JP7117974B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
図1~4を参照して、本発明の実施形態における表示装置の構成について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態における表示装置101の構成例を示す図であり、図2は、表示装置101に配される画素102の回路図である。
図5、6を参照して、本発明の実施形態による表示装置の構成ついて説明する。図5は、本発明の第2の実施形態における表示装置101の画素102の平面図、図6は、図5に示されるY2-Y2’間の断面図である。本実施形態において、拡散領域302、303、308、310、311の構成が、上述の第1の実施形態と異なっている。拡散領域302、303、308、310、311の構成以外は、上述の第1の実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略し、拡散領域302、303、308、310、311の構成を中心に説明する。
図7~10を参照して、本発明の実施形態による表示装置の構成ついて説明する。図7は、本発明の第3の実施形態における表示装置701の構成例を示す図であり、図8は、表示装置701に配される画素702の回路図である。本実施形態において、表示装置701の画素702は、発光素子201のアノードを電源電位Vssに接続するためのリセットトランジスタ801(第3トランジスタ)を備える。また、表示装置701の画素アレイ部103に、リセットトランジスタ801の導通/非導通を切り替えるための走査線703が配される。これ以外の構成は、上述の表示装置101と同様であってもよい。以下、本実施形態の表示装置701のうち、上述の表示装置101とは異なる構成を中心に説明する。
図11、12を参照して、本発明の実施形態による表示装置の構成ついて説明する。図11は、本発明の第4の実施形態における表示装置701の画素702の平面図、図12は、図11に示されるY4-Y4’間の断面図である。本実施形態において、拡散領域302、303、308、310、311、914は、上述の第2の実施形態の拡散領域303、311と同様のオフセット構造を備える。拡散領域302、303、308、310、311、914の構成以外は、上述の第3の実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略し、拡散領域302、303、308、310、311、914の構成を中心に説明する。
図13、14を参照して、本発明の実施形態による表示装置の構成ついて説明する。図13は、本発明の第5の実施形態における表示装置701の画素702の平面図、図14は、図13に示されるY5-Y5’間の断面図である。本実施形態において、上述の第4の実施形態に対して、それぞれのトランジスタの拡散領域にさらにP-領域が配される。これ以外の構成は、上述の第4の実施形態と同様であってもよいため、第4の実施形態と異なる構成を中心に説明する。
Claims (20)
- 基板に複数の画素がアレイ状に配された表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極にドレイン領域が接続された第2トランジスタと、を備え、
前記第1トランジスタのドレイン領域は、第1領域と、前記第1領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第1領域よりも抵抗率が高い第2領域と、を含み、
前記第1トランジスタのゲート電極に接続される前記第2トランジスタのドレイン領域は、第3領域と、前記第3領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第3領域よりも抵抗率が高い第4領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする表示装置。 - 前記第1領域および前記第2領域が、同じ導電型の半導体によって構成され、
前記第2領域の不純物濃度が、前記第1領域の不純物濃度よりも低く、
前記第3領域および前記第4領域が、同じ導電型の半導体によって構成され、
前記第4領域の不純物濃度が、前記第3領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1領域および前記第3領域が、半導体と金属との化合物によって構成され、
前記第2領域および前記第4領域が、半導体によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1トランジスタのドレイン領域が、前記第2領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第2領域よりも抵抗率が高い第5領域をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記第2トランジスタのドレイン領域が、前記第4領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第4領域よりも抵抗率が高い第6領域をさらに含むことを特徴とする請求項3または4に記載の表示装置。
- 基板に複数の画素がアレイ状に配された表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極にドレイン領域が接続された第2トランジスタと、を備え、
前記第1トランジスタのドレイン領域は、第1領域と、前記第1領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配された第2領域と、を含み、
前記第1トランジスタのゲート電極に接続される前記第2トランジスタのドレイン領域は、第3領域と、前記第3領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配された第4領域と、を含み、
前記第2領域は、前記第1領域と同じ導電型であり、前記第1領域よりも不純物濃度が低く、
前記第4領域は、前記第3領域と同じ導電型であり、前記第3領域よりも不純物濃度が低く、
前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする表示装置。 - 前記第1トランジスタのドレイン領域は、半導体と金属との化合物によって構成された第1化合物領域をさらに含み、
前記第1化合物領域と前記第2領域との間に前記第1領域が配され、
前記第2トランジスタのドレイン領域は、半導体と金属との化合物によって構成された第2化合物領域をさらに含み、
前記第2化合物領域と前記第4領域との間に前記第3領域が配されることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 基板に複数の画素がアレイ状に配された表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極にドレイン領域が接続された第2トランジスタと、を備え、
前記第1トランジスタのドレイン領域は、第1領域と、前記第1領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配された第2領域と、を含み、
前記第1トランジスタのゲート電極に接続される前記第2トランジスタのドレイン領域は、第3領域と、前記第3領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配された第4領域と、を含み、
前記第1領域および前記第3領域が、半導体と金属との化合物によって構成され、
前記第2領域および前記第4領域が、半導体によって構成され、
前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする表示装置。 - 前記第1トランジスタのドレイン領域が、前記第2領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配された第5領域をさらに含み、
前記第5領域は、前記第2領域と同じ導電型であり、前記第2領域よりも不純物濃度が低く、
前記第2トランジスタのドレイン領域が、前記第4領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配された第6領域をさらに含み、
前記第6領域は、前記第4領域と同じ導電型であり、前記第4領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 前記第1トランジスタのソース領域は、第7領域と、前記第7領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第7領域よりも抵抗率が高い第8領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第8領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記複数の画素のそれぞれが、前記発光素子の2つの端子の間を短絡するための第3トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記第3トランジスタのソース領域は、第9領域と、前記第9領域と前記第3トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第9領域よりも抵抗率が高い第10領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第10領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項11に記載の表示装置。 - 前記第3トランジスタのドレイン領域は、第11領域と、前記第11領域と前記第3トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第11領域よりも抵抗率が高い第12領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第12領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項12に記載の表示装置。 - 前記複数の画素のそれぞれが、前記第1トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第4トランジスタをさらに備え、
前記発光素子を発光させる発光期間において、前記第4トランジスタが、線形領域で動作することを特徴とする請求項1乃至13の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第4トランジスタのドレイン領域は、第13領域と、前記第13領域と前記第4トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第13領域よりも抵抗率が高い第14領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第14領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項14に記載の表示装置。 - 前記複数の画素のそれぞれが、前記第1トランジスタのソース領域にドレイン領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第4トランジスタをさらに備え、
前記発光素子を発光させる発光期間において、前記第4トランジスタが、線形領域で動作し、
前記第4トランジスタのドレイン領域は、第13領域と、前記第13領域と前記第4トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第13領域よりも抵抗率が高い第14領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第10領域の電流が流れる方向の長さが、前記第14領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項12または13に記載の表示装置。 - 前記基板に対する正射影において、前記第2領域の電流が流れる方向の長さが、前記第14領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項16に記載の表示装置。
- 前記第4トランジスタのソース領域は、第15領域と、前記第15領域と前記第4トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第15領域よりも抵抗率が高い第16領域と、を含み、
前記基板に対する正射影において、前記第16領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項15乃至17の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第2トランジスタのソース領域は、第17領域と、前記第17領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配され、前記第17領域よりも抵抗率が高い第18領域とを含み、
前記基板に対する正射影において、前記第18領域の電流が流れる方向の長さが、前記第4領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項1乃至17の何れか1項に記載の表示装置。 - 請求項1乃至19の何れか1項に記載の表示装置と、
前記表示装置の駆動を制御する制御部と、
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