JP2019039942A - 表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる表示装置の補正方法を提供する。【解決手段】複数の表示画素Ｐを有する有機ＥＬパネル１１、及び、有機ＥＬパネル１１の表示制御を行う制御部２０を備える有機ＥＬディスプレイ１０の補正方法であって、複数の表示画素Ｐはそれぞれ、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、画素信号の階調値に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する駆動トランジスタＴ２とを含み、有機ＥＬディスプレイ１０の補正方法では、制御部２０が、複数の表示画素Ｐの各々に対して、駆動トランジスタＴ２に供給される画素信号の累積値を取得し、累積値を用いて駆動トランジスタＴ２における閾値電圧のシフト量の決定を行い、シフト量と画素信号の階調値とを用いて駆動トランジスタＴ２における移動度の変化量の決定を行い、移動度の変化量を用いて画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置に関する。

近年、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機ＥＬディスプレイが注目されている。

有機ＥＬディスプレイは、複数の表示画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを備えている。表示画素は、有機ＥＬ素子と、画素信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有する。

有機ＥＬディスプレイなどのアクティブマトリクス方式の表示装置には、駆動トランジスタとして薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられる。ＴＦＴでは、通電時のゲート−ソース間電圧などのストレスにより、ＴＦＴの閾値電圧が経時的にシフトする。そして、閾値電圧の経時的なシフトは、有機ＥＬ素子への供給電流量の変動の原因となるため、表示装置の輝度制御に影響し、表示品質を悪化させる。

例えば、特許文献１又は特許文献２に記載の有機ＥＬディスプレイでは、表示品質の悪化を抑制するため、画素信号の累積値を算出し、算出した累積値を用いて画素信号を補正している。画素信号は、１フレーム分の画像を示す映像信号に含まれる信号であり、１つの画素の色度、彩度及び階調値などを含む。

特開２００４−１４５２５７号公報 国際公開第２０１６／０３５２９４号

しかしながら、従来の表示装置では、階調値に対する補正の精度が十分ではないという問題があり、さらなる表示品質の向上が求められている。

本発明は、表示品質を向上させることができる表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置を提供する。

本発明の一態様に係る表示装置の補正方法は、複数の表示画素を有する表示パネル、及び、当該表示パネルの表示制御を行う制御部を備える表示装置の補正方法であって、前記複数の表示画素はそれぞれ、発光素子と、画素信号の階調値に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタとを含み、前記表示装置の補正方法では、前記制御部が、前記複数の表示画素の各々に対して、前記駆動トランジスタに供給される前記画素信号の累積値を取得し、前記累積値を用いて前記駆動トランジスタにおける閾値電圧のシフト量の決定を行い、前記シフト量と前記画素信号の階調値とを用いて前記駆動トランジスタにおける移動度の変化量の決定を行い、前記移動度の変化量を用いて前記画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う。

本発明の一態様に係る表示装置の補正装置は、複数の表示画素を有する表示パネルを備える表示装置の補正装置であって、前記複数の表示画素はそれぞれ、発光素子と、画素信号の階調値に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタとを含み、前記表示装置の補正装置は、前記表示パネルの表示制御を行う制御部を備え、前記制御部は、前記複数の表示画素の各々に対して、前記駆動トランジスタに供給される前記画素信号の累積値を取得し、前記累積値を用いて前記駆動トランジスタにおける閾値電圧のシフト量の決定を行い、前記シフト量と前記画素信号の階調値とを用いて前記駆動トランジスタにおける移動度の変化量の決定を行い、前記移動度の変化量を用いて前記画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う。

本発明に係る表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置によれば、表示品質を向上させることができる。

図１は、実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの外観を示す外観図である。 図２は、実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの構成の一例を示すブロック図である。 図３は、実施の形態に係る制御部の構成の一例を示すブロック図である。 図４は、実施の形態に係るストレス補正の処理手順を示すフローチャートである。 図５は、Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの値毎に、累積値に対する閾値電圧のシフト量を計測した結果を示すグラフである。 図６は、規格化Δμが固定値である場合の、閾値電圧のシフト量に対する移動度の変化量を測定した結果を示すグラフである。 図７は、Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの値に対する規格化Δμの値を示すグラフである。 図８は、移動度の変化量に対するゲインの値を示すグラフである。

（本発明に至った経緯）
画素信号に対する補正には、（１）閾値電圧のシフトに対する階調値の補正、及び、（２）駆動トランジスタにおける電荷の移動度を用いた階調値の補正などがある。

（１）閾値電圧のシフトに対する階調値の補正は、駆動トランジスタの劣化に起因する有機ＥＬパネルにおける輝度の低下を抑制するために実行される。具体的には、駆動トランジスタのゲート−ソース間に電圧が印加されると、駆動トランジスタは経時劣化し、閾値電圧がシフトする。閾値電圧がシフトすると、同じ電圧がゲート−ソース間に印加された場合でも、駆動トランジスタのソース−ドレイン間に流れる駆動電流の電流量が低下する。これにより、有機ＥＬ素子に供給される駆動電流の電流量が低下して、有機ＥＬ素子の輝度が低下する。

そこで、閾値電圧のシフト量に応じて、ゲート−ソース間に印加する電圧を決定するもととなる画素信号の階調値を補正することが行われる。階調値の補正では、画素信号の累積値と閾値電圧のシフト量との関係性を利用する。当該関係性を利用することにより、画素信号の累積値から、閾値電圧のシフト量が求められる。

（２）駆動トランジスタにおける電荷の移動度を用いた補正では、駆動トランジスタに流れる電流量から移動度を求め、当該移動度を用いて階調値を補正する。

さらに、上記（１）及び（２）を組み合わせて階調値を補正することも知られている。

しかしながら、本願発明者らは、上記（１）及び（２）を組み合わせたとしても、まだ表示品質が十分ではないことを見出した。具体的には、本願発明者らは、画素信号の累積値及び移動度だけでなく、画素信号の階調値（すなわち入力信号）も駆動電流の電流量の低下に影響を与えていることを見出した。したがって、画素信号の累積値及び移動度だけでなく、画素信号の階調値も用いて、階調値の補正を行うことで、より高精度に階調値の補正を行うことができ、表示品質を向上させることができると考えられる。

以下では、本発明の実施の形態に係る表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

（実施の形態）
以下、図１〜図８を用いて、実施の形態に係る表示装置の補正方法及び補正装置を説明する。

［１．構成］
まず、本実施の形態に係る表示装置の一例である有機ＥＬディスプレイ１０の構成について、図１及び図２を用いて説明する。

図１は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０の外観を示す外観図である。図２は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０の構成の一例を示すブロック図である。

図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬパネル１１と、データ線駆動回路１２と、走査線駆動回路１３と、メモリ１４と、制御部２０とを備える。

［１−１．有機ＥＬパネル、駆動回路及びメモリ］
有機ＥＬパネル１１は、複数の表示画素Ｐを有する表示パネルの一例である。有機ＥＬパネル１１は、マトリクス状に配置された複数の表示画素Ｐと、複数の表示画素Ｐに接続される複数の走査線ＧＬと、複数のデータ線ＳＬとを備える。

なお、図２では、１つのみの表示画素Ｐが図示されているが、実際には、ｎ行×ｍ列（ｎ及びｍは２以上の自然数）の表示画素Ｐが設けられている。また、走査線ＧＬ及びデータ線ＳＬは、それぞれ２本ずつ図示されているが、走査線ＧＬは、画素行毎に設けられ、データ線ＳＬは、画素列毎に設けられている。

複数の表示画素Ｐは、互いに同じ構成を有する。具体的には、複数の表示画素Ｐの各々は、本実施の形態では、いわゆる２Ｔｒ１Ｃの回路構成を有する。より具体的には、表示画素Ｐは、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、選択トランジスタＴ１と、駆動トランジスタＴ２と、容量素子Ｃ１とを備える。なお、表示画素Ｐは、さらに、リセットトランジスタなどを備えてもよい。また、複数の表示画素Ｐは、互いに異なる構成を有してもよい。

選択トランジスタＴ１は、走査線ＧＬの電圧に応じて表示画素Ｐの選択及び非選択を切り替える。選択トランジスタＴ１は、例えば薄膜トランジスタであり、ゲート端子が走査線ＧＬに、ソース端子がデータ線ＳＬに、ドレイン端子がノードＮ１にそれぞれ接続されている。

駆動トランジスタＴ２は、データ線ＳＬの電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。駆動トランジスタＴ２は、例えば薄膜トランジスタであり、ゲート端子がノードＮ１に、ソース端子が有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極にそれぞれ接続され、ドレイン端子に電圧ＶＴＦＴが供給されている。

本実施の形態では、駆動トランジスタＴ２は、酸化物半導体からなるチャネルを有する。具体的には、駆動トランジスタＴ２は、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などの酸化物半導体材料を用いて形成されたチャネル層を有する。なお、選択トランジスタＴ１も同様に、酸化物半導体からなるチャネルを有する。選択トランジスタＴ１は、駆動トランジスタＴ２と同様の構成を有する。

有機ＥＬ素子ＯＥＬは、駆動電流に応じて発光する発光素子である。駆動電流は、駆動トランジスタＴ２から供給される。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード電極が駆動トランジスタＴ２のソース端子に接続され、カソード電極が接地されている。

容量素子Ｃ１は、データ線ＳＬの電圧に応じた電荷が蓄積される容量素子であり、一端がノードＮ１に、他端が駆動トランジスタＴ２のソース端子に接続されている。

データ線駆動回路１２は、複数のデータ線ＳＬに対し、制御部２０から出力される補正信号に応じた電圧を供給する。

走査線駆動回路１３は、複数の走査線ＧＬに対し、制御部２０から出力される駆動信号に応じた電圧を供給する。

なお、本実施の形態では、選択トランジスタＴ１及び駆動トランジスタＴ２がＮ型のＴＦＴである場合を例に説明したが、Ｐ型のＴＦＴであっても構わない。この場合でも、容量素子Ｃ１は、駆動トランジスタＴ２のゲート−ソース間に接続される。

メモリ１４は、本実施の形態では、揮発性メモリと、不揮発性メモリとを含んでいる。揮発性メモリは、例えば、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）又はＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）である。不揮発性メモリは、例えば、フラッシュメモリである。メモリ１４には、映像信号の補正のための補正パラメータ、及び、演算結果などが記憶される。

［１−２．制御部］
制御部２０は、有機ＥＬパネル１１における映像の表示を制御する回路であり、例えば、ＴＣＯＮ（タイミングコントローラ）などを用いて構成される。なお、制御部２０は、マイクロコントローラを含むコンピュータシステム、あるいは、システムＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路）などを用いて構成されていても構わない。制御部２０は、表示装置の補正装置を構成する構成要素の一例である。

制御部２０は、外部から入力された映像信号に対する補正処理、及び、補正された映像信号を用いた書き込み処理の制御などを行う。映像信号は、ここでは、１つのフレームで構成される画像を有機ＥＬパネル１１に表示させるための信号である。映像信号には、映像信号により示される画像を構成する複数の画素に対応する画素信号が含まれる。画素信号には、色度、彩度及び階調値などが含まれる。

映像信号に対する補正処理には、上述したように、画素信号の階調値の補正が含まれる。画素信号の階調値の補正は、駆動トランジスタＴ２の経時劣化に対応するために実行される補正処理であり、いわゆるストレス補正処理である。制御部２０は、階調値を補正した補正信号を生成し、当該補正信号をデータ線駆動回路１２に出力する。

図３は、本実施の形態における制御部２０の構成の一例を示すブロック図である。図３では、制御部２０を構成する構成要素の一部、ストレス補正処理に関する部分について図示している。制御部２０には、図３に示す構成の他に、駆動信号を生成する回路などが含まれるが、図示は省略する。

図３に示すように、制御部２０は、入力部２１と、ストレス補正部２２とを備える。制御部２０は、複数の表示画素Ｐの各々に対して、画素信号の階調値の補正処理（ストレス補正処理）を行う。

入力部２１は、外部から入力される映像信号を受け付け、画像のサイズの調整などを行う。入力部２１は、有機ＥＬパネル１１を構成する複数の表示画素Ｐの各々の階調値を順次取得し、ストレス補正部２２のストレス値決定部２３と、補正パラメータ決定部２６と、補正部２９とに対して出力する。

ストレス補正部２２は、駆動トランジスタＴ２のストレス値の累積値を用いてストレス補正を行う。ストレス補正部２２は、図３に示すように、ストレス値決定部２３と、加算部２４と、シフト量決定部２５と、補正パラメータ決定部２６と、補正部２９とを備える。

ストレス値決定部２３は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａから、表示画素Ｐの駆動トランジスタＴ２のストレス値を決定する。画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａは、映像信号に含まれるフレーム毎に相違する。このため、本実施の形態に係るストレス値決定部２３は、一定の電圧値が継続して印加されたと仮定した場合の時間換算値を、ストレス値として決定する。例えば、ストレス値決定部２３は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに、１階調当たりの電圧値を乗算することで、入力された画素信号のストレス値を算出する。

なお、ストレス値決定部２３は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとストレス値とを対応付けた対応情報（例えば、ＬＵＴ（Ｌｏｏｋ Ｕｐ Ｔａｂｌｅ））を参照することで、入力された画素信号に対応するストレス値を決定してもよい。階調値Ｖ_ｄａｔａとストレス値とを対応付けた対応情報は、例えばメモリ１４に保存されていてもよい。

加算部２４は、メモリ１４に記憶された累積値を読み出し、読み出した累積値に、ストレス値決定部２３によって決定されたストレス値を加算する。加算部２４は、加算後の値を、新たな累積値としてメモリ１４に上書きする。メモリ１４には、複数の表示画素Ｐの各々のストレス値の累積値が記憶される。

シフト量決定部２５は、メモリ１４に記憶された累積値を用いて駆動トランジスタＴ２における閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈの決定を行う。シフト量決定部２５の詳細な処理については、後で説明する。

補正パラメータ決定部２６は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａを補正するための補正パラメータの決定を行う。具体的には、補正パラメータ決定部２６は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに乗算されるゲインＡと、ゲインＡを乗算後の階調値Ｖ_ｄａｔａ（すなわち、Ｖ_ｄａｔａ×Ａ）に加算されるオフセット値Ｂとを、補正パラメータとして算出する。図３に示すように、補正パラメータ決定部２６は、ゲイン決定部２７と、オフセット決定部２８とを備える。

ゲイン決定部２７は、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとを用いて移動度の変化量Δμの決定を行う。さらに、ゲイン決定部２７は、決定した移動度の変化量Δμを用いてゲインＡの決定を行う。

具体的には、ゲイン決定部２７は、ΔμＬＵＴ２７ａ及びゲインＬＵＴ２７ｂの２つのルックアップテーブルを参照することで、ゲインＡを決定する。ΔμＬＵＴ２７ａ及びゲインＬＵＴ２７ｂは、例えば、ゲイン決定部２７が保持しているが、メモリ１４などに記憶されていてもよい。２つのルックアップテーブルの詳細については後で説明する。

オフセット決定部２８は、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを用いてオフセットＢの算出を行う。オフセット決定部２８の詳細な処理については、後で説明する。

補正部２９は、補正パラメータ決定部２６が決定した補正パラメータを用いて、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａを補正する。具体的には、補正部２９は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａにゲインＡを乗算し、乗算後の値にオフセットＢを加算することで、補正後の階調値を算出する。補正部２９は、補正後の階調値Ｖ_ｄａｔａ’を補正信号としてデータ線駆動回路１２に出力する。

［２．動作］
続いて、本実施の形態に係る表示装置の補正装置の動作、すなわち、表示装置の補正方法について説明する。具体的には、制御部２０が行うストレス補正処理（階調値の補正処理）について説明する。

図４は、本実施の形態におけるストレス補正の処理手順を示すフローチャートである。図４に示すストレス補正は、ストレス補正部２２によって複数の表示画素Ｐの各々に対して行われる。

［２−１．閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈの決定］
まず、シフト量決定部２５は、メモリ１４に記憶された累積値を用いて駆動トランジスタＴ２における閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを決定する（Ｓ１１）。閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈは、以下の式（１）より求められる。

Ｖ_ｇｓは駆動トランジスタＴ２のゲート−ソース間電圧、Ｖ_ｔｈは駆動トランジスタＴ２の閾値電圧であり、予め定められた設計値である。ｔはストレスの時間換算値、すなわち、累積値である。ゲート−ソース間電圧Ｖ_ｇｓは、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに応じて定められる値である。具体的には、階調値Ｖ_ｄａｔａが大きい程、ゲート−ソース間電圧Ｖ_ｇｓも大きくなる。

図５は、Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの設計値毎に、累積値ｔに対する閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを実測した結果を示すグラフである。図５において、横軸は累積値ｔ（図５ではストレス時間と表記）であり、縦軸は閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを示している。

図５のグラフについて、最小二乗法によるフィッティングにより、式（１）のＡ_１、ｐ、ｑ、Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}が算出される。実測値に基づいてＶ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの設計値毎に算出されたＡ_１、ｐ、ｑ、Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}が、予め有機ＥＬディスプレイ１０のメモリ１４に記憶される。シフト量決定部２５は、式（１）に累積値ｔを代入することにより、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを算出する。

なお、メモリ１４には、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと累積値ｔとを対応付けた対応情報（例えばＬＵＴ）が記憶されていてもよい。この場合、シフト量決定部２５は、当該ＬＵＴを参照することで、累積値ｔから閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを決定してもよい。

［２−２．移動度の変化量の決定］
次に、補正パラメータ決定部２６のゲイン決定部２７は、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとを用いて、移動度の変化量Δμの算出を行う（Ｓ１２）。移動度の変化量Δμは、規格化された移動度の変化量Δμ（すなわち、Δμ_ｓｔａｎ）を用いて、以下の式（２）より算出される。

図６は、Δμ_ｓｔａｎが固定値である場合の、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈに対する移動度の変化量Δμを実測した結果を示すグラフである。図６では、横軸が閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈであり、縦軸が移動度の変化量Δμである。

図６に示すように、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとは、正の相関関係を有する。本実施の形態では、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａと、上記正の相関関係の傾きとは、所定の相関関係を有している。所定の相関関係は、具体的には後述する式（３）又は図７で表される。

具体的には、式（２）に示されるように、γ＝１の場合、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとは、線形関係を有する。線形関係の傾きは、Δμ_ｓｔａｎＣで表される。式（２）において、Δμ_ｓｔａｎは、Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈが１Ｖの場合の移動度μで移動度の変化量Δμを規格化したものである。

図７は、Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの値に対する規格化Δμの値を示すグラフである。図７では、横軸がＶ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈの値であり、縦軸は規格化されたΔμ（＝Δμ_ｓｔａｎ）である。Ｖ_ｔｈは閾値電圧として予め定められた設計値であり、Ｖ_ｇｓは、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに応じて定められるゲート−ソース間電圧である。このため、図７の横軸は、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに依存した値である。

図７に示すように、Ｖ_ｔｈの大きさによらずに、Δμ_ｓｔａｎは一意の曲線で表現されている。当該曲線を数式で表したものが、以下の式（３）に相当する。

式（３）を式（２）に代入することで、以下の式（４）が得られる。

したがって、係数Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、α、β及びγは、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとの組み合わせに対応する移動度の変化量Δμの実測値を用いて予め定められた値である。具体的には、Ｖ_ｇｓ、Ｖ_ｔｈ及びΔＶ_ｔｈの実測値に基づいて、Ｖ_ｇｓ、Ｖ_ｔｈ及びΔＶ_ｔｈの値の組み合わせ毎に、係数Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、α、β及びγが決定される。決定されたＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、α、β及びγの値は、メモリ１４に記憶される。ゲイン決定部２７は、入力部２１から入力された階調値Ｖ_ｄａｔａと、シフト量決定部２５によって決定されたΔＶ_ｔｈとに基づいて、Δμを算出する。具体的には、ゲイン決定部２７は、階調値Ｖ_ｄａｔａに基づいてＶ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈを決定し、決定したＶ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈとΔＶ_ｔｈとに基づいて、Δμを算出する。

なお、メモリ１４には、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈ、及び、階調値Ｖ_ｄａｔａ又は（Ｖ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈ）の組み合わせと、移動度の変化量Δμとの対応情報（すなわち、ΔμＬＵＴ２７ａ）が記憶されていてもよい。この場合、ゲイン決定部２７は、ΔμＬＵＴ２７ａを参照することで、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈ及び階調値Ｖ_ｄａｔａ又はＶ_ｇｓ−Ｖ_ｔｈから移動度の変化量Δμを決定してもよい。

また、図６ではシフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとが正の相関関係である場合を示したが、シフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとは、負の相関関係を有してもよい。負の相関関係の場合も正の相関関係の場合と同様に、Δμ_ｓｔａｎが固定値の場合、シフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとが線形の関係を有する。Δμ_ｓｔａｎが変化することによって、線形関係の傾きが変化する。シフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとの相関関係の極性は、駆動トランジスタＴ２を構成する材料、又は、その製造方法などによって定まり、実測値によって極性を確認することができる。

［２−３．補正パラメータの決定１：ゲインＡの決定］
ゲイン決定部２７は、移動度の変化量Δμを用いてゲインＡの決定を行う（Ｓ１３）。

ゲインＡは、以下の式（５）により算出される。

図８は、移動度の変化量Δμに対するゲインＡの値を示すグラフ（ゲインＬＵＴ２７ｂの一例）である。例えば、ロットの最初の１枚について、移動度の変化量Δμに対するゲインＡの値を実測することにより、図７に示すグラフが得られる。当該グラフから、δが求められる。図８では、δ＝１となっている。

ゲイン決定部２７は、移動度の変化量Δμを式（５）に代入することにより、ゲインＡを算出する。

なお、メモリ１４には、移動度の変化量ΔμとゲインＡとの対応情報（すなわちゲインＬＵＴ２７ｂ）が記憶されていてもよい。この場合、ゲイン決定部２７は、ゲインＬＵＴ２７ｂを参照することで、移動度の変化量ΔμからゲインＡを決定してもよい。

［２−４．補正パラメータの決定２：オフセットＢの決定］
オフセット決定部２８は、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを用いて、オフセットＢの決定を行う（Ｓ１４）。オフセットＢは、定数ａを用いて以下の式（６）より算出される。

なお、メモリ１４には、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈとオフセットＢとの対応情報（例えばＬＵＴ）が記憶されていてもよい。この場合、オフセット決定部２８は、当該ＬＵＴを参照することで、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈからオフセットＢを決定してもよい。

［２−５．階調値の補正］
補正部２９は、ゲインＡ及びオフセットＢを用いて画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａを補正する（Ｓ１５）。補正後の階調値Ｖ_ｄａｔａ’は、以下の式（７）より算出される。

なお、メモリ１４には、ゲインＡ、オフセットＢ及び階調値Ｖ_ｄａｔａの組み合わせと、補正後の階調値Ｖ_ｄａｔａ’との対応情報（例えばＬＵＴ）が記憶されていてもよい。この場合、補正部２９は、当該ＬＵＴを参照することで、ゲインＡ、オフセットＢ及び階調値Ｖ_ｄａｔａから、補正後の階調値Ｖ_ｄａｔａ’を決定してもよい。

［３．効果など］
以上のように、本実施の形態に係る表示装置の補正方法は、複数の表示画素Ｐを有する有機ＥＬパネル１１、及び、有機ＥＬパネル１１の表示制御を行う制御部２０を備える有機ＥＬディスプレイ１０の補正方法である。複数の表示画素Ｐはそれぞれ、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する駆動トランジスタＴ２とを含んでいる。表示装置の補正方法では、制御部２０が、複数の表示画素Ｐの各々に対して、駆動トランジスタＴ２に供給される画素信号の累積値ｔを取得し、累積値ｔを用いて駆動トランジスタＴ２における閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈの決定を行い、シフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとを用いて駆動トランジスタＴ２における移動度の変化量Δμの決定を行い、移動度の変化量Δμを用いて画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａを補正するための補正パラメータの決定を行う。

これにより、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとを用いて移動度の変化量Δμを決定するので、より高精度に階調値の補正を行うことができる。したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイ１０の補正方法によれば、表示品質を向上させることができる。

また、例えば、移動度の変化量Δμの決定では、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとの組み合わせに対応する移動度の変化量Δμを示す対応情報を参照することで、移動度の変化量Δμを決定する。

これにより、例えば、対応情報をメモリ１４に記憶させておくことで、対応情報を参照するだけで、移動度の変化量Δμを決定することができる。補正に要する処理量（演算量）を減らすことができるので、処理の高速化及び消費電力の削減を実現することができる。

また、例えば、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと移動度の変化量Δμとは、正又は負の相関関係を有し、画素信号の階調値と正又は負の相関関係の傾きとは、所定の相関関係を有する。移動度の変化量Δμの決定では、上記正又は負の相関関係及び上記所定の相関関係に基づいて、移動度の変化量Δμを決定する。

これにより、移動度の変化量Δμを精度良く算出することができる。したがって、高精度に階調値の補正を行うことができるので、有機ＥＬディスプレイ１０の表示品質を向上させることができる。

また、例えば、移動度の変化量Δμの決定では、上述した式（４）に従って決定する。式（４）における係数Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、α、β及びγは、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとの組み合わせに対する移動度の変化量Δμの実測値を用いて予め定められた値である。

これにより、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号とを用いて移動度の変化量Δμを決定するので、より高精度に階調値の補正を行うことができる。

また、例えば、補正パラメータの決定では、階調値Ｖ_ｄａｔａに乗算されるゲインＡと、ゲインＡを乗算後の階調値Ｖ_ｄａｔａ’に加算されるオフセット値Ｂとを、補正パラメータとして決定する。ゲインＡの決定では、ゲインの大きさと移動度の変化量Δμの実測値とに基づいて予め定められた対応関係に基づいて、ゲインＡを決定する。

これにより、ゲイン及びオフセットを用いて、より高精度に階調値の補正を行うことができる。

また、例えば、シフト量ΔＶ_ｔｈの決定では、上述した式（１）に従って決定する。式（１）における係数Ａ_１、Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}、ｐ及びｑは、累積値ｔに対する閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈの実測値を用いて予め定められた値である。

これにより、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈを精度良く決定することができるので、より高精度に階調値の補正を行うことができる。

また、本実施の形態に係る表示装置の補正装置は、複数の表示画素Ｐを有する有機ＥＬパネル１１を備える有機ＥＬディスプレイ１０の補正装置である。複数の表示画素Ｐはそれぞれ、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａに応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する駆動トランジスタＴ２とを含んでいる。表示装置の補正装置は、有機ＥＬパネル１１の表示制御を行う制御部２０を備える。制御部２０は、複数の表示画素Ｐの各々に対して、駆動トランジスタＴ２に供給される画素信号の累積値ｔを取得し、累積値ｔを用いて駆動トランジスタＴ２における閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈの決定を行い、シフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａとを用いて駆動トランジスタＴ２における移動度の変化量Δμの決定を行い、移動度の変化量Δμを用いて画素信号の階調値Ｖ_ｄａｔａを補正するための補正パラメータの決定を行う。

これにより、閾値電圧のシフト量ΔＶ_ｔｈと画素信号の階調値とを用いて移動度の変化量Δμを決定するので、より高精度に階調値の補正を行うことができる。したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイ１０の補正装置によれば、表示品質を向上させることができる。

また、例えば、駆動トランジスタＴ２は、酸化物半導体からなるチャネルを有する。

これにより、チャネルが酸化物半導体からなるトランジスタは移動度が高い。このため、移動度の変化量に基づく補正の効果が高く、表示品質を十分に向上させることができる。

（他の実施の形態）
以上、本発明に係る表示装置の補正方法及び表示装置の補正装置について、上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上記の実施の形態では、表示装置の一例として有機ＥＬディスプレイ１０を説明したが、これに限らない。表示装置は、例えば、アクティブマトリクス方式の表示パネルを備えていればよく、液晶表示装置などでもよい。

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

本開示は、有機ＥＬディスプレイなどの各種表示装置に適用可能である。

１０ 有機ＥＬディスプレイ
１１ 有機ＥＬパネル
１２ データ線駆動回路
１３ 走査線駆動回路
１４ メモリ
２０ 制御部
２１ 入力部
２２ ストレス補正部
２３ ストレス値決定部
２４ 加算部
２５ シフト量決定部
２６ 補正パラメータ決定部
２７ ゲイン決定部
２７ａ ΔμＬＵＴ
２７ｂ ゲインＬＵＴ
２８ オフセット決定部
２９ 補正部
Ｃ１ 容量素子
ＧＬ 走査線
Ｎ１ ノード
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
Ｐ 表示画素
ＳＬ データ線
Ｔ１ 選択トランジスタ
Ｔ２ 駆動トランジスタ

Claims (8)

1. 複数の表示画素を有する表示パネル、及び、当該表示パネルの表示制御を行う制御部を備える表示装置の補正方法であって、
   前記複数の表示画素はそれぞれ、
   発光素子と、
   画素信号の階調値に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタとを含み、
   前記表示装置の補正方法では、前記制御部が、前記複数の表示画素の各々に対して、
   前記駆動トランジスタに供給される前記画素信号の累積値を取得し、
   前記累積値を用いて前記駆動トランジスタにおける閾値電圧のシフト量の決定を行い、
   前記シフト量と前記画素信号の階調値とを用いて前記駆動トランジスタにおける移動度の変化量の決定を行い、
   前記移動度の変化量を用いて前記画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う
   表示装置の補正方法。
2. 前記移動度の変化量の決定では、前記閾値電圧のシフト量と前記画素信号の階調値との組み合わせに対応する移動度の変化量を示す対応情報を参照することで、前記移動度の変化量を決定する
   請求項１に記載の表示装置の補正方法。
3. 前記シフト量と前記移動度の変化量とは、正又は負の相関関係を有し、
   前記画素信号の階調値と前記正又は負の相関関係の傾きとは、所定の相関関係を有し、
   前記移動度の変化量の決定では、前記正又は負の相関関係及び前記所定の相関関係に基づいて、前記移動度の変化量を決定する
   請求項１又は２に記載の表示装置の補正方法。
4. 前記移動度の変化量の決定では、前記シフト量をΔＶ_ｔｈ、前記移動度の変化量をΔμ、前記画素信号の階調値に応じて定められる前記駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧をＶ_ｇｓ、前記駆動トランジスタの閾値電圧をＶ_ｔｈで表した場合に、以下の式（ａ）に従って決定し、
   

   

   係数Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、α、β及びγは、前記閾値電圧のシフト量と前記画素信号の階調値との組み合わせに対する移動度の変化量の実測値を用いて予め定められた値である
   請求項１に記載の表示装置の補正方法。
5. 前記補正パラメータの決定では、前記階調値に乗算されるゲインと、当該ゲインを乗算後の階調値に加算されるオフセット値とを、前記補正パラメータとして決定し、
   前記ゲインの決定では、ゲインの大きさと前記移動度の変化量の実測値とに基づいて予め定められた対応関係に基づいて、前記ゲインを決定する
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の補正方法。
6. 前記シフト量の決定では、前記累積値をｔ、前記画素信号の階調値に応じて定められる前記駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧をＶ_ｇｓ、前記駆動トランジスタの閾値電圧をＶ_ｔｈで表した場合に、以下の式（ｂ）に従って決定し、
   

   

   係数Ａ_１、Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}、ｐ及びｑは、前記累積値に対する閾値電圧のシフト量の実測値を用いて予め定められた値である
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置の補正方法。
7. 複数の表示画素を有する表示パネルを備える表示装置の補正装置であって、
   前記複数の表示画素はそれぞれ、
   発光素子と、
   画素信号の階調値に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタとを含み、
   前記表示装置の補正装置は、
   前記表示パネルの表示制御を行う制御部を備え、
   前記制御部は、前記複数の表示画素の各々に対して、
   前記駆動トランジスタに供給される前記画素信号の累積値を取得し、
   前記累積値を用いて前記駆動トランジスタにおける閾値電圧のシフト量の決定を行い、
   前記シフト量と前記画素信号の階調値とを用いて前記駆動トランジスタにおける移動度の変化量の決定を行い、
   前記移動度の変化量を用いて前記画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う
   表示装置の補正装置。
8. 前記駆動トランジスタは、酸化物半導体からなるチャネルを有する
   請求項７に記載の表示装置の補正装置。

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