JPS63158793A - 電場発光素子 - Google Patents
電場発光素子Info
- Publication number
- JPS63158793A JPS63158793A JP61305130A JP30513086A JPS63158793A JP S63158793 A JPS63158793 A JP S63158793A JP 61305130 A JP61305130 A JP 61305130A JP 30513086 A JP30513086 A JP 30513086A JP S63158793 A JPS63158793 A JP S63158793A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- layer
- electroluminescent device
- light emitting
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は電場発光素子の発光層の外側に絶縁層を介して
抵抗層を設け、前記絶縁層を薄くすることにより、高輝
度化と低電圧駆動化を図ったものである。
抵抗層を設け、前記絶縁層を薄くすることにより、高輝
度化と低電圧駆動化を図ったものである。
本発明は高輝度化と低電圧駆動化を図った電場発光素子
の素子構造に関する。
の素子構造に関する。
従来、交流駆動型電場発光素子の低電圧駆動化を図った
素子構造には第3図および第4図に示すものがある。
素子構造には第3図および第4図に示すものがある。
第3図および第4図は従来の電場発光素子の構造断面図
を示しており、透明電極2と背面電極6間に交流電圧を
印加することで発光層4中の付活剤を励起発光する。こ
れらの素子では第1および第2の絶縁層3.5または7
.8により電流制限を行っている。なお図中1はガラス
基板を示している。
を示しており、透明電極2と背面電極6間に交流電圧を
印加することで発光層4中の付活剤を励起発光する。こ
れらの素子では第1および第2の絶縁層3.5または7
.8により電流制限を行っている。なお図中1はガラス
基板を示している。
第3図では前記絶縁層3.5にチタン酸鉛(PbT i
Oa )のような高誘電率の膜を用いて低電圧化を図
り、また第4図の例ではシリコン酸化膜(Si02)の
ような絶縁層7.8の膜厚を100人程度に薄くして駆
動電圧の低電圧化を図っている。
Oa )のような高誘電率の膜を用いて低電圧化を図
り、また第4図の例ではシリコン酸化膜(Si02)の
ような絶縁層7.8の膜厚を100人程度に薄くして駆
動電圧の低電圧化を図っている。
このような方法は、絶縁層部分の容量が大きくなるので
、素子が発光状態のときに発光層中を移動する電荷量を
増やすことができ、高輝度化にも寄与する。
、素子が発光状態のときに発光層中を移動する電荷量を
増やすことができ、高輝度化にも寄与する。
しかしながら、従来の前者の方法においては品質のよい
高誘電率膜を形成することが現在の技術では容易なこと
ではなく、また後者の絶縁層を薄くする方法では絶縁膜
のピンホールが避けられず、この部分で電流集中が生じ
て素子が破壊してしまうという欠点があった。
高誘電率膜を形成することが現在の技術では容易なこと
ではなく、また後者の絶縁層を薄くする方法では絶縁膜
のピンホールが避けられず、この部分で電流集中が生じ
て素子が破壊してしまうという欠点があった。
したがって、本発明の目的は絶縁層を薄くシ、仮にピン
ホールが生じても素子が破壊しない構造の電場発光素子
を提供することにある。
ホールが生じても素子が破壊しない構造の電場発光素子
を提供することにある。
第1図は本発明の電場発光素子を示す断面図であり、発
光層4の両側の絶縁層7.8の外側に抵抗層9.10を
設け、さらに該抵抗層の両側に駆動用電極2.6を設け
たものである。
光層4の両側の絶縁層7.8の外側に抵抗層9.10を
設け、さらに該抵抗層の両側に駆動用電極2.6を設け
たものである。
第1図に示すように、絶縁層7.8と駆動用電極2.6
との間に抵抗層9.10を介在させることにより、絶縁
層7.8にピンホールがあってもこの部分を流れようと
する電流はこの抵抗層9.10によって制限されるので
素子が破壊されることはない。
との間に抵抗層9.10を介在させることにより、絶縁
層7.8にピンホールがあってもこの部分を流れようと
する電流はこの抵抗層9.10によって制限されるので
素子が破壊されることはない。
第1図は本発明の実施例であり、発光層の両側に抵抗層
を形成した例である。
を形成した例である。
ガラス基板1上に透明電極2としてITO膜を2000
人形成し、次いで抵抗N9としてやはり透光性の高い酸
化錫(Sn02)を蒸着により1μ−の厚さで形成した
。
人形成し、次いで抵抗N9としてやはり透光性の高い酸
化錫(Sn02)を蒸着により1μ−の厚さで形成した
。
次いで、絶縁層7として5i02膜をスパッタリング法
により100人の厚さに形成した。
により100人の厚さに形成した。
その後、マンガン(Mn)を付活剤とする発光層4を形
成した後、前記同様に薄い絶縁層8を形成した。
成した後、前記同様に薄い絶縁層8を形成した。
次ぎに、もう一方の抵抗層10としてアモルファスシリ
コン(a−3i)をプラズマCVD法により1μmの厚
さで形成し、その後背面電極6としてアルミニウム(A
Il)を5000人の厚さに形成して素子を完成させた
。
コン(a−3i)をプラズマCVD法により1μmの厚
さで形成し、その後背面電極6としてアルミニウム(A
Il)を5000人の厚さに形成して素子を完成させた
。
上記抵抗層の比抵抗の値はいずれも109Ωco+程度
に制御した。
に制御した。
このようにして形成した電場発光素子を60Hzでパル
ス駆動した場合、約50Vの駆動電圧で実用上問題のな
い30fLの輝度を得た。
ス駆動した場合、約50Vの駆動電圧で実用上問題のな
い30fLの輝度を得た。
第2図は本発明の変形実施例を示す構造断面図であが、
前記実施例と異なるところはガラス基板側の抵抗層を設
けていない点だけである。
前記実施例と異なるところはガラス基板側の抵抗層を設
けていない点だけである。
この実施例においても前記実施例と同様に50V程度の
低電圧で発光駆動させることができた。
低電圧で発光駆動させることができた。
なお、ガラス基板側の抵抗層9は発光波長(約580n
m)に対して透明な膜であれば良く、5n02の他In
203 、CdSnO3などで形成してもよい。また、
背面電極側の抵抗層10もa−3iに限らすCdTeな
どで形成してもよい。
m)に対して透明な膜であれば良く、5n02の他In
203 、CdSnO3などで形成してもよい。また、
背面電極側の抵抗層10もa−3iに限らすCdTeな
どで形成してもよい。
以上、詳細に説明したように本発明によれば、薄い絶縁
層のピンホール部に集中して流れる電流をその外側に設
けた抵抗層で電流制限できるため、長寿命で低電圧およ
び高輝度の電場発光素子が実現できる。
層のピンホール部に集中して流れる電流をその外側に設
けた抵抗層で電流制限できるため、長寿命で低電圧およ
び高輝度の電場発光素子が実現できる。
第1図および第2図は本発明の電場発光素子の実施例お
よび変形実施例を示す構造断面図、第3図および第4図
は従来の電場発光素子を示す構造断面図である。 図において、 1−・−・−−−−−・・−・・−ガラス基板2−・−
・−・−−−−−一透明電極 3.5−・−・−高誘電率の絶縁層 4−−−−−−・−−−−−−−m−発光層6 ・−−
−−−−−・−・・・・−背面電極7.8 ・−・・−
・・薄い絶縁層 9.10・−・・・抵抗層 2トー汗り日8421fldら171:、穴、置板の9
;、゛ち6.刹づ庄斤6b図第11′4 本発明の麦形曵胞例断面図 第2図
よび変形実施例を示す構造断面図、第3図および第4図
は従来の電場発光素子を示す構造断面図である。 図において、 1−・−・−−−−−・・−・・−ガラス基板2−・−
・−・−−−−−一透明電極 3.5−・−・−高誘電率の絶縁層 4−−−−−−・−−−−−−−m−発光層6 ・−−
−−−−−・−・・・・−背面電極7.8 ・−・・−
・・薄い絶縁層 9.10・−・・・抵抗層 2トー汗り日8421fldら171:、穴、置板の9
;、゛ち6.刹づ庄斤6b図第11′4 本発明の麦形曵胞例断面図 第2図
Claims (1)
- 発光層(4)の両側に絶縁層(7,8)と駆動用電極
(2,6)を有してなる電場発光素子において、前記少
なくとも一方の絶縁層(7,8)の外側に抵抗層(9,
10)を設けたことを特徴とする電場発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61305130A JPS63158793A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 電場発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61305130A JPS63158793A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 電場発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63158793A true JPS63158793A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17941453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61305130A Pending JPS63158793A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 電場発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63158793A (ja) |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61305130A patent/JPS63158793A/ja active Pending
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