JPS6348589A - 発光デイスプレイ - Google Patents
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- JPS6348589A JPS6348589A JP19309286A JP19309286A JPS6348589A JP S6348589 A JPS6348589 A JP S6348589A JP 19309286 A JP19309286 A JP 19309286A JP 19309286 A JP19309286 A JP 19309286A JP S6348589 A JPS6348589 A JP S6348589A
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- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- -1 mental oxide Chemical compound 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000276 sedentary effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical group [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
この発明は、素子周囲光の明暗;こかかわらず明瞭なコ
ントラストを得ることのできる発光ディスプレイに関す
るものである。
ントラストを得ることのできる発光ディスプレイに関す
るものである。
従来の薄膜EL素子は、例えば透明基板上に透明電極、
絶縁体層、金属定額の、頃に多層膜を積層し、前記透明
電極と金属定直の間に交流電圧を印加して発光させてい
る。
絶縁体層、金属定額の、頃に多層膜を積層し、前記透明
電極と金属定直の間に交流電圧を印加して発光させてい
る。
透明電極には通常ガラス版を用い、透明電極としてはI
TO(Indium Tin 0xide )薄膜、絶
縁体層には酸化イツトリウム、酸化サマリウム、酸化ア
ルミニウム、酸化メンタル、チタン酸バリウムなどの薄
膜が用いられている。
TO(Indium Tin 0xide )薄膜、絶
縁体層には酸化イツトリウム、酸化サマリウム、酸化ア
ルミニウム、酸化メンタル、チタン酸バリウムなどの薄
膜が用いられている。
こちらの材料は光の吸収率が比較的小さくかつ薄膜゛が
1μm程度と薄いため、EL全発光透明電極として用い
たガラス基板越しに大部分が外部に取り出さnる。しか
し、ELL光層の例えばZnS:Mn薄膜の透光率も高
いため、素子裏面1こある光が素子を通過してきて目に
入る。また背面電極は通常アルミニウムなどの金属薄膜
を用いているので光反射率が高く、EL全発光せない部
分でも素子周囲光がそこで反射して目に入る。したがっ
て、EL発九九部非発光部の明るさの比、すなわちコン
トラストが下るという問題があった。
1μm程度と薄いため、EL全発光透明電極として用い
たガラス基板越しに大部分が外部に取り出さnる。しか
し、ELL光層の例えばZnS:Mn薄膜の透光率も高
いため、素子裏面1こある光が素子を通過してきて目に
入る。また背面電極は通常アルミニウムなどの金属薄膜
を用いているので光反射率が高く、EL全発光せない部
分でも素子周囲光がそこで反射して目に入る。したがっ
て、EL発九九部非発光部の明るさの比、すなわちコン
トラストが下るという問題があった。
そこでこのよりなELL光素子におけるコントラストを
上げるため、従来以下列記するようないくつかの工夫が
なさnてきた。
上げるため、従来以下列記するようないくつかの工夫が
なさnてきた。
a)素子の背面に光吸収部材を設ける方法これにより素
子背面の光が素子を・透過して前面に出てくることを防
ぎ、また素子の前面から背面に透過した光が反射さnて
再び素子の前面に出て行くことを防いでいる b)ELL光層と背面1!極の間の第2の絶縁tdを光
吸収性物質で作製しあるいは前記第2の絶縁層と背面電
極の間に反射防止層を設ける方法これにより素子前面か
ら入射した光が非発光画素の背面金属!極で反射さn、
て再び素子前面に出てくることを防いでいる。
子背面の光が素子を・透過して前面に出てくることを防
ぎ、また素子の前面から背面に透過した光が反射さnて
再び素子の前面に出て行くことを防いでいる b)ELL光層と背面1!極の間の第2の絶縁tdを光
吸収性物質で作製しあるいは前記第2の絶縁層と背面電
極の間に反射防止層を設ける方法これにより素子前面か
ら入射した光が非発光画素の背面金属!極で反射さn、
て再び素子前面に出てくることを防いでいる。
C)素子前面に半透光性のフィルタを設ける方法このよ
うにして、素子に反射さ几てから出て行く周囲光のEL
全発光対する割合を下げている。
うにして、素子に反射さ几てから出て行く周囲光のEL
全発光対する割合を下げている。
しかし、コントラスト向上のためlこ用いらnる半透光
性フィルターの光透過率は、素子周囲光の明るさに関係
なく一定の値である。このような場合、素子の周囲が比
較的暗いところでは充分なコントラストがとれるが、周
囲が明るくなってくるとコントラストが不充分になる。
性フィルターの光透過率は、素子周囲光の明るさに関係
なく一定の値である。このような場合、素子の周囲が比
較的暗いところでは充分なコントラストがとれるが、周
囲が明るくなってくるとコントラストが不充分になる。
したがって、半透光性フィルターの光透過率は素子周囲
光が暗いときには高くて充分だが、素子周囲光が明るい
状態になれば低くなるように変化することが望ましい。
光が暗いときには高くて充分だが、素子周囲光が明るい
状態になれば低くなるように変化することが望ましい。
このことは薄膜ELパネルに限らず、それ以外のディス
プレイ例えばCRT。
プレイ例えばCRT。
FDP等の自発光型のディスプレイの全てにおいて指摘
できることである。
できることである。
上記のように素子前面に配置する半透光性フィ、 ルタ
ーの光透過率が一定値であるため素子周囲光の明るさに
よってコントラスト比が変化する。
ーの光透過率が一定値であるため素子周囲光の明るさに
よってコントラスト比が変化する。
すなわち、比較的周囲光が暗いところでコントラスト比
を高くするためにはフィルターの光透過率は低くしてお
いた方がよいが、そのま才で周囲光が^くなるとコント
ラスト比が低下し、非常に発光表示が見づらくなる問題
がある。
を高くするためにはフィルターの光透過率は低くしてお
いた方がよいが、そのま才で周囲光が^くなるとコント
ラスト比が低下し、非常に発光表示が見づらくなる問題
がある。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、周囲光の明るさが変化してもコントラスト比を一定
に保つことができコントラストが明瞭で発光表示の見易
い発光ディスプレイを提供することを目的としている。
で、周囲光の明るさが変化してもコントラスト比を一定
に保つことができコントラストが明瞭で発光表示の見易
い発光ディスプレイを提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段および作用〕この発明は
、発光素子の前面に設けるコントラスト向上用の半透光
性フィルターを7オトクロミツクガラス、エレクトロク
ロミックガラス等の光透過率を任意に変えることのでき
る素子で構成することを特徴としている。これにより、
周囲光が暗い時にはその光透過率を上げておき、周囲光
が明るくなったら光透過率を下げてやると周囲光の状態
が変化してもコントラスト比を一定に保つことができ、
特に周囲光が極端に明るい場合にも従来のものより高い
コントラストが得らn1発光表示を見易くすることがで
きる。
、発光素子の前面に設けるコントラスト向上用の半透光
性フィルターを7オトクロミツクガラス、エレクトロク
ロミックガラス等の光透過率を任意に変えることのでき
る素子で構成することを特徴としている。これにより、
周囲光が暗い時にはその光透過率を上げておき、周囲光
が明るくなったら光透過率を下げてやると周囲光の状態
が変化してもコントラスト比を一定に保つことができ、
特に周囲光が極端に明るい場合にも従来のものより高い
コントラストが得らn1発光表示を見易くすることがで
きる。
半透光性フィルターを設けると、素子周囲光は、素子に
入射する際に1回、さらに素子で反射さnた後に再び1
回フィルターを通過して観測される。
入射する際に1回、さらに素子で反射さnた後に再び1
回フィルターを通過して観測される。
一方、素子発光はフィルターを1回のみ通過して観測さ
nるので周囲光の方が大きな割合で吸収され、コントラ
ストが向上する。
nるので周囲光の方が大きな割合で吸収され、コントラ
ストが向上する。
このフィルターの光透過率は、周囲光が比較的暗い時は
高くてよい。この際、フィルターの光透過軍が低いと素
子発光をロスしてしまうので比較的高くしておいた方が
有効である。しかし、周囲が明るくなると発光表示のコ
ントラストが下がり非常に見づらくなるので、素子発光
をロスしてもコントラストラ上げる必要がでてくる。し
たがって、周囲が明らくなった時のみ光透過率を下げる
ことのできるフィルターを用いると周囲の明るさによら
ず常に常に高いコントラストの発光表示を得ることがで
きる。
高くてよい。この際、フィルターの光透過軍が低いと素
子発光をロスしてしまうので比較的高くしておいた方が
有効である。しかし、周囲が明るくなると発光表示のコ
ントラストが下がり非常に見づらくなるので、素子発光
をロスしてもコントラストラ上げる必要がでてくる。し
たがって、周囲が明らくなった時のみ光透過率を下げる
ことのできるフィルターを用いると周囲の明るさによら
ず常に常に高いコントラストの発光表示を得ることがで
きる。
こnをさらに具体的数値によって説明する。コントラス
トCは発光部輝度をBe1非発光部輝度をHdとすると
、次式によって表わすことができる0 (11式(こおいてTはフィルターの光透過率である。
トCは発光部輝度をBe1非発光部輝度をHdとすると
、次式によって表わすことができる0 (11式(こおいてTはフィルターの光透過率である。
いま素子が比較的暗いところtC置かnた場合、発光部
輝度Beが100カンデラ/m1.非発光部輝度Bdが
30力ンデラ/m2.フィルターの光透過率Tが0.8
であるとすると、その時のコントラス)、C(暗所、T
=0.8)=5.2である。
輝度Beが100カンデラ/m1.非発光部輝度Bdが
30力ンデラ/m2.フィルターの光透過率Tが0.8
であるとすると、その時のコントラス)、C(暗所、T
=0.8)=5.2である。
フィルターの透過率Tが0.8のままで比較酌量るいと
ころに素子が置かn1発光部輝度Beが100カンデラ
/m2.非発光部輝度Bdが30力ンデラ/m!である
とすると、コントラストC(明所、’l’=Q、8)=
3.5となり、コントラストが低下することが分る。
ころに素子が置かn1発光部輝度Beが100カンデラ
/m2.非発光部輝度Bdが30力ンデラ/m!である
とすると、コントラストC(明所、’l’=Q、8)=
3.5となり、コントラストが低下することが分る。
そこで、この状態でフィルターの透過率Tを0!5に下
げてやると、C(明所、T=0.5)=5. oと、再
びコントラストを最初の状態に近く増加させることがで
きる。
げてやると、C(明所、T=0.5)=5. oと、再
びコントラストを最初の状態に近く増加させることがで
きる。
さらに、第3の実施例として後述するようtこ、光透過
率に分光特性のあるフィルタを用い、表示発光の強い波
長とフィルターの光透過率の高い波長が一致するような
組合せでディスプレイを構成すると、さら1こ高いコン
トラストを実現できる。
率に分光特性のあるフィルタを用い、表示発光の強い波
長とフィルターの光透過率の高い波長が一致するような
組合せでディスプレイを構成すると、さら1こ高いコン
トラストを実現できる。
すなわち、素子の周囲光の波長は通常可視部全体1こ広
がった白色であり、こnに対し表示発光は波長範囲が比
較的狭い。そこで表示発光の強い波長と、フィルターの
光透過率の高い波長を同じ(こしておくと、素子周囲光
がフィルターを通過する率と、表示発光がフィルターを
通過する率が異なってくる。すなわち素子周囲光の透過
率は低く。
がった白色であり、こnに対し表示発光は波長範囲が比
較的狭い。そこで表示発光の強い波長と、フィルターの
光透過率の高い波長を同じ(こしておくと、素子周囲光
がフィルターを通過する率と、表示発光がフィルターを
通過する率が異なってくる。すなわち素子周囲光の透過
率は低く。
表示発光の透過率は高くなり、コントラストを一層向上
させることができる。
させることができる。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図において、1は発光素子でありこの発光素子1は
ガラス基板2上にITO透明電極3 、Y、0゜層4
、Zn S :N1n Jfi 5、Y、0.層6、ア
ルミニウム室状をなし、かつ互いに直交して配役さnl
いわゆるマトリックス電極を構成している。
ガラス基板2上にITO透明電極3 、Y、0゜層4
、Zn S :N1n Jfi 5、Y、0.層6、ア
ルミニウム室状をなし、かつ互いに直交して配役さnl
いわゆるマトリックス電極を構成している。
発光素子1の背面側(光を取り出さない側)に黒色プラ
スチック板8を設け、さらに前面側(光を取り出す側)
に光透過率を変化させることのできるフィルタとしてフ
ォトクロミックガラス板9を配置している。
スチック板8を設け、さらに前面側(光を取り出す側)
に光透過率を変化させることのできるフィルタとしてフ
ォトクロミックガラス板9を配置している。
黒色プラスチック版8は、発光素子1背面の光を遮り、
この素子1を透過して目に入ることを防ぐとともにさら
に発光素子1の前面からこの素子1を透過して背面に出
た光を吸収し、他の部品等に反射して再び発光素子lの
前面1こ出て目に入ることを防いでいる。
この素子1を透過して目に入ることを防ぐとともにさら
に発光素子1の前面からこの素子1を透過して背面に出
た光を吸収し、他の部品等に反射して再び発光素子lの
前面1こ出て目に入ることを防いでいる。
前記マ) IJフックス極中のITO透明電極3および
アルミニウム電極7は、適当な組合せでこちらの電極間
に200v程度の交流電圧を印加すると、アドレスさn
たマトリックス部分のZnS:Mn層が発光する。
アルミニウム電極7は、適当な組合せでこちらの電極間
に200v程度の交流電圧を印加すると、アドレスさn
たマトリックス部分のZnS:Mn層が発光する。
この際、発光していないマトリックスでは素子周囲光が
主Iこ背面のアルミニウム電極7に反射されて再び目に
入るため白く光って見える。このため、発光部との明る
さの差が小さり、シたがってコントラストが低くなる。
主Iこ背面のアルミニウム電極7に反射されて再び目に
入るため白く光って見える。このため、発光部との明る
さの差が小さり、シたがってコントラストが低くなる。
そこで、この発光ディスプレイにおいては、ガラス基板
2の前面1こフォトクロミックガラス9を設けている。
2の前面1こフォトクロミックガラス9を設けている。
このフォトクロミックへガラス9は、ケイ酸塩ガラス中
にハロゲン化銀を分散させたもので、周囲光が暗いと光
透過率が高く、周囲光が明るくなると光透過率が低くな
る性質をもっている。
にハロゲン化銀を分散させたもので、周囲光が暗いと光
透過率が高く、周囲光が明るくなると光透過率が低くな
る性質をもっている。
したがって、周囲光が暗い時にはEL全発光効率よくパ
ネル外に取出すことができ、かつ非発光部は充分に暗い
ので、高コントラストが得られる。
ネル外に取出すことができ、かつ非発光部は充分に暗い
ので、高コントラストが得られる。
また周囲光が明るくなると、それ(こ応じてフォトクロ
ミックガラス9の光透過率が下がり、EL全発光対して
非発光部から反射さnてくる素子周囲光の割合が下がる
のでコントラストが向上する。
ミックガラス9の光透過率が下がり、EL全発光対して
非発光部から反射さnてくる素子周囲光の割合が下がる
のでコントラストが向上する。
このようにして、周囲の明るさ1こ影響されず、常に高
コントラストの表示品質を保つことができ長時間使用し
ても眼が疲れず見易いパネルを実現することができる。
コントラストの表示品質を保つことができ長時間使用し
ても眼が疲れず見易いパネルを実現することができる。
な2、この発明fこおいて、フォトクロミックガラス9
とガラス基板2との間1こは、図示のように間隔を設け
てもあるいはこれを設けなくとも実施することができる
。
とガラス基板2との間1こは、図示のように間隔を設け
てもあるいはこれを設けなくとも実施することができる
。
次にこの発明の第2の実施例について説明する。
この実施例は第1の実施例のフォトクロミック、ガラス
9に代えて第2図(こ示すエレクトロクロミック素子1
0を用いたもので、基本的構成すなわち他の部分は第1
の実施例(第1図)の場合と同じである。
9に代えて第2図(こ示すエレクトロクロミック素子1
0を用いたもので、基本的構成すなわち他の部分は第1
の実施例(第1図)の場合と同じである。
エレクトロクロミック素子10は第2図に示すように、
その上にITO透明電極膜11aおよび酸化タングステ
ン膜12を@、1憾した一方のガラス基板13aとIT
O透明電極11bを付けた他方のガラス基板13bとを
スペーサー14a、14bを介して対向させて配設し、
こちらの間にできる空間に硫酸15を充1!Aさせた構
成のものである。
その上にITO透明電極膜11aおよび酸化タングステ
ン膜12を@、1憾した一方のガラス基板13aとIT
O透明電極11bを付けた他方のガラス基板13bとを
スペーサー14a、14bを介して対向させて配設し、
こちらの間にできる空間に硫酸15を充1!Aさせた構
成のものである。
この素子10の酸化タング入テン1摸12が設けらnて
いる側のITO透明電1tfsllaに負、もう−万の
ITO透明電極11bに正の直流電圧を印加すると、硫
酸15中の水素イオン(H)が酸化タンク人テン膜12
中1こ注入さnこの膜12が着色する。また着色の際と
は逆に酸化タングステン膜12側のITO透明電極11
aが正の直流電圧を印加すると、酸化タングステン膜1
2中の水素イオンが硫酸15中に放出さn膜12の着色
が消え、本来の透明1こもどる。素子10の着色量は素
子を流れる電荷量によって変化する。
いる側のITO透明電1tfsllaに負、もう−万の
ITO透明電極11bに正の直流電圧を印加すると、硫
酸15中の水素イオン(H)が酸化タンク人テン膜12
中1こ注入さnこの膜12が着色する。また着色の際と
は逆に酸化タングステン膜12側のITO透明電極11
aが正の直流電圧を印加すると、酸化タングステン膜1
2中の水素イオンが硫酸15中に放出さn膜12の着色
が消え、本来の透明1こもどる。素子10の着色量は素
子を流れる電荷量によって変化する。
したがってこのエレクトロクロミック素子はフォトクロ
ミックガラスと同様に任意の光透過率をもつことができ
る。
ミックガラスと同様に任意の光透過率をもつことができ
る。
ぞこでエレクトロクロミック素子10を着色させるため
の直流電圧をシリコンフォトセルを用いて周囲光に応じ
て制御し、周囲光が暗い場合はエレクトロクロミック素
子の着色を抑えておき、周囲光が明るい場合は着色を強
くすることにより第1の実施例と同様周囲の明るさ1こ
よらずEL発光表示が常に高いコントラストの表示品質
を保ち、長時間便用しても眼が疲れることなく見易いパ
ネルを実現することができる。
の直流電圧をシリコンフォトセルを用いて周囲光に応じ
て制御し、周囲光が暗い場合はエレクトロクロミック素
子の着色を抑えておき、周囲光が明るい場合は着色を強
くすることにより第1の実施例と同様周囲の明るさ1こ
よらずEL発光表示が常に高いコントラストの表示品質
を保ち、長時間便用しても眼が疲れることなく見易いパ
ネルを実現することができる。
な2、エレクトロクロミック素子10j、着色させるた
めの直流電圧の制御は人為的に行なうようにしてもよい
。またエレクトロクロミック素子lOのガラス基板2と
の間には間隔があってもなくてもよく、さらにEL発光
素子1のガラス基板2とエレクトロクロミック素子10
のガラス基板13a。
めの直流電圧の制御は人為的に行なうようにしてもよい
。またエレクトロクロミック素子lOのガラス基板2と
の間には間隔があってもなくてもよく、さらにEL発光
素子1のガラス基板2とエレクトロクロミック素子10
のガラス基板13a。
13bの一方を共用することもでき、このようにすれば
その分構成の簡略化を計ることができる。
その分構成の簡略化を計ることができる。
次1ここの発明の第3の実施例を説明すれば、この実施
例は第2の実施例と同様に発光素子として薄膜EL索子
を用い、フィルターとしてエレクトロクロミック素子を
用いて構成する。
例は第2の実施例と同様に発光素子として薄膜EL索子
を用い、フィルターとしてエレクトロクロミック素子を
用いて構成する。
薄膜EL索子の発光層は硫化ストロンチウム(Sr8)
を母体とし、それにセリウム(Ce)と塩素(C/)を
付加したSrS : Ce1lを用いている。この発光
層の発光色は青色である。またフィルターとして用いた
エレクトロクロミック素子は第2の実施例と同じ酸化タ
ングステンと硫酸の組み合せであり、この素子は長波長
(光測)に光吸収のピークがあり、短波長(背側)(こ
行くにしたがって透過率が上昇する。このため上述した
よう1こ素子周囲・光は比較的多くフィルターに吸収さ
几るが青色のEL全発光余り吸収さ几ない。
を母体とし、それにセリウム(Ce)と塩素(C/)を
付加したSrS : Ce1lを用いている。この発光
層の発光色は青色である。またフィルターとして用いた
エレクトロクロミック素子は第2の実施例と同じ酸化タ
ングステンと硫酸の組み合せであり、この素子は長波長
(光測)に光吸収のピークがあり、短波長(背側)(こ
行くにしたがって透過率が上昇する。このため上述した
よう1こ素子周囲・光は比較的多くフィルターに吸収さ
几るが青色のEL全発光余り吸収さ几ない。
したがってこnlこより高いコントラストが得られ、第
1および第2の実施し1]同様周囲の明るさによらず高
コントラスト4 tiつことができ長時間使用しても眼
が疲nず、見易いパネルを実現することができる。
1および第2の実施し1]同様周囲の明るさによらず高
コントラスト4 tiつことができ長時間使用しても眼
が疲nず、見易いパネルを実現することができる。
なお、この発明は上記実施例のみに限定さnるものでは
なく要旨を変更しない範囲1こおいて種々変形して実施
することができる。
なく要旨を変更しない範囲1こおいて種々変形して実施
することができる。
上記実施例はいずnも薄膜EL素子に光透過率可変型の
フィルターを組合せているがこの発明は薄膜EL素子1
こ限らずCRT、FDP等の他の自発光型ディスプレイ
の場合に広く適用することができる。
フィルターを組合せているがこの発明は薄膜EL素子1
こ限らずCRT、FDP等の他の自発光型ディスプレイ
の場合に広く適用することができる。
以上述べたよう1ここの発明によれば、周囲光の明るさ
が変化してもコントラスト比を一定に保つことができコ
ントラストが明瞭で発光表示の見易に発光ディスプレイ
を提供することができる。
が変化してもコントラスト比を一定に保つことができコ
ントラストが明瞭で発光表示の見易に発光ディスプレイ
を提供することができる。
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第2
図はこの発明においてフィルターとして用いるエレクト
ロクロミック素子の断面図である。 1・・・発光素子 2・・・ガラス基板3・・・
ITO透明電極 4・・・YtOs層5− ZnS
: M1層 6 ・Y、O,層7・・・アルミニウ
ム電極 8・・・黒色プラスチック板 9・・・フォトクロミックガラス板 10・・・エレクトロクロミック素子 11a、1lb−・・ITO透明電極 12・・・酸化タングステン膜 13a、13b・・・ガラス基板 14a、 14b
・・・スペーサー15・・・硫酸
図はこの発明においてフィルターとして用いるエレクト
ロクロミック素子の断面図である。 1・・・発光素子 2・・・ガラス基板3・・・
ITO透明電極 4・・・YtOs層5− ZnS
: M1層 6 ・Y、O,層7・・・アルミニウ
ム電極 8・・・黒色プラスチック板 9・・・フォトクロミックガラス板 10・・・エレクトロクロミック素子 11a、1lb−・・ITO透明電極 12・・・酸化タングステン膜 13a、13b・・・ガラス基板 14a、 14b
・・・スペーサー15・・・硫酸
Claims (5)
- (1)自発光素子を用いた発光ディスプレイにおいて、
前面側に光透過率を変化させることのできるフィルター
を設けたことを特徴とする発光ディスプレイ。 - (2)自発光素子として、透明基板上に透明電極、誘電
体層、EL発光層、金属電極等の薄膜を積層し、前記透
明電極と金属電極の間に交流電圧を印加することにより
EL発光層を発光させる薄膜EL素子を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の発光ディスプレイ
。 - (3)光透過率を変化させることのできるフィルタとし
てフォトクロミック素子を用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項または第2項記載の発光ディスプレイ
。 - (4)光透過率を変化させることのできるフィルタとし
てエレクトロクロミック素子を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項または第2項記載の発光ディスプ
レイ。 - (5)光透過率を変化させることのできるフィルタはそ
の光透過率が光の波長によって変化するものを用い、そ
の光透過率が比較的高い波長と、自発光素子の発光波長
を一致させるような自発光素子およびフィルタを組合せ
て構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の発光ディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19309286A JPS6348589A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 発光デイスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19309286A JPS6348589A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 発光デイスプレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6348589A true JPS6348589A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16302095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19309286A Pending JPS6348589A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 発光デイスプレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6348589A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035698U (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-21 | ||
US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
JP2006293043A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
KR20120101262A (ko) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19309286A patent/JPS6348589A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035698U (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-21 | ||
US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
JP2006293043A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
KR20120101262A (ko) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101869062B1 (ko) * | 2011-03-04 | 2018-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
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