KR20210068577A - 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치 - Google Patents

패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210068577A
KR20210068577A KR1020217015656A KR20217015656A KR20210068577A KR 20210068577 A KR20210068577 A KR 20210068577A KR 1020217015656 A KR1020217015656 A KR 1020217015656A KR 20217015656 A KR20217015656 A KR 20217015656A KR 20210068577 A KR20210068577 A KR 20210068577A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
circular
electrically conductive
pattern
core via
Prior art date
Application number
KR1020217015656A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102413117B1 (ko
Inventor
노영호
김성진
김진철
Original Assignee
에스케이씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이씨 주식회사 filed Critical 에스케이씨 주식회사
Priority to KR1020227020326A priority Critical patent/KR20220089715A/ko
Publication of KR20210068577A publication Critical patent/KR20210068577A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102413117B1 publication Critical patent/KR102413117B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H05K3/4605—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated made from inorganic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B80/00—Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1418—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/14181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

구현예는 패키징 기판 및 반도체 장치에 관한 것으로, 반도체 소자를 포함하는 소자부;와 상기 소자부와 전기적으로 연결되는 패키징 기판;을 포함하며 상기 패키징 기판에 유리기판을 코어로 적용하여 반도체 소자와 마더보드 사이를 보다 가깝게 연결해 전기적 신호가 최대한 짧은 거리로 전달되도록 한다. 이에, 신호 전달 속도 등의 전기적 특성을 크게 향상시키고, 기생소자 발생을 실질적으로 막아 절연막 처리 공정을 보다 단순화시킬 수 있으며, 고속 회로에 적용 가능한 패키징 기판을 제공한다.

Description

패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
구현예는 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
[연관된 출원과의 상호참조]
본 출원은 2019년 08월 23일에 출원된 미국 가출원 특허출원번호 62/890,689에 의한 우선권의 이익을 가지며, 상기 우선권의 기초 출원의 내용 모두는 본 출원의 내용으로 포함된다.
전자부품을 제작하는데 있어 반도체 웨이퍼에 회로를 구현하는 것을 전 공정 (FE:Front-End)이라 하고, 웨이퍼를 실제 제품에서 사용할 수 있는 상태로 조립하는 것을 후 공정(BE:Back-End) 이라 하며, 이 후 공정 중에 패키징 공정이 포함된다.
최근 전자제품의 급속한 발전을 가능하게 한 반도체 산업의 4가지 핵심기술로는 반도체 기술, 반도체 패키징 기술, 제조공정 기술, 소프트웨어 기술이 있다. 반도체 기술은 마이크로 이하 나노 단위의 선폭, 천만 개 이상의 셀(Cell), 고속 동작, 많은 열 방출 등 다양한 형태로 발전하고 있으나 상대적으로 이를 완벽하게 패키징하는 기술이 뒷받침되지 못하고 있다. 이에, 반도체의 전기적 성능이 반도체 기술 자체의 성능보다는 패키징 기술과 이에 따른 전기적 접속에 의해 결정되기도 한다.
패키징 기판의 재료로는 세라믹 또는 수지가 적용된다. 세라믹 기판의 경우, 저항값이 높거나 유전율이 높아 고성능 고주파의 반도체 소자를 탑재하기에 쉽지 않다. 수지 기판의 경우 상대적으로 고성능 고주파의 반도차체 소자를 탑재할 수는 있으나, 배선의 피치 축소에 한계가 있다.
최근, 하이엔드용 패키징 기판으로 실리콘이나 유리를 적용한 연구들이 진행중이다. 실리콘이나 유리 기판에 관통구멍을 형성하고 도전성 물질을 이 관통구멍에 적용해서 소자와 마더보드 사이에 배선길이가 짧아지고 우수한 전기적 특징을 가질 수 있다.
관련 선행문헌으로,
한국 공개특허공보 제10-2019-0008103호,
한국 공개특허공보 제10-2016-0114710호,
한국 등록특허공보 제10-1468680호 등이 있다.
구현예의 목적은 유리기판을 적용하여 보다 집적화된 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 일 구현예에 따른 패키징 기판은,
서로 마주보는 제1면과 제2면을 갖는 유리기판;을 포함하는 코어층; 및
상기 유리기판을 두께 방향으로 관통하는 다수의 코어비아;를 포함하고,
상기 코어비아는 개구부가 원형인 원형코어비아와 개구부의 x-y 방향 종횡비가 1.2 이상인 비원형코어비아;를 포함하며,
상기 비원형코어비아 상에는 1 또는 2개 이상의 전력전달소자가 위치할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 비원형코어비아의 내부에는 최소 두께가 5 ㎛ 이상인 전기전도성층이 위치할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 비원형코어비아의 내부에는, 상기 비원형코어비아의 내부 부피의 30 % 이상을 채우는 전기전도성층이 위치할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 비원형코어비아는 그 개구부의 형태가 타원형, 사각형, L형, 또는 U형인 것을 포함할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 비원형코어비아의 내부에 위치하는 비원형비아분배패턴;을 포함하고,
상기 비원형비아분배패턴은,
상기 비원형코어비아의 내부 공간이 모두 전기전도성층으로 채워진 충진비아패턴; 및
상기 비원형코어비아의 내부 공간 일부는 전기전도성층으로 채워지고 나머지 부분은 절연층으로 채워진 복합형비아패턴;
중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 충진비아패턴은,
상기 비원형코어비아의 내부공간이 모두 전기전도성층으로 충진된 충진비아패턴 I; 및
상기 비원형코어비아는 컨포멀비아패턴을 포함하고, 그 내부공간이 모두 전기전도성층으로 충진된 충진비아패턴 II;
중 어느 하나 이상의 패턴을 포함할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 복합형비아패턴은,
상기 비원형코어비아의 내경면과 실질적으로 맞닿도록 전기전도성층이 형성되고, 상기 비원형코어비아 내 나머지 부분에 절연층이 채워진 복합형비아패턴 I; 및
상기 비원형코어비아의 내경면과 실질적으로 맞닿도록 절연층이 형성되고, 상기 절연층 외의 공간에 전기전도성층이 형성된 복합형비아패턴 II;
중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 비원형비아분배패턴의 전기전도성층과 상기 전력전달소자의 전극이 연결될 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 코어비아는 상기 제1면과 접하는 제1개구부; 상기 제2면과 접하는 제2개구부; 그리고 상기 제1개구부와 제2개구부를 연결하는 전체 코어비아에서 그 내경이 가장 좁은 구역인 최소내경부;를 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 일 구현예에 따른 반도체 장치는,
1 이상의 반도체소자를 포함하는 반도체소자부;
상기 반도체소자부와 전기적으로 연결되는 상기에 따른 패키징 기판; 및
상기 패키징 기판과 전기적으로 연결되며 상기 반도체소자와 외부의 전기적 신호를 전달하고 서로 연결하는 마더보드;를 포함할 수 있다.
구현예의 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치는 반도체 소자와 마더보드 사이를 보다 가깝게 연결해 전기적 신호가 최대한 짧은 거리로 전달되도록 하여 신호 전달 속도 등의 전기적 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 기판의 코어로 적용하는 유리기판은 그 자체가 절연체이기 때문에 기존의 실리콘 코어와 비교하여 기생 소자 발생의 염려가 거의 없어서 절연막 처리 공정을 보다 단순화시킬 수 있고, 고속 회로에도 적용이 가능하다.
아울러, 실리콘이 둥근 웨이퍼의 형태로 제조되는 것과 달리, 유리 기판은 대형 패널 형태로 제조되기 때문에 대량 제조가 비교적 용이하고 경제성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 구현예에 따른 코어비아와 비원형비아가 형성된 모습을 설명하는 개념도 (a)과 전력전달소자가 배치된 모습을 설명하는 개념도 (b).
도 2의 (a)는 상기 도 1 (a)의 a-a' 단면의 일부를 설명하는 개념도이고, (b)는 상기 도 1 (a)의 b-b' 단면 일부를 설명하는 개념도.
도 3의 (a) 내지 (d)는 구현예의 비원형비아에 분배패턴이 형성된 모습을 단면으로 설명하는 개념도.
도 4의 (a)와 (b)는 각각 구현예의 비원형비아 상에 전력전달소자가 배치된 모습을 x-z 방향 단면(a)과 y-z 방향 단면(b)에서 설명하는 개념도.
도 5는 구현예에 따른 반도체 장치의 단면을 설명하는 개념도.
도 6은 다른 구현예에 따른 패키징기판의 단면을 설명하는 개념도.
도 7의 (a)와 (b)는 각각 구현예에서 적용하는 코어비아의 단면을 설명하는 개념도.
도 8과 도 9는 각각 구현예에 따른 패키징기판의 단면의 일부를 설명하는 상세개념도(동그라미는 상면 또는 저면에서 관찰한 모습을 나타냄).
도 10 내지 도 11은 구현예에 따른 패키징 기판의 제조과정을 단면으로 설명하는 순서도.
이하, 구현예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 구현예는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
본 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서 전체에서, “제1”, “제2” 또는 “A”, “B”와 같은 용어는 동일한 용어를 서로 구별하기 위하여 사용된다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, “~”계는, 화합물 내에 “~”에 해당하는 화합물 또는 “~”의 유도체를 포함하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
본 명세서에서, A 상에 B가 위치한다는 의미는 A 상에 직접 맞닿게 B가 위치하거나 그 사이에 다른 층이 위치하면서 A 상에 B가 위치하는 것을 의미하며 A의 표면에 맞닿게 B가 위치하는 것으로 한정되어 해석되지 않는다.
본 명세서에서, A 상에 B와 연결된다는 의미는 A와 B가 직접 연결되거나 A와 B 사이에 다른 구성요소를 통해서 연결되는 것을 의미하며, 특별한 언급이 없는 한 A와 B가 직접 연결되는 것으로 한정하여 해석되지 않는다.
본 명세서에서 단수 표현은 특별한 설명이 없으면 문맥상 해석되는 단수 또는 복수를 포함하는 의미로 해석된다.
발명자들은 보다 집적화되고 얇은 두께로 고성능을 발휘할 수 있는 반도체 장치를 개발하는 과정에서, 소자 자체 자체만이 아니라 패키징에 대한 부분이 성능향상에서 중요한 요소라는 점을 인식하고 이에 대해 연구하던 중, 기존의 인터포저와 유기기판(organic substrate)과 같이 2 층 이상의 코어를 패키징 기판으로 마더보드 상에 적용하던 것과 달리, 유리 코어를 단일 층으로 적용하고 관통비아의 형상, 여기에 형성되는 전기전도성층 등을 제어하는 방법을 적용하여 패키징 기판을 보다 얇고 반도체장치의 전기적 특성 향상에 도움이 되도록 할 수 있다는 점을 확인하고 발명을 완성했다. 또한, 발명자들은 특히 전력전달소자의 경우에는 기존의 유기기판에서 드릴을 이용해 형성하는 원형 관통공으로는 전기적 신호 전달의 효율성에 한계가 있다는 문제점을 인식하고, 이를 보완하기 위한 방법을 연구하던 중 유리기판에 형성 가능한 비원형비아를 활용하여 이러한 문제점을 해소할 수 있다는 점을 확인하고 본 발명을 완성했다.
이하 도 1 내지 9를 참고해, 구현예를 보다 상세하게 설명한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 구현예에 따른 반도체 장치(100)는 1 이상의 반도체소자(32, 34, 36)가 위치하는 반도체소자부(30); 상기 반도체소자와 전기적으로 연결되는 패키징 기판(20); 및 상기 패키징 기판과 전기적으로 연결되며 상기 반도체소자와 외부의 전기적 신호를 전달하고 서로 연결하는 마더보드(10);를 포함한다.
다른 구현예에 따른 패키징 기판(20)은 코어층(22); 그리고 상부층(26);을 포함한다.
상기 반도체소자부(30)는 반도체 장치에 실장되는 소자들을 의미하며, 접속전극 등에 의해 상기 패키징 기판(20)에 실장된다. 구체적으로 상기 반도체소자부 (30)로는 예를 들어, CPU, GPU 등의 연산소자(제1소자: 32, 제2소자: 34), 메모리칩 등의 기억소자(제3소자, 36) 등이 적용될 수 있으나, 반도체 장치에 실장되는 반도체 소자라면 제한없이 적용 가능하다.
상기 마더보드(10)는 인쇄회로기판, 인쇄배선기판 등의 마더보드가 적용될 수 있다.
상기 패키징 기판(20)은 코어층(22); 및 상기 코어층의 일면 상에 위치하는 상부층(26);을 포함한다.
상기 패키징 기판(20)은 선택적으로 코어층 하에 위치하는 하부층(29)을 더 포함할 수 있다.
상기 코어층(22)은, 유리기판(21); 상기 유리기판을 두께 방향으로 관통하는 다수의 코어비아(23); 및 상기 유리기판 또는 코어비아의 표면 상에 위치하며 적어도 그 일부가 상기 코어비아를 통하여 상기 제1면과 상기 제2면 상의 전기전도성층을 전기적으로 연결하는 전기전도성층이 위치하는 코어분배층(24);을 포함한다.
상기 유리기판(21)은 서로 마주보는 제1면(213)과 제2면(214)을 가지며 이 두 면은 서로 대체로 평행하여 유리기판 전체적으로 일정한 두께를 갖는다.
상기 유리기판(21)에는 상기 제1면과 상기 제2면을 관통하는 코어비아(23)가 위치한다.
반도체 장치의 패키징 기판으로는, 기존에는 실리콘 기판과 유기기판(organic substrate)이 적층된 형태로 적용되었다. 실리콘기판의 경우에는 반도체라는 특성상 고속회로에 적용 시에는 기생 소자가 발생할 염려가 있고, 전력 손실이 상대적으로 크다는 단점이 있었다. 또한 유기기판의 경우에는 보다 복잡해지는 분배 패턴을 형성하기에는 대면적화가 필요하나 이는 초소형화 되는 전자기기의 제조의 흐름에 부합되지 않는다. 정해진 크기 내에서 복잡한 분배 패턴을 형성하기 위해서는 실질적으로 패턴 미세화가 필요하나, 유기기판에 적용하는 고분자 등 소재 특성상 패턴 미세화에 실질적인 한계가 있었다.
구현예에서는 이러한 문제점들을 해결하는 방법으로 유리기판(21)을 코어층(22)의 지지체로 적용한다. 또한, 유리기판과 함께 유리기판을 관통하며 형성된 코어비아(23)를 적용하여, 전기적 흐름의 길이를 보다 단축하고, 보다 소형화되며, 보다 빠른 반응, 보다 적은 손실 특성을 갖는 패키징 기판(20)을 제공한다.
상기 유리기판(21)은 반도체에 적용되는 유리기판을 적용하는 것이 좋고, 예를 들어 보로실리케이트 유리기판, 무알카리 유리기판 등이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유리기판(21)은 그 두께가 1,000 ㎛ 이하일 수 있고, 100 내지 1,000 ㎛일 수 있으며, 100 내지 700 ㎛일 수 있다. 보다 구체적으로 상기 유리기판(21)은 그 두께가 100 내지 500 ㎛일 수 있다. 보다 얇은 패키징 기판을 형성하는 것이 전기적 신호 전달을 보다 효율화할 수 있다는 점에서 유리하나 지지체로써의 역할도 하여야 하므로, 상기한 두께를 갖는 유리기판(21)을 적용하는 것이 좋다. 여기서, 유리기판의 두께는 유리기판 상에 위하는 전기전도성층의 두께를 제외한 유리기판 자체의 두께를 의미한다.
상기 코어비아(23)는 상기 유리기판(21)의 미리 정해진 영역을 제거하는 방식으로 형성될 수 있으며, 구체적으로 물리 및/또는 화학적인 방법으로 판형 유리를 식각하여 형성된 것일 수 있다.
구체적으로, 상기 코어비아(23)의 형성은 유리기판의 표면에 레이저 등의 방식으로 결함(흠)을 형성한 후 화학적으로 에칭하는 방식, 레이저 식각 등이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 코어비아(23)는 개구부가 실질적으로 원형인 원형코어비아(231a)와, 개구부의 x-y 방향 종횡비가 1.2 이상인 비원형코어비아(231b)를 포함한다.
상기 원형코어비아(231a)는, 원형으로 지칭했으나 통상 x-y 방향 종횡비가 실질적으로 1인 일반적인 코어비아를 의미하며, 정확한 원형을 의미하는 것으로 한정되지 않는다.
상기 비원형코어비아(231b)는 구체적으로 그 개구부의 형태가 타원형, 사각형, L형 또는 U형인 것을 포함하며, 그 형태에는 특별한 한정이 없다. 따라서, 상기 비원형코어비아는 그 단면의 형태가 사다리꼴, 사각형 등일 수 있다.
상기 비원형코어비아(231b)는 개구부가 일정한 수준 이상의 x-y 방향 종횡비를 갖는다. 또한, 상기 비원형코어비아 상에는 1개 또는 2개 이상의 전력전달소자가 연결될 수 있고, 적어도 상기 전력전달소자의 일부(예시: 일 말단의 전극)가 상기 비원형코어비아와 전기적으로 연결되어 배치될 수 있다.
적층세라믹커패시터(MLCC)와 같은 전력전달소자는 반도체 소자의 성능에 중요한 역할을 한다. 수동소자인 전력전달소자는 반도체 소자에 최소 200개 이상 적용되는 것이 일반적이며, 전력을 전달하는 데 있어 소자 주변의 전기전도성층의 특성에도 그 성능의 영향을 받는다. 구현예에서는 이러한 전력전달소자와 같이 저저항의 전기전도성층이 필요한 곳에 비원형코어비아(231b)를 적용한다.
기존의 유기기판의 경우 코어비아를 형성하고 상기 코어비아로 기판의 상부와 하부를 전기전도성 물질로 연결하여 전력전달소자로 연결되는 전류가 상기 유리기판을 관통하며 연결되도록 하는 방식을 취하였다. 그러나, 전력전달에 영향을 미치는 면저항은 전기전도성층의 단면 넓이에 영향을 받는 인자이며, 전기전도성층의 단면 넓이는 비아의 단면적 크기 이하로 한정된다. 따라서, 전력전달소자에 전달되는 전류의 크기를 크게 하려면 코어비아의 단면적을 크게 하여야 하는데, 기존의 드릴로 관통하던 방식 등을 적용하면 코어비아의 단면적을 넓히는 것은 쉽지 않았다.
구현예는 유리기판을 적용하기 때문에 얻어지는 상술한 특징들에 추가적으로, 비원형코어비아(231b)에서 x-y 방향 종횡비가 크고, 상대적으로 그 단면적의 넓이가 큰 비원형타원비아를 적용할 수 있다. 이러한 비원형타원비아는, 그 내부에 전기전도성층을 의도하는 형태로 충분한 부피로 형성할 수 있다는 장점을 갖는다. 아울러, 유리기판의 경우 비아 형성에 기계적인 형성 방법이 아닌 화학적인 비아 형성 과정(예시: 화학적 에칭)이 포함되어, 에칭 전 비아형성위치에 결함을 생성하는 과정에서 비원형코어비아 형성을 위한 결함을 형성하면 별도의 에칭 공정을 추가하지 않아도 원형코어비아와 비원형코어비아를 동시에 형성할 수 있다.
상기 비원형코어비아(231b)는 개구부의 x-y 방향 종횡비가 1.2 이상일 수 있고, 2 이상이며, 3 이상일 수 있다. 또한 상기 비원형코어비아(231b)의 개구부 x-y 방향 종횡비는 25 이하일 수 있고, 20 이하일 수 있으며, 15 이하일 수 있다. 이러한 범위로 비원형코어비아의 개구부를 형성하는 경우 소자 배치에 보다 유리하다.
상기 비원형코어비아(231b)의 내부에는 최소 두께가 5 ㎛ 이상인 전기전도성층이 위치할 수 있다. 구체적으로 상기 비원형코어비아(231b)의 내부에 위치하는 전기전도성층인 비원형비아분배패턴(242)은 10 ㎛ 이상의 두께를 가질 수 있고, 15 ㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 상기 비원형비아분배패턴(242)의 최대 두께는 상기 비원형코어비아 내부를 가득 채울 때의 두께로 비원형코어비아의 크기에 의존하므로 그 상한을 특정하지 않는다.
상기 비원형코어비아의 내부에는, 상기 비원형코어비아의 내부 부피의 30 % 이상을 채우는 전기전도성층이 위치할 수 있다. 즉, 비원형비아분배패턴(242)은 그 부피가 상기 비원형코어비아의 부피를 100 %로 하였을 때, 30 % 이상일 수 있고, 40 % 이상일 수 있으며, 50 % 이상일 수 있다. 또한, 비원형비아분배패턴(242)은 그 부피가 상기 비원형코어비아의 부피를 100 %로 하였을 때 60 % 이상일 수 있고, 70 % 이상일 수 있으며, 80 % 이상일 수 있다. 상기 비원형비아분배패턴이 위치하지 않는 비원형코어비아의 내부에는 절연층(코어절연층, 223)이 위치할 수 있다.
상기 비원형비아분배패턴(242)는 다양한 형태를 가질 수 있다.
구체적으로, 상기 비원형비아분배패턴(242)은 비원형코어비아의 내경면을 전기전도성층이 감싸는 형태인 컨포멀비아패턴(242a, conformal)의 형태로 형성될 수 있다.
상기 비원형비아분배패턴(242)는 비원형코어비아의 내부 공간을 모두 전기전도성층을 채우는 충진비아패턴의 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 충진비아패턴은 비원형코어비아의 내부공간이 모두 충진비아로 충진되는 형태(242b, 충진비아패턴 I)가 있을 수 있고, 컨포멀비아패턴(conformal)을 일단 형성한 후에 그 내부를 모두 충진하여 충진비아패턴을 구성하는 형태(242c, 충진비아패턴 II)의 형태일 수 있다.
상기 비원형비아분배패턴(242)는 비원형코어비아의 내부 공간의 일부는 전기전도성층으로 채우고 나머지 부분은 절연층 등으로 채우는 복합형비아패턴일 수 있다. 구체적으로 비원형코어비아의 내경면과 실질적으로 맞닿도록 전기전도성층이 형성되고, 전기전도성층이 형성되지 않은 나머지 부분(중앙 부분)에 절연층이 채워지는 형태(242d, 복합형비아패턴 I)일 수 있고, 비원형코어비아의 내경면에 실질적으로 맞닿도록 절연층이 형성되고, 이 절연층 외의 공간에 전기전도성층이 형성되는 형태(242e, 복합형비아패턴 II)일 수 있다. 따라서, 상기 비원형비아분배패턴을 유리기판의 제1면과 평행하게 절단한 면에서 본 단면이, 타원형, 사각형, 단면이 긴 타원형의 링 등의 형태를 가질 수 있다.
이러한 비원형비아분배패턴의 형태와 구성은, 의도하는 전기전도성의 정도(면저항의 정도), 상기 비원형비아분배패턴 상에 위치하는 전력전달소자의 성능과 크기, 개수 등에 따라 조절될 수 있다.
상기 전력전달소자(48)는 상기 비원형코어비아(231b)를 통과하는 상기 비원형비아분배패턴(242)과 전기적으로 연결될 수 있고, 비원형코어비아 1개당 상기 전기전력소자가 1개 또는 2개 이상이 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 전기적 연결은 상기 비원형비아분배패턴(242) 상에 상기 전력전달소자의 일측 전극(481)을 배치하는 형태로 형성될 수 있다. 또는, 상기 전기적 연결은 별도의 분배패턴으로 상기 비원형비아분배패턴(242) 및/또는 비원형비아분배패턴의 전기전도성층과 상기 전력전달소자의 전극(481)을 연결하는 방식이 적용될 수 있다.
상기 코어비아(23)는, 상기 제1면과 접하는 제1개구부(233); 제2면과 접하는 제2개구부(234); 그리고 상기 제1개구부와 상기 제2개구부를 연결하는 전체 코어비아에서 그 내경이 가장 좁은 구역인 최소내경부(235);를 포함한다.
상기 제1개구부의 직경(CV1)과 상기 제2개구부의 직경(CV2)은 실질적으로 다를 수 있고, 상기 제1개구부(CV1)와 상기 제2개구부(CV2)는 그 직경이 실질적으로 같을 수 있다.
상기 최소내경부는 상기 제1개구부 또는 상기 제2개구부에 위치할 수 있으며, 이 때 코어비아는 원통형 또는 (잘린)삼각뿔형의 코어비아일 수 있다. 이 경우 상기 최소내경부의 직경(CV3)은 제1개구부와 상기 제2개구부 중에서 작은 것의 직경에 해당한다.
상기 최소내경부는 상기 제1개구부와 상기 제2개구부 사이에 위치하며, 이때 코어비아는 배럴형의 코어비아일 수 있다. 이 경우 최소내경부의 직경(CV3)은 상기 제1개구부의 직경과 상기 제2개구부의 직경 중에서 큰 것 보다 작을 수 있다.
상기 코어분배층(24)은 상기 유리기판의 제1면과 제2면을 관통비아를 통해 전기적으로 연결하는 전기전도성층인 코어분배패턴(241)과 상기 코어분배패턴을 감싸는 코어절연층(223)을 포함한다.
상기 코어층(22)은 그 내부에 코어비아를 통해 전기전도성층이 형성되어 유리기판(21)을 가로지르는 전기적 통로로써 역할 하며, 비교적 짧은 거리로 유리기판의 상부와 하부를 연결하여 보다 빠른 전기적 신호 전달과 저손실의 특성을 가질 수 있다.
상기 코어분배패턴(241)은 상기 유리기판의 제1면(213)과 제2면(214)을 코어비아(23)를 통해 전기적으로 연결하는 패턴으로, 구체적으로 상기 제1면(213)의 적어도 일부 상에 위치하는 전기전도성층인 제1면분배패턴(241a)과 상기 제2면(214)의 적어도 일부 상에 위치하는 전기전도성층인 제2면분배패턴(241c), 그리고 상기 제1면분배패턴과 상기 제2면분배패턴을 상기 코어비아(23)를 통해 서로 전기적으로 연결하는 전기전도성층인 코어비아분배패턴(241b)을 포함한다. 상기 전기전도성층들은 예를 들어 구리도금층이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유리기판(21)은 상부와 하부에 각각 반도체소자(30)와 마더보드(10)를 연결하는 중간 역할, 중개 역할을 하고, 상기 코어비아(23)는 이들의 전기적 신호을 전달하는 통로로 역할하기에 원활한 신호전달을 한다.
상기 제1면개구부직경과 상기 제2면개구부직경 중에서 큰 것에서 측정한 전기전도성층의 두께가 코어비아 중에서 최소내경을 갖는 부분 상에 형성된 전기전도성층의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다.
상기 코어분배층(24)은 유리기판 상에 형성되는 전기전도성층으로, ASTM D3359에 따른 부착력 테스트(Cross Cut Adhesion Test) 값이 4B 이상을 만족할 수 있고, 구체적으로 5 B이상을 만족할 수 있다. 또한, 코어분배층(24)인 전기전도성층은 상기 유리기판과 3 N/cm 이상의 접착력을 가질 수 있고, 4.5 N/cm 이상의 접합력을 가질 수 있다. 이러한 접합력 정도를 만족하는 경우, 패키징 기판으로 적용하기에 충분한 기판-전기전도성층 사이의 접합력을 갖는다.
상기 제1면(213) 상에는 상부층(26)이 위치한다.
상기 상부층(26)은 상부분배층(25)과 상기 상부분배층 상에 위치하는 상면접속층(27)을 포함하며, 상기 상부층(26)의 가장 윗면은 반도체소자부의 접속전극이 직접 맞닿을 수 있는 개구부가 형성된 커버층(60)에 의해 보호될 수 있다.
상기 상부분배층(25)은 상기 제1면 상에 위치하는 상부절연층(253); 미리 정해진 패턴을 가지며 상기 코어분배층(24)과 그 적어도 일부가 전기적으로 연결되는 전기전도성층으로 상기 상부절연층에 내장되는 상부분배패턴(251)을 포함한다.
상기 상부절연층(253)은 반도체 소자나 패키징 기판에 절연체층으로 적용하는 것이라면 적용 가능하고, 예를 들어 필러가 포함된 에폭시계 수지 등이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 절연체층은 코팅층을 형성하고 경화하는 방식으로 형성될 수도 있고, 미경화 또는 반경화된 상태로 필름화된 절연체필름을 상기 코어층에 라미네이션 하고 경화하는 방법으로 형성될 수도 있다. 이 때, 감압 라미네이션 방법 등을 적용하면 코어비아 내부의 공간까지 상기 절연체가 함입되어 효율적인 공정 진행이 가능하다. 또한, 복층의 절연체층을 적층하여 적용하더라도 절연체층 사이에 실질적인 구분이 어려울 수 있으며, 복수의 절연체층들을 통칭하여 상부절연층이라 칭한다. 또한, 코어절연층(223)과 상부절연층(253)은 동일한 절연재료가 적용될 수 있고, 이러한 경우 그 경계가 실질적으로 구분되지 않을 수 있다.
상기 상부분배패턴(251)은 미리 설정된 형태로 상기 상부절연층(253) 내에 위치하는 전기전도성층을 의미하며, 예를 들어 빌드-업 레이어 방식으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 절연체층을 형성하고, 절연체층의 불필요한 부분을 제거한 후 구리도금 등의 방식으로 전기전도성층을 형성하고, 선택적으로 전기전도성층 중 불필요한 부분을 제거한 후, 이 전기전도성층 상에 다시 절연체층을 형성하고, 다시 불필요한 부분을 제거한 후 도금 등의 방식으로 전기전도성층을 형성하는 방식을 반복하여, 의도하는 패턴으로 수직 또는 수평 방향으로 전지전도성층이 형성된 상부분배패턴(251)을 형성할 수 있다.
상기 상부분배패턴(251)은 코어층(22)과 반도체소자부(30)의 사이에 위치하기 때문에, 반도체소자부(30)와 전기적 신호의 전달이 원활하게 진행되고 의도하는 복잡한 패턴이 충분하게 수용될 수 있도록, 적어도 그 일부에 미세패턴을 포함하도록 형성한다. 이 때, 미세패턴이라 함은, 폭과 간격이 각각 약 4 ㎛ 미만인 것일 수 있고, 약 3.5 ㎛ 이하인 것일 수 있으며, 약 3 ㎛ 이하인 것일 수 있고, 약 2.5 ㎛ 이하인 것일 수 있으며, 약 1 내지 약 2.3 ㎛인 것일 수 있다. 상기 간격은 서로 이웃하는 미세패턴 간 사이의 간격일 수 있다(이하, 미세패턴에 대한 설명은 동일함).
상부분배패턴(251)에 미세패턴이 포함되도록 형성하기 위해, 구현예에서는 적어도 두 가지 이상의 방법을 적용한다.
그 하나는, 패키징 기판의 유리기판(21)으로 유리기판(21)을 적용한다. 상기 유리기판(21)은 표면 조도(Ra)가 10 옹스트롬 이하로 상당히 평탄한 표면 특성을 가질 수 있고, 따라서 미세패턴 형성에 미치는 지지체기판 표면 모폴로지의 영향을 최소화할 수 있다.
다른 하나는, 상기 절연체의 특성에 있다. 상기 절연체의 경우 레진과 함께 필러 성분을 함께 적용하는 경우가 많은데, 상기 필러는 실리카 입자와 같은 무기계 입자가 적용될 수 있다. 무기계 입자가 필러로 절연체에 적용되는 경우, 이 무기계 입자의 크기가 미세패턴 형성 가부에 영향을 미칠 수 있는데, 구현예에서 적용하는 절연체는 그 평균직경이 약 150 nm 이하의 입자형 필러를 적용하고, 구체적으로 평균직경이 약 1 내지 약 100 nm인 입자형 필러를 포함한다. 이러한 특징은, 절연체에 필요한 물성을 일정 수준 이상으로 유지하면서 수 마이크로미터 단위의 폭을 갖는 전기전도성층 형성에 절연체 자체가 미치는 영향을 최소화하고, 미세한 표면 모폴로지로 그 표면 상에 우수한 부착력을 갖는 미세패턴을 형성하도록 돕는다.
상기 상면접속층(27)은 상기 상부분배패턴(251)과 그 적어도 일부가 전기적으로 연결되며 상기 상부절연층(253)에 위치하는 상면연결패턴(272)과 상기 반도체소자부(30)와 상기 상면연결패턴(272)을 전기적으로 연결하는 상면접속전극(271)을 포함한다. 상기 상면연결패턴(272)은 상부절연층(253)의 일면 상에 위치할 수도 있고, 적어도 그 일부가 상부절연층 상으로 노출되며 박혀(embedded) 있을 수도 있다. 예를 들어, 상기 상면연결패턴이 상기 상부절연층의 일면 상에 위치하는 경우에는 도금 등의 방식으로 상기 상부절연층을 형성할 수 있고, 상기 상면연결패턴이 그 일부가 상부절연층 상으로 노출되며 박혀있는 경우는 구리도금층 등을 형성한 후 표면연마, 표면식각 등의 방법으로 절연층 또는 전기전도성층의 일부가 제거된 것일 수 있다.
상기 상면연결패턴(272)은 위에서 설명한 상부분배패턴(251)과 같이 미세패턴을 적어도 그 일부에 포함할 수 있다. 이렇게 미세패턴을 포함하는 상면연결패턴(272)은 보다 다수개의 소자들을 좁은 면적 하에서도 전기적으로 연결할 수 있도록 하여, 소자간 또는 외부와의 전기적 신호 연결을 보다 원활하게 하며, 보다 집적화된 패키징이 가능하다.
상기 상면접속전극(271)은 상기 반도체소자부(30)와 단자 등으로 직접 연결될 수도 있고, 솔더볼과 같은 소자연결부(51)를 매개로 연결될 수도 있다.
상기 패키징 기판(20)는 마더보드(10)와도 연결된다. 상기 마더보드(10)는 상기 코어층(22)의 상기 제2면(214)의 적어도 일부에 상에 위치하는 코어분배층인 제2면분배패턴(241c)과 마더보드의 단자가 직접 연결될 수 있고, 솔더볼과 같은 보드연결부를 매개로 하여 전기적으로 연결될 수도 있다. 또한, 상기 제2면분배패턴(241c)은 상기 코어층(22)의 하부에 위치하는 하부층(29)을 매개로 상기 마더보드(10)와 연결될 수도 있다.
상기 하부층(29)은, 하부분배층(291)과 하면접속층(292)을 포함한다.
하부분배층(291)은 i) 상기 제2면(214)과 그 적어도 일부가 접하는 하부절연층(291b); 그리고 ii) 상기 하부절연층에 내장(매설)되어 미리 정해진 패턴을 가지는 것으로 상기 코어분배층과 그 적어도 일부가 전기적으로 연결되는 하부분배패턴(291a)을 포함한다.
하면접속층(292)은 i) 상기 하면연결패턴과 전기적으로 연결되는 하면접속전극(292a)을 포함하며, ii) 상기 하부분배패턴과 그 적어도 일부가 전기적으로 연결되며 상기 하부절연층의 일면 상에 적어도 그 일부가 노출되는 하면연결패턴(292b)을 더 포함할 수 있다.
상기 하면연결패턴(292b)은 마더보드(10)와 연결되는 부분으로 보다 효율적인 전기적 신호 전달을 위하여, 상기 상면연결패턴(272)과 달리 미세패턴보다 폭이 넓은 비미세패턴으로 형성될 수 있다.
상기 반도체소자부(30)와 상기 마더보드(10) 사이에 위치하는 패키징 기판(20)에는 상기 유리기판(21) 외에 실질적으로 추가적인 다른 기판을 적용하지 않는 것을 발명의 특징 중 하나로 한다.
기존에는 소자와 마더보드를 연결하는 사이에, 인터포저와 유기기판(organic substrate)을 함께 적층하여 적용했다. 이는 적어도 두 가지 이유에서 이렇게 다단의 형태로 적용한 것으로 파악되는데, 그 하나는 소자의 미세한 패턴을 마더보드에 직접 접합시키기에는 스케일 상의 문제가 있다는 점, 그리고 다른 하나는 접합 과정에서 또는 반도체 장치의 구동 과정에서 열팽창계수의 차이로 인한 배선 손상의 문제가 발생할 수 있다는 점 때문이다. 구현예에서는 열팽창계수가 반도체 소자와 유사한 유리기판을 적용하고, 유리기판의 제1면과 그 상부층에는 소자 실장에 충분한 정도로 미세한 스케일을 갖는 미세패턴을 형성하여, 이러한 문제를 해결했다.
상기 반도체 장치(100)는 상당히 얇은 두께를 갖는 패키징 기판(20)을 가져서 상기 반도체 장치의 전체적인 두께를 얇게 할 수 있으며, 미세패턴을 적용하여 보다 좁은 면적에서도 의도하는 전기적인 연결 패턴을 배치할 수 있다. 구체적으로 상기 패키징 기판은 그 두께가 약 2000 ㎛ 이하일 수 있고, 약 1500 ㎛ 이하일 수 있으며, 약 900 ㎛일 수 있다. 또한 상기 패키징 기판은 그 두께가 약 120 ㎛ 이상일 수 있고, 약 150 ㎛ 이상일 수 있다. 상기 패키징 기판은 위에서 설명한 특징으로 비교적 얇은 두께로도 소자와 마더보드를 전기적으로 그리고 구조적으로 안정적으로 연결하며, 반도체 장치의 소형화 박막화에 보다 기여할 수 있다.
이하, 도 10 및 11을 참조해, 또 다른 구현예에 따른 패키징 기판의 제조방법을 설명한다.
구현예의 패키징 기판의 제조방법은, 유리기판의 제1면과 제2면의 미리 정해진 위치에 결함을 형성하는 준비단계; 식각액을 상기 결함이 형성된 유리기판에 가하여 코어비아가 형성된 유리기판을 마련하는 식각단계; 상기 코어비아가 형성된 유리기판의 표면을 도금하여 전기전도성층인 코어분배층을 형성하여 코어층을 제조하는 코어층제조단계; 그리고 상기 코어층의 일면 상에 절연층에 감싸인 전기전도성층인 상부분배층을 형성하는 상부층제조단계;를 포함하여, 위에서 설명한 패키징 기판을 제조한다. 이때, 결함의 형태는 원형코어비아 형성을 위한 원형 결함과 비원형코어비아 형성을 위해 전체적으로 비원형코어비아의 단면 형성을 따라 형성되는 비원형 결함이 있다. 이러한 결함에 의하여, 식각단계에서 원형코어비아와 비원형코어비아가 동시에 형성되기 때문에, 유기기판에서 비아 형성을 위해 드릴로 별도로 작업하는 것과 비교하여 월등하게 우수한 작업성을 가질 수 있다.
상기 코어층제조단계는 상기 코어비아가 형성된 유리기판의 표면에 아민기를 갖는 나노입자를 포함하는 유무기 복합 프라이머층을 형성하여 전처리된 유리기판을 마련하는 전처리과정; 그리고 상기 전처리된 유리기판에 금속층을 도금하는 도금과정;을 포함할 수 있다.
상기 코어층제조단계는 상기 코어비아가 형성된 유리기판의 표면에 스퍼터링을 통해 금속 함유 프라이머층을 형성하여 전처리된 유리기판을 마련하는 전처리과정; 그리고 상기 전처리된 유리기판에 금속층을 도금하는 도금과정;을 포함할 수 있다.
상기 코어층제조단계와 상기 상부층제조단계 사이에는 절연층형성단계가 더 포함될 수 있다.
상기 절연층형성단계는 절연체필름을 상기 코어층 상에 위치시킨 후 감압라미네이션 하여 코어절연층을 형성하는 단계일 수 있다.
패키징 기판의 제조방법을 보다 자세히 설명한다.
1) 준비단계(유리결함 형성과정): 평탄한 제1면과 제2면을 갖는 유리기판(21a)을 준비하여, 코어비아 형성을 위해 미리 정해진 위치에 유리 표면에 결함(홈, 21b)을 형성한다. 상기 유리는 전자장치의 기판 등에 적용되는 유리기판이 적용될 수 있으며, 예를 들어 무알카리 유리기판 등이 적용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 시판 제품으로 코닝사, 쇼트사, AGC 등의 제조사가 제조한 제품이 적용될 수 있다. 상기 결함(홈)의 형성에는 기계적인 식각, 레이저 조사 등의 방식이 적용될 수 있다
2) 식각단계(코어비아 형성단계): 결함(홈, 21b)이 형성된 유리기판(21a)은 물리적 또는 화학적인 에칭 과정을 통해 코어비아(23)를 형성한다. 에칭 과정에서 유리기판은 결함 부분에 비아를 형성하며 동시에 유리기판(21a)의 표면도 동시에 식각될 수 있다. 이러한 유리 표면의 식각을 막기 위하여 마스킹 필름 등을 적용할 수도 있으나, 마스킹 필름을 적용하고 제거하는 과정의 번거로움 등을 고려하여 결함이 있는 유리기판 자체를 식각할 수 있으며, 이러한 경우 최초 유리기판의 두께보다 코어비아를 갖는 유리기판의 두께가 다소 얇아질 수 있다.
3-1) 코어층제조단계: 유리기판 상에 전기전도성층(21d)을 형성한다. 상기 전기전도성층은 대표적으로 구리금속을 포함하는 금속층이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유리의 표면(유리기판의 표면과 코어비아의 표면을 포함함)과 구리금속의 표면은 그 성질이 달라 부착력이 떨어지는 편이다. 구현예에서는 드라이 방식과 Ÿ‡ 방식의 두 가지 방법으로 유리 표면과 금속 사이의 부착력을 향상시켰다.
드라이 방식은, 스퍼터링을 적용하는 방식, 즉 금속 스퍼터링으로 유리 표면과 코어비아 내경에 시드층(21c)을 형성하는 방식이다. 상기 시드층의 형성에는 티타늄, 크롬, 니켈과 같은 이종 금속이 구리 등과 함께 스퍼터링될 수 있으며, 이러한 경우 유리의 표면 모폴로지와 금속 입자가 상호작용하는 앵커 효과 등에 의해 유리-금속 부착력이 향상되는 것으로 생각된다.
Ÿ‡ 방식은 프라이머 처리를 하는 방식으로, 아민 등의 작용기를 갖는 화합물질로 전처리를 하여 프라이머층(21c)을 형성하는 방식이다. 의도하는 부착력의 정도에 따라 실란 커플링제로 전처리를 한 후 아민 작용기를 갖는 화합물 또는 입자로 프라이머 처리를 할 수 있다. 위에서도 언급한 바와 같이, 구현예의 지지체기판은 미세패턴을 형성할 수 있을 정도의 고성능일 것을 필요로 하고, 이는 프리이머 처리 후에도 유지되어야 한다. 따라서, 이러한 프라이머가 나노입자를 포함하는 경우에는, 평균 직경이 150 nm 이하의 크기를 갖는 나노입자가 적용되는 것이 좋으며, 예를 들어 아민기를 갖는 입자는 나노입자가 적용되는 것이 좋다. 상기 프라이머층은 예시적으로 MEC사의 CZ 시리즈 등에서 제조하는 접합력개선제가 적용되어 형성될 수 있다.
상기 시드층/프라이머층(21c)은 전기전도성층 형성이 불필요한 부분을 제거한 상태로 또는 제거하지 않은 상태로 선택적으로 전기전도성층이 금속층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 시드층/프라이머층(21c)는 전기전도성층의 형성이 필요한 부분 또는 불필요한 부분을 선택적으로 금속 도금에 활성화된 상태로 또는 불활성화된 상태로 처리하여 이후 공정을 진행할 수 있다. 예를 들어 상기 활성화 또는 불활성화 처리는 일정한 파장의 레이저 등의 광조사 처리, 약품처리 등이 적용될 수 있다. 금속층의 형성에는 반도체 소자 제조에 적용되는 구리도금 방법 등이 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속도금 시에 도금액의 농도, 도금 시간, 적용하는 첨가제의 종류 등의 여러 변수들을 조절하여 형성되는 전기전도성층의 두께를 조절할 수 있다.
상기 코어분배층의 일부가 불필요한 경우에는 제거될 수 있으며, 시드층이 일부 제거되거나 불활성화 처리된 후에 금속도금을 진행하여 미리 정해진 패턴으로 전기전도성층을 형성하여 코어분배층의 식각층(21e)이 형성될 수도 있다
3-2) 절연층형성단계: 코어비아는 상기 전기전도층인 코어분배층 형성 이후 절연층으로 빈 공간을 매꾸는 절연층형성단계를 거칠 수 있다. 이때, 적용되는 절연층은 필름 형태로 제조된 것이 적용될 수 있으며, 예를 들어 필름 형태의 절연층을 감압 라미네이션하는 방법 등으로 적용될 수 있다. 이렇게 감압 라미네이션을 진행하면 절연층이 상기 코어비아 내부의 빈 공간까지 충분하게 함입되어 보이드 형성 없는 코어절연층을 형성하 수 있다.
4) 상부층제조단계: 코어층 상에 상부절연층과 상부분배패턴을 포함하는 상부분배층을 형성하는 단계이다. 상부절연층은 절연층(23a)을 형성하는 수지 조성물을 코팅하거나 절연필름을 적층하는 방식으로 진행될 수 있으며, 간편하게는 절연필름을 적층하는 방식의 적용이 좋다. 절연필름의 적층은 절연필름을 라미네이션하여 경화하는 과정으로 진행될 수 있는데, 이 때 감압 라미네이션 방법을 적용하면 코어비아 내부에 전기전도성층이 형성되지 않은 층 등까지도 절연수지가 충분히 함입될 수 있다. 상기 상부절연층도 유리기판과 적어도 그 일부에서 직접 맞닿고, 따라서 충분한 부착력을 갖는 것을 적용한다. 구체적으로 상기 유리기판과 상기 상부절연층은 ASTM D3359에 따른 부착력 테스트 값이 4B 이상을 만족하는 특성을 갖는 것이 좋다.
상부분배패턴은 상기 절연층(23a)의 형성과 미리 정해진 패턴으로 전기전도성층(23c)을 형성하고 불필요한 부분을 식각하여 전기전도성층의 식각층(23d)을 형성하는 과정을 반복하여 형성될 수 있고, 절연층을 사이에 두고 이웃하게 형성되는 전기전도성층의 경우에는 절연층에 블라인드비아(23b)를 형성한 후에 도금공정을 진행하는 방식으로 형성될 수 있다. 블라인드비아의 형성은 레이저 식각, 플라즈마 식각 등의 건식 식각방식, 마스킹층과 식각액을 이용한 습식식각방식 등이 적용될 수 있다.
5) 상면접속층 및 커버층 형성단계: 상면연결패턴과 상면접속전극도 상부분배층 형성과 유사한 과정으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 절연층(23e)에 절연층의 식각층(23f)을 형성하고 여기에 다시 전기전도성층(23g)을 형성한 후, 전기전도성층의 식각층(23h)을 형성하는 방식 등으로 형성될 수 있으나, 식각의 방식을 적용하지 않고 전기전도성층만을 선택적으로 형성하는 방법으로 적용될 수도 있다. 커버층은 상면접속전극에 대응하는 위치에 개구부(미도시)가 형성되어 상면접속전극이 노출되고, 소자연결부 또는 소자의 단자 등과 직접 연결될 수 있도록 형성될 수 있다.
6) 하면접속층 및 커버층의 형성단계; 위에서 설명한 상면접속층 및 커버층 형성단계와 유사한 방식으로 하부분배층 및/또는 하면접속층, 그리고 선택적으로 커버층(미도시)을 형성할 수 있다.
이상에서 구현예의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 구현예의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 구현예의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 구현예의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 반도체 장치 10: 마더보드
30: 반도체소자부 32: 제1반도체소자
34: 제2반도체소자 36: 제3반도체소자
20: 패키징 기판 22: 코어층
223: 코어절연층 21, 21a: 유리기판
213: 제1면 214: 제2면
23: 코어비아 231a: 원형코어비아
231b: 비원형코어비아 233: 제1개구부
234: 제2개구부 235: 최소내경부
24: 코어분배층 241: 코어분배패턴
241a: 제1면분배패턴 241b: 코어비아분배패턴
241c: 제2면분배패턴 242: 비원형비아분배패턴
242a: 컨포멀비아패턴 242b: 충진비아패턴I
242c: 충진비아패턴II 242d: 복합형비아패턴I
242e: 복합형비아패턴II 26: 상부층
25: 상부분배층 251: 상부분배패턴
252: 블라인드비아 253: 상부절연층
27: 상면접속층 271: 상면접속전극
272: 상면연결패턴 29: 하부층
291: 하부분배층 291a: 하부분배패턴
291b: 하부절연층 292: 하면접속층
292a: 하면접속전극 292b: 하면연결패턴
48: 전력전달소자 481: 전력전달소자의 전극
50: 연결부 51: 소자연결부
52: 보드연결부 60: 커버층
21b: 유리결함 21c: 시드층, 프라이머층
21d: 코어분배층 21e: 코어분배층의 식각층
23a: 절연층 23b: 절연층의 식각층
23c: 전기전도성층 23d: 전기전도성층의 식각층
23e: 절연층 23f: 절연층의 식각층
23g: 전기전도성층 23h: 전기전도성층의 식각층

Claims (10)

  1. 서로 마주보는 제1면과 제2면을 갖는 유리기판;을 포함하는 코어층; 및
    상기 유리기판을 두께 방향으로 관통하는 다수의 코어비아;를 포함하고,
    상기 코어비아는 개구부가 원형인 원형코어비아와 개구부의 x-y 방향 종횡비가 1.2 이상인 비원형코어비아;를 포함하며,
    상기 비원형코어비아 상에는 1 또는 2개 이상의 전력전달소자가 위치하는, 패키징 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비원형코어비아의 내부에는 최소 두께가 5 ㎛ 이상인 전기전도성층이 위치하는, 패키징 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비원형코어비아의 내부에는, 상기 비원형코어비아의 내부 부피의 30 % 이상을 채우는 전기전도성층이 위치하는, 패키징 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 비원형코어비아는 그 개구부의 형태가 타원형, 사각형, L형, 또는 U형인 것을 포함하는, 패키징 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비원형코어비아의 내부에 위치하는 비원형비아분배패턴;을 포함하고,
    상기 비원형비아분배패턴은,
    상기 비원형코어비아의 내부 공간을 모두 전기전도성층으로 채워진 충진비아패턴; 및
    상기 비원형코어비아의 내부 공간 일부는 전기전도성층으로 채워지고 나머지 부분은 절연층으로 채워진 복합형비아패턴;
    중 어느 하나 이상을 포함하는, 패키징 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 충진비아패턴은,
    상기 비원형코어비아의 내부공간이 모두 전기전도성층으로 충진된 충진비아패턴 I; 및
    상기 비원형코어비아는 내경면을 전기전도성층이 감싸는 형태인 컨포멀비아패턴을 포함하고, 그 내부공간이 모두 전기전도성층으로 충진된 충진비아패턴 II;
    중 어느 하나 이상의 패턴을 포함하는, 패키징 기판.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 복합형비아패턴은,
    상기 비원형코어비아의 내경면과 실질적으로 맞닿도록 전기전도성층이 형성되고, 상기 비원형코어비아 내 나머지 부분에 절연층이 채워진 복합형비아패턴 I; 및
    상기 비원형코어비아의 내경면과 실질적으로 맞닿도록 절연층이 형성되고, 상기 절연층 외의 공간에 전기전도성층이 형성된 복합형비아패턴 II;
    중 어느 하나 이상을 포함하는, 패키징 기판.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 비원형비아분배패턴의 전기전도성층과 상기 전력전달소자의 전극이 연결되는, 패키징 기판.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 코어비아는 상기 제1면과 접하는 제1개구부; 상기 제2면과 접하는 제2개구부; 그리고 상기 제1개구부와 제2개구부를 연결하는 전체 코어비아에서 그 내경이 가장 좁은 구역인 최소내경부;를 포함하는, 패키징 기판.
  10. 1 이상의 반도체소자를 포함하는 반도체소자부;
    상기 반도체소자부와 전기적으로 연결되는 패키징 기판; 및
    상기 패키징 기판과 전기적으로 연결되며 상기 반도체소자와 외부의 전기적 신호를 전달하고 서로 연결하는 마더보드;를 포함하고, 상기 패키징 기판은 제1항에 따른 패키징 기판인, 반도체 장치.
KR1020217015656A 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치 KR102413117B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227020326A KR20220089715A (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962890689P 2019-08-23 2019-08-23
US62/890,689 2019-08-23
PCT/KR2020/004898 WO2021040178A1 (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227020326A Division KR20220089715A (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210068577A true KR20210068577A (ko) 2021-06-09
KR102413117B1 KR102413117B1 (ko) 2022-06-24

Family

ID=74685999

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217015656A KR102413117B1 (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR1020227020326A KR20220089715A (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227020326A KR20220089715A (ko) 2019-08-23 2020-04-10 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Country Status (6)

Country Link
US (3) US11469167B2 (ko)
EP (1) EP3905323B1 (ko)
JP (2) JP7104245B2 (ko)
KR (2) KR102413117B1 (ko)
CN (1) CN113366633B (ko)
WO (1) WO2021040178A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110112974A (ko) * 2010-04-08 2011-10-14 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그의 제조방법
KR20120023120A (ko) * 2009-06-22 2012-03-12 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 패키지 및 당해 반도체 패키지의 실장구조
KR20150014167A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 삼성전기주식회사 유리 코어가 구비된 인쇄회로기판

Family Cites Families (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835598A (en) * 1985-06-13 1989-05-30 Matsushita Electric Works, Ltd. Wiring board
US5081563A (en) 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
US5304743A (en) * 1992-05-12 1994-04-19 Lsi Logic Corporation Multilayer IC semiconductor package
JP3173250B2 (ja) 1993-10-25 2001-06-04 ソニー株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR0184043B1 (ko) 1995-08-01 1999-05-01 구자홍 브이오디용 멀티인터페이스 시스템
KR0150124B1 (ko) 1995-12-13 1998-10-15 김광호 액정표시장치 글래스 적재용 카세트 및 지그
CA2343445A1 (en) * 1998-09-10 2000-03-23 Viasystems Group, Inc. Non-circular micro-via
JP2000142876A (ja) 1999-01-01 2000-05-23 Sharp Corp 基板収納カセット
JP3878663B2 (ja) 1999-06-18 2007-02-07 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
KR100361464B1 (ko) 2000-05-24 2002-11-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 수납용 카세트
KR20020008574A (ko) 2000-07-24 2002-01-31 김영민 멀티 포크형 엔드 이펙터 및 유리기판의 반송방법
KR100720090B1 (ko) 2000-08-29 2007-05-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 글래스 적재 카세트
EP1220309A1 (en) 2000-12-28 2002-07-03 STMicroelectronics S.r.l. Manufacturing method of an electronic device package
JP4092890B2 (ja) 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
JP4012375B2 (ja) 2001-05-31 2007-11-21 株式会社ルネサステクノロジ 配線基板およびその製造方法
KR200266536Y1 (ko) 2001-07-12 2002-02-28 (주)상아프론테크 액정표시장치 글래스 적재용 카세트의 사이드 프레임
JP3998984B2 (ja) 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
KR100447323B1 (ko) 2002-03-22 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 물리기상 증착 방법
US20040107569A1 (en) 2002-12-05 2004-06-10 John Guzek Metal core substrate packaging
EP1435651B1 (en) 2003-01-02 2012-11-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymetrically configured dielectric layers
JP2004311919A (ja) 2003-02-21 2004-11-04 Shinko Electric Ind Co Ltd スルーホールフィル方法
KR20060111449A (ko) 2003-09-24 2006-10-27 이비덴 가부시키가이샤 인터포저, 다층프린트배선판
KR20050044989A (ko) 2003-11-08 2005-05-16 내일시스템주식회사 액정 패널용 유리기판 운반용 트레이
JP3951055B2 (ja) * 2004-02-18 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7416789B2 (en) 2004-11-01 2008-08-26 H.C. Starck Inc. Refractory metal substrate with improved thermal conductivity
US20060182556A1 (en) 2005-01-10 2006-08-17 Au Optronics Corporation Substrate transportation device (wire)
US7299111B2 (en) 2005-02-04 2007-11-20 Johnson Controls Technology Company Method of clearing an HVAC control fault code memory
JP2006293257A (ja) 2005-04-08 2006-10-26 Samsung Electronics Co Ltd 表示パネル用ガラスを積載するためのガラスカセット
US20090117336A1 (en) 2005-06-01 2009-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Circuit board, method for manufacturing such circuit board, and electronic component using such circuit board
JP4804083B2 (ja) 2005-09-15 2011-10-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 導電性金属ペースト
KR100687557B1 (ko) 2005-12-07 2007-02-27 삼성전기주식회사 뒤틀림이 개선된 기판 및 기판형성방법
TWI433626B (zh) * 2006-03-17 2014-04-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板之製造方法及印刷用遮罩
JP2007281252A (ja) 2006-04-07 2007-10-25 E I Du Pont De Nemours & Co 基板カセット
JP2007281251A (ja) 2006-04-07 2007-10-25 E I Du Pont De Nemours & Co サポートバーおよび基板カセット
KR100794961B1 (ko) 2006-07-04 2008-01-16 주식회사제4기한국 인쇄회로기판 제조용 ｐｓａｐ 방법
US20080017407A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Ibiden Co., Ltd. Interposer and electronic device using the same
JP5463908B2 (ja) * 2007-03-01 2014-04-09 日本電気株式会社 キャパシタ搭載インターポーザ及びその製造方法
US20080217761A1 (en) 2007-03-08 2008-09-11 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of semiconductor device package and method of the same
KR100859206B1 (ko) 2007-03-15 2008-09-18 주식회사제4기한국 플라즈마를 이용한 ｌｖｈ 제조방법
JP4840245B2 (ja) 2007-04-27 2011-12-21 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
JP2009295862A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp 高周波樹脂パッケージ
JP5378380B2 (ja) 2008-07-23 2013-12-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2010080679A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Kyocera Corp 半導体装置の製造方法
WO2010044741A1 (en) 2008-10-15 2010-04-22 ÅAC Microtec AB Method for making via interconnection
KR100993220B1 (ko) 2008-10-22 2010-11-10 주식회사 디이엔티 노광장비용 카세트의 위치 정렬장치
KR101058685B1 (ko) * 2009-02-26 2011-08-22 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 이의 제조 방법
US8774580B2 (en) 2009-12-02 2014-07-08 Alcatel Lucent Turning mirror for photonic integrated circuits
CN102097330B (zh) * 2009-12-11 2013-01-02 日月光半导体（上海）股份有限公司 封装基板的导通结构及其制造方法
US9420707B2 (en) 2009-12-17 2016-08-16 Intel Corporation Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same
WO2011109648A1 (en) 2010-03-03 2011-09-09 Georgia Tech Research Corporation Through-package-via (tpv) structures on inorganic interposer and methods for fabricating same
JP2011228495A (ja) 2010-04-20 2011-11-10 Asahi Glass Co Ltd 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法および半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板
CN102844857A (zh) 2010-04-20 2012-12-26 旭硝子株式会社 半导体器件贯通电极用的玻璃基板
US8846451B2 (en) 2010-07-30 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Methods for depositing metal in high aspect ratio features
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
US9167694B2 (en) 2010-11-02 2015-10-20 Georgia Tech Research Corporation Ultra-thin interposer assemblies with through vias
CN102122691B (zh) 2011-01-18 2015-06-10 王楚雯 Led外延片、led结构及led结构的形成方法
KR20120051992A (ko) 2010-11-15 2012-05-23 삼성전기주식회사 방열 기판 및 그 제조 방법, 그리고 상기 방열 기판을 구비하는 패키지 구조체
KR101215644B1 (ko) * 2010-12-01 2012-12-26 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩, 반도체 패키지 및 반도체 칩 제조방법
JP5855905B2 (ja) 2010-12-16 2016-02-09 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
JP2013038374A (ja) * 2011-01-20 2013-02-21 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
US9420708B2 (en) 2011-03-29 2016-08-16 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer printed wiring board
KR101160120B1 (ko) 2011-04-01 2012-06-26 한밭대학교 산학협력단 유리기판의 금속 배선 방법 및 이를 이용한 유리기판
US20130050227A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Glass as a substrate material and a final package for mems and ic devices
JP5820673B2 (ja) 2011-09-15 2015-11-24 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI437672B (zh) 2011-12-16 2014-05-11 利用氣體充壓以抑制載板翹曲的載板固定方法
US9117730B2 (en) 2011-12-29 2015-08-25 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
US20130293482A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Transparent through-glass via
US8816218B2 (en) * 2012-05-29 2014-08-26 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Multilayer electronic structures with vias having different dimensions
JP6083152B2 (ja) 2012-08-24 2017-02-22 ソニー株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP6007044B2 (ja) 2012-09-27 2016-10-12 新光電気工業株式会社 配線基板
JP6114527B2 (ja) 2012-10-05 2017-04-12 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2015038912A (ja) 2012-10-25 2015-02-26 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板およびその製造方法
US9113574B2 (en) 2012-10-25 2015-08-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board with built-in electronic component and method for manufacturing the same
JP2014127701A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
JP2014139963A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラス基板の製造方法
CN118684438A (zh) 2013-03-15 2024-09-24 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 化学钢化的柔性超薄玻璃
US20140326686A1 (en) 2013-05-06 2014-11-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Substrate cartridge
KR101468680B1 (ko) 2013-05-09 2014-12-04 (주)옵토레인 인터포저 기판의 관통전극 형성 방법 및 인터포저 기판을 포함하는 반도체 패키지
JP2014236029A (ja) 2013-05-31 2014-12-15 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP5993812B2 (ja) 2013-07-10 2016-09-14 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法
KR101531097B1 (ko) 2013-08-22 2015-06-23 삼성전기주식회사 인터포저 기판 및 이의 제조방법
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
JP6228785B2 (ja) * 2013-09-02 2017-11-08 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
US9263370B2 (en) 2013-09-27 2016-02-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Semiconductor device with via bar
JP2015080800A (ja) 2013-10-23 2015-04-27 旭硝子株式会社 レーザ光を用いてガラス基板に貫通孔を形成する方法
JP6201663B2 (ja) 2013-11-13 2017-09-27 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板、および半導体装置
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
JP5662551B1 (ja) * 2013-12-20 2015-01-28 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
KR20160114710A (ko) 2014-01-31 2016-10-05 코닝 인코포레이티드 반도체칩을 상호연결하기 위한 인터포저를 제공하기 위한 방법 및 장치
JP6273873B2 (ja) 2014-02-04 2018-02-07 大日本印刷株式会社 ガラスインターポーザー基板の製造方法
US9768090B2 (en) 2014-02-14 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US10026671B2 (en) 2014-02-14 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9935090B2 (en) 2014-02-14 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
KR102155740B1 (ko) 2014-02-21 2020-09-14 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
US10211169B2 (en) 2014-05-27 2019-02-19 University Of Florida Research Foundation, Inc. Glass interposer integrated high quality electronic components and systems
JP6466252B2 (ja) 2014-06-19 2019-02-06 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2016009844A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6387712B2 (ja) 2014-07-07 2018-09-12 イビデン株式会社 プリント配線板
CN106663880B (zh) 2014-08-29 2019-07-30 三井金属矿业株式会社 导电体的连接结构及其制造方法、导电性组合物以及电子部件模块
WO2016052221A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社村田製作所 半導体パッケージおよびその実装構造
US20160111380A1 (en) 2014-10-21 2016-04-21 Georgia Tech Research Corporation New structure of microelectronic packages with edge protection by coating
WO2016073549A1 (en) 2014-11-05 2016-05-12 Corning Incorporated Glass articles with non-planar features and alkali-free glass elements
JP6539992B2 (ja) 2014-11-14 2019-07-10 凸版印刷株式会社 配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法
JP2016111221A (ja) 2014-12-08 2016-06-20 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
KR102380304B1 (ko) 2015-01-23 2022-03-30 삼성전기주식회사 전자부품 내장 기판 및 그 제조방법
KR101696705B1 (ko) 2015-01-30 2017-01-17 주식회사 심텍 칩 내장형 pcb 및 그 제조 방법과, 그 적층 패키지
US9778226B2 (en) 2015-02-19 2017-10-03 Saudi Arabian Oil Company Slug flow monitoring and gas measurement
US9585257B2 (en) 2015-03-25 2017-02-28 Globalfoundries Inc. Method of forming a glass interposer with thermal vias
CN104714317B (zh) 2015-04-07 2017-06-23 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种卡匣及基板转移装置
KR102172630B1 (ko) 2015-04-16 2020-11-04 삼성전기주식회사 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법
TWI544580B (zh) 2015-05-01 2016-08-01 頎邦科技股份有限公司 具中空腔室之半導體封裝製程
KR20160132751A (ko) * 2015-05-11 2016-11-21 삼성전기주식회사 전자부품 패키지 및 그 제조방법
US9984979B2 (en) * 2015-05-11 2018-05-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package and method of manufacturing the same
KR102425753B1 (ko) 2015-06-01 2022-07-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 인쇄회로기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP6657609B2 (ja) 2015-06-12 2020-03-04 凸版印刷株式会社 配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
CN105035717B (zh) 2015-06-23 2019-09-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 装卸卡匣的系统和装卸卡匣的方法
WO2017018275A1 (ja) 2015-07-24 2017-02-02 旭硝子株式会社 ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法
JP2017050315A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
EP3358610B1 (en) 2015-10-02 2021-09-15 Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. A bonding junction structure
US20170103249A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Corning Incorporated Glass-based substrate with vias and process of forming the same
JP6690929B2 (ja) 2015-12-16 2020-04-28 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
JP6720534B2 (ja) 2016-01-07 2020-07-08 日立化成株式会社 組立品の製造方法、加圧接合容器及び加圧接合装置
KR102450599B1 (ko) 2016-01-12 2022-10-07 삼성전기주식회사 패키지기판
US10330874B2 (en) 2016-02-02 2019-06-25 Georgia Tech Research Corporation Mixed-signal substrate with integrated through-substrate vias
WO2017188281A1 (ja) 2016-04-28 2017-11-02 旭硝子株式会社 ガラス積層体およびその製造方法
KR102325873B1 (ko) 2016-04-29 2021-11-12 쇼오트 글라스 테크놀로지스 (쑤저우) 코퍼레이션 리미티드. 고강도 초박형 유리 및 이의 제조 방법
TWI559410B (zh) 2016-05-09 2016-11-21 以壓差法抑制材料翹曲的方法
KR102377183B1 (ko) 2016-05-24 2022-03-21 이매진 코퍼레이션 고정밀 섀도 마스크 증착 시스템 및 그 방법
JP6747063B2 (ja) 2016-06-01 2020-08-26 凸版印刷株式会社 ガラス回路基板
CN109477693A (zh) 2016-07-11 2019-03-15 新加坡国立大学 多流体热交换器
KR101738003B1 (ko) 2016-08-18 2017-05-22 (주)상아프론테크 기판 적재 카세트의 서포트 바를 지지하기 위한 인서트 구조체 및 이를 구비한 카세트
US10366904B2 (en) 2016-09-08 2019-07-30 Corning Incorporated Articles having holes with morphology attributes and methods for fabricating the same
CN206541281U (zh) 2016-10-12 2017-10-03 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 一种电子器件结构及其使用的超薄玻璃板
CN106449574B (zh) * 2016-12-05 2019-04-30 中国科学院微电子研究所 同轴式差分对硅通孔结构
JP6810617B2 (ja) 2017-01-16 2021-01-06 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
JP7021854B2 (ja) 2017-01-24 2022-02-17 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 電力用電子回路パッケージおよびその製造方法
DE102018100299A1 (de) 2017-01-27 2018-08-02 Schott Ag Strukturiertes plattenförmiges Glaselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20180240778A1 (en) 2017-02-22 2018-08-23 Intel Corporation Embedded multi-die interconnect bridge with improved power delivery
JP2018163901A (ja) 2017-03-24 2018-10-18 イビデン株式会社 プリント配線板
KR20180116733A (ko) * 2017-04-14 2018-10-25 한국전자통신연구원 반도체 패키지
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP2018199605A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板の製造方法およびガラス基板
JP6928896B2 (ja) * 2017-07-05 2021-09-01 大日本印刷株式会社 実装基板及び実装基板の製造方法
JP6871095B2 (ja) 2017-07-14 2021-05-12 株式会社ディスコ ガラスインターポーザの製造方法
CN109411432B (zh) * 2017-08-18 2020-09-18 财团法人工业技术研究院 半导体封装重布线层结构
KR102028715B1 (ko) * 2017-12-19 2019-10-07 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR101903485B1 (ko) 2018-03-27 2018-10-02 (주)상아프론테크 기판 적재용 카세트
CN108878343B (zh) 2018-06-29 2022-05-03 信利半导体有限公司 一种柔性显示装置的制造方法
KR101944718B1 (ko) 2018-07-05 2019-02-01 (주)상아프론테크 인서트 구조체 및 이를 구비한 기판 적재용 카세트
KR20230033077A (ko) 2021-08-26 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 글래스 수납용 카세트, 글래스를 카세트에 적재하는 방법 및 커버 윈도우의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120023120A (ko) * 2009-06-22 2012-03-12 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 패키지 및 당해 반도체 패키지의 실장구조
KR20110112974A (ko) * 2010-04-08 2011-10-14 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그의 제조방법
KR20150014167A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 삼성전기주식회사 유리 코어가 구비된 인쇄회로기판

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220089715A (ko) 2022-06-28
US12027454B1 (en) 2024-07-02
EP3905323B1 (en) 2024-08-14
JP2022133442A (ja) 2022-09-13
CN113366633B (zh) 2022-07-12
CN113366633A (zh) 2021-09-07
US11469167B2 (en) 2022-10-11
JP2022508408A (ja) 2022-01-19
US11728259B2 (en) 2023-08-15
EP3905323A1 (en) 2021-11-03
EP3905323A4 (en) 2022-10-19
US20220352062A1 (en) 2022-11-03
US20210391243A1 (en) 2021-12-16
JP7416868B2 (ja) 2024-01-17
WO2021040178A1 (ko) 2021-03-04
KR102413117B1 (ko) 2022-06-24
JP7104245B2 (ja) 2022-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102396184B1 (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR20210068581A (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102515303B1 (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
US20230207442A1 (en) Packaging substrate and semiconductor device comprising same
KR102413117B1 (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR20210068580A (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR20210071075A (ko) 패키징 기판 및 이의 제조방법
US10903157B2 (en) Semiconductor device having a glass substrate core layer
KR102412292B1 (ko) 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant