KR101266441B1 - 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법 - Google Patents
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Abstract
금속 필름이 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지로 증착된다. 구리 금속 필름을 가열된 기판에 구리(I) N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 코발트 금속 필름을 가열된 기판에 코발트(II) 비스(N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 이들 금속의 질화물 및 산화물을 수소를 암모니아 또는 수증기로 각각 교체함으로써 형성할 수가 있다. 필름은 좁은 홀에도 매우 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지를 갖는다. 적당한 응용분야로는 자기정보 저장장치에서의 마이크로전자 및 자기저항 층의 전기적 상호연결에 사용된다.
Description
본 발명은 경질의 기판에 금속을 함유한 균일한 필름을 증착하기 위한 재료 및 방법에 관한 것으로, 특히 구리, 코발트, 철 금속이나 이들의 산화물 또는 질화물에 관한 것이다. 본 발명은 마이크로 전자소자의 제조에 적용될 수 있다.
마이크로 전자소자의 속도 및 기능의 향상에 따라, 더 높은 전기전도도를 가진 재료가 집적회로의 트랜지스터 사이를 연결하기 위해 필요하다.
구리는 알루미늄보다 전기전도도가 높고 전자이동에 대한 안정성이 양호하다. 따라서, 구리가 실리콘 반도체에 더욱 널리 사용되고 있다. 이러한 경향은 인터넷(http://public. itrs.net/Files/2001ITRS/Home. htm)에 공개된 반도체의 국제 기술 로드맵(International Technology Roadmap)에 기술되어 있다.
구리의 상호연결은 좁은 홀과 같은 구조물에 균일하게 증착되어야 하고, 그에 따른 필름은 높은 균일성의 두께를 이루어야 한다. 두께의 편차가 있을 경우에는, 트렌치(trench) 내의 또는 이를 통한 전기전도도가 떨어지는 바, 이는 구리의 거친표면으로부터 전자산란이 증가하기 때문이다. 따라서, 고품질의 배리어/결합 층은 매우 평활한 표면을 갖는다. 평활하고 균일한 층을 형성하기에 적합한 한 방법으로는 원자층 증착법(ALD)이 있다. ALD 방법은 두 개 이상의 상이한 증기 프리커서를 이용하여 고체 재료의 박막을 증착하는 것이다. 필름이 증착되는 기판의 표면은 하나의 프리커서로 된 일회분 증기에 노출된다. 그런 다음, 과잉의 미반응된 증기는 배출시키고, 제 2의 프리커서 일회분 증기가 표면으로 공급되어 반응한다. 이러한 공정이 반복되어 필름의 두께가 증가하게 된다. 이 방법의 중요한 한 양상은 ALD 반응이 자동 제한적이어서, 단지 소정의 최대 두께가 하나의 사이클 중에 형성되고, 그 후에는 과잉의 반응물이 있어도 어떠한 추가의 증착도 일어나지 않는 다는 것이다. 이러한 자동 제한적 특성으로 인해서, ALD 반응에 의해서 높은 균일성을 갖는 두께의 박막이 생성된다. ALD 필름 두꼐의 균일성은 평평한 기재의 표만 뿐만아니라 좁은 홀과 트렌치에 까지도 형성된다. 균일한 필름을 만드는 ALD의 이러한 효과를 소위 "good step coverage"라 칭한다.
구리의 ALD는 구리 프리커서(Cu(II)-2, 2,6, 6-tetramethyl-3,5-heptanedionate by P. Martensson and J. -O. Carlsson in the Journal of the Electrochemical Society, volume 145, pages 2926-2931, 1998)로부터 설명되어 진다. 그러나, 이러한 ALD 공정의 구리는 미리 형성되어 있는 플라티늄 표면에서만 성장하고, 자동 제한적 ALD 공정의 온도범위(< 200 ℃)에서는 대부분의 다른 표면에 응집되거나 부착되지는 않는다. 다른 반응이 구리의 ALD에 대해서 암시되어 왔지만 제시된 표면 반응이 실제적으로 자동 제한적인지를 설명하는 어떠한 데이터도 공개된 바 없다. 따라서, 플라티늄 외의 표면에 응집되거나 부착되는 구리에 대한 ALD 공정은 매우 유익할 것이다.
미국특허 제6,294, 836호는 구리와 기판 사이에 코발트의 접착층을 사용함으로써 구리에 대한 접착력을 강화하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 코발트를 증착하기 위해 알려진 화학 증착(CVD) 기술은 열악한 공정수행을 갖는 바, 미국특허제 6,444, 263호에 따라 5 : 1 비율의 홀 바닦에서 단지 20%의 두께만을 형성시킨다. 코발트의 ALD는 코발트 비스(아세틸아세토네이트)[Co(acac)2]와 수소와의 반응에 대하여 미국특허출원 제2002/0081381호에 개시되어 있지만, 어떠한 스텝 커버리지 데이타도 주어진 바 없고, 성장은 단지 이미 형성된 이리듐 표면에서만 나타나고 있다. 미국특허출원 제2002/0081381호는 또한 Co(acac)2와 실란의 반응에 의한 코발트의 비선택적인 성장을 개시하고 있지만, 이 코발트는 실란을 함유할 수도 있다. 따라서, 높은 스텝 커버리지를 갖는 순수한 코발트에 대한 증착공정이 바람직하다.
구리 및 코발트로 이루어진 박막은 자기 정보 저장을 위한 자기저항 기록 및 리드 헤드를 형성하는데 사용된다. 이러한 박막은 매우 균일한 두께를 갖고, 결함이나 홀이 거의 없어야 한다. 이러한 소자를 제조하기 위한 성공적인 산업 공정이 있지만, 더욱 균일하고 결함이 거의 없는 박막을 형성하는 코발트 및 구리에 대한 증착공정을 제공하는 것은 매우 바람직하다.
마이크로 전자회로로 집적된 자기메모리에 대한 향상된 설계(예로서, 미국특허출원 제2002/0132375호 및 미국특허 제6,211, 090호는 세밀하게 제어된 두꼐 및 정밀한 인터페이스를 가진 높은 균일성의 금속층(특히 Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Mn)을 요한다. 그러나, 원하는 균일성 및 두께를 가진 이러한 금속층을 증착하는 어떠한 방법도 알려진 바 없다.
본 발명의 한 양태는 휘발성 금속 아미디네이트 화합물을 이용하여, 구리, 코발트, 니켈, 철, 루데늄, 망간, 크롬, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 티타늄 또는 란타늄과 같은 금속을 포함하는 필름을 증착하는 공정을 제공하는 것이다. 이 필름은 균일한 두께와 평활한 표면을 갖는다.
이 공정의 한 장점은 매우 균일한 두께를 가진 금속 함유 코팅을 형성하는 것이다.
본 발명과 관련한 한 양태는 기판과 증착된 코팅층 사이에 양호한 부착력을 형성하는 상태에서 금속 함유 코팅층을 증착하는 것이다.
본 발명의 다른 장점은 매우 평활한 표면을 가진 금속 함유 코팅층을 증착시키는 것이다.
본 공정의 또 다른 장점은 높은 균일성을 가진 금속 함유 코팅층을 증착하는 것이 반응기 내부에 있는 기판의 위치 및 반응물의 농도와 같은 여러 범위의 조건에 의해서 실현된다는 것이다.
본 발명의 또 다른 장점은 좁은 홀이나 트렌치와 같은 구조를 가진 기판에 균일한 금속 함유 코팅을 형성하는 능력이다. 이러한 능력은 "양호한 스텝 커버리지"로 흔히 알려져 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 거의 홀이 없거나 다른 구조적인 결함이 없는 금속 함유 코팅층을 제조하는 것이다.
본 발명의 또 다른 장점은 높은 전기 전도도를 가진 금속 코팅층을 증착하는 능력이다.
본 발명의 또 다른 장점은 산화물 기판에 강하게 접착하는 금속 함유 코팅층을 증착하는 능력이다.
본 발명의 또 다른 장점은 비교적 낮은 온도에서 금속 함유 코팅층으로 기판을 증착하는 능력이다.
본 발명의 또 다른 양태는 기판에 플라즈마에 의한 손실을 발생시키지 않고 금속 함유 코팅층을 증착하는 원자층 증착법을 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는 마이크로 전자 소자에 커넥터로 사용되는 전기 전도성의 구리 코팅층을 증착하는 공정이다.
본 발명의 또 다른 양태는 유용한 자기특성을 가진 코발트 코팅층을 증착하는 공정이다.
본 발명의 또 다른 양태는 코발트 증착후에 마이크로 전자의 상호연결구조에 있어서 확산 배리어(예로서, TiN, TaN 또는 WN)에 구리층을 증착하는 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는 유용한 자기저항 특성을 가진 코발트/구리 나노 라미네이트 코팅층을 증착하는 공정이다.
본 발명의 한 양태로서, 가열된 기판을 하나 이상의 휘발성 금속 아미디네이트 화합물(M-AMD)에 선택적으로 노출시킨후, 증기를 제거하여 기판의 표면에 금속 코팅층을 형성함으로써 금속을 함유하는 박막을 제조한다. 하나 이상의 실시예에서, 환원 가스는 수소를 포함한다.
본 발명의 다른 양태로서, 가열된 기판을 하나 이상의 휘발성 금속 아미디네이트 화합물(M-AMD)에 선택적으로 노출시킨후, 질소 함유 가스에 노출시켜서 기판의 표면에 금속질화물 코팅층을 형성함으로써 금속질화물을 함유하는 박막을 제조한다. 하나 이상의 실시예에서, 질소 함유 가스는 암모니아를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태로서, 가열된 기판을 하나 이상의 휘발성 금속 아미디네이트 화합물(M-AMD)에 선택적으로 노출시킨후, 산소 함유 가스에 노출시켜서 기판의 표면에 금속산화물 코팅층을 형성시킴으로써 금속산화물을 함유하는 박막을 제조한다. 하나 이상의 실시예에서, 산소 함유 가스는 물을 포함한다.
하나 이상의 실시예에서, 휘발성 금속 아미디네이트 화합물은 M(I)AMD, M (II)AMD2 및 M(III)AMD3, 및 이들의 올리고머로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 가진 금속 아미디네이트 화합물로서, 식에서 M"은 금속이고, AMD는 아미디네이트 모이어티(moiety)이다.
본 발명의 한 양태로서, 휘발성 구리 화합물의 증기는 표면에서 수소 가스와 선택적으로 반응하여 기판의 표면에 구리 금속의 박막층을 형성한다. 특히, 바람직한 구리 화합물은 구리(I) 아미디네이트 군으로부터 선택된다.
본 발명의 다른 양태로서, 휘발성 코발트 화합물의 증기는 기판의 표면에서 수소와 선택적으로 반응하여 표면에 코발트 금속의 박막층을 형성한다. 특히, 적합한 콥발트 화합물은 코발트(II) 아미디네이트 군으로부터 선택된다. 이 공정에서는 수소 가스를 암모니아 가스로 대체함으로써 코발트질화물을 증착할 수 있다. 이공정에서 수증기로 수소 가스를 대체하여 코발트 산화물을 증착할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에서는, 니켈, 철, 루데늄, 망간, 크롬, 바나듐, 니오븀, 탄탈룸, 티타늄 및 란타늄의 아미디네이트가 증착공정에 사용되어 하나 이상의 이들 금속을 함유하는 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 양태로서, 휘발성 란타늄 화합물의 증기는 기판의 표면에서 암모니아 가스와 선택적으로 반응하여 표면에 란타늄질화물의 박막층을 형성한다. 특히, 적합한 란타늄 화합물은 란타늄(III) 아미디네이트 군으로부터 선택된다. 이 공정에서는 암모니아 가스를 수증기로 대체함으로써 란타늄산화물을 증착할 수 있다.
다른 실시예로서, 반응이 홀이나 트렌치를 포함할 수도 있는 기판에 필름을 형성하도록 수행될 수도 있다. 코팅은 또한 분말이나 와이어에서도 형성될 수 있고, 또는 완성된 물리적 구조물 주위나 내부에서도 형성될 수 있다.
본 발명 및 본 발명에 대한 여러 양태, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조로 한 이하 설명에 의해서 명확히 이해가 될 것이다.
도 1은 본 발명의 최소한 하나의 실시예에 사용되는 원자층 증착 장치를 나타낸 예시도,
도 2는 본 발명의 최소한 하나의 실시예에 사용되는 구리 프리커서의 분자 구조도,
도 3은 코발트 프리커서에 대한 분자 구조도,
도 4는 본 발명의 실시예를 사용하여 벽이 구리 금속으로 코팅된 좁은 홀의 전자현미경을 통한 마이크로사진,
도 5는 코발트 금속으로 코팅된 광학 마이크로사진,
도 6은 기판의 온도에 따른 각각의 ALD 공정에서의 증착된 구리 두께를 나타낸 그래프,
도 7은 증착된 코발트 두께에 따라 나타낸 그래프이다.
도 1은 본 발명의 최소한 하나의 실시예에 사용되는 원자층 증착 장치를 나타낸 예시도,
도 2는 본 발명의 최소한 하나의 실시예에 사용되는 구리 프리커서의 분자 구조도,
도 3은 코발트 프리커서에 대한 분자 구조도,
도 4는 본 발명의 실시예를 사용하여 벽이 구리 금속으로 코팅된 좁은 홀의 전자현미경을 통한 마이크로사진,
도 5는 코발트 금속으로 코팅된 광학 마이크로사진,
도 6은 기판의 온도에 따른 각각의 ALD 공정에서의 증착된 구리 두께를 나타낸 그래프,
도 7은 증착된 코발트 두께에 따라 나타낸 그래프이다.
본 발명은 원자층 증착에 의해서 금속 아미디네이트를 포함하는 반응물로부터 금속 함유 층을 제조하는 방법을 제공한다. 원자층 증착 공정에 있어서, 수회의 금속화합물 증기가 도 1에 나타낸 장치에 의해서 선택적인 제 2의 반응물과 함께 기판의 표면에 가하여진다. 적절한 금속 아미디네이트로는 금속 포름아미디네이트와 아세트아미디네이트가 있다. 전형적인 제 2의 반응물로는 수소 가스, 암모니아 가스, 또는 수증기가 있다. 수소 가스를 선택할 경우에는 금속이 증착되고, 암모니아 가스를 선택하였을 경우에는 금속질화물이 증착된다. 또한, 수증기가 선택되었을 경우에는 금속산화물이 증착된다.
하나 이상의 실시예에서, 1가 금속에 대한 프리커서는 휘발성 금속(I) 아미디네이트 [M(I)(AMD)]X( x는 2, 3)를 포함한다. 얼마간의 이러한 화합물은 아래의 이량체 구조식(1)을 갖는다.
식에서, Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3'은 하나 이상의 비금속 원자로 이루어진 군이다. 몇몇의 실시예에 있어서는, Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3'이 수소, 알킬, 아릴, 알케닐, 알키닐, 트리알킬실릴 오르플루오르알킬 군, 또는 다른 비금속 원자나 군으로부터 선택되고, 다른 몇몇의 실시예에 있어서는 Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3'이 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 함유하는 알킬 오르플루오르알킬 또는 실릴알킬 군이다. 적합한 1가 금속으로는 구리(I), 은(I), 금(I) 및 이리듐(I)이 있다. 하나 이상의 실시예에 있어서, 금속 아미디네이트는 구리 아미디네이트이고, 이 구리 아미디네이트는 구조식(1)에서 Rl,R2,R1',R2'를 이소프로필 군으로서 선택하고 , R3 및 R3'는 메틸 군으로 선택한 N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트(diisopropylacetamidinate)로 이루어진다. 하나 이상의 실시예에서, 금속(I) 아미디네이트는 일반식[M(I)(AMD)]3 을 가진 트리머이다.
하나 이상의 실시예에서, 2가 금속 프리커서는 휘발성 금속(II) 비스-아미디네이트[M(II)(AMD)2](여기서, x는 1, 2)이고, 이 화합물은 단량체 구조식(2)을 갖는다.
식에서, Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3'은 하나 이상의 비금속 원자로 이루어진 군이다. 하나 이상의 실시예에서, 이러한 구조의 다이머, 즉[M(II)(AMD)2]2가 이용될 수 있다. 몇몇의 실시예에 있어서는, Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3'이 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알케닐, 알키닐, 트리알킬실릴 오르플루오르알킬 군, 또는 다른 비금속 원자나 군으로부터 선택되고, 다른 몇몇의 실시예에 있어서는 Rl,R2,R3,R1',R2' 및 R3' 이 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 함유하는 알킬 오르플루오르알킬 또는 실릴알킬 군이다. 적합한 2가 금속으로는 코발트, 철, 니켈, 망간, 루테늄, 아연, 티타늄, 바나듐, 크롬, 유로피움, 마그네슘, 및 칼슘이 있다. 하나 이상의 실시예에 있어서, 금속(II) 아미디네이트는 코발트 아미디네이트이고, 이 코발트 아미디네이트는 구조식(2)에서 Rl,R2,R1',R2' 를 이소프로필 군으로서 선택하고 , R3 및 R3'는 메틸 군으로 선택한 코발트(II) 비스 (N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트)로 이루어진다.
하나 이상의 실시예에서, 3가 금속에 대한 프리커서는 휘발성 금속(III) 트리스-아미디네이트, M(III)(AMD)3를 포함하고 있으며, 이 화합물은 단량체 구조식(3)을 갖는다.
식에서, R1, R2, R3, R1', R2', R3', R1 ", R2 " 및 R3 "은 하나 이상의 비금속 원자로 이루어진 군이다. 몇몇 실시예에서는 R1, R2, R3, R1', R2', R3', R1 ", R2 " 및 R3 " 이 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알케닐, 알키닐, 트리알킬실릴, 할로겐 또는 부분적으로 플루오르화된 알킬 군으로부터 선택되고, 다른 몇몇의 실시예에 있어서는 R1, R2, R3, R1', R2', R3', R1 ", R2 " 및 R3 "이 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 함유하는 알킬 군이다. 적합한 3가 금속으로는 란탄늄, 프라세오디늄 및 다른 란탄족 금속, 이티리움, 스칸디움, 티타늄, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 크롬, 철, 루테늄, 코발트, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 비스무트가 있다. 하나 이상의 실시예에 있어서, 금속(III) 아미디네이트는 란타늄 아미디네이트이고, 이 란타늄 아미디네이트는 구조식(3)에서 R1, R2, R1', R2', R1 ", R2 "를 tert-부틸 군으로서 선택하고 , R3 , R3' , R3 "는 메틸 군으로 선택한 란타늄(III) 트리스 (N, N'-di-tert-부틸세트아미디네이트)로 이루어진다.
여기서 사용되는 금속 아미디네이트는 단량체로서 금속과 아미디네이트의 비율은 동일하지만, 단량체 화합물의 올리고머로 일컬어지는 화합물에 에서의 금속/아미디네이트의 전체 수량은 다르다. 따라서, 단량체 화합물 M(II)AMD2 올리고머는 [M(II)(AMD)2]X(여기서, x는 2, 3...)을 포함한다. 유사하게, M(I)AMD2는 [M (I)AMD2]X(여기서, x는 2,3, ...)를 포함한다.
금속 아미디네이트는 적당한 방법에 의해서 제조될 수 있는 바, 금속 아미디네이트 프리커서를 만드는 한 방법으로는 1,3-디알킬카보디이미드를 알킬리튬화합물과 반응시켜서 리튬 아미디네이트를 형성하는 것이다.
그런다음, 리튬 아미디네이트를 금속 할로겐화물과 반응시켜서 금속 아미디네이트를 형성하는 것이다.
비대칭의 카보디이미드(R1이 R2와 다름)는, 대칭성 카보디이미드(R1=R2)와 마찬가지로 다음의 일련의 반응에 의해서 합성될 수 있다.
넓은 범위의 알킬아민과 알킬이소시아네이트가 R1 및 R2 알킬 군을 공급하기 위해 사용될 수 있다. 다른 R3 알킬 군은 적절한 알킬리튬 화합물을 사용함으로써 공급될 수 있다.
금속 아미디네이트를 제조하는 다른 방법으로는 카보디이미드보다는 N, N'-디알킬아미딘을 사용한다.
아미딘은 아미딘과 금속수소화물(R = H), 금속알킬(R = alkyl) 또는 금속알킬아미드(R = dialkylamide)를 반응시켜서 금속 아미디네이트로 전환할 수 있다.
선택적으로, 이 반응은 아미딘의 알칼리 금속염을 형성하는데 사용될 수 있고, 계속해서 금속할로겐화물과 반응하여 원하는 금속 아미딘을 형성한다.
N, N'-디알킬아미딘은 종래의 유기화학에서 잘 알려진 어떠한 편리한 방법에 의해서도 합성될 수 있다. 대칭성 아미딘(R1=R2)은 아민을 란타늄 트리플루오로메탄설포네이트(란타늄 트리플레이트로 알려짐)의 촉매하에 질화물로 농축될 수 있다.
비대칭 아미딘(R1이 R2와 다름)이 대칭 아미딘과 마찬가지로 아미딘을 시발물질로 하여 다음의 반응에 의해서 합성될 수 있다. 몇몇 아미드는 상업적으로 입수가능하고, 다른 것은 유기산 클로라이드와 아민을 반응시켜 합성할 수 있다.
다음으로, 아미드는 피리딘과 같은 유기산 하에서 트리플루오로메탄설포닉 무수물(트리필릭 무수물로 알려짐)과 반응하여 다음의 이미니움염을 형성한다.
상기 중간체의 이미니움염은 이어서 알킬암모늄 클로라이드 R2NH3CI와 반응하고, NaOH와 같은 염기와 반응하여 원하는 프리 아미딘을 형성한다.
이러한 반응을 가능한 한 용이하게 실행하기 위해서는, 군 R을 군 R1보다 더 입체장애가 되도록 선택하여 비대칭의 아미딘을 합성한다.
액체 프리커서는 일반적으로 본 발명을 실시하는데 여러 장점을 갖는다. 금속 아미디네이트의 용융점이 실내온도보다 낮을 경우, 액체 화합물을 분별증류에 의해서 고순도로 만들 수가 있다. 이와는 대조적으로, 경질의 물질을 승화에 의해서 고순도로 얻기가 매우 어려운 바, 이는 불순물을 제거하는 데 분별증류보다는 덜 효과적이기 때문이다. 공기에 민감한 액체 화합물은 또한 일반적으로 고체의 것보다 취급 및 운송이 쉽다.
낮은 용융점을 가진 금속 아미디네이트는 R1, R2 및/또는 R3에 대해서 보다 긴 사슬의 알킬 군을 사용함으로써 만들어질 수 있다. 비대칭의 금속 아미디네이트(여기서, R1은 R2와 다름)는 일반적으로 대칭의 금속 아미디네이트보다 낮은 용융점을 갖는다. sec-부틸과 같이 하나 이상의 입체이성질체를 갖는 알킬 군은 또한 보다 낮은 용융점을 갖게 한다. 이러한 물질을 하나 이상 사용하게 되면 원하지 않는 고체 화합물보다는 원하는 액체의 프리커서를 얻을 수가 있다.
낮은 용융점은 또한 본발명에 따른 증착공정에 대해서 증기를 제공하기에 적합하다. 화합물의 용융점이 증기로 될때의 온도보다 낮을 경우, 증기의 액체 원료는 고체 화합물보다 더 빠른 증기 운동에너지를 갖는다. 또한, 고체의 승화는 흔히 추가적인 증발을 방해하는 덜 휘발성인 물질 잔류물이 표면을 덮는 경향이 있다. 액체 원료에 있어서는, 다른 한편으로 비휘발성인 잔류물이 벌크 형태의 액체에 침전됨으로서 액체 표면을 깨끗하게 하고 원하는 속도의 증발이 일어나게 한다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라서, 금속 아미디네이트가 증기로 기판에 주입된다. 프리커서의 증기는 종래의 방법에 의해서 액체 또는 고체의 프리커서로부터 만들어질 수 있다. 하나 이상의 실시예에 의해서, 액체 프리커서는 중화에 의해서 약 100 내지 200 ℃의 증기온도 이상에서 예열된 캐리어의 증기 상태로 된다. 중화는 공기압, 초음파, 또는 다른 적당한 방법에 의해서도 이루어질 수 있다. 중화되는 고체 프리커서는 디케인, 도디케인, 테트라디케인, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에테르, 에스테르, 케톤, 및 염화 탄화수소물과 같은 탄화수소물을 포함하는 유기용매에 녹을 수 있다. 액체 프리커서의 용액은 순수한 액체보다 대개 낮은 점성도를 갖기 때문에 경우에 따라서는 순수한 액체보다는 용액을 중화 및 증발시키는 것이 바람직할 수도 있다. 액체 또는 용액 프리커서는 액체나 용액을 가열부로 직접 분사하거나 버블러에서 가열함으로써 박막 증기형태로 증발될 수도 있다.
액체 증발을 위한 상업 장치는 MKS Instruments (Andover, Massachusetts), ATMI, Inc. (Danbury, Connecticut), Novellus Systems, Inc.(San Jose, California) 및 COVA Technologies (Colorado Springs, CO)에서 만들어지고 있다. 초음파 중화는 Sonotek Corporation (Milton, New York) 및 Cetac Technologies (Omaha, Nebraska)에서 만들어진다
본 발명의 금속 프리커서는 산소 가스와 같은 환원제와 반응하여 금속 박막을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 구리(I) N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트가 수소 가스와 반응하여 구리 금속 아미디네이트를 형성할 수도 있다. 다른 실시예에서는, 본 발명의 금속 프리커서가 다른 적당한 반응성 환원제 화합물과 반응하여 금속 화합물을 또한 형성할 수도 있다. 몇몇 실시예에 있어서는, 본 발명의 금속 프리커서가 암모니아 가스와 반응하여 금속질화물을 형성할 수도 있는 바, 예로서 코발트(II) 비스(N, N'-diisopropylacetamidinate)가 암모니아 가스와 반응하여 코발트질화물을 형성한다. 다른 실시예에 있어서는, 본 발명의 금속 프리커서가 수증기와 반응하여 금속산화물을 형성한다. 예를 들어, 란타늄(III) 트리스 (N, N'-di-tert-butylacetamidinate)는 수증기와 반응하여 란타늄산하물을 형성할 수도 있다.
본 발명의 공정은 원자층 증착법(ALD)을 사용하여 수행될 수도 있다. ALD는 제 반응물의 정량을 증착을 위한 기판이 구비된 증착챔버에 주입된다. 제 1 반응물의 박막이 기판에 증착된 다음, 미반응의 남아있는 제 1반응물과 휘발성 물질이 진공펌프에 의해서 제거되고, 선택적으로 불활성 가스가 주입된다. 제 2 반응물이 제 1반응물로서 이미 증착된 층위에 증착 및 반응한다. 제 1 및 제 2 반응물이 교대로 증착챔버에 주입되어 기판에 증착됨으로써 조절된 조성 및 두께를 가진 층을 형성한다. 교대 시간차는 수초 단위로 이루어지고 방금 주입된 성분에 대해 정확한 시간을 제공하여 박막 표면과 반응하도록 선택된다. 또한 남아있는 여분의 증기 및 산물이 기판위의 해드공간을 통해 제거되도록 시간 간격을 선택한다. 표면반응은 자동 제한적이 되도록 결정함으로써 예상되는 재생성의 조성물이 증착되도록 한다. 본 기술분야의 전문가는 누구나 알 수 있는 바와 같이, 두 개 이상의 반응 성분을 이용한 증착공정은 본 발명의 범주에 속한다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 있어서, 6-포트 샘플링 밸브(Valco model EP4C6WEPH,Valco Instruments, Houston, TX)를 일반적으로 가스크로마토그래프에 샘플을 분사하는데 사용함으로써 반응가스의 펄스를 전달할 수가 있다. 컴퓨터 제어에 의해서 밸브를 작동시킬때 마다, "샘플 루프"에 있는 정량의 가스가 증착챔버로 주입된다. 캐리어 가스의 일정한 흐름에 의해서 깨끗한 잔류 반응가스가 튜브로부터 가열된 증착부로 흐르게 된다. 이러한 전송법은 수소 및 암모니아와 같은 반응가스에 매우 편리하다.
반응물 분량의 증기압은 증착챔버의 압력보다 높고 도 1에 예시된 것과 같은 장치를 사용함으로써 주입될 수 있다. 예를 들어, 수분은 증착챔버의 보통 압력(대개 1 토르 미만)보다 훨씬 높은 증기압(실내온도에서 약 24 토르)을 갖는다. 이러한 휘발성 프리커서(20)는 한쌍의 에어작동형 다이어프램 밸브(50, 70)(Titan II model made by Parker-Hannifin, Richmond CA)를 사용하여 가열된 증착챔버(110)로 증기(30)를 주입시킨다. 밸브는 정량의 용적(V)을 가진 챔버(60)와 연결되어 있고, 이 조립체는 제어온도 (T2)에 고정된 오븐(80) 내부에 위치한다. 프리커서 저장용기(10)내의 반응 증기(30)의 압력은 오븐(40) 주위의 결정된 온도(T1)에서 고체 또는 액체의 평형증기압(Peq)과 동일하다. 온도(T1)는 충분히 높게 선택함으로써 프리커서 압력(Peq)이 증착챔버의 압력(Pdep)보다 높더록 한다. 온도(T2)는 T1보다 높게 하여 단지 증기만이 밸브(50, 70) 또는 챔버(60)에 발생되고 농축된 상은 나타나지 않도록 한다. 가스 반응물의 경우에는, 이러한 전송법이 또한 사용될 수 있다. 용적(V)에 있는 가스 압력은 가스 반응물을 저장하고 있는 용기의 압력으로부터 이의 압력을 감소시키는 압력조절기(도시 생략)에 의해서 설정된다.
캐리어 가스(예로서, 질소 가스)는 증착챔버로 주입되는 반응물의 흐름 속도를 높이고, 반응 부수물 및 미반응된 반응증기를 신속히 제거하기 위해서 제어된 속도로 주입구(90)에 주입된다. 일정속도의 믹서기가 반응기로 통하는 튜브(100)에 구비되어 있어서, 노(120)에 의해서 가열되고 하나 이상의 기판을 수용하고 있는 증착챔버(110)로 가스가 유입될때, 캐리어 가스 내의 프리커서 농도를 균일하게 유지시켜준다. 반응 부수물 및 미반응된 반응증기는 트랩(140)에 의해서 제거되어 진공펌프(150)를 통과한다. 캐리어 가스는 배출구(160)로 배기된다.
작동중에는, 밸브(70)가 열려서 챔버(60) 내에 있는 압력이 증착챔버(110)의 압력과 비슷한 값(Pdep)으로 감소된다. 그런 다음, 밸브(70)가 닫히고 프리커서 저장용기(70)로부터 챔버(60)로 프리커서 증기가 흐르도록 한다.
그후, 밸브(50)가 닫히고 챔버(60)의 용적(V)은 압력(Pdeq)에서 프리커서 증기로 채워진다. 마지막으로, 밸브(70)가 열려서 챔버(70) 내에 저장된 대부분의 프리커서 증기가 증착챔버로 유입된다. 이상적인 가스의 법칙을 따르는 증기로 가정하여 이 공정주기에 의해서 이송되는 프리커서의 몰 수(n)는 다음의 식과 같다:
n=(Peq-Pdep)(V/RT1)
이 식은 또한 프리커서 증기를 발생시키기 위해 열려있는 짧은 시간 동안 튜브(90)로부터 나오는 캐리어 가스가 밸브(70)를 통해 챔버(60)로 유입되지 않는다고 가정한 것이다. 밸브(70)가 열려있는 시간 동안 캐리어 가스가 프리커서 증기와 혼합되는 경우에는, 다량의 프리커서 증기 분량이 이송되어서 다음 식의 최대값까지 상승된다:
n=(Peq)(V/RT1)
챔버(60) 내에 있는 모든 잔여 프리커서는 캐리어 가스로 대체된다. 비교적 높은 증기압(Peq >> Pdep)을 가진 프리커서인 경우에 있어서는, 프리커서 분량의 이들 두 추정치 사이에는 큰 차이가 없다.
이송되는 프리커서(20)의 이러한 순환은 원하는 분량의 프리커서(20)가 반응챔버로 이송될때까지 필요한 경우 반복된다. 대개는 ALD 공정에 있어서, 이러한 순환(또는, 더 많은 분량을 갖도록 반복된 수회의 순환)에 의해서 이송된 프리커서의 분량은 충분히 크게 선택함으로써 표면반응이 완전하게 이루어지도록 한다(포화).
Peq가 Pdep보다 낮은 증기압을 가진 프리커서의 경우에는, 상기한 방법으로는 어떠한 프리커서도 증착챔버로 유입될 수 없다. 증기압은 저장용기의 온도를 올림으로써 증가될 수 있지만, 경우에 따라서는 더 높은 온도에 의해서 프리커서의 열적 분해가 일어날 수도있다. 금속 아미디네이트 프리커서는 종종 증착챔버의 작동압력보다 낮은 증기압을 갖는다. 낮은 증기압을 가진 프리커서(21)의 경우에는, 증기(31)르 도 1의 장치를 이용하여 이송할 수 있다. 챔버(19)는 먼저 압력조절기(도시하지 않음)로부터 튜브(15) 및 밸브(17)를 거쳐 이송된 캐리어 가스로 가압된다. 밸브(17)가 닫히고, 밸브(51)은 열림으로써 캐리어 가스에 의해서 저장용기(11)를 가압하여 압력(Ptot)에 이르도록 한다.
저장용기(11)의 증기 공간(31) 내의 프리커서 증기의 몰분율은 따라서 Peq/Ptot가 된다. 밸브(51)가 닫히고 밸브(71)는 열림으로써 반응물 증기(31)의 분량을 이송한다. Ptot가 증착챔버의 압력(Pdep)보다 크게 설정되면 분량내의 이송되는 몰 수는 다음의 식으로부터 추정될 수 있다.
n =(Peq/Ptot) (Ptot-Pdep) (V/RTl')
여기서, V는 증기 공간(31)의 용적이고 Tl'는 오븐(41)에 의해서 유지되는 온도이다. 오븐(81)은 농축이 일어나지 않도록 T1'보다 훨씬 높은 온도(T2')로 유지된다. 튜브(91)로부터 나온 캐리어 가스가 밸브(71)가 열려있는 동안에 용적(31)으로 유입되는 경우에는, 이러한 추정치보다 다소 많은 분량이 이송될 수도 있다. 용적(V)을 보다 크게 형성하므로서, 표면반응이 포화될 정도로 많은 양의 프리커서가 이송될 수도 있다. 증기압(Peq)이 낮아서 원하는 용적(v)을 형성할 수 없을 경우에는, 용적(V)으로부터 추가의 분량이 이송된 후에 다른 반응물의 이송이 이루어진다.
하나 이상의 실시예에 있어서, 도 1의 장치는 동일한 두 개의 이송챔버를 포함할 수있다. 즉, 두 개의 챔버는 증착챔버 압력보다 높거나 낮은 증기압을 가진 샘플을 이송하는데 사용된다.
등온 증착부(11)에 있어서는, 물질이 기판 및 내부의 챔버벽을 포함한 모든 표면에 증착되기 때문에, 기판 및 노출된 챔버벽의 전체 면적에 의해서 분할된 몰의 개념으로 프리커서 분량을 제공하는 것이 바람직하다.
경우에 따라서는, 증착이 기판의 후면 전체에서 일어날 수 있는 바, 이 경우에는 이 면적도 전체 면적에 포함되어야 한다.
본 발명은 다음의 실시예를 통하여 더욱 명확히 이해할 수 있는 바, 이러한 실시예는 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
아래의 실시예에 기재된 모든 반응 및 조작은 불활성 대기박스 또는 표준 Schlenk 기술을 사용하는 순수한 질소 분위기에서 실행된다. 테트라히드로퓨란(THF), 에태르, 헥산 및 아세토니트릴을 혁신적인 기술의 용매 정화시스템을 사용하여 건조시키고 4 옹그스트롱 분자 시이브에 저장한다. sec-부틸아민을 바륨산화물, 메틸리튬, tert-부틸리튬, 1,3-디이소프로필카보디이미드, 1,3-tert-부틸카보디이미드, CuBr, AgCl, CoCl2, NiCl2, MnCl2, MgCl2, SrCl2, TiCl3, VC13, BiCl3, RuCl3, Me3Al (trimethylaluminum), (CF3S03)3La (La triflate), La 및 Pr을 Aldrich Chemical Company로부터 이용할 수 있다. 이러한 과저에 의해서 제조된 금속 화합물은 대개 주위의 공기중에 있는 수분 및/또는 산소와 반응하기 때문에, 순수한 질소 또는 아르곤 가스와 같은 불활성의 건조한 분위기에서 저장 및 취급되어야 한다.
실시예 1. (N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)구리([Cu(iPr-AMD)]2)의 합성.
에테르 내에 함유된 메틸리튬 용액(1.6 M in ether, 34mL, 0.054 mol)이 -30℃에서 100mL의 에테르에 함유된 1,3-디이소프로필카르보디이미드(6.9g, 0.055 mol) 용액에 대하여 적하방식으로 첨가되었다. 혼합물이 실내온도로 데우고 4시간 동안 교반하였다. 그 후 무색의 생성물인 용액이 50mL의 에테르에 함유된 브롬화구리 용액(7.8g, 0.054 mol)에 첨가되었다. 반응혼합물이 암실에서 12시간 동안 교반되었다. 그 후 감압하에서 모든 휘발성 물질이 제거되고, 생성된 고체가 헥산(100 mL)으로 추출되었다. 헥산 추출물이 글라스 프릿(glass frit) 상의 세라이트 패드로 여과하여 엷은 노란색 용액이 산출되었다. 여과액을 농축하고 -30℃에서 냉각하여 9.5g의 무색 크리스탈이 생성물(83%)로 산출되었다. 승화: 50mTorr에서 70℃. 1H NMR(C6D6, 25℃): 1.16(d, 12H), 1.65(s, 3H), 3.40(m, 2H). C16H34N4Cu2의 분석치: C, 46.92; H, 8.37; N, 13.68. 실측치: C, 46.95; H, 8.20; N, 13.78.
[Cu(iPr-AMD)]2 크리스탈이 엑스레이 결정학에 의해 구조적으로 특징이 나타났다. 도 2에 도시된 [Cu(iPr-AMD)]2 크리스탈은 고체상태에서 이량체이며 이 상태에서 아미디네이트 리간드는 구리금속 원자와 μ,η1:η1-방식으로 결합된다. Cu-N간 평균거리는 1.860(1)Å이다. Cu-N-C-N-Cu의 5-요소 링의 기하구조는 크리스탈 구조에 의해 가해지는 센트로시메트리(centrosymmetry)의 평면구조이다.
실시예 2. 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)코발트([Co(iPr-AMD) 2])의 합성.
이 화합물은 [Cu(iPr-AMD)]에 기재된 바와 유사한 방법으로 얻어질 수 있으나, 용매로서 에테르와 THF가 1대1의 비율로 혼합되었다. -30℃에서 헥산을 재결정화함으로써 진한 녹색 결정이 생산물(77%)로서 얻어졌다. 승화: 50mTorr에서 70℃. m.p.: 72℃. C16H34N4Co의 분석치: C, 56.29; H, 10.04; N, 16.41. 실측치: C, 54.31; H, 9.69; N, 15.95.
도 3에 도시된 바와 같이, Co(iPr-AMD)2 는 찌그러진 4면체 환경 내에 각각 코발트 원자가 배열된 두 개의 아미디네이트 리간드와 모노메트리(monometry)이다. Co-N간 평균 거리는 2.012(8)Å이다. Co-N-C-N의 4-요소 링은 가해진 거울면과 평면형이다.
실시예 3. 코발트 비스(N,N'-디-tert -부틸아세트아미디네이트)([Co(tBu-AMD)2])의 합성.
이 화합물은 1,3-디이소프로필카르보디이미드의 위치에 1,3-디-tert -부틸카르보디이미드를 이용함으로써, 실시예 2의 ([Co(iPr-AMD)2])와 유사한 방법으로 얻어졌다. 암청 크리스탈(84%). 승화: 50mTorr에서 45℃. m.p.: 90℃. C20H42N4Co: C, 60.43; H, 10.65; N, 14.09. 실측치: C, 58.86; H, 10.33; N, 14.28.
실시예 4. 란타늄 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트)([La(iPr- AMD)3])의 합성.
[Co(iPr-AMD)2]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, CoCl2의 위치에 LaCl3(THF)2를 이용하여, 천연 고체 재료를 승화시켜서 회색이 도는 흰색 고체가 생성물로 얻어졌다. 승화: 40mTorr에서 80℃. 1H NMR(C6D6,25℃): 1.20(d, 36H), 1.67(s, 18H), 3.46(m, 6H). C24H5lN6La의 분석치: C, 51.24; H, 9.14; N, 14.94. 실측치: C, 51.23; H, 8.22; N, 14.57.
실시예 5. 란타늄 트리스 (N,N'-디이소프로필-2-tert -부틸아미디네이트)([La(iPr-tBuAMD)3]·l/2C6H12)의 합성.
[Co(iPr-AMD)2]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, LaCl3(THF)2를 이용하여, 천연 고체 재료를 승화시켜서 회색이 도는 흰색 고체가 생성물로 얻어졌다. 무색 크리스탈(80%). 승화: 50mTorr에서 120℃. m.p.: 140℃. 1H NMR(C6D6,25℃): 1.33(br, 21H), 4.26(m, 6H). C33H75N6La의 분석치: C, 57.04; H, 10.88; N, 12.09. 실측치: C, 58.50; H, 10.19; N, 11.89.
실시예 6. 비스(N, N'-디이소프로필아세트아미디나토)철([Fe(iPr-AMD)2]2)의 합성.
[Co(iPr-AMD)2]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, FeCl2를 이용하여, 헥산 추출물에서 용매를 증발시켜 황록색의 고체[Fe(iPr-AMD)2]2가 생성물로 얻어졌다. 승화: 50mTorr에서 70℃. m.p.: 110℃.
실시예 7. 철 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트)([Fe(tBu-AMD)2])의 합성.
[Fe(iPr-AMD)2]2에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, 1,3-디이소프로필카르보디이미드의 위치에 1,3-디-tert-부틸카르보디이미드를 이용하여, 흰색의 크리스탈(77%)이 얻어졌다. 승화: 60mTorr에서 55℃. m.p.: 107℃. C20H42N4Fe의 분석치: C, 60.90 ;H, 10.73; N, 14.20. 실측치: C, 59.55; H, 10.77; N, 13.86.
실시예 8. 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)니켈([Ni(iPr-AMD)2])의 합성.
([Co(iPr-AMD)2])에 관한 실시예 2에서 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, NiCl2를 이용하고 반응 혼합물을 하루종일 환류시켜서, 헥산 추출물에서 용매를 증발시킴으로 갈색 고체[Ni(iPr-AMD)2]가 생성물로 얻어졌다. 갈색 크리스탈(70%). 승화: 70mTorr에서 35℃. m.p.: 55℃. Cl6H34N4Ni의 분석치: C, 56.34; H, 10.05; N, 16.42. 실측치: C, 55.22; H, 10.19; N, 16.12.
실시예 9. 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)망간([Mn(iPr-AMD)2]2)의 합성.
([Co(iPr-AMD)2])에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, MnCl2를 이용하여, 헥산 추출물에서 용매를 증발시킴으로 고체[Mn(iPr-AMD)2]2가 생성물로 얻어졌다. 황녹 크리스탈(79%). 승화: 50mtorr에서 65℃. C32H68N8Mn2의 분석치: C, 56.96; H, 10.16; N, 16.61. 실측치: C, 57.33; H, 9.58; N, 16.19.
실시예 10. 망간 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미이네이트)([Mn(tBu-AMD)2])의 합성.
[Mn(iPr-AMD)2]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되지만, 1,3-디이소프로필카르보디이미드의 위치에 1,3-디-tert-부틸카르보디이미드를 이용하여, 연한 황색 크리스탈(87%)이 얻어졌다. 승화: 60mtorr에서 55℃. m.p.: 100℃.
실시예 11. 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)티타늄([Ti(iPr- AMD)3])의 합성.
LaCl3(THF)2의 위치에 TiCl3가 이용되는 것을 제외하고는 [La(iPr-AMD)3]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되는 바, 헥산 추출물에서 용매를 증발시킴으로 [Ti(iPr-AMD)3]가 생성물로 얻어졌다. 갈색 크리스탈(70%). 승화: 50mtorr에서 70℃. C24H51N6Ti의 분석치: C, 61.13; H, 10.90; N, 17.82. 실측치: C, 60.22; H, 10.35; N, 17.14.
실시예 12. 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)바나듐([V(iPr-AMD)3])의 합성.
TiCl3의 위치에 VCl3가 이용되는 것을 제외하고는 [Ti(iPr-AMD)3]에 대한 상기 언급된 바와 유사한 공정이 진행되는 바, 헥산 추출물에서 용매를 증발시킴으로 [V(iPr-AMD)3]가 생성물로 얻어졌다. 적갈색 파우더(80%). 승화: 45mtorr에서 70℃.
실시예 13. 은(N,N'-디-이소프로필아세트아미디네이트)([Ag(iPr-AMD)]X(x = 2 및 x = 3)의 합성.
이들 두 화합물은 [Cu(iPr-AMD)]에서 언급된 바와 같은 방법으로 동시에 제조하였으며, 이량체와 삼량체의 1대1의 혼합으로 얻어졌다. 무색 크리스탈(90%). 승화: 40mtorr에서 80℃. m.p.: 95℃. 1H NMR(C6D6, 25℃): 1.10(d, dimer), 1.21(d, trimer), 1.74(s, trimer), 1.76(s, dimer), 3.52(m, 이합체 및 삼합체에 대한 피크는 잘 분석되지 않음) [C8Hl7N2Ag]X의 분석치: C, 38.57; H, 6.88; N, 11.25. 실측치: C, 38.62; H, 6.76; N, 11.34.
실시예 14. 구리금속의 원자층 증착
도 1에 따른 장치가 구리금속을 증착시키는데 사용되었다. 구리(I)N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트 이합체를 125㎤의 증기 부피를 갖는 스테인레스 스틸 용기(11) 내에 놓고 85℃로 가열하였는 바, 이 온도에서는 약 0.15Torr의 증기압을 갖는다. 질소매개가스 10Torr의 압력으로 챔버를 가압하여 1.0μ몰 분량의 구리전구체가 주입되었다. 가스크로마토그래피 견본 밸브를 이용하여 1.4m몰 분량의 수소가 주입되었다. 기판(130)과 가열된 챔버(110)의 벽의 면적은 대략 합산하여 총 103㎠이다. 따라서, 구리 전구체 분량이 1×10-9moles/cm2이었으며, 수소 분량이 1.4×10-6moles/cm2이었다. 그 "노출"은 증착 영역 내의 생성물의 전구체 증기의 부분압과 이 증기가 기판의 표면 위에 주어진 지점과 접촉하는 시간에 의해 규정된다. 구리 전구체에 대한 기판의 노출은 2.3×104랭뮤어/사이클(Langmuirs/cycle)이었으며 수소에 대한 노출은 3.4×107랭뮤어/사이클이었다.
묽은 플루오르화수소산 용액 속에 몇초간 두어 그 천연 산화물을 용해시킴으로 하나의 실리콘 기판(130)이 제조되었다. 그 다음 그 표면이 친수성이 될 때까지(약 2분) 공기 속에서 자외선(예들 들면, UV수은 램프)을 그 기판에 조사하였다. 그런 다음, 기판(130)을 챔버(110) 내에 배치하고 225℃의 온도로 가열하였다. 좁은 홀(길이 대 직경의 비율이 4.5:1)을 갖는 또 하나의 실리콘 기판을 유사하게 처리하여 챔버(110) 내에 배치하였다. 건조와 UV 청소 이전에 유리성질의 탄소 기판을 10%의 HF 수용액(5s), 탈이온수(30s) 및 이소프로판올(10s)로 세척하였다. 유리기판 및 실리콘 위에 스퍼터링된 백금 및 구리를 이소프로판올(10s)로 세척하고 건조시켰다.
구리 전구체와 수소의 교대 주입 사이에 매개가스가 10초간 유입되었다. 50사이클이 완료된 후에 증착 챔버용 히터를 잠구었다. 기판을 실온으로 냉각한 후에, 반응장치에서 제거하였다. 탄소 및 실리콘 기판을 러더포더 후방산란 분광기(Rutherford Backscattering Spectroscopy)로 검사하여 순수 구리 필름의 두께가 8×1016atoms/cm2 또는 1.4×10-7moles/cm2임을 확인하였다.
홀을 갖는 실리콘 웨이퍼를 쪼개어 홀의 횡단면을 주사전자현미경(SEM)으로 조사하였다. 도 4의 현미경사진에서는 구리가 약 10 대 1의 영상비(길이 대 직경의 비로 규정됨)로 홀의 전체 내부표면을 코팅함을 보여주며; 따라서 이러한 구리의 ALD 공정은 양호한 스텝 커버리지(step coverage)임을 증명해 준다.
실시예 15. 표면반응이 자기-제한적임의 증명.
양 반응물의 양이 두 배임을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 필름의 두께 및 특성은 실시예 1의 것과 변화가 없었다. 이 결과는 표면반응이 자기-제한적임을 보여준다.
실시예 16. 필름 두께가 사이클의 수에 일직선상으로 변함의 증명.
500 사이클 대신에 1,000 사이클이 이용된 것을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 두 배의 물질이 증착되었다. 이 결과는 각각의 자기-제한 반응은 다른 반응이 다시 시작하기에 필요한 조건을 복제하며, 반응을 개시하고 기판의 표면의 성장을 이루는데 상당한 지연이 없음을 보여준다.
실시예 17. 구리의 원자층 증착에 대한 온도범위의 증명.
기판 온도가 180 ~ 300℃의 범위 내임을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 사이클 당 두께가 도 6에 도시된 바와 같은 온도에서 변화함을 제외하고는 유사한 결과가 얻어졌다. 기판온도가 180℃ 미만에서는 구리의 증착이 관찰되지 않았다. 이 관찰이 보여주는 것은 만약 벽온도가 180℃ 미만을 유지하고 전구체의 이슬점을 초과한다면 반응 챔버의 벽에 바람직하지 아니한 구리 증착이 자유롭게 남아있다는 것이다.
실시예 18. 코발트 금속의 원자층 증착.
75℃의 코발트 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트)가 구리 전구체 대신에 사용되고 기판온도가 300℃로 가온된 것을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 실리콘 기판을 이산화실리콘으로 미리 코팅한 후 내부 직경 20㎛를 갖는 융해된 실리카 모세관 튜브를 따라 증착 챔버 속에 질화텅스텐을 주입하였다. 각 사이클에서, 코발트 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수소 분량이 9×10-7moles/cm2이었다. 코발트 전구체에 대한 기판의 노출은 1×105랭뮤어/사이클(Langmuirs/cycle)이었으며 수소에 대한 노출은 2×107랭뮤어/사이클이었다.
기판을 러더포더 후방산란 분광기(Rutherford Backscattering Spectroscopy)로 검사하여 순수 코발트 금속필름의 두께가 5×1016atoms/cm2 또는 8×10-8moles/cm2임을 확인하였다. 광학현미경으로 코팅된 융해 실리카 모세관을 검사하였는 바, 코발트 필름이 관내의 홀속으로 최소한 직경의 60배로(이를테면, 영상비>60) 확장되었음을 보여준다. 도 5에서, 1은 홀의 개방단부를 가리키며, 2는 코팅이 홀속에 얼마나 깊이 침투하였는가를 보여준다. 이 결과는 코발트의 ALD 공정에 의해 우수한 스텝 커버리지(step coverage)가 달성됨을 증명한다.
실시예 19. 코발트의 원자층 증착에 대한 온도범위의 증명.
기판온도가 250℃ 및 350℃ 사이에서 변화하는 것을 제외하고는 실시예 18이 반복되었다. 사이클 당 두께가 도 7에 도시된 온도에서 변화하는 것을 제외하고는 유사한 결과가 얻어졌다.
250℃ 미만의 기판온도에서는 코발트의 증착이 발견되지 않았다. 이 관찰이 보여주는 것은 만약 벽온도가 250℃ 미만을 유지하고 전구체의 이슬점을 초과한다면 반응 챔버의 벽에 바람직하지 아니한 코발트 증착이 자유롭게 남아있다는 것이다.
실시예 20. Co/WN 접착층/확산 베리어(glue layer/diffusion barrier) 위에 점착성 구리필름의 원자층 증착.
이산화실리콘 위에 미리 코팅된 질화텅스텐(WN), WN/SiO2/Si에 대하여 실시예 14 및 실시예 18에 따른 공정이 교대로 반복되었다. 다중층 구조(Cu/Co/WN/SiO2)를 갖는 부드럽고, 점착성이 있는 필름이 획득되었다. 그 후 점착성 테이프가 이 다중층 구조의 표면에 부착되었다. 테이프를 떼었을 때 부착력의 손실이 발견되지 않았다.
실시예 21. 산화코발트의 원자층증착.
수소가스가 수증기로 대체된 것을 제외하고는 실시예 18이 반복되었다. 대략 CoO와 유사한 구조를 갖는 균일하고 부드러운 산화코발트 층이 증착되었다.
실시예 22. 금속니켈의 원자층증착.
75℃의 니켈 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트)가 구리 전구체 대신에 사용되고 기판온도가 280℃로 가온된 것을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 실리콘 기판을 이산화실리콘으로 미리 코팅한 후 증착 챔버 속에 질화텅스텐을 주입하였다. 각 사이클에서, 니켈 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수소 분량이 8×10-7moles/cm2이었다. 니켈 전구체에 대한 기판의 노출은 3×104랭뮤어/사이클(Langmuirs/cycle)이었으며 수소에 대한 노출은 7×106랭뮤어/사이클이었다.
기판을 러더포더 후방산란 분광기(Rutherford Backscattering Spectroscopy)로 검사하여 순수 니켈 금속필름의 두께가 5×1016atoms/cm2 또는 8×10-8moles/cm2임을 확인하였다.
실시예 23. 금속철의 원자층증착.
75℃의 철 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트)가 구리 전구체 대신에 사용되고 기판온도가 280℃로 가온된 것을 제외하고는 실시예 14가 반복되었다. 실리콘 기판을 이산화실리콘으로 미리 코팅한 후 증착 챔버 속에 질화텅스텐을 주입하였다. 각 사이클에서, 철 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수소 분량이 4×10-6moles/cm2이었다. 철 전구체에 대한 기판의 노출은 8×104랭뮤어/사이클(Langmuirs/cycle)이었으며 수소에 대한 노출은 4×107랭뮤어/사이클이었다.
기판을 러더포더 후방산란 분광기(Rutherford Backscattering Spectroscopy)로 검사하여 순수 철 금속필름의 두께가 5×1016atoms/cm2 또는 8×10-8moles/cm2임을 확인하였다.
실시예 24. 산화철의 ALD.
코발트 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 대신에 85℃의 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디나토)철([Fe(iBu-AMD)2])로 실시예 21이 반복되었다. 각 사이클에서, 철 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수증기 분량이 8×10-8moles/cm2이었다. 철 전구체에 대한 기판의 노출은 8×104랭뮤어/사이클이었으며 수증기에 대한 노출은 7×105랭뮤어/사이클이었다. 대략 FeO와 유사한 구조를 갖는 균일하고 부드러운 산화철 층이 250℃로 가열된 기판위에 증착되었다.
실시예 25. 산화란타늄의 ALD.
코발트 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 대신에 120℃의 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)란타늄([La(iPr-AMD)3])로 실시예 21이 반복되었다. 각각 50사이클에서, 란타늄 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수증기 분량이 8×10-8moles/cm2이었다. 란타늄 전구체에 대한 기판의 노출은 3×104랭뮤어/사이클이었으며 수증기에 대한 노출은 7×105랭뮤어/사이클이었다. 대략 La2O3와 유사한 구조를 가지며 두께가 약 5nm인 균일하고 부드러운 산화란타늄 층이 300℃로 가열된 기판위에 증착되었다.
실시예 21의 공정이 50사이클 이상으로 반복되었을 때, 여러 부분의 반응 챔버 내의 샘플상에 두께가 균일하게 분포되지 않았으며, 사이클 당 두께는, 특히 진공펌프의 배기장치 근처의 지역에서 사이클 당 0.1nm 보다 컸다. 이러한 결과에 대한 우리의 해석은, 물을 주입할 동안 수증기가 보다 두꺼운 부피의 산화란타늄 층 속으로 흡수되었다는 것이다. 몇 초간의 정화시간 동안 흡수된 물 중, 전부는 아니지만, 뒤따르는 일부 물맥막이 질소가스 속으로 방출되었고 챔버로 운반되었다. 그러나, 란타늄 전구체의 다음 투입 동안 추가적 수증기 방출이 계속되었다. 이 잔여 수증기와 란타늄 전구체의 반응으로부터 La203의 화학적 증기증착이 발생하였는 바, 특히 진공펌프의 배기장치와 가장 밀접한 증착챔버 부분에서, 기대되는 성장율 보다 더 크게 수득되었다. 수증기의 정화시간을 연장함으로써 균일한 두께가 회복될 수 있었다. 두께균일성을 회복하기 위한 보다 실질적인 용액이 실시예 26에 기재되어 있다.
실시예 26. 산화란타늄/산화알루미늄 나노라미네이트의 ALD.
16사이클의 산화란타늄을 증착하기 위하여 실시예 25가 반복되었다. 그 후 당업계에 잘 알려진 공정에 따라, 트리메틸알루미늄 증기와 수증기의 교대 투입을 이용한 ALD에 의해 6사이클의 산화알루미늄이 증착되었다. 이 패턴(16La203 + 6A1203)의 사이클이 5회 반복되었다. 약 10nm 두께의 균일하고 부드러운 증이 300℃로 가열된 기판위에 증착되었다. 그 층은 평균조성이 대략 LaAlO3이다. 이 물질에 의해 만들어진 커패시터(capacitors)는 1볼트로 가해진 전위에서 약 18 유전상수와 약 5×10-8암페어/㎠의 저 전류누출을 갖는다.
실시예 26에서 얻어진 두께 균일성으로부터 우리가 해석할 수 있는 것은 산화알루미늄층은 보다 아래의 산화란타늄층으로 물이 확산되는 것을 방해하는 역할을 한다는 것이다. 따라서 ALD 공정에서 기대되는 두께 균일성은 바람직한 두께를 위한 La203/Al203 나노라미네이트에 대하여 달성된다.
실시예 27. 산화망간의 ALD.
코발트 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 대신에 75℃의 비스(N,N'-tert-부틸아세트아미디나토)망간([Mn(tBu-ANM)2])으로 실시예 21이 반복되었다. 각 사이클에서, 망간 전구체 분량이 4×10-9moles/cm2이었고, 수증기 분량이 8×10-8moles/cm2이었다. 망간 전구체에 대한 기판의 노출은 3×104랭뮤어/사이클이었으며 수증기에 대한 노출은 6×105랭뮤어/사이클이었다. 대략 MnO와 유사한 구조를 갖는 균일하고 부드러운 산화망간(Ⅱ) 층이 250℃로 가열된 기판 위에 약 0.1nm/cycle의 증착율로 증착되었다.
실시예 28. 산화마그네슘의 ALD.
실시예 21에서 사용된 코발트 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 대신에 80℃하에서 실시예 3에 기재된 것과 유사한 공정에 의해 제조된 비스(N,N'-tert-부틸아세트아미디나토)마그네슘([Mg(tBu-ANM)2])으로 실시예 21이 반복되었다. 각 사이클에서, 마그네슘 전구체 분량이 3×10-9moles/cm2이었고, 수증기 분량이 6×10-8moles/cm2이었다. 마그네슘 전구체에 대한 기판의 노출은 3×104랭뮤어/사이클이었으며 수증기에 대한 노출은 5×105랭뮤어/사이클이었다. 대략 MgO와 유사한 구조를 갖는 균일하고 부드러운 산화마그네슘 층이 250℃로 가열된 기판 위에 0.08nm/cycle의 증착율로 증착되었다.
실시예 29. 리튬N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트의 합성.
1당량의 건조 sec-부틸아민, 1당량의 건조 아세토니트릴 및 0.02당량의 란타늄 트리플레이트, 촉매가 리플럭스 콘덴스를 갖는 슐렝크 플라스크로 투입되었다. 반응혼합물이 3일간 리플럭스되는 동안, 건조 질소가 리플럭스 기둥을 통하여 오일 버블러(oil bubbler)에서 플라스크 속으로 천천히 주입되었다. 그런 다음 과량의 반응물이 진공하에 제거되고 남아있는 액체가 sec-부틸아세트아미딘으로 증류하여 정제되었다. 1H NMR(C6D6, 25℃): δ1.49(m, 4H), δ1.38(s, 3H), δ1.11(d, J=6Hz, 6H), δ0.90(t, J=8Hz, 6H).
리플럭스 기둥과 오일버블러를 갖는 반응 플라스크에서 sec-부틸아세트아미딘의 에테르 용액이 10㎖의 건조 에테르 당 1g의 농축으로 제조되었다. 그런 다음 에테르 속에 1당량의 메틸리튬 용액이 sec-부틸아세트아미딘 용액에 천천히 첨가되고 반응 혼합물이 1시간 동안 교반되었다. 그런 다음, 결과물인 리튬 N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트 용액이 다른 금속 sec-부틸아세트아미디네이트염의 합성을 위하여 더 이상의 정제없이 사용되었다. 리튬 N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트에 대한 1H NMR(C6D6, 25℃): δ3.16(m, 2H), δ1.71(s, 3H), δ1.68(m, 2H), δ1.52(m, 2H), δ1.19(d, J=6Hz, 4H), δ0.94(m, 6H).
실시예 30. 코발트 비스(N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트)([Co(sec-Bu-AMD)2])의 합성.
무수 염화코발트(Ⅱ)가 건조 박스 내의 슐렝크 플라스트 속으로 계량되었다. 실시예 29에서 제조된 2당량의 리튬 N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트 용액이 같은 부피의 건조 THF를 따라 첨가되었다. 반응혼합물이 하루종일 교반된 후, 휘발성 물질이 실온에서 진공하에 제거되었다. 고체가 건조 헥산 속에서 용해, 여과되고, 헥산이 실온에서 진공하에 여과액으로부터 제거되어 코발트 비스(N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트) 82%의 정제되지 아니한 수득율을 얻었다. 이 액체는 증류에 의하여 정화되었다(60mtorr에서 55℃).
실시예 31. 구리(I)N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트 이합체([Cu(sec-Bu-AMD)]2)의 합성.
염화코발트와 실시예 29에서 제조된 1당량의 리튬N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이트 대신에 1당량의 염화구리(I), CuCl로 실시예 30에 따른 공정이 이용되었다. [Cu(sec-Bu-AMD)]2가 실시예 30에 따른 공정에 의하여 분리되었다. 승화: 50mtorr에서 55℃. m.p.: 77℃. [Cu(sec-Bu-AMD)]2는 증기화에 이용된 온도(약 100℃)에서는 액체라는 점에서 구리 ALD의 프리커서로서 장점을 갖는 바, 이에 의하여 고체 프리커서의 승화에 의해 획득되는 것 보다 더 많은 증기의 복사 전달을 야기한다.
실시예 32. 비스무스 트리스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트)이합체([Bi(tBu-AMD)3]2)의 합성.
1당량의 삼염화비스무스, BiCl3와 (메틸리튬과 1,3-디-tert-부틸카르보디이미드의 반응으로 얻어진) 3당량의 리튬N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트가 THF 내에서 하루종일 리플럭스되었다. THF의 증발, 건조헥산의 추출, 여과 및 여과액으로부터 헥산의 증발 후에, 정제되지 아니한 생성물이 승화(80mtorr에서 70℃)에 의해 분리되었다. m.p.: 95℃. p-크실렌 용액에서 빙점법에 의해 이량체이다.
Dimeric by cryoscopy in p-xylene solution.
실시예 33. 스트론튬 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트)([Sr(tBu- AMD)2]n)의 합성.
실시예 32에서 사용된 것과 유사한 절차가 진행되어, 스트론튬 비스(N,N'-디-tert-부틸아세트아미디네이트)가 얻어졌다. 정제되지 아니한 생성물이 승화(90mtorr에서 130℃)에 의해 분리되었다.
실시예 34. 산화비스무스, Bi203의 ALD.
실시예 25에서와 유사한 공정이 진행되어, 85℃에서 비스무스 트리스(N,N'-di-tert-부틸아세트아미디네이트)를 함유하는 증기 원(vapor source)에서 산화비스무스, Bi203 필름이 200℃의 기판 위에 증착되었다. 필름의 두께는 약 0.03nm/cycle이었다.
실시예 35. 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)루테늄([Ru(iPr-AMD)3])의 합성.
실시예 11에서와 유사한 공정이 진행되어, 트리스(N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)루테늄([Ru(iPr-AMD)3])이 저 수율로 획득되었다.
비교예
1.
수소가스를 사용하지 않고 구리 전구체만 사용하여 실시예 14가 반복되었다. 어떠한 필름도 기판표면상에 증착되는 것이 관찰되지 않았다.
비교예
2.
수소를 사용하지 않고 코발트 프리커서만 사용하여 실시예 14가 반복되었다. 어떠한 필름도 기판표면상에 증착되는 것이 관찰되지 않았다.
당업계에서 지식을 가진 자는 반복된 실험과 여기에 특별히 설명된 본 발명에 따른 특별한 구현예와 많은 동등물들을 이용하여 인식하거나 확인할 수 있을 것이다. 그러한 동등물은 다음의 청구범위 내에 포함된다.
Claims (30)
- 제 1항에 있어서, 상기 R1, R1', R1'', R2, R2', R2'', R3, R3'및 R3''는 독립적으로 비치환 알킬기인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, 상기 R1, R1', R1'', R2, R2', R2'', R3, R3'및 R3''는 독립적으로 플루오로알킬기인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 란타늄인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 프라세오디뮴인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 티타늄인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 바나듐인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 철인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 코발트인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 루테늄인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 이트륨인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 스칸듐인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1항에 있어서, M"은 크롬인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 전이 금속 또는 란탄계열 금속을 포함하는 박막의 제조방법으로서, 상기 방법은 청구항 제 1항 내지 14항 중 어느 한 항에 의한 휘발성 금속 아미디네이트 화합물의 하나 이상을 기판에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 방법은 환원 가스를 기판에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 환원 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 박막은 금속 질화물(metal nitride)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 방법은 질소를 포함하는 가스를 기판에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 질소를 포함하는 가스는 암모니아인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 박막은 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 방법은 산소를 포함하는 가스를 기판에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 산소를 포함하는 가스는 수증기인 것을 특징으로 하는 방법.
- 금속을 포함하는 박막의 형성방법으로, 상기 방법은 가열된 기판을 청구항 제 1항 내지 14항 중 어느 한 항에 의한 휘발성 금속 아미디네이트 화합물의 하나 이상의 증기에 노출시킨 후 환원 가스에 노출시켜 기판의 표면상에 금속 코팅을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항에 있어서, 상기 환원 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 방법.
- 금속 질화물을 포함하는 박막의 형성방법으로, 상기 방법은 가열된 기판을 청구항 제 1항 내지 14항 중 어느 한 항에 의한 휘발성 금속 아미디네이트 화합물의 하나 이상의 증기에 노출시킨 후 질소 포함 가스에 노출시켜 기판의 표면상에 금속 질화물 코팅을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 질소-포함 가스는 암모니아인 것을 특징으로 하는 방법.
- 금속 산화물을 포함하는 박막의 형성방법으로, 상기 방법은 가열된 기판을 청구항 제 1항 내지 14항 중 어느 한 항에 의한 휘발성 금속 아미디네이트 화합물의 하나 이상의 증기에 노출시킨 후 산소 포함 가스에 노출시켜 기판의 표면상에 금속 산화물 코팅을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 28항에 있어서, 상기 산소 포함 가스는 수증기인 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제
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KR100643637B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2006-11-10 | 한국화학연구원 | 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 사용하는 원자층침착법으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법 |
US7064224B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-06-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organometallic complexes and their use as precursors to deposit metal films |
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WO2007015436A1 (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Tosoh Corporation | 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 |
US7776394B2 (en) | 2005-08-08 | 2010-08-17 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents |
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WO2007142700A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (i) amidinates and guanidinates for forming copper thin films |
JP2008013533A (ja) * | 2006-06-07 | 2008-01-24 | Toyota Motor Corp | アミジン−カルボン酸錯体及び複数錯体含有化合物 |
US20090208637A1 (en) * | 2006-06-15 | 2009-08-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Cobalt precursors useful for forming cobalt-containing films on substrates |
WO2008002546A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | President And Fellows Of Harvard College | Metal(iv) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
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US7547631B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-06-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic compounds |
US7781016B2 (en) * | 2006-08-23 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring precursor amounts in bubbler sources |
US8404306B2 (en) | 2006-09-22 | 2013-03-26 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés George Claude | Method for the deposition of a ruthenium containing film |
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US7776395B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials |
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JP2008182183A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Doshisha | 原子層成長法を用いた成膜方法及びその成膜装置 |
US8524931B2 (en) * | 2007-01-17 | 2013-09-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films |
US7750173B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
US7851360B2 (en) * | 2007-02-14 | 2010-12-14 | Intel Corporation | Organometallic precursors for seed/barrier processes and methods thereof |
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US7858525B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-12-28 | Intel Corporation | Fluorine-free precursors and methods for the deposition of conformal conductive films for nanointerconnect seed and fill |
US7964746B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-06-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper precursors for CVD/ALD/digital CVD of copper metal films |
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JP5437594B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2014-03-12 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 有機金属化合物 |
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US7659414B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-02-09 | Rohm And Haas Company | Method of preparing organometallic compounds |
US20090028745A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Julien Gatineau | Ruthenium precursor with two differing ligands for use in semiconductor applications |
US8455049B2 (en) | 2007-08-08 | 2013-06-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Strontium precursor for use in chemical vapor deposition, atomic layer deposition and rapid vapor deposition |
US20090087561A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal and metalloid silylamides, ketimates, tetraalkylguanidinates and dianionic guanidinates useful for cvd/ald of thin films |
US8834968B2 (en) | 2007-10-11 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming phase change material layer using Ge(II) source, and method of fabricating phase change memory device |
KR101458953B1 (ko) | 2007-10-11 | 2014-11-07 | 삼성전자주식회사 | Ge(Ⅱ)소오스를 사용한 상변화 물질막 형성 방법 및상변화 메모리 소자 제조 방법 |
JP5650880B2 (ja) | 2007-10-31 | 2015-01-07 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 非晶質Ge/Te蒸着方法 |
US20100279011A1 (en) * | 2007-10-31 | 2010-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Novel bismuth precursors for cvd/ald of thin films |
WO2009084966A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Universitetet I Oslo | Formation of a lithium comprising structure on a substrate by ald |
US20090209777A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-20 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US20090215225A1 (en) | 2008-02-24 | 2009-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
WO2009116004A2 (en) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkali earth metal precursors for depositing calcium and strontium containing films |
JP5820267B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2015-11-24 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 配線用セルフアライン(自己整合)バリア層 |
CN101981226B (zh) | 2008-03-26 | 2012-09-26 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 含有钌和碱土金属的三元氧化物膜的沉积 |
FR2929449A1 (fr) * | 2008-03-28 | 2009-10-02 | Stmicroelectronics Tours Sas S | Procede de formation d'une couche d'amorcage de depot d'un metal sur un substrat |
WO2009134989A2 (en) | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
TW200949939A (en) * | 2008-05-23 | 2009-12-01 | Sigma Aldrich Co | High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based β -diketonate precursors |
TWI467045B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-01-01 | Sigma Aldrich Co | 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法 |
WO2009149372A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films |
US20120156373A1 (en) | 2008-06-05 | 2012-06-21 | American Air Liquide, Inc. | Preparation of cerium-containing precursors and deposition of cerium-containing films |
TWI593820B (zh) * | 2008-06-05 | 2017-08-01 | 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積 |
WO2009152108A2 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | GeSbTe MATERIAL INCLUDING SUPERFLOW LAYER(S), AND USE OF Ge TO PREVENT INTERACTION OF Te FROM SbXTeY AND GeXTeY RESULTING IN HIGH Te CONTENT AND FILM CRISTALLINITY |
US8168811B2 (en) | 2008-07-22 | 2012-05-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursors for CVD/ALD of metal-containing films |
US8105937B2 (en) * | 2008-08-13 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Conformal adhesion promoter liner for metal interconnects |
US8330136B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
US7927942B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-04-19 | Asm International N.V. | Selective silicide process |
CN102326213A (zh) * | 2009-02-18 | 2012-01-18 | 东洋纺织株式会社 | 金属薄膜制造方法以及金属薄膜 |
JP2010209425A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tokyo Electron Ltd | Cu膜の成膜方法および記憶媒体 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
JP5530118B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化マンガン膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
KR20120106888A (ko) | 2009-05-22 | 2012-09-26 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 저온 gst 방법 |
US8410468B2 (en) * | 2009-07-02 | 2013-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Hollow GST structure with dielectric fill |
WO2011006064A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Metal-containing precursors for deposition of metal-containing films |
JP5600351B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-10-01 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー | 高分子量アルキル−アリルコバルトトリカルボニル錯体及び誘電体薄膜を作製するためのそれらの使用 |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
TW201124552A (en) * | 2009-09-02 | 2011-07-16 | Ulvac Inc | Method for forming co film |
KR20120046786A (ko) * | 2009-09-02 | 2012-05-10 | 가부시키가이샤 알박 | Co 막의 형성 방법 및 Cu 배선막의 형성 방법 |
EP2339048B1 (en) | 2009-09-14 | 2016-12-07 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Method for depositing organometallic compounds |
JP2011066060A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の形成方法 |
JP5225957B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および記憶媒体 |
JPWO2011040385A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Ni膜の成膜方法 |
CN102859662B (zh) | 2009-10-23 | 2015-11-25 | 哈佛大学校长及研究员协会 | 用于互连的自对准阻挡层和封盖层 |
US20110124182A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Advanced Techology Materials, Inc. | System for the delivery of germanium-based precursor |
WO2011106072A2 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
WO2011119175A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
US8796483B2 (en) | 2010-04-01 | 2014-08-05 | President And Fellows Of Harvard College | Cyclic metal amides and vapor deposition using them |
US8357614B2 (en) | 2010-04-19 | 2013-01-22 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD |
WO2011146913A2 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
TWI529808B (zh) | 2010-06-10 | 2016-04-11 | Asm國際股份有限公司 | 使膜選擇性沈積於基板上的方法 |
TWI550119B (zh) * | 2010-11-02 | 2016-09-21 | 宇部興產股份有限公司 | (醯胺胺基烷)金屬化合物、及利用該金屬化合物之含金屬之薄膜之製造方法 |
TWI481615B (zh) * | 2011-03-11 | 2015-04-21 | Applied Materials Inc | 用於錳的原子層沉積之前驅物及方法 |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
CA2834809A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Greencentre Canada | Group 11 mono-metallic precursor compounds and use thereof in metal deposition |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
EP2545972A1 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-16 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound purification by two steps distillation |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8525232B2 (en) | 2011-08-10 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure having a wetting layer |
EP2559681B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-06-22 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound preparation |
EP2559682B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-08-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Organometallic compound preparation |
JP5661006B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ニッケル膜の成膜方法 |
KR101629869B1 (ko) | 2011-09-16 | 2016-06-13 | 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 | 그래핀 결함의 변경 |
KR101405256B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2014-06-10 | 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 | 그래핀 결함 변경 |
WO2013043501A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Applied Materials, Inc. | Metal-aluminum alloy films from metal amidinate precursors and aluminum precursors |
WO2013051670A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 気相成長株式会社 | コバルト系膜形成方法、コバルト系膜形成材料、及び新規化合物 |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
JP5806912B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2015-11-10 | 株式会社アルバック | 液体原料の気化方法 |
JP2013104100A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料 |
JP5795520B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-10-14 | 大陽日酸株式会社 | 金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法 |
US9112003B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-08-18 | Asm International N.V. | Selective formation of metallic films on metallic surfaces |
US20130168614A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | L'Air Liquide Société Anonyme pour ''Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Nickel allyl amidinate precursors for deposition of nickel-containing films |
JP5843318B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-01-13 | 株式会社Adeka | Ald法用窒化アルミニウム系薄膜形成用原料及び該薄膜の製造方法 |
JP5919882B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-05-18 | 宇部興産株式会社 | コバルト化合物の混合物、及び当該コバルト化合物の混合物を用いたコバルト含有薄膜の製造方法 |
JP5842687B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-01-13 | 宇部興産株式会社 | コバルト膜形成用原料及び当該原料を用いたコバルト含有薄膜の製造方法 |
KR102117124B1 (ko) | 2012-04-30 | 2020-05-29 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 유전체 물질로 중심-충전된 상 변화 합금을 포함하는 상 변화 메모리 구조체 |
WO2013177326A1 (en) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Silicon precursors for low temperature ald of silicon-based thin-films |
US8692010B1 (en) | 2012-07-13 | 2014-04-08 | American Air Liquide, Inc. | Synthesis method for copper compounds |
EP2875166B1 (en) * | 2012-07-20 | 2018-04-11 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications |
US8859045B2 (en) * | 2012-07-23 | 2014-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method for producing nickel-containing films |
US9194040B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-11-24 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing nickel-containing films |
JP5917351B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の成膜方法 |
JP2014062312A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | マンガンシリケート膜の形成方法、処理システム、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
JP6008682B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-10-19 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置用配管のクリーニング方法 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
JP2014084506A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2014070682A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-08 | Advaned Technology Materials, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11326255B2 (en) | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
WO2014124056A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films |
US9005704B2 (en) * | 2013-03-06 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing films comprising cobalt and cobalt nitrides |
JP2014236192A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化マンガン膜の形成方法 |
US11319452B2 (en) | 2013-06-06 | 2022-05-03 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source using solutions of precursors in tertiary amines |
TW201509799A (zh) | 2013-07-19 | 2015-03-16 | Air Liquide | 用於ald/cvd含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物 |
US9994954B2 (en) | 2013-07-26 | 2018-06-12 | Versum Materials Us, Llc | Volatile dihydropyrazinly and dihydropyrazine metal complexes |
US9343315B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor structure, and solid precursor delivery system |
US9099301B1 (en) | 2013-12-18 | 2015-08-04 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Preparation of lanthanum-containing precursors and deposition of lanthanum-containing films |
TWI686499B (zh) | 2014-02-04 | 2020-03-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積 |
KR102198856B1 (ko) | 2014-02-10 | 2021-01-05 | 삼성전자 주식회사 | 니켈 함유막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
KR102168174B1 (ko) | 2014-03-19 | 2020-10-20 | 삼성전자주식회사 | 니켈 화합물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
KR102193623B1 (ko) | 2014-06-05 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 및 그 제조 방법 |
US9382618B2 (en) | 2014-07-18 | 2016-07-05 | UChicago Argnonne, LLC | Oxygen-free atomic layer deposition of indium sulfide |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
SG11201700491TA (en) * | 2014-08-04 | 2017-02-27 | Basf Se | Process for the generation of thin inorganic films |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10570513B2 (en) | 2014-12-13 | 2020-02-25 | American Air Liquide, Inc. | Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same |
KR102185458B1 (ko) | 2015-02-03 | 2020-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 선택적 퇴적 |
US9490145B2 (en) | 2015-02-23 | 2016-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Removal of surface passivation |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
EP3310788A4 (en) * | 2015-06-18 | 2019-02-20 | INTEL Corporation | INHERENT SELECTIVE PRELIMINARY TO SEPARATE TRANSITION METAL THIN FILMS OF THE SECOND OR THIRD SERIES |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10913754B2 (en) | 2015-07-07 | 2021-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lanthanum compound and methods of forming thin film and integrated circuit device using the lanthanum compound |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
KR102551351B1 (ko) * | 2018-03-16 | 2023-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 란타넘 화합물과 이를 이용한 박박 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
KR102424961B1 (ko) | 2015-07-07 | 2022-07-25 | 삼성전자주식회사 | 란타넘 화합물 및 그 제조 방법과 란타넘 전구체 조성물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
US10121699B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-11-06 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
US10566185B2 (en) | 2015-08-05 | 2020-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
JP6655838B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2020-02-26 | 気相成長株式会社 | Mg系材形成材料、Mg系材形成方法、及び新規化合物 |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
US10343186B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US10814349B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
TWI740848B (zh) * | 2015-10-16 | 2021-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 實施原子層沉積以得閘極介電質 |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
KR102442621B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2022-09-13 | 삼성전자주식회사 | 니오븀 화합물을 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9981286B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-05-29 | Asm Ip Holding B.V. | Selective formation of metal silicides |
US10204782B2 (en) | 2016-04-18 | 2019-02-12 | Imec Vzw | Combined anneal and selective deposition process |
US10551741B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a directed self-assembled layer on a substrate |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US10014212B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metallic films |
US9803277B1 (en) | 2016-06-08 | 2017-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films |
JP6735163B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2020-08-05 | 株式会社Adeka | バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102592325B1 (ko) | 2016-07-14 | 2023-10-20 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11512098B2 (en) * | 2016-10-01 | 2022-11-29 | Intel Corporation | Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
WO2018088079A1 (ja) | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びアミジン化合物 |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11430656B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
JP7169072B2 (ja) | 2017-02-14 | 2022-11-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11161857B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-11-02 | President And Fellows Of Harvard College | Metal bicyclic amidinates |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US11501965B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
CN115233183A (zh) | 2017-05-16 | 2022-10-25 | Asm Ip 控股有限公司 | 电介质上氧化物的选择性peald |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
US10900120B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Passivation against vapor deposition |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
CN107382778A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-11-24 | 苏州复纳电子科技有限公司 | 一种(n,n′‑二异丙基甲基碳酰亚胺)钇的合成方法 |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10566428B2 (en) | 2018-01-29 | 2020-02-18 | Raytheon Company | Method for forming gate structures for group III-V field effect transistors |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) * | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US20210163348A1 (en) * | 2018-04-09 | 2021-06-03 | Ald Nanosolutions, Inc. | Hydrophobic Coatings on Glass Having Superior Properties and Methods of Coating Using Atomic or Molecular Deposition |
JP7146690B2 (ja) | 2018-05-02 | 2022-10-04 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 堆積および除去を使用した選択的層形成 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
JP2020056104A (ja) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US20200165270A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-05-28 | Versum Materials Us, Llc | Low Halide Lanthanum Precursors For Vapor Deposition |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
EP3680247A1 (de) | 2019-01-08 | 2020-07-15 | Umicore Ag & Co. Kg | Metallorganische verbindungen |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11965238B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metal oxides on metal surfaces |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
JP7332211B2 (ja) * | 2019-04-22 | 2023-08-23 | 気相成長株式会社 | 新規化合物および製造方法 |
JP7161767B2 (ja) * | 2019-04-22 | 2022-10-27 | 気相成長株式会社 | 形成材料、形成方法、及び新規化合物 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
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USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11139163B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of SiOC thin films |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11111578B1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
TW202140832A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積 |
TW202140833A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積 |
TW202204658A (zh) | 2020-03-30 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US20230151041A1 (en) * | 2020-04-10 | 2023-05-18 | Adeka Corporation | Amidinate compound, dimer compound thereof, thin-film forming raw material, and method of producing thin film |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
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JP2022068761A (ja) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | 気相成長株式会社 | アミジネート金属錯体の製造方法 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
KR20240032935A (ko) | 2021-07-12 | 2024-03-12 | 가부시키가이샤 아데카 | 코발트 화합물, 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법 |
CN113582879A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-02 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种有机镧前驱体La(iPr2-FMD)3的制备方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
CN116230631B (zh) * | 2023-05-09 | 2024-01-30 | 北京超弦存储器研究院 | 金属互连结构的制备方法、金属互连结构及半导体组件 |
CN116924939B (zh) * | 2023-07-25 | 2024-01-26 | 苏州源展材料科技有限公司 | 一种镁配合物的制备方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2699285B2 (ja) | 1989-04-11 | 1998-01-19 | タイホー工業株式会社 | インパクトプリンターによるオーバーヘッドプロジェクターシートの作製方法及び被記録体 |
US5139825A (en) | 1989-11-30 | 1992-08-18 | President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides |
DE4009394A1 (de) * | 1989-12-12 | 1991-06-13 | Merck Patent Gmbh | Heterocyclische metallorganische verbindungen |
DE4020941A1 (de) * | 1990-06-30 | 1992-01-02 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von dialkylcarbonaten |
US5362328A (en) | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
US5820664A (en) | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
US5280012A (en) | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Advanced Technology Materials Inc. | Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD |
US6110529A (en) | 1990-07-06 | 2000-08-29 | Advanced Tech Materials | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5225561A (en) | 1990-07-06 | 1993-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements |
US5453494A (en) | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
US5711816A (en) | 1990-07-06 | 1998-01-27 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same |
DE4039449A1 (de) | 1990-12-11 | 1992-06-17 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung eines kupfer-i-formamidin-komplexes |
US5098516A (en) | 1990-12-31 | 1992-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processes for the chemical vapor deposition of copper and etching of copper |
US5144049A (en) | 1991-02-04 | 1992-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
US5085731A (en) | 1991-02-04 | 1992-02-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
US5235075A (en) * | 1992-12-10 | 1993-08-10 | The Dow Chemical Company | Purification of propylene oxide |
US5322712A (en) | 1993-05-18 | 1994-06-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for improved quality of CVD copper films |
GB9315975D0 (en) * | 1993-08-02 | 1993-09-15 | Ass Octel | Organometallic complexes of gallium and indium |
US5689123A (en) * | 1994-04-07 | 1997-11-18 | Sdl, Inc. | III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices |
GB9423613D0 (en) * | 1994-11-23 | 1995-01-11 | Ass Octel | Organometallic complexes of aluminium, gallium and indium |
GB9423614D0 (en) | 1994-11-23 | 1995-01-11 | Ass Octel | Organometallic complexes of aluminium, gallium and indium |
US5502128A (en) * | 1994-12-12 | 1996-03-26 | University Of Massachusetts | Group 4 metal amidinate catalysts and addition polymerization process using same |
US5919522A (en) | 1995-03-31 | 1999-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Growth of BaSrTiO3 using polyamine-based precursors |
US5932363A (en) | 1997-10-02 | 1999-08-03 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices |
US6294836B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-09-25 | Cvc Products Inc. | Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method |
US6337148B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-01-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structures |
US6273951B1 (en) * | 1999-06-16 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Precursor mixtures for use in preparing layers on substrates |
US6417369B1 (en) | 2000-03-13 | 2002-07-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Pyrazolate copper complexes, and MOCVD of copper using same |
US6211090B1 (en) | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
KR200195246Y1 (ko) | 2000-03-22 | 2000-09-01 | 유덕준 | 단추 성형장치 |
US20020013487A1 (en) | 2000-04-03 | 2002-01-31 | Norman John Anthony Thomas | Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films |
US6444263B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-09-03 | Cvc Products, Inc. | Method of chemical-vapor deposition of a material |
US6527855B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-03-04 | Rensselaer Polytechnic Institute | Atomic layer deposition of cobalt from cobalt metallorganic compounds |
US6653154B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Method of forming self-aligned, trenchless mangetoresistive random-access memory (MRAM) structure with sidewall containment of MRAM structure |
KR100406534B1 (ko) | 2001-05-03 | 2003-11-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 루테늄 박막의 제조 방법 |
US6933011B2 (en) | 2002-10-17 | 2005-08-23 | Aviza Technology, Inc. | Two-step atomic layer deposition of copper layers |
KR101530502B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2015-06-19 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법 |
US7396949B2 (en) | 2003-08-19 | 2008-07-08 | Denk Michael K | Class of volatile compounds for the deposition of thin films of metals and metal compounds |
US20050214458A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-09-29 | Meiere Scott H | Low zirconium hafnium halide compositions |
US20060062910A1 (en) | 2004-03-01 | 2006-03-23 | Meiere Scott H | Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US7166732B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-01-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
US7816550B2 (en) | 2005-02-10 | 2010-10-19 | Praxair Technology, Inc. | Processes for the production of organometallic compounds |
-
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-
2015
- 2015-04-09 JP JP2015080137A patent/JP2015165050A/ja active Pending
-
2016
- 2016-11-25 JP JP2016229244A patent/JP2017122273A/ja active Pending
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
EDELMANN, F. T. 'N-silylated benzamidines: versatile building blocks in main group and coordination chemistry' Coordination Chemistry Reviews, Vol.137, pp.403-481 (1994.12.)* |
SCHOELLER, W. W. et al., Inorg. Chem., Vol.38(1), pp.29-37 (1998.12.17.)* |
Also Published As
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