裝方法及其裝置。首先’參照第3 8 A〜41C圖說明本發明第十六實施例態有關對於電路基板之1C晶片安裝方法。在第38A圖之電子零件例1C晶片，於其A1襯墊電極2由引線接合裝置以如第40 A〜40F圖之動作形成凸起（突起電極）3。即，在第40 A 圖之自為支持挾之毛管93所凸出金屬線95底端形成球粒96 ，再於第40B圖使保持金屬線95之毛管93下降，將球粒96 接合於1C晶片1之電極2形成大略凸起形狀，及於第40C圖將金屬線95送向下方且令毛管93開始上昇，並令毛管93沿第40D圖所示大略矩形環匝99移動而如第40E圖在凸起3頂部形成彎曲部98，復藉扯斷之以形成如第40F圖所示之凸起3。或，在第40B圖以毛管93挾持金屬線95，藉將毛管93 予以拉起而扯斷金屬線，例如金線95(以金屬線例言之，雖有錫’铭，銅或該等金屬含微量元素所成合金線，唯以代表例下述實施形態乃記述金線），以形成如第40G圖之凸起3形狀亦可。茲將如是在1C晶片1之各電極2形成凸起3 之情形顯示於第38圖。其次，在第3 8C圖所示電路基板4之電極5上，如第38D 圖所示，予以配置被裁剪較1C晶片若干大之尺寸且經調配並機填料6 f之固體或半固體絕緣性樹脂一例示之絕緣性樹脂片如熱硬化性樹脂片6，並藉例如被加熱至80〜120°C之貼接工具7，將熱硬化性樹脂6用例如5〜10kgf/cm2左右之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 11111111 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 77 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5执 478078 A7 B7 五、發明說明（75) 壓力予以黏貼於載物名109上之基板4之電極5上。之後，藉將裝脫自如被配置於調配有無機填料6f之固體或半固體絕緣性樹脂片6之工具7側阻隔物6a予以剝開，而完成基板 4之準備工程。該阻隔物6a則是為防止調配有無機填料6f 之固體或半固體熱硬化性樹脂片6貼接於工具7所用者。在此，如第38G圖將第38F圖之G部份予以部份擴大顯示，該熱硬化性樹脂片6係以將鋁氧等陶瓷之無機系填料6f分散混合於絕緣性樹脂306m，並將之由刮刀法等予以平坦化且令溶劑成份氣化予以固體化者較佳同時，更以具有可耐住其後工程之反流工程南溫程度之对熱性（例如可对住240 °C，10秒鐘之耐熱性）較宜。上述絕緣性樹脂雖可使用例如絕緣性熱硬化性樹脂（例如環氧樹脂，苯酚樹脂，聚酰亞胺等），或絕緣性熱可塑性樹脂（例如聚亞苯基硫化物（pps) ’聚碳酸酯，變形聚亞苯基氧化物（pp〇)等），或絕緣性熱硬化性樹脂與絕緣性熱可塑性樹脂之混合物，但在此以絕緣性熱硬化性樹脂為代表例繼續說明之。該熱硬化性樹脂 306m之玻璃化點通常為12〇〜200t左右。且僅使用熱可塑性樹脂時，最初加熱一旦予以軟化後，再停止加熱經自然冷卻予以硬化’而使用絕緣性熱硬化性樹脂混合熱可塑性樹脂者時，則由於熱硬化性樹脂較會支配性作用，故如同僅使用熱硬化性樹脂一般予以加熱即會硬化。其次，如第38E及38F圖所示，在第55圖之電子零件裝載裝置600，由零件保持構件601尖端之被加熱接合工具 8自托盤602吸住保持在上述前工程其電極2上被形成凸起3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ------------· 111 — — I— ^» — — — — — 1 — —^_ewi (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 78 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（76) 之1C晶片1，且將該1C晶片1對於上述前工程所準備並被裝載於載物台9上之基板4,使其電極2位置對正於基板4之電極5上後，藉上述被加熱接合工具8將1(：晶片i向基板4予以推押。該位置對正則利用眾知之位置認識動作。例如第56C 圖所示，將形成於基板4之位置認識標誌605或導線以及續間表面圖案，由電子零件裝載裝置600之基板誌識用攝影機604，並以第56D圖所示由攝影機604所得畫像606為基礎，認識基板4之在載物台9上直交之XY方向之χγ座標位置及對於XY坐標原點之旋轉位置而認識基板4之位置。另，如第56A圖所示，藉1C晶片用位置認識攝影機603認識接合工具8所吸保持1C晶片1之位置認識用標諸608或電路圖案，並以第56B圖所示攝影機603所獲畫像607為基礎，認識1C晶片1之在上述χγ方向之χγ座標位置及對於χγ座標原點之旋轉位置而認識1C晶片1之位置。且以上述基板4 及上述1C晶片1之位置認識結果為基礎，令接合工具8或載物台9移動，將1C晶片1之電極2位置於所對應基板4之電極5上地予以位置對正後，藉上述經加熱之接合工具8將1(^ 晶片1推押於基板4。此時，凸起3之頭部3a即在基板4之電極5上如自第41A 〜41B圖地變形而被壓住。且如自第39A〜39B圖，熱硬化性樹脂306m中之無機填料6f係由接合開始當被說進熱硬化性樹脂306m中之尖銳凸起3予以推出凸起3之外側方向。復如第39C圖所示，藉該外側方向之推出作用凸起3 與基板電極5間即不侵入無機填料6f，而可發揮連接電阻本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --— 111 — — ! — — — · ^ i — — — — —— ^« — — — —1 —--^ (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（77) 值減低之效果。此時，就算凸起3與基板電極5間多少竄進無機填料6f，亦由於凸起3與基板電極5係直接接觸，故全然無問題。此時’介由1C晶片1施加於凸起側之負荷雖隨凸起3外徑有異，但乃一定需要施加促使呈彎折重疊之凸起頭部3a 如第41C變形程度之負荷。該負荷最低須要2〇(gf/每一凸起）。即，第52圖顯示有自80 // m外徑凸起之電阻值與負 %之關係曲線圖可知20(gf/每一凸起）未滿時電阻值大於 ΙΟΟπηηΩ/每一凸起，致過大在實用上成問題，而以2〇(gf/ 每一凸起）為較妥之情形。又第53圖則是依據外徑分別為80 # m，40 // m之凸起與最低負荷之關係而顯示高信賴性區域之曲線圖。藉可推測40 // m以上外徑之凸起以最低負荷 25(gf/每一凸起）以上較宜，40 # m未滿外徑之凸起以最低負荷20(gf/每一凸起）以上程度信賴性為較高。又，可推測今後隨者導線之狹距化而凸起外徑變小於4〇以πι未滿時，對應凸起之投影面積，負荷有與其二乘方呈比例減少之傾向。因此，介由1C晶片1施加於凸起3側之最低負荷以最低需20(gf/每一凸起）為宜。上述介由IC晶片i施加於凸起3側之負荷上限則以不損傷1C晶片1，凸起3，電路基板4等之程度較佳。又，圖中參照符號6s乃是熱硬化性樹脂片6中由接合工具8之熱予以熔解之熱硬化性樹脂306111溶解後經熱硬化之樹脂。又，將藉由陶瓷加熱器或脈衝加熱器等内藏加熱器8a 予以加熱之接合工具8在上述前述工程於電極2上形成凸起本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — — ml— — — — — — — · (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 80 478078 A7 __ B7 五、發明說明（78) 3之1C晶片1，對於上述前工程所準備基板4促使IC晶片1之電極2對應於基板4電極5上之如第38E圖所示位置之位置對正工程，以及經位置對正後如第38F圖所示予以推壓接合之工具，以一位置對正兼推壓接合裝置，例如第38E圖之位置對正兼推壓接合裝置予以進行亦可。唯，以各別裝置，例如為連續生產多數基板而欲同時進行位置對正及推壓接合作業以提昇生產性時，乃可將上述位置對正工程由第42B圖之位置對正裝置予以進行，將上述推壓接合工程由第42C圖之接合裝置予以進行。又，第42C圖為提昇生產性係顯示有兩個接合裝置8，可將一電路基板4之兩個部份同時予以推壓接合。電路基板4則可使用陶瓷多層基板，FPC，玻璃佈疊積層環氧基板（環氧玻璃基板）或玻璃佈疊積層聚酰亞胺樹脂基板，芳族聚酰胺不織布環氧基板（例如松下電器產業株式會社製之以登記商標阿利部「ALIVH」販售之樹脂多層基板）等。該等基板4由於熱經歷，裁剪，加工而產生有彎曲或起伏，並非完整平面。於是如第42A及42B圖所示’藉平行度分別被管理呈可調整於例如10 am以下之接合工具8及載物台9，將熱及負荷介1C晶片1自接合工具8側向載物台9側局部性予以施加於電路基板4，而可矯正其施加部份之電路基板4彎曲。又，1C晶片1雖以活動面中心呈凹而彎曲，唯將此於接合時以每凸起20gf以上強度負荷予以加壓，則可矯正基板4與1C晶片1雙方之彎曲及起伏。該 1C晶片1之彎曲乃是於形成ic晶片而將薄膜形成Si時所產本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） --------------裝--- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) έί· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 81 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（79) 生之内部應力予以促成的。凸起之彎形量係在10〜25//m 左右，此程度之基板起初即具有由内層銅箔顯示於表面之起伏影響，乃能藉凸起3之變形促使各凸起3予以順應而可容許著。以如是電路基板4之彎曲已被矯正之狀態，例如將14〇〜230°C之熱施加於1C晶片1與電路基板4間之熱硬化性樹脂片6例如數秒〜20秒左右，乃可硬化該熱硬化性樹脂片6 。此時，構成熱硬化性樹脂片6之熱硬化性樹脂3〇6m起動即流動並封止至1C晶片1邊緣。又由於是樹脂，故當加熱時，起初會自然軟化，致會發生如此流至邊緣之流動性。且藉將熱硬化性樹脂306m之體積形成比1C晶片1與電路基板4間之空間容積大’乃能促使由該空間溢出流動而奏出封止效果。之後，藉將經加熱之接合工具8予以提昇，而使加熱源消失致1C晶片1與熱硬化性樹脂片6之溫度急速下降，熱硬化性樹脂片6即失去流動性，如第38F及41C圖所示’ 1C晶片1藉硬化之熱硬化性樹脂6S被固定於電路基板4 上。又’如將電路基板4側由載物台9之加熱器9a等預先予以加熱，則可減低接合工具8之溫度。 (第十七實施形態）其次’就本發明第十七實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置加以說明。本第十七實施形態係為將在第十六實施形態調配於熱本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 ---1------- -—訂！！ (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 82 478078 經·濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（80) 硬化性樹脂片6之無機填料6f混合比例設成上述絕緣性熱硬化性樹脂例如絕緣性熱硬化性環氧樹脂306m之5〜 90wt%，而呈更加適宜者。因如未滿5wt%則混合無機填 • 料6[並無意義，如超過90wt%則黏接力極度下降同時難於薄片化致為不宜。以其一例自維持高信賴性之觀點言之，樹脂基板以20〜40wt%，陶究基板以40〜70wt%較妥，同時環氧玻璃基板為20wt%亦能促使薄片封止劑之線膨脹係數相¥減低’對樹脂基板至為有效。又，體積％乃為之大略一半比例，或針對環氧樹脂1將矽石設為2之重量比例。通常係由熱硬化性樹脂306m薄片化時之製造上條件及基板4之彈性率，及最終由信賴性試驗結果而決定該無機填料6f之混合比例。藉將如上述混合比例之無機填料6f調配於含熱硬化性樹脂片6，則可使熱硬化性樹脂片6之熱硬化性樹脂3〇6m 彈性度增加’並使熱膨脹係數減低以提昇1C晶片1與基板4 之接合信賴性。又，能對應基板4材料促使熱硬化性樹脂 306m之材料常數，即彈性度，線膨脹係數呈最適宜地以決定無機填料6f之混合比例。且隨無機填料6f之混合比例增加彈性度雖會變大，但線膨脹係數卻有趨小之傾向。在第十六實施形態及第十七實施形態，由於並非液體而是使用固體熱硬化性樹脂片6致易於處理同時，亦因無液體成份能以高分子予以形成。故具有易形成玻璃化點較高者之優點。又’在第38A〜38G圖及第39A〜39C圖，後述之第43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I----I---•裝 - ------訂！！ 1·線 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 83 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（81) 及44圖，雖以絕緣性樹脂層之一例說明將熱硬化性樹脂片 6或熱硬化性黏接劑306b形成於電路基板4側，唯並非限定此，如第5 1A或5 1B圖所示，形成於1C晶片1側後再接合於基板4亦可。此時，尤其是熱硬化性樹脂片6時，將由吸住角口等保持構件200予以保持之1C晶片1與裝脫自如被配置於熱硬化性樹脂片6電路基板側之阻離物6a—齊推向載物台201上之橡膠等彈性117，而沿凸起3形狀使熱硬化性樹脂片6貼接於1C晶片亦可。 (第十八實施形態）接著，就本十八實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將 1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第43A〜43C圖及第44A〜44F圖加以說明。本第十八實施形態係代替第十六實施形態之將熱硬化性樹脂片6黏貼於基板4，如第43A及44A、D圖所示，以絕緣性樹脂層一例將液體狀熱硬化性黏接劑3〇61)經調配器 502等之塗敷，或印刷，或轉印於電路基板4上後予以固化至半固體狀態之所謂B級狀態，然後與上述第一或第十七貫施形態同樣將1C晶片1裝載於上述基板4。詳言之，如第43A圖所示，將液體狀熱硬化性黏接劑 306b ’以第43A圖所示由氣壓控制吐出量且可沿基板平面上直交兩方向移動之調配器502予以塗敷，或印刷，或轉印於電路基板4上。接著如第43B圖所示藉内藏有加熱器 78a之工具78施加熱與壓力予以均勻，如第43C圖固化至本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽x 297公爱） — — T — — — — — — — · I I I I I I I — — — — — — — I· (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 84 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 _B7 五、發明說明（82) 半固體狀態之所謂B級狀態。又，液體狀熱硬化性黏接劑306b之黏性較低時，則如第44A圖所示，以調配器502在基板4上所定位置塗敷液艘熱硬化性黏接劑306b後，由於熱硬化性黏接劑306b之黏性較低自然擴散於基板上，呈如第44B圖所示狀態。之後如第44C圖所示，經如輸送帶之搬送裝置505將上述基板4送入爐503内，藉由爐503之加熱器504予以硬化上述塗敷之絕緣性樹脂之液體狀熱硬化性黏接劑306b，以固化至半固體化，即所謂B級狀態。另，液體狀熱硬化性黏接劑306b之黏性較高時，乃如第44D圖所示，以調配器502在基板4上所定位置塗敷液體熱硬化性黏接劑306b後，由於熱硬化性黏接劑306b之黏性較高不致自然擴散於基板上，故如第44E、F圖所示以橡皮滾50b予以碾平。之後如第44C圖所示，經如輸送帶之搬送裝置505將上述基板4送入爐503内，藉由爐503之加熱器504予以硬化上述塗敷之絕緣性樹脂之液體狀熱硬化性黏接劑306b，以固化至半固體化，即所謂B級狀態。如此欲將熱硬化性黏接劑306b予以半固體化時，雖依熱硬化性黏接劑306b中之熱硬化性樹脂特性而有差異，唯乃以該熱硬化性樹脂之玻璃化點30〜80%溫度之80〜130 °C予以擠壓。通常以熱硬化性樹脂之玻璃化點30%左右溫度加以進行。如此設於熱硬化性樹脂玻璃化點30〜80%之理由，則由第54圖之樹脂片之加熱溫度與反應率曲線圖可知如於80〜130°C範圍内尚能在後續工程留住更使充份反本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 85 — — — — — — — — — — — — — 1111111 ·11111111 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 478078 A7 B7 五、發明說明（83) 應之餘地。換言之，如在80〜13(TC範圍内溫度，雖依時間有差，卻由於能抑制絕緣性樹脂，例如環氧樹脂之反應於10〜50%左右，故在後續工程1C晶片推壓接合時可確保所定推壓罝而不易發生麵不開之問題。又，藉抑制反廣僅使溶劑部份予以氣化係可予以半固體化。將上述熱硬化黏接劑306b如上述予以半固體後，欲將多數1C晶片1裝設於基板4時，藉在基板4之欲裝設多數IC 晶片1之多數位置預先以前段工程進行上述熱硬化性黏接劑306b之上述半固體化工程，並藉提供如此經前段處理之基板4且在所提供基板4之上述多數位置予以接合多數ic晶片1而可提高生產性。又於後續工程欲使用熱硬化性黏接劑306b時，基本上亦進行與上述第一或第十七實施形態之使用熱硬化性樹脂片6工程相同之工程。而由於加上前述半固體化工程，乃可將液體熱硬化性黏接劑306b與熱硬化性樹脂片6同樣加以使用，復由於固體易於處理同時，更因無液體成份致能以高分子予以形成，而具有易於形成玻璃化點較高者之優點。如此使用具流動性熱硬化性黏接劑 306b時，比及使用固體熱硬化性樹脂片6更兼具有能以任意大小塗敷，印刷或複印於基板4任意位置之優點。 (第十九實施形態）接著參照第57圖就本發明第十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法在上述基板安裝1C晶片所成電子零件單元或組件例如半導體裝置加以說明。第十九實施形態與第十六實本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) > · MB MV MW I I^eJ· ai ·ϋ Αϋ 聲· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 86 〆* 霞濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（84) 施形態相異之處係在；將1C晶片1接合於基板4時，除負荷之外亦施加超音波’將凸起3不予整平即依需以2〇 gf以下負荷予以擠壓，並防止由形成凸起3時之扯斷動作所產生上述凸起3尖端頸（髭毛）部之傾斜導致與鄰接凸起或電極之短路而將凸起尖端予以整理後，與1C晶片1位置對正使IC 晶片1裝載於基板4，促使金屬凸起3與基板側電極表面之金屬互相超音波兼熱壓接，且將1C晶片1接合於基板4之情形及與上述實施形態之第39及43圖等相同。本第19實施形態係將絕緣性熱硬化性樹脂3〇6m調配無機填料6f所成固體熱硬化性樹脂片6或液趙熱硬化性黏接劑306b如上述半固體化者黏貼於基板4，或將含熱硬化性樹脂之熱硬化性黏接劑306b塗敷於基板4經半固體化後 ’在電路基板4之電極5及電子零件1之電極2如同引線接合藉圖40A〜第40F圖所示動作於金屬線95尖端由電氣火花予以形成球粒96，且對將該球粒96由毛管93予以超音波熱壓於基板電極5所成凸起3不予整平，即對正位置於ic晶片 1將1C晶片1裝載於基板4。在此所謂「液體熱硬化性黏接劑306b如上述經半固體化者」則是如第十八實施形態所作說明將液體熱硬化性黏接劑306b予以半固體化而與經B級化者略同。藉使用之，乃能利用比封止材料或ACF(各向異性電腦）更廉價之材料。此時，係在第5 7圖所示超音波施加裝置620,藉經内藏加熱器622預先加熱之接合工具628 ，由該接合工具628所吸收1C晶片1上面作用以氣筒625所致負荷及以如壓電元件之超音波發生元件623所產生具介本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 # — — — — — — — — <請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 87 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（85) 由超音波制°八624予以施加之超音波，一邊防止金凸起3頸部之倒斜以整理尖端而將金凸起3與基板側之鍍金予以金屬接合。其次自1C晶片1上面或基板側予以加熱，將上述ic , 晶片1以每一凸起20gf以上壓力推向上述電路基板4，經端正上述基板4之彎曲及壓潰凸起3，且使介裝於上述ic晶片 1與上述電路基板4間之上述熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b由上述熱予以硬化，而接合上述ic晶片1及上述電路基板4以電氣連接兩電極2, 5。又，每一凸起需要20gf以上施加壓力之理由乃在於如採用超音波之接合，由於不易產生摩擦熱而無法完成接合所致。就是金與金接合，亦藉以所定負荷推壓凸起並同時施加超音波以產生磨擦熱而使金屬互相接合。因此，此時亦需推壓凸起程度之所定負荷即每一凸起20gf以上之施加壓力。施加壓力之一例則為每一凸起50gf以上。依據上述第十九實施形態，由於金屬凸起3與基板4之金屬鍍金會被金屬擴散接合，故適於促使凸起部份更具強度或促使連接電阻值更為降低。 (第二十實施形態）茲就本發明第廿實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照圖第45A〜45C圖及第46A〜46C圖加以說明。第廿實施形態係可省略封止工程而異於第十六實施形態。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） U---------------------訂--------- 辱 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 88 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 --------Β7 五、發明說明（86) 如上述預先在1C晶片1上之電極2形成實施電極（凸起 )3，及在電路基板4如第45B，45C，46A及58圖所示，將比連接1C晶片1之多數電極2内端緣所成大略矩形之外形尺寸OL更小形狀尺寸之矩形薄片狀熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b貼接或塗敷於連接電路基板4之電極5所成中心部位。此時將薄片狀熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b厚度設成其體積較大於1C晶片1與基板4之間隙。再藉第58圖之貼接裝置640，將由捲回滾角644予以捲回並由捲取滾筒643予以捲取之矩形薄片狀熱硬化性樹脂片65b ，於其預先被設有段落裂隙657部份以上下切割機641予以切成比將連接1C晶片1之多數電極2内端緣所成大略矩形之外形尺寸更小形狀尺寸。所切成矩形薄片狀熱硬化性樹脂片6則由經由内藏加熱器646預先加熱之貼接頭642予以吸住保持，而被貼接於連接上述電路基板4之電極5所成中心部份。其次，將凸起3與電路基板4之電極5位置對正，如第45A及46B圖所示，藉經加熱器8a予以加熱之接合工具8 將1C晶片1施壓推向電路基板4，邊橋正基板4之彎曲邊使介裝於1C晶片1與電路基板4間之熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b硬化。此時，熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b即藉自接合工具8介1C晶片1所施加之熱如上述軟化，並由被如第46C圖所貼接或塗敷之位置予以施壓而外側流出。該流出之熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b即成封止材料（未滿），可顯著地提昇凸起3與電極5 之接合彳§賴性。又’經所定時間後’上述熱硬化性樹脂片本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — — — — — — — 窗 · I I I I I I I ·1111111· (請先閲讀贵面之注意事項再填寫本頁) 89 4/8U78 A7 ---------------- R7_ _ 五、發明說明（87 ) 6或熱硬化性黏接劑3〇讣逐漸進行硬化，最後由硬化之樹脂6s促使1C晶片丨與電路基板4接合。且藉將推壓ic晶片！之接合工具8予以上昇而完成1C晶片1與電路基板4之電極5 之接合。嚴格說之，熱硬化時，熱硬化性樹脂之反應即在加熱中進行，隨接合工具8之上昇流動性幾乎變無。藉如上述方法，由於接合前熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b並未被覆於電極5 ,故接合時凸起3直接接觸於電極 5，於電極5下不會進入熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b，而可減低凸起3與電極5間之連接電阻值。又如將電路基板側予以加熱，則可減低接合工具8之溫度。且如將本方法適用於上述第十八實施形態時，可更加容易地進行金凸起與電路基板之金電極（例如將銅或鎢予以鍍鎳，錄金者）之接合。 (第二十一實施形態）繼之，就第二十一實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第47〜48圖加以說明。第二十一實施形態與第十六貫施形態相異之處係在於將凸起1 〇3錯位安裝於電路基板4之電極5時，亦可達成高信賴性之接合。第二十一實施形態乃如第47A圖所示，將凸起3形成於ic晶片，上時係如引線接合藉電火花將金線95形成為金球粒96。其次於進電火花之時間内調整球粒之大小以形成 95a所示直徑φ(1·Βιιπιρ之球粒96a，再將如此形成直徑何- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------------- (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) ϋ 1__1 i·— n I I — — — — — — — · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 90 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 Α7 Β7 五、發明說明（88)

Bump之球粒96a，藉控制電火花發生時間或電壓參數，以形成倒稜角Gc 100°以下之毛管193之93a所示倒稜直徑呈全球粒直徑d-Bump之1/2〜3/4之球粒96a，且並非如第 47C圖所示在毛管93與金球粒接觸部份設置平坦部份93b 以形成第47D圖所示之凸起3，乃是以具如第47A圖所示與金球粒96a接觸部份未設置平坦部位之尖端部份193a之呈尖端形狀毛管193，在1C晶片1之電極2藉超音波熱壓形成如第47B圖所示凸起103。而如此採用上述尖端形狀毛管 193即可在1C晶片1之電極2形成如第47B圖之b所示突端大略呈圓錐狀之凸起103。則將由上述方法所形成突端大略呈圓錐狀凸起103如第48C圖所示錯位安裝於電路基板4之電極5時，亦由於凸起103突端大略呈圓錐狀，故只要錯位於凸起103外徑一半之範圍内，該凸起1〇3之一定會接觸於基板4之電極5。針對之，如第48D圖所示凸起3被錯開如第48C圖所示尺寸Z而安裝於電路基板4之電極5時，則如第48E圖所示僅幅度尺寸d之所謂台座3g—部份會接觸於電極5，卻僅為部份接觸而呈接觸狀態不穩定之接合。如以如此不穩定接合狀態之基板4送至冷熱衝擊試驗或反流時，乃有上述不穩定接合狀態之接合裂開呈接合不良之可能性。對此在上述第二Η--實施形態雖如第48C圖所示突端大略呈圓錐狀之凸起103被錯開尺寸Ζ而安裝於電路基板4之電極時，亦由凸起103呈圓錐狀，致錯位於凸起1〇3外徑一半之範圍内，該凸起103 —部份定會接觸於基板4之電極5，故送進冷本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 91 478078

五、發明說明（89) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製熱衝擊试驗反流時，可防止其呈接合不良。 (第二十二實施形態）其次，就第二十二實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第49〜50圖加以說明。本第二十二實施形態係為在第十六實施形態之對於電路基板4接合1C晶片1後之熱硬化性樹脂硬化時，可緩和1C晶片1與電路基板4之應力者。第二十二實施形態乃介裝無機填料6f調配於絕緣性熱硬化性樹脂306m所成固體或半固體熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b同時，將由引線接合形成於ic晶片1之電極2之凸起3不予整平即對正於電路基板4之電極5。且以加熱至例如230°C左右所定溫度之工具8將1C晶片1自背後予以加熱，並將1C晶片1如為陶瓷基板即以每一凸起壓力 Pl = 80gf以上之施加壓力予以推向上述電路基板4，以矯正上述基板4之彎曲，及藉上述熱促使介裝於上述1C晶片1與上述電路基板4間之上述熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b硬化。其次，經過所定時間tl後，亦即全部時間如為20秒鐘時》雖依材料反應事而異’經其1/4或1/2之5〜10 秒後，換言之，在材料反應率達到90%之前，將上述壓力 P1降至較低壓力P2以緩和熱硬化性黏接劑306b硬化時之應力，而將上述1C晶片1與上述電路基板4予以接合並電氣本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •rill — — — — — — — ·1111111 «—— — — — — I— (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 92 478078 A7 B7 五、發明說明（90) 連接兩電極2, 5。最佳為促進凸起變形最低限度乃需2〇gf 左右，亦即為獲得凸起變形及順應所需壓力，以及為將多餘樹脂自1C晶片1與基板4間予以擠出，將上述壓力P1設於20gf/每一凸起以上，同時為去除凸起變形前已偏在於樹脂内部之硬化歪斜，將上述壓力P2設於20gf/每一凸起以下，則可更加提昇信賴性。其詳細理由乃如下述。即如第49C圖所示，熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b 中之應力分佈係在壓接時於1C晶片1與基板4側為較大。經濟部智慧財產局員工消費合作社印釗衣如此，由於信賴性試驗或通常之長期使用致被反覆賦予疲勞時，在1C晶片1或基板4側有時熱硬化性樹脂片6或熱硬化性黏接劑306b中之熱硬化性樹脂耐不住應力而剝離。如變呈如此狀態，由於1C晶片1與電路基板4之黏接力不充分致接合部位會裂開。於是如第50圖，藉採用較高壓力 P1與較低壓力P2之兩階段輪廓而可在熱硬化性黏接劑 306b硬化時自上述壓力pi降至較低壓力P2,如第49D圖在壓力P2時除去樹脂内部偏壓之硬化歪斜以緩和ic晶片1與電路基板4之應力（換言之，可減低應力集中之程度），然後再提高至上述壓力P1則可獲得凸起變形及順應所需壓力’同時能將多餘樹脂自1C晶片1及基板4間予以擠出而提昇信賴性。又，上述「1C晶片1與電路基板4之黏接力」乃是將1C 晶片1與基板4予以互相拉引之力量之意。這是指藉黏接劑之黏接力，將黏接劑予以硬化時之硬化收縮力，Z方向之收縮力（例如加熱至180°C之黏接劑回復至常溫時收縮之收本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 93 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 广 ____Β7_ 五、發明說明（ 91) 縮力）之三種力量促使1C晶片丨與基板4互相接合。 (第二十三實施態）炫就第一十三實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第49〜50圖加以說明。本第二十三實施形雜係為將上述各實施形態之調配於上述絕緣性樹脂3〇6m之上述無機填料6f平均粒徑設為3//m以上者。唯上述無機填料6f之最大平均粒徑則被規範於不超過IC晶片1與基板4 接合後之間隙尺寸。若將無機填料6f調配於絕緣性樹脂306ιη時，以無機填料6f而採用平均粒子未滿3 y m之微細粒子，則該等粒子全體表面變大，致在平均粒徑未滿3 A m之微細粒子無機填料6f周面有時會吸濕，對於IC晶片丨與基板4之接合不宜0 因此’欲調配相同重里之無機填料6 f時，藉採用平均粒徑3 # m以上大之無機填料6f乃可減低無機填料6f周圍之吸濕量以提昇耐濕性。又，通常平均粒徑（換言之平均粒度）較大無機填料較低廉，對於成本亦較宜。且如第59A 圖所示，在1C晶片1與基板4之接合採用ACF(Anis〇tr〇pic conductive Film ··各向異性導電膜）598工程方式時，雖需將ACF 598中之導電粒子599挾住於凸起3與基板電極5之間’但在本發明上述實施形態由於無導電粒子致不需要之 ’係如第59B圖所示將凸起3以基板電極5予以壓潰壓接，本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — n · i— I ϋ ϋ -I t— ϋ · I n I ϋ ϋ ϋ ϋ I (請先閲讀贵面之注意事項再填寫本頁) 94 M-濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7____ 五、發明說明（92) 故在壓接時無機填料6 f亦與凸起3及基板電極5間之絕緣性樹脂層6，306b—起自凸起3與基板電極5間脫出，致基於幾乎不會發生基板電極5與凸起3間挾住不需要之無機填料 ' 6f所致導電性阻礙之特徵，而可使用3以m以上大平均粒徑之無機填料6f。 (第二十四實施形態）其次，就本發明第二十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置參照第60，26圖加以說明。第60，26 圖分別為由上述第二十四實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置予以製造之接合狀態模式剖面圖及當時所使用樹脂片6之部份擴大模式剖面圖。本第二十四實施形態乃是將在上述各實施形態調配於上述絕緣性樹脂屬6，306b之上述絕緣性樹脂306m之上述無機填料6f，以具多數相異平均粒徑之無機填料6f-l，6f-2 予以形成者。具體例以具〇·5//ιη平均粒徑之無機填料6f-i 與具2〜4/zm平均粒徑之無機填料6f-2為之。依據上述第二十四實施形態，藉將具多數相異平均粒徑之無機填料6f-l，6f-2混合於絕緣性樹脂306m，而可增加混合於絕緣性樹脂306m之無機填料6f量，以減低無機填料周圍之吸濕量並提昇对濕性同時，呈易於薄膜化（固體化）。即，以重量％加以考量，比及單種無機填料將粒後相異無機填料予以混入，較能增加單位趙積之無機填 — — — — — — — — — — — — — · I I I I I I I .1111111· ^^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製量。藉此’將作用封止薄片對於樹脂片6絲接劑306b之無機填料6f調配量予以增加，而可減低樹脂片6或黏接劑 3_之線祕係數，^更加長壽化讀昇信賴性。 (第一十五實施形態）其次，本發明第二十五實施形態有關對於電路基板之電子零件例如IC晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所或電子零件單元或組件例如半導體裝置，為促進上述第二十四實施形態之效果更加確實，係將具上述多數相異平均粒徑之無機填料6以，6f-2當中之一方無機填料6M之平均粒徑設成與另方無機填料6f-2之平均粒徑相異兩倍以上者。其具有例則以具〇.5y m平均粒徑之無機填料與具2〜4以m平均粒徑之無機填料為之。藉如此構成，乃可更加提昇上述第二十四實施形態之效果。亦即，藉將具一方無機填料6f-i平均粒徑與另方無機填料6f-2平均粒徑相差兩倍以上之多數平均粒徑相異之無機填料6f-1 ’ 6f-2混合於絕緣性樹脂3〇6m，而可更為喊實地增加混合於絕緣性樹脂306m之無機填料6f量，變為易於薄膜化（固體化），而增加對於樹脂片6或黏接劑306b 之無機填料6f調配量，俾使樹脂片6或黏接劑306b之線膨脹係數更為減低，予以長壽化以提昇信賴性。 (第二十六實施形態）繼之，本發明第二十六實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----A----------------^--------- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 96 經·濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 _____B7_____ 五、發明說明（94) 方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，為促使上述第二十四實施形態之效果更為確實，上述調配於絕緣性樹脂306m之無機填料6f係 ' 為具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料6f-l，6f-2， • 且以上述至少兩種無機填料中之一方無機填料6f-l具超過 • 3 V m平均粒徑，上述至少兩種無機填料之另方無機填料 • 1 6f-2具3以m以下平均粒徑較宜。具體例則為以具0.5//m平均粒徑之無機填料與具2〜4/zm平均粒徑之無機填料為之 (第二十七實施形態）接著，本發明第二十七實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元及組件例如半導體裝置，係將上述各實施形態中，調配於上述絕緣性樹脂306m之上述無機填6f以具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料6fW，6f-2為之，且將上述至少兩種無機填料中之平均粒徑較大一方無機填料6f-1由與上述絕緣性樹脂306m相同材料予以構成，故可奏出緩和應力作用。具體例乃是具〇.5#m平均粒徑之無機填料及具2〜4 以m平均粒徑之無機填料。依據本第二十七實施形態，除第二十四實施形態之作用效果外，更由於平均粒徑較大一方無機填料6M係由與上述絕緣性樹脂306m相同材料予以構成，故當應力作用於上述絕緣性樹脂306m時，平均粒徑較大一方無機填 -------------· I------^---------^ (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁)

97 A7 ^----2Z_____ 五、發明說明（％) 6卜1即與上述絕緣性樹脂306m一趙化，而可奏出應力緩和作用。 (請先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) (第二十八實施形態）繼之，本發明第二十八實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置，係將上述各實施形態之調配於上述絕緣性樹脂306m之上述無機填料6f以具多數相異平均粒徑之至少兩種無機填料6f-1，6f-2為之，且上述至少兩種無機填料中之平均粒徑較大一方無機填料6fW比及上述絕緣性樹脂306m之環氧樹脂更為柔軟，並藉壓縮上述一方無機填料6f-1而可奏出應力緩和作用。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製依據本第二十八實施形態，除第二十四實施形態之作用效果外，由於平均粒徑較大一方之無機填料6[“係以與上述絕緣性樹脂306m相同材料所構成，且當應力作用於上述絕緣性樹脂306m時，該平均粒徑較大一方無機填料 6f-l較上述絕緣性樹脂306m之環氧樹脂更為柔軟，並因上述應力致上述一方無機填料6f-l如第62圖所示被壓縮，而在其周圍對於壓縮之反作用力之拉力即呈分散，故可奏出應力緩和作用。 (第二十九實施形態）其次’本發明第二十九實施形態有關對於電路基板之電子零件例如1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1C晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組 98 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）败濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（96) 件例如半導體裝置，係在上述各實施形態，更如第63A、 B，64A、B，65及66圖所示，將上述絕緣性樹脂層6，306b 之接觸於上述1C晶片1或上述基板4之部份700或層6x形成其上述無機填料量較其他部份701或層6y為少，或亦可不予调配上述無機填料6f。此時如第63A、B圖所示，乃可將接觸於上述1C晶片1或上述基板4之部份700不必與其他部份701或層6y明顯地予以區別，而使其無機填料量徐徐變化，或如第64A、B及65，66圖所示予以明確地區別亦可。即，在第64A、B及65，66圖，上述絕緣性樹脂層6， 3〇6b係具有：被定位於與上述1(：晶片，或上述基板4接觸之部位且將上述無機填料6f調配於與上述絕緣性樹脂 306m相同絕緣性樹脂所成之第一樹脂層6x，及接觸於上述第一樹脂層6x且由無機填料量較上述第一樹脂層6x為少 ’或未調配上述無機填料6f之上述絕緣性樹脂所構成第二樹脂6y，而可形成為多層構造。如此，則可奏出如下效果。即，若將上述無機填料6f 以與絕緣性樹脂全體相同重量百分比（％)予以添加時，有時無機填料在1C晶片側或基板側或其雙方對向面近傍呈較多，而1C晶片1與基板4間之中間部份反而少。其結果，由於1C晶片側或基板側或其雙方對面側近傍較多無機填料，致有時絕緣性樹脂層6，306b與1C晶片1或基板4或其雙方之間之黏接力減低。唯’如依據上述第二十九實施形態，由於接觸於上述1C晶片1或上述基板4任一方部份700或層 6x之上述無機填料較其他部份701或層6y為少，或不予調 — — III — — — — — — — — ·1111111 — — — — — — (請先閱讀贵面之注意事項再填寫本頁)

478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（97) 配上述無機填料6f，故可防止因無機填料量過多所導致之黏接力下降。以下，就本第二十九實施形態之各種變形例加以說明〇首先，以第一變形例言之，如第63C，64C及67A圖所示，上述絕緣性樹脂層6，306b係可將其分別與上述1C晶片1及上述基板4兩方接觸部位700之無機填料量比其他部

位701為少，或不予調配上述無機填料6f。此時，如第63C 圖所示，可將接觸於上述1C晶片1及上述基板4雙方部位700 與其他部位701不予明確區別地徐徐變化其無機填料量，或如第64C及67A圖予以明確區別。即，在第64c及67A圖，上述絕緣性樹脂層6，306b於第一樹脂層6x之隔第二樹脂層6y更外側係具有以較上層第一樹脂層6χ其無機填料量為少或未調配上述無機填料6f之上述絕緣性樹脂所構成第二樹脂層6z而呈多層構造，且上述第一樹脂層&與上述第二樹脂層6z亦可形成為分別接觸於上述IC晶片1及上述基板4。又’以另外變形例言之，接觸於上述IC晶片1或上述基板4或分別接觸於雙方之部位7〇〇,係可將其上述無機填料量设成未滿20 wt%，或不予調配上述無機填料6f同時 ’上述其他部份701之上述無機填料量則設成2〇wt%以上。此時，如第63A、B、C圖所示，可將接觸於上述IC晶片 1或上述基板4或雙方之部位7〇〇與其他部位7〇1不予明確區別地徐徐變化其無機填料量，或如第64八、B , 64c , 65 , u— I I i I I I -----裝 ---I 訂---------爭 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁)

經‘濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（98) 66及67A圖所示予以明確地區別。即，上述第一樹脂層6x 或上述第一樹脂層6x及上述第三樹脂層6z，其上述無機填料量可設於20wt%未滿，或不予調配上述無機填料6f同時，上述第二樹脂層6y之上述無機填料量則可設為20wt%以舉一具體例，上述第二樹脂層6y以熱硬化性環氧樹脂為絕緣性樹脂306m時，如為陶究基板乃設於50wt%，如為環氧玻璃基板則設於20wt%。又以一例，係將第一樹脂層6x或第三樹脂層6z或其雙方之厚度設成15μπι，並將第二樹脂層6y之厚度設為40〜60μιη。又，上述絕緣性樹脂層6，306b之厚度則被設成較1C晶片1與基板4接合時之間隙尺寸更大之尺寸，以利於1C晶片1與基板4接合時完全填滿於1C晶片1與基板4之間，俾使接合更加確實。又，就另外變形例說之，亦可將無機填料調配量設成與第63C，64C及67A圖所示變形例相反。即如第63D圖所示，可將上述絕緣性樹脂6，306b之分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4雙方部位703之中間部份702設成其上述無機填料量比及分別接觸於上述1C晶片1或上述基板4雙方之部位703為少，或不予調配上述無機填料6f。此時，亦可將接觸於上述1C晶片1或上述基板4或雙方部位703與上述中間部份702不予明確地區別，徐徐變化其無機填料量，或如第64D及67B圖所示予以明確地區區別。即如第64D 及67A圖所示，上述絕緣性樹脂層6，306b係可形成為具 :由定位於接觸上述1C晶片1及上述基板4部位且被調配上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） — — — — — — I! — — — - · 1111111 訂-1111111 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 101 478078 A7 B7 五、發明說明（99) (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 述無機填料6f之上述絕緣性樹脂306m所構成第四樹脂層 6v ’以及由定位於上述晶片1及上述基板4之中間部位且上述無機填料量比上述第四樹脂層6v為少或未含無機填料之絕緣性樹脂306m所構成第五樹脂層6w。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如此，上述1C晶片1及上述基板4之中間部位702或上述第五樹脂層6w由於比分別接觸於上述1C晶片1與上述基板4之部位703或上述第四樹脂層6v，其上述無機填料量較少或未予包含，故彈性率變低可奏出應力緩和效果。又，以分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4之部位703或上述第四樹脂層6v之絕緣性樹脂而選擇對於上述ic晶片1與上述基板4黏接力較強者予以使用，則在接觸於上述IC晶片1 之部位703或上述1C晶片1近傍部位之上述第四樹脂層6V可盡量接近IC晶片1之線膨脹係數地選擇無機填料6 f之調配量或材料同時，在接觸於上述基板4之部位703或基板4近傍部位之上述第四樹脂層6v可盡量接近基板4之線膨脹係數地選擇無機填料6f之調配量或材料。其結果，接觸於上述1C晶片1之部位703或上述1C晶片1近傍部位之上述第四樹脂層6v與1C晶片1之線膨脹係數相接近，致兩者間不易發生剝離同時，接觸於上述基板4之部位703或基板4近傍部位之上述第四樹脂層6v與基板4之線膨脹係數相接近，致兩者間亦不易發生剝離。又，如第68 A、B圖以實線所示，上述絕緣性樹脂6， 306b亦可將上述無機填料量設成自接觸於上述IC晶片1或上述基板4之任一方部位p 1向另位部位P2逐漸或階段性地本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 102 478078 A7 B7 五、發明說明（100) 趨少。又，如第68C、D圖以實線所示，上述絕緣性樹脂層6 ’ 306b亦可將上述無機填料量設成自分別接觸於上述1C晶片與上述基板4之部位P3，P4向另外部位即ic晶片1與上述基板4之中間部位P5逐漸或階段性地趨多。又，如第68E圖以實線所示，上述絕緣性樹脂層6，306b 亦可將上述無機填料量設成自分別接觸於上述IC晶片1與上述基板4之部位（相當於第63D圖變形例之接觸部位703 之部份）向上述1C晶片1與上述基板4之中間部位（相當於第 63D圖變形例之中間部位702之部份）逐漸趨少。又，如第68F圖以實線所示，上述絕緣性樹脂層6，306b 亦可將上述無機填料量設成以初自上述IC晶片1近傍部位 ’接著為上述基板4近傍部位，再接著為上述1C晶片1近傍部位與上述基板4近傍部位之中間部位之順序趨少。且在第68F圖，雖表示上述無機填料量依上述順序徐徐變化，唯並非限於此，亦可令其階段性地變化。 r濟部智慧財產局員工消費合作社印製則形成如上述第68Ε、F圊之變形例，由於上述1C晶片1及上述基板4之中間部位比分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4之部位其無機填料量較少或未予包含，致彈性率變低可湊出應力緩和效果。又，以分別接觸於上述1C晶片1及上述基板4部位之絕緣樹脂如選擇對於1C晶片1及基板4具較強黏接力者加以使用時，在接觸1C晶片之部位可盡量選擇接近於1C晶片1線膨脹係數之無機填料6f調配量或材料同時，在接觸於基板4之部位亦盡量選擇接近於基本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 103 478078 A7 B7 五、發明說明（101 ) (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 板4線膨脹係數之無機填料計調配量及材料。以此觀點欲決定無機填料6f之調配量時，通常如第68F圖以實線表示 ’上述無機填料量可以自上述IC晶片1近傍部位，接著上述基板4近傍部位，再接著上述IC晶片丨近傍部位與上述基板4近傍部位之中間部位之順序予以趨少。藉形成如此構造，由於接近於1C晶片1部位之線膨脹係數與IC晶片丨相接近’致兩者間不易發生剝離，同時由於接觸基板4部位與基板4之線膨脹係數相接近，故兩者間亦不易發生剝離。第68A〜F圖之任何情形，實用上將上述無機填料量設於5〜90wt%較宜。因為未滿5wt%時混合無機填料訐並無機填料意義同時，如超過9〇wt%則黏接力即極端降低，致難於薄膜化而不宜。 ^#1. 且，將如上述多層樹脂層6x，6y，6z所構造多層構造之膜作為絕緣性樹脂層加以使用而將1(：晶片1熱壓於基板4 時’由於接合時之熱會導致絕緣性樹脂3〇6m溶解軟化並混合上述樹脂層，故最後各樹脂層乃呈無明確之界線，而變為如第68圖之傾斜無機填料分佈。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，在上述第二十九實施形態或變形例，具無機填料竄進部位或層之絕緣性樹脂層，或無機填料分佈呈傾斜之絕緣性樹脂層，亦可對應上述部位或樹脂層使用不同之絕緣性樹脂。例如接觸1C晶片1之部位或樹脂層針對ic晶片表面所用膜原料乃可使用促進密接性提昇之絕緣性樹脂同時，接觸於基板4部位或樹脂層則可使用對於基板表面材料能提昇密接性之絕緣性樹脂。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 104 淡濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ______B7__ 五、發明說明（1〇2) 依據上述第二十九實施形態及該等上述各種變形例，由於1C晶片1或上述基板4與各絕緣性樹脂層6，306b之接合界面並不存在無機填料6f或其量少，致絕緣性樹脂可發 • 揮其本來之黏接性。且在上述接合界面較高黏接性之絕緣 - 性樹脂變多，可提昇1C晶片1或上述基板4與絕緣性樹脂 306m之密接強度同時，亦可提昇與IC晶片i或上述基板4 之黏接性。而藉此，可提昇在各種信賴性試驗之壽命同時，亦可提昇對於彎曲之剝離強度。若’對於黏接本身並無貢獻卻具降低線膨脹係數效果之無機填料6f均勻分散於絕緣性樹脂3〇6m中時，無機填料6f即接觸於基板4或IC晶片表面，貢獻黏接功能之黏接劑量減少，會招致黏接性之下降。其結果，如IC晶片1或上述基板4與黏接劑之間發生剝離時，自該處會侵入水份 ’形成1C晶片1之電極腐蝕之原因。又，自剝離部位進行剝離時，1C晶片1與基板4之接合本身則呈不良，致電氣性 • 連接亦呈不良。針對之，依據上述第二十九實施形態及該等上述各種變形例，乃如上述，可依舊具有無機填料6[所導致線膨脹係數下降之效果卻能提昇黏接力。且藉此可提昇與Ic晶片 1及基板4之密接強度，並提昇信賴性。又，如將無機填料6f較少部位700或樹脂層&配置於Ic 晶片側時，或將1C晶片側之無機填料分佈變疏時，該部位 700或樹脂層6x對於1C晶片表面之由四氮化三石夕或二氧化矽所成鈍化膜則可提昇密接力。又，對於該等冗晶片表面 11!!1·裝！ — 訂-! !線 (請先閱讀黄面之注意ί項再填寫本頁}

105 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 B7 五、發明說明（1〇3) 所用膜原料亦可適當地選擇使用能提昇密接性之絕緣性樹脂。又，藉將1C晶片近傍之彈性率予以減低，乃能緩和絕，緣性樹脂層例之封止薄片材料中之應力集中。基板4所使用材料如與陶L般硬（彈性率高），且如採用此種構造時 ’即與基板近傍封止薄片材料之彈性率，線膨脹係數甚為配合，而更加妥宜。另，如將無機填料6f較少部位700或樹脂層6x配置於基板側時，或將基板側之無機填料分佈變疏時，如同樹脂基板或撓f生基板(FPC)等基板被加_曲，將基板4施加變曲冑力組裝於電子機ϋ之框趙内時，乃能以提昇基板4與絕緣性樹脂層一例之封止薄片之密接強度為目的加以使用。 1C晶片側表面層如是由聚酰亞膜所成保護膜予以形成，且一般絕緣性樹脂之密接性良好不成問題時，如自IC晶片i 至基板4將彈性率及線膨脹係數予以連絞或階段性變化，則可構成封±薄片在1C晶片側呈硬在基板側呈柔軟之材料。並藉此由於封止薄片内部應力發生較小致可提昇信賴性又’在IC晶片側及基板側之兩側配置無機填料6f較少部位700或樹脂層6x，6y時，或在ic晶片側及基板側之兩側使無機填料分佈變疏時，係為將IC晶片側及基板側之兩種情形予以兩立者’乃可促使1(：晶片側及基板側雙方之密接性提昇同時’亦可降低線膨脹係數而以高信賴性將IC晶片1及基板4兩者予以連接。又，對應IC晶片側表面之材質及基板材質’亦可選擇使用黏接性及樹脂塗敷性更佳之絕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 106 ------ϊ----------------訂--------- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ___ B7 五、發明說明（104) 緣性樹脂。又，由於該等無機填料6f之多或少之傾斜係可自由予以變換，故藉將無機填料6f較少部位或層予以形成極薄，而可與基板材料適當配合。 ,(第三十實施形態）其次，在本發明第三十實施形態，就上述第八〜十四實施形態及該等變形例有關對於電路基板之電子零件例如 1C晶片之安裝方法及裝置，以及藉上述安裝方法將上述1(：晶片安裝於上述基板所成電子零件單元或組件例如半導體裝置所使用之絕緣性樹脂層製造工程參照第69 , 70圖加以說明。首先，欲在電路基板4上直接形成各向異性導電層時，係在電路基板4上黏貼第一樹脂片，再於其上黏貼第二樹脂片。此時，第一樹脂片如較多無機填料6f時即呈第63 A 或65圖之情形，反之則呈第63B或66圖之情形。亦即如是前者’第一樹脂片乃是對應於上述無機填料6f較多部位701 或第二樹脂層6y之樹脂片，如是後者，則為對應於上述無機填料6f較少部位700或第一樹脂6x之樹脂片。又，在第二樹脂片上更形成第三樹脂片，且第一樹脂片及第三樹脂片對應於無機填料6f較少部位700或第一樹脂層6x時，係呈如第63C或67A圖。又，如第69，70圖所示，將此等預先在所謂阻離物之帶基薄膜672上，使第一樹脂片673與第二樹脂片674以此順序（第69，70圖僅示此種情形），或與此反順序，或連第三樹脂片一起予以貼接而形成亦可。此時，如第69，70圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — I· · I I I I I I . — — — — — — 1— (請先閲讀臂面之注意事項再填寫本頁) 107 478078 A7 五、發明說明（l〇5 ) ，以上下一對可加熱滾筒67〇 , 27〇等將多數樹脂⑺㈣依需加熱予以黏貼。然後將所形成樹脂片體671裁剪為所定尺寸’即呈第63A〜C圖，第64A〜C圖，第65〜67圖之任一所示上述絕緣性樹脂片6。又，以另外變形例說之，欲製作絕緣性樹脂片6連續之絕緣性樹脂片體時，乃將溶劑所溶解環氧或無機填料藉刮刀法等塗敷於所謂阻離物之帶基薄膜上，而將溶劑予以乾燥即製成絕緣性樹脂片體。此時，一旦將無機填料濃度較低或未添加無機填料 6f之液狀絕緣性樹脂以第一層予以塗敷於帶基薄膜上，並有時乾燥該塗敷之第一層。如不予乾燥時，第二層之無機填料6f即會若干混入第一層，而如第68圖，無機填料分別呈傾斜構造。在上述塗敷形成之第一層上，將較第一層多混入無機填料6f之液狀絕緣性樹脂予以塗敷以形成第二層。並藉乾燥第二層’而可形成在帶基板薄膜上具第一層及第二層之兩層構造絕緣性樹脂片體。且將絕緣性樹脂片體以所定尺寸予切斷’即呈第63 A，64A，65圖所示上述絕緣性樹脂片6 〇又，欲在基板側配置無機填料6f較少層時，與上述工程相反，即在帶基薄膜上形成第二層後，在第二層形成第一層’而可製成兩層構造絕緣性樹脂片體。將該絕緣性樹脂片體以所定尺寸予以裁剪，則呈第63B，64B，66圖所示之上述絕緣性樹脂片6。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ---------- (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合怍社印製 108 478078 經‘ 濟部智，慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1〇6 ) 又，一旦將無機填料6f濃度較低或未添加無機填料6f 之絕緣性樹脂306m以第一層予以塗敷乾燥（有時劣略之），再於第一層上塗敷無機填料6f較第一層多混入之絕緣性樹脂以形成第二層並予以乾燥（有時省略之），復於其上再塗敷無機填料量較第二層為少或無之第三層。且藉將之予以乾燥，而可構成在帶基板薄膜上形成第一層及第二層及第二層之三層構造絕緣性樹脂片鱧。如將該絕緣性樹脂片體以所定尺寸加以裁剪，則成第63C，64C，67A圖所示上述絕緣性樹脂片6。依據上述直接在電路基板4上形成絕緣性樹脂層之方法，在上述電子零件單元製造側，就上述絕緣性樹脂層可選擇最適合電子零件之材料樹脂配置於電子零件側同時，亦可選擇最適合於基板之材料樹脂配置於基板側，且藉此提高對樹脂之選擇自由度。針對之，絕緣性樹脂片體之製造方法雖無上述程度之選擇自由度，唯可統括製造多數上述絕緣性樹脂片6，而除製造效率良好成本低廉之外，更以一台貼接裝置即充份夠用。如上述，依據本發明上述各實施形態，係可刪除習知為將電子零件例如1C晶片與電路基板予以接所需之許多工程，而能非常地提昇生產性。即，例如以習知例加以記載之凸起嵌入接合或凸起焊接之接合，經翻轉片接合後需要注入封止材料並進入間歇式烘爐予以硬化。此種封止材料之注入則每一個需數分鐘，並封止材料之硬化亦需2到5個本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公芨） — — — — — — — I! — · · I ! I I I 訂· I I I ί I I · (請先閲讀臂面之注意事項再填寫本頁) 109 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（1〇7) 小時。又，於凸起嵌入接合安裝之前工程，乃需將糊漿轉印於凸起，並將此裝載於基板後，再硬tAg糊漿之工程。此工程亦需兩個小時。針對之，上述實施形態之方法係可刪除上述封止工程，能非常地提昇生產性。且上述實施形態藉利用固體或半固體絕緣性樹脂之封止片等，變為能採用例如分子量較大環氧樹脂，故能以10秒〜20秒左右之短時間即完成接合，以謀圖縮短接合時間並更加提昇生產性，而湊出如下效果。 (1)形成凸起將凸起以電鍍予以形成之方法（習知例3)，係需由半導體製造商進行專用之凸起形成工程，且除所限定製造商外無法形成凸起。但如依據本發明之上述實施形態，藉引線接合裝置即能使用泛用之引線接合用IC晶片，而該IC晶片卻易取得。其可使用泛用之引線接合用IC晶片之理由乃在如是引線接合’則可使用引線接合裝或凸起接合裝置在形成有A1襯墊之通常1C晶片上形成凸起所致。另，欲藉將凸起以電鍍予以形成之方法（習和例3)以形成電鍍凸起時，係在A1襯墊上形成Ti，Cu，Cr等勢疊金屬後以施轉塗敷保護膜，並經曝光僅於凸起形成部穿孔。且對此予以通電，而在該孔部進行Au等所成之電鍍即完成。因此，欲形成電鍍凸起則需大規模之電鍍裝置或氰化物等危險物品上之廢液處理裝置，故在進行通常組裝工程之工場，實際上是無法實施。又，比及習知例1之方法，在所謂導電性黏接劑轉印本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)一" ~ l·-----------· 11-----^----111 — (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（108) 之不穩定轉印工程為促使黏接劑轉印量穩定所需之凸起整平作業即呈不需要’且整平工程用之整平裝亦不需要。其理由乃在將凸起予以推壓並在基板電極上予以壓潰，致不需預先僅將凸起予以整平。又’上述實施形態如下予以進行，則雖將凸起1 〇3錯位安裝於電路基板4之電極5 ,亦可達成高信賴性之接合。即將凸起3形成於1C晶片1上時如同引線接合將金由電火花予以形成金球粒96a。其次，形成為以95a表示之直徑(j)d-Bump之球粒96a ’將此以倒稜角0c為1〇〇。以上毛管193之 93a所示倒稜直徑設成金球粒96a之d-pump之1/2至3/4 , 且以尖端形狀呈毛管193與金球粒96a接觸部位未設平坦部份之毛管193藉超音波及熱壓在IC晶片1之電極2形成凸起 103。而由於使用上述形狀之毛管193乃可在IC晶片1之電極2形成如第47B圖之尖端大略圓錐狀之凸起1〇3。將上述方法形成之凸起103如第48C圖錯開Z尺寸安裝於電路基板 4之電極5，亦由於凸起103尖端為大略圓錐狀，致錯開尺寸在凸起103外徑一半之範圍内，凸起1〇3 一部份必能接觸於基板4之電極5。而習知凸起3於第48D圖，雖凸起3之所謂台座3g之幅度尺寸d一部份會接觸，卻僅部份接觸而已致呈不安定接合。如將之送至冷熱衝擊試驗或反流，接合部份即張開。本發明並不會有如此不穩定之接合，乃可提供向生產成品率及向信賴性之接合。 (2)IC晶片與電路基板之接合依據習知例2之方法，連接電阻係依存於凸起與電路本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公楚） — — — — — — — — — — — — — · I I I I I I I — — — — — — — (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 111 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1〇9) 基板之電極間所存在之導電粒子數目，然，本發明之上述實施形態並不需於獨立工程之整平工程整平凸起3，而能以比習知例1，2更強負荷（例如每一凸起20gf之施加壓力） . 向電路基板5予以擠壓以直接接合凸起3與電極5，故連接電阻值並不依存於所介裝之粒子數，可獲得穩定之連接電阻值。又’習知之整平工程係為將與基板電極接合時之凸起尚度予以整平於一定所進行者，但本發明之上述各實施形態卻能於與電極2或5接合同時將凸起予以壓潰，故不只不需獨立之整平工程，更能於接合時俾使電路基板4之變曲起伏變形予以矯正而接合，且能於硬化附著於凸起3，1〇3 之導電性糊漿加以接合時藉使導電性糊漿變形，而切實不需整平凸起3，103，即可在接合時促使電路基板4之變曲或起伏變形並予以矯正接合，故對彎曲及起伏有效。又’習知例1係需以10 y m/IC晶片（一個1C晶片需要1〇 V m之厚度彎曲尺寸精度之意），習知例2則需以2 # m/IC 晶片，習知例3亦需以l；zm/ic晶片（凸起高度不齊於±1// m以下）之高精密度使基板4與凸起3，1〇3予以均勻化，故實際上乃採用由LCD所代表之玻璃基板。針對之，依據本發明之上述實施形態，由於接合時促使電路基板4之變曲或起伏予以變形矯正接合，致具彎曲或起伏平面度較差之基板’例如樹脂基板，撓性基板，多層陶瓷基板等亦可使用’故能提供更為低廉，以及具泛用性之1C晶片接合方法本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） l·—-----------------訂--------- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 112 478078 * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（110) 又’如將1C晶片1與電路基板4間之熱硬化性樹脂306m 體積設成較大於1C晶片1與電路基板4間之空間容積時，熱硬化性樹脂即能自該空間被擠壓流出，而可湊出封止效果。於是不需進行習知例1所需之經以導電性黏接劑接合IC 晶片與電路基板再於1C晶片下封止樹脂（未滿塗敷），致可縮短工程。又如將無機填料6f以熱硬化性樹脂3〇6πι之5〜90wt% 予以調配於熱硬化性樹脂6f，則可將熱硬化性樹脂之彈性率’熱膨張係數最適宜地控制於基板4。加之，將此予以利用於通常之電鍍凸起時，凸起與電路基板間會進入無機填料，致接合信賴性變低。唯如本發明上述實施形態採用嵌入凸起（應用引線接合之形成方法），藉接合開始當初竄進熱硬化性樹脂306m之尖銳凸起3，103將無機填料6f與熱硬化性樹脂一起推出凸起3，1 〇3外側方向，乃可在凸起 3，103變形之過程將無機填料豺及熱硬化性樹脂3〇6m自凸起3，103與電極5，2間予以推出，促使不需要之介在物消除，以更加提昇信賴性。以上，依據本發明，係能提供比習知之接合方法生產性更佳且低廉之電子零件側如1(：晶片與電路基板之接合方法及其裝置。如上所述，依據本發明尚可刪除習知為接合電子零件與電路基板所需之許多工程，而可非常地提昇生產性。又，以接合材料而使用無導電粒子之絕緣性樹脂（例如，熱硬化性樹脂片或熱硬化性黏接劑）時，比及習知例2 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----— — — — — — — — — 裝·！！111 訂·！！|!線 (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 113 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（111 ) 所不方法由於不需在絕緣性樹脂中添加導電性微片，故可提供廉價之電子零件安裝方法及裝置。且，更能奏出如下效果。 (1) 形成凸起將凸起以電鍍予以形成之方法（習知例3)，係需由半導體製造商進行專用凸起形成工程，並僅經限定之製造商才能形成凸起。但，如依據本發明，藉引線接合裝置乃能以電子零件例而使用泛用之引線接合用IC晶片，而該IC晶片易於取得。又，比及習知例1之方法，在所謂導電性黏接劑轉印之不穩定轉印工程之為促使黏接劑轉印量維持穩定所需之凸起整平作業即呈不需要，該整平工程用之整平裝置亦不需使用之。又，如將尖端大略圓錐狀凸起形成於電子零件之電極時，雖將凸起錯位安裝於電路基板之電極，亦由於凸起尖端呈大略圓錐狀，致只要錯位差距不超出凸起外徑一半，凸起一部份定能接觸於基板電極。而習知之凸起雖凸起之所謂台座一部份會接觸，卻僅為部份接觸呈不穩定接合。且將之送至冷熱衝擊試驗或反流則接合部位會裂開。本發明不致有如此不穩定接合，而可提供高生產成品率及高信賴性之接合。 (2) IC晶片與電路基板之接合依據習知例2之方法，連接電阻係依存於凸起與電路基板之電極間所存在之導電粒子數’唯本發明並不需於獨本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 114 L J —I — i I I I I--^------I I (請先Μ讀贵面之注意事項再填寫本頁) 經，濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 A7 ____ B7 五、發明說明（112 ) 立工程之整平工程整平凸起而能以比習知例1，2更大負荷 (例如每一凸起2〇gf之施加壓力）向電路基板之電極予以擠壓以直接接合凸起與電極，故連接電阻值不依存於所介裝之粒子數而可獲穩定之連接電阻值。又，習知之整平工程係為將與基板電極接合時之凸起鬲度予以整平於統一水平所進行，但本發明卻能於與電極接合同時進行凸起之壓潰作業，故不只不需獨立之整平工程’更能於接合時促使電路基板之彎曲或起伏予以矯正並接合’復在硬化附著於凸起之導電性糊漿予以接合時藉使導電性糊漿變形，而確實不需凸起之整平作業，故對彎曲及起伏頗強。又，習知例1係需以10//m/IC晶片（每一 1C晶片需10 之厚度彎曲尺寸精度之意），習知例2則需以2 // m/IC晶片 I知例3亦需以1 e m/IC晶片（凸起南度不齊於土以下）之高精密度均句化基板與凸起，致實際上乃採用由LCD 所代表之玻璃基板。針對之，如依據本發明，由於接合時促使電路基板之彎曲或起伏變形予以矯正而接合，故可使用具彎曲或起伏之平面度較差基板，例如樹脂基板，撓性基板’多層陶曼基板等，以提供更低廉，且具泛用性之ic 晶片接合方法。又’如將電子零件與電路基板間之絕緣性樹脂體積設成大於電子零件與電路基板間之空間容積時，絕緣性樹脂即自該空間被擠壓流出，可奏出封止效果。於是不需進行習知例1所需之經以導電性黏接劑將1C晶片與電路基板予本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -------------裝--------訂--------線 (請先閲讀臂面之注意事項再填寫本頁) 115 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（113 ) 以接合後再於1C晶片下封止樹脂（未滿塗敷），而可縮短工又，藉將無機填料以絕緣性樹脂5〜90wt%程度予以調配於絕緣性樹脂，則可將絕緣性樹脂之彈性率，熱膨脹係數最為適宜地控制於基板。加之，將此利用於通常之電鍍凸起時，凸起與電路基板間即進入無機填料，致接合信賴性變低。唯如本發明採用嵌入凸起（利用引線接合之形成方法），藉接合初期竄入絕緣性樹脂中之尖銳凸起將無機填料與絕緣性樹脂一起推出凸起外側方向，乃可在凸起變形之過程將無機填料與絕緣性樹脂自凸起與電極間予以推出，將不必要之介裝物予以消除，而可更加提昇信賴性〇又，在調配相同重疊之無機填料時，如使用平均粒徑 3 /z m以上大無機填料，或使用多數平均粒徑相異之無機填料，或使用一方無機填料平均粒徑與另方無機填料平均粒徑相差兩倍以上之無機填料，或使用至少兩種無機填料中之一方無機填料具超過瓜平均粒徑，另方無機填料具3 以下平均粒徑之無機填料，則能減低無機填料周圍之吸濕量，除可提昇耐濕性之外，尚可促使無機填料量增加，呈易於薄膜化（固體化）同時，亦可減低絕緣性樹脂層，例如樹脂片或黏接劑之線膨脹係數，而能予以更加長命化以提昇信賴性。且，如將平均粒徑較大一方無機填料由與上述絕緣性樹脂相同材料予以構成，則可奏出應力緩和作用，又如將本纸張尺度朝t S国家標準（CNS)A4 i格（210 X 297公髮 ,^ --------^--------- (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 116 478078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------B7_ 五、發明說明（1H) 平均粒徑較大一方無機填料形成較上述絕緣性樹脂之環氧樹脂更為柔軟，而上述一方無機填料如被壓縮，則亦可奏出應力緩和作用。又，如使電子零件或上述基板與絕緣性樹脂層之接合界面不存在無機填料或其量少，則能令絕緣性樹脂發揮其本來之粒接性，而上述接合界面即增多黏接性高之絕緣性樹脂’故可提昇電子零件或上述基板與絕緣性樹脂之密接強度’且維持無機填料所導致之線膨脹係數減低效果，以提昇與電子零件或上述基板之黏接性。並藉此促使在各種信賴性試驗之壽命提昇同時，亦提昇對於彎曲之剝離強度又，接觸於上述電子零件之部位或層，如使用對電子零件表面所用膜原料可促進其密接性之絕緣性樹脂，且接觸於上述基板之部位或層，如使用對基板表面之材料可提昇其密接性之絕緣性樹脂，則可更提昇密接性。又’上述各實施形態於施加上述超音波以金屬接合上述全凸起與上述基板之上述電極時，以及端正上述基板蠻曲與壓潰上述凸起時之雙方工程不予對上述電子零件與基板雙方進行加熱’待分別完成後’再各自上述電子零件側或自基板側或自上述電子零件側與上述基板側雙方予以加熱亦可。以上，如依據本發明，經將電路基板與電子零件予以接合後’即不需要再於電路基板與電子零件間注入封止樹脂之工程，以及整理凸起高度於統一水平之整平工程，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ^, — — — — — ——線 (請先閲讀脅面之注意事項再填寫本頁) 117 478078 A7 B7 五、發明說明（115) 可提供以良好生產性且高信賴性將電子零件接合於基板之對於電路基板之電子零件安裝方法及裝置。本發明就較佳實施形態有關技術事宜已參照所添附圖示充份詳細記載之，對於本技術熟練者當可明瞭其種種變形或更改，而如此變形或更改，除非脫離所添附本發明申請專利範圍外，否則應該被認為被包含於其内。元件標號對照 (請先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1···電子零件 8，9…電氣連接用裝置（包 2···電子零件之電極括工具） 3，103…凸起 10…各向異性導電層 4…基板 10a…導電粒子 5···基板之電極 7 8…經加熱之工具 6···固體絕緣性樹脂層 93，193…熱壓用裝置（包括 6m，306m…絕緣性樹脂層毛管） 6f，6f-l，6f-2…無機填料 95…金屬線 6x…第一樹脂層 96，96a…球粒（包括金球粒) 6y…第二樹脂層 306b…半固體絕緣性樹脂層 7，109，200，20卜·貼接用 503…爐裝置 600…裝載等用裝置 628…工具本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 118

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製呼/〇υ/δ 六、申請專利範圍第關U75號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：90年9月 1. -種電子零件之安裝方法，係如㈣線接合藉電火花在金屬線(，尖端形成球粒（96,96a)，再將上述所形成球粒由毛g (93 ’ 193)予以超音波熱壓於電子零件⑴之電極（2)以形成凸起（3，，冑魏有導電粒子（1Ga)之各向純導電層⑽介裝於調配有無機填料线緣性樹脂，且將上述電子零件之上述電極與電路基板⑷之電極⑺予以對正並使上述電子零件裝載於上述基板，然後’自上述電子零件料以加熱，或自基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，藉工具（8)將上述電子零件以每一凸起2〇以以上之壓力予以推壓於上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起，且促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂予以硬化，以接合上述電子零件與上述電路基板，並使上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極電氣連接。 2·如申請專利範圍第1項之電子零件之安裝方法，其中，當形成上述凸起後，於介裝上述各向異性導電層同時、，並使上述電子零件之上述電極與上述電路基板（4)之上述電極（5)位置對正，將上述電子零件裝載於上述基板之前，係將上述所形成之凸起，先以2〇gf以下負荷予以

0 Μ--------tr---------*! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

119 478078 ,六、申請專利範圍擠壓，以防止上述凸起頸部倒斜而整平尖端。 3. 如申請專利範圍第！項之電子零件之安裝方法，其中，上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂（6m)係為絕緣性熱硬化性環氧樹脂’且調配於上述絕緣性熱硬化性環氧樹脂之上述無機填料之量為該絕緣性熱硬化性環氧樹脂之5〜90wt%。〇 4. 如申請專利範圍第！項之f子零件之安裝方法，其中，上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂（6m)係當被塗敷於上述基板時為液體，且塗敷於上述基板後，將上述基板送入爐（503)内並藉令上述被塗敷之絕緣性樹脂液體予以硬化，«被加熱之工具（78)將上述被塗敷之絕緣性樹脂液體予以推廢，、經半固體化後，而將上述電子零件裝載於上述基板。义種電子零件之安裝方法，係如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球形或球粒（96，術)，並將所形成線球粒藉毛管（93，193)予以超音波熱麼於電子零件⑴之電極（2)以形成金凸起，對上述形成之凸起不予整平，且將調配有導電粒子 (10a)之各向異性導電層叫介裝於調配有無機填料之絕緣性樹㈣時，訂述電子零件之上述電極與電路基板⑷之電極（5)予以位置對正而將上述電子零件裳載於上述基板，之後，藉工具⑻自上述電子零件上面側施加負荷㈣止上述金凸起頸部倒斜而整平尖端，同時予以施加超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極金義中siiF準（CNS)A4規格⑵ο X 297公釐)一 120 Α8 Β8 C8 D8

、申請專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製屬接合，其次’自上述電子零件之上述上面側予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，將上述電子零件以每一凸起2〇gf 以上壓力推向上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓〉貝上述凸起，並使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化，而將上述電子零件與上述電路基板予以接合，以電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極。 6·如申請專利範圍第丨項之電子零件之安裝方法，其中，上述電子零件⑴係具有多數電極（2)，且在上述位置對正則，作為上述各向異性導電層將比及上述電子零件之上述多數電極予以連接或外形尺寸（〇L)為小形狀尺寸之固形各向異性導電膜片⑽貼接於上述電路基板並進灯位置對JL，而於上述接合時，將上述各向異性導電膜片⑽予以加熱，且將上述電子零件施壓推向上述電路基板，以進行橋正上述電路基板之彎曲同時，使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化’將上述電子零件與上述電路基板^以接合。 7。如申請專利範圍第！項之電子零件之安裝方法，其中，為將^述凸起形成於上述電子零件而如同引線接合藉電火化在金屬線（95)尖端形成金球粒⑽)時，係將倒棱角（0 為1GG以下’且藉與上述金球粒（9㈣接觸部份未設平坦部位之具尖端形狀上述毛管，將尖端大略圓 . --------訂----1 I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 121 478078 六、申請專利範圍錐狀之上述金凸起形成於上述電子零件之上述電極。 8· —種電子零件之安裝方法，係如同引線接合藉電火在金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a),真將上述形成之球粒由毛官（93，193)於電子零件（丨）之電極（2)形成凸起（3， 103)，上述所形成之凸起不予整平，將調配有導電粒子 ► (10a)之各向異性導電層（10)介裝於調配有無機填料之絕緣性樹脂，且將上述電子零件之電極與電路基板（4) 之電極（5)位置對正並令上述電子零件裝載於上述基

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後，藉被加熱至所定溫度之工具（8)自上述電子零件上面予以加熱，並施加壓力將上述電子零件以壓力 pi予以推向上述電路基板，而矯正上述基板之彎曲同時’使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂予以硬化，之後，經所定時間後，將上述施加壓力自壓力ρι 下降至更低之壓力P2以緩和上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化時之應力，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之上述電極與上述電路基板之電極予以電氣連接。 9·如申請專利範圍第8項之電子零件之安裝方法，其中，上述壓力P1為20gf/凸起以上，上述壓力p2為上述壓力 P1之3^以下。 10·—種電子零件之安裝裝置，係具有：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478078

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將調配有無機填料之絕緣性樹脂再調配導電粒子 (10a)所成各向異性導電層（10)貼接於電路基板（4)之電極（5)或電子零件（1)之裝置（7，1〇9，200，201)，與在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a)，再將此由毛管 (93，193)予以超音波熱壓於上述基板之上述電極以形 -成未整平之凸起（3，103)之裝置（93，193)，與將上述電子零件位置對正於上述電子零件（4)之電極（5)並予以裝載之裝置（600)，以及藉工具（8)予以加熱，將上述電子零件以每一凸起 20gf以上壓力推向上述電路基板，而矯正上述基板之彎曲，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接之裝置（8，9)。 Π·—種電子零件之安裝裝置，係具有：將調配有無機填料之絕緣性樹脂再調配導電粒子 (l〇a)所成各向異性導電層（1〇)貼接於電路基板（4)之電極（5)或電子零件（1)之裝置（7，1〇9，2〇〇，2〇1)，與在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火花於金屬線（95)尖端形成球粒（96, 96a)，再將此由毛管 (96，193)予以超音波熱壓於上述基板之上述電極以形成未整平之金凸起（3，1〇3)之裝置（93，193)，與將上述電子零件位置對正於上述電路基板（4)之電 I紙張尺度適财關家辟（CNS_)A4祕⑽χ 297公髮 ------*-------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 123 478078 C8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

_ D8 -----------— — 、申請專利範圍極（5)並予以裝載之裝置（6〇〇)，與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉工具（628)自上述電子零件上面予以施加負荷並防止上述金凸起之頸部倒斜以整平尖端同時，且施加超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合之裝置（620)，以及藉工具（8)予以加熱，將上述電子零件以每一凸起 - 2〇gf以上之壓力予以推向上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化，而接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接。 12·如申請專利範圍第1〇項之電子零件之安裝裝置，其中，形成上述金凸起（96a)之裝置（93，193)係具有與上述金球粒接觸部位未設平坦部位而呈尖端形狀並倒稜角（0 c)為100。以下之上述毛管，且藉該毛管將尖端呈大略圓錐狀之上述金凸起形成於上述電子零件之上述電極。 13.—種電子零件之安裝裝置，係具有·· 將調配有無機填料之絕緣性樹脂再調配導電粒子 (l〇a)所成各向異性導電層（1〇)貼接於電路基板（4)或電子零件（1)之裝置（7，1〇9，200，201)，與在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火花於金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a)，將此由毛管（96 ’ 193)予以形成於上述基板之上述電極而形成未整平之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 124 六、申請專利範圍凸起（3 ’ 103)之裝置（93，193)，與將上述電子零件位置對正於上述電路基板（4)之電極（5)並予以裝載之裝置（6〇〇)，以及藉被加熱至所定溫度之工具（8)自上述電子零件上面予以加熱，並以施加壓力將上述電子零件以壓力ρι 予以推向上述電路基板，而矯正上述基板之彎曲同時， ·—使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂予以硬化，之後，經所定時間後，將上述施加壓力自上述壓力P1下降為較低之壓力P2以緩和上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂硬化時之應力，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接之裝置（8, 9)。 14·如申請專利範圍第丨項之電子零件之安裝方法，其中，上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂所調配上述無機填料之平均粒徑為3 # m以上。 15·如申請專利範圍第j項之電子零件之安裝方法，其中，上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂所調配二述無機填料係為具多數相異平均粒捏之至少兩種無機_ (6f-l ’ 6f-2);且上述至少兩種無機填料中之一方無機填料(6f-l)之平均粒徑與上述至少兩種無機填料中之另方無機填料（6f-2)之平均粒徑相差兩倍以上。 16.如申請專利範圍第〗項之電子零上述各向異性導電層之接觸於上述電子::或上其二板之任-方部份係被形成為上述無機填料量比其他部六、申請專利範圍位少經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

17.如申請專利範圍第1項之電子零件之安裝方法，立中，上述各向異性導電層之分別接觸於上述電子零件及上 =基板之部位係被形成上述無機填料量比其他部位為 ls· 一種電子零件單元，係、將形成於電子零件⑴之電極⑺ 之凸起(3 ’ 103) ’介絕緣性樹脂(6m)調配無機填料⑽ 且經硬化所成各向異性導㈣⑽，以上述凸起被愿潰之狀態予以接合於電路基板⑷之電極（5)，並使上述電子零件之電極與上述電路基板之電極電氣連接，而上述各向異性導電層（1〇)之接觸於上述電子零件或上述基板之任一方部位係被形成上述無機填料量比其他部位為少。 a-種電子零件單元，係將#彡成於電子零件⑴之電極⑺ 之凸起（3，103)，介絕緣性樹脂調配無機填料（6f) 且經硬化所成各向異性導電層（1〇)，以上述凸起被壓潰之狀態予以接合於電路基板（句之電極（5)，並使上述電子零件之電極與上述電路基板之電極電氣連接，而上述各向異性導電層（10)乃具有；被定位於接觸上述電子零件或上述基板之任一方部位且將上述無機填料調配於與上述絕緣性樹脂相同之絕緣性樹脂所成之第一樹脂層（6x)，及接觸於上述第一樹脂層且由上述無機填料較上述第一樹脂層為少之絕緣性樹脂予以構成之第二樹脂層（6y)。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 126 圍申請專利範 2〇.如申請專利範圍第】項之電子零件之安裝方法，其中，上述凸起係由電錢或印刷予以形成之凸起。 21·如申請專利範圍第18項之電子零件單元，其中，上述& 起係為由電鍍或印刷予以形成之凸起。 α 玟如申請專利範圍第i項之電子零件之安裝方法，其中，上述各向異性導電層係為調配上述無機填料所成固體絕緣性樹脂，再予以調配具比上述無機填料平均粒徑更大平徑直徑之導電粒子（1〇&)者。 23.如申請專利範圍第10項之電子零件之安裝裝置，其中，上述各向異性導電層係為調配上述無機填料⑽所成之固體絕緣性㈣，再予以調配具比上述無機填料平徑粒徑更大平均直徑之導電粒子（1〇m)者。 24·如申請專利範圍第18項之電子零件單元，其中，上述各向異性導電層係為調配上述無機填料（6f)所成之固體絕緣性樹脂，再予以調配具比上述無機填料平均粒徑更大平均直徑之導電粒子（l〇a)者。 25. —種電子零件之安裝方法，係如同引接接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a)，並將所形成球粒藉毛管（93，193)予以超音波熱壓於電子零件（1)之電極（2) 以形成凸起（3，103)，將上述形成之凸起不予整平，且將絕緣性樹脂 (306m)調配無機填料（6f)所成固體咸半固體絕緣性樹脂層（6，306b)予以介裝同時，並使上述電子零件之上述電極與電路基板（4)之電極（5)位置對正而將上述電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背面之注意事項▲ 再填 * I裝頁I 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製子 127 ♦ 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 ~-----_ 、申請專利範圍零件裝載於上述基板，之後，自上述電子零件側予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，藉工具（8)將上述電子零件以每一凸起2〇紅以上施加壓力推向上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起，並使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，而將上述電子零件與上述電路基板予以接合，並電氣連接上述電子零件之電極與上述電路基板之電極。 26·如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，當形成上述凸起之後，將絕緣性樹脂（3〇6m)調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕緣性樹脂層（6，3〇6b)予以介裝同時，使上述電子零件之電極與上述電路基板（4)之電極（5)位置對正，欲將上述電子零件裝載於上述基板之前，係將上述形成之凸起，先以2〇gf以下負荷予以推壓，以防止上述凸起之頸部倒斜而予以整平尖端。 27.如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，上述絕緣性樹脂（306m)係為絕綠性熱硬化性環氧樹脂，而調配於該絕緣性熱硬化性環氧樹脂之上述無機填料之量為上述絕緣性熱硬化性環氧樹脂之5〜9〇wt%。 28· —種電子零件之安裝方法，係如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成粒（96，96a)，並將所形成球粒藉毛管（93 ’ 193)予以超音波熱壓於電子零件⑴之電極（2)以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 128 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Μ--------tr---------UPL (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C8 —-----」8 六、申請專利範圍形成金凸起（3，103)，將上述形成之凸起不予整平，且將絕緣性樹脂 (3〇6m)調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕緣性樹脂層（6,鳩）予以介裝，同時使上述電子零件之電極與電路基板⑷之電極（5)位置對正將上述電子零件裝載於上述基板， " 〜 “ ’藉工具⑻自上述電子零件上面側予以施加負荷以防止上述金凸起之頸部倒斜而整平尖端，並施加超音波使上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合，其次，自上述電子零件之上述上面側予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，將上述電子零件以每一凸起2〇# 以上施加壓力推向上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起，而使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，將上述電子零件與上述電路基板予以接合，並電氣連接上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極。 29·如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，一上述電子零件（1)係具多數電極（2)，且在位置對正前，以上述絕緣性樹脂層，將較上述電子零件（〗）之上述多數電極（2)予以連接所成外形尺寸（〇L)為小形狀尺寸之固體絕緣性樹脂片（6)貼接於上述電路基板並進行上述位置對正，而於上述接合，將上述絕緣性樹脂片予本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 129 478078 A8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

六廛 —_____D8 1 11 - 、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以加熱，且將上述電子零件施壓推向上述電路基板，進行矯正上述電路基板之彎曲同時，使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，將上述電子零件與上述電路基板予以接合。 30.如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，為將上述凸起形或於上述電子零件而如同引線接合藉一電火花在金屬線（95)尖端形成金球粒（96a)時，乃將倒稜角設為100。以下，且藉與上述金球粒（96a)接觸部位未設平坦部位之具尖端形狀上述毛管，將尖端大略圓錐狀之上述金凸起形成於上述電子零件之上述電極。 31·—種電子零件之安裝方法，係如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a)，再將上述形成之球粒由毛管（96, 193)於電子零件⑴之電極⑺形成為凸起 (3 ， 103)，上述所形成之凸起不予整平，將絕緣性樹脂（3〇6m) 調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕緣性樹脂（6， 306b)予以介裝，且將上述電子零件之電極與電路基板 (4)之電極（5)位置對正並使上述電子零件裝載於上述基板，然後，藉被加熱至所定溫度之工具（8)自上述電子零件上面予以加熱，並以施加壓力將上述電子零件以壓力P1推向上述電路基板，而進行橋正上述基板之彎曲同時，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂予以硬化，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 130 478078 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，經所定時間後，將上述施加壓力自上述壓力 P1下降為較低之壓力P2以緩和上述絕緣性樹脂硬化時之應力，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連 32·如申請專利範圍第3 1項之電子零件之安裝方法，其中，一上述壓力P1為20gf/凸起以上’上述壓力p2則為上述壓力P1之％以下。 33·—種電子零件之安裝裝置，係具有：將絕緣性樹脂（306m)調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕緣性樹脂層（6，306b)貼接於電路基板（4)之電極（5)或電子零件（1)之裝置（7，1〇9，200，201)，與在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96, 96a)，再將此由毛管 (96’ 193)予以超音波熱壓於上述基板之上述電極以形成未整平之凸起（3，103)之裝置（93，193)，與經濟部智慧財產局員工消費合作社印製將上述電子零件位置對正於上述電路基板之電極（5)並予以裝載之裝置（6〇〇)，以及藉工具（8)予以加熱，將上述電子零件以每一凸起 2〇gf以上之壓力予以推向上述電路基板，而矯正上述基板之彎曲，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接之裝置（8，9)。 131 478078 A8 B8 C8 D8 ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 ••六、申請專利範圍 34·—種電子零件之安裝裝置，係具有：將絕緣性樹脂（306m)調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕緣性樹脂層（6，306b)貼接於電路基板（4)之電極（5)或電子零件（1)之裝置（7，109，200，201)，與在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96, 96a)，再將此由毛管一（93，193)予以超音波熱壓於上述基板之上述電極以形成未整平之金凸起（3，103)之裝置（93，193)，與將上述電子零件位置對正於上述電路基板之電極（5)並予以裝載之裝置（6〇〇)，與藉工具（628)自上述電子零件上面予以施加負荷並防止上述金凸起之頸部倒斜以整平尖端同時，且施加超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合之裝置（620)，與藉工具（8)予以加熱，將上述電子零件以每一凸起 20gf以上之壓力推向上述電路基板，而橋正上述基板之彎曲及壓潰上述凸起，且使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣性樹脂硬化，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接之裝置（8，9)。 35·—種電子零件之安裝裝置，係具有：將絕緣性樹脂（306m)調配無機填料（6f)所成固體或半固體絕綠性樹脂層（6，306b)貼接於電路基板（4)之電極（5)或電子零件⑴之裝置（7，1〇9，2〇〇，2〇1)，與 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

132 I_____I__ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478078 C8 _______ D8 六、申請專利範圍在上述電子零件（1)之電極（2)如同引線接合藉電火化在金屬線（95)尖端形成球粒（96，96a)，再將此由毛管 (93，193)予以形成於上述基板之上述電極以形成未整平之凸起（3，103)之裝置（93，193)，與將上述電子零件位置對正於上述電路基板（4)之電極（5)並予以裝載之裝置（6〇〇)，以及 ·〃藉被加熱至所定溫度之工具（8)自上述電子零件上面予以加熱，並以施加壓力將上述電子零件以壓力ρι 推向上述電路基板，而端正上述基板之彎曲同時，使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述絕緣樹脂予以硬化，之後，經所定時間後，將上述施加壓力自上述壓力P1下降為較低壓力P2以緩和上述絕緣性樹脂硬化時之應力，以接合上述電子零件與上述電路基板，並將上述電子零件之電極與上述電路基板之電極予以電氣連接之裝置（8，9)。 36·如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，上述絕緣性樹脂所調配之上述無機填料係為具相異平均粒徑之多種無機填料（6f_l，6f_2)。 37·如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，上述絕緣性樹脂法（6，306b)之接觸於上述電子零件或上述基板之任一方部位係被形成上述無機填料量比= 他部位為少。 38.如申請專利範圍第37項之電子零件之安裝方法，其中，上述絕緣性樹脂層（6 ’ 3G6b)之分別接觸於上述電子 ^張尺度_中_家鮮((^S)A4規格 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------*tr---------, (210 x 297 公釐） 133 478078

、申請專利範圍 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之子件及上述基板之部位係被形成上述無機填料量比1 部位為少。〃 39·如申請專利範圍第37項之電子零件之安裝方法，其中，上述接觸於上述電子零件之部位係使用對電子零件表面所用膜材料可促使密接性提昇之絕緣性樹脂同時，^ 述接觸於上述基板之部位則使用對基板表面材料可提 - 昇密接性之絕緣性樹脂。 4〇·如申請專利範圍第25項之電子零件之安裝方法，其中，上述絕緣性樹脂層（6，306b)之接觸於上述電子零件或上述基板之任一方部位係被形成不予調配上述無機填 41· 一種電子零件單元，係將形成於電子零件（1)之電極（2) 之凸起（3，103)，介裝絕緣性樹脂（306m)調配無機填料 (6f)且經硬化所成絕緣性樹脂層（6，306b)，以被壓潰狀態予以接合於電路基板（4)之電極（5)，並使上述電零件之電極與上述電路基板之電極電氣連接，而上述絕緣性樹脂層（6，306b)之接觸於上述電子零件或上述基板之任一方部位乃被形成上述無機填料之量比其他部位為少。 42. —種電子零件單元，係將形成於電子零件〇)之電極（2) 之凸起（3，103)，介裝絕緣性樹脂（3〇6m)調配無機填料 (6f)且經硬化所成之絕緣性樹脂層（6，3〇6b)，以被壓潰之狀態予以接合於電路基板（4)之電極（5)，並使上述電子零件之電極與上述電路基板之電極電氣連接，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — II I I I I · I 1 I I 1--— — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 134 4/^078 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 §B8 C8 ----^__ 、申請專利範圍而上述絕緣性樹脂層（6，306b)乃具有；被定位於接觸上述電子零件或上述基板之任一方部位且將上述無機填料調配於與上述絕緣性樹脂相同之絕緣性樹脂所成之第一樹脂層（6χ)，及接觸於上述第一樹脂層且由上述無機填料量較上述第一樹脂層為少之絕緣性樹脂予以構成之第二樹脂層（6y)。 •43·如申請專利範圍第5項之電子零件之安裝方法，其中，田％加上述超音波以金屬連接上述金凸起與上述基板之上述電極時，係自上述電子零件之上述上面側予以加熱，或自上述基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱。 44· 一種電子零件單元，係包含一具有凸起（3，1〇3)的電子零件（1)、一電路基板（4)及一將導電粒子（1〇a)調配至一調配有無機填料之絕緣性樹脂中而形成的各向異性導電層（10)，上述凸起（3，103)係如同引線接合藉電火花在金屬線（95)尖端形成球粒（96, 96a)，再將上述所形成球粒由毛管（93，193)予以超音波熱壓於電子零件（1)之電極（2)而形成者；又，上述電子零件單元係利用申請專利範圍第1項所述電子零件之安裝方法將上述電子零件安裝至上述基板上，其中係中介著上述各向異性導電層，使上述電子零件之上述電極與上述電路基板（4)之電極（5)予以對正並使上述電子零件裝載於上述基板，然後，自上述電子零件側予以加熱，或自基板側予以加熱，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I ^ -·裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 135 A8 B8 C8 D8 € :六、申請專利範圍藉工具（8)將上述電子零件以每一凸起2〇gf以上之壓力予以推壓於上述電路基板，以矯正上述基板之彎曲及壓 /貝上述凸起’且促使介裝於上述電子零件與上述電路基板間之上述各向異性導電層之上述絕緣性樹脂予以硬化’以接合上述電子零件與上述電路基板，並使上述電子零件之上述電極與上述電路基板之上述電極電氣連 -接。 45.如申請專利範圍第u項之電子零件之安裝裝置，其中，上述施加超音波將上述金凸起與上述基板之上述電極予以金屬接合裝置，係具有自上述電子零件之上述上面側，或自上述基板側，或自上述電子零件側及上述基板側雙方予以加熱之加熱構件，且在上述金屬接合時，即由上述加熱構件予以加熱。 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 入so. 4 I -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 136