TW522453B - Display device - Google Patents

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TW522453B
TW522453B TW091115307A TW91115307A TW522453B TW 522453 B TW522453 B TW 522453B TW 091115307 A TW091115307 A TW 091115307A TW 91115307 A TW91115307 A TW 91115307A TW 522453 B TW522453 B TW 522453B
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substrate
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TW091115307A
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Shunpei Yamazaki
Mayumi Mizukami
Toshimitsu Konuma
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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522453 A7 B7 五、發明説明（） 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關一種E L顯示裝置，其藉由在基底上製作 半導體裝置而形成，並有關一種以此E L電子裝置作爲顯 示部位的電子裝置。 相關技術的描述 近來在基底上形成薄膜電晶體的技術已有長足的發展 ，且將其應用在主動陣列形液晶顯示裝置。尤其，利用聚 合矽薄膜的T F T具有高於習知非晶矽薄膜T F T的場效 移動性，藉此實現高速的操作。因此，可利用形成在同一 基底上的驅動電路來控制像素，其不同於利用基底外側電 路來控制像素的習知方式。 此種陣列形液晶顯示裝置已受到矚目，由於此種裝置 藉由在同一基底上製作各種電路及裝置，因此具有低製造 成本’小型化’局良率等優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在E L顯示裝置中，每一像素具有T F T開關裝置， 以及由開關裝置所致動，用以控制電流以使E L層發光的 驅動裝置。E L顯示裝置揭露於如日本專利公開第 H e 1 10 — 189252 號中。 因此，本發明提供一種E L顯示裝置，可以高解析度 顯示影像。進一步的，本發明並提供一種利用E L顯示裝 置作爲顯不部位，且具有高顯示識別性的電子裝置。 發明總結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 五、發明説明（$ 參考圖1將描述本發明。在圖1中，參考標號1 〇 1 代表具有絕緣薄膜的基底。基底1 〇 1可爲如石英基底的 絕緣基底。變換的，藉由在表面提供絕緣薄膜，亦可使用 坡璃基底，半導體基底，陶瓷基底，結晶基底，金屬基底 或塑膠基底。 在基底1 0 1上形成有像素1 0 2。雖然圖1僅顯示 二個像素，但實際上是以陣列的方式形成大量的像素。此 外，雖然以下僅說明其中的一個像素，但每一像素具有相 问的結構。 在每一像素1 0 2中，形成兩個T F T ; —爲開關 T F T 1 〇 3，另一爲電流控制T F T 1 0 4。開關 T F T 1 〇 3的汲極電連接至電流控制T F T 1 〇 4的閘 極。進一步的，電流控制T F T 1 〇 4的汲極電連接至像 素電極1 0 5 (其亦作爲E L顯示裝置的陰極）。以此方 式形成像素1 0 2。 T F T的各種線路及像素電極可由低阻抗的金屬薄膜 所形成。例如，可利用鋁合金薄膜。 在製作像素電極1 〇 5後，將鹼金屬絕緣化合物 1 〇 6 (其後稱爲鹼金屬化合物）覆於所有的像素電極 1 0 5上。圖1中鹼性化合物1 〇 6的部分由虛線表示。 由於鹼性化合物1 0 6的厚度爲幾個n m，因此無法得知 鹼性化合物1 〇 6爲層狀或爲島形。 可利用氟化鋰，氧化鋰，氟化鋇，氧化鋇，氟化鈣， 氧化鈣，氧化緦，氧化鉋的鹼性化合物1 〇 6。由於這些 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 522453 A7 B7 五、發明説明（> 化合物爲絕緣材料，因此即使形成鹼性化合物1 〇 6層， 亦不會發生短路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當然’可利用M g A g電極作爲陰極。然而，在此情 形中，陰極本身必須選擇性地形成或圖樣化成預定的形狀 ，以避免像素電極間的短路。 在形成鹼性化合物1 0 6後，E L層（電發光層） 1 0 7形成於其上。雖然可利用已知的材料及/或結構作 爲E L層1 〇 7，在本發明中使用可放出白光的材料。僅 具有重結合場域的發光層可作爲E L層1 〇 7。若需要， 可進一步形成電子注射層，電子傳輸層，孔傳輸層，電子 阻隔層，孔裝置層，或孔注射層。在本說明書中，所有用 以實現載體注射，傳輸或重結合的層狀結構通稱爲E L層 〇 可使用低分子形有機材料或聚合型有機材料作爲E L 層1 0 7。然而，最好使用聚合型有機材料，由於可利用 簡單的成型技術如旋轉被覆或印刷技術來加以達成。圖1 顯示彩色顯示圖，其中用以發光的E L層與濾色器結合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 變換的，可使用結合藍光或藍綠光E L層與螢光層的 彩色圖，或將RGB色E L層疊合的色圖。 在E L層1 〇 7上形成作爲陽極1 〇 8的透明導電層 。可利用氧化碘及氧化錫的化合物，或氧化碘及氧化鋅， 氧化錫或氧化鋅的化合物作爲透明導電層。 在陽極1 0 8上，提供鈍態絕緣薄膜1 〇 9。可利用 氮化矽或氮氧化矽薄膜作爲鈍態絕緣薄膜。雖然可使用氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "~ - -6 - 522453 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（> 化矽薄膜，亦可使用具低含氧量的絕緣薄膜。 在本發明中，以此種方式製作的基底稱爲主動陣列型 絕緣基底。更特定的，形成有T F T，連接至T F T的像 素電極以及利用像素電極作爲陰極的E L層者稱爲主動陣 列型絕緣基底。 進一步的，附上相對的基底1 1 0，並使E L元件內 插於者間。相對的基底1 1 〇具有光遮蔽薄膜1 1 2及據 色器113a至113c。 在此情形下，提供光遮蔽薄膜1 1 2使形成於像素電 極間1 0 5的間隙1 1 1無法從觀察者的角度視之。由於 此位置爲非照射部位，且電場在像素電極的邊緣部位變得 較爲複雜，因此照射光無法具有理想的亮度及色度。 更特定的，藉由在像素電極1 0 5及間隙1 1 1的周 邊提供光遮蔽薄膜1 1 2，可使像素的輪廓更爲淸晰。在 本發明中，由於像素電極的輪廓對應至像素的輪廓，因此 光遮蔽薄膜1 1 2位於像素電極的邊緣。當從前述的方向 觀察時，對應至像素的周緣位置是指與像素周緣對齊的位 置。 在濾色器1 1 3 a至1 1 3 C間，濾色器1 1 3 a用 以獲得紅光，濾色器1 1 3 b用以獲得綠光，濾色器 1 1 3 c用以獲得藍光。濾色器形成於對應至不同像素的 位置，因此各項素可獲得不同的色光。理論上，此種色彩 顯示圖相同於使用濾色器之液晶顯示器者。對應至像素的 位置是指由前述垂直於相對基底之方向觀察時，與像素重 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 522453 A7 B7 五、發明説明（$ 疊的位置。更特定的，當由前述垂直於相對基底之方向觀 察時，濾色器1 1 3 a至1 1 3 C與對應的像素重疊。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 濾色器用以取出特定的波長以使通過的光線具有更純 的色彩。因此，當取之波長的光分量很小時，會造成亮度 極端不足以及色彩純度不佳的缺點。因此，雖然對於照射 至E L層白光並無限制，但最好使用具有純紅，綠，藍之 波長成分的白光爲佳。 圖1 6A及1 6B顯示使用於本發明之典型EL層的 X - Y色度圖。更特定的，圖1 6A顯示用以發出白光之 習知聚合型有機材料的色度座標。在習知的材料中，無法 實現高色度的紅光。因此，使用黃光或橘光來代替紅光。 因此混合後的白光稍稍地包含有綠光及藍光。此外，紅， 綠，藍的各光譜亦較寬，因此當混合這些光後，較難獲得 單色光。 因而，即使使用具圖1 6 A之色圖的有機材料作爲 E L層，雖然可實現足夠的色圖，較佳的是使用具圖 1 6 B色圖的E L層，以便實現高純度的較亮色圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具圖1 6 B色圖的有機材料爲發出白光之E L層的一 例，且由混合可提供單色光的有機材料所形成。爲了從濾 色器獲得高純度之紅，綠或藍色的光譜，需混合個別高色 彩純度之紅，綠，藍的有機材料來獲得E L層。此外，藉 由使用具高色彩純度及窄半峰寬的光譜，可產生出具有尖 細光譜的白色光。 進一步的，濾色器1 1 3 a至1 1 3 C可包括乾燥劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇x297公釐） -8 - 522453 A7 B7 五、發明説明（_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，週期表I或π族的氧化物，如氧化鋇，氧化鈣，氧化鋰 等。在此情況下，可使用含有乾燥劑的樹脂薄膜及紅，綠 ，藍的顏料作爲濾色器。 雖然未說明，相對的基底1 1 0藉由密封劑黏附於主 動陣列型基底上，以使空間1 1 4唯一密閉空間。 相對基底1 1 0必須爲透明基底，以防止光線穿過。 例如，可使用玻璃基底，。石英基底，塑膠基底。此外， 可使用完全遮光的薄膜，如包括黑色顏料或碳的鈦薄膜， 樹脂薄膜，作爲光遮蔽薄膜1 1 2。類似於上述濾色器 1 1 3 a至1 1 3 c的例子，較佳的是在光遮蔽薄膜 1 1 2中提供週期表I及I I族的氧化物，如氧化鋇，氧 化鋰等。 密閉空間1 1 4可塡入鈍氣或鈍態液體。變換的，密 閉空間1 1 4可塡入透光的黏著劑，以黏著整個基底的表 面。再者，較佳的是在密閉空間1 1 4中置入如氧化鋇的 乾燥劑。由於E L層1 〇 7易受水的傷害，因此需防止水 進入密閉空間1 1 4中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在依據本發明具有上述結構的E L裝置中，從E L發 出的光線通過相對基底，而照射至使用者的眼睛。據此， 觀察者可透過基底辨識到影像。在此情況下，E L顯示裝 置的一項特徵爲光遮蔽薄膜1 1 2置於E L元件與觀察者 間，以消除像素電極1 〇 5間的間隙1 1 1。因此，可使 像素間的輪廓變得更爲淸晰，藉此獲得高解析度的影像。 由於相對基底1 1 〇具有光遮蔽薄膜1 1 2，因而能獲得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 522453 A7 B7 五、發明説明（》 此優點。當至少提供光遮蔽薄膜1 1 2時，可獲得此優點 〇 進一步的，光遮蔽薄膜1 1 2及濾色器1 1 3 a至 1 1 3 c位於相對基底1 1 〇處，且相對的基底1 ]_ 〇可 作爲抑制E L元件退化的基底。當光遮蔽薄膜1 1 2及濾 色器1 1 3 a至1 1 3 c配置於主動陣列型基底上時，需 要額外的薄膜成型及圖樣化的步驟，然而當具有相對基底 時，可減少主動陣列型基底的製作步驟。 進一步的，在本發明的結構中，相對基底1 1 〇具有 光遮蔽薄膜1 1 2，濾色器1 1 3 a至1 1 3 c，並藉由 密封劑黏著至主動陣列型基底，此種結構在液晶顯示裝置 上亦具有同樣的特徵。依此，可利用目前液晶顯示裝置之 產線的大部分製程來製作本發明的E L顯示裝置。因此， 可減少設備的投資額，並降低總製造成本。 因此’依據本發明，可獲的高解析度，低成本的E L 顯示裝置。進一步的，本發明亦提供具高顯示識別性的電 子裝置。 圖示的簡單描述 圖1說明E L顯示裝置的像素部位。 圖2說明E L顯示裝置的像素剖面結構。 圖3 A說明E L顯示裝置的上部結構。 圖3 B說明E L顯示裝置之像素部位的配.置。 圖4 A至4 E說明E L顯示裝置之主動陣列型基底的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210XΜ?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 522453 A7 B7 五、發明説明（參 製作步驟。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 A至5 D說明E L顯示裝置之主動陣列型基底的 製作步驟。 圖6 A至6 C說明E L顯示裝置之主動陣列型基底的 製作步驟。 圖7顯示E L顯示裝置的透視圖。 圖8顯示E L顯示裝置的電路區塊圖。 圖9爲E L顯示裝置之像素放大圖。 圖1 0爲E L顯示裝置之取樣電路的結構。 圖1 1 A爲具E L顯示裝置之電器的上視圖。 圖1 1 B爲具E L顯示裝置之電器的剖面圖。 〇 之像素 圖1 2說明E L顯示裝置 圖1 3說明E L顯示裝置 圖1 4 A至1 4 F說明電子裝置的特定例。 圖1 5 A及1 5 B說明電子裝置的特定例。 圖1 6 A及1 6 B顯示有機材料的色度座標。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 11 基底 12 基座絕緣薄膜 13 源極區 14 汲極區 15a 至 15d LDD 區 16 高濃度雜質區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -11 - 522453 A7 B7 五、發明説明（令 17a及17b 通道形成區 18 閘極絕緣薄膜 1 9 a及1 9 b 閘極電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 〇 第 —- 絕 緣 層 薄 2 1 源 極 導 線 2 2 汲 極 導 線 2 3 閘 極 電 極 3 1 源 極 區 3 2 汲 極 區 3 3 L D D 3 4 通 道 形 成 丨品‘ 3 5 閘 極 電 極 3 6 源 極 導 線 3 7 汲 極 導 線 4 1 鈍 態 薄 膜 4 2 內 層 絕 緣 薄 膜 4 3 像 素 電 極 4 4 鹼 性化合 物 4 5 E L 層 4 6 陽 極 4 7 第 二 鈍 態 層 4 8 相 對 基 底 49 a及49b 光遮蔽層 5 0 濾色器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 522453 A7 B7 五、發明説明（）〇 5 1 密閉空間 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 1 基 底 1 〇 2 像 素 1 〇 2 像 素 1 〇 3 開 關 T F T 1 〇 4 電 流 控 制 T F T 1 〇 5 像 素 電 極 1 〇 6 鹼 金 屬 絕 緣 化合 物 1 〇 7 E L 層 1 〇 8 陽 極 1 〇 9 鈍 熊 絕 緣 薄 膜 1 1 〇 相 對 基 底 1 1 1 間 隙 1 1 2 光 遮 蔽 薄 膜 1 1 3 a至 1 1 3 C 濾 色 1 1 4 密 閉 空 間 2 〇 1 開 關 T F T 2 〇 2 電 流 控 制 T F T 2 〇 3 E L 元 件 2 〇 5 η 通 道 T F T 2 〇 7 η 通 道 型 T F T 2 1 2 電 流 供 應 線 3 〇 〇 玻 璃 基 底 3 〇 1 底 薄 膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） -13- 522453 A7 B7 五、發明説明（ )1 3 0 2 結晶矽薄膜 3 0 3 保護薄膜 3 3 7 - -340 源極導線 3〇5及306 η型雜質區 307-310 作動層 304a — 3〇4b 光罩 311 閘極絕緣薄膜 3 1 2至3 1 6 閘極電極 317至323 雜質區 32〇至322 η型雜質區 325至331 η型雜質區 324a—324d，332 光罩 333及334 P型雜質區 335 閘極導線 3 3 6 第一內絕緣層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 7 - -3 4 〇 源 極 導 線 4 1 - - 3 4 3 汲 極 導 線 4 4 第 一 鈍態薄 膜 4 5 第 二 內絕緣 層 4 6 ，3 4 7 像 素 電 極 4 8 驗 性化合物 4 9 E L 層 5 〇 陽 極 351 第二鈍態薄膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 522453 A7 B7 五、發明説明（）2 3 5 5 源 極 3 5 6 汲 極 3 5 7 L D D 丨品- 3 5 8 通 道 形成 區 6 〇 1 基 底 6 〇 2 像 素 部 位 6 〇 3 閘 極 側 驅 動 電 路 6 〇 4 源 極 側 馬區 動 電 路 6 〇 5 開 關 T F T 6 〇 6 閘 極 導 線 6 〇 7 汲 極 導 線 6 〇 8 電 流 控 制 T F T 6 〇 9 電 源 線 6 1 〇 E L 元 件 6 1 1 弓早 性 並 聯 線 6 1 2及6 1 3 輸出/輸入線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 〇 1 源 極 側 馬區 動 電 路 7 〇 2 平 移 暫 存 器 7 〇 3 位 準 平 移 器 7 〇 4 緩 衝 器 7 〇 5 取 樣 電 路 7 〇 6 像 素 部 位 7 〇 7 閘 極 側 馬區 動 電 路 7 0 8 平 移 暫 存 器 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）織格⑺0X赠） 522453 A7 B7 五、發明説明（）3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 〇 9 位 準 平 移 器 7 1 〇 緩 衝 器 7 1 1 閘 極 側 驅 動 電 路 9 〇 1 a 與 9 〇 1 b L 9 〇 2 閘 極 絕 緣 薄 膜 9 〇 3 閘 極 電 極 9 〇 4 通 道 形成 區 1 〇 〇 〇 基 底 1 〇 〇 1 像 素 部 位 1 〇 〇 3 閘 極 側 馬區 動 電 1 〇 〇 5 黏 著 劑 1 〇 〇 7 遮 光 薄 膜 1 〇 〇 8 濾 色 器 1 〇 〇 9 陽 極 1 〇 1 〇 導 線 1 3 〇 1 儲 存 電 容 2 〇 〇 1 顯 示 框 2 〇 〇 2 支 撐 板 2 〇 〇 3 顯 示 部 位 2 1 〇 1 本 體 2 1 〇 2 顯 示 2 1 〇 3 聲 音 輸 入 區 2 1 〇 4 操 作 開 關 2 1 〇 5 電 池 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 522453 A7 B7 五、發明説明（）4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 〇 6 影 像 接 收 區 2 2 〇 1 本 2 2 〇 2 訊 號 線 2 2 〇 3 頭 帶 2 2 〇 4 顯 示 部 位 2 2 〇 5 光 學 系 統 2 2 〇 6 E L 顯 示 裝置 2 3 〇 1 本 體 2 3 〇 2 記 錄 媒 體 2 3 〇 3 操 作 開 關 2 4 〇 1 本 體 2 4 〇 2 照 相 機 丨品‘ 2 4 〇 3 影 像 接 收 區 2 4 〇 4 操 作 開 關 2 4 〇 5 顯 示 區 2 5 〇 1 本 體 2 5 〇 2 框 架 2 5 〇 3 顯 示 丨品- 2 6 〇 1 本 體 2 6 〇 2 聲 輸 出 區 2 6 〇 3 聲 輸 入 丨品‘ 2 6 〇 4 顯 示 區 2 6 〇 5 操 作 開 關 2 6 〇 6 天 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 、訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 522453 A7 B7 五、發明説明（）5 2701 本體 2 7 0 2 顯示部位 2 7 0 3及2 7〇4 操作開關 2 3 0 4，2 3 ◦ 5 顯示部位 較佳實施例的詳細描述 以下參考圖2，3 A及3 B說明本發明的一些實施例 。圖2顯示依據本發明，e L顯示裝置的像素剖面結構。 圖3 A顯示像素部位的上視圖。圖3 B顯示其電路配置。 在實際的結構中，像素配置有多條矩陣式的線路，以形成 像素部位。圖2說明圖3 A之A — A，線的剖面圖。依此， 相同的元件以同樣的標號來表示，且藉由兩圖的相互參考 更能兩解其結構。此外，圖3 A上部的兩個像素具有相同 的結構。 在圖2中，參考標號1 1代表基底，1 2代表基座絕 緣薄膜。可使用玻璃基底，玻璃陶瓷基底，石英基底，矽 基底，陶瓷基底，金屬基底或塑膠基底作爲基底1 1。 此外，基座絕緣薄膜1 2較佳的是包含移動離子或具 有導電性，但不必需是石英基底。可使用含矽的薄膜作爲 基座薄膜1 2。在本說明書中，”含矽的絕緣薄膜”是指含預 定比例之矽，氧或氮的薄膜。更特定的，爲氧化矽，氮化 砂或氮氧化砂薄膜。 較佳的是提供具熱輻射功能的基座薄膜1 2，而能將 T F T產生的熱能放出，以防止E L元件退化。可利用習 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^• 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 522453 A7 B7 五、發明説明（）6 知的材料來提供熱輻射的功能。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此例中，在一個像素中具有兩個T F τ。其中的一 TFT2 0 1作爲開關，且TFT2 0 2作爲控制通過 E L元件之電流量的電流控制裝置。兩個T F Τ 2 0 1及 20 2皆由η型TFT所構成。 由於η型T F T的場效移動性高於P型T F T者，因 此η型T F Τ可以較高的速度操作，並接收較大的電流。 進一步的，可使相同大小的電流流經較小的η型T F Τ。 據此，由於可增加有效顯示區，因此較佳的是使用η型 T F Τ作爲電流控制T F Τ。 ρ型T F Τ的優點在於不會使熱載體的注入成爲嚴重 的問題，並使〇F F電流値較小。因此，已提出利用ρ型 T F Τ作爲開關T F Τ，或電流控制T F Τ。然而，在本 發明中，藉由提供平移之LDD區，即使使用η型TFT ，亦可克服有關注入熱載體以及小〇 F F電流的問題。 然而，本發明並不限於利用η型T F T作爲開關 T F Τ及電流控制T F Τ。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T F Τ 2 0 1具有源極區1 3，汲極區1 4，包括作 動層的LDD區15a至15d，高濃度雜質區16，通 道形成區1 7 a及1 7 b，閘極絕緣薄膜1 8，閘極電極 1 9 a及1 9 b，第一絕緣層薄膜2 0，源極導線2 1及 汲極導線2 2。 此外，如圖3 A及3 B所不，閘極電極1 9 a及 1 9 b藉由不同金屬的閘極導線2 1 1彼此連接，而型成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " ~ -19- 522453 A7 B7 五、發明説明（）7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雙閘極的結構。當然亦可使用多閘極結構（包含兩個或多 個串接之通道形成區的結構），如三層的結構。多層結構 的優點在於降低0 F F電流値。依據本發明，可藉由在多 閘極結構的像素中提供開關裝置2 0 1，而實現具低 〇 F F電流値的開關裝置。 此外，主動陣列層由包括晶體結構的半導體薄膜所形 成。此可爲單結晶的半導體薄膜，或多結晶的半導體薄膜 或微結晶的半導體薄膜。閘極絕緣薄膜1 8可由包含矽的 薄膜所形成。進一步的，可利用任一種導電薄膜作爲閘極 ，源極或汲極導線。 進一步的，在開關TFT2 0 1中，配置有LDD區 1 5 a至1 5 d以不重疊於閘極電極1 9 a及1 9b上。 此種結構可改善〇F F電流値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了降低〇F F電流値，較佳的是在通道形成區及 L D D區間提供平移區（由相同成分的半導體層所構成， 且未施加閘極電壓）。此外，在具有兩個或多個閘極的多 閘極結構中，位於通道形成區中的高濃度雜質區可有效地 降低〇F F電流。 如前所述，藉由具多閘極開關裝置2 0 1的T F T， 可實現具有低〇F F電流値的開關裝置。因此，電流控制 T F T的閘極電壓可維持夠長的時間，而不會產生如日本 專利公開第H e i - 1 〇 - 1 8 9 2 5 2號的電容。 接著，使電流控制T F T 2 0 2具有源極區3 1 ’汲 極區3 2，包括LDD區3 3的作動層，通道形成區3 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 522453 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（）8 ，閘極絕緣薄膜1 8，閘極電極3 5，第一絕緣層薄膜 2 0，源極導線3 6及汲極導線3 7。雖然所述的聞極電 極3 5爲單閘極結構，但亦可爲多閘極結構。 如圖2所示，開關T F T的汲極連接至電流控制 T F T的閘極。更特定的，閘極電極3 5經由汲極導線 2 2連接至開關T F T 2 0 1的汲極區1 4。進一步的， 源極導線3 6連接至電源線2 1 2。 電流控制T F T 2 0 2用以控制注入至E L元件 2 0 3的電流量。然而，考量E L元件可能出現的退化情 形，最好是不流過過大的電流。依此，爲了不使過大的電 流流經電流控制T F T 2 0 2，較佳的是使其通道長度較 長。每個像素的通道長度最好爲0 . 5至2 μιη (較佳的是 1 至 1 . 5 μπι )。 在以上的描述中，如圖9所示，開關T F Τ的通道長 度LI (Ll=Lla+Llb)及通道寬度W1，以及 電流控制T F T的通道長度L 2及通道寬度W 2，最好如 下：W 1從〇 . 1至5 μιη (較佳的是〇 . 5至2 μιη ); W 2從0 . 5至1 Ο μπι (較佳的是2至5 μπι ) ; L 1從 0 . 2至1 8 μιη (較佳的是2至1 5 μιη ); L 2從1至 5〇μιη (較佳的是1 〇至3 Ο μπι )。然而，本發明並不 限於上述的値。 形成於電流控制T F Τ 2 0 2之L D D區的長度設成0_5至3.5#111，典型的是2.0至2.54]11。 在圖2的E L顯示裝置中，L D D區3 3介於電流控 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -21 - 522453 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（）9 制TFT2 0 2之汲極區3 2與通道形成區3 4間，且部 分的L D D區3 3透過閘極絕緣薄膜1 8與閘極電極3 5 重疊。 電流控制T F T 2 0 2將電流供應至E L元件2 0 3 ，以使其發光，同時控制電流供應量以實現灰階顯示。爲 了達成此目的，當通過電流時，由於熱載體的注入，需加 入抑制退化的抑制機構。進一步的，當關閉電流控制 T F T 2 0 2，以顯示黑色時，高〇F F電流値可完全防 止黑色部分的顯示，而降低對比。因此，需抑制〇F F電 流値。 在注入熱載體而產生退化的情形方面，在閘極上疊上 具LDD區的結構可有效的避免。然而，當整個LDD區 重疊於閘極上時，〇 F F電流値會增加。因此，本發明藉 由提供串接且未重疊於閘極電極的L D D區，可同時解決 有關熱載體以及0 F F電流的缺點。 此時，L D D區重疊於閘極電極的長度可設成0 . 1 至3 μιη (較佳的是〇 . 3至1 . 5 μιη )。如果重疊的長 度過長，會使寄生電容增加，而當重疊的長度過短時，無 法有效地抑制熱載體。進一步的，可將未重疊於閘極電極 的L D D區設成〇 . 1至3 . 5 μιη (較佳的是1 . 5至 2 . ΟμΓΠ)。如果長度過長，無法流過夠大的電流，若過 短，無法降低0 f f電流値。 進一步的，在上述的結構中，寄生電容產生於閘極電 極與L D D區重疊的區域，因此，應將重疊區提供在源極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 522453 A7 _ B7___ 五、發明説明（扣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 區3 1與通道形成區3 4間。由於載體一直在電流控制 T F T的相同方向上傳送，因此僅在靠近汲極區側提供 L D D區便足夠。 從增加電流量的觀點，可有效地增加電流控制 T F T 2 0 2之作動層的薄膜厚度（較佳的是5 0至 l〇〇nm，更佳的是60至80nm)。另一方面，在 開關T F T 2 0 1方面，從降低〇F F電流値的觀點，可 有效地減少電流控制T F T 2 0 2之作動層的薄膜厚度（ 較佳的是20至50nm，更佳的是25至40nm)。 接著，參考標號4 1代表第一鈍態薄膜，其可具有 1〇nm至Ιμπι的厚度（較佳的是2〇〇至5〇0 nm) 。可利用含矽的絕緣薄膜作爲其結構。（尤其，氮氧化矽 薄膜，或氮化砂薄膜）。可提供此鈍態薄膜4 1熱輻射效 應，以防止E L層的退化。 具有熱輻射效應的薄膜包括至少含以下元素的絕緣薄 膜：硼，碳，氮，以及至少含鋁，矽，磷之一元素的絕緣 薄膜。例如，可使用鋁的氮化物薄膜，如鋁化氮（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 1 X N y );矽的碳化物，如碳化矽（s i X c y ); 砂的氮化物，如氮化矽（S i χ N y );硼的氮化物，如 氮化硼（B X N y );及硼的磷化物，如磷化硼（ B x P y )。進一步的，具導熱性2 0 W m- 1 K — 1的氧化 銘（A 1 X〇y )爲較佳的材料。在上述的透明材料中， x及y爲整數。 亦可結合上述的化合物以及其他的元素。例如，可將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一—·~' --- -23- 522453 A7 __ B7 五、發明説明（幻 氮氣加入氧化鋁中，來使用氮氧化鋁（A 1 N X 〇 y )。 在上述的氮氧化鋁中，X及y爲整數。 此外，可使用揭露於日本專利公開第 S h 〇 6 2 - 9 0 2 6 0號的材料。亦即，利用含有 Si ，A1 ，N，〇或 M(M 選自 Ce ，Yb ，Sm， E r，Y，L a，G d，D y及N d )的絕緣材料。 此外，亦可使用如鑽石薄膜或異相碳薄膜的碳薄膜。 這些材料具有極佳的導熱性以及熱輻射層。 因此，雖然可僅使用具有前述熱放射性的材料，亦可 在這些材料上覆上氮化矽薄膜或氮氧化矽薄膜。 在鈍態薄膜4 1上，形成內層絕緣薄膜4 2，以覆蓋 個別的T F T。內層絕緣薄膜4 2可爲有機樹脂薄膜，較 佳的是聚硫亞氨，丙烯酸，B C B等。 利用內層絕緣薄膜4 2使T F T平坦化的步驟相當的 重要。在其後步驟所形成的E L層相當薄，因此會造成發 光上的缺陷。據此，爲了在平坦基底上形成E L層，較佳 的是在形成像素電極前，實施平坦化的程序。 參考標號4 3表示由導電薄膜所構成的像素電極，其 具有遮光的效果。在內層絕緣薄膜4 2及鈍態薄膜4 1上 提供接觸孔後，形成像素電極4 3，以連接該形成開口部 位中電流控制T F T 2 0 2的汲極導線3 7。 利用真空蒸著的方法形成厚度爲5至1 0 n m的氮化 鋰薄膜’如同像素電極4 3上的鹼性化合物4 4。氮化鋰 薄膜爲絕緣薄膜，因此當其後度過大時，電流無法流至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 522453 A7 B7 五、發明説明（>2 E L層。即使虽氟j化鋰薄膜形成導形的圖樣，亦無法產生 效應。 接者开^成E L層4 5。在本實施例中，藉由旋轉被覆 法形成聚合型有機材料。雖然在本發明中，使用單層的發 光層作爲E L層4 5，發光層與孔傳輸層或電子傳輸層結 合的疊狀結構提供較局的發光效應。當聚合型有機材料爲 疊狀的結構時’其可與低分子的有機材料結合。利用旋轉 被復法’如果有基底有機材’則由於形成E L層的有機材 料與有機溶液混合，因此會預融化。 本發明所使用的典型聚合型有機材包括高分子材料， 如聚對一亞苯型，PVK型，聚二次苯基甲院。爲了形成 電子傳輸層，發光層，及具這些有機材料的孔傳輸層或孔 注入層，可在有機材料作塗覆，而形成前導物，並在真空 中加熱以轉換成聚合型的有機材料。 更特定的，可使用日本專利公開第 Hei 8 — 96959 號或第 Hei 9 — 6 3 7 7 0 號所揭露的材料作爲提供白光的聚合型有機材料。例如， 將 PVK，Bu — PBD，香豆素，DCM，TPB 及尼 維紅溶解於1，2 -亞甲基二氯所獲得的材料。可將上述 材料的厚度設成3 0至1 5 0 n m (較佳的是4 q g l〇0nm)。孔傳輸層可使用四聚氫硫氮雜蔥亞苯，其 經由加熱轉換成聚乙烯基亞苯，且厚度設成3 〇至i 〇 〇 n m (較佳的是4 0至8 0 n m )。 因此’由於在溶有主材料的溶劑中加入螢光染料可輕 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 522453 A7 B7 五、發明説明（拉 易地g周整顏色’因此聚合型有機材料發出白光方面有不錯 的效果。雖然利用上述聚合型有機材料形成E L元件，亦 可使用任何低分子型有機材料。再者，可形成具無機材料 的E L層。 上述用於E L層的有機材料僅爲本發明的一例。 當形成E L層4 5時，最好在乾燥的鈍氣環境中進行 處理。E L層容易因外界的水或氧發生退化，因此在形成 E L層時需盡可能的消除這些因素。例如，以乾燥氮氣環 境或乾燥的氬氣環境爲佳。爲了獲得上述的環境，較佳的 是放置於含鈍氣的塗覆處理室或烘烤處理室，並在上述的 環境中進行處理。 以上述方法形成E L層4 5後，形成由透明導電材料 所構成的陽極4 6以及第二鈍態層4 7。在本實施例中， 陽極4 6由氧化碘或氧化鋅化合物的導電薄膜所形成。可 加入小量的鎵元素。可使用厚度1 0至1 μιη (較佳的是 2〇0至5 0 0 n m )的氮化矽薄膜作爲第二鈍態層4 7 〇 由於上述的E L層極不耐熱，因此最好將陽極4 6及 第二鈍態層4 7放置於低溫下（最好是室溫到1 2 0 °C的 範圍）。依此，較佳的是使用電漿C V D，真空蒸著，及 溶解被覆技術。 接著，將相對基底4 8對置於形成的主動陣列型基底 上。在本實施例中，使用玻璃基底作爲相對基底4 8。進 一步的，相對基底4 8具有黑色樹脂製的光遮蔽層4 9 a 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） f請先閑讀背面之注意事項再填寫本頁j 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 522453 A7 B7 五、發明説明（和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 及4 9 b，以及紅，綠，藍樹脂製的濾色器5 〇。此時， 最好在光遮蔽層4 9 a及4 9 b中加入如氧化鋇的乾燥劑 。可使用日本專利公開第He i 9 - 148066號揭 露的其他材料作爲乾燥劑。進一步的，濾色器5 〇形成對 應於像素1 〇 2的位置上。 利用密封劑將主動陣列型基底黏附於相對基底4 8上 ’以形成封閉空間5 1。在本實施例中，封閉空間塡有氬 氣。當然亦可將上述的乾燥劑塡入封閉空間中。 依據本發明的E L顯示裝置包括由圖2像素所構成的 樣素部位’其中配置有依不同功能而具不同結構的像素。 更特定的，在同一像素中，形成低〇F F電流値的開關 T F T及不受熱載體破壞的電流控制τ F T。因此，可獲 得高解析度及高可靠度的E L顯示裝置。 〔實施例1〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下利用圖4 A至6 C說明本發明的實施例。此處說 明同時形成像素部位，及驅動電路之T F T的方法。爲了 簡化說明，將C Μ 0 S電路視爲基本電路。 首先，如圖4Α所示，在玻璃基底3 0 0上形成厚 3 0 0 n m的基底薄膜3 0 1。在實施例1中以氮氧化矽 薄膜作爲基底薄膜3 0 1。可在與玻璃基底3 0 0接觸的 薄膜中，加入濃度1 0及2 5 w t %的氮氣。 此外，可在基底薄膜3 0 1的一部份提供類似於鈍態 薄膜4 1的絕緣薄膜。由於通過大電流，因此電流控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂297公釐） -27- 522453 A7 B7 五、發明説明（炸 T F T會產生大量的熱，因此最好是配置能散熱的絕緣薄 膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，利甩已知的沉積技術在基底薄膜3 〇 1上形成 厚度5 0 n m的異向性矽薄膜。除了異向性矽薄膜外，可 使用其他具異向性結構的半導體薄膜。此外，亦可使用含 異向性結構的化合半導體薄膜，如異向性矽化鍺膜。進一 步的，薄膜厚度可從2 0至2 0 0 nm。 接著利用已知的方法將異向性矽薄膜結晶化，以形成 結晶政薄膜3 0 2。結晶化的方法包括熱結晶法，雷射退 火結晶法，燈光退火結晶法。實施例1所使用的結晶法爲 利用X e C 1準分子雷射的結晶法。 實施例1可使用線形的脈波放射型準分子雷射，但亦 可使用矩形的準分子雷射，此外，連續放射氬雷射光及連 續放射準分子雷射光皆可使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，雖然使用結晶矽薄膜作爲T F T的作 動層，亦可使用異向性矽薄膜。進一步的，可利用異向性 薄膜形成需降低〇F F電流之開關T F T的作動層，並利 用結晶砂薄膜形成作動層。移於載體的移動性，因此電流 難以在異向性矽薄膜中流動，並使〇 f f電流不易流動。 換句話說，最好是同時形成電流不易流動的異向性薄膜或 電流容易流動的結晶矽薄膜。 接著，如圖4 B所示，保護薄膜3 0 3形成在具氧化 石夕薄膜的結晶政薄膜上，且厚度爲1 3 0 n m。此厚度可 選自100至200nm (較佳的是130至170nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 522453 Α7 Β7 五、發明説明（扣 )〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步的，亦可使用其他的絕緣薄膜。在加入雜質時 ’形成保護薄膜3 0 3使結晶矽薄膜不致直接地暴露於電 漿中，並需進行精密的雜質濃度控制。 接著在保護薄膜3 0 3上形成光罩3 0 4 a及 3 0 4 b，並加入η型導電性的雜質元素。可使用週期表 1 5族的元素作爲η型雜質元素，典型的元素爲磷或砷。 在實施例1中，利用電漿將磷活化，且不造成質量分離， 並使加入的磷濃度成爲lxl 08a t om/cm3。 調整摻入的量，使得η型雜質區3 0 5及3 0 6內含 濃度爲2χ1 016至5χ1 019 a t om/cm3的η型雜 質（典型値爲5χ1〇17至5x1〇18a t om/cm3) ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接者’如圖4 C所不’移除保護薄膜3 0 3，並將加 入的1 5族元素活化。可利用習知的活化技術進行活化， 在第一實施例1中，是利用準分子雷射光的照射來進行活 化。當然，可使用電漿可使用脈波照射型或連續照射型準 分子雷射。由於目標在於活化加入的雜質元素，最好是以 不使結晶矽薄膜融化的能量進行照射。 除了雷射光所進行的活化外，最好配合熱處理的活化 程序。當利用熱處理來進行活化時，考慮到基底的熱阻， 進行的溫度最好爲4 5 0至5 5 0 °C。 利用此製程可劃分出具η型雜質區3 0 5及3 0 6端 部的邊界部位。亦即，當於其後完成T F Τ時，可在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -29 - 522453 A7 B7 五、發明説明（ L D D區及通道形成區間形成極佳的連接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如圖4 Ε所示，在作動層3 0 7至3 1 0上形 成閘極絕緣薄膜3 1 1。可利用厚度爲1 〇至2 0 0 n m (較佳的是5 0至1 5 0 n m )的含矽的絕緣薄膜作爲閘 極絕緣薄膜3 1 1。可使用單層結構或多層結構。在實施 例1中可使用厚度1 1 〇 n m的氮氧化砂。 其後，形成厚度爲2 0 0至4 0 0 nm的導電薄膜， 並圖樣化以形成閘極3 1 2至3 1 6。閘極3 1 2至 3 1 6的各端不可具尖細的形狀。在本實施例中，閘極電 極以及與該電極連接的導線以不同的材料所形成。更特定 的，閘極導線的阻抗値低於閘極電極者。因此，可使用能 進行精化處理的材料來作爲閘極電極，而閘極導線具有小 的阻抗，且不能進行精化處理。當然，亦可使用同樣的材 料來形成閘極導線及閘極電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然可使用單層導電薄膜作爲閘極電極，較佳的是以 二，三或多層的結構形成閘極電極。可使用習知的導電材 料作爲閘極電極。然而，較佳的是使用能進行精化處理的 材料，並可進行2 μ以下線寬的圖樣化。 最好選用以下元素的薄膜：Ta，Ti ，Mo，W， C r ，S i或上述元素的氮化物，結合上述元素的合金薄 膜（如Mo - W，Mo - Ta合金），及上述元素矽化物 (如矽化鎢，矽化鈦薄膜）。當然可使用單層或多層的結 構。 在此實施例中，使用厚度5 0 n m的氮化鎢及厚度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 522453 A7 B7 五、發明説明（扣 3 5 0 n m的鎢。可利用濺鍍的方法形成該薄膜。當在濺 鍍氣體中加入鈍氣X e，N e時，可防止應力造成的薄膜 剝離。 此時形成閘極電極3 1 3及3 1 6以覆蓋部分的η型 雜質區3 0 5及3 0 6，而夾疊閘極薄膜3 1 1。接著此 層重疊部位成爲覆蓋閘極電極的L D D區。 接著，利用閘極3 1 2至3 1 6作爲光罩，以自我對 齊的方式來摻雜η型雜質元素。調整雜質區3 1 7至 3 2 3的磷摻入量，使得磷濃度爲η型雜質區3 0 5及 306的1/2至1/1◦(特定値爲1/3至1/4) 。具體値爲1χ1 016至5χ1 018原子/ cm3，典型値 爲 3χ1 017 至 3x1 〇 18 原子/cm3。 接著形成光罩3 2 4 a至3 2 4 c以覆蓋閘極電極， 如圖5 B所示，並藉由加入η型雜質元素而形成含高濃度 磷的雜質區3 2 5至3 3 1。再次利用氫化磷來實施摻雜 使磷濃度爲1 X 1 0 2 °至1 X 1 〇 2 1原子/ c m 3 (典型値 2χ1 02 ◦至 5x10 21 原子/ cm3)。 N通道型T F T的源極區以及汲極區利用此程序來形 成，且在開關T F T中，留下部份以圖5製成所形成的η 型雜質區3 2 0至3 2 2。這些剩餘的區域對應至圖2開 關 TFT 的 LDD 區 1 5 a 至 1 5d。 接著，如圖5C所示’移除光罩324a至324c ，並形成新的光罩3 3 2 °接著加入P型雜質元素以形成 含高濃度硼的雜質區3 3 3及3 3 4 °此處利用氫化硼的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 522453 A7 ______B7 五、發明説明（的 摻雜，加入硼元素以形成濃度3 X 1 〇 2 ◦至3 X 1 0 2 1原子 /cm3 (典型値 5x1 〇2〇 至 lxl 021 原子/ cm3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的雜質區333及334。 在移除光罩3 3 2後，將加入作動層的11型及？型雜 質元素活化。可利用熱爐退火，雷射退火，或燈退火來進 行活化。在實施例1中，在氮氣的電爐中，以5 5 0 °C加 熱4小時以進行熱處理。 此時，從處理環境中移除氧氣相當重要。由於當存在 小量的氧氣時，閘極的暴露表面會發生氧化，而增將阻抗 ，並使其後的歐姆接觸發生困難。依此，環境氣體中的氧 氣濃度需小於1 p p m，較佳的是小於〇 _ 1 p p m。 在完成活化處理後，形成厚度爲3 0 0 n m的閘極導 線3 3 5。可使用含A 1或C u的金屬薄膜作爲閘極導線 335 (成分含量爲50至1〇〇％)。閘極導線335 的配置如圖2中的閘極導線2 1 1 ，以提供開關τ F T之 閘極電極3 1 4及3 1 5的電子連接（圖5 D )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述的結構可大大地減小閘極導線的導線阻抗，並可 型成大面積的影像顯示區。更特定的，依據本發明的像素 結構可實現1 0吋對角線的E L顯示裝置。 接著形成第一內絕緣層3 3 6，如圖6 A所示。使用 含砂的單層結構作爲第一內絕緣層3 3 6，當然可使用多 層結構。進一步的，可使用厚度介於4 〇 〇 n m至1 . 5 μ 的溥膜。在實施例1中，在2 0 0 n m氮氧化砍薄膜上使 用8 0 0 n m厚的氧化矽薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 522453 A7 B7 五、發明説明（釦 此外，在氫含量3至1 0 0%的環境中，以3 0 0至 4 5 0 °C實施1至1 2小時的熱處理，以進行氫化反應。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦可使用電漿氫化反應來進行氫化。 在形成第一內絕緣層3 3 6時，亦可插入氫化反應。 亦即，在形成2 0 0 n m厚的氮氧化矽薄膜後可進行氫化 反應，接著可形成其餘厚8 0 0 n m的氧化矽薄膜。 接著，在第一內絕緣層3 3 6中形成接觸孔，並形成 源極導線3 3 7至3 4 0及汲極導線3 4 1至3 4 3。在 此實施例中，利用三層結構形成電極，其中連續地利用濺 鍍法形成厚度1 0 0 n m的鈦薄膜，厚度3 0 0 n m之含 鈦的鋁薄膜，及厚度1 5 0 n m的鈦薄膜。 接著形成厚度5 0至5 0 0 nm (較佳的是2 0 0至 3〇0 n m )的第一鈍態薄膜3 4 4。在第一實施例中， 使用厚3 0 0 n m的氮氧化砂薄膜。其可由氮化砂薄膜來 取代。當然可使用相同於圖2的鈍態薄膜4 1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在形成氮氧化矽前，可使用含氫的氣體，如Η 2或 Ν Η 3有效地實施電漿製程。利用此程序所活化的氫氣供應 至第一內絕緣層3 3 6，並利用熱處理改善第一鈍態薄膜 3 4 4的品質。此時，加入第一內絕緣層3 3 6的氫氣向 低處擴散，並可有效地氫化活化層。 接著，如圖6 Β所示，形成樹脂製的第二內絕緣層 3 4 5。可使用聚硫亞氨，聚氨基化合物，acryl，B C Β 作爲有機樹脂。尤其，由於第二內絕緣層3 4 5主要用以 使表面平坦化，因此以acryl的性質爲佳。在此實施例中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 522453 A7 B7 五、發明説明（>1 需使丙烯酸薄膜有足夠的厚度以塡補τ F T所形成的階狀 部位。厚度最好爲1至5μΓΠ。 其後，在第二內絕緣層3 4 5中形成接觸孔，並使第 一鈍態薄膜3 4 4到達汲極導線3 4 3。在此實施例中， 形成厚度3 0 〇 n m的鋁合金薄膜以作爲像素電極3 4 6 。參考標號3 4 7代表鄰接之像素電極的端部。 接著’形成鹼性薄膜3 4 8，如圖6 C所示。在本實 施例中’利用蒸著法形成氟化鋰薄膜，以具有5 n m的薄 膜厚度。其後，利用旋轉被覆形成厚1 0 0 n m的E L層 3 4 9。 在本實施例中，可使用揭露於日本專利公開第 H e 1 8 - 9 6 9 5 9號的材料作爲提供白色光的聚合 型有機材料。例如，藉由溶解P V K，B u - P B D，香 豆素’ DCM，TPB及尼羅紅溶解於1，2 -亞甲基二 氯所獲得的材料。 在本實施例中，E L層3 4 9具有包含上述發光層的 單層結構。變換的，若需要可進一步形成電子注射層，電 子傳輸層’孔傳輸層，電子阻隔層，孔裝置層，或孔注射 層。 接著’以透明導電薄膜形成厚度2 0 0 n m的陽極 3 5 0 ’以覆蓋e L層3 4 9。在此實施例中，利用蒸空 蒸著形成氧化碘或氧化鋅，接著將其圖樣化以獲得陽極。 最後，利用電漿C V D以氮氧化矽形成厚1 0 0 n m 的第二鈍態薄膜3 5 1。此第二鈍態薄膜3 5 1用以提供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 弟衣. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34 - 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（鉍 EL層3 4 9的抗水保護，並將EL層3 4 9所產生的熱 散出。爲了進一步增進散熱效果，可利用氮化砂及碳的層 狀結構形成第二鈍態薄膜3 5 1。 依此方式，完成圖6 C的主動陣列型E L顯示裝置。. 在本實施例的主動陣列型E L顯示裝置中，將具有最佳結 構的T F T配置於像素部位及驅動電路部位，而獲得極佳 的耐用性及操作性。 首先，僅可能使用具降低熱載體結構的T F T作爲驅 動電路之C Μ〇S電路的η通道T F T 2 0 5。此處的驅 動電路包括平移暫存器，緩衝器，位準平移器，取樣電路 等。在此例中，亦可包括數位轉換電路，如D / Α電路。 如圖6 C所示，在此例中，η通道T F T 2 0 5的作 動層包括源極區355，汲極區356，LDD區357 及通道形成區3 5 8，且L D D區3 5 7透過閘極絕緣薄 膜3 1 1與閘極3 1 3重疊。 L D D區僅形成於汲極區側的原因在於不使操作速度 落下。在此η通道TFT2 0 5中，不需太關注〇FF電 流値，而重點在於操作速度。因此，較佳的是使L D D區 3 5 7完全與閘極3 1 3重疊，以將阻抗降至最低。亦即 ，最好移除所謂的偏移部位。 進一步的，幾乎可忽略因注入熱載體所造成CM0 s 電路之P型TFT2 0 6的退化。當然可在LDD區提供 T F T 2 0 6，以抑制熱載體。 在驅動電路中，相較於其他的電路，取樣電路可允許 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··裝. -訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 522453 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 較大的電流在兩個方向流經通道形成區。亦即，源極區以 及汲極區的角色互換。此外’需要將〇 F F電流値控制地 很小，此時可在取樣電路中使用介於開關T F T與電流控 制T F Τ間的T F Τ。在實施例1中，如圖1 0所示，結 合η通道型TFT2 0 7與Ρ通道型TFT。 依此，在形成取樣電路的η通道型T F T中，較佳的 是配置圖1 0結構的T F Τ。如圖1 0所示，L D D區 9〇1 a與9〇1 b的位置透過閘極絕緣薄膜9 0 2與閘 極電極9 0 3重疊。此結構的優點已在電流控制 TFT2 0 2中述及。當在取樣電路中使用TFT時，配 置L D D區並將通道形成區9 0 4內插於其間，此種配置 不易在電流控制T F T中出現。 在實際的製程中，於完成圖6 C的結構後，利用具有 遮光薄膜的相對基底將E L層密封在封閉的空間內，如圖 1及圖2所示。此時，可在密封空間中置入鈍氣體或吸濕 性金屬來提生E L層的耐久性。可利用液晶顯示裝置的室 體組裝方法來進行E L層的密封。 在完成E L層的密封程序後，接上連接器（彈性印刷 電路），以將基底上的元件或電路端子連接至外部的訊號 端子，而完成最後的製程。 以下將參考圖7說明主動陣列型E L顯示裝置的結構 。本實施例的主動陣列型E L顯示裝置包括形成於玻璃基 底上的像素部位6 0 2，閘極側驅動電路6 0 3，源極側 驅動電路6 0 4。像素部位的開關T F T 6 0 5爲η通道 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΐ〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -36 - 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（严 型T F T，並配置於連接至閘極側驅動電路6 0 3之閘極 導線6 0 6，與連接至汲極側驅動電路6 0 4之汲極導線 6 0 7的交點處。開關T F T 6 0 5的汲極連接至電流控 制T F T 6 0 8的閘極。 進一步的，電流控制T F T 6 0 8的源極側連接至電 源線6 0 9。在依據本發明的結構中，電源線6 0 9連接 至E L元件6 1 0的源極，且電流控制T F T 6 0 8的汲 極連接至E L元件6 1 0。 如果電流控制T F T 6 0 8爲η通道型T F T，則 E L元件6 1 0的陰極連接至源極。進一步的，當使用ρ 通道型T F Τ作爲電流控制T F Τ時，E L元件6 1 0的 陽極連接至汲極。 用以將訊號傳送至驅動電路的輸出/輸入線6 1 2及 6 1 3，以及連接至電源線6 0 9的導線位於 F P C 6 1 1中，而成爲外部的輸入/輸出端子。 圖7之E L顯示裝置的電路結構顯示於圖8中。本實 施例的E L顯示裝置包括源極側驅動電路7 0 1，閘極側 驅動電路7 0 7，閘極側驅動電路7 1 1，及像素部位 7〇6。在本說明書中，驅動電路一詞包括源極側驅動電 路及汲極側驅動電路。 源極側驅動電路7 0 1具有平移暫存器7 0 2，位準 平移器7 0 3，緩衝器7 0 4，及取樣電路7 0 5。閘極 側驅動電路7 0 7包括平移暫存器7 0 8，位準平移器 7 0 9，緩衝器7 1 0。閘極側驅動電路7 1 1亦具有相 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 37 - 522453 A7 B7 五、發明説明（$5 同的結構。 此處，平移暫存器7 0 2及7 0 8分別具有5至 1 6 V的驅動電壓，且圖6 C所指示的結構使用於 CMOS電路中的η通道型TFT。 此外，在位準平移器7 0 3及7 0 9以及緩衝器 7 0 4及7 1 0中，類似於平移暫存器，使用圖6包括η 通道型T F Τ 2 0 5的C Μ〇S電路。可使閘極導線具有 層的結構，如雙閘極結構或三閘極結構，以提昇每一電路 的可靠性。 此外，由於將源極區及汲極區反向，且區減少0 f f 電流値，可使用圖1 0中包括η通道型TFT2 0 8的 C Μ 0 S電路作爲取樣電路7 0 5。 像素部位7 0 6配置有具圖2結構的像素。 依據圖4 Α至6 C製作T F Τ的步驟可輕易地實現前 述的結構。在此實施例中，雖然僅顯示像素部位及驅動電 路，如果使用實施例中的製造步驟，則可在同一基底上形 成驅動電路以外的邏輯電路，如訊號驅動電路’ D / A轉 換器電路，操作放大電路，a -修正電路等。進一步的’ 可利用在記憶體部位及微處理器中。 進一步的將參考圖1 1 A及1 1 B說明依據本實施例 的E L顯示裝置。 基底1 0 0 0爲主動陣列型基底。在基底上’形成有 像素部位1 0 0 1，源極側驅動電路1 〇 〇 2及閘極側驅 動電路1 0 0 3。來自驅動電路的各導線經由連接線 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 522453 A7 B7 五、發明説明（如 6 1 2至6 1 4而延伸至FPC6 1 1，並連接至外部裝 置。 此時，使相對基底1 0 0 4至少圍繞像素部位，更佳 的是圍繞驅動電路及像素部位。相對基底1 0 0 4利用黏 著劑1 0 0 5黏著至主動陣列型基底1 0 0 1上。因此， 完全將E L元件密封於封閉的空間1 〇 〇 6中，並與外部 空氣隔離。 在本實施例中，使用光固化型環氧樹脂作爲黏著劑 1 0 0 5 〇 變換的，可使用其他形式的黏著劑，如丙烯酸樹脂。 如果E L層的熱阻爲可接受的，亦可使用熱固性樹脂。此 外，需僅可能的避免材料的氧化並防止與水接觸。黏著劑 1005可由塗佈裝置來施加。 進一步的，在本實施例中，在相對基底1 0 〇 4及主 動陣列基底1 0 ◦ 0間的密閉空間1 0 0 4內塡入氮氣。 再者，相對基底1 0 0 4在其內部提供有遮光薄膜 1〇07及濾色器1 008，如圖1及圖2所示。在本實 施例中，使用含氧化鋇及黑色染料的樹脂薄膜作爲遮光薄 膜1 0 0 7，且利用含紅，綠，藍色染料的樹脂薄膜作爲 濾色器。 進一步的，如圖1 1 B所示，像素部位具有多個包括 分離之E L元件的像素。所有個E L元件共用一個陽極 1 0 0 9。可僅將E L層提供在像素部位，但不需提供於 驅動電路上。爲了選擇性地提供E L層，利用陰影遮罩的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣.
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 522453
真空蒸著法，台離法，乾式蝕刻法或雷射切割法。 陽極1 0 0 9連接至連接導線1 〇 1 〇。連接導線 1 0 1 0用以將預定的電壓供應至陽極丨〇 〇 9。此處僅 述及連接導線1 0 1 〇，其他的連接導線6丄2至6 1 4 亦以相同的方式連接至F P C 6 1 1。 如上所述’藉由將F P C 6 1 1連接至外部裝置，圖 1 1 A及1 1 B的結構便可在其像素上顯示影像。在本說 明書中，E L顯示裝置爲一種產品，當連接F p c時便可 顯不影像，換句話說，一種在主動陣列型基底上接附相對 基底的產品。 〔實施例2〕 在此實施例中，將參考圖1 2說明不同於圖3的像素 結構。在此實施例中，將圖3中的兩個像素相對於電流供 應線2 1 2呈對稱的配置。亦即，如圖1 2所示，電流供 應線2 1 3爲鄰接的兩個像素所共用，因此可減少所需的 導線數。附帶一提的，在像素中，可維持相同的T F T等 配置。 如果採用此種結構，將可製作出更小的像素部位，並 提更影像的品質。 此外，可依據實施例1的至輕易地實現此實施例的結 構’且描述於實例1或圖2的相同結構如T F T等將省略 其說明。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 522453 A7 B7 五、發明説明（知 〔實施例3〕 雖然在實施例1及2中使用上閘極型T F T，但本發 明並不限於該種T F T結構，而能利用底閘極型T F T ( 倒錯型T F T )。此外，可利用任一種機構形成底閘極型 TFT。 由於倒錯型T F T具有多個階層，因此體積較上閘極 型T F T爲小，而有利於成本的降低。此外，可利用實施 例2及3的任一結構獲得此實施例的結構。 〔實施例4〕 圖3 B顯示在開關T F T中利用多閘極結構，以減小 像素中開關T F T的〇 f f電流量，並省去儲存電容。然 而，仍可如習知的方式配置有儲存電容。此時，如圖1 4 所示，儲存電容1 3 0 1相對於開關T F T的汲極平行於 電流控制T F T 2 0 2的閘極。 利用實施例1至3的任一結構可實現實施例4的結構 。亦即，儲存電容僅形成於像素電極，且不限T F T的結 構，或E L層的材料。 〔實施例5〕 在實施例1中使用雷射結晶化作爲形成結晶矽薄 3 0 2的方法。在實施例5中描述利用不同結晶化的方法 〇 在實施例5中，於形成異向性矽薄膜後，利用日本專 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格〈21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 522453 A7 B7 五、發明説明（知 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利公開第H e i 7 - 1 3 Ο 6 5 2號所揭露的技術來進 行結晶化。在上述的專利申請案中，利用鎳作爲觸媒來獲 得具良好結晶性的結晶砂薄膜。 進一步的，在完成結晶化的程序後，需移除前一步驟 所加入的觸媒。此時可利用日本專利公開第 H e 1 10 — 270363 號或第 H e i 8 - 3 3 0 6 0 2號所揭露的觸媒收集技術。 此外，可利用日本專利公開第 H e i 1 1 一 0 7 6 9 6 7號所揭露的技術來形成 TFT。 實施例1的製程爲本發明的一個實施例，且可實現圖 1或圖6 C的結構，當然如上所述亦可使用其他的製程。 亦即，可自由地將實施例1至4的結構結合至實施例 5。 〔實施例6〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當驅動本發明的E L顯示裝置時，可利用類比影像訊 號進行類比式的驅動，並可利用數位訊號進行數位式的驅 動。 當進行類比驅動時，從開關T F T的源極導線送入類 比訊號，且含有灰階資訊的類比訊號成爲開關T F T的閘 極電壓。接著，利用電流控制T F T控制流經E L元件的 電流，如此可控制E L元件的發光強度，並以此進行灰階 的顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 522453 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（4]b 另一方面，當進行數位式的驅動時，不同於類比式的 灰階顯示器，其利用分時的方式來進行灰階顯示。 相較於液晶顯示裝置，E L元件具有極快的反應速度 ，因此可作高速的驅動。依此，E L元件適合於作分時的 灰階驅動，其中一圖框分割成多個次圖框，並進行灰階的 顯示。 本發明的技術部分在於元件的結構，因此可使用任一 種驅動方法。 〔實施例7〕 E L顯示裝置使用自身的所發出的光，因此不需背光 。相反的反射型液晶顯示裝置在暗處時需要背光。另一方 面，由於E L顯示裝置本身可提供光源，因此不會有上述 的問題。 然而，當包括有E L顯示裝置的電子裝置使用於戶外 時，有可能會在暗處或亮處操作。在暗處時可顯示足夠淸 晰的影像，但若亮度不足，則在亮處時影像將變得不易辨 E L層的發光量決定於流經的電流量。因此，較大的 亮度需較大的電流，並增加功率的消耗。然而，當亮度設 成如此高的準.位時，在暗處會提供過量的影像。 爲了克服上述的缺點，依據本發明的E L顯示裝置具 有利用感測器偵測環境亮度的功能，並依據測得的亮度調 整E L層的發光強度。更特定的，在亮處將發光量設成高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -43- 522453 A7 _B7__ 五、發明説明（4)l (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 位準，而在暗處則設成低位準，因此便能避免過多的功率 消耗。因此，依據本發明的E L顯示器可實現低的功率消 耗。 用以偵測環境亮度的感測器可利用C M〇s感測器。 可利用習知的技術將c M 〇 s感測器形成於驅動電路及像 素部位的同一基底上。可將形成有c c D的半導體晶片附 於E L顯示裝置上。變換的，C C D或C Μ〇S感測器可 作爲E L顯示裝置的一部份。 此外，提供有能依據感測之環境亮度’調整流經E L 層之電流的電路。因此’可依據環境亮度調整E L層的亮 度。 本實施例的結構可與實施例1至5的任一結構相結合 〇 雖然在本發明的較佳實施例中利用T F Τ作爲形成於 絕緣基底上的開關元件，亦可利用矽基底，此時，可利用 與矽基底一同形成的絕緣閘極場效電晶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例8〕 依據本發明的E L顯示裝置爲一種自發光型的顯示裝 置，因此相較於液晶顯示裝置有更佳的影像辨別性。進一 步的，E L顯示裝置具有更大的視角。依此，E L顯示裝 置可應用至各種裝置的顯示部位。例如，爲了在大尺寸的 畫面上顯示Τ V節目，可使用依據本發明E L顯示裝置作 爲顯示部位（如3 0吋或4 0吋的E L顯示裝置）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） ~ ' -44 - 522453 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（哗 E L顯示裝置可應用至所有顯示資訊的裝置，如個人 電腦，接收電視廣播節目的顯不器，及廣告顯示幕等。再 者，依據本發明的E L顯示裝置可用於其他不同裝置的顯 示部位。 此電子裝置包括視頻攝影機；數位相機，投影機，投 影T V s，凸眼式顯示器，導航系統，筆記型電腦，遊戲 機，可攜式資訊終端（如行動電腦，可攜式電話，可攜式 遊戲機或電子記事簿），具紀錄媒體的影像再生裝置等。 尤其在可攜式資訊終端的應用中，由於常需以較大的視角 觀看螢幕，因此最好使用能提供大視角的E L顯示裝置。 這些電子裝置的例子顯示於圖1 4 A至1 4 F。 圖1 4 A的E L顯示裝置包括顯示框2 0 0 1，支撐 板2 0 0 2，顯示部位2 0 0 3等。本發明應用至顯示部 位。由於E L顯示爲自發光型，因此不需背光。且顯示部 位的厚度可較液晶顯示裝置者爲薄。 圖1 4 B爲視頻照相機，其包括本體2 1 0 1，顯示 區2102，聲音輸入區2103，操作開關2104， 電池2 1 0 5及影像接收區2 1 0 6。本發明的光電裝置 可應用至顯示區2 1 0 2，且本發明的E L顯示裝置顯示 區2 1 0 2等。 圖1 4 C爲頭帽式EL顯示器，其包括本體2 2 0 1 ，訊號線2 2 0 2，頭帶2 2 0 3，顯示部位2 2〇4， 光學系統2 0 5 5及EL顯示裝置2 2 0 6等。本發明可 應用至EL顯示裝置2206。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -45 - 522453 A 7 ___ B7 _ 五、發明説明（命 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 4 D爲包括記錄媒體的影像再生裝置（更定的是 指D V D再生裝置）。其包括本體2 3 0 1，記錄媒體 2 3 〇 2 ( C D，L D，D V D 等），操作開關 2 3 〇 3 ’餘頁不邰fu 2 3 0 4 ( a )，另一顯不部位（b ) 2 3 0 5等。顯示部位（a )用以顯示影像資訊，而顯示 部位（b )用以顯示字元資訊。依據本發明的e L顯示裝 置可應用於這些部位（a )及（b )。包括記錄媒體的影 像再生裝置亦包括C D再生裝置及遊戲機。 圖1 4 E爲行動電腦，其包括本體2 4 0 1，照相機 區2 4 0 2，影像接收區2 4 0 3，操作開關2 4 0 4， 及顯示區2 4 0 5。本發明的E L顯示裝置可應用至顯示 區 2 4 0 5。 圖1 4 F爲個人電腦，其包括本體2 5 0 1，框架 25 0 2 ，顯示區25〇3 ，及鍵盤2504。本發明的 E L顯示裝置可應用至顯示區2 5 0 3。 當未來E L材料能發出更亮的光時，依據本發明的 E L顯示裝置將可應用至前式及後式投影機。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 則述的置吊需顯不透過通訊路徑所傳送的資訊，如 C A T V並經常顯示動態的資訊。由於E l顯示裝置具有 相當高的反應速度，因此極適於顯示動態的影像。然而， 如果像素間的輪廓便得不淸晰，整的移動中的影像將無法 淸楚地呈現。由於依據本發明的E L顯示裝置能顯示淸晰 的像素輪廓，因此在應用至電子裝置上有相當明顯的優顚占 -46 522453 A7 B7 五、發明説明（命 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E L顯示裝置的發光部位會消耗功率，因此可僅可會g 地減小發光部位。依此，當E L顯示裝置應用於顯不字兀 資訊的顯示部位時，如可攜式資訊終端，手機或汽車音響 設備的顯示部位時，最好是使字元部位由發光部位所形成 而非發光部位對應至背景。 圖15A爲可攜式電話，其包括本體2601 ，聲音 輸出區2602，聲音輸入區2603，顯示區2604 ，操作開關2 6 0 5，及天線2 6 〇 6等。依據本發明的 E L顯示裝置應用於顯示部位2 6 0 4。藉由在黑色的背 景上顯示白光的字元可降低可攜式電話的功率消耗。 圖15B爲汽車音響設備，包括本體2701 ，顯示 部位2 7 0 2，及操作開關2 7 0 3及2 7 0 4。依據本 發明的E L顯示裝置應用於顯示部位2 7 0 4。藉由在黑 色的背景上顯示白光的字元可降低顯示部位2 7 0 4的功 率消耗。 如上所述，本發明可應用至各領域的電子裝置。利用 任意結合具實施例1至7結構的E L顯示裝置，可獲得發 明的電子裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在依據本發明的實施例中，可使像素間的輪廓更爲淸 晰，並可提供能顯示高解析度影像的E L顯示裝置。再者 ，在本發明中，用以消除像素間的遮光薄膜提供於相對基 底上，因此避免良率的降低。進一步的，依據本發明的 E L顯示裝置可利用液晶顯示裝置的生產線來製造，因此 ，可將設備投資減至最小。依此，依據本發明，可獲得能 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' -47- 522453 A7 B7 五、發明説明（年 顯示高解析度影像的E L顯示裝置。進一步的，本發明亦 提供具此E L顯示裝置的電子裝置，而能獲得高解析度的 顯示部位。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -48

Claims (1)

  1. 522453 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 1 1 · 一種顯示裝置，包括： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 電路邰位，其包括一第二薄膜電晶體於一第一基底之上； 一第一電極，位於第一電晶體之上； 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， 其中像素部位及驅動電路部位被置於一由黏著劑所包 圍之區域中。 2 . —種顯示裝置，包括： 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 電路部位，其包括一*第_^薄膜電晶體於一% 一^基底之上， 一第一電極，位於第一電晶體之上； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉. 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， 其中像素部位及驅動電路部位被置於一由黏著劑所包 圍之區域中，及 , 其中介於第一與第二基底之間的封閉空間被塡充以鈍 氣。 3 · —種顯示裝置，包括： ’ 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 本餓*張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 -49 - ： 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 2 電路部位，其包括一第二薄膜電晶體於一第一基底之上； 一第一電極，位於第一電晶體之上； 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， 其中像素部位及驅動電路部位被置於一*由黏者劑所包 圍之區域中，及· 其中一乾燥劑被提供於第一與第二基底之間的封閉空 間中。 4 . 一種顯示裝置，包括： 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 電路部位，其包括一第二薄膜電晶體於一第一基底之上； 一第一電極，位於第一電晶體之上； 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一鈍態薄膜，位於第二電極之上； 一第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， 其中像素部位及驅動電路部位被置於一由黏著劑所包 圍之區域中，及 其中鈍態薄膜覆蓋第二電極並延伸超過黏著劑之一邊 緣。 · 5 . —種顯示裝置，包括： 本紙*張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50: ：" ——.——1 II ?! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 3 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 電路部位，其包括一第二薄膜電晶體於一第一基底之上·； 一第一電極，位於第一電晶體之上； 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一鈍態薄膜，位於第二電極之上； 一第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， 其中像素部位及驅動電路部位被置於一由黏著劑所包 圍之區域中，及 其中介於第一與第二基底之間的封閉空間被塡充以鈍 氣，及 其中鈍態薄膜覆蓋第二電極並延伸超過黏著劑之一邊 緣。 6 . —種顯示裝置，包括： 一像素部位，其包括一第一薄膜電晶體、以及一驅動 電路部位，其包括一第二薄膜電晶體於一第一基底之上； 一第一電極，位於第一電晶體之上； 一發光層，其包括一形成於第一電極上之有機材料； 一第二電極，位於包括有機材料的發光層之上；及 一鈍態薄膜，位於第二電極之上； ——第二基底，其係藉由一黏著劑而正對第一基底，藉 以形成一封閉空間於第一與第二基底之間， ’ 其中像素部位及驅動電路部位被置於一由黏著劑所包 本紙張尺度適用中鬮國家標车（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 522453 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 4 圍之區域中，及 其中一乾燥劑被提供於第一與第二基底之間的封閉空 間中，及 其中鈍態薄膜覆蓋第二電極並延伸超過黏著劑之一邊 緣。 7 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包括 一遮光薄膜於第二基底之上。 8 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，進一步包括 一遮光薄膜於第二基底之上。_ 9 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，進一步包括 一遮光薄膜於第二基底之上。 1 0 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，進一步包 括一遮光薄膜於第二基底之上。 1 1 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，進一步包 括一遮光薄膜於第二基底之上。 1 2 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，進一步包 括一遮光薄膜於第二基底之上。 1 3 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包 括一濾色器於第二基底之上。 1 4 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，進一步包 括一濾色器於第二基底之上。 1 5 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，進一步包 括一瀘色器於第二基底之上。 1 6 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，進一步包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 52 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 522453 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 括一瀘色器於第二基底之上。 1 7 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，進一步包 括一濾色器於第二基底之上。 1 8 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，進一步包 括一濾色器於第二基底之上。 1 9 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中黏著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱固性 樹脂之族群的材‘料。 2〇.如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中黏著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱固性 樹脂之族群的材料。 2 1 ·如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中黏著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱固性 樹脂之族群的材料。 2 2 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中黏著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱固性 樹脂之族群的材料。 2 3 .如申請專利範圍第5項之顯不裝置，其中|占著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱固,丨生 樹脂之族群的材料。 ‘ 2 4 _如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中黏著 劑係選自包括光固化型環氧樹脂、丙烯酸型樹脂及熱@ ;丨生 樹脂之族群的材料。 - 2 5 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中發光 本i氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^53 ^ ：--- ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522453 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 層包括一有機材料，其係選自包括p v K (p〇1yvinyi C请先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) carbazole) 、B u — P B D ( 2-(4，-tert-butylphenyl)-5-(4 一 biphenyl)-l，3,4-〇xydiazole)、香豆素、〇〇]\/11(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p -dimethyl aminostilyl-4H-pyra )> T P B ( tetra phenyl butadiene)、及尼羅紅溶解於1 ，2 -亞甲基二氯所獲得之材料的族群。 2 6 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中發光 層包括一有機材料，其係選自包括PVK ( poly vinyl carbazole)、Bu — PBD(2-(4’-tert-butylphenyl)-5-(4-biphenyl)-l，3,4-〇xydiazole)、香豆素、〇〇]\41(4-dicyanomethylene-2-methyl -6-p -dimethyl aminostilyl-4H-pYran )、T P B (. tetra phenyl butadiene )、及尼羅紅溶解於 1 ，2 -亞甲基二氯所獲得之材料的族群。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 7 ·如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中發光 層包括一有機材料，其係選自包括P V K ( poly vinyl carbazole)、Bu — PBD(2-(4’-tert-butylphenyl)-5-(4”-biphenyl)-l，3,4-oxydiazole)、香豆素、0〇]^11(4-dicyanomethylene-2-methyl -6-p -dimethyl aminostilyl-4H-pyran )、T P B ( tetra phenyl butadiene )、及尼羅紅溶解於 1 ，2 -亞曱基二氯所獲得之材料的族群。 ， 2 8 _如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中發光 層包括一有機材料，其係選自包括P V K ( polyvinyl carbazole)、Bu — PBD(2-(4’-tert-butylphenyl)-5-(4”-biphenyl)-l，3,4-〇Xydiazole) ' 香豆素、D C Μ 1 ( 4- -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 522453 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethyl aminostilyl-4H-pyran )、T P B ( tetra phenyl butadiene )、及尼羅紅溶解於 1 ，2 -亞甲基二氯所獲得之材料的族群。 2 9 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中發光 層包括一有機材料，其係選自包括P V K ( poly vinyl carbazole) ' B u — P B D ( 2-(4,-tert-butylphenyl)-5-(4,J-biphenyl)_l，3,4-oxydiazole)、香豆素、D C Μ 1 ( 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethyl aminostilyl-4H-pyran )、T P B ( tetra phenyl butadiene )、及尼羅紅溶解於 1 ，2 -亞甲基二氯所獲得之材料的族群。 3 0 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中發光 層包括一有機材料，其係選自包括P V K ( poly vinyl carbazole)、Bu — PBD(2_(4’-tert-butylphenyl)-5-(4”_ biphenyl) -1,3,4-oxydiazole )、香豆素、D C Μ 1 (4- dicyanomethylene -2-methyl -6-p -dimethyl aminostilyl-4H-pyran )、T P B ( tetra phenyl butadiene)、及尼羅紅溶解於 1 ’ 2 -亞甲基二氯所獲得之材料的族群。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 1 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中鈍態 薄膜包括一材料，其係選自包括氮化矽及類鑽石碳之族群 〇 3 2 ·如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中鈍態 薄膜包括一材料，其係選自包括氮化矽及類鑽石碳之族群 〇 - 3 3 ·如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中鈍態 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A*規格（21〇><297公釐） 522453 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 薄膜包括一材料，其係選自包括氮化矽及類鑽石碳之族群 〇 3 4 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 自包括電發光顯示器、視頻攝影機、頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 3 5 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 自包括電發光顯示器、視頻攝影機、頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 3 6 _如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 自包括電發光顯示器、視頻攝影機、頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 3 7 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 自包括電發光顯示器、視頻攝影機 '.頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 3 8 ·如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 56 ——：——：—I费 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522453 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 自包括電發光顯示器、視頻攝影機、頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 3 9 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中顯示 裝置被應用於一電子裝置之一顯示部位，此電子裝置係選 自包括電發光顯示器、視頻攝影機、頭帽式顯示器、 D V D再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、可攜式電話及 汽車音響設備之族群。 4 0 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 4 1 _如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 4 2 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 4 3 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 4 4 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 4 5 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中驅動 電路部位包括至少一平移暫存器。 . 4 6 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中鈍氣 爲氮氣。 4 7 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中鈍氣 爲氮氣。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -57 - ——.——.II #! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522453 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 10 4 8 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 4 9 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 5〇.如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 5 1 .如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 5 2 .如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 5 3 .如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中封閉 空間被塡充以一透明黏著劑。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -58-
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