KR20230112098A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents

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KR20230112098A
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제랄드 펠드먼
피에르-루크 티 부드롤트
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유니버셜 디스플레이 코포레이션
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Abstract

하기 화학식들로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시된다:
Figure pat00442

상기 화학식들에서, 고리 B 및 C는 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고; Z1, Z2, X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 C 또는 N이지만, X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이며; Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로부터 선택되고; R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 다양한 치환기로부터 선택되며; 리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에, 그리고 임의로 다른 리간드에 배위 결합된다. 상기 화합물을 함유하는 유기 발광 디바이스 및 소비자 제품이 또한 개시된다.

Description

유기 전계발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 35 U.S.C.§119(e) 하에, 2017년 9월 20일에 제출된 미국 가출원 제62/560,902호를 우선권으로 주장하며, 상기 가출원의 전체 내용은 본원에 참조로 인용되어 있다.
분야
본 발명은 이미터로서 사용하기 위한 화합물 및 이를 포함하는 디바이스, 예컨대 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 디바이스를 가로질러 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평면 패널 디스플레이, 조명 및 백라이팅(backlighting)과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 재료 및 구성은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 방출이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 방출을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 EML 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 방출 분자의 한 예는, Ir(ppy)3으로 표기되는, 하기 구조를 갖는 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
Figure pat00001
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)에의 배위 결합을 직선으로 도시한다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 방출 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 방출 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.
OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국 특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 본원에 참고로 포함된다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 제공된다:
Figure pat00002
상기 화학식 IA, IB 및 IC에서:
고리 B 및 C는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 단일 치환기 내지 최대 가능한 수의 치환기, 또는 치환기 없음을 나타내며;
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이고;
Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
임의의 두 치환기는 임의로 고리로 연결되거나 융합되며;
리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에 배위 결합되어 5원 킬레이트 고리를 형성하고;
M은 화학식 IB에서 X1에 대해 직접 결합을 형성하지 않으며;
M은 화학식 IC에서 X4에 대해 직접 결합을 형성하지 않고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있으며;
리간드 LA는 임의로 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 유기 발광 디바이스(OLED)가 기술된다. OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있으며, 여기서 유기층은 본원에 기술된 바와 같은 화학식 IA, 화학식 IB 또는 화학식 IC의 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
상기 OLED를 포함하는 소비자 제품이 또한 개시된다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스를 도시한다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 방출 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 방출 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]은 그 전문이 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 참고로 포함되는 US 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 방출 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 그 전문이 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다.
도 2는 역전된 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국 특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)과 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 더 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 몇몇 예로는 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 폴더블(foldable) 디스플레이, 스트레처블(stretchable) 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이(대각선이 2인치 미만인 디스플레이), 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광선 요법 디바이스, 및 간판이 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
용어 "할로", "할로겐" 및 "할라이드"는 상호교환적으로 사용되며, 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 지칭한다.
용어 "아실"은 치환된 카르보닐 라디칼 (C(O)-Rs)을 지칭한다.
용어 "에스테르"는 치환된 옥시카르보닐 (-O-C(O)-Rs 또는 -C(O)-O-Rs) 라디칼을 지칭한다.
용어 "에테르"는 -ORs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술파닐" 또는 "티오-에테르"는 상호교환적으로 사용되며, -SRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술피닐"은 -S(O)-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술포닐"은 -SO2-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "포스피노"는 -P(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "실릴"은 -Si(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
상기의 것 중 각각에서, Rs는 수소 또는 치환기일 수 있고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직한 Rs는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "알킬"은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 라디칼을 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알킬기는 1∼15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환된다.
용어 "시클로알킬"은 단환, 다환, 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 3∼12개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로[3.1.1]헵틸, 스피로[4.5]데실, 스피로[5.5]운데실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로알킬" 또는 "헤테로시클로알킬"은 각각 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 시클로알킬 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 추가로, 헤테로알킬 또는 헤테로시클로알킬기는 임의로 치환된다.
용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 알케닐기는 본질적으로 알킬 사슬에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬기이다. 시클로알케닐기는 본질적으로 시클로알킬 고리 내에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 시클로알킬기이다. 본원에 사용되는 용어 "헤테로알케닐"은 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 바람직한 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 임의로 치환된다.
용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐기는 임의로 치환된다.
용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호교환적으로 사용되며, 아릴기로 치환된 알킬기를 지칭한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환된다.
용어 "헤테로시클릭기"는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 헤테로방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴과 상호교환적으로 사용될 수 있다. 바람직한 헤테로비방향족 시클릭기는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민, 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 테트라히드로티오펜 등과 같은 시클릭 에테르/티오-에테르를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아릴"은 단일 고리 방향족 히드로카르빌기 및 폴리시클릭 방향족 고리계 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 방향족 히드로카르빌기이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6∼30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6∼20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6∼12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 펜안트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로아릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 단일 고리 헤테로 방향족기 및 폴리시클릭 방향족 고리계 모두를 포함한다. 헤테로원자는, 비제한적으로, O, S, N, P, B, Si, 및 Se를 포함한다. 다수의 경우에서, O, S, 또는 N은 바람직한 헤테로원자이다. 헤테로 방향족 단일 고리계는 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 단일 고리이고, 상기 고리는 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 고리계는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 방향족 고리계는 폴리시클릭 방향족 고리계의 고리당 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3∼30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3∼20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3∼12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 펜아진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
상기 열거된 아릴기 및 헤테로아릴기 중, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 및 벤즈이미다졸, 및 이들 각각의 각 아자-유사체가 특히 관심대상의 것이다.
본원에 사용되는 용어 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭기, 아릴 및 헤테로아릴은 독립적으로 비치환되거나, 또는 독립적으로 하나 이상의 일반 치환기로 치환된다.
다수의 경우에서, 일반 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또 다른 경우에서, 보다 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "치환된"은 관련된 위치, 예컨대 탄소에 결합되는 H 이외의 치환기와 관련된다. 예를 들면, R1이 단일 치환되는 경우, 이에 따라 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다. 마찬가지로, R1이 이중 치환되는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 마찬가지로, R1이 치환되지 않는 경우, R1은 모든 가능한 위치에 대하여 수소이다. 구조(예를 들면, 특정 고리 또는 융합된 고리계)에서의 가능한 치환의 최대 수는 이용가능한 원자가를 갖는 원자의 수에 좌우될 것이다.
본원에 사용되는 "이들의 조합"은 해당되는 목록 중 하나 이상의 구성요소가 조합되어 본 기술분야의 당업자가 해당하는 목록으로부터 구상할 수 있는 공지되거나 또는 화학적으로 안정한 배열을 형성하는 것을 나타낸다. 예를 들면, 알킬 및 중수소는 조합되어 부분적 또는 전체적 중수소화된 알킬기를 형성할 수 있고; 할로겐 및 알킬은 조합되어 할로겐화된 알킬 치환기를 형성할 수 있고; 할로겐, 알킬, 및 아릴은 조합되어 할로겐화된 아릴알킬을 형성할 수 있다. 하나의 경우에서, 용어 치환은 열거된 기들 중의 2 내지 4개의 조합을 포함한다. 다른 경우에서, 용어 치환은 2 내지 3개의 기의 조합을 포함한다. 또 다른 경우에서, 용어 치환은 2개의 기의 조합을 포함한다. 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 50개의 원자를 함유하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 40개의 원자를 포함하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 30개의 원자를 포함하는 것이다. 다수의 경우에서, 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 20개의 원자를 포함할 것이다.
본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자디벤조푸란, 아자디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 분절에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 기타 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어들을 포괄하는 것으로 의도된다.
본원에 사용되는 "중수소"는 수소의 동위원소를 지칭한다. 중수소화된 화합물은 본 기술분야에 공지된 방법을 사용하여 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들면, 그 전문이 본원에 참조로 포함된 미국특허 제8,557,400호, 특허공개번호 WO　2006/095951, 및 미국특허출원 공개번호 US 2011/0037057은 중수소-치환된 유기금속 착물의 제조를 기술하고 있다. 추가로 문헌[Ming Yan, et al., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30] 및 문헌[Atzrodt et al., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65]을 참조하며, 이는 본원에 그 전문이 참조로 포함되어 있으며, 이는 각각 벤질 아민에서 메틸렌 수소의 중수소화 및 중수소로 방향족 고리 수소를 치환하기 위한 효율적인 경로를 기술하고 있다.
분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시된다:
Figure pat00004
상기 화학식 IA, IB 및 IC에서:
고리 B 및 C는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 단일 치환기 내지 최대 가능한 수의 치환기, 또는 치환기 없음을 나타내며;
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이고;
Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
임의의 두 치환기는 임의로 고리로 연결되거나 융합되며;
리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에 배위 결합되어 5원 킬레이트 고리를 형성하고;
M은 화학식 IB에서 X1에 대해 직접 결합을 형성하지 않으며;
M은 화학식 IC에서 X4에 대해 직접 결합을 형성하지 않고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있으며;
리간드 LA는 임의로 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 고리 B는 2개의 융합된 고리를 포함하는 고리계, 예컨대 나프탈렌, 벤즈이미다졸 등일 수 있다. 이 경우에, RB 에 대한 최대 치환은 각각 6중 치환 또는 5중 치환일 수 있다.
일부 실시양태에서, 금속 M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Au 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 금속 M은 Ir 또는 Pt이다.
일부 실시양태에서, R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 호모렙틱(homoleptic)이다. 일부 실시양태에서, 화합물은 헤테로렙틱(heteroleptic)이다.
일부 실시양태에서, Y는 O이다.
일부 실시양태에서, X1 내지 X6은 각각 독립적으로 C이다. 일부 실시양태에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 CR이다.
일부 실시양태에서, 고리 C는 융합된 벤젠 고리이다.
일부 실시양태에서, 고리 B는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 벤젠 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피롤, 옥사졸, 티아졸, 및 이미다졸 유도된 카르벤으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 고리 A는 벤젠이고, 고리 B는 N으로서 Z1을 지닌 피리딘이다. 일부 실시양태에서, 고리 A는 금속에 배위 결합된 N을 지닌 피리딘이고, 고리 B는 벤젠이다.
일부 실시양태에서, 제1 리간드 LA는 하기 화학식들 및 이들의 아자 변형체로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00006
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Figure pat00028
상기 화학식들에서, Ra는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
청구범위 제1항의 화합물에 있어서, 제1 리간드 LA는 LA1 내지 LA4780로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 LA1 내지 LA240은 하기 화학식 II:
Figure pat00029
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X, 및 Y는 다음과 같이 정의되며:
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
LA241 내지 LA360은 하기 화학식 III:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00035
Figure pat00036
LA361 내지 LA456은 하기 화학식 IV:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
LA457 내지 LA696은 하기 화학식 V:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
LA697 내지 LA816은 하기 화학식 VI:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00047
Figure pat00048
LA817 내지 LA912는 하기 화학식 VII:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00050
Figure pat00051
LA913 내지 LA1152는 하기 화학식 VIII:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
LA1153 내지 LA1272는 하기 화학식 IX:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
LA1273 내지 LA1368은 하기 화학식 X:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00063
Figure pat00064
LA1369 내지 LA1608은 하기 화학식 XI:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
LA1609 내지 LA1728은 하기 화학식 XII:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
LA1729 내지 LA1824는 하기 화학식 XIII:
의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
LA1825 내지 LA2064는 하기 화학식 XIV:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00079
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
LA2065 내지 LA2184는 하기 화학식 XV:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
LA2185 내지 LA2280은 하기 화학식 XVI:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00089
Figure pat00090
LA2281 내지 LA2520은 하기 화학식 XVII:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
LA2521 내지 LA2640은 하기 화학식 XVIII:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
LA2641 내지 LA2736은 하기 화학식 XIX:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
LA2737 내지 LA2976은 하기 화학식 XX:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
LA2977 내지 LA3096은 하기 화학식 XXI:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00110
Figure pat00111
LA3097 내지 LA3192는 하기 화학식 XXII:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00113
Figure pat00114
LA3193 내지 LA3432는 하기 화학식 XXIII:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
LA3433 내지 LA3552는 하기 화학식 XXIV:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5, 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00122
Figure pat00123
Figure pat00124
LA3553 내지 LA3648은 하기 화학식 XXV:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00126
Figure pat00127
Figure pat00128
LA3649 내지 LA3888은 하기 화학식 XXVI:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00130
Figure pat00131
Figure pat00132
Figure pat00133
LA3889 내지 LA4008은 하기 화학식 XXVII:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00135
Figure pat00136
LA4009 내지 LA4104는 하기 화학식 XXVIII:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00138
Figure pat00139
LA4105 내지 LA4344는 하기 화학식 XXIX:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00141
Figure pat00142
Figure pat00143
Figure pat00144
Figure pat00145
LA4345 내지 LA4464는 하기 화학식 XXX:
의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00147
Figure pat00148
Figure pat00149
LA4465 내지 LA4560은 하기 화학식 XXXI:
의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00151
Figure pat00152
Figure pat00153
LA4561 내지 LA4780은 하기 화학식 XXXII:
의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
Figure pat00155
Figure pat00156
Figure pat00157
Figure pat00158
여기서 RB1 ∼ RB23은 하기 구조를 갖고:
여기서 RA1∼RA52는 하기 구조를 갖는다:
Figure pat00160
Figure pat00161
일부 실시양태에서, 화합물은 M(LA)x(LB)y(LC)z의 화학식을 가지며, 여기서 LB 및 LC는 각각 2좌 리간드이고; x는 1, 2 또는 3이며; y는 0, 1 또는 2이고; z는 0, 1 또는 2이며; x+y+z는 금속 M의 산화 상태이다.
일부 실시양태에서, 화합물은 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, Ir(LA)2(LB), Ir(LA)2(LC) 및 Ir(LA)(LB)(LC)으로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖고; 리간드 LA, LB 및 LC는 서로 상이하다.
일부 실시양태에서, 화합물은 Pt(LA)(LB)의 화학식을 가지며, 여기서 LA 및 LB는 동일하거나 상이할 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, LA와 LB는 연결되어 4좌 리간드를 형성한다. 이러한 일부 실시양태에서, LA와 LB는 두 곳에서 연결되어 대환식 4좌 리간드를 형성한다.
화합물이 화학식 M(LA)x(LB)y(LC)z를 갖는 일부 실시양태에서, 리간드 LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00162
Figure pat00163
상기 화학식들에서,
각각의 Y1∼Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X는 BR', NR', PR', O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR1R2, SiR1R2 및 GeR1R2로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R1과 R2는 임의로 융합되거나 연결되어 고리를 형성하고;
각각의 Ra, Rb, Rc 및 Rd는 단일 치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있으며;
R1, R2, Ra, Rb, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 중 임의의 두 인접 치환기는 임의로 융합되거나 연결되어, 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성한다.
화합물이 화학식 M(LA)x(LB)y(LC)z를 갖는 이러한 일부 실시양태에서, 리간드 LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00164
Figure pat00165
Figure pat00166
일부 실시양태에서, 화합물은 화학식 Ir(LA i )3을 갖는 화합물 Ax이며; 여기서 x = i이고; i는 1∼4780의 정수이며, LA1∼LA4780은 상기 기술한 바와 같이 정의된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 화학식 Ir(LA i )(LB k )2를 갖는 화합물 By이며; 여기서 y = 468i+k-468이고; i는 1∼4780의 정수이며, k는 1∼468의 정수이고; 리간드 LB k 는 다음의 구조를 갖는다:
Figure pat00167
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Figure pat00183
일부 실시양태에서, 화합물은 화학식 Ir(LA i )2(LC j )을 갖는 화합물 Cz이며; 여기서 z = 1260i+j-1260이고; i는 1∼4780의 정수이며; j는 1∼1260의 정수이고; 리간드 LC는 하기 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
LC1 내지 LC1260은 화학식 X,
Figure pat00184
의 구조를 기초로 하고, 여기서 R1, R2 및 R3은 다음과 같이 정의되며:
Figure pat00185
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Figure pat00195
Figure pat00196
여기서 RD1∼RD81은 하기 구조를 갖는다:
Figure pat00198
Figure pat00199
일부 실시양태에서, 유기 발광 디바이스(OLED)가 기술된다. OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있으며, 여기서 유기층은 본원에 기술된 바와 같은 화학식 IA, 화학식 IB 또는 화학식 IC의 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 본원에 기술된 바와 같은 OLED를 포함하는 소비자 제품이 기술된다.
일부 실시양태에서, OLED는 플렉시블, 롤러블(rollable), 폴더블(foldable), 스트레처블(stretchable) 및 만곡(curved) 특성으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명하다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 더 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 더 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열, 또는 화이트 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 미만이거나 면적이 50 제곱인치 미만인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 이상이거나 면적이 50 제곱인치 이상인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
다른 양태에 따르면, OLED내의 발광 영역(예컨대, 본원에 기술된 유기층)이 개시된다. 발광 영역은 본원에 기술된 바와 같은 화학식 IA, 화학식 IB 또는 화학식 IC의 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 상기 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨); 예를 들면 그 전문이 본원에 참조로 포함된 미국출원번호 15/700,352를 참조함)), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다.
다른 양태에 따라, 본원에 기재된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시되어 있다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고, 상기 화합물은 일부 실시양태에서 발광 도펀트일 수 있고, 한편 상기 화합물은 다른 실시양태에서 비발광 도펀트일 수 있다.
유기층은 또한 호스트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 2개 이상의 호스트가 바람직하다. 일부 실시양태에서, 사용되는 호스트는 a) 바이폴라, b) 전자 수송, c) 정공 수송 또는 d) 전하 수송에서의 역할이 거의 없는 와이드 밴드 갭 물질일 수 있다. 일부 실시양태에서, 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란일 수 있다. 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기일 수 있거나, 또는 호스트는 치환기를 가지지 않는다. 상기 치환기에서, n은 1 내지 10 범위일 수 있고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 호스트는 무기 화합물일 수 있다. 예를 들어 Zn 함유 무기 물질, 예컨대 ZnS일 수 있다.
호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 화학 기를 포함하는 화합물일 수 있다. 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 하기 화학식 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 특정 화합물일 수 있으나 이에 한정되지 않는다:
가능한 호스트에 대한 추가의 정보를 이하에 제공한다.
본 개시내용의 또 하나의 다른 양태에서, 본원에 개시된 신규한 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본 명세서에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 차단 물질, 정공 차단 물질, 및 전자 수송층 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
기타 물질과의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 매우 다양한 기타 물질과의 조합으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 매우 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 참조된 물질은 본원에 개시된 화합물과의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
전도성 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, 및 US2012146012.
Figure pat00203
Figure pat00204
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 화합물이 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:
Figure pat00205
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기에 서로 직접 또는 이들 중 하나 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00206
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00207
여기서 Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
한 양태에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 양태에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 양태에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 양태에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
Figure pat00208
Figure pat00209
Figure pat00210
Figure pat00211
Figure pat00212
Figure pat00213
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Figure pat00215
EBL:
전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 보다 더 삼중항 에너지를 갖는다. 한 양태에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질은 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00216
여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수이다.
한 양태에서, 금속 착물은
Figure pat00217
이며, 여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위 결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 양태에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 양태에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용된 다른 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기에 서로 직접 또는 이들 중 하나 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, 호스트 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 독립적으로 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 독립적으로 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,
Figure pat00220
Figure pat00221
Figure pat00222
Figure pat00223
Figure pat00224
Figure pat00225
추가의 이미터:
하나 이상의 추가의 이미터 도펀트는 본 개시내용의 화합물과 결합하여 사용될 수 있다. 추가의 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 재료로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 방출을 생성할 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다.
한 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
또 다른 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
Figure pat00232
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 이들이 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.
한 양태에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
Figure pat00233
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 양태에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:
Figure pat00234
여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위 결합한 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,
Figure pat00235
Figure pat00236
Figure pat00237
전하 생성층(CGL):
탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각가 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 이후, 바이폴라 전류는 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는 임의의 상기 언급한 화합물들에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화될 수 있다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.
실험
도펀트 합성
Figure pat00238
도펀트 A를 합성하기 위해 사용되는 리간드인 화합물 10을, 하기 반응식 I에 따라 7단계로 제조하였다.
반응식 I
Figure pat00239
단계 1: 6-브로모-1-메톡시나프탈렌 (2)의 합성
6-브로모나프탈렌-1-올(화합물 1, 10 g, 44.8 mmol)을, 실온(∼22℃) 분위기 하에, 환류 응축기가 정상부에 장착된 500 mL의 3목 둥근 바닥 플라스크에서 건조 아세톤(180 mL)에 용해시켰다. 이어서, 탄산칼륨(12.39 g, 90 mmol) 및 메틸 요오다이드(5.61 ml, 90 mmol)를 첨가하고, 그 반응 혼합물을 65℃에서 18시간 동안 교반하였다. 이 반응을 실온(∼22℃)으로 냉각시켜, 반응 혼합물로부터 백색 고체가 침전되도록 하였다. 이어서, 그 침전물을 여과로 분리하고, 그 여과액을 진공 하에 농축하였다. 그 반응 혼합물을 EtOAc와 염수(200 mL) 사이에서 나누어, 유기물을 분리하고 염수(2×50 mL)로 세정하고, MgSO4에서 건조하고, 용매를 제거하여 주황색 오일을 얻었다. 이소헥산으로부터 재결정화하여 반응식 I의 화합물 2를 백색 고체로 얻었다(8.0 g, 33.7 mmol, 75% 수율).
단계 2: 2-(5-메톡시나프탈렌-2-일)페놀 (4)의 합성
탄산칼륨(9.97 g, 72.1 mmol), 6-브로모-1-메톡시나프탈렌(5.7 g, 24.04 mmol) 및 (2-히드록시페닐)보론산(화합물 3, 4.97 g, 36.1 mmol)을, 환류 응축기가 정상부에 장착된 500 mL의 3목 둥근 바닥 플라스크에서, 디옥산:물의 4.5:1 혼합물(300 mL)에 용해시켰다. 그 혼합물을 N2로 15분 동안 스파징(sparging)한 다음, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(1.389 g, 1.202 mmol)을 첨가하고, 그 혼합물을 N2로 추가의 5분 동안 스파징하였다. 이 반응물을 80℃에서 18시간 동안 교반하였다. 그 반응 혼합물을 HCl 2N을 이용하여 pH 7로 만들고, EtOAc와 염수 사이에서 나누었다. 유기물을 분리하고 염수(2×200 mL)로 세정하고, MgSO4로 건조하고, 용매를 제거하였다. 조생성물을 이소헥산/디클로로메탄의 혼합물을 이용하는 플래쉬 크로마토그래피에 의해 정제함으로써, 반응식 I의 화합물 4를 황색 고체로 얻었다(5.50 g, 21.75 mmol, 90% 수율).
단계 3: 7-메톡시나프토[2,3-b]벤조푸란 (5)의 합성
아세트산팔라듐(II)(0.484 g, 2.157 mmol) 및 3-니트로피리딘(0.268 g, 2.157 mmol)을, 고무 셉텀이 정상부에 장착된 500 mL의 고압 ACE 브랜드 반응 용기에 넣고, N2로 3회 비움/다시 채움을 하였다. 이어서 건조 1,2-디메톡시에탄(150.0 ml)에 용해된 2-(5-메톡시나프탈렌-2-일)페놀(5.40 g, 21.57 mmol)을 N2 하에 캐눌라를 통해 첨가한 다음, tert-부틸 퍼옥시벤조에이트(8.14 ml, 43.1 mmol)를 첨가하였다. ACE 반응 용기를 밀봉하고, 반응 혼합물을 120℃에서 40분 동안 교반하였다. 그 반응 혼합물을 실온(∼22℃)으로 냉각되게 둔 다음, 디클로로메탄으로 용출시키는 Celite®(규조토)의 플러그를 통해 여과하였다. 용매 진공 하에 제거하여 갈색 고체를 얻었다. 조생성물을 이소헥산/아세톤의 혼합물을 이용하는 플래쉬 크로마토그래피에 의해 정제하여, 반응식 I의 화합물 5를 백색 고체로 얻었다(1.8 g, 7.25 mmol, 33% 수율).
단계 4: 나프토[2,3-b]벤조푸란-7-올 (6)의 합성
7-메톡시나프토[2,3-b]벤조푸란(16.0 g, 64.4 mmol)을, 첨가 깔때기가 구비된 250 mL의 3목 둥근 바닥 플라스크에서 N2 하에 건조 디클로로메탄(120.0 ml)에 용해시켰다. 그 혼합물을 -78℃로 냉각시킨 후, 트리브로모보란(디클로로메탄 중 1M, 97 ml, 97 mmol)을 적가하였다. 그 반응 혼합물을 실온(∼22℃)까지 가온되도록 두고, 2시간 동안 교반하였다. 이어서, 그 반응 혼합물을 물-얼음에 붓고, 디클로로메탄(3×100 mL)으로, 그리고 10 mL의 아세톤으로 추출하여 용해를 촉진하고, MgSO4로 건조하고, 용매를 제거하였다. 적색 고체를 얻었으며, 그것을 이소헥산으로 더 분말화하여, 반응식 I의 화합물 6을 미백색 고체로 얻었다(14.42 g, 60.9 mmol, 95% 수율).
단계 5: 나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일 트리플루오로메탄술포네이트 (7)의 합성
나프토[2,3-b]벤조푸란-7-올(14.4 g, 61.5 mmol) 및 피리딘(7.46 ml, 92 mmol)을 첨가 깔때기를 구비한 3목 둥근 바닥 플라스크에서 N2 하에 건조 디클로로메탄(300 mL)에 용해시켰다. 그 혼합물을 0℃까지 냉각시키고, 트리플루오로메탄술폰산 무수물(12.46 ml, 73.8 mmol)을 적가하였다. 그 반응 혼합물을 서서히 실온(∼22℃)까지 가온되게 하고, 추가의 16시간 동안 교반하였다. 그 반응 혼합물을 디클로로메탄(100 mL)과 포화된 수성 NaHCO3(200 mL) 사이에서 나눈 다음, 유기물을 분리하고, MgSO4로 건조하고, 용매를 제거하여 갈색 고체를 얻었으며, 그것을 이소헥산으로 더 분말화하여 반응식 I의 화합물 7을 미백색 고체로 얻었다(18.63 g, 50.3 mmol, 82% 수율).
단계 6: 4,4,5,5-테트라메틸-2-(나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일)-1,3,2-디옥사보롤란 (8)의 합성
비스(피나콜라토)디보론(15.34 g, 60.4 mmol), 나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일 트리플루오로메탄술포네이트(18.44 g, 50.3 mmol), 아세트산칼륨(9.88 g, 101 mmol) 및 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 착물(1.23 g, 1.51 mmol)을, 환류 응축기가 구비된 3목 둥근 바닥 플라스크에서 건조 디옥산(200 mL)에 용해시켰다. 그 혼합물을 질소로 15분 동안 스파징한 다음, 그 반응물을 100℃에서 18시간 동안 교반하였다. 그 반응 혼합물 아세트산에틸(EtOAc)(200 mL)과 염수(200 mL) 사이에서 나누고, 유기물을 분리하고, 염수(2×200 mL)로 세정하고, MgSO4로 건조하고 용매를 제거하였다. 조생성물을, 이소헥산/디클로로메탄의 혼합물을 이용하는 플래쉬 크로마토그래피에 의해 정제하여, 반응식 I의 화합물 8을 황색 고체로 얻었다(12.0 g, 34.7 mmol, 68.9%).
단계 7: 5-메틸-2-(나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일)피리미딘 (10)의 합성
4,4,5,5-테트라메틸-2-(나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일)-1,3,2-디옥사보롤란(2.02 g, 5.9 mmol), 5-메틸-2-클로로피리미딘(화합물 9, 0.93 g, 7.2 mmol), 2 M 수성 탄산칼륨(6 mL, 12 mmol) 및 에탄올(30 mL)의 혼합물을 질소로 10분 동안 스파징하였다. Siliacat DPP-Pd 실리카계 촉매(0.404 g, 0.12 mmol)를 첨가하고, 그 반응 혼합물을 76℃에서 18시간 동안 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔류물을 실리카 겔 상에 건조 로딩하고 헵탄 중 0%∼30% 아세트산에틸로 용출시키는 Interchim 자동화 시스템(80 g 컬럼)에서 정제하였다. 분획을 함유하는 생성물을 감압 하에 농축하고, 그 고체를 진공 오븐에서 4시간 동안 건조하여, 반응식 I의 화합물 10(5-메틸-2-(나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일)-피리미딘)을 미백색 고체로 얻었다(1.33 g, 99.3% UPLC 순도).
도펀트 A의 합성
도펀트 A를 하기 반응에 따라 합성하였다.
Figure pat00240
비스[(6-메틸-2-페닐피리딘-2-일)]-5-메틸-2-(나프토[2,3- b ]벤조푸란-7-일)피리미딘-2-일]이리듐(III) (도펀트 A)의 합성:
에탄올(75 mL) 중 5-메틸-2-(나프토[2,3-b]벤조푸란-7-일)피리미딘(1.48 g, 4.75 mmol, 1.76 당량)의 용액을 질소로 10분 동안 스파징하였다. [Ir(2-페닐-6-메틸-피리딘-2-일(-1H))2-(MeOH)2](트리플루오로메탄술포네이트)(2.0 g, 2.7 mmol, 1.0 당량)를 첨가하고, 그 반응 혼합물을 78℃로 36시간 동안 가열하였다. 그 혼합물을 실온(∼22℃)으로 냉각하고, 여과하고, 고체를 메탄올(2×25 mL)로 세정하고, 풍건하였다. 미정제 물질을 디클로로메탄 중 20% 헥산으로 용출시키는, 염기성 알루미나(43 g)가 적층된 실리카 겔(135 g) 상에서 크로마토그래피하였다. 분획을 함유하는 생성물을 감압 하에 농축하고, 고체를 진공 오븐에서 9시간 동안 건조하여, 도펀트 A(1.8 g, 82% 수율 99.3% HPLC 순도)를 주황색 고체로 얻었다.
도펀트 B, 즉, 5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)피리미딘을 합성하기 위해 사용되는 리간드를 하기 합성 반응식에 따라 제조하였다.
5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)피리미딘의 합성
나프탈렌-1-일보론산(15 g, 96 mmol), 2-클로로-5-메틸피리미딘(9 g, 70 mmol), 2 M 수성 탄산칼륨(58 mL, 116 mmol) 및 에탄올(300 mL)의 혼합물을 질소로 15분 동안 스파징하였다. Siliacat DPP-Pd 실리카계 촉매(3.87 g, 1.16 mmol, 0.17 당량)를 첨가하고, 그 반응 혼합물을 78℃에서 48시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온(∼22℃)으로 냉각시키고, 여과하고, 그 여과액을 감압 하에 농축하였다. 잔류물을 아세트산에틸로 희석하고, 포화 염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨으로 건조하고, 여과하고, 감압 하에 농축하였다. 잔류물을, 헵탄 중 0%∼20% 아세트산에틸로 용출시키는 실리카 겔 상에서 크로마토그래피에 의해 정제하여, 5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)피리미딘(12.65 g, 82% 수율, 99.8% UPLC 순도)을 백색 고체로 얻었다.
도펀트 B를 하기 식에 따라 합성하였다.
Figure pat00242
비스[((2-페닐-2'-일)-6-메틸피리딘)-1-일]-((5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)-2-'yl)피리미딘-1-일)이리듐(III) (도펀트 B)의 합성.
에탄올(75 mL) 중 5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)피리미딘(1.19 g, 5.39 mmol)의 용액을 질소로 15분 동안 스파징한 다음, Ir(2-페닐-6-메틸피리딘-2-일(-1H))2-(MeOH)2](트리플루오로메탄술포네이트)(1.0 g, 2.7 mmol)를 첨가하고, 그 반응 혼합물을 78℃에서 30시간 동안 가열하였다. 그 혼합물을 실온(∼22℃)으로 냉각시키고, 여과하고, 고체를 최소량의 디클로로메탄(잔존하는 미량의 불용성 물질)에 용해시켰다. 미정제 물질을, 디클로로메탄 중 20% 헥산으로 용출시키는, 염기성 알루미나(30 g)로 적층된 실리카 겔(100 g) 상에서 크로마토그래피하였다. 분획을 함유하는 생성물을 감압 하에 농축시키고, 고체를 진공 오븐에서 14시간 동안 건조하여 비스[((2-페닐-2'-일)-6-메틸피리딘)-1-일]-((5-메틸-2-(나프탈렌-1-일)-2-'일)피리미딘-1-일)이리듐(III)(1.52 g, 75% 수율, 99.2% HPLC 순도)을 주황색 고체로 얻었다.
디바이스 예시
모든 예시 디바이스는 고진공(<10-7 Torr) 열 증발에 의해 제조하였다. 애노드 전극은 1150 Å의 산화인듐주석(ITO)이었다. 캐소드는 10 Å의 Liq(8-히드록시퀴놀린 리튬) 및 그에 후속되는 1,000 Å의 Al로 구성되었다. 모든 디바이스들은 제조 직후에 질소 글러브 박스(<1 ppm의 H2O 및 O2)에서 에폭시 수지로 밀봉된 유리 덮개로 봉입하였으며, 그 팩키지 내에는 수분 게터를 포함시켰다. 디바이스 예시들의 유기 스택은 ITO 표면으로부터 순서대로, 정공 주입층(HIL)으로서의 100 Å의 HATCN; 정공 수송층(HTL)으로서의 450 Å의 HTL-1; 호스트로서 호스트-1을 포함하는 400 Å의 발광층(EML), 안정성 도펀트로서의 SD-1(18%), 및 이미터로서의 도펀트 A 또는 도펀트 B(3%); ETL로서의, 35%의 ETM-1으로 도핑된 350 Å의 Liq; 및 전자 주입층(EIL)으로서의 10 Å의 Liq로 구성되었다. 안정성 도펀트를 전자 수송 호스트에 첨가하여, 발광층 중 양전하를 수송하는 데 조력하도록 하였다.
제조 후, 디바이스의 전계발광(EL) 및 전류 밀도-전압-휘도(JVL) 성능을 측정하였다. 디바이스 수명을 80 mA/cm2의 전류 밀도에서 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 요약하고, 예시 1의 도펀트 A 대 비교예 2의 도펀트 B의 성능을 비교한다. 두 도펀트 모두, 동일한 전압 및 외부 양자 효율을 갖는 디바이스를 제공한다. 그러나, 도펀트 A는 도펀트 B보다 좁은 선폭(반치전폭, FWHM) 및 현저히 긴 디바이스 수명을 제공한다. 도펀트 A의 발광 파장은 또한 도펀트 B보다 적색 이동되며, 이는 OLED 디바이스에서 적색 발광 물질로서 본 발명의 도펀트를 적용하는 것에 바람직하다.
Figure pat00244
au = 정규화된 단위
본원에 기술된 다양한 실시양태는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본원에 기술된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 특허 청구된 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이, 본원에 기술된 특정 예시 및 바람직한 실시양태로부터 유래하는 변형예를 포함할 수도 있다. 본 발명이 왜 효과가 있는지에 관한 다양한 이론을 한정하려는 의도는 없음을 이해하여야 한다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물:
    Figure pat00245

    상기 화학식들에서,
    고리 B 및 C는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
    RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 단일 치환기 내지 최대 가능한 수의 치환기, 또는 치환기 없음을 나타내며;
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이고;
    Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 두 치환기는 임의로 고리로 연결되거나 융합되며;
    리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에 배위 결합되어 5원 킬레이트 고리를 형성하고;
    M은 화학식 IB에서 X1에 대해 직접 결합을 형성하지 않으며;
    M은 화학식 IC에서 X4에 대해 직접 결합을 형성하지 않고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있으며;
    리간드 LA는 임의로 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함한다.
  2. 제1항에 있어서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Au 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  3. 제1항에 있어서, M은 Ir 또는 Pt인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  5. 제1항에 있어서, Y는 O인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, X1-X6은 각각 독립적으로 C인 화합물.
  7. 제1항에 있어서, 고리 C는 융합된 벤젠 고리인 화합물.
  8. 제1항에 있어서, 고리 B는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 벤젠, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피롤, 옥사졸, 티아졸 및 이미다졸 유도된 카르벤으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  9. 제1항에 있어서, 제1 리간드 LA는 하기 화학식들 및 이들의 아자 변형체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00246

    Figure pat00247

    Figure pat00248

    Figure pat00249

    Figure pat00250

    Figure pat00251

    Figure pat00252

    Figure pat00253

    Figure pat00254

    Figure pat00255

    Figure pat00256

    Figure pat00257

    Figure pat00258

    Figure pat00259

    Figure pat00260

    Figure pat00261

    Figure pat00262

    Figure pat00263

    Figure pat00264

    Figure pat00265

    Figure pat00266

    Figure pat00267

    상기 화학식들에서, Ra는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  10. 제1항에 있어서, 제1 리간드 LA는 하기 LA1 내지 LA4780으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    LA1 내지 LA240은 하기 화학식 II:
    Figure pat00268

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X 및 Y는 다음과 같이 정의되며:
    Figure pat00269

    Figure pat00270

    Figure pat00271

    Figure pat00272

    LA241 내지 LA360은 하기 화학식 III:
    Figure pat00273

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00274

    Figure pat00275

    Figure pat00276

    LA361 내지 LA456은 하기 화학식 IV:
    Figure pat00277

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00278

    Figure pat00279

    LA457 내지 LA696은 하기 화학식 V:
    Figure pat00280

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00281

    Figure pat00282

    Figure pat00283

    Figure pat00284

    LA697 내지 LA816은 하기 화학식 VI:
    Figure pat00285

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00286

    Figure pat00287

    Figure pat00288

    LA817 내지 LA912는 하기 화학식 VII:
    Figure pat00289

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00290

    Figure pat00291

    Figure pat00292

    LA913 내지 LA1152는 하기 화학식 VIII:
    Figure pat00293

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00294

    Figure pat00295

    Figure pat00296

    Figure pat00297

    LA1153 내지 LA1272는 하기 화학식 IX:
    Figure pat00298

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00299

    Figure pat00300

    LA1273 내지 LA1368은 하기 화학식 X:
    Figure pat00301

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00302

    Figure pat00303

    LA1369 내지 LA1608은 하기 화학식 XI:
    Figure pat00304

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00305

    Figure pat00306

    Figure pat00307

    Figure pat00308

    Figure pat00309

    LA1609 내지 LA1728은 하기 화학식 XII:
    Figure pat00310

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00311

    Figure pat00312

    Figure pat00313

    LA1729 내지 LA1824는 하기 화학식 XIII:
    Figure pat00314

    의 구조를 갖고, 여기서 R2, R4, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00315

    Figure pat00316

    LA1825 내지 LA2064는 하기 화학식 XIV:
    Figure pat00317

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00318

    Figure pat00319

    Figure pat00320

    Figure pat00321

    LA2065 내지 LA2184는 하기 화학식 XV:
    Figure pat00322

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00323

    Figure pat00324

    Figure pat00325

    LA2185 내지 LA2280은 하기 화학식 XVI:
    Figure pat00326

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00327

    Figure pat00328

    LA2281 내지 LA2520은 하기 화학식 XVII:
    Figure pat00329

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00330

    Figure pat00331

    Figure pat00332

    Figure pat00333

    Figure pat00334

    LA2521 내지 LA2640은 하기 화학식 XVIII:
    Figure pat00335

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00336

    Figure pat00337

    Figure pat00338

    LA2641 내지 LA2736은 하기 화학식 XIX:
    Figure pat00339

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00340

    Figure pat00341

    LA2737 내지 LA2976은 하기 화학식 XX:
    Figure pat00342

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, Y 및 X는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00343

    Figure pat00344

    Figure pat00345

    Figure pat00346

    LA2977 내지 LA3096은 하기 화학식 XXI:
    Figure pat00347

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00348

    Figure pat00349

    Figure pat00350

    LA3097 내지 LA3192는 하기 화학식 XXII:
    Figure pat00351

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00352

    Figure pat00353

    Figure pat00354

    LA3193 내지 LA3432는 하기 화학식 XXIII:
    Figure pat00355

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00356

    Figure pat00357

    Figure pat00358

    Figure pat00359

    LA3433 내지 LA3552는 하기 화학식 XXIV:
    Figure pat00360

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5, 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00361

    Figure pat00362

    Figure pat00363

    LA3553 내지 LA3648은 하기 화학식 XXV:
    Figure pat00364

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00365

    Figure pat00366

    LA3649 내지 LA3888은 하기 화학식 XXVI:
    Figure pat00367

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00368

    Figure pat00369

    Figure pat00370

    Figure pat00371

    Figure pat00372

    LA3889 내지 LA4008은 하기 화학식 XXVII:
    Figure pat00373

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00374

    Figure pat00375

    Figure pat00376

    LA4009 내지 LA4104는 하기 화학식 XXVIII:
    Figure pat00377

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00378

    Figure pat00379

    Figure pat00380

    LA4105 내지 LA4344는 하기 화학식 XXIX:
    Figure pat00381

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R5, X 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00382

    Figure pat00383

    Figure pat00384

    Figure pat00385

    LA4345 내지 LA4464는 하기 화학식 XXX:
    Figure pat00386

    의 구조를 갖고, 여기서 R3, R5 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00387

    Figure pat00388

    Figure pat00389

    LA4465 내지 LA4560은 하기 화학식 XXXI:
    Figure pat00390

    의 구조를 갖고, 여기서 R4, R5, Y 및 Z는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00391

    Figure pat00392

    LA4561 내지 LA4780은 하기 화학식 XXXII:
    Figure pat00393

    의 구조를 갖고, 여기서 R1, R2, R3 및 Y는 이하에 제시된 바와 같이 정의되며:
    Figure pat00394

    Figure pat00395

    Figure pat00396

    Figure pat00397

    Figure pat00398

    여기서, RB1∼RB23은 하기 구조를 갖고:

    RA1∼RA52는 하기 구조를 갖는다:
    Figure pat00400

    Figure pat00401
  11. 제1항에 있어서, 화합물은 M(LA)x(LB)y(LC)z의 화학식을 가지며, 상기 화학식에서 LB 및 LC는 각각 2좌 리간드이고; x는 1, 2 또는 3이며; y는 0, 1 또는 2이고; z는 0, 1 또는 2이며; x+y+z는 금속 M의 산화 상태인 화합물.
  12. 제11항에 있어서, 화합물은 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, Ir(LA)2(LB), Ir(LA)2(LC) 및 Ir(LA)(LB)(LC)로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 가지며; 상기 화학식에서 LA, LB 및 LC는 서로 상이한 것인 화합물.
  13. 제11항에 있어서, LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00402

    Figure pat00403

    상기 화학식들에서,
    각각의 Y1∼Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    X는 BR', NR', PR', O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR1R2, SiR1R2 및 GeR1R2로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    R1과 R2는 임의로 융합되거나 연결되어 고리를 형성하고;
    각각의 Ra, Rb, Rc 및 Rd는 단일 치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있으며;
    R1, R2, Ra, Rb, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 중 임의의 두 인접 치환기는 임의로 융합되거나 연결되어, 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성한다.
  14. 제12항에 있어서, 화합물은 화학식 Ir(LA i )3을 갖는 화합물 Ax, 화학식 Ir(LA i )(LB k )2를 갖는 화합물 By; 및 화학식 Ir(LA i )2(LC j )를 갖는 화합물 Cz로 이루어진 군으로부터 선택되며; 여기서 x = i, y = 468i+k-468, 및 z = 1260i+j-1260이고; i는 1∼4780의 정수이며; k는 1∼468의 정수이고; j는 1∼1260의 정수이며,
    LB k 는 하기 구조를 갖고:
    Figure pat00404

    Figure pat00405

    Figure pat00406

    Figure pat00407

    Figure pat00408

    Figure pat00409

    Figure pat00410

    Figure pat00411

    Figure pat00412

    Figure pat00413

    Figure pat00414

    Figure pat00415

    Figure pat00416

    Figure pat00417

    Figure pat00418


    LC는 하기 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되며:
    LC1 내지 LC1260은 화학식 X: 의 구조를 기초로 하고, 여기서 R1, R2 및 R3은 다음과 같이 정의되며:

    Figure pat00422

    Figure pat00423

    Figure pat00424

    Figure pat00425

    Figure pat00426

    Figure pat00427

    Figure pat00428

    Figure pat00429

    Figure pat00430

    Figure pat00431

    Figure pat00432

    Figure pat00433

    여기서 RD1∼RD81은 하기 구조를 갖는 것인 화합물:
    Figure pat00434

    Figure pat00435
  15. 애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
    을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED):
    Figure pat00436

    상기 화학식들에서,
    고리 B 및 C는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
    RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 단일 치환기 내지 최대 가능한 수의 치환기, 또는 치환기 없음을 나타내며;
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이고;
    Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 두 치환기는 임의로 고리로 연결되거나 융합되며;
    리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에 배위 결합되어 5원 킬레이트 고리를 형성하고;
    M은 화학식 IB에서 X1에 대해 직접 결합을 형성하지 않으며;
    M은 화학식 IC에서 X4에 대해 직접 결합을 형성하지 않고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있으며;
    리간드 LA는 임의로 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함한다.
  16. 제15항에 있어서, 유기층이 발광층이고, 화합물이 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트인 OLED.
  17. 제15항에 있어서, 유기층이 호스트를 추가로 포함하고, 호스트는 금속 착물, 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자디벤조티오펜, 아자디벤조푸란 및 아자디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 화학 기를 포함하는 것인 OLED.
  18. 제17항에 있어서, 호스트는 하기 화학식들 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 OLED:
    Figure pat00437

    Figure pat00438

  19. 애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
    을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품으로서,
    평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 폴더블(foldable) 디스플레이, 스트레처블(stretchable) 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 대각선이 2인치 미만인 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광선 요법 디바이스 또는 간판 중 하나인 소비자 제품:
    Figure pat00440

    Figure pat00441

    상기 화학식들에서,
    고리 B 및 C는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
    RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 단일 치환기 내지 최대 가능한 수의 치환기, 또는 치환기 없음을 나타내며;
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    X1, X2, X3 또는 X4는 이것이 Z2에 대해 직접 결합을 형성하는 경우 C이고;
    Y는 CRR', NR', O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    R, R', RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 두 치환기는 임의로 고리로 연결되거나 융합되며;
    리간드 LA는 파선에 의해 금속 M에 배위 결합되어 5원 킬레이트 고리를 형성하고;
    M은 화학식 IB에서 X1에 대해 직접 결합을 형성하지 않으며;
    M은 화학식 IC에서 X4에 대해 직접 결합을 형성하지 않고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있으며;
    리간드 LA는 임의로 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함한다.
  20. 제1항의 화합물을 포함하는 배합물.
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