KR970063787A - 반도체 박막과 이의 제조 방법 및 반도체 장치와 이를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 박막과 이의 제조 방법 및 반도체 장치와 이를 제조하는 방법 Download PDF

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순페이 야마자끼
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아키하루 미야나가
타케시 후쿠나가
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순페이 야마자끼
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

박막 반도체 트랜지스터 구조는 유전 표면을 지닌 기판 및 단일 결정성과 동등항 결정성을 보이는 반도체 박막으로 제조된 활성층을 가진다. 이 트랜지스터를 제조하기 위해, 기판과 거의 평행판 칼럼형 및/또는 모세관형 결정인 복수개의 결정들의 혼합물을 포함하는 반도체 박막이 기판 상에 형성된다. 결과된 구조를 할로겐을 함유하는 특정 분위기에서 열산화 처리하고, 이럼으로써 막 내에 포함되어진 임의의 금속 원소를 제거한다. 이것은 개별 칼럼형 또는 모세관형 결정이 임의의 인접 결정과 접촉하고 있으며 그리고 내부에 임의의 결정 입자 경계를 포함하지 않는 단일 결정성 부위로 추정되는 단일 도메인 부위를 형성하는 것을 가능하게 한다. 이러한 부위는 트랜지스터의 활성층을 형성하는 데 사용한다.

Description

반도체 박막과 이의 제조 방법 및 반도체 장치와 이를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 한 바람직한 구체예에 따라서, 단일 도메인 부위를 가지는 반도체 박막을 형성하는데 있어서 주요한 단계를 도식적인 단면도로 설명한 것이다.
제3a도 내지 제3e도는 본 발명의 반도체 장치를 제조하는 주요한 단계를 도식적인 단면도로 설명한 것이다.

Claims (52)

  1. 기판의 절연막 상에 형성된 반도체 박막에 있어서, 상기 박막은 기판과 거의 평행한 복수개의 칼럼형 또는 침상 결정을 포함하는 단일 도메인 부위를 포함하며, 상기 결정은 칼럼형 결정 및 모세관형 결정으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위는 거의 결정 입자 경계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위는 두께가 15 내지 45 나노미터인 것을 특징으로 하는 박막.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단일 도메인 부윌르 구성하는 상기 박막의 일부는 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자로 도핑된 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  5. 유전 표면을 가지는 기판 상에 형성된 반도체 박막에 있어서, 상기 반도체 박막은 상기 기판에 거의 평행하며, 내부에 결정 입자 경계를 거의 가지지 않는 복수개의 컬럼형 또는 침상형 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  6. 제5항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위는 두께가 15내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  7. 제5항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위를 구성하는 상기 박막의 일부는 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자로 도핑된 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  8. 기판의 유전 표면상 형성된 반도체 박막에 있어서, 상기 반도체 박막은 상기 기판에 거의 평행하며, 내부에 결정 입자 경계를 거의가지지 않는 복수개의 컬럼형 또는 침상형 결정을 포함하며, 상기 박막의 일부는 수소 및 할로겐 원소를 5원자 퍼센트 이하의 비율로 함유하는 상기 단일 도메인 부위를 구성하며; 및 상기 할로겐은 염소, 취소 및 불소로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  9. 제8항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위는 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  10. 제8항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위를 구성하는 상기 박막의 일부는 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자로 도핑된 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  11. 저압 화학 증기 증착으로 유전 표면을 가지는 기판에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘막의 결정화를 용이하게 하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거시키는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 제2열처리를 실시함으로써 상기 결정성 실리콘 막을 상응하는 단일 도메인 부위로 상태 전환하면서 상기 비정질 실리콘 막 및 상기 결정성 실리콘 막의 적어도 일부분 상에 할로겐을 포함하는 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 열 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 제조 방법을 사용하여 형성되는 반도체 박막.
  12. 제11항에 있어서, 상기 할로겐은 상기 반도체 박막의 표면 또는 그 근처에 높은 농도로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  13. 제11항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위는 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 박막.
  14. 제5항에 있어서, 상기 단일 도메인 부위를 구성하는 상기 박막의 일부는 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자로 도핑된 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.
  15. 저압 화학 증기 증착으로 유전 표면을 가지는 기판에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘 막의 결정화를 용이하게 하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘 막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 제2열처리를 실시함으로써 상기 결정성 실리콘 막을 상응하는 단일 도메인 부위로 상태 전환하면서 상기 비정실 실리콘 막 및 상기 결정성 실리콘 막의 적어도 일부분 상에 할로겐을 포함하는 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 열 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 결정성 실리콘 막은 상기 기판에 거의 평행인, 칼럼형 결정 및 모세관형 결정으로 구성되는 군으로부터 선택된, 다중 결정의 혼합물로서 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기판으로서, 수정 기판 및 실리콘 기판 중 하나가 사용되고, 상기 수정 기판은 인공 수정 타겟을 이용하여 스퍼터링 기술로 그 표면에 형성된 실리콘 산화막을 가지며, 상기 실리콘 기판은 그 표면에 열 산화막을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 금속 원소는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Ru), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 할로겐을 포함하는 분위기는 HCI, HF, HBr, CI2, NF3, F2, 및 Br2로 구성되는 군으로부터 선택되는 가스가 하나 또는 복수개 첨가된 산소 가스인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 제1열처리는 500내지 700℃에서 시행하고 상기 제2열처리는 700 내지 1100℃에서 시행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 유전 표면을 가지는 기판; 상기 기판의 표면 상에 활성층으로서 반도체 박막을 포함하며, 상기 박막은 내부에 기판 표면에 거의 평행한 칼럼형 또는 침상형 결정을 복수개 함유하는 단일 도메인 부위를 가지며, 상기 활성층은 상기 단일 도메인 부위로만 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 활성층은 결정 입자 경계도 본질적으로 내포하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 활성층은 두께가 15내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  24. 제21항에 있어서, 상기 활성층은 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자 농도로 수소로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  25. 유전 표면을 가진 기판과,활성층으로서 상기 기판상에 형성된 반도체 박막을 포함하는 반도체장치로서, 상기 박막은, 주상 결정과 침상 결정으로 이루어진 군으로부터 선택되고 상기 기판에 실질적으로 평행한 다수의 결정의 혼합물을 포함하는 모노도메인 영역을 가지며; 상기 활성층이, 결정입계가 실질적으로 조재하지 않고 상기 모노도메인 영역으로만 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 활성층은 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  27. 제25항에 있어서, 상기 활성층은 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자 농도로 수소로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  28. 저압 화학 증기 중착으로 유전 표면을 가지는 기판 상에 실리콘 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘 막의 결정화를 가속화 하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘 막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거시키는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 제2열처리를 실시함으로써 상기 결정성 실리콘 막을 단일 도메인 부위로 상태전환하면서 상기 비정질 실리콘 막 및 상기 결정성 실리콘 막의 적어도 일부분 상에 할로겐을 포함하는 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 열 산화막을 제거하면서, 상기 단일 도메인 부위가 전기적으로 상기 반도체 장치의 활성층을 구성하게 하는 단계를 포함하는 방법을 사용하여 형성되는 반도체 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 단일 활성층은 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  30. 제28항에 있어서, 상기 활성층은 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자 농도로 수소로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  31. 제28항에 있어서, 상기 할로겐은 상기 활성층의 표면 또는 그 근처에 높은 농도로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  32. 반도체 박막으로 구성되는 활성층을 가지는 반도체 장치에 있어서, 상기 장치는 : 저압 화학 증기 중착으로 유전 표면을 가지는 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘 막의 결정화를 가속화하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘 막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거시키는 단계; 상기 결정성 실리콘 막만을 사용하여 활성층을 형성하는 단계; 내부에 실리콘을 주요 성분으로 포함하고 상기 활성층을 덮는 절연막을 가스상 성장으로써 형성하는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 열처리를 실시함으로써 상기 활성층으로부터 상기 금속원소를 게터 제거하여 상기 활성층을 단일 도메인 부위로 전환하면서 상기 활성층 및 상기 절연막 사이의 계면에 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 및 상기 열 산화막을 질소 분위기에서 가열하여 막질을 향상시키는 단계를 포함하는 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 할로겐은 상기 활성층의 표면 또는 그 근처에 높은 농도로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  34. 제32항에 있어서, 상기 단일 활성층의 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  35. 제32항에 있어서, 상기 활성층은 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자 농도로 수소로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  36. 절연 표면을 가지는 기판; 상기 기판의 표면 상에 활성층으로서 반도체 박막을 포함하며, 상기 박막은 내부에 결정 입자 경계를 거의 가지지 않으며 및 내부에 기판 표면에 거의 평행한 칼럼형 또는 침상형 결정을 복수개 함유하는 단일 도메인 부위를 가지며; 상기 활성층은 5원자 퍼센트 이하의 특정 농도로 도핑된 수소 및 할로겐을 함유하는 상기 단일 도메인 부위로만 구성되며; 상기 할로겐은 염소, 취소 및 불소로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 할로겐은 상기 활성층은 표면 또는 그 근처에서 농도가 높은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  38. 제36항에 있어서, 상기 활성층은 두께가 15 내지 45나노미터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  39. 제36항에 있어서, 상기 활성층은 체적 센티미터당 1×1015내지 1×1021원자 농도로 수소로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  40. 집적회로를 가지는 실리콘 기판; 및 상기 회로를 덮는 반도체 박막으로 구성되는 활성층을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 박막은 상기 기판에 거의 평형한 다중 칼럼형 및 모세관형 결정들로 형성되는 단일 도메인 부위를 가지며, 및 상기 활성층은 내부에 결정 입자 경계를 거의 가지지 않고 상기 단일 도메인 부위로만 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 활성층은 내부에 수소 및 할로겐을 5원자% 이하의 소정 농도로 포함하고, 상기 할로겐은 염소, 취소 및 불소로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  42. 반도체 박막으로 구성되는 활성층을 가지는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 저압 화학 증기증착으로, 유전 표면을 가지는 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘 막의 결정화를 가속화하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘 막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거시키는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 제2열처리를 실시함으로써 상기 결정성 실리콘 막을 단일 도메인 부위로 상태전환하면서 상기 비정질 실리콘 막 및 상기 결정성 실리콘 막 상에 할로겐을 포함하는 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 열 산화막을 제거하면서, 상기 단일 도메인 부위가 전적으로 상기 반도체 장치의 활성층을 구성하게 하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 결정성 실리콘 막은 상기 기판에 거의 평행인, 칼럼형 결정 및 모세관형 결정으로 구성되는 군으로부터 선택된, 복수개 결정의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제42항에 있어서, 상기 기판으로서, 수정 기판 및 실리콘 기판 중 하나가 사용되고, 상기 수정 기판은 인공 수정 타겟을 이용하는 스퍼터링 기술로 그 표면에 형성된 실리콘 산화막을 가지며, 상기 실리콘 기판은 그 표면에 열 산화막을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제42항에 있어서, 상기 결정화를 가속시키는 금속 원소는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Ru), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제42항에 있어서, 할로겐을 포함하는 분위기는 HCI, HF, HBr, Cl2, NF3, F2및 Br2로 구성되는 군으로부터 선택되는 가스가 하나 또는 복수개 첨가된 산소 가스인 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제42항에 있어서, 상기 제1열처리는 500 내지 700℃에서 시행하고 상기 제2열처리는 700 내지 1100℃에서 시행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 반도체 박막으로 구성되는 활성층을 가지는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 저압 화학 증기증착으로 유전 표면을 가지는 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 상에 실리콘 산화막을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 비정질 산화막 근처에 상기 비정질 실리콘 막의 결정화를 용이하게 하기 위한 금속 원소를 보지하는 단계; 제1열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘 막의 적어도 일부분을 결정성 실리콘 막으로 전환시키는 단계; 상기 실리콘 산화막을 제거시키는 단계; 상기 결정성 실리콘 막만을 사용하여 활성층을 형성하는 단계; 내부에 실리콘을 주요 성분으로 포함하고 상기 활성층을 덮는 절연막을 가스상정장으로써 형성하는 단계; 할로겐을 함유하는 분위기에서 열처리를 실시함으로써 상기 활성층으로부터 상기 금속 원소를 게터 기술로 제거하여 상기 활성층을 단일 도메인 부위로 전환하면서 상기 활성층 및 상기 절연막 사이의 계면에 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 및 상기 열 산화막을 질소 분위기에서 가열하여 막질을 향상시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  49. 제48항에 있어서, 상기 결정성 실리콘 막은 상기 기판에 거의 평행인, 칼럼형 결정 및 모세관형 결정으로 구성되는 군으로부터 선택된, 복수개 결정의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제48항에 있어서, 상기 기판으로서, 수정 기판 및 실리콘 기판 중 하나가 사용되고, 상기 수정 기판은 인공 수정 타켓을 이용하는 스퍼터링 기술로 그 표면에 형성된 실리콘 산화막을 가지며, 상기 실리콘 기판은 그 표면에 열 산화막을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 제 48항에 있어서, 상기 결정화를 가속시키는 금속 원소는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Ru), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 제48항에 있어서, 할로겐을 포함하는 분위기는 HCI, HF, HBr, Cl2, NF3,F2및 Br2로 구성되는 군으로부터 선택되는 가스가 하나 또는 복수개 첨가된 산소 가스인 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW (1) TW374196B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560047B1 (ko) * 1997-02-24 2006-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체박막및반도체장치

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW335503B (en) 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
TW317643B (ko) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW374196B (en) 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
US6686623B2 (en) 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
JP2000012864A (ja) 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6271101B1 (en) 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3955409B2 (ja) * 1999-03-17 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US6346730B1 (en) 1999-04-06 2002-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate
KR100421914B1 (ko) * 2001-12-28 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조 방법
EP1560665A1 (en) * 2002-07-01 2005-08-10 Thomas Steel Strip Corporation Corrosion resistant coatings and method of producing
US7417252B2 (en) * 2003-07-18 2008-08-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display
US7699232B2 (en) 2004-02-06 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7663473B2 (en) * 2004-02-12 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, IC card, IC tag, RFID, transponder, bills, securities, passport, electronic apparatus, bag, and clothes
CN101943667B (zh) * 2005-02-10 2013-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
US7470573B2 (en) * 2005-02-18 2008-12-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making CMOS devices on strained silicon on glass
KR100648194B1 (ko) * 2005-07-27 2006-11-23 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US7601227B2 (en) * 2005-08-05 2009-10-13 Sumco Corporation High purification method of jig for semiconductor heat treatment
KR101267499B1 (ko) * 2005-08-18 2013-05-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그에 의해 제조된박막 트랜지스터
US20070161150A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Intel Corporation Forming ultra dense 3-D interconnect structures
CN101443888B (zh) * 2006-03-13 2011-03-16 内诺格雷姆公司 薄硅或者锗片以及由薄片形成的光电池
KR100857453B1 (ko) * 2006-09-29 2008-09-08 한국전자통신연구원 저전압용 이미지 센서의 감광 픽셀
US8334536B2 (en) * 2007-03-16 2012-12-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, organic light emitting diode display device having the same, flat panel display device, and semiconductor device, and methods of fabricating the same
KR100875432B1 (ko) 2007-05-31 2008-12-22 삼성모바일디스플레이주식회사 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR20100029126A (ko) * 2007-06-15 2010-03-15 나노그램 코포레이션 무기물 포일의 반응성 유동 증착 및 합성
KR100889626B1 (ko) * 2007-08-22 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법
CN100582855C (zh) * 2007-08-23 2010-01-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内视镜头及内视镜装置
KR100889627B1 (ko) * 2007-08-23 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
KR100982310B1 (ko) * 2008-03-27 2010-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR100989136B1 (ko) * 2008-04-11 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR101002666B1 (ko) * 2008-07-14 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
US20100294352A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation
US8314421B2 (en) * 2009-06-01 2012-11-20 Qiu Cindy X Thin film transistors and circuits with metal oxynitride active channel layers
US8013339B2 (en) * 2009-06-01 2011-09-06 Ishiang Shih Thin film transistors and arrays with controllable threshold voltages and off state leakage current
US8772627B2 (en) * 2009-08-07 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
IN2012DN01823A (ko) 2009-10-16 2015-06-05 Semiconductor Energy Lab
US8602838B2 (en) * 2010-08-26 2013-12-10 Mcronix International Co., Ltd. Chemical mechanical polishing method and system
FR2968457B1 (fr) * 2010-12-07 2013-03-22 Sagem Defense Securite Procédé de fabrication d'au moins une cellule pixelique détectrice, capteur comportant au moins une telle cellule.
TWM421516U (en) 2011-07-05 2012-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Top-gate type transistor array substrate
CN103295901B (zh) * 2012-03-02 2016-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 鳍式场效应管的形成方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN103560760B (zh) * 2013-11-13 2019-05-03 福禄克精密测量有限公司 放大电路以及测量装置
CN105161496A (zh) 2015-07-30 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置
US11152514B2 (en) 2017-09-29 2021-10-19 Intel Corporation Multi-layer crystalline back gated thin film transistor
CN113140637A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法
JP2022085258A (ja) * 2020-11-27 2022-06-08 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および移動体

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3964941A (en) * 1971-06-21 1976-06-22 Motorola, Inc. Method of making isolated complementary monolithic insulated gate field effect transistors
US4217153A (en) * 1977-04-04 1980-08-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device
US4104675A (en) * 1977-06-21 1978-08-01 International Business Machines Corporation Moderate field hole and electron injection from one interface of MIM or MIS structures
US4231809A (en) 1979-05-25 1980-11-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of removing impurity metals from semiconductor devices
DE3241959A1 (de) * 1981-11-13 1983-05-26 Canon K.K., Tokyo Halbleiterbauelement
EP0090624B1 (en) * 1982-03-26 1989-07-26 Fujitsu Limited Mos semiconductor device and method of producing the same
JPH0712210B2 (ja) * 1982-06-02 1995-02-08 株式会社日立製作所 撮像表示装置
US4768076A (en) * 1984-09-14 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Recrystallized CMOS with different crystal planes
JPS6179315U (ko) * 1984-10-26 1986-05-27
DE3689735T2 (de) * 1985-08-02 1994-06-30 Semiconductor Energy Lab Verfahren und Gerät zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
JPS6292361A (ja) * 1985-10-17 1987-04-27 Toshiba Corp 相補型半導体装置
US4690730A (en) * 1986-03-07 1987-09-01 Texas Instruments Incorporated Oxide-capped titanium silicide formation
EP0235819B1 (en) * 1986-03-07 1992-06-10 Iizuka, Kozo Process for producing single crystal semiconductor layer
US4753896A (en) * 1986-11-21 1988-06-28 Texas Instruments Incorporated Sidewall channel stop process
US4786955A (en) * 1987-02-24 1988-11-22 General Electric Company Semiconductor device with source and drain depth extenders and a method of making the same
JPH0687503B2 (ja) * 1987-03-11 1994-11-02 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置
US4904611A (en) * 1987-09-18 1990-02-27 Xerox Corporation Formation of large grain polycrystalline films
JP2746606B2 (ja) * 1987-09-18 1998-05-06 ゼロックス コーポレーション 大粒子多結晶質膜の製造方法
JPH01162376A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5059304A (en) * 1988-02-12 1991-10-22 Chevron Research Company Process for removing sulfur from a hydrocarbon feedstream using a sulfur sorbent with alkali metal components or alkaline earth metal components
US4899202A (en) * 1988-07-08 1990-02-06 Texas Instruments Incorporated High performance silicon-on-insulator transistor with body node to source node connection
US4906587A (en) * 1988-07-29 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Making a silicon-on-insulator transistor with selectable body node to source node connection
US5002630A (en) * 1989-06-06 1991-03-26 Rapro Technology Method for high temperature thermal processing with reduced convective heat loss
US5215931A (en) * 1989-06-13 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Method of making extended body contact for semiconductor over insulator transistor
JPH0758773B2 (ja) * 1989-07-14 1995-06-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US5387555A (en) * 1992-09-03 1995-02-07 Harris Corporation Bonded wafer processing with metal silicidation
US5849627A (en) 1990-02-07 1998-12-15 Harris Corporation Bonded wafer processing with oxidative bonding
US5089441A (en) 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
FR2663464B1 (fr) * 1990-06-19 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Circuit integre en technologie silicium sur isolant comportant un transistor a effet de champ et son procede de fabrication.
DE69111929T2 (de) * 1990-07-09 1996-03-28 Sony Corp Halbleiteranordnung auf einem dielektrischen isolierten Substrat.
US5750000A (en) * 1990-08-03 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor member, and process for preparing same and semiconductor device formed by use of same
DE69133004T2 (de) * 1990-08-03 2002-10-02 Canon Kk Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2940880B2 (ja) * 1990-10-09 1999-08-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR920008834A (ko) * 1990-10-09 1992-05-28 아이자와 스스무 박막 반도체 장치
TW237562B (ko) 1990-11-09 1995-01-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5821563A (en) * 1990-12-25 1998-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device free from reverse leakage and throw leakage
DE69213539T2 (de) * 1991-04-26 1997-02-20 Canon Kk Halbleitervorrichtung mit verbessertem isoliertem Gate-Transistor
US5261999A (en) * 1991-05-08 1993-11-16 North American Philips Corporation Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations
CA2069038C (en) 1991-05-22 1997-08-12 Kiyofumi Sakaguchi Method for preparing semiconductor member
US6849872B1 (en) 1991-08-26 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
DE69332960T2 (de) * 1992-01-28 2004-05-13 Canon K.K. Halbleiteranordnung
US5424230A (en) * 1992-02-19 1995-06-13 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a polysilicon thin film transistor
TW214603B (en) * 1992-05-13 1993-10-11 Seiko Electron Co Ltd Semiconductor device
JP3199847B2 (ja) * 1992-07-09 2001-08-20 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5403759A (en) * 1992-10-02 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Method of making thin film transistor and a silicide local interconnect
US5576556A (en) * 1993-08-20 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film semiconductor device with gate metal oxide and sidewall spacer
TW232751B (en) 1992-10-09 1994-10-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for forming the same
JPH0798460A (ja) 1992-10-21 1995-04-11 Seiko Instr Inc 半導体装置及び光弁装置
US5359219A (en) * 1992-12-04 1994-10-25 Texas Instruments Incorporated Silicon on insulator device comprising improved substrate doping
US5604360A (en) 1992-12-04 1997-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor
TW226478B (en) 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5258323A (en) * 1992-12-29 1993-11-02 Honeywell Inc. Single crystal silicon on quartz
US5982002A (en) 1993-01-27 1999-11-09 Seiko Instruments Inc. Light valve having a semiconductor film and a fabrication process thereof
JP3497198B2 (ja) 1993-02-03 2004-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および薄膜トランジスタの作製方法
US6683350B1 (en) 1993-02-05 2004-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the same
JP3318384B2 (ja) 1993-02-05 2002-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ及びその作製方法
JPH06296023A (ja) 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JPH06244103A (ja) 1993-02-15 1994-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体の製造方法
JP3662263B2 (ja) 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5639698A (en) 1993-02-15 1997-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
TW278219B (ko) 1993-03-12 1996-06-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW241377B (ko) 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
JP3193803B2 (ja) 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
US5624851A (en) 1993-03-12 1997-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device in which one portion of an amorphous silicon film is thermally crystallized and another portion is laser crystallized
KR100203982B1 (ko) 1993-03-12 1999-06-15 야마자끼 순페이 반도체장치 및 그의 제작방법
US5501989A (en) 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
US5818076A (en) 1993-05-26 1998-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US5481121A (en) 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
JP3450376B2 (ja) 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
TW295703B (ko) * 1993-06-25 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP2791858B2 (ja) 1993-06-25 1998-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5298447A (en) * 1993-07-22 1994-03-29 United Microelectronics Corporation Method of fabricating a flash memory cell
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
TW357415B (en) 1993-07-27 1999-05-01 Semiconductor Engrgy Lab Semiconductor device and process for fabricating the same
US5492843A (en) 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JP2975973B2 (ja) * 1993-08-10 1999-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2762215B2 (ja) 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
JP2814049B2 (ja) 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
US5581092A (en) * 1993-09-07 1996-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gate insulated semiconductor device
TW297142B (ko) * 1993-09-20 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3030368B2 (ja) * 1993-10-01 2000-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5719065A (en) * 1993-10-01 1998-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers
TW264575B (ko) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
TW299897U (en) * 1993-11-05 1997-03-01 Semiconductor Energy Lab A semiconductor integrated circuit
JP3562590B2 (ja) 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5612250A (en) 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
US5654203A (en) * 1993-12-02 1997-08-05 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using catalyst elements to promote crystallization
JP2860869B2 (ja) 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW272319B (ko) 1993-12-20 1996-03-11 Sharp Kk
KR100319332B1 (ko) 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
JP3281700B2 (ja) * 1993-12-22 2002-05-13 三菱電機株式会社 半導体装置
TW279275B (ko) * 1993-12-27 1996-06-21 Sharp Kk
JP3378078B2 (ja) 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3293736B2 (ja) 1996-02-28 2002-06-17 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法および貼り合わせ基体
US6162667A (en) 1994-03-28 2000-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating thin film transistors
JP3195157B2 (ja) 1994-03-28 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP3192546B2 (ja) * 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6433361B1 (en) 1994-04-29 2002-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit and method for forming the same
JP3540012B2 (ja) 1994-06-07 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JPH07335906A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
JP3072000B2 (ja) 1994-06-23 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3361922B2 (ja) * 1994-09-13 2003-01-07 株式会社東芝 半導体装置
JP4083821B2 (ja) * 1994-09-15 2008-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5712191A (en) 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3942651B2 (ja) 1994-10-07 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3486240B2 (ja) 1994-10-20 2004-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US5756364A (en) 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
JP3109968B2 (ja) 1994-12-12 2000-11-20 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス回路基板の製造方法及び該回路基板を用いた液晶表示装置の製造方法
US6421754B1 (en) 1994-12-22 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated System management mode circuits, systems and methods
US5778237A (en) * 1995-01-10 1998-07-07 Hitachi, Ltd. Data processor and single-chip microcomputer with changing clock frequency and operating voltage
JPH08255907A (ja) 1995-01-18 1996-10-01 Canon Inc 絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
JPH08203998A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Sony Corp 多層配線の形成方法
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3482028B2 (ja) * 1995-03-01 2003-12-22 株式会社リコー マイクロセンサ
JP3675886B2 (ja) 1995-03-17 2005-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイスの作製方法
TW447144B (en) 1995-03-27 2001-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3499327B2 (ja) 1995-03-27 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP3292657B2 (ja) * 1995-04-10 2002-06-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置の製造法
US5841173A (en) * 1995-06-16 1998-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. MOS semiconductor device with excellent drain current
JPH098313A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
FR2738671B1 (fr) * 1995-09-13 1997-10-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces a materiau semiconducteur
CN1132223C (zh) 1995-10-06 2003-12-24 佳能株式会社 半导体衬底及其制造方法
JP2692659B2 (ja) 1995-10-13 1997-12-17 日本電気株式会社 Ｓｏｉ基板および該ｓｏｉ基板の製造方法
JPH09191111A (ja) 1995-11-07 1997-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5573961A (en) * 1995-11-09 1996-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of making a body contact for a MOSFET device fabricated in an SOI layer
JP3604791B2 (ja) 1995-11-09 2004-12-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5573964A (en) * 1995-11-17 1996-11-12 International Business Machines Corporation Method of making thin film transistor with a self-aligned bottom gate using diffusion from a dopant source layer
TW324101B (en) 1995-12-21 1998-01-01 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit and its working method
US5985740A (en) * 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3645380B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
JP3476320B2 (ja) 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
TW317643B (ko) 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW374196B (en) 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
US5817550A (en) * 1996-03-05 1998-10-06 Regents Of The University Of California Method for formation of thin film transistors on plastic substrates
US5728619A (en) * 1996-03-20 1998-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective reactive Ion etch (RIE) method for forming a narrow line-width high aspect ratio via through an integrated circuit layer
FR2748851B1 (fr) 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
JPH1012889A (ja) 1996-06-18 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体薄膜および半導体装置
JPH1020331A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
TW548686B (en) 1996-07-11 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab CMOS semiconductor device and apparatus using the same
US5710057A (en) * 1996-07-12 1998-01-20 Kenney; Donald M. SOI fabrication method
US6287900B1 (en) 1996-08-13 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device with catalyst addition and removal
JP3260660B2 (ja) 1996-08-22 2002-02-25 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP4103968B2 (ja) 1996-09-18 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US5899711A (en) 1996-10-11 1999-05-04 Xerox Corporation Method for enhancing hydrogenation of thin film transistors using a metal capping layer and method for batch hydrogenation
KR100500033B1 (ko) 1996-10-15 2005-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TW451284B (en) 1996-10-15 2001-08-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH10135475A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6118148A (en) 1996-11-04 2000-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6262438B1 (en) 1996-11-04 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display circuit and method of manufacturing the same
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
SG65697A1 (en) 1996-11-15 1999-06-22 Canon Kk Process for producing semiconductor article
KR100232886B1 (ko) 1996-11-23 1999-12-01 김영환 Soi 웨이퍼 제조방법
US5904528A (en) * 1997-01-17 1999-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming asymmetrically doped source/drain regions
TW386238B (en) 1997-01-20 2000-04-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4401448B2 (ja) 1997-02-24 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560047B1 (ko) * 1997-02-24 2006-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체박막및반도체장치

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