JP5381709B2 - 表示装置、表示装置の駆動方法およびコンピュータプログラム - Google Patents

Description

本発明は、表示装置および表示装置の駆動方法に関し、より詳細には、所定の走査周期で画素を選択する走査線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデータ線と、輝度情報に基づいて電流量を制御し、電流量に応じて発光素子を発光させる画素回路とが、マトリクス状に配置されて構成されるアクティブマトリクス型の表示装置およびその駆動方法に関する。

平面で薄型の表示装置として、液晶を用いた液晶表示装置、プラズマを用いたプラズマ表示装置等が実用化されている。

液晶表示装置は、バックライトを設け、電圧の印加によって液晶分子の配列を変化させることでバックライトからの光を通過させたり遮断したりすることで画像を表示する表示装置である。また、プラズマ表示装置は、基板内に封入されたガスに対して電圧を印加することでプラズマ状態となり、プラズマ状態から元の状態に戻る際に生じるエネルギーによって発生する紫外線が、蛍光体に照射されることで可視光となり、画像を表示する表示装置である。

一方、近年においては、電圧を印加すると素子自体が発光する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いた自発光型の表示装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、電解によってエネルギーを受けると、基底状態から励起状態へ変化し、励起状態から基底状態に戻るときに、差分のエネルギーを光として放出する。有機ＥＬ表示装置は、この有機ＥＬ素子が放出する光を用いて画像を表示する表示装置である。

自発光型表示装置は、バックライトを必要とする液晶表示装置とは異なり、素子が自ら発光するためにバックライトを必要としないため、液晶表示装置に比べて薄く構成することが可能である。また、液晶表示装置と比べて、動画特性、視野角特性、色再現性等が優れているため、有機ＥＬ表示装置は次世代の平面薄型表示装置として注目されている。

しかし、有機ＥＬ素子は、電圧を印加し続けると発光特性が劣化し、同じ電流を入力しても輝度が低下する。その結果、特定の画素の発光頻度が高い場合には、その特定の画素は他の画素に比べて発光特性が劣るため、いわゆる「焼き付き」現象が生じるという問題があった。

この焼き付き現象は、液晶表示装置やプラズマ表示装置でも起こりうるものであるが、これらの表示装置は交流電圧の印加によって画像の表示を行っているため、印加する電圧を調整する手段を必要としていた。これに対し、自発光型表示装置では、電流量を制御することで焼き付きを補正する方法が採られている。自発光型表示装置における焼き付き補正技術を開示した文献として、例えば特許文献１がある。

特開２００５−２７５１８１号公報

しかし、特許文献１に記載の方法では、ピクセル毎またはサブピクセル毎に累積発光量を揃えるような制御を行っており、発光体の劣化が少ない部位に対して本来の入力データより大きい値を与えているため、発光量のバランスを取ることは出来るが、発光体の劣化が進んでしまい、発光体の寿命が短くなる問題があった。

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機ＥＬ表示装置のように電流量に応じて発光する発光素子を有する表示装置において、映像信号から発光量を算出して映像信号を制御することによって画面の焼き付き現象を抑えることが可能な、新規かつ改良された表示装置、表示装置の駆動方法およびコンピュータプログラムを提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置であって、表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶する記憶部と、記憶部に記憶された発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御部と、を含む、表示装置が提供される。

かかる構成によれば、記憶部は表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶し、輝度制御部は記憶部に記憶された発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する。その結果、映像信号に基づいて発光量を蓄積し、蓄積した発光量に基づいて映像信号を制御することによって画面の焼き付き現象を抑えることができる。

輝度制御部は、リニア特性を有する映像信号を入力し、画素または複数の画素からなる画素群単位で発光量を算出する発光量算出部と、発光量算出部で算出した発光量に基づいて、画素または画素群単位で発光量に対応する発光量パラメータを算出する発光量パラメータ算出部と、記憶部に蓄積された、全ての画素または画素群に対応する発光量パラメータの中からピーク値を検出するピーク検出部と、ピーク検出部で検出したピーク値に基づいて輝度を調節する係数を算出する係数算出部と、係数算出部で算出した係数を映像信号に乗算して出力する係数乗算部とを含んでもよい。

かかる構成によれば、発光量算出部はリニア特性を有する映像信号を入力して画素または画素群単位で発光量を算出し、発光量パラメータ算出部は発光量算出部で算出した発光量に基づいて、画素または画素群単位で発光量に対応する発光量パラメータを算出し、発光量パラメータ蓄積部は発光量パラメータ算出部で算出した発光量パラメータを画素または画素群と対応付けて蓄積し、ピーク検出部は発光量パラメータ蓄積部に蓄積された、全ての画素または画素群に対応する発光量パラメータの中からピーク値を検出し、係数算出部はピーク検出部で検出したピーク値に基づいて輝度を調節する係数を算出し、係数乗算部は係数算出部で算出した係数を映像信号に乗算して出力する。その結果、蓄積された発光量パラメータの値が最も多い画素または画素群に対して輝度を調節する係数を算出して当該係数を映像信号に乗算することで、画面の焼き付き現象を抑えることができる。

上記表示装置は、ガンマ特性を有する映像信号を、リニア特性を有する映像信号に変換するリニア変換部をさらに含んでいてもよい。リニア変換部はガンマ特性を有する映像信号を、リニア特性を有する映像信号に変換する。その結果、映像信号に対する各種信号処理を容易に行うことができる。

上記表示装置は、リニア特性を有する係数乗算部の出力信号を、ガンマ特性を有するように変換するガンマ変換部をさらに含んでいてもよい。かかる構成によれば、ガンマ変換部はリニア特性を有する係数乗算部の出力信号を、ガンマ特性を有するように変換する。その結果、映像信号がガンマ特性を有することで、表示部が有するガンマ特性をキャンセルし、信号の電流に応じて表示部の内部の自発光素子が発光するようにリニア特性を有することができる。

係数算出部は、少なくとも最大輝度を抑制する第１の係数と、ピーク値を有する画素または画素群の輝度が他の画素の輝度と比較して相対的に低くなるようにピーク値を有する画素または画素群の輝度を抑制する第２の係数と、を算出してもよい。その結果、画面全体の輝度を落とすとともに、発光量パラメータのピーク値を有する画素または画素群の輝度をさらに落とすことで、画面の一部の輝度が極端に低下しない自然な画像を表示装置で表示することができる。

係数乗算部は、全ての画素に入力する映像信号に対して第１の係数を乗算し、ピーク値を有する画素または画素群に入力する、第１の係数を乗算した後の映像信号に対して第２の係数を乗算してもよい。また、係数乗算部は、ピーク値を有する画素または画素群を除く画素に入力する映像信号に対して第１の係数を乗算し、ピーク値を有する画素または画素群に入力する映像信号に対して第２の係数を乗算してもよい。

上記表示装置は、係数算出部が算出した係数を使用の有無を切り換える設定切換部をさらに含んでいてもよい。また、上記表示装置は、係数算出部が算出した係数を使用の有無を設定切換部で切り換えるための画面を表示させる表示制御部をさらに含んでいてもよい。その結果、焼き付きを抑えるために輝度を低下して表示させたくない場合には、設定を切り換えて映像信号に基づいた画像を表示することができる。また、当該設定の切り換えを表示装置に画面を表示させて行うことができる。

上記表示装置は、係数算出部が算出した第１の係数と第２の係数との使用の有無を切り換える設定切換部をさらに含んでいてもよい。また、上記表示装置は、係数算出部が算出した第１の係数と第２の係数との使用の有無を設定切換部で切り換えるための画面を表示させる表示制御部をさらに含んでいてもよい。その結果、焼き付きを抑えるために輝度を低下して表示させたくない場合には、設定を切り換えて映像信号に基づいた画像を表示することができる。また、当該設定の切り換えを表示装置に画面を表示させて行うことができる。

係数算出部は、ピーク値を有する画素または画素群の周囲の所定の領域に含まれる画素の発光量の平均値に基づいて係数を算出してもよい。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置の駆動方法であって、表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶する記憶ステップと、記憶ステップで記憶した発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御ステップと、を含む、表示装置の駆動方法が提供される。

かかる構成によれば、記憶ステップは表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶し、輝度制御ステップは記憶ステップで記憶した発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する。その結果、映像信号に基づいて発光量を蓄積し、蓄積した発光量に基づいて映像信号を制御することによって画面の焼き付き現象を抑えることができる。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置の制御をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶する記憶ステップと、記憶ステップで記憶した発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御ステップと；を含む、コンピュータプログラムが提供される。

かかる構成によれば、記憶ステップは表示部の複数の位置に対応して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に係るデータを記憶し、輝度制御ステップは記憶ステップで記憶した発光量に係るデータのピーク値に基づき表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する。その結果、映像信号に基づいて発光量を蓄積し、蓄積した発光量に基づいて映像信号を制御することによって画面の焼き付き現象を抑えることができる。

以上説明したように本発明によれば、有機ＥＬ表示装置のように電流量に応じて発光する発光素子を有する表示装置において、電流量を検出し、電流量を制御することによって画面の焼き付き現象を抑えることが可能な、新規かつ改良された表示装置、表示装置の駆動方法およびコンピュータプログラムを提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００の構成について説明する説明図である。 図２Ａは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図２Ｂは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図２Ｃは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図２Ｄは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図２Ｅは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図２Ｆは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。 図３は、パネル１５８に設けられる画素回路の断面構造の一例を示す断面図である。 図４は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図である。 図５は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動のタイミングチャートである。 図６Ａは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｂは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｃは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｄは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｅは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｆは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｇは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｈは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図６Ｉは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図７は、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図である。 図８は、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動のタイミングチャートである。 図９Ａは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図９Ｂは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図９Ｃは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図９Ｄは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図９Ｅは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図９Ｆは、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を示す説明図である。 図１０は、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図である。 図１１は、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８の構成について説明する説明図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態にかかる、表示装置１００に表示される画像の一例を示す説明図である。 図１４Ａは、本発明の第１の実施形態にかかる、危険度算出部１６６における危険度の算出の一例について説明する説明図である。 図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態にかかる、危険度算出部１６６における危険度の算出の一例について説明する説明図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態にかかる危険度マップについて説明する説明図である。 図１６は、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法について説明する流れ図である。 図１７は、本発明の第１の実施形態にかかる、信号レベル補正部１２８の入力輝度と出力輝度との関係をグラフで示す説明図である。 図１８は、本発明の第１の実施形態にかかる、信号レベル補正部１２８の入力輝度とゲインとの関係をグラフで示す説明図である。 図１９は、本発明の第１の実施形態にかかる、ゲインの算出に用いる危険度の値とゲインを落とし始める信号レベルとの関係をグラフで示す説明図である。 図２０は、本発明の第２の実施形態にかかる信号レベル補正部２２８の構成について説明する説明図である。 図２１は、本発明の第２の実施形態にかかるエリア平均算出部２６５における、発光量の平均値を求める領域について説明する説明図である。 図２２は、本発明の第２の実施形態にかかるエリアゲインの特性の一例について説明する説明図である。 図２３は、本発明の第２の実施形態にかかるエリアゲインを用いて得られる危険度の値の特性について説明する説明図である。 図２４は、本発明の第３の実施形態にかかる、輝度調節の設定を行う画面の一例を示す説明図である。

符号の説明

１００ 表示装置
１０４ 制御部
１０６ 記録部
１１０ 信号処理集積回路
１１２ エッジぼかし部
１１４ Ｉ／Ｆ部
１１６ リニア変換部
１１８ パターン生成部
１２０ 色温度調整部
１２２ 静止画検波部
１２４ 長期色温度補正部
１２６ 発光時間制御部
１２８ 信号レベル補正部
１３０ ムラ補正部
１３２ ガンマ変換部
１３４ ディザ処理部
１３６ 信号出力部
１３８ 長期色温度補正検波部
１４０ ゲートパルス出力部
１４２ ガンマ回路制御部
１５０ 記憶部
１５２ データドライバ
１５４ ガンマ回路
１５６ 過電流検出部
１５８ パネル
１６２ 輝度算出部
１６４ 発光量算出部
１６６ 危険度算出部
１６８ 危険度更新部
１７０ ピーク検出部
１７２、２７２ ゲイン算出部
１７４ 乗算器
２６５ エリア平均算出部

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の構成について説明する説明図である。以下、図１を用いて本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の構成について説明する。

図１に示したように、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００は、制御部１０４と、記録部１０６と、信号処理集積回路１１０と、記憶部１５０と、データドライバ１５２と、ガンマ回路１５４と、過電流検出部１５６と、パネル１５８と、を含んで構成される。

そして信号処理集積回路１１０は、エッジぼかし部１１２と、Ｉ／Ｆ部１１４と、リニア変換部１１６と、パターン生成部１１８と、色温度調整部１２０と、静止画検波部１２２と、長期色温度補正部１２４と、発光時間制御部１２６と、信号レベル補正部１２８と、ムラ補正部１３０と、ガンマ変換部１３２と、ディザ処理部１３４と、信号出力部１３６と、長期色温度補正検波部１３８と、ゲートパルス出力部１４０と、ガンマ回路制御部１４２と、を含んで構成される。

表示装置１００は、映像信号の供給を受けると、その映像信号を分析して、分析した内容に従って、後述するパネル１５８の内部に配置される画素を点灯することで、パネル１５８を通じて映像を表示するものである。

制御部１０４は、信号処理集積回路１１０の制御を行うものであり、Ｉ／Ｆ部１１４との間で信号の授受を行う。また、制御部１０４はＩ／Ｆ部１１４から受け取った信号に対して各種信号処理を行う。制御部１０４で行う信号処理には、例えばパネル１５８に表示する画像の輝度の調整に用いるゲインの算出がある。

記録部１０６は、制御部１０４において信号処理集積回路１１０を制御するための情報を格納するためのものである。記録部１０６として、表示装置１００の電源が切れている状態でも情報が消えずに格納することができるメモリを用いることが好ましい。記録部１０６として採用するメモリとして、例えば電気的に内容を書き換えることができるＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）を用いることが望ましい。ＥＥＰＲＯＭは基板に実装したままでデータの書き込みや消去を行うことができる不揮発性のメモリであり、刻一刻と変化する表示装置１００の情報を格納するために好適なメモリである。

信号処理集積回路１１０は、映像信号を入力し、入力された映像信号に対して信号処理を施すものである。本実施形態では、信号処理集積回路１１０に入力される映像信号はデジタル信号であり、信号幅は１０ビットである。入力した映像信号に対する信号処理は、信号処理集積回路１１０の内部の各部で行う。

エッジぼかし部１１２は、入力された映像信号に対してエッジをぼかすための信号処理を行うものである。具体的には、エッジぼかし部１１２は、パネル１５８への画像の焼き付き現象を防ぐために、画像を意図的にずらすことでエッジをぼかして、画像の焼き付き現象を抑えるものである。

リニア変換部１１６は、入力に対する出力がガンマ特性を有する映像信号を、ガンマ特性からリニア特性を有するように変換する信号処理を行うものである。リニア変換部１１６で入力に対する出力がリニア特性を有するように信号処理を行うことで、パネル１５８で表示する画像に対する様々な処理が容易になる。リニア変換部１１６での信号処理によって、映像信号の信号幅が１０ビットから１４ビットに拡がる。リニア変換部１１６でリニア特性を有するように映像信号を変換すると、後述するガンマ変換部１３２においてガンマ特性を有するように変換する。

パターン生成部１１８は、表示装置１００の内部の画像処理で使用するテストパターンを生成するものである。表示装置１００の内部の画像処理で使用するテストパターンとしては、例えばパネル１５８の表示検査に用いるテストパターンがある。

色温度調整部１２０は、画像の色温度の調整を行うものであり、表示装置１００のパネル１５８で表示する色の調整を行うものである。図１には図示していないが、表示装置１００には色温度を調整するための色温度調整手段を備えており、利用者が色温度調整手段を操作することで、画面に表示される画像の色温度を手動で調整することができる。

長期色温度補正部１２４は、有機ＥＬ素子のＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色の輝度・時間特性（ＬＴ特性）が異なることによる経年変化を補正するものである。有機ＥＬ素子には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のＬＴ特性が異なるため、発光時間の経過に伴って色のバランスが崩れてくる。その色のバランスを補正するものである。

発光時間制御部１２６は、映像をパネル１５８に表示する際のパルスのデューティ比を算出して、有機ＥＬ素子の発光時間を制御するものである。表示装置１００は、パルスがＨＩ状態の間にパネル１５８内部の有機ＥＬ素子に対して電流を流すことで、有機ＥＬ素子を発光させて画像の表示を行う。

信号レベル補正部１２８は、画像の焼き付き現象を防ぐために、映像信号の信号レベルを補正することでパネル１５８に表示する映像の輝度を調整するものである。画像の焼き付き現象は、特定の画素の発光頻度が他の画素に比べて高い場合に生じる発光特性の劣化現象のことであり、劣化してしまった画素は他の劣化していない画素に比べて輝度の低下を招いて、周辺の劣化していない部分との輝度差が大きくなる。この輝度の差によって、画面に文字が焼き付いてしまったように見える。

信号レベル補正部１２８は、映像信号と発光時間制御部１２６で算出されたパルスのデューティ比とから各画素または画素群の発光量を算出し、算出した発光量に基づいて、必要に応じて輝度を落とすためのゲインを算出し、算出したゲインを映像信号に乗じるものである。信号レベル補正部１２８の構成については後に詳述する。

長期色温度補正検波部１３８は、長期色温度補正部１２４で補正するための情報を検知するものである。長期色温度補正検波部１３８で検知した情報は、Ｉ／Ｆ部１１４を通じて制御部１０４に送られ、制御部１０４を経由して記録部１０６に記録される。

ムラ補正部１３０は、パネル１５８に表示される画像や映像のムラを補正するものである。ムラ補正部１３０において、パネル１５８の横筋、縦筋および画面全体の斑を、入力信号のレベルや座標位置を基準に補正を行う。

ガンマ変換部１３２は、リニア変換部１１６でリニア特性を有するように変換した映像信号に対してガンマ特性を有するように変換する信号処理を施すものである。ガンマ変換部１３２で行う信号処理は、パネル１５８が有するガンマ特性をキャンセルし、信号の電流に応じてパネル１５８の内部の有機ＥＬ素子が発光するようにリニア特性を有するような信号に変換する信号処理である。ガンマ変換部１３２で信号処理を行うことで、信号幅が１４ビットから１２ビットに変化する。

ディザ処理部１３４は、ガンマ変換部１３２で変換された信号に対してディザリングを施すものである。ディザリングは、使用可能な色数が少ない環境で中間色を表現するために、表示可能な色を組み合わせて表示することである。ディザ処理部１３４でディザリングを行うことで、本来パネル上では表示できない色を、見かけ上作り出して表現することができる。ディザ処理部１３４でのディザリングによって、信号幅が１２ビットから１０ビットに変化する。

信号出力部１３６は、ディザ処理部１３４でディザリングが施された後の信号をデータドライバ１５２に対して出力するものである。信号出力部１３６からデータドライバ１５２に渡される信号はＲ、Ｇ、Ｂ各色の発光量に関する情報が乗った信号であり、発光時間の情報が乗った信号はゲートパルス出力部１４０からパルスの形式で出力される。

ゲートパルス出力部１４０は、パネル１５８の発光時間を制御するパルスを出力するものである。ゲートパルス出力部１４０から出力されるパルスは、発光時間制御部１２６で算出したデューティ比によるパルスである。ゲートパルス出力部１４０からのパルスによって、パネル１５８での各画素の発光時間が決定される。

ガンマ回路制御部１４２は、ガンマ回路１５４に設定値を与えるものである。ガンマ回路制御部１４２が与える設定値は、データドライバ１５２の内部に含まれるＤ／Ａ変換器のラダー抵抗に与えるための基準電圧である。

記憶部１５０は、本発明のパラメータ蓄積部の一例であり、信号レベル補正部１２８で輝度を補正する際に必要となる、所定の輝度を上回って発光している画素または画素群の情報と、当該上回っている量の情報とを対応付けて格納しているものである。記憶部１５０としては、記録部１０６とは異なり、電源が切れると内容が消去されるようなメモリを用いてもよく、そのようなメモリとして、例えばＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を用いることが望ましい。

過電流検出部１５６は、基板のショート等で過電流が生じた場合にその過電流を検出し、ゲートパルス出力部１４０に通知するものである。過電流検出部１５６からの過電流発生通知により、過電流が生じた場合にその過電流がパネル１５８に印加されるのを防ぐことができる。

データドライバ１５２は、信号出力部１３６から受け取った信号に対して信号処理を行い、パネル１５８に対して、パネル１５８で映像を表示するための信号を出力するものである。データドライバ１５２には、図示しないが、Ｄ／Ａ変換器が含まれており、Ｄ／Ａ変換器はデジタル信号をアナログ信号に変換して出力する。

ガンマ回路１５４は、データドライバ１５２の内部に含まれるＤ／Ａ変換器のラダー抵抗に基準電圧を与えるものである。ラダー抵抗に与えるための基準電圧は、上述のようにガンマ回路制御部１４２で生成される。

パネル１５８は、データドライバ１５２からの出力信号およびゲートパルス出力部１４０からの出力パルスを入力し、入力した信号およびパルスに応じて、自発光素子の一例である有機ＥＬ素子を発光させて動画像や静止画像を表示するものである。パネル１５８は、画像を表示する面の形状が平面である。有機ＥＬ素子は電圧を印加すると発光する自発光型の素子であり、その発光量は電圧に比例する。従って、有機ＥＬ素子のＩＬ特性（電流−発光量特性）も比例関係を有することとなる。

パネル１５８には、図示しないが、所定の走査周期で画素を選択する走査線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデータ線と、輝度情報に基づいて電流量を制御し、電流量に応じて発光素子である有機ＥＬ素子を発光させる画素回路とが、マトリクス状に配置されて構成されており、このように走査線、データ線および画素回路が構成されていることで、表示装置１００は映像信号に従って映像を表示することができる。

以上、図１を用いて本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の構成について説明した。なお、図１に示した本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００は、リニア変換部１１６でリニア特性を有するように映像信号を変換した後、変換後の映像信号をパターン生成部１１８に入力したが、パターン生成部１１８とリニア変換部１１６とを入れ替えてもよい。

次に、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりについて説明する。図２Ａ〜図２Ｆは、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の特性の移り変わりをグラフで説明する説明図である。図２Ａ〜図２Ｆの各グラフは、横軸を入力、縦軸を出力として示している。

図２Ａは、被写体を入力した際に、被写体の光量に対する出力Ａがガンマ特性を有する映像信号に対して、リニア変換部１１６で逆のガンマ曲線（リニアガンマ）を掛け合わせることで、被写体の光量に対する出力がリニア特性を有するように映像信号を変換したことを示している。

図２Ｂは、被写体の光量の入力に対する出力Ｂの特性がリニア特性を有するように変換した映像信号に対して、ガンマ変換部１３２でガンマ曲線を掛け合わせることで、被写体の光量の入力に対する出力がガンマ特性を有するように映像信号を変換したことを示している。

図２Ｃは、被写体の光量の入力に対する出力Ｃの特性がガンマ特性を有するように変換した映像信号に対して、データドライバ１５２におけるＤ／Ａ変換が行われたことを示している。Ｄ／Ａ変換は、入力と出力との関係がリニア特性を有している。従って、データドライバ１５２によってＤ／Ａ変換が施されることによって、被写体の光量を入力すると、出力電圧はガンマ特性を有する。

図２Ｄは、Ｄ／Ａ変換が施された後の映像信号が、パネル１５８に含まれるトランジスタに入力されることによって、両者のガンマ特性が打ち消されることを示している。トランジスタのＶＩ特性は、被写体の光量の入力に対する出力電圧のガンマ特性と逆のカーブを有するガンマ特性である。従って、被写体の光量を入力すると出力電流がリニア特性を有するように再び変換することができる。

図２Ｅは、被写体の光量を入力すると出力電流がリニア特性を有する信号がパネル１５８に入力されることで、当該リニア特性を有する信号と、上述したようにリニア特性を有する有機ＥＬ素子のＩＬ特性とが掛け合わされることを示している。

その結果、図２Ｆに示したように、被写体の光量を入力すると、パネル（ＯＬＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）の発光量がリニア特性を有しているため、リニア変換部１１６で逆のガンマ曲線を掛け合わせてリニア特性を有するように映像信号を変換することで、図１に示した信号処理集積回路１１０におけるリニア変換部１１６からガンマ変換部１３２の間をリニア領域として信号処理することが可能となる。

以上、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００を流れる信号の信号特性の移り変わりについて説明した。

［画素回路構造］
続いて、図１に図示したパネル１５８に設けられる画素回路の構造の一例について説明する。

図３は、図１に図示したパネル１５８に設けられる画素回路の断面構造の一例を示す断面図である。図３に示すように、パネル１５８に設けられる画素回路は、駆動トランジスタ１０２２等を含む駆動回路が形成されたガラス基板１２０１上に絶縁膜１２０２、絶縁平坦化膜１２０３およびウインド絶縁膜１２０４がその順に形成され、当該ウインド絶縁膜１２０４の凹部１２０４Ａに有機ＥＬ素子１０２１が設けられた構成となっている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ１０２２のみを図示し、他の構成素子については省略して示している。

有機ＥＬ素子１０２１は、上記ウインド絶縁膜１２０４の凹部１２０４Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極１２０５と、当該アノード電極１２０５上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）１２０６と、当該有機層１２０６上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極１２０７とから構成されている。

この有機ＥＬ素子１０２１において、有機層１２０６は、アノード電極１２０５上にホール輸送層／ホール注入層２０６１、発光層２０６２、電子輸送層２０６３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、駆動トランジスタ１０２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ１０２２からアノード電極１２０５を通して有機層１２０６に電流が流れることで、当該有機層１２０６内の発光層２０６２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。

駆動トランジスタ１０２２は、ゲート電極１２２１と、半導体層１２２２の一方側に設けられたソース／ドレイン領域１２２３と、半導体層１２２２の他方側に設けられたドレイン／ソース領域１２２４と、半導体層１２２２のゲート電極１２２１と対向する部分のチャネル形成領域１２２５とから構成されている。ソース／ドレイン領域１２２３は、コンタクトホールを介して有機ＥＬ素子１０２１のアノード電極１２０５と電気的に接続されている。

そして、図３に示すように、駆動トランジスタ１０２２を含む駆動回路が形成されたガラス基板１２０１上に、絶縁膜１２０２、絶縁平坦化膜１２０３およびウインド絶縁膜１２０４を介して有機ＥＬ素子１０２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜１２０８を介して封止基板１２０９が接着剤１２１０によって接合され、当該封止基板１２０９によって有機ＥＬ素子１０２１が封止されることにより、パネル１５８が形成される。

［駆動回路］
続いて、図１に図示したパネル１５８に設けられる駆動回路の構成の一例について説明する。

図４等に示す、有機ＥＬ素子を備えた発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路として各種の回路があるが、以下、５トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（以下、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）、４トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（以下、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）、３トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（以下、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）、２トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（以下、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）に共通する事項を、先ず説明する。

便宜上、駆動回路を構成する各トランジスタは、原則として、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されているとして説明する。但し、場合によっては、一部のトランジスタをｐチャネル型のＴＦＴから構成することもできる。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成とすることもできる。駆動回路を構成するトランジスタの構造は、特に限定するものではない。以下の説明においては、駆動回路を構成するトランジスタはエンハンスメント型であるとして説明するが、これに限るものではない。デプレッション型のトランジスタが用いられていてもよい。また、駆動回路を構成するトランジスタはシングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。

以下の説明において、表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成され、１つの画素は、３つの副画素（赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素）から構成されているとする。また、各画素を構成する発光素子は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素、より具体的には、Ｎ個の副画素のそれぞれを構成する発光素子が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各発光素子にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、駆動回路の構成に応じて適宜選択すればよい。

ここで、原則として、第ｍ行目、第ｎ列（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）に位置する発光素子に関する駆動、動作を説明するが、係る発光素子を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子あるいは第（ｎ，ｍ）番目の副画素と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各発光素子の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる必要がある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。

そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部を発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。この所定の期間は、表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各発光素子の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において書込み処理や移動度補正処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部は、原則として非発光状態を維持する。上述した非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。但し、各副画素（発光素子）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。

図４等に示す駆動回路を用いた発光部ＥＬＰの駆動方法は、例えば、
（ａ）第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が、発光部ＥＬＰの閾値電圧を越えないように、第１ノードＮＤ₁に第１ノード初期化電圧を印加し、第２ノードＮＤ₂に第２ノードＮＤ₂初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態で、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号を第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とし、電源部２１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことにより、発光部ＥＬＰを駆動する、
工程から成る。

上述したように、前記工程（ｂ）において、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行なう。より具体的には、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードＮＤ₂の電位を変化させるために、前記工程（ａ）における第２ノードＮＤ₂の電位に駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を加えた電圧を超える電圧を、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加する。定性的には、閾値電圧キャンセル処理において、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差）が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧に近づく程度は、閾値電圧キャンセル処理の時間により左右される。従って、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分長く確保した形態にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を減じた電位に達する。そして、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差は駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧に達し、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を短く設定せざるを得ない形態にあっては、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧より大きく、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態とはならない場合がある。閾値電圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となることを要しない。

次いで、各駆動回路毎に、駆動回路の構成、及び、これらの駆動回路を用いた発光部ＥＬＰの駆動方法に関して、以下、詳しく説明する。

［５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図４に示し、図４に示した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に図５に示し、図４に示した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図６Ａ〜図６Ｉに示す。

この５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_D、第１トランジスタＴＲ₁、第２トランジスタＴＲ₂、第３トランジスタＴＲ₃の５つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている。尚、書込みトランジスタＴＲ_W、第１トランジスタＴＲ₁、第２トランジスタＴＲ₂、及び、第３トランジスタＴＲ₃をｐチャネル型のＴＦＴから形成してもよい。なお、図４に示した駆動トランジスタＴＲ_Dは、図３で図示した駆動トランジスタ１０２２に相当するものである。

［第１トランジスタＴＲ₁］
第１トランジスタＴＲ₁の一方のソース／ドレイン領域は、電源部２１００（電圧Ｖ_CC）に接続され、第１トランジスタＴＲ₁の他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。また、第１トランジスタＴＲ₁のオン／オフ動作は、第１トランジスタ制御回路２１１１から伸びて、第１トランジスタＴＲ₁のゲート電極に接続された第１トランジスタ制御線ＣＬ₁によって制御される。電源部２１００は、発光部ＥＬＰに電流を供給し、発光部ＥＬＰを発光させるために設けられている。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、第１トランジスタＴＲ₁の他方のソース／ドレイン領域に接続されている。一方、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、
（１）発光部ＥＬＰのアノード電極、
（２）第２トランジスタＴＲ₂の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）容量部Ｃ₁の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。また、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は、
（１）書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域、
（２）第３トランジスタＴＲ₃の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）容量部Ｃ₁の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dは、発光素子の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。発光素子の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが発光部ＥＬＰを流れることで、発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続されている。一方、書込みトランジスタＴＲ_Wの一方のソース／ドレイン領域は、信号出力回路２１０２から伸びるデータ線ＤＴＬに接続されている。そして、データ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_Sig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン／オフ動作は、走査回路２１０１から伸びて、書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬによって制御される。

［第２トランジスタＴＲ₂］
第２トランジスタＴＲ₂の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に接続されている。一方、第２トランジスタＴＲ₂の一方のソース／ドレイン領域には、第２ノードＮＤ₂の電位（即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電位）を初期化するための電圧Ｖ_SSが供給される。また、第２トランジスタＴＲ₂のオン／オフ動作は、第２トランジスタ制御回路２１１２から伸びて、第２トランジスタＴＲ₂のゲート電極に接続された第２トランジスタ制御線ＡＺ₂によって制御される。

［第３トランジスタＴＲ₃］
第３トランジスタＴＲ₃の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続されている。一方、第３トランジスタＴＲ₃の一方のソース／ドレイン領域には、第１ノードＮＤ₁の電位（即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位）を初期化するための電圧Ｖ_Ofsが供給される。また、第３トランジスタＴＲ₃のオン／オフ動作は、第３トランジスタ制御回路２１１３から伸びて、第３トランジスタＴＲ₃のゲート電極に接続された第３トランジスタ制御線ＡＺ₃によって制御される。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧Ｖ_Catが印加される。発光部ＥＬＰの容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・０ボルト〜１０ボルト
Ｖ_CC ：電源部２１００の電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ₁の電位）を初期化するための電圧
・・・０ボルト
Ｖ_SS ：駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電位（第２ノードＮＤ₂の電位）を初期化するための電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト

以下、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。尚、上述したように、各種の処理（閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が全て完了した後、直ちに発光状態が始まるものとして説明するが、これに限るものではない。後述する４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の説明においても同様である。

［期間−ＴＰ（５）_-1］（図５及び図６Ａ参照）
この［期間−ＴＰ（５）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｎ，ｍ）番目の発光素子が発光状態にある期間である。即ち、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する発光素子における発光部ＥＬＰには、後述する式（５）に基づくドレイン電流Ｉ’_dsが流れており、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する発光素子の輝度は、係るドレイン電流Ｉ’_dsに対応した値である。ここで、書込みトランジスタＴＲ_W、第２トランジスタＴＲ₂及び第３トランジスタＴＲ₃はオフ状態であり、第１トランジスタＴＲ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。第（ｎ，ｍ）番目の発光素子の発光状態は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された発光素子の水平走査期間の開始直前まで継続される。

図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、前回の各種の処理完了後の発光状態が終了した後から、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。即ち、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、例えば、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間の終期までの或る時間長さの期間である。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］を、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内に含む構成とすることもできる。

そして、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］において、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子は原則として非発光状態にある。即ち、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₁］、［期間−ＴＰ（５）₃］〜［期間−ＴＰ（５）₄］においては、第１トランジスタＴＲ₁はオフ状態であるので、発光素子は発光しない。尚、［期間−ＴＰ（５）₂］においては、第１トランジスタＴＲ₁はオン状態となる。しかし、この期間においては後述する閾値電圧キャンセル処理が行われている。閾値電圧キャンセル処理の説明において詳しく述べるが、後述する式（２）を満たすことを前提とすれば、発光素子が発光することはない。

以下、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間について、先ず、説明する。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］の始期や、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間の長さは、表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（５）₀］
上述したように、この［期間−ＴＰ（５）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子は、非発光状態にある。書込みトランジスタＴＲ_W、第２トランジスタＴＲ₂、第３トランジスタＴＲ₃はオフ状態である。また、［期間−ＴＰ（５）_-1］から［期間−ＴＰ（５）₀］に移る時点で、第１トランジスタＴＲ₁がオフ状態となるが故に、第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域あるいは発光部ＥＬＰのアノード電極）の電位は、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（５）₁］（図６Ｂ及び図６Ｃ参照）
この［期間−ＴＰ（５）₁］において、後述する閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。即ち、［期間−ＴＰ（５）₁］の開始時、第２トランジスタ制御線ＡＺ₂及び第３トランジスタ制御線ＡＺ₃をハイレベルとすることによって、第２トランジスタＴＲ₂及び第３トランジスタＴＲ₃をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、この［期間−ＴＰ（５）₁］の完了以前において、第２トランジスタ制御線ＡＺ₂をローレベルとすることによって、第２トランジスタＴＲ₂をオフ状態とする。尚、第２トランジスタＴＲ₂及び第３トランジスタＴＲ₃を同時にオン状態としてもよいし、第２トランジスタＴＲ₂を先にオン状態としてもよいし、第３トランジスタＴＲ₃を先にオン状態としてもよい。

以上の処理により、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となる。駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。

［期間−ＴＰ（５）₂］（図６Ｄ参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、第３トランジスタＴＲ₃のオン状態を維持したまま、第１トランジスタ制御線ＣＬ₁をハイレベルとすることによって、第１トランジスタＴＲ₁をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト＞Ｖ_SS）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２）

この［期間−ＴＰ（５）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。云い換えれば、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELには依存しない。

［期間−ＴＰ（５）₃］（図６Ｅ参照）
その後、第３トランジスタＴＲ₃のオン状態を維持したまま、第１トランジスタ制御線ＣＬ₁をローレベルとすることによって、第１トランジスタＴＲ₁をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

［期間−ＴＰ（５）₄］（図６Ｆ参照）
次いで、第３トランジスタ制御線ＡＺ₃をローレベルとすることによって、第３トランジスタＴＲ₃をオフ状態とする。第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位は、実質上、変化しない。実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］の各期間について説明する。尚、後述するように、［期間−ＴＰ（５）₅］において書込み処理が行われ、［期間−ＴＰ（５）₆］において移動度補正処理が行われる。上述したように、これらの処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる必要がある。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（５）₅］の始期と［期間−ＴＰ（５）₆］の終期とは、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期と終期とに一致するものとして説明する。

［期間−ＴＰ（５）₅］（図６Ｇ参照）
その後、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理を実行する。具体的には、第１トランジスタＴＲ₁、第２トランジスタＴＲ₂、及び、第３トランジスタＴＲ₃のオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigとし、次いで、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。

ここで、容量部Ｃ₁の容量を値ｃ₁と表し、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量を値ｃ_ELと表す。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の寄生容量の値をｃ_gsとする。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_Sig（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、容量部Ｃ₁の両端の電位（第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、容量部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃ_ELが、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量値ｃ_ELは、容量部Ｃ₁の容量値ｃ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の値ｃ_gsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の駆動回路においても同様である。尚、図５に示した駆動のタイミングチャートも、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮せずに示した。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_g、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。それ故、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、換言すれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（３）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_Sig
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （３）

即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（５）₆］（図６Ｈ参照）
その後、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。

一般に、駆動トランジスタＴＲ_Dをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生じることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に同じ値の映像信号Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生じると、表示装置の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

従って、具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、第１トランジスタ制御線ＣＬ₁をハイレベルとすることによって、第１トランジスタＴＲ₁をオン状態とし、次いで、所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）を浮遊状態とする。そして、以上の結果、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （４）

尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀）は、表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（５）₆］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２’）

［期間−ＴＰ（５）₇］（図６Ｉ参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。ところで、走査線ＳＣＬがローレベルとなる結果、書込みトランジスタＴＲ_Wがオフ状態となり、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態となる。一方、第１トランジスタＴＲ₁はオン状態を維持しており、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域は、電源部２１００（電圧Ｖ_CC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ₁が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（４）の値を保持する。

また、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）にように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （５）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigの値から、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μに起因した第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域）における電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲ_Dほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉ_dsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴＲ_Dにおいても、映像信号Ｖ_Sigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉ_dsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉ_dsが均一化される。即ち、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部の輝度のばらつきを補正することができる。

発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（５）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する発光素子１０の発光の動作が完了する。

次に、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路に関する説明を行う。

［２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図７に示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図８に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図９Ａ〜図９Ｆに示す。

この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１トランジスタＴＲ₁、第２トランジスタＴＲ₂、及び、第３トランジスタＴＲ₃の３つのトランジスタが省略されている。即ち、この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、書込みトランジスタＴＲ_W、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている。なお、図７に示した駆動トランジスタＴＲ_Dは、図３で図示した駆動トランジスタ１０２２に相当するものである。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴＲ_Dの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域は電源部２１００に接続されている。尚、電源部２１００からは、発光部ＥＬＰを発光させるための電圧Ｖ_CC-H、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電位を制御するための電圧Ｖ_CC-Lが供給される。ここで、電圧Ｖ_CC-H及びＶ_CC-Lの値として、
Ｖ_CC-H＝ ２０ボルト
Ｖ_CC-L＝−１０ボルト
を例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した書込みトランジスタＴＲ_Wの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（２）_-1］（図８及び図９Ａ参照）
この［期間−ＴＰ（２）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、実質的に、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図８に示す［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］は、図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］において、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子は原則として非発光状態にある。但し、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図８に示すように、［期間−ＴＰ（２）₃］の他、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₂］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（２）₃］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］の各期間の長さは、表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（２）₀］（図９Ｂ参照）
この［期間−ＴＰ（２）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（２）₀］は、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（２）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の発光素子は、非発光状態にある。ここで、［期間−ＴＰ（２）_-1］から［期間−ＴＰ（２）₀］に移る時点で、電源部２１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（２）₁］（図９Ｃ参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（２）₁］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。［期間−ＴＰ（２）₁］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-L（例えば、−１０ボルト）を保持する。

上記の処理により、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（２）₂］（図９Ｄ参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、電源部２１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（２）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（２）₃］（図９Ｅ参照）
次に、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigとする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_Sigへと上昇し、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態となる。尚、書込みトランジスタＴＲ_Wを、一旦、オフ状態とし、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigに変更し、その後、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とすることで、駆動トランジスタＴＲ_Dをオン状態としてもよい。

５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと異なり、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域には電源部２１００から電位Ｖ_CC-Hが印加されているので、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電位は上昇する。所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）を浮遊状態とする。尚、この［期間−ＴＰ（２）₃］の全時間ｔ₀は、第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）となるように、表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

この［期間−ＴＰ（２）₃］にあっても、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶは大きく、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶは小さい。

［期間−ＴＰ（２）₄］（図９Ｅ参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（５）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴＲ_Dにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（２）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する発光素子１０の発光の動作が完了する。

以上、好ましい例に基づき説明したが、本発明においては駆動回路の構成はこれらの例に限定されるものではない。各例において説明した表示装置、発光素子、駆動回路を構成する各種の構成要素の構成、構造、発光部の駆動方法における工程は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、駆動回路として図１０に示した４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路や、図１１に示した３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路を用いてもよい。

また、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明においては、書込み処理と移動度補正を別個に行ったが、これに限るものではない。２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明と同様に、書込み処理において移動度補正処理が併せて行われる構成とすることもできる。具体的には、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とした状態で、書込みトランジスタＴ_Sigを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_{Sig_m}を第１ノードに印加する構成とすればよい。

次に、本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８の構成について説明する。図１２は、本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８の構成について説明する説明図である。以下、図１２を用いて本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８の構成について説明する。

図１２に示したように、本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８は、本発明の輝度制御部の一例であり、輝度算出部１６２と、発光量算出部１６４と、危険度算出部１６６と、危険度更新部１６８と、ピーク検出部１７０と、ゲイン算出部１７２と、乗算器１７４と、を含んで構成される。

輝度算出部１６２は、リニア変換部１１６で変換されたリニア特性を有する映像信号を入力し、入力した映像信号から輝度を算出するものである。

発光量算出部１６４は、輝度算出部１６２で算出した輝度と、発光時間制御部１２６で算出したパルスのデューティ比を入力し、輝度にデューティ比を乗じて得られる（輝度×デューティ比で得られる）各画素の１フレームあたりの発光量を算出するものである。ＯＬＥＤパネルにおける有機ＥＬ素子は、電流と発光量との間にリニアな（線形な）関係を有している。従って、映像信号から輝度を算出し、算出した輝度とパルスのデューティ比とを発光量算出部１６４に入力することで、発光量算出部１６４では、入力された１フレームの映像信号に基づいて発光する、１フレームあたりのパネル１５８の各画素の発光量を算出することができる。

危険度算出部１６６は、本発明の発光量パラメータ算出部の一例であり、発光量算出部１６４で算出した発光量に基づいて、発光量に対応する発光量パラメータを算出するものである。発光量パラメータは、画素または画素群の焼き付きの危険性の度合いを示すものである。以下、危険度算出部１６６で算出する発光量パラメータを「危険度」とも称する。危険度算出部１６６で算出した危険度は危険度更新部１６８に送られる。

危険度更新部１６８は、危険度算出部１６６で算出された危険度を画素または複数の画素をまとめた画素群ごとに、本発明の発光量パラメータ蓄積部の一例である記憶部１５０に蓄積するものである。危険度算出部１６６で算出された危険度を画素または画素群ごとに蓄積することで、画面上の各画素または画素群と危険度との関係が分かる。画素または画素群ごとに蓄積された危険度の情報のことを危険度マップとも称する。

画素群を設定する際の画素のまとめ方は、設計に応じて自由に指定することが可能であり、特定のまとめ方に限定されない。縦横のピクセル数を同じにして画素群を設定してもよく、縦横のピクセル数を異なる数にして画素群を設定してもよい。

記憶部１５０は、本発明のパラメータ蓄積部の一例であり、危険度算出部１６６で算出した危険度を蓄積して、危険度マップとして記憶しておくものである。危険度は、表示装置１００が稼動している間に順次蓄積し、表示装置１００の電源を切断すると、蓄積した危険度はリセットする。そのため、上述したように、記憶部１５０としては、電源が切れると内容が消去されるようなメモリ、例えばＳＤＲＡＭを用いることが望ましい。

ここで、本発明の第１の実施形態にかかる、危険度算出部１６６における危険度の算出方法について説明する。

図１３は、ある時間において、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００に表示される画像の一例を示す説明図である。図５は、本発明の第１の実施形態にかかる、危険度算出部１６６における危険度の算出の一例について説明する説明図である。図１４Ａ及び図１４Ｂは、パネル１５８中のある画素に着目し、発光量算出部１６４で算出した発光量を検出することによって危険度の算出を行うことを説明している。また、図１５は、本発明の第１の実施形態にかかる危険度マップについて説明する説明図である。

例えば、ある時間において、映像信号の入力に応じて発光する画素または画素群の発光量が５００〜６００の間であった場合には、焼き付きの危険度ランクはＡランクであると判断し、当該画素または画素群の危険度の履歴に２を加算する。また、ある時間において、映像信号の入力に応じて発光する画素または画素群の発光量が３００〜５００の間であった場合には、焼き付きの危険度ランクはＢランクであると判断し、当該画素または画素群の危険度の履歴に１を加算する。

一方、ある時間において、映像信号の入力に応じて発光する画素または画素群の発光量が１００〜３００の間であった場合には、焼き付きの危険度ランクはＣランクであると判断し、当該画素または画素群の履歴から１を減算する。また、ある時間において、映像信号の入力に応じて発光する画素または画素群の発光量が０〜１００の間であった場合には、焼き付きの危険度ランクはＤランクであると判断し、当該画素または画素群の履歴から２を減算する。

このように、画素または画素群単位で所定の間隔で発光量を検出し、検出した発光量に基づいて当該画素または画素群の危険度の履歴の加算および減算を繰り返すことで、表示装置１００の電源が投入されている時間、画面全体に対して危険度を算出し続ける。発光量の検出は毎フレーム行ってもよく、所定数のフレーム間隔を空けて行ってもよい。

画面全体に対して危険度を算出することで、全ての画素または画素群に対して危険度を算出することができる。そして、画面上の画素または画素群の位置と危険度とを対応させることで危険度マップを作成することができる。

図１３に示した画像を例に挙げて説明すると、図１３の画像は、左上の時刻表示部分は画面上に常に表示されているものである。そして、時刻表示部分は通常はある程度高い輝度で表示されるので、時刻を表示している画素は焼き付きの危険度のランクが高く、時刻を表示し続けている限り、時間の経過に伴って危険度が上昇する。

図１５は、危険度マップにおいて、時刻を表示している画素の危険度が上昇していることを示しているものである。時刻表示部分以外の画素は表示する画像が変化するので危険度の上昇量は多くないが、時刻表示部分の画素は時刻を表示し続けている限り、時間の経過に伴って危険度が上昇するので、危険度マップにおいて時刻表示部分の画素の危険度の値が高くなっている。

なお、画素または画素群の位置と危険度との関係は、分かりやすくするために危険度マップという形で説明したが、記憶部１５０には、画素または画素群の位置情報と危険度の情報とが紐付けられた形で格納されることになる。

なお、発光量と危険度との関係および危険度と履歴との関係は、上述したものに限られないことは言うまでも無い。どの発光量の範囲でどの危険度を設定し、履歴に対してどのように加減算するかは、設計に応じて自由に設定することが可能である。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる、危険度算出部１６６における危険度の算出方法について説明した。なお、画素群単位で危険度を算出する場合には、発光量算出部１６４は当該画素群単位で発光量を算出してもよい。

ピーク検出部１７０は、記憶部１５０から危険度が蓄積されることで得られる危険度マップを入力し、入力した危険度マップから危険度のピークを有している画素または画素群の位置と、危険度の値とを検出して出力するものである。ピーク検出部１７０で検出した画素または画素群の位置と危険度の値とは、ゲイン算出部１７２に対して出力される。

ゲイン算出部１７２は、本発明の係数算出部の一例であり、輝度算出部１６２で算出した輝度と、ピーク検出部１７０で検出したピーク値と、記憶部１５０に記憶された危険度とを入力し、入力した情報から、乗算器１７４において映像信号に乗算するためのゲインを算出するものである。ゲイン算出部１７２で算出されたゲインは乗算器１７４に入力されて、乗算器１７４に入力された映像信号に対する補正が行われる。ゲイン算出部１７２におけるゲインの算出方法については後に詳述する。

乗算器１７４は、映像信号とゲイン算出部１７２が算出したゲインとを入力し、映像信号にゲインを乗算して出力するものである。

以上、図１２を用いて本発明の第１の実施形態にかかる信号レベル補正部１２８の構成について説明した。次に、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法について説明する。

図１６は、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法について説明する流れ図である。以下、図１６を用いて本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法について詳細に説明する。

まず、ガンマ特性を有する映像信号に対して、リニア変換部１１６でリニア特性を有するように変換処理を行う（ステップＳ１０２）。本実施形態においては、リニア変換部１１６での変換処理によって、１０ビットの映像信号が１４ビットに拡がる。

リニア特性を有するように変換した映像信号は、発光量算出部１６４に入力される。発光量算出部１６４は、入力された映像信号から発光量を算出する（ステップＳ１０４）。発光量算出部１６４に入力される映像信号はリニア特性を有しているので、信号の大きさからパネル１５８における発光量を得ることができる。

発光量は、画素単位または画素を所定数まとめた画素群単位で取得する。取得した発光量は、画素または画素群と対応付けられて危険度算出部１６６に送られる。危険度算出部１６６では、画素または画素群単位で、発光量が所定の値を超えているかどうか検出し、発光量が所定の値を超えていれば、その超えている値を危険度として算出する（ステップＳ１０６）。

危険度算出部１６６で危険度を算出すると、算出した危険度を危険度更新部１６８に送る。危険度更新部１６８では、画素または画素群ごとの危険度を、上述したように危険度マップとして記憶部１５０に蓄積する（ステップＳ１０８）。記憶部１５０では、画素または画素群ごとの危険度を、表示装置１００の電源がオンになっている間、順次蓄積する。蓄積された危険度は危険度更新部１６８に送られ、パネル１５８に表示する画像の輝度の調節に用いられる。

記憶部１５０に危険度が蓄積されていくと、危険度の蓄積によって作成される危険度マップの情報を基に、パネル１５８に表示する画像の輝度の調節を行う。作成された危険度マップは危険度更新部１６８からピーク検出部１７０に送られ、ピーク検出部１７０において、危険度マップの中から危険度のピークの画素または画素群を検出する（ステップＳ１１０）。

ピーク検出部１７０で、危険度マップの中から危険度のピークの画素または画素群を検出すると、ゲイン算出部１７２に映像信号、危険度および危険度のピークの画素または画素群を入力し、これらの入力した情報を用いてゲインを算出する（ステップＳ１１２）。

ゲイン算出部１７２で算出するゲインは、危険度のピークにある画素または画素群に対して、焼き付き現象を生じない程度に輝度を下げるためのゲインである。また、危険度のピークにある画素または画素群に対するゲインと併せて、画面全体の輝度を下げるゲインを算出してもよい。

ゲイン算出部１７２でゲインを算出すると、算出したゲインを乗算器１７４に入力し、映像信号に対してゲインを乗算する（ステップＳ１１４）。ゲイン算出部１７２で危険度のピークにある画素または画素群に対するゲインと併せて、画面全体の輝度を下げるゲインを算出した場合には、乗算器１７４において、画面全体の輝度を下げるゲインを映像信号に対して乗算すると共に、危険度のピークにある画素または画素群に該当する映像信号に対してゲインを乗算する。

画面全体の輝度を下げるゲイン（以下「第１の係数」と称する）と、危険度のピークにある画素または画素群に対するゲイン（以下「第２の係数」と称する）とを算出する場合には、全ての画素に対して入力する映像信号に対して第１の係数を乗算し、危険度のピークにある画素または画素群に入力する、第１の係数を乗算した後の映像信号に対して第２の係数を乗算してもよく、また、危険度のピークにある画素または画素群を除く画素に入力する映像信号に対して第１の係数を乗算し、危険度のピークにある画素または画素群に入力する映像信号に対して第２の係数を乗算してもよい。

このように、危険度マップの中から危険度のピークにある画素または画素群を検出し、当該画素または画素群に対して輝度を落とすようなゲインを算出することによって、明るく発光し続けている画素に対する焼き付き現象を抑えることができる。また、画面全体の輝度を下げるゲインも併せて算出することで、所定の（危険度のピークにある）画素または画素群のみの輝度を抑えることによって不自然な映像とならないようにすることができる。

ゲイン算出部１７２におけるゲインの算出方法の一例について、より詳細に説明する。

図１７は、本発明の第１の実施形態にかかる、信号レベル補正部１２８に入力された映像信号の輝度（入力輝度）と、信号レベル補正部１２８から出力される映像信号の輝度（出力輝度）との関係の一例をグラフで示す説明図である。本実施形態においては、ゲイン算出部１７２において図１７に示したような入出力関係を満たすゲインの算出を行う。

図１７に示したように、本実施形態では、入力輝度がｘ_ｔｈに達するまでは、入力輝度と出力輝度が同じになるようにゲインを算出する。しかし、入力輝度がｘ_ｔｈに達すると、入力輝度と出力輝度との関係が二次曲線となるようにゲインを算出する。

図１７では、ゲインを落とし始める入力輝度（映像信号と輝度との間にはリニア特性を有しているので、輝度算出部１６２に入力される映像信号の信号レベルに比例する）をｘ_ｔｈとしている。そして、このｘ_ｔｈの値は危険度の値によって動的に変化する。ｒｉｓｋｐｅａｋを危険度のピーク値、ｒｉｓｋｐｅａｋ＿ｍａｘをゲインの算出で使用する際の危険度のピーク値の最大値とすると、ゲインの算出で使用する危険度のピーク値ｒｉｓｋｐｅａｋ’はｒｉｓｋｐｅａｋ＿ｍａｘの値を境に以下のように表すことができる。

この危険度のピーク値ｒｉｓｋｐｅａｋ’を用いると、ゲインの算出で使用する危険度の値ｒｉｓｋ’をｒｉｓｋｐｅａｋ’の値を境にして以下のように表すことができる。

その結果、ゲインを落とし始める信号レベルｘ_ｔｈは危険度の値ｒｉｓｋ’によって動的に変化するので、ｘ_ｔｈはｒｉｓｋ’の関数ｘ_ｔｈ（ｒｉｓｋ’）として表すことができる。ｘ_ｔｈ（ｒｉｓｋ’）は、危険度が最大のときのｘ_ｔｈの値ｘ_{ｔｈ＿ｍａｘ}、ゲインを落とし始める危険度の値ｒｉｓｋ＿ｓｔｔおよび危険度の最大値ｒｉｓｋ＿ｍａｘを用いて、以下のように表すことができる。

よって、ゲイン算出部１７２で算出するゲインは、ｘ_ｔｈを境にして変化することになる。

図１８は、本発明の第１の実施形態にかかる、信号レベル補正部１２８に入力された映像信号の輝度（入力輝度）とゲインとの関係の一例をグラフで示す説明図である。図１８に示したように、入力輝度の信号レベルがｘ_ｔｈ未満であれば、ゲインは１、つまり入力輝度を落とさずに出力を行う。一方、入力輝度の値がｘ_ｔｈ以上であれば、輝度の上昇に従ってゲインの値を落としていく。

図１９は、本発明の第１の実施形態にかかる、ゲインの算出に用いる危険度の値ｒｉｓｋ’とゲインを落とし始める信号レベルｘ_ｔｈとの関係の一例をグラフで示す説明図である。図１９に示したように、ｒｉｓｋ’の値がゲインを落とし始める危険度の値ｒｉｓｋ＿ｓｔｔに達するまでは、ｘ_ｔｈの値は１．０、すなわち信号レベル補正部１２８に入力された映像信号の信号レベルと同じ値である。ｒｉｓｋ’の値がゲインを落とし始める危険度の値ｒｉｓｋ＿ｓｔｔ以上になると、ｘ_ｔｈの値は徐々に減少する。

従って、画面上のある画素または画素群に対して所定の輝度以上の画像が出力され続けると危険度が増加し、危険度の増加に伴って、ゲインを落とし始める信号レベルｘ_ｔｈを下げていく。つまり、図１７において、危険度の増加に伴ってｘ_ｔｈの位置が左に移動するので、危険度が増加すれば、信号レベル補正部１２８に入力された映像信号の輝度（入力輝度）が小さくても、ゲイン算出部１７２において、出力する映像信号の輝度を落とすためにゲインを算出する。

以上、ゲイン算出部１７２におけるゲインの算出方法について説明した。なお、ゲイン算出部１７２におけるゲインの算出方法がかかる例に限定されないことは言うまでもない。画面全体の輝度を下げるゲイン（第１の係数）と、危険度のピークにある画素または画素群に対するゲイン（第２の係数）とを算出する場合には、ゲインを落とし始める基準となる危険値を２つ設定すればよい。そして、危険度のピークにある画素または画素群と、それ以外の画素または画素群とで別々にゲインを算出し、算出したゲインを乗算器１７４に送ることで、危険度のピークにある画素または画素群だけでなく、画面全体の輝度を落として、表示装置１００で画像を見ている利用者に違和感を与えることなく、焼き付き現象を抑えることができる。

なお、図１６では本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法の一連の流れを説明したが、上述したように、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法では、表示装置１００の電源が投入されている間、所定の間隔で危険度の算出及び蓄積を繰り返す。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法について詳細に説明した。なお、上述した本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法は、表示装置１００の内部の記録媒体（例えば記録部１０６）に予め本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００の駆動方法を実行するように作成されたコンピュータプログラムを記録しておき、当該コンピュータプログラムを演算装置（例えば制御部１０４）が順次読み出して実行することによって行ってもよい。

以上説明したように、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置１００および表示装置１００の駆動方法によれば、映像信号とパルスとから各画素の発光量を算出し、所定の発光量を超えて発光する画素または画素群に対して、その発光量を抑えるようなゲインを算出し、映像信号に対して算出したゲインを乗算することで、画面の焼き付き現象を抑えることができ、また発光素子の劣化を遅らせることができる。

また、危険値の蓄積に伴って徐々にゲイン算出部１７２でゲインを下げていくことで、表示装置１００で映像を見ている利用者に対して、画面に表示される映像の輝度の変化を感じさせないことができる。

そして、有機ＥＬ素子のような自発光型の発光素子は、電流と発光量がリニア特性を有しているため、電流量を取得することで発光素子の発光量を得ることができる。従って、発光量を検出することで焼き付きを抑える従前の表示装置とは異なり、フィードバックを行うことなく、予め発光量を取得することによって焼き付きを抑えることができる。

（第２の実施形態）
本発明の第１の実施形態においては、画面全体の輝度を下げるゲイン（第１の係数）と、危険度のピークにある画素または画素群に対するゲイン（第２の係数）とを算出する場合について触れたが、このように第１の係数と第２の係数とを算出する場合には、以下の現象が生じるおそれがある。

例えば、映像信号に対して２種類のゲインを乗算した場合に、画面全体が明るく平坦な画像を表示する映像信号が入力されると、第２の係数が乗算された危険度のピークにある画素または画素群が焼きついたように見えてしまうおそれがある。

そこで、本発明の第２の実施形態においては、第２の係数を算出する際に、危険度のピークにある画素または画素群の周囲の画素の発光量の平均値を算出し、算出した平均値に基づいて第２の係数を算出することで、焼き付きを抑えることができる表示装置について説明する。

図２０は、本発明の第２の実施形態にかかる信号レベル補正部２２８の構成について説明する説明図である。以下、図２０を用いて本発明の第２の実施形態にかかる信号レベル補正部２２８の構成について説明する。

図２０に示したように、本発明の第２の実施形態にかかる信号レベル補正部２２８は、輝度算出部１６２と、発光量算出部１６４と、危険度算出部１６６と、危険度更新部１６８と、ピーク検出部１７０と、ゲイン算出部２７２と、乗算器１７４と、エリア平均算出部２６５と、を含んで構成される。

この内、輝度算出部１６２と、発光量算出部１６４と、危険度算出部１６６と、危険度更新部１６８と、ピーク検出部１７０と、乗算器１７４とは、本発明の第１の実施形態で説明したものと同一であるため、ここでは本発明の第１の実施形態とは異なる構成であるゲイン算出部２７２とエリア平均算出部２６５とについて説明する。

エリア平均算出部２６５は、発光量算出部１６４で算出した各画素の発光量を用いて、当該画素を含む所定の領域における発光量の平均値（エリア平均値）を算出するものである。図２１は、本発明の第２の実施形態にかかるエリア平均算出部２６５における、発光量の平均値を求める領域について説明する説明図である。本実施形態においては、図２１に示したように、当該画素を中心として、例えば３２ピクセル×３２ラインの領域における発光量の平均値を算出する。エリア平均算出部２６５で算出した発光量のエリア平均値はゲイン算出部２７２に入力される。なお、発光量の平均値を算出する領域は３２ピクセル×３２ラインの領域に限られない。

ゲイン算出部２７２は、本発明の係数算出部の一例であり、輝度算出部１６２で算出した輝度と、ピーク検出部１７０で検出したピーク値と、記憶部１５０に記憶された危険度と、エリア平均算出部２６５で算出した発光量のエリア平均値とを入力し、入力した情報から、乗算器１７４において映像信号に乗算するためのゲインを算出するものである。

以上、本発明の第２の実施形態にかかる信号レベル補正部２２８の構成について説明した。次に、本発明の第２の実施形態にかかる係数算出方法について説明する。

本発明の第１の実施形態では、数式（７）に示したように、危険度ｒｉｓｋと、危険度のピーク値ｒｉｓｋｐｅａｋ’とを比較して大きいものをゲインの算出に用いたが、本発明の第２の実施形態では、エリア平均算出部２６５で算出した発光量のエリア平均値を加味してゲインの算出を行う。

ゲイン算出部２７２において、危険度のピーク値ｒｉｓｋｐｅａｋと危険度のピークの最大値ｒｉｓｋｐｅａｋ＿ｍａｘとを用いて、ゲインの算出で使用する危険度のピーク値ｒｉｓｋｐｅａｋ’を求める方法は、本発明の第１の実施形態と同様である。

本発明の第２の実施形態では、エリア平均算出部２６５で算出した発光量のエリア平均値を用いて、エリア平均値の値に応じて第２の係数を変化させる第３の係数（以下「エリアゲイン」とも称する）を求めることを特徴とする。

エリアゲインは、発光量のエリア平均値に正比例するような特性を有しても良く、発光量のエリア平均値の値が０から所定の値までは１．０であって、所定値以降は正比例するような特性を有してもよい。図２２は、本発明の第２の実施形態にかかるエリアゲインの特性の一例をグラフで示す説明図である。図２２に示したグラフでは、横軸が発光量のエリア平均値ａｒｅａ＿ａｖｅ、縦軸がエリアゲインａｒｅａ＿ｇａｉｎである。

図２２に示したように、ａｒｅａ＿ａｖｅが０からａｖｅ１までの間は、ａｒｅａ＿ｇａｉｎは１．０である。そして、ａｒｅａ＿ａｖｅがａｖｅ１以上になるとａｒｅａ＿ｇａｉｎの値が低下し、ａｒｅａ＿ａｖｅがａｖｅ２になるとａｒｅａ＿ｇａｉｎの値が０となる。この様に求められるａｒｅａ＿ｇａｉｎを用いて、ゲインの算出で使用する危険度の値ｒｉｓｋ’を算出する。

エリア平均値から求まるエリアゲインａｒｅａ＿ｇａｉｎを用いて得られる危険度の値をｒｉｓｋ＿ｎｅｗとする。ｒｉｓｋ＿ｎｅｗは以下の式で定義される値である。

図２３は、本発明の第２の実施形態にかかるエリアゲインを用いて得られる危険度の値の特性について説明する説明図である。図２３に示したグラフでは、横軸が発光量のエリア平均値ａｒｅａ＿ａｖｅ、縦軸がエリアゲインを用いて得られる危険度の値ｒｉｓｋ＿ｎｅｗである。

図２３に示したように、ａｒｅａ＿ａｖｅが０からａｖｅ１までの間は、ｒｉｓｋ＿ｎｅｗの値はｒｉｓｋと同じ値である。そして、ａｒｅａ＿ａｖｅがａｖｅ１以上になるとｒｉｓｋ＿ｎｅｗの値が低下し、ａｒｅａ＿ａｖｅがａｖｅ２になるとｒｉｓｋ＿ｎｅｗの値がｒｉｓｋｐｅａｋ’と同じ値となる。

すなわち、ａｒｅａ＿ａｖｅの値が小さい場合、つまり危険度のピークにある画素または画素群の周囲の領域の発光量の平均値が小さい場合には、ｒｉｓｋと同じ値をゲインの算出に用いる。ａｒｅａ＿ａｖｅの値が大きくなるに従って、ｒｉｓｋの値から徐々に下げた値をゲインの算出に用いる。そして、ａｒｅａ＿ａｖｅの値が所定の値以上となると、つまり危険度のピークにある画素または画素群の周囲の領域の発光量の平均値が大きい場合には、ｒｉｓｋｐｅａｋ’の値をゲインの算出に用いる。

ゲインの算出で使用する危険度の値ｒｉｓｋ’は、ｒｉｓｋｐｅａｋ’とｒｉｓｋ＿ｎｅｗのどちらかであり、どちらの値を選択するかは、ｒｉｓｋの値とｒｉｓｋｐｅａｋ’の値との大小関係によって決まる。ゲインの算出で使用する危険度の値ｒｉｓｋ’は以下のように表される。

この数式（１０）のように表されるｒｉｓｋ’の値から係数を算出する方法は、本発明の第１の実施形態において説明したｒｉｓｋ’の値から係数を算出する方法と同一であるため、詳細な説明は割愛する。

このように、エリア平均値の値に応じて第２の係数を変化させる第３の係数を求め、第２の係数によって危険度のピーク値を有する画素または画素群に表示される画像の輝度を低下させることで、画面の焼き付きを抑えるとともに、画面全体が明るく平坦な画像を表示する映像信号が入力された場合であっても、危険度のピークにある画素または画素群が焼き付いたように見えなくすることができる。

（第３の実施形態）
本発明の第１の実施形態および第２の実施形態では、画面全体の輝度を下げる第１の係数と、危険度のピークにある画素または画素群に対して輝度を下げる第２の係数とを求めて、画面の焼き付き現象を抑える表示装置について説明した。本発明の第３の実施形態では、この第１の係数や第２の係数を用いて輝度の調節を行うかどうか選択的に設定可能な表示装置について説明する。

図２４は、本発明の第３の実施形態にかかる、輝度調節の設定を行う画面の一例を示す説明図である。図２４に示した画面は、ユーザが表示装置１００に対して所定の動作（例えば、リモートコントローラによる設定画面の表示指示や、表示装置１００本体に備えられているボタンの押下等）を行うと、本発明の表示制御部の機能を有する制御部１０４を介してパネル１５８に表示する。図２４に示した画面は、映像信号に基づいて表示される画像の上に被せて表示するオンスクリーンディスプレイ（ＯＳＤ）の形式で表示してもよく、映像信号に基づいて表示される画像を表示させずに、図２４に示した画面だけを表示してもよい。

図２４に示した画面では、「自動輝度差調節」を選択すると「強」「弱」「切」の３種類から選択することで、輝度調節の設定を行う。「強」を選択すると、輝度調節を行う際に、第１の係数と第２の係数の両方を利用して輝度の調節を行う。「弱」を選択すると、輝度調節を行う際に、第１の係数のみを選択して輝度の調節を行う。そして「切」を選択すると、信号レベル補正部１２８（または信号レベル補正部２２８）による輝度の調節は行われなくなる。

本発明の設定切換部の機能を有する制御部１０４が、Ｉ／Ｆ部１１４を介して信号レベル補正部１２８（または信号レベル補正部２２８）に設定を通知する。信号レベル補正部１２８（または信号レベル補正部２２８）は、受け取った設定に従って信号レベルの補正を行って、パネル１５８に表示される画像の輝度の調節を行う。

このように、本発明の第３の実施形態では、ユーザの好みに応じて、第１の係数や第２の係数を用いて輝度の調節を行うかどうか選択的に設定することができる。そして表示装置１００は、ユーザが選択した設定によって輝度の調節を行うかどうか判断することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば、上記実施形態では全ての画素に対して危険度を算出して危険度マップを作成し、危険度のピーク値を有する画素または画素群に対して輝度を落とすためのゲインを算出していたが、本発明は係る例に限定されない。例えば、画面上の所定範囲のみに対して危険度を算出して危険度マップを作成してもよく、画面上の複数の領域に対して独立に危険度マップを作成してもよい。

Claims (13)

1. 電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置であって：
   前記表示部の複数の位置に対して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に関するデータをそれぞれ記憶する記憶部と；
   前記記憶部に記憶された前記発光量に関するデータのピーク値に基づき前記表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御部と；
   を含み、
   前記輝度制御部は、
   リニア特性を有する映像信号を入力し、前記画素または複数の前記画素からなる画素群単位で前記映像信号から発光量を算出する発光量算出部と；
   前記発光量算出部で算出した発光量に基づいて、前記画素または前記画素群単位で前記発光量に関するデータとして発光量パラメータを算出する発光量パラメータ算出部と；
   前記記憶部に蓄積された、全ての画素または画素群に対応する発光量パラメータの中からピーク値を検出するピーク検出部と；
   前記ピーク検出部で検出した前記ピーク値に基づいて輝度を調節する係数を算出する係数算出部と；
   前記係数算出部で算出した係数を前記映像信号に乗算して出力する係数乗算部と；
   を含む、表示装置。
2. 前記係数算出部は、
   少なくとも最大輝度を抑制する第１の係数と、
   前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群の輝度が他の画素の輝度と比較して相対的に低くなるように前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群の輝度を抑制する第２の係数と、
   を算出する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記係数乗算部は、全ての画素に入力する映像信号に対して前記第１の係数を乗算し、前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群に入力する、前記第１の係数を乗算した後の映像信号に対して前記第２の係数を乗算する、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記係数乗算部は、前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群を除く画素に入力する映像信号に対して前記第１の係数を乗算し、前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群に入力する映像信号に対して前記第２の係数を乗算する、請求項２に記載の表示装置。
5. 前記係数算出部が算出した前記係数の使用の有無を切り換える設定切換部をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記係数の使用の有無を前記設定切換部で切り換えるための画面を表示させる表示制御部をさらに含む、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記係数算出部が算出した前記第１の係数と前記第２の係数との使用の有無を切り換える設定切換部をさらに含む、請求項２に記載の表示装置。
8. 前記第１の係数と前記第２の係数との使用の有無を前記設定切換部で切り換えるための画面を表示させる表示制御部をさらに含む、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記係数算出部は、前記ピーク値を有する前記画素または前記画素群の周囲の所定の領域に含まれる画素の発光量の平均値に基づいて前記係数を算出する、請求項１に記載の表示装置。
10. ガンマ特性を有する映像信号を、前記リニア特性を有する映像信号に変換するリニア変換部をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
11. リニア特性を有する前記係数乗算部の出力信号を、ガンマ特性を有するように変換するガンマ変換部をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
12. 電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置の駆動方法であって：
    前記表示部の複数の位置に対して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に関するデータをそれぞれ記憶する記憶ステップと；
    前記記憶ステップで記憶した前記発光量に関するデータのピーク値に基づき前記表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御ステップと；
    を含み、
    前記輝度制御ステップは、
    リニア特性を有する映像信号を入力し、前記画素または複数の前記画素からなる画素群単位で前記映像信号から発光量を算出する発光量算出ステップと；
    前記発光量算出ステップで算出された発光量に基づいて、前記画素または前記画素群単位で前記発光量に関するデータとして発光量パラメータを算出する発光量パラメータ算出ステップと；
    前記記憶ステップで蓄積された、全ての画素または画素群に対応する発光量パラメータの中からピーク値を検出するピーク検出ステップと；
    前記ピーク検出ステップで検出された前記ピーク値に基づいて輝度を調節する係数を算出する係数算出ステップと；
    前記係数算出ステップで算出された係数を前記映像信号に乗算して出力する係数乗算ステップと；
    を含む、表示装置の駆動方法。
13. 電流量に応じて自発光する発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、発光させる前記画素を選択する選択信号を所定の走査周期で該画素へ供給する走査線と、映像信号を前記画素へ供給するデータ線とを備える表示装置の制御をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって：
    前記表示部の複数の位置に対して、複数のフレームの映像信号に基づき累積された発光量に関するデータをそれぞれ記憶する記憶ステップと；
    前記記憶ステップで記憶した前記発光量に関するデータのピーク値に基づき前記表示部に供給される映像信号の最大輝度を抑制するように制御する輝度制御ステップと；
    を含み、
    前記輝度制御ステップは、
    リニア特性を有する映像信号を入力し、前記画素または複数の前記画素からなる画素群単位で前記発光量に関するデータから発光量を算出する発光量算出ステップと；
    前記発光量算出ステップで算出された発光量に基づいて、前記画素または前記画素群単位で前記発光量に対応する発光量パラメータを算出する発光量パラメータ算出ステップと；
    前記記憶ステップで蓄積された、全ての画素または画素群に対応する発光量パラメータの中からピーク値を検出するピーク検出ステップと；
    前記ピーク検出ステップで検出された前記ピーク値に基づいて輝度を調節する係数を算出する係数算出ステップと；
    前記係数算出ステップで算出された係数を前記映像信号に乗算して出力する係数乗算ステップと；
    を含む、コンピュータプログラム。
    

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