JPS5955487A - 電界発光表示素子 - Google Patents
電界発光表示素子Info
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- JPS5955487A JPS5955487A JP57167291A JP16729182A JPS5955487A JP S5955487 A JPS5955487 A JP S5955487A JP 57167291 A JP57167291 A JP 57167291A JP 16729182 A JP16729182 A JP 16729182A JP S5955487 A JPS5955487 A JP S5955487A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電界発光表示素子（以下ｒＥＬ表示素子」
と略称する）の構造、さらにｎ’「ニジ＜は、ＥＬ表示
素子の周囲の明るさ若しくはＥＬ表示素子の発光の明る
さに応じ”ｒ Ｉ！： Ｌ表示素子の発光がコントロー
ルされるＥＬ表示素子の構造に関する。
と略称する）の構造、さらにｎ’「ニジ＜は、ＥＬ表示
素子の周囲の明るさ若しくはＥＬ表示素子の発光の明る
さに応じ”ｒ Ｉ！： Ｌ表示素子の発光がコントロー
ルされるＥＬ表示素子の構造に関する。
従来のＥ Ｌ表示素子として、構造および材料によりい
くつかの型に分類されるが、−例として分散型ＥＬ表示
素子の概略的な断面を第１図に示す。
くつかの型に分類されるが、−例として分散型ＥＬ表示
素子の概略的な断面を第１図に示す。
図において、１は透明な絶縁性の基板、２は基板Ｉ上に
設けられた透光性の表面電極、３は表面電極２上に設け
られ螢光体より成る螢光層、４は螢光層３−にに設けら
れ螢光層３に対して有効に電界を印加させるとともにそ
の絶縁破壊を防ぐための高誘電材料より成る誘電体層、
５は誘電体Ｐ４４上に設けられた光反射性の背面電極で
ある。
設けられた透光性の表面電極、３は表面電極２上に設け
られ螢光体より成る螢光層、４は螢光層３−にに設けら
れ螢光層３に対して有効に電界を印加させるとともにそ
の絶縁破壊を防ぐための高誘電材料より成る誘電体層、
５は誘電体Ｐ４４上に設けられた光反射性の背面電極で
ある。
このように積層形状に構成されたＦ、 Ｌ表示素子は、
表面電極２と背面電極５との間に電圧を印加し“Ｃ螢光
層３に電界を発生さゼることにより螢光層３内の発光中
心が励起されて発光し、その発光が直接あるいは背面電
極５で反射して、基板ｌを通りＥ Ｌ表示素子の外部に
出るものである。
表面電極２と背面電極５との間に電圧を印加し“Ｃ螢光
層３に電界を発生さゼることにより螢光層３内の発光中
心が励起されて発光し、その発光が直接あるいは背面電
極５で反射して、基板ｌを通りＥ Ｌ表示素子の外部に
出るものである。
ところで、このＥＬ表示素子は、周囲の明るさに応じて
その表示効果が影響を受は易く、ＥＬ表表示素−の発光
に比較して周囲の明るさの方が強いとこのＬＣＬ表示素
子の発光による表示９））果は低下しＣしまい、相方の
差が大きい場合稈使用省側から見た視認性が悪くなると
いう問題がある。
その表示効果が影響を受は易く、ＥＬ表表示素−の発光
に比較して周囲の明るさの方が強いとこのＬＣＬ表示素
子の発光による表示９））果は低下しＣしまい、相方の
差が大きい場合稈使用省側から見た視認性が悪くなると
いう問題がある。
また、Ｅ＋、表示素子は、長期に渡る使用に際し湿気と
の接触で発光量が減少し、表示効果が低下し易いという
経時変化現象の発生が知られζおり、前記場合同様使用
者から見た視認性が悪くなるという問題Ｊハがある・ このＩＬ１１表ボ素表示車輌の旧器の表示部に使用した
場合、前述した周囲の明るさとの関係や長期に渡る経時
変化による表示効果の低下が正Ｍｆｉな計測の把握をＬ
ｌ、１件にするため、長時間に渡る視認性の悪化がたと
えば走行情報の誤読等を生じさせ極めて危険な状態を招
くことにもなる。
の接触で発光量が減少し、表示効果が低下し易いという
経時変化現象の発生が知られζおり、前記場合同様使用
者から見た視認性が悪くなるという問題Ｊハがある・ このＩＬ１１表ボ素表示車輌の旧器の表示部に使用した
場合、前述した周囲の明るさとの関係や長期に渡る経時
変化による表示効果の低下が正Ｍｆｉな計測の把握をＬ
ｌ、１件にするため、長時間に渡る視認性の悪化がたと
えば走行情報の誤読等を生じさせ極めて危険な状態を招
くことにもなる。
この発明は、前述した問題点に着目して考えられたもの
で、Ｅ Ｌ表示素子の周囲の明るさ若しくは［ル１１表
示素子の発光の明るさに応じて出力電気量が変化し、こ
れによりＥＬ表示素子への駆動電圧を可変し得るセンサ
部をト〕Ｉ７表示素子に設け、Ｅｌ５表示素子の周囲の
明るさの増加やＩ＞ ｌ−表示素子の発光量の減少を検
知してＩ！冊７表示素子へ印加される駆動電圧レベルを
１−翼さ・ｌｌたり、１）ｉｌ記周囲の明るさの減少を
検知して前記駆動電圧レベルを降下さ・ｌることにより
、ＩＡ Ｉ、表示素子の表示効果をほぼ一定に保ち視−
忍性の悪化を解消することを目的とするものである。
で、Ｅ Ｌ表示素子の周囲の明るさ若しくは［ル１１表
示素子の発光の明るさに応じて出力電気量が変化し、こ
れによりＥＬ表示素子への駆動電圧を可変し得るセンサ
部をト〕Ｉ７表示素子に設け、Ｅｌ５表示素子の周囲の
明るさの増加やＩ＞ ｌ−表示素子の発光量の減少を検
知してＩ！冊７表示素子へ印加される駆動電圧レベルを
１−翼さ・ｌｌたり、１）ｉｌ記周囲の明るさの減少を
検知して前記駆動電圧レベルを降下さ・ｌることにより
、ＩＡ Ｉ、表示素子の表示効果をほぼ一定に保ち視−
忍性の悪化を解消することを目的とするものである。
以下、この発明に係る受光センサ部をＲ（＃ シたＩ＝
Ｉ、表示素子の実施例を第２図〜ｒ（ｉ ８図に１１
（づいて説明する。
Ｉ、表示素子の実施例を第２図〜ｒ（ｉ ８図に１１
（づいて説明する。
第２図〜第４図は、この発明の第１のＬｌ的を達成する
ためＩＦ、 Ｌ表示素子の周囲の明るさを検知するセン
市部を具備した分１ｉｋ型Ｂ１、表示素子に凹するもの
であり、図中１０は透明な厚さ約Ｉｍ−のガラス平板か
ら成る基板、１１は］み板１ （ｌ ｌにＩ′ＶＯ膜で
ある透明導電体を電子ヒ一）・蒸着法で約３０００八に
設けた表示パターン形状の透明な表面電極、１２は表面
電極１ ］ −Ｉｚ ニＺ ｎ Ｓ ヘＣｕ５ＯＡＮａ
Ｃ文を混合した螢光体原料とエポキシ樹脂であるバイン
ダとの混合物から成るペーストをシルクスクリーン法で
膜厚的５ Ｑ ｐ ｒｎに印刷し熱処理して設けた螢光
層、１３は螢光＊１２Ｊ二にＢａＴｉＯ２である高誘電
体層とエポキシ樹脂であるバインダとの混合物から成る
ペーストをシルクスクリーン法で膜厚的：３ （１７７
ｍに印刷し熱処理して設けた誘電体層、１４は誘電体層
１３上にＳｎから成る導電体を抵抗加熱蒸着法で膜厚的
３０００Ａに設けた光反射性を有する背面電極で、以−
ヒは従来のＥＬ表示素子と同様の構成である。
ためＩＦ、 Ｌ表示素子の周囲の明るさを検知するセン
市部を具備した分１ｉｋ型Ｂ１、表示素子に凹するもの
であり、図中１０は透明な厚さ約Ｉｍ−のガラス平板か
ら成る基板、１１は］み板１ （ｌ ｌにＩ′ＶＯ膜で
ある透明導電体を電子ヒ一）・蒸着法で約３０００八に
設けた表示パターン形状の透明な表面電極、１２は表面
電極１ ］ −Ｉｚ ニＺ ｎ Ｓ ヘＣｕ５ＯＡＮａ
Ｃ文を混合した螢光体原料とエポキシ樹脂であるバイン
ダとの混合物から成るペーストをシルクスクリーン法で
膜厚的５ Ｑ ｐ ｒｎに印刷し熱処理して設けた螢光
層、１３は螢光＊１２Ｊ二にＢａＴｉＯ２である高誘電
体層とエポキシ樹脂であるバインダとの混合物から成る
ペーストをシルクスクリーン法で膜厚的：３ （１７７
ｍに印刷し熱処理して設けた誘電体層、１４は誘電体層
１３上にＳｎから成る導電体を抵抗加熱蒸着法で膜厚的
３０００Ａに設けた光反射性を有する背面電極で、以−
ヒは従来のＥＬ表示素子と同様の構成である。
１５はこのＥ Ｌ表示素子の基板１０」二たとえば表面
電極１１等を設けた面上にＡ見から成る導電体を抵抗加
熱蒸着法で膜厚約３０００八に二分割して設けた電極、
１６は螢光層１２からの発光を受けず周囲の外光を受け
るよう基板１０上の電極１５を橋絡するようＣｄＳにＣ
ｕＣＪＤを混合した光導電体とエポキシ樹脂であるバイ
ンダとの混合物から成るペーストをシルクスクリーン法
で膜厚的４０ ｐ ｍに印刷し熱処理して設けた光導電
層で、以Ｊ−が受光量に応じて出力電気量（電圧）の変
化するセンサ部を構成する。
電極１１等を設けた面上にＡ見から成る導電体を抵抗加
熱蒸着法で膜厚約３０００八に二分割して設けた電極、
１６は螢光層１２からの発光を受けず周囲の外光を受け
るよう基板１０上の電極１５を橋絡するようＣｄＳにＣ
ｕＣＪＤを混合した光導電体とエポキシ樹脂であるバイ
ンダとの混合物から成るペーストをシルクスクリーン法
で膜厚的４０ ｐ ｍに印刷し熱処理して設けた光導電
層で、以Ｊ−が受光量に応じて出力電気量（電圧）の変
化するセンサ部を構成する。
なお、前記Ｃｄ Ｓの代わりとしてＣｄＳｅ。
Ｃｕｌ、ＺｎＱ等が使用でき、またＣｕＣ，１２の代わ
りとしてＡｇＣ１等が使用できる。
りとしてＡｇＣ１等が使用できる。
このように構成したＩ兄り、表示素子の表面電極１１と
背面電極１４は人力信ひに応じて交流電圧を出力する駆
動回路２０に接続され、またセンサ部の電極１５はセン
サ部の出力電気量を検知して判定を行う判定器＋１ｉ”
＋ ２１に接続され、この判定器＋１３２１は判定回路
２１によっ°ζ検知された１２７勺部の電ｊＬずなわち
ＩＥ Ｌ表示素子の周囲の明暗に応じて駆動量＋１３２
０の出力電圧レベルを−１−昇降子可変制御する制御回
路２２に接続され°（いる。
背面電極１４は人力信ひに応じて交流電圧を出力する駆
動回路２０に接続され、またセンサ部の電極１５はセン
サ部の出力電気量を検知して判定を行う判定器＋１ｉ”
＋ ２１に接続され、この判定器＋１３２１は判定回路
２１によっ°ζ検知された１２７勺部の電ｊＬずなわち
ＩＥ Ｌ表示素子の周囲の明暗に応じて駆動量＋１３２
０の出力電圧レベルを−１−昇降子可変制御する制御回
路２２に接続され°（いる。
次に動作について説明する。
駆動回路２０は入力信号に応じてＥ Ｌ表示素子の表面
電極１１と背面電極１４との間に一定周波数の交流電圧
を印加して螢光層１２に電界を発生させることにより螢
光Ｍ１２内の発光中心が励起されて発光し、その発光が
直接あるいはｆＹ面電極１４で反射して、基板１０をｊ
［ＱすＥ１１表示素子のり（部に出る。
電極１１と背面電極１４との間に一定周波数の交流電圧
を印加して螢光層１２に電界を発生させることにより螢
光Ｍ１２内の発光中心が励起されて発光し、その発光が
直接あるいはｆＹ面電極１４で反射して、基板１０をｊ
［ＱすＥ１１表示素子のり（部に出る。
この時、Ｅ Ｌ表示素子の周囲の明るさに応じてセンタ
部の電極１５間に電圧が発生し、この電圧を判定器＋１
Ｒ２１で検知し、判定回路２１の出力信号に応して制御
回路２２は駆動回路２０の出力重圧のレベルが所定の大
きさとなるべく駆動量ｌｌＲ２Ｏに出力信号を発する。
部の電極１５間に電圧が発生し、この電圧を判定器＋１
Ｒ２１で検知し、判定回路２１の出力信号に応して制御
回路２２は駆動回路２０の出力重圧のレベルが所定の大
きさとなるべく駆動量ｌｌＲ２Ｏに出力信号を発する。
すなわら、ＩＥ Ｌ表示素子の周囲が基準状態時に比べ
て明るい場合、センサ部の電極１５間には）、（生状態
時よりも１ｒ好い電圧が発生し、これを検知した判定回
路２Ｉの出力信号によって制御回路２２はＩｉ Ｌ表示
素子へ印加する駆動回路２０の出力電圧のレベルを暴準
状！♂時の明るさとその時の明るさとの差に相当する分
だけ」二昇させるよう駆動量１１Ａ ２０へ出力信号を
発する。よって、Ｅ Ｌ表示素子の螢光層１２には築（
１へ状態時よりも大きな電界が発生ずることになり、発
光量は増加して、Ｉ”、 Ｌ表示素子は基準状態時より
も明るく表示するため、周囲の明るさに影響されること
なく表示効果をほぼ基準状態時と同様に保つことができ
、視認性を悪化さゼることがない。
て明るい場合、センサ部の電極１５間には）、（生状態
時よりも１ｒ好い電圧が発生し、これを検知した判定回
路２Ｉの出力信号によって制御回路２２はＩｉ Ｌ表示
素子へ印加する駆動回路２０の出力電圧のレベルを暴準
状！♂時の明るさとその時の明るさとの差に相当する分
だけ」二昇させるよう駆動量１１Ａ ２０へ出力信号を
発する。よって、Ｅ Ｌ表示素子の螢光層１２には築（
１へ状態時よりも大きな電界が発生ずることになり、発
光量は増加して、Ｉ”、 Ｌ表示素子は基準状態時より
も明るく表示するため、周囲の明るさに影響されること
なく表示効果をほぼ基準状態時と同様に保つことができ
、視認性を悪化さゼることがない。
また逆に、Ｅ Ｉ−表示素子の周囲が基準状態時に比べ
°ζ暗い場合、センタ部の電極１５間にはＪ、（？ｆ％
状態時よりも低い電Ｊ［二が発イ１し、これを検知した
判定器＋１１’＋２１の出力信号に、１って制御回路２
２はＥ Ｌ表示素子へ印加する駆動量＋１Ｒ２０の電圧
レベルを括ｒｌ’を状態時の明るさとその時の明るさと
の差に相当する分だけ降下す・ｕルＪ： ウ％”ｒ ！
ＩＩ Ｄ １１３２０ ヘ出力信号を発する。よって、
Ｉ＜ Ｌ表示素子の螢光層１２には）４％ ！ｉ１１状
態時よりも小さな電界が９．４１することになり、発光
量は減少して、Ｉｕ Ｌ表示素子は７７（生状態時より
も暗く表示するため、Ｅ Ｉ−、表示素子の発光が周囲
の明るさに比ベーＣ明るすぎることによる使用者の眼の
疲労および眩惑作用を防ぐことができ、表示効果をほぼ
＾ｌ−４１！状態時と同様に保つことかでき、視認性を
悪化さ−Ｕない。
°ζ暗い場合、センタ部の電極１５間にはＪ、（？ｆ％
状態時よりも低い電Ｊ［二が発イ１し、これを検知した
判定器＋１１’＋２１の出力信号に、１って制御回路２
２はＥ Ｌ表示素子へ印加する駆動量＋１Ｒ２０の電圧
レベルを括ｒｌ’を状態時の明るさとその時の明るさと
の差に相当する分だけ降下す・ｕルＪ： ウ％”ｒ ！
ＩＩ Ｄ １１３２０ ヘ出力信号を発する。よって、
Ｉ＜ Ｌ表示素子の螢光層１２には）４％ ！ｉ１１状
態時よりも小さな電界が９．４１することになり、発光
量は減少して、Ｉｕ Ｌ表示素子は７７（生状態時より
も暗く表示するため、Ｅ Ｉ−、表示素子の発光が周囲
の明るさに比ベーＣ明るすぎることによる使用者の眼の
疲労および眩惑作用を防ぐことができ、表示効果をほぼ
＾ｌ−４１！状態時と同様に保つことかでき、視認性を
悪化さ−Ｕない。
このように、Ｂ Ｌ表示素子の周囲の明るさに応じて出
力電圧が変化し、これによりＥ Ｌ表示素子への駆動電
圧を可変し得るセンサ部をＩＥ Ｌ表示素子に設け、Ｅ
Ｌ表示素子の周囲の明るさの増減を検知して前記駆動電
圧を」二昇降下させることにより、ＩＦ、 Ｌ表示素子
の表示効果をほぼ一定に保ち視認性の悪化を解消するこ
とができるものである。
力電圧が変化し、これによりＥ Ｌ表示素子への駆動電
圧を可変し得るセンサ部をＩＥ Ｌ表示素子に設け、Ｅ
Ｌ表示素子の周囲の明るさの増減を検知して前記駆動電
圧を」二昇降下させることにより、ＩＦ、 Ｌ表示素子
の表示効果をほぼ一定に保ち視認性の悪化を解消するこ
とができるものである。
なお、前記実施例では、Ｅ Ｌ表示素子への駆動電圧の
レベルをＥｌ−表示素子の周囲の明るさに応じてアナ１
１グ連続的に変化させるものについて述べたが、前記明
るさの変化を、ある幅を有する数区分に分割設定し、こ
の区分毎に対応して駆動電圧のレベルをデジタル段階的
に変化させるものであっても、前記実施例同様の作用及
び効果を得ることができる。
レベルをＥｌ−表示素子の周囲の明るさに応じてアナ１
１グ連続的に変化させるものについて述べたが、前記明
るさの変化を、ある幅を有する数区分に分割設定し、こ
の区分毎に対応して駆動電圧のレベルをデジタル段階的
に変化させるものであっても、前記実施例同様の作用及
び効果を得ることができる。
第５図〜第７図は、この発明の第２の目的を達成するた
めＥＬ表示素子の発光の明るさを検知するセンサ部を具
備した分散型ＥＬ表示素子に関するものであり、図中Ｗ
板１０．表面電極１１．螢光層１２．誘電体層１３．背
面電極１４は前記第２図〜第４図に示した１２Ｌ表示素
子と同−材料及び製造１稈により構成されており、その
詳細な説明は省く。
めＥＬ表示素子の発光の明るさを検知するセンサ部を具
備した分散型ＥＬ表示素子に関するものであり、図中Ｗ
板１０．表面電極１１．螢光層１２．誘電体層１３．背
面電極１４は前記第２図〜第４図に示した１２Ｌ表示素
子と同−材料及び製造１稈により構成されており、その
詳細な説明は省く。
Ｉ７はこのＥＬ表示素子の基板１０上例えば表面電極１
１とｈ（板１０を挾んで対向する面」二に八（から成る
導電体を抵抗加熱淋着法で膜厚的３（〕Ｏｏ′Ａに分割
して設けた電極、１８は螢光層１２からの発光を受ける
よう電４％１７を設けた基板１ （１」二で電極１７を
橋絡するようＣ（Ｉ ＳにＣＩＩ Ｃ立２を混合した光
導電体とエポキシ４？ｌｌ ｌ１ｔｔ−ｃあるバインダ
との混合物から成るペーストをシルクスクリーン法で膜
厚的４０．１７ ｍに印刷しｆＪＩ、処理し−Ｃ設けた
光導電体層で以上が発光量に応じて出力電気量（電圧）
の変化するセンサ部を構成しており、１９は光導電体ｊ
！イ１８の外面を覆い周囲夕（）Ｌが一当たらないよう
に保護する黒いウレタン樹脂から成る保護層である。
１とｈ（板１０を挾んで対向する面」二に八（から成る
導電体を抵抗加熱淋着法で膜厚的３（〕Ｏｏ′Ａに分割
して設けた電極、１８は螢光層１２からの発光を受ける
よう電４％１７を設けた基板１ （１」二で電極１７を
橋絡するようＣ（Ｉ ＳにＣＩＩ Ｃ立２を混合した光
導電体とエポキシ４？ｌｌ ｌ１ｔｔ−ｃあるバインダ
との混合物から成るペーストをシルクスクリーン法で膜
厚的４０．１７ ｍに印刷しｆＪＩ、処理し−Ｃ設けた
光導電体層で以上が発光量に応じて出力電気量（電圧）
の変化するセンサ部を構成しており、１９は光導電体ｊ
！イ１８の外面を覆い周囲夕（）Ｌが一当たらないよう
に保護する黒いウレタン樹脂から成る保護層である。
このように構成したＥ Ｌ表示素子の表面電極１１と背
面電極１４はｉ；■記駆動回路ＺＯに接続され、またセ
ンサ部の電極１７は前記判定回路２１に接続され、この
判定回路２１は判定回路２１によって検知されたセンサ
部の電圧すなわち、ｒＥｌ、表示素子の発光量に応じて
駆動回路２（）の出力電圧レベルを可変制御する制御回
路２２に接続されている。
面電極１４はｉ；■記駆動回路ＺＯに接続され、またセ
ンサ部の電極１７は前記判定回路２１に接続され、この
判定回路２１は判定回路２１によって検知されたセンサ
部の電圧すなわち、ｒＥｌ、表示素子の発光量に応じて
駆動回路２（）の出力電圧レベルを可変制御する制御回
路２２に接続されている。
次に動作について説明する。
駆動量ＩＩＲ２０は人力信号に応じてＥＬ表示素子へ交
流電圧を印加して発光を行わせる事は前記同様である。
流電圧を印加して発光を行わせる事は前記同様である。
しかし、ｌ’： Ｌ表示素子は第７図に示すように、使
用するうら輝度ずなわち発光量が減少するため、時の経
過とともに暗くなり、表示効果が低下してしまう。この
ようなＩＥ Ｌ表示素子の輝度の減少に応じてセンサ部
の電極１７間の電圧はしだいに下がり、これを検知した
判定回路２１の出力信号によっ−Ｃ制御回路２２は、Ｅ
Ｌ表示素子へ印加する駆動量＋１３２０の出力電圧のレ
ベルをＥＬ表表示壬子初期の輝度１３ ｏとその時の輝
度Ｂとの差に相当する分だけ上昇させるよう駆動回路２
０へ出力信号を発する。よってＥＬ表示素子の螢光Ｗ４
１２には初期の時よりも大きな電界が発生ずることにな
り、発光量は増大して輝度が高まり、ＥＬ表示素子は初
期の時とほぼ同様な明るさの発光を行ない、Ｅ Ｌ表示
素子の経時変化による影響を受けることなく表示効果を
ほぼ一定に保つことができ、視認性を悪化させることが
ない。
用するうら輝度ずなわち発光量が減少するため、時の経
過とともに暗くなり、表示効果が低下してしまう。この
ようなＩＥ Ｌ表示素子の輝度の減少に応じてセンサ部
の電極１７間の電圧はしだいに下がり、これを検知した
判定回路２１の出力信号によっ−Ｃ制御回路２２は、Ｅ
Ｌ表示素子へ印加する駆動量＋１３２０の出力電圧のレ
ベルをＥＬ表表示壬子初期の輝度１３ ｏとその時の輝
度Ｂとの差に相当する分だけ上昇させるよう駆動回路２
０へ出力信号を発する。よってＥＬ表示素子の螢光Ｗ４
１２には初期の時よりも大きな電界が発生ずることにな
り、発光量は増大して輝度が高まり、ＥＬ表示素子は初
期の時とほぼ同様な明るさの発光を行ない、Ｅ Ｌ表示
素子の経時変化による影響を受けることなく表示効果を
ほぼ一定に保つことができ、視認性を悪化させることが
ない。
なお、この実施例では、＋Ｓ Ｉ−表示素子への駆！ｌ
Ｉ電圧のレベルを螢光層１２の輝度に応じてアナログ連
続的に変化さ（るものについて述べたが、前記実施例の
箇所で述べたよ・うにデジタル段階ｆｌ！Ｊに変化さ−
ｌるものてあっ′Ｃも良いことは勿論であるまた、セン
サ部はＷ仮１０と表面電極１１との間に設りても良い（
第８図参照）。
Ｉ電圧のレベルを螢光層１２の輝度に応じてアナログ連
続的に変化さ（るものについて述べたが、前記実施例の
箇所で述べたよ・うにデジタル段階ｆｌ！Ｊに変化さ−
ｌるものてあっ′Ｃも良いことは勿論であるまた、セン
サ部はＷ仮１０と表面電極１１との間に設りても良い（
第８図参照）。
以」二述べたようにこのような構成によれば、ＥＬ表示
素子の周囲の明るさ若しくはＴ！、 Ｌ表示素子の発光
の明るさに応じて出力電気量が変化し、これによりＥ
Ｉ、表示素子への駆動電圧を可変し得るセンサ部の（す
Ｊきにより、Ｅ Ｌ表示素子の周囲の明るさの増加やＥ
Ｌ表示素子の発光量の減少では］尤り表示素子へ印加
される駆動電圧レベルが上肩し、前記周囲の明るさの減
少では駆動電圧が降下するため、Ｅｌ、表示素子の表示
効果をほぼ一定に保つことができ、視認イｑ−の悪化を
解消することができる。ずなわら、ＦんＬ表示素子の周
囲の明るさの変化若しくはＩ？、１、表示素子の発光の
明るさの変化に対応しｒ ｌ’＜ １．、表示素子を常
に良好状態に維持するものであるため、正確な表示を行
うことができ、信頼性の極めて高いＦ、 Ｌ表示素子を
提供することができるものである。
素子の周囲の明るさ若しくはＴ！、 Ｌ表示素子の発光
の明るさに応じて出力電気量が変化し、これによりＥ
Ｉ、表示素子への駆動電圧を可変し得るセンサ部の（す
Ｊきにより、Ｅ Ｌ表示素子の周囲の明るさの増加やＥ
Ｌ表示素子の発光量の減少では］尤り表示素子へ印加
される駆動電圧レベルが上肩し、前記周囲の明るさの減
少では駆動電圧が降下するため、Ｅｌ、表示素子の表示
効果をほぼ一定に保つことができ、視認イｑ−の悪化を
解消することができる。ずなわら、ＦんＬ表示素子の周
囲の明るさの変化若しくはＩ？、１、表示素子の発光の
明るさの変化に対応しｒ ｌ’＜ １．、表示素子を常
に良好状態に維持するものであるため、正確な表示を行
うことができ、信頼性の極めて高いＦ、 Ｌ表示素子を
提供することができるものである。
なお、前記各実施例は組み合わ・Ｕることにより、Ｕ目
及び第２の目的を同時に達成することもできる。
及び第２の目的を同時に達成することもできる。
また、ＥＬ表示素子の螢光層１２はＺｕＳ：Ｃｏ、 Ｃ
１に限定されることなく、ＺｎＳ ： Ｃｕ、 へ立
等他の螢光体原料でも良く、しかも分散型に限らず薄膜
型、そして交流電圧駆動の他に直流電圧駆動の各Ｅｌ１
表示素子にもこの発明が適用可能であることは１９目１
であり、前記各実施例同様の作用及び効果を得ることが
できる。
１に限定されることなく、ＺｎＳ ： Ｃｕ、 へ立
等他の螢光体原料でも良く、しかも分散型に限らず薄膜
型、そして交流電圧駆動の他に直流電圧駆動の各Ｅｌ１
表示素子にもこの発明が適用可能であることは１９目１
であり、前記各実施例同様の作用及び効果を得ることが
できる。
ところで、近年光−電気量変換素子とし′Ｃ第９図に概
略断面図で示すようなもの、ずなわち、３ｉ−Ｗａｆｅ
ｒの片面に５ｎＯｚ、Ａｇを、また反対面に”ｌ’ｉ、
Ａｇを各積層状態に設けたものが出現しζいる。これは
、受光量に応じて両Δ１７間に発生ずる起電力が変化す
るものであり、これを前記受光センサ部としζＩ＜ １
．表示素Ｊ’−１に設けることもまた可能である。
略断面図で示すようなもの、ずなわち、３ｉ−Ｗａｆｅ
ｒの片面に５ｎＯｚ、Ａｇを、また反対面に”ｌ’ｉ、
Ａｇを各積層状態に設けたものが出現しζいる。これは
、受光量に応じて両Δ１７間に発生ずる起電力が変化す
るものであり、これを前記受光センサ部としζＩ＜ １
．表示素Ｊ’−１に設けることもまた可能である。
第１図は、一般的な分散型ｌシＩ、表示素子の概略的な
断面図、 第２図〜第４図は、この発明に係る分＋１＆型Ｅ１、表
示素子の一例を示す断面図、平面図及び分解斜視図、 第５図〜第７図は、同一に分散型Ｅ Ｌ表示素子の他の
例を示ず断面図、平面図及び発光特性図、ｆｆ１８図は
、同上分散型ＩＥ Ｌ表示素子の再に他の例を示す断面
図、 第９図は、受光センサ部に使用することのできる光−電
気量変換素子の一例を示す概略断面図である。 １０：箔板 １１：表面電極１２：螢光Ｍ
１３：誘電体層１４：背面電極 １５．
１７：電極 １６．１８：）Ｙ、シＷ電体層 １９：保３負層
１１１願人 １−１木槓ｔＩ笈株式会竺、、。 ｒ了） ｌ 図 第 ２ 図 ４ 第３図 １ξｉ 第４ 図 第６図 第６図 第 ７ 図 ｔ → 〔ｈＯｕｒ〕 第５ＰＸＩ 第９ １潰硬 ニー士（“ ハ ；６０２ Ｌ
断面図、 第２図〜第４図は、この発明に係る分＋１＆型Ｅ１、表
示素子の一例を示す断面図、平面図及び分解斜視図、 第５図〜第７図は、同一に分散型Ｅ Ｌ表示素子の他の
例を示ず断面図、平面図及び発光特性図、ｆｆ１８図は
、同上分散型ＩＥ Ｌ表示素子の再に他の例を示す断面
図、 第９図は、受光センサ部に使用することのできる光−電
気量変換素子の一例を示す概略断面図である。 １０：箔板 １１：表面電極１２：螢光Ｍ
１３：誘電体層１４：背面電極 １５．
１７：電極 １６．１８：）Ｙ、シＷ電体層 １９：保３負層
１１１願人 １−１木槓ｔＩ笈株式会竺、、。 ｒ了） ｌ 図 第 ２ 図 ４ 第３図 １ξｉ 第４ 図 第６図 第６図 第 ７ 図 ｔ → 〔ｈＯｕｒ〕 第５ＰＸＩ 第９ １潰硬 ニー士（“ ハ ；６０２ Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電圧の印加によって発光を呈する電界発光表示素子にお
いて、 前記電界発光表示素子の周囲の明るさ若しくは前記電界
発光表示素子の発光の明るさに応じて出力電気量が変化
し、これにより前記電界発光表示素子への駆動電圧を可
変し１するセンサ部を前記電界発光表示素子に設け、前
記電界発光表示素子の周囲の明るさの増加若しくは前記
電界発光表示素子の明るさの減少により前記駆動電圧レ
ベルが上昇したり、前記周囲の明るさの減少により前記
駆動電圧レベルが降下することにより表示効果がほぼ一
定に保たれることを特徴とする電界発光表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167291A JPS5955487A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 電界発光表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167291A JPS5955487A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 電界発光表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955487A true JPS5955487A (ja) | 1984-03-30 |
Family
ID=15847029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167291A Pending JPS5955487A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 電界発光表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955487A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045820B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-05-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting device having a sensor for determining luminous intensity |
| US7502000B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive circuit and image forming apparatus using the same |
| JP2013020981A (ja) * | 1999-09-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
-
1982
- 1982-09-25 JP JP57167291A patent/JPS5955487A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013020981A (ja) * | 1999-09-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US8735900B2 (en) | 1999-09-17 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| US9059049B2 (en) | 1999-09-17 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| US9431470B2 (en) | 1999-09-17 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9735218B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and method for manufacturing the same |
| US7045820B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-05-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting device having a sensor for determining luminous intensity |
| US7623101B2 (en) | 2001-02-27 | 2009-11-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting system |
| US7502000B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive circuit and image forming apparatus using the same |
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