KR20230054647A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents

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KR20230054647A
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밍주안 수
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Abstract

OLED에서 이미터로서 유용한 나프탈렌 또는 다른 축합된 헤테로사이클 모이어티, 예컨대 벤조푸란 및 벤조티오펜을 보유하고, 디바이스 효율 및 발광의 FWHM을 향상시키는 하기 화학식 I을 갖는 리간드를 함유하는 신규 인광성 금속 착물:
[화학식 I]
Figure pat00156

Description

유기 전계발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 미국 가출원 번호 제62/403,424호(2016년 10월 3일 출원)을 우선권으로 주장하며, 이의 개시내용은 본원에 참고 인용된다.
분야
본 개시내용은 유기 전계발광 디바이스, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED)를 위한 인광성 이미터로서 사용하기 위한 화합물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 본 발명은 나프탈렌 또는 다른 축합된 헤테로사이클 모이어티, 예컨대 벤조푸란 및 벤조티오펜을 보유하는 리간드를 함유하는 인광성 금속 착물에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하여 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 경제적 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 이의 가요성은 플렉시블 기판상에서의 제조와 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 될 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 디바이스에 전압을 인가시 광을 방출하는 유기 박막을 사용하게 한다. OLED는 평판 패널 디스플레이, 조명 및 역광 조명과 같은 적용예에 사용하기 위한 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 물질 및 구조는 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로서 지칭하는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 색상은 당업계에 공지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 발광 분자의 일례로는 하기 화학식을 갖는 Ir(ppy)3으로 나타낸 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
Figure pat00001
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)으로의 배위 결합을 직선으로 도시한다.
본원에서, 용어 "유기"라는 것은 유기 광전자 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소분자" 부류로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 밝혀졌다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층"의 상부에 배치되는" 것으로 기재될 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재할 수 있을지라도, 캐소드는 애노드"의 상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나 및/또는 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 직접적으로 기여하는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 성질을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 기여하지 않는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1의 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 근접할 경우, 제1의 에너지 준위는 제2의 HOMO 또는 LUMO보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절대값을 갖는 IP에 해당한다(IP는 음의 값이 더 작다). 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절대값이 더 작은 전자 친화도(EA)에 해당한다(EA의 음의 값이 더 작다). 상부에서의 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상부에 더 근접한다는 것을 나타낸다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1의 일 함수의 절대값이 더 클 경우, 제1의 일 함수는 제2의 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일 함수의 음의 값이 더 크다는 것을 의미한다. 상부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일 함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 도시된다. 그래서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일 함수와는 상이한 조약을 따른다.
OLED에 대한 세부사항 및 전술한 정의는 미국 특허 제7,279,704호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌의 개시내용은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
본 개시내용의 측면에 따르면, 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시된다:
[화학식 I]
Figure pat00002
상기 식에서,
고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
R3은 비치환 내지 가능한 최대수의 치환을 나타내고;
X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
(1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
(2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
(3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
(a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
(b) R2는 수소가 아니거나; 또는
(c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
LA는 금속 M에 배위결합되고;
LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고; M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
또다른 측면에 따르면, 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 제제가 개시된다.
또다른 측면에 따르면, OLED의 발광 영역이 개시되고, 여기서 발광 영역은 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
또다른 측면에 따르면, 제1 OLED를 포함하는 제1 디바이스가 개시되고, 여기서 제1 OLED는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
또다른 측면에 따르면, 제1 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 제1 OLED는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
도 1에는 유기 발광 디바이스가 도시된다.
도 2에는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스가 도시된다.
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 정공을 유기층(들)에 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완도 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 기간으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998 ("Baldo-I")] 및 [Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999)("Baldo-II")]을 참조하며, 이들 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1에는 유기 발광 디바이스(100)가 도시된다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 차단층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1의 전도층(162) 및 제2의 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제조될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시의 물질의 성질 및 기능은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 각각의 층에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 플렉시블하고 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 그 전문이 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 2에는 역전된 OLED(200)가 도시된다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 적층시켜 제조될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구조는 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있고 디바이스(200)가 애노드(230)의 아래에 캐소드(215)가 배치되어 있으므로, 디바이스(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 얼마나 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공하며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 작용성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략할 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 이들 구체적으로 기재된 층을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 층은 다수의 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하며, 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend 등)에 기재된 바와 같은 중합체 물질(PLED)을 포함하는 OLED를 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 적층될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기상 증착(OVPD), 미국 특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및, 잉크-제트 및 OVJD와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기는 이의 용액 가공의 처리 능력을 향상시키기 위하여 소분자에 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있는데, 비대칭 물질은 재결정화되는 경향이 낮을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 가공을 처리하는 소분자의 능력을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 의하여 제조된 디바이스는 차단층을 추가로 임의로 포함할 수 있다. 차단층의 하나의 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 한다. 차단층은 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서, 전극 또는, 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서 증착될 수 있다. 차단층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 차단층은 각종 공지의 화학적 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적절한 물질 또는 물질의 조합을 차단층에 사용할 수 있다. 차단층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘다를 혼입할 수 있다. 바람직한 차단층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌의 개시내용은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"을 고려하면, 차단층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건하에서 및/또는 동일한 시간에서 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위내일 수 있다.　중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작되는 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품에 투입될 수 있는 광범위한 전자 부품 모듈 (또는 유닛)에 투입될 수 있다. 상기 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 최종 사용자 제품 제조자에 의해 이용될 수 있는 디스플레이 스크린, 개별 광원 디바이스 또는 조명 패널과 같은 조명 디바이스 등을 포함한다. 상기 전자 부품 모듈은 경우에 따라 구동 전자장치 및/또는 전력원(들)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시양태에 따라 제작되는 디바이스는 내부에 투입되는 하나 이상의 전자 부품 모듈 (또는 유닛)을 갖는 광범위하게 다양한 소비자 제품에 투입될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 상기 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 일부 유형의 영상 디스플레이 중 하나 이상을 포함하는 임의 유형의 제품을 포함한다. 상기 소비자 제품의 일부 예는 평판 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실내 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이(대각선 2 인치 미만인 디스플레이), 3-D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 자동차, 함께 타일화된 다중 디스플레이를 포함한 비디오 벽, 극장 또는 스타디움 스크린 및 간판을 포함한다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 의한 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
본원에서 사용될 때 "할로", "할로겐" 또는 "할라이드"는 플루오르, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
본원에서 사용될 때 "알킬"은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알킬기는 1-15 개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "시클로알킬"은 시클릭 알킬 라디칼을 의미한다. 바람직한 시클로알킬기는 3-10 개 고리의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알케닐기는 2-15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알키닐기는 2-15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호 혼용되며 치환기로서 방향족 기를 갖는 알킬기를 의미한다. 추가로, 알킬아릴기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "헤테로시클릭 기"는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼이 고려된다. 헤테로-방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴을 의미한다. 바람직한 헤테로-비방향족 시클릭 기는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고 모르폴리노, 피페르디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등과 같은 시클릭 에테르를 포함하는 3 또는 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로시클릭 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아릴" 또는 "방향족 기"는 단일 고리 기 및 폴리시클릭 고리계가 고려된다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리에 공통인 2개 이상의 고리("축합" 고리)를 가질 수 있으며, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 방향족이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것들이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴 기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴 기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용된 용어 "헤테로아릴"은 1 내지 5개의 헤테로원자를 포함할 수 있는 단일-고리 헤테로-방향족 기를 포함한다. 용어 헤테로아릴은 또한 2개의 원자가 두 인접 고리에 공통인 2 이상의 고리("축합" 고리)를 갖는 폴리시클릭 헤테로방향족계를 포함하며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 헤테로아릴이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것들이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 디벤조셀레노펜, 퓨란, 티오펜, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘, 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 디벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭 기, 아릴, 및 헤테로아릴은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 시클릭 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
본원에서 사용된 "치환된"은 H 이외의 치환기가 관련 위치, 예컨대 탄소에 결합됨을 나타낸다. 따라서, 예를 들어, R1이 단일 치환되는 경우, 하나의 R1은 H 외외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 이치환된 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 비치환된 경우, R1은 모든 가능한 위치에 대하여 수소이다.
본원에 기술된 분절, 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 분절에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면(이에 한정되지 않음) 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함한다. 당업자는 상기 기술된 아자-유도체의 기타 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어를 포괄하는 것으로 간주된다.
당업자라면 분자 분절이 치환기인 것으로 기술되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합될 때 이의 명칭은 분절(예, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본원에 사용된 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동일한 것으로 간주된다.
본 개시내용은 금속 착물을 위한 신규 리간드에 관한 것이다. 이러한 리간드는 나프탈렌 또는 다른 유사한 축합된 헤테로사이클을 포함한다. 더하여, 이러한 축합된 단위는 tert-부틸 또는 tert-부틸 유도체인 차단성 측쇄를 포함한다. 리간드 내 이러한 요소들의 조합은 최종 고리금속화된 착물의 단 하나의 이성질체를 수득할 수 있도록 한다. 이는 또한 보다 우수한 효율, 발광 색체의 적색 이동 및 더 좁은 발광을 제공한다.
본 개시내용은 나프탈렌 또는 다른 축합된 헤테로사이클 모이어티, 예컨대 벤조푸란 및 벤조티오펜을 보유하는 리간드를 함유하는 인광성 금속 착물에 관한 것이다. 상기 모이어티는, 배열을 차단하고 불필요한 위치에의 임의의 리간드화를 방지하는 방식으로 이리듐 원자에 연결되는 페닐 상에서 지방족 측쇄로 치환된다. 상기 측쇄는 tert-부틸 또는 tert-부틸의 유도체이다. 더 많이 우수한 순도를 갖는 물질을 제공하는 것이 외에, tert-부틸 측쇄의 첨가는 발광의 더 우수한 FWHM(반치전폭), 더 우수한 EQE(외부 양자 효율)를 허용한다. 리간드의 하부에서 축합된 사이클은 발광 책체의 적색 이동을 유도하는 반면 사이클 상의 측쇄는 청색 이동을 유도한다.
본 개시내용의 측면에 따르면, 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시된다:
[화학식 I]
Figure pat00003
상기 식에서,
고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
R3은 비치환 내지 가능한 최대수의 치환을 나타내고;
X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
(1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
(2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
(3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
(a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
(b) R2는 수소가 아니거나; 또는
(c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
LA는 금속 M에 배위결합되고;
LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
화합물의 일부 실시양태에서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된다. 일부 실시양태에서, M은 Ir 또는 Pt이다.
화합물의 일부 실시양태에서, X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이다.
화합물의 일부 실시양태에서, R1은 tert-부틸 또는 치환된 tert-부틸이다. 화합물의 일부 실시양태에서, R1 및 R2는 추가 치환될 수 있는 방향족 고리로 형성된다.
화합물의 일부 실시양태에서, 고리 B는 페닐이다.
화합물의 일부 실시양태에서, 리간드 LA는
Figure pat00004
으로 이루어진 군에서 선택되고, R1, R2, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및 R14는 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성된다.
화합물의 일부 실시양태에서, 리간드 LA는, 하기 화학식 II의 구조를 기초로 하는 LA1 내지 LA260,
[화학식 II]
Figure pat00005
여기서, R1, R2, R4, 및 R5는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
하기 화학식 III의 구조를 기초로 하는 LA261 내지 LA520,
[화학식 III]
Figure pat00011
여기서, R1, R9, R10, 및 Y는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
하기 화학식 IV의 구조를 기초로 하는 LA521 내지 LA780,
[화학식 IV]
Figure pat00017
여기서, R1, R11, R12, 및 X는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
하기 화학식 IV의 구조를 기초로 하는 LA781 내지 LA1170,
[화학식 IV]
Figure pat00024
여기서, R1, R2, R11, 및 R12는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
하기 화학식 V의 구조를 기초로 하는 LA1171 내지 LA1266,
[화학식 V]
Figure pat00032
여기서, R1, R2, R13, 및 X는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00033
Figure pat00034
하기 화학식 VI의 구조를 기초로 하는 LA1267 내지 LA1298,
[화학식 VI]
Figure pat00035
여기서, R1, R2, 및 R14는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
Figure pat00036
로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서
RB1 내지 RB23은 하기 구조를 갖고;
Figure pat00037
RA1 내지 RA51은 하기 구조를 갖는다:
Figure pat00038
화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 화학식 (LA)nIr(LB)3-n을 갖고; 여기서 LB는 2좌 리간드이고; n은 1, 2, 또는 3이다.
화합물의 일부 실시양태에서, LB는 하기 화학식으로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00039
Figure pat00040
LA가 LA1 내지 LA1298에서 선택되는 화학식 Ir(LA)(LB)를 갖는 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 화합물 1 내지 화합물 22,066으로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서 각각의 화합물 x는 화학식 Ir(LAk)2(LBj)를 갖고; x = 1298j + k - 1298이고, k는 1-1298의 정수이고, j는 1-17의 정수이고; LB1 내지 LB17은 하기와 같이 정의된다:
Figure pat00041
Figure pat00042
또다른 측면에 따르면, 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 제제가 개시된다.
또다른 측면에 따르면, 제1 OLED를 포함하는 제1 디바이스가 개시된다. 제1 OLED는 애노드; 캐소드; 및 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함한다:
[화학식 I]
Figure pat00043
상기 식에서, 고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
R3은 비치환 내지 최대수의 치환을 나타내고;
X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
(1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
(2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
(3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
(a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
(b) R2는 수소가 아니거나; 또는
(c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
LA는 금속 M에 배위결합되고;
LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
제1 디바이스의 일부 실시양태에서, 유기층은 추가로 호스트를 포함하고, 호스트는 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화학적 기를 포함한다.
제1 디바이스의 일부 실시양태에서, 유기층은 추가로 호스트를 포함하고, 호스트는 상기 정의된 호스트 군 A에서 선택된다.
제1 디바이스의 일부 실시양태에서, 유기층은 추가로 호스트를 포함하고, 호스트는 금속 착물을 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 가요성, 롤링 가능성, 폴딩 가능성, 스크레치 가능성, 및 굴곡성으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명이다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 추가로 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열 또는 백색 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선 10 인치 또는 50 인치 제곱 면적 미만을 갖는 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선 10 인치 또는 50 인치 제곱 면적 이상을 갖는 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
또다른 측면에 따르면, OLED의 발광 영역이 개시되고, 발광 영역은 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다:
[화학식 I]
Figure pat00044
상기 식에서, 고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
R3은 비치환 내지 가능한 최대수의 치환을 나타내고;
X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
(1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
(2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
(3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
(a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
(b) R2는 수소가 아니거나; 또는
(c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
LA는 금속 M에 배위결합되고;
LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
발광 영역의 일부 실시양태에서, 화합물은 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트이다.
발광 영역의 일부 실시양태에서, 발광 영역은 추가로 호스트를 포함하고, 호스트는 금속 착물, 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
발광 영역의 일부 실시양태에서, 발광 영역은 추가로 호스트를 포함하고, 호스트는
Figure pat00045
Figure pat00046
및 이의 조합으로 이루어진 호스트 군 A에서 선택된다.
또다른 측면에 따르면, OLED의 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(E-타입 지연 형광이라고도 함), 삼중항-삼중항 소멸, 또는 이들 프로세스의 조합을 통한 발광을 일으킬 수 있다.
또다른 측면에 따르면, 본원에 기술된 화합물을 포함하는 제제가 또한 개시된다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈, 및 조명 패널 중 하나 이상에 통합될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고 일부 실시양태에서 화합물은 발광 도펀트일 수 있지만, 다른 실시양태에서 화합물은 비발광 도펀트일 수 있다.
유기층은 또한 호스트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 둘 이상의 호스트가 바람직하다. 일부 실시양태에서, 사용된 호스트는 a) 이극성, b) 전자 수송, c) 정공 수송 또는 d) 전하 수송시 약간의 역할을 하는 와이드 밴드 갭 물질일 수 있다. 일부 실시양태에서, 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 축합된 티오펜 또는 벤조 축합된 푸란일 수 있다. 호스트에서 임의의 치환기는 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1로 이루어진 군에서 독립적으로 선택된 비축합된 치환기일 수 있거나, 또는 호스트는 비치환된다. 이전의 치환기에서 n은 1-10의 범위일 수 있고; Ar1 및 Ar2는 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군에서 독립적으로 선택될 수 있다. 호스트는 무기 화합물일 수 있다. 예를 들면, Zn 함유 무기 물질, 예컨대 ZnS.
호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화학적 기를 포함하는 화합물일 수 있다. 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는, 비제한적으로, 하기 화학식 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 특정 화합물일 수 있다:
Figure pat00047
Figure pat00048
가능한 호스트의 추가 정보가 하기 제공된다.
본 개시내용의 또다른 측면에서, 본원에 개시된 신규 화합물을 포함하는 제제가 기술된다. 제제는 본원에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 및 전자 수송 층 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 성분들을 포함할 수 있다.
다른 물질과의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 다양한 다른 물질과 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타의 층과 관련되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 언급된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 물질들의 비제한적인 예이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타의 물질을 확인하는 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
전도성(Conductivity) 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 전하 캐리어의 밀도를 실질적으로 변경시킬 수 있고, 이는 이의 전도성을 변경할 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성함으로써 증가되고, 도펀트의 종류에 따라, 반도체의 페르미 준위에 있어 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p-형 전도성 도펀트에 의해 도핑될 수 있고 n-형 전도성 도펀트는 전자 수송층에 사용된다.
본원에 개시된 물질과 함께 OLED에 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예는 이들 물질을 개시하는 참고문헌들과 함께 이하에서 예시된다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804 및 US2012146012.
Figure pat00049
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특별히 한정되지 않으며, 정공 주입/수송 물질로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카바졸 유도체; 플루오로탄화수소를 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용되는 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00050
Ar1 내지 Ar9 각각은 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 디벤조셀레노펜, 퓨란, 티오펜, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 서로 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환되거나 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
하나의 측면에서, Ar1 내지 Ar9는 하기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며:
Figure pat00051
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 갖는다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기를 들 수 있다:
Figure pat00052
여기서 Met는 40 초과의 원자 중량을 가질 수 있는 금속이고; (Y101-Y102)는 두자리 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
일 측면에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 측면에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 측면에서, Met은 Ir, Pt, Os 및 Zn으로부터 선택된다. 추가의 측면에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 갖는다.
본원에 개시된 물질과 함께 OLED에 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예는 이들 물질을 개시하는 참고문헌과 함께 이하에 예시된다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
.
EBL:
전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 실질적으로 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일 측면에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나로서 사용되는 동일한 분자 또는 동일한 작용기를 함유한다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 도펀트 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 하나 이상의 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예로는 특별히 한정되지는 않으나, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물이 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 것보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질이 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용되는 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00061
여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 두자리 리간드이고, Y103 및 Y104는 C, N, O, P 및 S로부터 독립적으로 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수이다.
일 측면에서, 금속 착물은
Figure pat00062
이다:
여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위 결합된 금속을 갖는 두자리 리간드이다.
또 다른 측면에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가의 측면에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용되는 다른 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 디벤조셀레노펜, 퓨란, 티오펜, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 서로 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 기는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
일 측면에서, 호스트 화합물은 분자 중에 하기 기들 중 적어도 하나를 포함한다:
Figure pat00063
여기서 R101 내지 R107은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이며; k"'는 0 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108는 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
Z101 및 Z102는 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 호스트 화합물과 함께 OLED에 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예는 이들 물질을 개시하는 참고문헌과 함께 이하에 예시된다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472.
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
부가적인 이미터:
하나 이상의 부가적인 이미터 도펀트는 본 개시내용의 화합물과 함께 사용될 수 있다. 부가적인 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 물질로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(E-타입 지연 형광이라고도 함), 삼중항-삼중항 소멸, 또는 이들 프로세스의 조합에 의해 발광을 일으킬 수 있는 화합물을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
본원에 개시된 물질과 함께 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예는 이들 물질을 개시하는 참고문헌과 함께 이하에 예시된다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 디바이스 내 이러한 차단층의 존재는 차단층이 결여된 유사한 디바이스에 비하여 실질적으로 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 나타낼 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 부위로 방출을 국한시키는데 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 보다 높은 삼중항 에너지를 갖는다.
일 측면에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트로서 사용되는 동일한 분자 또는 동일한 작용기를 함유한다.
또 다른 측면에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자 중에 하기의 기들 중 적어도 하나를 포함한다:
Figure pat00075
여기서 k는 1 내지 20의 정수이고; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 한정되지는 않으며, 전자를 수송하는데 전형적으로 사용되는 한 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물이 사용될 수 있다.
일 측면에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자 중에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
Figure pat00076
여기서 R101은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. Ar1 내지 Ar3은 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 측면에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기의 화학식을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00077
여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N,N에 배위 결합된 금속을 갖는 두자리 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이다.
본원에 개시된 물질과 함께 OLED에 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는 이들 물질을 개시하는 참고문헌과 함께 이하에 예시된다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535.
Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
전하 생성층(CGL)
탠덤 또는 스택된 OLED에서, CGL은 성능에 있어 필수적인 역할을 수행하며, 이는 전자 및 정공 각각의 주입을 위한 n-도핑층 및 p-도핑층으로 구성된다. 전자 및 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소비된 전자 및 정공은 캐소드 및 애노드 각각으로부터 주입되는 전자 및 정공에 의해 재충전되고; 이후에, 양극성 전류가 점진적으로 정류 상태에 도달한다. 전형적인 CGL 물질은 수송층들에 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에 사용되는 임의의 상술된 화합물에서, 수소 원자가 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 이에, 메틸, 페닐, 피리딜, 등(제한되지 않음)과 같은 임의의 구체적으로 나열된 치환기가 이의 중수소화되지 않은, 부분적으로 중수소화된, 및 완전히 중수소화된 버전일 수 있다. 마찬가지로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 등(제한없이)과 같은 부류의 치환기가 또한 이의 중수소화되지 않은, 부분적으로 중수소화된, 및 완전히 중수소화된 버전일 수 있다.
합성
물질 합성 - 모든 반응은 달리 정의되지 않는 한 질소 분위기 하에서 수행되었다. 반응을 위한 모든 용매는 무수물이고 시판사로부터 수득한 바대로 사용된다.
화합물 3393 [Ir(L A17 ) 2 (L B5 )]의 합성
6-(tert-부틸)-4-클로로-2H-피란-2-온의 합성
Figure pat00081
6-(tert-부틸)-4-히드록시-2H-피란-2-온(9.50 g, 56.50 mmol), POCl3(31.9 mL, 198 mmol) 및 NEt3(7.8 mL, 56.50 mmol)의 용액을 환류로 밤새 가열하였다. 반응 플라스크를 rt로 냉각시키고 반응 혼합물을 얼음으로 켄칭하고 EtOAc로 추출하였다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 플래시 크로마토그래피(CH2Cl2/EtOAc/헵탄, 1:4:45)를 통해 정제하여 6-(tert-부틸)-4-클로로-2H-피란-2-온을 금색 오일(10.0 g, 95 %)로서 제공하였다.
1-(tert-부틸)-3-클로로나프탈렌의 합성
Figure pat00082
1,2-디메톡시에탄(100 mL) 중 6-(tert-부틸)-4-클로로-2H-피란-2-온(8.90 g, 47.70 mmol)의 용액을 100℃로 가열하였다. 이어서, 1,2-디메톡시에탄(60 mL) 중 미리 용해된 이소아밀 니트라이트(9.63 mL, 71.50 mmol), 및 1,2-디메톡시에탄(60 mL) 중 미리 용해된 2-아미노벤조산(9.81 g, 71.50 mmol)을 적하 방식으로 첨가 깔대기를 이용하여 동시에 반응 혼합물에 첨가하였다. 반응 혼합물을 100℃에서 밤새 교반하도록 두었다. 반응 플라스크를 rt로 냉각하고 반응 혼합물을 진공 농축시켰다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 플래시 크로마토그래피(CH2Cl2/EtOAc/헵탄, 1:2:47)를 통해 정제하여 1-(tert-부틸)-3-클로로나프탈렌 연황색 오일(6.7 g, 64 %)로서 제공하였다.
2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란의 합성
Figure pat00083
1,4-디옥산(90 mL) 중 1-(tert-부틸)-3-클로로나프탈렌(6.20 g, 28.30 mmol), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보롤란)(9.36 g, 36.90 mmol), Pd2(dba)3(0.52 g, 0.57 mmol), SPhos(0.93 g, 2.27 mmol), 및 KOAc(8.35 g, 85.00 mmol)의 용액을 110도로 17h 동안 가열하였다. 이 시간 후, 반응 플라스크를 rt로 냉각하고 반응 혼합물을 셀라이트 플러그에 여과시키고, EtOAc로 용출하고, 진공 농축시켰다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 플래시 크로마토그래피(EtOAc/헵탄, 1:49 내지 1:9)를 통해 정제하여 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란을 회백색 고체(8.80 g, 93 %)로서 제공하였다.
2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디클로로퀴놀린의 합성
Figure pat00084
2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(4.31 g, 13.90 mmol), 2,4,5-트리클로로퀴놀린(3.20 g, 13.76 mmol), K2CO3(5.71 g, 41.30 mmol), THF(51 mL) 및 H2O(17 mL)를 플라스크에서 배합하였다. 반응 혼합물을 15분 동안 N2로 퍼징한 후 Pd(PPh3)4(0.80 g, 0.69 mmol)를 첨가하였다. 그리고나서 반응 혼합물을 75℃로 16h 동안 가열하였다. 이 시간 후, 반응 플라스크를 rt로 냉각하고 반응 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 플래시 크로마토그래피(EtOAc/헵탄, 1:49)를 통해 정제하여 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디클로로퀴놀린을 황색 고체(5.50 g, 99 %)로서 제공하였다.
2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디메틸퀴놀린의 합성
Figure pat00085
톨루엔(65.0 mL) 및 H2O(6.50 mL) 중 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디클로로퀴놀린(5.50 g, 14.46 mmol), Pd2(dba)3(0.53 g, 0.58 mmol), SPhos(0.95 g, 2.31 mmol), 트리메틸보록신(4.85 mL, 34.70 mmol) 및 K3PO4(12.28 g, 57.80 mmol)의 용액을 N2로 15분 동안 퍼징하고, 100℃로 19h 동안 가열하였다. 이 시간 후, 반응 플라스크를 rt로 냉각하고 반응 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 플래시 크로마토그래피(EtOAc/헵탄, 1:99 내지 1:49)를 통한 후 역 상 크로마토그래피(MeCN/H2O, 90:10 내지 92/8 내지 95/5)를 통해 정제하여 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디메틸퀴놀린 백색 고체(3.50 g, 71 %)로서 제공하였다.
이리듐(III) 이량체의 합성
Figure pat00086
2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,5-디메틸퀴놀린(3.52 g, 10.36 mmol)을 2-에톡시에탄올(42.0 mL) 및 물(14.0 mL) 중에 용해시키고 혼합물을 N2로 15분 동안 탈기화하였다. 이후 이리듐(III) 클로라이드 테트라히드레이트(1.28 g, 3.45 mmol)를 첨가하고 반응 혼합물을 N2 하에서 16h 동안 105℃로 가열하였다. 이 시간 후, 반응 플라스크를 rt로 냉각하였다. 반응 혼합물을 MeOH로 희석하고 여과하여 암갈색 침전물을 수득하였고, 진공 오븐을 사용하여 이를 건조하였다(1.94 g, 62 %).
화합물 3393 [Ir(LA17)2(LB5)]의 합성
Figure pat00087
2-에톡시에탄올(18 mL) 중 이리듐(III) 이량체(1.00 g, 0.55 mmol) 및 3,7-디에틸노난-4,6-디온(1.30 mL, 5.53 mmol)의 용액을 N2로 15분 동안 탈기화하였다. K2CO3(0.76 g, 5.53 mmol)를 다음에 첨가하고 반응 혼합물을 rt에서 N2 하에 21h 동안 교반하도록 두었다. 이 시간 후, 반응 혼합물을 셀라이트 플러그에 여과시키고, 분리된 필터 플라스크를 사용하여 MeOH로 우선 용출한 후 CH2Cl2로 용출하였다. 이후 수집된 여과물을 진공 농축시켰다. 미정제 생성물을 셀라이트 상에 흡착시키고 CH2Cl2/헵탄(1:99 내지 1:49 내지 1:9)을 사용하여 플래시 크로마토그래피(헵탄/트리에틸아민으로 선처리, 9:1)를 통해 정제함으로써 화합물 3393 [Ir(LA17)2(LB5)] 적색 고체(0.35 g, 29 %)로서 제공하였다.
화합물 3899 [Ir(L A523 ) 2 (L B5 )]의 합성
4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘의 합성
Figure pat00088
4-클로로-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(2.10 g, 9.87 mmol), 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(3.22 g, 10.4 mmol), K2CO3(3.41 g, 24.7 mmol), DME(53 mL) 및 H2O(18 mL)를 플라스크에서 배합하였다. 반응 혼합물을 N2로 15분 동안 퍼징한 후 Pd(PPh3)4(0.57 g, 0.49 mmol)를 첨가하였다. 이후 반응 혼합물을 75℃로 N2 하에 밤새 가열하였다. 반응 완료시, 반응 플라스크를 rt로 냉각하고 반응 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 미정제 생성물을, 플래시 크로마토그래피, 헵탄/EtOAc(9:1 내지 4:1)를 통해 정제하여 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(3.26 g, 92% 수율)을 제공하였다.
이리듐(III) 이량체의 합성
Figure pat00089
4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(3.16 g, 8.77 mmol)을 2-에톡시에탄올(37 mL) 및 물(12 mL) 중에 용해시키고 혼합물을 N2로 15분 동안 탈기화하였다. 이후 이리듐(III) 클로라이드 테트라히드레이트(1.00 g, 2.70 mmol)를 첨가하고 반응 혼합물을 105℃로 N2 하에 밤새 가열하였다. 이 시간 후, 반응 플라스크를 rt로 냉각시켰다. 반응 혼합물을 MeOH로 희석하고 여과하여 녹색 침전물을 수득하였고, 이를 진공 오븐을 사용하여 건조하였다(정량).
화합물 3899 [Ir(LA523)2(LB5)]의 합성
Figure pat00090
2-에톡시에탄올(26 mL) 중 이리듐(III) 이량체(1.50 g, 0.79 mmol) 및 3,7-디에틸노난-4,6-디온(1.26 g, 5.94 mmol)의 용액을 N2로 15분 동안 탈기화하였다. K2CO3(0.82 g, 5.94 mmol)을 다음으로 첨가하고 반응 혼합물을 rt에서 N2 하에 밤새 교반하도록 두었다. 이 시간 후, 반응 혼합물을 셀라이트 플러그에 여과하고, 분리된 필터 플라스크를 사용하여 우선 MeOH로 용출한 후 CH2Cl2로 용출하였다. 이후 수집된 여과물을 진공 농축하였다. 미정제 생성물을, CH2Cl2/헵탄(1:4)을 사용하여 플래시 크로마토그래피(헵탄/트리에틸아민로 선처리, 9:1)를 통해 정제하여 화합물 3899[Ir(LA523)2(LB5)]를 적색 고체(0.70 g, 79 %)로서 제공하였다.
화합물 5975 [Ir(L A783 ) 2 (L B5 )]의 합성
3-플루오로나프탈렌-2-올의 합성
Figure pat00091
(브로모디플루오로메틸)트리메틸실란(35.3 ml, 227 mmol)을, 톨루엔(500 ml) 중 1,3-디히드로-2H-인덴-2-온(20 g, 151 mmol) 및 테트라부틸암모늄 브로마이드(4.88 g, 15.13 mmol)의 용액에 첨가하였다. 반응물을 100℃로 가열하고 2.5hr 동안 교반하였다. (브로모디플루오로메틸)트리메틸실란(35.3 ml, 227 mmol)을 첨가하고 반응물을 100℃에서 추가 3hr 동안 교반하였다. 반응물을 rt로 냉각시키고 테트라-부틸암모늄 플루오리드(THF 중 1 M)(30.3 ml, 30.3 mmol)를 첨가하였다. 반응물을 rt로 약 18h 동안 교반하도록 하였다. 반응물을 1 N HCl(aq)에 붓고 EtOAc로 추출하였다. 1 N NaOH(aq)를 유기상에 첨가하고 층을 분리시켰다. 수성상을 1 N HCl을 첨가함으로써 산성화하고 EtOAc로 재추출하였다. 유기상을 염수로 세척하고, (MgSO4)로 건조하고 감압 하에 농축시켰다. 미정제 생성물을, 플래시 크로마토그래피(이소헥산 내지 이소헥산 중 20% EtOAc)를 통해 정제하여 3-플루오로나프탈렌-2-올(8.9 g, 54.9 mmol, 36% 수율)을 형성하였다.
3-플루오로나프탈렌-2-일 트리플루오로메탄설포네이트의 합성
Figure pat00092
Tf2O(11.1 ml, 65.9 mmol)를, 3-플루오로나프탈렌-2-올(8.90 g, 54.9 mmol) 및 Et3N (9.2 ml, 65.9 mmol)의 용액에 0℃에서 첨가하였다. 반응물을 이 온도에서 1.5h 동안 교반하였다. 반응물을 포화 수성 NaHCO3의 첨가를 통해 켄칭하고 그 혼합물을 DCM(x 2)으로 추출하였다. 배합된 유기 추출물을 건조하고(MgSO4) 감압 하에 농축시켰다. 미정제 생성물을, 플래시 크로마토그래피(이소헥산 내지 이소헥산 중 10% EtOAc)를 통해 정제하여 3-플루오로나프탈렌-2-일 트리플루오로메탄설포네이트(13.3 g, 82 % 수율)를 무색 오일로서 형성하였다.
2-(3-플루오로-나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란의 합성
Figure pat00093
PdCl2(dppf)-CH2Cl2 부가물(2.50 g, 3.06 mmol)을, 디옥산(200 ml) 중 3-플루오로나프탈렌-2-일 트리플루오로메탄설포네이트(18 g, 61.2 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(46.6 g, 184 mmol) 및 칼륨 아세테이트(18 g, 184 mmol)의 탈기화된 용액에 첨가하였다. 반응물을 환류로 2h 동안 가열한 후 rt로 냉각시켰다. 반응물을 EtOAc 및 물로 분배하고 층을 분리하였다. 유기상을 건조하고(MgSO4) 감압 하에 농축하여 미정제 물질을 형성하였다. 미정제 물질을 실리카 패드에 여과시키고, DCM으로 세척하였다. 여과물을 감압 하에 농축시켜 2-(3-플루오로-나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란 및 비스(피나콜라토)디보론(1 H NMR 증거)의 혼합물을 형성하였다.
(3-플루오로나프탈렌-2-일)보론산의 합성
Figure pat00094
진한 HCl(153 ml, 1837 mmol)을 IPA(400 ml) 중 미정제 2-(3-플루오로-나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란 및 비스(피나콜라토)디보론 혼합물(50 g)의 용액에 첨가하였다. 반응 플라스크를 약 18h 동안 환류로 가열하였고, 대부분의 IPA는 감압 하에 제거되었다. 생성된 치환물을 여과하였다. 침전물을, 플래시 크로마토그래피(4/1 내지 1/1 이소헥산/EtOAc)로 정제하고 IPA/물로부터 재결정화하였다. 재결정화는 총 3개의 뱃치를 형성하였다. 제1 재결정화로부터의 여과물은 장기간의 정치/느린 증발 상에서 추가의 물질을 형성하였다. 유사하게, 제3 뱃치를 제2 재결정화에서 수득하였다. 모든 뱃치가 MeOH 중에서 취해지고, 배합되고 질소 흐름 하에 농축되었다. 3일 동안 진공 오븐에서의 건조는 2단계에 걸쳐 50% 수율을 위해 7.1 g의 (3-플루오로나프탈렌-2-일)보론산/2-(1-플루오로나프탈렌-2-일)-4,6-비스(3-플루오로나프탈렌-2-일)-1,3,5,2,4,6-트리옥사트리보리난을 형성하였다.
4-(3-플루오로나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘의 합성
Figure pat00095
250 mL RBF를 4-클로로-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(3.0 g, 14.1 mmol), (3-플루오로나프탈렌-2-일)보론산(2.95 g, 15.5 mmol), 탄산칼륨(4.87 g, 35.3 mmol), Pd(PPh3)4(0.49 g, 0.42 mmol), THF(53 mL), 및 물(18 mL)과 투입하고, 질소로 탈기화하고 환류로 70℃에서 밤새 가열하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고 염수로 세척하였다. 유기층을 황산나트륨 상에서 건조하고, 여과하고 농축시켰다. 미정제 생성물을, 플래시 크로마토그래피 (EtOAc/헵탄, 1:19)에 의해 정제하여 4-(3-플루오로나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘 (4.20 g, 92% 수율)을 점성 오일로서 제공되고 이는 침전시 서서히 결정화된다. MeOH로부터 재결정화에 의해 추가 정제를 실현하였다.
Ir(III) 이량체의 합성
Figure pat00096
4-(3-플루오로나프탈렌-2-일)-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(2.35 g, 8.77 mmol)을 플라스크에서 2-에톡시에탄올(30 mL) 및 물(10 mL) 중에 용해시켰다. 반응물을 15분 동안 질소로 퍼징한 후, 이리듐(III) 클로라이드 테트라히드레이트(0.90 g, 2.43 mmol)를 첨가하였다. 반응물을 105℃로 설정된 유조에서 질소 하에 밤새 가열하였다. 반응물을 냉각시키고, MeOH로 희석하고, MeOH를 사용하여 침전물을 여과한 후, 2시간 동안 진공 오븐에서 건조하여 2.1 g 의 암적색 고체(98% 수율)를 수득하였다. 이대로 다음 단계에 사용하였다.
화합물 5975 [Ir(LA783)2(LB5)]의 합성
Figure pat00097
이량체(1.00 g, 0.57 mmol), 3,7-디에틸노난-4,6-디온(0.92 g, 4.31 mmol), 및 2-에톡시에탄올(19 mL)을 플라스크에서 배합하였다. 반응물을 15분 동안 질소로 퍼징한 후 탄산칼륨(0.60 g, 4.31 mmol)을 첨가하였다. 반응물을 실온에서 질소 하에 밤새 교반하였다. 반응물을 MeOH로 희석한 후 셀라이트를 사용하여 고체를 여과하였다. DCM을 사용하여 침전물을 회수하였다. 플래시 크로마토그래피(헵탄/DCM, 4:1 내지 3:1)를 통해 고체를 정제하여 화합물 5975 [Ir(LA783)2(LB5)](0.70 g, 58% 수율)를 적색 고체로서 수득하였다.
화합물 6040 [Ir(LA848)2(LB5)]의 합성
7-이소프로필-4-(3-메틸나프탈렌-2-일)티에노[3,2-d]피리미딘의 합성.
Figure pat00098
4-클로로-7-이소프로필티에노[3,2-d]피리미딘(3.0 g, 14.1 mmol), (4,4,5,5-테트라메틸-2-(3-메틸나프탈렌-2-일)-1,3,2-디옥사보롤란(3.86 g, 14.4 mmol), 탄산칼륨(4.87 g, 35.3 mmol), DME(75 mL), 및 물(25 mL)을 플라스크에서 배합하였다. 반응물을 15분 동안 질소로 퍼징한 후 Pd(PPh3)4(0.489 g, 0.423 mmol)를 첨가하였다. 반응물을 질소 하에 밤새 유조에서 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기상을 염수로 2회 세척하고, 황산나트륨으로 건조하고, 여과하고 갈색 고체로 농축시켰다. 플래시 크로마토그래피(헵탄/EtOAc/DCM, 18:1:1 내지 16:3:1)를 사용하여 갈색 고체를 정제하여 7-이소프로필-4-(3-메틸나프탈렌-2-일)티에노[3,2-d]피리미딘(3.50 g, 78% 수율)을 백색 고체로서 수득하였다.
Ir(III) 이량체의 합성
Figure pat00099
7-이소프로필-4-(3-메틸나프탈렌-2-일)티에노[3,2-d]피리미딘(2.93 g, 9.21 mmol), 2-에톡시에탄올(54 mL) 및 물(18 mL)을 플라스크에서 배합하였다. 반응물을 질소로 15분 동안 퍼징한 후, 이리듐(III) 클로라이드 테트라히드레이트(1.05 g, 2.83 mmol)를 첨가하였다. 반응물을 질소 하에 밤새 105℃로 설정된 유조에서 가열하였다. 반응물을 냉각시키고, MeOH로 희석하고, MeOH를 사용하여 침전물을 여과한 후, 2시간 동안 진공 오븐에서 건조하여 2.2 g의 암적색 고체(90% 수율)를 형성하였다. 그대로 다음 단계에 사용하였다.
화합물 6040 [Ir(LA848)2(LB5)]의 합성
Figure pat00100
이량체(2.20 g, 1.28 mmol), 3,7-디에틸노난-4,6-디온(2.71 ml, 12.8 mmol), 및 2-에톡시에탄올(30 ml)을 플라스크에서 배합하였다. 반응물을 질소로 15분 동안 퍼징한 후 탄산칼륨(1.76 g, 12.8 mmol)을 첨가하였다. 반응물을 질소 하에 주말에 걸쳐 실온에서 교반하였다. 반응물을 MeOH로 희석한 후 셀라이트를 사용하여 암적갈색 고체를 여과하였다. DCM을 사용하여 침전물을 회수함으로써 적갈색 고체를 수득하였다. 75/15/10 헵탄/DCM/Et3N 이후 헵탄/DCM(19:1 내지 17:3)로 미리 조정된 플래시 크로마토그래피를 통해 고체를 정제하여 1.10 g의 적색 고체를 형성하였다. 고체를 DCM 중에 용해시키고 MeOH를 첨가하고, 그 혼합물을 30℃ 배쓰 온도의 로토뱁(rotovap) 상에서 부분 농축시켰다. 침전물을 여과하고 진공 오븐에서 밤새 건조하여 화합물 6040 [Ir(LA848)2(LB5)] (0.94 g, 36%)을 적색 고체로서 수득하였다.
비교 화합물 1의 합성
4,5-디클로로-2-(3-메틸나프탈렌-1-일)퀴놀린의 합성.
Figure pat00101
2,4,5-트리클로로퀴놀린(3.05 g, 13.1 mmol), 4,4,5,5-테트라메틸-2-(3-메틸나프탈렌-1-일)-1,3,2-디옥사보롤란(3.87 g, 14.4 mmol), 및 탄산칼륨(5.44 g, 39.4 mmol)을 플라스크에 삽입하였다. 이후 THF(98 mL) 및 물(33 mL)을 첨가하고 반응 혼합물을 질소 가스로 15분 동안 탈기화하였다. Pd(PPh3)4(0.60 g, 0.53 mmol)를 첨가하고 반응물을 밤새 환류로 가열하였다. 완료시, 물을 첨가하고 혼합물을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 헵탄/에틸 아세테이트/DCM(90/5/5)의 혼합물을 용매 시스템으로 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 미정제 물질을 정제하였다. 이후 생성물을 메탄올로부터 분쇄한 후 헵탄으로부터 분쇄하여 3.30 g(74% 수율)의 표제 화합물을 수득하였다.
4,5-디메틸-2-(3-메틸나프탈렌-1-일)퀴놀린의 합성.
Figure pat00102
4,5-디클로로-2-(3-메틸나프탈렌-1-일)퀴놀린(3.10 g, 9.17 mmol), Pd2(dba)3(0.17 g, 0.18 mmol), SPhos(0.30 g, 0.73 mmol), 및 인산칼륨(5.84 g, 27.5 mmol)을 플라스크에 삽입하였다. 톨루엔(56 mL) 및 물(6 mL)을 첨가한 후, 시린지로 2,4,6-트리메틸-1,3,5,2,4,6-트리옥사트리보리난(3.1 ml, 22.0 mmol)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 질소로 15분 동안 탈기화한 후 밤새 환류로 가열하였다. 완료시, 무을 혼합물에 첨가하고 이를 에틸 아세테이트로 추출하였다. 미정제 물질을 헵탄/에틸 아세테이트(90/10)를 용매 시스템으로 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 미정제 물질을 정제하였다. 생성물은 여전히 0.45%의 불순물을 함유하여서, 헵탄/에틸 아세테이트(95/5)를 용매 시스템으로 사용하여 다시 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하였다. 백색 고체(2.35 g, 86% 수율)로서 표제 화합물을 수득하였다.
Ir(III) 이량체의 합성
Figure pat00103
4,5-디메틸-2-(3-메틸나프탈렌-1-일)퀴놀린(2.387 g, 8.03 mmol), 2-에톡시에탄올(39 mL) 및 물(13 mL)을 플라스크에서 배합하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 퍼징한 후, 이리듐(III) 클로라이드 테트라히드레이트(0.85 g, 2.29 mmol)를 첨가하고 반응물을 질소 하에 105℃에서 밤새 가열하였다. 혼합물을 실온으로 냉각시키고, MeOH로 희석하고 침전물을 여과하여 1.00 g(53% 수율)의 이량체를 수득하였다.
비교 화합물 1의 합성
Figure pat00104
Ir(III) 이량체(1.00 g, 0.61 mmol), 3,7-디에틸노난-4,6-디온(1.44 mL, 6.09 mmol) 및 2-에톡시에탄올(20 mL)을 플라스크에서 배합하였다. 반응물을 15분 동안 질소로 퍼징한 후, 탄산칼륨(0.84 g, 6.09 mmol)을 첨가하였다. 반응물을 실온에서 밤새 교반하였다. 메탄올을 혼합물에 첨가하고 침전물을 셀라이트 패드 상에서 여과시켰다. 이후 셀라이트 상의 고체를 DCM으로 세척하고 생성물을 여과 플라스크에서 수집하였다. 수집된 생성물을 DCM 중에 용해시키고 실리카 패드 상에 여과시켰다. 이후 생성물을 MeOH에서 분쇄하고 DCM/EtOH로부터 재결정화하여 0.85 g(70% 수율)의 표적을 수득하였다.
실험예
디바이스 예
모든 예시 디바이스는 고 진공(<10-7 Torr) 열 증발에 의해 제조되었다. 애노드 전극은 1150 Å의 인듐 주석 산화물(ITO)이었다. 캐소드는 10 Å의 Liq(8-히드록시퀴놀린 리튬) 다음에 1,000 Å의 Al으로 이루어졌다. 모든 디바이스들을, 제조 직후 질소 글러브 박스(<1 ppm의 H2O 및 O2)에서 에폭시 수지로 밀봉된 유리 뚜껑으로 캡슐화하고, 수분 게터를 패키지 내부에 도입하였다. 디바이스 예의 유기 스택은 순차적으로 다음과 같이 이루어졌다: ITO 표면으로부터, 정공 주입층(HIL)으로서 100 Å의 HAT-CN; 정공 수송층(HTL)으로서 450 Å의 HTM; 호스트로서 화합물 H를 함유하는 400 Å의 발광층(EML), 안정성 도펀트(SD)(18%), 및 이미터로서 비교 화합물 1 또는 화합물 3393, 3899, 5975, 및 6040(3%); 및 ETL로서 40%의 ETM으로 도핑된 350 Å의 Liq(8-히드록시퀴놀린 리튬). 이미터는 원하는 색채, 효율 및 수명을 제공하도록 선택되었다. SD는 발광층에서 양전하를 수송하는 것을 돕기 위해 전자-수송 호스트에 첨가되었다. 비교예 디바이스는, EML에서 이미터로서 비교 화합물 1을 사용하는 것을 제외하고는 디바이스 예와 유사하게 제작되었다. 도 1은 개략적인 디바이스 구조를 도시한다. 하기 표 1은 디바이스 층 두께 및 물질을 도시한다. 디바이스 물질의 화학 구조가 하기 도시된다.
Figure pat00105
디바이스 성능 데이타를 하기 표 2에 요약하였다. 비교 화합물 1은 640 nm의 발광 최대 파장(λ max)을 나타내었다. 본 발명의 화합물, 즉 화합물 3,393; 3,899; 및 5,975는 비교 화합물 1과 비교하였을 때 청색 이동되고 보다 우수한 외부 양자 효율(EQE)을 제공하도록 고안되었다. 화합물 6,040은 적색 이동하도록 고안되었다. 보다 우수한 디바이스 성능을 제공하기 위해, 상이한 나프탈렌 위치이성질체를 사용하였다. 본 발명자들은 본 발명의 화합물에 대해 604 내지 628 nm의 피크 파장을 수득하였다. 한편, 화합물 6,040은 653 nm에서 피크 파장을 갖는 비교 화합물 1과 비교하였을 때 적색 이동하였다. 반치전폭(FWHM)은 또한 본 발명의 배열로 상당히 향상되었고 여기서 본 발명의 화합물은 비교 화합물 1에 대해 1.00로 비교하였을 때 0.76 및 0.74의 FWHM을 제시하였다. 화합물 6,040은 1.10에서 약간 더 넓어졌다. 나아가, 최종 물질의 이리듐에 대해 원하는 나프탈렌 배향을 고정하기 위해 벌키 측쇄(t-부틸, 시클로알킬 등)가 나프틸 모이어티의 4-위치에 또는 3-위치에서 임의의 치환기에 포함될 필요가 있다. 측쇄와 조합된 나프틸 위치이성질체의 조합은 본 발명의 화합물에 우수한 성능을 허용한다. EQE는 1.20 내지 1.51의 상대값을 가진 본 발명의 화합물에서 훨씬 더 높다.
Figure pat00106
Figure pat00107
본원에 기술된 다양한 실시양태는 단지 예시에 의한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해하여야 한다. 예를 들면, 본원에 기술된 물질 및 구조의 대다수는 본 발명의 취지로부터 벗어나는 일 없이 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서 청구된 본 발명은 본원에 기술된 특정 예시 및 바람직한 실시양태로부터 변형예를 포함할 수 있으며 이는 당업자에게 자명할 것이다. 당업자라면 본 발명에 적용된 다양한 이론이 제한적인 의도가 아님을 이해할 것이다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물:
    [화학식 I]
    Figure pat00108

    상기 식에서,
    고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
    R3은 비치환 내지 최대수의 치환을 나타내고;
    X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
    (1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
    (2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
    (3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
    (a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
    (b) R2는 수소가 아니거나; 또는
    (c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
    LA는 금속 M에 배위결합되고;
    LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
    M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
  2. 제1항에 있어서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물
  3. 제1항에 있어서, M은 Ir 또는 Pt인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소인 화합물.
  5. 제1항에 있어서, R1은 tert-부틸 또는 치환된 tert-부틸인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, R1 및 R2는 추가로 치환될 수 있는 방향족 고리로 형성되는 것인 화합물.
  7. 제1항에 있어서, R2는 중수소, 플루오르, 알킬, 시클로알킬, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물.
  8. 제1항에 있어서, 고리 B는 페닐인 화합물.
  9. 제1항에 있어서, 리간드 LA는
    Figure pat00109

    로 이루어진 군에서 선택되고, R1, R2, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및 R14는 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; 임의의 두개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되는 것인 화합물.
  10. 제1항에 있어서, 리간드 LA는,
    하기 화학식 II의 구조를 기초로 하는 LA1 내지 LA260,
    [화학식 II]
    Figure pat00110

    여기서, R1, R2, R4, 및 R5는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113

    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116

    하기 화학식 III의 구조를 기초로 하는 LA261 내지 LA520,
    [화학식 III]
    Figure pat00117

    여기서, R1, R9, R10, 및 Y는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00118

    Figure pat00119

    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123

    하기 화학식 IV의 구조를 기초로 하는 LA521 내지 LA780,
    [화학식 IV]
    Figure pat00124

    여기서, R1, R11, R12, 및 X는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00125

    Figure pat00126

    Figure pat00127

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

    하기 화학식 IV의 구조를 기초로 하는 LA781 내지 LA1170,
    [화학식 IV]
    Figure pat00131

    여기서, R1, R2, R11, 및 R12는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00132

    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137

    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140

    하기 화학식 V의 구조를 기초로 하는 LA1171 내지 LA1266,
    [화학식 V]
    Figure pat00141

    여기서, R1, R2, R13, 및 X는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    하기 화학식 VI의 구조를 기초로 하는 LA1267 내지 LA1298,
    [화학식 VI]
    Figure pat00145

    여기서, R1, R2, 및 R14는 하기 제공된 바와 같이 정의됨:
    Figure pat00146

    으로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서
    RB1 내지 RB23은 하기 구조를 갖고;
    Figure pat00147

    RA1 내지 RA51은 하기 구조를 갖는 것인 화합물:
    Figure pat00148

    Figure pat00149
  11. 제1항에 있어서, 화합물은 화학식 (LA)nIr(LB)3-n을 갖고; LB는 2좌 리간드이고; n은 1, 2, 또는 3인 화합물.
  12. 제11항에 있어서, LB는 하기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00150
  13. 제10항에 있어서, 화합물은 화합물 1 내지 화합물 22,066으로 이루어진 군에서 선택되고; 각각의 화합물 x는 화학식 Ir(LAk)2(LBj)을 갖고; x = 1298j + k - 1298이고, k는 1-1298의 정수이고, j는 1-17의 정수이고; LB1 내지 LB17은 하기와 같이 정의되는 것인 화합물:
    Figure pat00151
  14. 애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
    을 포함하는 제1 유기 발광 디바이스를 포함하는 제1 디바이스:
    [화학식 I]
    Figure pat00152

    상기 식에서,
    고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
    R3은 비치환 내지 최대수의 치환을 나타내고;
    X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
    (1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
    (2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
    (3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
    (a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
    (b) R2는 수소가 아니거나; 또는
    (c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
    LA는 금속 M에 배위결합되고;
    LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
    M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
  15. 제14항에 있어서, 소비자 제품, 전자 부품 모듈, 유기 발광 디바이스, 및 조명 패널로 이루어진 군에서 선택되는 것인 제1 디바이스.
  16. 제14항에 있어서, 유기층은 발광층이고 화합물은 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트인 제1 디바이스.
  17. 제14항에 있어서, 유기층은 호스트를 추가로 포함하고, 호스트는 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화학 기를 포함하는 것인 제1 디바이스.
  18. 제14항에 있어서, 유기층은 호스트를 추가로 포함하고, 호스트는
    Figure pat00153

    Figure pat00154

    및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 제1 디바이스.
  19. 애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 화학식 I의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
    을 포함하는 제1 유기 발광 디바이스를 포함하는 제1 디바이스를 포함하는 소비자 제품:
    [화학식 I]
    Figure pat00155

    상기 식에서,
    고리 B는 5원 또는 6원 방향족 고리를 나타내고;
    R3은 비치환 내지 최대수의 치환을 나타내고;
    X1, X2, X3, 및 X4는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고;
    (1) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 2개의 인접한 것은 CR이고 5원 또는 6원 방향족 고리로 축합되거나,
    (2) X1, X2, X3, 및 X4 중 적어도 하나는 질소이거나, 또는
    (3) (1) 및 (2) 둘다가 해당되고;
    (a) R1은 CR11R12R13이거나 R2와 결합하여 고리로 형성되거나;
    (b) R2는 수소가 아니거나; 또는
    (c) (a) 및 (b) 둘다가 해당되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고;
    R, R1, R2, R3, R11, R12, 및 R13 중 임의의 2개의 치환기는 경우에 따라 결합되어 고리로 형성되고;
    LA는 금속 M에 배위결합되고;
    LA는 경우에 따라 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 포함하고;
    M은 경우에 따라 다른 리간드에 배위결합한다.
  20. 제19항에 있어서, 평판 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 3-D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 자동차, 함께 타일화된 다중 디스플레이를 포함한 비디오 벽, 극장 또는 스타디움 스크린 및 간판으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 소비자 제품.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183642B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11081658B2 (en) 2016-10-03 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11189804B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127906B2 (en) * 2016-10-03 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11390639B2 (en) * 2018-04-13 2022-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109608503A (zh) * 2018-12-21 2019-04-12 北京诚志永华显示科技有限公司 金属配合物、有机电致发光材料、有机电致发光器件
CN109593106A (zh) * 2018-12-21 2019-04-09 北京诚志永华显示科技有限公司 金属配合物、有机电致发光材料、有机电致发光器件
CN111793093A (zh) * 2019-04-04 2020-10-20 环球展览公司 有机电致发光材料和装置
CN110016058B (zh) * 2019-04-24 2021-11-05 石家庄诚志永华显示材料有限公司 金属配合物、有机电致发光材料、有机电致发光器件
US20220402954A1 (en) * 2019-09-26 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210098717A1 (en) * 2019-09-26 2021-04-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20210079766A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102698296B1 (ko) * 2020-05-14 2024-08-26 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치
CN115490734A (zh) * 2021-06-18 2022-12-20 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种有机金属铱化合物及其应用
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
CN114736099B (zh) * 2022-05-18 2023-06-06 江苏南大光电材料股份有限公司 1-（叔丁基）-3-氯萘的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030074631A (ko) * 2000-11-30 2003-09-19 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP2007254540A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Showa Denko Kk 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2010278354A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
WO2012122605A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 The University Of Queensland Iridium based complex for water splitting

Family Cites Families (385)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
TW226977B (ko) 1990-09-06 1994-07-21 Teijin Ltd
JPH0773529A (ja) 1993-08-31 1995-03-17 Hitachi Ltd 光磁気記録方式および光磁気記録媒体
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6939625B2 (en) 1996-06-25 2005-09-06 Nôrthwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
EP0879868B1 (en) 1997-05-19 2002-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Organic compound and electroluminescent device using the same
US6278237B1 (en) * 1997-09-22 2001-08-21 Emagin Corporation Laterally structured high resolution multicolor organic electroluminescence display device
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6528187B1 (en) 1998-09-08 2003-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Material for luminescence element and luminescence element using the same
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6461747B1 (en) 1999-07-22 2002-10-08 Fuji Photo Co., Ltd. Heterocyclic compounds, materials for light emitting devices and light emitting devices using the same
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP2002050860A (ja) 2000-08-04 2002-02-15 Toray Eng Co Ltd 実装方法および実装装置
CN100505375C (zh) 2000-08-11 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
KR100825183B1 (ko) * 2000-11-30 2008-04-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP3812730B2 (ja) 2001-02-01 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 遷移金属錯体及び発光素子
JP4307000B2 (ja) 2001-03-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4307001B2 (ja) 2001-03-14 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
JP4310077B2 (ja) 2001-06-19 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物及び有機発光素子
EP1407501B1 (en) 2001-06-20 2009-05-20 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US6835469B2 (en) * 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
KR100691543B1 (ko) 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US6653654B1 (en) 2002-05-01 2003-11-25 The University Of Hong Kong Electroluminescent materials
JP4106974B2 (ja) 2002-06-17 2008-06-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6916554B2 (en) 2002-11-06 2005-07-12 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
US7189989B2 (en) 2002-08-22 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
EP1550707B1 (en) 2002-08-27 2016-03-23 UDC Ireland Limited Organometallic complexes, organic el devices, and organic el displays
JP4261855B2 (ja) 2002-09-19 2009-04-30 キヤノン株式会社 フェナントロリン化合物及びそれを用いた有機発光素子
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP4365199B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4365196B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
EP1602648B1 (en) 2003-03-13 2013-04-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocycle derivative and organic electroluminescent element using the same
ATE438654T1 (de) 2003-03-24 2009-08-15 Univ Southern California Ir-phenylpyrazolkomplexe
US7090928B2 (en) 2003-04-01 2006-08-15 The University Of Southern California Binuclear compounds
EP1618170A2 (de) 2003-04-15 2006-01-25 Covion Organic Semiconductors GmbH Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen
US7029765B2 (en) * 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
US20060186791A1 (en) 2003-05-29 2006-08-24 Osamu Yoshitake Organic electroluminescent element
JP2005011610A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機電界発光素子
JP4891615B2 (ja) 2003-07-22 2012-03-07 出光興産株式会社 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20050025993A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
JP4561221B2 (ja) 2003-07-31 2010-10-13 三菱化学株式会社 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
TWI390006B (zh) 2003-08-07 2013-03-21 Nippon Steel Chemical Co Organic EL materials with aluminum clamps
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
US7504049B2 (en) 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
HU0302888D0 (en) 2003-09-09 2003-11-28 Pribenszky Csaba Dr In creasing of efficacity of stable storage by freezing of embryos in preimplantation stage with pretreatment by pressure
US20060269780A1 (en) 2003-09-25 2006-11-30 Takayuki Fukumatsu Organic electroluminescent device
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
JP5112601B2 (ja) 2003-10-07 2013-01-09 三井化学株式会社 複素環化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
KR101044087B1 (ko) 2003-11-04 2011-06-27 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 백금 착체 및 발광소자
JP4215621B2 (ja) 2003-11-17 2009-01-28 富士電機アセッツマネジメント株式会社 回路遮断器の外部操作ハンドル装置
JP4822687B2 (ja) 2003-11-21 2011-11-24 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE10357044A1 (de) 2003-12-04 2005-07-14 Novaled Gmbh Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten
US20050123791A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
TWI347311B (en) 2003-12-26 2011-08-21 Hodogaya Chemical Co Ltd Tetramine compound and organic el device
US7332232B2 (en) 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
TW200535134A (en) 2004-02-09 2005-11-01 Nippon Steel Chemical Co Aminodibenzodioxin derivative and organic electroluminescent device using same
JP4145280B2 (ja) 2004-02-27 2008-09-03 富士フイルム株式会社 発光素子
KR20080064201A (ko) 2004-03-11 2008-07-08 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 전하 수송막용 조성물 및 이온 화합물, 이를 이용한 전하수송막 및 유기 전계 발광 장치, 및 유기 전계 발광 장치의제조 방법 및 전하 수송막의 제조 방법
TW200531592A (en) 2004-03-15 2005-09-16 Nippon Steel Chemical Co Organic electroluminescent device
ATE447558T1 (de) 2004-04-07 2009-11-15 Idemitsu Kosan Co Stickstoffhaltiges heterocyclusderivat und organisches elektrolumineszentes element, bei dem dieses verwendung findet
JP4869565B2 (ja) 2004-04-23 2012-02-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7534505B2 (en) 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7154114B2 (en) 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US7491823B2 (en) 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7445855B2 (en) 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7393599B2 (en) 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
WO2005123873A1 (ja) 2004-06-17 2005-12-29 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5000496B2 (ja) 2004-06-28 2012-08-15 チバ ホールディング インコーポレーテッド トリアゾールとベンゾトリアゾールのエレクトロルミネセンス金属錯体
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4858169B2 (ja) 2004-07-23 2012-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1624500B1 (de) 2004-08-05 2016-03-16 Novaled GmbH Spiro-Bifluoren Verbindungen als organisches Halbleiter-Matrixmaterial
US20060182993A1 (en) 2004-08-10 2006-08-17 Mitsubishi Chemical Corporation Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
KR100880220B1 (ko) 2004-10-04 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 실리콘을 갖는 페닐 피리딘기를 포함하는 이리듐화합물계 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 사용하는유기전계발광소자
JPWO2006046441A1 (ja) 2004-10-29 2008-05-22 出光興産株式会社 芳香族アミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
US8021765B2 (en) 2004-11-29 2011-09-20 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Phenylcarbazole-based compound and organic electroluminescent device employing the same
JP4478555B2 (ja) 2004-11-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 金属錯体、発光素子及び画像表示装置
US20060134459A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo OLEDs with mixed-ligand cyclometallated complexes
TWI242596B (en) 2004-12-22 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Organometallic compound and organic electroluminescent device including the same
CN101087863B (zh) 2004-12-23 2012-06-20 西巴特殊化学品控股有限公司 具有亲核卡宾配体的电致发光金属络合物
JP2008526766A (ja) 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機金属錯体
US20070181874A1 (en) 2004-12-30 2007-08-09 Shiva Prakash Charge transport layers and organic electron devices comprising same
KR101169901B1 (ko) 2005-01-05 2012-07-31 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
DE502006008326D1 (de) 2005-02-03 2010-12-30 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2006081780A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Novaled Ag Dotanden für organische halbleiter
JPWO2006082742A1 (ja) 2005-02-04 2008-06-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR100797469B1 (ko) 2005-03-08 2008-01-24 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
WO2006098120A1 (ja) 2005-03-16 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102005014284A1 (de) 2005-03-24 2006-09-28 Basf Ag Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden
WO2006103874A1 (ja) 2005-03-29 2006-10-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5157442B2 (ja) 2005-04-18 2013-03-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP4934026B2 (ja) 2005-04-18 2012-05-16 出光興産株式会社 芳香族トリアミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US7807275B2 (en) 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
CN1321125C (zh) 2005-04-30 2007-06-13 中国科学院长春应用化学研究所 喹啉类氮杂环为配体的红光铱配合物及其应用
US7902374B2 (en) 2005-05-06 2011-03-08 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
JP4533796B2 (ja) 2005-05-06 2010-09-01 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US8007927B2 (en) 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
EP2277978B1 (en) 2005-05-31 2016-03-30 Universal Display Corporation Triphenylene hosts in phosphorescent light emitting diodes
US8709614B2 (en) 2005-06-07 2014-04-29 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic metal complex and its use in organic electroluminescent device
EP1899993B1 (en) 2005-06-27 2012-06-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
US20090039771A1 (en) 2005-07-01 2009-02-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device and lighting device
US20090140637A1 (en) 2005-07-11 2009-06-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic derivative having electron-attracting substituent and organic electroluminescence element using the same
US8187727B2 (en) 2005-07-22 2012-05-29 Lg Chem, Ltd. Imidazole derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
JP5317386B2 (ja) 2005-08-05 2013-10-16 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20080037006A (ko) 2005-08-05 2008-04-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 전이금속 착체화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
JP4848152B2 (ja) 2005-08-08 2011-12-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5040216B2 (ja) 2005-08-30 2012-10-03 三菱化学株式会社 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用材料、電荷輸送材料組成物及び有機電界発光素子
WO2007028417A1 (en) 2005-09-07 2007-03-15 Technische Universität Braunschweig Triplett emitter having condensed five-membered rings
KR20080063291A (ko) 2005-09-30 2008-07-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
JP4887731B2 (ja) 2005-10-26 2012-02-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20070104977A1 (en) 2005-11-07 2007-05-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
KR100662378B1 (ko) 2005-11-07 2007-01-02 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US9023489B2 (en) 2005-11-07 2015-05-05 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
US7462406B2 (en) 2005-11-15 2008-12-09 Eastman Kodak Company OLED devices with dinuclear copper compounds
US20070145888A1 (en) 2005-11-16 2007-06-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivatives and organic electroluminescence device using the same
US20080233410A1 (en) 2005-11-17 2008-09-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transition metal complex compound
EP1956666A4 (en) 2005-12-01 2010-06-16 Nippon Steel Chemical Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
CN102633820B (zh) 2005-12-01 2015-01-21 新日铁住金化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
JP2007153778A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20080081277A (ko) 2005-12-15 2008-09-09 가코호진 쥬오 다이가쿠 금속 착체 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기 발광 소자
US7999103B2 (en) 2005-12-15 2011-08-16 Chuo University Metal complex compound and organic electroluminescence device using the compound
WO2007077766A1 (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2007080801A1 (ja) 2006-01-11 2009-06-11 出光興産株式会社 新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007186461A (ja) 2006-01-13 2007-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US7759489B2 (en) 2006-01-27 2010-07-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transition metal complex compound and organic electroluminescence device using the compound
US8142909B2 (en) 2006-02-10 2012-03-27 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
KR102103062B1 (ko) 2006-02-10 2020-04-22 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
JPWO2007102361A1 (ja) 2006-03-07 2009-07-23 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007108362A1 (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP4823730B2 (ja) 2006-03-20 2011-11-24 新日鐵化学株式会社 発光層化合物及び有機電界発光素子
ATE394800T1 (de) 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement
KR20070097139A (ko) 2006-03-23 2007-10-04 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
KR20080105113A (ko) 2006-03-27 2008-12-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 함질소 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기 발광 소자
JP5273910B2 (ja) 2006-03-31 2013-08-28 キヤノン株式会社 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置
EP2007781B1 (de) 2006-04-04 2012-09-12 Basf Se Übergangsmetallkomplexe, enthaltend einen nicht-carben- und ein oder zwei carbenliganden und deren verwendung in oleds
WO2007115970A1 (de) 2006-04-05 2007-10-18 Basf Se Heteroleptische übergangsmetall-carben-komplexe und deren verwendung in organischen leuchtdioden (oleds)
EP2020694A4 (en) 2006-04-20 2009-05-20 Idemitsu Kosan Co ORGANIC LIGHTING ELEMENT
WO2007125714A1 (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8076839B2 (en) 2006-05-11 2011-12-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8563145B2 (en) 2006-06-02 2013-10-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material containing two or three dibenzofuran groups, dibenzothiophene groups, or a combination thereof, which is operable for organic electroluminescence elements, and organic electroluminescence elements using the material
US20070278936A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Norman Herron Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds
TW200815446A (en) 2006-06-05 2008-04-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device
US7675228B2 (en) 2006-06-14 2010-03-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with silylated, germanylated, and stannylated ligands, and devices made with such compounds
US7629158B2 (en) 2006-06-16 2009-12-08 The Procter & Gamble Company Cleaning and/or treatment compositions
JP5616582B2 (ja) 2006-06-22 2014-10-29 出光興産株式会社 複素環含有アリールアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008021687A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
US7736756B2 (en) 2006-07-18 2010-06-15 Global Oled Technology Llc Light emitting device containing phosphorescent complex
JP5203207B2 (ja) 2006-08-23 2013-06-05 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008069120A (ja) 2006-09-15 2008-03-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008035571A1 (fr) 2006-09-20 2008-03-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément électroluminescent organique
JP5589251B2 (ja) 2006-09-21 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
EP2518045A1 (en) 2006-11-24 2012-10-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US8119255B2 (en) 2006-12-08 2012-02-21 Universal Display Corporation Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same
WO2008072596A1 (ja) 2006-12-13 2008-06-19 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2008150310A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5262104B2 (ja) 2006-12-27 2013-08-14 住友化学株式会社 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子
WO2008096609A1 (ja) 2007-02-05 2008-08-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5546255B2 (ja) 2007-02-23 2014-07-09 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 電界発光性のベンゾトリアゾールとの金属錯体
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
TWI510598B (zh) 2007-03-08 2015-12-01 Universal Display Corp 磷光材料
CN101687893B (zh) 2007-04-26 2014-01-22 巴斯夫欧洲公司 含有吩噻嗪s-氧化物或吩噻嗪s,s-二氧化物基团的硅烷及其在oled中的用途
JP5053713B2 (ja) 2007-05-30 2012-10-17 キヤノン株式会社 リン光発光材料、それを用いた有機電界発光素子及び画像表示装置
CN101720330B (zh) 2007-06-22 2017-06-09 Udc爱尔兰有限责任公司 发光Cu(I)络合物
DE102007031220B4 (de) 2007-07-04 2022-04-28 Novaled Gmbh Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
JP5675349B2 (ja) 2007-07-05 2015-02-25 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ カルベン遷移金属錯体発光体、ならびにジシリルカルバゾール、ジシリルジベンゾフラン、ジシリルジベンゾチオフェン、ジシリルジベンゾホスホール、ジシリルジベンゾチオフェンｓ−オキシドおよびジシリルジベンゾチオフェンｓ，ｓ−ジオキシドから選択される少なくとも１つの化合物を含む有機発光ダイオード
JP5473600B2 (ja) 2007-07-07 2014-04-16 出光興産株式会社 クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009008201A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ナフタレン誘導体、有機ｅｌ素子用材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子
WO2009008205A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
US20090045731A1 (en) 2007-07-07 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8779655B2 (en) 2007-07-07 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8080658B2 (en) 2007-07-10 2011-12-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same
US8114530B2 (en) 2007-07-10 2012-02-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device utilizing the same
KR20100031127A (ko) 2007-07-11 2010-03-19 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자용 재료 및 유기 전계 발광 소자
JP5289979B2 (ja) 2007-07-18 2013-09-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101688052A (zh) 2007-07-27 2010-03-31 E.I.内穆尔杜邦公司 包含无机纳米颗粒的导电聚合物的含水分散体
KR20100038193A (ko) 2007-08-06 2010-04-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전기 발광 소자
TWI511964B (zh) 2007-08-08 2015-12-11 Universal Display Corp 苯并稠合噻吩／聯伸三苯混合材料
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
US8956737B2 (en) 2007-09-27 2015-02-17 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compound and organic electroluminescent device using the same
US8067100B2 (en) 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
WO2009050281A1 (de) 2007-10-17 2009-04-23 Basf Se Übergangsmetallkomplexe mit verbrückten carbenliganden und deren verwendung in oleds
KR101642030B1 (ko) 2007-10-17 2016-07-25 바스프 에스이 가교된 카르벤 리간드를 포함하는 전이 금속 착물 및 이의 용도
KR100950968B1 (ko) 2007-10-18 2010-04-02 에스에프씨 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
US20090101870A1 (en) 2007-10-22 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers
US7914908B2 (en) 2007-11-02 2011-03-29 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101353635B1 (ko) 2007-11-15 2014-01-20 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 벤조크리센 유도체 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자
KR100933226B1 (ko) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
US8759819B2 (en) * 2007-11-22 2014-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101583097B1 (ko) 2007-11-22 2016-01-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 재료 함유 용액
JPWO2009084268A1 (ja) 2007-12-28 2011-05-12 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
KR101691613B1 (ko) 2008-02-12 2017-01-02 유디씨 아일랜드 리미티드 디벤조［ｆ,ｈ］퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물
WO2009145016A1 (ja) 2008-05-29 2009-12-03 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101011857B1 (ko) 2008-06-04 2011-02-01 주식회사 두산 벤조플루오란센 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8057919B2 (en) 2008-06-05 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
US8318323B2 (en) 2008-06-05 2012-11-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compounds and organic electroluminescence device employing the same
US8049411B2 (en) 2008-06-05 2011-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
WO2009150151A1 (de) 2008-06-10 2009-12-17 Basf Se Deuterierte übergangsmetall- komplexe und deren verwendung in organischen leuchtdioden - v
KR101913462B1 (ko) 2008-06-30 2018-10-30 유니버셜 디스플레이 코포레이션 황 함유 그룹을 포함하는 정공 수송 물질
KR101176261B1 (ko) 2008-09-02 2012-08-22 주식회사 두산 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
TWI482756B (zh) 2008-09-16 2015-05-01 Universal Display Corp 磷光物質
EP2327679B1 (en) 2008-09-24 2017-03-01 LG Chem, Ltd. Novel anthracene derivatives and organic electronic device using same
JP5530695B2 (ja) 2008-10-23 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、及び電子機器
KR101348699B1 (ko) 2008-10-29 2014-01-08 엘지디스플레이 주식회사 적색 인광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
DE102008057050B4 (de) 2008-11-13 2021-06-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008057051B4 (de) 2008-11-13 2021-06-17 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR100901888B1 (ko) 2008-11-13 2009-06-09 (주)그라쎌 신규한 전기발광용 유기금속 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고 있는 전기발광소자
KR101571986B1 (ko) 2008-11-25 2015-11-25 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 유기 전기발광 소자
JP5497284B2 (ja) 2008-12-08 2014-05-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白色有機電界発光素子
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
JP2010138121A (ja) 2008-12-12 2010-06-24 Canon Inc トリアジン化合物及びこれを用いた有機発光素子
DE102008064200A1 (de) 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR20100079458A (ko) 2008-12-31 2010-07-08 덕산하이메탈(주) 비스-카바졸 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
US9067947B2 (en) 2009-01-16 2015-06-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR101511072B1 (ko) 2009-03-20 2015-04-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
WO2010118029A1 (en) 2009-04-06 2010-10-14 Universal Display Corporation Metal complex comprising novel ligand structures
TWI638807B (zh) 2009-04-28 2018-10-21 環球展覽公司 具有甲基-ｄ３取代之銥錯合物
US8603642B2 (en) 2009-05-13 2013-12-10 Global Oled Technology Llc Internal connector for organic electronic devices
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
JP2011018765A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 光増幅用光ファイバおよび光ファイバ増幅器ならびに光ファイバレーザ
JP4590020B1 (ja) 2009-07-31 2010-12-01 富士フイルム株式会社 電荷輸送材料及び有機電界発光素子
KR101761431B1 (ko) 2009-08-21 2017-07-25 토소가부시키가이샤 환상 아진 유도체와 그들의 제조방법 및 그들을 구성 성분으로 하는 유기 전계발광소자
JP5666111B2 (ja) 2009-08-31 2015-02-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
DE102009049587A1 (de) 2009-10-16 2011-04-21 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
EP2492986B1 (en) 2009-10-23 2016-06-15 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US20120205645A1 (en) 2009-10-28 2012-08-16 Basf Se Heteroleptic carbene complexes and the use thereof in organic electronics
KR101288566B1 (ko) 2009-12-16 2013-07-22 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
WO2011075644A2 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Plextronics, Inc. Copolymers of 3,4-dialkoxythiophenes and methods for making and devices
KR101183722B1 (ko) 2009-12-30 2012-09-17 주식회사 두산 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101290011B1 (ko) 2009-12-30 2013-07-30 주식회사 두산 유기발광 화합물 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
JP4644751B1 (ja) 2010-01-15 2011-03-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4617393B1 (ja) 2010-01-15 2011-01-26 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
EP2527334A4 (en) 2010-01-21 2013-10-16 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH
KR20110088898A (ko) 2010-01-29 2011-08-04 주식회사 이엘엠 유기 전기 발광 조성물 및 이를 포함하는 유기 전기 발광 소자
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US20120319098A1 (en) 2010-02-25 2012-12-20 Shinshu University Substituted pyridyl compound and organic electroluminescent element
DE102010002482B3 (de) 2010-03-01 2012-01-05 Technische Universität Braunschweig Lumineszente Organometallverbindung
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
KR101182444B1 (ko) 2010-04-01 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP2558476B1 (en) 2010-04-16 2015-02-25 Basf Se Bridged benzimidazole-carbene complexes and use thereof in oleds
TWI395804B (zh) 2010-05-18 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置及組合物
WO2012008281A1 (ja) 2010-07-13 2012-01-19 東レ株式会社 発光素子
KR20120032054A (ko) 2010-07-28 2012-04-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP5825846B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 キヤノン株式会社 新規縮合多環化合物およびそれを有する有機発光素子
JP5707818B2 (ja) 2010-09-28 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示素子、照明装置及び金属錯体化合物
JP5656534B2 (ja) 2010-09-29 2015-01-21 キヤノン株式会社 インドロ［３，２，１−ｊｋ］カルバゾール化合物及びこれを有する有機発光素子
DE112011103544B4 (de) * 2010-10-22 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metallorganischer Komplex
US9349964B2 (en) 2010-12-24 2016-05-24 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting diode and manufacturing method thereof
KR101350581B1 (ko) 2010-12-29 2014-01-16 주식회사 엘지화학 새로운 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8415031B2 (en) 2011-01-24 2013-04-09 Universal Display Corporation Electron transporting compounds
CN115448957A (zh) 2011-02-23 2022-12-09 通用显示公司 新型的四齿铂络合物
EP2690093A4 (en) 2011-03-24 2014-08-13 Idemitsu Kosan Co BISCARBAZOLE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH
JP5984450B2 (ja) 2011-03-31 2016-09-06 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、並びに、該素子を用いた発光装置、表示装置、照明装置及び該素子用の化合物
JP5906114B2 (ja) 2011-03-31 2016-04-20 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料、有機電界発光素子、発光装置、表示装置および照明装置
KR101298735B1 (ko) 2011-04-06 2013-08-21 한국화학연구원 신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
KR20120129733A (ko) 2011-05-20 2012-11-28 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
CN103619860B (zh) 2011-06-03 2016-08-17 默克专利有限公司 金属络合物
WO2012177006A2 (ko) 2011-06-22 2012-12-27 덕산하이메탈(주) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US9309223B2 (en) 2011-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP5882621B2 (ja) 2011-08-01 2016-03-09 キヤノン株式会社 アミノインドロ［３，２，１−ｊｋ］カルバゾール化合物及びそれを有する有機発光素子
TWI429652B (zh) 2011-08-05 2014-03-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置
KR102138351B1 (ko) 2011-08-18 2020-07-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 비스카르바졸 유도체 및 이것을 사용한 유기 일렉트로루미네선스 소자
CN103797605B (zh) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社Lg化学 用于有机发光器件的材料及使用该材料的有机发光器件
KR102048688B1 (ko) 2011-09-09 2019-11-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 질소 함유 헤테로 방향족환 화합물
KR101992874B1 (ko) 2011-09-12 2019-06-26 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
US9634255B2 (en) 2011-09-15 2017-04-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence element using same
KR101897044B1 (ko) 2011-10-20 2018-10-23 에스에프씨 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20130053846A (ko) 2011-11-16 2013-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
JP5783007B2 (ja) 2011-11-21 2015-09-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
WO2013081315A1 (ko) 2011-11-28 2013-06-06 덕산하이메탈(주) 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2013079217A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Novaled Ag Display
CN103959503B (zh) 2011-12-05 2016-08-24 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
US9512355B2 (en) 2011-12-09 2016-12-06 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
KR101961613B1 (ko) 2011-12-12 2019-03-25 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 화합물
TWI523845B (zh) 2011-12-23 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物，發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置
KR101497135B1 (ko) 2011-12-29 2015-03-02 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
CN107814821A (zh) 2012-01-12 2018-03-20 Udc 爱尔兰有限责任公司 具有二苯并[f,h]喹喔啉的金属配合物
CN106986858B (zh) 2012-01-16 2019-08-27 默克专利有限公司 有机金属络合物
US10211413B2 (en) 2012-01-17 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP5981770B2 (ja) 2012-01-23 2016-08-31 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子用電荷輸送材料、並びに、該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
WO2013118812A1 (ja) 2012-02-10 2013-08-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104114672B (zh) 2012-02-14 2017-03-15 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的螺二芴化合物
US9054323B2 (en) 2012-03-15 2015-06-09 Universal Display Corporation Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds
DE102012005215B3 (de) 2012-03-15 2013-04-11 Novaled Ag Aromatische Amin-Terphenyl-Verbindungen und Verwendung derselben in organischen halbleitenden Bauelementen
US20130248830A1 (en) 2012-03-22 2013-09-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Charge transport layers and films containing the same
WO2013145667A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102012205945A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Siemens Aktiengesellschaft Organische Superdonoren mit mindestens zwei gekoppelten Carben-Gruppen und deren Verwendung als n-Dotierstoffe
KR101565200B1 (ko) 2012-04-12 2015-11-02 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP2015155378A (ja) 2012-04-18 2015-08-27 保土谷化学工業株式会社 トリフェニレン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101566584B1 (ko) 2012-05-16 2015-11-05 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2013175747A1 (ja) 2012-05-22 2013-11-28 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2856528B1 (en) 2012-05-24 2019-07-03 Merck Patent GmbH Metal complexes comprising condensed heteroaromatic rings
WO2013180376A1 (en) 2012-05-30 2013-12-05 Alpha Chem Co., Ltd. New electron transport material and organic electroluminescent device using the same
CN102702075A (zh) 2012-06-13 2012-10-03 吉林奥来德光电材料股份有限公司 含有三芳胺结构的有机电致发光材料及制备方法和应用
CN103508940B (zh) 2012-06-21 2017-05-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种6，6‑双取代‑6‑H‑苯并[cd]芘衍生物、中间体及制备方法和应用
KR101507423B1 (ko) 2012-06-22 2015-04-08 덕산네오룩스 주식회사 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6088161B2 (ja) 2012-06-29 2017-03-01 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2871222B1 (en) * 2012-07-04 2017-04-26 Samsung SDI Co., Ltd. Compound for organic optoelectric device, organic optoelectric device comprising same, and display apparatus comprising organic optoelectric device
EP2684932B8 (en) 2012-07-09 2016-12-21 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Diarylamino matrix material doped with a mesomeric radialene compound
KR20140008126A (ko) 2012-07-10 2014-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
US9559310B2 (en) 2012-07-11 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Compound with electron injection and/or electron transport capabilities and organic light-emitting device including the same
KR102076481B1 (ko) 2012-07-13 2020-02-12 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
KR101452577B1 (ko) 2012-07-20 2014-10-21 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
CN104487541B (zh) 2012-07-23 2019-07-26 默克专利有限公司 化合物以及有机电致发光器件
KR102696532B1 (ko) 2012-07-23 2024-08-19 메르크 파텐트 게엠베하 플루오렌 및 이를 함유하는 전자 소자
KR102192286B1 (ko) 2012-08-07 2020-12-17 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
WO2014024889A1 (ja) * 2012-08-08 2014-02-13 三菱化学株式会社 イリジウム錯体化合物、並びに該化合物を含む組成物、有機電界発光素子、表示装置及び照明装置
EP2882766B1 (en) 2012-08-09 2019-11-27 UDC Ireland Limited Transition metal complexes with carbene ligands and use thereof in oleds
KR101497138B1 (ko) 2012-08-21 2015-02-27 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR102128702B1 (ko) 2012-08-21 2020-07-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US9711741B2 (en) 2012-08-24 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US20150228899A1 (en) 2012-08-31 2015-08-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP6119754B2 (ja) 2012-09-04 2017-04-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
KR101848885B1 (ko) 2012-10-29 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US8946697B1 (en) * 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
JP6253971B2 (ja) 2012-12-28 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR101684979B1 (ko) 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR20140087647A (ko) 2012-12-31 2014-07-09 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
WO2014104535A1 (ko) 2012-12-31 2014-07-03 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
JP6071569B2 (ja) 2013-01-17 2017-02-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
US9627629B2 (en) 2013-02-12 2017-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same, and display including the organic light emitting diode
TWI612051B (zh) 2013-03-01 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、照明設備
KR102081689B1 (ko) 2013-03-15 2020-02-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US20140284580A1 (en) 2013-03-22 2014-09-25 E-Ray Optoelectronics Techonology Co., Ltd. Electron transporting compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR102136040B1 (ko) 2013-03-26 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
KR102054155B1 (ko) 2013-04-09 2019-12-12 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US10199582B2 (en) 2013-09-03 2019-02-05 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US9831448B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-28 Merck Patent Gmbh Metal complexes
CN103694277A (zh) 2013-12-12 2014-04-02 江西冠能光电材料有限公司 一种红色磷光有机发光二极管
TWI632147B (zh) 2013-12-26 2018-08-11 財團法人工業技術研究院 有機金屬錯合物及包含其之有機電激發光裝置
US9755159B2 (en) 2014-01-23 2017-09-05 Universal Display Corporation Organic materials for OLEDs
US9691993B2 (en) * 2014-04-09 2017-06-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102183289B1 (ko) 2014-10-07 2020-11-26 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
TWI526448B (zh) 2014-12-03 2016-03-21 財團法人工業技術研究院 有機金屬化合物、及包含其之有機發光裝置
KR102390371B1 (ko) * 2015-03-13 2022-04-25 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN104804045B (zh) 2015-04-13 2018-04-10 清华大学 近红外发光材料及有机电致发光器件
DE102015112133A1 (de) * 2015-07-24 2016-10-20 Osram Gmbh Metallkomplexverbindung und organisches lichtemittierendes Bauelement
US11081658B2 (en) 2016-10-03 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183642B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11189804B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127906B2 (en) * 2016-10-03 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030074631A (ko) * 2000-11-30 2003-09-19 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP2007254540A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Showa Denko Kk 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2010278354A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
WO2012122605A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 The University Of Queensland Iridium based complex for water splitting

Also Published As

Publication number Publication date
KR102523728B1 (ko) 2023-04-19
TWI745444B (zh) 2021-11-11
JP7339320B2 (ja) 2023-09-05
US20180097179A1 (en) 2018-04-05
EP3301088A1 (en) 2018-04-04
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EP3301088B1 (en) 2023-08-30
TW202210615A (zh) 2022-03-16
JP6991813B2 (ja) 2022-02-03
JP2018065786A (ja) 2018-04-26
JP2022046505A (ja) 2022-03-23
KR20240058828A (ko) 2024-05-03
JP2023179423A (ja) 2023-12-19
TW201827569A (zh) 2018-08-01
CN107892702A (zh) 2018-04-10
KR20180037118A (ko) 2018-04-11

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