JP2022085258A - 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および移動体 - Google Patents

発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および移動体 Download PDF

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Abstract

【課題】駆動トランジスタのゲート電極に接続されたトランジスタのリーク電流を抑制し、発光装置の発光輝度を安定化させる。【解決手段】発光装置の有する複数の画素のそれぞれは、発光素子と、発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第１トランジスタ２０１と、第１トランジスタ２０１のゲート電極にドレイン領域が接続された第２トランジスタ２０３と、を有する。第２トランジスタ２０３のドレイン領域は、第１領域３０６３および第２領域３０６２を含み、第２トランジスタ２０３のソース領域は、第３領域３０４３、第４領域３０４２、を含む。基板に垂直な方向からの平面視において、第１領域３０６３からゲート電極までの電流経路の長さが、第４領域３０４３からゲート電極までの電流経路の長さよりも長い。【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および移動体に関する。
素子を流れる電流に応じた輝度で発光する有機発光素子などの発光素子を含む画素がアレイ状に配された発光装置が知られている。特許文献１には、発光素子に輝度信号に応じた電流を供給するための駆動トランジスタと、輝度信号を駆動トランジスタのゲート端に書き込むスイッチングトランジスタ（書き込みトランジスタ）と、を含む画素が示されている。
特許文献１には、スイッチングトランジスタのリーク電流に起因する輝度信号の変動を抑制するために、スイッチングトランジスタのＬＤＤ長を駆動トランジスタのＬＤＤ長よりも長くし、リーク電流を駆動トランジスタよりも小さくすることが示されている。
特開２００８－２８１６７１号公報
特許文献１では、スイッチングトランジスタの拡散領域に、シリサイド領域などの低抵抗領域が設けられた場合について検討されていない。スイッチングトランジスタの拡散領域に低抵抗領域が設けられた場合には、スイッチングトランジスタの低抵抗領域におけるリーク電流が生じやすくなり、発光装置の発光輝度が不安定となる可能性がある。
本発明の一側面としての発光装置は、基板に複数の画素がアレイ状に配置され、前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極にドレイン領域またはソース領域が接続された第２トランジスタと、を有する発光装置であって、前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続された方の領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第２トランジスタのチャネル領域との間に配置された第２領域と、を含み、前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続されていない方の領域は、第３領域と、前記第３領域と前記第２トランジスタの前記チャネル領域との間に配置された第４領域と、を含み、前記第１領域および前記第３領域は、半導体および金属の化合物によって構成され、前記第２領域および前記第４領域は、半導体によって構成され、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第３領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長いことを特徴とする。
本発明によれば、駆動トランジスタのゲート電極に接続されたトランジスタのリーク電流を抑制し、発光装置の発光輝度を安定化させることができる。
実施形態１に係る発光装置の構成例を示す図。 図１の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図１の発光装置の画素の構成例を示す平面図。 図１の発光装置の画素の構成例を示す断面図。 図３の書き込みトランジスタを抜き出して単純化した模式図。 実施形態２に係る発光装置の構成例を示す図。 図６の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図６の発光装置の画素の構成例を示す平面図。 図６の発光装置の画素の構成例を示す断面図。 実施形態３に係る発光装置の構成例を示す図。 図１０の発光装置の画素の構成例を示す回路図。 図１０の発光装置の画素の構成例を示す平面図。 図１０の発光装置の画素の構成例を示す断面図。 表示装置の一例を表す模式図。 撮像装置の一例を表す模式図。 表示装置の一例を表す模式図。 照明装置の一例を表す模式図。 表示装置の適用例を表す模式図。
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態に係る発光装置について説明する。以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すものであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、特に限定的な記載がない限りは、本発明を限定するものではない。以下の説明および図面において、複数の図面にわたって共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
（実施形態１）
図１～５を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置について説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る発光装置１０１の構成例を示す図である。図２は、発光装置１０１が有する画素１０２の回路図である。
以下の説明では、発光装置１０１のそれぞれの画素１０２に配される発光素子２００の陽極（アノード）に駆動トランジスタ２０１が接続され、画素１０２に配されるトランジスタがすべてＰ型トランジスタである場合について説明する。しかしながら、本発明の発光装置の画素の構成はこれに限定されない。例えば、それぞれのトランジスタ等の極性や導電型がすべて逆であってもよい。また、例えば、駆動トランジスタがＰ型トランジスタであり、他のトランジスタがＮ型トランジスタであってもよい。適宜、表示装置１０１の画素１０２に含まれる発光素子やトランジスタの導電型や極性にあわせて、供給される電位や接続を変更すればよい。
図１に示すように、発光装置１０１の一例である有機ＥＬ表示装置は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。画素アレイ部１０３は、行列状に２次元配置された複数の画素１０２を有する。それぞれの画素１０２は、図２に示すように、発光素子２００を有する。発光素子２００は、陽極（アノード）と陰極（カソード）とからなる一対の電極を備え、一対の電極間に発光層（有機発光層）を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１つまたは複数を適宜有していてもよい。本実施形態においては発光素子２００は有機化合物からなる発光層を有するため、有機発光素子とも呼ばれうる。
駆動部は、画素アレイ部１０３に配されたそれぞれの画素１０２を駆動するための回路である。駆動部は、例えば、垂直走査回路１０４および信号出力回路１０５を有する。また、画素アレイ部１０３には、駆動部からの信号を画素１０２に供給するために、行方向（図１において横方向）に沿って延在する第１走査線１０６が、アレイ状に並ぶ画素１０２の画素行ごとに配されている。また、画素アレイ部１０３には、駆動部からの信号を画素１０２に供給するために、列方向（図１において縦方向）に沿って延在する信号線１０７が、アレイ状に並ぶ画素１０２の画素列ごとに配されている。
第１走査線１０６は、垂直走査回路１０４のそれぞれ対応する画素行の出力端に接続されている。また、信号線１０７は、信号出力回路１０５のそれぞれ対応する画素列の出力端に接続されている。
垂直走査回路１０４は、画素アレイ部１０３のそれぞれの画素１０２への輝度信号の書き込み時において、第１走査線１０６に書き込み制御信号を供給する。信号出力回路１０５は、それぞれの画素１０２の発光素子２０１を発光させる際の輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号を信号線１０７に出力する。輝度信号は、発光装置１０１で表示する画像のそれぞれの画素１０２における輝度を表し、映像信号とも呼ばれうる。
［画素の回路構成］
次に、図２を用いて、本実施形態の画素１０２の回路構成について説明する。図２に示すように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素１０２のそれぞれは、発光素子２００および駆動トランジスタ２０１（第１トランジスタ）とを含む電流経路と、書き込みトランジスタ２０３（第２トランジスタ）と、を有する。また、画素１０２は、容量素子２０５を有する。ここで、トランジスタや容量素子の数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関してはあくまで一例に過ぎず、本発明は本構成に限定されるものではない。
以下の説明において、素子Ａと素子Ｂとの間にトランジスタが接続されると表現する場合、素子Ａにトランジスタの主端子の一方が接続され、素子Ｂにトランジスタの主端子の他方が接続される。つまり、素子Ａと素子Ｂとの間にトランジスタが接続される表現する場合、素子Ａにトランジスタの制御端子が接続され、かつ、主端子の一方が接続されず、素子Ｂに主端子の他方が接続されない場合は含まない。ここで、トランジスタの主端子とは、トランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域のことをいう。また、トランジスタの制御端子とは、トランジスタのゲート電極のことをいう。
駆動トランジスタ２０１および書き込みトランジスタ２０３は、それぞれＭＯＳＦＥＴである。図２に示される構成において、発光素子２００および駆動トランジスタ２０１を含む電流経路の一端は電源電位２１０（Ｖｄｄ）に接続され、他端は電源電位２１１（Ｖｓｓ）に接続される。より具体的には、発光素子２００のカソードは、電源電位Ｖｓｓに接続され、駆動トランジスタ２０１の主端子の一方（図２の構成において、ソース領域）は、電源電位Ｖｄｄに接続されている。しかしながら、これに限られることはなく、電源電位Ｖｓｓと発光素子２００との間や電源電位Ｖｄｄと駆動トランジスタ２０１との間に他の素子が配されていてもよいし、発光素子２００と駆動トランジスタ２０１との間に他の素子が配されていてもよい。図２に示される構成において、電源電位Ｖｄｄは、電源電位Ｖｓｓよりも電位が高い。
駆動トランジスタ２０１の主端子の一方（図２の構成において、ドレイン領域）は、発光素子２００のアノードに接続されている。駆動トランジスタ２０１の制御端子（ゲート電極）は、書き込みトランジスタ２０３の主端子の一方（図２の構成において、ドレイン領域）に接続される。駆動トランジスタ２０１は、発光素子２００に輝度信号に応じた電流を供給し、発光素子２００を駆動する。
書き込みトランジスタ２０３は、信号線１０７と駆動トランジスタ２０１の制御端子との間に配されている。より具体的には、書き込みトランジスタ２０３の主端子の一方（図２の構成において、ドレイン領域）は、上述のように駆動トランジスタ２０１の制御端子に接続されている。書き込みトランジスタ２０３の主端子の他方（図２の構成において、ソース領域）は、信号線１０７に接続されている。また、書き込みトランジスタ２０３の制御端子は、走査線１０６（図２においては走査線１０６ｂ）に接続されている。
容量素子２０５は、駆動トランジスタ２０１の制御端子と主端子の他方（図２の構成において、ソース領域）との間に接続されている。
駆動トランジスタ２０１は、電源電位Ｖｄｄから発光素子２００に電流を供給し、発光素子２００を発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ２０１は、容量素子２０５に保持された輝度信号の信号電圧に応じた電流を発光素子２００に供給する。これによって、発光素子２００は、電流駆動で発光する。
書き込みトランジスタ２０３は、垂直走査回路１０４から走査線１０６を介して制御端子に印加される書き込み制御信号に応答して導通状態（ＯＮ状態）となる。これによって、書き込みトランジスタ２０３は、信号線１０７を介して信号出力回路１０５から供給される輝度情報に応じた輝度信号の信号電圧をサンプリングして画素１０２に書き込む。この書き込まれた信号電圧は、駆動トランジスタ２０１の制御端子に印加されるとともに容量素子２０５に保持される。すなわち、書き込みトランジスタ２０３は、発光素子２００を輝度情報に応じた輝度で発光させる輝度信号を伝達するために配され、輝度信号を駆動トランジスタ２０１の制御端子に伝達する。本実施形態では、書き込みトランジスタ２０３が導通状態となった瞬間に、信号線１０７の電圧値が駆動トランジスタ２０１の制御端子に入力される。この信号電圧によって駆動トランジスタ２０１のソース－ドレイン間の電流値が決まり、発光素子２００の発光輝度が制御される。
［各画素に含まれるトランジスタ］
次に、図３、４を用いて、画素１０２に含まれる駆動トランジスタ２０１、書き込みトランジスタ２０３の詳細について説明する。図３は、画素１０２の平面図、図４は、図３に示されるＡ－Ａ’間の断面図である。
駆動トランジスタ２０１は、発光素子２００、駆動トランジスタ２０１を含む電流経路に配された２つのＰ型の拡散領域３０１，３０３を備える。駆動トランジスタ２０１は、ＰＭＯＳトランジスタである。２つの拡散領域３０１，３０３は、それぞれ主端子（ソース領域またはドレイン領域）として機能する。図３、４に示される構成において、拡散領域３０１は、駆動トランジスタ２０１のドレイン領域として機能し、拡散領域３０３は、駆動トランジスタ２０１のソース領域として機能する。また、駆動トランジスタ２０１は、制御端子として機能するゲート電極３０２を備える。ゲート電極３０２は、上述の通り、書き込みトランジスタ２０３から輝度信号が伝達される。また、ゲート電極３０２は、容量素子２０５の２つの端子のうち一方の端子に接続され、拡散領域３０３は、容量素子２０５の他方の端子に接続される。拡散領域３０１は、発光素子２０１のアノード（不図示）に接続される。
書き込みトランジスタ２０３は、制御端子として機能するゲート電極３０５、主端子として機能する２つのＰ型の拡散領域３０４、３０６を備える。書き込みトランジスタ２０３は、ＰＭＯＳトランジスタである。拡散領域３０６は、駆動トランジスタ２０１の制御端子であるゲート電極３０２に接続される。また、拡散領域３０４は、信号線１０７に接続され、ゲート電極３０５は、走査線１０６に接続される。図３、４に示される構成において、拡散領域３０４は、書き込みトランジスタ２０３のソース領域として機能し、拡散領域３０６は、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する。
図４に示すように、駆動トランジスタ２０１と書き込みトランジスタ２０３は、Ｐ型の基板４０１に設けられたＮ型のウェル４０２にそれぞれ配される。Ｎ型のウェル４０２には、不図示のウェルコンタクト部によって、電源電位Ｖｄｄが印加される。駆動トランジスタ２０１と書き込みトランジスタ２０３は素子分離部４０３（図４）によって分離される。素子分離部４０３は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離やＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）分離、ＤＴＩ（Ｄｅｅｐ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離、Ｎ型の拡散層分離など、適宜用いればよい。図３は上面図であるため、図２の回路図上の結線がすべて図示されてはいないが、上面側に配線層が積層され、配線パターンとコンタクトプラグによって、図２に示す回路が実現される。
［書き込みトランジスタ］
次に、書き込みトランジスタ２０３の２つの拡散領域３０４，３０６について説明する。
書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６は、化合物領域３０６３（第１領域）を含む。また、拡散領域３０６は、化合物領域３０６３と書き込みトランジスタ２０３のチャネル領域３０５１との間に、化合物領域３０６３よりも抵抗率が高いＰ領域３０６２（第２領域）を含む。さらに、拡散領域３０６は、Ｐ領域３０６２（第２領域）とチャネル領域３０５１との間に、Ｐ領域３０６２よりも抵抗率が高いＰ－領域３０６１（第５領域）を含む。換言すれば、拡散領域３０６は、電流が流れる方向に沿って、チャネル領域３０５１の側から、Ｐ－領域３０６１、Ｐ領域３０６２、化合物領域３０６３の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域３０６は、Ｐ－領域３０６１と化合物領域３０６３との間に、Ｐ領域３０６２が配されている。そして、拡散領域３０６に含まれる各領域は、抵抗率の高い順に、Ｐ－領域３０６１、Ｐ領域３０６２、化合物領域３０６３となっている。なお、ここでいう抵抗率は電気抵抗率であり、以下同様である。
書き込みトランジスタ２０３のソース領域として機能する拡散領域３０４は、化合物領域３０４３（第３領域）を含む。また、拡散領域３０４は、化合物領域３０４３と書き込みトランジスタ２０３のチャネル領域３０５１との間に、化合物領域３０４３よりも抵抗率が高いＰ領域３０４２（第４領域）を含む。さらに、拡散領域３０４は、Ｐ領域３０４２（第４領域）とチャネル領域３０５１との間に、Ｐ領域３０４２よりも抵抗率が高いＰ－領域３０４１（第６領域）を含む。換言すれば、拡散領域３０４には、電流が流れる方向に沿って、チャネル領域３０５１の側から、Ｐ－領域３０４１、Ｐ領域３０４２、化合物領域３０４３の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域３０４には、Ｐ－領域３０４１と化合物領域３０４３との間に、Ｐ領域３０４２が配されている。そして、拡散領域３０４に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ－領域３０４１、Ｐ領域３０４２、化合物領域３０４３となっている。
Ｐ領域３０４２，３０６２およびＰ－領域３０４１，３０６１は、Ｐ型トランジスタである書き込みトランジスタ２０３の拡散領域として、同じ導電型の半導体によって構成されている。Ｐ領域３０４２，３０６２およびＰ－領域３０４１，３０６１は、チャネル領域３０５１とは逆の導電型の半導体によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域３０４２，３０６２およびＰ－領域３０４１，３０６１はＰ型の不純物がドープされた半導体領域である。また、拡散領域３０４，３０６において、チャネル領域３０５１側のＰ－領域３０４１，３０６１の不純物濃度が、Ｐ領域３０４２，３０６２の不純物濃度よりも低いＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。これによって、上述のようにＰ－領域３０４１，３０６１の抵抗率が、Ｐ領域３０４２，３０６２よりも高くなる。なお、化合物領域３０４３，３０６３の不純物濃度はＰ領域３０４２，３０６２の不純物濃度と同等であってもよい。
化合物領域３０４３，３０６３は、半導体および金属の化合物によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域３０４２，３０６２およびＰ－領域３０４１，３０６１はシリコンで構成される領域であり、化合物領域３０４３，３０６３は、Ｐ領域３０４２，３０６２の一部を金属と反応させたシリサイド領域である。換言すれば、化合物領域３０４３はＰ領域３０４２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されており、化合物領域３０６３はＰ領域３０６２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されている。このため、化合物領域３０４３，３０６３は、Ｐ領域３０４２，３０６２およびＰ－領域３０４１，３０６１よりも抵抗率が低くなる。このように、書き込みトランジスタ２０３は、低抵抗化された化合物領域３０４３，３０６３においてコンタクトプラグと接続され、外部の素子と接続される。
［駆動トランジスタ］
次に、駆動トランジスタ２０１の２つの拡散領域３０１，３０３について説明する。
駆動トランジスタ２０１のドレイン領域として機能する拡散領域３０１は、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６と同様に、化合物領域３０１３と、Ｐ領域３０１２と、Ｐ－領域３０１１と、を含む。拡散領域３０１は、電流が流れる方向に沿って、駆動トランジスタ２０１のチャネル領域３０２１の側から、Ｐ－領域３０１１（第１１領域）、Ｐ領域３０１２（第８領域）、化合物領域３０１３（第７領域）の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域３０１は、Ｐ－領域３０１１と化合物領域３０１３との間に、Ｐ領域３０１２が配されている。そして、拡散領域３０１に含まれる各領域は、抵抗率の高い順に、Ｐ－領域３０１１、Ｐ領域３０１２、化合物領域３０１３となっている。
駆動トランジスタ２０１のソース領域として機能する拡散領域３０３は、書き込みトランジスタ２０３のソース領域として機能する拡散領域３０４と同様に、化合物領域３０３３と、Ｐ領域３０３２と、Ｐ－領域３０３１と、を含む。拡散領域３０３には、電流が流れる方向に沿って、駆動トランジスタ２０１のチャネル領域３０２１の側から、Ｐ－領域３０３１（第１２領域）、Ｐ領域３０３２（第１０領域）、化合物領域３０３３（第９領域）の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域３０３には、Ｐ－領域３０３１と化合物領域３０３３との間に、Ｐ領域３０３２が配されている。そして、拡散領域３０３に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ－領域３０３１、Ｐ領域３０３２、化合物領域３０３３となっている。
Ｐ領域３０３２，３０１２およびＰ－領域３０３１，３０１１は、Ｐ型トランジスタである駆動トランジスタ２０１の拡散領域として、同じ導電型の半導体によって構成されている。Ｐ領域３０３２，３０１２およびＰ－領域３０３１，３０１１は、チャネル領域３０２１とは逆の導電型の半導体によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域３０３２，３０１２およびＰ－領域３０３１，３０１１はＰ型の不純物がドープされた半導体領域である。また、拡散領域３０１，３０３において、チャネル領域３０２１側のＰ－領域３０３１，３０１１の不純物濃度が、Ｐ領域３０３２，３０１２の不純物濃度よりも低いＬＤＤ構造を有している。これによって、上述のようにＰ－領域３０３１，３０１１の抵抗率が、Ｐ領域３０３２，３０１２よりも高くなる。なお、化合物領域３０３３，３０１３の不純物濃度はＰ領域３０３２，３０１２の不純物濃度と同等であってもよい。
化合物領域３０３３，３０１３は、半導体および金属の化合物によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域３０３２，３０１２およびＰ－領域３０３１，３０１１はシリコンで構成される領域であり、化合物領域３０３３，３０１３は、Ｐ領域３０３２，３０１２の一部を金属と反応させたシリサイド領域である。換言すれば、化合物領域３０３３はＰ領域３０３２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されており、化合物領域３０１３はＰ領域３０１２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されている。このため、化合物領域３０３３，３０１３は、Ｐ領域３０３２，３０１２およびＰ－領域３０３１，３０１１よりも抵抗率が低くなる。このように、駆動トランジスタ２０１は、低抵抗化された化合物領域３０３３，３０１３においてコンタクトプラグと接続され、外部の素子と接続される。
［各トランジスタの各領域の長さ］
次に、駆動トランジスタ２０１および書き込みトランジスタ２０３が有する各拡散領域に含まれる各領域の、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視における長さについて図３～５を用いて説明する。
駆動トランジスタ２０１に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０３３の端部までの電流経路の長さをＤ１１とする。また、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０１３の端部までの電流経路の長さをＤ１２とする。換言すれば、平面視における、駆動トランジスタ２０１のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ１１とし、駆動トランジスタ２０１のドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ１２とする。なお、化合物領域とゲート電極との間に長さの異なる複数の電流経路が存在する場合には、長さの最も短い電流経路の長さとしてもよい。また、図３のようにソース領域およびドレイン領域のうちの化合物領域とゲート電極との間に配された部分が直線的である場合には、上述の長さは、端部間の距離であってもよい。本実施形態においては、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０３３の端部までの電流経路の長さＤ１１は、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０３３の端部までの間の、Ｐ領域３０３２およびＰ－領域３０３１の電流が流れる方向に沿った長さである。また、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０１３の端部までの電流経路の長さＤ１２は、ゲート電極３０２の端部から化合物領域３０１３の端部までの間の、Ｐ領域３０１２およびＰ－領域３０１１領域の電流が流れる方向に沿った長さである。以下、他のトランジスタにおいても同様である。また、駆動トランジスタ２０１に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、Ｐ－領域３０３１の電流経路の長さをｄ１１、Ｐ－領域３０１１の電流経路の長さをｄ１２とする。換言すれば、駆動トランジスタ２０１のソース領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ１１、駆動トランジスタ２０１のドレイン領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ１２とする。
書き込みトランジスタ２０３に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０４３の端部までの電流経路の長さをＤ２１とする。また、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０６３の端部までの電流経路の長さをＤ２２とする。換言すれば、平面視における、書き込みトランジスタ２０３のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ２１とし、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ２２とする。なお、化合物領域とゲート電極との間に長さの異なる複数の電流経路が存在する場合には、長さの最も短い電流経路の長さとしてもよい。また、図３のようにソース領域およびドレイン領域のうちの化合物領域とゲート電極との間に配された部分が直線的である場合には、上述の長さは、端部間の距離であってもよい。また、書き込みトランジスタ２０３に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、Ｐ－領域３０４１の電流経路の長さをｄ２１、Ｐ－領域３０６１の電流経路の長さをｄ２２とする。換言すれば、書き込みトランジスタ２０３のソース領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ２１、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ２２とする。図５に、図３の書き込みトランジスタ２０３のみを抜き出して単純化した模式図を示す。
なお、Ｐ－領域３０１１，３０３１，３０４１，３０６１はＰ領域３０１２，３０３２，３０４２，３０６２の下側まで形成されていてもよい。この場合であっても、各拡散領域におけるＰ－領域の長さは、Ｐ－領域のうち、同じ拡散領域に含まれるＰ領域のチャネル領域側の端部と、チャネル領域の当該Ｐ領域側の端部と、の間の長さである。例えば、Ｐ－領域３０１１の長さｄ１２は、Ｐ－領域３０１１のうち、Ｐ領域３０１２のチャネル領域３０２１側の端部と、チャネル領域３０２１のＰ領域３０１２側の端部と、の間の長さである。他のＰ－領域についても同様である。つまり、本明細書におけるＰ－領域の長さは、Ｐ－領域と同じ拡散領域に含まれるＰ領域と、トランジスタのチャネル領域が形成される部分と、の間の最短の長さでありうる。
本実施形態においては、Ｐ－領域のチャネル領域側の端部は、チャネル領域の上に配されるゲート電極の端部と一致している。したがって、Ｐ－領域の長さは、Ｐ－領域と隣接するＰ領域の端部と、ゲート電極の当該Ｐ領域側の端部と、の間の平面視における長さである。なお、Ｐ－領域３０１１，３０３１はゲート電極３０２の下側まで形成されていてもよいし、Ｐ－領域３０４１，３０６１はゲート電極３０５の下側まで形成されていてもよい。この場合であっても、例えばＰ－領域のうちのゲート電極の下に配された部分の長さが十分に小さい場合などには、平面視における、Ｐ－領域と隣接するＰ領域の端部と、ゲート電極の当該Ｐ領域側の端部と、の間の長さを、Ｐ－領域の長さとみなしてもよい。
書き込みトランジスタ２０３がＯＦＦ状態のとき、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６の電位と駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の電位は浮遊状態となる。駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の電位は書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６の電位と等電位である。駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の電位は、駆動トランジスタ２０１のドレイン電流を決定し、発光素子２００の輝度を決定する。したがって、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６の電位が変動すると、駆動トランジスタ２０１のドレイン電流の大きさが変動し、発光素子２００の輝度も変動する。そのため、発光素子２００の輝度を安定化させるために、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域の電位は安定している必要がある。
しかし、ＯＦＦ状態の書き込みトランジスタ２０３においては、ゲート電極３０５の電位およびウェル４０２の電位と、ドレイン領域として機能する拡散領域３０６の電位と、が異なっている。そのため、これらの電位差に起因して、ゲート電極３０５とドレイン領域として機能する拡散領域３０６との間、および、ウェル４０２とドレイン領域として機能する拡散領域３０６との間、の少なくとも一方に電界が生じる。この電界によってリーク電流（以下、オフリーク電流とも称する）が発生してしまうと、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６の電位が変動し、それに伴って駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０５の電位が変動してしまう。このリーク電流が大きい場合には、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０５の電位は駆動トランジスタ２０１のソース領域として機能する拡散領域３０３の電位に近づく。この結果、発光素子２００に電流が流れにくくなり、リーク電流が生じた画素１０２だけ発光が抑制され、有機発光装置１０１が表示する表示画像においてはその画素１０２に相当する部分が本来の明るさよりも暗くなる。リーク電流の大きさによっては発光素子２００に電流が流れず、画素１０２が発光せず表示画像において画素１０２に相当する部分が黒くなる場合もある。このように、ＯＦＦ状態の書き込みトランジスタ２０３においてリーク電流が生じると発光素子２００の発光輝度が不安定となり、結果として、有機発光装置１０１の発光または表示の品位が低下してしまう。
本実施形態では、書き込みトランジスタ２０３において、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０６３の端部までの電流経路の長さＤ２２が、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０４３の端部までの電流経路の長さＤ２１よりも大きい。すなわち、Ｄ２２＞Ｄ２１が成り立つ。換言すれば、書き込みトランジスタ２０３において、ドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さが、書き込みトランジスタ２０３のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さよりも大きい。これにより、ドレイン領域として機能する拡散領域３０６のうち、コンタクトプラグを介して駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２に接続されている抵抗率の低い化合物領域３０６３と、ゲート電極３０５と、の間の物理的距離を大きくすることができる。また、化合物領域３０６３と、ウェル４０２のうちのゲート電極３０５の直下に配された部分（すなわち、チャネル領域３０５１）と、の間の物理的距離を大きくすることができる。本実施形態ではこの構成によって、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるゲート電極３０５と化合物領域３０６３との間に生じる電界と、チャネル領域３０５１と化合物領域３０６３との間に生じる電界を小さくすることができる。より具体的には、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界を、書き込みトランジスタ２０３のソース領域における上記電界よりも小さくすることができる。このように電界を緩和する構成とすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生を抑制することができる。これにより、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の電位を安定化させることができ、発光素子２００の発光輝度を安定化させることができる。その結果、有機発光装置１０１の発光または表示の品位を向上させることができる。
また、長さＤ２２が、書き込みトランジスタ２０３のＰ－領域３０６１の長さｄ２２よりも大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ２２＞ｄ２２が成り立つことが好ましい。換言すれば、書き込みトランジスタ２０３において、ドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さが、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の長さよりも大きいことが好ましい。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１０１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
また、長さＤ２２が、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の端部から化合物領域３０３３の端部までの電流経路の長さＤ１１よりも大きいことが好ましい。さらに、長さＤ２２が、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の端部から化合物領域３０１３の端部までの電流経路の長さＤ１２よりも大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ２２＞Ｄ１１かつＤ２２＞Ｄ１２が成り立つことが好ましい。換言すれば、画素１０２を構成する各トランジスタの有する各ゲート電極の端部から各化合物領域の端部までの電流経路の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３のそれ（長さＤ２２）が最も大きいことが好ましい。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１０１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
また、長さｄ２２が、駆動トランジスタ２０１のＬＤＤ領域の長さｄ１１およびｄ１２よりも大きく、かつ、書き込みトランジスタ２０３のソース領域側のＬＤＤ領域の長さｄ２１よりも大きいことが好ましい。すなわち、ｄ２２＞ｄ１１かつｄ２２＞ｄ１２かつｄ２２＞ｄ２１が成り立つことが好ましい。換言すれば、画素１０２を構成する各トランジスタの有するＬＤＤ領域の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の長さが最も大きいことが好ましい。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１０１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
また、長さＤ１２が、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の端部から化合物領域３０３３の端部までの電流経路の長さＤ１１よりも大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ１２＞Ｄ１１が成り立つことが好ましい。換言すれば、駆動トランジスタ２０１において、ドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの長さが、ソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さよりも大きいことが好ましい。これにより、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１０１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
（実施形態２）
図６～９を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置について説明する。図６は、本発明の実施形態２に係る発光装置６０１の構成例を示す図である。図７は、発光装置６０１が有する画素６０２の回路図である。本実施形態は、主に、発光装置６０１の有する各画素６０２が発光制御トランジスタ７０１（第３トランジスタ）およびリセットトランジスタ７０２（第４トランジスタ）をさらに有する点で実施形態１と相違する。すなわち、実施形態１は１つの画素が２つのトランジスタを有する構成であったのに対して、本実施形態は１つの画素が４つのトランジスタを有する構成である。以下、本実施形態の発光装置６０１のうち、上述の発光装置１０１と異なる構成を中心に説明する。
図６に示すように、発光装置６０１の一例である有機ＥＬ表示装置は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。発光装置６０１の構成は実施形態１の構成に加えて、第２走査線６０３と第３走査線６０４をさらに有する。第２走査線６０３および第３走査線６０４は、第１走査線１０６と同様に、行方向（図６において横方向）に沿って延在しており、アレイ状に並ぶ画素６０２の画素行ごとに配されている。第２走査線６０３および第３走査線６０４は、第１走査線１０６と同様に、垂直走査回路１０４のそれぞれ対応する画素行の出力端に接続されている。第２走査線６０３は、発光制御トランジスタ７０１の導通／非導通を切り替え発光素子２００を発光させるための走査線であり、それぞれの画素に発光制御信号を供給する。第３走査線６０４は、リセットトランジスタ７０２の導通／非導通を切り替えるための走査線であり、それぞれの画素にリセット信号を供給する。
［画素の回路構成］
次に、図７を用いて、本実施形態の画素６０２の回路構成について説明する。図６に示すように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素６０２のそれぞれは、発光素子２００および駆動トランジスタ２０１（第１トランジスタ）とを含む電流経路に配される発光制御トランジスタ７０１（第３トランジスタ）を有する。また、画素６０２は、発光素子２００のアノードおよび駆動トランジスタ２０１の主端子の一方と、電源電位Ｖｓｓと、の間に接続されるリセットトランジスタ７０２（第４トランジスタ）を有する。また、画素６０２は、２つの容量素子２０５，７０３を有する。画素６０２が有する４つのトランジスタ（第１～第４のトランジスタ）はそれぞれＭＯＳＦＥＴである。
発光制御トランジスタ７０１は、駆動トランジスタ２０１に駆動電流を供給するための電源電位Ｖｄｄと駆動トランジスタ２０１との間に配されている。より具体的には、上述のように発光制御トランジスタ７０１の主端子の一方（図７の構成において、ソース領域）は、電源電位Ｖｄｄに接続されている。
発光制御トランジスタ７０１は、垂直走査回路１０４から第２走査線６０３を介して制御端子に印加される発光制御信号に応答して導通状態になることによって、電源電位Ｖｄｄから駆動トランジスタ２０１への電流の供給を許容する。これによって、駆動トランジスタ２０１による発光素子２００の駆動が可能になる。すなわち、発光制御トランジスタ７０１は、電流経路の導通状態を制御することによって、発光素子２００の発光または非発光を制御するスイッチ素子として機能する。
このように、発光制御トランジスタ７０１のスイッチング動作によって、発光素子２００が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、発光素子２００が発光する発光期間と非発光期間との割合を制御することができる（所謂、デューティ制御）。このデューティ制御によって、１フレーム期間に亘ってそれぞれの画素６０２の発光素子２００が発光することに伴う残像ボケを低減でき、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。発光制御トランジスタ７０１は発光素子２００の発光期間を制御する発光期間制御トランジスタということもできる。
リセットトランジスタ７０２は、主端子の一方（図７の構成において、ソース領域）が、発光素子２００のアノードおよび駆動トランジスタ２０１の主端子の一方（図７の構成において、ドレイン領域）に接続されている。リセットトランジスタ７０２の主端子の他方（図７の構成において、ドレイン領域）は、電源電位Ｖｓｓに接続されている。リセットトランジスタ７０２の制御端子は、第３走査線６０４に接続されている。非発光期間において、リセットトランジスタ７０２を導通状態にすることによって、発光素子２００のアノードが電源電位Ｖｓｓに接続され、発光素子２００の２つの端子の間が短絡される。これによって、発光素子２００を非発光状態とすることができる（リセット動作）。画素６０２にリセットトランジスタ７０２を設けることによって、発光素子２００を非発光期間において確実に黒表示させ、高いコントラスト比を有する発光装置６０１が実現できる。
［各画素に含まれるトランジスタ］
次に、図８、９を用いて、画素６０２に含まれる各トランジスタの詳細について説明する。図８は、画素６０２の平面図、図９は、図８に示されるＢ－Ｂ’間の断面図である。
発光制御トランジスタ７０１は、上記電流経路に配された２つのＰ型の拡散領域８０４，８０６を備える。発光制御トランジスタ７０１は、ＰＭＯＳトランジスタである。２つの拡散領域８０４，８０６は、それぞれ主端子（ソース領域またはドレイン領域）として機能する。図８、９に示される構成において、拡散領域８０４は、発光制御トランジスタ７０１のドレイン領域として機能し、拡散領域８０６は、発光制御トランジスタ７０１のソース領域として機能する。また、発光制御トランジスタ７０１は、制御端子として機能するゲート電極８０５を備える。ゲート電極８０５は、上述の通り、垂直走査回路１０４から第２走査線６０３を介して発光制御信号が伝達される。
図８の回路上、発光制御トランジスタ７０１のドレインは駆動トランジスタ２０１のソースと同端子となっている。本実施形態において、発光制御トランジスタ７０１と駆動トランジスタ２０１は拡散領域を共有している。より具体的には、駆動トランジスタ２０１のソース領域として機能する拡散領域３０３に含まれる化合物領域３０３３が、発光制御トランジスタ７０１のドレイン領域として機能する拡散領域８０４にも含まれている。しかしながら、これに限定はされず、駆動トランジスタ２０１の拡散領域と発光制御トランジスタ７０１の拡散領域はそれぞれ独立していてもよい。
リセットトランジスタ７０２は、２つのＰ型の拡散領域８０１，８０３を備える。リセットトランジスタ７０２は、ＰＭＯＳトランジスタである。２つの拡散領域８０１，８０３は、それぞれ主端子（ソース領域またはドレイン領域）として機能する。図８、９に示される構成において、拡散領域８０１は、リセットトランジスタ７０２のドレイン領域として機能し、拡散領域８０３は、リセットトランジスタ７０２のソース領域として機能する。また、リセットトランジスタ７０２は、制御端子として機能するゲート電極８０２を備える。ゲート電極８０２は、上述の通り、垂直走査回路１０４から第３走査線６０４を介してリセット信号が伝達される。
図８の回路上、リセットトランジスタ７０２のソースは駆動トランジスタ２０１のドレインと同端子となっている。本実施形態において、リセットトランジスタ７０２と駆動トランジスタ２０１は拡散領域を共有している。より具体的には、駆動トランジスタ２０１のドレイン領域として機能する拡散領域３０１に含まれる化合物領域３０１３が、リセットトランジスタ７０２のソース領域として機能する拡散領域８０３にも含まれている。しかしながら、これに限定はされず、駆動トランジスタ２０１の拡散領域とリセットトランジスタ７０２の拡散領域はそれぞれ独立していてもよい。
図９に示すように、発光制御トランジスタ７０１とリセットトランジスタ７０２も、Ｐ型の基板４０１に設けられたＮ型のウェル４０２にそれぞれ配される。端子を共有しないトランジスタ間は、素子分離部４０３によって分離される。本実施形態における素子分離部４０３はＳＴＩ構造であり、酸化シリコンで形成され、半導体基板９０１の表面から深さ方向に０．２μｍ～１．０μｍで形成されている。
図８は上面図であるため、図７の回路図上の結線は描かれていないが、上面側に配線層が積層され、配線パターンとコンタクトプラグによって図７に示すような回路が実現される。
［発光制御トランジスタ］
次に、発光制御トランジスタ７０１の２つの拡散領域８０４，８０６について説明する。
発光制御トランジスタ７０１のドレイン領域として機能する拡散領域８０４は、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６と同様に、化合物領域３０３３と、Ｐ領域８０４２と、Ｐ－領域８０４１と、を含む。拡散領域８０４には、電流が流れる方向に沿って、発光制御トランジスタ７０１のチャネル領域８０５１の側から、Ｐ－領域８０４１（第１７領域）、Ｐ領域８０４２（第１４領域）、化合物領域３０３３（第１３領域）の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域８０４には、Ｐ－領域８０４１と化合物領域３０３３との間に、Ｐ領域８０４２が配されている。そして、拡散領域８０４に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ－領域８０４１、Ｐ領域８０４２、化合物領域３０３３となっている。
発光制御トランジスタ７０１のソース領域として機能する拡散領域８０６は、化合物領域８０６３と、Ｐ領域８０３２と、を含む。拡散領域８０６は、電流が流れる方向に沿って、発光制御トランジスタ７０１のチャネル領域８０５１の側から、Ｐ領域８０６２（第１６領域）、化合物領域８０６３（第１５領域）の順番で並んで配されている。拡散領域８０６に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ領域８０６２、化合物領域８０６３となっている。
Ｐ領域８０４２，８０６２およびＰ－領域８０４１は、Ｐ型トランジスタである発光制御トランジスタ７０１の拡散領域として、同じ導電型の半導体によって構成されている。Ｐ領域８０４２，８０６２およびＰ－領域８０４１は、チャネル領域８０５１とは逆の導電型の半導体によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域８０４２，８０６２およびＰ－領域８０４１はＰ型の不純物がドープされた半導体領域である。また、拡散領域８０４において、チャネル領域８０５１側のＰ－領域８０４１の不純物濃度が、Ｐ領域８０４２の不純物濃度よりも低いＬＤＤ構造を有している。これによって、上述のようにＰ－領域８０４１の抵抗率が、Ｐ領域８０４２よりも高くなる。なお、化合物領域３０３３，８０６３の不純物濃度はＰ領域８０４２，８０６２の不純物濃度と同等であってもよい。
化合物領域３０３３，８０６３は、半導体および金属の化合物によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域８０４２，８０６２およびＰ－領域８０４１はシリコンで構成される領域であり、化合物領域３０３３，８０６３は、Ｐ領域８０４２，８０６２の一部を金属と反応させたシリサイド領域である。換言すれば、化合物領域３０３３はＰ領域８０４２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されており、化合物領域８０６３はＰ領域８０６２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されている。このため、化合物領域３０３３，８０６３は、Ｐ領域８０４２，８０６２およびＰ－領域８０４１よりも抵抗率が低くなる。このように、発光制御トランジスタ７０１は、低抵抗化された化合物領域３０３３，８０６３においてコンタクトプラグと接続され、外部の素子と接続される。
［リセットトランジスタ］
次に、リセットトランジスタ７０２の２つの拡散領域８０１，８０３について説明する。
リセットトランジスタ７０２のドレイン領域として機能する拡散領域８０１は、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０６と同様に、化合物領域８０１３と、Ｐ領域８０１２と、Ｐ－領域８０１１と、を含む。拡散領域８０１には、電流が流れる方向に沿って、リセットトランジスタ７０２のチャネル領域８０２１の側から、Ｐ－領域８０１１（第２３領域）、Ｐ領域８０１２（第２０領域）、化合物領域８０１３（第１９領域）の順番で並んで配されている。つまり、拡散領域８０１には、Ｐ－領域８０１１と化合物領域８０１３との間に、Ｐ領域８０１２が配されている。そして、拡散領域８０１に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ－領域８０１１、Ｐ領域８０１２、化合物領域８０１３となっている。
リセットトランジスタ７０２のソース領域として機能する拡散領域８０３は、書き込みトランジスタ２０３のソース領域として機能する拡散領域３０４と同様に、化合物領域３０１３と、Ｐ領域８０３２と、Ｐ－領域８０３１を含む。拡散領域８０３は、電流が流れる方向に沿って、リセットトランジスタ７０２のチャネル領域８０２１の側から、Ｐ－領域８０３１（第２４領域）、Ｐ領域８０３２（第２２領域）、化合物領域３０１３（第２１領域）の順番で並んで配されている。拡散領域８０３に含まれる各領域は、抵抗率の高い領域から低い領域の順に、Ｐ－領域８０３１、Ｐ領域８０３２、化合物領域３０１３となっている。
Ｐ領域８０１２，８０３２およびＰ－領域８０１１，８０３１は、Ｐ型トランジスタであるリセットトランジスタ７０２の拡散領域として、同じ導電型の半導体によって構成されている。Ｐ領域８０１２，８０３２およびＰ－領域８０１１，８０３１は、チャネル領域８０５１とは逆の導電型の半導体によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域８０１２，８０３２およびＰ－領域８０１１，８０３１はＰ型の不純物がドープされた半導体領域である。また、拡散領域８０１，８０３において、チャネル領域８０５１側のＰ－領域８０１１，８０３１の不純物濃度が、Ｐ領域８０１２，８０３２の不純物濃度よりも低いＬＤＤ構造を有している。これによって、上述のようにＰ－領域８０１１，８０３１の抵抗率が、Ｐ領域８０１２，８０３２よりも高くなる。なお、化合物領域３０１３，８０１３の不純物濃度はＰ領域８０１２，８０３２の不純物濃度と同等であってもよい。
化合物領域８０１３，３０１３は、半導体および金属の化合物によって構成されている。本実施形態では、Ｐ領域８０１２，８０３２およびＰ－領域８０１１，８０３１はシリコンで構成される領域であり、化合物領域８０１３，３０１３は、Ｐ領域８０３２，８０１２の一部を金属と反応させたシリサイド領域である。換言すれば、化合物領域８０１３はＰ領域８０３２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されており、化合物領域３０１３はＰ領域８０１２の主成分である半導体と、金属と、の化合物によって構成されている。このため、化合物領域８０１３，３０１３は、Ｐ領域８０１２，８０３２およびＰ－領域８０１１，８０３１よりも抵抗率が低くなる。このように、リセットトランジスタ７０２は、低抵抗化された化合物領域８０１３，３０１３においてコンタクトプラグと接続され、外部の素子と接続される。
［各トランジスタの各領域の長さ］
次に、各トランジスタが有する拡散領域に含まれる各領域の、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視における長さについて図８、９を用いて説明する。
発光制御トランジスタ７０１に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極８０５の端部から化合物領域８０６３の端部までの電流経路の長さをＤ３１とする。また、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極８０５の端部から化合物領域３０３３の端部までの電流経路の長さをＤ３２とする。換言すれば、平面視における、発光制御トランジスタ７０１のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ３１とし、発光制御トランジスタ７０１のドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ３２とする。なお、化合物領域とゲート電極との間に長さの異なる複数の電流経路が存在する場合には、長さの最も短い電流経路の長さとしてもよい。また、図８のようにソース領域およびドレイン領域のうちの化合物領域とゲート電極との間に配された部分が直線的である場合には、上述の長さは、端部間の距離であってもよい。また、発光制御トランジスタ７０１に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、Ｐ－領域８０４１の電流経路の長さをｄ３２とする。なお本実施形態では発光制御トランジスタ７０１のソース領域として機能する拡散領域８０６はＰ－領域を有していない。しかし、拡散領域８０６がＰ－領域を有する場合には、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、そのＰ－領域の電流経路の長さをｄ３１としてもよい。本実施形態はｄ３１が０である場合とみなすこともできる。換言すれば、発光制御トランジスタ７０１のソース領域側のＬＤＤ領域の電流経路の長さをｄ３１、発光制御トランジスタ７０１のドレイン領域側のＬＤＤ領域の電流経路の長さをｄ３２とする。
リセットトランジスタ７０２に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極８０２の端部から化合物領域３０１３の端部までの電流経路の長さをＤ４１とする。また、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、ゲート電極８０２の端部から化合物領域８０１３の端部までの電流経路の長さをＤ４２とする。換言すれば、平面視における、リセットトランジスタ７０２のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ４１とし、リセットトランジスタ７０２のドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの電流経路の長さをＤ４２とする。なお、化合物領域とゲート電極との間に長さの異なる複数の電流経路が存在する場合には、長さの最も短い電流経路の長さとしてもよい。また、図８のようにソース領域およびドレイン領域のうちの化合物領域とゲート電極との間に配された部分が直線的である場合には、上述の長さは、端部間の距離であってもよい。また、リセットトランジスタ７０２に関して、基板４０１に対して垂直な方向からの平面視において、Ｐ－領域８０３１の電流経路の長さをｄ４１、Ｐ－領域８０１１の電流経路の長さをｄ４２とする。換言すれば、リセットトランジスタ７０２のソース領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ４１、リセットトランジスタ７０２のドレイン領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向に沿った長さをｄ４２とする。
本実施形態においても、書き込みトランジスタ２０３において、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０６３の端部までの電流経路の長さＤ２２が、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０４３の端部までの電流経路の長さＤ２１よりも大きい。すなわち、Ｄ２２＞Ｄ２１が成り立つ。このように電界を緩和する構成とすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生を抑制することができる。これにより、駆動トランジスタ２０１のゲート電極３０２の電位を安定化させることができ、発光素子２００の発光輝度を安定化させることができる。その結果、有機発光装置６０１の発光または表示の品位を向上させることができる。
また、長さＤ２２が、書き込みトランジスタ２０３のＰ－領域３０６１の長さｄ２２よりも大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ２２＞ｄ２２が成り立つことが好ましい。また、長さＤ２２が、長さＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ３１，Ｄ３２，Ｄ４１，Ｄ４２のいずれよりも大きいことが好ましい。換言すれば、画素６０２を構成する各トランジスタの有する各ゲート電極の端部から各化合物領域の端部までの電流経路の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３の電流経路の長さＤ２２が最も大きいことが好ましい。また、長さｄ２２が、長さｄ１１，ｄ１２，ｄ２１，ｄ３１，ｄ３２，ｄ４１，ｄ４２のいずれよりも大きいことが好ましい。換言すれば、画素６０２を構成する各トランジスタの有するＬＤＤ領域の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の長さが最も大きいことが好ましい。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置６０１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
（実施の形態３）
図１０～１３を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置について説明する。図１０は、本発明の実施形態３に係る発光装置１１１の構成例を示す図である。図１１は、発光装置１１１が有する画素１１２の回路図である。本実施形態は、主に、発光装置１１１の有する各画素１１２がリセットトランジスタ７０２（第４トランジスタ）を有さない点で実施形態２と相違する。すなわち、実施形態２は１つの画素が４つのトランジスタを有する構成であったのに対して、本実施形態は１つの画素が３つのトランジスタを有する構成である。以下、本実施形態の発光装置１１１のうち、上述の発光装置６０１と異なる構成を中心に説明する。
図１０に示すように、発光装置１１１の一例である有機ＥＬ表示装置は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。発光装置１１１の構成は実施形態２では配されていた第３走査線６０４を有していない。換言すれば、発光装置１１１の構成は実施形態１の構成に加えて、第２走査線６０３をさらに有する。
次に、図１１を用いて、本実施形態の画素１１２の回路構成について説明する。図１１に示すように、画素アレイ部１０３に配される複数の画素１１２のそれぞれは、発光素子２００および駆動トランジスタ２０１（第１トランジスタ）とを含む電流経路に配される発光制御トランジスタ７０１（第３トランジスタ）を有する。また、画素１１２は、２つの容量素子２０５，７０３を有する。画素１１２が有する３つのトランジスタ（第１～第３のトランジスタ）はそれぞれＭＯＳＦＥＴである。
次に、図１２、１３を用いて、画素１１２に含まれる各トランジスタの詳細について説明する。図１２は、画素１１２の平面図、図１３は、図１２に示されるＣ－Ｃ’間の断面図である。リセットトランジスタ７０２以外の構成については実施形態２の画素６０２と同様である。
本実施形態においても、書き込みトランジスタ２０３において、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０６３の端部までの電流経路の長さＤ２２が、ゲート電極３０５の端部から化合物領域３０４３の端部までの電流経路の長さＤ２１よりも大きい。すなわち、Ｄ２２＞Ｄ２１が成り立つ。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１１１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
また、長さＤ２２が、書き込みトランジスタ２０３のＰ－領域３０６１の長さｄ２２よりも大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ２２＞ｄ２２が成り立つことが好ましい。また、長さＤ２２が、長さＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ３１，Ｄ３２のいずれよりも大きいことが好ましい。換言すれば、画素１１２を構成する各トランジスタの有する各ゲート電極の端部から各化合物領域の端部までの電流経路の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３の電流経路の長さＤ２２が最も大きいことが好ましい。また、長さｄ２２が、長さｄ１１，ｄ１２，ｄ２１，ｄ３１，ｄ３２のいずれよりも大きいことが好ましい。換言すれば、画素１１２を構成する各トランジスタの有するＬＤＤ領域の長さのうち、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の長さが最も大きいことが好ましい。このような構成にすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界をより緩和することができる。これにより、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生をより抑制することができ、発光素子２００の発光輝度をより安定化させることができる。この結果、発光装置１１１の発光または表示の品位をさらに向上させることができる。
（その他の実施形態）
図１４は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。表示パネル１００５は、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれかを含んでよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタがプリントされている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。
本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。
本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。
本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。
図１５（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれかを含んでよい。あるいは、上述の表示装置１０００を含んでよい。表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。
撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、発光素子２００として有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。
撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。
図１５（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。表示部１２０１は、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれかを含んでよい。あるいは、上述の表示装置１０００を含んでよい。筐体１２０３は、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部１２０１に映される。電子機器としては、スマートフォン、タブレット端末、ノートパソコン等があげられる。
図１６は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図１２（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２は、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれか、あるいは、上述の表示装置１０００を含んでよい。
額縁１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図１６（ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。
また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。
図１６（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図１６（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれか、あるいは、上述の表示装置１０００を含んでよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。
図１７（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、上述の発光装置１０１，６０１，１１１のいずれかを含んでよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を透過して効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明の有機発光素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。
また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。
図１７（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。
テールランプ１５０１は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。テールランプは、有機ＥＬ素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。
自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。
本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。
図１８を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。
図１８（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳイメージセンサやＳＰＡＤイメージセンサのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。
眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。
図１８（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。
赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。
より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。
具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてよい。
また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域および第二の表示領域から優先度が高い領域を決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。
なお、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。
視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。
以上説明した通り、本実施形態に係る発光装置を用いることにより、良好な画質での表示が可能になる。
１０２ 画素
２００ 発光素子
２０１ 駆動トランジスタ（第１トランジスタ）
２０３ 書き込みトランジスタ（第２トランジスタ）
３０４３ 化合物領域（第３領域）
３０４２ Ｐ領域（第４領域）
３０６３ 化合物領域（第１領域）
３０６２ Ｐ領域（第２領域）

Claims (24)

  1. 基板に複数の画素がアレイ状に配置され、
    前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極にドレイン領域またはソース領域が接続された第２トランジスタと、を有する発光装置であって、
    前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続された方の領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第２トランジスタのチャネル領域との間に配置された第２領域と、を含み、
    前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続されていない方の領域は、第３領域と、前記第３領域と前記第２トランジスタの前記チャネル領域との間に配置された第４領域と、を含み、
    前記第１領域および前記第３領域は、半導体および金属の化合物によって構成され、
    前記第２領域および前記第４領域は、半導体によって構成され、
    前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第３領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続された方の領域は、前記第２領域と前記第２トランジスタのチャネル領域との間に配置された第５領域をさらに含み、
    前記第１領域および前記第２領域および前記第５領域が、同じ導電型の半導体領域であり、
    前記第５領域の不純物濃度が、前記第１領域の不純物濃度および前記第２領域の不純物濃度よりも低い
    ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１領域および前記第３領域は、シリサイド領域である
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続されていない方の領域は、前記第４領域と前記第２トランジスタの前記チャネル領域との間に配置された第６領域をさらに含み、
    前記第３領域および前記第４領域および前記第６領域が、同じ導電型の半導体領域であり、
    前記第６領域の不純物濃度が、前記第３領域の不純物濃度および前記第４領域の不純物濃度よりも低い
    ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記第１領域の抵抗率は前記第２領域の抵抗率よりも低く、
    前記第２領域の抵抗率は前記第５領域の抵抗率よりも低く、
    前記第３領域の抵抗率は前記第４領域の抵抗率よりも低く、
    前記第４領域の抵抗率は前記第６領域の抵抗率よりも低い
    ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記第１トランジスタの前記ドレイン領域は、第７領域と、前記第７領域と前記第１トランジスタのチャネル領域との間に配置された第８領域と、を含み、
    前記第１トランジスタの前記ソース領域は、第９領域と、前記第９領域と前記第１トランジスタのチャネル領域との間に配置された第１０領域と、を含み、
    前記第７領域および前記第９領域は、半導体および金属の化合物によって構成され、
    前記第８領域および前記第１０領域は、半導体によって構成され、
    前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第７領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、および前記第９領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第２領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第４領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、前記第８領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、および前記第１０領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、のいずれもよりも長い
    ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第７領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第９領域から前記第１トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする請求項６または７に記載の発光装置。
  9. 前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第２領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 基板に複数の画素がアレイ状に配置され、
    前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、前記発光素子のアノードにドレイン領域が接続された第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極にドレイン領域またはソース領域が接続された第２トランジスタと、を有する発光装置であって、
    前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続された方の領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第２トランジスタのチャネル領域との間に配置された第２領域と、前記第２領域と前記第２トランジスタのチャネル領域との間に配置された第５領域と、を含み、
    前記第２トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ゲート電極と接続されていない方の領域は、第３領域と、前記第３領域と前記第２トランジスタの前記チャネル領域との間に配置された第４領域と、を含み、
    前記第１領域の抵抗率は前記第２領域の抵抗率よりも低く、
    前記第２領域の抵抗率は前記第５領域の抵抗率よりも低く、
    前記第３領域の抵抗率は前記第４領域の抵抗率よりも低く、
    前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第３領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする発光装置。
  11. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタの前記ゲート電極と前記第１トランジスタの前記ソース領域との間に配置された第１容量素子を有する
    ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 前記複数の画素のそれぞれは、前記第１トランジスタの前記ソース領域にドレイン領域またはソース領域が接続された、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第３トランジスタをさらに有する
    ことを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 前記第３トランジスタの前記ドレイン領域は、第１３領域と、前記第１３領域と前記第３トランジスタのチャネル領域との間に配置された第１４領域と、を含み、
    前記第３トランジスタの前記ソース領域は、第１５領域と、前記第１５領域と前記第３トランジスタのチャネル領域との間に配置された第１６領域と、を含み、
    前記第１３領域および前記第１５領域は、半導体および金属の化合物によって構成され、
    前記第１４領域および前記第１６領域は、半導体によって構成され、
    前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第１３領域から前記第３トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、および前記第１４領域から前記第３トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
  14. 前記複数の画素のそれぞれは、第１トランジスタの前記ソース領域と前記第３トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域とを接続する端子と、
    前記端子と、前記第３トランジスタの前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち前記第１トランジスタの前記ソース領域と接続されていない方の領域と、の間に配置された第２容量素子と、を有する
    ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の発光装置。
  15. 前記複数の画素のそれぞれは、前記発光素子の２つの端子の間を短絡するための第４トランジスタをさらに有する
    ことを特徴とする請求項１～１４のいずれか１項に記載の発光装置。
  16. 前記第４トランジスタのドレイン領域は、第１９領域と、前記第１９領域と前記第４トランジスタのチャネル領域との間に配置された第２０領域と、を含み、
    前記第４トランジスタのソース領域は、第２１領域と、前記第２１領域と前記第４トランジスタのチャネル領域との間に配置された第２２領域と、を含み、
    前記第１９領域および前記第２１領域は、半導体および金属の化合物によって構成され、
    前記第２０領域および前記第２２領域は、半導体によって構成され、
    前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域から前記第２トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さが、前記第１９領域から前記第４トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さ、および前記第２１領域から前記第４トランジスタの前記ゲート電極までの電流経路の長さよりも長い
    ことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置。
  17. 前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１領域の端部と前記第２トランジスタの前記ゲート電極の端部との間の距離が、前記第３領域の端部と前記第２トランジスタの前記ゲート電極の端部との間の距離よりも長い
    ことを特徴とする請求項１～１６のいずれか１項に記載の発光装置。
  18. 前記発光素子は、有機発光層を含む有機発光素子である
    ことを特徴とする請求項１～１７のいずれか１項に記載の発光装置。
  19. 請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記複数の画素のそれぞれに接続される信号線と、
    前記信号線に信号を供給する信号出力回路と、
    を有する表示装置。
  20. 撮像装置と、
    表示部として請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置と、を備え、
    前記撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて前記表示部の表示画像が制御される表示装置。
  21. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置を有する光電変換装置。
  22. 請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有する電子機器。
  23. 請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有する照明装置。
  24. 請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有する移動体。
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