TWI463466B - 主動矩陣型顯示裝置 - Google Patents

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Description

主動矩陣型顯示裝置
本發明係關於有機電致發光(organic electroluminescence)(EL)元件之主動矩陣型之自發光顯示裝置(self-emissive display device)。更詳言之，係關於可以對發光元件供給因應於顯示資料的適切亮度的色階顯示(tone of luminance)的電流之主動矩陣型顯示裝置。
在使用有機電致發光材料或無機EL材料作為光電變換物質(electro-optic materials)之影像顯示裝置，因應於被寫入畫素的電流而改變在光電變換物質之發光亮度(luminance of emitted light)。EL顯示面板，係於各畫素具有發光元件(emissive element)之自發光型(self emissive type)之顯示面板。EL顯示面板，與液晶顯示面板相比，具有反應速度快，反應速度之溫度依存性小，色再現區域寬廣、自發光之視角(viewing angle)寬廣、視覺確認性或發光效率很高、可以提高對比等優點。
有機EL顯示器，與液晶顯示器同樣，以點矩陣方式驅動。然而，有機EL顯示器，各發光元件的亮度藉由流過的電流值來控制，亦即有機EL元件係電流控制型，與各胞為電壓控制型之液晶顯示器大不相同。於點矩陣方式之驅動，基本上顯示資料於選擇期間被寫入，其後可以大致分為以被寫入之值驅動的主動矩陣(active matrix)驅動，及僅選擇期間以顯示資料驅動之被動矩陣驅動。主動矩陣方式之有機EL顯示面板的基本電路係屬習知。
圖7係顯示這樣之1畫素之等價電路之一例，於單點虛線內顯示畫素電路10。此畫素電路10，係由發光元件之EL元件11、第1電晶體(驅動用電晶體)12、第2電晶體(開關用電晶體)13以及蓄積電容(電容器)14所構成。發光元件11係有機電致發光(EL)元件。
驅動畫素電路10之驅動器電路，雖未圖示，但輸出以對應於影像訊號的電壓強弱來顯示的訊號，與驅動矩陣的液晶顯示面板的驅動電路在構成上類似。然而，如前所述，有機EL顯示面板之驅動，係驅動電流控制型之有機EL元件這一點，與電壓控制型之液晶顯示面板的場合不同。
於圖7，由驅動器電路，對應於影像訊號的電壓訊號被施加至源極訊號線15。閘極訊號線16(掃描線)成為選擇狀態時，電晶體13導通，被施加至源極訊號線15的電壓訊號被保持於電容器14而被寫入。閘極訊號線16(掃描線)成為非選擇狀態，電晶體12的閘極電位也藉由電容器14而被保持安定。有機EL11在到下一次被寫入為止，係以對應於藉由被寫入的閘極電位所決定的電流之亮度繼續發光。
以後，把對顯示於圖7的EL元件11供給電流的電晶體12稱為驅動用電晶體，如圖7所示的電晶體13那樣作為選擇矩陣內的元件之開關而動作的電晶體稱為開關用電晶體。
主動矩陣方式之有機EL顯示面板，使用低溫多晶矽、或者非晶矽所構成的電晶體構成面板。但是這些電晶體，由於種種原因，要形成為具有一樣的特性是困難的，特性上產生無法忽視的差異的情況相當地多。有機EL元件於這些電晶體特性如果有差異的話，特別是在驅動用電晶體的特性存在著差異的話，即使以同樣方式驅動驅動用電晶體，也不會以相同的亮度發光。同一面板內之驅動用電晶體特性的差異，會在面板內產生顯示不均。
圖7係電壓程式方式之驅動各畫素的畫素電路的基本構成。又，作為電壓程式方式，係指把以電壓的大小或強弱所示的影像訊號等電壓訊號施加至資料訊號線、源極訊號線或者畫素等，以畫素電路之驅動用電晶體等將電壓訊號變換為電流訊號而驅動EL元件的方法。
電流程式方式，係指把以電流的大小或強弱所示之影像訊號等之電流訊號施加至資料訊號線、源極訊號線或者畫素等，把約略比例於施加的電流訊號之電流訊號或者對施加的電流進行特定的變換處理後之電流訊號直接地或是間接地施加至EL元件的構成或者是電路或者是驅動方法。
在圖示於圖7的畫素構成，電晶體13係以備稱為開關電晶體的方式進行開關動作。亦即，此電晶體的差異，對全體的特性比較沒有影響。但是，被稱為驅動用電晶體的電晶體12，輸入以電壓的強弱顯示的影像訊號，變換為電流訊號，驅動EL元件。亦即，驅動用電晶體12係進行類比動作。亦即，驅動用電晶體12若存在著差異，被變換的電流訊號也會產生差異。通常，電晶體12的特性有50%以上的差異。
但是，電壓程式方式，於低色階區域、高色階區域之任一區域，源極訊號線等之充放電能力都很高，幾乎不會發生由於寫入不足導致的顯示不均的發生。
另一方面，前述電晶體之特性差異導致的顯示不均，可以藉由採用電流程式方式的構成來減低。但是，電流程式方式，在低色階區域之驅動電流很小，會有因為源極訊號線15的寄生電容而無法良好地驅動的課題。
為了解決此刻題，於專利文獻1，揭示著活用前述電流程式與電壓程式之特長，同時並用兩種方式之方法。此外，於專利文獻2，揭示著測定驅動各EL元件的電晶體的臨界值電壓(以後，把對於色階顯示沒有影響的輸入電壓稱為臨界值電壓)，於各EL元件予以記憶。此處，記憶下來的臨界值，使用於供產生因應於顯示資料的色階執行電壓，產生的色階執行電壓，被施加於驅動各EL元件的電晶體。
又，此臨界值電壓，可以稱為是對於驅動電晶體之閘極電壓與發光亮度之相關關係，使比例於色階資料的電壓偏移(shift)，使發光亮度對色階資料之關係成為線型關係之偏移電壓。
[專利文獻1]日本專利特開2007-179036號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-301250號公報
然而，在前述之方法，並沒有辦法完全補償電晶體的特性之臨界值電壓(以下稱為Vth)以及電子移動度(electron mobility)之初期的差異，以及這些之經時變動(fluctuation over time)。圖8顯示非晶矽(amorphous silicon)所構成的電晶體之例，模式顯示此2特性之經時變動。此電晶體的場合，隨著驅動時間的經過而內部劣化(internal deterioration)，Vth在圖中由Vthi上升至Vthn，電子移動度由αi降低至αn。亦即，使色階訊號之Vdata成為一定的驅動電流，由Idi降低至Idn，亦即，比例於此降低，亮度也跟著降低。這樣的驅動用電晶體之特性變化，隨著矩陣內之各電晶體而不同，結果，即使施以消除初期亮度不均(initial non-uniformity of display brightness)的對策，也會隨著時間的經過而開始在顯示面產生亮度不均。又，針對初期差異，把在圖8顯示之時變動的特性置換為初期之各個電晶體的特性的話，同樣地能夠與初期亮度不均的產生賦予相關性。
進而，前述之電子移動度(μ)與其他特性之間，在CMOS的場合，有著μ=2LIds /WCi (Vg-Vth)2 之關係。此處，L為通道長，Ids為飽和區域之汲極電流值，W為通道寬幅，Ci為閘極絕緣膜之每單位面積之電容，Vg為閘極電壓，Vth為臨界值電壓。亦即，可以理解電子移動度之變動，會使節點電流變化對電晶體的特性，特別是對閘極電壓變化之比，造成很大的影響。
亦即，本發明，考慮到前述從前的課題，目的在於提供與從前相比可以減低顯示裝置之畫素電路的驅動用電晶體之初期差異以及經時變動導致的亮度不均之顯示裝置。
為了達成這樣的目的，申請專利範圍第1項之發明，係具備電流控制型之複數發光元件，及輸入包含色階訊號的電壓而對前述發光元件供給電流之複數畫素電路被形成矩陣狀之主動矩陣型顯示裝置，具備：具有可以使比例於流經前述發光元件的電流之輸入電流流動的特性之輸入電路的畫素電路；及測定此畫素電路的特性之測定電路。此測定電路，其係包含能夠產生1以上之定電流而供給至複數之前述畫素電路之各輸入的定電流供給電路，及輸入定電流供給電路的輸出電壓而進行A/D變換之A/D變換器，藉由前述定電流電路往前述各畫素電路之輸入電路以時間分割的方式供給前述1以上之定電流，因應於此供給而執行類比/數位(A/D)變換。此外，此測定電路，輸入被A/D變換的資料執行特定的演算，算出對前述發光元件供給電流的前述畫素電路內的驅動用電晶體之關連於臨界值及電子移動度之資料，使算出之資料記憶於各個畫素電路。進而，此主動矩陣型顯示裝置，具備色階電壓供給電路，其係輸入被輸入至前述顯示裝置之代表色階的資料及來自前述測定電路之關連於前述電子移動度的資料而執行乘算演算，對該乘算結果加上由前述測定電路輸入之前述臨界值使產生對前述畫素電路供給之顯示用電壓，而可以將此供給至前述畫素電路之輸入。
此外，申請專利範圍第2項之發明，係詳細定義申請專利範圍第1項所記載之主動矩陣型顯示裝置之前述測定電路。此測定電路，在由前述定電流供給電路供給第1值之定電流後停止供給，將停止後之前述定電流供給電路之輸出之電壓予以A/D變換作成第1資料而記憶。進而，將供給與前述第1值相等或不同之第2值的定電流之期間之前述定電流供給電路的輸出電壓予以A/D變換作成第2資料而記憶。其次，此測定電路，執行由記憶的前述第1資料算出前述畫素電路之驅動用電晶體之臨界值，由記憶的前述第1與第2資料算出關連於前述驅動用電晶體之電子移動度之資料。
此外，申請專利範圍第3項之發明係記載於申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其中前述第2值之定電流，係對前述驅動用電晶體對應於預先被設定之最大亮度的值之電流。
此外，申請專利範圍第4項之發明，係申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其中特徵為前述畫素電路之輸入電路，具備前述驅動用電晶體之電流反射鏡(current mirror)用電晶體。
此外，申請專利範圍第5項之發明，係申請專利範圍第4項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵為招致前述第1資料的電壓，表示被充電於存在在前述驅動用電晶體的閘極之電容之電壓，透過前述電流反射鏡用電晶體來放電，表示前述電流反射鏡用電晶體之臨界值。
此外，申請專利範圍第6項之發明，係申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置，其中特徵為前述電流反射鏡用電晶體之臨界值，對應於前述畫素電路之驅動用電晶體的臨界值。
此外，申請專利範圍第7項之發明，係申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵為前述畫素電路之輸入電路，具備驅動前述發光元件之電晶體之電流反射鏡用電晶體，招致前述第1資料的電壓，表示被充電於存在在前述畫素電路之驅動用電晶體的閘極的電容之電壓，透過前述電流反射鏡用電晶體來放電後之前述電流反射鏡用電晶體之臨界值。此外，前述第2值之定電流，係對應於對前述驅動用電晶體預先被設定的最大亮度之值的電流，前述第1資料為Vth，第2資料為Vn，表示被輸入至前述顯示裝置的色階的資料之表示最大亮度的資料為Vi的場合，關連於前述電子移動度的資料，係以(Vn-Vth)/Vi來表示。
此外，申請專利範圍第8項之發明，係具備電流控制型之複數發光元件，及輸入包含色階訊號的電壓而對前述發光元件供給電流之複數畫素電路被形成矩陣狀之主動矩陣型顯示裝置，具備：具有可以使比例於流經前述發光元件的電流之輸入電流流動的特性之輸入電路的前述畫素電路；進而具備測定電路、記憶電路及色階電壓供給電路。此處，測定電路，係包含能夠產生1以上之定電流而供給至複數之前述畫素電路之各輸入的定電流供給電路，藉由前述定電流電路往前述各畫素電路之輸入電路以時間分割的方式供給前述1以上之定電流，輸入對應於前述1以上之定電流之定電流供給電路的輸出電壓而可以進行類比/數位(A/D)變換。記憶電路，係把由來自前述測定電路的資料算出之對前述發光元件供給電流的前述畫素電路內的電晶體之關連於臨界值及電子移動度之資料記憶於各個畫素電路。色階電壓供給電路，其係輸入被輸入至前述顯示裝置之代表色階的資料及來自前述測定電路之關連於前述電子移動度的資料而執行乘算演算，對該乘算結果加上由前述測定電路輸入之前述臨界值，使產生對前述畫素電路供給之顯示用電壓，而供給至前述畫素電路之輸入。
此外，申請專利範圍第9項之發明，係具備電流控制型之複數發光元件，及輸入包含色階訊號的電壓而對前述發光元件供給電流之複數畫素電路被形成矩陣狀之主動矩陣型顯示裝置，特徵為具備：具有可以使比例於流經前述發光元件的電流之輸入電流流動的特性之輸入電路的前述畫素電路；進而具備測定電路、色階電壓供給電路。此處，測定電路，係包含能夠產生1以上之定電流而供給至複數之前述畫素電路之各輸入的定電流供給電路，藉由前述定電流電路往前述各畫素電路之輸入電路以時間分割的方式供給前述1以上之定電流，輸入對應於前述1以上之定電流之定電流供給電路的輸出電壓而可以進行類比/數位(A/D)變換。色階電壓供給電路，其係輸入被輸入至前述顯示裝置之代表色階的資料，使產生對前述畫素電路供給之顯示用電壓，而可以供給至前述畫素電路之輸入。此處，表示被輸入至前述顯示裝置的色階的資料，係根據對關連於由來自前述測定電路的資料算出的前述發光元件供給電流的前述畫素電路內之電晶體的臨界值及電子移動度之資料而被補正的資料。
藉由前述之本發明，於顯示裝置，可以因應於畫素電路內之電晶體的臨界值與電子移動度的初期差異，及這些之經時變動，而補正色階電壓，對各畫素電路供給該補正後的電壓，藉此，具有可以使顯示裝置的亮度不均，減低至可以忽視的程度之效果。
圖1係說明根據本發明之主動矩陣型顯示裝置的驅動電路之圖，特別是說明根據本發明之校正階段之圖。源極驅動器IC電路20(上部之單點虛線內)，包含輸出規定的電流之電流源21、AD變換器22、Vth記憶電路24、第1演算及記憶器25、第2演算及記憶器26、乘算器27、加算器28以及色階電壓源29。其中，電流源21的輸出、AD變換器22的輸入以及色階電壓源的輸出，在共通線30為一起，連接於通往有機EL顯示裝置內的各畫素電路之源極訊號線15。這些輸出入係以時間分割的方式被處理。閘極驅動器IC雖未圖示，但具有使行(column)方向之複數畫素電路19依序動作之複數的閘極訊號16。這些，被連接於對應的各畫素電路19。
另一方面，畫素電路19(下部之單點虛線內)，係由發光元件之EL元件11、驅動用電晶體12、開關用電晶體13、電流反射鏡(current mirror)用電晶體17、18以及蓄積電容(電容器)14所構成。此處，電晶體18與12係電流反射鏡(current mirror)之關係。亦即，使閘極電壓相同時，藉由其尺寸(size)電晶體18之Id與電晶體12的Id之比成為一定。尺寸若為相同，流經電晶體18與12的電流成為相同。換句話說，在尺寸相同的場合，透過源極訊號線15流至畫素電路的輸入電路之輸入電流與流至有機EL11之電流成為相同。此外，此畫素電路19之各個被形成於狹窄的區域。因此，於1個畫素電路19內之電晶體，其初期特性沒有可識別的差異，此外經時變動也可以看成是實質上相同。亦即，如果預先判別清楚電晶體的尺寸，則可以由電晶體18的特性來讀取驅動用電晶體12的特性。
又，於乘算器27被輸入了輸入至顯示裝置的顯示資料，但在圖1並未顯示。
此外，對Vth記憶電路24、第2演算與記憶器26之記憶以及讀出，係如後述於各畫素被執行，可以於各畫素讀出，此位址選擇動作，連動於矩陣的驅動而被執行。
以上使用圖1所示之構成說明根據本發明之有機EL顯示裝置之構成例，特別是關連於後述的校正階段之校正例。但是，實際之有機EL顯示裝置，於列(Row)方向與行(Column)方向上，具備複數畫素電路19，形成包含複數源極訊號線以及複數閘極訊號線之矩陣。
其次，說明圖1所示之EL顯示裝置的驅動電路的動作。
本實施型態，有藉由使用電流源讀取電晶體的特性而得到補正值的校正動作，與使用所得到的補正值以電壓源進行色階顯示的動作。首先，由校正動作開始說明。又，以下之說明，係針對1個畫素電路進行說明。在實際的顯示裝置之動作，以下的動作係針對分別的畫素電路被執行。又，在以下，為了簡化說明，係以電晶體18與12具有相同的尺寸來進行說明。
(校正動作)
在圖1顯示參與此校正動作之構成，圖2顯示其時序。此校正動作，對各畫素執行。對一個各畫素之校正動作，可以區分為3個動作循環。
第1循環之動作，係為了讀取驅動電晶體12的臨界值電壓，而讀取電晶體18之臨界值電壓Vth並記憶的動作。此第1循環的動作，在圖2係以(1)預充電期間→(2)Vth記憶期間→(3)Vth讀取期間之時序列來顯示。
此處，(1)之預充電期間，僅由電流源21(色階電壓源為關閉狀態)對畫素電路19提供比通常還大的電流Irefl。亦即，在此期間，電晶體18之閘極變成臨界值電壓以上。(2)之Vth記憶期間，係使記憶Vth之期間，也是以電晶體18之閘極電壓變化為臨界值電壓的方式，使輸入停止的期間。變成臨界值電壓以上的電晶體18隻閘極電壓，於此期間透過電晶體17與18放電。電晶體18的閘極電壓降低至臨界值電壓時，不再由電晶體17與18進行放電，而被維持一定電壓。此電壓自動被記憶於電容器14。此電壓，係不由電晶體17與18進行放電時之電壓，換句話說，成為電晶體18之臨界值電壓。
於此臨界值電壓，施加電晶體17的飽和電壓後之電壓，出現於A/D變換器22之輸入。此處，電晶體17的導通電壓是小到可以忽視的程度，所以不予考慮。(3)之Vth讀取期間，係以A/D變換器22將此臨界值電壓變換為數位值的期間。經過一定時間後，被A/D變換的臨界值之數位值，被記憶於記憶電路24。又，電晶體18與驅動電晶體12，因被形成於同一畫素內所以特性一致，因此可模擬得到驅動電晶體12的特性。亦即，在第1循環，可以讀取驅動電晶體12的臨界值Vth。
第2循環的動作，執行調查關於電子移動度的特性之動作。此動作，讀取使特定的電流流動時之出現於A/D變換器22的輸入之基準電流通電時的電壓Vref而記憶之。此第2循環的動作，在圖2係以(4)Vref寫入期間→(5)Vref讀取期間之時序列來顯示。
(4)之Vref期間，電流源21流過基準之電流Iref2、例如相當於在色階100%時流過有機EL元件的電流之電流。(5)之Vref讀取期間，被維持於(4)的期間之電流，A/D變換器22讀取那個時候的電晶體18之閘極電壓Vg。此電壓，包含為了發生規定電流而與電晶體12的特性相同或者有特定的對應關係之電晶體18的臨界值電壓，與電子移動度的特性。亦即，在第2循環，可以讀取流過相當於色階100%時的電流之閘極電壓Vref。
又，電晶體18的尺寸為驅動用電晶體的1/a的場合，電流Iref2係被熟悉該項技藝者理解為在色階100%時成為流過有機EL元件的電流的1/a。
在圖1，來自電流源21的粗線，顯示來自電流源的電流路徑，虛線顯示以A/D變換器22檢測出實質相同於電晶體18的閘極電壓之電壓。
第3循環，係算出補正係數K，根據在第1循環所求得的Vth與在第2循環所求得的Vref，在第1演算器25執行式(1)，在第2演算器26執行式2，而暫時記住其結果。
△Vn=Vref-Vth‧‧‧‧式(1)
K=(△Vn/△Vi)　‧‧‧‧式(2)
此處，△Vn之值，係對應於顯示當時之該測定的畫素電路的色階位準之0%至100%之電壓的值。此處，△Vi為初期或者基準之電壓，例如色階顯示100%時之必要的資料電壓，係預先被決定的電壓。
說明以第2演算器26求得的係數K。△Vi係初期或基準之電壓，例如係表示色階顯示之100%的亮度位準之資料電壓。然而，實際著眼的電晶體，因初期差異以及經時變動，對應於△Vi之電壓變成△Vn。亦即，求取此差異或者變動部分之係數K，在接下來的設定色階電壓時，以此係數進行補正。圖5係顯示此△Vi與△Vn之關係例之圖。
又，於前述之說明，說明了檢測之值與驅動用電晶體的特性實質上為相同。這些值，即使不實質相等也清楚地有對應關係，針對檢測出的臨界值，也作為對應於驅動用電晶體的特性而可以進行處理。此外，預先判別清楚對應關係的場合，根據該對應關係，設定前述之基準的電流Iref2，可以將所得到的結果之K作為驅動用電晶體之值來對待。
圖5係例如於初期，具有以下側之斜線所示的特性，但N小時以後，顯示具有以上方的斜線所示之特性。此外，表示色階的訊號具有以下側之斜線所示的特性為前提，但實際上應該輸入畫素電路的訊號特性，顯示有必要具有對應於以上方的斜線所示的特性之特性。又，前述之動作，係針對各畫素電路而被執行。
其次，說明以藉電壓源進行色階顯示之被補正的色階來進行顯示的動作。
(色階顯示動作)
圖3係說明輸入色階資料Vdata31，而以被補正的訊號驅動畫素電路之圖。在此動作，各畫素電路僅由色階電壓電源來驅動。圖4係顯示其動作之驅動一畫素之時序。於圖3，以粗線顯示此場合之訊號等的流動。色階資料Vdata，以乘算器27乘算係數K，進而以加算器28加算Vth。此處理如式(2)所示進行數位的處理。結果之數位值，在色階電壓源29(具體而言在DA變換器)被變換為類比值提供給畫素電路19。藉此，此類比值被蓄積於電容器14，藉由被寫入而更新顯示資料。
Vg=K‧Vdata+Vth‧‧‧‧式(3)
此處，Vdata係設定EL顯示裝置的發光亮度(色階)之資料。在色階100%，與前述之△Vi為相同值。於Vth與電子移動度有初期差異以及經時變動的場合，色階電壓Vdata被乘以1以外之補正係數K，進而以反應變化後的Vth的方式補正數位資料。
如此，對色階100%之輸入，以驅動電晶體12之Id成為一定的電流值的方式使閘極電壓Vg改變，所以對色階電壓Vdata之發光亮度的關係變得普遍。其模樣顯示於圖6。此處，模式顯示即使在3個畫素其Vth與電子移動度有初期的差異或者經時變動，各畫素之驅動用電晶體之Vg1至Vg3適宜改變，而色階100%時之驅動電流Id不改變。
亦即，從前起因於達到50%以上的特性差異之亮度不均，基本上消失了，實質上成為演算誤差以下之可以忽視的位準。
以上，根據例示之實施型態說明由畫素電路內的電晶體Vth之讀取開始，求出關係於電子移動度的係數K，以這些資料補正輸入的色階資料，直到以補正的資料驅動各畫素電路為止的基本工程。
然而，即使圖示的實施型態以外之型態，也可以執行本發明之要旨。例如，在作為源極驅動器20而顯示的部分，也可以將相關於本發明的部分之一部分，例如在對此顯示裝置輸出顯示用資料的電腦上執行，而將其結果技藝於顯示裝置內的記憶裝置之構成。亦即，可以使演算部25以及演算部26之演算部份在外部裝置執行，將其結果寫入演算部26的記憶部的方式構成之。在此場合，針對在外部裝置執行的演算，可以藉軟體程式在電腦上執行。
此外，可以藉由前述之電腦來控制前述之校正動作之控制，亦即源極驅動器與閘極驅動器、A/D變換器以及電流源之驅動的控制部等，使其成為藉由電腦的程式，實質上管理校正動作之型態。這樣的型態的場合，可以藉軟體程式管理校正動作，所以例如使用者可以選擇比較花時間的正確的校正，或者可以在短時間內執行的粗略校正。
此外，於這樣的構成使用軟體程式來執行校正動作的場合，可以在算出驅動用電晶體的特性時，對於所得到的測定資料加上微調整而執行處理，而得到最終的結果。例如，所得到的臨界值，可以作為實際的臨界值之某個函數來表示的場合下，可以執行該函數處理而得到所要的臨界值，而將其作為臨界值使用。同時於求取前述之K的場合也可以使用此臨界值。
即使是前述之其他實施型態，A/D變換器22、電流源21、色階電壓源30有必要配置於顯示裝置內部。此外，進而在色階顯示階段，也使用Vth記憶24、演算及記憶26、乘算器27、以及加算器，但此部分不管是在裝置內部或是在外部，均可以執行本發明之要旨。亦即，在顯示裝置外部，可以將補正後的色階資料輸入至色階電壓源30。
又，於圖示之實施型態，將校正階段之各動作之控制，明顯可以在配置於顯示裝置內的專用電腦上執行，或者在專用的硬體上執行，或者是在這些之組合上執行。
最後，前述之電晶體之Vth與K，在短期間內變化微小，所以一旦執行前述之校正動作後，沒有必要在每次使用顯示裝置時執行校正動作。然而，最好還是以一定的時間間隔執行前述之校正動作。或者是在感覺到有亮度不均時，再執行前述之校正動作亦可。
11．．．有機EL元件
12．．．驅動用電晶體
13,17．．．開關電晶體
14．．．電容器
15．．．源極訊號線
16．．．閘極訊號線
18．．．電晶體12之(電流)反射鏡用電晶體
19．．．畫素電路
20．．．源極驅動器
21．．．定電流源
22．．．A/D變換部
24．．．Vth記憶
25．．．第1演算及記憶
26．．．第2演算及記憶
27．．．乘算器
28．．．加算器
29．．．色階電壓源
31．．．色階資料Vdata
圖1係顯示本發明之實施型態之構成，係說明校正階段的動作之圖。
圖2係顯示圖1之校正階段之動作時序圖。
圖3係顯示本發明之實施型態之構成，係說明對應於顯示裝置的輸入訊號顯示色階之動作之圖。
圖4係顯示圖3之顯示階段之動作時序圖。
圖5係顯示電晶體之特性之經時變動的模樣之圖。
圖6係說明本發明之顯示裝置之效果之圖。
圖7係一般的主動矩陣型顯示裝置之1個畫素電路的構成例之圖。
圖8係顯示電晶體之特性之經時變動之變動例之圖。
11．．．有機EL元件
12．．．驅動用電晶體
13,17．．．開關電晶體
14．．．電容器
15．．．源極訊號線
16．．．閘極訊號線
18．．．電晶體12之(電流)反射鏡用電晶體
19．．．畫素電路
20．．．源極驅動器
21．．．定電流源
22．．．A/D變換部
24．．．Vth記憶
25．．．第1演算及記憶
26．．．第2演算及記憶
27．．．乘算器
28．．．加算器
29．．．色階電壓源
30．．．色階電壓源

Claims (8)

  1. 一種主動矩陣型顯示裝置，係電流控制型之複數發光元件，及輸入包含色階訊號的電壓而對前述發光元件供給電流之複數畫素電路被形成矩陣狀之主動矩陣型顯示裝置，其特徵為：前述畫素電路，包含具有可以使比例於流經前述發光元件的電流之輸入電流流動的特性之輸入電路；前述主動矩陣型顯示裝置具備：測定電路，其係包含能夠產生定電流而供給至複數之前述畫素電路之各輸入的定電流供給電路，藉由前述定電流供給電路往前述各畫素電路之輸入電路以時間分割的方式供給供測定對前述發光元件供給電流的前述畫素電路內之驅動用電晶體的臨界值電壓之用的第1定電流，與供測定關連於前述驅動用電晶體的電子移動度的參照電壓之用的第2定電流，輸入前述臨界值電壓及前述參照電壓而進行類比/數位(A/D)變換，輸入被A/D變換的資料執行特定的演算，算出關連於前述驅動用電晶體的臨界值及電子移動度之資料，使算出之資料記憶於各個畫素電路；及色階電壓供給電路，其係輸入被輸入至前述顯示裝置之代表色階的資料及來自前述測定電路之關連於前述電子移動度的資料而執行乘算演算，對該乘算結果加上由前述測定電路輸入之前述臨界值使產生對前述畫素電路供給之顯示用電壓，而可以供給至前述畫素電路之輸入。
  2. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其 中前述測定電路，在由前述定電流供給電路供給前述第1定電流後停止供給，將停止後之前述定電流供給電路之輸出之電壓予以A/D變換作為第1資料，將供給與前述第1定電流不同之第2定電流之期間之前述定電流供給電路的輸出電壓予以A/D變換作為第2資料，由前述第1資料算出前述畫素電路之驅動用電晶體之臨界值，由前述第1與第2資料算出關連於前述驅動用電晶體之電子移動度之資料。
  3. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其中前述第2定電流，係對應於對前述驅動用電晶體預先被設定之最大亮度的值之電流。
  4. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其中前述畫素電路之輸入電路，具備前述驅動用電晶體之電流反射鏡(current mirror)用電晶體。
  5. 如申請專利範圍第4項之主動矩陣型顯示裝置，其中招致前述第1資料的電壓，表示被充電於存在在前述驅動用電晶體的閘極之電容之電壓，透過前述電流反射鏡用電晶體來放電，表示前述電流反射鏡用電晶體之臨界值。
  6. 如申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置，其中前述電流反射鏡用電晶體之臨界值，對應於前述畫素電路之驅動用電晶體的臨界值。
  7. 如申請專利範圍第2項之主動矩陣型顯示裝置，其中前述畫素電路之輸入電路，具備驅動前述發光元件之電晶體之電流反射鏡用電晶體，招致前述第1資料的電壓， 表示被充電於存在在前述畫素電路之驅動用電晶體的閘極的電容之電壓，透過前述電流反射鏡用電晶體來放電後之前述電流反射鏡用電晶體之臨界值，前述第2定電流，係對應於對前述驅動用電晶體預先被設定的最大亮度之值的電流，前述第1資料為Vth，前述第2資料為Vn，表示被輸入至前述顯示裝置的色階的資料之表示最大亮度的資料為Vi的場合，關連於前述電子移動度的資料，係以(Vn-Vth)/Vi來表示。
  8. 一種主動矩陣型顯示裝置，係電流控制型之複數發光元件，及輸入包含色階訊號的電壓而對前述發光元件供給電流之複數畫素電路被形成矩陣狀之主動矩陣型顯示裝置，其特徵為：前述畫素電路，包含具有可以使比例於流經前述發光元件的電流之輸入電流流動的特性的輸入電路；前述主動矩陣型顯示裝置，具備：測定電路，其係包含能夠產生定電流而供給至複數之前述畫素電路之各輸入的定電流供給電路，藉由前述定電流供給電路往前述各畫素電路之輸入電路以時間分割的方式供給供測定對前述發光元件供給電流的前述畫素電路內之驅動用電晶體的臨界值電壓之用的第1定電流，與供測定關連於前述驅動用電晶體的電子移動度的參照電壓之用的第2定電流，輸入前述臨界值電壓及前述參照電壓而可以進行類比/數位(A/D)變換；記憶電路，其係把由來自前述測定電路的資料算出之 對前述發光元件供給電流的前述畫素電路內的電晶體之關連於臨界值及電子移動度之資料記憶於各個畫素電路；及色階電壓供給電路，其係輸入被輸入至前述顯示裝置之代表色階的資料及來自前述測定電路之關連於前述電子移動度的資料而執行乘算演算，對該乘算結果加上由前述測定電路輸入之前述臨界值，使產生對前述畫素電路供給之顯示用電壓，而可以供給至前述畫素電路之輸入。
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