JP2021189278A

JP2021189278A - 発光装置、および、電子機器

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Publication number: JP2021189278A
Application number: JP2020093676A
Authority: JP
Inventors: 瑞樹永▲崎▼; Mizuki Nagasaki; 宏政坪井; Hiromasa Tsuboi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2020-05-28
Filing date: 2020-05-28
Publication date: 2021-12-13
Also published as: US20210375233A1; US11393430B2

Abstract

【課題】発光装置において、画質の低下を抑制するのに有利な技術を提供する。【解決手段】それぞれ発光素子を含む複数の画素と、入力された画像データに応じた信号電圧を複数の画素のそれぞれに供給する信号供給部と、を含む発光装置であって、複数の画素のそれぞれは、発光素子に流れる電流量を制御する第１トランジスタと、信号電圧が供給される信号線と第１トランジスタのゲート電極との間に配され、オン状態において信号電圧をゲート電極に書込む第２トランジスタと、をさらに含み、信号供給部は、フレームレートに応じて信号電圧を調整する。【選択図】図７

Description

本発明は、発光装置、および、電子機器に関する。

素子を流れる電流に応じた輝度で発光する有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子を発光素子として用いた発光装置が知られている。特許文献１には、信号電圧に応じた電流を発光素子に供給する駆動トランジスタと、信号電圧を駆動トランジスタのゲートに入力するサンプリングトランジスタと、を含む画素回路が配された表示装置が示されている。

特開２０１１−１４１３４６号公報

サンプリングトランジスタのオフ時のリーク電流によって、駆動トランジスタに入力された信号電圧が変化し、発光素子の発光輝度が変化してしまう場合がある。リーク電流の量は、発光装置を動作させる際の動作条件や使用環境によって変化しうるため、動作条件や使用環境の変化によって同じ信号電圧に対する発光輝度が変化してしまう可能性がある。同じ信号電圧に対して発光輝度が変化した場合、画質を保つことが難しくなる。

本発明は、発光装置において、画質の低下を抑制するのに有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、それぞれ発光素子を含む複数の画素と、入力された画像データに応じた信号電圧を複数の画素のそれぞれに供給する信号供給部と、を含む発光装置であって、複数の画素のそれぞれは、発光素子に流れる電流量を制御する第１トランジスタと、信号電圧が供給される信号線と第１トランジスタのゲート電極との間に配され、オン状態において信号電圧をゲート電極に書込む第２トランジスタと、をさらに含み、信号供給部は、フレームレートに応じて信号電圧を調整することを特徴とする。

本発明によれば、発光装置において、画質の低下を抑制するのに有利な技術を提供することができる。

本実施形態おける発光装置の構成例を示す図。図１の発光装置の動作を説明するタイミング図。図１の発光装置の画素の構成例を示す等価回路図。図１の発光装置の動作を説明するタイミング図。図１の発光装置の動作を説明するタイミング図。図１の発光装置の画素の輝度特性を示す図。図１の発光装置の動作を説明するタイミング図。図１の発光装置の輝度を補正する機能の搭載例を示す図。図１の発光装置の画素の輝度特性を示す図。図１の発光装置の動作を説明するタイミング図。図１の発光装置を用いた電子機器の構成例を示すブロック図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

第１実施形態
図１〜７を参照して、本開示の実施形態による発光装置について説明する。図１は、本開示の第１実施形態の発光装置ＥＱＰの構成例を示す図である。発光装置ＥＱＰは、画素アレイ１００、垂直走査回路２００、信号出力回路３００、制御回路４００、データ処理回路５００、参照電圧生成回路６００を含む。信号を出力する出力部である信号出力回路３００と参照電圧Ｖｒｅｆ（詳細は、後述する。）を生成する参照電圧生成部である参照電圧生成回路６００とは、信号供給部を構成する。

画素アレイ１００には、複数行および複数列（二次元アレイ状）に渡って複数の画素１０１が配されている。各々の画素１０１は、垂直走査回路２００から走査線２１０を介して制御信号が入力され、信号出力回路３００から信号線３１０を介して画像信号である輝度信号電圧Ｖｓｉｇが入力される。画像表示用の画像データは、発光装置ＥＱＰの外部からデータ処理回路５００に入力し、デジタル処理された画像データが、信号出力回路３００へ出力される。垂直走査回路２００および信号出力回路３００は、制御回路４００によって制御される。複数の画素１０１は、それぞれ発光ダイオード（発光素子）を備え、入力される輝度信号電圧Ｖｓｉｇに対応した発光量で発光する。ここで、各々の画素１０１は色ごとに配された複数のサブ画素を有していてもよく、この場合、信号線３１０は各サブ画素を基準とした列ごとに配置される。例えば、１画素に３サブ画素が含まれる場合、１画素列に３本の信号線３１０が配置されうる。

出力部である信号出力回路３００は、水平走査回路３０１と、複数列に渡って配される列ＤＡＣ回路３０２と、複数列に渡って配される列ドライバ回路３０３と、を有する。本実施形態において、１つの列ＤＡＣ回路３０２と１つの列ドライバ回路３０３とが対応している。水平走査回路３０１によって走査され各列に入力される画像データは、列ＤＡＣ回路３０２によってアナログ電圧に変換され、輝度を表す信号電圧Ｖｓｉｇとして列ドライバ回路３０３から信号線３１０を介して画素１０１へ出力される。参照電圧生成部である参照電圧生成回路６００は、画像データの階調数に応じた複数のアナログの参照電圧Ｖｒｅｆ（例えば、画像データが８ｂｉｔの場合、２５６個のアナログ電圧）を生成し、列ＤＡＣ回路３０２に供給する。ここで、参照電圧Ｖｒｅｆのうち最高の輝度を表す電圧を電圧Ｖ１、最低の輝度を表す電圧を電圧Ｖ２とする。また、参照電圧生成回路６００は、信号出力回路３００および画素１０１のばらつき補正に使用する基準電圧Ｖ０を生成してもよい。このとき基準電圧Ｖ０は、列ドライバ回路３０３および信号線３１０を介して画素１０１に供給されてもよい。列ドライバ回路３０３の出力電圧Ｖｏｕｔは信号電圧Ｖｓｉｇおよび基準電圧Ｖ０であり、順次、信号線３１０を介して画素１０１に供給される。このように、出力部である信号出力回路３００と参照電圧生成部である参照電圧生成回路６００とを含む信号供給部によって、発光装置ＥＱＰに入力された画像データに応じた信号電圧Ｖｓｉｇが、複数の画素１０１のそれぞれに供給される。

図２は、発光装置ＥＱＰの動作について説明するタイミング図である。Ｈ（ｎ）は、ｎ行目の水平走査期間を示し、オフセットキャンセル期間ｔ１と信号書き込み期間ｔ２とを含む。

期間ｔ１において、基準信号制御パルス４２１０がアクティブになり、列ドライバ回路３０３の入力電圧Ｖｉｎに、基準電圧Ｖ０が設定される。列ドライバ回路３０３は、列ごとに異なるオフセット電圧Ｖｏｓを有するため、列ドライバ回路３０３の出力電圧Ｖｏｕｔは、入力電圧である基準電圧Ｖ０にオフセット電圧Ｖｏｓを足し合わせた値となる。列ドライバ回路３０３の出力電圧Ｖｏｕｔは、信号線選択パルス４２２がアクティブとなったときに信号線３１０を介し画素１０１に供給される。

次に、ばらつき補正制御パルス４２１１によって、列ドライバ回路３０３は、列ごとに異なるオフセット電圧Ｖｏｓを記憶し、ばらつき補正処理が行われる。列ドライバ回路３０３の出力電圧Ｖｏｕｔは、電圧Ｖｏｓの影響が抑制されるため、入力電圧である基準電圧Ｖ０に近い値となる。またこのとき、信号線選択パルス４２２もアクティブになり、列ドライバ回路３０３と画素１０１とが信号線３１０を介して接続され、不図示であるが、画素１０１のばらつき補正処理も行われる。

ここで、列ＤＡＣ回路３０２および列ドライバ回路３０３は、それぞれ１つが１サブ画素列と対応してもよく、複数のサブ画素列と対応してもよい。本実施形態においては、列ＤＡＣ回路３０２および列ドライバ回路３０３のそれぞれ１つが、３サブ画素列と対応するものとする。

次いで、期間ｔ２において、基準信号制御パルス４２１０が非アクティブになり、列ドライバ回路３０３の入力電圧Ｖｉｎには画像データＤａｔａに応じて列ＤＡＣ回路３０２で変換された信号電圧Ｖｓｉｇが設定される。信号線選択パルス４２２によって、列ドライバ回路３０３の出力は、画像データの列アドレスに応じた１つの信号線３１０と接続される。

図３は、発光装置ＥＱＰが有する画素１０１の例を示す等価回路図である。以下では、発光素子の陽極に駆動トランジスタが接続され、トランジスタが全てＰ型トランジスタである場合について説明するが、本発明の発光装置はこれに限定されない。

図３に示すように、画素１０１は、発光素子１１０、駆動トランジスタ１１２、書込みトランジスタ１１３、発光制御トランジスタ１０６、リセットトランジスタ１０７、容量素子１０８、容量素子１０９を含む。発光素子１１０に流れる電流量を制御する駆動トランジスタ１１２の主端子の一方（図３の構成においてドレイン）は、発光素子１１０の一方の電極に接続されている。発光素子１１０の他方の電極は、電源配線ＶＳＳ（電位Ｖｓｓ）に接続されている。

書込みトランジスタ１１３は、信号電圧Ｖｓｉｇが供給される信号線３１０と駆動トランジスタ１１２のゲート電極との間に配され、オン状態において信号電圧Ｖｓｉｇを駆動トランジスタ１１２のゲート電極に書込む。より具体的には、書込みトランジスタ１１３の主電極の一方は、駆動トランジスタ１１２ゲートに接続され、他方は、信号線３１０に接続されている。書き込みトランジスタ１１３のゲート電極は、書込み信号２１０２に接続されている。

発光素子１１０の発光または非発光を制御する発光制御トランジスタ１０６の主電極の一方（図３の構成においてドレイン）は、駆動トランジスタ１１２の主電極の他方に接続されている。発光制御トランジスタ１０６の主電極の他方（図３の構成においてソース）は、電源配線ＶＤＤ（電位Ｖｄｄ）に接続されている。発光制御トランジスタ１０６のゲートは、発光制御信号２１０１に接続されている。

発光素子１１０に印加される電圧をリセットするリセットトランジスタ１０７の主電極の一方（図３の構成においてソース）は、駆動トランジスタ１１２の主電極の一方（図３の構成においてドレイン）に接続されている。リセットトランジスタ１０７の主電極の他方（図３の構成においてドレイン）は、電源配線ＶＳＳに接続されている。リセットトランジスタの１０７のゲート電極は、リセット信号２１０３に接続されている。

容量素子１０８は、駆動トランジスタ１１２のソースと電源配線ＶＤＤの間に接続されている。容量素子１０９は、駆動トランジスタ１１２のゲートとソースとの間に接続されている。

図４は、本実施形態における画素１０１の動作について説明するタイミング図である。このタイミング図は、発光装置ＥＱＰを、例えば、６０Ｈｚのフレームレート、チップの温度４０度（４０℃）で駆動した場合のタイミング図である。

図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は、前のフレームにおける発光素子１１０の発光期間である。発光期間において、発光制御トランジスタ１０６はオン状態、書込みトランジスタ１１３、および、リセットトランジスタ１０７はオフ状態となる。時刻ｔ１からｔ１１までの期間が１水平走査期間であり、時刻ｔ１１以降が、新しいフレームとなる。

まず、時刻ｔ１において、発光制御トランジスタ１０６がオフ状態になることによって、電源配線ＶＤＤから発光制御トランジスタ１０６、および、駆動トランジスタ１１２を介して発光素子１１０に電流が供給されなくなり、発光素子１１０は消光する。また、発光素子１１０が消光するまでに、駆動トランジスタ１１２のソース電位、および、駆動トランジスタ１１２のソースと容量素子１０９とを介して接続されている駆動トランジスタ１１２のゲート電位が下がる。

次いで、時刻ｔ２では、リセットトランジスタ１０７がオン状態になることによって、駆動トランジスタ１１２のソースと電源配線ＶＳＳとの間で電流が流れる。このとき、発光制御トランジスタ１０６はオフ状態であるため、駆動トランジスタ１１２のソース電位、ゲート電位、および、発光素子１１０の電極（図３の構成において陽極）の電位は下がる。発光素子１１０の陽極、および、駆動トランジスタ１１２のドレインは、電源配線ＶＳＳと同じ電位Ｖｓｓとなる。

時刻ｔ３では、信号線３１０の電位が、信号電圧Ｖｓｉｇから基準電圧Ｖ０に切り替わる。上述のように、基準電圧Ｖ０は、参照電圧生成回路６００から信号出力回路３００を介して供給されてもよい。

次いで、時刻ｔ４において、書込みトランジスタ１１３がオン状態になることによって、信号線３１０の基準電圧Ｖ０が、書込みトランジスタ１１３を介して駆動トランジスタ１１２のゲート電極に書込まれる。書込みトランジスタ１１３がオン状態のとき、書込みトランジスタ１１３のゲート電極には十分に低い電圧が印加され、書込みトランジスタ１１３は、線形領域で動作する。これによって、書込みトランジスタ１１３は、スイッチとして機能し、駆動トランジスタ１１２のゲート電極には、信号線３１０から基準電圧Ｖ０と同じ電圧が印加される。

時刻ｔ５では、発光制御トランジスタ１０６が再びオン状態となる。これによって、電源配線ＶＤＤから駆動トランジスタ１１２、および、リセットトランジスタ１０７を介して電源配線ＶＳＳに電流が流れる。本実施形態において、発光制御トランジスタ１０６のゲート電極には、十分に低い電圧が与えられ、発光制御トランジスタ１０６は、線形領域で動作し、スイッチとして機能するよう設定されている。したがって、駆動トランジスタ１１２がオン状態のとき、駆動トランジスタ１１２のソースには、電源配線ＶＤＤと略同じ電位が印加される。これによって、駆動トランジスタ１１２のゲート電極の電位も上昇するが、リセットトランジスタ１０７がオン状態のため、発光素子１１０の陽極の電位は、ほとんど上昇しない。このように、駆動トランジスタ１１２のゲート電位を基準電圧Ｖ０に初期化する期間が、リセット期間である。この時、駆動トランジスタ１１２のソースの電位は、略電位Ｖｄｄである。

次に、時刻ｔ６では、発光制御トランジスタ１０６がオフ状態になることによって、駆動トランジスタ１１２のソースの電位が、電源配線ＶＤＤの電位Ｖｄｄから、基準電圧Ｖ０から駆動トランジスタ１１２の閾値電圧Ｖｔｈを減算した電位（Ｖ０−Ｖｔｈ）まで変化する。これによって、容量素子１０９には駆動トランジスタ１１２の閾値電圧Ｖｔｈが保持される。このように、それぞれの画素１０１において、駆動トランジスタ１１２の閾値電圧Ｖｔｈを駆動トランジスタ１１２のゲート―ソース間電圧とする（ここでは、容量素子１０９に保持する）期間（時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間）が、閾値補正期間である。これによって、発光制御トランジスタ１０６は、駆動トランジスタ１１２の閾値電圧を補償する閾値補正部として機能する。図３に示す例において、発光制御トランジスタ１０６、および、容量素子１０９が、閾値補正部として機能している。

時刻ｔ７では、書込みトランジスタ１１３がオフ状態となる。次いで、時刻ｔ８では、信号出力回路３００によって、信号線３１０の信号の電位が基準電圧Ｖ０から信号電圧Ｖｓｉｇに切り替えられる。

時刻ｔ９では、書込みトランジスタ１１３がオン状態となることによって、輝度信号である信号電圧Ｖｓｉｇが、書込みトランジスタ１１３を介して駆動トランジスタ１１２のゲート電極に書き込まれる。このように、駆動トランジスタ１１２のゲート電極の電位を発光素子の輝度を表す信号電圧Ｖｓｉｇに設定する期間が、信号書き込み期間である。

次いで、時刻ｔ１０において、書込みトランジスタ１１３が再びオフ状態となる。時刻ｔ１１では、発光制御トランジスタ１０６がオン状態、リセットトランジスタがオフ状態になることによって、電源配線ＶＤＤから駆動トランジスタ１１２を介して発光素子１１０に電流が供給される。これによって、発光素子１１０の陽極の電位が電位ＶＳＳから信号電圧Ｖｓｉｇに応じた電位へ遷移し、発光素子１１０が発光する。また、駆動トランジスタ１１２を流れる電流は、輝度信号電圧Ｖｓｉｇが同じであれば、時刻ｔ６から時刻ｔ７における閾値補正処理によって、各画素１０２の駆動トランジスタ１１２の閾値ばらつきによらず、一定となる。これによって、高品質な表示を実現することができる。

以上、図４を用いて説明したように１つのサイクルの発光駆動動作が行われるが、次の点が問題となる。上述のように、画素駆動回路動作としては、信号電圧Ｖｓｉｇを容量素子１０９に書き込んだ後、発光する。発光期間では書込みトランジスタ１１３はオフ状態とされている。しかし、書込みトランジスタ１１３のオフ状態でのリーク電流が駆動トランジスタ１１２のゲート電極に流れ込むことによって、容量素子１０９に保持されている電圧が変化しうる。そのため、駆動トランジスタ１１２のゲート−ソース間電圧が変化し、発光素子１１０の駆動電流が変動し、発光輝度を一定に維持することができなくなる可能性がある。

図４は、書込みトランジスタ１１３のリーク電流がない理想状態で示したが、実際には図５に示されるように発光期間においてリーク電流の影響で、駆動トランジスタ１１２のゲート電圧Ｖｇの変動が生じる。そのため、例えば、画像を表示する際のフレームレートが変化した場合、容量素子１０９が保持する平均電位が変化する。結果として、発光素子１１０の輝度にフレームレートに応じた変化が生じてしまう。

図６は、発光装置ＥＱＰの輝度を表す信号電圧Ｖｓｉｇと発光素子１１０の実際の輝度Ｌとの関係（Ｖ−Ｌ特性）を示すグラフである。横軸に輝度信号電圧Ｖｓｉｇをとり、縦軸に輝度Ｌをとる。パラメータとして３０Ｈｚと６０Ｈｚとの２種類のフレームレートの場合が記載されている。図６から明らかなように、同じ輝度Ｌを得る場合であっても、信号電圧Ｖｓｉｇは、３０Ｈｚ駆動の方が６０Ｈｚよりも小さい。このように、フレームレートを切り換えた場合、何ら対策を施さないと発光装置ＥＱＰのＶ−Ｌ特性が異なってしまい、同じ信号電圧Ｖｓｉｇを与えた場合、画面輝度にズレが生じてしまう。フレームレートの違いによるＶ−Ｌ特性の変化を小さくするために、書込みトランジスタ１１３のリーク電流の低減や画素１０１の容量素子１０９の増加が考えられる。しかしながら、発光装置ＥＱＰにおいて画素１０１のサイズは年々微細化されており、Ｖ−Ｌ特性の変化の改善は難度が高く、また、開発コストの増加を招きうる。

図７は、本実施形態における発光装置ＥＱＰを動作させる際のタイミング図である。理解を容易にするため、図５に示したタイミング図と同様の表記をしている。図７には、図５のフレームレート６０Ｈｚで駆動した場合に加えて、フレームレート３０Ｈｚで駆動した場合のタイミングが示されている。

フレームレートが３０Ｈｚの場合、フレームレートが６０Ｈｚの場合よりも容量素子１０９が駆動トランジスタ１１２のゲート電圧を保持する期間が長くなる。そのため、平均輝度を合わせるために、信号出力回路３００と参照電圧生成回路６００とを含む信号供給部は、制御回路４００の制御に従って、フレームレートに応じて信号電圧Ｖｓｉｇを調整する。より具体的には、図７に示されるように、発光装置ＥＱＰに入力された画像データに対する信号電圧を６０Ｈｚ駆動の場合の信号電圧Ｖｓｉｇから、３０Ｈｚ駆動の場合、信号電圧Ｖｓｉｇ’に変更する。信号電圧Ｖｓｉｇ’は、信号電圧Ｖｓｉｇよりも低い値に設定されている。本実施形態において、選択されたフレームレートが低いほど、信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを下げるように調節している。つまり、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、第１フレームレートよりも画像データに応じた信号電圧Ｖｓｉｇに対するオフセット量を増加させているといえる。また、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、第１フレームレートの場合よりも発光素子１１０が高い輝度で発光するように調整するともいえる。これによって、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度がフレームレートによって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって画質が低下してしまうことを抑制可能となる。

本実施形態では、選択されたフレームレートが低いほど信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを下げているが、これに限られるものではない。発光装置ＥＱＰの動作シーケンスによっては、フレームレートが低くなるほど、信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを上げる場合もありうる。何れの場合であっても、選択されたフレームレートに応じて信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを適切に変更することによって、輝度特性を維持するようにしている。

本実施形態では、信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを制御する制御回路４００が、発光装置ＥＱＰ内に配されている例を示すが、発光装置ＥＱＰは、これに限定されることはない。例えば、発光装置ＥＱＰが表示部として他の装置に備えられる場合、制御回路４００は、発光装置ＥＱＰの外部に配されていてもよい。

第２実施形態
フレームレートに応じた輝度のより具体的な調整方法について、発光装置ＥＱＰの第２実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

図８は、本実施形態における発光装置ＥＱＰの構成例を示す概略図である。図１の発光装置ＥＱＰに対して、発光装置ＥＱＰに供給される画像データを補正するための補正部を構成する補正回路８０００が追加されている。補正回路８０００は、フレームレート設定部とフレームレートに応じた補正値を記憶するテーブルメモリ（補正値メモリ）によって構成される。テーブルメモリは、異なるフレームレートと補正値との対応関係を格納し、フレームレート設定部に設定されたフレームレートに対応する補正値をデータ処理回路５００へ出力し表示設定を行う。

具体的な表示設定として、例えばコントラストやブライトの設定があげられる。発光装置ＥＱＰの外部から入力される画像データは、データ処理回路５００によってガンマ補正、コントラスト調整、ブライト調整などのデジタル信号処理が行われる。ここで、本実施形態において、補正回路８０００およびデータ処理回路５００は、補正部を構成している。補正部のうち補正回路８０００は、フレームレートに応じた補正値を記憶するテーブルメモリ補正値メモリを含み、補正部のうちデータ処理回路５００は、フレームレートに応じて、画像データに補正値を適用する、といえる。また、上述の信号供給部は、補正回路８０００およびデータ処理回路５００を含む補正部を、さらに含んでいるといえる。

デジタル信号処理された画像データが、信号出力回路３００によってデジタルアナログ変換され、信号電圧Ｖｓｉｇが画素１０１の駆動トランジスタ１１２のゲート電極に書き込まれる。すなわち、コントラストまたはブライトをテーブルメモリの補正値に応じて調整することによって、信号電圧Ｖｓｉｇの調整が行える。例えば、補正部（補正回路８０００およびデータ処理回路５００）は、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、第１フレームレートの場合よりも画像データの輝度を高い輝度に補正してもよい。

本実施形態においても、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度がフレームレートによって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって画質が低下してしまうことを抑制可能となる。

第３実施形態
フレームレートに応じた輝度のより具体的な調整方法について、発光装置ＥＱＰの第３実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第１、２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

上述の第２実施形態において説明した調整方法では、デジタル信号処理で画像データの補正を行うため、発光装置ＥＱＰが表現できる階調数が制限されてしまう。例えば、１０２４階調で表現していた画像データにおいて、コントラストを２倍にすれば５１２階調でしか表現できなくなる。そこで、本実施形態において、信号電圧Ｖｓｉｇをアナログ電圧によって調整することによって、階調数の制限を解消できる。

具体的には、参照電圧生成部である参照電圧生成回路６００は、画像データの階調数に応じた複数の参照電圧Ｖｒｅｆを生成し、出力部を構成する列ＤＡＣ回路３０２に供給する。列ＤＡＣ回路３０２は、画像データをアナログの電圧に変換し、信号電圧Ｖｓｉｇとして出力部を構成する列ドライバ回路３０３を介して信号線３１０に供給する。つまり、参照電圧生成回路６００のアナログの参照電圧Ｖｒｅｆを調整することによって、信号電圧Ｖｓｉｇを調整できる。

上述のように、参照電圧生成回路６００は、電圧Ｖ１と、電圧Ｖ１よりも発光素子１１０の輝度が低い電圧Ｖ２と、の間の電圧範囲で複数の参照電圧を生成する。例えば、１０２４階調の表示を行う場合、参照電圧生成回路６００は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲を１０２４分割した電圧を、それぞれの参照電圧Ｖｒｅｆとして生成する。フレームレートに応じて輝度を調整する場合、例えば、電圧Ｖ１のみが調整されてもよい。例えば、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、第１フレームレートの場合よりも電圧Ｖ１を発光素子１１０が高い輝度で発光する電圧に変更してもよい。しかし、電圧Ｖ１のみを調整する場合、発光装置ＥＱＰのガンマ特性が崩れるため、電圧Ｖ１だけでなく、電圧Ｖ２が同時に調整されてもよい。例えば、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、第１フレームレートの場合よりも電圧Ｖ２を発光素子１１０が高い輝度で発光する電圧に変更してもよい。このとき、例えば、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との電圧範囲が、異なるフレームレートの場合でも同じ大きさとしてもよいし、異なる大きさとしてもよい。発光素子１１０の発光特性に応じて、適宜設定すればよい。

例えば、発光装置ＥＱＰは、フレームレートと、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲と、の関係を記憶した電圧値メモリを含んでいてもよい。電圧値メモリは、例えば、図７に示される補正回路８０００に配されていてもよいし、制御回路４００に配されていてもよいし、独立して配されていてもよい。参照電圧生成部を構成する参照電圧生成回路６００は、電圧値メモリに記憶された関係に基づいて、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲を調整してもよい。

本実施形態においても、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度がフレームレートによって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって画質が低下してしまうことを抑制可能となる。さらに、本実施形態に示される構成を用いることで、上述の第２実施形態と比較して表現できる階調数を減らすことなく、フレームレートに依存した輝度変化を低減することができる。

第４実施形態
上述の各実施形態において、画像を表示する際のフレームレートの変化によって輝度が変化してしまうことについて説明した。しかしながら、同じフレームレートであっても、発光装置ＥＱＰのチップの温度が変化した場合であっても、書込みトランジスタ１１３の単位時間あたりのリーク電流量が変化するため、容量素子１０９が保持する平均電位が変化し、輝度に変化が生じてしまう。発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じた輝度の具体的な調整方法について、発光装置ＥＱＰの第４実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第１〜３実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

図９は、発光装置ＥＱＰの輝度を表す信号電圧Ｖｓｉｇと発光素子１１０の実際の輝度Ｌとの関係（Ｖ−Ｌ特性）を示すグラフである。横軸に輝度信号電圧Ｖｓｉｇをとり、縦軸に輝度Ｌをとる。パラメータとして発光装置ＥＱＰのチップの温度が４０度の場合と８０度の場合とが、記載されている。図９から明らかなように、同じ輝度Ｌを得る場合であっても、信号電圧Ｖｓｉｇは、４０度の場合の方が８０度の場合よりも大きい。このように、発光装置ＥＱＰの温度が変化した場合、何ら対策を施さないと発光装置ＥＱＰのＶ−Ｌ特性が異なってしまい、同じ信号電圧Ｖｓｉｇを与えた場合、画面輝度にズレが生じてしまう。発光装置ＥＱＰの温度の変化によるＶ−Ｌ特性の変化を小さくするために、書込みトランジスタ１１３のリーク電流の低減や画素１０１の容量素子１０９の増加が考えられる。しかしながら、発光装置ＥＱＰにおいて画素１０１のサイズは年々微細化されており、Ｖ−Ｌ特性の変化の改善は難度が高く、また、開発コストの増加を招きうる。

図１０は、本実施形態における発光装置ＥＱＰを動作させる際のタイミング図である。理解を容易にするため、図５に示したタイミング図と同様の表記をとってある。図１０には、図５のフレームレート６０Ｈｚ、温度４０度で駆動した場合に加えて、フレームレート６０Ｈｚ、温度８０度で駆動した場合のタイミングが示されている。

温度が８０度の場合、温度が４０度の場合よりも書込みトランジスタ１１３のリーク電流量が大きくなるため、容量素子１０９が保持するゲート電圧の変化量が大きくなる。そのため、平均輝度を合わせるために、信号出力回路３００と参照電圧生成回路６００とを含む信号供給部は、制御回路４００の制御に従って、温度に応じて信号電圧Ｖｓｉｇを調整する。より具体的には、図１０に示されるように、発光装置ＥＱＰに入力された画像データに対する信号電圧を発光装置ＥＱＰの温度が４０度の場合の信号電圧Ｖｓｉｇから、８０度の場合、信号電圧Ｖｓｉｇ’に変更する。信号電圧Ｖｓｉｇ’は、信号電圧Ｖｓｉｇよりも低い値に設定されている。本実施形態において、発光装置ＥＱＰの温度が高いほど、信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを下げるように調節している。つまり、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、第１温度よりも画像データに応じた信号電圧Ｖｓｉｇに対するオフセット量を増加させているといえる。また、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、第１温度の場合よりも発光素子１１０が高い輝度で発光するように調整するともいえる。これによって、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度が発光装置ＥＱＰの温度によって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって温度が変化し、画質が低下してしまうことを抑制可能となる。

容量素子１０９に保持される駆動トランジスタ１１２のゲート電圧Ｖｇは、基準電圧Ｖ０と信号電圧Ｖｓｉｇとの電位関係によって決定される。そのため、発光装置ＥＱＰの温度に対して基準電圧Ｖ０を調整しても、同様の効果が得られる。このため、基準電圧Ｖ０および信号電圧Ｖｓｉｇを適宜、調整する電圧として選択することができる。本実施形態では温度が高いほど信号電圧Ｖｓｉｇのレベルを下げているが、本実施形態はこれに限られるものではない。温度に応じて輝度信号電圧のレベルを適切に変更することで、発光装置ＥＱＰの輝度特性が維持されるようにすればよい。

第５実施形態
発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じた輝度のより具体的な調整方法について、発光装置ＥＱＰの第５実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第４実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

図８は、本実施形態における発光装置ＥＱＰの構成例を示す概略図である。図１の発光装置ＥＱＰに対して、発光装置ＥＱＰに供給される画像データを補正するための補正部を構成する補正回路８０００が追加されている。補正回路８０００は、発光装置ＥＱＰの温度を測定するための温度測定部と発光装置ＥＱＰの温度に応じた補正値を記憶するテーブルメモリ（補正値メモリ）によって構成される。テーブルメモリは、発光装置ＥＱＰの温度と補正値との対応関係を格納し、温度測定部によって測定された温度に対応する補正値をデータ処理回路５００へ出力し表示設定を行う。本実施形態において、温度測定部は、補正回路８０００に配されているとして説明するが、これに限られることはない。発光装置ＥＱＰの温度と発光素子１１０の輝度との関係が得られれば、温度測定部は、発光装置ＥＱＰの適当な位置に配することができる。

具体的な表示設定として、例えばコントラストやブライトの設定があげられる。発光装置ＥＱＰの外部から入力される画像データは、データ処理回路５００によってガンマ補正、コントラスト調整、ブライト調整などのデジタル信号処理が行われる。ここで、本実施形態において、補正回路８０００およびデータ処理回路５００は、補正部を構成している。補正部のうち補正回路８０００は、発光装置ＥＱＰの温度に応じた補正値を記憶するテーブルメモリ補正値メモリを含み、補正部のうちデータ処理回路５００は、発光装置ＥＱＰの温度に応じて、画像データに補正値を適用する、といえる。また、上述の信号供給部は、補正回路８０００およびデータ処理回路５００を含む補正部を、さらに含んでいるといえる。

デジタル信号処理された画像データが、信号出力回路３００によってデジタルアナログ変換され、信号電圧Ｖｓｉｇが画素１０１の駆動トランジスタ１１２のゲート電極に書き込まれる。すなわち、コントラストまたはブライトをテーブルメモリの補正値に応じて調整することによって、信号電圧Ｖｓｉｇの調整が行える。例えば、補正部（補正回路８０００およびデータ処理回路５００）は、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、第１温度の場合よりも画像データの輝度を高い輝度に補正しうる。

本実施形態においても、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度が発光装置ＥＱＰの温度によって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって温度が変化し、画質が低下してしまうことを抑制可能となる。

第６実施形態
発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じた輝度のより具体的な調整方法について、発光装置ＥＱＰの第６実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第４、５実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

上述の第５実施形態において説明した調整方法では、デジタル信号処理で画像データの補正を行うため、発光装置ＥＱＰが表現できる階調数が制限されてしまう。例えば、１０２４階調で表現していた画像データにおいて、コントラストを２倍にすれば５１２階調でしか表現できなくなる。そこで、本実施形態において、信号電圧Ｖｓｉｇをアナログ電圧によって調整することによって、階調数の制限を解消できる。

上述のように、参照電圧生成回路６００は、電圧Ｖ１と、電圧Ｖ１よりも発光素子１１０の輝度が低い電圧Ｖ２と、の間の電圧範囲で複数の参照電圧を生成する。例えば、１０２４階調の表示を行う場合、参照電圧生成回路６００は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲を１０２４分割した電圧を、それぞれの参照電圧Ｖｒｅｆとして生成する。発光装置ＥＱＰの温度に応じて輝度を調整する場合、電圧Ｖ１のみが調整されてもよい。例えば、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、第１温度の場合よりも電圧Ｖ１を発光素子１１０が高い輝度で発光する電圧に変更してもよい。しかし、電圧Ｖ１のみを調整する場合、発光装置ＥＱＰのガンマ特性が崩れるため、電圧Ｖ１だけでなく、電圧Ｖ２が同時に調整されてもよい。例えば、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、第１温度の場合よりも電圧Ｖ２を発光素子１１０が高い輝度で発光する電圧に変更してもよい。このとき、例えば、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との電圧範囲が、異なる温度の場合でも同じ大きさとしてもよいし、異なる大きさとしてもよい。発光素子１１０の発光特性に応じて、適宜設定すればよい。

例えば、発光装置ＥＱＰは、発光装置ＥＱＰの温度と、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲と、の関係を記憶した電圧値メモリを含んでいてもよい。電圧値メモリは、例えば、図７に示される補正回路８０００に配されていてもよいし、制御回路４００に配されていてもよいし、独立して配されていてもよい。参照電圧生成部を構成する参照電圧生成回路６００は、電圧値メモリに記憶された関係に基づいて、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との間の電圧範囲を調整してもよい。

本実施形態においても、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度がフレームレートによって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって温度が変化し、画質が低下してしまうことを抑制可能となる。さらに、本実施形態に示される構成を用いることで、上述の第５実施形態と比較して表現できる階調数を減らすことなく、発光装置ＥＱＰの温度に依存した輝度変化を低減することができる。

上述の第１〜３実施形態では、画像を表示する際のフレームレートの変化に応じて信号電圧Ｖｓｉｇを変化させ、第３〜６実施形態では、発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じて信号電圧Ｖｓｉｇを変化させることを説明した。しかしながら、これに限られることはなく、フレームレートの変化と発光装置ＥＱＰの温度の変化との両方に応じて、信号電圧Ｖｓｉｇを変化させてもよい。つまり、上述の第１〜３実施形態と第３〜６実施形態とが、適宜組み合わされてもよい。

第７実施形態
画像を表示する際のフレームレートおよび発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じて輝度を調整するために書込みトランジスタ１１３のオフ状態におけるリーク電流を推定する回路を含む発光装置ＥＱＰについて、第６実施形態として以下に説明する。ここでは、上述の第１〜６実施形態と異なる点を中心に説明し、同様であってもよい点については、説明を省略する。

図８は、本実施形態に関する発光装置ＥＱＰの構成例を示す概略図である。図１の発光装置ＥＱＰに対して、発光装置ＥＱＰに供給される画像データを補正するための補正部を構成する補正回路８０００が追加されている。補正回路８０００は、書込みトランジスタ１１３のオフ状態におけるリーク電流を推定するためのリーク電流推定回路を含む。

リーク電流推定回路は、例えば、リーク電流推定用トランジスタ、電流積分回路、ＡＤＣから構成される。リーク電流推定用トランジスタは、書込みトランジスタ１１３と同じ平面レイアウトかつ同じ電位関係であってもよい。リーク電流推定用トランジスタをオフ状態にし、主端子を電流積分回路の入力に接続する。電流積分回路は制御回路４００によって、１フレームで積分動作が終了するように制御される。電流積分回路の出力はＡＤＣに接続されＡＤ変換される。１フレーム期間中のリーク電流推定用トランジスタのオフ時のリーク電流を積分回路によって積分するため、リーク電流推定回路の出力によって、画素１０１の書込みトランジスタ１１３のリーク電流の大きさを推定することができる。信号供給部は、リーク電流推定用トランジスタを動作させた際のリーク電流推定用トランジスタのリーク電流に応じて、信号電圧を調整する。信号電圧を調整する方法は、上述の第２、５実施形態のように、補正回路８０００がリーク電流推定回路によって推定されたリーク電流量に応じた補正値を記憶するテーブルメモリ（補正値メモリ）を含み、画像データをデータ処理回路５００で補正してもよい。また、第３、６実施形態のように、リーク電流推定回路によって推定されたリーク電流量に応じて、参照電圧生成回路６００が生成する参照電圧Ｖｒｅｆを変化させてもよい。リーク電流推定用トランジスタは温度およびフレームレートに応じてリーク電流の積分量が変化するため、リーク電流推定回路の出力を用いることで画像を表示する際のフレームレートおよび発光装置ＥＱＰの温度の変化に応じた信号電圧Ｖｓｉｇの設定を行うことが可能となる。

本実施形態においても、書込みトランジスタ１１３のリーク電流によって、画像を表示する際の輝度が発光装置ＥＱＰの温度によって変化することを抑制できる。結果として、発光装置ＥＱＰにおいて、発光装置ＥＱＰを動作させる際の動作条件や使用環境によって温度が変化し、画質が低下してしまうことを抑制可能となる。さらに、上述の各実施形態は、画像を表示する際のフレームレート、または、発光装置ＥＱＰの温度のパラメータから、それぞれ補正値を推定する必要がある。一方、本実施形態の構成によって、画像を表示する際のフレームレート、および、発光装置ＥＱＰの温度に応じたトランジスタのリーク電流量の変化が測定によって得られるため、より正確な補正を行うことが可能となる。また、上述の第１〜６実施形態と本実施形態とが、適宜、組み合わされてもよい。

以上のような発光装置ＥＱＰは、種々の電子機器に組み込まれうる。そのような電子機器としては、例えば、カメラ、コンピュータ、携帯端末、車載表示装置などを挙げることができる。電子機器は、例えば、発光装置ＥＱＰと、発光装置ＥＱＰの駆動を制御する制御部とを含みうる。

ここでは、上述の発光装置ＥＱＰをデジタルカメラの表示部に適用した実施形態について図１１を用いて説明する。レンズ部１５０１は被写体の光学像を撮像素子１５０５に結像させる撮像光学系であり、フォーカスレンズや変倍レンズ、絞りなどを有している。レンズ部１５０１におけるフォーカスレンズ位置、変倍レンズ位置、絞りの開口径などの駆動はレンズ駆動装置１５０２を通じて制御部１５０９によって制御される。

メカニカルシャッタ１５０３はレンズ部１５０１と撮像素子１５０５の間に配置され、駆動はシャッタ駆動装置１５０４を通じて制御部１５０９によって制御される。撮像素子１５０５は複数の画素によってレンズ部１５０１で結像された光学像を画像信号に変換する。信号処理部１５０６は撮像素子１５０５から出力される画像信号にＡ／Ｄ変換、デモザイク処理、ホワイトバランス調整処理、符号化処理などを行う。

タイミング発生部１５０７は撮像素子１５０５および信号処理部１５０６に、各種タイミング信号を出力する。制御部１５０９は、例えばメモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ）とマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）を有し、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭにロードしてＣＰＵが実行して各部を制御することによって、デジタルカメラの各種機能を実現する。制御部１５０９が実現する機能には、自動焦点検出（ＡＦ）や自動露出制御（ＡＥ）が含まれる。

メモリ部１５０８は、制御部１５０９や信号処理部１５０６が画像データを一時的に記憶したり、作業領域として用いたりする。媒体Ｉ／Ｆ部１５１０は例えば着脱可能なメモリカードである記録媒体１５１１を読み書きするためのインタフェースである。表示部１５１２は、撮影した画像やデジタルカメラの各種情報を表示する。表示部１５１２には、上述の発光装置ＥＱＰが適用できる。表示部１５１２としてデジタルカメラに搭載された発光装置ＥＱＰは、制御部１５０９によって駆動され、画像や各種情報を表示する。操作部１５１３は電源スイッチ、レリーズボタン、メニューボタンなど、ユーザがデジタルカメラに指示や設定を行うためのユーザインタフェースである。

次いで、撮影時のデジタルカメラの動作について説明する。電源がオンされると、撮影スタンバイ状態となる。制御部１５０９は、表示部１５１２（発光装置ＥＱＰ）を電子ビューファインダーとして動作させるための動画撮影処理および表示処理を開始する。撮影スタンバイ状態において撮影準備指示（例えば操作部１５１３のレリーズボタンの半押し）が入力されると、制御部１５０９は焦点検出処理を開始する。

そして、制御部１５０９は得られたデフォーカス量と方向とから、レンズ部１５０１のフォーカスレンズの移動量および移動方向を求め、レンズ駆動装置１５０２を通じてフォーカスレンズを駆動し、撮像光学系の焦点を調節する。駆動後、必要に応じてコントラスト評価値に基づく焦点検出をさらに行ってフォーカスレンズ位置を微調整しても良い。

その後、撮影開始指示（例えばレリーズボタンの全押し）が入力されると、制御部１５０９は記録用の撮影動作を実行し、得られた画像データを信号処理部１５０６で処理し、メモリ部１５０８に記憶する。そして、制御部１５０９はメモリ部１５０８に記憶した画像データを、媒体Ｉ／Ｆ部１５１０を通じて記録媒体１５１１に記録する。また、このとき制御部１５０９は、撮影した画像を表示するように、表示部１５１２（発光装置ＥＱＰ）を駆動してもよい。また、制御部１５０９は、図示しない外部Ｉ／Ｆ部から画像データをコンピュータ等の外部装置に出力してもよい。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０１：画素、１１０：発光素子、ＥＱＰ：発光装置

Claims

それぞれ発光素子を含む複数の画素と、入力された画像データに応じた信号電圧を前記複数の画素のそれぞれに供給する信号供給部と、を含む発光装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、前記発光素子に流れる電流量を制御する第１トランジスタと、前記信号電圧が供給される信号線と前記第１トランジスタのゲート電極との間に配され、オン状態において前記信号電圧を前記ゲート電極に書込む第２トランジスタと、をさらに含み、
前記信号供給部は、フレームレートに応じて前記信号電圧を調整することを特徴とする発光装置。
前記信号供給部は、第１フレームレートよりもフレームレートが低い第２フレームレートの場合、前記第１フレームレートの場合よりも前記画像データに応じた前記信号電圧に対するオフセット量を増加させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記信号供給部は、前記第２フレームレートの場合、前記第１フレームレートの場合よりも前記発光素子が高い輝度で発光するように調整することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
前記信号供給部は、前記画像データの階調数に応じた複数の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、前記画像データに応じて前記複数の参照電圧のうち１つの参照電圧を前記信号電圧として前記信号線に出力するための出力部と、を含み、
前記参照電圧生成部は、
第１電圧と前記第１電圧よりも前記発光素子の輝度が低い第２電圧との間の電圧範囲で前記複数の参照電圧を生成し、
前記第２フレームレートの場合、前記第１フレームレートの場合よりも前記第１電圧を前記発光素子が高い輝度で発光する電圧に変更することを特徴とする請求項２または３に記載の発光装置。
前記参照電圧生成部は、前記第２フレームレートの場合、前記第１フレームレートの場合よりも前記第２電圧を前記発光素子が高い輝度で発光する電圧に変更することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
前記発光装置は、フレームレートと前記電圧範囲との関係を記憶した電圧値メモリをさらに含み、
前記参照電圧生成部は、前記関係に基づいて、前記電圧範囲を調整することを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。
前記信号供給部は、前記画像データを補正するための補正部をさらに含み、
前記補正部は、前記第２フレームレートの場合、前記第１フレームレートの場合よりも前記画像データの輝度を高い輝度に補正することを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載の発光装置。
前記補正部は、フレームレートに応じた補正値を記憶する補正値メモリを含み、フレームレートに応じて、前記画像データに前記補正値を適用することを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
前記信号供給部は、
前記発光装置の温度に応じて、前記信号電圧を調整し、
第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記発光素子が高い輝度で発光する電圧に前記信号電圧を調整することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の発光装置。
前記発光装置が、前記第２トランジスタのオフ状態におけるリーク電流を推定するための第３トランジスタをさらに含み、
前記信号供給部は、前記第３トランジスタを動作させた際の前記第３トランジスタのリーク電流に応じて、前記信号電圧を調整することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の発光装置。
それぞれ発光素子を含む複数の画素と、入力された画像データに応じた信号電圧を前記複数の画素のそれぞれに供給する信号供給部と、を含む発光装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、前記発光素子に流れる電流量を制御する第１トランジスタと、前記信号電圧が供給される信号線と前記第１トランジスタのゲート電極との間に配され、オン状態において前記信号電圧を前記ゲート電極に書込む第２トランジスタと、をさらに含み、
前記信号供給部は、前記発光装置の温度に応じて前記信号電圧を調整し、第１温度よりも温度が高い第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記画像データに応じた前記信号電圧に対するオフセット量を増加させることを特徴とする発光装置。
前記信号供給部は、前記第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記発光素子が高い輝度で発光するように調整することを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
前記発光装置が、前記発光装置の温度を測定するための温度測定部をさらに含むことを特徴とする請求項９、１１、１２の何れか１項に記載の発光装置。
前記信号供給部は、前記画像データの階調数に応じた複数の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、前記画像データに応じて前記複数の参照電圧のうち１つの参照電圧を前記信号電圧として前記信号線に出力するための出力部と、を含み、
前記参照電圧生成部は、
第１電圧と前記第１電圧よりも前記発光素子の輝度が低い第２電圧との間の電圧範囲で前記複数の参照電圧を生成し、
前記第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記第１電圧を前記発光素子が高い輝度で発光する電圧に変更することを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置。
前記参照電圧生成部は、前記第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記第２電圧を前記発光素子が高い輝度で発光する電圧に変更することを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。
前記発光装置は、前記発光装置の温度と前記電圧範囲との関係を記憶した電圧値メモリをさらに含み、
前記参照電圧生成部は、前記関係に基づいて、前記電圧範囲を調整することを特徴とする請求項１４または１５に記載の発光装置。
前記信号供給部は、前記画像データを補正するための補正部をさらに含み、
前記補正部は、前記第２温度の場合、前記第１温度の場合よりも前記画像データの輝度を高い輝度に補正することを特徴とする請求項１１乃至１６の何れか１項に記載の発光装置。
前記補正部は、前記発光装置の温度に応じた補正値を記憶する補正値メモリを含み、前記発光装置の温度に応じて、前記画像データに前記補正値を適用することを特徴とする請求項１７に記載の発光装置。
それぞれ発光素子を含む複数の画素と、入力された画像データに応じた信号電圧を前記複数の画素のそれぞれに供給する信号供給部と、を含む発光装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、前記発光素子に流れる電流量を制御する第１トランジスタと、前記信号電圧が供給される信号線と前記第１トランジスタのゲート電極との間に配され、オン状態において前記信号電圧を前記ゲート電極に書込む第２トランジスタと、をさらに含み、
前記発光装置が、前記第２トランジスタのオフ状態におけるリーク電流を推定するための第３トランジスタをさらに含み、
前記信号供給部は、前記第３トランジスタを動作させた際の前記第３トランジスタのリーク電流に応じて、前記信号電圧を調整することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至１９の何れか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置の駆動を制御する制御部と、
を含む電子機器。