TWI745444B - 有機電致發光材料及裝置 - Google Patents

Abstract

含有配位體之新穎磷光金屬錯合物適用作OLED中之發射體且可改良裝置效率及發射之FWHM，該等配位體具有式I：

Description

有機電致發光材料及裝置

本發明係關於用作有機電致發光裝置，諸如有機發光二極體(OLED)之磷光發射體的化合物。更特定言之，本發明係關於含有配位體之磷光金屬錯合物，該等配位體帶有萘或其他稠合雜環部分，諸如苯并呋喃及苯并噻吩。

出於多種原因，利用有機材料之光電裝置變得愈來愈受歡迎。用於製造該等裝置之許多材料相對較為便宜，因此有機光電裝置具有優於無機裝置之成本優勢的潛力。另外，有機材料之固有性質(諸如其可撓性)可使其較適用於特定應用，諸如在可撓性基板上之製造。有機光電裝置之實例包括有機發光二極體/裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光伏電池及有機光電偵測器。對於OLED，有機材料可具有優於習知材料之效能優勢。舉例而言，有機發射層發射光之波長通常可容易地用適當摻雜劑來調節。 OLED利用有機薄膜，其在電壓施加於裝置上時會發射光。OLED正成為用於諸如平板顯示器、照明及背光之應用中的日益受關注之技術。美國專利第5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中描述若干OLED材料及組態，該等專利以全文引用的方式併入本文中。 磷光發射分子之一個應用係全色顯示器。針對該種顯示器之行業標準需要適合於發射特定顏色(稱為「飽和」色)之像素。特定言之，此等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像素。或者，OLED可經設計以發射白光。在習知液晶顯示器中，使用吸收濾光器過濾來自白色背光之發射以產生紅色、綠色及藍色發射。相同技術亦可用於OLED。白色OLED可為單EML裝置或堆疊結構。可使用此項技術中所熟知的CIE座標來量測色彩。 綠色發射分子之一個實例係參(2-苯基吡啶)銥，表示為Ir(ppy)₃ ，其具有以下結構：

在此圖及下文之圖中，吾人以直線形式描繪氮與金屬(此處為Ir)之配價鍵。 如本文所用，術語「有機」包括可用於製造有機光電裝置之聚合材料及小分子有機材料。「小分子」係指並非聚合物之任何有機材料，且「小分子」可能實際上相當大。在一些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基並不會將某一分子自「小分子」類別中移除。小分子亦可併入聚合物中，例如作為聚合物主鏈上之側接基團或作為主鏈之一部分。小分子亦可充當樹枝狀聚合物的之核心部分，該樹枝狀聚合物由一系列構建在核心部分上之化學殼層組成。樹枝狀聚合物之核心部分可為螢光或磷光小分子發射體。樹枝狀聚合物可為「小分子」，且認為當前在OLED領域中使用之所有樹枝狀聚合物均為小分子。 如本文所用，「頂部」意指離基板最遠，而「底部」意指最靠近基板。在第一層描述為「安置於」第二層「上方」之情況下，第一層安置於離基板較遠處。除非規定第一層「與」第二層「接觸」，否則第一與第二層之間可存在其他層。舉例而言，即使陰極及陽極之間存在各種有機層，仍可將陰極描述為「安置於」陽極「上方」。 如本文所用，「溶液可處理」意指能夠以溶液或懸浮液之形式在液體介質中溶解、分散或傳輸及/或自液體介質沈積。 當認為配位體直接促成發射材料之光敏性質時，該配位體可稱為「光敏性的」。當認為配位體並不促成發射材料之光敏性質時，該配位體可稱為「輔助性的」，但輔助性配位體可改變光敏性配位體之性質。 如本文所用，且如熟習此項技術者通常將理解，若第一能級較接近真空能級，則第一「最高佔用分子軌域」(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能級「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能級。由於將電離電位(IP)量測為相對於真空能級之負能量，因此較高HOMO能級對應於具有較小絕對值之IP (較不負(less negative)的IP)。類似地，較高LUMO能級對應於具有較小絕對值之電子親和性(EA) (較不負的EA)。在頂部為真空能級之習知能級圖上，材料之LUMO能級高於相同材料之HOMO能級。「較高」HOMO或LUMO能級表現為比「較低」HOMO或LUMO能級更靠近此圖之頂部。 如本文所用，且如熟習此項技術者通常將理解，若第一功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。因為通常將功函數量測為相對於真空能級之負數，所以此意指「較高」功函數為更負的(more negative)。在頂部為真空能級之習知能級圖上，「較高」功函數說明為在向下方向上離真空能級較遠。因此，HOMO及LUMO能級之定義遵循與功函數不同之定則。 關於OLED及上文所述之定義的更多細節可見於美國專利第7,279,704號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。

根據本發明之一態樣，揭示一種化合物，其包含以下式I之配位體L_A ：

式I，其中環B表示五員或六員芳族環；R³ 表示無取代至最大可能數目之取代； X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 各自獨立地為CR或N；其中： (1) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少兩個鄰近者為CR且稠合於五員或六員芳族環中，或 (2) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少一者為氮，或 (3) (1)及(2)均成立； 其中 (a) R¹ 為CR¹¹ R¹² R¹³ 或與R² 接合以形成環；或 (b) R² 不為氫；或 (c) (a)及(b)均成立； 其中R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基(sulfanyl)、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 中之任兩個取代基視情況接合以形成環；L_A 配位至金屬M；L_A 視情況與其他配位體鍵聯以構成三齒、四齒、五齒或六齒配位體；且M視情況配位至其他配位體。 根據另一態樣，揭示一種包含化合物之調配物，該化合物包含式I之配位體L_A 。 根據另一態樣，揭示一種OLED中之發射區域，其中該發射區域包含含有式I之配位體L_A 的化合物。 根據另一態樣，揭示一種包含第一OLED之第一裝置，其中該第一OLED包含陽極、陰極及安置於該陽極與該陰極之間的有機層，其中該有機層包含含有式I之配位體L_A 的化合物。 根據另一態樣，揭示一種包含第一OLED之消費型產品。該第一OLED包含陽極、陰極及安置於該陽極與該陰極之間的有機層，其中該有機層包含含有式I之配位體L_A 的化合物。

相關申請案之交叉引用 本申請案主張2016年10月3日申請之美國臨時申請案第62/403,424號之優先權，其揭示內容以引用的方式併入本文中。 一般而言，OLED包含至少一個有機層，其安置於陽極與陰極之間且與陽極及陰極電連接。當施加電流時，陽極注入電洞且陰極注入電子至有機層中。所注入之電洞及電子各自朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞定位在同一分子上時，形成「激子」，其為具有激發能態之定域電子-電洞對。當激子經由光發射機制弛豫時，發射光。在一些情況下，激子可定位於準分子(excimer)或激態複合物上。非輻射機制(如熱弛豫)亦可能發生，但通常視為不合需要的。 最初的OLED使用自單態發射光(「螢光」)之發射分子，如例如美國專利第4,769,292號中所揭示，其以全文引用的方式併入。螢光發射通常在小於10奈秒之時幀內發生。 最近，已展示具有自三重態發射光(「磷光」)之發射材料的OLED。Baldo等人，「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」，Nature，第395卷，151-154, 1998(「Baldo-I」)；及Baldo等人，「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence」，Appl. Phys. Lett.，第75卷，第3, 4-6期(1999)(「Baldo-II」)，該等文獻以全文引用的方式併入。美國專利第7,279,704號第5-6欄中更詳細地描述磷光，該專利以引用的方式併入。 圖1展示有機發光裝置100。圖不一定按比例繪製。裝置100可包括基板110、陽極115、電洞注入層120、電洞傳輸層125、電子阻擋層130、發射層135、電洞阻擋層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護層155、陰極160及阻擋層170。陰極160係具有第一導電層162及第二導電層164之複合陰極。裝置100可藉由按順序沈積該等層來製造。此等各種層及實例材料之性質及功能在US 7,279,704第6-10欄中更詳細地描述，該專利以引用的方式併入。 可得到此等層中之每一者的更多實例。舉例而言，可撓性且透明的基板-陽極組合揭示於美國專利第5,844,363號中，該專利以全文引用的方式併入。經p摻雜之電洞傳輸層的實例係以50:1之莫耳比摻雜有F₄ -TCNQ之m-MTDATA，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該專利以全文引用的方式併入。發光及主體材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利第6,303,238號中，該專利以全文引用的方式併入。經n摻雜之電子傳輸層的實例係以1:1之莫耳比摻雜有Li之BPhen，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該公開案以全文引用的方式併入。以全文引用的方式併入之美國專利第5,703,436號及第5,707,745號揭示陰極之實例，該等陰極包括具有含上覆的透明、導電、濺鍍沈積之ITO層的金屬(諸如Mg:Ag)薄層之複合陰極。阻擋層之理論及使用更詳細地描述於美國專利第6,097,147號及美國專利申請公開案第2003/0230980號中，該等專利以全文引用的方式併入。注入層之實例提供於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，其以全文引用的方式併入。保護層之描述可見於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，其以全文引用的方式併入。 圖2展示倒置式OLED 200。該裝置包括基板210、陰極215、發射層220、電洞傳輸層225及陽極230。裝置200可藉由按順序沈積該等層來製造。因為最常見OLED組態具有安置於陽極上方之陰極，且裝置200具有安置於陽極230下之陰極215，所以裝置200可稱為「倒置式」OLED。可在裝置200之對應層中使用與關於裝置100所述之彼等材料類似的材料。圖2提供如何可自裝置100之結構省去一些層的一個實例。 圖1及2中所說明之簡單分層結構藉助於非限制性實例提供，且應理解本發明之實施例可與各種其他結構結合使用。所描述之特定材料及結構本質上為例示性的，且可使用其他材料及結構。可藉由以不同方式組合所述的各種層來獲得功能性OLED，或可基於設計、效能及成本因素完全省略各層。亦可包括未具體描述之其他層。可使用除具體描述之材料以外的材料。儘管本文中所提供之許多實例將各種層描述為包括單一材料，但應理解，可使用材料之組合，諸如主體及摻雜劑之混合物，或更一般而言，混合物。此外，該等層可具有各種子層。本文中給予各種層之名稱並不意圖具有嚴格限制性。舉例而言，在裝置200中，電洞傳輸層225傳輸電洞且將電洞注入至發射層220中，且可描述為電洞傳輸層或電洞注入層。在一個實施例中，可將OLED描述為具有安置於陰極與陽極之間的「有機層」。此有機層可包含單個層，或可進一步包含如例如關於圖1及2所述的不同有機材料之多個層。 亦可使用未具體描述之結構及材料，諸如包含聚合材料之OLED (PLED)，諸如Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示，該專利以全文引用的方式併入。藉助於另一實例，可使用具有單個有機層之OLED。OLED可堆疊，例如如在以全文引用的方式併入之Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所述。OLED結構可偏離圖1及2中所說明之簡單分層結構。舉例而言，基板可包括有角度的反射表面以改良出耦(out-coupling)，諸如如在Forrest等人之美國專利第6,091,195號中所述的台式結構，及/或如在Bulovic等人之美國專利第5,834,893號中所述的凹點結構，該等專利以全文引用的方式併入。 除非另外規定，否則可藉由任何適合方法來沈積各個實施例之層中的任一者。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發、噴墨(諸如以全文引用的方式併入之美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所述)、有機氣相沈積(OVPD) (諸如以全文引用的方式併入之Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所述)及藉由有機蒸氣噴射印刷(OVJP)之沈積(諸如以全文引用的方式併入之美國專利第7,431,968號中所述)。其他適合沈積方法包括旋塗及其他基於溶液之製程。基於溶液之製程較佳在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳之方法包括熱蒸發。較佳之圖案化方法包括通過遮罩之沈積、冷焊(諸如以全文引用的方式併入之美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述)及與諸如噴墨及OVJP之沈積方法中的一些方法相關聯之圖案化。亦可使用其他方法。可將待沈積之材料改質以使其與特定沈積方法相適合。舉例而言，可在小分子中使用分支鏈或非分支鏈且較佳含有至少3個碳之諸如烷基及芳基的取代基來增強其經受溶液處理之能力。可使用具有20個或更多個碳之取代基，且3至20個碳係較佳範圍。具有不對稱結構之材料可比具有對稱結構之材料具有更好的溶液可處理性，因為不對稱材料可能具有更低之再結晶傾向性。可使用樹枝狀聚合物取代基來增強小分子經受溶液處理之能力。 根據本發明實施例製造之裝置可進一步視情況包含阻擋層。阻擋層之一個用途係保護電極及有機層免受曝露於包括水分、蒸氣及/或氣體等之環境中的有害物質之損害。阻擋層可沈積在基板、電極上，沈積在基板、電極下或沈積在基板、電極旁，或沈積在裝置之任何其他部分(包括邊緣)上。阻擋層可包含單個層或多個層。阻擋層可藉由各種已知的化學氣相沈積技術形成，且可包括具有單一相之組合物及具有多個相之組合物。任何適合材料或材料組合均可用於阻擋層。阻擋層可併有有無機化合物或有機化合物或兩者。較佳之阻擋層包含聚合材料與非聚合材料之混合物，如以全文引用的方式併入本文中之美國專利第7,968,146號、PCT專利申請案第PCT/US2007/023098號及第PCT/US2009/042829號中所述。為了視為「混合物」，構成阻擋層之前述聚合材料及非聚合材料應在相同反應條件下沈積及/或同時沈積。聚合材料與非聚合材料之重量比可在95:5至5:95範圍內。聚合材料及非聚合材料可由同一前體材料產生。在一個實例中，聚合材料與非聚合材料之混合物基本上由聚合矽及無機矽組成。 根據本發明之實施例而製造的裝置可併入至多種多樣的電子組件模組(或單元)中，該等電子組件模組可併入至多種電子產品或中間組件中。該等電子產品或中間組件之實例包括可為終端使用者產品製造商所利用之顯示屏、照明裝置(諸如離散光源裝置或照明面板)等。該等電子組件模組可視情況包括驅動電子裝置及/或電源。根據本發明之實施例而製造的裝置可併入至多種多樣的消費型產品中，該等消費型產品具有一或多個電子組件模組(或單元)併入於其中。揭示一種包含OLED之消費型產品，該OLED在OLED中之有機層中包括本發明化合物。該等消費型產品應包括含一或多個光源及/或某種類型之視覺顯示器中之一或多者的任何種類之產品。該等消費型產品之一些實例包括平板顯示器、電腦監視器、醫療監視器、電視機、告示牌、用於內部或外部照明及/或發信號之燈、抬頭顯示器、全透明或部分透明之顯示器、可撓性顯示器、雷射印表機、電話、蜂巢式電話、平板電腦、平板手機、個人數位助理(PDA)、可佩戴裝置、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、取景器、微型顯示器(對角線小於2吋之顯示器)、3-D顯示器、虛擬實境或擴增實境顯示器、交通工具、包含多個平鋪在一起之顯示器的視訊牆、劇院或體育館螢幕，及指示牌。可使用各種控制機制來控制根據本發明而製造之裝置，包括被動式矩陣及主動式矩陣。意圖將該等裝置中之許多裝置用於對人類而言舒適之溫度範圍中，諸如18攝氏度至30攝氏度，且更佳在室溫下(20-25攝氏度)，但可在此溫度範圍外(例如-40攝氏度至+80攝氏度)使用。 本文所述之材料及結構可應用於除OLED以外的裝置中。舉例而言，諸如有機太陽能電池及有機光偵測器之其他光電裝置可採用該等材料及結構。更一般而言，諸如有機電晶體之有機裝置可採用該等材料及結構。 如本文所用，術語「鹵」、「鹵素」或「鹵基」包括氟、氯、溴及碘。 如本文所用，術語「烷基」涵蓋直鏈及分支鏈烷基。較佳之烷基係含有一至十五個碳原子之烷基，且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基及其類似基團。另外，烷基可視情況經取代。 如本文所用，術語「環烷基」涵蓋環狀烷基。較佳之環烷基係含有3至10個環碳原子之環烷基，且包括環丙基、環戊基、環己基、金剛烷基及其類似基團。另外，環烷基可視情況經取代。 如本文所用，術語「烯基」涵蓋直鏈及分支鏈烯基。較佳之烯基係含有二至十五個碳原子之烯基。另外，烯基可視情況經取代。 如本文所用，術語「炔基」涵蓋直鏈及分支鏈炔基。較佳之炔基係含有二至十五個碳原子之炔基。另外，炔基可視情況經取代。 如本文所用，術語「芳烷基」或「芳基烷基」可互換地使用且涵蓋具有芳族基團作為取代基之烷基。另外，芳烷基可視情況經取代。 如本文所用，術語「雜環基」涵蓋芳族及非芳族環狀基團。芳族雜環基亦意指雜芳基。較佳之非芳族雜環基係含有包括至少一個雜原子之3至7個環原子的雜環基，且包括環胺，諸如嗎啉基、哌啶基、吡咯啶基及其類似物，及環醚，諸如四氫呋喃、四氫哌喃及其類似物。另外，雜環基可視情況經取代。 如本文所用，術語「芳基」或「芳族基團」涵蓋單環基團及多環系統。多環可具有其中兩個碳為兩個鄰接環(該等環為「稠合的」)共用之兩個或更多個環，其中該等環中之至少一者係芳族的，例如其他環可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。較佳之芳基係含有六至三十個碳原子、較佳六至二十個碳原子、更佳六至十二個碳原子之芳基。尤佳的為具有六個碳、十個碳或十二個碳之芳基。適合之芳基包括苯基、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、聯伸四苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、䓛、苝及薁，較佳苯基、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、茀及萘。另外，芳基可視情況經取代。 如本文所用，術語「雜芳基」涵蓋可包括一至五個雜原子之單環雜芳族基團。術語雜芳基亦包括具有其中兩個原子為兩個鄰接環(該等環為「稠合的」)共用之兩個或更多個環的多環雜芳族系統，其中該等環中之至少一者係雜芳基，例如其他環可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。較佳之雜芳基係含有三至三十個碳原子、較佳三至二十個碳原子、更佳三至十二個碳原子之雜芳基。適合之雜芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、㖕啉、喹唑啉、喹喏啉、㖠啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃(xanthene)、吖啶、吩嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶及硒吩并二吡啶，較佳二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮雜硼烷、1,3-氮雜硼烷、1,4-氮雜硼烷、硼氮炔及其氮雜類似物。另外，雜芳基可視情況經取代。 烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基及雜芳基可未經取代或可經一或多個選自由以下組成之群的取代基取代：氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、環胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、醚基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 如本文所用，「經取代的」表示除H以外之取代基鍵結至相關位置，諸如碳。因此，舉例而言，在R¹ 經單取代時，則一個R¹ 必須不為H。類似地，在R¹ 經二取代時，則兩個R¹ 必須不為H。類似地，在R¹ 未經取代時，R¹ 對於所有可用位置而言均為氫。 本文所述之片段，亦即氮雜-二苯并呋喃、氮雜-二苯并噻吩等中之「氮雜」名稱意指各個片段中之C-H基團中的一或多者可經氮原子置換，例如且無任何限制性，氮雜聯伸三苯涵蓋二苯并[f,h ]喹喏啉及二苯并[f,h ]喹啉。一般熟習此項技術者可容易地預想上文所述之氮雜-衍生物的其他氮類似物，且所有該等類似物均意圖由如本文所闡述之術語涵蓋。 應理解，當將分子片段描述為取代基或另外連接至另一部分時，其名稱可如同其為片段(例如苯基、亞苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其為整個分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般書寫。如本文所用，此等不同的命名取代基或連接片段之方式視為等效的。 本發明係關於金屬錯合物之新穎配位體。此等配位體包括萘或其他相似稠合雜環。另外，此稠合單元包括封閉側鏈，其為第三丁基或第三丁基衍生物。此等元素在配位體中之組合使得可獲得最終環金屬化錯合物之唯一一個異構體。其亦提供較好效率、發射顏色之紅移以及較窄發射。 本發明係關於含有配位體之磷光金屬錯合物，該等配位體帶有萘或其他稠合雜環部分，諸如苯并呋喃及苯并噻吩。此等部分經苯基上之脂族側鏈取代，該側鏈以其將封閉組態且防止在非所需的位置處發生任何連接之方式鍵聯至銥原子。該側鏈為第三丁基或第三丁基衍生物。除了提供具有更好純度之材料以外，第三丁基側鏈之添加會為發射提供較好外部量子效率(EQE)、較好半高全寬(FWHM)。配位體底部之稠合環引起發射顏色紅移，而此等環上之側鏈引起藍移。 根據本發明之一態樣，揭示一種化合物，其包含以下式I之配位體L_A ：

式I，其中環B表示五員或六員芳族環；R³ 表示無取代至最大可能數目之取代； X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 各自獨立地為CR或N；其中： (1) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少兩個鄰近者為CR且稠合於五員或六員芳族環中，或 (2) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少一者為氮，或 (3) (1)及(2)均成立； 其中 (a) R¹ 為CR¹¹ R¹² R¹³ 或與R² 接合以形成環；或 (b) R² 不為氫；或 (c) (a)及(b)均成立； 其中R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 中之任兩個取代基視情況接合以形成環； L_A 配位至金屬M； L_A 視情況與其他配位體鍵聯以構成三齒、四齒、五齒或六齒配位體；且 M視情況配位至其他配位體。 在化合物之一些實施例中，M選自由以下各者組成之群：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au及Cu。在一些實施例中，M為Ir或Pt。 在化合物之一些實施例中，X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少一者為氮。 在化合物之一些實施例中，R¹ 為第三丁基或經取代之第三丁基。在化合物之一些實施例中，R¹ 及R² 形成芳族環，其可進一步經取代。 在化合物之一些實施例中，環B係苯基。 在化合物之一些實施例中，配位體L_A 選自由以下組成之群：

，其中R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 、R⁹ 、R¹⁰ 、R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中任何兩個取代基視情況接合以形成環。 在化合物之一些實施例中，配位體L_A 選自由以下組成之群：L_A1 至L_A260 ，該等L_A1 至L_A260 係基於式II，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R² 、R⁴ 及R⁵ ：

L_A261 至L_A520 ，該等L_A261 至L_A520 係基於式III，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R⁹ 、R¹⁰ 及Y：

L_A521 至L_A780 ，該等L_A521 至L_A780 係基於式IV，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R¹¹ 、R¹² 及X：

L_A781 至L_A1170 ，該等L_A781 至L_A1170 係基於式IV，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R² 、R¹¹ 及R¹² ：

L_A1171 至L_A1266 ，該等L_A1171 至L_A1266 係基於式V，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R² 、R¹³ 及X：

L_A1267 至L_A1298 ，該等L_A1267 至L_A1298 係基於式VI，

結構，其中如下提供定義R¹ 、R² 及R¹⁴ ：

其中R_B1 至R_B23 具有以下結構：

；且 其中R_A1 至R_A51 具有以下結構：

。 在化合物之一些實施例中，該化合物具有式(L_A )_n Ir(L_B )_3-n ；其中L_B 係雙齒配位體；且n為1、2或3。 在化合物之一些實施例中，L_B 選自由以下組成之群：

。 在具有式Ir(L_A )(L_B )，其中L_A 選自L_A1 至L_A1298 之化合物的一些實施例中，該化合物選自由以下組成之群：化合物1至化合物22,066；其中各化合物x 具有式Ir(L_Ak )₂ (L_Bj )； 其中x = 1298j +k - 1298，k 為1至1298之整數，且j 為1至17之整數；且其中L_B1 至L_B17 定義如下：

。 根據另一態樣，揭示一種包含化合物之調配物，該化合物包含式I之配位體L_A 。 根據另一態樣，揭示一種包含第一OLED之第一裝置。第一OLED包含：陽極；陰極；及安置於該陽極與該陰極之間的有機層，該有機層包含含有以下式I之配位體L_A 的化合物：

式I；其中環B表示五員或六員芳族環；R³ 表示無取代至最大數目之取代；X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 各自獨立地為CR或N；其中： (1) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少兩個鄰近者為CR且稠合於五員或六員芳族環中，或 (2) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少一者為氮，或 (3) (1)及(2)均成立； 其中 (a) R¹ 為CR¹¹ R¹² R¹³ 或與R² 接合以形成環；或 (b) R² 不為氫；或 (c) (a)及(b)均成立； 其中R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 中之任兩個取代基視情況接合以形成環； L_A 配位至金屬M； L_A 視情況與其他配位體鍵聯以構成三齒、四齒、五齒或六齒配位體；且 M視情況配位至其他配位體。 在第一裝置之一些實施例中，該有機層進一步包含主體，其中主體包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團：咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。 在第一裝置之一些實施例中，該有機層進一步包含主體，其中該主體選自上文所定義之主體群A。 在第一裝置之一些實施例中，其中該有機層進一步包含主體，其中該主體包含金屬錯合物。 在一些實施例中，該OLED具有一或多種選自由以下組成之群的特徵：可撓性、可捲曲、可摺疊、可拉伸及彎曲。在一些實施例中，該OLED係透明或半透明的。在一些實施例中，該OLED進一步包含包括碳奈米管之層。 在一些實施例中，該OLED進一步包含包括延遲螢光發射體之層。在一些實施例中，該OLED包含RGB像素排列或白色加彩色濾光片像素排列。在一些實施例中，該OLED係行動裝置、手持式裝置或可佩戴裝置。在一些實施例中，該OLED係對角線小於10吋或面積小於50平方吋之顯示面板。在一些實施例中，該OLED係對角線為至少10吋或面積為至少50平方吋之顯示面板。在一些實施例中，該OLED係照明面板。 根據另一態樣，揭示一種OLED中之發射區域，其中該發射區域包含含有以下式I之配位體L_A 的化合物：

式I；其中環B表示五員或六員芳族環；R³ 表示無取代至最大可能數目之取代； X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 各自獨立地為CR或N；其中： (1) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少兩個鄰近者為CR且稠合於五員或六員芳族環中，或 (2) X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 中之至少一者為氮，或 (3) (1)及(2)均成立； 其中 (a) R¹ 為CR¹¹ R¹² R¹³ 或與R² 接合以形成環；或 (b) R² 不為氫；或 (c) (a)及(b)均成立； 其中R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； R、R¹ 、R² 、R³ 、R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 中之任兩個取代基視情況接合以形成環； L_A 配位至金屬M； L_A 視情況與其他配位體鍵聯以構成三齒、四齒、五齒或六齒配位體；且 M視情況配位至其他配位體。 在發射區域之一些實施例中，該化合物係發射摻雜劑或非發射摻雜劑。 在發射區域之一些實施例中，該發射區域進一步包含主體，其中該主體包含選自由以下組成之群的至少一者：金屬錯合物、聯伸三苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜-聯伸三苯、氮雜-咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。 在發射區域之一些實施例中，其中該發射區域進一步包含主體，其中該主體選自以下主體群A，其由以下組成：

及其組合。 根據另一態樣，揭示一種包含OLED之消費型產品，該OLED在OLED之有機層中包括本發明化合物。 在一些實施例中，該化合物可為發射摻雜劑。在一些實施例中，該化合物可經由磷光、螢光、熱激活延遲螢光(亦即TADF，亦稱為E型延遲螢光)、三重態-三重態消滅或此等製程之組合產生發射。 根據另一態樣，亦揭示一種包含本文所述化合物之調配物。 本文所揭示之OLED可併入至消費型產品、電子組件模組及照明面板中之一或多者中。有機層可為發射層，且化合物在一些實施例中可為發射摻雜劑，而化合物在其他實施例中可為非發射摻雜劑。 該有機層亦可包括主體。在一些實施例中，兩種或更多種主體為較佳的。在一些實施例中，所用之主體可為在電荷傳輸中起極小作用之a)雙極，b)電子傳輸，c)電洞傳輸，或d)寬帶隙材料。在一些實施例中，主體可包括金屬錯合物。主體可為含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃之聯伸三苯。主體中之任何取代基可為獨立地選自由以下組成之群的非稠合取代基：C_n H_2n+1 、OC_n H_2n+1 、OAr₁ 、N(C_n H_2n+1 )₂ 、N(Ar₁ )(Ar₂ )、CH=CH-C_n H_2n+1 、C≡C-C_n H_2n+1 、Ar₁ 、Ar₁ -Ar₂ 及C_n H_2n -Ar₁ ，或主體無取代。在前述取代基中，n可在1至10範圍內；且Ar₁ 及Ar₂ 可獨立地選自由以下組成之群：苯、聯苯、萘、聯伸三苯、咔唑及其雜芳族類似物。主體可為無機化合物。舉例而言，含Zn之無機材料，例如ZnS。 主體可為包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團之化合物：聯伸三苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜聯伸三苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。主體可包括金屬錯合物。主體可為(但不限於)選自由以下組成之群的特定化合物：

及其組合。以下提供關於可能的主體之額外資訊。 在本發明之又一態樣中，描述一種包含本文所揭示之新穎化合物的調配物。調配物可包括一或多種本文所揭示之選自由以下組成之群的組分：溶劑、主體、電洞注入材料、電洞傳輸材料及電子傳輸層材料。與其他材料之組合 本文中描述為適用於有機發光裝置中之特定層的材料可與裝置中存在之多種其他材料組合使用。舉例而言，本文所揭示之發射摻雜劑可與可能存在的廣泛多種主體、傳輸層、阻擋層、注入層、電極及其他層結合使用。下文描述或提及之材料係可與本文所揭示之化合物組合使用的材料之非限制性實例，且熟習此項技術者可容易地查閱文獻以鑑別可組合使用之其他材料。導電性摻雜劑： 電荷傳輸層可摻雜有導電性摻雜劑以實質上改變其電荷載體密度，此轉而將改變其導電性。導電性藉由在基質材料中生成電荷載體而增加，且視摻雜劑之類型而定，亦可實現半導體之費米能級(Fermi level)的變化。電洞傳輸層可摻雜有p型導電性摻雜劑，且n型導電性摻雜劑用於電子傳輸層中。 可與本文中所揭示之材料組合用於OLED中的導電性摻雜劑之非限制性實例與揭示彼等材料之參考文獻一起例示如下：EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804及US2012146012。

。HIL/HTL ： 本發明中所用之電洞注入/傳輸材料不受特別限制，且可使用任何化合物，只要化合物通常用作電洞注入/傳輸材料即可。材料之實例包括(但不限於)：酞菁或卟啉衍生物；芳族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烴之聚合物；具有導電性摻雜劑之聚合物；導電聚合物，諸如PEDOT/PSS；衍生自諸如膦酸及矽烷衍生物之化合物的自組裝單體；金屬氧化物衍生物，諸如MoO_x ；p型半導電有機化合物，諸如1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯六甲腈；金屬錯合物；以及可交聯化合物。 用於HIL或HTL之芳族胺衍生物的實例包括(但不限於)以下一般結構：

。 Ar¹ 至Ar⁹ 中之每一者選自：由芳族烴環狀化合物組成之基團，諸如苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、䓛、苝及薁；由芳族雜環化合物組成之基團，諸如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、㖕啉、喹唑啉、喹喏啉、㖠啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶及硒吩并二吡啶；以及由2至10個環狀結構單元組成之基團，該等環狀結構單元係選自芳族烴環基及芳族雜環基之相同類型或不同類型的基團且直接或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環基中之至少一者彼此鍵結。各Ar可未經取代或可經選自由以下組成之群的取代基取代：氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 在一個態樣中，Ar¹ 至Ar⁹ 獨立地選自由以下組成之群：

， 其中k係1至20之整數；X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 係C (包括CH)或N；Z¹⁰¹ 係NAr¹ 、O或S；Ar¹ 具有上文所定義之相同基團。 HIL或HTL中所用之金屬錯合物的實例包括(但不限於)以下通式：

其中Met係原子量可大於40之金屬；(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )係雙齒配位體，Y¹⁰¹ 及Y¹⁰² 獨立地選自C、N、O、P及S；L¹⁰¹ 係輔助配位體；k'係1至可與金屬連接之最大配位體數的整數值；且k'+k"係可與金屬連接之最大配位體數。 在一個態樣中，(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )係2-苯基吡啶衍生物。在另一態樣中，(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )係碳烯配位體。在另一態樣中，Met選自Ir、Pt、Os及Zn。在另一態樣中，金屬錯合物具有相較於Fc⁺ /Fc耦合的小於約0.6 V之溶液中最小氧化電勢。 可與本文中所揭示之材料組合用於OLED中的HIL及HTL材料之非限制性實例與揭示彼等材料之參考文獻一起例示如下：CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018。

。EBL ： 電子阻擋層(EBL)可用以減少離開發射層之電子及/或激子的數目。與缺乏阻擋層之類似裝置相比，該種阻擋層在裝置中之存在可產生實質上較高的效率及/或較長的壽命。此外，可使用阻擋層來將發射限制於OLED之所需區域。在一些實施例中，與最接近EBL界面之發射體相比，EBL材料具有較高LUMO (較接近真空能級)及/或較高三重態能量。在一些實施例中，與最接近EBL界面之主體中的一或多者相比，EBL材料具有較高LUMO (較接近真空能級)及或較高三重態能量。在一個態樣中，EBL中所用之化合物含有與下文所述之主體中的一者所用相同的分子或相同的官能基。主體： 本發明之有機EL裝置的發光層較佳地至少含有金屬錯合物作為發光材料，且可含有使用金屬錯合物作為摻雜劑材料之主體材料。主體材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，只要主體之三重態能量大於摻雜劑之三重態能量即可。任何主體材料可與任何摻雜劑一起使用，只要滿足三重態準則即可。 用作主體之金屬錯合物的實例較佳具有以下通式：

其中Met係金屬；(Y¹⁰³ -Y¹⁰⁴ )係雙齒配位體，Y¹⁰³ 及Y¹⁰⁴ 獨立地選自C、N、O、P及S；L¹⁰¹ 係另一配位體；k'係1至可與金屬連接之最大配位體數的整數值；且k' + k"係可與金屬連接之最大配位體數。 在一個態樣中，金屬錯合物係：

其中(O-N)係具有與O及N原子配位之金屬的雙齒配位體。 在另一態樣中，Met選自Ir及Pt。在另一態樣中，(Y¹⁰³ -Y¹⁰⁴ )係碳烯配位體。 用作主體之其他有機化合物的實例選自：由芳族烴環狀化合物組成之基團，諸如苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、聯伸四苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、䓛、苝及薁；由芳族雜環化合物組成之基團，諸如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、㖕啉、喹唑啉、喹喏啉、㖠啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶及硒吩并二吡啶；以及由2至10個環狀結構單元組成之基團，該等環狀結構單元係選自芳族烴環基及芳族雜環基之相同類型或不同類型的基團且直接或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環基中之至少一者彼此鍵結。各基團中之各選擇可未經取代或可經選自由以下組成之群的取代基取代：氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 在一個態樣中，主體化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中R¹⁰¹ 至R¹⁰⁷ 中之每一者獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，且當其為芳基或雜芳基時，其具有與上述Ar類似之定義。k為0至20或1至20之整數；k'''為0至20之整數。X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 選自C (包括CH)或N。 Z¹⁰¹ 及Z¹⁰² 選自NR¹⁰¹ 、O或S。 可與本文中所揭示之材料組合用於OLED中的主體材料之非限制性實例與揭示彼等材料之參考文獻一起例示如下：EP2034538、EP2034538A、EP2757608、JP2007254297、KR20100079458、KR20120088644、KR20120129733、KR20130115564、TW201329200、US20030175553、US20050238919、US20060280965、US20090017330、US20090030202、US20090167162、US20090302743、US20090309488、US20100012931、US20100084966、US20100187984、US2010187984、US2012075273、US2012126221、US2013009543、US2013105787、US2013175519、US2014001446、US20140183503、US20140225088、US2014034914、US7154114、WO2001039234、WO2004093207、WO2005014551、WO2005089025、WO2006072002、WO2006114966、WO2007063754、WO2008056746、WO2009003898、WO2009021126、WO2009063833、WO2009066778、WO2009066779、WO2009086028、WO2010056066、WO2010107244、WO2011081423、WO2011081431、WO2011086863、WO2012128298、WO2012133644、WO2012133649、WO2013024872、WO2013035275、WO2013081315、WO2013191404、WO2014142472，

。其他發射體 ： 一或多種其他發射體摻雜劑可與本發明化合物結合使用。其他發射體摻雜劑之實例不受特別限制，且可使用任何化合物，只要化合物通常用作發射體材料即可。適合發射體材料之實例包括(但不限於)可經由磷光、螢光、熱激活延遲螢光(亦即TADF，亦稱為E型延遲螢光)、三重態-三重態消滅或此等製程之組合產生發射的化合物。 可與本文中所揭示之材料組合用於OLED中的發射體材料之非限制性實例與揭示彼等材料之參考文獻一起例示如下：CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450。

。HBL ： 電洞阻擋層(HBL)可用以減少離開發射層之電洞及/或激子的數目。與缺乏阻擋層之類似裝置相比，該種阻擋層在裝置中之存在可產生實質上較高的效率及/或較長的壽命。此外，可使用阻擋層來將發射限制於OLED之所需區域。在一些實施例中，與最接近HBL界面之發射體相比，HBL材料具有較低HOMO (距真空能級較遠)及/或較高三重態能量。在一些實施例中，與最接近HBL界面之主體中的一或多者相比，HBL材料具有較低HOMO (距真空能級較遠)及/或較高三重態能量。 在一個態樣中，HBL中所用之化合物含有與上文所述之主體所用相同的分子或相同的官能基。 在另一態樣中，HBL中所用之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中k係1至20之整數；L¹⁰¹ 係另一配位體，k'係1至3之整數。ETL ： 電子傳輸層(ETL)可包括能夠傳輸電子之材料。電子傳輸層可為固有的(未經摻雜的)或經摻雜的。可使用摻雜來增強導電性。ETL材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，只要其通常用以傳輸電子即可。 在一個態樣中，ETL中所用之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中R¹⁰¹ 選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上述Ar類似之定義。Ar¹ 至Ar³ 具有與上文所提及之Ar類似的定義。k係1至20之整數。X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 選自C (包括CH)或N。 在另一態樣中，ETL中所用之金屬錯合物含有(但不限於)以下通式：

其中(O-N)或(N-N)係具有與原子O、N或N、N配位之金屬的雙齒配位體；L¹⁰¹ 係另一配位體；k'係1至可與金屬連接之最大配位體數的整數值。 可與本文中所揭示之材料組合用於OLED中的ETL材料之非限制性實例與揭示彼等材料之參考文獻一起例示如下：CN103508940、EP01602648、EP01734038、EP01956007、JP2004-022334、JP2005149918、JP2005-268199、KR0117693、KR20130108183、US20040036077、US20070104977、US2007018155、US20090101870、US20090115316、US20090140637、US20090179554、US2009218940、US2010108990、US2011156017、US2011210320、US2012193612、US2012214993、US2014014925、US2014014927、US20140284580、US6656612、US8415031、WO2003060956、WO2007111263、WO2009148269、WO2010067894、WO2010072300、WO2011074770、WO2011105373、WO2013079217、WO2013145667、WO2013180376、WO2014104499、WO2014104535，

。電荷產生層 (CGL) 在串聯或堆疊OLED中，CGL對效能起基本作用，其由分別用於注入電子及電洞之經n摻雜的層及經p摻雜的層組成。電子及電洞由CGL及電極供應。CGL中消耗之電子及電洞由分別自陰極及陽極注入之電子及電洞再填充；隨後，雙極電流逐漸達至穩定狀態。典型CGL材料包括傳輸層中所用之n及p導電性摻雜劑。 在OLED裝置之各層中所用的任何上文所提及之化合物中，氫原子可部分或完全氘化。因此，任何具體列出之取代基，諸如(但不限於)甲基、苯基、吡啶基等可為其非氘化、部分氘化及完全氘化形式。類似地，取代基類別(諸如(但不限於)烷基、芳基、環烷基、雜芳基等)亦可為其非氘化、部分氘化及完全氘化形式。 合成 材料合成-除非另外規定，否則所有反應均在氮氣氛圍下進行。反應之所有溶劑均為無水的且由商業來源按原樣使用。 化合物3393 [Ir(L_A17 )₂ (L_B5 )]之合成 6-(第三丁基)-4-氯-2H-哌喃-2-酮之合成

將6-(第三丁基)-4-羥基-2H-哌喃-2-酮(9.50 g，56.50 mmol)、POCl₃ (31.9 mL，198 mmol)及NEt₃ (7.8 mL，56.50 mmol)之溶液加熱至回流隔夜。將反應燒瓶冷卻至室溫且用冰淬滅反應混合物，且用EtOAc加以萃取。將粗產物吸附於矽藻土上且經由急驟層析(CH₂ Cl₂ /EtOAc/庚烷，1:4:45)純化，得到呈金色油狀之6-(第三丁基)-4-氯-2H-哌喃-2-酮(10.0 g，95%)。 1-(第三丁基)-3-氯萘之合成

將6-(第三丁基)-4-氯-2H-哌喃-2-酮(8.90 g，47.70 mmol)於1,2-二甲氧乙烷(100 mL)中之溶液加熱至100℃。隨後，藉助於加料漏斗以逐滴方式將預先溶解於1,2-二甲氧乙烷(60 mL)中之亞硝酸異戊酯(9.63 mL，71.50 mmol)及預先溶解於1,2-二甲氧乙烷(60 mL)中之2-胺基苯甲酸(9.81 g，71.50 mmol)同時添加至反應混合物中。在100℃下將反應混合物攪拌隔夜。將反應燒瓶冷卻至室溫且真空濃縮反應混合物。將粗產物吸附於矽藻土上且經由急驟層析(CH₂ Cl₂ /EtOAc/庚烷，1:2:47)純化，得到呈淡黃色油狀之1-(第三丁基)-3-氯萘(6.7 g，64%)。 2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼㖦之合成

將1-(第三丁基)-3-氯萘(6.20 g，28.30 mmol)、4,4,4',4',5,5,5',5'-八甲基-2,2'-二(1,3,2-二氧硼㖦) (9.36 g，36.90 mmol)、Pd₂ (dba)₃ (0.52 g，0.57 mmol)、SPhos (0.93 g，2.27 mmol)及KOAc (8.35 g，85.00 mmol)於1,4-二噁烷(90 mL)中之溶液加熱至110℃持續17 h。此後，將反應燒瓶冷卻至室溫且通過矽藻土塞過濾反應混合物，用EtOAc溶離且加以真空濃縮。將粗產物吸附於矽藻土上且經由急驟層析(EtOAc/庚烷，1:49至1:9)純化，得到呈灰白色固體狀之2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼㖦(8.80 g，93%)。 2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二氯喹啉之合成

將2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼㖦(4.31 g，13.90 mmol)、2,4,5-三氯喹啉(3.20 g，13.76 mmol)、K₂ CO₃ (5.71 g，41.30 mmol)、THF (51 mL)及H₂ O (17 mL)合併於燒瓶中。用N₂ 吹掃反應混合物15 min，之後添加Pd(PPh₃ )₄ (0.80 g，0.69 mmol)。隨後將反應混合物加熱至75℃持續16 h。此後，將反應燒瓶冷卻至室溫且用EtOAc萃取反應混合物。將粗產物吸附於矽藻土上且經由急驟層析(EtOAc/庚烷，1:49)純化，得到呈黃色固體狀之2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二氯喹啉(5.50 g，99%)。 2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二甲基喹啉之合成

將2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二氯喹啉(5.50 g，14.46 mmol)、Pd₂ (dba)₃ (0.53 g，0.58 mmol)、SPhos (0.95 g，2.31 mmol)、三甲基硼氧雜環己烷(4.85 mL，34.70 mmol)及K₃ PO₄ (12.28 g，57.80 mmol)於甲苯(65.0 mL)及H₂ O (6.50 mL)中之溶液用N₂ 吹掃15 min，且加熱至100℃持續19 h。此後，將反應燒瓶隨後冷卻至室溫且用EtOAc萃取反應混合物。將粗產物吸附於矽藻土上且經由急驟層析(EtOAc/庚烷，1:99至1:49)且隨後經由逆相層析(MeCN/H₂ O，90:10至92/8至95/5)純化，得到呈白色固體狀之2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二甲基喹啉(3.50 g，71%)。 銥(III)二聚體之合成

將2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,5-二甲基喹啉(3.52 g，10.36 mmol)溶解於2-乙氧基乙醇(42.0 mL)及水(14.0 mL)中且用N₂ 使混合物脫氣15 min。隨後添加四水合氯化銥(III) (1.28 g，3.45 mmol)且在N₂ 下將反應混合物加熱至105℃持續16 h。此後，將反應燒瓶冷卻至室溫。用MeOH稀釋反應混合物且加以過濾，使用真空烘箱乾燥，獲得深褐色沈澱物(1.94 g，62%)。 化合物3393 [Ir(L_A17 )₂ (L_B5 )]之合成

用N₂ 使銥(III)二聚體(1.00 g，0.55 mmol)及3,7-二乙基壬烷-4,6-二酮(1.30 mL，5.53 mmol)於2-乙氧基乙醇(18 mL)中之溶液脫氣持續15 min。隨後添加K₂ CO₃ (0.76 g，5.53 mmol)且在室溫下在N₂ 下將反應混合物攪拌21 h。此後，通過矽藻土塞過濾反應混合物，使用單獨過濾器燒瓶首先用MeOH之後用CH₂ Cl₂ 溶離。隨後真空濃縮所收集之濾液。將粗產物吸附於矽藻土上且使用CH₂ Cl₂ /庚烷(1:99至1:49至1:9)經由急驟層析(用庚烷/三乙胺，9:1預處理)純化，得到呈紅色固體狀之化合物3393 [Ir(L_A17 )₂ (L_B5 )] (0.35 g，29%)。 化合物3899 [Ir(L_A523 )₂ (L_B5 )]之合成 4-(4-(第三丁基)萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶之合成

將4-氯-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(2.10 g，9.87 mmol)、2-(4-(第三丁基)萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼㖦(3.22 g，10.4 mmol)、K₂ CO₃ (3.41 g，24.7 mmol)、DME (53 mL)及H₂ O (18 mL)合併於燒瓶中。用N₂ 吹掃反應混合物15 min，隨後添加Pd(PPh₃ )₄ (0.57 g，0.49 mmol)。隨後在N₂ 下將反應混合物加熱至75℃隔夜。在反應完成後，將反應燒瓶冷卻至室溫且用EtOAc萃取反應混合物。經由急驟層析庚烷/EtOAc (9:1至4:1)純化粗產物，得到4-(4-(第三丁基)萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(3.26 g，產率92%)。 銥(III)二聚體之合成

將4-(4-(第三丁基)萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(3.16 g，8.77 mmol)溶解於2-乙氧基乙醇(37 mL)及水(12 mL)中且用N₂ 使混合物脫氣15 min。隨後添加四水合氯化銥(III) (1.00 g，2.70 mmol)且在N₂ 下將反應混合物加熱至105℃隔夜。此後，將反應燒瓶冷卻至室溫。用MeOH稀釋且過濾反應混合物以獲得綠色沈澱物，使用真空烘箱對其加以乾燥(定量)。 化合物3899 [Ir(L_A523 )₂ (L_B5 )]之合成

用N₂ 使銥(III)二聚體(1.50 g，0.79 mmol)及3,7-二乙基壬烷-4,6-二酮(1.26 g，5.94 mmol)於2-乙氧基乙醇(26 mL)中之溶液脫氣持續15 min。隨後添加K₂ CO₃ (0.82 g，5.94 mmol)且在室溫下在N₂ 下將反應混合物攪拌隔夜。此後，通過矽藻土塞過濾反應混合物，使用單獨過濾器燒瓶首先用MeOH之後用CH₂ Cl₂ 溶離。隨後真空濃縮所收集之濾液。經由使用CH₂ Cl₂ /庚烷(1:4)之急驟層析(用庚烷/三乙胺，9:1預處理)純化粗產物，得到呈紅色固體狀之化合物3899 [Ir(L_A523 )₂ (L_B5 )] (0.70 g，79%)。 化合物5975 [Ir(L_A783 )₂ (L_B5 )]之合成 3-氟萘-2-酚(3-Fluoronaphthalen-2-ol)之合成

向1,3-二氫-2H-茚-2-酮(20 g，151 mmol)及四丁基溴化銨(4.88 g，15.13 mmol)於甲苯(500 ml)中之溶液中添加(溴二氟甲基)三甲基矽烷(35.3 ml，227 mmol)。反應加熱至100℃且攪拌2.5小時。添加(溴二氟甲基)三甲基矽烷(35.3 ml，227 mmol)且在100℃下將反應再攪拌3小時。使反應冷卻至室溫且添加四-正丁基氟化銨(1 M於THF中) (30.3 ml，30.3 mmol)。在室溫下使反應攪拌約18 h。將反應傾入1 N HCl(水溶液)中且用EtOAc萃取。將1 N NaOH(水溶液)添加至有機相中且分離各層。藉由添加1 N HCl酸化水相且用EtOAc再萃取。用鹽水洗滌有機相，乾燥(MgSO₄ )且在減壓下濃縮。經由急驟層析(異己烷至異己烷中之20% EtOAc)純化粗產物，得到3-氟萘-2-酚(8.9 g，54.9 mmol，產率36%)。 三氟甲烷磺酸3-氟萘-2-基酯(3-Fluoronaphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate)之合成

在0℃下向3-氟萘-2-酚(8.90 g，54.9 mmol)及Et₃ N (9.2 ml，65.9 mmol)於DCM (200 ml)中之溶液中添加Tf₂ O (11.1 ml，65.9 mmol)。在此溫度下攪拌反應持續1.5 h。經由添加NaHCO₃ 飽和水溶液淬滅反應且用DCM (× 2)萃取混合物。對經合併之有機萃取物進行乾燥(MgSO₄ )且在減壓下濃縮。經由急驟層析(異己烷至異己烷中之10% EtOAc)純化粗產物，得到呈無色油狀之三氟甲烷磺酸3-氟萘-2-基酯(13.3 g，產率82%)。 2-(3-氟-萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧硼㖦之合成

將PdCl₂ (dppf)-CH₂ Cl₂ 加合物(2.50 g，3.06 mmol)添加至三氟甲烷磺酸3-氟萘-2-基酯(18 g，61.2 mmol)、雙(頻哪醇根基)二硼(bis(pinacolato)diboron) (46.6 g，184 mmol)及乙酸鉀(18 g，184 mmol)於二噁烷(200 ml)中之脫氣溶液中。反應加熱至回流持續2 h且隨後使其冷卻至室溫。將反應在EtOAc與水之間分配且分離各層。對有機相進行乾燥(MgSO₄ )且在減壓下濃縮以得到粗物質。通過二氧化矽墊過濾粗物質，用DCM加以洗滌。在減壓下濃縮濾液，得到2-(3-氟-萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧硼㖦及雙(頻哪醇根基)二硼之混合物(¹ H NMR證據)。 (3-氟萘-2-基)

酸之合成

向粗製2-(3-氟-萘-2-基)-4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧硼㖦及雙(頻哪醇根基)二硼混合物(50 g)於IPA (400 ml)中之溶液中添加濃HCl (153 ml，1837 mmol)。將反應燒瓶加熱至回流持續約18 h。使反應燒瓶冷卻至室溫且在減壓下移除大部分IPA。過濾所得沈澱物。經由急驟層析(4/1至1/1異己烷/EtOAc)純化沈澱物且自IPA/水再結晶。再結晶總共產生3種批料。來自第一再結晶之濾液隨長時間靜置/緩慢蒸發而產生其他物質。同樣，由此第二再結晶獲得第三批料。將所有批料溶解於MeOH中，加以合併且在氮氣流下濃縮。在真空烘箱中乾燥3天，經2個步驟產生7.1 g (3-氟萘-2-基)

酸/2-(1-氟萘-2-基)-4,6-雙(3-氟萘-2-基)-1,3,5,2,4,6-三氧雜三硼雜環己烷(產率50%)。 4-(3-氟萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶之合成

250 mL RBF裝有4-氯-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(3.0 g，14.1 mmol)、(3-氟萘-2-基)

酸(2.95 g，15.5 mmol)、碳酸鉀(4.87 g，35.3 mmol)、Pd(PPh₃ )₄ (0.49 g，0.42 mmol)、THF (53 mL)及水(18 mL)，用氮氣脫氣且在70℃下加熱至回流隔夜。將反應混合物冷卻至室溫且用鹽水洗滌。有機層經硫酸鈉乾燥，加以過濾且濃縮。經由急驟層析(EtOAc/庚烷，1:19)純化粗產物，得到呈黏性油狀之4-(3-氟萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(4.20 g，產率92%)，其在靜置後會緩慢結晶。藉由由MeOH再結晶來實現進一步純化。 Ir(III)二聚體之合成

在燒瓶中將4-(3-氟萘-2-基)-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(2.35 g，8.77 mmol)溶解於2-乙氧基乙醇(30 mL)及水(10 mL)中。用氮氣吹掃反應持續15 min，隨後添加四水合氯化銥(III) (0.90 g，2.43 mmol)。在氮氣下在設定處於105℃下之油浴中加熱反應隔夜。使反應冷卻，用MeOH稀釋，使用MeOH過濾出沈澱物，隨後在真空烘箱中乾燥兩小時，得到2.1 g深紅色固體(產率98%)。將其按原樣用於下一步驟。 化合物5975 [Ir(L_A783 )₂ (L_B5 )]之合成

將二聚體(1.00 g，0.57 mmol)、3,7-二乙基壬烷-4,6-二酮(0.92 g，4.31 mmol)及2-乙氧基乙醇(19 mL)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃反應持續15分鐘，隨後添加碳酸鉀(0.60 g，4.31 mmol)。在室溫下在氮氣下攪拌反應隔夜。用MeOH稀釋反應，隨後使用矽藻土過濾出固體。使用DCM回收沈澱物。經由急驟層析(庚烷/DCM，4:1至3:1)純化固體，得到呈紅色固體狀之化合物5975 [Ir(L_A783 )₂ (L_B5 )] (0.70 g，產率58%)。 化合物6040 [Ir(L_A848 )₂ (L_B5 )]之合成 7-異丙基-4-(3-甲基萘-2-基)噻吩并[3,2-d]嘧啶之合成。

將4-氯-7-異丙基噻吩并[3,2-d]嘧啶(3.0 g，14.1 mmol)、(4,4,5,5-四甲基-2-(3-甲基萘-2-基)-1,3,2-二氧硼㖦(3.86 g，14.4 mmol)、碳酸鉀(4.87 g，35.3 mmol)、DME (75 mL)及水(25 mL)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃反應持續15分鐘，隨後添加Pd(PPh₃ )₄ (0.489 g，0.423 mmol)。在氮氣下在油浴中將反應加熱至回流隔夜。用EtOAc萃取反應混合物。用鹽水洗滌有機相兩次，用硫酸鈉乾燥，加以過濾且濃縮成褐色固體。使用急驟層析(庚烷/EtOAc/DCM，18:1:1至16:3:1)純化褐色固體，得到呈白色固體狀之7-異丙基-4-(3-甲基萘-2-基)噻吩并[3,2-d]嘧啶(3.50 g，產率78%)。 Ir(III)二聚體之合成

將7-異丙基-4-(3-甲基萘-2-基)噻吩并[3,2-d]嘧啶(2.93 g，9.21 mmol)、2-乙氧基乙醇(54 mL)及水(18 mL)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃反應持續15分鐘，隨後添加四水合氯化銥(III) (1.05 g，2.83 mmol)。在氮氣下在設定處於105℃下之油浴中加熱反應隔夜。使反應冷卻，用MeOH稀釋，使用MeOH過濾出沈澱物，隨後在真空烘箱中乾燥兩小時，得到2.2 g深紅色固體(產率90%)。按原樣用於下一步驟。 化合物6040 [Ir(L_A848 )₂ (L_B5 )]之合成

將二聚體(2.20 g，1.28 mmol)、3,7-二乙基壬烷-4,6-二酮(2.71 ml，12.8 mmol)及2-乙氧基乙醇(30 ml)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃反應持續15 min，隨後添加碳酸鉀(1.76 g，12.8 mmol)。經一個週末在室溫下在氮氣下攪拌反應。用MeOH稀釋反應，隨後使用矽藻土過濾出深紅褐色固體。使用DCM回收沈澱物，得到紅褐色固體。經由用75/15/10庚烷/DCM/Et₃ N預處理之急驟層析，隨後庚烷/DCM (19:1至17:3)純化固體，得到1.10 g紅色固體。將固體溶解於DCM中且添加MeOH，在旋轉蒸發器上在30℃浴溫下將混合物部分濃縮。過濾出沈澱物且在真空烘箱中乾燥隔夜，得到呈紅色固體狀之化合物6040 [Ir(L_A848 )₂ (L_B5 )] (0.94 g，36%)。 比較化合物1之合成 4,5-二氯-2-(3-甲基萘-1-基)喹啉之合成。

將2,4,5-三氯喹啉(3.05 g，13.1 mmol)、4,4,5,5-四甲基-2-(3-甲基萘-1-基)-1,3,2-二氧硼㖦(3.87 g，14.4 mmol)及碳酸鉀(5.44 g，39.4 mmol)添加至燒瓶中。隨後添加THF (98 mL)及水(33 mL)，且用氮氣使反應混合物脫氣持續15分鐘。添加Pd(PPh₃ )₄ (0.60 g，0.53 mmol)且將反應加熱至回流隔夜。完成後，添加水且用乙酸乙酯萃取混合物。使用庚烷/乙酸乙酯/DCM (90/5/5)之混合物作為溶劑系統經由管柱層析純化粗物質。隨後由甲醇且隨後由庚烷濕磨產物，得到3.30 g (產率74%)標題化合物。 4,5-二甲基-2-(3-甲基萘-1-基)喹啉之合成。

將4,5-二氯-2-(3-甲基萘-1-基)喹啉(3.10 g，9.17 mmol)、Pd₂ (dba)₃ (0.17 g，0.18 mmol)、SPhos (0.30 g，0.73 mmol)及磷酸鉀(5.84 g，27.5 mmol)添加至燒瓶中。添加甲苯(56 mL)及水(6 mL)，之後經由注射器添加2,4,6-三甲基-1,3,5,2,4,6-三氧雜三硼雜環己烷(3.1 ml，22.0 mmol)。用氮氣使反應混合物脫氣持續15分鐘且隨後加熱至回流隔夜。完成後，將水添加至混合物中且用乙酸乙酯萃取該混合物。使用庚烷/乙酸乙酯(90/10)作為溶劑系統經由管柱層析純化粗物質。產物仍含有0.45%雜質，因此使用庚烷/乙酸乙酯(95/5)作為溶劑系統再次經由管柱層析對其進行純化。得到呈白色固體狀之標題化合物(2.35 g，產率86%)。 Ir(III)二聚體之合成

將4,5-二甲基-2-(3-甲基萘-1-基)喹啉(2.387 g，8.03 mmol)、2-乙氧基乙醇(39 mL)及水(13 mL)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃混合物持續15 min，隨後添加四水合氯化銥(III) (0.85 g，2.29 mmol)且在氮氣下在105℃下加熱反應隔夜。將混合物冷卻至室溫，用MeOH稀釋且過濾出沈澱物，得到1.00 g (產率53%)二聚體。 比較化合物1之合成

將Ir(III)二聚體(1.00 g，0.61 mmol)、3,7-二乙基壬烷-4,6-二酮(1.44 mL，6.09 mmol)及2-乙氧基乙醇(20 mL)合併於燒瓶中。用氮氣吹掃反應持續15 min，隨後添加碳酸鉀(0.84 g，6.09 mmol)。在室溫下攪拌反應隔夜。將甲醇添加至混合物中且在矽藻土墊上過濾出沈澱物。隨後用DCM洗滌矽藻土上之固體且將產物收集於過濾燒瓶中。將所收集之產物溶解於DCM中且在二氧化矽墊上加以過濾。隨後在MeOH中濕磨產物且由DCM/EtOH再結晶，得到0.85 g (產率70%)目標物。 實驗 裝置實例 所有實例裝置均藉由高真空(＜ 10^-7 托)熱蒸發製造。陽極電極係1150 Å之氧化銦錫(ITO)。陰極由10 Å之Liq (8-羥基喹啉鋰)隨後為1,000 Å之Al組成。在製造之後，立即在氮氣手套箱(＜1 ppm之H₂ O及O₂ )中將所有裝置用經環氧樹脂密封之玻璃蓋包封，且將吸濕氣劑併入至包裝內部。裝置實例之有機堆疊自ITO表面依序由以下組成：100 Å之HATCN作為電洞注入層(HIL)；450 Å之HTM作為電洞傳輸層(HTL)；含有化合物H作為主體、穩定性摻雜劑(SD) (18%)及比較化合物1或化合物3393、3899、5975及6040作為發射體(3%)的400 Å之發射層(EML)；及摻雜有40% ETM的350 Å之Liq (8-羥基喹啉鋰)作為ETL。發射體經選擇以提供所需顏色、效率及壽命。將SD添加至電子傳輸主體中以幫助傳輸發射層中之正電荷。類似於裝置實例製造比較實例裝置，不同之處在於將比較化合物1用作EML中之發射體。圖1展示示意性裝置結構。表1展示裝置層厚度及材料。裝置材料之化學結構展示如下。

裝置效能資料概述於表2中。比較化合物1展現出640 nm之最大發射波長(λ最大值)。相較於比較化合物1，本發明化合物，亦即化合物3,393；3,899；及5,975經設計成發生藍移且提供較好外部量子效率(EQE)。化合物6,040經設計成發生紅移。為了提供較好的裝置效能，使用不同萘區域異構體。針對本發明化合物，吾人獲得介於604與628 nm之間的峰值波長。另一方面，相較於比較化合物1，化合物6,040發生紅移，峰值波長處於653 nm下。使用本發明組態，半高全寬(FWHM)亦得到顯著改良，其中相較於比較化合物1的1.00之FWHM，本發明化合物展示出0.76及0.74之FWHM。化合物6,040略微更寬，呈1.10。此外，需要將龐大側鏈(第三丁基、環烷基等)包括在4位處或將任何取代包括在萘基部分之3位處，以便鎖定在朝向最終物質之銥的所需萘定向中。萘基區域異構體與側鏈之組合使得本發明化合物表現良好。針對本發明化合物之EQE要更高，其相對值在1.20與1.51之間。 表1. 裝置層材料及厚度

表2. 具有紅色發射體實例之裝置的效能

應理解，本文所述之各種實施例僅藉助於實例，且並不意圖限制本發明之範疇。舉例而言，可在不背離本發明之精神的情況下用其他材料及結構取代本文所述之許多材料及結構。如所主張之本發明因此可包括本文所述之特定實例及較佳實施例的變化形式，如熟習此項技術者將顯而易見。應理解，關於本發明為何起作用之各種理論並不意圖為限制性的。

100‧‧‧有機發光裝置110‧‧‧基板115‧‧‧陽極120‧‧‧電洞注入層125‧‧‧電洞傳輸層130‧‧‧電子阻擋層135‧‧‧發射層140‧‧‧電洞阻擋層145‧‧‧電子傳輸層150‧‧‧電子注入層155‧‧‧保護層160‧‧‧陰極162‧‧‧第一導電層164‧‧‧第二導電層170‧‧‧阻擋層200‧‧‧倒置式OLED210‧‧‧基板215‧‧‧陰極220‧‧‧發射層225‧‧‧電洞傳輸層230‧‧‧陽極

圖1展示一種有機發光裝置。 圖2展示不具有獨立電子傳輸層之倒置式有機發光裝置。

100‧‧‧有機發光裝置

110‧‧‧基板

115‧‧‧陽極

120‧‧‧電洞注入層

125‧‧‧電洞傳輸層

130‧‧‧電子阻擋層

135‧‧‧發射層

140‧‧‧電洞阻擋層

145‧‧‧電子傳輸層

150‧‧‧電子注入層

155‧‧‧保護層

160‧‧‧陰極

162‧‧‧第一導電層

164‧‧‧第二導電層

170‧‧‧阻擋層

Claims (12)

1. 一種包含配位體L_A之化合物，其中該配位體L_A選自由以下組成之群：

   

   

   及

   

   ，其中R¹、R²、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹²、R¹³及R¹⁴各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中任何兩個取代基視情況接合以形成環；或該配位體L_A選自由以下組成之群： L_A1至L_A260，該等L_A1至L_A260係基於式II，

   

   結構，其中如下提 供定義R¹、R²、R⁴及R⁵：

   

   

   

   

   L_A261至L_A520，該等L_A261至L_A520係基於式III，

   

   結構，其中如下提供定義R¹、R⁹、R¹⁰及Y：

   

   

   

   

   

   L_A521至L_A780，該等L_A521至L_A780係基於式IV，

   

   結構，其中如下提供定義R¹、R¹¹、R¹²及X：

   

   

   

   

   

   L_A781至L_A1170，該等L_A781至L_A1170係基於式IV，

   

   結構，其中如下提供定義R¹、R²、R¹¹及R¹²：

   

   

   

   

   

   

   

   L_A1171至L_A1266，該等L_A1171至L_A1266係基於式V，

   

   結構，其中如下提供定義R¹、R²、R¹³及X：

   

   

   

   L_A1267至L_A1298，該等L_A1267至L_A1298係基於式VI，

   

   結構，其中如下提供定義R¹、R²及R¹⁴：

   

   其中R_B1至R_B23具有以下結構：

   

   

   且其中R_A1至R_A51具有以下結構：

   

   

   

   

   及

   

   及

   

   其中L_A配位至金屬M；其中L_A視情況與其他配位體鍵聯以構成三齒、四齒、五齒或六齒配位體；且其中M視情況配位至其他配位體。
2. 如請求項1之化合物，其中M選自由以下組成之群：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au及Cu；或M為Ir或Pt。
3. 如請求項1或2之化合物，其中R¹為第三丁基或經取代之第三丁基。
4. 如請求項1或2之化合物，其中R¹及R²形成芳族環，其能夠進一步經取代。
5. 如請求項1或2之化合物，其中R²選自由以下組成之群：氘、氟、烷基、環烷基及其組合。
6. 如請求項1或2之化合物，其中該化合物具有式(L_A)_nIr(L_B)_3-n；其中L_B為雙齒配位體；其中n為1、2或3；且其中L_B選自由以下組成之群：

   
7. 如請求項1或2之化合物，其中該化合物選自由以下組成之群：化合物1至化合物22,066；其中各化合物x具有式Ir(L_Ak )₂(L_Bj )；其中x=1298j+k-1298，k為1至1298之整數，且j為1至17之整數；且其中L_B1至L_B17定義如下：

   
8. 一種第一裝置，其包含第一有機發光裝置，該第一有機發光裝置包含：陽極；陰極；及安置於該陽極與該陰極之間的有機層，該有機層包含如請求項1至7中任一項之化合物。
9. 如請求項8之第一裝置，其中該有機層為發射層且該化合物為發射摻雜劑或非發射摻雜劑。
10. 如請求項8之第一裝置，其中該有機層進一步包含主體，其中該主體包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團：咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩；或該主體選自由以下組成之群：

    

    

    

    及其組合。
11. 一種消費型產品，其包含含有第一有機發光裝置之如請求項8至10中任一項之第一裝置。
12. 如請求項11之消費型產品，其中該消費型產品選自由以下組成之群：平板顯示器、電腦監視器、醫療監視器、電視機、告示牌、用於內部 或外部照明及/或發信號之燈、抬頭顯示器、全透明或部分透明之顯示器、可撓性顯示器、雷射印表機、電話、行動電話、平板電腦、平板手機、個人數位助理(PDA)、可佩戴裝置、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、取景器、微型顯示器、3-D顯示器、虛擬實境或擴增實境顯示器、交通工具、包含多個平鋪在一起之顯示器的視訊牆、劇院或體育館螢幕、及指示牌。

Images