TWI513810B - 攝像零件 - Google Patents

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TWI513810B
TWI513810B TW100103579A TW100103579A TWI513810B TW I513810 B TWI513810 B TW I513810B TW 100103579 A TW100103579 A TW 100103579A TW 100103579 A TW100103579 A TW 100103579A TW I513810 B TWI513810 B TW I513810B
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Seiji Izutani
Hisae Uchiyama
Takahiro Fukuoka
Kazutaka Hara
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Nitto Denko Corp
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Description

攝像零件
本發明係關於一種攝像零件,詳細而言係關於一種裝備於攝像裝置上之攝像零件。
近年來,在數位相機等攝像裝置中,根據攝像裝置之像素數,使用有複數個CCD(電荷耦合元件,Charge Coupled Device)影像感測器、CMOS(互補型金屬氧化膜半導體,Complementary Metal Oxide Semiconductor)影像感測器等攝像元件。
該等攝像元件存在若處於高溫下,則會發生產生雜訊等不良情況之情形。
因此,業者正在研究於攝像元件上設置放熱構件,以抑制攝像元件之溫度上升。
更具體而言,例如提出有:於固體攝像裝置中,於攝像元件之攝像面之背面設置包含石墨片材之熱傳導構件,並且以與該石墨片材接觸之方式於與攝像元件之攝像面相對之側面設置珀耳帖元件等電子冷卻元件及放熱構件(例如,參照日本專利特開2008-177917號公報)。
於日本專利特開2008-177917號公報所記載之固體攝像裝置中,於攝像元件之側面側配置電子冷卻元件及放熱構件,並且以接觸電子冷卻元件與攝像元件之方式於厚度方向上配置熱傳導效率較高之石墨片材作為熱傳導構件,藉此實現放熱性之提高及固體攝像裝置之小型化。
然而,由於日本專利特開2008-177917號公報中使用之石墨片材價格高,故存在於成本方面較差之不良情況。
另外,由於攝像元件存在感度根據溫度條件而發生變化之情形,因此為實現其感度之均勻化,而要求減少溫度不均(實現溫度之均勻化)。
因此,本發明之目的在於提供一種可實現低成本化及溫度之均勻化、放熱性優異之攝像零件。
本發明之攝像零件之特徵在於:包括攝像元件,其具備使光入射之光入射面及配置於上述光入射面之相反側的背面;及熱傳導性片材,其設置於上述背面,用以使自上述攝像元件產生之熱放出;且上述熱傳導性片材含有板狀氮化硼粒子,上述熱傳導性片材相對於厚度方向正交之方向上之熱傳導率為4 W/m‧K以上。
於此種攝像零件中,於攝像元件之配置於光入射面之相反側之背面具備熱傳導性片材,詳細而言,具備含有板狀氮化硼粒子,且相對於厚度方向正交之方向(即,面方向)上之熱傳導率為4 W/m‧K以上的熱傳導性片材。因此,可使熱於面方向上均勻地擴散,減少溫度不均(實現溫度之均勻化),並且可確保優異之放熱性,其結果可實現感度之提高。
另外,由於此種熱傳導性片材較之石墨片材可更低廉地製造,故可實現低成本化。
另外,本發明之攝像零件較佳為CMOS影像感測器。
另外,本發明之攝像零件較佳為背面照射型CMOS影像感測器。
根據本發明之攝像零件,可實現溫度之均勻化,並且可確保優異之放熱性,進而可實現低成本化。
圖1為本發明之攝像零件之一實施形態之概略構成圖,圖2為用以說明圖1所示之攝像零件所具備之熱傳導性片材的製造方法之步驟圖,圖3為圖2所示之熱傳導性片材之立體圖。
於圖1中,攝像零件1具備攝像元件2、及用以使自攝像元件2產生之熱放出之熱傳導性片材3。
攝像元件2係具備將接受之光轉換成電訊號之光電轉換元件(後述受光元件10)之元件,於數位相機或數位攝影機等攝像裝置(未圖示)中,根據其像素數而具備複數個。
作為攝像元件2,可舉出CCD影像感測器、或表面照射型CMOS影像感測器、背面照射型CMOS影像感測器等CMOS影像感測器等,於本實施形態中,作為攝像元件2,係採用CMOS影像感測器,詳細而言係採用表面照射型CMOS影像感測器。
此種攝像元件2具備聚光透鏡4、濾光器5、電路基板6及受光基板7。
聚光透鏡4為剖面觀察大致形成為半橢圓形之透鏡,其底面密接於濾光器5,並且上表面(曲面)露出,作為使光入射之光入射面。
此種聚光透鏡4於攝像元件2中以對應於後述綠色濾光器5G、紅色濾光器5R及藍色濾光器5B之方式設置有複數個(3個)。
濾光器5形成為薄膜,具備綠色濾光器5G、紅色濾光器5R及藍色濾光器5B。
綠色濾光器5G係對應於綠色之波段之光之穿透率較高之透光膜,將自聚光透鏡4之光入射面入射之光分光,使綠色光穿透。
紅色濾光器5R係對應於紅色之波段之光之穿透率較高之透光膜,將自聚光透鏡4之光入射面入射之光分光,使紅色光穿透。
藍色濾光器5B係對應於藍色之波段之光之穿透率較高之透光膜,將自聚光透鏡4之光入射面入射之光分光,使藍色光穿透。
該等綠色濾光器5G、紅色濾光器5R及藍色濾光器5B係利用公知之方法製造,藉由鄰接配置而形成濾光器5。
電路基板6具備絕緣層8、埋設於絕緣層8中之導體圖案9。
絕緣層8係由使光穿透之透光性材料形成,為使導體圖案9絕緣而插入導體圖案9之間。
作為透光性材料,並無特別限制,例如可舉出氧化矽等,進而,可舉出於該氧化矽中添加例如磷、硼等而獲得之添加氧化矽等。
導體圖案9例如係由鋁、銅等金屬材料形成,詳細而言,例如利用公知之印刷方法形成為特定圖案並埋設於絕緣層8中。
此種導體圖案9為傳遞受光元件10(後述)中獲得之電訊號而與外部構件電性連接。
受光基板7例如為包含聚矽氧樹脂等之基板,以接觸電路基板6之方式設置。
另外,受光基板7含有受光元件10。
受光元件10係將接受之光轉換成電訊號之光電轉換元件,剖面觀察大致形成為矩形。
此種受光元件10係以對應於濾光器5之方式設置有複數個(3個),各受光元件10以對向於各濾光器5(綠色濾光器5G、紅色濾光器5R及藍色濾光器5B)之方式埋設於受光基板7中。
另外,各受光元件10係以如下方式配置:其一側面自受光基板7露出,且與各彩色濾光器5(綠色濾光器5G、紅色濾光器5R及藍色濾光器5B)之與上述一側相對之另一側面(與電路基板6接觸一側之面)相對向。
並且,此種受光基板7具備配置於光入射面之相反側之背面,作為與聚光透鏡4之光入射面側之表面(接觸受光基板7與電路基板6之面)相對的另一側面。受光基板7之背面(攝像元件2之背面)形成為平面,於該背面設置有熱傳導性片材3。
熱傳導性片材3形成為平板狀,以其表面密接於受光基板7之背面(攝像元件2之背面)之方式配置。
此種熱傳導性片材3含有氮化硼粒子。
具體而言,熱傳導性片材3含有氮化硼(BN)粒子作為必需成分,進而含有例如樹脂成分。
氮化硼粒子形成為板狀(或者鱗片狀),以配向於特定方向(後述)之形態分散於熱傳導性片材3中。
氮化硼粒子之長邊方向長度(相對於板之厚度方向正交之方向上之最大長度)平均為例如1~100 μm,較佳為3~90 μm。另外,氮化硼粒子之長邊方向長度平均為5 μm以上,較佳為10 μm以上,進而較佳為20 μm以上,特佳為30 μm以上,最佳為40 μm以上,通常例如為100 μm以下,較佳為90 μm以下。
另外,氮化硼粒子之厚度(板之厚度方向長度、即粒子之短邊方向長度)平均為例如0.01~20 μm,較佳為0.1~15 μm。
另外,氮化硼粒子之縱橫比(長邊方向長度/厚度)例如為2~10000,較佳為10~5000。
並且,氮化硼粒子藉由光散射法所測定之平均粒徑例如為5 μm以上,較佳為10 μm以上,進而較佳為20 μm以上,特佳為30 μm以上,最佳為40 μm以上,通常為100 μm以下。
再者,藉由光散射法所測定之平均粒徑係利用動態光散射式粒度分佈測定裝置所測定之體積平均粒徑。
若氮化硼粒子藉由光散射法所測定之平均粒徑未滿上述範圍,則存在熱傳導性片材3變脆,操作性下降之情況。
另外,氮化硼粒子之鬆密度(JIS K 5101、視密度)例如為0.3~1.5 g/cm3 ,較佳為0.5~1.0 g/cm3
另外,氮化硼粒子可使用市售品或將其加工而成之加工品。作為氮化硼粒子之市售品,例如可舉出Momentive Performance Materials Japan公司製造之「PT」系列(例如,「PT-110」等)、昭和電工公司製造之「SHOBN UHP」系列(例如,「SHOBN UHP-1」等)等。
樹脂成分係能夠分散氮化硼粒子者,即分散氮化硼粒子之分散介質(基質),例如,可舉出熱硬化性樹脂成分、熱塑性樹脂成分等樹脂成分。
作為熱硬化性樹脂成分,例如可舉出:環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性胺酯樹脂等。
作為熱塑性樹脂成分,例如可舉出:聚烯烴(例如,聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、丙烯酸樹脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯等)、聚乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、聚烯丙基碸、熱塑性聚醯亞胺、熱塑性胺酯樹脂、聚胺基雙馬來醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、雙馬來醯亞胺三樹脂、聚甲基戊烯、氟化樹脂、液晶聚合物、烯烴-乙烯醇共聚物、離子聚合物、聚芳酯、丙烯腈-乙烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-苯乙烯共聚物等。
該等樹脂成分可單獨使用或併用2種以上。
樹脂成分中,較佳為舉出環氧樹脂。
環氧樹脂於常溫下為液狀、半固體狀及固體狀之任意形態。
具體而言,作為環氧樹脂,可舉出:例如雙酚型環氧樹脂(例如,雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、二聚酸改性雙酚型環氧樹脂等)、酚醛清漆型環氧樹脂(例如,苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等)、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂(例如,雙芳基茀型環氧樹脂等)、三苯基甲烷型環氧樹脂(例如,三羥基苯基甲烷型環氧樹脂等)等芳香族系環氧樹脂;例如異三聚氰酸三環氧丙酯(異三聚氰酸三縮水甘油酯)、乙內醯脲環氧樹脂等含氮環環氧樹脂;例如脂肪族型環氧樹脂;例如脂環式環氧樹脂(例如,二環環型環氧樹脂等);例如縮水甘油醚型環氧樹脂;例如縮水甘油胺型環氧樹脂等。
該等環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上。
較佳為舉出液狀之環氧樹脂及固體狀之環氧樹脂之組合,進而較佳為舉出液狀之芳香族系環氧樹脂及固體狀之芳香族系環氧樹脂之組合等。作為此種組合,具體而言,可舉出液狀之雙酚型環氧樹脂及固體狀之三苯基甲烷型環氧樹脂之組合、或液狀之雙酚型環氧樹脂及固體狀之雙酚型環氧樹脂之組合。
另外,作為環氧樹脂,較佳為舉出單獨使用半固體狀之環氧樹脂,進而較佳為舉出單獨使用半固體狀之芳香族系環氧樹脂。作為此種環氧樹脂,更具體而言可舉出半固體狀之茀型環氧樹脂。
只要為液狀之環氧樹脂及固體狀之環氧樹脂之組合、或半固體狀之環氧樹脂,則可提高熱傳導性片材3之階差追隨性(後述)。
另外,環氧樹脂之環氧當量例如為100~1000 g/eqiv.,較佳為160~700 g/eqiv.,軟化溫度(環球法)例如為80℃以下(具體而言為20~80℃),較佳為70℃以下(具體而言為25~70℃)。
另外,環氧樹脂於80℃下之熔融黏度例如為10~20,000 mPa‧s,較佳為50~15,000 mPa‧s。於併用2種以上之環氧樹脂之情形時,該等之混合物之熔融黏度設定於上述範圍內。
另外,併用常溫下為固體狀之環氧樹脂與常溫下為液狀之環氧樹脂之情形時,係將軟化溫度例如為未滿45℃、較佳為35℃以下之第1環氧樹脂與軟化溫度例如為45℃以上、較佳為55℃以上之第2環氧樹脂併用。藉此,可將樹脂成分(混合物)之動力黏度(依據JIS K 7233,後述)設定於所期望之範圍內,另外,可提高熱傳導性片材3之階差追隨性。
另外,使環氧樹脂中含有例如硬化劑及硬化促進劑,可製成環氧樹脂組合物。
硬化劑係藉由加熱可使環氧樹脂硬化之潛在性硬化劑(環氧樹脂硬化劑),例如可舉出:咪唑化合物、胺化合物、酸酐化合物、醯胺化合物、醯肼化合物、咪唑啉化合物等。另外,除上述以外,亦可舉出:酚化合物、脲化合物、多硫化物化合物等。
作為咪唑化合物,例如可舉出:2-苯基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。
作為胺化合物,可舉出:例如乙二胺、丙二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺等脂肪族聚胺,例如間苯二胺、二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸等芳香族聚胺等。
作為酸酐化合物,例如可舉出:鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、4-甲基-六氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、均苯四甲酸酐、十二烯基丁二酸酐、二氯丁二酸酐、二苯甲酮四甲酸酐、氯茵酸酐等。
作為醯胺化合物,例如可舉出二氰基二醯胺、聚醯胺等。
作為醯肼化合物,例如可舉出己二酸二醯肼等。
作為咪唑啉化合物,例如可舉出:甲基咪唑啉、2-乙基-4-甲基咪唑啉、乙基咪唑啉、異丙基咪唑啉、2,4-二甲基咪唑啉、苯基咪唑啉、十一烷基咪唑啉、十七烷基咪唑啉、2-苯基-4-甲基咪唑啉等。
該等硬化劑可單獨使用或併用2種以上。
作為硬化劑,較佳為舉出咪唑化合物。
作為硬化促進劑,可舉出:例如三伸乙二胺、三-2,4,6-二甲基胺基甲基苯酚等三級胺化合物,例如三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸鹽等磷化合物,例如四級銨鹽化合物、有機金屬鹽化合物、及該等之衍生物等。該等硬化促進劑可單獨使用或併用2種以上。
環氧樹脂組合物中之硬化劑之調配比例相對於環氧樹脂100質量份例如為0.5~50質量份,較佳為1~10質量份,硬化促進劑之調配比例例如為0.1~10質量份,較佳為0.2~5質量份。
上述硬化劑及/或硬化促進劑視需要可製備成藉由溶劑而溶解及/或分散之溶劑溶液及/或溶劑分散液來使用。
作為溶劑,可舉出:例如丙酮、甲基乙基酮等酮類,例如乙酸乙酯等酯類,例如N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類等有機溶劑等。另外,作為溶劑,亦可舉出:例如水,例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等醇類等水系溶劑。作為溶劑,較佳為舉出有機溶劑,進而較佳為舉出酮類、醯胺類。
熱塑性樹脂成分之中,較佳為舉出聚烯烴。
作為聚烯烴,較佳為舉出聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物。
作為聚乙烯,例如可舉出低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等。
作為乙烯-丙烯共聚物,例如可舉出乙烯及丙烯之無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物等。
該等聚烯烴可單獨使用或併用2種以上。
另外,聚烯烴之重量平均分子量及/或數平均分子量例如為1000~10000。
另外,聚烯烴可單獨使用或併用複數種。
另外,樹脂成分藉由依據JIS K 7233(氣泡黏度計法)之動力黏度試驗(溫度:25℃±0.5℃、溶劑:丁基卡必醇、樹脂成分(固形物成分)濃度:40質量%)所測定之動力黏度例如為0.22×10-4 ~2.00×10-4 m2 /s,較佳為0.3×10-4 ~1.9×10-4 m2 /s,進而較佳為0.4×10-4 ~1.8×10-4 m2 /s。另外,亦可將上述動力黏度設定為例如0.22×10-4 ~1.00×10-4 m2 /s,較佳為0.3×10-4 ~0.9×10-4 m2 /s,進而較佳為0.4×10-4 ~0.8×10-4 m2 /s。
於樹脂成分之動力黏度超過上述範圍之情形時,有時無法賦予熱傳導性片材3優異之柔軟性及階差追隨性(後述)。另一方面,於樹脂成分之動力黏度未滿上述範圍之情形時,有時無法使氮化硼粒子配向於特定方向。
再者,於依據JIS K 7233(氣泡黏度計法)之動力黏度試驗中,將樹脂成分樣本中之氣泡之上升速度與標準樣本(已知動力黏度)中之氣泡之上升速度加以比較,判定上升速度一致之標準樣本之動力黏度為樹脂成分之動力黏度,藉此測定樹脂成分之動力黏度。
並且,於熱傳導性片材3中,氮化硼粒子之體積基準之含有比例(固形物成分,即氮化硼粒子相對於樹脂成分及氮化硼粒子之總體積之體積百分率)例如為35體積%以上,較佳為60體積%以上,較佳為65體積%以上,通常例如為95體積%以下,較佳為90體積%以下。
於氮化硼粒子之體積基準之含有比例未滿上述範圍之情形時,有時無法使氮化硼粒子於熱傳導性片材3中配向於特定方向。另一方面,於氮化硼粒子之體積基準之含有比例超過上述範圍之情形時,有時熱傳導性片材3會變脆,操作性下降。
另外,氮化硼粒子相對於形成熱傳導性片材3之各成分(氮化硼粒子及樹脂成分)之總量(固形物成分總量)100質量份的質量基準之調配比例例如為40~95質量份,較佳為65~90質量份,樹脂成分相對於形成熱傳導性片材3之各成分之總量100質量份的質量基準之調配比例例如為5~60質量份,較佳為10~35質量份。再者,氮化硼粒子相對於樹脂成分100質量份之質量基準之調配比例例如為60~1900質量份,較佳為185~900質量份。
另外,於併用2種環氧樹脂(第1環氧樹脂及第2環氧樹脂)之情形時,第1環氧樹脂相對於第2環氧樹脂之質量比例(第1環氧樹脂之質量/第2環氧樹脂之質量)可根據各環氧樹脂(第1環氧樹脂及第2環氧樹脂)之軟化溫度等適當地設定,例如為1/99~99/1,較佳為10/90~90/10。
再者,於樹脂成分中,除上述各成分(聚合物)以外,例如亦含有聚合物前驅物(例如,含有寡聚物之低分子量聚合物等)及/或單體。
其次,就形成熱傳導性片材3之方法加以說明。
於此方法中,首先以上述調配比例調配上述各成分,並攪拌混合,藉此製備混合物。
於攪拌混合中,為高效率地混合各成分,例如可將溶劑與上述各成分一併調配,或者例如可藉由加熱而使樹脂成分(較佳為熱塑性樹脂成分)熔融。
作為溶劑,可舉出與上述同樣之有機溶劑。另外,於將上述硬化劑及/或硬化促進劑製備成溶劑溶液及/或溶劑分散液之情形時,可於攪拌混合時不追加溶劑,而直接以用以攪拌混合之混合溶劑之形式供給溶劑溶液及/或溶劑分散液之溶劑。或者,亦可於攪拌混合時以混合溶劑之形式進而追加溶劑。
於使用溶劑進行攪拌混合之情形時,於攪拌混合之後去除溶劑。
為去除溶劑,例如於室溫下放置1~48小時,例如於40~100℃加熱0.5~3小時,或者例如於0.001~50 kPa之減壓環境下於20~60℃加熱0.5~3小時。
於藉由加熱使樹脂成分熔融之情形時,加熱溫度例如為樹脂成分之軟化溫度附近或超過其之溫度,具體而言為40~150℃,較佳為70~140℃。
其次,於此方法中熱壓所獲得之混合物。
具體而言,如圖2(a)所示,將混合物例如視需要經由2片脫模膜16而熱壓,藉此獲得壓製片材3A。關於熱壓之條件,溫度例如為50~150℃,較佳為60~140℃,壓力例如為1~100 MPa,較佳為5~50 MPa,時間例如為0.1~100分鐘,較佳為1~30分鐘。
進而較佳為真空熱壓混合物。真空熱壓時之真空度例如為1~100 Pa,較佳為5~50 Pa,溫度、壓力及時間與上述熱壓之條件相同。
熱壓時之溫度、壓力及/或時間於上述範圍外之情形時,有時無法將熱傳導性片材3之空隙率P(後述)調整為所期望之值。
藉由熱壓所獲得之壓製片材3A之厚度例如為50~1000 μm,較佳為100~800 μm。
其次,於此方法中,如圖2(b)所示,將壓製片材3A分割成複數個(例如,4個),獲得分割片材3B(分割步驟)。於分割壓製片材3A時,以投影至厚度方向上時分割成複數個之方式將壓製片材3A沿其厚度方向切斷。再者,將壓製片材3A以各分割片材3B投影至厚度方向上時成為相同形狀之方式切斷。
其次,於此方法中,如圖2(c)所示,將各分割片材3B於厚度方向上積層,獲得積層片材3C(積層步驟)。
其後,於此方法中,如圖2(a)所示,熱壓積層片材3C(較佳為真空熱壓)(熱壓步驟)。熱壓之條件與上述混合物之熱壓條件相同。
熱壓後之積層片材3C之厚度例如為1 mm以下,較佳為0.8 mm以下,通常例如為0.05 mm以上,較佳為0.1 mm以上。
其後,如參照圖3所示,為使氮化硼粒子14於熱傳導性片材3中於樹脂成分15中有效地配向於特定方向,而反覆實施上述分割步驟(圖2(b))、積層步驟(圖2(c))及熱壓步驟(圖2(a))之一系列步驟。重複次數並無特別限定,可根據氮化硼粒子之填充狀態而適當地設定,例如為1~10次,較佳為2~7次。
再者,於上述熱壓步驟(圖2(a))中,例如亦可藉由複數個軋輥等壓延混合物及積層片材3C。
藉此,可形成圖2及圖3所示之熱傳導性片材3。
所形成之熱傳導性片材3之厚度例如為1 mm以下,較佳為0.8 mm以下,通常例如為0.05 mm以上,較佳為0.1 mm以上。
另外,熱傳導性片材3中之氮化硼粒子14之體積基準之含有比例(固形物成分,即氮化硼粒子14相對於樹脂成分15及氮化硼粒子14之總體積之體積百分率)如上所述例如為35體積%以上(較佳為60體積%以上,進而較佳為75體積%以上),通常為95體積%以下(較佳為90體積%以下)。
於氮化硼粒子14之含有比例未滿上述範圍之情形時,有時無法使氮化硼粒子14於熱傳導性片材3中配向於特定方向。
另外,於樹脂成分15為熱硬化性樹脂成分之情形時,例如於未硬化狀態下反覆實施上述分割步驟(圖2(b))、積層步驟(圖2(c))及熱壓步驟(圖2(a))之一系列步驟,直接獲得未硬化狀態之熱傳導性片材3。再者,將未硬化狀態之熱傳導性片材3安裝於攝像零件1後,視需要使其熱硬化。
並且,於如此形成之熱傳導性片材3中,如圖3及其部分擴大模式圖所示,氮化硼粒子14之長邊方向LD沿著交叉(正交)於熱傳導性片材3之厚度方向TD之面方向SD配向。
另外,氮化硼粒子14之長邊方向LD與熱傳導性片材3之面方向SD所成之角度之算術平均(氮化硼粒子14相對於熱傳導性片材3之配向角度α)例如為25度以下,較佳為20度以下,通常為0度以上。
再者,氮化硼粒子14相對於熱傳導性片材3之配向角度α係藉由以下方法算出:沿厚度方向利用截面拋光儀(CP)對熱傳導性片材3進行切斷加工,以能夠觀察到200個以上之氮化硼粒子14之視野倍率利用掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝由此所顯現出之剖面,自所獲得之SEM照片,取得氮化硼粒子14之長邊方向LD相對於熱傳導性片材3之面方向SD(相對於厚度方向TD正交之方向)之傾斜角,算出其平均值。
藉此,熱傳導性片材3之面方向SD之熱傳導率為4 W/m‧K以上,較佳為5 W/m‧K以上,更佳為10 W/m‧K以上,進而較佳為15 W/m‧K以上,特佳為25 W/m‧K以上,通常為200 W/m‧K以下。
再者,熱傳導性片材3之面方向SD之熱傳導率於樹脂成分15為熱硬化性樹脂成分之情形時,於熱硬化前後實質上相同。
若熱傳導性片材3之面方向SD之熱傳導率未滿上述範圍,則面方向SD之熱傳導性不充分,因此有時無法用於要求上述面方向SD之熱傳導性之放熱用途。
再者,熱傳導性片材3之面方向SD之熱傳導率藉由脈衝加熱法測定。脈衝加熱法中係使用氙燈閃光法導熱分析儀「LFA-447型」(NETZSCH公司製造)。
另外,熱傳導性片材3之厚度方向TD之熱傳導率例如為0.5~15 W/m‧K,較佳為1~10 W/m‧K。
再者,熱傳導性片材3之厚度方向TD之熱傳導率藉由脈衝加熱法、雷射閃光法或TWA(Temperature Wave Analysis,溫度波分析)法測定。脈衝加熱法中係使用與上述相同者,雷射閃光法中係使用「TC-9000」(ULVAC理工公司製造),TWA法中係使用「ai-Phase mobile」(ai-Phase公司製造)。
藉此,熱傳導性片材3之面方向SD之熱傳導率相對於熱傳導性片材3之厚度方向TD之熱傳導率的比(面方向SD之熱傳導率/厚度方向TD之熱傳導率)例如為1.5以上,較佳為3以上,進而較佳為4以上,通常為20以下。
另外,圖2中雖未圖示,但熱傳導性片材3中例如形成有空隙(間隙)。
熱傳導性片材3中之空隙之比例、即空隙率P可藉由氮化硼粒子14之含有比例(體積基準)、進而可藉由氮化硼粒子14及樹脂成分15之混合物之熱壓(圖2(a))之溫度、壓力及/或時間而進行調整,具體而言,可藉由將上述熱壓(圖2(a))之溫度、壓力及/或時間設定於上述範圍內而進行調整。
熱傳導性片材3中之空隙率P例如為30體積%以下,較佳為10體積%以下。
上述空隙率P例如藉由如下方法測定:首先,利用截面拋光儀(CP)沿厚度方向對熱傳導性片材3進行切斷加工,利用掃描型電子顯微鏡(SEM)以200倍觀察由此顯現出之剖面,獲得圖像,自所獲得之圖像,對空隙部分與其以外之部分進行二值化處理,其次,算出空隙部分相對於熱傳導性片材3整體之剖面積的面積比。
再者,於熱傳導性片材3中,硬化後之空隙率P2相對於硬化前之空隙率P1例如為100%以下,較佳為50%以下。
於空隙率P(P1)之測定中,於樹脂成分15為熱硬化性樹脂成分之情形時,係使用熱硬化前之熱傳導性片材3。
只要熱傳導性片材3之空隙率P於上述範圍內,則可提高熱傳導性片材3之階差追隨性(後述)。
另外,關於熱傳導性片材3,於依據JIS K 5600-5-1之圓筒形心軸法之耐彎曲性試驗中,以下述試驗條件進行評價時,較佳為未觀察到斷裂。
試驗條件
試驗裝置:I型
心軸:直徑10 mm
彎曲角度:90度以上
熱傳導性片材3之厚度:0.3 mm
再者,將I型試驗裝置之立體圖示於圖5及圖6,以下說明I型試驗裝置。
於圖5及圖6中,I型試驗裝置90具備:第1平板91、與第1平板91並列配置之第2平板92、為使第1平板91及第2平板92相對旋動而設置之心軸(旋轉軸)93。
第1平板91大致形成為矩形平板狀。另外,第1平板91之一端部(活動端部)上設置有止動部94。止動部94係以沿著第2平板92之一端部延伸之方式形成於第2平板92之表面上。
第2平板92大致形成為矩形平板狀,係以其1邊與第1平板91之1邊(與設置有止動部94之一端部相反之側之他端部(基端部)之1邊)相鄰接之方式配置。
心軸93係以沿著相鄰接之第1平板91及第2平板92之1邊延伸之方式形成。
如圖5所示,此I型試驗裝置90於開始耐彎曲性試驗之前,使第1平板91之表面與第2平板92之表面成為一個平面。
並且,為實施耐彎曲性試驗,而將熱傳導性片材3載置於第1平板91之表面與第2平板92之表面。再者,將熱傳導性片材3以其1邊抵接於止動部94之方式載置。
其次,如圖6所示,使第1平板91及第2平板92相對地旋動。具體而言,以心軸93為中心,使第1平板91之活動端部與第2平板92之活動端部旋動特定之角度。詳細而言,使第1平板91及第2平板92以彼等之活動端部之表面接近(對向)之方式旋動。
藉此,使熱傳導性片材3一面追隨第1平板91及第2平板92之旋動,一面以心軸93為中心彎曲。
進而較佳為熱傳導性片材3於上述試驗條件中,即便將彎曲角度設定為180度,亦未觀察到斷裂。
再者,於樹脂成分15為熱硬化性樹脂成分之情形時,供彎曲性試驗之熱傳導性片材3為半硬化(B階段狀態)之熱傳導性片材3。
於上述彎曲角度之耐彎曲性試驗中,當熱傳導性片材3觀察到斷裂之情形時,有時無法賦予熱傳導性片材3優異之柔軟性。
另外,該熱傳導性片材3於依據JIS K 7171(2008年)之三點彎曲試驗中,以下述試驗條件進行評價時,例如未觀察到斷裂。
試驗條件
試驗片:尺寸20 mm×15 mm
支點間距離:5 mm
試驗速度:20 mm/min(壓子之下壓速度)
彎曲角度:120度
評價方法:目視觀察以上述試驗條件進行試驗時試驗片之中央部有無裂痕等斷裂。
再者,於三點彎曲試驗中樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分之情形時,係使用熱硬化前之熱傳導性片材3。
因此,該熱傳導性片材3於上述三點彎曲試驗中未觀察到斷裂,因此階差追隨性優異。再者,所謂階差追隨性,係指將熱傳導性片材3設置於有階差之設置對象上時,以沿著該階差密接之方式追隨之特性。
另外,熱傳導性片材3上例如可附著文字、記號等標記。即,熱傳導性片材3之標記附著性優異。所謂標記附著性,係指使上述標記可靠地附著於熱傳導性片材3之特性。
具體而言,標記可藉由印刷或刻印等附著於熱傳導性片材3上(塗佈、定著或固著)。
作為印刷,例如可舉出噴墨印刷、凸版印刷、凹版印刷、雷射印刷等。
再者,藉由噴墨印刷、凸版印刷或凹版印刷而印刷標記之情形時,例如可將用以提高標記之定著性之油墨定著層設置於熱傳導性片材3之表面(印刷側表面)。
另外,於藉由雷射印刷而印刷標記之情形時,例如可將用以提高標記之定著性之色劑定著層設置於熱傳導性片材3之表面(印刷側表面)。
作為刻印,例如可舉出雷射刻印、打刻等。
另外,如此所得之熱傳導性片材3通常為絕緣性。
並且,於獲得此種攝像零件1時,並無特別限制,例如,首先製造攝像元件2,其後於所獲得之攝像元件2之背面貼合熱傳導性片材3。
作為製造攝像元件2之方法,並無特別限制,可採用公知之方法。
更具體而言,雖無圖示,但例如利用公知之方法於受光基板7中埋設受光元件10,其次依序積層絕緣層8及導體圖案9,藉此於受光基板7之上形成電路基板6。其後,於電路基板6之上載置濾光器5及聚光透鏡4。藉此可獲得攝像元件2。
其次,於該方法中,於所獲得之攝像元件2之背面貼合熱傳導性片材3。
再者,此時,當於熱傳導性片材3中樹脂成分15為熱硬化性樹脂成分之情形時,較佳為將B階段狀態之熱傳導性片材3貼合於攝像元件2之背面。藉此獲得攝像零件1。
另外,雖未圖示,但當於該攝像零件1中熱傳導性片材3為B階段狀態之情形時,視需要可加熱攝像零件1,使熱傳導性片材3熱硬化。另外,熱硬化之時序及條件根據目的及用途而適當地決定。
進而,雖未圖示,但於該攝像零件1中,視需要可進而適當地配置發散透鏡、光導構件等。
並且,此種攝像零件1安裝於數位相機、數位攝影機等攝像裝置上。
並且,在攝像裝置中,於攝像零件1中,自其光入射面(聚光透鏡4之光入射面)入射之光由聚光透鏡4聚光,穿透濾光器5(綠色濾光器5G、紅色濾光器5R或藍色濾光器5B)與電路基板6之絕緣層8部分。藉此,光到達受光基板7(受光元件10)。
到達受光基板7之光於受光元件10中轉換成電訊號,該電訊號由導體圖案9傳遞,用於未圖示之外部構件中。
此時,於攝像元件2中,存在於電路基板6或受光基板7等中產生熱之情形,但攝像元件2存在若處於高溫下則會發生產生雜訊等不良情況之情形,另外,存在感度根據其溫度條件而產生變化之情形。
相對於此,於攝像零件1中,在配置於攝像元件2之光入射面之相反側的背面具備熱傳導性片材3,詳細而言,具備含有板狀氮化硼粒子,且相對於厚度方向正交之方向(即,受光基板7之背面延伸之面方向)上之熱傳導率為4 W/m‧K以上之熱傳導性片材3。因此,可使自受光基板7之背面產生之熱於面方向上均勻地擴散,減少溫度不均(實現溫度之均勻化),並且可確保優異之放熱性,其結果,可實現感度之提高。
另外,由於此種熱傳導性片材3較之石墨片材可更低廉地製造,因此可實現低成本化。
進而,由於石墨片材為導電性,因此存在例如以下不良情況:若產生缺損等,則其碎片於攝像裝置之內部引起短路。
然而,由於此種熱傳導性片材3為絕緣性,因此即便於攝像裝置(未圖示)之內部產生缺損之情形時,亦可防止短路之產生。
圖4為本發明之攝像零件1之其他實施形態之概略構成圖。
再者,關於對應於上述各部之構件,於圖4中標記相同之參照符號,省略其詳細說明。
於上述說明中,攝像元件2係採用於聚光透鏡4及濾光器5之下配置有電路基板6、於該電路基板6之下配置有受光基板7之表面照射型CMOS影像感測器,攝像元件2例如亦可採用公知之背面照射型CMOS影像感測器。
更具體而言,於該實施形態中,如圖4所示,於聚光透鏡4及濾光器5之下配置受光基板7,於該受光基板7之下配置電路基板6。
再者,此時受光基板7通常削掉聚矽氧樹脂等,實施薄型化。
並且,於該攝像零件1中,於電路基板6之背面(攝像元件2之背面)貼合熱傳導性片材3。
此種攝像零件1亦與上述同樣,可確保優異之放熱性,實現溫度之均勻化,進而可實現低成本化。
此外,於此種攝像零件1中,由於攝像元件2為背面照射型CMOS影像感測器,因此可提高光到達受光基板7(受光元件10)之效率,實現感度之提高。
即,於攝像元件2為表面照射型CMOS影像感測器之攝像零件1(參照圖1)中,自光入射面入射之光在到達受光基板7(受光元件10)之前穿透電路基板6。因此,存在光由電路基板6內之導體圖案9反射,而無法充分地確保光到達受光基板7(受光元件10)之效率之情形。
然而,於攝像元件2為背面照射型CMOS影像感測器之攝像零件1(參照圖4)中,自光入射面入射之光在穿透電路基板6之前到達受光基板7(受光元件10),因此可抑制由導體圖案9引起之光之反射等,充分地確保光到達受光基板7(受光元件10)之效率。
實施例
以下揭示實施例,更加具體地說明本發明,但本發明絲毫不受實施例限定。
製造例1(熱傳導性片材之製造)
調配PT-110(商品名、板狀之氮化硼粒子、平均粒徑(光散射法)45 μm、Momentive Performance Materials Japan公司製造)13.42 g、JER828(商品名、雙酚A型環氧樹脂、第1環氧樹脂、液狀、環氧當量184~194 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)未滿25℃、熔融黏度(80℃)70 mPa‧s、日本環氧樹脂公司製造)1.0 g、及EPPN-501HY(商品名、三苯基甲烷型環氧樹脂、第2環氧樹脂、固體狀、環氧當量163~175 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)57~63℃、日本化藥公司製造)2.0 g、硬化劑(Curezol 2P4MHZ-PW(商品名、四國化成公司製造)之5質量%甲基乙基酮分散液)3 g(固形物成分0.15 g)(相對於作為環氧樹脂之JER828及EPPN-501HY之總量為5質量%)並加以攪拌,於室溫(23℃)下放置1晚,使甲基乙基酮(硬化劑之分散介質)揮發,而製備半固體狀之混合物。
再者,於上述調配中,氮化硼粒子相對於硬化劑除外之固形物成分(即,氮化硼粒子與環氧樹脂之固形物成分)之總體積之體積百分率(體積%)為70體積%。
其次,以經聚矽氧處理之2片脫模膜夾住所獲得之混合物,利用真空熱壓機,於80℃、10 Pa之環境(真空環境)下,以5噸之荷重(20 MPa)對該等熱壓2分鐘,獲得厚度0.3 mm之壓製片材(參照圖2(a))。
其後,以投影至壓製片材之厚度方向上時分割成複數個之方式切斷所獲得之壓製片材,藉此獲得分割片材(參照圖2(b)),接著將分割片材於厚度方向上積層而獲得積層片材(參照圖2(c))。
接著,藉由與上述相同之真空熱壓機,利用與上述相同之條件對所獲得之積層片材進行熱壓(參照圖2(a))。
其次,反覆進行4次上述切斷、積層及熱壓之一系列操作(參照圖2),獲得厚度為0.3 mm之熱傳導性片材(未硬化狀態)(參照圖3)。
製造例2~9及11~16
根據表1~表3之調配配方及製造條件,與製造例1同樣地進行處理,獲得熱傳導性片材
製造例10
根據表2之調配配方,調配並攪拌各成分(氮化硼粒子及聚乙烯),藉此製備混合物。即,於各成分之攪拌中,加熱至130℃,使聚乙烯熔融。
其次,以經聚矽氧處理之2片脫模膜夾住所獲得之混合物,利用真空熱壓機,於120℃、10 Pa之環境(真空環境)下,以1噸之荷重(4 MPa)對該等熱壓2分鐘,藉此獲得厚度0.3 mm之壓製片材(參照圖2(a))。
其後,以投影至壓製片材之厚度方向上時分割成複數個之方式切斷所獲得之壓製片材,藉此獲得分割片材(參照圖2(b)),接著將分割片材於厚度方向上積層而獲得積層片材(參照圖2(c))。
接著,藉由與上述相同之真空熱壓機,利用與上述相同之條件對所獲得之積層片材進行熱壓(參照圖2(a))。
其次,反覆進行4次上述切斷、積層及熱壓之一系列操作(參照圖2),獲得厚度為0.3 mm之熱傳導性片材(未硬化狀態)。
實施例1
於表面照射型影像感測器之配置於光入射面之相反側之背面上貼合製造例1中獲得之未硬化(B階段)狀態之熱傳導性片材(參照圖1)。其後,將該等於150℃加熱120分鐘,藉此使熱傳導性片材熱硬化,製造攝像零件。
實施例2~16
使用製造例2~16中獲得之熱傳導性片材,以與實施例1相同之方式製造實施例2~16之攝像零件。
再者,使製造例10中獲得之熱傳導性片材於120℃熱融著來代替熱硬化。
實施例17
於背面照射型影像感測器之配置於光入射面之相反側之背面貼合製造例1中獲得之未硬化(B階段)狀態之熱傳導性片材(參照圖1)。其後,將該等於150℃加熱120分鐘,藉此使熱傳導性片材熱硬化,製造攝像零件。
實施例18~32
使用製造例2~16中獲得之熱傳導性片材,以與實施例17相同之方式製造實施例18~32之攝像零件。
再者,使製造例10中獲得之熱傳導性片材於120℃熱融著來代替熱硬化。
比較例1
將實施例1中使用之表面照射型影像感測器作為攝像零件。再者,於此攝像零件上貼合熱傳導性片材。
比較例2
將實施例17中使用之背面照射型影像感測器作為攝像零件。再者,於此攝像零件上未貼合熱傳導性片材。
(評價)
1.熱傳導率
對製造例1~16之熱傳導性片材測定熱傳導率。
即,藉由利用氙燈閃光法導熱分析儀「LFA-447型」(NETZSCH公司製造)之脈衝加熱法測定面方向(SD)上之熱傳導率。
將其結果示於表1~表3。
2.放熱性及溫度不均
使實施例1~32之攝像零件動作後,利用紅外線相機測定熱傳導性片材之溫度,結果確認幾乎無溫度上升及溫度不均。
另外,與上述同樣地使比較例1~2之攝像零件動作後,利用紅外線相機測定背面之溫度,結果確認溫度上升及溫度不均。
3.空隙率(P)
藉由下述測定方法測定製造例1~16之熱硬化前之熱傳導性片材之空隙率(P1)。
空隙率之測定方法:首先,藉由截面拋光儀(CP)沿厚度方向對熱傳導性片材進行切斷加工,利用掃描型電子顯微鏡(SEM)以200倍觀察由此顯現出之剖面,獲得圖像。其後,自所獲得之圖像,對空隙部分與其以外之部分進行二值化處理,其次,算出空隙部分相對於熱傳導性片材整體之剖面積的面積比。
將其結果示於表1~表3。
4.階差追隨性(三點彎曲試驗)
針對製造例1~16之熱硬化前之熱傳導性片材,依據JIS K 7171(2010年)實施下述試驗條件下之三點彎曲試驗,根據下述評價基準評價階差追隨性。將其結果示於表1~表3。
試驗條件
試驗片:尺寸20 mm×15 mm
支點間距離:5 mm
試驗速渡:20 mm/min(壓子之下壓速度)
彎曲角度:120度
(評價基準)
◎:完全未觀察到破裂。
○:幾乎未觀察到破裂。
×:明確觀察到破裂。
5.印刷標記視認性(印刷標記附著性:噴墨印刷或雷射印刷之標記附著性)
藉由噴墨印刷及雷射印刷於製造例1~16之熱傳導性層上印刷標記,觀察該標記。
其結果,製造例1~16之熱傳導性層均可良好地辨認由噴墨印刷及雷射印刷兩者印刷之標記,確認印刷標記附著性良好。
[表1]
[表2]
[表3]
表1~表3中之各成分中之數值於無特別記載之情形時表示g數。
再者,於表1~表3之氮化硼粒子之欄中,上段之數值為氮化硼粒子之調配質量(g),中段之數值為熱傳導性片材中氮化硼粒子相對於硬化劑除外之固形物成分(即,氮化硼粒子與環氧樹脂或聚乙烯之固形物成分)之總體積之體積百分率(體積%),下段之數值表示氮化硼粒子相對於熱傳導性片材之固形物成分(即,氮化硼粒子與環氧樹脂及硬化劑之固形物成分)之總體積之體積百分率(體積%)。
另外,關於表1~表3之各成分中標記※符號之成分,以下記載其詳細內容。
PT-110※1 :商品名、板狀之氮化硼粒子、平均粒徑(光散射法)45 μm、Momentive Performance Materials Japan公司製造
UHP-1※2 :商品名:SHOBN UHP-1、板狀之氮化硼粒子、平均粒徑、(光散射法)9 μm、昭和電工公司製造
環氧樹脂A※3 :OGSOL EG(商品名)、雙芳基茀型環氧樹脂、半固體狀、環氧當量294 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)47℃、熔融黏度(80℃)1360 mPa‧s、大阪瓦斯化學公司製造
環氧樹脂B※4 :JER828(商品名)、雙酚A型環氧樹脂、液狀、環氧當量184~194 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)未滿25℃、熔融黏度(80℃)70 mPa‧s、日本環氧樹脂公司製造
環氧樹脂C※5 :JER1002(商品名)、雙酚A型環氧樹脂、固體狀、環氧當量600~700 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)78℃、熔融黏度(80℃)10000 mPa‧s以上(測定極限以上)、日本環氧樹脂公司製造
環氧樹脂D※6 :EPPN-501HY(商品名)、三苯基甲烷型環氧樹脂、固體狀、環氧當量163~175 g/eqiv.、軟化溫度(環球法)57~63℃、日本化藥公司製造
硬化劑※7 :Curezol 2PZ(商品名、四國化成公司製造)之5質量%甲基乙基酮溶液
硬化劑※8 :Curezol 2P4MHZ-PW(商品名、四國化成公司製造)之5質量%甲基乙基酮分散液
聚乙烯※9 :低密度聚乙烯、重量平均分子量(Mw)4000、數量平均分子量(Mw)1700、Aldrich公司製造再者,上述說明係以本發明之例示之實施形態之方式提供,但其僅為例示,並不作限定性之解釋。對該技術領域之從業者而言清楚之本發明之變形例包含於後述申請專利範圍中。
1...攝像零件
2...攝像元件
3...熱傳導性片材
3A...壓製片材
3B...分割片材
3C...積層片材
4...聚光透鏡
5...濾光器
5B...藍色濾光器
5G...綠色濾光器
5R...紅色濾光器
6...電路基板
7...受光基板
8...絕緣層
9...導體圖案
10...受光元件
14...氮化硼粒子
15...樹脂成分
16...脫模膜
90...I型試驗裝置
91...第1平板
92...第2平板
93...心軸(旋轉軸)
94...止動部
LD...長邊方向
TD...厚度方向
SD...面方向
α...配向角度
圖1為本發明之攝像零件之一實施形態之概略構成圖;
圖2表示用以說明圖1所示之攝像零件所具備之熱傳導性片材的製造方法之步驟圖;
圖2(a)表示對混合物或積層片材進行熱壓之步驟;
圖2(b)表示將壓製片材分割成複數個之步驟;
圖2(c)表示將分割片材積層之步驟;
圖3表示圖2所示之熱傳導牲片材之立體圖;
圖4表示本發明之攝像零件之其他實施形態之概略構成圖;
圖5表示耐彎曲性試驗之I型試驗裝置(耐彎曲性試驗前)之立體圖;及
圖6表示耐彎曲性試驗之I型試驗裝置(耐彎曲性試驗中途)之立體圖。
1...攝像零件
2...攝像元件
3...熱傳導性片材
4...聚光透鏡
5...濾光器
5B...藍色濾光器
5G...綠色濾光器
5R...紅色濾光器
6...電路基板
7...受光基板
8...絕緣層
9...導體圖案
10...受光元件

Claims (7)

  1. 一種攝像零件,其特徵在於:包括攝像元件,其具備使光入射之光入射面及配置於上述光入射面之相反側的背面;及熱傳導性片材,其設置於上述背面,使自上述攝像元件產生之熱放出;且上述熱傳導性片材含有板狀氮化硼粒子,上述熱傳導性片材相對於厚度方向正交之方向上之熱傳導率為4W/m‧K以上,上述熱傳導性片材之空隙率為30體積%以下。
  2. 如請求項1之攝像零件,其中上述攝像元件為CMOS影像感測器。
  3. 如請求項1之攝像零件,其中上述攝像元件為背面照射型CMOS影像感測器。
  4. 如請求項1之攝像零件,其中上述空隙率為10體積%以下。
  5. 如請求項1之攝像零件,其中上述氮化硼粒子分散於樹脂成分中。
  6. 如請求項1之攝像零件,其中上述熱傳導性片材係藉由以下步驟所製備:將混合上述氮化硼粒子與樹脂成分所製備之混合物進行熱壓以製備壓製片材,分割步驟,其將上述壓製片材分割為複數之分割片材,積層步驟,其積層上述複數之分割片材以製備積層片材,及 熱壓步驟,其將上述積層片材進行熱壓。
  7. 如請求項6之攝像零件,其反覆實施上述分割步驟、上述積層步驟及上述熱壓步驟之一系列步驟,藉此製備上述熱傳導性片材,且該等步驟之重複次數為2~7次。
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