KR20110089100A - 촬상 부품 - Google Patents

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KR20110089100A
KR20110089100A KR1020110009618A KR20110009618A KR20110089100A KR 20110089100 A KR20110089100 A KR 20110089100A KR 1020110009618 A KR1020110009618 A KR 1020110009618A KR 20110009618 A KR20110009618 A KR 20110009618A KR 20110089100 A KR20110089100 A KR 20110089100A
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conductive sheet
epoxy resin
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boron nitride
thermal conductive
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KR1020110009618A
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세이지 이즈따니
히사에 우찌야마
다까히로 후꾸오까
가즈따까 하라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본원 발명의 촬상 부품은, 광이 입사되는 광입사면, 및 상기 광입사면의 반대측에 배치되는 이면을 구비하는 촬상 소자와, 상기 이면에 설치되어, 상기 촬상 소자로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 열전도성 시트를 구비한다. 상기 열전도성 시트는 판 형상의 질화붕소 입자를 함유하고, 상기 열전도성 시트의 두께 방향에 대한 직교 방향의 열전도율이 4W/mㆍK 이상이다.

Description

촬상 부품{IMAGE PICK-UP PART}
본 발명은 촬상 부품, 상세하게는 촬상 장치에 장비되는 촬상 부품에 관한 것이다.
최근, 디지털 카메라 등의 촬상 장치에 있어서는, CCD(전하 결합 소자, Charge Coupled Device) 이미지 센서, CMOS(상보형 금속 산화막 반도체, Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자가 촬상 장치의 화소수에 따라서 복수 사용되고 있다.
이들 촬상 소자는 고온이 되면 노이즈가 발생하는 등의 문제를 발생시키는 경우가 있다.
그로 인해, 촬상 소자에 방열 부재를 설치하여, 촬상 소자의 온도 상승을 억제하는 것이 검토되고 있다.
보다 구체적으로는, 예를 들어 고체 촬상 장치에 있어서, 촬상 소자의 촬상면의 이면에 그래파이트 시트로 이루어지는 열전도 부재를 설치함과 함께, 그 그래파이트 시트와 접하도록, 촬상 소자의 촬상면에 대한 측면에 펠티에 소자 등의 전자 냉각 소자 및 방열 부재를 설치하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제 2008-177917호 공보 참조).
일본 특허 공개 제 2008-177917호 공보에 기재된 고체 촬상 장치에서는, 촬상 소자의 측면측에 전자 냉각 소자 및 방열 부재를 배치함과 함께, 열전도 부재로서, 전자 냉각 소자와 촬상 소자에 접촉하도록 두께 방향으로 열전도 효율이 높은 그래파이트 시트를 배치함으로써, 방열성의 향상 및 고체 촬상 장치의 소형화를 도모하고 있다.
그런데, 일본 특허 공개 제 2008-177917호 공보에 있어서 사용되는 그래파이트 시트는 고가이기 때문에, 비용면에 있어서 떨어진다고 하는 문제가 있다.
또한, 촬상 소자는 온도 조건에 의해 감도가 변화하는 경우가 있으므로, 그 감도의 균일화를 도모하기 위하여 온도 불균일을 저감시키는(온도의 균일화를 도모하는) 것이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 저비용화 및 온도의 균일화를 도모할 수 있고, 방열성이 우수한 촬상 부품을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 촬상 부품은, 광이 입사되는 광입사면, 및 상기 광입사면의 반대측에 배치되는 이면을 구비하는 촬상 소자와, 상기 이면에 설치되어, 상기 촬상 소자로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 열전도성 시트를 구비하고, 상기 열전도성 시트는 판 형상의 질화붕소 입자를 함유하고, 상기 열전도성 시트의 두께 방향에 대한 직교 방향의 열전도율이 4W/mㆍK 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 촬상 부품에서는, 촬상 소자에서의 광입사면의 반대측에 배치되는 이면에 열전도성 시트, 상세하게는 판 형상의 질화붕소 입자를 함유하고, 두께 방향에 대한 직교 방향(즉, 면 방향)의 열전도율이 4W/mㆍK 이상인 열전도성 시트를 구비한다. 그로 인해, 면 방향으로 열을 균일하게 확산시켜, 온도 불균일을 저감시키는(온도의 균일화를 도모하는) 것이 가능하면서, 우수한 방열성을 확보할 수 있으며, 그 결과 감도의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 이러한 열전도성 시트는 그래파이트 시트보다 저렴하게 제조되기 때문에, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 촬상 부품은 CMOS 이미지 센서인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 촬상 부품은 이면 조사형 CMOS 이미지 센서인 것이 적합하다.
본 발명의 촬상 부품에 따르면, 온도의 균일화를 도모할 수 있으면서, 우수한 방열성을 확보할 수 있고, 나아가 저비용화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 촬상 부품의 일 실시형태의 개략 구성도.
도 2는 도 1에 도시하는 촬상 부품에 구비되는 열전도성 시트의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도로서, (a)는 혼합물 또는 적층 시트를 열 프레스하는 공정, (b)는 프레스 시트를 복수 개로 분할하는 공정, (c)는 분할 시트를 적층하는 공정을 도시한다.
도 3은 도 2에 도시하는 열전도성 시트의 사시도.
도 4는 본 발명의 촬상 부품의 다른 실시형태의 개략 구성도.
도 5는 내굴곡성 시험의 타입 I의 시험 장치(내굴곡성 시험 전)의 사시도.
도 6은 내굴곡성 시험의 타입 I의 시험 장치(내굴곡성 시험 도중)의 사시도.
도 1은 본 발명의 촬상 부품의 일 실시형태의 개략 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시하는 촬상 부품에 구비되는 열전도성 시트의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이며, 도 3은 도 2에 도시하는 열전도성 시트의 사시도이다.
도 1에 있어서, 촬상 부품(1)은 촬상 소자(2)와, 촬상 소자(2)로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 열전도성 시트(3)를 구비하고 있다.
촬상 소자(2)는 수수한 광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자[후술하는 수광 소자(10)]를 구비하는 소자이며, 디지털 카메라나 디지털 비디오 카메라 등의 촬상 장치(도시하지 않음)에 있어서, 그 화소수에 따라서 복수 구비되어 있다.
촬상 소자(2)로서는 CCD 이미지 센서나, 표면 조사형 CMOS 이미지 센서, 이면 조사형 CMOS 이미지 센서 등의 CMOS 이미지 센서 등을 들 수 있지만, 본 실시형태에서는 촬상 소자(2)로서는 CMOS 이미지 센서, 상세하게는 표면 조사형 CMOS 이미지 센서가 채용된다.
이러한 촬상 소자(2)는 집광 렌즈(4), 컬러 필터(5), 회로 기판(6) 및 수광 기판(7)을 구비하고 있다.
집광 렌즈(4)는 단면에서 보아 대략 반타원 형상으로 형성된 렌즈이며, 그 저면이 컬러 필터(5)에 밀착함과 함께, 상면(곡면)이 노출되어, 광이 입사되는 광입사면으로 되어 있다.
이러한 집광 렌즈(4)는, 촬상 소자(2)에 있어서, 후술하는 그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 및 블루 필터(5B)에 대응하도록 복수 개(3개) 설치되어 있다.
컬러 필터(5)는 박막으로서 형성되어 있고, 그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 및 블루 필터(5B)를 구비하고 있다.
그린 필터(5G)는 녹색에 대응하는 파장 영역의 광의 투과율이 높은 광투과막이며, 집광 렌즈(4)의 광입사면으로부터 입사하는 광을 분광하여, 녹색광을 투과시킨다.
레드 필터(5R)는 적색에 대응하는 파장 영역의 광의 투과율이 높은 광투과막이며, 집광 렌즈(4)의 광입사면으로부터 입사하는 광을 분광하여, 적색광을 투과시킨다.
블루 필터(5B)는 청색에 대응하는 파장 영역의 광의 투과율이 높은 광투과막이며, 집광 렌즈(4)의 광입사면으로부터 입사하는 광을 분광하여, 청색광을 투과시킨다.
이들 그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 및 블루 필터(5B)는 공지된 방법에 의해 제조되며, 인접 배치됨으로써 컬러 필터(5)를 형성하고 있다.
회로 기판(6)은 절연층(8)과, 절연층(8)에 매설되는 도체 패턴(9)을 구비하고 있다.
절연층(8)은 광을 투과하는 광투과성 재료로 형성되어 있고, 도체 패턴(9)을 절연하기 위하여 도체 패턴(9)의 사이에 개재되어 있다.
광투과성 재료로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 산화실리콘 등을 들 수 있고, 나아가 그 산화실리콘에, 예를 들어 인, 붕소 등을 첨가하여 얻어지는 첨가 산화실리콘 등을 들 수 있다.
도체 패턴(9)은, 예를 들어 알루미늄, 구리 등의 금속 재료로 형성되어 있고, 상세하게는, 예를 들어 공지된 인쇄 방법에 의해 소정 패턴으로서 형성되어, 절연층(8)에 매설되어 있다.
이러한 도체 패턴(9)은 수광 소자(10)(후술함)에 있어서 얻어지는 전기 신호를 전달하기 위하여, 외부 부재에 전기적으로 접속되어 있다.
수광 기판(7)은, 예를 들어 실리콘 수지 등으로 이루어지는 기판이며, 회로 기판(6)에 접촉하도록 설치되어 있다.
또한, 수광 기판(7)은 수광 소자(10)를 함유하고 있다.
수광 소자(10)는 수수한 광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자이며, 단면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
이러한 수광 소자(10)는 컬러 필터(5)에 대응하도록 복수 개(3개) 설치되어 있고, 각 수광 소자(10)는 각 컬러 필터(5)[그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 및 블루 필터(5B)]에 대향하도록 수광 기판(7)에 매설되어 있다.
또한, 각 수광 소자(10)는, 그 일방측면이 수광 기판(7)으로부터 노출되어 있고, 각 컬러 필터(5)[그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 및 블루 필터(5B)]의 일방측에 대한 타방측면[회로 기판(6)과 접촉하는 측면]에 대향하도록 배치되어 있다.
그리고, 이러한 수광 기판(7)은, 집광 렌즈(4)의 광입사면측의 표면[수광 기판(7)과 회로 기판(6)의 접촉면]에 대한 타방측면으로서, 광입사면의 반대측에 배치되는 이면을 구비하고 있다. 수광 기판(7)의 이면[촬상 소자(2)의 이면]은 평면으로 형성되어 있고, 이 이면에는 열전도성 시트(3)가 설치되어 있다.
열전도성 시트(3)는 평판 형상으로 형성되어 있고, 그 표면이 수광 기판(7)의 이면[촬상 소자(2)의 이면]에 밀착하도록 배치되어 있다.
이러한 열전도성 시트(3)는 질화붕소 입자를 함유하고 있다.
구체적으로는, 열전도성 시트(3)는 질화붕소(BN) 입자를 필수 성분으로서 함유하고, 또한 예를 들어 수지 성분을 함유하고 있다.
질화붕소 입자는 판 형상(혹은 비늘 조각 형상)으로 형성되어 있고, 열전도성 시트(3)에 있어서 소정 방향(후술함)으로 배향된 형태로 분산되어 있다.
질화붕소 입자는 긴 측 방향 길이(판의 두께 방향에 대한 직교 방향에서의 최대 길이)의 평균이, 예를 들어 1 내지 100㎛, 바람직하게는 3 내지 90㎛이다. 또한, 질화붕소 입자의 긴 측 방향 길이의 평균은 5㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상, 특히 바람직하게는 30㎛ 이상, 가장 바람직하게는 40㎛ 이상이며, 통상, 예를 들어 100㎛ 이하, 바람직하게는 90㎛ 이하이다.
또한, 질화붕소 입자의 두께(판의 두께 방향 길이, 즉 입자의 짧은 측 방향 길이)의 평균은, 예를 들어 0.01 내지 20㎛, 바람직하게는 0.1 내지 15㎛이다.
또한, 질화붕소 입자의 종횡비(긴 측 방향 길이/두께)는, 예를 들어 2 내지 10000, 바람직하게는 10 내지 5000이다.
그리고, 질화붕소 입자의 광산란법에 의해 측정되는 평균 입자 직경은, 예를 들어 5㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상, 특히 바람직하게는 30㎛ 이상, 가장 바람직하게는 40㎛ 이상이며, 통상 100㎛ 이하이다.
또한, 광산란법에 의해 측정되는 평균 입자 직경은, 동적 광산란식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정되는 체적 평균 입자 직경이다.
질화붕소 입자의 광산란법에 의해 측정되는 평균 입자 직경이 상기 범위 미만이면, 열전도성 시트(3)가 물러져 취급성이 저하하는 경우가 있다.
또한, 질화붕소 입자의 벌크 밀도(JIS K 5101, 겉보기 밀도)는, 예를 들어 0.3 내지 1.5g/cm3, 바람직하게는 0.5 내지 1.0g/cm3이다.
또한, 질화붕소 입자는 시판품 또는 그것을 가공한 가공품을 사용할 수 있다. 질화붕소 입자의 시판품으로서는, 예를 들어 모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ머티리얼즈ㆍ재팬사제의 「PT」 시리즈(예를 들어, 「PT-110」 등), 쇼와 덴꼬(SHOWA DENKO)사제의 「쇼비엔 UHP」 시리즈(예를 들어, 「쇼비엔 UHP-1」등) 등을 들 수 있다.
수지 성분은 질화붕소 입자를 분산시킬 수 있는 것, 즉 질화붕소 입자가 분산되는 분산 매체(매트릭스)이며, 예를 들어 열경화성 수지 성분, 열가소성 수지 성분 등의 수지 성분을 들 수 있다.
열경화성 수지 성분으로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 열경화성 폴리이미드, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 열경화성 우레탄 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지 성분으로서는, 예를 들어 폴리올레핀(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등), 아크릴 수지(예를 들어, 폴리메타크릴산 메틸 등), 폴리아세트산 비닐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 폴리카르보네이트, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌옥시드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리알릴술폰, 열가소성 폴리이미드, 열가소성 우레탄 수지, 폴리아미노비스말레이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 비스말레이미드 트리아진 수지, 폴리메틸펜텐, 불화 수지, 액정 중합체, 올레핀-비닐알코올 공중합체, 아이오노머, 폴리아릴레이트, 아크릴로니트릴-에틸렌-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 수지 성분은 단독 사용 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다.
열경화성 수지 성분 중, 바람직하게는 에폭시 수지를 들 수 있다.
에폭시 수지는 상온에 있어서 액상, 반고형상 및 고형상 중 어느 하나의 형태이다.
구체적으로는, 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀형 에폭시 수지(예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 다이머산 변성 비스페놀형 에폭시 수지 등), 노볼락형 에폭시 수지(예를 들어, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 등), 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지(예를 들어, 비스아릴플루오렌형 에폭시 수지 등), 트리페닐메탄형 에폭시 수지(예를 들어, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지 등) 등의 방향족계 에폭시 수지, 예를 들어 트리에폭시프로필이소시아누레이트(트리글리시딜이소시아누레이트), 히단토인에폭시 수지 등의 질소 함유 환 에폭시 수지, 예를 들어 지방족형 에폭시 수지, 예를 들어 지환식 에폭시 수지(예를 들어, 디시클로환형 에폭시 수지 등), 예를 들어 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 예를 들어 글리시딜아민형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이들 에폭시 수지는 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
바람직하게는 액상의 에폭시 수지 및 고형상의 에폭시 수지의 조합, 더욱 바람직하게는 액상의 방향족계 에폭시 수지 및 고형상의 방향족계 에폭시 수지의 조합을 들 수 있다. 그러한 조합으로서, 구체적으로는 액상의 비스페놀형 에폭시 수지 및 고형상의 트리페닐메탄형 에폭시 수지의 조합, 또는 액상의 비스페놀형 에폭시 수지 및 고형상의 비스페놀형 에폭시 수지의 조합을 들 수 있다.
또한, 에폭시 수지로서, 바람직하게는 반고형상의 에폭시 수지의 단독 사용을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 반고형상의 방향족계 에폭시 수지의 단독 사용을 들 수 있다. 그러한 에폭시 수지로서는, 보다 구체적으로는 반고형상의 플루오렌형 에폭시 수지를 들 수 있다.
액상의 에폭시 수지 및 고형상의 에폭시 수지의 조합, 또는 반고형상의 에폭시 수지이면, 열전도성 시트(3)의 단차 추종성(후술함)을 향상시킬 수 있다.
또한, 에폭시 수지는, 에폭시 당량이, 예를 들어 100 내지 1000g/eqiv., 바람직하게는 160 내지 700g/eqiv.이며, 연화 온도(환구법)가, 예를 들어 80℃ 이하(구체적으로는 20 내지 80℃), 바람직하게는 70℃ 이하(구체적으로는 25 내지 70℃)이다.
또한, 에폭시 수지의 80℃에서의 용융 점도는, 예를 들어 10 내지 20,000m㎩ㆍs, 바람직하게는 50 내지 15,000m㎩ㆍs이기도 하다. 에폭시 수지를 2종 이상 병용하는 경우에는, 그들 혼합물로서의 용융 점도가 상술한 범위 내로 설정된다.
또한, 상온에서 고형상의 에폭시 수지와, 상온에서 액상의 에폭시 수지를 병용하는 경우에는, 연화 온도가, 예를 들어 45℃ 미만, 바람직하게는 35℃ 이하의 제 1 에폭시 수지와, 연화 온도가, 예를 들어 45℃ 이상, 바람직하게는 55℃ 이상의 제 2 에폭시 수지를 함께 갖는다. 이에 의해, 수지 성분(혼합물)의 동점도(JIS K 7233에 준거, 후술함)를 원하는 범위로 설정할 수 있고, 열전도성 시트(3)의 단차 추종성을 향상시킬 수 있다.
또한, 에폭시 수지에는, 예를 들어 경화제 및 경화 촉진제를 함유시켜 에폭시 수지 조성물로서 제조할 수 있다.
경화제는 가열에 의해 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 잠재성 경화제(에폭시 수지 경화제)이며, 예를 들어 이미다졸 화합물, 아민 화합물, 산 무수물 화합물, 아미드 화합물, 히드라지드 화합물, 이미다졸린 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 외에 페놀 화합물, 우레아 화합물, 폴리술피드 화합물 등도 들 수 있다.
이미다졸 화합물로서는, 예를 들어 2-페닐이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
아민 화합물로서는, 예를 들어 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민 등의 지방족 폴리아민, 예를 들어 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 폴리아민 등을 들 수 있다.
산 무수물 화합물로서는, 예를 들어 무수 프탈산, 무수 말레산, 테트라히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 4-메틸-헥사히드로프탈산 무수물, 메틸나드산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 디클로로숙신산 무수물, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 클로렌드산 무수물 등을 들 수 있다.
아미드 화합물로서는, 예를 들어 디시안디아미드, 폴리아미드 등을 들 수 있다.
히드라지드 화합물로서는, 예를 들어 아디프산 디히드라지드 등을 들 수 있다.
이미다졸린 화합물로서는, 예를 들어 메틸이미다졸린, 2-에틸-4-메틸이미다졸린, 에틸이미다졸린, 이소프로필이미다졸린, 2,4-디메틸이미다졸린, 페닐이미다졸린, 운데실이미다졸린, 헵타데실이미다졸린, 2-페닐-4-메틸이미다졸린 등을 들 수 있다.
이들 경화제는 단독 사용 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다.
경화제로서, 바람직하게는 이미다졸 화합물을 들 수 있다.
경화 촉진제로서는, 예를 들어 트리에틸렌디아민, 트리-2,4,6-디메틸아미노메틸페놀 등의 3급 아민 화합물, 예를 들어 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄-o,o-디에틸포스포로디티오에이트 등의 인 화합물, 예를 들어 4급 암모늄염 화합물, 예를 들어 유기 금속염 화합물, 예를 들어 그들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 경화 촉진제는 단독 사용 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다.
에폭시 수지 조성물에서의 경화제의 배합 비율은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 예를 들어 0.5 내지 50질량부, 바람직하게는 1 내지 10질량부이며, 경화 촉진제의 배합 비율은, 예를 들어 0.1 내지 10질량부, 바람직하게는 0.2 내지 5질량부이다.
상술한 경화제 및/또는 경화 촉진제는, 필요에 따라서 용매에 의해 용해 및/또는 분산된 용매 용액 및/또는 용매 분산액으로서 제조하여 사용할 수 있다.
용매로서는, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 예를 들어 아세트산 에틸 등의 에스테르류, 예를 들어 N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드류 등의 유기 용매 등을 들 수 있다. 또한, 용매로서, 예를 들어 물, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올 등의 알코올류 등 수계 용매도 들 수 있다. 용매로서, 바람직하게는 유기 용매, 더욱 바람직하게는 케톤류, 아미드류를 들 수 있다.
열가소성 수지 성분 중, 바람직하게는 폴리올레핀을 들 수 있다.
폴리올레핀으로서, 바람직하게는 폴리에틸렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체를 들 수 있다.
폴리에틸렌으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌 등을 들 수 있다.
에틸렌-프로필렌 공중합체로서는, 예를 들어 에틸렌 및 프로필렌의 랜덤 공중합체, 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 폴리올레핀은 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
또한, 폴리올레핀의 중량 평균 분자량 및/또는 수 평균 분자량은, 예를 들어 1000 내지 10000이다.
또한, 폴리올레핀은 단독 사용 또는 복수 개를 병용할 수 있다.
또한, 수지 성분의 JIS K 7233(기포 점도계법)에 준거하는 동점도 시험[온도 : 25℃±0.5℃, 용매 : 부틸카르비톨, 수지 성분(고형분) 농도 : 40질량%]에 의해 측정되는 동점도는, 예를 들어 0.22×10-4 내지 2.00×10-4m2/s, 바람직하게는 0.3×10-4 내지 1.9×10-4m2/s, 더욱 바람직하게는 0.4×10-4 내지 1.8×10-4m2/s이다. 또한, 상기의 동점도를, 예를 들어 0.22×10-4 내지 1.00×10-4m2/s, 바람직하게는 0.3×10-4 내지 0.9×10-4m2/s, 더욱 바람직하게는 0.4×10-4 내지 0.8×10-4m2/s로 설정할 수도 있다.
수지 성분의 동점도가 상기 범위를 초과하는 경우에는, 열전도성 시트(3)에 우수한 유연성 및 단차 추종성(후술함)을 부여할 수 없는 경우가 있다. 한편, 수지 성분의 동점도가 상기 범위 미만인 경우에는, 질화붕소 입자를 소정 방향으로 배향시키지 못하는 경우가 있다.
또한, JIS K 7233(기포 점도계법)에 준거하는 동점도 시험에서는, 수지 성분 샘플에서의 기포의 상승 속도와, 표준 샘플(동점도가 기지)에서의 기포의 상승 속도를 비교하여, 상승 속도가 일치하는 표준 샘플의 동점도가 수지 성분의 동점도라고 판정함으로써, 수지 성분의 동점도를 측정한다.
그리고, 열전도성 시트(3)에 있어서, 질화붕소 입자의 체적 기준의 함유 비율(고형분, 즉 수지 성분 및 질화붕소 입자의 총 체적에 대한 질화붕소 입자의 체적 백분율)은, 예를 들어 35체적% 이상, 바람직하게는 60체적% 이상, 바람직하게는 65체적% 이상이며, 통상 예를 들어 95체적% 이하, 바람직하게는 90체적% 이하이다.
질화붕소 입자의 체적 기준의 함유 비율이 상술한 범위 미만인 경우에는, 질화붕소 입자를 열전도성 시트(3)에 있어서 소정 방향으로 배향시키지 못하는 경우가 있다. 한편, 질화붕소 입자의 체적 기준의 함유 비율이 상술한 범위를 초과하는 경우에는, 열전도성 시트(3)가 물러져 취급성 및 단차 추종성이 저하하는 경우가 있다.
또한, 열전도성 시트(3)를 형성하는 각 성분(질화붕소 입자 및 수지 성분)의 총량(고형분 총량) 100질량부에 대한 질화붕소 입자의 질량 기준의 배합 비율은, 예를 들어 40 내지 95질량부, 바람직하게는 65 내지 90질량부이며, 열전도성 시트(3)를 형성하는 각 성분의 총량 100질량부에 대한 수지 성분의 질량 기준의 배합 비율은, 예를 들어 5 내지 60질량부, 바람직하게는 10 내지 35질량부이다. 또한, 질화붕소 입자의 수지 성분 100질량부에 대한 질량 기준의 배합 비율은, 예를 들어 60 내지 1900질량부, 바람직하게는 185 내지 900질량부이기도 하다.
또한, 2종의 에폭시 수지(제 1 에폭시 수지 및 제 2 에폭시 수지)를 병용하는 경우에 있어서, 제 1 에폭시 수지의 제 2 에폭시 수지에 대한 질량 비율(제 1 에폭시 수지의 질량/제 2 에폭시 수지의 질량)은, 각 에폭시 수지(제 1 에폭시 수지 및 제 2 에폭시 수지)의 연화 온도 등에 따라서 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들어 1/99 내지 99/1, 바람직하게는 10/90 내지 90/10이다.
또한, 수지 성분에는, 상술한 각 성분(중합물) 외에, 예를 들어 중합체 전구체(예를 들어, 올리고머를 포함하는 저분자량 중합체 등) 및/또는 단량체가 포함된다.
이어서, 열전도성 시트(3)를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
이 방법에서는, 우선, 상술한 각 성분을 상술한 배합 비율로 배합하여 교반 혼합함으로써, 혼합물을 제조한다.
교반 혼합에서는, 각 성분을 효율적으로 혼합하기 위하여, 예를 들어 용매를 상술한 각 성분과 함께 배합하거나, 또는 예를 들어 가열에 의해 수지 성분(바람직하게는 열가소성 수지 성분)을 용융시킬 수 있다.
용매로서는, 상기와 마찬가지의 유기 용매를 들 수 있다. 또한, 상술한 경화제 및/또는 경화 촉진제가 용매 용액 및/또는 용매 분산액으로서 제조되고 있는 경우에는, 교반 혼합에 있어서 용매를 추가하지 않고, 용매 용액 및/또는 용매 분산액의 용매를 그대로 교반 혼합을 위한 혼합 용매로서 제공할 수 있다. 혹은, 교반 혼합에 있어서 용매를 혼합 용매로서 더 추가할 수도 있다.
용매를 사용하여 교반 혼합하는 경우에는, 교반 혼합 후, 용매를 제거한다.
용매를 제거하기 위해서는, 예를 들어 실온에서 1 내지 48시간 방치하거나, 예를 들어 40 내지 100℃에서 0.5 내지 3시간 가열하거나, 또는 예를 들어 0.001 내지 50㎪의 감압 분위기하에 20 내지 60℃에서 0.5 내지 3시간 가열한다.
가열에 의해 수지 성분을 용융시키는 경우에는, 가열 온도가, 예를 들어 수지 성분의 연화 온도 부근 또는 그것을 초과하는 온도이며, 구체적으로는 40 내지 150℃, 바람직하게는 70 내지 140℃이다.
계속해서, 이 방법에서는 얻어진 혼합물을 열 프레스한다.
구체적으로는, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 혼합물을, 예를 들어 필요에 따라서 2매의 이형 필름(16)을 개재하여 열 프레스함으로써 프레스 시트(3A)를 얻는다. 열 프레스의 조건은, 온도가 예를 들어 50 내지 150℃, 바람직하게는 60 내지 140℃이며, 압력이 예를 들어 1 내지 100㎫, 바람직하게는 5 내지 50㎫이며, 시간이 예를 들어 0.1 내지 100분간, 바람직하게는 1 내지 30분간이다.
더욱 바람직하게는 혼합물을 진공 열 프레스한다. 진공 열 프레스에서의 진공도는, 예를 들어 1 내지 100㎩, 바람직하게는 5 내지 50㎩이며, 온도, 압력 및 시간은 상술한 열 프레스의 그것들과 마찬가지이다.
열 프레스에서의 온도, 압력 및/또는 시간이, 상술한 범위 외에 있는 경우에는, 열전도성 시트(3)의 공극률(P)(후술함)을 원하는 값으로 조정할 수 없는 경우가 있다.
열 프레스에 의해 얻어지는 프레스 시트(3A)의 두께는, 예를 들어 50 내지 1000㎛, 바람직하게는 100 내지 800㎛이다.
계속해서, 이 방법에서는 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 프레스 시트(3A)를 복수 개(예를 들어, 4개)로 분할하여 분할 시트(3B)를 얻는다(분할 공정). 프레스 시트(3A)의 분할에서는, 두께 방향으로 투영하였을 때에 복수 개로 분단되도록 프레스 시트(3A)를 그 두께 방향을 따라서 절단한다. 또한, 프레스 시트(3A)는, 각 분할 시트(3B)가 두께 방향으로 투영되었을 때에 동일 형상이 되도록 절단한다.
계속해서, 이 방법에서는 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 각 분할 시트(3B)를 두께 방향으로 적층하여 적층 시트(3C)를 얻는다(적층 공정).
그 후, 이 방법에서는 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 적층 시트(3C)를 열 프레스(바람직하게는 진공 열 프레스)한다(열 프레스 공정). 열 프레스의 조건은, 상술한 혼합물의 열 프레스의 조건과 마찬가지이다.
열 프레스 후의 적층 시트(3C)의 두께는, 예를 들어 1㎜ 이하, 바람직하게는 0.8㎜ 이하이며, 통상 예를 들어 0.05㎜ 이상, 바람직하게는 0.1㎜ 이상이다.
그 후, 도 3이 참조되는 바와 같이, 열전도성 시트(3)에 있어서 질화붕소 입자(14)를 수지 성분(15) 중에 소정 방향으로 효율적으로 배향시키기 위하여, 상술한 분할 공정[도 2의 (b)], 적층 공정[도 2의 (c)] 및 열 프레스 공정[도 2의 (a)]의 일련의 공정을 반복하여 실시한다. 반복 횟수는 특별히 한정되지 않고, 질화붕소 입자의 충전 상태에 따라서 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들어 1 내지 10회, 바람직하게는 2 내지 7회이다.
또한, 상술한 열 프레스 공정[도 2의 (a)]에서는, 예를 들어 복수의 캘린더 롤 등에 의해 혼합물 및 적층 시트(3C)를 압연할 수도 있다.
이에 의해, 도 2 및 도 3에 도시하는 열전도성 시트(3)를 형성할 수 있다.
형성된 열전도성 시트(3)의 두께는, 예를 들어 1㎜ 이하, 바람직하게는 0.8㎜ 이하이며, 통상, 예를 들어 0.05㎜ 이상, 바람직하게는 0.1㎜ 이상이다.
또한, 열전도성 시트(3)에서의 질화붕소 입자(14)의 체적 기준의 함유 비율[고형분, 즉 수지 성분(15) 및 질화붕소 입자(14)의 총 체적에 대한 질화붕소 입자(14)의 체적 백분율]은, 상술한 바와 같이, 예를 들어 35체적% 이상(바람직하게는 60체적% 이상, 더욱 바람직하게는 75체적% 이상)이며, 통상 95체적% 이하(바람직하게는 90체적% 이하)이다.
질화붕소 입자(14)의 함유 비율이 상술한 범위 미만인 경우에는, 질화붕소 입자(14)를 열전도성 시트(3)에 있어서 소정 방향으로 배향시키지 못하는 경우가 있다.
또한, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에는, 예를 들어 상술한 분할 공정[도 2의 (b)], 적층 공정[도 2의 (c)] 및 열 프레스 공정[도 2의 (a)]의 일련의 공정을 미경화 상태에서 반복하여 실시하고, 그대로 미경화 상태의 열전도성 시트(3)로서 얻는다. 또한, 미경화 상태의 열전도성 시트(3)는 촬상 부품(1)에 구비한 후, 필요에 따라서 열경화시킨다.
그리고, 이와 같이 하여 형성된 열전도성 시트(3)에 있어서, 도 3 및 그 부분 확대 모식도에 도시한 바와 같이, 질화붕소 입자(14)의 긴 측 방향(LD)이 열전도성 시트(3)의 두께 방향(TD)에 교차(직교)하는 면 방향(SD)을 따라서 배향되어 있다.
또한, 질화붕소 입자(14)의 긴 측 방향(LD)이 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)에 이루는 각도의 산술 평균[질화붕소 입자(14)의 열전도성 시트(3)에 대한 배향 각도(α)]는, 예를 들어 25도 이하, 바람직하게는 20도 이하이며, 통상 0도 이상이다.
또한, 질화붕소 입자(14)의 열전도성 시트(3)에 대한 배향 각도(α)는, 열전도성 시트(3)를 두께 방향을 따라서 크로스섹션 폴리셔(CP)에 의해 절단 가공하여, 그것에 의해 나타나는 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로, 200개 이상의 질화붕소 입자(14)를 관찰할 수 있는 시야의 배율로 사진 촬영하고, 얻어진 SEM 사진으로부터 질화붕소 입자(14)의 긴 측 방향(LD)의 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)[두께 방향(TD)에 직교하는 방향]에 대한 경사각(α)을 취득하고, 그 평균값으로서 산출된다.
이에 의해, 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)의 열전도율은 4W/mㆍK 이상, 바람직하게는 5W/mㆍK 이상, 보다 바람직하게는 10W/mㆍK 이상, 더욱 바람직하게는 15W/mㆍK 이상, 특히 바람직하게는 25W/mㆍK 이상이며, 통상 200W/mㆍK 이하이다.
또한, 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)의 열전도율은, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에 열경화의 전후에 있어서 실질적으로 동일하다.
열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)의 열전도율이 상기 범위 미만이면, 면 방향(SD)의 열전도성이 충분하지 않기 때문에, 그러한 면 방향(SD)의 열전도성이 요구되는 방열 용도로 사용할 수 없는 경우가 있다.
또한, 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)의 열전도율은, 펄스 가열법에 의해 측정한다. 펄스 가열법에서는 크세논 플래시 애널라이저 「LFA-447형」[네취(NETZSCH)사제]이 사용된다.
또한, 열전도성 시트(3)의 두께 방향(TD)의 열전도율은, 예를 들어 0.5 내지 15W/mㆍK, 바람직하게는 1 내지 10W/mㆍK이다.
또한, 열전도성 시트(3)의 두께 방향(TD)의 열전도율은, 펄스 가열법, 레이저 플래시법 또는 TWA법에 의해 측정한다. 펄스 가열법에서는 상기와 마찬가지의 것이 사용되고, 레이저 플래시법에서는 「TC-9000」[알박 리꼬(ULVAC-RIKO)사제]이 사용되고, TWA법에서는 「아이-페이즈 모바일(ai-Phase mobile)」[아이페이즈(ai-Phase)사제]이 사용된다.
이에 의해, 열전도성 시트(3)의 면 방향(SD)의 열전도율의, 열전도성 시트(3)의 두께 방향(TD)의 열전도율에 대한 비[면 방향(SD)의 열전도율/두께 방향(TD)의 열전도율]는, 예를 들어 1.5 이상, 바람직하게는 3 이상, 더욱 바람직하게는 4 이상이며, 통상 20 이하이다.
또한, 열전도성 시트(3)에는, 도 2에 있어서 도시하지 않았지만, 예를 들어 공극(간극)이 형성되어 있다.
열전도성 시트(3)에서의 공극의 비율, 즉 공극률(P)은 질화붕소 입자(14)의 함유 비율(체적 기준), 나아가 질화붕소 입자(14) 및 수지 성분(15)의 혼합물의 열 프레스[도 2의 (a)]의 온도, 압력 및/또는 시간에 의해 조정할 수 있고, 구체적으로는 상술한 열 프레스[도 2의 (a)]의 온도, 압력 및/또는 시간을 상기 범위 내로 설정함으로써 조정할 수 있다.
열전도성 시트(3)에서의 공극률(P)은, 예를 들어 30체적% 이하이고, 바람직하게는 10체적% 이하이다.
상술한 공극률(P)은, 예를 들어 우선 열전도성 시트(3)를 두께 방향을 따라서 크로스섹션 폴리셔(CP)에 의해 절단 가공하여, 그것에 의해 나타나는 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 200배로 관찰하여 상을 얻고, 얻어진 상으로부터 공극 부분과, 그 이외의 부분을 2치화 처리하고, 계속해서 열전도성 시트(3) 전체의 단면적에 대한 공극 부분의 면적비를 산출함으로써 측정된다.
또한, 열전도성 시트(3)에 있어서, 경화 후의 공극률(P2)은, 경화 전의 공극률(P1)에 대하여, 예를 들어 100% 이하, 바람직하게는 50% 이하이다.
공극률[P(P1)]의 측정에는, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에, 열경화 전의 열전도성 시트(3)가 사용된다.
열전도성 시트(3)의 공극률(P)이 상술한 범위 내에 있으면, 열전도성 시트(3)의 단차 추종성(후술함)을 향상시킬 수 있다.
또한, 열전도성 시트(3)는, JIS K 5600-5-1의 원통형 맨드릴법에 준거하는 내굴곡성 시험에 있어서, 하기의 시험 조건으로 평가하였을 때에, 바람직하게는 파단이 관찰되지 않는다.
시험 조건
시험 장치 : 타입 I
맨드릴 : 직경 10㎜
굴곡 각도 : 90도 이상
열전도성 시트(3)의 두께 : 0.3㎜
또한, 타입 I의 시험 장치의 사시도를 도 5 및 도 6에 도시하고, 이하에 타입 I의 시험 장치를 설명한다.
도 5 및 도 6에 있어서, 타입 I의 시험 장치(90)는, 제 1 평판(91)과, 제 1 평판(91)과 병렬 배치되는 제 2 평판(92)과, 제 1 평판(91) 및 제 2 평판(92)을 상대 회동시키기 위하여 설치되는 맨드릴(회전축)(93)을 구비하고 있다.
제 1 평판(91)은 대략 직사각형 평판 형상으로 형성되어 있다. 또한, 제 1 평판(91)의 일단부(자유 단부)에는 스토퍼(94)가 설치되어 있다. 스토퍼(94)는 제 2 평판(92)의 표면에 제 2 평판(92)의 일단부를 따라 연장되도록 형성되어 있다.
제 2 평판(92)은 대략 직사각형 평판 형상을 이루고, 그 한 변이 제 1 평판(91)의 한 변[스토퍼(94)가 설치되는 일단부와 반대측의 타단부(기단부)의 한 변]과 인접하도록 배치되어 있다.
맨드릴(93)은, 서로 인접하는 제 1 평판(91) 및 제 2 평판(92)의 한 변을 따라 연장되도록 형성되어 있다.
이 타입 I의 시험 장치(90)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 내굴곡성 시험을 개시하기 전에는, 제 1 평판(91)의 표면과 제 2 평판(92)의 표면이 동일 높이의 면으로 된다.
그리고, 내굴곡성 시험을 실시하기 위해서는, 열전도성 시트(3)를, 제 1 평판(91)의 표면과 제 2 평판(92)의 표면에 적재한다. 또한, 열전도성 시트(3)를, 그 한 변이 스토퍼(94)에 접촉하도록 적재한다.
계속해서, 도 6에 도시한 바와 같이, 제 1 평판(91) 및 제 2 평판(92)을 상대적으로 회동시킨다. 구체적으로는, 제 1 평판(91)의 자유 단부와 제 2 평판(92)의 자유 단부를 맨드릴(93)을 중심으로 하여, 소정의 각도만큼 회동시킨다. 상세하게는 제 1 평판(91) 및 제 2 평판(92)을 그들의 자유 단부의 표면이 근접(대향)하도록 회동시킨다.
이에 의해, 열전도성 시트(3)는 제 1 평판(91) 및 제 2 평판(92)의 회동에 추종하면서, 맨드릴(93)을 중심으로 굴곡한다.
더욱 바람직하게는 열전도성 시트(3)는, 상술한 시험 조건에 있어서, 굴곡 각도를 180도로 설정하였을 때에도 파단이 관찰되지 않는다.
또한, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에는, 굴곡성 시험에 제공되는 열전도성 시트(3)는, 반경화(B 스테이지 상태)의 열전도성 시트(3)이다.
상술한 굴곡 각도에서의 내굴곡성 시험에 있어서 열전도성 시트(3)에 파단이 관찰되는 경우에는, 열전도성 시트(3)에 우수한 유연성을 부여할 수 없는 경우가 있다.
또한, 이 열전도성 시트(3)는 JIS K 7171(2008년)에 준거하는 3점 굽힘 시험에 있어서, 하기의 시험 조건에서 평가하였을 때에, 예를 들어 파단이 관찰되지 않는다.
시험 조건
시험편 : 크기 20㎜×15㎜
지점간 거리 : 5㎜
시험 속도 : 20㎜/min(압자의 누름 속도)
굽힘 각도 : 120도
평가 방법 : 상기 시험 조건에서 시험하였을 때의 시험편의 중앙부에서의 균열 등의 파단의 유무를 육안으로 관찰한다.
또한, 3점 굽힘 시험에는, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에, 열경화 전의 열전도성 시트(3)가 사용된다.
따라서, 이 열전도성 시트(3)는, 상술한 3점 굽힘 시험에 있어서 파단이 관찰되지 않기 때문에, 단차 추종성이 우수하다. 또한, 단차 추종성이란, 열전도성 시트(3)를 단차가 있는 설치 대상에 설치할 때에, 그 단차를 따라서 밀착하도록 추종하는 특성이다.
또한, 열전도성 시트(3)에는, 예를 들어 문자, 기호 등의 마크를 부착시킬 수 있다. 즉, 열전도성 시트(3)는 마크 부착성이 우수하다. 마크 부착성이란, 상술한 마크를 열전도성 시트(3)에 확실하게 부착시킬 수 있는 특성이다.
마크는, 구체적으로는 인쇄 또는 각인 등에 의해 열전도성 시트(3)에 부착(도포, 정착 또는 고착)된다.
인쇄로서, 예를 들어 잉크젯 인쇄, 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 레이저 인쇄 등을 들 수 있다.
또한, 잉크젯 인쇄, 볼록판 인쇄 또는 오목판 인쇄에 의해 마크가 인쇄되는 경우에는, 예를 들어 마크의 정착성을 향상시키기 위한 잉크 정착층을 열전도성 시트(3)의 표면(인쇄측면)에 형성할 수 있다.
또한, 레이저 인쇄에 의해 마크가 인쇄되는 경우에는, 예를 들어 마크의 정착성을 향상시키기 위한 토너 정착층을 열전도성 시트(3)의 표면(인쇄측면)에 형성할 수 있다.
각인으로서는, 예를 들어 레이저 각인, 타각 등을 들 수 있다.
또한, 이와 같이 하여 얻어지는 열전도성 시트(3)는, 통상 절연성이다.
그리고, 이러한 촬상 부품(1)을 얻기 위해서는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 우선 촬상 소자(2)를 제조하고, 그 후 얻어진 촬상 소자(2)의 이면에 열전도성 시트(3)를 접착한다.
촬상 소자(2)를 제조하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.
보다 구체적으로는, 도시하지 않았지만, 예를 들어 수광 기판(7)에 공지된 방법에 의해 수광 소자(10)를 매설하고, 계속해서 절연층(8) 및 도체 패턴(9)을 순차적으로 적층함으로써, 수광 기판(7) 상에 회로 기판(6)을 형성한다. 그 후, 회로 기판(6) 상에 컬러 필터(5) 및 집광 렌즈(4)를 적재한다. 이에 의해, 촬상 소자(2)를 얻을 수 있다.
계속해서, 이 방법에서는 얻어진 촬상 소자(2)의 이면에 열전도성 시트(3)를 접착한다.
또한, 이 때, 열전도성 시트(3)에 있어서, 수지 성분(15)이 열경화성 수지 성분인 경우에는, 바람직하게는 B 스테이지 상태의 열전도성 시트(3)를 촬상 소자(2)의 이면에 접착한다. 이에 의해, 촬상 부품(1)이 얻어진다.
또한, 도시하지 않았지만, 이 촬상 부품(1)에 있어서, 열전도성 시트(3)가 B 스테이지 상태인 경우에는, 필요에 따라서 촬상 부품(1)을 가열하여, 열전도성 시트(3)를 열경화시킬 수 있다. 또한, 열경화의 타이밍 및 조건은, 목적 및 용도에 따라서 적절히 결정된다.
또한, 도시하지 않았지만, 이 촬상 부품(1)에서는 필요에 따라서 발산 렌즈, 광도파 부재 등을 적절히 더 배치할 수 있다.
그리고, 이러한 촬상 부품(1)은 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 촬상 장치에 장비된다.
그리고, 촬상 장치에 있어서, 촬상 부품(1)에서는, 그 광입사면[집광 렌즈(4)의 광입사면]으로부터 입사한 광이 집광 렌즈(4)에 의해 집광되어, 컬러 필터(5)[그린 필터(5G), 레드 필터(5R) 또는 블루 필터(5B)]와, 회로 기판(6)의 절연층(8) 부분을 투과한다. 이에 의해, 광이 수광 기판(7)[수광 소자(10)]에 도달한다.
수광 기판(7)에 도달한 광은, 수광 소자(10)에 있어서 전기 신호로 변환되고, 그 전기 신호가 도체 패턴(9)에 의해 전달되어, 도시하지 않은 외부 부재에 있어서 사용된다.
이 때, 촬상 소자(2)에서는, 회로 기판(6)이나 수광 기판(7) 등에 있어서, 열을 발생시키는 경우가 있는데, 촬상 소자(2)는 고온이 되면 노이즈가 발생하는 등의 문제를 발생시키는 경우가 있고, 또한 그 온도 조건에 따라서 감도가 변화하는 경우가 있다.
이에 대하여, 촬상 부품(1)에서는, 촬상 소자(2)에서의 광입사면의 반대측에 배치되는 이면에 열전도성 시트(3), 상세하게는 판 형상의 질화붕소 입자를 함유하고, 두께 방향에 대한 직교 방향[즉, 수광 기판(7)의 이면이 연장되는 면 방향]의 열전도율이 4W/mㆍK 이상인 열전도성 시트(3)를 구비한다. 그로 인해, 수광 기판(7)의 이면으로부터 발생하는 열을 면 방향으로 균일하게 확산시켜, 온도 불균일을 저감시키는(온도의 균일화를 도모하는) 것이 가능하면서, 우수한 방열성을 확보할 수 있으며, 그 결과 감도의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 이러한 열전도성 시트(3)는 그래파이트 시트보다 저렴하게 제조되기 때문에, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 그래파이트 시트는 도전성이기 때문에, 예를 들어 절결 등을 발생시키면, 그 파편이 촬상 장치의 내부에 있어서 단락을 발생시킨다고 하는 문제가 있다.
그러나, 이와 같은 열전도성 시트(3)는 절연성이기 때문에, 촬상 장치(도시하지 않음)의 내부에 있어서 절결을 발생시키는 경우에도, 단락의 발생을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 촬상 부품(1)의 다른 실시형태의 개략 구성도이다.
또한, 상술한 각 부에 대응하는 부재에 대해서는, 도 4에 있어서 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
상술한 설명에서는 촬상 소자(2)로서 집광 렌즈(4) 및 컬러 필터(5)의 아래에 회로 기판(6)을 배치하고, 그 회로 기판(6)의 아래에 수광 기판(7)을 배치한, 즉 표면 조사형 CMOS 이미지 센서를 채용하였지만, 촬상 소자(2)로서는, 예를 들어 공지된 이면 조사형 CMOS 이미지 센서를 채용할 수도 있다.
보다 구체적으로는, 이 실시형태에서는 도 4에 도시한 바와 같이, 집광 렌즈(4) 및 컬러 필터(5)의 아래에 수광 기판(7)을 배치하고, 그 수광 기판(7)의 아래에 회로 기판(6)을 배치한다.
또한, 이 때, 수광 기판(7)은, 통상 실리콘 수지 등이 굴착되어, 박형화되어 있다.
그리고, 이 촬상 부품(1)에서는 회로 기판(6)의 이면[촬상 소자(2)의 이면]에 열전도성 시트(3)가 접착된다.
이러한 촬상 부품(1)으로도 상기와 마찬가지로 우수한 방열성을 확보함과 함께, 온도의 균일화를 도모할 수 있고, 나아가 저비용화를 도모할 수 있다.
추가적으로, 이러한 촬상 부품(1)에서는 촬상 소자(2)가 이면 조사형 CMOS 이미지 센서이기 때문에, 광의 수광 기판(7)[수광 소자(10)]으로의 도달 효율을 향상시켜, 감도의 향상을 도모할 수 있다.
즉, 촬상 소자(2)가 표면 조사형 CMOS 이미지 센서인 촬상 부품(1)(도 1 참조)에서는, 광입사면으로부터 입사하는 광은, 수광 기판(7)[수광 소자(10)]에 도달 하기 전에 회로 기판(6)을 투과한다. 그로 인해, 광이 회로 기판(6) 내의 도체 패턴(9)에 의해 반사되어, 광의 수광 기판(7)[수광 소자(10)]으로의 도달 효율을 충분히 확보할 수 없는 경우가 있다.
그러나, 촬상 소자(2)가 이면 조사형 CMOS 이미지 센서인 촬상 부품(1)(도 4 참조)에서는, 광입사면으로부터 입사하는 광이 회로 기판(6)을 투과하기 전에, 수광 기판(7)[수광 소자(10)]에 도달하기 때문에, 도체 패턴(9)에 의한 광의 반사 등을 억제할 수 있어, 광의 수광 기판(7)[수광 소자(10)]으로의 도달 효율을 충분히 확보할 수 있다.
< 실시예 >
이하에 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 전혀 실시예에 한정되지 않는다.
제조예 1( 열전도성 시트의 제조)
PT-110(상품명, 판 형상의 질화붕소 입자, 평균 입자 직경(광산란법) 45㎛, 모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ머티리얼즈ㆍ재팬사제) 13.42g과, JER828[상품명, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 제 1 에폭시 수지, 액상, 에폭시 당량 184 내지 194g/eqiv., 연화 온도(환구법) 25℃ 미만, 용융 점도(80℃) 70m㎩ㆍs, 재팬 에폭시 레진사제] 1.0g 및 EPPN-501HY[상품명, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 제 2 에폭시 수지, 고형상, 에폭시 당량 163 내지 175g/eqiv., 연화 온도(환구법) 57 내지 63℃, 니뽄 가야꾸(NIPPON KAYAKU)사제] 2.0g과, 경화제[큐어졸 2P4MHZ-PW(상품명, 시꼬꾸 가세(SHIKOKU KASEI)사제)의 5질량% 메틸에틸케톤 분산액] 3g(고형분 0.15g)(에폭시 수지인 JER828 및 EPPN-501HY의 총량에 대하여 5질량%)을 배합하여 교반하고, 실온(23℃)에서 하룻밤 방치하여 메틸에틸케톤(경화제의 분산매)을 휘발시켜, 반고형상의 혼합물을 제조하였다.
또한, 상기의 배합에 있어서, 경화제를 제외한 고형분(즉, 질화붕소 입자와 에폭시 수지의 고형분)의 총 체적에 대한 질화붕소 입자의 체적 백분율(체적%)은 70체적%이었다.
계속해서, 얻어진 혼합물을 실리콘 처리한 2매의 이형 필름 사이에 끼워넣고, 그것들을 진공 가열 프레스기에 의해 80℃, 10㎩의 분위기(진공 분위기)하에, 5톤의 하중(20㎫)으로 2분간 열 프레스함으로써 두께 0.3㎜의 프레스 시트를 얻었다[도 2의 (a) 참조].
그 후, 얻어진 프레스 시트를 프레스 시트의 두께 방향으로 투영하였을 때에, 복수 개로 분할되도록 절단함으로써 분할 시트를 얻고[도 2의 (b) 참조], 계속해서 분할 시트를 두께 방향으로 적층하여 적층 시트를 얻었다[도 2의 (c) 참조].
계속해서, 얻어진 적층 시트를, 상기와 마찬가지의 진공 가열 프레스기에 의해, 상기와 마찬가지의 조건으로 열 프레스하였다[도 2의 (a) 참조].
계속해서, 상술한 절단, 적층 및 열 프레스의 일련의 조작(도 2 참조)을 4회 반복하여 두께 0.3㎜의 열전도성 시트[미경화(B 스테이지) 상태]를 얻었다(도 3 참조).
제조예 2 내지 9 및 11 내지 16
표 1 내지 표 3의 배합 처방 및 제조 조건에 준거하여, 제조예 1과 마찬가지로 처리하여 열전도성 시트를 얻었다.
제조예 10
표 2의 배합 처방에 준거하여, 각 성분(질화붕소 입자 및 폴리에틸렌)을 배합하여 교반함으로써 혼합물을 제조하였다. 즉, 각 성분의 교반에서는 130℃로 가열하여 폴리에틸렌을 용융시켰다.
계속해서, 얻어진 혼합물을 실리콘 처리한 2매의 이형 필름 사이에 끼워넣고, 그것들을 진공 가열 프레스기에 의해 120℃, 10㎩의 분위기(진공 분위기)하에, 1톤의 하중(4㎫)으로 2분간 열 프레스함으로써 두께 0.3㎜의 프레스 시트를 얻었다[도 2의 (a) 참조].
그 후, 얻어진 프레스 시트를 프레스 시트의 두께 방향으로 투영하였을 때에, 복수 개로 분할되도록 절단함으로써 분할 시트를 얻고[도 2의 (b) 참조], 계속해서 분할 시트를 두께 방향으로 적층하여 적층 시트를 얻었다[도 2의 (c) 참조].
계속해서, 얻어진 적층 시트를, 상기와 마찬가지의 진공 가열 프레스기에 의해, 상기와 마찬가지의 조건으로 열 프레스하였다[도 2의 (a) 참조].
계속해서, 상술한 절단, 적층 및 가압의 일련의 조작(도 2 참조)을 4회 반복함으로써 두께 0.3㎜의 열전도성 시트를 얻었다.
실시예 1
표면 조사형 이미지 센서의 광입사면의 반대측에 배치되는 이면에, 제조예 1에서 얻어진 미경화(B 스테이지) 상태의 열전도성 시트를 접착하였다(도 1 참조). 그 후, 이것들을 150℃에서 120분간 가열함으로써, 열전도성 시트를 열경화시켜 촬상 부품을 제조하였다.
실시예 2 내지 16
제조예 2 내지 16에서 얻어진 열전도성 시트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2 내지 16의 촬상 부품을 제조하였다.
또한, 제조예 10에서 얻어진 열전도성 시트는 열경화 대신에 120℃에서 열융착시켰다.
실시예 17
이면 조사형 이미지 센서의 광입사면의 반대측에 배치되는 이면에, 제조예 1에서 얻어진 미경화(B 스테이지) 상태의 열전도성 시트를 접착하였다(도 1 참조). 그 후, 이것들을 150℃에서 120분간 가열함으로써, 열전도성 시트를 열경화시켜 촬상 부품을 제조하였다.
실시예 18 내지 32
제조예 2 내지 16에서 얻어진 열전도성 시트를 사용하여, 실시예 17과 마찬가지로 하여 실시예 18 내지 32의 촬상 부품을 제조하였다.
또한, 제조예 10에서 얻어진 열전도성 시트는 열경화 대신에 120℃에서 열융착시켰다.
비교예 1
실시예 1에서 사용한 표면 조사형 이미지 센서를 촬상 부품으로 하였다. 또한, 이 촬상 부품에는 열전도성 시트를 접착하지 않았다.
비교예 2
실시예 17에서 사용한 이면 조사형 이미지 센서를 촬상 부품으로 하였다. 또한, 이 촬상 부품에는 열전도성 시트를 접착하지 않았다.
(평가)
1. 열전도율
제조예 1 내지 16에서 얻어진 열전도성 시트에 대하여, 열전도율을 측정하였다.
즉, 면 방향(SD)에서의 열전도율을 크세논 플래시 애널라이저 「LFA-447형」[네취(NETZSCH)사제]을 사용하는 펄스 가열법에 의해 측정하였다.
그 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.
2. 방열성 및 온도 불균일
실시예 1 내지 32의 촬상 부품을 동작시킨 후, 열전도성 시트의 온도를 적외선 카메라로 측정한 바, 온도 상승 및 온도 불균일이 거의 없었던 것이 확인되었다.
또한, 비교예 1 내지 2의 촬상 부품을 상기와 마찬가지로 동작시킨 후, 그 이면의 온도를 적외선 카메라로 측정한 바, 온도 상승 및 온도 불균일이 확인되었다.
3. 공극률(P)
제조예 1 내지 16의 열경화 전의 열전도성 시트의 공극률(P1)을 하기의 측정 방법에 의해 측정하였다.
공극률의 측정 방법 : 우선 열전도성 시트를 두께 방향을 따라서 크로스섹션 폴리셔(CP)에 의해 절단 가공하여, 그것에 의해 나타나는 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 200배로 관찰하여 상을 얻었다. 그 후, 얻어진 상으로부터 공극 부분과, 그 이외의 부분을 2치화 처리하고, 계속해서 열전도성 시트 전체의 단면적에 대한 공극 부분의 면적비를 산출하였다.
그 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.
4. 단차 추종성(3점 굽힘 시험)
제조예 1 내지 16의 열경화 전의 열전도성 시트에 대하여, 하기 시험 조건에서의 3점 굽힘 시험을 JIS K 7171(2010년)에 준거하여 실시함으로써, 단차 추종성을 하기의 평가 기준에 따라서 평가하였다. 그 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.
시험 조건
시험편 : 크기 20㎜×15㎜
지점간 거리 : 5㎜
시험 속도 : 20㎜/min(압자의 누름 속도)
굽힘 각도 : 120도
(평가 기준)
◎ : 파단이 전혀 관찰되지 않았음
○ : 파단이 거의 관찰되지 않았음
× : 파단이 명확하게 관찰되었음
5. 인쇄 마크 시인성(인쇄 마크 부착성 : 잉크젯 인쇄 또는 레이저 인쇄에 의한 마크 부착성)
제조예 1 내지 16의 열전도성 시트에 잉크젯 인쇄 및 레이저 인쇄에 의해 마크를 인쇄하고, 이러한 마크를 관찰하였다.
그 결과, 제조예 1 내지 16의 열전도성 시트 중 어느 것에 대해서도, 잉크젯 인쇄 및 레이저 인쇄의 양쪽에 의한 마크를 양호하게 시인할 수 있고, 인쇄 마크 부착성이 양호한 것을 확인하였다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
표 1 내지 표 3에서의 각 성분 중의 수치는 특별한 기재가 없는 경우에는 g수를 나타낸다.
또한, 표 1 내지 표 3의 질화붕소 입자의 란에 있어서, 상단의 수치는 질화붕소 입자의 배합 질량(g)이고, 중간단의 수치는 열전도성 시트에 있어서 경화제를 제외한 고형분(즉, 질화붕소 입자와, 에폭시 수지 또는 폴리에틸렌의 고형분)의 총 체적에 대한 질화붕소 입자의 체적 백분율(체적%)이고, 하단의 수치는 열전도성 시트의 고형분(즉, 질화붕소 입자와, 에폭시 수지 및 경화제의 고형분)의 총 체적에 대한 질화붕소 입자의 체적 백분율(체적%)이다.
또한, 표 1 내지 표 3의 각 성분 중 ※ 표시를 붙인 성분에 대하여, 이하에 그 상세를 기재한다.
PT-110※1 : 상품명, 판 형상의 질화붕소 입자, 평균 입자 직경(광산란법) 45㎛, 모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ머티리얼즈ㆍ재팬사제
UHP-1※2 : 상품명 : 쇼비엔 UHP-1, 판 형상의 질화붕소 입자, 평균 입자 직경(광산란법) 9㎛, 쇼와 덴꼬사제
에폭시 수지 A※3 : 오그솔 EG(상품명), 비스아릴플루오렌형 에폭시 수지, 반고형상, 에폭시 당량 294g/eqiv., 연화 온도(환구법) 47℃, 용융 점도(80℃) 1360m㎩ㆍs, 오사까 가스 케미컬(OSAKA GAS CHEMICALS)사제
에폭시 수지 B※4 : JER828(상품명), 비스페놀 A형 에폭시 수지, 액상, 에폭시 당량 184 내지 194g/eqiv., 연화 온도(환구법) 25℃ 미만, 용융 점도(80℃) 70m㎩ㆍs, 재팬 에폭시 레진사제
에폭시 수지 C※5 : JER1002(상품명), 비스페놀 A형 에폭시 수지, 고형상, 에폭시 당량 600 내지 700g/eqiv., 연화 온도(환구법) 78℃, 용융 점도(80℃) 10000m㎩ㆍs 이상(측정 한계 이상), 재팬 에폭시 레진사제
에폭시 수지 D※6 : EPPN-501HY(상품명), 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 고형상, 에폭시 당량 163 내지 175g/eqiv., 연화 온도(환구법) 57 내지 63℃, 니뽄 가야꾸사제
경화제※7 : 큐어졸 2PZ(상품명, 시꼬꾸 가세사제)의 5질량% 메틸에틸케톤 용액
경화제※8 : 큐어졸 2P4MHZ-PW(상품명, 시꼬꾸 가세사제)의 5질량% 메틸에틸케톤 분산액
폴리에틸렌※9 : 저밀도 폴리에틸렌, 중량 평균 분자량(Mw) 4000, 수 평균 분자량(Mn) 1700, 알드리치(Aldrich)사제
또한, 상기 설명은 본 발명의 예시된 실시형태로서 제공하였지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석하여서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 명확한 본 발명의 변형예는, 후술하는 특허청구범위에 포함되는 것이다.

Claims (3)

  1. 광이 입사되는 광입사면, 및 상기 광입사면의 반대측에 배치되는 이면을 구비하는 촬상 소자와,
    상기 이면에 설치되어, 상기 촬상 소자로부터 발생하는 열을 방열하기 위한 열전도성 시트를 구비하며,
    상기 열전도성 시트는 판 형상의 질화붕소 입자를 함유하고,
    상기 열전도성 시트의 두께 방향에 대한 직교 방향의 열전도율이 4W/mㆍK 이상인 것을 특징으로 하는 촬상 부품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 촬상 소자가 CMOS 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 촬상 부품.
  3. 제1항에 있어서, 상기 촬상 소자가 이면 조사형 CMOS 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 촬상 부품.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201203477A (en) 2010-01-29 2012-01-16 Nitto Denko Corp Power module
JP2012049495A (ja) 2010-01-29 2012-03-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置
CN105646847B (zh) * 2011-08-31 2018-01-16 日立化成株式会社 树脂组合物
WO2014065068A1 (ja) 2012-10-24 2014-05-01 シャープ株式会社 発光装置
JP6450504B1 (ja) 2017-05-10 2019-01-09 積水化学工業株式会社 絶縁性シート及び積層体
KR102058865B1 (ko) * 2018-04-12 2019-12-24 (주)아이엠 초가속 열소재를 이용한 발열 디바이스 및 이의 제조방법
CN108666332A (zh) * 2018-05-02 2018-10-16 德淮半导体有限公司 减小图像传感器暗电流的结构及其制备方法

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5964685A (ja) 1982-10-05 1984-04-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電熱接着性フイルム
DE3882859T2 (de) 1987-09-22 1993-11-18 Nippon Steel Corp Keramikverbundkörper und Verfahren zu seiner Herstellung.
JP2642184B2 (ja) 1989-01-19 1997-08-20 新日本製鐵株式会社 窒化アルミニウム―六方晶窒化ほう素系焼結体の製造方法
US6162849A (en) 1999-01-11 2000-12-19 Ferro Corporation Thermally conductive thermoplastic
WO2000045430A1 (en) 1999-01-29 2000-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic parts mounting method and device therefor
JP4446514B2 (ja) * 1999-06-15 2010-04-07 電気化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン成形体の放熱部材
US6252726B1 (en) 1999-09-02 2001-06-26 Lightlogic, Inc. Dual-enclosure optoelectronic packages
JP4528397B2 (ja) 1999-12-17 2010-08-18 ポリマテック株式会社 接着方法および電子部品
JP2002057442A (ja) 2000-05-30 2002-02-22 Fujikura Ltd フレキシブルプリント基板の絶縁構造及び製造方法
JP2002080617A (ja) * 2000-09-06 2002-03-19 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP4759122B2 (ja) 2000-09-12 2011-08-31 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス
JP2002114575A (ja) * 2000-10-04 2002-04-16 Denki Kagaku Kogyo Kk 六方晶窒化ホウ素板及びその製造方法、用途
JP4514344B2 (ja) * 2001-02-07 2010-07-28 電気化学工業株式会社 熱伝導性樹脂成形体及びその用途
JP4714371B2 (ja) 2001-06-06 2011-06-29 ポリマテック株式会社 熱伝導性成形体及びその製造方法
JP2003060134A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
US7170151B2 (en) 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
JP2004302067A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Toyota Industries Corp 導光板、照明装置及び液晶表示装置
JP2005146057A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Polymatech Co Ltd 高熱伝導性成形体及びその製造方法
JP4089636B2 (ja) 2004-02-19 2008-05-28 三菱電機株式会社 熱伝導性樹脂シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法
WO2006019090A1 (ja) 2004-08-18 2006-02-23 Tokuyama Corporation 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
JP4659421B2 (ja) 2004-09-30 2011-03-30 株式会社トクヤマ 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP4046120B2 (ja) 2005-01-27 2008-02-13 三菱電機株式会社 絶縁シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法
US20070205706A1 (en) 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
JPWO2007125956A1 (ja) 2006-04-26 2009-09-10 積水化学工業株式会社 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
US20070259211A1 (en) 2006-05-06 2007-11-08 Ning Wang Heat spread sheet with anisotropic thermal conductivity
JP2008060172A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体装置
US20080128067A1 (en) 2006-10-08 2008-06-05 Momentive Performance Materials Inc. Heat transfer composite, associated device and method
JP2008124430A (ja) 2006-10-18 2008-05-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2008153313A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス装置およびその製造方法ならびにカメラモジュール
US8404768B2 (en) * 2007-01-10 2013-03-26 Momentive Performance Materials Inc. Thermal interface materials and methods for making thereof
JP5147246B2 (ja) * 2007-01-19 2013-02-20 キヤノン株式会社 カメラ
JP4889110B2 (ja) * 2007-02-05 2012-03-07 日東電工株式会社 熱伝導性樹脂組成物および熱伝導性シートとその製造方法
JP5002280B2 (ja) * 2007-02-14 2012-08-15 日東電工株式会社 樹脂成形品製造方法
JP4922018B2 (ja) 2007-03-06 2012-04-25 株式会社東芝 回転電機のコイル絶縁物
JP5407120B2 (ja) 2007-04-11 2014-02-05 日立化成株式会社 熱伝導シート、その製造方法およびこれを用いた放熱装置
US20080271832A1 (en) 2007-05-04 2008-11-06 Tyco Electronics Corporation Thermo-conductive, heat-shrinkable, dual-wall tubing
WO2008136912A1 (en) 2007-05-07 2008-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Polymer sheets and other bodies having oriented chains and method and apparatus for producing same
JP2008280436A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 電気部品用固定用接着シート、電気部品の固定方法
JP5525682B2 (ja) 2007-05-15 2014-06-18 出光ライオンコンポジット株式会社 ポリアリーレンサルファイド樹脂組成物及びそれからなる成形品
WO2009043850A2 (en) 2007-10-01 2009-04-09 Dsm Ip Assets Bv Heat-processable thermally conductive polymer composition
JP2009149831A (ja) * 2007-11-26 2009-07-09 Hitachi Chem Co Ltd 熱伝導シート、その製造方法及び熱伝導シートを用いた放熱装置
JP2010010469A (ja) 2008-06-27 2010-01-14 Toshiba Corp 発光素子搭載用窒化アルミニウム基板および発光デバイス
JP4567773B2 (ja) 2008-07-18 2010-10-20 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
EP2343332A4 (en) 2008-10-21 2017-03-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Heat conducting sheet, manufacturing method thereof, and heat radiator that utilizes same
JP5521312B2 (ja) * 2008-10-31 2014-06-11 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2012238819A (ja) 2011-05-13 2012-12-06 Nitto Denko Corp 熱伝導性シート、絶縁シートおよび放熱部材
JP2012238820A (ja) 2011-05-13 2012-12-06 Nitto Denko Corp 熱伝導性シート、絶縁シートおよび放熱部材

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